JP2002299625A - Semiconductor device constituted of silicon carbide semiconductor - Google Patents
Semiconductor device constituted of silicon carbide semiconductorInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 14
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 7
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 101000854908 Homo sapiens WD repeat-containing protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 102100020705 WD repeat-containing protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、炭化珪素半導体
材料からなる半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device made of a silicon carbide semiconductor material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の炭化珪素からなる耐圧構造をもつ
ユニポーラ型の三端子半導体装置は、例えば、IEEE ELE
CTROＮ DEVICE LETTERS, VOL.18, ＮO.3, 1997, Ｐ93に
示すように、ショットキーダイオードを内蔵しないもの
であった。一般に、絶縁ゲート電界効果トランジスタ、
接合型電界効果トランジスタ、静電誘導トランジスタな
どの半導体装置をスイッチング装置として用いる場合、
電圧の位相と異なる位相をもつ電流を流すために、これ
らのスイッチング装置がオフになると導通可能となり、
オンになると逆方向にバイアスされるように逆並列ダイ
オードが配置される。2. Description of the Related Art A conventional unipolar three-terminal semiconductor device having a breakdown voltage structure made of silicon carbide is disclosed in, for example, IEEE ELE
As shown in CTRON DEVICE LETTERS, VOL. 18, No. 3, 1997, p. 93, no Schottky diode was built-in. In general, insulated gate field effect transistors,
When a semiconductor device such as a junction field effect transistor or an electrostatic induction transistor is used as a switching device,
In order to flow a current having a phase different from the phase of the voltage, when these switching devices are turned off, conduction becomes possible,
An anti-parallel diode is arranged to be reverse biased when turned on.
【０００３】図７は、耐圧構造をもつユニポーラ型の三
端子半導体装置として絶縁ゲート電界効果トランジスタ
を用いた最も一般的な例であり、これを用いて具体的に
説明する。図において、１はＮ型炭化珪素ドリフト層、
２はＰ型炭化珪素領域、３はドレイン電極、４はソース
電極、５はショットキー電極、６はＮ型炭化珪素領域、
７はゲート電極、８はゲート絶縁膜、９はＮ型炭化珪素
基板である。図における絶縁ゲート電界効果トランジス
タをスイッチング動作させる場合、ソース電極４に対し
てドレイン電極３が正電位となるとき逆方向にバイアス
され、逆にソース電極４に対してドレイン電極３が負電
位となるとき順方向にバイアスされるダイオードを、環
流ダイオードとして絶縁ゲート電界効果トランジスタに
並列に取り付ける。FIG. 7 shows the most general example in which an insulated gate field effect transistor is used as a unipolar three-terminal semiconductor device having a breakdown voltage structure, which will be specifically described. In the figure, 1 is an N-type silicon carbide drift layer,
2 is a P-type silicon carbide region, 3 is a drain electrode, 4 is a source electrode, 5 is a Schottky electrode, 6 is an N-type silicon carbide region,
7, a gate electrode; 8, a gate insulating film; and 9, an N-type silicon carbide substrate. In the case where the insulated gate field effect transistor shown in the drawing performs a switching operation, the drain electrode 3 is biased in the reverse direction when the drain electrode 3 has a positive potential with respect to the source electrode 4, and the drain electrode 3 has a negative potential with respect to the source electrode 4. A forward biased diode is mounted in parallel with the insulated gate field effect transistor as a freewheeling diode.
【０００４】このように逆並列ダイオードには、これら
のスイッチング装置とは別のダイオードが用いられる場
合が考えられるが、他の方法として、これらの半導体装
置は構造上、装置内部に上記のように動作するＰＮ接合
ダイオードが存在するため、この内蔵ＰＮ接合ダイオー
ドが用いられる場合も考えられる。図７を用いて説明す
れば、Ｐ型炭化珪素領域２とＮ型ドリフト層１により形
成されるＰＮ接合ダイオードは、ソース電極４に対して
ドレイン電極３が正電位となるとき逆方向にバイアスさ
れ、逆にソース電極４に対してドレイン電極３が負電位
となるとき順方向にバイアスされるため、環流ダイオー
ドとして用いることができる。As described above, a diode different from these switching devices may be used for the anti-parallel diode. However, as another method, these semiconductor devices are structurally and internally provided as described above. Since there is an operating PN junction diode, it is conceivable that this built-in PN junction diode is used. Referring to FIG. 7, the PN junction diode formed by P-type silicon carbide region 2 and N-type drift layer 1 is biased in the reverse direction when drain electrode 3 has a positive potential with respect to source electrode 4. Conversely, when the drain electrode 3 has a negative potential with respect to the source electrode 4, the bias is applied in the forward direction, so that it can be used as a freewheeling diode.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】これまでの炭化珪素半
導体からなる半導体装置をスイッチング装置として用い
る場合、上記のような逆並列ダイオードが用いられてい
た。しかしながら、スイッチング装置とは別にダイオー
ドを用いる場合には、装置の体積が大きくなること、ス
イッチング装置と逆並列ダイオードの間の配線により、
周波数特性に悪影響をおよぼすインピーダンスが増加す
ることなどの問題があった。また、内蔵ダイオードを逆
並列ダイオードとして用いる場合には、この内蔵ダイオ
ードはＰＮ接合をもつため、順方向に電流を流す際に、
炭化硅素半導体のバンドギャップに相当する約３ボルト
の電圧降下が生じる。この電圧降下は電力損失を生み、
素子温度を上昇させること、また、内蔵ダイオードは逆
並列ダイオードとして最適化されていないために、良好
な特性が得られないことなどの問題があった。When a conventional semiconductor device made of a silicon carbide semiconductor is used as a switching device, the above-described anti-parallel diode has been used. However, when a diode is used separately from the switching device, the volume of the device becomes large, and the wiring between the switching device and the anti-parallel diode causes
There are problems such as an increase in impedance which adversely affects the frequency characteristics. When the built-in diode is used as an anti-parallel diode, since the built-in diode has a PN junction, when a current flows in the forward direction,
A voltage drop of about 3 volts corresponding to the band gap of the silicon carbide semiconductor occurs. This voltage drop causes power loss,
There have been problems such as increasing the element temperature, and failing to obtain good characteristics because the built-in diode is not optimized as an anti-parallel diode.
【０００６】この発明は、上記の問題点を解消するため
になされたもので、装置内にショットキーダイオードを
組み込み、該ショットキーダイオードをスイッチング動
作時の逆並列ダイオードとして用いる炭化珪素半導体か
らなる半導体装置を実現することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. A semiconductor comprising a silicon carbide semiconductor having a Schottky diode incorporated in a device and using the Schottky diode as an anti-parallel diode during switching operation. It is intended to realize the device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明に係る炭化珪素
半導体からなる半導体装置は、耐圧構造をもつユニポー
ラ型の三端子半導体装置のドリフト層にショットキーダ
イオードを形成したものである。A semiconductor device made of a silicon carbide semiconductor according to the present invention is obtained by forming a Schottky diode in a drift layer of a unipolar three-terminal semiconductor device having a breakdown voltage structure.
【０００８】また、上記耐圧構造をもつユニポーラ型の
三端子半導体装置を絶縁ゲート電界効果トランジスタと
したものである。Further, the unipolar three-terminal semiconductor device having the above-mentioned breakdown voltage structure is an insulated gate field effect transistor.
【０００９】また、上記耐圧構造をもつユニポーラ型の
三端子半導体装置を接合型電界効果トランジスタとした
ものである。Further, the unipolar three-terminal semiconductor device having the above-mentioned breakdown voltage structure is a junction type field effect transistor.
【００１０】また、上記耐圧構造をもつユニポーラ型の
三端子半導体装置を静電誘導トランジスタとしたもので
ある。Further, the unipolar three-terminal semiconductor device having the above-mentioned breakdown voltage structure is an electrostatic induction transistor.
【００１１】また、上記ショットキーダイオードを接合
障壁ショットキーダイオードとしたものである。Further, the Schottky diode is a junction barrier Schottky diode.
【００１２】また、上記ショットキーダイオードをマー
ジドピンショットキーダイオードとしたものである。Further, the Schottky diode is a merged pin Schottky diode.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１における炭化珪素半導体からなる半導体
装置を示し、図７に示した従来の絶縁ゲート電界効果ト
ランジスタのドリフト層１にショットキー電極を形成し
たものである。図において、図７と同一符号は同一箇所
を示し、その説明は省略する。新たな符号として、５は
ドリフト層１に形成したショットキー電極である。ここ
で、図におけるショットキー電極５とソース電極４を短
絡してみる。Ｎ型ドリフト層１にショットキー電極５を
形成して得られるショットキーダイオードの整流特性
は、ショットキー電極５に対してＮ型ドリフト層１が正
電位となるとき逆方向にバイアスされ、ショットキー電
極５に対してＮ型ドリフト層１が負電位となるとき順方
向にバイアスされる。この整流特性は上記図７に示した
従来の絶縁ゲート電界効果トランジスタにおける環流ダ
イオードに必要な整流特性と同じものである。このよう
にショットキー電極５とＮ型ドリフト層１により形成さ
れるショットキーダイオードを、絶縁ゲート電界効果ト
ランジスタに並列に取り付けられた環流ダイオードとし
て使用可能であることがわかる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 shows a semiconductor device made of a silicon carbide semiconductor according to a first embodiment of the present invention, in which a Schottky electrode is formed on drift layer 1 of the conventional insulated gate field effect transistor shown in FIG. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 7 indicate the same parts, and the description thereof is omitted. As a new code, 5 is a Schottky electrode formed on the drift layer 1. Here, the Schottky electrode 5 and the source electrode 4 in the drawing are short-circuited. The rectification characteristic of the Schottky diode obtained by forming the Schottky electrode 5 on the N-type drift layer 1 is such that when the N-type drift layer 1 has a positive potential with respect to the Schottky electrode 5, the rectification characteristic is reversed. When the N-type drift layer 1 has a negative potential with respect to the electrode 5, it is biased in the forward direction. This rectification characteristic is the same as the rectification characteristic required for the freewheeling diode in the conventional insulated gate field effect transistor shown in FIG. Thus, it can be seen that the Schottky diode formed by the Schottky electrode 5 and the N-type drift layer 1 can be used as a free-wheeling diode mounted in parallel with the insulated gate field effect transistor.
【００１４】このショットキーダイオードは、Ｎ型ドリ
フト層１に対してショットキー電極を形成しさえすれ
ば、必要な特性が得られる。このため、ショットキーダ
イオードを形成する位置としては様々な位置が可能であ
る。また、Ｎ型ドリフト層１に対して加工を施し、その
位置にショットキーダイオードを形成することも可能で
ある。The required characteristics of this Schottky diode can be obtained as long as the Schottky electrode is formed on the N-type drift layer 1. For this reason, various positions are possible for forming the Schottky diode. It is also possible to process the N-type drift layer 1 and form a Schottky diode at that position.
【００１５】また、ショットキーダイオードを環流ダイ
オードとして用た場合は、ショットキーダイオードの特
徴より、ショットキー電極に用いる金属を適当に選べ
ば、順方向の電圧降下を１ボルト以下の小さな値にする
ことができ、電力損失を極めて小さく抑えることができ
る。When the Schottky diode is used as a freewheeling diode, the forward voltage drop is reduced to 1 volt or less by appropriately selecting the metal used for the Schottky electrode due to the characteristics of the Schottky diode. Power loss can be extremely reduced.
【００１６】環流ダイオードとしてショットキーダイオ
ードを用い、半導体装置に内蔵させた場合の利点は、半
導体装置とは別に環流ダイオードを用いた場合に比べ、
装置の小型化が可能であること、コストの削減が可能で
あること、また、配線などによる不必要なインピーダン
スが減ることによって、スイッチング周波数を上げるこ
とが可能であり、また、意図しない回路の発振や、電磁
波ノイズを抑制できることなどにある。The advantage of using a Schottky diode as a freewheeling diode and incorporating it in a semiconductor device is different from that using a freewheeling diode separately from the semiconductor device.
The switching frequency can be increased by reducing the size of the device, reducing the cost, and reducing unnecessary impedance due to wiring, etc. And that electromagnetic noise can be suppressed.
【００１７】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２に係る、上記実施の形態１とは異なる縦型絶縁ゲ
ート電界効果トランジスタの構成を示す断面図である。
本実施の形態２では、本発明の特徴であるショットキー
電極５を、二つのＰ型領域２に挟まれたＮ型ドリフト層
１の表面に形成している。ショットキー電極５の端部を
Ｐ型炭化珪素領域２上に重ねることにより、ショットキ
ーダイオードにおいて漏れ電流、あるいは絶縁破壊が生
じる電極周辺部を保護することができる。また、ショッ
トキー電極５をソース電極４に重ねて電気的に接続する
ことにより、ソース電極とショットキーダイオードの間
の不用なインピーダンスを低減することができ、ソース
電極の抵抗を低減することも可能である。Embodiment 2 FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a vertical insulated gate field-effect transistor according to a second embodiment of the present invention, which is different from the first embodiment.
In the second embodiment, the Schottky electrode 5 which is a feature of the present invention is formed on the surface of the N-type drift layer 1 sandwiched between two P-type regions 2. By overlapping the end of Schottky electrode 5 on P-type silicon carbide region 2, it is possible to protect the periphery of the Schottky diode where leakage current or dielectric breakdown occurs. Further, by superimposing and electrically connecting the Schottky electrode 5 to the source electrode 4, unnecessary impedance between the source electrode and the Schottky diode can be reduced, and the resistance of the source electrode can be reduced. It is.
【００１８】実施の形態３．図３は、この発明の実施の
形態３に係る、上記実施の形態１，２とは異なる縦型絶
縁ゲート電界効果トランジスタの構成を示す断面図であ
る。実施の形態２におけるショットキー電極５を二つの
Ｐ型領域２にはさまれたＮ型ドリフト層１の表面に形成
するかわりに、二つのゲート絶縁膜８の間にショットキ
ー電極５を形成し、ショットキーダイオードを内蔵した
ものである。以上のような構成とすることにより、一つ
のＰ型領域２に対して二ケ所のチャネルを形成すること
ができるため、オン時の抵抗を低減することができる。
また、逆バイアス時にショットキー電極５から伸びる空
乏層により、ゲート絶縁膜に加わる電界の強度を低減す
ることも可能であり、ゲート絶縁膜を絶縁破壊から保護
することもできる。Embodiment 3 FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a vertical insulated gate field effect transistor according to a third embodiment of the present invention, which is different from the first and second embodiments. Instead of forming Schottky electrode 5 in the second embodiment on the surface of N-type drift layer 1 sandwiched between two P-type regions 2, Schottky electrode 5 is formed between two gate insulating films 8. And a Schottky diode. With the above-described configuration, two channels can be formed in one P-type region 2, so that the ON-state resistance can be reduced.
Further, the strength of the electric field applied to the gate insulating film can be reduced by the depletion layer extending from the Schottky electrode 5 at the time of reverse bias, and the gate insulating film can be protected from dielectric breakdown.
【００１９】実施の形態４．図４は、この発明の実施の
形態４に係る、上記実施の形態１〜３とは異なる縦型絶
縁ゲート電界効果トランジスタの構成を示す断面図であ
る。実施の形態２におけるＮ型ドリフト層１の表面にＰ
型炭化珪素領域１０を形成し、その表面にショットキー
電極５を形成し、ショットキーダイオードを内蔵したも
のである。ここに示した構造のショットキーダイオード
は、接合障壁ショットキーダイオード、あるいはマージ
ドピンショットキーダイオードと一般に呼ばれており、
ショットキーダイオードに比べ逆方向バイアス時の漏れ
電流が小さく、順バイアス時の抵抗値が小さいことが知
られている。この発明による半導体装置においては、内
蔵ショットキーダイオードを、接合障壁ショットキーダ
イオード、あるいはマージドピンショットキーダイオー
ドとすることは構造上、デバイス作製が容易である。Embodiment 4 FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of a vertical insulated gate field effect transistor according to a fourth embodiment of the present invention, which is different from the first to third embodiments. The surface of N-type drift layer 1 in the second embodiment has P
A silicon carbide region 10 is formed, a Schottky electrode 5 is formed on the surface thereof, and a Schottky diode is built therein. The Schottky diode having the structure shown here is generally called a junction barrier Schottky diode or a merged pin Schottky diode,
It is known that the leakage current at the time of reverse bias is smaller and the resistance value at the time of forward bias is smaller than that of a Schottky diode. In the semiconductor device according to the present invention, when the built-in Schottky diode is a junction barrier Schottky diode or a merged pin Schottky diode, device fabrication is easy in structure.
【００２０】なお、上記実施の形態１〜４では、ゲート
絶縁膜下のチャネルを炭化珪素基板面に対して平行方向
に形成しているが、トレンチ型の絶縁ゲート電界効果ト
ランジスタに対しても、トレンチ側壁あるいはトレンチ
底部など、ショットキーダイオードを形成することがで
きる。In the first to fourth embodiments, the channel under the gate insulating film is formed in a direction parallel to the surface of the silicon carbide substrate. A Schottky diode can be formed on the trench side wall or trench bottom.
【００２１】実施の形態５．図５は、この発明の実施の
形態５に係る、上記実施の形態１〜４とは異なる接合型
電界効果トランジスタの構成を示す断面図である。本実
施の形態５に係る接合型電界効果トランジスタは、ショ
ットキーダイオードを内蔵させた一例であり、Ｎ型ドリ
フト層１に対し、ショットキー電極５を形成すれば、逆
並列に接続された環流ダイオードとして動作させること
ができる。Embodiment 5 FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of a junction field-effect transistor according to a fifth embodiment of the present invention, which is different from the first to fourth embodiments. The junction field-effect transistor according to the fifth embodiment is an example in which a Schottky diode is built in. If a Schottky electrode 5 is formed on the N-type drift layer 1, a free-wheeling diode connected in antiparallel is provided. Can be operated as
【００２２】実施の形態６．図６は、この発明の実施の
形態６に係る、上記実施の形態１〜５とは異なる静電誘
導トランジスタの構成を示す断面図である。本実施の形
態６に係る静電誘導トランジスタは、ショットキーダイ
オードを内蔵させた一例であり、Ｎ型ドリフト層１に対
し、ショットキー電極５を形成すれば、逆並列に接続さ
れた環流ダイオードとして動作させることができる。Embodiment 6 FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of an electrostatic induction transistor according to a sixth embodiment of the present invention, which is different from the first to fifth embodiments. The static induction transistor according to the sixth embodiment is an example in which a Schottky diode is built in. If a Schottky electrode 5 is formed on the N-type drift layer 1, the static induction transistor can be used as a freewheeling diode connected in antiparallel. Can work.
【００２３】以上のように、実施の形態１〜６のドリフ
ト層はいずれもＮ型層であったが、Ｐ型のドリフト層を
もつ、耐圧構造をもったユニポーラ型の三端子半導体装
置に対しても、ショットキー電極を形成する金属を適当
に選べば、逆並列に接続されたショットキーダイオード
を内蔵した半導体装置を得ることができる。As described above, the drift layers of the first to sixth embodiments are all N-type layers. However, the present invention is applicable to a unipolar three-terminal semiconductor device having a P-type drift layer and having a breakdown voltage structure. Even if the metal forming the Schottky electrode is appropriately selected, a semiconductor device having a Schottky diode connected in antiparallel can be obtained.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、耐圧構
造をもつユニポーラ型の三端子半導体装置のドリフト層
に電力損失が小さく、高い周波数で動作するショットキ
ーダイオードを形成したので、装置の小型化、低コスト
化、高周波数化、低ノイズ化が可能である。As described above, according to the present invention, a Schottky diode operating at a high frequency with a small power loss is formed in the drift layer of a unipolar three-terminal semiconductor device having a breakdown voltage structure. Small size, low cost, high frequency, and low noise are possible.
【図１】 本実施の形態１における縦型絶縁ゲート電界
効果トランジスタの構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a vertical insulated gate field effect transistor according to a first embodiment.
【図２】 本実施の形態２における縦型絶縁ゲート電界
効果トランジスタの構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a vertical insulated gate field effect transistor according to a second embodiment.
【図３】 本実施の形態３における縦型絶縁ゲート電界
効果トランジスタの構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a vertical insulated gate field effect transistor according to a third embodiment.
【図４】 本実施の形態４における縦型絶縁ゲート電界
効果トランジスタの構成を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a vertical insulated gate field effect transistor according to a fourth embodiment.
【図５】 本実施の形態５における接合型電界効果トラ
ンジスタの構成を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a junction field-effect transistor according to a fifth embodiment.
【図６】 本実施の形態６における静電誘導トランジス
タの構成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an electrostatic induction transistor according to a sixth embodiment.
【図７】 従来の絶縁ゲート電界効果トランジスタの構
成を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional insulated gate field effect transistor.
１ Ｎ型炭化珪素ドリフト層、２ Ｐ型炭化珪素領域、
３ ドレイン電極、４ソース電極、５ ショットキー電
極、６ Ｎ型炭化珪素領域、７ ゲート電極、８ ゲー
ト絶縁膜、９ Ｎ型炭化珪素基板、１０ Ｐ型炭化珪素
領域。1 N-type silicon carbide drift layer, 2 P-type silicon carbide region,
3 drain electrode, 4 source electrode, 5 Schottky electrode, 6 N-type silicon carbide region, 7 gate electrode, 8 gate insulating film, 9 N-type silicon carbide substrate, 10 P-type silicon carbide region.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｓ 21/338 Ｂ 29/812 (72)発明者 杉本 博司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 大塚 健一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 高見 哲也 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA10 CC01 CC03 CC05 FF01 FF06 FF32 FF35 GG03 GG09 GG18 HH14 HH15 HH18 HH20 5F102 FB01 GA14 GB01 GC01 GD01 GJ02 GL02 GM02 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01L 29/80 H01L 29/80 S 21/338 B 29/812 (72) Inventor Hiroshi Sugimoto Chiyoda-ku, Tokyo 2-3-2 Marunouchi, Mitsubishi Electric Corporation (72) Inventor Kenichi Otsuka 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Mitsubishi Electric Corporation (72) Inventor Tetsuya Takami Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 2-3-2 F-term (reference) in Mitsubishi Electric Corporation 4M104 AA10 CC01 CC03 CC05 FF01 FF06 FF32 FF35 GG03 GG09 GG18 HH14 HH15 HH18 HH20 5F102 FB01 GA14 GB01 GC01 GD01 GJ02 GL02 GM02
Claims (6)
導体装置のドリフト層にショットキーダイオードを形成
したことを特徴とする炭化珪素半導体からなる半導体装
置。1. A semiconductor device comprising a silicon carbide semiconductor, wherein a Schottky diode is formed in a drift layer of a unipolar three-terminal semiconductor device having a breakdown voltage structure.
る半導体装置において、上記耐圧構造をもつユニポーラ
型の三端子半導体装置を絶縁ゲート電界効果トランジス
タとしたことを特徴とする炭化珪素半導体からなる半導
体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the unipolar three-terminal semiconductor device having the breakdown voltage structure is an insulated gate field effect transistor. Semiconductor device.
る半導体装置において、上記耐圧構造をもつユニポーラ
型の三端子半導体装置を接合型電界効果トランジスタと
したことを特徴とする炭化珪素半導体からなる半導体装
置。3. A semiconductor device comprising the silicon carbide semiconductor according to claim 1, wherein the unipolar three-terminal semiconductor device having the breakdown voltage structure is a junction field effect transistor. Semiconductor device.
る半導体装置において、上記耐圧構造をもつユニポーラ
型の三端子半導体装置を静電誘導トランジスタとしたこ
とを特徴とする炭化珪素半導体からなる半導体装置。4. A semiconductor device comprising a silicon carbide semiconductor according to claim 1, wherein said unipolar three-terminal semiconductor device having said breakdown voltage structure is an electrostatic induction transistor. apparatus.
載の炭化珪素半導体からなる半導体装置において、上記
ショットキーダイオードを接合障壁ショットキーダイオ
ードとしたことを特徴とする炭化珪素半導体からなる半
導体装置。5. A semiconductor device comprising a silicon carbide semiconductor according to claim 1, wherein said Schottky diode is a junction barrier Schottky diode. apparatus.
載の炭化珪素半導体からなる半導体装置において、上記
ショットキーダイオードをマージドピンショットキーダ
イオードとしたことを特徴とする炭化珪素半導体からな
る半導体装置。6. A semiconductor device comprising a silicon carbide semiconductor according to claim 1, wherein said Schottky diode is a merged pin Schottky diode. Semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096435A JP4197400B2 (en) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | Semiconductor device made of silicon carbide semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096435A JP4197400B2 (en) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | Semiconductor device made of silicon carbide semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299625A true JP2002299625A (en) | 2002-10-11 |
| JP4197400B2 JP4197400B2 (en) | 2008-12-17 |
Family
ID=18950344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001096435A Expired - Lifetime JP4197400B2 (en) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | Semiconductor device made of silicon carbide semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4197400B2 (en) |
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| WO2012056704A1 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | パナソニック株式会社 | Semiconductor element and semiconductor device |
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| JP7030665B2 (en) | 2018-09-15 | 2022-03-07 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
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| JP4197400B2 (en) | 2008-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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