JP2002299387A - 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＴＡＢテープキャリアの銅箔とテープ基材の熱
膨張係数の違いと接着剤の粘弾性の影響に起因する反り
を減少させることを可能にする。 【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材２０の一方の片面に銅箔２を貼り合わせてフォトエッ
チングにより配線パターン５を形成し、その配線パター
ン５上をソルダレジスト１６の膜で保護したＴＡＢテー
プキャリアにおいて、前記テープ基材２０の他方の片面
に、熱膨張係数が前記銅箔２に近い接着剤層３９又は接
着剤付ポリイミド樹脂フィルム４１を裏打ち層４０とし
て設け、反りを減少させる。
膨張係数の違いと接着剤の粘弾性の影響に起因する反り
を減少させることを可能にする。 【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材２０の一方の片面に銅箔２を貼り合わせてフォトエッ
チングにより配線パターン５を形成し、その配線パター
ン５上をソルダレジスト１６の膜で保護したＴＡＢテー
プキャリアにおいて、前記テープ基材２０の他方の片面
に、熱膨張係数が前記銅箔２に近い接着剤層３９又は接
着剤付ポリイミド樹脂フィルム４１を裏打ち層４０とし
て設け、反りを減少させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶用及びＣＳＰ
（Chip Scale Package）用ＴＡＢ（Tape AutomatedBond
ing）テープや、プリンタ用あるいはＬＣＤ（Liquid Cr
ystal Display：液晶表示装置）用ＣＯＦ（Chip on Fil
m）ＴＡＢテープなどの半導体装置用テープキャリアの
構造とその製造方法に関するものである。
（Chip Scale Package）用ＴＡＢ（Tape AutomatedBond
ing）テープや、プリンタ用あるいはＬＣＤ（Liquid Cr
ystal Display：液晶表示装置）用ＣＯＦ（Chip on Fil
m）ＴＡＢテープなどの半導体装置用テープキャリアの
構造とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＡＢ用テープキャリアの基本構
造は、例えば、図８（ａ）に示すように、ポリイミド樹
脂フィルムから成るテープ基材２０の片面に銅箔２を貼
り合わせた接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ（Copper C
lad Laminate）か、又は、図８（ｂ）に示すようにポリ
イミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０の片面に接
着剤３を介して銅箔２を貼り合わせた接着剤使用の片面
銅貼り１層ＣＣＬから成る。
造は、例えば、図８（ａ）に示すように、ポリイミド樹
脂フィルムから成るテープ基材２０の片面に銅箔２を貼
り合わせた接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ（Copper C
lad Laminate）か、又は、図８（ｂ）に示すようにポリ
イミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０の片面に接
着剤３を介して銅箔２を貼り合わせた接着剤使用の片面
銅貼り１層ＣＣＬから成る。
【０００３】従来のＴＡＢテープキャリアは、銅箔２の
Ｃｕ箔（９〜３５μｍ厚さ）をロールラミネートしてキ
ュアした後、フォトレジストをコートしてプレキュアを
行い、露光して、現像、ポストキュアした後、Ｃｕ箔の
エッチングを行い、配線回路パターンを形成した後に、
液状のフォトソルダレジストを塗布しあるいはエポキシ
系ソルダレジストを印刷コートし、これを露光・現像し
て、あるいはポストベークを行い、配線回路パターンの
配線上に絶縁保護膜層を形成していた。
Ｃｕ箔（９〜３５μｍ厚さ）をロールラミネートしてキ
ュアした後、フォトレジストをコートしてプレキュアを
行い、露光して、現像、ポストキュアした後、Ｃｕ箔の
エッチングを行い、配線回路パターンを形成した後に、
液状のフォトソルダレジストを塗布しあるいはエポキシ
系ソルダレジストを印刷コートし、これを露光・現像し
て、あるいはポストベークを行い、配線回路パターンの
配線上に絶縁保護膜層を形成していた。
【０００４】このようなＴＡＢテープキャリアにおいて
は、片面側のソルダレジストに起因して反りが発生する
との認識に立ち、その反りをなくす技術が幾つか提案さ
れている。例えば、特開平４−２８２４４号公報には、
保護用レジスト層と同材質の補正レジスト層をベーステ
ープの反対面に形成することにより、熱履歴を受けた際
のベーステープにおける反り変形を防止する技術が開示
されている。また、特開平７−１６９７９３号公報に
は、ポリイミド系のフィルム基材の表面における回路パ
ターン上に、エポキシ系樹脂のソルダーレジストを塗布
し、裏面にはエポキシ系の裏面樹脂を塗布し、こうして
フィルム基材の両面をエポキシ系樹脂で覆うことによっ
て、フィルム基材の裏面における高信頼性樹脂との密着
力を、表面における密着力と同程度に高くして、表面加
圧に対する強度を高め、反りをなくす技術が開示されて
いる。
は、片面側のソルダレジストに起因して反りが発生する
との認識に立ち、その反りをなくす技術が幾つか提案さ
れている。例えば、特開平４−２８２４４号公報には、
保護用レジスト層と同材質の補正レジスト層をベーステ
ープの反対面に形成することにより、熱履歴を受けた際
のベーステープにおける反り変形を防止する技術が開示
されている。また、特開平７−１６９７９３号公報に
は、ポリイミド系のフィルム基材の表面における回路パ
ターン上に、エポキシ系樹脂のソルダーレジストを塗布
し、裏面にはエポキシ系の裏面樹脂を塗布し、こうして
フィルム基材の両面をエポキシ系樹脂で覆うことによっ
て、フィルム基材の裏面における高信頼性樹脂との密着
力を、表面における密着力と同程度に高くして、表面加
圧に対する強度を高め、反りをなくす技術が開示されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＡＢ
テープキャリアには、絶縁性樹脂フィルムのテープ基材
とこれに貼り合わせる銅箔との間における熱膨張係数の
違いに起因しても、無視し得ない反りが発生する。
テープキャリアには、絶縁性樹脂フィルムのテープ基材
とこれに貼り合わせる銅箔との間における熱膨張係数の
違いに起因しても、無視し得ない反りが発生する。
【０００６】すなわち、一般にＴＡＢテープは、ポリイ
ミド樹脂フィルムから成るテープ基材に対して、銅箔が
９〜３５μｍ厚さのものをラミネート・キュアした後、
液状のフォトレジストを塗布し、所定の露光・現像をエ
ッチングし、銅箔の配線回路パターンを形成している。
ところが、銅箔に比較してポリイミドテープの銅箔ラミ
ネート時の熱膨張係数が小さいためと、特に耐熱性の接
着剤を扱った場合、その硬化収縮が大きいことに起因し
て、銅箔のラミネート・キュア後のＴＡＢテープの形状
が平坦ではなくなり、銅箔を内側にして雨ドイ状に反っ
てしまう。そのため、１８μｍ厚さの銅箔を使用して
も、微細なパターン（５０μｍピッチ以下）を均一にエ
ッチングすることができず、Ｃｕ配線がショートしたり
断線したりして、製品不良となってしまう。
ミド樹脂フィルムから成るテープ基材に対して、銅箔が
９〜３５μｍ厚さのものをラミネート・キュアした後、
液状のフォトレジストを塗布し、所定の露光・現像をエ
ッチングし、銅箔の配線回路パターンを形成している。
ところが、銅箔に比較してポリイミドテープの銅箔ラミ
ネート時の熱膨張係数が小さいためと、特に耐熱性の接
着剤を扱った場合、その硬化収縮が大きいことに起因し
て、銅箔のラミネート・キュア後のＴＡＢテープの形状
が平坦ではなくなり、銅箔を内側にして雨ドイ状に反っ
てしまう。そのため、１８μｍ厚さの銅箔を使用して
も、微細なパターン（５０μｍピッチ以下）を均一にエ
ッチングすることができず、Ｃｕ配線がショートしたり
断線したりして、製品不良となってしまう。
【０００７】さらに、ＣＳＰ・ＢＧＡ用のＴＡＢテープ
キャリアの場合、テープ反りが大きく実装の生産性が悪
い。
キャリアの場合、テープ反りが大きく実装の生産性が悪
い。
【０００８】一方、接着剤レス片面銅箔ポリイミドテー
プから成る１層ＣＣＬのＴＡＢテープキャリアにおいて
も、銅箔上にポリイミド樹脂をキャスティングし、ある
いはポリイミド樹脂をラミネートした際、銅箔の硬化収
縮が大きいため、形状が平坦でなくなり雨ドイ状に反っ
てしまう。
プから成る１層ＣＣＬのＴＡＢテープキャリアにおいて
も、銅箔上にポリイミド樹脂をキャスティングし、ある
いはポリイミド樹脂をラミネートした際、銅箔の硬化収
縮が大きいため、形状が平坦でなくなり雨ドイ状に反っ
てしまう。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ＴＡＢテープキャリアの銅箔とテープ基材の熱膨張
係数の違いと接着剤の粘弾性の影響に起因する反りを減
少させる構造の半導体装置用テープキャリアとその製造
方法を提供することにある。
し、ＴＡＢテープキャリアの銅箔とテープ基材の熱膨張
係数の違いと接着剤の粘弾性の影響に起因する反りを減
少させる構造の半導体装置用テープキャリアとその製造
方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１１】（１）請求項１の発明に係る半導体装置用
テープキャリアは、ポリイミド樹脂フィルムから成るテ
ープ基材の一方の片面に銅箔を設けてフォトエッチング
により配線パターンを形成し、その配線パターン上をソ
ルダレジスト膜で保護した半導体装置用テープキャリア
において、前記テープ基材の他方の片面に、熱膨張係数
が前記銅箔に近い接着剤層から成る裏打ち層を設けたこ
とを特徴とする。
テープキャリアは、ポリイミド樹脂フィルムから成るテ
ープ基材の一方の片面に銅箔を設けてフォトエッチング
により配線パターンを形成し、その配線パターン上をソ
ルダレジスト膜で保護した半導体装置用テープキャリア
において、前記テープ基材の他方の片面に、熱膨張係数
が前記銅箔に近い接着剤層から成る裏打ち層を設けたこ
とを特徴とする。
【００１２】また請求項２の発明に係る半導体装置用テ
ープキャリアは、ポリイミド樹脂フィルムから成るテー
プ基材の一方の片面に銅箔を貼り合わせてフォトエッチ
ングにより配線パターンを形成し、その配線パターン上
をソルダレジスト膜で保護した半導体装置用テープキャ
リアにおいて、前記テープ基材の他方の片面に、熱膨張
係数が前記銅箔に近い別のポリイミド樹脂フィルムに接
着剤層を設けて成る接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを
裏打ち層として貼り合わせたことを特徴とする。
ープキャリアは、ポリイミド樹脂フィルムから成るテー
プ基材の一方の片面に銅箔を貼り合わせてフォトエッチ
ングにより配線パターンを形成し、その配線パターン上
をソルダレジスト膜で保護した半導体装置用テープキャ
リアにおいて、前記テープ基材の他方の片面に、熱膨張
係数が前記銅箔に近い別のポリイミド樹脂フィルムに接
着剤層を設けて成る接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを
裏打ち層として貼り合わせたことを特徴とする。
【００１３】本発明の半導体装置用テープキャリアは、
次の２つの形態を含むものである。第１は、接着剤レス
片面銅箔ポリイミドテープ（代表的には接着剤レス片面
銅貼り１層ＣＣＬ（Copper Clad Laminate））のよう
に、テープ基材の片面に接着剤なしで金属箔たる銅箔を
形成した形態であり、第２は、接着剤使用の片面銅貼り
１層ＣＣＬのように、テープ基材の片面に接着剤を用い
て金属箔たる銅箔を貼り合わせた形態である。
次の２つの形態を含むものである。第１は、接着剤レス
片面銅箔ポリイミドテープ（代表的には接着剤レス片面
銅貼り１層ＣＣＬ（Copper Clad Laminate））のよう
に、テープ基材の片面に接着剤なしで金属箔たる銅箔を
形成した形態であり、第２は、接着剤使用の片面銅貼り
１層ＣＣＬのように、テープ基材の片面に接着剤を用い
て金属箔たる銅箔を貼り合わせた形態である。
【００１４】すなわち、本発明の半導体装置用テープキ
ャリアの好ましい形態は、前記テープ基材に金属箔を貼
り合わせた構造が、接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ又
は接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬから成るものであ
る（請求項３）。ここで、「銅貼り」とは、銅箔上にテ
ープ基材のポリイミド樹脂をキャスティングしあるいは
ラミネートする場合を含む。
ャリアの好ましい形態は、前記テープ基材に金属箔を貼
り合わせた構造が、接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ又
は接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬから成るものであ
る（請求項３）。ここで、「銅貼り」とは、銅箔上にテ
ープ基材のポリイミド樹脂をキャスティングしあるいは
ラミネートする場合を含む。
【００１５】（２）本発明に係る半導体装置用テープキ
ャリアの製造方法には２つの形態がある。第１は、請求
項３に係る製造方法であり、ポリイミド樹脂フィルムか
ら成るテープ基材の一方の片面に銅箔を設けた構造の半
導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記テ
ープ基材の他方の片面に、裏打ち層として、熱膨張係数
が前記銅箔に近い接着剤層を予め貼り合わせ、このテー
プ基材の一方の片面に接着剤なしで前記銅箔を貼り合わ
せて接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬテープを構成し、
その銅箔面を露光・エッチングして配線パターンを形成
し、その配線パターン上にソルダレジスト膜を形成する
ことを特徴とする。
ャリアの製造方法には２つの形態がある。第１は、請求
項３に係る製造方法であり、ポリイミド樹脂フィルムか
ら成るテープ基材の一方の片面に銅箔を設けた構造の半
導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記テ
ープ基材の他方の片面に、裏打ち層として、熱膨張係数
が前記銅箔に近い接着剤層を予め貼り合わせ、このテー
プ基材の一方の片面に接着剤なしで前記銅箔を貼り合わ
せて接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬテープを構成し、
その銅箔面を露光・エッチングして配線パターンを形成
し、その配線パターン上にソルダレジスト膜を形成する
ことを特徴とする。
【００１６】この製造方法は、接着剤レス片面銅貼り１
層ＣＣＬのように、テープ基材の片面に接着剤なしで金
属箔たる銅箔を形成した形態を対象としたものである。
層ＣＣＬのように、テープ基材の片面に接着剤なしで金
属箔たる銅箔を形成した形態を対象としたものである。
【００１７】第２は、請求項４に係る製造方法であり、
ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材の一方の片
面に銅箔を貼り合わせた構造の半導体装置用テープキャ
リアの製造方法において、前記テープ基材の他方の片面
に、裏打ち層として、熱膨張係数が前記銅箔に近い別の
ポリイミド樹脂フィルムに接着剤層を設けて成る接着剤
付ポリイミド樹脂フィルムを予め貼り合わせ、このテー
プ基材の一方の片面に接着剤を介して前記銅箔を貼り合
わせて接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬテープを構成
し、その銅箔面を露光・エッチングして配線パターンを
形成し、その配線パターン上にソルダレジスト膜を形成
することを特徴とする。
ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材の一方の片
面に銅箔を貼り合わせた構造の半導体装置用テープキャ
リアの製造方法において、前記テープ基材の他方の片面
に、裏打ち層として、熱膨張係数が前記銅箔に近い別の
ポリイミド樹脂フィルムに接着剤層を設けて成る接着剤
付ポリイミド樹脂フィルムを予め貼り合わせ、このテー
プ基材の一方の片面に接着剤を介して前記銅箔を貼り合
わせて接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬテープを構成
し、その銅箔面を露光・エッチングして配線パターンを
形成し、その配線パターン上にソルダレジスト膜を形成
することを特徴とする。
【００１８】この製造方法は、接着剤使用の片面銅貼り
１層ＣＣＬのように、テープ基材の片面に接着剤を用い
て金属箔たる銅箔を貼り合わせた形態を対象としたもの
である。
１層ＣＣＬのように、テープ基材の片面に接着剤を用い
て金属箔たる銅箔を貼り合わせた形態を対象としたもの
である。
【００１９】本発明のテープキャリアの製造方法（請求
項３又は４）においては、前記ソルダレジストの硬化処
理を施した後、そのソルダレジスト膜から露出している
配線パターン部分に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ等のめっきを施
すとよい。この場合、配線パターン上に無電解めっきま
たは電気めっきを施し、その後ソルダレジストを塗布し
て硬化処理を施すようにするとよい。 ＜作用＞上述したように、従来では、ポリイミドテープ
の銅箔ラミネート時の熱膨張係数が小さいためと、特に
耐熱性の接着剤の粘弾性の影響とで、ＴＡＢテープの形
状が平坦ではなくなり、銅箔を内側にして雨ドイ状に反
ってしまって平坦性が悪い。そのため微細なパターン
（５０μｍピッチ以下）を均一にすることができず、断
線とショートと寸法公差はずれ等で製品不良となってし
まい、５０μｍ配線ピッチ以下では、ＴＡＢテープの生
産性が悪い。そこで本発明は、反りの小さいＴＡＢテー
プを得られるようにして、これらを改善するものであ
る。
項３又は４）においては、前記ソルダレジストの硬化処
理を施した後、そのソルダレジスト膜から露出している
配線パターン部分に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ等のめっきを施
すとよい。この場合、配線パターン上に無電解めっきま
たは電気めっきを施し、その後ソルダレジストを塗布し
て硬化処理を施すようにするとよい。 ＜作用＞上述したように、従来では、ポリイミドテープ
の銅箔ラミネート時の熱膨張係数が小さいためと、特に
耐熱性の接着剤の粘弾性の影響とで、ＴＡＢテープの形
状が平坦ではなくなり、銅箔を内側にして雨ドイ状に反
ってしまって平坦性が悪い。そのため微細なパターン
（５０μｍピッチ以下）を均一にすることができず、断
線とショートと寸法公差はずれ等で製品不良となってし
まい、５０μｍ配線ピッチ以下では、ＴＡＢテープの生
産性が悪い。そこで本発明は、反りの小さいＴＡＢテー
プを得られるようにして、これらを改善するものであ
る。
【００２０】本発明は、一方の片面に金属箔たる銅箔を
貼り合わせたポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材、例えば接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ又は接着剤
使用の片面銅貼り１層ＣＣＬの他方の片面に、熱膨張係
数が上記金属箔（銅箔等）に近い接着剤層を裏打ち層と
して形成するか、熱膨張係数が前記銅箔に近い別のポリ
イミド樹脂フィルムに接着剤層を設けて成る接着剤付ポ
リイミド樹脂フィルムを裏打ち層として形成するもので
あり、これにより反りの小さいテープキャリアを構成す
るものである。
貼り合わせたポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材、例えば接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ又は接着剤
使用の片面銅貼り１層ＣＣＬの他方の片面に、熱膨張係
数が上記金属箔（銅箔等）に近い接着剤層を裏打ち層と
して形成するか、熱膨張係数が前記銅箔に近い別のポリ
イミド樹脂フィルムに接着剤層を設けて成る接着剤付ポ
リイミド樹脂フィルムを裏打ち層として形成するもので
あり、これにより反りの小さいテープキャリアを構成す
るものである。
【００２１】すなわち、本発明の要点は、接着剤レス片
面銅箔ポリイミドテープ（１層ＣＣＬ）あるいは接着剤
使用の片面Ｃｕ貼りポリイミドあるいはガラスエポキシ
テープを用いて配線パターンを形成してなるＴＡＢ用テ
ープにおいて、接着剤レス片面銅箔ポリイミドテープの
ポリイミド表面にすでに裏打ち層としての接着剤層又は
接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを貼り合わせたものを
用いること、又は接着剤使用の片面Ｃｕ貼りポリイミド
テープのポリイミド表面にすでに裏打ち層としての接着
剤層又は接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを貼り合わせ
たものを用いることにある。
面銅箔ポリイミドテープ（１層ＣＣＬ）あるいは接着剤
使用の片面Ｃｕ貼りポリイミドあるいはガラスエポキシ
テープを用いて配線パターンを形成してなるＴＡＢ用テ
ープにおいて、接着剤レス片面銅箔ポリイミドテープの
ポリイミド表面にすでに裏打ち層としての接着剤層又は
接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを貼り合わせたものを
用いること、又は接着剤使用の片面Ｃｕ貼りポリイミド
テープのポリイミド表面にすでに裏打ち層としての接着
剤層又は接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを貼り合わせ
たものを用いることにある。
【００２２】既に述べたように、従来では、図８（ａ）
に示す接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ、および図８
（ｂ）に示す接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬのいず
れの場合も、ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材２０の一方の片面に単に銅箔２を貼り合わせた構造で
ある。従って、従来の場合、銅箔２をラミネートする際
に、テープ基材２０のポリイミド樹脂テープが、耐熱性
の接着剤３及び銅箔２より加熱昇温時の伸びが少なく、
このため冷却して室温に戻った後におけるその収縮量に
差が生じる結果、テープキャリアは銅箔２を内側にして
雨ドイ状に反ってしまう。
に示す接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ、および図８
（ｂ）に示す接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬのいず
れの場合も、ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材２０の一方の片面に単に銅箔２を貼り合わせた構造で
ある。従って、従来の場合、銅箔２をラミネートする際
に、テープ基材２０のポリイミド樹脂テープが、耐熱性
の接着剤３及び銅箔２より加熱昇温時の伸びが少なく、
このため冷却して室温に戻った後におけるその収縮量に
差が生じる結果、テープキャリアは銅箔２を内側にして
雨ドイ状に反ってしまう。
【００２３】そこで、本発明では、このような場合、図
２（ａ１）、図３（ｂ１）のように、ポリイミド樹脂フ
ィルムから成るテープ基材２０の銅箔２とは反対側の面
に、銅箔２に近い収縮量つまり熱膨張係数を有する接着
剤層３９を、又は熱膨張係数が銅箔２に近い別のポリイ
ミド樹脂フィルム４１に接着剤層３９を設けて成る接着
剤付ポリイミド樹脂フィルムを、裏打ち層４０として形
成する。そして、この裏打ち層４０付きのテープ基材２
０の他方の片面に接着剤層３を貼り付けたものを第２の
テープ基材として取り扱い、これに銅箔２をラミネート
して、平坦な形状のＴＡＢテープキャリアを製造するも
のである。
２（ａ１）、図３（ｂ１）のように、ポリイミド樹脂フ
ィルムから成るテープ基材２０の銅箔２とは反対側の面
に、銅箔２に近い収縮量つまり熱膨張係数を有する接着
剤層３９を、又は熱膨張係数が銅箔２に近い別のポリイ
ミド樹脂フィルム４１に接着剤層３９を設けて成る接着
剤付ポリイミド樹脂フィルムを、裏打ち層４０として形
成する。そして、この裏打ち層４０付きのテープ基材２
０の他方の片面に接着剤層３を貼り付けたものを第２の
テープ基材として取り扱い、これに銅箔２をラミネート
して、平坦な形状のＴＡＢテープキャリアを製造するも
のである。
【００２４】上記のラミネート・キュアする銅箔として
は、例えば電解あるいは圧延箔で厚さ３〜２５μｍのも
のを用いる。この銅箔は入手可能で粗化面あらさを制御
した電解あるいは圧延箔をもちいれば良い。銅箔の厚さ
が１２〜３５μｍの場合は、入手可能で粗化面あらさを
制御したもので有れば良い。銅箔の厚さが３５μｍを超
えると塩化第二鉄のエッチング液で均一に除去する時間
が長くなりエッチング効率が悪くなる。
は、例えば電解あるいは圧延箔で厚さ３〜２５μｍのも
のを用いる。この銅箔は入手可能で粗化面あらさを制御
した電解あるいは圧延箔をもちいれば良い。銅箔の厚さ
が１２〜３５μｍの場合は、入手可能で粗化面あらさを
制御したもので有れば良い。銅箔の厚さが３５μｍを超
えると塩化第二鉄のエッチング液で均一に除去する時間
が長くなりエッチング効率が悪くなる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２６】図１は本発明のＴＡＢテープキャリアの実
施形態を示したものである。
施形態を示したものである。
【００２７】図１（ａ）は、ポリイミド樹脂フィルムか
ら成るテープ基材２０の一方の片面に接着剤なしで金属
箔たる銅箔２を貼り合わせた接着剤レス片面銅貼り１層
ＣＣＬテープにおいて、そのテープ基材２０の他方の片
面に、熱膨張係数が前記銅箔２に近い接着剤層３９から
成る裏打ち層４０を形成した形態を示す。
ら成るテープ基材２０の一方の片面に接着剤なしで金属
箔たる銅箔２を貼り合わせた接着剤レス片面銅貼り１層
ＣＣＬテープにおいて、そのテープ基材２０の他方の片
面に、熱膨張係数が前記銅箔２に近い接着剤層３９から
成る裏打ち層４０を形成した形態を示す。
【００２８】また図１（ｂ）は、ポリイミド樹脂フィル
ムから成るテープ基材２０の一方の片面に接着剤３を介
して金属箔たる銅箔２を貼り合わせた接着剤使用の片面
銅貼り１層ＣＣＬテープにおいて、そのテープ基材２０
の他方の片面に、熱膨張係数が前記銅箔２に近い別のポ
リイミド樹脂フィルム４１に接着剤層３９を設けて成る
接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを、裏打ち層４０とし
て貼り合わせた形態を示す。
ムから成るテープ基材２０の一方の片面に接着剤３を介
して金属箔たる銅箔２を貼り合わせた接着剤使用の片面
銅貼り１層ＣＣＬテープにおいて、そのテープ基材２０
の他方の片面に、熱膨張係数が前記銅箔２に近い別のポ
リイミド樹脂フィルム４１に接着剤層３９を設けて成る
接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを、裏打ち層４０とし
て貼り合わせた形態を示す。
【００２９】上記銅箔２にはフォトエッチングにより配
線パターンが形成され、その配線パターン上にソルダレ
ジスト膜から成る保護膜が形成されて製品としてのＴＡ
Ｂテープキャリアが完成される。
線パターンが形成され、その配線パターン上にソルダレ
ジスト膜から成る保護膜が形成されて製品としてのＴＡ
Ｂテープキャリアが完成される。
【００３０】図２及び図３に、上記２種類のＴＡＢテー
プキャリアの製造方法を示す。図２（ａ１）〜（ａ３）
は、上記図１（ａ）の接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ
テープキャリアの製造工程を示し、図３（ｂ１）〜（ｂ
５）は、上記図１（ｂ）の接着剤使用の片面銅貼り１層
ＣＣＬテープキャリアの製造工程を示す。
プキャリアの製造方法を示す。図２（ａ１）〜（ａ３）
は、上記図１（ａ）の接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ
テープキャリアの製造工程を示し、図３（ｂ１）〜（ｂ
５）は、上記図１（ｂ）の接着剤使用の片面銅貼り１層
ＣＣＬテープキャリアの製造工程を示す。
【００３１】前者の接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ構
造のテープキャリアの場合は、図２（ａ１）に示すよう
に、ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０の
一方の片面に接着剤なしで銅箔２を貼り合わせた接着剤
レス片面銅貼り１層ＣＣＬテープと、熱膨張係数が前記
銅箔２に近い裏打ち用の接着剤層３９のテープとを用意
し、図２（ａ２）に示すように、前者のテープ基材２０
の他方の片面に裏打ち層４０として接着剤層３９をラミ
ネートすることにより製造される。
造のテープキャリアの場合は、図２（ａ１）に示すよう
に、ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０の
一方の片面に接着剤なしで銅箔２を貼り合わせた接着剤
レス片面銅貼り１層ＣＣＬテープと、熱膨張係数が前記
銅箔２に近い裏打ち用の接着剤層３９のテープとを用意
し、図２（ａ２）に示すように、前者のテープ基材２０
の他方の片面に裏打ち層４０として接着剤層３９をラミ
ネートすることにより製造される。
【００３２】一方、後者の接着剤使用の片面銅貼り１層
ＣＣＬ構造のテープキャリアの場合は、図３（ｂ１）に
示すように、ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材２０の片面（銅箔２が設けられる一方の片面に対しそ
の反対側の他方の片面）に、先に裏打ち層４０として、
熱膨張係数が前記銅箔２に近い別のポリイミド樹脂フィ
ルム４１に接着剤層３９を設けて成る接着剤付ポリイミ
ド樹脂フィルムを、ラミネートして成る裏打ち層付テー
プ基材２２を用意する。
ＣＣＬ構造のテープキャリアの場合は、図３（ｂ１）に
示すように、ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材２０の片面（銅箔２が設けられる一方の片面に対しそ
の反対側の他方の片面）に、先に裏打ち層４０として、
熱膨張係数が前記銅箔２に近い別のポリイミド樹脂フィ
ルム４１に接着剤層３９を設けて成る接着剤付ポリイミ
ド樹脂フィルムを、ラミネートして成る裏打ち層付テー
プ基材２２を用意する。
【００３３】次に、図３（ｂ２）に示すように、この裏
打ち層付テープ基材２２に対し、その裏打ち層４０の設
けられていない面側である一方の片面に、耐熱性の接着
剤３を塗布又は接着剤シートの形で設ける。
打ち層付テープ基材２２に対し、その裏打ち層４０の設
けられていない面側である一方の片面に、耐熱性の接着
剤３を塗布又は接着剤シートの形で設ける。
【００３４】そして、図３（ｂ３）〜（ｂ５）に示すよ
うに、この接着剤付きテープ基材３２に対し、その接着
剤３の設けられている面側に銅箔２をラミネートする。
この銅箔２がラミネートされる際には、接着剤付きテー
プ基材３２が図３（ｂ４）の如く加熱昇温されることに
なる。しかし、この接着剤付きテープ基材３２には、熱
膨張係数が前記銅箔２に近いポリイミド樹脂フィルム４
１が裏打ちされているので、このＴＡＢテープキャリア
１は、図３（ｂ５）に示すように、冷却して室温に戻っ
た後も変形を生じない。図２のように裏打ち層として接
着剤層３９を貼り合わせた形態の場合（図２（ａ１）〜
（ａ３））においても、同様に変形を生じない。
うに、この接着剤付きテープ基材３２に対し、その接着
剤３の設けられている面側に銅箔２をラミネートする。
この銅箔２がラミネートされる際には、接着剤付きテー
プ基材３２が図３（ｂ４）の如く加熱昇温されることに
なる。しかし、この接着剤付きテープ基材３２には、熱
膨張係数が前記銅箔２に近いポリイミド樹脂フィルム４
１が裏打ちされているので、このＴＡＢテープキャリア
１は、図３（ｂ５）に示すように、冷却して室温に戻っ
た後も変形を生じない。図２のように裏打ち層として接
着剤層３９を貼り合わせた形態の場合（図２（ａ１）〜
（ａ３））においても、同様に変形を生じない。
【００３５】このようにテープキャリアの形状が平坦と
なるため、エッチング歩留の改善と生産性を向上させ、
更に半導体素子組み立て実装での生産性と歩留を向上さ
せることができる。特に、５０μｍ配線ピッチ以下の微
細なパターンにおいて、断線やショートや寸法公差はず
れ等による製品不良の発生をなくし、ＴＡＢテープキャ
リアの生産性を向上させることができる。
なるため、エッチング歩留の改善と生産性を向上させ、
更に半導体素子組み立て実装での生産性と歩留を向上さ
せることができる。特に、５０μｍ配線ピッチ以下の微
細なパターンにおいて、断線やショートや寸法公差はず
れ等による製品不良の発生をなくし、ＴＡＢテープキャ
リアの生産性を向上させることができる。
【００３６】
【実施例】＜実施例１＞図４（ａ）（ｂ）に本発明のＴ
ＡＢテープキャリアとこれを用いた半導体装置の第１の
実施例を示す。
ＡＢテープキャリアとこれを用いた半導体装置の第１の
実施例を示す。
【００３７】図４（ａ）に示すように、予め、厚さ２５
μｍ、幅７０mmのポリイミド樹脂フィルムから成るテー
プ基材２０に、裏打ち層４０として、熱膨張係数が次に
述べる銅箔２に近い厚さ１２．５μｍのポリイミド樹脂
フィルム４１に厚さ１２μｍの接着剤層３９を形成して
成る接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを、ロールラミネ
ート・キュアして設け、裏打ち層付テープ基材２２（図
３（ｂ２））とする。
μｍ、幅７０mmのポリイミド樹脂フィルムから成るテー
プ基材２０に、裏打ち層４０として、熱膨張係数が次に
述べる銅箔２に近い厚さ１２．５μｍのポリイミド樹脂
フィルム４１に厚さ１２μｍの接着剤層３９を形成して
成る接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを、ロールラミネ
ート・キュアして設け、裏打ち層付テープ基材２２（図
３（ｂ２））とする。
【００３８】これにエポキシ系接着剤３を貼り合わせ接
着剤付きテープ基材３２（図３（ｂ３））を得る。これ
にパンチングで送り穴（パーフォレーション）とＣＳＰ
・ＢＧＡのはんだボールを形成するためのポリイミドビ
アホール（はんだボール用ビアホール１２）（３００μ
ｍ直径）を１４４穴打ち抜き、次いで銅箔２として三井
金属鉱業製のＦＱ−ＶＬＰ箔銅箔（厚さ箔１８μｍ）テ
ープをラミネート・キュアした後、次に、フォトアプリ
ケーションで銅箔面を露光・エッチングして、銅箔信号
層のインナリード４を含む配線パターン５（５０μｍピ
ッチ）を形成した。次に、配線パターン５上に全面に無
電解Ｓｎめっき２１を０．４μｍ厚さ施し、その後に液
状ソルダレジスト１６を塗布して、ＴＡＢ用テープキャ
リア１の完成品とした。
着剤付きテープ基材３２（図３（ｂ３））を得る。これ
にパンチングで送り穴（パーフォレーション）とＣＳＰ
・ＢＧＡのはんだボールを形成するためのポリイミドビ
アホール（はんだボール用ビアホール１２）（３００μ
ｍ直径）を１４４穴打ち抜き、次いで銅箔２として三井
金属鉱業製のＦＱ−ＶＬＰ箔銅箔（厚さ箔１８μｍ）テ
ープをラミネート・キュアした後、次に、フォトアプリ
ケーションで銅箔面を露光・エッチングして、銅箔信号
層のインナリード４を含む配線パターン５（５０μｍピ
ッチ）を形成した。次に、配線パターン５上に全面に無
電解Ｓｎめっき２１を０．４μｍ厚さ施し、その後に液
状ソルダレジスト１６を塗布して、ＴＡＢ用テープキャ
リア１の完成品とした。
【００３９】比較のため、上記の組み合わせで、図８
（ｂ）の従来品として、厚さ５０μｍ、幅７０mmのポリ
イミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０に、エポキ
シ系接着剤３を貼り合わせて接着剤付きテープ基材と
し、これに銅箔２として三井金属鉱業製のＦＱ−ＶＬＰ
箔銅箔厚さ箔１８μｍテープをラミネート・キュアした
後、次にフォトアプリケーションで配線パターン５（５
０μｍピッチ）を形成したものを作成した。
（ｂ）の従来品として、厚さ５０μｍ、幅７０mmのポリ
イミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０に、エポキ
シ系接着剤３を貼り合わせて接着剤付きテープ基材と
し、これに銅箔２として三井金属鉱業製のＦＱ−ＶＬＰ
箔銅箔厚さ箔１８μｍテープをラミネート・キュアした
後、次にフォトアプリケーションで配線パターン５（５
０μｍピッチ）を形成したものを作成した。
【００４０】ソルダレジスト１６を塗布する前の段階で
従来品と本発明品を比較した結果、本発明のテープキャ
リアのものが、テープの反りが１／２以下と小さくな
り、断線、ショートが少なく、生産歩留が向上した。ま
た、ソルダレジスト１６を塗布した後の段階でも、フォ
トレジストの搬送中の接触によるレジスト面の擦れが減
少した。
従来品と本発明品を比較した結果、本発明のテープキャ
リアのものが、テープの反りが１／２以下と小さくな
り、断線、ショートが少なく、生産歩留が向上した。ま
た、ソルダレジスト１６を塗布した後の段階でも、フォ
トレジストの搬送中の接触によるレジスト面の擦れが減
少した。
【００４１】次に、図４（ｂ）に示すように、上記ＴＡ
Ｂテープキャリアを用いて半導体装置パッケージを組み
立てた。まず、ＴＡＢ用テープキャリア１上に半導体素
子（半導体チップ）１０を設け、その突き出し電極（Ａ
ｕのバンプ電極２６）をインナリード４のめっきパター
ンとフリップチップ・インナリードボンディング（フリ
ップチップ接合２４）してＴＡＢテープの配線パターン
５と接続した。
Ｂテープキャリアを用いて半導体装置パッケージを組み
立てた。まず、ＴＡＢ用テープキャリア１上に半導体素
子（半導体チップ）１０を設け、その突き出し電極（Ａ
ｕのバンプ電極２６）をインナリード４のめっきパター
ンとフリップチップ・インナリードボンディング（フリ
ップチップ接合２４）してＴＡＢテープの配線パターン
５と接続した。
【００４２】次に、この接続部をアンダフィル剤３３で
充満した後、半導体素子１０側の片面をトランスファー
モールド樹脂３６にてトランスファーモールドし、キュ
ア後、はんだボール用ビアホール１２にはんだボール２
５を搭戴して半導体装置パッケージの完成品とした。
充満した後、半導体素子１０側の片面をトランスファー
モールド樹脂３６にてトランスファーモールドし、キュ
ア後、はんだボール用ビアホール１２にはんだボール２
５を搭戴して半導体装置パッケージの完成品とした。
【００４３】その際、本発明の構造と製造方法によるテ
ープキャリアのものが、反りによる搬送のトラブルとテ
ープ反りに起因する半導体素子の割れもなく、片面をト
ランスファーモールドすることによる樹脂漏れ（テープ
反りに起因する歪み）も少なく、良好な組み立てができ
た。
ープキャリアのものが、反りによる搬送のトラブルとテ
ープ反りに起因する半導体素子の割れもなく、片面をト
ランスファーモールドすることによる樹脂漏れ（テープ
反りに起因する歪み）も少なく、良好な組み立てができ
た。
【００４４】＜実施例２＞図５に本発明のＴＡＢテープ
キャリアとこれを用いた半導体装置の第２の実施例を示
す。
キャリアとこれを用いた半導体装置の第２の実施例を示
す。
【００４５】図５に示すように、予め、厚さ２５μｍ、
幅７０mmのポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材
２０に、裏打ち層４０として、熱膨張係数が次に述べる
銅箔２に近い厚さ１２．５μｍのポリイミド樹脂フィル
ム４１に厚さ１２μｍの接着剤層３９を形成して成る接
着剤付ポリイミド樹脂フィルムをロールラミネート・キ
ュアして設け、裏打ち層付テープ基材２２（図３（ｂ
２））とする。これにエポキシ系接着剤３を貼り合わせ
接着剤付きテープ基材３２（図３（ｂ３））を得る。こ
れにパンチングで送り穴（パーフォレーション）とＣＳ
Ｐ・ＢＧＡのはんだボールを形成するためのはんだボー
ル用ビアホール１２（３００μｍ直径）を１４４穴打ち
抜き、次いで銅箔２として三井金属鉱業製のＦＱ−ＶＬ
Ｐ箔銅箔（厚さ箔１８μｍ）テープをラミネート・キュ
アした後、フォトアプリケーションで銅箔面を露光・エ
ッチングして、銅箔信号層のインナリード４を含む配線
パターン５（５０μｍピッチ）を形成した。
幅７０mmのポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材
２０に、裏打ち層４０として、熱膨張係数が次に述べる
銅箔２に近い厚さ１２．５μｍのポリイミド樹脂フィル
ム４１に厚さ１２μｍの接着剤層３９を形成して成る接
着剤付ポリイミド樹脂フィルムをロールラミネート・キ
ュアして設け、裏打ち層付テープ基材２２（図３（ｂ
２））とする。これにエポキシ系接着剤３を貼り合わせ
接着剤付きテープ基材３２（図３（ｂ３））を得る。こ
れにパンチングで送り穴（パーフォレーション）とＣＳ
Ｐ・ＢＧＡのはんだボールを形成するためのはんだボー
ル用ビアホール１２（３００μｍ直径）を１４４穴打ち
抜き、次いで銅箔２として三井金属鉱業製のＦＱ−ＶＬ
Ｐ箔銅箔（厚さ箔１８μｍ）テープをラミネート・キュ
アした後、フォトアプリケーションで銅箔面を露光・エ
ッチングして、銅箔信号層のインナリード４を含む配線
パターン５（５０μｍピッチ）を形成した。
【００４６】次に、図４の場合と異なり、配線パターン
５に液状ソルダレジスト１６を塗布し、ソルダレジスト
の硬化処理を施した後、そのソルダレジスト塗布層（ソ
ルダレジスト膜）から露出している配線パターン部分
（インナーリード等の端子領域）に、ＮｉとＡｕの電気
めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき２８）を１．０μｍと０．４
μｍ厚さに施して、ＴＡＢ用テープキャリアの完成品と
した。
５に液状ソルダレジスト１６を塗布し、ソルダレジスト
の硬化処理を施した後、そのソルダレジスト塗布層（ソ
ルダレジスト膜）から露出している配線パターン部分
（インナーリード等の端子領域）に、ＮｉとＡｕの電気
めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき２８）を１．０μｍと０．４
μｍ厚さに施して、ＴＡＢ用テープキャリアの完成品と
した。
【００４７】比較のため、上記の組み合わせで、図８
（ｂ）の従来品として、厚さ５０μｍ、幅７０mmのポリ
イミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０に、エポキ
シ系接着剤３を貼り合わせて接着剤付きテープ基材と
し、これに銅箔２として三井金属鉱業製のＦＱ−ＶＬＰ
箔銅箔厚さ箔１８μｍテープをラミネート・キュアした
後、次にフォトアプリケーションで配線パターン５（５
０μｍピッチ）を形成したものを作成した。
（ｂ）の従来品として、厚さ５０μｍ、幅７０mmのポリ
イミド樹脂フィルムから成るテープ基材２０に、エポキ
シ系接着剤３を貼り合わせて接着剤付きテープ基材と
し、これに銅箔２として三井金属鉱業製のＦＱ−ＶＬＰ
箔銅箔厚さ箔１８μｍテープをラミネート・キュアした
後、次にフォトアプリケーションで配線パターン５（５
０μｍピッチ）を形成したものを作成した。
【００４８】その結果、本発明のポリイミドテープのも
のが、テープ反りが１／２以下と小さくなり、断線、シ
ョートが少なく、フォトレジストの搬送中の接触による
レジスト面の擦れも減少し、歩留が向上した。
のが、テープ反りが１／２以下と小さくなり、断線、シ
ョートが少なく、フォトレジストの搬送中の接触による
レジスト面の擦れも減少し、歩留が向上した。
【００４９】次に、上記ＴＡＢテープキャリアを用いて
半導体装置パッケージを組み立てた。まず、ＴＡＢ用テ
ープキャリアのめっきパターンに、半導体素子（半導体
チップ）１０をダイアタッチ剤３４で固定した後、半導
体素子１０の素子電極と配線パターン５の銅配線が露出
しているパッド領域（Ｎｉ／Ａｕめっき２８）とを金ワ
イヤ８にてワイヤボンディングし、ＴＡＢテープの配線
パターン５と接続した。
半導体装置パッケージを組み立てた。まず、ＴＡＢ用テ
ープキャリアのめっきパターンに、半導体素子（半導体
チップ）１０をダイアタッチ剤３４で固定した後、半導
体素子１０の素子電極と配線パターン５の銅配線が露出
しているパッド領域（Ｎｉ／Ａｕめっき２８）とを金ワ
イヤ８にてワイヤボンディングし、ＴＡＢテープの配線
パターン５と接続した。
【００５０】次に、半導体素子１０側の片面をトランス
ファーモールド樹脂３６にてトランスファーモールド
し、キュア後、はんだボール用ビアホール１２にはんだ
ボール２５を搭載して完成品とした。
ファーモールド樹脂３６にてトランスファーモールド
し、キュア後、はんだボール用ビアホール１２にはんだ
ボール２５を搭載して完成品とした。
【００５１】その際、本発明の構造と製造方法によるテ
ープキャリアのものが、反りによる搬送のトラブルとテ
ープ反りに起因する半導体素子の割れもなく、片面をト
ランスファーモールドすることによる樹脂漏れ（テープ
反りに起因する歪み）も少なく、良好な組み立てができ
た。
ープキャリアのものが、反りによる搬送のトラブルとテ
ープ反りに起因する半導体素子の割れもなく、片面をト
ランスファーモールドすることによる樹脂漏れ（テープ
反りに起因する歪み）も少なく、良好な組み立てができ
た。
【００５２】＜実施例３＞図６に本発明のＴＡＢテープ
キャリアとこれを用いた半導体装置の第３の実施例を示
す。このＴＡＢテープキャリアは、図４（ａ）と基本的
に同じ構成であるが、中央に素子搭載部たるデバイスホ
ール６を有する点で相違している。
キャリアとこれを用いた半導体装置の第３の実施例を示
す。このＴＡＢテープキャリアは、図４（ａ）と基本的
に同じ構成であるが、中央に素子搭載部たるデバイスホ
ール６を有する点で相違している。
【００５３】また、このテープキャリアには、デバイス
ホール６の箇所で半導体素子１０が搭載されフリップチ
ップ接続された後、接着剤３８を介してスティフナー３
７が設けられて、半導体装置パッケージが構成されてい
る。
ホール６の箇所で半導体素子１０が搭載されフリップチ
ップ接続された後、接着剤３８を介してスティフナー３
７が設けられて、半導体装置パッケージが構成されてい
る。
【００５４】＜変形例＞上記実施例（図４〜図６）のＴ
ＡＢテープキャリアでは、接着剤使用の片面銅貼り１層
ＣＣＬの場合を例にして説明したが、本発明はこれに限
られるものではなく、例えば、図７に示す接着剤レス片
面銅貼り１層ＣＣＬ２３の場合にも適用することができ
る。また、この接着剤レスの片面配線のフリップチップ
接合のＢＧＡ半導体装置用のＴＡＢテープキャリアや、
接着剤レスの片面配線のインナリードボンディングタイ
プおよびワイヤボンディングタイプのＴＡＢテープキャ
リアにも応用することが可能である。
ＡＢテープキャリアでは、接着剤使用の片面銅貼り１層
ＣＣＬの場合を例にして説明したが、本発明はこれに限
られるものではなく、例えば、図７に示す接着剤レス片
面銅貼り１層ＣＣＬ２３の場合にも適用することができ
る。また、この接着剤レスの片面配線のフリップチップ
接合のＢＧＡ半導体装置用のＴＡＢテープキャリアや、
接着剤レスの片面配線のインナリードボンディングタイ
プおよびワイヤボンディングタイプのＴＡＢテープキャ
リアにも応用することが可能である。
【００５５】ここで、上記実施例（図４〜図７）の作用
効果をまとめれば、次のようになる。
効果をまとめれば、次のようになる。
【００５６】（１）本実施例のＴＡＢ用テープキャリア
は、テープ基材の銅箔と反対側に熱膨張係数が銅箔に近
い裏打ち層を具備するため、銅箔を貼り合わせて室温に
戻ったときの収縮量が、銅箔と接着剤の収縮量に近づく
ため、テープの反りを小さく制御することができ、その
結果、微細配線のエッチング歩留も向上し、品質の安定
したＴＡＢ用テープキャリアを供給することができる。
は、テープ基材の銅箔と反対側に熱膨張係数が銅箔に近
い裏打ち層を具備するため、銅箔を貼り合わせて室温に
戻ったときの収縮量が、銅箔と接着剤の収縮量に近づく
ため、テープの反りを小さく制御することができ、その
結果、微細配線のエッチング歩留も向上し、品質の安定
したＴＡＢ用テープキャリアを供給することができる。
【００５７】（２）本実施例のＴＡＢ用テープキャリア
を用い、そのめっきパターンに半導体素子をダイアタッ
チ剤で固定した後ワイヤボンディングしてＴＡＢ用テー
プキャリアの配線と接続し、更に半導体素子側の片面を
トランスファーモールドし、キュア後はんだボールを搭
載して半導体装置を組み立てた場合、裏打ち層を具備し
ない従来のテープキャリアを用いた場合と比較し、本発
明の製法とその構造のものは、反りによる搬送のトラブ
ルがなく、またテープ反りに起因する半導体素子（チッ
プ）の割れもなく、片面をトランスファーモールドした
ことによる樹脂漏れやテープ反りに起因する歪みも少な
く、良好な組み立てができる。
を用い、そのめっきパターンに半導体素子をダイアタッ
チ剤で固定した後ワイヤボンディングしてＴＡＢ用テー
プキャリアの配線と接続し、更に半導体素子側の片面を
トランスファーモールドし、キュア後はんだボールを搭
載して半導体装置を組み立てた場合、裏打ち層を具備し
ない従来のテープキャリアを用いた場合と比較し、本発
明の製法とその構造のものは、反りによる搬送のトラブ
ルがなく、またテープ反りに起因する半導体素子（チッ
プ）の割れもなく、片面をトランスファーモールドした
ことによる樹脂漏れやテープ反りに起因する歪みも少な
く、良好な組み立てができる。
【００５８】（３）本実施例のＴＡＢ用テープキャリア
は、テープの反りが小さいため、微細配線（５０μｍピ
ッチ以下）のエッチング形状が良く、エッチングファク
タが３．５以上と向上するため、絶縁抵抗性が高く、ま
た、耐マイグレーション特性に優れている。
は、テープの反りが小さいため、微細配線（５０μｍピ
ッチ以下）のエッチング形状が良く、エッチングファク
タが３．５以上と向上するため、絶縁抵抗性が高く、ま
た、耐マイグレーション特性に優れている。
【００５９】（４）本実施例のＴＡＢ用テープキャリア
は、銅箔の厚さを選定することにより、６０μｍピッチ
以下の微細配線を効率良く生産することができ、しかも
３０μｍピッチ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１５μｍ／５
μｍ）の配線の形成が容易なため、スリムな設計が可能
となり、小型化が容易なＢＧＡ・ＣＳＰ構造のＴＡＢ用
テープキャリアを供給することができる。
は、銅箔の厚さを選定することにより、６０μｍピッチ
以下の微細配線を効率良く生産することができ、しかも
３０μｍピッチ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１５μｍ／５
μｍ）の配線の形成が容易なため、スリムな設計が可能
となり、小型化が容易なＢＧＡ・ＣＳＰ構造のＴＡＢ用
テープキャリアを供給することができる。
【００６０】＜使用方法、応用システムなど＞本発明の
ＴＡＢ用テープキャリアは、耐マイグレーション特性に
優れた、微細配線（ピッチ６０μｍ以下）のデバイスホ
ール無しのフリップチップ接続用、および、デバイスホ
ール有りのビームリードタイプのＬＣＤ（液晶ディスプ
レイ）用として適用することが可能である。
ＴＡＢ用テープキャリアは、耐マイグレーション特性に
優れた、微細配線（ピッチ６０μｍ以下）のデバイスホ
ール無しのフリップチップ接続用、および、デバイスホ
ール有りのビームリードタイプのＬＣＤ（液晶ディスプ
レイ）用として適用することが可能である。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。
のような優れた効果が得られる。
【００６２】（１）本発明のテープキャリア（請求項１
〜２）によれば、一方の片面に金属箔たる銅箔を設けた
ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材、例えば接
着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ、又は接着剤使用の片面
銅貼り１層ＣＣＬの他方の片面に、熱膨張係数が上記金
属箔（銅箔等）に近い裏打ち層を、接着剤層又は接着剤
付ポリイミド樹脂フィルムの形で具備するため、銅箔を
貼り合わせて室温に戻ったときの収縮量が、銅箔と接着
剤の収縮量に近づく。このため、テープの反りを小さく
制御することができ、その結果、微細配線のエッチング
歩留も向上し、品質の安定したＴＡＢ用テープキャリア
を供給することができる。
〜２）によれば、一方の片面に金属箔たる銅箔を設けた
ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材、例えば接
着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ、又は接着剤使用の片面
銅貼り１層ＣＣＬの他方の片面に、熱膨張係数が上記金
属箔（銅箔等）に近い裏打ち層を、接着剤層又は接着剤
付ポリイミド樹脂フィルムの形で具備するため、銅箔を
貼り合わせて室温に戻ったときの収縮量が、銅箔と接着
剤の収縮量に近づく。このため、テープの反りを小さく
制御することができ、その結果、微細配線のエッチング
歩留も向上し、品質の安定したＴＡＢ用テープキャリア
を供給することができる。
【００６３】本発明のテープキャリアは、テープの反り
が小さいため微細配線（５０μｍピッチ以下）のエッチ
ング形状が良く、エッチングファクタが３．５以上と向
上するため、絶縁抵抗性が高く、また、耐マイグレーシ
ョン特性に優れている。
が小さいため微細配線（５０μｍピッチ以下）のエッチ
ング形状が良く、エッチングファクタが３．５以上と向
上するため、絶縁抵抗性が高く、また、耐マイグレーシ
ョン特性に優れている。
【００６４】本発明のテープキャリアは、銅箔の厚さを
選定することにより、６０μｍピッチ以下の微細配線の
ものを効率良く生産することができ、しかも３０μｍピ
ッチ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１５μｍ／５μｍ）の配
線の形成が容易なため、スリムな設計が可能となり小型
化に容易なＢＧＡ・ＣＳＰ構造のＴＡＢ用テープキャリ
アを供給することができる。
選定することにより、６０μｍピッチ以下の微細配線の
ものを効率良く生産することができ、しかも３０μｍピ
ッチ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１５μｍ／５μｍ）の配
線の形成が容易なため、スリムな設計が可能となり小型
化に容易なＢＧＡ・ＣＳＰ構造のＴＡＢ用テープキャリ
アを供給することができる。
【００６５】（２）本発明のテープキャリアの製造方法
（請求項３〜４）によれば、接着剤レス片面銅貼り１層
ＣＣＬ又は接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬのＴＡＢ
用テープキャリアを製造するに際し、ポリイミド樹脂フ
ィルムから成るテープ基材の銅箔とは反対側の面に、テ
ープ基材と同種であって銅箔に近い熱膨張係数を有する
裏打ち層を、接着剤層又は接着剤付ポリイミド樹脂フィ
ルムの形で形成するため、ＴＡＢ用テープキャリアの製
造の初期工程より最終工程に至るまで、反りのないテー
プキャリアを取り扱うことができ、製造工程全体の効率
の向上に寄与することができる。
（請求項３〜４）によれば、接着剤レス片面銅貼り１層
ＣＣＬ又は接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬのＴＡＢ
用テープキャリアを製造するに際し、ポリイミド樹脂フ
ィルムから成るテープ基材の銅箔とは反対側の面に、テ
ープ基材と同種であって銅箔に近い熱膨張係数を有する
裏打ち層を、接着剤層又は接着剤付ポリイミド樹脂フィ
ルムの形で形成するため、ＴＡＢ用テープキャリアの製
造の初期工程より最終工程に至るまで、反りのないテー
プキャリアを取り扱うことができ、製造工程全体の効率
の向上に寄与することができる。
【００６６】また、このＴＡＢ用テープキャリアを用い
た半導体装置パッケージの製造に際しても、反りによる
搬送のトラブルがなく、またテープ反りに起因する半導
体素子（チップ）の割れもなく、片面をトランスファー
モールドよる樹脂漏れやテープ反りに起因する歪みも少
なく、良好な組み立てができる。
た半導体装置パッケージの製造に際しても、反りによる
搬送のトラブルがなく、またテープ反りに起因する半導
体素子（チップ）の割れもなく、片面をトランスファー
モールドよる樹脂漏れやテープ反りに起因する歪みも少
なく、良好な組み立てができる。
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの２つの基本
構造を示す横断面図である。
構造を示す横断面図である。
【図２】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの第１の基本
構造の製造方法を示した図である。
構造の製造方法を示した図である。
【図３】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの第２の基本
構造の製造方法を示した図である。
構造の製造方法を示した図である。
【図４】本発明の第１の実施例を示したもので、（ａ）
はＴＡＢテープキャリアの横断面図、（ｂ）はそれを用
いた半導体装置の横断面図である。
はＴＡＢテープキャリアの横断面図、（ｂ）はそれを用
いた半導体装置の横断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例を示す横断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例を示す横断面図である。
【図７】本発明の他の実施例を示す横断面図である。
【図８】従来のＴＡＢ用テープキャリアの基本構造図で
ある。
ある。
【図９】従来のＴＡＢ用テープキャリアのラミネート・
キュア後の横断面を示す説明図である。
キュア後の横断面を示す説明図である。
２ 銅箔 ３ 接着剤 ４ インナリード ５ 配線パターン １２ はんだボール用ビアホール １６ ソルダレジスト ２０ ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基材 ２２ 裏打ち層付テープ基材 ２３ 接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬ ３２ 接着剤付きテープ基材 ３８ 接着剤 ３９ 接着剤層 ４０ 裏打ち層 ４１ 別のポリイミド樹脂フィルム
Claims (4)
- 【請求項１】ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材の一方の片面に銅箔を設けてフォトエッチングにより
配線パターンを形成し、その配線パターン上をソルダレ
ジスト膜で保護した半導体装置用テープキャリアにおい
て、 前記テープ基材の他方の片面に、熱膨張係数が前記銅箔
に近い接着剤層から成る裏打ち層を設けたことを特徴と
する半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項２】ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材の一方の片面に銅箔を貼り合わせてフォトエッチング
により配線パターンを形成し、その配線パターン上をソ
ルダレジスト膜で保護した半導体装置用テープキャリア
において、 前記テープ基材の他方の片面に、熱膨張係数が前記銅箔
に近い別のポリイミド樹脂フィルムに接着剤層を設けて
成る接着剤付ポリイミド樹脂フィルムを裏打ち層として
貼り合わせたことを特徴とする半導体装置用テープキャ
リア。 - 【請求項３】ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材の一方の片面に銅箔を設けた構造の半導体装置用テー
プキャリアの製造方法において、 前記テープ基材の他方の片面に、裏打ち層として、熱膨
張係数が前記銅箔に近い接着剤層を予め貼り合わせ、 このテープ基材の一方の片面に接着剤なしで前記銅箔を
貼り合わせて接着剤レス片面銅貼り１層ＣＣＬテープを
構成し、 その銅箔面を露光・エッチングして配線パターンを形成
し、その配線パターン上にソルダレジスト膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方
法。 - 【請求項４】ポリイミド樹脂フィルムから成るテープ基
材の一方の片面に銅箔を貼り合わせた構造の半導体装置
用テープキャリアの製造方法において、 前記テープ基材の他方の片面に、裏打ち層として、熱膨
張係数が前記銅箔に近い別のポリイミド樹脂フィルムに
接着剤層を設けて成る接着剤付ポリイミド樹脂フィルム
を予め貼り合わせ、 このテープ基材の一方の片面に接着剤を介して前記銅箔
を貼り合わせて接着剤使用の片面銅貼り１層ＣＣＬテー
プを構成し、 その銅箔面を露光・エッチングして配線パターンを形成
し、その配線パターン上にソルダレジスト膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096761A JP2002299387A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096761A JP2002299387A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299387A true JP2002299387A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18950643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001096761A Pending JP2002299387A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299387A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1851805A2 (en) * | 2005-01-26 | 2007-11-07 | United Solar Ovonic Corporation | Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby |
| CN100356553C (zh) * | 2003-04-25 | 2007-12-19 | 三井金属矿业株式会社 | 安装电子部件的薄膜载带 |
| KR20130137992A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 삼성전자주식회사 | 양면 접착성 테이프, 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001096761A patent/JP2002299387A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100356553C (zh) * | 2003-04-25 | 2007-12-19 | 三井金属矿业株式会社 | 安装电子部件的薄膜载带 |
| EP1851805A2 (en) * | 2005-01-26 | 2007-11-07 | United Solar Ovonic Corporation | Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby |
| EP1851805A4 (en) * | 2005-01-26 | 2010-10-20 | United Solar Ovonic Corp | METHOD FOR REMOVING WINDING FOR DEVICES ON THIN FLEXIBLE SUBSTRATES AND DEVICES PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD |
| KR20130137992A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 삼성전자주식회사 | 양면 접착성 테이프, 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101958831B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-07-02 | 삼성전자주식회사 | 양면 접착성 테이프, 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040831 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050111 |