JP2002289943A - Magnetic sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は磁気センサーに関
し、特に高密度ＨＤＤ用磁気へッドに好適な磁気抵抗効
果型磁気センサーに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic sensor, and more particularly to a magnetoresistive magnetic sensor suitable for a magnetic head for a high-density HDD.
【０００２】[0002]
【従来の技術】磁性膜を用いた磁気抵抗効果素子は、磁
気センサー、磁気ヘッドなどに用いられているととも
に、磁気記録素子（磁気抵抗効果メモリー）などへの応
用が提案されている。これらの磁気抵抗効果素子は、外
部磁界に対する感度が大きいこと、応答スピードが早い
ことが要求されている。2. Description of the Related Art A magnetoresistive element using a magnetic film is used for a magnetic sensor, a magnetic head, and the like, and has been proposed for application to a magnetic recording element (a magnetoresistive memory). These magnetoresistive elements are required to have a high sensitivity to an external magnetic field and a high response speed.
【０００３】磁気抵抗効果は、磁性体に磁場を印加する
と電気抵抗が変化する現象である。強磁性体を用いた磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）は、温度安定性に優れ、使
用温度範囲が広いという特徴を有している。[0003] The magnetoresistance effect is a phenomenon in which the electric resistance changes when a magnetic field is applied to a magnetic material. A magnetoresistive effect element (MR element) using a ferromagnetic material is characterized by having excellent temperature stability and a wide operating temperature range.
【０００４】また、近年、２つの磁性金属層の間に一層
の誘電体を挿入したサンドイッチ膜において、膜面に垂
直に電流を流し、トンネル電流を利用した磁気抵抗効果
素子、いわゆる強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ素子）
が見出されている。強磁性トンネル接合は、２０％以上
の磁気抵抗変化率が得られるようになったことから（J.
Appl. Phys. 79,4724(1996) ）、磁気ヘッドや磁気抵
抗効果メモリへの応用の可能性が高まってきた。In recent years, in a sandwich film in which one dielectric layer is inserted between two magnetic metal layers, a current flows perpendicularly to the film surface, and a magnetoresistive effect element utilizing a tunnel current, a so-called ferromagnetic tunnel junction. Element (TMR element)
Are found. Since the ferromagnetic tunnel junction can obtain a magnetoresistance change rate of 20% or more (J.
Appl. Phys. 79, 4724 (1996)), and the possibility of application to magnetic heads and magnetoresistive memories has been increasing.
【０００５】この強磁性トンネル接合は、薄い０．４ｎ
ｍ〜２．０ｎｍ厚のＡｌ層を強磁性電極上に成膜した
後、表面を純酸素または酸素グロー放電、または酸素ラ
ジカルに曝すことによって、ＡｌＯx からなるトンネル
バリア層を形成している。This ferromagnetic tunnel junction has a thin 0.4n
After forming the M～2.0Nm Al layer having a thickness on the ferromagnetic electrode, by exposing the surface to pure oxygen or oxygen glow discharge or oxygen radical to form a tunnel barrier layer made of AlO x.
【０００６】この強磁性トンネル接合素子（強磁性１重
トンネル接合）では、所望の出力電圧値を得るため強磁
性トンネル接合素子に印加する電圧値を増やすと磁気抵
抗変化率がかなり減少するという問題（Phys. Rev. L
ett. 74,3273(1995)）および、抵抗値が大きすぎると
ショットノイズの影響で充分なＳ／Ｎ比が得られないこ
と、抵抗値を低くするためトンネルバリア層の厚さを薄
くするとＭＲが小さくなってしまうことなどの問題があ
った。In this ferromagnetic tunnel junction device (ferromagnetic single tunnel junction), when the voltage value applied to the ferromagnetic tunnel junction device is increased to obtain a desired output voltage value, the rate of change in magnetoresistance is considerably reduced. (Phys. Rev. L
ett. 74, 3273 (1995)), and that if the resistance value is too large, a sufficient S / N ratio cannot be obtained due to the effect of shot noise, and if the thickness of the tunnel barrier layer is reduced to reduce the resistance value, the MR There was a problem that the size became smaller.
【０００７】また、上記強磁性１重トンネル接合の片一
方の強磁性層に反強磁性層を付与し、片方を磁化固定層
とした構造を有する強磁性１重トンネル接合が提案され
ている（特開平１０−４２２７）。しかし、この強磁性
トンネル接合素子（強磁性１重トンネル接合）でも、同
様の問題が存在する。A ferromagnetic single tunnel junction having a structure in which an antiferromagnetic layer is provided on one of the ferromagnetic layers of the ferromagnetic single tunnel junction and one of the ferromagnetic single tunnel junctions has a fixed magnetization layer has been proposed ( JP-A-10-4227). However, this ferromagnetic tunnel junction device (ferromagnetic single tunnel junction) has the same problem.
【０００８】また、誘電体中に分散した磁性粒子を介し
た強磁性トンネル接合、または、強磁性２重トンネル接
合が提案されている（特願平９−２６０７４３、Phys.
Rev.B56(10)，R5747(1997)、応用磁気学会誌23,4-2,(19
99)、APPI. Phys. Lett. 73(19) ，2829(1998)）。これ
らにおいても、２０％以上の磁気抵抗変化率が得られる
ようになったことから磁気へッドや磁気抵抗効果メモリ
への応用の可能性がある。A ferromagnetic tunnel junction or a ferromagnetic double tunnel junction via magnetic particles dispersed in a dielectric has been proposed (Japanese Patent Application No. 9-260743, Phys.
Rev.B56 (10), R5747 (1997), Journal of the Japan Society of Applied Magnetics 23,4-2, (19
99), APPI. Phys. Lett. 73 (19), 2829 (1998)). Also in these, since a magnetoresistance change rate of 20% or more can be obtained, there is a possibility of application to a magnetic head or a magnetoresistance effect memory.
【０００９】これら強磁性２重トンネル接合では、強磁
性１重トンネル接合に比べて、バイアス電圧にともなう
ＭＲ比の低下が少ないため、大きな出力が得られるとい
う特徴を有している。しかし、バリア層が２層になるた
めＳ／Ｎ比に関しては強磁性１重トンネル接合と同様の
またはそれ以上の問題がある。[0009] These ferromagnetic double tunnel junctions have the characteristic that a large output can be obtained since the MR ratio is less reduced with a bias voltage than the ferromagnetic single tunnel junction. However, since the number of barrier layers is two, the S / N ratio has a problem similar to or higher than that of the ferromagnetic single tunnel junction.
【００１０】これらを解決するために、トランジスタの
ゲート部に強磁性体電極を設けその上にトンネルバリア
を作製し、そのトンネルバリアの上に電気的に並列に接
続された第二、第三の強磁性体膜を設けた磁気抵抗効果
素子が提案されている（特開平１１−２６６０４３）。In order to solve these problems, a ferromagnetic electrode is provided at the gate of the transistor, a tunnel barrier is formed thereon, and the second and third electrodes are electrically connected in parallel on the tunnel barrier. A magnetoresistive element provided with a ferromagnetic film has been proposed (JP-A-11-266043).
【００１１】しかし、この素子においては、１重トンネ
ル接合を用いているため、バイアス電圧にともなうＭＲ
比の低下が存在し、ゲートに十分な電圧差が印加できな
いとともに、トンネル接合のブレークダウン等の問題が
生じる可能性がある。However, in this device, since a single tunnel junction is used, the MR accompanying the bias voltage is increased.
There is a decrease in the ratio, so that a sufficient voltage difference cannot be applied to the gate, and problems such as breakdown of the tunnel junction may occur.
【００１２】また、強磁性体をゲート電極に用いている
ため、この膜厚はエレクトロマイグレーション（ＥＭ）
などの問題を防ぐにはある程度以上にはしなければなら
ない。そのため、ゲート電極上に作製したトンネルバリ
アは、ゲート電極のエッジ上の部分において膜厚が不均
一となり、エツジからのリーク電流が増大し、歩留まり
が非常に悪くなる可能性がある。また、強磁性層をゲー
ト配線に用いた場合、プロセス温度の上昇に伴いトラン
ジスタの特性がばらつく問題もある。In addition, since a ferromagnetic material is used for the gate electrode, the thickness of the gate electrode is controlled by electromigration (EM).
To prevent such problems, it must be done to some extent. Therefore, the thickness of the tunnel barrier formed on the gate electrode becomes uneven at a portion on the edge of the gate electrode, the leak current from the edge increases, and the yield may be extremely deteriorated. Further, when a ferromagnetic layer is used for the gate wiring, there is a problem that the characteristics of the transistor vary as the process temperature increases.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、磁気セ
ンサーに使用される強磁性トンネル接合素子では、所望
の出力電圧値を得るため強磁性トンネル接合素子に印加
する電圧値を増やすと磁気抵抗変化率がかなり減少す
る、あるいは磁気抵抗値が大きすぎるとショットノイズ
の影響で充分なＳ／Ｎ比が得られない、磁気抵抗値を低
くするためトンネルバリア層の厚さを薄くするとＭＲ比
が小さくなってしまうなどの問題があった。As described above, in the ferromagnetic tunnel junction device used for the magnetic sensor, when the voltage value applied to the ferromagnetic tunnel junction device is increased in order to obtain a desired output voltage value, the magnetoresistance is increased. If the rate of change is significantly reduced, or if the magnetoresistance is too large, a sufficient S / N ratio cannot be obtained due to shot noise. If the thickness of the tunnel barrier layer is reduced to reduce the magnetoresistance, the MR ratio will increase. There were problems such as becoming smaller.
【００１４】このため、強磁性トンネル接合素子とトラ
ンジスタを組み合わせた磁気センサーが提案されている
が、上記の強磁性トンネル接合素子の問題点が解決され
ておらず、また組み合わせ構造に起因する問題もある。For this reason, a magnetic sensor in which a ferromagnetic tunnel junction element and a transistor are combined has been proposed. However, the above-mentioned problems of the ferromagnetic tunnel junction element have not been solved. is there.
【００１５】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたものであり、大容量ＨＤＤ用に好適で信頼性の高
い磁気抵抗効果型磁気センサーを提供することを課題と
している。The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and has as its object to provide a highly reliable magnetoresistive magnetic sensor suitable for a large-capacity HDD.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の第１の磁気センサーは、半導体基板と、
前記半導体基板表面に形成された一対のソース・ドレイ
ン領域と、前記一対のソース・ドレイン領域で挟まれた
半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート
絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に
電気的に接続され、第１の反強磁性層と、第１の強磁性
層と、第１のトンネルバリア層と、第２の強磁性層と、
第２のトンネルバリア層と、第３の強磁性層と、第２の
反強磁性層とがこの順に積層された強磁性トンネル接合
素子とを具備することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a first magnetic sensor according to the present invention comprises a semiconductor substrate,
A pair of source / drain regions formed on the surface of the semiconductor substrate, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate sandwiched between the pair of source / drain regions, and a gate electrode formed on the gate insulating film And a first antiferromagnetic layer, a first ferromagnetic layer, a first tunnel barrier layer, a second ferromagnetic layer, electrically connected to the gate electrode,
A ferromagnetic tunnel junction element in which a second tunnel barrier layer, a third ferromagnetic layer, and a second antiferromagnetic layer are stacked in this order is provided.
【００１７】本発明の第２の磁気センサーは、半導体基
板と、前記半導体基板表面に形成された一対のソース／
ドレイン領域と、前記一対のソース・ドレイン領域で挟
まれた半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記
ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート
電極に電気的に接続され、第１の反強磁性層と、第１の
強磁性層と、トンネルバリア層と、第２の強磁性層と、
第２の反強磁性層とがこの順に積層された強磁性トンネ
ル接合素子と、前記下地電極と前記第１の反強磁性層と
の間、或いは第２の反強磁性層の上に形成された抵抗層
とを具備することを特徴とする。A second magnetic sensor according to the present invention comprises a semiconductor substrate and a pair of sources / sources formed on the surface of the semiconductor substrate.
A drain region, a gate insulating film formed over the semiconductor substrate sandwiched between the pair of source / drain regions, a gate electrode formed over the gate insulating film, and electrically connected to the gate electrode; A first antiferromagnetic layer, a first ferromagnetic layer, a tunnel barrier layer, a second ferromagnetic layer,
A ferromagnetic tunnel junction device in which a second antiferromagnetic layer is stacked in this order, between the base electrode and the first antiferromagnetic layer, or on the second antiferromagnetic layer. And a resistance layer.
【００１８】本発明の第３の磁気センサーは、接合を形
成する第１導電型半導体領域と第２導電型半導体領域と
を有するダイオードと、前記ダイオードの第１導電型半
導体領域上に形成された下地電極と、前記下地電極上に
形成され、第１の反強磁性層と、第１の強磁性層と、第
１のトンネルバリア層と、第２の強磁性層と、第２のト
ンネルバリア層と、第３の強磁性層と、第２の反強磁性
層とがこの順に積層された強磁性トンネル接合素子とを
具備することを特徴とする。A third magnetic sensor according to the present invention includes a diode having a first conductivity type semiconductor region and a second conductivity type semiconductor region forming a junction, and a diode formed on the first conductivity type semiconductor region of the diode. A base electrode, a first antiferromagnetic layer, a first ferromagnetic layer, a first tunnel barrier layer, a second ferromagnetic layer, and a second tunnel barrier formed on the base electrode. A ferromagnetic tunnel junction element in which a layer, a third ferromagnetic layer, and a second antiferromagnetic layer are stacked in this order.
【００１９】本発明の第４の磁気センサーは、接合を形
成する第１導電型半導体領域と第２導電型半導体領域と
を有するダイオードと、前記ダイオードの第１導電型領
域上に形成された下地電極と、前記下地電極上に形成さ
れ、第１の反強磁性層と、第１の強磁性層と、トンネル
バリア層と、第２の強磁性層と、第２の反強磁性層とが
この順に積層された強磁性トンネル接合素子と、前記下
地電極と前記第１の反強磁性層との間、或いは第２の反
強磁性層の上に形成された抵抗層とを具備することを特
徴とする。According to a fourth magnetic sensor of the present invention, there is provided a diode having a first conductivity type semiconductor region and a second conductivity type semiconductor region forming a junction, and an underlayer formed on the first conductivity type region of the diode. An electrode, a first antiferromagnetic layer, a first ferromagnetic layer, a tunnel barrier layer, a second ferromagnetic layer, and a second antiferromagnetic layer formed on the base electrode. A ferromagnetic tunnel junction element stacked in this order; and a resistive layer formed between the base electrode and the first antiferromagnetic layer or on the second antiferromagnetic layer. Features.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】（第1の実施形態）図1は本発明の第1の実
施形態に係る磁気抵抗効果型磁気センサーの原理を説明
するための等価回路図である。図1（ａ）では、トンネ
ル磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）１の一端がＭＯＳＦＥＴ
２のゲートに接続され、ＴＭＲ素子1にはその他端から
定電流ｉを流す。ＴＭＲ素子１の他端を例えば接地電位
とし、ＴＭＲ素子の一端の電位（ＭＯＳＦＥＴ２のゲー
ト電位）がＭＯＳＦＥＴ２の閾値電圧以下であれば、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２は非導通であり、閾値電位以上になればＭ
ＯＳＦＥＴ２は導通する。即ち、ＴＭＲ素子１の僅かな
抵抗変化をＭＯＳＦＥＴ２により増幅することができ
る。(First Embodiment) FIG. 1 is an equivalent circuit diagram for explaining the principle of a magnetoresistive magnetic sensor according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1A, one end of a tunnel magnetoresistive element (TMR element) 1 is a MOSFET.
2 and a constant current i flows through the TMR element 1 from the other end. If the other end of the TMR element 1 is set to the ground potential, for example, and the potential at one end of the TMR element (gate potential of the MOSFET 2) is equal to or lower than the threshold voltage of the MOSFET 2,
OSFET2 is non-conducting, and when the voltage exceeds the threshold potential, M
OSFET2 conducts. That is, a slight resistance change of the TMR element 1 can be amplified by the MOSFET 2.
【００２２】図１（ｂ）は、ＴＭＲ素子１に直列に調整
用抵抗３を接続したもので、ＭＯＳＦＥＴ２の閾値電圧
近傍にゲート電圧の動作点を合わせるための調整を可能
にした例である。FIG. 1B shows an example in which an adjusting resistor 3 is connected in series to the TMR element 1 and an adjustment for adjusting the operating point of the gate voltage near the threshold voltage of the MOSFET 2 is made possible.
【００２３】図２は、本発明の第1の実施形態に係る磁
気抵抗効果素子１０の摸式的な斜視図である。ＭＯＳＦ
ＥＴ２は半導体基板１１に形成されたソース領域１２、
ドレイン領域１３、ゲート絶縁膜１６を介して形成され
たゲートとしての下地電極２０により構成されている。
参照番号１４，１５は夫々ソース電極、ドレイン電極で
あり、１８は下地電極２０に接続されたゲート取り出し
電極である。FIG. 2 is a schematic perspective view of the magnetoresistive element 10 according to the first embodiment of the present invention. MOSF
ET2 is a source region 12 formed on a semiconductor substrate 11,
A drain electrode 13 and a base electrode 20 as a gate formed with a gate insulating film 16 interposed therebetween.
Reference numerals 14 and 15 are a source electrode and a drain electrode, respectively, and 18 is a gate extraction electrode connected to the base electrode 20.
【００２４】ＴＭＲ素子１は下地電極２０上にゲート引
き出し電極１８と隣接しかつ離隔して形成され、その上
面には定電流を流し込むバイアス電極１７が形成されて
いる。また、図示はしていないが、ＴＭＲ素子１と下地
電極２０或いはバイアス電極１７との間にゲート電圧調
整用の抵抗膜を備えることができる。The TMR element 1 is formed on the base electrode 20 so as to be adjacent to and separated from the gate lead-out electrode 18, and has a bias electrode 17 for flowing a constant current formed on the upper surface thereof. Although not shown, a resistive film for adjusting a gate voltage can be provided between the TMR element 1 and the base electrode 20 or the bias electrode 17.
【００２５】図３は、ＴＭＲ素子１の層構成を説明する
ための断面図である。半導体基板１１には、ソース・ド
レイン領域１２，１３が形成され、このソース・ドレイ
ン領域１２，１３に挟まれた領域上にはゲート絶縁膜１
６を介して下地電極２０が形成されている。下地電極２
０は、少なくともソース・ドレイン領域１２，１３に挟
まれた半導体基板の領域上に形成されていることが望ま
しい。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the layer structure of the TMR element 1. Source / drain regions 12 and 13 are formed in a semiconductor substrate 11, and a gate insulating film 1 is formed on a region between the source / drain regions 12 and 13.
The base electrode 20 is formed with the interposition of the base electrode 6. Base electrode 2
0 is desirably formed at least on a region of the semiconductor substrate sandwiched between the source / drain regions 12 and 13.
【００２６】下地電極２０の上面の１領域にはＴＭＲ素
子１が形成されている。この例では、ＴＭＲ素子１は、
下地電極２０上に抵抗調整膜２５を介して順次形成され
た反強磁性層２１、強磁性層（磁気固着層）２２、トン
ネルバリア層２３、強磁性層（記録層）２２から構成さ
れている。強磁性層２２の上には、バイアス電極１７が
形成されている。抵抗調整膜２５は下地電極２０上に必
ずしも形成する必要は無く、ＴＭＲ素子１とバイアス電
極１７の間、或いはバイアス電極１７につながる回路部
に設けてもよい。或いは抵抗調整膜２５を設けなくても
よい。The TMR element 1 is formed in one region on the upper surface of the base electrode 20. In this example, the TMR element 1
An antiferromagnetic layer 21, a ferromagnetic layer (magnetic pinned layer) 22, a tunnel barrier layer 23, and a ferromagnetic layer (recording layer) 22 are sequentially formed on a base electrode 20 via a resistance adjusting film 25. . The bias electrode 17 is formed on the ferromagnetic layer 22. The resistance adjusting film 25 does not necessarily need to be formed on the base electrode 20 and may be provided between the TMR element 1 and the bias electrode 17 or in a circuit portion connected to the bias electrode 17. Alternatively, the resistance adjusting film 25 may not be provided.
【００２７】下地電極２０の他の領域には、ゲート引出
し電極１８が形成されている。ゲート引出し電極１８
は、ＴＭＲ素子１の反強磁性層２１、あるいは強磁性層
２２／反強磁性層２１をゲート引出し電極１８の下部ま
で延在させ、これらを介して接続するようにしてもよ
い。The gate extraction electrode 18 is formed in another region of the base electrode 20. Gate extraction electrode 18
Alternatively, the antiferromagnetic layer 21 or the ferromagnetic layer 22 / the antiferromagnetic layer 21 of the TMR element 1 may be extended to below the gate extraction electrode 18 and connected through these.
【００２８】図３では、ＴＭＲ素子１として、反強磁性
層を磁気固着層側の１層だけとしたが、フリー層側の一
部に、もう１層設けてもよい。また、図３では強磁性１
重トンネル接合を示したが、図４に示すように、強磁性
２重トンネル接合としてもよい。In FIG. 3, the TMR element 1 has only one antiferromagnetic layer on the magnetic pinned layer side. However, another layer may be provided on a part of the free layer side. Further, in FIG.
Although a heavy tunnel junction is shown, a ferromagnetic double tunnel junction may be used as shown in FIG.
【００２９】即ち、図４のＴＭＲ素子は、反強磁性層３
１／強磁性層（固着層）３２／トンネルバリア層３３／
強磁性層（記録層）３４／トンネルバリア層３５／強磁
性層（磁気固着層）３６／反強磁性層３７からなる強磁
性２重トンネル接合構造を有する。That is, the TMR element shown in FIG.
1 / ferromagnetic layer (fixed layer) 32 / tunnel barrier layer 33 /
It has a ferromagnetic double tunnel junction structure composed of a ferromagnetic layer (recording layer) 34 / tunnel barrier layer 35 / ferromagnetic layer (magnetic pinned layer) 36 / antiferromagnetic layer 37.
【００３０】また、上記の強磁性層の少なくとも１層を
強磁性層／非磁性層／強磁性層の３層構造としても良
い。図５は、図４の強磁性層３２を強磁性層３２−１／
非磁性層３８／強磁性層３２−２とした例である。At least one of the above ferromagnetic layers may have a three-layer structure of a ferromagnetic layer / a nonmagnetic layer / a ferromagnetic layer. FIG. 5 shows the ferromagnetic layer 32 of FIG.
This is an example in which the nonmagnetic layer 38 and the ferromagnetic layer 32-2 are used.
【００３１】本実施形態では、図３に示したようにＭＯ
ＳＦＥＴ２のゲート部に下地電極層を介して強磁性トン
ネル接合／抵抗調整膜の積層膜が配置されている。上記
構造において、下地電極層は、磁性体の拡散が抑えられ
れば良く、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗまたはこれらの金属の酸化
膜、または窒化膜などを用いることができる。これらを
設けることによって、ゲート部に磁性体を付与しても、
ＭＯＳＦＥＴ２のゲート部形成後の３００℃以上のアニ
ールプロセスにおいて特性が変動することが無く、信頼
性の高い磁気センサーを提供することができる。In this embodiment, as shown in FIG.
A laminated film of a ferromagnetic tunnel junction / resistance adjustment film is disposed at the gate of the SFET 2 via a base electrode layer. In the above structure, the base electrode layer only needs to suppress diffusion of the magnetic substance, and may be made of Ti, Ta, W, or an oxide film or a nitride film of these metals. By providing these, even if a magnetic material is applied to the gate portion,
In the annealing process at 300 ° C. or higher after the gate portion of the MOSFET 2 is formed, the characteristics do not change and a highly reliable magnetic sensor can be provided.
【００３２】強磁性トンネル接合の記録層のスピンが媒
体等の漏れ磁場により方向を変え、磁気固着層のスピン
の方向との相対的な角度が変化するため、ＴＭＲ素子１
の磁気抵抗が変化する。この抵抗変化がＭＯＳＦＥＴ２
のゲート電圧を変化させ、ソース・ドレイン間の電流が
大きく変化する。このようにして、Ｓ／Ｎ比の大きい磁
気センサーを提供することができる。The spin of the recording layer of the ferromagnetic tunnel junction changes its direction due to the leakage magnetic field of the medium or the like, and the relative angle to the spin direction of the magnetic pinned layer changes.
Changes the magnetic resistance of the magnetic field. This resistance change is MOSFET2
And the current between the source and the drain greatly changes. Thus, a magnetic sensor having a large S / N ratio can be provided.
【００３３】図には示していないが、バルクハウゼンノ
イズを少なくするために、ＣｏＰｔなどのハードバイア
ス層または、反強磁性層を強磁性トンネル接合の記録層
の一部に付与することが好ましい。また、ＨＤＤ用読み
出しへッドとして用いる場合は、図３の上下にはＮｉ−
Ｆｅなどのシールド層を設けて、記録ヘッドとの磁気シ
ールドとする。Although not shown, a hard bias layer such as CoPt or an antiferromagnetic layer is preferably provided on a part of the recording layer of the ferromagnetic tunnel junction in order to reduce Barkhausen noise. When used as an HDD read head, Ni-
A magnetic shield with a recording head is provided by providing a shield layer of Fe or the like.
【００３４】次に、具体例として図４のＴＭＲ素子を図
３の磁気センサーに適用した例を説明する。強磁性トン
ネル接合は、強磁性２重トンネル接合構造、即ち反強磁
性層３１／強磁性層３２／バリア層３３／強磁性層３４
／バリア層３５／強磁性層３６／反強磁性層３７とし
て、Ｉｒ−Ｍｎ／Ｃｏ70Ｆｅ30／ＡｌＯX／（Ｃｏ70Ｆ
ｅ30）80Ｎｉ20／ＡｌＯx／Ｃｏ70Ｆｅ30／Ｉｒ−Ｍｎ
の積層体をＭＯＳＦＥＴ２のゲート部のＷの窒化膜から
なる下部電極２０上に作製した。上記構造において、ト
ンネルバリア層３３、３５は、金属Ａｌを成膜後プラズ
マ酸化を行って作製した。Next, a specific example in which the TMR element of FIG. 4 is applied to the magnetic sensor of FIG. 3 will be described. The ferromagnetic tunnel junction has a ferromagnetic double tunnel junction structure, that is, an antiferromagnetic layer 31, a ferromagnetic layer 32, a barrier layer 33, and a ferromagnetic layer.
/ As a barrier layer 35 / a ferromagnetic layer 36 / an antiferromagnetic layer 37, Ir-Mn / Co 70 Fe 30 / AlO X / (Co 70 F
e 30 ) 80 Ni 20 / AlO x / Co 70 Fe 30 / Ir-Mn
Was formed on the lower electrode 20 made of a W nitride film at the gate of the MOSFET 2. In the above structure, the tunnel barrier layers 33 and 35 were formed by performing plasma oxidation after forming metal Al.
【００３５】上記の試料に関し、ＭＯＳＦＥＴ２のドレ
イン・ソース間電流の相対値Ｉｄの変化を図６に示す。
図示のように、フリー層のスピンの方向に応じて、ＭＲ
変化率は１０5 ％オーダーもの大きな変化を示し、本特
許の有効性が確認された。FIG. 6 shows a change in the relative value Id of the drain-source current of the MOSFET 2 with respect to the above sample.
As shown in the figure, depending on the spin direction of the free layer, the MR
The rate of change showed a large change of the order of 10 5 %, confirming the validity of the present patent.
【００３６】（第２の実施形態）図７は本発明の第２の
実施形態に係る磁気センサーの原理を説明するための等
価回路図である。図７（ａ）では、トンネル磁気抵抗素
子（ＴＭＲ素子）１の一端がダイオード４のアノードに
接続され、ＴＭＲ素子1には定電流ｉを流す。ＴＭＲ素
子１の他端を例えば接地電位とし、ＴＭＲ素子の一端の
電位（ダイオード４のアノード電位）とダイオードのカ
ソード電位の差がダイオード４の閾値電圧以下であれ
ば、ダイオード４は非導通であり、閾値電圧以上になれ
ばダイオード４は導通する。即ち、ＴＭＲ素子１の僅か
な抵抗変化をダイオード４の順方向電流の立ち上がりカ
ーブを利用して増幅することができる。(Second Embodiment) FIG. 7 is an equivalent circuit diagram for explaining the principle of a magnetic sensor according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 7A, one end of a tunnel magnetoresistive element (TMR element) 1 is connected to the anode of a diode 4, and a constant current i flows through the TMR element 1. The other end of the TMR element 1 is set to, for example, the ground potential. If the difference between the potential of one end of the TMR element (the anode potential of the diode 4) and the cathode potential of the diode is equal to or less than the threshold voltage of the diode 4, the diode 4 is non-conductive. When the voltage exceeds the threshold voltage, the diode 4 becomes conductive. That is, a slight resistance change of the TMR element 1 can be amplified using the rising curve of the forward current of the diode 4.
【００３７】図７（ｂ）は、ＴＭＲ素子１に直列に調整
用抵抗３を接続したもので、ダイオード４の閾値電圧近
傍に動作点を合わせるために調整を可能にした例であ
る。FIG. 7B shows an example in which an adjusting resistor 3 is connected in series to the TMR element 1 and an adjustment is made to adjust the operating point near the threshold voltage of the diode 4.
【００３８】図７ではＴＭＲ素子１の一端をダイオード
４のアノード側に接続したが、カソード側に接続しても
よい。即ち、ＴＭＲ素子はダイオードの第１導電型半導
体領域でも第２導電型半導体領域でも接続することがで
きる。In FIG. 7, one end of the TMR element 1 is connected to the anode side of the diode 4, but may be connected to the cathode side. That is, the TMR element can be connected to either the first conductivity type semiconductor region or the second conductivity type semiconductor region of the diode.
【００３９】図８は、本発明の第２の実施形態に係る磁
気センサー５０の摸式的な斜視図である。ダイオード４
は半導体基板５１に形成されたアノード（ｐ＋）領域５
２、カソード（ｎ＋）領域５３により構成されている。
アノード（ｐ＋）領域５２とカソード（ｎ＋）領域５３
は、その境界部でｐｎ接合を形成している。参照番号５
４，５５は、夫々カソード電極、アノード電極である。FIG. 8 is a schematic perspective view of a magnetic sensor 50 according to the second embodiment of the present invention. Diode 4
Denotes an anode (p +) region 5 formed on the semiconductor substrate 51.
2. It is constituted by a cathode (n +) region 53.
Anode (p +) region 52 and cathode (n +) region 53
Form a pn junction at its boundary. Reference number 5
Reference numerals 4 and 55 are a cathode electrode and an anode electrode, respectively.
【００４０】ＴＭＲ素子１はアノード領域５２上に下部
電極５７を介して、アノード電極５５と離隔して形成さ
れ、その上面には定電流を流し込むバイアス電極５６が
形成されている。なお、図示はしていないが、ＴＭＲ素
子１と下地電極５７或いはバイアス電極５６との間に電
圧調整用の抵抗膜を備えることができる。The TMR element 1 is formed on the anode region 52 with a lower electrode 57 interposed therebetween and separated from the anode electrode 55, and a bias electrode 56 for supplying a constant current is formed on the upper surface thereof. Although not shown, a resistance film for voltage adjustment can be provided between the TMR element 1 and the base electrode 57 or the bias electrode 56.
【００４１】図９は、ＴＭＲ素子１の層構成を説明する
ための断面図である。半導体基板５１には、ｐ型領域５
２とその中にｎ型領域５３が形成され、ｐ型領域５２上
には下地電極５７が形成されている。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the layer structure of the TMR element 1. The semiconductor substrate 51 includes a p-type region 5
2 and an n-type region 53 are formed therein, and a base electrode 57 is formed on the p-type region 52.
【００４２】下地電極５７の上面の１領域には、第１の
実施形態の図３に示されたと同じＴＭＲ素子１が形成さ
れている。即ち、ＴＭＲ素子１は、下地電極５７上に抵
抗調整膜２５を介して順次形成された反強磁性層２１、
強磁性層（磁気固着層）２２、トンネルバリア層２３、
強磁性層（記録層）２２から構成されている。強磁性層
２２の上には、バイアス電極５６が形成されている。抵
抗調整膜２５は下地電極５７上に必ずしも形成する必要
は無く、ＴＭＲ素子１とバイアス電極５６の間、或いは
バイアス電極５６につながる回路部に設けてもよい。或
いは抵抗調整膜２５を設けなくてもよい。In one region on the upper surface of the base electrode 57, the same TMR element 1 as that shown in FIG. 3 of the first embodiment is formed. That is, the TMR element 1 includes the antiferromagnetic layer 21 sequentially formed on the base electrode 57 via the resistance adjusting film 25,
A ferromagnetic layer (magnetic pinned layer) 22, a tunnel barrier layer 23,
It is composed of a ferromagnetic layer (recording layer) 22. On the ferromagnetic layer 22, a bias electrode 56 is formed. The resistance adjusting film 25 does not necessarily need to be formed on the base electrode 57, and may be provided between the TMR element 1 and the bias electrode 56 or in a circuit portion connected to the bias electrode 56. Alternatively, the resistance adjusting film 25 may not be provided.
【００４３】下地電極５７の他の領域には、アノード電
極５５が形成されている。アノード電極５５は、ＴＭＲ
素子１の反強磁性層２１、あるいは強磁性層２２／反強
磁性層２１をゲート引出し電極１８の下部まで延在さ
せ、これらを介して接続するようにしてもよい。In the other region of the base electrode 57, an anode electrode 55 is formed. The anode electrode 55 is a TMR
The antiferromagnetic layer 21 or the ferromagnetic layer 22 / the antiferromagnetic layer 21 of the element 1 may be extended to below the gate extraction electrode 18 and connected through these.
【００４４】図９では、ＴＭＲ素子１として、反強磁性
層を磁気固着層側の１層としたが、フリー層側の一部
に、もう１層設けてもよい。また、図９では強磁性１重
トンネル接合を示したが、図４または図５に示したよう
な、強磁性２重トンネル接合としてもよい。In FIG. 9, as the TMR element 1, the antiferromagnetic layer is one layer on the magnetic pinned layer side, but another layer may be provided on a part of the free layer side. Although FIG. 9 shows a ferromagnetic single tunnel junction, a ferromagnetic double tunnel junction as shown in FIG. 4 or 5 may be used.
【００４５】第２の実施形態の変形例として、図１０、
図１１に示すように構成しても良い。この変形例では、
プラナー型のダイオードに代えて、アモルファスダイオ
ード６１を用いているところに特徴がある。即ち、カソ
ード電極６４の上にはアノード層６２、カソード層６３
からなるアモルファスダイオード６１が形成されてい
る。アノード層６２の上部には、下地電極６７を介して
ＴＭＲ素子１とアノード電極６５が離隔して形成されて
いる。ＴＭＲ素子１の上部にはバイアス電極６６が形成
されている。このように、アモルファスダイオードを使
用すれば小型で安価な磁気センサーが実現できる。As a modification of the second embodiment, FIG.
It may be configured as shown in FIG. In this variation,
The feature is that an amorphous diode 61 is used instead of the planar type diode. That is, the anode layer 62 and the cathode layer 63 are formed on the cathode electrode 64.
Is formed. The TMR element 1 and the anode electrode 65 are formed above the anode layer 62 with a base electrode 67 interposed therebetween. A bias electrode 66 is formed above the TMR element 1. Thus, a small and inexpensive magnetic sensor can be realized by using an amorphous diode.
【００４６】本実施形態では、図８または図１０に示し
たように、ダイオードのアノード上に下地電極を介して
強磁性トンネル接合または、強磁性トンネル接合／抵抗
体層積層膜が配置されている。上記構造において、下地
電極層は、磁性体の拡散が抑えられれば良く、Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｗ、あるいはこれらの酸化膜または窒化化膜などを
用いることができる。これらを設けることによってダイ
オードの上面に磁性体を付与しても、プロセスの熱工程
を経ても特性の変動が無く、信頼性の高い磁気センサー
を提供することができる。In the present embodiment, as shown in FIG. 8 or FIG. 10, a ferromagnetic tunnel junction or a ferromagnetic tunnel junction / resistor layer laminated film is arranged on the anode of a diode via a base electrode. . In the above structure, the base electrode layer only needs to suppress the diffusion of the magnetic substance, and Ti, T
a, W, or an oxide film or a nitride film thereof can be used. By providing these, even if a magnetic substance is provided on the upper surface of the diode, the characteristics do not fluctuate even after a heat step of the process, and a highly reliable magnetic sensor can be provided.
【００４７】ダイオードを用いる方が、ＭＯＳＦＥＴを
用いる場合に比べて製造コストが安く安価な磁気センサ
を作製出来る。強磁性トンネル接合の記録（フリー）層
のスピンが媒体等の漏れ磁場により方向を変え、磁気固
着層のスピンの方向との相対的な角度が変化するため、
磁気抵抗が変化する。この磁気抵抗変化をダイオードの
閾値近傍の電圧変化としてダイオードに印加すれば、ダ
イオードに流れる電流が大きく変化し、Ｓ／Ｎ比の高い
磁気センサーが提供できる。The use of a diode makes it possible to manufacture an inexpensive magnetic sensor with a lower manufacturing cost than the case of using a MOSFET. Since the spin of the recording (free) layer of the ferromagnetic tunnel junction changes its direction due to the leakage magnetic field of the medium or the like, and the relative angle to the spin direction of the magnetic pinned layer changes,
The magnetic resistance changes. If this change in magnetoresistance is applied to the diode as a voltage change near the threshold of the diode, the current flowing through the diode changes greatly, and a magnetic sensor with a high S / N ratio can be provided.
【００４８】図には示していないが、バルクハウゼンノ
イズを少なくするために、ＣｏＰｔなどのハードバイア
ス層または、反強磁性層を強磁性トンネル接合のフリー
層の一部に付与することが好ましい。また、ＨＤＤ用読
み出しへッドとして用いる場合は、図８、図１０の磁気
センサーの上下にはＮｉ−Ｆｅなどのシールド層を設け
て、記録ヘッドとの磁気シールドとする。Although not shown, it is preferable to provide a hard bias layer such as CoPt or an antiferromagnetic layer to a part of the free layer of the ferromagnetic tunnel junction in order to reduce Barkhausen noise. When used as a read head for an HDD, a shield layer of Ni—Fe or the like is provided above and below the magnetic sensor shown in FIGS. 8 and 10 to provide a magnetic shield with the recording head.
【００４９】ＴＭＲ素子１としては、第１の実施形態と
同様に、図４、図５に示したスピンバルブ型強磁性２重
接合構造を用いることが望ましい。As in the first embodiment, it is desirable to use the spin valve type ferromagnetic double junction structure shown in FIGS. 4 and 5 as the TMR element 1.
【００５０】次に、具体例として図４のＴＭＲ素子を図
８の磁気センサーに適用した例を説明する。強磁性トン
ネル接合は、強磁性２重トンネル接合構造、即ち反強磁
性層３１／強磁性層３２／バリア層３３／強磁性層３４
／バリア層３５／強磁性層３６／反強磁性層３７とし
て、Ｐｔ−Ｍｎ／Ｃｏ70Ｆｅ30／ＡｌＯX／Ｎｉ40（Ｃ
ｏ90Ｆｅ10）60／ＡｌＯx／Ｃｏ70Ｆｅ30／Ｐｔ−Ｍｎ
の積層体をダイオード４のアノード上のＴａ層からなる
下地電極５７上に作製した。上記構造において、トンネ
ルバリア層３３、３５は、金属Ａｌを成膜後プラズマ酸
化を行って作製した。Next, a specific example in which the TMR element of FIG. 4 is applied to the magnetic sensor of FIG. 8 will be described. The ferromagnetic tunnel junction has a ferromagnetic double tunnel junction structure, that is, an antiferromagnetic layer 31, a ferromagnetic layer 32, a barrier layer 33, and a ferromagnetic layer.
Pt—Mn / Co 70 Fe 30 / AlO X / Ni 40 (C / barrier layer 35 / ferromagnetic layer 36 / antiferromagnetic layer 37)
o 90 Fe 10) 60 / AlO x / Co 70 Fe 30 / Pt-Mn
Was formed on a base electrode 57 made of a Ta layer on the anode of the diode 4. In the above structure, the tunnel barrier layers 33 and 35 were formed by performing plasma oxidation after forming metal Al.
【００５１】上記の試料に関し、ダイオード４の順方向
電流の相対値Ｉｄの変化を図１２に示す。図示のよう
に、記録（フリー）層のスピンの方向に応じて、ＭＲ変
化率は１０6 ％オーダーもの大きな変化を示し、本特許
の有効性が確認された。FIG. 12 shows a change in the relative value Id of the forward current of the diode 4 with respect to the above sample. As shown in the figure, the MR change rate shows a large change of the order of 10 6 % according to the spin direction of the recording (free) layer, confirming the validity of the present patent.
【００５２】上記の第１および第２の実施形態における
強磁性トンネル接合としては、図４、図５に示したよう
に反強磁性層を付与するいわゆるスピンバルブ型にする
ことが好ましい。The ferromagnetic tunnel junction in the first and second embodiments is preferably of a so-called spin valve type having an antiferromagnetic layer as shown in FIGS.
【００５３】また、上記磁気固着層（ピン層）は、（強
磁性層/非磁性層／強磁性層）の３層構造で非磁性層を
介して反強磁性結合をしているいわゆる反強磁性結合記
録層を用いることができる。この３層構造をピン層とし
て用いることにより、より強固にピン層のスピンを固着
することができるため、何度かの読み出しによって磁気
固定層の一部の磁気モーメントが回転してしまい出力が
徐々に低下してしまうという問題が完全になくなるこ
と、反強磁性膜の膜厚を薄くでき加工精度が上がること
などのメリットがあり、ピン層からのバイアス磁場も減
少するため、バイアスポイントのバラツキが減少する。The magnetic pinned layer (pinned layer) has a three-layer structure of (ferromagnetic layer / non-magnetic layer / ferromagnetic layer) and has a so-called anti-ferromagnetic coupling with anti-ferromagnetic coupling via the non-magnetic layer. A magnetic coupling recording layer can be used. By using this three-layer structure as a pinned layer, the spin of the pinned layer can be more firmly fixed, so that the magnetic moment of a part of the magnetic pinned layer is rotated by several readings, and the output gradually increases. There is an advantage that the problem of lowering the thickness completely disappears, the thickness of the antiferromagnetic film can be reduced, and the processing accuracy can be increased.The bias magnetic field from the pinned layer also decreases, and the variation of the bias point is reduced. Decrease.
【００５４】また、磁気記録層（フリー層）も（強磁性
層／非磁性層／強磁性層）の３層構造を用いることが好
ましい。この場合、強磁性層間に強磁性層結合があるこ
とが好ましい。この構造を磁気フリー層に用いると、セ
ル幅を小さくしても良好な感度が得られる。即ち、セル
幅を小さくしても磁場応答を大きく保つことができる。
強磁性結合の強さは弱い方が好ましく、弱いほど磁場応
答が良好となる。It is preferable that the magnetic recording layer (free layer) also has a three-layer structure (ferromagnetic layer / nonmagnetic layer / ferromagnetic layer). In this case, it is preferable that there is a ferromagnetic layer coupling between the ferromagnetic layers. When this structure is used for the magnetic free layer, good sensitivity can be obtained even if the cell width is reduced. That is, the magnetic field response can be kept large even if the cell width is reduced.
The strength of the ferromagnetic coupling is preferably weaker, and the weaker the better the magnetic field response.
【００５５】また、第１および第２の実施形態の場合、
ピン層のスピンとフリー層のスピンは、上から見たとき
に略直交していることが望ましい。In the first and second embodiments,
It is desirable that the spin of the pin layer and the spin of the free layer are substantially orthogonal when viewed from above.
【００５６】本発明の強磁性層の元素の種類には特に制
限はなく、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉまたはそれら合金、スピン
分極率の大きいマグネタイト、ＣｒＯ2、ＲＸＭｎＯ3-y
（Ｒ：希土類、Ｘ：Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ）などの酸化物の
他ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂなどのホイスラー合金、
Ｚｎ−Ｍｎ−Ｏ、Ｔｉ−Ｍｎ−Ｏ、ＣｄＭｎＰ2、Ｚｎ
ＭｎＰ2などの磁性半導体を用いることができる。The kind of the element of the ferromagnetic layer of the present invention is not particularly limited, and Fe, Co, Ni or an alloy thereof, magnetite having a large spin polarizability, CrO 2 , RXMnO 3-y
(R: rare earth, X: Ca, Ba, Sr) and other Heusler alloys such as NiMnSb and PtMnSb,
Zn-Mn-O, Ti- Mn-O, CdMnP 2, Zn
A magnetic semiconductor such as MnP 2 can be used.
【００５７】本発明の強磁性層の膜厚は超常磁性になら
ない程度の厚さが必要であり、０．４ｎｍ以上であるこ
とが好ましい。また、あまり厚いと磁場感度が小さくな
り、漏れ磁場が大きくなってしまうため、３．０ｎｍ以
下で有ることが好ましい。また、これら磁性体にはＡ
ｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｂ、
Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ
などの非磁性元素が多少含まれていても強磁性を失わな
いかぎり良い。The thickness of the ferromagnetic layer of the present invention must be such that it does not become superparamagnetic, and is preferably 0.4 nm or more. On the other hand, if the thickness is too large, the magnetic field sensitivity decreases and the leakage magnetic field increases. Therefore, the thickness is preferably 3.0 nm or less. In addition, these magnetic materials include A
g, Cu, Au, Al, Mg, Si, Bi, Ta, B,
C, O, N, Pd, Pt, Zr, Ir, W, Mo, Nb
Even if a certain amount of nonmagnetic element such as is contained, it is good as long as ferromagnetism is not lost.
【００５８】反強磁性膜は、Ｆｅ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ｍｎ、
Ｐｔ−Ｃｒ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＮｉＯな
どを設けることができる。フリー層に強磁性層／非磁性
層／強磁性層の３層膜を用いる場合、その非磁性層とし
ては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ａｇなどを用い
ることができる。The antiferromagnetic film is made of Fe—Mn, Pt—Mn,
Pt-Cr-Mn, Ni-Mn, Ir-Mn, NiO, or the like can be provided. When a three-layer film of a ferromagnetic layer / a nonmagnetic layer / a ferromagnetic layer is used as the free layer, the nonmagnetic layer can be made of Cu, Au, Ru, Ir, Rh, Ag, or the like.
【００５９】誘電体または絶縁層としては、Ａｌ2Ｏ3、
ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、ＧａＯ、Ｂｉ2Ｏ
3、ＳｒＴｉＯ2、ＡｌＬａＯ3 などの様々な誘電体を使
用することができる。これらは、酸素、窒素欠損が多少
存在していてもかまわない。[0059] The dielectric or insulating layer, Al 2 O 3,
SiO 2 , MgO, AlN, AlON, GaO, Bi 2 O
Various dielectrics such as 3 , SrTiO 2 , AlLaO 3 can be used. These may have some oxygen and nitrogen deficiencies.
【００６０】誘電体層の厚さはＴＭＲ素子の接合面積に
依存し、３ｎｍ以下であることが好ましい。基板上に
は、下地層，保護層として、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ，Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ、Ｔａ／Ｐｔ、Ｔｉ／Ｐｄ、Ｔａ
／Ｐｄなどを用いることが好ましい。The thickness of the dielectric layer depends on the junction area of the TMR element, and is preferably 3 nm or less. On the substrate, Ta, Ti, W, Pt, P
d, Au, Ti / Pt, Ta / Pt, Ti / Pd, Ta
It is preferable to use / Pd or the like.
【００６１】このような磁気抵抗効果素子は、各種スパ
ッタ法、蒸着法、分子線エピタキシャル法などの通常の
薄膜形成装置を用いれば作製することができる。Such a magnetoresistive element can be manufactured by using an ordinary thin film forming apparatus such as various sputtering methods, vapor deposition methods, molecular beam epitaxy methods and the like.
【００６２】（第３の実施形態）第３の実施形態では、
本発明の磁気センサーを磁気ヘッドに応用した例を説明
する。(Third Embodiment) In the third embodiment,
An example in which the magnetic sensor of the present invention is applied to a magnetic head will be described.
【００６３】図１３は、本発明の磁気センサー１０を搭
載した磁気ヘッドアセンブリの斜視図である。アクチュ
エータアーム１０１は、磁気ディスク装置内の固定軸に
固定されるための穴が設けられ、図示しない駆動コイル
を保持するボビン部等を有する。アクチュエータアーム
１０１の一端にはサスペンション１０２が固定されてい
る。サスペンション１０２の先端には信号の書き込み、
および読み取り用のリード線１０４が配線され、このリ
ード線１０４の一端はヘッドスライダ１０３に組み込ま
れた磁気センサー１０の各電極に接続され、リード線１
０４の他端は電極パッド１０５に接続されている。な
お、磁気センサー１０は第１の実施形態のセンサーであ
るが、第２の実施形態の磁気センサー５０，６０であっ
てもよい。FIG. 13 is a perspective view of a magnetic head assembly equipped with the magnetic sensor 10 of the present invention. The actuator arm 101 is provided with a hole to be fixed to a fixed shaft in the magnetic disk device, and has a bobbin for holding a drive coil (not shown). A suspension 102 is fixed to one end of the actuator arm 101. Write a signal to the tip of the suspension 102,
And a lead wire 104 for reading, one end of the lead wire 104 is connected to each electrode of the magnetic sensor 10 incorporated in the head slider 103, and the lead wire 1
04 is connected to the electrode pad 105 at the other end. The magnetic sensor 10 is the sensor according to the first embodiment, but may be the magnetic sensors 50 and 60 according to the second embodiment.
【００６４】図１４は、図１３に示す磁気ヘッドアセン
ブリを搭載した磁気ディスク装置（磁気再生装置）の内
部構造を示す斜視図である。磁気ディスク１１１はスピ
ンドル１１２に装着され、図示しない駆動装置制御部か
らの制御信号に応答する図示しないモータにより回転す
る。FIG. 14 is a perspective view showing the internal structure of a magnetic disk device (magnetic reproducing device) on which the magnetic head assembly shown in FIG. 13 is mounted. The magnetic disk 111 is mounted on a spindle 112 and is rotated by a motor (not shown) responsive to a control signal from a drive controller (not shown).
【００６５】アクチュエータアーム１０１は固定軸１１
３に固定され、サスペンション１０２およびその先端の
ヘッドスライダ１０３を支持している。磁気ディスク１
１１が回転すると、ヘッドスライダ１０３の媒体対向面
は磁気ディスク１１１の表面から所定量浮上した状態で
保持され、情報の記録再生を行う。The actuator arm 101 has a fixed shaft 11
3 and supports the suspension 102 and the head slider 103 at the tip thereof. Magnetic disk 1
When the disk 11 rotates, the medium facing surface of the head slider 103 is held in a state of floating above the surface of the magnetic disk 111 by a predetermined amount, and information is recorded and reproduced.
【００６６】アクチュエータアーム１０１の基端にはリ
ニアモータの一種であるボイスコイルモータ１１４が設
けられている。ボイスコイルモータ１１４はアクチュエ
ータアーム１０１のボビン部に巻き上げられた図示しな
い駆動コイルとこのコイルを挟み込むように対向して配
置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路と
から構成されている。At the base end of the actuator arm 101, a voice coil motor 114, which is a kind of linear motor, is provided. The voice coil motor 114 includes a drive coil (not shown) wound around the bobbin of the actuator arm 101, and a magnetic circuit including a permanent magnet and an opposing yoke, which are opposed to each other so as to sandwich the coil.
【００６７】アクチュエータアーム１０１は、固定軸１
１３の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリ
ングによって支持され、ボイスコイルモータ１１４によ
り回転摺動が自在にできるようになっている。The actuator arm 101 has a fixed shaft 1
It is supported by ball bearings (not shown) provided at two locations above and below 13, and can be freely rotated and slid by a voice coil motor 114.
【００６８】上記のように本発明の磁気センサーを使用
した磁気ヘッドあるいは磁気再生装置は、磁気センサー
から高出力信号が得られるので、安定した動作と１００
Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の大容量化が可能になる。As described above, the magnetic head or the magnetic reproducing apparatus using the magnetic sensor of the present invention can obtain a high output signal from the magnetic sensor, so that stable operation and 100
The capacity can be increased to Gbit / in 2 or more.
【００６９】[0069]
【発明の効果】本発明によれば、出力信号電圧が大きく
信頼性の高い磁気センサーが得られるので、１００Ｇｂ
ｉｔ／ｉｎ2 以上の大容量磁気記録装置が実現できる。According to the present invention, a highly reliable magnetic sensor having a large output signal voltage can be obtained.
It is possible to realize a large-capacity magnetic recording device of it / in 2 or more.
【００７０】また、ＭＯＳＦＥＴを用いる場合、ゲート
部は金属または金属酸化物からなるゲート電極（下地電
極）を用いるので熱安定性が良く、ゲート電極上にその
エッジ部に懸かることなくＴＭＲ素子を作製するので、
ゲートエッジからのリーク電流も抑制できる。In the case of using a MOSFET, a gate portion (base electrode) made of metal or metal oxide is used for the gate portion, so that thermal stability is good and a TMR element can be formed on the gate electrode without hanging on the edge portion. So
Leakage current from the gate edge can also be suppressed.
【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気センサーの
等価回路図。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a magnetic sensor according to a first embodiment of the present invention.
【図２】第１の実施形態に係る磁気センサーの摸式的な
斜視図。FIG. 2 is a schematic perspective view of the magnetic sensor according to the first embodiment.
【図３】第１の実施形態に係る磁気センサーの摸式的な
断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the magnetic sensor according to the first embodiment.
【図４】本発明の磁気センサーに使用する他のＴＭＲ素
子の層構成を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a layer configuration of another TMR element used for the magnetic sensor of the present invention.
【図５】本発明の磁気センサーに使用する更に他のＴＭ
Ｒ素子の層構成を示す断面図。FIG. 5 shows still another TM used in the magnetic sensor of the present invention.
Sectional drawing which shows the layer structure of an R element.
【図６】第１の実施形態の磁気センサーの出力信号特性
を示す図。FIG. 6 is a view showing output signal characteristics of the magnetic sensor according to the first embodiment.
【図７】本発明の第２の実施形態に係る磁気センサーの
等価回路図。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a magnetic sensor according to a second embodiment of the present invention.
【図８】第２の実施形態に係る磁気センサーの摸式的な
斜視図。FIG. 8 is a schematic perspective view of a magnetic sensor according to a second embodiment.
【図９】第２の実施形態に係る磁気センサーの摸式的な
断面図。FIG. 9 is a schematic sectional view of a magnetic sensor according to a second embodiment.
【図１０】第２の実施形態の変形例に係る磁気センサー
の摸式的な斜視図。FIG. 10 is a schematic perspective view of a magnetic sensor according to a modification of the second embodiment.
【図１１】第２の実施形態の変形例に係る磁気センサー
の摸式的な断面図。FIG. 11 is a schematic sectional view of a magnetic sensor according to a modified example of the second embodiment.
【図１２】第２の実施形態の磁気センサーの出力信号特
性を示す図。FIG. 12 is a diagram showing output signal characteristics of the magnetic sensor according to the second embodiment.
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る磁気ヘッドの
摸式的な斜視図。FIG. 13 is a schematic perspective view of a magnetic head according to a third embodiment of the present invention.
【図１４】第３の実施形態の磁気ヘッドを搭載した磁気
記録装置の摸式的名斜視図。FIG. 14 is a schematic perspective view of a magnetic recording apparatus equipped with a magnetic head according to a third embodiment.
１…ＴＭＲ素子 ２…ＭＯＳＦＥＴ ３…調整抵抗 ４…ダイオード １０、５０、６０…磁気センサー １１、５１…半導体基板 １２，１３…ソース・ドレイン領域 １４，１５…ソース・ドレイン電極 １６…ゲート絶縁膜 １７、５６，６６…バイアス電極 １８…ゲート引出し電極 ２０、５７，６７…下地電極 ２１、３１，３７…反強磁性層 ２２，２４，３２，３２−１，３２−２、３４、３６…
強磁性層 ２３，３３，３５…トンネルバリア層 ２５…調整抵抗層 ３８…非磁性層 ５２、６２…アノード層 ５３，６３…カソード層 ５４、６４…カソード電極 ５５、６５…アノード電極DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TMR element 2 ... MOSFET 3 ... Adjusting resistance 4 ... Diode 10, 50, 60 ... Magnetic sensor 11, 51 ... Semiconductor substrate 12, 13 ... Source / drain region 14, 15 ... Source / drain electrode 16 ... Gate insulating film 17 , 56, 66 bias electrode 18 gate extraction electrode 20, 57, 67 base electrode 21, 31, 37 antiferromagnetic layer 22, 24, 32, 32-1, 32-2, 34, 36 ...
Ferromagnetic layers 23, 33, 35 Tunnel barrier layers 25 Adjusting resistance layers 38 Nonmagnetic layers 52, 62 Anode layers 53, 63 Cathode layers 54, 64 Cathode electrodes 55, 65 Anode electrodes
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G017 AA10 AD55 5D034 BA03 BA05 BA08 BA12 BA15 BA16 BB14 CA04 CA08 5E049 BA12 BA16 CB02 DB10 DB12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G017 AA10 AD55 5D034 BA03 BA05 BA08 BA12 BA15 BA16 BB14 CA04 CA08 5E049 BA12 BA16 CB02 DB10 DB12
Claims (5)
ン領域と、 前記一対のソース・ドレイン領域で挟まれた半導体基板
上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に電気的に接続され、第１の反強磁性
層と、第１の強磁性層と、第１のトンネルバリア層と、
第２の強磁性層と、第２のトンネルバリア層と、第３の
強磁性層と、第２の反強磁性層とがこの順に積層された
強磁性トンネル接合素子と、を具備することを特徴とす
る磁気センサー。A semiconductor substrate; a pair of source / drain regions formed on a surface of the semiconductor substrate; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate sandwiched between the pair of source / drain regions; A gate electrode formed on the insulating film, a first antiferromagnetic layer, a first ferromagnetic layer, and a first tunnel barrier layer electrically connected to the gate electrode;
A ferromagnetic tunnel junction element in which a second ferromagnetic layer, a second tunnel barrier layer, a third ferromagnetic layer, and a second antiferromagnetic layer are stacked in this order. Characteristic magnetic sensor.
ン領域と、 前記一対のソース・ドレイン領域で挟まれた半導体基板
上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極に電気的に接続され、第１の反強磁性層
と、第１の強磁性層と、トンネルバリア層と、第２の強
磁性層と、第２の反強磁性層とがこの順に積層された強
磁性トンネル接合素子と、 前記下地電極と前記第１の反強磁性層との間、或いは第
２の反強磁性層の上に形成された抵抗層と、を具備する
ことを特徴とする磁気センサー。2. A semiconductor substrate; a pair of source / drain regions formed on the surface of the semiconductor substrate; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate sandwiched between the pair of source / drain regions; A gate electrode formed on the insulating film, a first antiferromagnetic layer, a first ferromagnetic layer, a tunnel barrier layer, and a second ferromagnetic layer electrically connected to the gate electrode. , A second ferromagnetic layer in which a second antiferromagnetic layer is stacked in this order; and between the base electrode and the first antiferromagnetic layer or on the second antiferromagnetic layer. A magnetic sensor comprising:
第２導電型半導体領域とを備えたダイオードと、 前記ダイオードの第１導電型半導体領域上に形成された
下地電極と、 前記下地電極上に形成され、第１の反強磁性層と、第１
の強磁性層と、第１のトンネルバリア層と、第２の強磁
性層と、第２のトンネルバリア層と、第３の強磁性層
と、第２の反強磁性層とがこの順に積層された強磁性ト
ンネル接合素子と、を具備することを特徴とする磁気セ
ンサー。3. A diode having a first conductivity type semiconductor region and a second conductivity type semiconductor region forming a junction; a base electrode formed on the first conductivity type semiconductor region of the diode; and the base electrode. A first antiferromagnetic layer formed on the first antiferromagnetic layer;
, A first tunnel barrier layer, a second ferromagnetic layer, a second tunnel barrier layer, a third ferromagnetic layer, and a second antiferromagnetic layer in this order. And a ferromagnetic tunnel junction device.
第２導電型半導体領域とを備えるダイオードと、 前記ダイオードの第１導電型半導体領域上に形成された
下地電極と、 前記下地電極上に形成され、第１の反強磁性層と、第１
の強磁性層と、トンネルバリア層と、第２の強磁性層
と、第２の反強磁性層とがこの順に積層された強磁性ト
ンネル接合素子と、 前記下地電極と前記第１の反強磁性層との間、或いは第
２の反強磁性層の上に形成された抵抗層と、を具備する
ことを特徴とする磁気センサー。4. A diode comprising a first conductivity type semiconductor region and a second conductivity type semiconductor region forming a junction; a base electrode formed on the first conductivity type semiconductor region of the diode; A first antiferromagnetic layer and a first antiferromagnetic layer.
A ferromagnetic tunnel junction element in which a ferromagnetic layer, a tunnel barrier layer, a second ferromagnetic layer, and a second antiferromagnetic layer are stacked in this order; A resistance layer formed between the magnetic layer and the second antiferromagnetic layer.
の内の少なくとも１層が、第４の強磁性層と、その上に
形成された非磁性金属層と、その上に形成された第５の
強磁性層とを含む積層膜により置換されたことを特徴と
する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁気セン
サー。5. A method according to claim 1, wherein at least one of said first, second and third ferromagnetic layers comprises a fourth ferromagnetic layer, a nonmagnetic metal layer formed thereon, and a fourth ferromagnetic layer formed thereon. The magnetic sensor according to any one of claims 1 to 4, wherein the magnetic sensor is replaced by a laminated film including the fifth ferromagnetic layer.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088745A1 (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | Magnetoresistive element and its manufacturing method |
| US7349185B2 (en) | 2004-07-30 | 2008-03-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Three terminal magnetic sensor for magnetic heads with a semiconductor junction |
| US7813088B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-10-12 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistance effect device |
| US8035932B2 (en) | 2007-09-20 | 2011-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lorentz magnetoresistive sensor with integrated signal amplification |
| US8394649B2 (en) | 2004-09-07 | 2013-03-12 | Canaon Anelva Corporation | Method of production of a magnetoresistance effect device |
| US9905752B2 (en) | 2013-08-28 | 2018-02-27 | Denso Corporation | Magneto-resistance element and magnetic sensor using the same |
| CN114062978A (en) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 东南大学 | MEMS magnetic field sensor based on piezoelectric tunnel effect and magnetic field measuring method |
-
2001
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11233193B2 (en) | 2004-03-12 | 2022-01-25 | Japan Science And Technology Agency | Method of manufacturing a magnetorestive random access memeory (MRAM) |
| US10367138B2 (en) | 2004-03-12 | 2019-07-30 | Japan Science And Technology Agency | Magnetic tunnel junction device |
| US8405134B2 (en) | 2004-03-12 | 2013-03-26 | Japan Science And Technology Agency | Magnetic tunnel junction device |
| WO2005088745A1 (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | Magnetoresistive element and its manufacturing method |
| US7884403B2 (en) | 2004-03-12 | 2011-02-08 | Japan Science And Technology Agency | Magnetic tunnel junction device and memory device including the same |
| US10680167B2 (en) | 2004-03-12 | 2020-06-09 | Japan Science And Technology Agency | Magnetic tunnel junction device |
| US8319263B2 (en) | 2004-03-12 | 2012-11-27 | Japan Science And Technology Agency | Magnetic tunnel junction device |
| US9123463B2 (en) | 2004-03-12 | 2015-09-01 | Japan Science And Technology Agency | Magnetic tunnel junction device |
| US11968909B2 (en) | 2004-03-12 | 2024-04-23 | Godo Kaisha Ip Bridge 1 | Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) |
| US11737372B2 (en) | 2004-03-12 | 2023-08-22 | Godo Kaisha Ip Bridge 1 | Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) |
| US9608198B2 (en) | 2004-03-12 | 2017-03-28 | Japan Science And Technology Agency | Magnetic tunnel junction device |
| US7349185B2 (en) | 2004-07-30 | 2008-03-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Three terminal magnetic sensor for magnetic heads with a semiconductor junction |
| US7621038B2 (en) | 2004-07-30 | 2009-11-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for fabricating a three terminal magnetic sensor for magnetic heads with a semiconductor junction |
| US8394649B2 (en) | 2004-09-07 | 2013-03-12 | Canaon Anelva Corporation | Method of production of a magnetoresistance effect device |
| US8934290B2 (en) | 2004-09-07 | 2015-01-13 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistance effect device and method of production of the same |
| US7813088B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-10-12 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistance effect device |
| US8035932B2 (en) | 2007-09-20 | 2011-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lorentz magnetoresistive sensor with integrated signal amplification |
| US9905752B2 (en) | 2013-08-28 | 2018-02-27 | Denso Corporation | Magneto-resistance element and magnetic sensor using the same |
| CN114062978A (en) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 东南大学 | MEMS magnetic field sensor based on piezoelectric tunnel effect and magnetic field measuring method |
| CN114062978B (en) * | 2021-11-15 | 2024-02-02 | 东南大学 | MEMS magnetic field sensor based on piezoelectric tunneling effect and magnetic field measuring method |
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| Publication number | Publication date |
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