JP2002289610A - Substrate treatment apparatus and substrate treatment method - Google Patents
Substrate treatment apparatus and substrate treatment methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、減圧された処理
チャンバー内に処理ガスを供給して基板を処理する基板
処理装置およびこの基板処理装置を使用した基板処理方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing gas into a decompressed processing chamber, and a substrate processing method using the substrate processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体ウエハ等の基板の表面に
塗布された低分子物質を脱水縮合させることにより高分
子化する層間膜のエージング処理工程においては、その
内部に基板を収納した処理チャンバーを減圧するととも
に、この処理チャンバー内にアンモニアガスと水蒸気が
混合した処理ガスを供給することにより、基板を処理す
る構成となっている。また、ウエハ表面とレジストとの
密着性を強化するための密着強化処理工程においては、
その内部に基板を収納した処理チャンバーを加熱および
減圧するとともに、この処理チャンバー内にＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤とキャリア
ガスが混合した処理ガスを供給することにより、基板を
処理する構成となっている。2. Description of the Related Art For example, in an aging process of an interlayer film which becomes a polymer by dehydrating and condensing a low-molecular substance applied to the surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a processing chamber in which the substrate is housed is provided. The substrate is processed by reducing the pressure and supplying a processing gas obtained by mixing ammonia gas and water vapor into the processing chamber. Further, in the adhesion strengthening process for strengthening the adhesion between the wafer surface and the resist,
The processing chamber containing the substrate therein is heated and depressurized, and HMDS is placed in the processing chamber.
The substrate is processed by supplying a processing gas in which an adhesion enhancer such as (hexamethyldisilazane) and a carrier gas are mixed.
【０００３】このような処理を行う基板処理装置は、一
般に、処理チャンバー内を減圧するための構成として、
真空ポンプ等の排気機構と、処理チャンバーにおける排
出口と排気機構とを接続する管路と、この管路中に配設
された開閉弁と、この管路内の気体の圧力を測定する圧
力センサとを備えている。[0003] A substrate processing apparatus for performing such processing generally has a structure for reducing the pressure in a processing chamber.
An exhaust mechanism such as a vacuum pump, a pipe connecting the exhaust port and the exhaust mechanism in the processing chamber, an on-off valve disposed in the pipe, and a pressure sensor for measuring the pressure of gas in the pipe. And
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような従来の基板
処理装置においては、処理チャンバー内を減圧する際
に、処理チャンバーの排出口から開閉弁に至る管路内の
領域も減圧されることになる。このため、減圧後の処理
ガス導入時においては、処理チャンバーを介して処理チ
ャンバーの排出口から開閉弁に至る管路内の領域に流入
する処理ガスの存在により、処理ガスの流速が処理チャ
ンバーにおける排出口付近で最大となり、また、それと
は逆に処理ガスの流速が排出口の逆側付近で最小とな
る。このように処理ガスの流速に差違を生じた場合にお
いては、基板の処理が不均一となり、処理後の基板の面
内均一性が損なわれる。In such a conventional substrate processing apparatus, when depressurizing the inside of the processing chamber, the area in the pipeline from the discharge port of the processing chamber to the on-off valve is also depressurized. Become. For this reason, when the processing gas is introduced after the pressure reduction, the flow rate of the processing gas in the processing chamber is reduced due to the presence of the processing gas flowing through the processing chamber into the region in the pipeline from the outlet of the processing chamber to the on-off valve. The flow rate of the processing gas becomes maximum near the discharge port, and conversely, becomes minimum near the reverse side of the discharge port. When the flow velocity of the processing gas is different as described above, the processing of the substrate becomes non-uniform, and the in-plane uniformity of the processed substrate is impaired.
【０００５】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、減圧された処理チャンバー内に処理ガ
スを供給して基板を処理するに際して、基板の全面を均
一に処理することが可能な基板処理装置を提供すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to uniformly process the entire surface of a substrate when processing a substrate by supplying a processing gas into a reduced-pressure processing chamber. It is an object to provide a substrate processing apparatus.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、減圧された処理チャンバー内に処理ガスを供給して
基板を処理する基板処理装置であって、処理ガスの供給
源と、その内部に基板を収納する処理チャンバーと、処
理チャンバー内を減圧するための排気機構と、前記処理
ガスの供給源と前記処理チャンバーとを接続する第１管
路と、前記第１管路中に配設された第１開閉弁と、前記
処理チャンバーと前記排気機構とを接続する第２管路
と、前記第２管路中に配設された第２開閉弁および第３
開閉弁と、前記第１管路と、前記第２管路における前記
第２開閉弁と前記第３開閉弁との間の位置とを接続する
第３管路と、前記第１管路、第２管路または第３管路の
内のいずれかの管路内の気体の圧力を測定する圧力セン
サと、を備えたことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing gas into a decompressed processing chamber, comprising: a processing gas supply source; A processing chamber accommodating the substrate therein, an exhaust mechanism for reducing the pressure in the processing chamber, a first pipe connecting the processing gas supply source and the processing chamber, and a first pipe connected to the first pipe. A first on-off valve provided, a second conduit connecting the processing chamber and the exhaust mechanism, and a second on-off valve and a third conduit disposed in the second conduit.
An on-off valve, a third conduit connecting the first conduit, and a position between the second on-off valve and the third on-off valve in the second conduit; And a pressure sensor for measuring a pressure of gas in one of the two or the third conduit.
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記第２開閉弁は、前記処理
チャンバーと前記第３開閉弁の間の前記処理チャンバー
に近接した位置に配置されている。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the second on-off valve is located between the processing chamber and the third on-off valve in a position close to the processing chamber. Are located.
【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載の基板処理装置を使用した基板処理方法
であって、前記第２開閉弁と前記第３開閉弁とを開放す
るとともに、前記第１開閉弁を閉止することにより、前
記処理チャンバー内を所定の圧力まで減圧する減圧工程
と、前記第２開閉弁と前記第３開閉弁とを閉止するとと
もに、前記第１開閉弁を開放することにより、前記処理
チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程
と、前記処理チャンバー内に供給された処理ガスの圧力
が所定値になった後に、前記第１開閉弁を閉止すること
により、前記処理チャンバー内の基板を処理ガスを利用
して処理する基板処理工程と、前記第２開閉弁および前
記第３開閉弁を開放することにより、前記処理チャンバ
ー内の処理ガスを排出する処理ガス排出工程と、を備え
ることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the second on-off valve and the third on-off valve are opened. A pressure reducing step of reducing the pressure in the processing chamber to a predetermined pressure by closing the first open / close valve; closing the second open / close valve and the third open / close valve; A process gas supply step of supplying a processing gas into the processing chamber by opening the first opening / closing valve after the pressure of the processing gas supplied into the processing chamber reaches a predetermined value. Accordingly, a substrate processing step of processing a substrate in the processing chamber using a processing gas, and opening the second on-off valve and the third on-off valve to exhaust the processing gas in the processing chamber. A process gas discharging step of, characterized in that it comprises a.
【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の基板処理方法において、前記処理ガス排出工程におい
ては、前記処理チャンバー内に不活性ガスを供給する。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the third aspect, in the processing gas discharging step, an inert gas is supplied into the processing chamber.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理
装置の概要図である。なお、この図においては、気体が
流通する管路を太線で、また、電気的信号が送信される
信号線を細線で図示している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention. In this figure, the pipeline through which gas flows is indicated by a thick line, and the signal line through which an electric signal is transmitted is indicated by a thin line.
【００１１】この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基
板Ｗの表面に塗布された低分子物質を脱水縮合させるこ
とにより高分子化する層間膜のエージング処理に使用さ
れるものであり、処理を実行するための処理チャンバー
１１と、装置全体を制御するための制御部２４とを備え
る。This substrate processing apparatus is used for aging an interlayer film which is polymerized by dehydrating and condensing a low molecular substance applied to the surface of a substrate W such as a semiconductor wafer. And a control unit 24 for controlling the entire apparatus.
【００１２】処理チャンバー１１は気密構造を有し、こ
の処理チャンバー１１内には、基板Ｗを支持するための
支持部材１２が配設されている。また、処理チャンバー
１１には、その内部に後述する処理ガスや不活性ガスを
供給するための供給口１３と、処理チャンバー１１内に
供給された処理ガスや不活性ガスを排出するための排出
口１４とが設けられている。The processing chamber 11 has an airtight structure, and a support member 12 for supporting the substrate W is disposed in the processing chamber 11. The processing chamber 11 has a supply port 13 for supplying a processing gas or an inert gas, which will be described later, therein, and an exhaust port for discharging the processing gas or the inert gas supplied into the processing chamber 11. 14 are provided.
【００１３】処理チャンバー１１における供給口１３
は、処理ガスの供給源２２と、第１管路３１を介して接
続されている。また、この第１管路３１中には、第１開
閉弁４１が配設されている。ここで、処理ガスの供給源
２２は、制御部２４からの指令を受け、エージング処理
に使用されるアンモニアガスと水蒸気が混合した処理ガ
スを第１管路３１に向けて供給する。また、第１開閉弁
４１は、制御部２４からの指令により、第１管路３１内
の気体の流路を開閉する。Supply port 13 in processing chamber 11
Is connected to the processing gas supply source 22 via the first conduit 31. In addition, a first on-off valve 41 is provided in the first conduit 31. Here, the processing gas supply source 22 receives a command from the control unit 24 and supplies the processing gas in which the ammonia gas and the water vapor used for the aging process are mixed to the first pipeline 31. Further, the first opening / closing valve 41 opens and closes a gas flow path in the first conduit 31 according to a command from the control unit 24.
【００１４】第１管路３１における処理ガスの供給源２
２と第１開閉弁４１との間の位置には、不活性ガスの供
給源２１と連通する分岐管路３４が接続されている。こ
こで、不活性ガスの供給源２１は、制御部２４からの指
令を受け、窒素ガス等の不活性ガスを第１管路３１に向
けて供給する。Source 2 of processing gas in first pipe 31
A branch line 34 communicating with the inert gas supply source 21 is connected to a position between the second on-off valve 41 and the first on-off valve 41. Here, the inert gas supply source 21 receives an instruction from the control unit 24 and supplies an inert gas such as nitrogen gas to the first conduit 31.
【００１５】処理チャンバー１１における排出口１４
は、排気機構２３と、第２管路３２を介して接続されて
いる。また、この第２管路３２中には、第２開閉弁４２
と第３開閉弁４３とが配設されている。ここで、排気機
構２３は処理チャンバー１１内を排気して減圧するため
のものであり、例えば、真空ポンプや排気ファン等から
構成される。また、第２開閉弁４２および第３開閉弁４
３は、制御部２４からの指令により、第２管路３２内の
気体の流路を開閉する。なお、第２開閉弁４２は、処理
チャンバー１１における排出口１４と近接した位置に配
置されている。Outlet 14 in processing chamber 11
Is connected to the exhaust mechanism 23 via a second conduit 32. In the second conduit 32, a second on-off valve 42 is provided.
And a third on-off valve 43 are provided. Here, the exhaust mechanism 23 is for exhausting the inside of the processing chamber 11 to reduce the pressure, and includes, for example, a vacuum pump and an exhaust fan. The second on-off valve 42 and the third on-off valve 4
3 opens and closes the gas flow path in the second conduit 32 in response to a command from the control unit 24. The second on-off valve 42 is arranged at a position close to the outlet 14 in the processing chamber 11.
【００１６】第２管路３２における第２開閉弁４２と第
３開閉弁４３との間の位置と前記第１管路３１とは、第
３管路３３により接続されている。また、第２管路３２
における第２開閉弁４２と第３開閉弁４３との間の位置
には、第２管路３２と圧力センサ２５とを連通する分岐
管路３５が接続されている。圧力センサ２５は、第２管
路３２内の気体の圧力、すなわち、処理チャンバ１１お
よび第１管路３１、第２管路３２、第３管路３３内の気
体の圧力を測定し、その測定値を制御部２４に送信す
る。A position in the second conduit 32 between the second on-off valve 42 and the third on-off valve 43 and the first conduit 31 are connected by a third conduit 33. Also, the second conduit 32
A branch pipe 35 that connects the second pipe 32 and the pressure sensor 25 is connected to a position between the second on-off valve 42 and the third on-off valve 43 in. The pressure sensor 25 measures the pressure of the gas in the second conduit 32, that is, the pressure of the gas in the processing chamber 11, and the gas in the first conduit 31, the second conduit 32, and the third conduit 33. The value is transmitted to the control unit 24.
【００１７】次に、上述した基板処理装置による基板Ｗ
の処理動作について説明する。図２は、基板Ｗの処理動
作を示すフローチャートである。なお、以下の処理動作
は、制御部２４の制御の下で実行される。Next, the substrate W by the substrate processing apparatus described above is used.
Will be described. FIG. 2 is a flowchart illustrating the processing operation of the substrate W. The following processing operation is executed under the control of the control unit 24.
【００１８】最初に、基板Ｗを収納した処理チャンバー
１１内を減圧する（ステップＳ１）。この減圧工程にお
いては、第１開閉弁４１を閉止するとともに、第２開閉
弁４２および第３開閉弁４３を開放する。これにより、
排気機構２３の作用で、処理チャンバー１１内が第１管
路３１、第２管路３２、第３管路３３とともに減圧され
る。First, the pressure inside the processing chamber 11 containing the substrate W is reduced (step S1). In this pressure reduction step, the first on-off valve 41 is closed, and the second on-off valve 42 and the third on-off valve 43 are opened. This allows
By the operation of the exhaust mechanism 23, the pressure inside the processing chamber 11 is reduced together with the first conduit 31, the second conduit 32, and the third conduit 33.
【００１９】処理チャンバー１１内が、第１管路３１、
第２管路３２、第３管路３３とともに１００torr程度の
圧力まで減圧されれば（ステップＳ２）、処理チャンバ
ー１１内に処理ガスを供給する（ステップＳ３）。この
処理ガス供給工程においては、第１開閉弁４１を開放す
るとともに、第２開閉弁４２および第３開閉弁４３を閉
止する。そして、制御部２４の指令により、処理ガスの
供給源２２から、エージング処理に使用されるアンモニ
アガスと水蒸気が混合した処理ガスを第１管路３１に向
けて供給する。The processing chamber 11 has a first conduit 31,
When the pressure is reduced to a pressure of about 100 torr together with the second conduit 32 and the third conduit 33 (Step S2), the processing gas is supplied into the processing chamber 11 (Step S3). In this process gas supply step, the first on-off valve 41 is opened, and the second on-off valve 42 and the third on-off valve 43 are closed. Then, according to a command from the control unit 24, a processing gas in which ammonia gas and water vapor used for the aging process are mixed is supplied from the processing gas supply source 22 toward the first conduit 31.
【００２０】このとき、上述したように、第２管路３２
における第２開閉弁４２と第３開閉弁４３との間の位置
と第１管路３１とは、第３管路３３により接続されてい
る。このため、従来の基板処理装置で問題となった、減
圧後の処理ガス導入時において処理チャンバー１１を介
して処理チャンバー１１の排出口１４から開閉弁に至る
管路内の領域に流入する処理ガスは、第２管路３２にお
ける処置チャンバー１１の排出口１４と第２開閉弁４２
との間の領域部分に流入する処理ガスのみとなる。この
ため、この処理ガス供給工程においては、処理ガスの流
速の差違に起因した処理ムラの発生を防止することがで
き、処理後の基板Ｗの面内均一性が損なわれることはな
い。At this time, as described above, the second conduit 32
The position between the second on-off valve 42 and the third on-off valve 43 in the first line 31 and the first line 31 are connected by a third line 33. For this reason, the processing gas flowing into the region in the pipeline from the outlet 14 of the processing chamber 11 to the on-off valve via the processing chamber 11 when the processing gas is introduced after the pressure reduction, which is a problem in the conventional substrate processing apparatus, is introduced. Is connected to the outlet 14 of the treatment chamber 11 in the second conduit 32 and the second on-off valve 42
And only the processing gas flowing into the region between them. For this reason, in this processing gas supply step, it is possible to prevent the occurrence of processing unevenness due to the difference in the flow rate of the processing gas, and the in-plane uniformity of the processed substrate W is not impaired.
【００２１】このとき、第２開閉弁４２は、処理チャン
バー１１における排出口１４と近接した位置に配置され
ている。このため、第２管路３２における処置チャンバ
ー１１の排出口１４と第２開閉弁４２との間の領域部分
に流入する処理ガスの体積を最小とすることができ、処
理ムラの発生をより有効に防止することが可能となる。At this time, the second on-off valve 42 is disposed at a position close to the discharge port 14 in the processing chamber 11. Therefore, the volume of the processing gas flowing into the area between the discharge port 14 of the treatment chamber 11 and the second on-off valve 42 in the second conduit 32 can be minimized, and the occurrence of processing unevenness can be more effectively reduced. Can be prevented.
【００２２】処理チャンバー１１および第１管路３１、
第２管路３２、第３管路３３内の圧力が大気圧よりやや
低い７５０torr程度となれば（ステップＳ４）、第１開
閉弁４１を閉止する。そして、この状態において、基板
Ｗを処理ガスにより処理する（ステップＳ５）。The processing chamber 11 and the first conduit 31,
When the pressure in the second pipeline 32 and the third pipeline 33 becomes about 750 torr slightly lower than the atmospheric pressure (step S4), the first on-off valve 41 is closed. Then, in this state, the substrate W is processed with the processing gas (step S5).
【００２３】この状態で、例えば２分程度の設定時間Ｔ
が経過して基板Ｗへの処理が完了すれば（ステップＳ
６）、処理チャンバー１１内より処理ガスを排出する
（ステップＳ７）。この処理ガス排出工程においては、
第１開閉弁４１、第２開閉弁４２および第３開閉弁４３
を開放する。また、制御部２４の指令により、不活性ガ
スの供給源２１から窒素ガス等の不活性ガスを第１管路
３１に向けて供給する。これにより、処理チャンバー１
１および第１管路３１、第２管路３２、第３管路３３内
に不活性ガスが供給され、これに伴って処理ガスが処理
チャンバー１１および第１管路３１、第２管路３２、第
３管路３３内から排出される。In this state, for example, a set time T of about 2 minutes is set.
Is completed and the processing on the substrate W is completed (step S
6) The processing gas is discharged from the processing chamber 11 (step S7). In this process gas discharge step,
First on-off valve 41, second on-off valve 42, and third on-off valve 43
To release. In addition, an inert gas such as nitrogen gas is supplied from the inert gas supply source 21 toward the first conduit 31 according to a command from the control unit 24. Thereby, the processing chamber 1
An inert gas is supplied into the first and first conduits 31, the second conduit 32, and the third conduit 33, and accordingly, the processing gas is supplied to the processing chamber 11 and the first conduit 31, the second conduit 32. , Are discharged from the third pipeline 33.
【００２４】以上の工程を完了することにより、基板Ｗ
に対するエージング処理が完了する。By completing the above steps, the substrate W
The aging process for is completed.
【００２５】なお、上述した実施の形態においては、圧
力センサ２５を分岐管路３５を介して第２管路３２にお
ける第２開閉弁４２と第３開閉弁４３との間の位置に接
続しているが、圧力センサ２５は、第１管路３１、第２
管路３２または第３管路３３内のいずれかの管路内の気
体の圧力を測定できればよい。すなわち、圧力センサ２
５は、処理チャンバ１１および第１管路３１、第２管路
３２、第３管路３３内の気体の圧力を測定可能な位置で
あれば、いずれの位置に配置してもよい。In the above-described embodiment, the pressure sensor 25 is connected to the second conduit 32 at a position between the second on-off valve 42 and the third on-off valve 43 via the branch conduit 35. However, the pressure sensor 25 is connected to the first line 31, the second line 31,
It suffices if the pressure of the gas in any one of the pipes 32 and 33 can be measured. That is, the pressure sensor 2
5 may be disposed at any position as long as the pressure of the gas in the processing chamber 11 and the first, second, and third conduits 31, 32, and 33 can be measured.
【００２６】また、上述した実施の形態においては、圧
力センサ２５による気体の圧力の測定値を制御部２４に
送信し、制御部２４の指令により第１開閉弁４１、第２
開閉弁４２および第３開閉弁４３の開閉制御を行ってい
るが、第１開閉弁４１、第２開閉弁４２および第３開閉
弁４３に対して直接信号を送信可能な圧力スイッチタイ
プの圧力センサを使用し、この圧力センサから第１開閉
弁４１、第２開閉弁４２および第３開閉弁４３に対して
直接開閉信号を送信するようにしてもよい。In the above-described embodiment, the measured value of the gas pressure by the pressure sensor 25 is transmitted to the control unit 24, and the first on-off valve 41, the second on-off valve 41, and the second
A pressure switch type pressure sensor capable of transmitting signals directly to the first on-off valve 41, the second on-off valve 42, and the third on-off valve 43, although the on-off control of the on-off valve 42 and the third on-off valve 43 is performed. , And an open / close signal may be directly transmitted from the pressure sensor to the first open / close valve 41, the second open / close valve 42, and the third open / close valve 43.
【００２７】さらに、上述した実施の形態においては、
半導体ウエハ等の基板の表面に塗布された低分子物質を
脱水縮合させることにより高分子化する層間膜のエージ
ング処理に使用される基板処理装置にこの発明を適用し
た場合について説明したが、この発明を、ウエハ表面と
レジストとの密着性を強化するための密着強化処理工程
において使用される基板処理装置に適用してもよい。こ
の場合においては、不活性ガスの供給源２１からはＨＭ
ＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤とキャ
リアガスが混合した処理ガスが供給される。また、処理
チャンバー１１における支持部材１２としては、そこに
載置した基板Ｗを加熱可能ながホットプレート等が使用
される。Further, in the above-described embodiment,
A case has been described in which the present invention is applied to a substrate processing apparatus used for aging of an interlayer film which is polymerized by dehydrating and condensing a low molecular substance applied to the surface of a substrate such as a semiconductor wafer. May be applied to a substrate processing apparatus used in an adhesion strengthening process for enhancing the adhesion between a wafer surface and a resist. In this case, HM is supplied from the inert gas supply source 21.
A processing gas in which an adhesion enhancer such as DS (hexamethyldisilazane) and a carrier gas are mixed is supplied. As the support member 12 in the processing chamber 11, a hot plate or the like is used, which can heat the substrate W placed thereon.
【００２８】[0028]
【発明の効果】請求項１乃至請求項３に記載の発明によ
れば、減圧された処理チャンバー内に処理ガスを供給し
て基板を処理するに際して、処理ガスの流速の差違に起
因した処理ムラの発生を防止することができ、基板の全
面を均一に処理することが可能となる。According to the first to third aspects of the present invention, when processing a substrate by supplying a processing gas into a reduced-pressure processing chamber, processing unevenness caused by a difference in the flow rate of the processing gas. Can be prevented, and the entire surface of the substrate can be uniformly processed.
【図１】この発明に係る基板処理装置の概要図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図２】基板Ｗの処理動作を示すフローチャートであ
る。FIG. 2 is a flowchart showing a processing operation of the substrate W.
１１ 処理チャンバー １２ 支持部材 １３ 供給口 １４ 排出口 ２１ 不活性ガスの供給源 ２２ 処理ガスの供給源 ２３ 排気機構 ２４ 制御部 ２５ 圧力センサ ３１ 第１管路 ３２ 第２管路 ３３ 第３管路 ３４ 分岐管路 ３５ 分岐管路 ４１ 第１開閉弁 ４２ 第２開閉弁 ４３ 第３開閉弁 Ｗ 基板 REFERENCE SIGNS LIST 11 processing chamber 12 support member 13 supply port 14 discharge port 21 supply source of inert gas 22 supply source of processing gas 23 exhaust mechanism 24 control unit 25 pressure sensor 31 first conduit 32 second conduit 33 third conduit 34 Branch line 35 Branch line 41 First on-off valve 42 Second on-off valve 43 Third on-off valve W Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 EB19 EG01 EG05 HA16 5F046 HA02 5F058 AA10 AF04 AG01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5F045 EB19 EG01 EG05 HA16 5F046 HA02 5F058 AA10 AF04 AG01
Claims (4)
を供給して基板を処理する基板処理装置であって、 処理ガスの供給源と、 その内部に基板を収納する処理チャンバーと、 処理チャンバー内を減圧するための排気機構と、 前記処理ガスの供給源と前記処理チャンバーとを接続す
る第１管路と、 前記第１管路中に配設された第１開閉弁と、 前記処理チャンバーと前記排気機構とを接続する第２管
路と、 前記第２管路中に配設された第２開閉弁および第３開閉
弁と、 前記第１管路と、前記第２管路における前記第２開閉弁
と前記第３開閉弁との間の位置とを接続する第３管路
と、 前記第１管路、第２管路または第３管路の内のいずれか
の管路内の気体の圧力を測定する圧力センサと、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing gas into a decompressed processing chamber, comprising: a processing gas supply source; a processing chamber for accommodating the substrate therein; An exhaust mechanism for reducing the pressure, a first conduit connecting the processing gas supply source and the processing chamber, a first on-off valve disposed in the first conduit, and the processing chamber. A second pipe connecting the exhaust mechanism; a second on-off valve and a third on-off valve disposed in the second pipe; the first pipe; and the second pipe in the second pipe. A third pipe connecting the position between the second on-off valve and the third on-off valve, and a gas in any one of the first, second or third pipes And a pressure sensor for measuring the pressure of the substrate.
て、 前記第２開閉弁は、前記処理チャンバーと前記第３開閉
弁の間の前記処理チャンバーに近接した位置に配置され
ている基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second on-off valve is disposed at a position between the processing chamber and the third on-off valve and close to the processing chamber. .
理装置を使用した基板処理方法であって、 前記第２開閉弁と前記第３開閉弁とを開放するととも
に、前記第１開閉弁を閉止することにより、前記処理チ
ャンバー内を所定の圧力まで減圧する減圧工程と、 前記第２開閉弁と前記第３開閉弁とを閉止するととも
に、前記第１開閉弁を開放することにより、前記処理チ
ャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、 前記処理チャンバー内に供給された処理ガスの圧力が所
定値になった後に、前記第１開閉弁を閉止することによ
り、前記処理チャンバー内の基板を処理ガスを利用して
処理する基板処理工程と、 前記第２開閉弁および前記第３開閉弁を開放することに
より、前記処理チャンバー内の処理ガスを排出する処理
ガス排出工程と、 を備えることを特徴とする基板処理方法。3. A substrate processing method using the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second on-off valve and the third on-off valve are opened, and the first on-off valve is opened. A pressure reducing step of reducing the pressure in the processing chamber to a predetermined pressure by closing the valve; and closing the second on-off valve and the third on-off valve and opening the first on-off valve, A processing gas supply step of supplying a processing gas into the processing chamber, and after the pressure of the processing gas supplied into the processing chamber reaches a predetermined value, closing the first opening / closing valve to allow the processing gas to flow into the processing chamber. A substrate processing step of processing the substrate by using a processing gas, and a processing gas discharging step of discharging the processing gas in the processing chamber by opening the second on-off valve and the third on-off valve. The substrate processing method characterized by comprising the and.
て、 前記処理ガス排出工程においては、前記処理チャンバー
内に不活性ガスを供給する基板処理方法。4. The substrate processing method according to claim 3, wherein in the processing gas discharging step, an inert gas is supplied into the processing chamber.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130308A (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Renesas Technology Corp | Surface processing apparatus |
| CN114688446A (en) * | 2020-12-29 | 2022-07-01 | 细美事有限公司 | Pressure adjusting device and substrate processing apparatus provided with same |
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2001
- 2001-03-28 JP JP2001091689A patent/JP2002289610A/en active Pending
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