JP2002288890A - Method, device to radiate beam, and method of manufacturing recording medium - Google Patents
Method, device to radiate beam, and method of manufacturing recording mediumInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はビーム照射方法及び
装置並びに記録媒体作成方法に係り、特に、移動する照
射対象にビームを照射するためのビーム照射方法及び装
置並びにディスク原盤作成方法に関する。The present invention relates to a method and an apparatus for irradiating a beam and a method for producing a recording medium, and more particularly to a method and an apparatus for irradiating a beam on a moving irradiation object and a method for producing a master disk.
【０００２】近年、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、Ｍ
Ｏなどの光ディスクは、取り扱う情報量の増大に伴い、
大容量化が求められている。これらの光ディスクには、
通常予めピットが形成されている。光ディスクを大容量
化するためには、これらのピットの記録密度を高くする
必要があった。一方、光ディスクは、スタンパから作製
される。スタンパは、ディスク原盤から作成される。よ
って、ディスク原盤に形成されるピットを高密度に記録
する必要がある。In recent years, CD-ROM, DVD-ROM, M
Optical disks, such as O, have been
Large capacity is required. These optical discs include
Usually, pits are formed in advance. In order to increase the capacity of the optical disc, it was necessary to increase the recording density of these pits. On the other hand, an optical disk is manufactured from a stamper. The stamper is created from the master disc. Therefore, it is necessary to record pits formed on the master disk at high density.
【０００３】[0003]
【従来技術】光磁気や相変化などを利用した書き込み可
能、書換え可能な光ディスクには、予めランド又はグル
ーブが形成されるとともに、アドレス情報やセクタマー
ク、コントロール情報がピットにより形成されている。
このため、光ディスク原盤にも、これらの情報がピット
で形成されていた。2. Description of the Related Art On a writable and rewritable optical disk utilizing magneto-optics, phase change, and the like, lands or grooves are formed in advance, and address information, sector marks, and control information are formed by pits.
For this reason, such information is also formed as pits on the master optical disc.
【０００４】従来、ディスク原盤のピットは、レジスト
層が塗布された光ディスク原盤にレーザビームをピット
位置に対応して照射した後、現像処理することにより形
成されていた。Conventionally, pits on a disk master have been formed by irradiating a laser beam corresponding to the pit position onto an optical disk master coated with a resist layer, and then developing the laser beam.
【０００５】しかし、光ディスクの記録密度は急激に上
がってきており、レーザビームを使用した原盤作製で
は、レーザビームの収差の影響によりビーム径に限界が
あり、ピットの記録密度の限界が見えてきている。その
ため、電子ビームを用いた光ディスク原盤の作製が検討
されている。[0005] However, the recording density of optical discs has been rapidly increasing, and in the case of a master using a laser beam, the beam diameter is limited due to the influence of laser beam aberration, and the limit of the pit recording density is becoming apparent. I have. Therefore, fabrication of an optical disk master using an electron beam is being studied.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】電子ビーム照射技術
は、半導体製造分野において微細加工技術として、レチ
クルやマスクの製造およびウエハへの直接描画などに用
いられている。一方、光ディスクにおいては、例えば1
平方インチあたり100Gbitの記録密度の光ディスクで、
ピット長140nm、ピット幅100nm以下の微細加工が求めら
れており、現状の電子ビーム照射装置を越える性能が要
求される。それに加えて、電子ビーム照射技術において
露光解像度を決める電子ビームレジストとして、高解像
度のものを用いることが必要である。The electron beam irradiation technique has been used as a fine processing technique in the field of semiconductor manufacturing, such as in the manufacture of reticles and masks and in direct writing on wafers. On the other hand, for optical discs, for example, 1
An optical disk with a recording density of 100 Gbits per square inch,
Fine processing with a pit length of 140 nm and a pit width of 100 nm or less is required, and a performance exceeding that of current electron beam irradiation equipment is required. In addition, it is necessary to use a high-resolution electron beam resist for determining the exposure resolution in the electron beam irradiation technique.
【０００７】一般に、高解像度の電子ビームレジストは
低感度である。このため、長時間の露光を行なう場合、
例えば、100 Gbit/in2密度の5インチ光ディスク原盤を
作製する場合には、10時間以上の露光時間が必要とな
る。よって、電子ビーム照射装置には、１０時間以上の
露光を安定して行なえる安定性強化が求められていた。
また、露光時間の増大により、ディスクの製造コストが
高くなる等の問題点があった。Generally, a high resolution electron beam resist has low sensitivity. Therefore, when performing long-time exposure,
For example, when manufacturing a 5-inch optical disk master having a density of 100 Gbit / in2, an exposure time of 10 hours or more is required. Therefore, the electron beam irradiator has been required to have enhanced stability to stably perform exposure for 10 hours or more.
In addition, there has been a problem that the manufacturing cost of the disk increases due to an increase in the exposure time.
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、移動する照射対象に高速に記録パターンに対応した
ビーム照射が行なえるビーム照射方法及び装置を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a beam irradiation method and apparatus capable of rapidly performing beam irradiation corresponding to a recording pattern on a moving irradiation target.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、移動するディ
スクなどの照射対象に電子ビームを照射する際に、照射
対象の移動方向に電子ビームを変移させつつ、照射対象
に電子ビームを照射する。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, when irradiating an electron beam to an irradiation target such as a moving disk, the electron beam is irradiated to the irradiation target while shifting the electron beam in the moving direction of the irradiation target. .
【００１０】また、本発明は、照射対象に照射されるビ
ームの単位面積当たりの照射量が一定となるようにビー
ムを変移させる。Further, according to the present invention, the beam is shifted so that the irradiation amount per unit area of the beam irradiated on the irradiation object is constant.
【００１１】さらに、照射対象へのビームの照射量の過
不足に応じてビームの偏向速度を変化させる。Further, the deflection speed of the beam is changed in accordance with whether the irradiation amount of the beam to the irradiation object is excessive or insufficient.
【００１２】本発明によれば、ビームを変移させること
により、ビームと照射対象との相対速度を一定できる。
このため、照射対象の移動速度を高くしてもビームの照
射量を一定にすることができる。よって、ビームの照射
対象への照射を高速に行なえる。According to the present invention, the relative speed between the beam and the irradiation object can be kept constant by shifting the beam.
Therefore, even when the moving speed of the irradiation target is increased, the irradiation amount of the beam can be kept constant. Therefore, irradiation of the beam to the irradiation target can be performed at high speed.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】図１は本発明の電子ビーム照射装
置の一実施例のブロック構成図を示す。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an electron beam irradiation apparatus according to the present invention.
【００１４】本実施例の電子ビーム装置１は、主に、電
子ビーム鏡筒１１、電子銃１２、収束レンズ１３、ブラ
ンキング電極１４、絞り板１５、対物レンズ１６、偏向
器１７、スピンドルモータ１８、一軸ステージ１９、制
御装置２０を含む構成とされている。The electron beam apparatus 1 of this embodiment mainly includes an electron beam column 11, an electron gun 12, a converging lens 13, a blanking electrode 14, an aperture plate 15, an objective lens 16, a deflector 17, and a spindle motor 18. , A single-axis stage 19, and a control device 20.
【００１５】電子ビーム鏡筒１１には、電子ビーム鏡筒
１１、電子銃１２、収束レンズ１３、ブランキング電極
１４、絞り板１５、対物レンズ１６、偏向器１７が内蔵
されている。電子銃１２は、制御装置２０からの電子銃
駆動信号により駆動されており、電子銃駆動信号に応じ
た電子ビームＥＢを出射する。電子銃１２から出射され
た電子ビームＥＢは、収束レンズ１３に供給される。The electron beam column 11 includes an electron beam column 11, an electron gun 12, a converging lens 13, a blanking electrode 14, an aperture plate 15, an objective lens 16, and a deflector 17. The electron gun 12 is driven by an electron gun drive signal from the control device 20, and emits an electron beam EB according to the electron gun drive signal. The electron beam EB emitted from the electron gun 12 is supplied to the converging lens 13.
【００１６】収束レンズ１３は、制御装置２０からの収
束レンズ駆動信号により駆動されており、電子銃１２か
らの電子ビームＥＢを収束レンズ駆動信号に応じて屈折
させ、収束させる。収束レンズ１３で収束された電子ビ
ームＥＢは、ブランキング電極１４の間に供給される。
ブランキング電極１４は、制御装置２０からのブランキ
ング電極駆動信号により駆動されており、電子ビームＥ
Ｂの下流側への進行を制御する。ブランキング電極１４
は、ブランキング期間に電子ビームＥＢを図１に破線で
示すように屈折させ、絞り板１５により遮蔽させる。ブ
ランキング期間は、電子ビームＥＢが出射されない期間
である。The converging lens 13 is driven by a converging lens driving signal from the control device 20, and refracts and converges the electron beam EB from the electron gun 12 according to the converging lens driving signal. The electron beam EB converged by the converging lens 13 is supplied between the blanking electrodes 14.
The blanking electrode 14 is driven by a blanking electrode drive signal from the control device 20 and receives the electron beam E.
Control the progress of B to the downstream side. Blanking electrode 14
In the blanking period, the electron beam EB is refracted as shown by a broken line in FIG. The blanking period is a period during which the electron beam EB is not emitted.
【００１７】ブランキング電極１４を通過した電子ビー
ムＥＢは、絞り板１５に供給される。絞り板１５には、
中心部に絞り孔２１が形成されている。電子ビームＥＢ
は、絞り孔２１によりビーム径が絞られて対物レンズ１
６に供給される。対物レンズ１６は、制御装置２０から
の対物レンズ駆動信号により駆動され、電子ビームＥＢ
を収束される。The electron beam EB that has passed through the blanking electrode 14 is supplied to an aperture plate 15. In the diaphragm plate 15,
A throttle hole 21 is formed at the center. Electron beam EB
The beam diameter of the objective lens 1 is reduced by the aperture hole 21.
6. The objective lens 16 is driven by an objective lens drive signal from the control device 20, and receives the electron beam EB.
Is converged.
【００１８】対物レンズ１６を通過した電子ビームＥＢ
は、偏向器１７に供給される。偏向器１７には、制御回
路２０から偏向器駆動信号が供給されている。偏向器１
７は、電子ビームＥＢをディスク２２の円周方向に偏向
させる。電子ビームＥＢは、偏向器１７で偏向されつ
つ、ディスク２２に照射される。Electron beam EB passing through objective lens 16
Is supplied to the deflector 17. The deflector 17 is supplied with a deflector drive signal from the control circuit 20. Deflector 1
7 deflects the electron beam EB in the circumferential direction of the disk 22. The electron beam EB is irradiated on the disk 22 while being deflected by the deflector 17.
【００１９】ディスク２２は、光ディスク原盤作製用デ
ィスクであり、その表面にはレジストが塗布されてい
る。ディスク２２は、スピンドルモータ１８により一定
速度で回転されている。The disk 22 is a disk for producing an optical disk master, and a resist is applied to a surface of the disk 22. The disk 22 is rotated at a constant speed by the spindle motor 18.
【００２０】スピンドルモータ１８は、制御装置２０か
らのモータ駆動信号により駆動されており、ディスク２
２を一定速度で回転させる。また、スピンドルモータ１
８は、一軸ステージ１９により、水平方向の一軸方向に
移動可能とされている。一軸ステージ１９は、制御装置
２０により駆動され、スピンドルモータ１８を水平方向
の一軸方向に移動させる。The spindle motor 18 is driven by a motor drive signal from a control device 20, and drives the disk 2
2 is rotated at a constant speed. In addition, the spindle motor 1
Numeral 8 can be moved in a uniaxial direction in the horizontal direction by a uniaxial stage 19. The single-axis stage 19 is driven by the control device 20 to move the spindle motor 18 in one horizontal axis.
【００２１】制御装置２０は、制御部３１、操作部３
２、記憶部３３、電子銃駆動回路３４、収束レンズ駆動
回路３５、ブランキング電極駆動回路３６、対物レンズ
駆動回路３７、偏向器駆動回路３８、モータ駆動回路３
９、ステージ駆動部４０を含む構成とされている。The control device 20 includes a control unit 31 and an operation unit 3
2. Storage unit 33, electron gun drive circuit 34, convergent lens drive circuit 35, blanking electrode drive circuit 36, objective lens drive circuit 37, deflector drive circuit 38, motor drive circuit 3.
9. It is configured to include a stage driving section 40.
【００２２】制御部３１は、操作部３２からの指示に基
づいてモータ駆動回路３９にモータ制御信号を供給す
る。モータ駆動回路３９は、制御部３２からのモータ制
御信号に基づいてスピンドルモータ１８にモータ駆動信
号を供給する。これによって、スピンドルモータ１８が
一定速度で回転する。また、ステージ駆動部４０にステ
ージ制御信号を供給する。ステージ駆動部４０は、制御
部３１からのステージ制御信号に基づいて一軸ステージ
１９をディスク２２の半径方向に移動させる。ステージ
駆動部４０は、ディスク２２に螺旋状にピットを形成す
る場合には、略連続的に一軸ステージ１９を移動させ
る。また、ステージ駆動部４０は、ディスク２２に同心
円状にピットを形成する場合には、トラックが形成され
る毎に一軸ステージ１９を所定量ずつ移動させる。な
お、一軸ステージ１９の移動量は、ディスク２２の密度
によって決まる。The control section 31 supplies a motor control signal to the motor drive circuit 39 based on an instruction from the operation section 32. The motor drive circuit 39 supplies a motor drive signal to the spindle motor 18 based on a motor control signal from the control unit 32. As a result, the spindle motor 18 rotates at a constant speed. Also, it supplies a stage control signal to the stage drive unit 40. The stage drive section 40 moves the uniaxial stage 19 in the radial direction of the disk 22 based on a stage control signal from the control section 31. When spirally forming pits on the disk 22, the stage driving section 40 moves the uniaxial stage 19 substantially continuously. When forming concentric pits on the disk 22, the stage driving section 40 moves the uniaxial stage 19 by a predetermined amount each time a track is formed. The amount of movement of the uniaxial stage 19 is determined by the density of the disk 22.
【００２３】制御部３１は、ピットパターン描画時に
は、電子銃駆動回路３４に電子ビーム制御信号を供給す
る。電子銃駆動回路３４は、制御部３１からの電子ビー
ム制御信号に応じて電子銃１２に電子銃駆動信号を供給
する。電子銃１２は、電子銃駆動信号に応じた強度の電
子ビームを出力する。The control unit 31 supplies an electron beam control signal to the electron gun driving circuit 34 when drawing a pit pattern. The electron gun drive circuit 34 supplies an electron gun drive signal to the electron gun 12 according to the electron beam control signal from the control unit 31. The electron gun 12 outputs an electron beam having an intensity according to the electron gun drive signal.
【００２４】また、制御部３１は、ピットパターン描画
時には、収束レンズ駆動回路３５に収束レンズ制御信号
を供給する。収束レンズ駆動回路３５は、制御部３１か
らの収束レンズ制御信号に応じて収束レンズ駆動信号を
生成し、収束レンズ１３に供給する。収束レンズ１３
は、収束レンズ駆動信号に応じた強度で、電子銃１２か
らの電子ビームＥＢを収束させる。なお、収束レンズ制
御信号は、記憶部３３に予め記憶された信号である。The control unit 31 supplies a convergent lens control signal to the convergent lens drive circuit 35 when drawing a pit pattern. The convergent lens drive circuit 35 generates a convergent lens drive signal in accordance with the convergent lens control signal from the controller 31 and supplies the signal to the convergent lens 13. Convergent lens 13
Converges the electron beam EB from the electron gun 12 at an intensity corresponding to the convergent lens drive signal. The convergent lens control signal is a signal stored in the storage unit 33 in advance.
【００２５】さらに、制御部３１は、ピットパターン描
画時には、ブランキング電極駆動回路３６にブランキン
グ制御信号を供給する。ブランキング制御信号は、２値
の信号であり、ピットパターンに基づいて生成される。
ブランキング制御信号は、例えば、ピットを形成するタ
イミングでは“０”、ビットを形成しないタイミングで
は“１”とされる。ブランキング電極駆動回路３６は、
ブランキング制御信号に応じたブランキング電極駆動信
号を生成し、ブランキング電極１４に供給する。ブラン
キング電極駆動回路３６は、例えば、ブランキング制御
信号が“０”のときにはブランキング電極１４には電圧
を印加しないようし、ブランキング制御信号が“１”の
ときにはブランキング電極１４に所定の電圧を印加す
る。なお、ブランキング制御信号は、描画するピットパ
ターンに対応したものである。Further, the control unit 31 supplies a blanking control signal to the blanking electrode drive circuit 36 when drawing a pit pattern. The blanking control signal is a binary signal and is generated based on a pit pattern.
The blanking control signal is, for example, “0” at the timing of forming a pit, and “1” at the timing of not forming a bit. The blanking electrode drive circuit 36
A blanking electrode drive signal corresponding to the blanking control signal is generated and supplied to the blanking electrode. For example, the blanking electrode drive circuit 36 does not apply a voltage to the blanking electrode 14 when the blanking control signal is “0”, and a predetermined voltage is applied to the blanking electrode 14 when the blanking control signal is “1”. Apply voltage. The blanking control signal corresponds to a pit pattern to be drawn.
【００２６】また、制御部３１は、ピット描画時には対
物レンズ駆動回路３７に対物レンズ制御信号を供給す
る。対物レンズ駆動回路３７は、対物レンズ制御信号に
応じて対物レンズ駆動信号を生成し、対物レンズ１６に
供給する。対物レンズ１６は、対物レンズ駆動信号に応
じた強度で電子ビームＥＢを集光させる。なお、対物レ
ンズ制御信号は、記憶部３３に予め記憶された信号であ
る。The control section 31 supplies an objective lens control signal to the objective lens drive circuit 37 at the time of pit drawing. The objective lens drive circuit 37 generates an objective lens drive signal according to the objective lens control signal and supplies the signal to the objective lens 16. The objective lens 16 focuses the electron beam EB at an intensity according to the objective lens drive signal. The objective lens control signal is a signal stored in the storage unit 33 in advance.
【００２７】さらに、制御部３１は、ピット描画時に
は、偏向器制御信号を偏向器駆動回路３８に供給する。
偏向器制御信号は、ピットを形成するタイミングで出力
される。偏向器制御信号は、形成するピットの長さに応
じて予め設定されている。Further, the controller 31 supplies a deflector control signal to the deflector drive circuit 38 at the time of pit drawing.
The deflector control signal is output at the timing of forming a pit. The deflector control signal is set in advance according to the length of the pit to be formed.
【００２８】偏向器駆動回路３８は、制御部３１からの
偏向器制御信号に応じた偏向器駆動信号を生成し、偏向
器１７に供給する。偏向器１７は、偏向器駆動信号によ
り電子ビームＥＢを偏向する。このとき電子ビームＥＢ
は、偏向器１７によりディスク２２の回転方向に追従す
るように偏向される。このとき、偏向器駆動信号は、電
子ビームＥＢとディスク２２との相対速度が一定になる
波形とされる。The deflector drive circuit 38 generates a deflector drive signal according to the deflector control signal from the control unit 31 and supplies it to the deflector 17. The deflector 17 deflects the electron beam EB according to a deflector drive signal. At this time, the electron beam EB
Is deflected by the deflector 17 so as to follow the rotation direction of the disk 22. At this time, the deflector drive signal has a waveform that makes the relative speed between the electron beam EB and the disk 22 constant.
【００２９】また、記憶部３３には、電子銃１２を含め
た電子光学条件が変化した場合に、焦点位置の変動や電
子ビームＥＢの照射位置変動等を補正するための電子光
学素子の設定値が記憶されている。The storage unit 33 stores set values of the electron optical element for correcting a change in the focal position, a change in the irradiation position of the electron beam EB, and the like when the electron optical conditions including the electron gun 12 change. Is stored.
【００３０】次に制御部３１の動作を図面とともに説明
する。Next, the operation of the control unit 31 will be described with reference to the drawings.
【００３１】図２は本発明の一実施例の制御部の動作フ
ローチャートを示す。FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the control unit according to one embodiment of the present invention.
【００３２】制御部３１は、ステップＳ１で、まず、記
憶部３３から描画データを取り込む。次にステップＳ２
で描画データからブランキング時間情報及び偏向量パタ
ーン情報を取得する。The control unit 31 first fetches the drawing data from the storage unit 33 in step S1. Next, step S2
To obtain blanking time information and deflection amount pattern information from the drawing data.
【００３３】次に、制御部３１は、ステップＳ3で取得
されたブランキング時間情報をブランキング電極駆動回
路３６に供給する。また、制御部３１は、ステップＳ4
で取得された偏向量パターン情報を偏向器駆動回路３８
に供給する。Next, the control section 31 supplies the blanking time information acquired in step S3 to the blanking electrode drive circuit 36. Further, the control unit 31 determines in step S4
The deflection amount pattern information obtained in
To supply.
【００３４】制御部３１はステップＳ５で描画が終了し
たか否かを判定しており、描画中にはステップＳ１〜Ｓ
３の動作を繰り返す。The controller 31 determines in step S5 whether or not the drawing has been completed.
Step 3 is repeated.
【００３５】次に描画動作を図面とともに説明する。Next, the drawing operation will be described with reference to the drawings.
【００３６】図３、図４は本発明の一実施例の動作を説
明するための図を示す。FIGS. 3 and 4 are diagrams for explaining the operation of the embodiment of the present invention.
【００３７】ディスク２２は、スピンドルモータ１８に
より一定角速度ωで回転している。このとき、電子ビー
ムＥＢは、ディスク２２の中心から半径ｒの位置に照射
されている。The disk 22 is rotated at a constant angular velocity ω by the spindle motor 18. At this time, the electron beam EB is applied to a position at a radius r from the center of the disk 22.
【００３８】このとき、ピットＰはディスク２２の大き
さに比べ十分に小さい。よって、電子ビームＥＢは、デ
ィスク２２上を略直線的に移動しているものと考える。At this time, the pit P is sufficiently smaller than the size of the disk 22. Therefore, it is considered that the electron beam EB is moving on the disk 22 substantially linearly.
【００３９】このとき、ディスク２２の移動速度はｒω
となる。また、電子ビームＥＢは、ディスク２２の移動
方向に向かって速度ｖで偏向されている。このため、電
子ビームＥＢの偏向速度ｖとディスク２２の移動速度ｒ
ωとの差が電子ビームＥＢとディスク２２との相対速度
となる。At this time, the moving speed of the disk 22 is rω
Becomes Further, the electron beam EB is deflected at a speed v toward the moving direction of the disk 22. For this reason, the deflection speed v of the electron beam EB and the moving speed r of the disk 22
is the relative speed of the electron beam EB and the disk 22.
【００４０】これにより、ディスク２２の移動速度を大
きくしても電子ビームＥＢの偏向速度ｖを大きくするこ
とにより、電子ビームＥＢとディスク２２との相対速度
を一定に保ち、ドーズ量を一定することができる。よっ
て、高速にピットＰを描画させることが可能となる。Thus, even if the moving speed of the disk 22 is increased, the relative speed between the electron beam EB and the disk 22 is kept constant and the dose is kept constant by increasing the deflection speed v of the electron beam EB. Can be. Therefore, it is possible to draw the pit P at high speed.
【００４１】図５は本発明の一実施例の動作波形図、図
６は電子ビームを偏向させない場合の動作波形図を示
す。図５（Ａ）、図６（Ａ）はブランキングのタイミン
グ、図５（Ｂ）は偏向のタイミング、図５（Ｃ）は電子
ビームＥＢの移動速度、図６（Ｂ）は描画されるピット
を示す。FIG. 5 is an operation waveform diagram of one embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an operation waveform diagram when the electron beam is not deflected. FIGS. 5A and 6A show the timing of blanking, FIG. 5B shows the timing of deflection, FIG. 5C shows the moving speed of the electron beam EB, and FIG. Is shown.
【００４２】ブランキングは、図５（Ａ）に示すように
ピットが形成される部分でオフ、ビットが形成されない
部分でオンとされる。偏向により、図５（Ｂ）に示すよ
うにブランキング時間情報がオフの期間に、電子ビーム
ＥＢはディスク２２の円周方向に偏向される。偏向量
は、プラス方向からマイナス方向に直線的に変化され
る。As shown in FIG. 5A, blanking is turned off at a portion where a pit is formed and turned on at a portion where a bit is not formed. Due to the deflection, the electron beam EB is deflected in the circumferential direction of the disk 22 while the blanking time information is off as shown in FIG. The deflection amount is changed linearly from the plus direction to the minus direction.
【００４３】一方、電子ビームが偏向されない場合に
は、ディスク２２は一定角速度で回転し、電子ビームＥ
Ｂの照射位置は固定である。よって、図６（Ａ）に示す
ブランキングオフのタイミングで図６（Ｂ）に示すよう
にピットＰが形成されることになる。このため、ピット
Ｐを形成するために必要なドーズ量をもとにディスク２
２の回転角速度ωが決定される。このとき、ピットの１
単位の長さをＬとすると、ピット一単位当たりの描画速
度は（Ｌ／ｒω）で求められる。On the other hand, when the electron beam is not deflected, the disk 22 rotates at a constant angular velocity, and the electron beam E
The irradiation position of B is fixed. Therefore, the pits P are formed at the blanking-off timing shown in FIG. 6A, as shown in FIG. 6B. Therefore, based on the dose amount necessary to form the pits P, the disk 2
2 is determined. At this time, one of the pits
Assuming that the unit length is L, the drawing speed per pit unit is obtained by (L / rω).
【００４４】一方、図３に示すように電子ビームＥＢを
偏向する場合には、ディスク２２の回転速度は２倍とし
ても、電子ビームＥＢを偏向によりディスク２２の回転
に追従させることにより、電子ビームＥＢとディスク２
２との相対的な速度を従来と同等にできる。すなわち、
通常のディスク回転速度と同等のドーズ量が確保でき
る。On the other hand, when the electron beam EB is deflected as shown in FIG. 3, even if the rotation speed of the disk 22 is doubled, the electron beam EB follows the rotation of the disk 22 by deflection, so that the electron beam EB is deflected. EB and disk 2
2 can be made equal to the conventional speed. That is,
A dose equivalent to a normal disk rotation speed can be secured.
【００４５】このため、ディスク２２の回転角速度を２
ωにできるので、ピット一単位当たりの描画速度は、
（Ｌ／２ｒω）となり、電子ビームＥＢを偏向しない場
合の描画速度（Ｌ／ｒω）に比べて、２倍の速度でピッ
トを描画できる。また、このとき、従来と同じドーズ量
でピットＰを形成することができる。Therefore, the rotational angular velocity of the disk 22 is set to 2
ω, so the drawing speed per pit unit is
(L / 2rω), and the pit can be drawn at twice the drawing speed (L / rω) when the electron beam EB is not deflected. At this time, the pits P can be formed with the same dose as in the related art.
【００４６】このため、電子ビーム描画により、ピット
が高密度に形成可能となり、ディスク２２の容量を大き
くした場合でもピット形成の時間を短縮できる。Therefore, pits can be formed at a high density by electron beam drawing, and the time for forming pits can be reduced even when the capacity of the disk 22 is increased.
【００４７】なお、本実施例では、電子ビームの偏向量
パターンを描画パターン、すなわち、ピットの長さから
制御部３１で算出したが、記憶部３３に記憶しておい
て、描画パターンに基づいて読み出すようにしてもよ
い。In this embodiment, the deflection amount pattern of the electron beam is calculated by the control unit 31 from the drawing pattern, that is, the length of the pit, but is stored in the storage unit 33 and is based on the drawing pattern. You may make it read.
【００４８】また、本実施例では、描画するためのビー
ムとして電子ビームを例に説明したが、電子ビームに限
定されるものではなく、光ビーム等、他のビームに適用
することも可能である。In this embodiment, an electron beam has been described as an example of a beam for drawing. However, the present invention is not limited to an electron beam, and the invention can be applied to other beams such as a light beam. .
【００４９】本実施例によれば、スピンドルモータ１８
の一定回転角速度を高速化し、偏向器１７により電子ビ
ームＥＢを偏向することで、電子ビームＥＢのブランキ
ング時間をより短くし、電子ビーム描画時間の短縮化を
図ることができる。According to the present embodiment, the spindle motor 18
Is increased, and the electron beam EB is deflected by the deflector 17, thereby shortening the blanking time of the electron beam EB and shortening the electron beam writing time.
【００５０】（付記１） 移動する照射対象にビームを
照射するビーム照射方法であって、前記照射対象の移動
方向に前記ビームを変移させつつ、前記照射対象にビー
ムを照射することを特徴とするビーム照射方法。(Supplementary Note 1) A beam irradiation method for irradiating a moving irradiation target with a beam, wherein the beam is irradiated to the irradiation target while shifting the beam in the moving direction of the irradiation target. Beam irradiation method.
【００５１】（付記２） 前記ビームは、前記照射対象
に照射されるビームの単位面積当たりの照射量が一定と
なるように変移されることを特徴とする付記１記載のビ
ーム照射方法。(Supplementary note 2) The beam irradiation method according to Supplementary note 1, wherein the beam is shifted such that an irradiation amount per unit area of the beam irradiated on the irradiation target is constant.
【００５２】（付記３） 前記照射対象への前記ビーム
の照射量の過不足に応じて前記ビームの偏向速度を変化
させることを特徴とする付記１又は２記載のビーム照射
方法。(Supplementary note 3) The beam irradiation method according to Supplementary note 1 or 2, wherein the deflection speed of the beam is changed in accordance with an excess or deficiency of the irradiation amount of the beam onto the irradiation target.
【００５３】（付記４） 前記照射対象と前記ビームと
の相対速度が所定の速度になるように前記ビームの変移
を制御することを特徴とする付記１乃至３のいずれか一
項記載のビーム照射方法。(Supplementary note 4) The beam irradiation according to any one of Supplementary notes 1 to 3, wherein the displacement of the beam is controlled such that a relative speed between the irradiation target and the beam becomes a predetermined speed. Method.
【００５４】（付記５） 前記ビームは、電子ビームで
あり、前記ビームの変移は、前記電子ビームを偏向させ
ることにより移動させることを特徴とする付記１乃至４
のいずれか一項記載のビーム照射方法。(Supplementary note 5) The beam is an electron beam, and the beam is shifted by deflecting the electron beam.
The beam irradiation method according to any one of claims 1 to 4.
【００５５】（付記６） 前記照射対象は、角速度一定
で回転されており、前記ビームは、前記照射対象に同心
円又は螺旋状に断続的に照射されることを特徴とする付
記１乃至５のいずれか一項記載のビーム照射方法。(Supplementary Note 6) The irradiation object is rotated at a constant angular velocity, and the beam is irradiated on the irradiation object concentrically or spirally intermittently. The beam irradiation method according to claim 1.
【００５６】（付記７） 前記照射対象は、ディスク媒
体の原盤であり、前記ビームにより前記ディスク媒体の
プリピットを形成することを特徴とする付記１乃至６の
いずれか一項記載のビーム照射方法。(Supplementary Note 7) The beam irradiation method according to any one of Supplementary Notes 1 to 6, wherein the irradiation target is a master disk medium, and the beam forms prepits on the disk medium.
【００５７】（付記８） 移動する照射対象にビームを
照射するビーム照射装置であって、前記ビームを出力す
るビーム源と、前記照射対象の移動方向に前記ビームを
変移させつつ、前記照射対象にビームを照射するビーム
変移部と、前記照射対象に照射される前記ビームの単位
面積当たりの照射量が一定となるように前記ビーム変移
部を制御するビーム移動制御部とを有することを特徴と
するビーム照射装置。(Supplementary Note 8) A beam irradiation device for irradiating a moving irradiation target with a beam, comprising: a beam source that outputs the beam; and a beam source that shifts the beam in a moving direction of the irradiation target. A beam shifting unit that irradiates a beam, and a beam movement control unit that controls the beam shifting unit such that an irradiation amount per unit area of the beam applied to the irradiation target is constant. Beam irradiation device.
【００５８】（付記９） 前記ビーム変移制御部は、前
記照射対象への前記ビームの照射量が不足する場合に
は、前記ビームが前記照射対象の移動方向に変移するよ
うに前記ビーム変移部を制御することを特徴とする付記
８記載のビーム照射装置。(Supplementary Note 9) The beam shift control unit controls the beam shift unit such that the beam shifts in the moving direction of the irradiation target when the irradiation amount of the beam to the irradiation target is insufficient. The beam irradiation apparatus according to claim 8, wherein the beam irradiation apparatus controls the beam irradiation.
【００５９】（付記１０） 前記ビーム変移制御部は、
前記照射対象への前記ビームの照射量の過不足に応じて
前記ビームの変移を制御することを特徴とする付記９又
は１０記載のビーム照射装置。(Supplementary Note 10) The beam transition control unit includes:
The beam irradiation apparatus according to claim 9 or 10, wherein a transition of the beam is controlled in accordance with an excess or deficiency of an irradiation amount of the beam to the irradiation target.
【００６０】（付記１１） 前記ビームは、電子ビーム
であり、前記ビーム変移部は、前記電子ビームを偏向さ
せることを特徴とする付記９乃至１０のいずれか一項記
載のビーム照射装置。(Supplementary note 11) The beam irradiation apparatus according to any one of Supplementary notes 9 to 10, wherein the beam is an electron beam, and the beam shifting unit deflects the electron beam.
【００６１】（付記１２） 前記照射対象を角速度一定
に回転させる回転駆動部を有し、前記ビームは、前記照
射対象に同心円又は螺旋状に断続的に照射されることを
特徴とする付記９乃至１１のいずれか一項記載のビーム
照射装置。(Supplementary Note 12) A rotating drive unit for rotating the irradiation target at a constant angular velocity, and the beam is irradiated on the irradiation target intermittently concentrically or spirally. The beam irradiation device according to any one of claims 11 to 11.
【００６２】（付記１３） 前記照射対象は、ディスク
媒体の原盤であり、前記ビームにより前記ディスク媒体
のプリピットを形成することを特徴とする付記９乃至１
２のいずれか一項記載のビーム照射装置。(Supplementary Note 13) The irradiation target is a master disc of a disk medium, and the beam forms prepits on the disc medium.
3. The beam irradiation device according to any one of 2.
【００６３】[0063]
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、ビームを
変移させることにより、ビームと照射対象との相対速度
を一定することができるため、照射対象の移動速度を高
くしてもビームの照射量を一定にすることができ、よっ
て、ビームの照射対象への照射を高速に行なえる等の特
長を有する。As described above, according to the present invention, by shifting the beam, the relative speed between the beam and the irradiation target can be kept constant. The irradiation amount can be made constant, so that the irradiation of the beam to the irradiation target can be performed at high speed.
【図１】本発明の一実施例のブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例の制御部の動作フローチャー
トである。FIG. 2 is an operation flowchart of a control unit according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例の動作を説明するための図で
ある。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例の動作を説明するための図で
ある。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of one embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施例の動作波形図である。FIG. 5 is an operation waveform diagram of one embodiment of the present invention.
【図６】電子ビームを偏向させない場合の動作波形図で
ある。FIG. 6 is an operation waveform diagram when an electron beam is not deflected.
１ 電子ビーム照射装置 １１ 電子ビーム鏡筒 １２ 電子銃 １３ 収束レンズ １４ ブランキング電極 １５ 絞り板 １６ 対物レンズ １７ 偏向器 １８ スピンドルモータ １９ 一軸ステージ ２０ 制御装置 ２１ 絞り孔 ２２ ディスク ３１ 電子銃駆動回路 ３２ 操作部 ３３ 記憶部 ３４ 電子銃駆動回路 ３５ 収束レンズ駆動回路 ３６ ブランキング電極駆動回路 ３７ 対物レンズ駆動回路 ３８ 偏向器駆動回路 ３９ モータ駆動回路 ４０ ステージ駆動部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron beam irradiation apparatus 11 Electron beam column 12 Electron gun 13 Converging lens 14 Blanking electrode 15 Aperture plate 16 Objective lens 17 Deflector 18 Spindle motor 19 Uniaxial stage 20 Controller 21 Aperture hole 22 Disk 31 Electron gun drive circuit 32 Operation Unit 33 storage unit 34 electron gun drive circuit 35 convergent lens drive circuit 36 blanking electrode drive circuit 37 objective lens drive circuit 38 deflector drive circuit 39 motor drive circuit 40 stage drive unit
Claims (5)
ーム照射方法であって、 前記照射対象の移動方向に前記ビームを変移させつつ、
前記照射対象にビームを照射することを特徴とするビー
ム照射方法。1. A beam irradiation method for irradiating a moving irradiation target with a beam, wherein the beam is shifted in a moving direction of the irradiation target,
A beam irradiation method comprising irradiating the irradiation target with a beam.
るビームの単位面積当たりの照射量が一定となるように
変移されることを特徴とする請求項１記載のビーム照射
方法。2. The beam irradiation method according to claim 1, wherein the beam is shifted so that an irradiation amount per unit area of the beam irradiated on the irradiation target is constant.
の過不足に応じて前記ビームの偏向速度を変化させるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のビーム照射方法。3. The beam irradiation method according to claim 1, wherein a deflection speed of the beam is changed in accordance with an excess or deficiency of an irradiation amount of the beam on the irradiation target.
により移動させることを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれか一項記載のビーム照射方法。4. The beam irradiation method according to claim 1, wherein the beam is an electron beam, and the beam is shifted by deflecting the electron beam. .
ーム照射装置であって、 前記ビームを出力するビーム源と、 前記照射対象の移動方向に前記ビームを変移させつつ、
前記照射対象にビームを照射するビーム変移部と、 前記照射対象に照射される前記ビームの単位面積当たり
の照射量が一定となるように前記ビーム変移部を制御す
るビーム移動制御部とを有することを特徴とするビーム
照射装置。5. A beam irradiation apparatus for irradiating a moving irradiation target with a beam, comprising: a beam source for outputting the beam; and displacing the beam in a moving direction of the irradiation target.
A beam transition unit that irradiates the irradiation target with a beam, and a beam movement control unit that controls the beam transition unit such that the irradiation amount per unit area of the beam irradiated to the irradiation target is constant. A beam irradiation device characterized by the above-mentioned.
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|---|---|---|---|
| JP2001085429A JP2002288890A (en) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | Method, device to radiate beam, and method of manufacturing recording medium |
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- 2001-03-23 JP JP2001085429A patent/JP2002288890A/en not_active Withdrawn
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