JP2002287662A - Active matrix substrate and method of manufacturing for the same - Google Patents
Active matrix substrate and method of manufacturing for the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル、
ＥＬパネル、エレクトロクロミック表示パネル等に用い
られるアクティブマトリックス基板およびその製造方法
に関する。The present invention relates to a liquid crystal display panel,
The present invention relates to an active matrix substrate used for an EL panel, an electrochromic display panel, and the like, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】絶縁性基板上に、複数の絵素電極と、複
数の絵素電極に接続された複数のアクティブ素子とがマ
トリクス状に配置され、各絵素電極に各アクティブ素子
によって、独立して電圧が印加されるアクティブマトリ
クス方式の表示パネルが、液晶表示パネル、ＥＬ表示パ
ネル、エレクトロクロミック表示パネル等に用いられ
る。絶縁性基板としては、光透過性絶縁性基板であるガ
ラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板等が用い
られ、また、アクティブ素子としては、薄膜トランジス
タのような三端子素子およびＭＩＭ（金属−絶縁体−金
属）素子、ダイオードのような二端子素子のスイッチン
グ素子が用いられる。2. Description of the Related Art A plurality of picture element electrodes and a plurality of active elements connected to the plurality of picture element electrodes are arranged in a matrix on an insulating substrate. An active matrix display panel to which a voltage is applied is used for a liquid crystal display panel, an EL display panel, an electrochromic display panel, and the like. As the insulating substrate, a glass substrate, a quartz glass substrate, a plastic substrate or the like, which is a light-transmitting insulating substrate, is used. As the active element, a three-terminal element such as a thin film transistor and a MIM (metal-insulator-metal) are used. A two-terminal switching element such as a metal element or a diode is used.
【０００３】以下、一例として、スイッチング素子とし
て、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型
の液晶表示パネルについて説明する。Hereinafter, an active matrix type liquid crystal display panel using thin film transistors as switching elements will be described as an example.
【０００４】液晶表示パネルは、アクティブマトリック
ス基板と対向基板とを相互に対向させて配置し、シール
剤により、所定の間隙を設けて、張り合わせ、接着し、
それぞれの基板を所定の大きさに分断した後、両方の基
板の間隙に、液晶を封入することによって作製される。
アクティブマトリックス基板は、透明絶縁性基板上に走
査信号線であるゲート電極配線、データ信号配線である
ソース電極配線、スイッチング素子である薄膜トランジ
スタ、絵素電極、配向膜等が形成されて構成されてい
る。また、対向基板は、透明絶縁性基板上に、例えば、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化錫等
のような透明導電膜および配向膜等が形成されている。In a liquid crystal display panel, an active matrix substrate and a counter substrate are arranged so as to face each other, a predetermined gap is provided with a sealant, and the substrates are bonded and adhered.
After each substrate is cut into a predetermined size, a liquid crystal is sealed in a gap between both substrates.
The active matrix substrate is formed by forming a gate electrode wiring serving as a scanning signal line, a source electrode wiring serving as a data signal wiring, a thin film transistor serving as a switching element, a pixel electrode, an alignment film, and the like on a transparent insulating substrate. . Further, the opposing substrate is, for example, on a transparent insulating substrate,
A transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), tin oxide and the like, an alignment film, and the like are formed.
【０００５】図７は、液晶表示パネルに用いられるアク
ティブマトリックス基板の回路基板が接続された状態の
概略平面図である。アクティブマトリックス基板には、
長方形状の透明絶縁性基板であるガラス基板１１上に、
多数の絵素電極がマトリクス状に配置された長方形の表
示部１３が設けられている。表示部１３は、ガラス基板
１１における一方の長辺および短辺にそれぞれ沿った側
縁部である駆動用回路部品接続部１１ａ以外の領域に配
置されている。表示部１３には、マトリクス状に配置さ
れた各絵素の間を、相互に平行になった複数のパネル電
極配線（ゲート電極配線）１５がそれぞれ設けられると
ともに、これら各パネル電極配線（ゲート電極配線）１
５と絶縁膜を介してそれぞれ直交する複数のパネル電極
配線（ソース電極配線）１５が設けられている。FIG. 7 is a schematic plan view showing a state in which a circuit board of an active matrix substrate used for a liquid crystal display panel is connected. Active matrix substrates
On a glass substrate 11 which is a rectangular transparent insulating substrate,
A rectangular display unit 13 in which a large number of picture element electrodes are arranged in a matrix is provided. The display unit 13 is disposed in a region other than the driving circuit component connection unit 11a, which is a side edge along one long side and one short side of the glass substrate 11. The display unit 13 is provided with a plurality of panel electrode wirings (gate electrode wirings) 15 which are parallel to each other between picture elements arranged in a matrix, and each of these panel electrode wirings (gate electrode wirings). Wiring) 1
A plurality of panel electrode wirings (source electrode wirings) 15 which are orthogonal to each other via an insulating film 5 are provided.
【０００６】複数のパネル電極配線（ゲート電極配線）
１５と複数のパネル電極配線（ソース電極配線）１５と
の交差部の近傍には、薄膜トランジスタ（図示せず）が
形成され、薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極
およびドレイン電極は、それぞれ複数のパネル電極配線
（ゲート電極配線）１５、複数のパネル電極配線（ソー
ス電極配線）１５、複数の絵素電極に接続されている。
尚、薄膜トランジスタとしては、金属膜等の導電体から
成るゲート電極上に、窒化シリコン膜から成るゲート酸
化膜、アモルファスシリコン膜から成るトランジスタの
半導体層、リン等の不純物がドープされたアモルファス
シリコン膜から成るソース電極およびドレイン電極のオ
ーミックコンタクト層等が積層された構造のものが使用
される。A plurality of panel electrode wirings (gate electrode wirings)
A thin film transistor (not shown) is formed near the intersection of the panel electrode wiring 15 and the plurality of panel electrode wirings (source electrode wirings) 15, and the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of the thin film transistor each have a plurality of panel electrode wirings. (Gate electrode wiring) 15, a plurality of panel electrode wirings (source electrode wirings) 15, and a plurality of picture element electrodes.
As the thin film transistor, a gate oxide film made of a silicon nitride film, a transistor semiconductor layer made of an amorphous silicon film, and an amorphous silicon film doped with impurities such as phosphorus are formed on a gate electrode made of a conductor such as a metal film. A structure in which ohmic contact layers and the like of the source electrode and the drain electrode are laminated is used.
【０００７】パネル周縁配線１４は、ガラス基板１１に
おける表示部１３が設けられていない各駆動用回路部品
接続部１１ａ上にそれぞれ延出しており、各駆動用回路
部品接続部１１ａ上には、各駆動用回路部品接続部１１
ａ上に延出したそれぞれのパネル周縁配線１４と接続さ
れる回路基板１２がそれぞれ設けられている。各回路基
板１２には、液晶駆動用ＩＣがそれぞれ設けられてい
る。The panel peripheral wiring 14 extends on each of the driving circuit component connecting portions 11a on the glass substrate 11 where the display portion 13 is not provided, and each of the driving circuit component connecting portions 11a has Driving circuit component connection part 11
The circuit boards 12 connected to the respective panel peripheral wirings 14 extending on the line a are provided. Each circuit board 12 is provided with a liquid crystal driving IC.
【０００８】各回路基板１２は、例えば、フレキシブル
な構造を有する基板にＩＣ等を搭載してガラス基板１に
実装するＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）方式によって実装されている。Each circuit board 12 is, for example, a TCP (Tape Carrier Packa) in which an IC or the like is mounted on a board having a flexible structure and mounted on the glass substrate 1.
ge) method.
【０００９】図８は、図７に示すアクティブマトリクス
基板において各回路基板１２を取り除いた状態の概略平
面図である。ガラス基板１１の各駆動用回路部品接続部
１１ａにそれぞれ延出した各パネル周縁配線１４には、
回路基板１２とそれぞれ接続される回路基板接続領域１
１ｃにおいて、接続用端子部１４ａがそれぞれ設けられ
ている。FIG. 8 is a schematic plan view of the active matrix substrate shown in FIG. 7 with the respective circuit boards 12 removed. Each panel peripheral wiring 14 extending to each driving circuit component connection portion 11a of the glass substrate 11 includes:
Circuit board connection area 1 connected to circuit board 12
1c, connection terminal portions 14a are provided.
【００１０】ＴＣＰ方式は、ＩＣ等の搭載方法の設計自
由度が高く、アクティブマトリクス基板において、液晶
駆動用ＩＣを有する回路基板の実装方法として一般的に
用いられているが、液晶表示装置において、さらに低コ
スト化、高信頼性、薄型化等を実現するために、液晶駆
動用ＩＣをガラス基板上にベアチップの状態で直接実装
するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式も採用さ
れている。The TCP system has a high degree of freedom in designing a method of mounting an IC or the like, and is generally used as a method of mounting a circuit board having an IC for driving a liquid crystal on an active matrix substrate. Further, in order to realize cost reduction, high reliability, thinness, and the like, a COG (Chip On Glass) system in which a liquid crystal driving IC is directly mounted on a glass substrate in a bare chip state is also adopted.
【００１１】図９Ａは、液晶表示パネルに用いられるＣ
ＯＧ方式のアクティブマトリクス基板の回路基板が接続
された状態の概略平面図である。各パネル周縁配線１４
は、ガラス基板における表示部１３が設けられていない
各駆動用回路部品接続部１１ａ上にそれぞれ延出してお
り、一方の駆動用回路部品接続部１１ａ上には、それぞ
れのパネル周縁配線１４と接続される液晶駆動用のベア
チップＩＣ１６と、ベアチップＩＣ１６と複数のパネル
周縁配線１４を介して接続される回路基板１２とが設け
られている。また、他方の駆動用回路部品接続部１１ａ
上には、各パネル周縁配線１４と接続される液晶駆動用
のベアチップＩＣ１６が実装されており、ベアチップＩ
Ｃ１６は、複数の屈曲形状のパネル周縁配線１４を介し
て、回路基板１２に接続されている。FIG. 9A is a view showing C used for a liquid crystal display panel.
It is a schematic plan view in the state where the circuit board of the OG type active matrix substrate was connected. Peripheral peripheral wiring 14
Extend on each of the driving circuit component connecting portions 11a of the glass substrate on which the display portion 13 is not provided, and are connected to the respective panel peripheral wirings 14 on one of the driving circuit component connecting portions 11a. A bare chip IC 16 for driving liquid crystal and a circuit board 12 connected to the bare chip IC 16 via a plurality of panel peripheral wirings 14 are provided. Further, the other driving circuit component connection portion 11a
On the upper side, a bare chip IC 16 for driving a liquid crystal connected to each panel peripheral wiring 14 is mounted.
C16 is connected to the circuit board 12 via a plurality of bent panel peripheral wirings 14.
【００１２】図９Ｂは、ＣＯＧ方式によって液晶駆動用
ＩＣを実装する図９Ａに示すアクティブマトリクス基板
の液晶駆動用ＩＣおよび回路基板１２を取り除いた状態
を示す概略平面図である。ガラス基板１１における表示
部１３が配置されていない各駆動用回路部品接続部１１
ａには、ベアチップ状態の液晶駆動用ＩＣが実装される
駆動用ＩＣ実装領域１１ｄがそれぞれ設けられている。
表示部１３から各駆動用回路部品接続部１１ａへそれぞ
れ延出する各パネル周縁配線１４の各端部は、各駆動用
回路部品接続部１１ａに設けられた駆動用ＩＣ実装領域
１１ｄ内に位置しており、駆動用ＩＣ実装領域１１ｄに
搭載される液晶駆動用ＩＣにそれぞれ接続されるように
なっている。FIG. 9B is a schematic plan view showing a state where the liquid crystal driving IC and the circuit board 12 of the active matrix substrate shown in FIG. 9A on which the liquid crystal driving IC is mounted by the COG method are removed. Each driving circuit component connection part 11 on the glass substrate 11 where the display part 13 is not arranged
A is provided with a driving IC mounting area 11d on which a liquid crystal driving IC in a bare chip state is mounted.
Each end of each panel peripheral wiring 14 extending from the display unit 13 to each drive circuit component connection unit 11a is located in the drive IC mounting area 11d provided in each drive circuit component connection unit 11a. And is connected to a liquid crystal driving IC mounted in the driving IC mounting area 11d.
【００１３】ガラス基板１１における表示部１３が設け
られていない一方の駆動用回路部品接続部１１ａの側縁
部には、回路基板が接続される回路基板接続領域１１ｃ
が設けられている。回路基板接続領域１１ｃには、駆動
用ＩＣ実装領域１１ｄに実装された液晶駆動用ＩＣに接
続される複数の各接続用端子部１４ａが各パネル周縁配
線１４に対応してそれぞれ設けられており、各接続用端
子部１４ａの端部が、駆動用ＩＣ実装領域１１ｄに延出
して、駆動用ＩＣ実装領域１１ｄに実装される液晶駆動
用ＩＣにそれぞれ接続されるようになっている。A circuit board connection area 11c to which a circuit board is connected is provided on a side edge of one driving circuit component connection section 11a on the glass substrate 11 where the display section 13 is not provided.
Is provided. In the circuit board connection area 11c, a plurality of connection terminal portions 14a connected to the liquid crystal drive IC mounted on the drive IC mounting area 11d are provided corresponding to the panel peripheral wirings 14, respectively. An end of each connection terminal portion 14a extends to the drive IC mounting area 11d and is connected to a liquid crystal drive IC mounted on the drive IC mounting area 11d.
【００１４】また、回路基板接続領域１１ｃには、他方
の駆動用回路部品接続部１１ａの駆動用ＩＣ実装領域１
１ｄに実装された液晶駆動用ＩＣに接続される複数のパ
ネル周縁配線１４が、それぞれ設けられている。各パネ
ル周縁配線１４は、回路基板接続領域１１ｃから延出し
て、ガラス基板１１上に屈曲状態で配置されて、他方の
駆動用回路部品接続部１１ａの駆動用ＩＣ実装領域１１
ｄに実装される液晶駆動用ＩＣに、それぞれ接続される
ようになっている。In the circuit board connection region 11c, the driving IC mounting region 1 of the other driving circuit component connection portion 11a is provided.
A plurality of panel peripheral wirings 14 connected to the liquid crystal driving IC mounted on 1d are provided. Each of the panel peripheral wirings 14 extends from the circuit board connection area 11c, is arranged in a bent state on the glass substrate 11, and has the driving IC mounting area 11 of the other driving circuit component connection portion 11a.
d is connected to a liquid crystal driving IC mounted on the LCD.
【００１５】このような図７〜９Ｂに示すアクティブマ
トリクス基板では、表示部１３において、導電体によっ
て形成される電極間に、絶縁体、誘電体あるいは半導体
が介在する構造のパネル電極配線１５が配置されてお
り、その製造工程中において、電極間に静電気が発生
し、その静電気の蓄積による放電のために、パネル電極
配線１５に設けられた絶縁体、半導体等の破壊および発
熱が生じて、アクティブマトリクス基板としての信頼性
が低下するおそれがある。また、図９Ａ、図９Ｂに示す
ＣＯＧ方式のアクティブマトリクス基板においては、パ
ネル電極配線１５と切り離された接続用端子部１４ａに
も、同様に、パネル製造工程中にに発生する静電気が蓄
積され、蓄積された静電気がパネル電極配線１５に放電
されることによって、前述の不具合が生じる。In the active matrix substrate shown in FIGS. 7 to 9B, panel electrode wiring 15 having a structure in which an insulator, a dielectric, or a semiconductor is interposed between electrodes formed of conductors in display unit 13. During the manufacturing process, static electricity is generated between the electrodes, and the discharge due to the accumulation of the static electricity causes destruction and heat generation of the insulators, semiconductors, and the like provided on the panel electrode wiring 15, resulting in an active state. There is a possibility that the reliability as a matrix substrate is reduced. Also, in the COG type active matrix substrate shown in FIGS. 9A and 9B, static electricity generated during the panel manufacturing process is also accumulated in the connection terminal portion 14a separated from the panel electrode wiring 15, similarly. The above-mentioned problem occurs when the accumulated static electricity is discharged to the panel electrode wiring 15.
【００１６】アクティブマトリクス基板の作製中に生じ
る静電気が、絵素電極間に配置されたパネル電極配線１
５に蓄積されず、パネル電極配線１５の絶縁体、半導体
等に静電気の蓄積による放電等を防止するために、特開
平２−１９３１１２号公報には、アクティブマトリック
ス基板上の全てのパネル周縁配線を電気的に短絡するシ
ョートリングをアクティブマトリックス基板の周縁部に
沿って設けて、絵素電極、パネル周縁配線等が形成され
た後に、ショートリングを除去する構成が開示されてい
る。The static electricity generated during the manufacture of the active matrix substrate causes the panel electrode wiring 1 disposed between the picture element electrodes.
In order to prevent a discharge or the like due to accumulation of static electricity in an insulator, a semiconductor or the like of the panel electrode wiring 15 without being accumulated in the panel electrode wiring 15, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-193112 discloses that all panel peripheral wirings on an active matrix substrate are provided. A configuration is disclosed in which a short ring that electrically shorts is provided along a peripheral portion of the active matrix substrate, and after the picture element electrode, panel peripheral wiring, and the like are formed, the short ring is removed.
【００１７】このような方法によって、例えば、図７に
示すアクティブマトリクス基板を製造する場合には、図
１０に示すように、図８に示すガラス基板１１の各駆動
用回路部品接続部１１ａの回路基板接続領域１１ｃ内に
配置されたパネル周縁配線１４の接続用端子部１４ａ
が、各駆動用回路部品接続部１１ａの側縁部に沿って配
置されたショートリング１４ｃと、各接続配線部１４ｂ
を介してそれぞれ接続される。In the case of manufacturing the active matrix substrate shown in FIG. 7 by such a method, for example, as shown in FIG. 10, the circuit of each driving circuit component connection portion 11a of the glass substrate 11 shown in FIG. Connection terminal portion 14a of panel peripheral wiring 14 arranged in substrate connection region 11c
A short ring 14c disposed along a side edge of each drive circuit component connection portion 11a, and a connection ring portion 14b
Are connected to each other.
【００１８】各接続配線部１４ｂは、それぞれ、接続用
端子部１４ａよりも幅方向寸法が小さな帯状に構成され
ており、ショートリング１４ｃに対して、それぞれ直交
する直線状に構成されている。Each of the connection wiring portions 14b is formed in a band shape having a smaller width dimension than the connection terminal portion 14a, and is formed in a linear shape orthogonal to the short ring 14c.
【００１９】図１５は、前述の図８に示すアクティブマ
トリクス基板の側縁部に沿ってショートリングが設けら
れたアクティブマトリクス基板の平面図を示す。このよ
うな状態で、ガラス基板１１上に、絵素電極、スイッチ
ング素子等が形成された後、ショートリング１４ｃを除
去するために、ショートリング１４ｃが設けられたガラ
ス基板１１の側縁部が、例えば、砥石で研磨され、それ
ぞれ面取り加工される。FIG. 15 is a plan view of an active matrix substrate provided with a short ring along the side edge of the active matrix substrate shown in FIG. In such a state, after the pixel electrodes, the switching elements, and the like are formed on the glass substrate 11, in order to remove the short ring 14c, the side edge of the glass substrate 11 provided with the short ring 14c is For example, it is polished with a grindstone and chamfered.
【００２０】このようにして形成されるアクティブマト
リクス基板の要部の断面を図１１に示す。図１１は、図
７に示すアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ’線に沿っ
た断面に対応している。FIG. 11 shows a cross section of a main part of the active matrix substrate thus formed. FIG. 11 corresponds to a cross section taken along line AA ′ of the active matrix substrate shown in FIG.
【００２１】ガラス基板１１の駆動用回路部品接続部１
１ａには、各パネル周縁配線１４がそれぞれ延出してお
り、回路基板接続領域１１ｃにおいて、各パネル周縁配
線１４には、接続用端子部１４ａがそれぞれ設けられて
いる。そして、各接続用端子部１４ａに、接続配線部１
４ｂ（図１０参照）がそれぞれ接続されている。ガラス
基板１１の表面は、接続用端子部１４ａを除いて、パネ
ル保護膜１８によって覆われており、従って、回路基板
接続領域１１ｃに設けられた各パネル周縁配線１４の各
接続用端子部１４ａは、パネル保護膜１８から露出した
状態になっている。Driving circuit component connection part 1 of glass substrate 11
1a, each panel peripheral wiring 14 extends, and in the circuit board connection region 11c, each panel peripheral wiring 14 is provided with a connection terminal portion 14a. The connection wiring section 1 is connected to each connection terminal section 14a.
4b (see FIG. 10) are connected. The surface of the glass substrate 11 is covered with the panel protection film 18 except for the connection terminal portions 14a. Therefore, each connection terminal portion 14a of each panel peripheral wiring 14 provided in the circuit board connection region 11c is , Is exposed from the panel protection film 18.
【００２２】各接続用端子部１４ａにそれぞれ接続され
た各接続配線部１４ｂは、パネル保護膜１８によって覆
われた状態で、ガラス基板１１の側縁部を面取りされて
形成された傾斜面１１ｆにそれぞれ達しており、従っ
て、図１２に示すように、各接続配線部１４ｂの端面
は、この傾斜面１１ｆからそれぞれ露出した状態になっ
ている。Each connection wiring portion 14b connected to each connection terminal portion 14a is covered with a panel protective film 18, and is formed on an inclined surface 11f formed by chamfering a side edge of the glass substrate 11. Therefore, as shown in FIG. 12, the end surfaces of the connection wiring portions 14b are exposed from the inclined surfaces 11f.
【００２３】アクティブマトリクス基板１１に、回路基
板１２を接続する場合、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）と呼ばれる異方
性導電膜等の接着剤層１９が、回路基板接続領域１１ｃ
を覆うように配置されて、接着剤層１９上に回路基板１
２が配置されている。回路基板１２は、パネル保護膜１
８から露出した各接続用端子部１４ａと、それぞれ導電
状態で接続されている。When a circuit board 12 is connected to the active matrix substrate 11, an ACF (Anisototrop)
An adhesive layer 19 such as an anisotropic conductive film called an ic Conductive Film is formed on the circuit board connection region 11c.
To cover the circuit board 1 on the adhesive layer 19.
2 are arranged. The circuit board 12 includes the panel protective film 1
Each of the connection terminal portions 14a exposed from 8 is connected in a conductive state.
【００２４】アクティブマトリックス基板を有する液晶
表示パネルでは、高付加価値化の要求に対して、表示部
の占有面積を大きくするとともに、表示部を高精細化す
ることが行われており、アクティブマトリックス基板上
に形成される電極配線であるパネル配線を低抵抗化する
ことが求められている。アクティブマトリックス基板上
に形成されるパネル配線を低抵抗化するためには、通
常、アルミニウム（Ａｌ）を代表とする低抵抗材料が使
用されている。In a liquid crystal display panel having an active matrix substrate, in response to a demand for high added value, the area occupied by the display unit is increased and the display unit is refined. It is required to reduce the resistance of a panel wiring which is an electrode wiring formed thereon. In order to reduce the resistance of the panel wiring formed on the active matrix substrate, a low resistance material represented by aluminum (Al) is generally used.
【００２５】従って、前述した接続用端子部１４ａ、接
続配線部１４ｂ、ショートリング１４ｃも、パネル周縁
配線１４と同様に、アルミニウム（Ａｌ）を代表とする
低抵抗材料によって形成されている。Therefore, the connection terminal portion 14a, the connection wiring portion 14b, and the short ring 14c are also formed of a low resistance material typified by aluminum (Al), similarly to the panel peripheral wiring 14.
【００２６】[0026]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ニウムによってパネル周縁配線１４等を構成すると、シ
ョートリング１４ｃの除去を目的とする面取り加工後
に、面取り加工によって形成された傾斜面１１ｆにおい
て、接続配線部１４ｂの端部が、上層のパネル保護膜１
８から空気中に露出した状態になっており、酸化および
湿気による腐食によって、図１３に示すように、接続配
線部１４ｂが消失する（消失部２２）おそれがある。そ
して、接続配線部１４ｂを構成するアルミニウムの腐食
等がさらに進行すると、接続用端子部１４ａにも腐食等
が発生するおそれがある。接続用端子部１４ａに腐食等
が発生すると、回路基板１２との接続不良が発生し、ア
クティブマトリクス基板の信頼性が低下するという問題
が生じる。However, when the panel peripheral wiring 14 and the like are made of aluminum, the connecting wiring portion 14b is formed on the inclined surface 11f formed by the chamfering after the chamfering for removing the short ring 14c. Of the upper panel protection film 1
8, the connection wiring portion 14b may be lost (the lost portion 22) due to oxidation and corrosion due to moisture, as shown in FIG. If the corrosion of aluminum constituting the connection wiring portion 14b further progresses, the connection terminal portion 14a may be corroded. When corrosion or the like occurs in the connection terminal portion 14a, a connection failure with the circuit board 12 occurs, causing a problem that the reliability of the active matrix substrate is reduced.
【００２７】このために、図１４に示すように、ガラス
基板１１の傾斜部１１ｆから露出した接続配線部１４ｂ
の端部を、保護樹脂１７によって覆うことによって、接
続配線部１４ｂの酸化、腐食等を防止することが行われ
ている。しかしながら、この場合には、ガラス基板１１
の側縁部を面取り加工した後に、面取り加工によって形
成された傾斜面１１ｆに保護樹脂を塗布しなければなら
ず、工程数が増加して生産効率が低下するという問題が
ある。For this purpose, as shown in FIG. 14, the connection wiring portion 14b exposed from the inclined portion 11f of the glass substrate 11 is formed.
Is covered with a protective resin 17 to prevent oxidation, corrosion and the like of the connection wiring portion 14b. However, in this case, the glass substrate 11
After chamfering the side edge portion, a protective resin must be applied to the inclined surface 11f formed by the chamfering process, and there is a problem that the number of steps increases and production efficiency decreases.
【００２８】また、接続用端子部１４ａを、ガラス基板
１１の側縁に対して遠方に位置するように、ガラス基板
１１の内側に配置することも行われているが、この場合
には、ガラス基板１１における表示部１３以外の駆動用
回路部品接続部１１ａの面積が増加し、表示部１３の占
有面積が減少することになる。Further, the connection terminal portion 14a is also arranged inside the glass substrate 11 so as to be located far from the side edge of the glass substrate 11, but in this case, the glass The area of the driving circuit component connection portion 11a other than the display unit 13 on the substrate 11 increases, and the area occupied by the display unit 13 decreases.
【００２９】図９Ａおよび図９Ｂに示すＣＯＧ方式のア
クティブマトリクス基板においても、回路基板接続領域
１１ｃが設けられている駆動用回路部品接続部１１ａに
おいて、ショートリングを設ける場合には、同様の問題
が生じる。In the COG type active matrix substrate shown in FIGS. 9A and 9B, a similar problem occurs when a short ring is provided in the driving circuit component connection portion 11a provided with the circuit board connection region 11c. Occurs.
【００３０】本発明は、このような課題を解決するもの
であり、その目的は、製造に際しての工程数を増加させ
ることなく、また、表示部の占有面積を低下させること
なく、電極配線の腐食による接続不良を防止することが
できるアクティブマトリクス基板およびその製造方法を
提供することにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has as its object to reduce the number of steps in manufacturing and reduce the area occupied by the display section without corroding the electrode wiring. It is an object of the present invention to provide an active matrix substrate capable of preventing a connection failure due to the above, and a method for manufacturing the same.
【００３１】[0031]
【課題が解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックス基板は、基板上に設けられた表示部に対する複
数の配線が、基板上に設けられており、該基板の側縁部
において、各配線にそれぞれ設けられた接続用端子部
を、該基板の側縁部に沿って設けられたショートリング
に対して、接続配線部を介してそれぞれ接続した状態
で、該基板上に電極、スイッチング素子等を形成した後
に、該基板の側縁部を加工して、ショートリングを取り
除き、各接続用端子部を駆動用回路部品と接続されるア
クティブマトリックス基板であって、該接続配線部が屈
曲形状で形成されていることを特徴とする。According to the active matrix substrate of the present invention, a plurality of wirings for a display portion provided on the substrate are provided on the substrate, and each wiring is provided at a side edge of the substrate. The electrodes, the switching elements, and the like are provided on the board in a state where the connection terminal sections provided respectively are connected to the short rings provided along the side edges of the board via the connection wiring sections. After forming, the side edge of the substrate is processed to remove the short ring, and each connection terminal portion is an active matrix substrate connected to the driving circuit component, and the connection wiring portion is formed in a bent shape. It is characterized by having been done.
【００３２】本発明のアクティブマトリクス基板は、基
板上に設けられた表示部に対する複数の配線が、基板上
に設けられており、該基板の側縁部において、該基板上
に搭載される駆動用ＩＣに接続される複数の配線にそれ
ぞれ設けられた接続配線部を、該基板の側縁部に沿って
設けられたショートリングに対して、接続配線部を介し
てそれぞれ接続した状態で、該基板上に電極、スイッチ
ング素子等を形成した後に、該基板の側縁部を加工し
て、ショートリングを取り除き、各接続用端子部を駆動
用回路部品と接続されるアクティブマトリックス基板で
あって、該接続配線部が屈曲形状で形成されていること
を特徴とする。In the active matrix substrate of the present invention, a plurality of wirings for a display section provided on the substrate are provided on the substrate, and a driving edge mounted on the substrate is provided at a side edge of the substrate. The connection wiring portions provided on the plurality of wirings connected to the IC are connected to the short ring provided along the side edge of the substrate via the connection wiring portions, respectively. After forming electrodes, switching elements and the like on the upper side, the side edge of the substrate is processed to remove a short ring, and each connection terminal portion is an active matrix substrate connected to a driving circuit component, The connection wiring portion is formed in a bent shape.
【００３３】前記接続用端子部および前記接続配線部
が、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）
を主成分とする金属を用いて形成されている。The connection terminal portion and the connection wiring portion are made of aluminum (Al) or aluminum (Al).
Is formed using a metal whose main component is.
【００３４】前記接続用端子部および前記接続配線部
が、モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン（Ｍｏ）を主
成分とする金属を用いて形成されている。The connection terminal portion and the connection wiring portion are formed using molybdenum (Mo) or a metal containing molybdenum (Mo) as a main component.
【００３５】前記接続配線部の配線長さが、前記接続用
端子部からショートリングまでの最短距離の２倍以上に
なっている。The wiring length of the connection wiring portion is at least twice the shortest distance from the connection terminal portion to the short ring.
【００３６】本発明のアクティブマトリックス基板の製
造方法は、請求項１に記載のアクティブマトリクス基板
において、各配線にそれぞれ設けられた該接続用端子部
を、該基板の側縁部に沿って設けられたショートリング
に対して、屈曲状態になった接続配線部を介してそれぞ
れ接続した状態で、該基板上に電極、スイッチング素子
等を形成した後に、ショートリングが設けられた該基板
の側縁部を加工することを特徴とする。In the method of manufacturing an active matrix substrate according to the present invention, in the active matrix substrate according to the first aspect, the connection terminal portions provided on the respective wirings are provided along side edges of the substrate. After forming electrodes, switching elements, and the like on the substrate in a state where they are connected to the short ring via the bent connection wiring portion, the side edge of the substrate on which the short ring is provided Is characterized by processing.
【００３７】[0037]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３８】図１は、本発明の製造方法によって製造さ
れた液晶表示パネルの回路基板を実装した状態のアクテ
ィブマトリクス基板の周縁部における断面図である。こ
のアクティブマトリクス基板は、図７および図８に示す
アクティブマトリックス基板と同様の平面構造を有して
おり、長方形状の透明絶縁性基板であるガラス基板１１
上に、多数の絵素電極と、各絵素電極に接続され、各絵
素電極を選択的に電圧を印加するアクティブ素子として
の薄膜トランジスタとが、マトリクス状に配置された長
方形の表示部１３が設けられている。FIG. 1 is a sectional view of a periphery of an active matrix substrate in a state where a circuit board of a liquid crystal display panel manufactured by the manufacturing method of the present invention is mounted. This active matrix substrate has the same planar structure as the active matrix substrate shown in FIGS. 7 and 8, and is a glass substrate 11 which is a rectangular transparent insulating substrate.
A rectangular display unit 13 in which a large number of picture element electrodes and thin film transistors connected to each picture element electrode and serving as an active element for selectively applying a voltage to each picture element electrode are arranged in a matrix is provided. Is provided.
【００３９】表示部１３は、ガラス基板１１における一
方の長辺および短辺にそれぞれ沿った各側縁部の駆動用
回路部品接続部１１ａ以外の領域に配置されている。表
示部１３には、マトリクス状に配置された各絵素の間
を、相互に平行になった走査信号配線としての複数のパ
ネル電極配線（ゲート電極配線）１５がそれぞれ設けら
れるとともに、各ゲート電極配線と絶縁膜を介してそれ
ぞれ直交するデータ信号配線としての複数のパネル電極
配線（ソース電極配線）１５が設けられている。複数の
パネル電極配線（ゲート電極配線）１５と複数のパネル
電極配線（ソース電極配線）１５との交差部の近傍に薄
膜トランジスタ（図示せず）が形成され、薄膜トランジ
スタのゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は、
それぞれ複数のパネル電極配線（ゲート電極配線）１
５、複数のパネル電極配線（ソース電極配線）１５、複
数の絵素電極に接続されている。The display section 13 is arranged in a region other than the driving circuit component connection section 11a on each side edge along one long side and one short side of the glass substrate 11. The display unit 13 is provided with a plurality of panel electrode wirings (gate electrode wirings) 15 as scanning signal wirings which are parallel to each other between picture elements arranged in a matrix, and each gate electrode A plurality of panel electrode wirings (source electrode wirings) 15 are provided as data signal wirings orthogonal to each other via the wirings and the insulating film. Thin film transistors (not shown) are formed near intersections between the plurality of panel electrode wirings (gate electrode wirings) 15 and the plurality of panel electrode wirings (source electrode wirings) 15, and the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the thin film transistor Is
A plurality of panel electrode wirings (gate electrode wirings) 1
5, a plurality of panel electrode wires (source electrode wires) 15, and a plurality of picture element electrodes.
【００４０】駆動用回路部品接続部１１ａには、パネル
周縁配線１４が設けられ、パネル周縁配線１４は、パネ
ル電極配線（ゲート電極配線）１５およびパネル電極配
線（ソース電極配線）１５に接続されている。A panel peripheral wiring 14 is provided in the driving circuit component connecting portion 11a. The panel peripheral wiring 14 is connected to a panel electrode wiring (gate electrode wiring) 15 and a panel electrode wiring (source electrode wiring) 15. I have.
【００４１】このようなアクティブマトリクス基板は、
その製造工程において、パネル周縁配線１４に設けられ
た各接続用端子部１４ａが、ガラス基板１１の側縁部に
沿って設けられたショートリング１４ｃに、接続配線部
１４ｂを介してそれぞれ接続される。図５は、本発明の
アクティブマトリクス基板の側縁部に沿ってショートリ
ング１４ｃが設けられたアクティブマトリクス基板の平
面図を示す。Such an active matrix substrate is
In the manufacturing process, each connection terminal portion 14a provided on the panel peripheral wiring 14 is connected to a short ring 14c provided along a side edge portion of the glass substrate 11 via a connection wiring portion 14b. . FIG. 5 is a plan view of an active matrix substrate provided with a short ring 14c along a side edge of the active matrix substrate of the present invention.
【００４２】この場合、図２に示すように、ショートリ
ング１４ｃと各接続用端子部１４ａとは、それぞれ屈曲
状態になった接続配線部１４ｂによって相互に接続され
ている。各接続配線部１４ｂは、各接続用端子部１４ａ
とショートリング１４ｃとの最短距離よりも長くなった
配線長さを有するように、ショートリング１４ｃから、
ショートリング１４ｃの長手方向の一方に沿って円弧状
に突出した湾曲部と、反対方向に円弧状に突出した湾曲
部を有する蛇行形状に構成されている。In this case, as shown in FIG. 2, the short ring 14c and the connection terminal portions 14a are connected to each other by connection wiring portions 14b which are bent. Each connection wiring section 14b is connected to each connection terminal section 14a.
From the short ring 14c so as to have a wiring length longer than the shortest distance between the short ring 14c and the short ring 14c.
The short ring 14c has a meandering shape having a curved portion protruding in an arc shape along one of the longitudinal directions and a curved portion protruding in an arc shape in the opposite direction.
【００４３】パネル電極配線（ゲート電極配線）１５お
よびパネル電極配線（ソース電極配線）１５は、このよ
うな接続配線部１４ｂおよびショートリング１４ｃに接
続された状態で形成される。例えば、ゲート電極、パネ
ル電極配線（ゲート電極配線）１５、パネル周縁配線１
４、接続用端子部１４ａ、接続配線部１４ｂおよびショ
ートリング１４ｃが、一体で形成される。この時、パネ
ル電極配線（ソース電極配線）１５に接続される接続用
端子部１４ａおよび接続配線部１４ｂも同時に形成さ
れ、ソース電極およびパネル電極配線（ソース電極配
線）１５が形成される時、接続用端子部１４ａとパネル
電極配線（ソース電極配線）１５とが接続される。ま
た、パネル電極配線（ソース電極配線）１５の接続用端
子部１４ａ、接続配線部１４ｂおよびショートリング１
４ｃは、パネル電極配線（ソース電極配線）１５を形成
するときに、形成しても良い。The panel electrode wiring (gate electrode wiring) 15 and the panel electrode wiring (source electrode wiring) 15 are formed in a state of being connected to the connection wiring portion 14b and the short ring 14c. For example, gate electrode, panel electrode wiring (gate electrode wiring) 15, panel peripheral wiring 1
4. The connection terminal portion 14a, the connection wiring portion 14b, and the short ring 14c are integrally formed. At this time, the connection terminal portion 14a and the connection wiring portion 14b connected to the panel electrode wiring (source electrode wiring) 15 are also formed at the same time, and the connection is made when the source electrode and panel electrode wiring (source electrode wiring) 15 are formed. The terminal section 14a for connection and the panel electrode wiring (source electrode wiring) 15 are connected. Further, the connection terminal portion 14a, the connection wiring portion 14b, and the short ring 1 of the panel electrode wiring (source electrode wiring) 15
4c may be formed when the panel electrode wiring (source electrode wiring) 15 is formed.
【００４４】ガラス基板１１の表面は、図２に示すよう
に、回路基板接続領域１１ｃの接続用端子部１４ａを除
いて、パネル保護膜１８によって覆われ、回路基板接続
領域１１ｃに設けられた各パネル周縁配線１４の各接続
用端子部１４ａが、パネル保護膜１８から露出される。As shown in FIG. 2, the surface of the glass substrate 11 is covered with the panel protective film 18 except for the connection terminals 14a in the circuit board connection region 11c, and is provided in the circuit board connection region 11c. Each connection terminal portion 14 a of the panel peripheral wiring 14 is exposed from the panel protection film 18.
【００４５】上記のアクティブマトリクス基板を用い
て、液晶表示パネルが組み立てられる。A liquid crystal display panel is assembled using the above active matrix substrate.
【００４６】まず、対向基板には、ガラス基板上に、カ
ラーフィルタおよびＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）、酸化錫のような透明導電膜から成る対向電極
が形成される。First, as a counter substrate, a color filter and an ITO (Indium Tin Ox) were formed on a glass substrate.
ide), a counter electrode made of a transparent conductive film such as tin oxide is formed.
【００４７】次に、対向基板は、ポリイミド等から成る
配向膜が形成され、ラビング処理される。また、上記の
ように形成されたアクティブマトリクス基板も、同様
に、ポリイミド等から成る配向膜が形成され、ラビング
処理される。Next, an alignment film made of polyimide or the like is formed on the counter substrate, and rubbing treatment is performed. Similarly, the active matrix substrate formed as described above is similarly formed with an alignment film made of polyimide or the like and subjected to a rubbing process.
【００４８】次に、アクティブマトリクス基板は、表示
部の周辺にシール剤が塗布され、対向基板と所定の間隙
を設けて、張り合わされ、接着され、それぞれの基板が
所定の大きさに分断される。Next, the active matrix substrate is coated with a sealant around the display portion, provided with a predetermined gap with the counter substrate, adhered and adhered, and each substrate is cut into a predetermined size. .
【００４９】次に、予めシール剤に設けられた注入口か
ら、両方の基板の間隙に、液晶が注入され、樹脂等の封
止剤で注入口が封止され、液晶表示パネルとして、組み
立てられる。Next, liquid crystal is injected into the gap between both substrates from an injection port provided in advance in the sealant, and the injection port is sealed with a sealing agent such as a resin to assemble a liquid crystal display panel. .
【００５０】アクティブマトリクス基板は、液晶表示パ
ネルとして組み立てられた後、ショートリング１４ｃが
除去される。ショートリング１４ｃを除去するために、
例えば、ショートリング１４ｃが設けられたガラス基板
１１の側縁部が、それぞれ、砥石によって研磨される面
取り加工が行われる。これにより、図３の平面図に示す
ようにガラス基板１１の側縁部に面取り加工された傾斜
面１１ｆが形成され、傾斜面１１ｆに接続配線部１４ｂ
の端部が露出した状態になる。After the active matrix substrate is assembled as a liquid crystal display panel, the short ring 14c is removed. In order to remove the short ring 14c,
For example, chamfering is performed in which the side edges of the glass substrate 11 provided with the short rings 14c are polished with a grindstone. Thereby, as shown in the plan view of FIG. 3, a chamfered inclined surface 11f is formed on the side edge of the glass substrate 11, and the connection wiring portion 14b is formed on the inclined surface 11f.
End is exposed.
【００５１】アクティブマトリクス基板に回路基板１２
を接続する場合、ＡＣＦと呼ばれる異方性導電膜等の接
着剤層１９が、回路基板接続領域１１ｃを覆うように配
置されて、接着剤層１９上に回路基板１２が配置され
る。これにより、図１に示すように、回路基板１２が、
パネル保護膜１８から露出した各接続用端子部１４ａ
と、それぞれ導電状態で接続される。The circuit board 12 is formed on the active matrix substrate.
Is connected, an adhesive layer 19 such as an anisotropic conductive film called an ACF is arranged so as to cover the circuit board connection region 11c, and the circuit board 12 is arranged on the adhesive layer 19. As a result, as shown in FIG.
Each connection terminal portion 14a exposed from the panel protection film 18
Are connected in a conductive state.
【００５２】アクティブマトリックス基板上に形成され
るパネル周縁配線１４、各接続用端子部１４ａ、接続配
線１４ｂは、低抵抗材料によって構成され、アルミニウ
ム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、あるいは、これらを
主成分とする金属が使用される。The panel peripheral wiring 14, the connection terminals 14a, and the connection wiring 14b formed on the active matrix substrate are made of a low-resistance material, and are mainly made of aluminum (Al), molybdenum (Mo), or mainly made of these materials. A metal as a component is used.
【００５３】接続用端子部１４ａに接続された接続配線
部１４ｂの端部は、面取り加工により形成された傾斜面
１１ｆから空気中に露出した状態になっており、酸化お
よび湿気による腐食が発生するおそれがあるが、接続配
線部１４ｂが屈曲状態に構成されて配線長さが十分に長
くなっているために、接続配線部１４ｂの腐食等の影響
が、接続用端子部１４ａに及ぶおそれがない。従って、
傾斜面１１ｆから露出した接続配線部１４ｂの端面を保
護樹脂１０によって被覆する必要がなく、また、接続用
端子部１４ａをガラス基板１１の側縁から遠方側に配置
する必要もない。The end of the connection wiring portion 14b connected to the connection terminal portion 14a is exposed to the air from the inclined surface 11f formed by the chamfering process, and corrosion due to oxidation and moisture occurs. Although there is a possibility that the connection wiring portion 14b is formed in a bent state and the wiring length is sufficiently long, there is no possibility that the influence of the corrosion of the connection wiring portion 14b or the like affects the connection terminal portion 14a. . Therefore,
There is no need to cover the end surface of the connection wiring portion 14b exposed from the inclined surface 11f with the protective resin 10, and it is not necessary to arrange the connection terminal portion 14a far from the side edge of the glass substrate 11.
【００５４】尚、接続配線部１４ｂの配線長さは、接続
配線部１４ｂをショートリング１４ｃに対して直交する
直線状に形成された場合の接続用端子部１４ａとショー
トリング１４ｃとの間の最短距離の２倍以上あることが
好ましい。The wiring length of the connection wiring portion 14b is the shortest between the connection terminal portion 14a and the short ring 14c when the connection wiring portion 14b is formed in a straight line perpendicular to the short ring 14c. Preferably, the distance is at least twice the distance.
【００５５】接続配線部１４ｂは、図２に示すような屈
曲形状に限らず、例えば、図４（ａ）に示すように、シ
ョートリング１４ｃとは直交する各方向にそれぞれ円弧
状に突出した湾曲部を有する蛇行形状であってもよく、
また、図４（ｂ）に示すように、ショートリング１４ｃ
の長手方向の各方向にそれぞれ角形状に突出した一対の
屈曲部をそれぞれ有する形状、図４（ｃ）に示すよう
に、ショートリング１４ｃと直交する方向に角形状にそ
れぞれ突出した一対の屈曲部をそれぞれ有する形状であ
ってもよい。The connection wiring portion 14b is not limited to the bent shape as shown in FIG. 2, but may be, for example, as shown in FIG. It may be a meandering shape having a part,
In addition, as shown in FIG.
4C, a pair of bent portions protruding in a rectangular shape in a direction orthogonal to the short ring 14c as shown in FIG. 4C. May be respectively provided.
【００５６】また、接続配線部１４ｂの幅寸法も、特に
限定されるものでなく、さらに、本発明は、ガラス基板
１１に一対の駆動用回路部品接続部１１ａ等の回路基板
接続領域が設けられている場合に限らず、ガラス基板１
１の周縁部の１箇所、３箇所、あるいは４箇所に、駆動
用回路部品接続部１１ａ等の回路基板接続領域が設けら
れている場合にも、本発明は適用することができる。さ
らに、本発明の実施形態では、接続配線部１４ｂが接続
されるショートリング１４ｃは、全ての接続用端子部１
４ａを一つに束ねるについて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、例えば、本発明の接続配線部１４ｂ
が接続されるショートリング１４ｃは、複数本に分か
れ、検査等に使用された後、除去されるような場合にも
有用である。The width dimension of the connection wiring portion 14b is not particularly limited. Further, according to the present invention, a circuit board connection region such as a pair of drive circuit component connection portions 11a is provided on the glass substrate 11. Glass substrate 1
The present invention can also be applied to a case where a circuit board connection region such as the drive circuit component connection portion 11a is provided at one, three, or four locations on one peripheral portion. Further, in the embodiment of the present invention, the short ring 14c to which the connection wiring portion 14b is connected is connected to all the connection terminal portions 1c.
4a have been described as being bundled together, but the present invention is not limited to this.
The short ring 14c to which is connected is divided into a plurality of short rings 14c, and is also useful in a case where it is removed after being used for inspection or the like.
【００５７】図６は、本発明の他の実施形態である液晶
駆動用ＩＣをガラス基板１１上に搭載するＣＯＧ方式の
アクティブマトリクス基板である。このアクティブマト
リクス基板は、図９Ａおよび図９Ｂと同様の構造を有し
ている。ガラス基板１１における表示部１３が配置され
ていない各駆動用回路部品接続部１１ａには、ベアチッ
プ状態の液晶駆動用ＩＣが実装される駆動用ＩＣ実装領
域１１ｄがそれぞれ設けられている。表示部１３から各
駆動用回路部品接続部１１ａへそれぞれ延出する各パネ
ル周縁配線１４の各端部は、各駆動用回路部品接続部１
１ａに設けられた駆動用ＩＣ実装領域１１ｄ内に位置し
ており、駆動用ＩＣ実装領域１１ｄに搭載される液晶駆
動用ＩＣにそれぞれ接続されるようになっている。FIG. 6 shows a COG type active matrix substrate in which a liquid crystal driving IC according to another embodiment of the present invention is mounted on a glass substrate 11. This active matrix substrate has a structure similar to that of FIGS. 9A and 9B. Each of the driving circuit component connecting portions 11a of the glass substrate 11 where the display unit 13 is not disposed is provided with a driving IC mounting area 11d in which a liquid crystal driving IC in a bare chip state is mounted. Each end of each panel peripheral wiring 14 extending from the display unit 13 to each drive circuit component connection unit 11a is connected to each drive circuit component connection unit 1a.
It is located in the driving IC mounting area 11d provided in 1a, and is connected to the liquid crystal driving IC mounted in the driving IC mounting area 11d.
【００５８】ガラス基板１１における表示部１３が設け
られていない一方の駆動用回路部品接続部１１ａの側縁
部には、回路基板が接続される回路基板接続領域１１ｃ
が設けられている。回路基板接続領域１１ｃには、駆動
用ＩＣ実装領域１１ｄに実装された液晶駆動用ＩＣに接
続される複数の各接続用端子部１４ａが各パネル周縁配
線１４に対応してそれぞれ設けられており、各接続用端
子部１４ａの端部が、駆動用ＩＣ実装領域１１ｄに延出
して、駆動用ＩＣ実装領域１１ｄに実装される液晶駆動
用ＩＣにそれぞれ接続されるようになっている。A circuit board connection area 11c to which a circuit board is connected is provided on the side edge of one driving circuit component connection section 11a on the glass substrate 11 where the display section 13 is not provided.
Is provided. In the circuit board connection area 11c, a plurality of connection terminal portions 14a connected to the liquid crystal drive IC mounted on the drive IC mounting area 11d are provided corresponding to the panel peripheral wirings 14, respectively. An end of each connection terminal portion 14a extends to the drive IC mounting area 11d and is connected to a liquid crystal drive IC mounted on the drive IC mounting area 11d.
【００５９】また、回路基板接続領域１１ｃには、他方
の駆動用回路部品接続部１１ａの駆動用ＩＣ実装領域１
１ｄに実装された液晶駆動用ＩＣに接続される複数のパ
ネル周縁配線１４が、それぞれ設けられている。各パネ
ル周縁配線１４は、回路基板接続領域１１ｃから延出し
て、ガラス基板１１上に屈曲状態で配置されて、他方の
駆動用回路部品接続部１１ａの駆動用ＩＣ実装領域１１
ｄに実装される液晶駆動用ＩＣに、それぞれ接続される
ようになっている。In the circuit board connection area 11c, the drive IC mounting area 1 of the other drive circuit component connection section 11a is provided.
A plurality of panel peripheral wirings 14 connected to the liquid crystal driving IC mounted on 1d are provided. Each of the panel peripheral wirings 14 extends from the circuit board connection area 11c, is arranged in a bent state on the glass substrate 11, and has the driving IC mounting area 11 of the other driving circuit component connection portion 11a.
d is connected to a liquid crystal driving IC mounted on the LCD.
【００６０】各接続用端子部１４ａと、ガラス基板１１
の側縁部に沿って設けられたショートリング１４ｃと
は、屈曲または湾曲した形状の蛇行した接続配線部１４
ｂによりそれぞれ接続される。Each connection terminal portion 14a and the glass substrate 11
The short ring 14c provided along the side edge of the connection wiring portion 14 is a meandering connection wiring portion 14 having a bent or curved shape.
b.
【００６１】回路基板接続領域１１ｃ側のパネル周縁配
線１４および接続用端子部１４ａが、孤立していると、
このパネル周縁配線１４および接続用端子部１４ａに、
パネル製造工程中に発生する静電気が蓄積され、その静
電気が、パネル電極配線１５に放電されることにより、
パネルが損傷される場合があるが、各接続用端子部１４
ａは、接続配線部１４ｂによりショートリング１４ｃに
接続されることにより、静電気の放電によるパネルの損
傷を防止することができる。If the panel peripheral wiring 14 and the connection terminal 14a on the circuit board connection region 11c side are isolated,
The panel peripheral wiring 14 and the connection terminal 14a are
Static electricity generated during the panel manufacturing process is accumulated, and the static electricity is discharged to the panel electrode wiring 15,
The panel may be damaged.
a is connected to the short ring 14c by the connection wiring portion 14b, thereby preventing damage to the panel due to electrostatic discharge.
【００６２】また、ショートリング１４ｃは、例えば、
液晶表示パネルに組み立てた後のようなアクティブマト
リクス基板を形成した後に面取り加工等により除去され
るが、接続用端子部１４ａに接続された接続配線部１４
ｂの端部は、面取り加工により形成された傾斜面１１ｆ
から空気中に露出した状態になり、酸化および湿気によ
る腐食が発生するおそれがあるが、接続配線部１４ｂが
屈曲または湾曲状態に構成されて配線の長さが十分に長
くなっているために、接続配線部１４ｂの腐食の影響が
接続用端子部１４ａにおよぶおそれがない。したがっ
て、傾斜面１１ｆから露出した接続配線部１４ｂの端面
を保護樹脂１７によって被覆する必要がなく、また、接
続用端子部１４ａをガラス基板１１の側縁から遠方側に
配置する必要もない。The short ring 14c is, for example,
After the active matrix substrate is formed, such as after being assembled on a liquid crystal display panel, the connection wiring portion 14 connected to the connection terminal portion 14a is removed by chamfering or the like.
b has an inclined surface 11f formed by chamfering.
However, the connection wiring portion 14b is formed in a bent or curved state, and the length of the wiring is sufficiently long. There is no possibility that the corrosion of the connection wiring portion 14b will affect the connection terminal portion 14a. Therefore, it is not necessary to cover the end surface of the connection wiring portion 14b exposed from the inclined surface 11f with the protective resin 17, and it is not necessary to arrange the connection terminal portion 14a far from the side edge of the glass substrate 11.
【００６３】尚、接続配線部１４ｂの配線長さは、接続
配線部１４ｂをショートリング１４ｃに対して直交する
直線状に形成された場合の接続用端子部１４ａとショー
トリング１４ｃとの間の最短距離の２倍以上あることが
好ましい。The wiring length of the connection wiring portion 14b is the shortest between the connection terminal portion 14a and the short ring 14c when the connection wiring portion 14b is formed in a straight line perpendicular to the short ring 14c. Preferably, the distance is at least twice the distance.
【００６４】接続配線部１４ｂは、図２に示すような屈
曲形状に限らず、例えば、図４（ａ）に示すように、シ
ョートリング１４ｃとは直交する各方向にそれぞれ円弧
状に突出した湾曲部を有する蛇行形状であってもよく、
また、図４（ｂ）に示すように、ショートリング１４ｃ
の長手方向の各方向にそれぞれ角形状に突出した一対の
屈曲部をそれぞれ有する形状、図４（ｃ）に示すよう
に、ショートリング１４ｃと直交する方向に角形状にそ
れぞれ突出した一対の屈曲部をそれぞれ有する形状であ
ってもよい。The connection wiring portion 14b is not limited to the bent shape as shown in FIG. 2, but may be, for example, as shown in FIG. It may be a meandering shape having a part,
In addition, as shown in FIG.
4C, a pair of bent portions protruding in a rectangular shape in a direction orthogonal to the short ring 14c as shown in FIG. 4C. May be respectively provided.
【００６５】また、接続配線部１４ｂの幅寸法も、特に
限定されるものでなく、さらに、本発明は、ガラス基板
１１に一対の駆動用回路部品接続部１１ａ等の回路基板
接続領域が設けられている場合に限らず、ガラス基板１
１の周縁部の１箇所、３箇所、あるいは４箇所に、駆動
用回路部品接続部１１ａ等の回路基板接続領域が設けら
れている場合にも、本発明は適用することができる。The width dimension of the connection wiring portion 14b is not particularly limited. Further, according to the present invention, a circuit board connection region such as a pair of driving circuit component connection portions 11a is provided on the glass substrate 11. Glass substrate 1
The present invention can also be applied to a case where a circuit board connection region such as the drive circuit component connection portion 11a is provided at one, three, or four locations on one peripheral portion.
【００６６】以上、本発明の実施形態のアクティブマト
リクス基板は、スイッチング素子として、三端子素子で
ある薄膜トランジスタを用いた場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、例えば、ＭＩＭお
よびダイオードのような二端子素子を用いたアクティブ
マトリクス基板についても適用することができる。ま
た、本発明の実施形態のアクティブマトリクス基板は、
表示パネルとしても、液晶表示パネルについて説明した
が、これに限定されるものではなく、例えば、ＥＬ表示
パネル、エレクトロクロミック表示パネル等において
も、アクティブマトリクス基板の接続用端子をショート
リングで接続する場合に、適用することができる。As described above, the active matrix substrate according to the embodiment of the present invention has been described with respect to the case where a thin film transistor which is a three-terminal element is used as a switching element. However, the present invention is not limited to this. The present invention is also applicable to an active matrix substrate using such a two-terminal element. Further, the active matrix substrate of the embodiment of the present invention,
Although the liquid crystal display panel has been described as a display panel, the present invention is not limited to this. For example, even in an EL display panel, an electrochromic display panel, or the like, when a connection terminal of an active matrix substrate is connected by a short ring. Can be applied.
【００６７】[0067]
【発明の効果】本発明のアグティブマトリックス基板
は、各パネル周縁配線にそれぞれ設けられた接続用端子
部を、ガラス基板の側縁部に沿って設けられたショート
リングに対して、接続配線部を介してそれぞれ接続した
状態で、ガラス基板上に電極、スイッチング素子等を形
成した後に、ショートリングが設けられたガラス基板の
側縁部を加工するとともに、接続用端子部に直列に接続
されている接続配線部が屈曲形状で形成されていること
によって、表示部の占有面積を低下させることなく、接
続配線部の腐食による接続不良の防止が可能となる。According to the active matrix substrate of the present invention, the connection terminals provided on the peripheral wiring of each panel are connected to the short wiring provided along the side edge of the glass substrate. After forming electrodes, switching elements, and the like on the glass substrate in a state where they are connected via each other, the side edges of the glass substrate provided with the short ring are processed and connected in series to the connection terminal portions. By forming the connection wiring portion having a bent shape, it is possible to prevent a connection failure due to corrosion of the connection wiring portion without reducing the occupied area of the display portion.
【００６８】また、本発明のアグティブマトリックス基
板は、ＣＯＧ方式のアクティブマトリクス基板におい
て、ガラス基板の側縁部に設けられ、回路基板に接続さ
れる接続用端子部が、接続配線部を介して、ガラス基板
の側縁部に沿って設けられたショートリングに接続さ
れ、接続配線部が、屈曲または湾曲状に蛇行して形成さ
れているので、接続配線部のショートリングから接続用
端子部まで十分な配線の長さを取ることができるので、
表示部の占有面積を低下させることなく、接続配線部の
腐食による接続不良の防止が可能となる。In the active matrix substrate of the present invention, the active matrix substrate of the COG system is provided on a side edge of the glass substrate, and a connection terminal connected to the circuit board is connected via a connection wiring portion. Connected to a short ring provided along the side edge of the glass substrate, and since the connection wiring portion is formed to meander in a bent or curved shape, from the short ring of the connection wiring portion to the connection terminal portion. Because it can take enough wiring length,
It is possible to prevent the connection failure due to the corrosion of the connection wiring portion without reducing the occupied area of the display portion.
【００６９】また、本発明のアクティブマトリックス基
板によれば、接続用端子部とショートリングとを接続す
る接続配線部が屈曲または湾曲状に蛇行して形成されて
いるので、接続配線部のショートリングから接続用端子
部なで十分な配線の長さを取ることができるので、表示
部の占有面積を低下させることなく、接続配線部の腐食
による接続不良の防止が可能となり、配線の材料とし
て、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、また
は、これらを主成分とする金属で配線を形成することが
できるので、低抵抗の配線のアクティブマトリクス基板
が得られる。Further, according to the active matrix substrate of the present invention, since the connection wiring portion for connecting the connection terminal portion and the short ring is formed to meander in a bent or curved shape, the short ring of the connection wiring portion is formed. Since a sufficient wiring length can be obtained from the connection terminal portion, it is possible to prevent connection failure due to corrosion of the connection wiring portion without reducing the occupied area of the display portion, and as a wiring material, Since the wiring can be formed using aluminum (Al), molybdenum (Mo), or a metal containing these as a main component, an active matrix substrate having low-resistance wiring can be obtained.
【００７０】また、本発明のアクティブマトリックス基
板によれば、接続用端子部とショートリングとを接続す
る接続配線部が屈曲または湾曲状に蛇行して形成され、
接続配線部をショートリングに対して、直交する直線状
に形成した場合の接続用端子とショートリングとの間の
最短距離の２倍以上としたので、表示部の占有面積を低
下させることなく、接続配線部の腐食による接続不良の
防止が可能となる。According to the active matrix substrate of the present invention, the connection wiring portion for connecting the connection terminal portion and the short ring is formed to meander in a bent or curved shape.
Since the connection wiring portion is at least twice the shortest distance between the connection terminal and the short ring when formed in a straight line perpendicular to the short ring, without reducing the occupied area of the display portion, The connection failure due to the corrosion of the connection wiring portion can be prevented.
【００７１】また、本発明のアクティブマトリックス基
板の製造方法は、パネル周縁配線に設けられた接続用端
子部を、ガラス基板の側縁部に沿って設けられたショー
トリングに対して、屈曲状態になった接続配線部を介し
てそれぞれ接続した状態で、ガラス基板上に電極、スイ
ッチング素子等を形成した後に、ショートリングが設け
られたガラス基板の側縁部を加工することによって、製
造において保護樹脂の塗布工程が必要なく、工数削減が
可能となる。Further, according to the method of manufacturing an active matrix substrate of the present invention, the connection terminal portion provided on the panel peripheral wiring is bent with respect to the short ring provided along the side edge of the glass substrate. After forming electrodes, switching elements, and the like on the glass substrate in a state where they are connected via the connection wiring portions, the processing resin is processed into a side edge portion of the glass substrate provided with the short ring, so that the protective resin is produced in the production. This eliminates the need for a coating step, thereby reducing man-hours.
【図１】本発明の製造方法によって製造されたアクティ
ブマトリクス基板の周縁部における断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a peripheral portion of an active matrix substrate manufactured by a manufacturing method of the present invention.
【図２】本発明の実施形態であるパネル周縁配線に設け
られた接続用端子部、接続配線部、ショートリングを示
す拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view showing a connection terminal unit, a connection wiring unit, and a short ring provided on a panel peripheral wiring according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施形態である面取り後のパネル周縁
配線に設けられた接続用端子部、接続配線部、傾斜面の
拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a connection terminal portion, a connection wiring portion, and an inclined surface provided on a panel peripheral wiring after chamfering according to an embodiment of the present invention.
【図４】（ａ）は、本発明の第２の実施形態である接続
用端子部、接続配線部の拡大図、（ｂ）は、本発明の第
３の実施形態である接続用端子部、接続配線部の拡大
図、（ｃ）は、本発明の第４の実施形態である接続用端
子部、接続配線部の拡大図である。FIG. 4A is an enlarged view of a connection terminal unit and a connection wiring unit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a connection terminal unit according to a third embodiment of the present invention; And (c) is an enlarged view of a connection terminal portion and a connection wiring portion according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施形態であるアクティブマトリクス
基板のショートリングを除去する前の平面図である。FIG. 5 is a plan view before removing a short ring of an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の他の実施形態であるＣＯＧ方式のアク
ティブマトリクス基板のショートリングを除去する前の
平面図である。FIG. 6 is a plan view before removing a short ring of a COG type active matrix substrate according to another embodiment of the present invention.
【図７】液晶表示パネルに用いられるＴＣＰ方式のアク
ティブマトリクス基板の概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of a TCP active matrix substrate used for a liquid crystal display panel.
【図８】図７に示すアクティブマトリクス基板において
回路基板を取り除いた状態の概略平面図である。8 is a schematic plan view of the active matrix substrate shown in FIG. 7 with a circuit board removed.
【図９Ａ】液晶表示パネルに用いられるＣＯＧ方式のア
クティブマトリクス基板の概略平面図である。FIG. 9A is a schematic plan view of a COG type active matrix substrate used for a liquid crystal display panel.
【図９Ｂ】図９Ａに示すＣＯＧ方式のアクティブマトリ
クス基板において液晶駆動ＩＣおよび回路基板を取り除
いた状態の概略平面図である。FIG. 9B is a schematic plan view of the COG type active matrix substrate shown in FIG. 9A with a liquid crystal driving IC and a circuit board removed.
【図１０】従来のパネル周縁配線に設けられた接続用端
子部、接続配線部、ショートリングを示す拡大図であ
る。FIG. 10 is an enlarged view showing a connection terminal unit, a connection wiring unit, and a short ring provided on a conventional panel peripheral wiring.
【図１１】図７に示すアクティブマトリクス基板のＡ−
Ａ’線に沿った断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the active matrix substrate shown in FIG.
It is sectional drawing which followed the A 'line.
【図１２】従来の面取り後のパネル周縁配線に設けられ
た接続用端子部、接続配線部、傾斜面の拡大図である。FIG. 12 is an enlarged view of a connection terminal portion, a connection wiring portion, and an inclined surface provided in a conventional panel peripheral wiring after chamfering.
【図１３】図１１における接続配線部の消失の進行を示
す断面図である。13 is a cross-sectional view showing the progress of disappearance of the connection wiring portion in FIG.
【図１４】図１１における保護樹脂を塗布した場合の断
面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view when the protective resin in FIG. 11 is applied.
【図１５】アクティブマトリクス基板の側縁部に沿って
ショートリングを設けたアクティブマトリクス基板の平
面図である。FIG. 15 is a plan view of an active matrix substrate provided with short rings along side edges of the active matrix substrate.
１１ ガラス基板 １１ａ 駆動用回路部品接続部 １１ｃ 回路基板接続領域 １１ｄ 駆動用ＩＣ実装領域 １１ｆ 傾斜面 １２ 回路基板 １３ 表示部 １４ パネル周縁配線 １４ａ 接続用端子部 １４ｂ 接続配線部 １４ｃ ショートリング １５ パネル電極配線 １６ ベアチップＩＣ １７ 保護樹脂 １８ パネル保護膜 １９ 接着剤層 ２２ 消失部 REFERENCE SIGNS LIST 11 glass substrate 11 a drive circuit component connection section 11 c circuit board connection area 11 d drive IC mounting area 11 f inclined surface 12 circuit board 13 display section 14 panel peripheral wiring 14 a connection terminal section 14 b connection wiring section 14 c short ring 15 panel electrode wiring Reference Signs List 16 bare chip IC 17 protective resin 18 panel protective film 19 adhesive layer 22 disappearing part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｍ Ｆターム(参考） 2H092 GA40 GA45 GA50 GA60 JA03 JA24 JA37 JA41 NA15 PA01 5C094 AA32 AA42 AA43 BA03 BA27 BA43 BA52 CA19 EA04 EA07 EB02 5E338 AA01 AA15 BB75 CC01 CC05 CD12 CD15 CD17 CD33 EE13 EE32 EE33 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H05K 1/02 H05K 1/02 MF term (Reference) 2H092 GA40 GA45 GA50 GA60 JA03 JA24 JA37 JA41 NA15 PA01 5C094 AA32 AA42 AA43 BA03 BA27 BA43 BA52 CA19 EA04 EA07 EB02 5E338 AA01 AA15 BB75 CC01 CC05 CD12 CD15 CD17 CD33 EE13 EE32 EE33
Claims (6)
の配線が、基板上に設けられており、該基板の側縁部に
おいて、各配線にそれぞれ設けられた接続用端子部を、
該基板の側縁部に沿って設けられたショートリングに対
して、接続配線部を介してそれぞれ接続した状態で、該
基板上に電極、スイッチング素子等を形成した後に、該
基板の側縁部を加工して、ショートリングを取り除き、
各接続用端子部を駆動用回路部品と接続されるアクティ
ブマトリックス基板であって、該接続配線部が屈曲形状
で形成されていることを特徴とするアクティブマトリッ
クス基板。1. A plurality of wirings for a display unit provided on a substrate are provided on the substrate, and a connection terminal portion provided for each wiring is provided at a side edge of the substrate.
After forming electrodes, switching elements, and the like on the substrate in a state where they are connected to the short rings provided along the side edges of the substrate via connection wiring portions, respectively, the side edges of the substrate are formed. To remove the short ring,
An active matrix substrate, wherein each connection terminal portion is connected to a driving circuit component, wherein the connection wiring portion is formed in a bent shape.
の配線が、基板上に設けられており、該基板の側縁部に
おいて、該基板上に搭載される駆動用ＩＣに接続される
複数の配線にそれぞれ設けられた接続配線部を、該基板
の側縁部に沿って設けられたショートリングに対して、
接続配線部を介してそれぞれ接続した状態で、該基板上
に電極、スイッチング素子等を形成した後に、該基板の
側縁部を加工して、ショートリングを取り除き、各接続
用端子部を駆動用回路部品と接続されるアクティブマト
リックス基板であって、 該接続配線部が屈曲形状で形成されていることを特徴と
するアクティブマトリックス基板。2. A plurality of wirings for a display portion provided on a substrate are provided on the substrate, and a plurality of wirings connected to a driving IC mounted on the substrate at side edges of the substrate. The connection wiring portions respectively provided on the wirings of the above, with respect to the short ring provided along the side edge of the substrate,
After forming electrodes, switching elements, and the like on the substrate in a state where they are connected via the connection wiring portions, the side edges of the substrate are processed, the short ring is removed, and each connection terminal portion is driven. An active matrix substrate connected to a circuit component, wherein the connection wiring portion is formed in a bent shape.
が、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）
を主成分とする金属を用いて形成されている請求項１ま
たは２に記載のアクティブマトリックス基板。3. The connection terminal portion and the connection wiring portion are made of aluminum (Al) or aluminum (Al).
3. The active matrix substrate according to claim 1, wherein the active matrix substrate is formed using a metal mainly composed of:
が、モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン（Ｍｏ）を主
成分とする金属を用いて形成されている請求項１または
２に記載のアクティブマトリックス基板。4. The active matrix substrate according to claim 1, wherein the connection terminal portion and the connection wiring portion are formed using molybdenum (Mo) or a metal containing molybdenum (Mo) as a main component. .
用端子部からショートリングまでの最短距離の２倍以上
になっている請求項１または２に記載のアクティブマト
リックス基板。5. The active matrix substrate according to claim 1, wherein a wiring length of the connection wiring portion is at least twice a shortest distance from the connection terminal portion to a short ring.
基板において、 各配線にそれぞれ設けられた該接続用端子部を、該基板
の側縁部に沿って設けられたショートリングに対して、
屈曲状態になった接続配線部を介してそれぞれ接続した
状態で、該基板上に電極、スイッチング素子等を形成し
た後に、ショートリングが設けられた該基板の側縁部を
加工することを特徴とするアクティブマトリックス基板
の製造方法。6. The active matrix substrate according to claim 1, wherein the connection terminals provided on each of the wirings are connected to a short ring provided along a side edge of the substrate.
After forming electrodes, switching elements, and the like on the substrate in a state where they are connected via the connection wiring portions in a bent state, a side edge of the substrate provided with a short ring is processed. Of manufacturing an active matrix substrate.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001091490A JP2002287662A (en) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Active matrix substrate and method of manufacturing for the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |