JP2002285339A - Film depositing apparatus - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film depositing apparatus capable of improving physical properties of a deposited film, the film deposition speed, reproducibility and productivity of the film, remarkably improving the yield in mass production, and considerably reducing the production cost. SOLUTION: The film depositing apparatus comprises an evacuative reaction vessel (not shown) capable of housing a cylindrical base body 301, a raw gas feeder (not shown) for introducing raw gas in the reaction vessel, an exhaust device for exhausting gas inside the reaction vessel, and a high-frequency matching box (not shown) for introducing the power for decomposing the introduced gas. One end of the base body 301 is supported by an auxiliary base body 302, and a cylindrical auxiliary base body cap 303 having the same outside diameter as that of the base body 301 is fitted to the other end of the base body 301. A ring-shaped member 304 having the base body 301 and the auxiliary base body cap 303 disposed concentrically is disposed on inner wall surface sides of the base body 301 and the auxiliary base body cap 303.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、堆積膜形成装置に
関し、特に、光（ここでは、紫外線、可視光線、赤外
線、Ｘ線、γ線等の広義の光を指す。）のような電磁波
に感受性のある光受容部材を安定して形成するのに適し
た堆積膜形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for forming a deposited film, and more particularly, to an electromagnetic wave such as light (here, light in a broad sense such as ultraviolet light, visible light, infrared light, X-ray, and γ-ray). The present invention relates to a deposited film forming apparatus suitable for stably forming a sensitive light receiving member.

【０００２】[0002]

【従来の技術】固体撮像装置、あるいは像形成分野にお
ける電子写真用光受容部材や原稿読み取り装置における
光導電層を形成する材料には、高感度でＳＮ比［光電流
（Ｉｐ）／（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に無害であること、さらには固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理する
ことができること等の特性が要求される。特に事務機と
してオフィスで使用される電子写真用光受容部材の場合
には、上記の使用時における無害性は重要な点である。
このような観点に立脚して注目されている材料に、水素
やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンドが
修飾されたアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」
と表記する。）があり、例えば特開昭５４−８６３４１
号公報にはａ−Ｓｉを電子写真用光受容部材へ応用する
ことが記載されている。2. Description of the Related Art Materials for forming a photoconductive layer in a solid-state imaging device, an electrophotographic light-receiving member in the field of image formation, and a document reading device have a high sensitivity and an SN ratio [photocurrent (Ip) / (Id)]. ] High, having absorption spectrum characteristics matching the spectral characteristics of the irradiating electromagnetic wave, fast photoresponse, and having a desired dark resistance value;
Characteristics such as being harmless to the human body at the time of use, and being capable of easily processing an afterimage within a predetermined time are required in a solid-state imaging device. Particularly in the case of an electrophotographic light-receiving member used in an office as an office machine, the above-mentioned harmlessness at the time of use is important.
A material that has attracted attention from this viewpoint is amorphous silicon (hereinafter, “a-Si”) in which a dangling bond is modified with a monovalent element such as hydrogen or a halogen atom.
Notation. ), For example, in JP-A-54-86341.
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. HEI 9-276139 describes that a-Si is applied to a light receiving member for electrophotography.

【０００３】電子写真用光受容部材としては種々の形態
が知られているが、いわゆるドラム状の形態とするもの
が一般的である。この場合、円筒状の基体の表面に光導
電層などの所望とする層、すなわち光受容層を形成して
光受容部材を形成する。円筒状基体上にａ−Ｓｉからな
る光受容層を形成する場合には、スパッタリング法、熱
により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光によ
り原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマに
より原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）等が
多数知られている。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわ
ち、原料ガスをＲＦ高周波やＶＨＦ高周波によるグロー
放電等によって分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成す
る方法は、電子写真用光受容部材の形成方法等におい
て、現在、実用化が非常に進んでいる。Various types of electrophotographic light-receiving members are known, and those having a so-called drum shape are generally used. In this case, a desired layer such as a photoconductive layer, that is, a light receiving layer is formed on the surface of the cylindrical substrate to form a light receiving member. When a light-receiving layer made of a-Si is formed on a cylindrical substrate, a sputtering method, a method of decomposing a source gas by heat (thermal CVD method), and a method of decomposing a source gas by light (photo CVD method) There are many known methods for decomposing a source gas by plasma (plasma CVD method). Above all, the plasma CVD method, that is, a method of decomposing a raw material gas by glow discharge with RF high frequency or VHF high frequency to form a deposited film on a cylindrical substrate is currently used in a method of forming a light receiving member for electrophotography. Practical application is very advanced.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような光受容部材
において、従来から、膜厚や膜質の均一化の面で様々な
改良がなされ、歩留の面で改善されてきたが、総合的な
特性向上を図る上でさらに改良される余地が存在するの
が実情である。特に、電子写真装置の高画質、高速化、
高耐久化は急速に進んでおり、電子写真用感光体として
用いる場合においては電気的特性や光導電特性の更なる
向上とともに、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境
下で大幅に性能を向上させることが求められている。そ
して、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装
置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の改良がな
された結果、電子写真用感光体においても従来以上の画
像特性の向上が求められるようになった。特にアモルフ
ァスシリコン系感光体（光受容部材）の更なる高画質化
への課題として、更に、均一な膜を得るとともに、微小
な画像欠陥の発生を抑制することが挙げられる。この微
小な画像欠陥は、成膜中に基体以外、すなわち反応空間
内や、補助基体及び補助基体キャップの外面に付着した
膜等が基体上に飛散し、堆積膜が異常成長することによ
って発生する。そのため、基体以外に付着した膜等の生
成物が基体へと飛散することを防止しなければならな
い。In such a light receiving member, various improvements have conventionally been made in terms of making the film thickness and film quality uniform, and the yield has been improved. Actually, there is room for further improvement in improving the characteristics. In particular, high image quality, high speed,
High durability is rapidly progressing, and when used as a photoreceptor for electrophotography, the electrical and photoconductive properties are further improved, and the performance is greatly improved in all environments while maintaining the charging ability and sensitivity. It is required to be. Improvements in the optical exposure device, developing device, transfer device, and the like in the electrophotographic apparatus have been made in order to improve the image characteristics of the electrophotographic apparatus. Is now available. In particular, as issues for further improving the image quality of the amorphous silicon photoreceptor (light receiving member), it is necessary to obtain a uniform film and to suppress the occurrence of minute image defects. This minute image defect occurs when a film other than the substrate during film formation, that is, a film or the like attached to the reaction space or the outer surface of the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap scatters on the substrate, and the deposited film abnormally grows. . Therefore, it is necessary to prevent products such as a film attached to the substrate other than the substrate from scattering to the substrate.

【０００５】このようなことから、従来、例えばａ−Ｓ
ｉからなる電子写真用光受容部材を形成する場合、円筒
状基体を真空反応容器内に挿入して保持させる必要があ
るため、円筒状基体内部に補助基体を挿入することが行
われている。また、例えば特開昭６０−８６２７６号公
報には、基体の上下に補助基体を設けて特性の均一性を
図る技術が開示されている。更に、例えば、特開昭５８
−１４７０２６号公報には、基体の両端に基体と同一の
外径を有する補助管を配置して特性の均一化を図る技術
が開示されている。また、例えば、実開平４-９２５５
５号公報には、基体の上部に配置したダミーリングに絶
縁板を設け、反応室上部からの膜及び粉体の落下を防止
し、基体の成膜欠陥を減少させる技術が開示されてい
る。[0005] For this reason, conventionally, for example, aS
When the electrophotographic light receiving member made of i is formed, it is necessary to insert and hold the cylindrical base in the vacuum reaction vessel, and therefore, the auxiliary base is inserted inside the cylindrical base. Further, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-86276 discloses a technique in which auxiliary bases are provided above and below a base to improve the uniformity of characteristics. Further, for example, Japanese Patent Application Laid-Open
Japanese Patent Application Laid-Open No. 147,026 discloses a technique for arranging auxiliary tubes having the same outer diameter as the base at both ends of the base to achieve uniform characteristics. In addition, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 4-9255
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-53139 discloses a technique in which an insulating plate is provided on a dummy ring disposed on an upper portion of a base to prevent films and powders from dropping from the upper portion of the reaction chamber and reduce film formation defects on the base.

【０００６】これらの従来技術により、上記課題につい
て膜厚および膜質の均一化がある程度可能になってはき
たが、更なる特性の均一性と画像品質の向上に関しては
未だ改善の余地がある。[0006] These prior arts have made it possible to some extent to make the film thickness and film quality uniform with respect to the above problems, but there is still room for improvement in further uniformity of characteristics and improvement in image quality.

【０００７】また、生産におけるコストにおいても未だ
改善の余地があることから、双方が効果的に解決できる
ことが望ましい。Further, since there is still room for improvement in production costs, it is desirable that both can be effectively solved.

【０００８】このことから、本発明は、上記した従来技
術における諸問題を解決し、形成される膜の諸物性、堆
積膜形成速度、再現性及び膜の生産性を向上させ、量産
化を行う場合に、その歩留まりを飛躍的に向上させると
ともに、生産コストを大幅に低減させることが可能な堆
積膜形成装置を提供することを目的とする。Accordingly, the present invention solves the above-mentioned problems in the prior art, improves the physical properties of a film to be formed, the deposition film formation speed, reproducibility, and the productivity of the film, and performs mass production. In this case, it is an object of the present invention to provide a deposited film forming apparatus capable of dramatically improving the yield and significantly reducing the production cost.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の堆積膜形成装置は、筒状の基体を内包でき
る減圧可能な反応容器と、前記反応容器中に原料ガスを
導入するガス供給手段と、前記反応容器を排気する排気
手段と、前記導入されたガスを分解する電力を導入する
電力導入手段とを備え、前記基体の一方の端部は補助基
体で支持されており、前記基体の他方の端部には前記基
体と同じ外径を有する筒状の補助基体キャップが取り付
けられている、前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形
成装置において、前記基体および前記補助基体キャップ
の内壁面側には、前記基体と前記補助基体キャップとを
互いに同軸上に配置するリング状部材が配設されている
ことを特徴とする。In order to achieve the above object, a deposition film forming apparatus according to the present invention comprises a reaction vessel capable of containing a cylindrical substrate and capable of reducing pressure, and a gas for introducing a raw material gas into the reaction vessel. A supply unit, an exhaust unit for exhausting the reaction vessel, and an electric power introduction unit for introducing electric power for decomposing the introduced gas, and one end of the base is supported by an auxiliary base, A deposition film forming apparatus for forming a deposition film on a substrate, wherein a cylindrical auxiliary substrate cap having the same outer diameter as the substrate is attached to the other end of the substrate, the substrate and the auxiliary substrate cap On the inner wall surface side, a ring-shaped member for arranging the base and the auxiliary base cap coaxially with each other is provided.

【００１０】上記本発明のように構成された堆積膜形成
装置によれば、補助基体キャップを基体に取り付けるた
めの薄肉厚部を補助基体キャップに形成する必要が無く
なるので、補助基体キャップに対して液体ホーニングに
よるブラスト処理を行う際に、補助基体キャップが変形
してしまうことが防止される。これにより、補助基体キ
ャップは、連続生産のために長期にわたって使用されて
も変形することがなくなり、繰り返し使用しても基体に
対して同軸上に位置決めすることができる。その結果、
基体と補助基体キャップとの相接している部分の位置ず
れによる段差がなくなり、堆積膜形成中にこの段差部か
ら膜剥がれが生じることを無くすことができ、基体へ膜
片等が飛散することを抑えることができる。そのため、
飛散してきた膜片等を核として堆積膜が異常成長して画
像欠陥が発生することを抑えることができ、その結果と
して、膜の諸物性、堆積膜形成速度、再現性及び膜の生
産性を向上させ、量産化を行う場合に、その歩留まりを
飛躍的に向上させるとともに、生産コストを大幅に低減
させることが可能となる。According to the deposited film forming apparatus constructed as in the present invention, it is not necessary to form a thin thick portion on the auxiliary substrate cap for attaching the auxiliary substrate cap to the substrate. When performing blasting by liquid honing, deformation of the auxiliary base cap is prevented. Accordingly, the auxiliary substrate cap does not deform even when used for a long period of time for continuous production, and can be positioned coaxially with the substrate even when used repeatedly. as a result,
There is no step due to misalignment of the part where the base and the auxiliary base cap are in contact with each other, and it is possible to eliminate the occurrence of film peeling from the step during the formation of the deposited film, and the scattering of film pieces and the like to the base. Can be suppressed. for that reason,
It is possible to suppress the occurrence of image defects due to abnormal growth of the deposited film using the scattered film pieces as nuclei, and as a result, the physical properties of the film, the deposition film formation speed, reproducibility, and the productivity of the film are reduced. In the case of mass production, the yield can be significantly improved, and the production cost can be significantly reduced.

【００１１】さらに、前記補助基体キャップの内壁面に
は前記リング状部材が装着される凹状段差部が形成され
ている構成としてもよい。Further, a concave step portion to which the ring-shaped member is mounted may be formed on an inner wall surface of the auxiliary base cap.

【００１２】また、前記基体は金属材料で構成されてお
り、前記補助基体および前記補助基体キャップの母材は
前記基体を構成する金属材料からなる構成としてもよ
い。Further, the base may be made of a metal material, and the base materials of the auxiliary base and the auxiliary base cap may be made of a metal material forming the base.

【００１３】さらに、前記金属材料はアルミニウムまた
はアルミニウム合金である構成としてもよい。Further, the metal material may be aluminum or an aluminum alloy.

【００１４】また、前記リング状部材の母材はステンレ
ス鋼またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金から
なる構成としてもよい。Further, the base material of the ring-shaped member may be made of stainless steel, aluminum or aluminum alloy.

【００１５】また、前記堆積膜はシリコン原子を母材と
する非結晶材料からなる光受容部材用堆積膜である構成
としてもよい。Further, the deposited film may be a deposited film for a light receiving member made of an amorphous material containing silicon atoms as a base material.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００１７】図１は、本発明に係る光受容部材の層構成
を示す模式的構成図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing the layer structure of the light receiving member according to the present invention.

【００１８】図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１
００は、光受容部材用の基体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。光受容層１０２は、例えば水素
原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有す
るアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）を含む光導電性を有する光導電層
１０３と、アモルファスシリコン系又はアモルファスカ
ーボン系の材料からなる表面層１０４と、アモルファス
シリコン系の材料からなる電荷注入阻止層１０５とを有
している。Light receiving member 1 for electrophotography shown in FIG.
Reference numeral 00 denotes a light receiving layer 1 on a substrate 101 for a light receiving member.
02 is provided. The light-receiving layer 102 is made of, for example, amorphous silicon containing a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X) (hereinafter, “a-Si (H,
X) ". ), A photoconductive layer 103 having photoconductivity, a surface layer 104 made of an amorphous silicon-based or amorphous carbon-based material, and a charge injection blocking layer 105 made of an amorphous silicon-based material.

【００１９】図１（ｂ）は、本発明の電子写真用光受容
部材の他の層構成を示す模式的構成図である。図１
（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部
材用の基体１０１の上に、光受容層１０２が設けられて
いる。光受容層１０２は、例えば、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）
を含む電荷発生層１０６および電荷輸送層１０７で構成
された光導電層１０３と、アモルファスシリコン系また
はアモルファスカーボン系の材料からなる表面層１０４
と、アモルファスシリコン系の材料からなる電荷注入阻
止層１０５とを有している。FIG. 1B is a schematic structural view showing another layer constitution of the electrophotographic light receiving member of the present invention. Figure 1
In the light receiving member 100 for electrophotography shown in (b), a light receiving layer 102 is provided on a substrate 101 for a light receiving member. The light receiving layer 102 is made of, for example, a-Si (H, X).
A photoconductive layer 103 composed of a charge generation layer 106 and a charge transporting layer 107 containing a material, and a surface layer 104 made of an amorphous silicon-based or amorphous carbon-based material.
And a charge injection blocking layer 105 made of an amorphous silicon-based material.

【００２０】これらの堆積膜の形成に従来から用いられ
ている一般的な補助基体および補助基体キャップは、図
２に示すような形状を有している。A general auxiliary substrate and auxiliary substrate cap conventionally used for forming these deposited films have a shape as shown in FIG.

【００２１】表面に堆積膜が形成される基体２０１の両
端には、内壁面に凹状の段差が形成されている。この凹
状段差部は、複写機本体（不図示）等に装着するための
フランジを取り付けるためにも用いられる。基体２０１
の上側の端部の凹状段差部には補助基体キャップ２０３
が嵌め込まれている。At both ends of the substrate 201 on which a deposited film is formed, a concave step is formed on the inner wall surface. The concave step is also used to attach a flange to be mounted on a copying machine main body (not shown) or the like. Substrate 201
The auxiliary base cap 203 is provided at the concave step on the upper end of
Is fitted.

【００２２】補助基体キャップ２０３は、基体２０１の
上端の凹状段差部に嵌め込まれるように、一方の端部の
外壁面に凹状の段差が形成されている。補助基体キャッ
プ２０３の外壁面に形成された凹状段差部と、基体２０
１の上側端部の内壁面に形成された凹状段差部とを嵌合
させることにより、基体２０１と補助基体キャップ２０
３とが高い精度で同軸上に配置される。The auxiliary base cap 203 has a concave step formed on the outer wall surface at one end so as to be fitted into the concave step at the upper end of the base 201. A concave step formed on the outer wall surface of the auxiliary base cap 203;
The base 201 and the auxiliary base cap 20 are fitted by fitting a concave step formed on the inner wall surface at the upper end of the base 201.
3 are arranged coaxially with high accuracy.

【００２３】また、基体２０１の下側の端部の凹状段差
部には補助基体２０２が嵌め込まれている。補助基体２
０２の外壁面の一部には、基体２０１の凹状段差部が嵌
め込まれる凹状の段差が形成されている。基体２０１
は、基体２０１の下側端部の内壁面に形成された凹状段
差部と補助基体２０２の外壁面に形成された凹状段差部
との嵌め合いによって、補助基体２０２に対する位置決
めがなされている。An auxiliary base 202 is fitted into the concave step at the lower end of the base 201. Auxiliary substrate 2
A recessed step into which the recessed step portion of the base 201 is fitted is formed on a part of the outer wall surface of the substrate 02. Substrate 201
Is positioned with respect to the auxiliary base 202 by fitting a concave step formed on the inner wall surface at the lower end of the base 201 with a concave step formed on the outer wall surface of the auxiliary base 202.

【００２４】補助基体２０２及び補助基体キャップ２０
３は、連続生産時のコストを低減させるために、堆積膜
形成後に真空反応容器から取り出された後、毎回、液体
ホーニングによりブラスト処理して、付着している膜等
が取り除かれ、再使用される。Auxiliary substrate 202 and auxiliary substrate cap 20
3. In order to reduce the cost of continuous production, after the film is taken out of the vacuum reactor after the formation of the deposited film, it is blasted by liquid honing every time to remove the adhering film and the like and reused. You.

【００２５】液体ホーニングによるブラスト処理は、ガ
ラスビーズと水とを混合した処理液を高圧空気により処
理物の表面に吹き付けるものである。これにより、補助
基体キャップ２０３に付着した膜等は取り除かれて清浄
化されるが、補助基体キャップ２０３のうちの部分的に
肉厚が薄い部分である凹状段差部は、本来膜等が付着し
ない部分であるにもかかわらず、この処理により同時に
ブラスト処理がなされてしまう。そのため、補助基体キ
ャップ２０３が長期的に使用されて何度もブラスト処理
が為されると、その凹状段差部が変形してしまう。In the blasting treatment by liquid honing, a treatment liquid in which glass beads and water are mixed is sprayed onto the surface of a treatment object by high-pressure air. As a result, the film or the like attached to the auxiliary base cap 203 is removed and cleaned. However, the concave step portion of the auxiliary base cap 203 which is a partially thin portion does not originally adhere to the film or the like. Although this is a part, the blast processing is performed simultaneously by this processing. Therefore, if the auxiliary substrate cap 203 is used for a long time and blasting is performed many times, the concave step portion is deformed.

【００２６】すると、補助基体キャップ２０３の凹状段
差部と基体２０１の凹状段差部との嵌め合い精度が低下
し、基体２０１の中心軸と補助基体キャップ２０３の中
心軸とがずれてしまい、相接している部分の位置ずれが
生じ、基体２０１と補助基体キャップ２０３との双方の
端部が部分的に段差を形成してしまう。そのため、堆積
膜形成中に、放電集中を原因とする膜剥がれがその段差
部分に起こり、基体２０１へ膜片等が飛散してしまう。
その結果、飛散してきた膜片等を核として堆積膜が異常
成長し、画像欠陥（画像上に生じるいわゆる「黒ぽ
ち」）が発生してしまう。また、この放電異常により、
基体２０１の端部で堆積膜の膜厚が不均一になってしま
う。Then, the fitting accuracy between the concave step portion of the auxiliary substrate cap 203 and the concave step portion of the substrate 201 is reduced, and the central axis of the substrate 201 and the central axis of the auxiliary substrate cap 203 are shifted. As a result, a misalignment occurs, and both ends of the base 201 and the auxiliary base cap 203 partially form a step. For this reason, during the formation of the deposited film, film peeling due to the concentration of electric discharge occurs at the step portion, and a piece of the film or the like scatters on the substrate 201.
As a result, the deposited film abnormally grows with the scattered film pieces and the like as nuclei, and an image defect (a so-called “black spot” generated on the image) occurs. Also, due to this discharge abnormality,
At the end of the base 201, the thickness of the deposited film becomes uneven.

【００２７】積層される堆積膜の中でも特に表面層１０
４（図１参照）は、膜厚が０．０１μｍ〜３μｍ程度と
薄いため、放電電力に少しの「むら」が生じただけでも
影響を受けやすく、外観上「色むら」が生じてしまう。
この「色むら」は、光受容部材としての機能面では問題
にはならないが、外観欠陥となってしまう。Among the deposited films to be laminated, especially the surface layer 10
No. 4 (see FIG. 1) has a film thickness as thin as about 0.01 μm to 3 μm, so that even a small amount of “unevenness” in the discharge power is easily affected, and “color unevenness” occurs in appearance.
This “color unevenness” does not cause a problem in terms of function as a light receiving member, but causes an appearance defect.

【００２８】また、補助基体キャップ２０３が変形する
と、堆積膜形成前に基体２０１へ補助基体キャップ２０
３を装着する際に、基体２０１の凹状段差部に傷をつけ
てしまう。基体２０１の凹状段差部に傷が生じると、基
体２０１を電子写真装置に組み込む際に、フランジ装着
時の精度不良や装着不能が引き起こされてしまう。この
変形が大きいと、補助基体キャップ２０３は使用不能と
なり、新品と交換する必要があり、生産コストにも悪影
響を及ぼしてしまう。When the auxiliary substrate cap 203 is deformed, the auxiliary substrate cap 20 is attached to the substrate 201 before forming a deposited film.
At the time of mounting 3, the concave step portion of the base 201 is damaged. If the concave step portion of the base 201 is damaged, when the base 201 is incorporated into the electrophotographic apparatus, poor accuracy or inability to mount the flange is caused. If this deformation is large, the auxiliary base cap 203 becomes unusable, needs to be replaced with a new one, and adversely affects the production cost.

【００２９】本来、補助基体キャップ２０３は、堆積膜
形成中に分解された化学種が基体２０１の内面側へまわ
り込むことを防止する目的で基体２０１の上端に装着さ
れている。しかし、補助基体キャップ２０３は、堆積膜
形成工程においても基体２０１の上端に装着されるた
め、補助基体キャップ２０３に堆積される堆積膜が膜剥
がれを起こさないことが要求されることから、堆積膜形
成中の補助基体キャップ２０３の存在も堆積膜形成にお
いては非常に重要なものとなる。そのため、基体２０１
と補助基体キャップ２０３とを同軸上に位置決めし、前
述の段差が生じることがないような構成にする必要があ
る。Originally, the auxiliary substrate cap 203 is mounted on the upper end of the substrate 201 for the purpose of preventing the chemical species decomposed during the formation of the deposited film from entering the inner surface of the substrate 201. However, since the auxiliary substrate cap 203 is mounted on the upper end of the substrate 201 even in the deposited film forming step, it is required that the deposited film deposited on the auxiliary substrate cap 203 does not peel off. The presence of the auxiliary substrate cap 203 during formation is also very important in forming a deposited film. Therefore, the base 201
The auxiliary base cap 203 and the auxiliary base cap 203 need to be positioned coaxially so that the above-mentioned step does not occur.

【００３０】本発明は、これらの諸問題を解決すべく鋭
意研究を行った結果なされたものであり、本発明の堆積
膜形成装置は、基体および補助基体キャップの内壁面側
に、基体と補助基体キャップとを互いに同軸上に配置す
るリング状部材が配設されている。The present invention has been made as a result of intensive studies to solve these problems. The apparatus for forming a deposited film according to the present invention has a structure in which a substrate and an auxiliary substrate cap are provided on the inner wall surface side of the substrate and the auxiliary substrate cap. A ring-shaped member for arranging the base cap coaxially with each other is provided.

【００３１】図３は、本発明に係る基体の支持構造を示
す図である。FIG. 3 is a view showing a support structure for a base according to the present invention.

【００３２】図３（ａ）〜（ｄ）のいずれの例も、リン
グ状部材３０４によって、基体３０１と補助基体キャッ
プ３０３との位置決め行う構成となっており、基体３０
１と補助基体キャップ３０３とが同軸上に位置決めされ
る。このようにリング状部材３０４を介して基体３０１
に補助基体キャップ３０３を取り付けることにより、図
（ａ）〜（ｄ）のいずれの例においても、補助基体キャ
ップ３０３の薄肉厚部を無くすことができ、液体ホーニ
ングによるブラスト処理で変形してしまうことが防止さ
れている。Each of FIGS. 3A to 3D has a configuration in which the base 301 and the auxiliary base cap 303 are positioned by the ring-shaped member 304.
1 and the auxiliary base cap 303 are positioned coaxially. As described above, the base 301 is interposed via the ring-shaped member 304.
(A) to (d), the auxiliary base cap 303 can be removed from the thin and thick portion in any of the examples of FIGS. Has been prevented.

【００３３】図３（ａ）および（ｃ）に示す例では、リ
ング状部材３０４の上端が放電空間内に露出するため、
その上端面上に堆積膜が形成される。しかし、堆積膜が
形成されるのは上端面のみであるので堆積面積が小さい
ことから、リング状部材３０４に対して液体ホーニング
によるブラスト処理を行う時間は短く、また処理液の吹
き付け方向は上端面に対して垂直な方向であることか
ら、長期的にもブラスト処理によるリング状部材３０４
の変形は少ない。In the example shown in FIGS. 3A and 3C, since the upper end of the ring-shaped member 304 is exposed in the discharge space,
A deposited film is formed on the upper end surface. However, since the deposited film is formed only on the upper end surface, the deposition area is small. Therefore, the time for performing the blast processing by the liquid honing on the ring-shaped member 304 is short, and the spraying direction of the processing liquid is set on the upper end surface. The ring-shaped member 304 by blasting for a long period of time.
There is little deformation.

【００３４】また、図３（ｂ）および（ｄ）に示す例で
は、補助基体キャップ３０３の内壁面には基体３０１と
同じ深さの凹状段差が形成されており、補助基体キャッ
プ３０３の内壁面の凹状段差部と基体３０１の内壁面の
凹状段差部とにリング状部材３０４を装着することによ
り、基体３０１に補助基体キャップ３０３が取り付けら
れている。この構成では、リング状部材３０４が放電空
間内に露出しないため、リング状部材３０４には堆積膜
が形成されない。このため、リング状部材３０４に対し
て液体ホーニングによるブラスト処理を行う必要性がな
い。In the example shown in FIGS. 3B and 3D, a concave step having the same depth as the base 301 is formed on the inner wall surface of the auxiliary base cap 303. The auxiliary base cap 303 is attached to the base 301 by attaching the ring-shaped member 304 to the concave step and the concave step on the inner wall surface of the base 301. In this configuration, since the ring-shaped member 304 is not exposed in the discharge space, no deposited film is formed on the ring-shaped member 304. Therefore, there is no need to perform blasting by liquid honing on the ring-shaped member 304.

【００３５】なお、図３（ａ）および（ｂ）に示す例は
基体３０１の下端部の内壁面に凹状段差が形成されてい
るのに対し、図３（ｃ）および（ｄ）に示す例では基体
３０１に凹状段差は形成されていない。このように、基
体３０１に凹状段差が形成されているか否かに係わら
ず、基体３０１と補助基体３０２を同軸上に位置決めす
ることが可能である。The examples shown in FIGS. 3A and 3B have a concave step formed on the inner wall surface at the lower end of the base 301, whereas the examples shown in FIGS. 3C and 3D. No concave step is formed in the substrate 301. Thus, regardless of whether or not a concave step is formed in the base 301, the base 301 and the auxiliary base 302 can be positioned coaxially.

【００３６】上述の構成により、補助基体キャップ３０
３は、連続生産のために長期にわたって使用されても変
形することがなくなり、繰り返し使用しても基体３０１
に対して同軸上に位置決めすることができる。その結
果、基体３０１と補助基体キャップ３０３との相接して
いる部分の位置ずれによる段差がなくなり、堆積膜形成
中の膜剥がれを無くすことができ、基体３０１へ膜片等
が飛散することを抑えることができる。そのため、飛散
してきた膜片等を核として堆積膜が異常成長して画像欠
陥（いわゆる画像上での「黒ぽち」）が発生することを
抑えることができる。With the above configuration, the auxiliary base cap 30
3 does not deform even when used for a long period of time for continuous production, and the substrate 301
Can be positioned coaxially with respect to. As a result, there is no step due to misalignment of a portion where the base 301 and the auxiliary base cap 303 are in contact with each other, it is possible to eliminate film peeling during formation of a deposited film, and to prevent film fragments and the like from scattering on the base 301. Can be suppressed. For this reason, it is possible to suppress the occurrence of image defects (so-called “black spots” on the image) due to abnormal growth of the deposited film using the scattered film pieces and the like as nuclei.

【００３７】さらに、基体３０１と補助基体キャップ３
０３との位置ずれによる段差がなくなることで、表面層
１０４（図１参照）の外観異常である「色むら」の発生
も抑えることができる。Further, the substrate 301 and the auxiliary substrate cap 3
Eliminating the step due to the displacement with respect to the surface layer 03 can also suppress the occurrence of “color unevenness” which is an abnormal appearance of the surface layer 104 (see FIG. 1).

【００３８】また、リング状部材３０４はブラスト処理
によって変形することが無いため、堆積膜形成前に基体
３０１へ補助基体キャップ３０３を装着する際に、基体
３０１の凹状段差部に傷をつけてしまうことも防止され
る。そのため、基体３０１を電子写真装置に組み込む際
のフランジ装着精度を損なうことが無くなる。Further, since the ring-shaped member 304 is not deformed by the blasting process, the concave step portion of the substrate 301 is damaged when the auxiliary substrate cap 303 is mounted on the substrate 301 before forming the deposited film. Is also prevented. Therefore, the mounting accuracy of the flange when the base body 301 is incorporated in the electrophotographic apparatus is not lost.

【００３９】さらに、上記のように、補助基体キャップ
３０３及びリング状部材３０４はいずれもブラスト処理
による変形が起こらないため、新品に交換するまでの期
間を長くすることが可能となり、生産コストを大幅に低
減させることができる。ただし、リング状部材３０４は
長期的使用されると若干の変形が起きる場合があるが、
この場合においても、交換が必要となる部品はリング状
部材３０４のみであることから、補助基体キャップ３０
３の交換が不要になる分だけ生産コストの低減効果が得
られる。Further, as described above, since neither the auxiliary base cap 303 nor the ring-shaped member 304 is deformed by blasting, it is possible to lengthen the period until replacement with a new one, and the production cost is greatly reduced. Can be reduced. However, the ring-shaped member 304 may be slightly deformed when used for a long time,
Also in this case, since only the ring-shaped member 304 needs to be replaced, the auxiliary base cap 30
The effect of reducing the production cost is obtained as much as the replacement of 3 is unnecessary.

【００４０】また、補助基体３０２及び補助基体キャッ
プ３０３の母材となる金属材料は、基体３０１と同種類
の金属を含むことが好ましい。一般に、光受容部材の基
体としてはＡｌ又はＡｌ合金が用いられるので、補助基
体３０２及び補助基体キャップ３０３の母材となる金属
材料はＡｌであることが望ましい。The metal material serving as the base material of the auxiliary base 302 and the auxiliary base cap 303 preferably contains the same kind of metal as the base 301. Generally, Al or an Al alloy is used as the base of the light receiving member. Therefore, it is desirable that the metal material serving as the base material of the auxiliary base 302 and the auxiliary base cap 303 be Al.

【００４１】また、リング状部材３０４の母材となる材
料には、加工性、耐熱性の面からステンレス鋼またはＡ
ｌもしくはＡｌ合金を用いることが好ましいが、例え
ば、耐熱性樹脂等の材料も使用可能である。The base material of the ring-shaped member 304 is made of stainless steel or A from the viewpoint of workability and heat resistance.
Although it is preferable to use l or Al alloy, for example, a material such as a heat-resistant resin can also be used.

【００４２】また、リング状部材３０４の肉厚は特に制
限は無いが、強度面、補助基体３０２の径との関係か
ら、０.３ｍｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。The thickness of the ring-shaped member 304 is not particularly limited, but is preferably 0.3 mm or more and 3 mm or less in view of the strength and the diameter of the auxiliary base 302.

【００４３】また、図３では、補助基体キャップ３０３
と基体３０１との同軸上の位置決めを行うためにリング
状部材３０４が装着される構成が示されているが、この
リング状部材３０４は、補助基体３０２と基体３０１と
の同軸上の位置決めに用いても何ら支障は無い。Also, in FIG.
A configuration is shown in which a ring-shaped member 304 is mounted to perform coaxial positioning between the auxiliary base 302 and the base 301. The ring-shaped member 304 is used for coaxial positioning between the auxiliary base 302 and the base 301. There is no hindrance.

【００４４】本実施形態における補助基体キャップ３０
３の外周面の表面粗さは、十点平均粗さ（Ｒｚ）で４０
μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下にすることが好まし
く、補助基体３０２の外周面の表面粗さは、十点平均粗
さ（Ｒｚ）で５〜２００μｍが好ましく、１０〜９０μ
ｍがより好ましい。Auxiliary base cap 30 in this embodiment
The surface roughness of the outer peripheral surface of No. 3 is 40 points in ten-point average roughness (Rz).
μm or less, preferably 30 μm or less, and the surface roughness of the outer peripheral surface of the auxiliary base 302 is preferably 5 to 200 μm in terms of a ten-point average roughness (Rz), and more preferably 10 to 90 μm.
m is more preferred.

【００４５】また、本実施形態では、補助基体３０２の
内壁面をセラミックで構成することが望ましい。補助基
体３０２の内壁面を構成するセラミック材料としては特
に制限はなく、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、
ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂等が挙げられるが、特にＡｌ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂、ＳｉＯ₂等の耐酸性の優れた材料が、ａ−Ｓｉか
らなる光受容部材の製造工程において使用される、例え
ばハロゲン原子を含む化合物ガス（Ｆ₂、ＣｌＦ₃、Ｓｉ
Ｆ₄等）に対する耐食性の面から好ましい。また、輻射
熱を受け易いＷＣ、ＴａＮ、Ｃｒ₂Ｏ₃等の材料も、表面
の変質が多少生じても、その影響をほとんど受けないた
め好ましい。さらには、耐酸性の優れた材料と幅射熱を
受け易い材料との混在材料を用いることがより好まし
い。混合材料を用いる場合、その混合比は、両者の機能
を得るために、耐酸性の優れた材料をａ（ｇ）、輻射熱
を受け易い材料をｂ（ｇ）とすると、ａ：ｂが１：９９
〜９９：１であることが好ましく、１０：９０〜９０：
１０であることがより好ましい。In the present embodiment, it is desirable that the inner wall surface of the auxiliary base 302 be made of ceramic. The ceramic material constituting the inner wall surface of the auxiliary base 302 is not particularly limited, and may be, for example, Al ₂ O ₃ , Cr ₂ O ₃ , MgO,
TiO ₂ , SiO _2, etc., among which Al ₂ O ₃ , T
A material having excellent acid resistance, such as iO ₂ or SiO ₂ , is used in a manufacturing process of a light receiving member made of a-Si, for example, a compound gas containing a halogen atom (F ₂ , ClF ₃ , Si
Preferred from the viewpoint of corrosion resistance to F _4, etc.). In addition, materials such as WC, TaN, and Cr ₂ O _{3 that} are susceptible to radiant heat are also preferable because even if some surface deterioration occurs, they are hardly affected by the deterioration. Further, it is more preferable to use a mixed material of a material having excellent acid resistance and a material which is susceptible to heat radiation. In the case of using a mixed material, the mixing ratio is such that a: b is 1: (a) for a material having excellent acid resistance and b (g) for a material susceptible to radiant heat in order to obtain the functions of both. 99
~ 99: 1, preferably from 10:90 to 90:
More preferably, it is 10.

【００４６】補助基体３０２の内壁面を構成するセラミ
ック材料の気孔率は、耐熱性の向上や水分等の吸着防止
のために１〜２０％であることが好ましく、１〜１５％
であることがより好ましい。補助基体３０２の内壁面を
構成するセラミックの表面粗さに関しては、その表面積
を増して輻射熱を効率的に得るためは、表面は粗い方が
よい。一方で、あまり表面を粗くして表面積を増加させ
ると、ダストが増加し、また発塵しやすくなることがあ
る。よって、表面粗さは十点平均粗さ（Ｒｚ）で、５〜
２００μｍであることが好ましく、１０〜９０μｍであ
ることがより好ましい。The porosity of the ceramic material forming the inner wall surface of the auxiliary base 302 is preferably 1 to 20%, and is preferably 1 to 15% in order to improve heat resistance and prevent adsorption of moisture and the like.
Is more preferable. Regarding the surface roughness of the ceramic constituting the inner wall surface of the auxiliary base 302, the surface is preferably rough in order to increase the surface area and efficiently obtain radiant heat. On the other hand, if the surface is made too rough to increase the surface area, dust may increase and dust may be easily generated. Therefore, the surface roughness is a 10-point average roughness (Rz),
It is preferably 200 μm, more preferably 10 to 90 μm.

【００４７】補助基体３０２の内壁面をセラミック材料
で形成する手段としては特に制限はないが、ＣＶＤ法、
メッキあるいは溶射手段等の表面コーテイング法が挙げ
られる。中でも溶射手段が、コスト面から、あるいはコ
ーティング対象物の大きさや形状の制限を受けにくいた
めより好ましく、特にプラズマ溶射法は、気孔率が低く
密着性も良好なためより好ましい。また、例えばセラミ
ック材料からなる円筒を、金属製の補助基体の内面に密
着するように装着してもよい。補助基体３０２の内壁面
をセラミック材料で形成する際には、内壁面を清浄に処
理した後にセラミックを上記手段により金属表面に形成
するが、密着性を増すために、セラミックと金属表面と
の間に例えばＡｌとＴｉとの混合材等の下引き層を設け
ることが好ましい。セラミック材料は補助基体３０２の
内壁面の全面を覆うことが好ましいが、接地等のために
覆われない部分が一部存在してもよい。補助基体３０２
の内壁面を構成するセラミック材料の厚さは特に制限は
ないが、耐久性及び均一性を増すために、また伝熱性及
び製造コストの面から１０〜１００００μｍであること
が好ましく、２０〜５０００μｍであることがより好ま
しい。The means for forming the inner wall surface of the auxiliary substrate 302 with a ceramic material is not particularly limited.
A surface coating method such as plating or thermal spraying may be used. Above all, the thermal spraying means is more preferable in terms of cost or because the size and shape of the object to be coated are hardly restricted, and the plasma spraying method is more preferable because of low porosity and good adhesion. Further, for example, a cylinder made of a ceramic material may be mounted so as to be in close contact with the inner surface of the metal auxiliary base. When the inner wall surface of the auxiliary substrate 302 is formed of a ceramic material, the ceramic is formed on the metal surface by the above-described means after the inner wall surface is cleaned. It is preferable to provide an undercoat layer such as a mixed material of Al and Ti. The ceramic material preferably covers the entire inner wall surface of the auxiliary base 302, but there may be a part that is not covered due to grounding or the like. Auxiliary substrate 302
The thickness of the ceramic material constituting the inner wall surface is not particularly limited, but is preferably 10 to 10000 μm, and more preferably 20 to 5000 μm, in order to increase durability and uniformity, and from the viewpoint of heat conductivity and manufacturing cost. More preferably, there is.

【００４８】本発明に係る基体３０１の材料としては、
例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられ、特にＡｌ又はＡ
ｌ合金は本発明には適している。The material of the substrate 301 according to the present invention includes:
For example, Al, Cr, Mo, Au, In, Nb, Te,
Metals such as V, Ti, Pt, Pd, and Fe, and alloys thereof, such as stainless steel, may be mentioned.
1 alloys are suitable for the present invention.

【００４９】本発明に係る光受容部材のａ−Ｓｉからな
る光受容部層１０２（図１参照）には、シリコン原子と
水素原子又はハロゲン原子以外に、フェルミ準位や禁止
帯幅等を調整する成分としてホウ素、ガリウム等のIII
族原子、窒素、リン、ヒ素等のＶ族原子、酸素原子、炭
素原子、ゲルマニウム原子等を単独もしくは適宜組み合
わせて含有させてもよい。In the light receiving portion layer 102 (see FIG. 1) made of a-Si of the light receiving member according to the present invention, in addition to silicon atoms and hydrogen atoms or halogen atoms, the Fermi level and the band gap are adjusted. III such as boron and gallium
A group atom, a group V atom such as nitrogen, phosphorus and arsenic, an oxygen atom, a carbon atom, a germanium atom and the like may be contained alone or in an appropriate combination.

【００５０】また、光受容部層１０２を、基体３０１と
の密着性の向上あるいは電荷受容能の調整等を目的とす
る電荷注入阻止層１０５（図１参照）や、表面の保護あ
るいは表面からの電荷の注入防止を目的とする表面層１
０４（図１参照）等を設けることによって多層構成とし
てもよい。Further, the light receiving portion layer 102 may be provided with a charge injection preventing layer 105 (see FIG. 1) for the purpose of improving the adhesion to the substrate 301 or adjusting the charge receiving ability, or protecting or protecting the surface. Surface layer 1 for preventing charge injection
04 (see FIG. 1) or the like to provide a multilayer structure.

【００５１】継に、ＲＦプラズマＣＶＤ法によって堆積
膜を形成するための装置及び方法の一例について詳述す
る。図４は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ−ＰＣＶ
Ｄ」と表記する。）法による電子写真用光受容部材の製
造装置の一例を示す模式的な構成図である。Next, an example of an apparatus and a method for forming a deposited film by RF plasma CVD will be described in detail. FIG. 4 shows a high frequency plasma CVD (hereinafter referred to as “RF-PCV”).
D ". It is a schematic block diagram which shows an example of the manufacturing apparatus of the electrophotographic light-receiving member by the method.

【００５２】この装置は大別すると、堆積装置１１０
０、原料ガス供給装置１２００、反応容器１１１１内を
減圧にするための排気装置（不図示）から構成されてい
る。This apparatus is roughly classified into a deposition apparatus 110
0, a source gas supply device 1200, and an exhaust device (not shown) for reducing the pressure inside the reaction vessel 1111.

【００５３】堆積装置１１００の反応容器１１１１内に
は、金属を母材とした補助基体１１２５ａに装着された
導電性の円筒状基体１１１２が収容されており、この円
筒状基体１１１２の上には上述したようなリング状部材
（不図示）を介して補助基体キャップ１１２５ｂが装着
されている。反応容器１１１１内には更に基体加熱用ヒ
ーター１１１３、原料ガス導入管１１１４が設置されて
おり、また、反応容器１１１１には、反応容器１１１１
内に導入されたガスを分解する電力を導入する電力導入
手段である高周波マッチングボックス１１１５が接続さ
れている。In the reaction vessel 1111 of the deposition apparatus 1100, a conductive cylindrical base 1112 mounted on an auxiliary base 1125a made of metal as a base material is accommodated. The auxiliary base cap 1125b is mounted via such a ring-shaped member (not shown). A heater 1113 for heating the substrate and a raw material gas introduction pipe 1114 are further provided in the reaction vessel 1111.
A high-frequency matching box 1115, which is power introduction means for introducing power for decomposing gas introduced into the inside, is connected.

【００５４】反応容器１１１１中に原料ガスを導入する
ガス供給手段である原料ガス供給装置１２００は、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＧｅＨ₄等の原料ガス
のボンベ１２２１〜１２２６、バルブ１２３１〜１２３
６，流入バルブ１２４１〜１２４６，流出バルブ１２５
１〜１２５６およびマスフローコントローラー１２１１
〜１２１６を有しており、各原料ガスのボンベ１２２１
〜１２２６は補助バルブ１２６０を有する原料ガス配管
１１１６を介して反応容器１１１１内のガス導入管１１
１４に接続されている。A raw material gas supply device 1200 which is a gas supply means for introducing a raw material gas into the reaction vessel 1111 is made of Si gas.
_{H 4, H 2, CH 4} , NO, B 2 H 6, a cylinder of the raw material gas GeH _4, etc. 1221 to 1226, valves 1231 to 123
6, inflow valves 1241-1246, outflow valve 125
1-1256 and mass flow controller 1211
1212, and a cylinder 1221 for each source gas.
Reference numerals 1226 to 1226 denote gas introduction pipes 11 in a reaction vessel 1111 through a raw material gas pipe 1116 having an auxiliary valve 1260.
14.

【００５５】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。The formation of a deposited film using this apparatus can be performed, for example, as follows.

【００５６】まず、反応容器１１１１内に金属を母材と
し補助基体１１２５ａに装着された円筒状基体１１１２
を設置する。なお、円筒状基体１１１２上には補助基体
キャップ１１２５ｂが装着されている。そして、排気装
置１１１７ａ，１１１７ｂにより反応容器１１１１内を
排気する。続いて、基体加熱用ヒーター１１１３を加熱
させ、円筒状基体１１１２の表面温度を５０℃〜５００
℃の所定の温度に制御する。First, a cylindrical substrate 1112 mounted on an auxiliary substrate 1125a using a metal as a base material is placed in a reaction vessel 1111.
Is installed. Note that an auxiliary base cap 1125b is mounted on the cylindrical base 1112. Then, the inside of the reaction vessel 1111 is exhausted by the exhaust devices 1117a and 1117b. Subsequently, the substrate heating heater 1113 is heated to raise the surface temperature of the cylindrical substrate 1112 to 50 ° C. to 500 ° C.
Control to a predetermined temperature of ° C.

【００５７】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器１１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ１２３１〜１
２３６および反応容器１１１１のリークバルブ１１２３
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ１２
４１〜１２４６、流出バルブ１２５１〜１２５６、補助
バルブ１２６０が開かれていることを確認して、まずメ
インバルブ１１１９を開いて反応容器１１１１およびガ
ス配管内１１１６を排気する。次に、真空計１１２４の
読みが約６．７×１０^-4Ｐａになった時点で補助バルブ
１２６０および流出バルブ１２５１〜１２５６を閉じ
る。その後、バルブ１２３１〜１２３６を開いてガスボ
ンベ１２２１〜１２２６より各ガスの導入を開始し、圧
力調整器１２６１〜１２６６により各ガス圧を例えば２
ｋｇ／ｃｍ ²（１．９６×１０⁵Ｐａ）に調整する。次
に、流入バルブ１２４１〜１２４６を徐々に開けて、各
ガスをマスフローコントローラー１２１１〜１２１６内
に導入する。The source gas for forming the deposited film is supplied to the reaction vessel 111.
In order to make the gas flow into the valve 1, the gas cylinder valves 1231 to 1
236 and leak valve 1123 of reaction vessel 1111
Is closed, and the inlet valve 12
41-1246, outflow valve 1251-1256, auxiliary
Check that valve 1260 is open, and
Open the in-valve 1119 to open the reaction vessel 1111 and gas
The exhaust pipe 1116 is exhausted. Next, the vacuum gauge 1124
About 6.7 × 10 reading^-FourAuxiliary valve when it reaches Pa
1260 and outlet valves 1251-1256 closed
You. Thereafter, the valves 1231 to 1236 are opened to open the gas
Starting the introduction of each gas from the chambers 1221 to 1226,
Each gas pressure is set to, for example, 2 by the force adjusters 1261-1266.
kg / cm ^Two(1.96 × 10^FiveAdjust to Pa). Next
Then, gradually open the inflow valves 1241 to 1246, and
Gas in mass flow controllers 1211-1216
To be introduced.

【００５８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状基体１１１２上に例えば電荷注入阻止層、感
光層、表面層等の各層の形成を行う。円筒状基体１１１
２が所定の温度になったところで流出バルブ１２５１〜
１２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ１２６０
を徐々に開き、ガスボンベ１２２１〜１２２６から所定
のガスをガス導入管１１１４を介して反応容器１１１１
内に導入する。次にマスフローコントローラー１２１１
〜１２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、反応容器１１１１内の圧力が１３
３Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計１１２４を
見ながらメインバルブ１１１９の開口を調整する。内圧
が安定したところで、電力印加手段であるＲＦ電源（不
図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボッ
クス１１１５を通じて反応容器１１１１内にＲＦ電力を
導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。この放電エネル
ギーによって反応容器１１１１内に導入された原料ガス
が分解され、円筒状基体１１１２上に所定のシリコンを
主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の
膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出
バルブ１２５１〜１２５６を閉じて反応容器１１１１へ
のガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操
作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光
受容層が形成される。それぞれの層を形成する際には必
要なガス以外の流出バルブ１２５１〜１２５６はすべて
閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれ
のガスが反応容器１１１１内、流出バルブ１２５１〜１
２５６から反応容器１１１１に至る配管内に残留するこ
とを避けるために、流出バルブ１２５１〜１２５６を閉
じ、補助バルブ１２６０を開き、さらにメインバルブ１
１１９を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。また、膜形成の均一化を図る場合
は、膜形成を行なっている間は、各円筒状基体１１１２
を駆動装置（不図示）によって所定の速度でそれぞれの
中心軸まわりに回転させる。上述のガス種およびバルブ
操作は各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられ
ることは言うまでもない。After the preparation for film formation is completed as described above, layers such as a charge injection blocking layer, a photosensitive layer, and a surface layer are formed on the cylindrical substrate 1112. Cylindrical substrate 111
When 2 reaches a predetermined temperature, the outflow valve 1251
Required of 1256 and auxiliary valve 1260
Is gradually opened, and a predetermined gas is supplied from the gas cylinders 1221 to 1226 through the gas introduction pipe 1114 to the reaction vessel 1111.
Introduce within. Next, the mass flow controller 1211
Adjustment is made so that each source gas has a predetermined flow rate according to 1216. At this time, the pressure in the reaction
The opening of the main valve 1119 is adjusted while watching the vacuum gauge 1124 so that the predetermined pressure is 3 Pa or less. When the internal pressure is stabilized, an RF power source (not shown) serving as a power application unit is set to a desired power, and RF power is introduced into the reaction vessel 1111 through the high-frequency matching box 1115 to generate RF glow discharge. The raw material gas introduced into the reaction vessel 1111 is decomposed by the discharge energy, and a deposition film containing silicon as a main component is formed on the cylindrical substrate 1112. After the formation of the desired film thickness, the supply of the RF power is stopped, the outflow valves 1251 to 1256 are closed to stop the gas from flowing into the reaction vessel 1111, and the formation of the deposited film is completed. By repeating the same operation a plurality of times, a light receiving layer having a desired multilayer structure is formed. When forming each layer, it goes without saying that all the outflow valves 1251 to 1256 other than the necessary gas are closed, and each gas is supplied to the inside of the reaction vessel 1111 and the outflow valves 1251 to 1256.
In order to avoid remaining in the pipe from 256 to the reaction vessel 1111, the outflow valves 1251 to 1256 are closed, the auxiliary valve 1260 is opened, and the main valve 1
An operation of fully opening 119 and once evacuating the system to a high vacuum is performed as necessary. When the film formation is to be uniform, each cylindrical substrate 1112 is formed during the film formation.
Are rotated around respective central axes at a predetermined speed by a driving device (not shown). It goes without saying that the above-mentioned gas types and valve operations are changed according to the conditions for forming each layer.

【００５９】堆積膜形成後は、円筒状基体１１１２を取
り出し、この円筒状基体の代わりにクリーニング用の基
体を取り付け、堆積膜形成装置内を、気相化学反応によ
って、副生成物を形成している元素を気相分子で還元し
てクリーニングする、いわゆるドライエッチングクリー
ニングを行う。ドライエッチングクリーニングには、Ｃ
Ｆ₄ガス、ＮＦ₃ガス、ＳＦ₆ガス、ＣｌＦ₃ガス等のいず
れも使用可能であるが、クリーニング性や処理時間等の
観点からＣｌＦ₃ガスを用いることが好ましい。After forming the deposited film, the cylindrical substrate 1112 is taken out, a cleaning substrate is attached in place of the cylindrical substrate, and a by-product is formed in the deposited film forming apparatus by a gas phase chemical reaction. The so-called dry etching cleaning is performed in which the elements present are reduced by gas phase molecules for cleaning. C for dry etching cleaning
Although any of F ₄ gas, NF ₃ gas, SF ₆ gas, ClF ₃ gas and the like can be used, it is preferable to use ClF ₃ gas from the viewpoint of cleaning properties and processing time.

【００６０】このように、堆積膜形成とクリーニング工
程とを繰り返し、連続的に堆積膜の形成が行われる。As described above, the deposition film formation and the cleaning step are repeated, and the deposition film is continuously formed.

【００６１】円筒状基体１１１２の加熱手段としては、
真空仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシ
ース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セ
ラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体や気体
等を温媒とする熱交換手段による発熱体等が挙げられ
る。加熱手段の表面材質には、ステンレス、ニッケル、
アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高
分子樹脂等を使用することができる。As means for heating the cylindrical substrate 1112,
Any heating element having a vacuum specification may be used, and more specifically, an electric resistance heating element such as a wound heater of a sheathed heater, a plate heater, or a ceramic heater, a heat radiation lamp heating element such as a halogen lamp or an infrared lamp, or a liquid. And a heating element using a heat exchange means using a gas or the like as a heating medium. The surface material of the heating means is stainless steel, nickel,
Metals such as aluminum and copper, ceramics, heat-resistant polymer resins and the like can be used.

【００６２】ＲＦ−ＣＶＤ法においては、反応容器１１
１１内のガス圧も同様に層設計にしたがって最適範囲が
適宜選択されるが、通常の場合１×１０^-2〜１３３０Ｐ
ａ、好ましくは６．７×１０^-2〜６７０Ｐａ、最適には
１×１０^-1〜１３３Ｐａであることが望ましい。放電電
力もまた同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択
されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力
を、通常の場合０．１〜７倍、好ましくは０．５〜６
倍、最適には０．７〜５倍の範囲に設定することが望ま
しい。さらに、支持体（補助基体１１２５ａおよび補助
基体キャップ１１２５ｂ）の温度は、層設計にしたがっ
て最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合２００〜３
５０℃とするのが望ましい。In the RF-CVD method, the reaction vessel 11
Similarly, the optimum range of the gas pressure in 11 is also appropriately selected according to the layer design, but in the normal case, it is 1 × 10 ^{−2 to} 1330 P
a, preferably 6.7 × 10 ^{−2 to} 670 Pa, and most preferably 1 × 10 ^{−1 to} 133 Pa. Similarly, the optimum range of the discharge power is also appropriately selected according to the layer design, but the discharge power to the flow rate of the gas for supplying Si is usually 0.1 to 7 times, preferably 0.5 to 6 times.
It is desirable to set the value in the range of 0.7 times to 5 times. Furthermore, the optimal range of the temperature of the support (the auxiliary substrate 1125a and the auxiliary substrate cap 1125b) is appropriately selected according to the layer design.
It is desirable that the temperature be 50 ° C.

【００６３】また、図４に示した製造装置におけるＲＦ
−ＰＣＶＤ法による堆積装置１１００を、ＶＨＦ帯の周
波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−Ｐ
ＣＶＤ」と略記する。）法による堆積装置（不図示）に
交換し、これを原料ガス供給装置１２００と接続するこ
とにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容
部材製造装置を得ることができる。堆積膜形成について
は、前述のＲＦ-ＰＣＶＤ法による方法とほぼ同様の手
順で行われる。The RF in the manufacturing apparatus shown in FIG.
-PCVD deposition apparatus 1100 is connected to a high-frequency plasma CVD (hereinafter referred to as “VHF-P
Abbreviated as “CVD”. ) Is replaced with a deposition apparatus (not shown), which is connected to a raw material gas supply apparatus 1200, whereby an electrophotographic light-receiving member manufacturing apparatus using a VHF-PCVD method can be obtained. The deposited film is formed in substantially the same procedure as the above-described method using the RF-PCVD method.

【００６４】この場合、堆積膜形成時の支持体の温度
は、特に２００℃以上３５０℃以下、好ましくは２３０
℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０℃以上３０
０℃以下とすることが望ましい。In this case, the temperature of the support at the time of forming the deposited film is particularly 200 ° C. or more and 350 ° C. or less, preferably 230 ° C. or less.
C. to 330.degree. C., more preferably 250.degree. C. to 30.
It is desirable that the temperature be 0 ° C. or lower.

【００６５】支持体の加熱手段は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体や気体等を温媒とする熱交換
手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容
器を設け、支持体を加熱した後、この支持体を反応容器
内に真空中で搬送してもよい。The heating means for the support may be a heating element having a vacuum specification, and more specifically, an electric resistance heating element such as a wound heater of a sheath-shaped heater, a plate-shaped heater, a ceramic heater, a halogen lamp, and an infrared ray. Examples of the heating element include a heat radiation lamp heating element such as a lamp, and a heating element using heat exchange means using a liquid, a gas, or the like as a heating medium. As the surface material of the heating means, metals such as stainless steel, nickel, aluminum, and copper, ceramics, heat-resistant polymer resins, and the like can be used. Alternatively, a heating-only container other than the reaction container may be provided, and after heating the support, the support may be transferred into the reaction container in a vacuum.

【００６６】また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放
電空間の圧力として、好ましくは１×１０^-1Ｐａ以上６
７Ｐａ以下、より好ましくは４×１０^-1Ｐａ以上４０Ｐ
ａ以下、最も好ましくは６．７×１０^-1Ｐａ以上１３．
３Ｐａ以下に設定することが望ましい。The pressure in the discharge space in the VHF-PCVD method is preferably 1 × 10 ^-1 Pa or more.
7Pa less, more preferably 4 × 10 ^-1 Pa or 40P
a or less, most preferably 6.7 × 10 ⁻¹ Pa or more
It is desirable to set the pressure to 3 Pa or less.

【００６７】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないなら
ばいずれのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上１
００ｍｍ以下の円筒状が好ましい。この時、電極の長さ
も、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設
定できる。電極の材質としては、表面が導電性となるも
のならばいずれのものでも良く、例えば、ステンレス鋼
（ＳＵＳ），Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔ
ｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、これらの合
金または表面を導電処理したガラス、セラミック等が通
常は使用される。The size and shape of the electrodes provided in the discharge space in the VHF-PCVD method may be any as long as they do not disturb the discharge.
A cylindrical shape of not more than 00 mm is preferred. At this time, the length of the electrode can be arbitrarily set as long as the electric field is uniformly applied to the support. As the material of the electrode, any material may be used as long as the surface becomes conductive. For example, stainless steel (SUS), Al, Cr, Mo, Au, In, Nb, T
Metals such as e, V, Ti, Pt, Pb, and Fe, alloys thereof, and glass and ceramics whose surfaces are conductively treated are usually used.

【００６８】本発明においては、堆積膜を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記の
範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する電子
写真用感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基
づいて最適値を決めるのが望ましい。In the present invention, the preferable ranges of the temperature of the support and the gas pressure for forming the deposited film include the above ranges. However, these conditions are not usually determined independently and separately. It is desirable to determine the optimum value based on mutual and organic relevance in order to form an electrophotographic photoreceptor having desired characteristics.

【００６９】[0069]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The present invention is not limited by these.

【００７０】まず、本発明の実施例について説明する前
に、本発明の有用性を示す一実験例を説明する。First, before describing the embodiments of the present invention, an experimental example showing the usefulness of the present invention will be described.

【００７１】［実験例］本実験例では、図４に示す電子
写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムより
なる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒
状基体上に、図１（ａ）に示す層構成の光受容部材を表
１に示す作製条件で形成した。[Experimental Example] In this experimental example, an apparatus for manufacturing a light-receiving member for electrophotography shown in FIG. A light receiving member having the layer configuration shown in FIG. 1A was formed under the manufacturing conditions shown in Table 1.

【００７２】[0072]

【表１】 この時、補助基体及び補助基体キャップとして、以下の
条件のものを用いた。[Table 1] At this time, the following conditions were used as the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap.

【００７３】条件１：図３（ａ）に示す形状のものを使
用。なお、リング状部材の材質はアルミニウム合金（Ａ
５０５２）とし、直径を８０ｍｍ、肉厚は１ｍｍとし
た。Condition 1: Use the shape shown in FIG. The material of the ring-shaped member is aluminum alloy (A
5052), the diameter was 80 mm, and the wall thickness was 1 mm.

【００７４】条件２：図２に示す従来の形状のものを使
用。なお、補助基体キャップの薄肉部の肉厚は１ｍｍと
した。Condition 2: Use the conventional shape shown in FIG. The thickness of the thin portion of the auxiliary base cap was 1 mm.

【００７５】なお、条件１，２とも、補助基体及び補助
基体キャップは新品のＡｌ製のものを用い、材質、寸
法、および装着方法については互いに同等とし、特にそ
れらの直径は基体と同じ８０ｍｍとした。また、それぞ
れの条件において、補助基体及び補助基体キャップの表
面に対して、液体ホーニングによるブラスト処理を１回
行っている。In both Conditions 1 and 2, the auxiliary base and the auxiliary base cap are made of new Al, and the materials, dimensions, and mounting methods are the same as each other. did. Further, under each condition, the blast processing by liquid honing is performed once on the surfaces of the auxiliary base and the auxiliary base cap.

【００７６】本実施例で作成した電子写真用光受容部材
について、下記の評価を行った。The following evaluation was performed on the light receiving member for electrophotography prepared in this example.

【００７７】『欠陥』光学顕微鏡を用いて５０倍の倍率
で９ｃｍ²の範囲で電子写真用感光体の表面を観察して
４段階評価を行った。その評価基準は以下の通りであ
る。[0077] "defect" to 4 out in the range of 9cm ² at 50-fold magnification by observing the surface of the electrophotographic photosensitive member with an optical microscope was performed. The evaluation criteria are as follows.

【００７８】 ◎：２０μｍ以上の欠陥が１０個未満 ○：２０μｍ以上の欠陥が２０個未満 △：２０μｍ以上の欠陥が３０個未満 ×：２０μｍ以上の欠陥が３０個を超える 『端部膜剥がれ』作成した電子写真用光受容部材の端部
の膜剥がれ状態を目視にて観察し、３段階評価を行っ
た。その評価基準は以下の通りである。◎: less than 10 defects of 20 μm or more ：: less than 20 defects of 20 μm or more Δ: less than 30 defects of 20 μm or more ×: more than 30 defects of 20 μm or more “End film peeling” The state of peeling of the film at the end of the light receiving member for electrophotography was visually observed, and evaluated in three steps. The evaluation criteria are as follows.

【００７９】 ○：良好（膜剥がれ無し） △：実用上問題とならない膜剥がれあり ×：実用上問題となる膜剥がれあり 『黒ぽち』作成した電子写真用光受容部材をキヤノン製
複写機ＮＰ−９３３０を高速対応に改造した電子写真装
置にセットし、キヤノン製中間調チャート（ＦＹ９−９
０４２）を原稿台に置いてコピーした時に得られた画像
の同一画像内にある直径０．２ｍｍ以下の黒ぽちについ
て以下の４段階評価を行った。その評価基準は以下の通
りである。：: good (no film peeling) Δ: film peeling not problematic in practical use ×: film peeling problematic in practical use The light receiving member for electrophotography prepared by “Black Petit” was manufactured by Canon Copier NP- 9330 is set in an electrophotographic apparatus modified for high-speed operation, and a Canon halftone chart (FY9-9
No. 042) was placed on a platen and a black spot having a diameter of 0.2 mm or less in the same image obtained by copying was evaluated in the following four steps. The evaluation criteria are as follows.

【００８０】 ◎：特に良好（黒ぽちがほとんど無い） ○：良好 △：実用上問題なし ×：実用上問題あり 上記の評価結果を表２に示す。◎: particularly good (there are almost no black spots) ：: good △: no practical problem ×: practical problem The above evaluation results are shown in Table 2.

【００８１】[0081]

【表２】 表２より、リング状部材を装着して基体と補助基体キャ
ップとの位置決めを行う構成としても、従来と同様に良
好な結果が得られることがわかった。[Table 2] From Table 2, it has been found that a good result can be obtained as in the related art, even when the ring-shaped member is mounted to position the base and the auxiliary base cap.

【００８２】次に、本発明の実施例について説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described.

【００８３】＜実施例１＞図４に示す電子写真用光受容
部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０
ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、
図１（ａ）に示す層構成の光受容部材を表１に示す作製
条件で３００回繰り返し形成した。なお、堆積膜形成後
は、使用した補助基体及び補助基体キャップに液体ホー
ニングによるブラスト処理を行い、これらを再使用し
た。また、本実施例では補助基体及び補助基体キャップ
に、図３（ａ）に示す形状のものを使用した。このと
き、リング状部材の材質はステンレス鋼（ＳＵＳ）と
し、その肉厚は１ｍｍとした。<Example 1> Using an apparatus for manufacturing a light-receiving member for electrophotography shown in FIG.
mm, length 358 mm, thickness 3 mm on a cylindrical substrate,
The light receiving member having the layer configuration shown in FIG. 1A was repeatedly formed 300 times under the manufacturing conditions shown in Table 1. After the formation of the deposited film, the used auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap were subjected to blasting by liquid honing, and these were reused. In this example, the auxiliary base and the auxiliary base cap having the shapes shown in FIG. 3A were used. At this time, the material of the ring-shaped member was stainless steel (SUS), and its thickness was 1 mm.

【００８４】これに対し、比較例として、補助基体及び
補助基体キャップとして実験例の条件２のものを使用し
たこと以外は実施例１と同様にして、図１（ａ）に示す
層構成の光受容部材を３００回繰り返し形成した。On the other hand, as a comparative example, the light having the layer structure shown in FIG. The receiving member was repeatedly formed 300 times.

【００８５】なお、実施例１および比較例とも、補助基
体及び補助基体キャップにはＡｌ製の新品のものを用
い、材質および寸法については互いに同等とした。ま
た、補助基体及び補助基体キャップの直径は基体と同じ
８０ｍｍとした。In each of Example 1 and Comparative Example, a new Al base was used for the auxiliary base and the auxiliary base cap, and the materials and dimensions were the same. The diameter of the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap was 80 mm, the same as the diameter of the substrate.

【００８６】作成した電子写真用光受容部材について、
実験例１における評価に加えて、「表面層の色むら」と
「補助基体および補助基体キャップと基体との継部にお
ける電子写真用光受容部材の傷」について評価を行っ
た。With respect to the produced electrophotographic light receiving member,
In addition to the evaluation in Experimental Example 1, evaluation was made on "color unevenness of the surface layer" and "scratch of the electrophotographic light-receiving member at the joint between the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap and the substrate".

【００８７】『表面層色むら』作成した電子写真用光受
容部材の端部の色むらを目視にて観察し、３段階評価を
行った。その評価基準は以下の通りである。"Surface layer color unevenness" The color unevenness of the end portion of the electrophotographic light-receiving member was visually observed and evaluated on a three-point scale. The evaluation criteria are as follows.

【００８８】 ○：良好（色むら無し） △：やや色むら有り ×：実用上問題となる色むらあり 『基体の継部における電子写真用光受容部材の傷』作成
した電子写真用光受容部材の基体継部における傷の状態
を目視にて観察し、３段階評価を行った。その評価基準
は以下の通りである。：: Good (no color unevenness) Δ: Slight color unevenness X: Color unevenness that poses a problem in practice “Scratch of electrophotographic light-receiving member at joint of base” Light-receiving member for electrophotography created The state of the flaw in the joint portion of the substrate was visually observed, and evaluated in three steps. The evaluation criteria are as follows.

【００８９】 ○：良好（傷無し） △：実用上問題とならない傷あり ×：実用上問題となる傷あり これらの評価結果を表３に示す。なお、表３には３０回
おきの評価結果を示している。：: good (no flaw) Δ: flaw that does not pose a practical problem x: flaw that presents a practical problem The results of these evaluations are shown in Table 3. Table 3 shows the evaluation results every 30 times.

【００９０】[0090]

【表３】 表３から分かるように、比較例の場合は、堆積膜形成回
数、すなわち液体ホーニングによるブラスト処理回数が
増加していくにしたがって、「端部膜剥がれ」、「黒ぽ
ち」及び「表面層色むら」の発生が多くなり、基体の継
部におけるの傷についても発生が見られる。これは、堆
積膜の形成回数、すなわち液体ホーニングによるブラス
ト処理の回数が増加するのにしたがって、補助基体キャ
ップの薄肉部が変形し、基体と補助基体キャップとの位
置ずれが生じたためであると考えられる。[Table 3] As can be seen from Table 3, in the case of the comparative example, as the number of times of deposition film formation, that is, the number of times of blasting by liquid honing increases, “edge film peeling”, “black spot”, and “surface layer color unevenness”. And the occurrence of flaws at joints of the base is also observed. This is considered to be because the thin portion of the auxiliary substrate cap was deformed and the displacement between the substrate and the auxiliary substrate cap occurred as the number of times the deposited film was formed, that is, the number of times of blasting by liquid honing was increased. Can be

【００９１】一方、本発明の実施例１においては、長期
的な使用（３００回の繰り返し）の後においても、前述
の問題の発生はなく、非常に良好な結果が得られた。On the other hand, in Example 1 of the present invention, even after long-term use (repeated 300 times), the above-mentioned problem did not occur, and very good results were obtained.

【００９２】＜実施例２＞図４に示す電子写真用光受容
部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０
ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、
図１（ｂ）に示す層構成の光受容部材を表４に示す作製
条件で３００回繰り返し形成した。なお、堆積膜形成後
は、使用した補助基体及び補助基体キャップに液体ホー
ニングによるブラスト処理を行い、これらを再使用し
た。また、本実施例では補助基体及び補助基体キャップ
に、Ａｌ製で図３（ｂ）に示す形状のものを使用した。
このとき、リング状部材の材質はステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ）とし、その肉厚は１ｍｍとした。また、補助基体及
び補助基体キャップの直径は基体と同じ８０ｍｍとし
た。<Example 2> Using a manufacturing apparatus for a light receiving member for electrophotography shown in FIG.
mm, length 358 mm, thickness 3 mm on a cylindrical substrate,
The light receiving member having the layer configuration shown in FIG. 1B was repeatedly formed 300 times under the manufacturing conditions shown in Table 4. After the formation of the deposited film, the used auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap were subjected to blasting by liquid honing and reused. In this embodiment, the auxiliary base and the auxiliary base cap are made of Al and have the shape shown in FIG. 3B.
At this time, the material of the ring-shaped member is stainless steel (SU
S), and its thickness was 1 mm. The diameter of the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap was set to 80 mm, which is the same as the diameter of the substrate.

【００９３】[0093]

【表４】 ３００回目に作成した電子写真用光受容部材について、
実施例１と同様の評価を行ったところ、実施例１と同様
の良好な結果が得られた。また、リング状部材の変形も
見られなかった。[Table 4] About the electrophotographic light-receiving member made at the 300th time,
When the same evaluation as in Example 1 was performed, the same good results as in Example 1 were obtained. Also, no deformation of the ring-shaped member was observed.

【００９４】＜実施例３＞本実施例では、アルミニウム
よりなる円筒状基体を直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、
肉厚３ｍｍにしたこと以外は、実施例２と同様に堆積膜
の形成を行った。このとき、補助基体及び補助基体キャ
ップはＡｌ製とし、図３（ａ）〜（ｄ）に示す形状のも
のをそれぞれ使用した。また、リング状部材の材質はス
テンレス鋼（ＳＵＳ）とし、図３（ａ），（ｂ）に示す
場合にはその全体の肉厚を１ｍｍとし、図３（ｃ），
（ｄ）に示す場合にはその薄肉部の肉厚を１ｍｍとし
た。また、補助基体及び補助基体キャップの直径は基体
と同じ３０ｍｍとした。<Embodiment 3> In this embodiment, a cylindrical substrate made of aluminum was made to have a diameter of 30 mm, a length of 358 mm,
A deposited film was formed in the same manner as in Example 2 except that the thickness was 3 mm. At this time, the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap were made of Al, and the shapes shown in FIGS. 3A to 3D were used. The material of the ring-shaped member is stainless steel (SUS), and in the case shown in FIGS. 3A and 3B, the entire thickness is 1 mm.
In the case shown in (d), the thickness of the thin portion was 1 mm. The diameters of the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap were set to 30 mm, the same as the diameter of the substrate.

【００９５】作成した電子写真用光受容部材について、
実施例２と同様の評価を行ったところ、図３（ａ）〜
（ｄ）のいずれの形状においても実施例２と同様の良好
な結果が得られた。また、リング状部材の変形も見られ
なかった。Regarding the prepared electrophotographic light receiving member,
When the same evaluation as in Example 2 was performed, FIG.
Good results similar to those of Example 2 were obtained in any of the shapes (d). Also, no deformation of the ring-shaped member was observed.

【００９６】＜実施例４＞本実施例では、アルミニウム
よりなる円筒状基体を直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍ、肉厚５ｍｍにしたこと以外は、実施例２と同様に堆
積膜の形成を行った。このとき、補助基体及び補助基体
キャップはＡｌ製とし、図３（ａ）〜（ｄ）に示す形状
のものをそれぞれ使用した。また、リング状部材の材質
はステンレス鋼（ＳＵＳ）とし、図３（ａ），（ｂ）に
示す場合にはその全体の肉厚を１ｍｍとし、図３
（ｃ），（ｄ）に示す場合にはその薄肉部の肉厚を１ｍ
ｍとした。<Embodiment 4> In this embodiment, a cylindrical substrate made of aluminum was formed to have a diameter of 108 mm and a length of 358 m.
m, and a deposited film was formed in the same manner as in Example 2 except that the thickness was 5 mm. At this time, the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap were made of Al, and the shapes shown in FIGS. 3A to 3D were used. The material of the ring-shaped member is stainless steel (SUS), and in the case shown in FIGS. 3A and 3B, the entire thickness thereof is 1 mm.
In the cases shown in (c) and (d), the thickness of the thin portion is 1 m.
m.

【００９７】作成した電子写真用光受容部材について、
実施例２と同様の評価を行ったところ、図３（ａ）〜
（ｄ）のいずれの形状においても実施例２と同様の良好
な結果が得られた。また、リング状部材の変形も見られ
なかった。With respect to the light receiving member for electrophotography,
When the same evaluation as in Example 2 was performed, FIG.
Good results similar to those of Example 2 were obtained in any of the shapes (d). Also, no deformation of the ring-shaped member was observed.

【００９８】＜実施例５＞本実施例では、図４に示す電
子写真用光受容部材の製造装置の堆積装置を、ＶＨＦ帯
の周波数を用いたＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による堆積装置に
交換し、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５
８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状導電性基体上に、図１
（ｂ）に示す層構成の光受容部材を表５に示す作製条件
で作製した。<Embodiment 5> In this embodiment, the deposition apparatus of the apparatus for manufacturing an electrophotographic light-receiving member shown in FIG. 4 was replaced with a deposition apparatus based on a VHF-PCVD method using a frequency in a VHF band, and aluminum was used. 80mm diameter, 35 length
1 mm on a cylindrical conductive substrate having a thickness of 8 mm and a thickness of 3 mm.
The light receiving member having the layer configuration shown in FIG.

【００９９】このとき、補助基体及び補助基体キャップ
はＡｌ製とし、図３（ｂ）に示す形状のものを使用し
た。また、リング状部材の材質はアルミニウム合金（Ａ
５０５２）とし、その肉厚は１．２ｍｍとした。また、
補助基体及び補助基体キャップの直径は基体と同じ８０
ｍｍとした。At this time, the auxiliary base and the auxiliary base cap were made of Al and used in the shape shown in FIG. 3 (b). The material of the ring-shaped member is aluminum alloy (A
5052), and its thickness was 1.2 mm. Also,
The diameter of the auxiliary substrate and the auxiliary substrate cap is the same as that of the substrate.
mm.

【０１００】作成した電子写真用光受容部材について、
実施例２と同様の評価を行ったところ、実施例２と同様
の良好な結果が得られた。また、リング状部材の変形も
見られなかった。With respect to the electrophotographic light-receiving member thus prepared,
When the same evaluation as in Example 2 was performed, the same good results as in Example 2 were obtained. Also, no deformation of the ring-shaped member was observed.

【０１０１】[0101]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の堆積膜形
成装置は、基体および補助基体キャップの内壁面側に、
基体と補助基体キャップとを互いに同軸上に配置するリ
ング状部材が配設されているので、補助基体キャップを
繰り返し使用しても基体に対して同軸上に位置決めする
ことができる。そのため、基体と補助基体キャップとの
相接している部分の位置ずれによる段差がなくなり、堆
積膜形成中にこの段差部から膜剥がれが生じて基体へ膜
片等が飛散することを抑えることができるので、その結
果として、膜の諸物性、堆積膜形成速度、再現性及び膜
の生産性を向上させ、量産化を行う場合に、その歩留ま
りを飛躍的に向上させるとともに、生産コストを大幅に
低減させることができる。As described above, the apparatus for forming a deposited film according to the present invention has the following features:
Since the ring-shaped member for arranging the base and the auxiliary base cap coaxially with each other is provided, even if the auxiliary base cap is used repeatedly, it can be positioned coaxially with respect to the base. Therefore, there is no step due to misalignment of a portion where the base and the auxiliary base cap are in contact with each other, and it is possible to prevent a film piece or the like from being scattered to the base due to film peeling from the step during formation of a deposited film. As a result, as a result, the various physical properties of the film, the deposition film formation speed, reproducibility, and the productivity of the film are improved, and when mass production is performed, the yield is dramatically improved and the production cost is significantly reduced. Can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る光受容部材の層構成を示す模式的
構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a layer configuration of a light receiving member according to the present invention.

【図２】堆積膜の形成に用いられる一般的な補助基体お
よび補助基体キャップの形状を示す図である。FIG. 2 is a view showing shapes of a general auxiliary substrate and an auxiliary substrate cap used for forming a deposited film.

【図３】本発明に係る基体支持構造を示す図である。FIG. 3 is a view showing a substrate support structure according to the present invention.

【図４】本発明に係る高周波プラズマＣＶＤ法による電
子写真用光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な構
成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an example of an apparatus for manufacturing a light receiving member for electrophotography by a high-frequency plasma CVD method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１００ 電子写真用光受容部材 １０１ 基体 １０２ 光受容層 １０３ 光導電層 １０４ 表面層 １０５ 電荷注入阻止層 １０６ 電荷発生層 １０７ 電荷輸送層 ２０１ 基体 ２０２ 補助基体 ２０３ 補助基体キャップ ３０１ 基体 ３０２ 補助基体 ３０３ 補助基体キャップ ３０４ リング状部材 １１００ 堆積装置 １１１１ 反応容器 １１１２ 円筒状基体 １１１３ 基体加熱用ヒーター １１１４ 原料ガス導入管 １１１５ 高周波マッチングボックス １１１６ 原料ガス配管 １１１７ａ，１１１７ｂ 排気装置 １１１８ 排気管 １１１９ メインバルブ １１２３ リークバルブ １１２４ メインバルブ １１２５ａ 補助基体 １１２５ｂ 補助基体キャップ １２００ 原料ガス供給装置 １２１１，１２１２，１２１３，１２１４，１２１５，
１２１６ マスフローコントローラ １２２１，１２２２，１２２３，１２２４，１２２５，
１２２６ ボンベ １２３１，１２３２，１２３３，１２３４，１２３５，
１２３６ バルブ １２４１，１２４２，１２４３，１２４４，１２４５，
１２４６ 流入バルブ １２５１，１２５２，１２５３，１２５４，１２５５，
１２５６ 流出バルブ １２６０ 補助バルブ １２６１，１２６２，１２６３，１２６４，１２６５，
１２６６ 圧力調整器REFERENCE SIGNS LIST 100 electrophotographic light receiving member 101 base 102 light receiving layer 103 photoconductive layer 104 surface layer 105 charge injection blocking layer 106 charge generation layer 107 charge transport layer 201 base 202 auxiliary base 203 auxiliary base cap 301 base 302 auxiliary base 303 auxiliary base Cap 304 Ring-shaped member 1100 Deposition device 1111 Reaction vessel 1112 Cylindrical substrate 1113 Heater for substrate heating 1114 Source gas introduction pipe 1115 High frequency matching box 1116 Source gas piping 1117a, 1117b Exhaust device 1118 Exhaust tube 1119 Main valve 1123 Leak valve 1124 Main valve 1125a Auxiliary substrate 1125b Auxiliary substrate cap 1200 Source gas supply device 1211, 1212, 1213, 1214, 1215
1216 Mass flow controller 1221, 1222, 1223, 1224, 1225
1226 cylinders 1231,1232,1233,1234,1235
1236 valve 1241, 1242, 1243, 1244, 1245
1246 Inflow valve 1251,1252,1253,1254,1255
1256 Outflow valve 1260 Auxiliary valve 1261, 1262, 1263, 1264, 1265
1266 Pressure regulator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 唐木 哲也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 松岡 秀彰 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 櫃石 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 BA30 CA02 CA14 GA02 KA46 LA17 5F045 AA08 AB04 AC01 AC07 BB02 CA16 DP25 EB02 EB03 EH15 EM01 EM09  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Tetsuya Karaki, Inventor 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Hideaki Matsuoka 3-30-2, Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon (72) Inventor Koji Hitsuishi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term (reference) 4K030 BA30 CA02 CA14 GA02 KA46 LA17 5F045 AA08 AB04 AC01 AC07 BB02 CA16 DP25 EB02 EB03 EH15 EM01 EM09

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 筒状の基体を内包できる減圧可能な反応
容器と、前記反応容器中に原料ガスを導入するガス供給
手段と、前記反応容器を排気する排気手段と、前記導入
されたガスを分解する電力を導入する電力導入手段とを
備え、前記基体の一方の端部は補助基体で支持されてお
り、前記基体の他方の端部には前記基体と同じ外径を有
する筒状の補助基体キャップが取り付けられている、前
記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、 前記基体および前記補助基体キャップの内壁面側には、
前記基体と前記補助基体キャップとを互いに同軸上に配
置するリング状部材が配設されていることを特徴とする
堆積膜形成装置。A pressure reducing reaction vessel capable of containing a cylindrical substrate; a gas supply means for introducing a raw material gas into the reaction vessel; an exhaust means for exhausting the reaction vessel; Power introduction means for introducing electric power to be decomposed, one end of the base is supported by an auxiliary base, and a cylindrical auxiliary having the same outer diameter as the base is provided at the other end of the base. In a deposition film forming apparatus for forming a deposition film on the substrate, to which a substrate cap is attached, on an inner wall surface side of the substrate and the auxiliary substrate cap,
A deposited film forming apparatus, wherein a ring-shaped member for arranging the base and the auxiliary base cap coaxially with each other is provided. 【請求項２】 前記補助基体キャップの内壁面には前記
リング状部材が装着される凹状段差部が形成されてい
る、請求項１に記載の堆積膜形成装置。2. The deposition film forming apparatus according to claim 1, wherein a concave step portion on which the ring-shaped member is mounted is formed on an inner wall surface of the auxiliary base cap. 【請求項３】 前記基体は金属材料で構成されており、
前記補助基体および前記補助基体キャップの母材は前記
基体を構成する金属材料からなる、請求項１または２に
記載の堆積膜形成装置。3. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is made of a metal material.
3. The deposition film forming apparatus according to claim 1, wherein a base material of the auxiliary base and the auxiliary base cap is made of a metal material forming the base. 4. 【請求項４】 前記金属材料はアルミニウムまたはアル
ミニウム合金である、請求項３に記載の堆積膜形成装
置。4. The deposited film forming apparatus according to claim 3, wherein said metal material is aluminum or an aluminum alloy. 【請求項５】 前記リング状部材の母材はステンレス鋼
またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金からな
る、請求項１から４のいずれか１項に記載の堆積膜形成
装置。5. The deposition film forming apparatus according to claim 1, wherein a base material of said ring-shaped member is made of stainless steel, aluminum, or an aluminum alloy. 【請求項６】 前記堆積膜はシリコン原子を母材とする
非結晶材料からなる光受容部材用堆積膜である、請求項
１から５のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。6. The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein said deposited film is a deposited film for a light receiving member made of an amorphous material containing silicon atoms as a base material.