JP2002283243A - 研磨工具 - Google Patents
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
成せしめることなく、半導体ウエーハの裏面を高研磨効
率及び高研磨品質で研磨して、そこに存在していた加工
歪を除去することができる研磨工具を提供する。 【解決手段】 研磨工具(2)は支持部材(4)及びこ
の支持部材に固定された研磨手段(6)を具備する。研
磨手段は密度が0.20g/cm3以上で硬度が30以
上であるフェルトとフェルト中に分散せしめられた砥粒
とから構成されている。
Description
工歪を有する半導体ウエーハの裏面を研磨するのに適し
た研磨工具に関する。
導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートに
よって多数の矩形領域を区画し、矩形領域の各々に半導
体回路を配設する。そして、ストリートの各々に沿って
半導体ウエーハを分離することによって矩形領域の各々
を半導体チップにせしめている。半導体チップの小型化
及び軽量化のために、矩形領域を個々に分離するに先立
って半導体ウエーハの裏面を研削し、これによって半導
体ウエーハの厚さを減少せしめることが望まれることも
少なくない。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダ
イヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固
着して形成した研削手段を、高速回転せしめながら半導
体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行され
ている。かような研削様式によって半導体ウエーハの裏
面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が
生成され、これによって抗折強度が相当低減される。半
導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去し、かく
して抗折強度の低減を回避するために、研削された半導
体ウエーハの裏面を遊離砥粒を使用してポリッジングす
ること、及び研削された半導体ウエーハの裏面を硝酸及
び弗化水素酸を含むエンチング液を使用して化学的エッ
チングすることが提案されている。更に、特開平200
0−343440号公報には、適宜の布に砥粒を分散せ
しめて構成された研磨手段を使用して、半導体ウエーハ
の裏面を研磨することが開示されている。
用するポリッシングには、遊離砥粒の供給及び回収等に
煩雑な操作が必要であり効率が低い、大量に使用される
遊離砥粒を産業廃棄物として処理しなければならない、
という問題が存在する。エッチング液を使用する化学的
エッチングにも、大量に使用されるエッチング液を産業
廃棄物として処理しなければならない、という問題が存
在する。一方、布に砥粒を分散せしめて構成された研磨
手段による研磨においては、産業廃棄物として処理すべ
き物質が大量に生成されることがない。しかしながら、
未だ充分に満足し得る研磨効率及び研磨品質を達成する
ことができなかった。
あり、その主たる技術的課題は、産業廃棄物として処理
すべき物質を大量に生成せしめることなく、半導体ウエ
ーハの裏面を高研磨効率及び高研磨品質で研磨して、そ
こに存在していた加工歪を除去することができる、新規
且つ改良された研磨工具を提供することである。
の結果、密度が0.20g/cm3以上で硬度が30以
上であるフェルト中に砥粒を分散せしめて形成した研磨
手段を具備する研磨工具によって、上記主たる技術的課
題を達成することができることを見出した。
課題を達成する研磨工具として、支持部材、及び該支持
部材に固定された研磨手段を具備し、該研磨手段は密度
が0.20g/cm3以上で硬度が30以上であるフェ
ルトと該フェルト中に分散せしめられた砥粒とから構成
されている、ことを特徴とする研磨工具が提供される。
g/cm3以上であり、該フェルトの硬度は50以上で
ある。該研磨手段は0.05乃至1.00g/cm3、
特に0.20乃至0.70g/cm3の砥粒を含有して
いるのが好ましい。該研磨手段の研磨面は該フェルトの
横目面と縦目面との双方を含むことができる。該砥粒は
0.01乃至100μm の粒径を有するものであるのが
好適である。該砥粒はシリカ、アルミナ、ホルステライ
ト、ステアタイト、ムライト、立方晶窒化硼素、ダイヤ
モンド、窒化珪素、炭化珪素、炭化硼素、炭酸バリウ
ム、炭酸カルシウム、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化
ジルコニア、酸化セリウム、酸化クロム、酸化錫、酸化
チタンのうちの1種又は2種以上を含むものでよい。該
支持部材は円形支持面を有し、該研磨手段は該円形支持
面に接合された円板形状であるのが好適である。
いて、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
た研磨工具の好適実施形態を図示している。全体を番号
2で示す図示の研磨工具は、支持部材4と研磨手段6と
から構成されている。支持部材4はアルミニウムの如き
適宜の金属から形成されているのが好都合であり、円板
形状であって平坦な円形支持面即ち下面を有する。図1
に図示する如く、支持部材4にはその上面から下方に延
びる盲ねじ孔7が、周方向に間隔をおいて複数個(図示
の場合には4個)形成されている。研磨手段6も円板形
状であり、支持部材4の外径と研磨手段6の外径は実質
上同一である。研磨手段6はエポキシ樹脂系接着剤の如
き適宜の接着剤によって支持部材4の下面(即ち平坦な
円形支持面)に接合されている。
に分散せしめられた多数の砥粒とから構成されているこ
とが重要である。フェルトは密度が0.20g/cm3
以上、特に0.40g/cm3以上であり、硬度が30
以上、特に50以上であることが重要である。本明細書
において使用する語句「硬度」は、JIS規格K625
3の5(デュロメータ硬さ試験)に従って測定される硬
さを意味する。密度及び硬度が過小になると、所望研磨
効率及び研磨品質を達成することができない。フェルト
は羊毛から構成されたものに限定されることなく、ポリ
エステル、ポリプロピレン、耐熱ナイロン、ポリエステ
ル、アクリル、レーヨン、ケプラーの如き適宜の合成繊
維、シリカ、ガラスの如き耐炎化繊維、綿、麻の如き天
然繊維から構成されたフェルトを使用することができ
る。しかしながら、研磨効率及び研磨品質の点から90
%以上の羊毛を含むフェルト、特に100%羊毛である
フェルトが好適である。フェルト中に分散せしめられる
砥粒量は、0.05乃至1,00g/cm3、特に0.
20乃至0.70g/cm3、であるのが好適である。
0.01乃至100μm の粒径を有するものであるのが
好適である。砥粒は、シリカ、アルミナ、ホルステライ
ト、ステアタイト、ムライト、立方晶窒化硼素、ダイヤ
モンド、窒化珪素、炭化珪素、炭化硼素、炭酸バリウ
ム、炭酸カルシウム、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化
ジルコニア、酸化セリウム、酸化クロム、酸化錫、酸化
チタンのいずれかから形成されたものでよい。必要に応
じて、2種乃至3種以上の砥粒をフェルト中に分散せし
めることもできる。フェルト中に砥粒を適宜に分散せし
めるためには、例えば、適宜の液体中に砥粒を混入し、
かかる液体をフェルトに含浸せしめる、或いはフェルト
の製造工程中にフェルト原料繊維中に砥粒を適宜に混入
することができる。フェルト中に砥粒を適宜に分散せし
めた後に、フェルトに適宜の液状接着剤、例えばフェノ
ール樹脂系接着液又はエポキシ樹脂系接着剤、を含浸せ
しめ、かかる接着剤によってフェルト中に砥粒を結合す
ることができる。
ートSとして製造され、その延在方向面、即ちその表面
及び裏面、は横目面Hと称され、その厚さ方向面は縦目
面Vと称されている。図1及び図2に図示する研磨工具
2においては、研磨手段6を構成しているフェルトはシ
ートを円板形状に切り取ることによって形成されてお
り、従って研磨手段6の研磨面即ち下面8はフェルトの
横目面Hによって形成されている。所望ならば、フェル
トの縦目面Vを研磨面として使用することもできる。本
発明者等の経験によれば、フェルトの横目面Hを研磨面
として使用する場合に比べて、フェルトの縦目面Vを研
磨面として使用すると、研磨量が20乃至30%増大せ
しめられることが判明している。研磨品質を低下せしめ
ることなく研磨効率を増大せしめるためには、図4乃至
図7に例示する如く、研磨手段6の研磨面即ち下面をフ
ェルトの横目面Hと縦目面Vとを混在せしめて形成する
ことができる。図4に図示する研磨工具2においては、
研磨手段6の下面は、フェルトの横目面Hから形成され
た横目面領域8Hと、フェルトの縦目面Vから形成され
複数個の縦目面領域8Vとを含み、縦目面領域8Vは小
円形状であり横目面領域8H中に分散配置されている。
図5に図示する研磨工具2においては、研磨手段6の下
面は、中央円形横目面領域8Hとこの横目面領域8Hを
囲繞する外側環状縦目面領域8Vとから構成されてい
る。図6に図示する研磨工具2においては、研磨手段6
の下面は、横目面領域8Hと縦目面領域8Vとを交互に
同心状に配置して構成されている。図7に図示する研磨
工具2においては、研磨手段6の下面は、複数個のセグ
メント形状の横目面領域8Hと、横目面領域8H間を半
径方向に延びる複数個の縦目面領域8Vと、そして更に
これらの横目面領域8H及び縦目面領域8Vを囲繞する
外側環状縦目面領域8Hとを含んでいる。更に、図8に
図示する如く、研磨手段6に複数個のスリット10を刻
設することもできる。スリット10は同心状の配列され
た複数個の円形状及び/又は等角度間隔に配列された放
射形状でよい。
具2が適用される、半導体ウエーハの裏面を研削し、研
磨する研削・研磨機を図示している。図の研削・研磨機
は全体を番号12で示すハウジングを具備している。こ
のハウジング12は、細長く延在する直方体形状の主部
14を有する。主部14の後端部には実質上鉛直に上方
に延びる直立壁16が配設されている。そして、この直
立壁16に2個の研削装置、即ち粗研削装置18aと精
密研削装置18bとが配設されている。更に詳述する
と、直立壁16の前面には2対の案内レール19a及び
19bが固定されている。案内レール対19a及び19
bの各々の案内レールは実質上鉛直に延びている。案内
レール対19a及び19bには、夫々、滑動ブロック2
0a及び20bが鉛直方向に滑動自在に装着されてい
る。滑動ブロック20a及び20bの各々は2個の脚部
22a及び22bを有し、かかる脚部22a及び22b
の各々が案内レール対19a及び19bの各々の各レー
ルに滑動自在に係合せしめられている。直立壁16の前
面には、更に、支持部材24a及び24b並びに支持部
材26a及び26bによって実質上鉛直に延びるねじ軸
28a及び28bが回転自在に装着されている。支持部
材24a及び24bにはパルスモータでよい電動モータ
30a及び30bも装着されており、かかるモータ30
a及び30bの出力軸は夫々ねじ軸28a及び28bに
連結されている。滑動ブロック20a及び20bの各々
には後方に突出する連結部(図示していない)が形成さ
れており、かかる連結部には鉛直方向に延びる貫通ねじ
孔が形成されており、ねじ軸28a及び28bの各々は
かかるねじ孔に螺合せしめられている。従って、モータ
30a及び30bが正転せしめられると、滑動ブロック
20a及び20bが下降せしめられ、モータ30a及び
30bが逆転せしめられると、滑動ブロック20a及び
20bが上昇せしめられる。滑動ブロック20a及び2
0bの各々には前方に突出した支持部32a及び32b
が形成されており、かかる支持部32a及び32bの各
々にはケース34a及び34bが固定されている。ケー
ス34a及び34bには実質上鉛直に延びる回転軸36
a及び36bが回転自在に装着されている。ケース34
a及び34b内には電動モータ(図示していない)が配
設されており、かかるモータの出力軸は回転軸34a及
び34bに連結されている。回転軸34a及び34bの
下端には円板形状の装着部材36a及び36bが固定さ
れ、装着部材36a及び36bには研削工具38a及び
38bが装着されている。研削工具38a及び38bの
下面には円弧形状である複数個の研削部材が配設されて
いる。研削部材は、ダイヤモンド粒子をレジンボンドの
如き適宜の結合剤によって結合することによって形成さ
れたものであるのが好都合である。ケース34a及び3
4b内に配設されている上記モータが付勢されると、研
削工具38a及び38bが高速回転せしめられる。
グ12の主部14における後半部上面には、ターンテー
ブル42が配設されている。このターンテーブル42は
実質上鉛直に延びる中心軸線を中心として回転自在に装
着されている。ターンテーブル42には適宜の電動モー
タ(図示していない)が駆動連結されており、後に更に
言及する如く、ターンテーブル42は120度毎間欠的
に回転せしめられる。ターンテーブル42には周方向に
等角度間隔をおいて3個のチャック手段44が配設され
ている。図示のチャック手段44は実質上鉛直に延びる
中心軸線を中心として回転自在に装着された多孔性円板
から構成されている。チャック手段44には適宜の電動
モータ(図示していない)が駆動連結されており、チャ
ック手段44は5乃至100rpmでよい回転速度で回
転せしめられる。チャック手段44には真空源(図示し
ていない)が選択的に連通せしめられ、後に更に言及す
る如く、チャック手段44上に載置された半導体ウエー
ハがチャック手段44に真空吸着される。ターンテーブ
ル42が120度毎間欠的に回転せしめられることによ
って、チャック手段44の各々は、搬入及び搬出域4
6、粗研削域48及び精密研削域50に順次に位置せし
められる。後の説明から明確に理解される如く、搬入及
び搬出域46は研磨域としても機能する。
上面には、カセット搬入域52、カセット搬出域54、
搬送機構56、半導体ウエーハ受入手段58及び洗浄手
段60が配設されている。ハウジング12の主部14の
中間部上面には、搬送機構62及び64が配設されてい
る。カセット搬入域52上には、裏面を研削・研磨すべ
き複数個の半導体ウエーハWを収容したカセットCが載
置される。カセット搬出域54には、裏面が研削・研磨
された半導体ウエーハWを収容するためのカセットCが
載置される。搬送機構56は、カセット搬入域52上に
載置されているカセットCから半導体ウエーハWを1枚
毎搬出し、表裏を反転せしめて半導体ウエーハ受入手段
58上に載置する。搬送機構62は、裏面を上方に向け
て半導体ウエーハ受入手段58上に載置されている半導
体ウエーハWを、搬入・搬出域46に位置せしめられて
いるチャック手段44上に搬入する。
ャック手段44上に搬入された半導体ウエーハWは、タ
ーンテーブル42の間欠的回転によってチャック手段4
4と共に粗研削域48に位置せしめられる。粗研削域4
8においては、半導体ウエーハWを保持したチャック手
段44が回転せしめられると共に、研削工具38aが高
速回転せしめられる。そして、研削工具38aが半導体
ウエーハWの裏面に押圧せしめられて漸次下降せしめら
れ、これによって半導体ウエーハWの裏面が研削され
る。研削工具38aの中心軸線とチャック手段44の中
心軸線とは所定距離だけ変位せしめられており、半導体
ウエーハWの裏面全体に渡って充分均一に研削工具38
aが作用せしめられる。粗研削域48において粗研削さ
れた半導体ウエーハWは、ターンテーブル42の間欠的
回転によってチャック手段44と共に精密研削域50に
位置せしめられる。そして、研削工具38bによって半
導体ウエーハWの裏面が精密研削される。研削工具38
bによる精密研削様式は、研削工具38aによる粗研削
様式と同様である。精密研削域50において精密研削さ
れた半導体ウエーハWは、ターンテーブル42の間欠的
回転によってチャック手段44と共に搬入・搬出域46
に位置せしめられる。そして、この搬入・搬出域46に
おいては、後に更に詳述するとおりにして、半導体ウエ
ーハWの裏面が研磨される。
6に位置せしめられているチャック手段44上の半導体
ウエーハWを洗浄手段60に搬送する。洗浄手段60
は、半導体ウエーハWを高速回転せしめながら純水でよ
い洗浄液を噴射し、半導体ウエーハWを洗浄し、乾燥す
る。搬送機構56は、洗浄し、乾燥された半導体ウエー
ハWを再び反転せしめて表面が上方に向く状態にせしめ
て、カセット搬出域54上に載置されているカセットC
内に搬入する。カセット搬入域52に載置されているカ
セットC内の半導体ウエーハWが全て搬出されると、か
かるカセットCが裏面を研削・研磨すべき半導体ウエー
ハWを収容した次のカセットCに交換される。また、カ
セット搬出域54に載置されているカセットCに所定数
の半導体ウエーハWが収納されると、かかるカセットC
が搬出されて空のカセットCが載置される。
したとおりの構成及び作用、即ち搬入・搬出域46にお
ける半導体ウエーハWの裏面の研磨に関する構成及び作
用以外の構成及び作用は、例えば株式会社ディスコから
商品名「DFG841」として販売されている研削機に
おける構成及び作用と実質上同一であり、既に当業者に
は周知のものである。それ故に、これらの構成及び作用
の詳細な説明は本明細書においては省略する。
エーハWの裏面を研削するための粗研削装置18a及び
精密研削装置18bに加えて、研削された半導体ウエー
ハWの裏面を研磨するための研磨装置66が配設されて
いる。図9と共に図10を参照して説明すると、ハウジ
ング12の主部14の後半部上面の両側縁部には、実質
上鉛直に上方に延びる支柱67及び68が配設されてい
る。そして、かかる支柱67及び68間には実質上水平
に延びる案内レール70が固定されており、案内レール
70には滑動ブロック72が滑動自在に装着されてい
る。図9と共に図10を参照することによって明確に理
解される如く、案内レール70は矩形状の横断面形状を
有し、滑動ブロック72には案内レール70が挿通せし
められている矩形状の横断面形状を有する開口74が形
成されている。支柱67及び68間には、更に、実質上
水平に延びるねじ軸76が回転自在に装着されている。
支柱68には電動モータ78が装着されており、この電
動モータ78の出力軸はねじ軸76に連結されている。
一方、滑動ブロック72には実質上水平に延びる貫通ね
じ孔80が形成されており、ねじ軸76はねじ孔80に
螺合せしめられている。従って、電動モータ78が正転
せしめられると滑動ブロック72が矢印82で示す方向
に往動せしめられ、電動モータ72が逆転せしめられる
と滑動ブロック72が矢印84で示す方向に復動せしめ
られる。
と、滑動ブロック72の前面には実質上鉛直に延びる案
内レール86が形成されており、この案内レール86に
沿って滑動自在に昇降ブロック88が装着されている。
案内レール86の横断面形状はは前方に向かって幅が漸
次増大する逆台形、即ち鳩尾形状であり、昇降ブロック
88には対応した横断面形状を有する被案内溝90が形
成されており、案内レール86に案内溝90が係合せし
められている。図10に明確に図示する如く、滑動ブロ
ック72の案内レール86には実質上鉛直に延びる貫通
穴92が形成されている。そして、この貫通穴92には
空気圧シリンダ機構94のシリンダ96が固定されてい
る。昇降ブロック88の下端部には後方に突出する突出
部98が形成されており、かかる突出部98には開口1
00が形成されている。空気圧シリンダ機構94のピス
トン102は滑動ブロック72から下方に延出し、昇降
ブロック88の突出部98に形成されている開口100
を通って下方に延びている。ピストン102の下端に
は、開口100よりも大きいフランジ104が固定され
ている。昇降ブロック88内には電動モータ106が固
定されており、かかる電動モータ106の出力軸には実
質上鉛直に延びる回転軸108が連結されている。昇降
ブロック88から下方に延出せしめられている回転軸1
08の下端には装着部材110が固定されている、そし
て、この装着部材110の下面に図1及び図2に図示す
る研磨工具2が固定されている。更に詳述すると、装着
部材110は研磨工具2の支持部材4の外径と実質上同
一の外径を有する円板形状であり、周方向に間隔をおい
て複数個(図示の場合は4個)の貫通孔が形成されてい
る。装着部材110に形成されている貫通孔を通して、
研磨工具2の支持部材4に形成されている盲ねじ孔8に
止めねじ114を螺合することによって、装着部材11
0の下面に研磨工具2が固定されている。図示の実施形
態においては、更に、ハウジング12の主部14には、
搬入・搬出域46に位置するチャック手段44上に保持
されている半導体ウエーハWに向けて純水でよい洗浄液
を噴射する洗浄手段116と、搬入・搬出域46に位置
するチャック手段44上に保持されている半導体ウエー
ハWに向けて空気、好ましくは加熱空気、を噴射する乾
燥手段118が配設されている。
と、ターンテーブル42が間欠的に回転せしめられる
時、そしてまた搬入・搬出域46に位置せしめられてい
るチャック手段44上に半導体ウエーハWが搬入される
時及びチャック手段44から半導体ウエーハWが搬出さ
れる時には、空気圧シリンダ機構94のピストン102
が図10に二点鎖線で示す位置まで収縮せしめられ、ピ
ストン102の先端に配設されたフランジ104が昇降
ブロック88の突出部98に作用することによって昇降
ブロック88が図10に二点鎖線で示す上昇位置まで上
昇せしめられる。昇降ブロック88が上昇位置に位置せ
しめられると、研磨手段66の研磨工具2は搬入・搬出
域46に位置するチャック手段44及びその上に保持さ
れている半導体ウエーハWから上方に離隔せしめられ
る。ターンテーブル42が間欠的に回転せしめられて、
裏面が粗研削域48において粗研削され精密研削域50
において精密研削された半導体ウエーハWを保持したチ
ャック手段44が搬入・搬出域46に位置せしめられる
と、洗浄手段116が半導体ウエーハWの裏面に洗浄液
を噴射し、半導体ウエーハWの裏面から研削屑を排出せ
しめる。次いで、乾燥手段118が半導体ウエーハWの
裏面に空気を噴射して乾燥せしめる。
ストン102が図10に実線で示す位置まで伸張せしめ
られる。かくすると、ピストン102の先端に配設され
ているフランジ104が昇降ブロック88の突出部98
から下方に離隔せしめられ、昇降ブロック88及びこれ
に装着されている電動モータ106、回転軸108、装
着部材110及び研磨工具2の自重によって研磨工具2
の研磨手段6が半導体ウエーハWの裏面に押圧される。
所望ならば、昇降ブロック88及びこれに装着された種
々の構成要素の自重に加えて又はこれに代えて、例えば
圧縮ばねの如き適宜の弾性偏倚手段を配設し、かかる弾
性偏倚手段によって研磨手段6を半導体ウエーハWの裏
面に押圧せしめることもできる。研磨工具2の研磨手段
6を半導体ウエーハWの裏面に押圧せしめると同時に或
いはその前又は後に、チャック手段44が回転せしめら
れると共にモータ106が付勢されて研磨工具2が回転
せしめられる。そしてまた、モータ72が正転と逆転と
を繰り返し、滑動ブロック72が矢印82及び84で示
す方向に往復動せしめられ、従って研磨工具2が矢印8
2及び84で示す方向に往復動せしめられる。かくして
半導体ウエーハWの裏面が研磨される。
りにして半導体ウエーハWの裏面を研磨工具2によって
研磨する際には、チャック手段44を比較的低速で、好
ましくは5乃至200rpm、特に10乃至30rpm
の回転速度で回転せしめ、研磨工具2は比較的高速で、
好ましくは2000乃至20000rpm、特に500
0乃至8000rpmの回転速度で回転せしめるのが好
適である。チャック手段44の回転方向と研磨工具2の
回転方向とは同一でもよいが、相互に逆方向であるのが
好都合である。研磨工具2の矢印82及び84で示す方
向における往復動に関しては、半導体ウエーハWの直径
と同一乃至これより幾分大きい振幅で30乃至90秒間
に研磨工具2を一往復せしめることができる。半導体ウ
エーハWの裏面に対する研磨工具2の押圧力は100乃
至300g/cm2、特に180乃至220g/cm2
であるのが好適である。図10に図示する如く、研磨工
具2の研磨手段6の直径は半導体ウエーハWの直径と略
同一でよい。半導体ウエーハWの裏面の全体に渡って研
磨手段6の全体が充分均一に作用するようになすため
に、チャック手段44上に保持されている半導体ウエー
ハWの中心軸線と研磨手段6の中心軸線とは、実質上水
平な方向(即ちチャック手段44の回転中心軸線及び研
磨工具2の回転中心軸線に対して垂直な方向)で且つ研
磨工具2の矢印82及び84で示す往復動方向に対して
垂直な方向に、研磨手段6の半径の1/3乃至1/2程
度相互に変位せしめられているのが好適である。
aで粗研削し、精密研削装置18bで精密研削すると、
当業者には周知の如く、半導体ウエーハWの裏面には所
謂ソーマークが生成され、そしてまた裏面から0.2μ
m 程度の深さ渡って所謂加工歪(かかる加工歪は透過型
電子顕微鏡によって観察することによって明確に把握す
ることができる)が生成される。然るに、研削の後に半
導体ウエーハWの裏面を本発明に従って構成された研磨
工具2によって研磨することによって1.0μm 程度の
深さに渡って表層を除去すると、半導体ウーエハWの裏
面を鏡面にせしめることができ、そしてまた加工歪を実
質上消失せしめることができる。
として処理すべき物質を大量に生成せしめることなく、
半導体ウエーハの裏面を高研磨効率及び高研磨品質で研
磨して、そこに存在していた加工歪を除去することがで
きる。
形態を示す斜面図。
形態を倒立状態で示す斜面図。
実施形態を倒立状態で示す斜面図。
実施形態を倒立状態で示す斜面図。
実施形態を倒立状態で示す斜面図。
実施形態を倒立状態で示す斜面図。
る研削・研磨機を示す斜面図。
を示す断面図。
Claims (10)
- 【請求項1】 支持部材、及び該支持部材に固定された
研磨手段を具備し、該研磨手段は密度が0.20g/c
m3以上で硬度が30以上であるフェルトと該フェルト
中に分散せしめられた砥粒とから構成されている、こと
を特徴とする研磨工具。 - 【請求項2】 該フェルトの密度は0.40g/cm3
以上である、請求項1記載の研磨工具。 - 【請求項3】 該フェルトの硬度は50以上である、請
求項1又は2記載の研磨工具。 - 【請求項4】 該研磨手段は0.05乃至1.00g/
cm3の砥粒を含有している、請求項1から3までのい
ずれかに記載の研磨工具。 - 【請求項5】 該研磨手段は0.20乃至0.70g/
cm3の砥粒を含有している、請求項4記載の研磨工
具。 - 【請求項6】 該フェルトは重量割合で90%以上の羊
毛を含んでいる、請求項1から5までのいずれかに記載
の研磨工具。 - 【請求項7】 該研磨手段の研磨面は該フェルトの横目
面と縦目面との双方を含んでいる請求項1から6までの
いずれかに記載の研磨工具。 - 【請求項8】 該砥粒は0.01乃至100μm の粒径
を有する、請求項1から7までのいずれかに記載の研磨
工具。 - 【請求項9】 該砥粒はシリカ、アルミナ、ホルステラ
イト、ステアタイト、ムライト、立方晶窒化硼素、ダイ
ヤモンド、窒化珪素、炭化珪素、炭化硼素、炭酸バリウ
ム、炭酸カルシウム、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化
ジルコニア、酸化セリウム、酸化クロム、酸化錫、酸化
チタンのうちの1種又は2種以上を含む、請求項1から
8までのいずれにかに記載の研磨工具。 - 【請求項10】 該支持部材は円形支持面を有し、該研
磨手段は該円形支持面に接合された円板形状である、請
求項1から9までのいずれかに記載の研磨工具。
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