JP2002280806A - Dual mode band pass filter, characteristic adjustment method for the dual mode band pass filter, and duplexer and wireless communication device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dual mode band pass filter that can be downsized, the characteristic of which can easily be adjusted, with a low insertion loss and that hardly acts like a noise source. SOLUTION: The dual mode band pass filter 1 has a tri-plate structure where ground electrodes 3, 6 are placed above and under a metallic film 9 via a dielectric substrate layer to configure a resonator, the ground electrodes 3, 6 are interconnected electrically by ground connection electrodes 7, 8, the ground electrodes 3, 6 and the ground connection electrodes 7, 8 apply electromagnetic shield to the metallic film 9, input output connection electrodes 12, 13 connected to input output coupling circuits 10, 11 are formed to end faces 2e, 2f of a dielectric board 2 and act like a resonance exciting source of a structure comprising the ground electrodes 3, 6 and the ground connection electrodes 7, 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばマイクロ波
〜ミリ波帯の通信機において帯域フィルタとして用いら
れるデュアルモード・バンドパスフィルタ及びその特性
調整方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dual-mode bandpass filter used as a bandpass filter in, for example, a communication device in a microwave to millimeter-wave band, and a method of adjusting characteristics thereof.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、高周波領域で用いられるバンドパ
スフィルタとして、デュアルモード・バンドパスフィル
タが種々提案されている（MINIATURE DUAL MODE MICROS
TRIP FILTERS, J.A. Curtis and S.J. Fiedziuszko, 19
91 IEEE MTT-S Digestなど）。2. Description of the Related Art Conventionally, various types of dual-mode bandpass filters have been proposed as bandpass filters used in a high-frequency region (MINIATURE DUAL MODE MICROS).
TRIP FILTERS, JA Curtis and SJ Fiedziuszko, 19
91 IEEE MTT-S Digest).

【０００３】図１１及び図１２は、従来のデュアルモー
ド・バンドパスフィルタを説明するための各模式的平面
図である。図１１に示すバンドパスフィルタ２００で
は、誘電体基板（図示せず）上に円形の導電膜２０１が
形成されている。この導電膜２０１に、互いに９０°の
角度をなすように、入出力結合回路２０２及び入出力結
合回路２０３が結合されている。そして、上記入出力結
合回路２０３が配置されている部分に対して中心角４５
°の角度をなす位置に、先端開放スタブ２０４が形成さ
れている。これによって共振周波数が異なる２つの共振
モードが結合され、バンドパスフィルタ２００は、デュ
アルモード・バンドパスフィルタとして動作するように
構成されている。FIGS. 11 and 12 are schematic plan views illustrating a conventional dual mode bandpass filter. In the bandpass filter 200 shown in FIG. 11, a circular conductive film 201 is formed on a dielectric substrate (not shown). The input / output coupling circuit 202 and the input / output coupling circuit 203 are coupled to the conductive film 201 so as to form an angle of 90 ° with each other. The central angle 45 with respect to the portion where the input / output coupling circuit 203 is disposed.
An open-end stub 204 is formed at a position forming an angle of °. Thus, two resonance modes having different resonance frequencies are coupled, and the bandpass filter 200 is configured to operate as a dual mode bandpass filter.

【０００４】また、図１２に示すデュアルモード・バン
ドパスフィルタ２１０では、誘電体基板上に略正方形の
導電膜２１１が形成されている。この導電膜２１１に、
互いに９０°の角度をなすように、入出力結合回路２１
２，２１３が結合されている。また、入出力結合回路２
１３に対して１３５°の位置のコーナー部が欠落されて
いる。欠落部分２１１ａを設けることにより、２つの共
振モードの共振周波数が異ならされており、該２つのモ
ードの共振が結合されて、バンドパスフィルタ２１０
は、デュアルモード・バンドパスフィルタとして動作す
る。In the dual mode bandpass filter 210 shown in FIG. 12, a substantially square conductive film 211 is formed on a dielectric substrate. In this conductive film 211,
The input / output coupling circuit 21 is formed so as to form an angle of 90 ° with each other.
2,213 are connected. Also, the input / output coupling circuit 2
The corner at 135 ° to 13 is missing. By providing the missing portion 211a, the resonance frequencies of the two resonance modes are made different, and the resonances of the two modes are combined, and the band-pass filter 210
Operate as a dual-mode bandpass filter.

【０００５】他方、円形の導電膜に代えて、円環状の導
電膜を用いたデュアルモードフィルタも提案されている
（特開平９−１３９６１２号公報、特開平９−１６２６
１０号公報など）。すなわち、円環状のリング伝送路を
用い、図１１に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタと同様に、中心角９０°の角度をなすように入出力
結合回路を配置し、かつリング状伝送路の一部に先端開
放スタブを設けてなるデュアルモードフィルタが開示さ
れている。On the other hand, a dual mode filter using an annular conductive film instead of a circular conductive film has also been proposed (JP-A-9-139612, JP-A-9-1626).
No. 10 publication). That is, similarly to the dual mode bandpass filter shown in FIG. 11, the input / output coupling circuit is arranged so as to form a central angle of 90 ° using an annular ring transmission line, and A dual mode filter in which a stub having an open end is provided in a part is disclosed.

【０００６】また、特開平６−１１２７０１号公報に
も、同様のリング状伝送路を用いたデュアルモードフィ
ルタが開示されている。図１３に示すように、このデュ
アルモードフィルタ２２１では、誘電体基板上に円環状
の導電膜２２２が形成されているリング共振器が構成さ
れている。ここでは、円環状の導電膜２２２に対して、
互いに９０°をなすように４個の端子２２３〜２２６が
構成されている。４個の端子のうち、互いに９０°の角
度をなす位置に配置された２個の端子２２３，２２４が
入出力結合回路２２７，２２８に結合されており、残り
の２個の端子２２５，２２６が帰還回路２３０を介して
接続されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-112701 discloses a dual mode filter using a similar ring-shaped transmission line. As shown in FIG. 13, in the dual mode filter 221, a ring resonator in which an annular conductive film 222 is formed on a dielectric substrate is configured. Here, for the annular conductive film 222,
Four terminals 223 to 226 are formed so as to form 90 ° with each other. Of the four terminals, two terminals 223 and 224 arranged at positions forming an angle of 90 ° are coupled to the input / output coupling circuits 227 and 228, and the remaining two terminals 225 and 226 It is connected via a feedback circuit 230.

【０００７】上記構成により、１つのストリップ線路か
らなるリング共振器において、互いに結合しない直交モ
ード共振を生じさせ、上記帰還回路２３０により結合度
を制御することが可能である旨が記載されている。[0007] It is described that the above configuration allows orthogonal mode resonance that is not coupled to each other to occur in a ring resonator composed of one strip line, and that the degree of coupling can be controlled by the feedback circuit 230.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】図１１及び図１２に示
した従来のデュアルモード・バンドパスフィルタでは、
１つの導電膜パターンを形成することにより２段のバン
ドパスフィルタを構成することができ、従ってバンドパ
スフィルタの小型化を図り得る。In the conventional dual mode bandpass filter shown in FIGS. 11 and 12,
By forming one conductive film pattern, a two-stage bandpass filter can be formed, and thus the size of the bandpass filter can be reduced.

【０００９】しかしながら、円形や正方形の導電膜パタ
ーンにおいて、上記特定の角度を隔てて入出力結合回路
を結合する構成を有するため、結合度を大きくすること
ができず、広い通過帯域を得ることができないという欠
点があった。However, in the circular or square conductive film pattern, since the input / output coupling circuit is configured to be coupled at the above-described specific angle, the degree of coupling cannot be increased, and a wide pass band can be obtained. There was a disadvantage that it could not be done.

【００１０】また、図１１に示されているバンドパスフ
ィルタでは、導電膜２０１が円形であり、図１２に示す
バンドパスフィルタでは、導電膜２１１がほぼ正方形と
形状が限定されている。従って、設計の自由度が低いと
いう問題もあった。In the bandpass filter shown in FIG. 11, the conductive film 201 is circular, and in the bandpass filter shown in FIG. 12, the conductive film 211 is limited to a substantially square shape. Therefore, there is a problem that the degree of freedom in design is low.

【００１１】また、特開平９−１３９６１２号公報や特
開平９−１６２６１０号公報に記載のようなリング状共
振器を用いたデュアルモードバンドパスフィルタにおい
ても、同様に結合度を大きくすることが困難であり、か
つリング状共振器の形状が限定されるという問題があっ
た。Also, in a dual mode bandpass filter using a ring resonator as disclosed in JP-A-9-139612 and JP-A-9-162610, it is similarly difficult to increase the degree of coupling. However, there is a problem that the shape of the ring resonator is limited.

【００１２】他方、前述した特開平６−１１２７０１号
公報に記載のデュアルモードフィルタ２２１では、帰還
回路２３０を用いることにより、結合度の調整が行わ
れ、広帯域化が図られるとされている。しかしながら、
この先行技術に記載のデュアルモードフィルタでは、帰
還回路２３０が必要であり、回路構成が煩雑化するとい
う問題があった。加えて、やはり、リング状共振器の形
状が円環状と限定され、設計の自由度が低いという問題
があった。On the other hand, in the dual mode filter 221 described in JP-A-6-112701, the degree of coupling is adjusted by using the feedback circuit 230, and a wider band is achieved. However,
In the dual mode filter described in the prior art, the feedback circuit 230 is required, and there is a problem that the circuit configuration is complicated. In addition, the shape of the ring resonator is limited to an annular shape, and there is a problem that the degree of freedom in design is low.

【００１３】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、小型化を図り得るだけでなく、結合度を大き
くすることができ、さらに結合度の調整が容易であり、
広い通過帯域を容易に実現することができ、さらに設計
の自由度に優れたデュアルモード・バンドパスフィルタ
及びその特性調整方法を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages of the prior art, not only to achieve a reduction in size, but also to increase the degree of coupling and to easily adjust the degree of coupling.
An object of the present invention is to provide a dual-mode bandpass filter which can easily realize a wide passband and has excellent design flexibility and a method for adjusting the characteristics thereof.

【００１４】本発明の他の目的は、本発明に従って構成
されたデュアルモード・バンドパスフィルタを有するデ
ュプレクサ及び無線通信装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a duplexer having a dual-mode bandpass filter and a wireless communication apparatus configured according to the present invention.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明にかかるデュアル
モード・バンドパスフィルタは、第１，第２の主面を有
する誘電体基板と、前記誘電体基板のある高さ位置にお
いて部分的に形成されており、入力が引加された際に複
数の共振モードが発生し、該複数の共振モードを結合さ
せるための貫通孔または突出部が形成されている金属膜
と、前記金属膜と誘電体基板層を介して対向するように
誘電体基板の第１もしくは第２の主面または内部に形成
された複数のグラウンド電極と、前記複数のグラウンド
電極間を電気的に接続するように設けられたグラウンド
接続電極と、前記誘電体基板の第１，第２の主面に形成
された入出力端子と、前記金属膜に対し、該金属膜の異
なる部分で結合された１対の入出力結合回路と、前記入
出力端子と前記入出力結合回路とを電気的に接続してい
る入出力接続電極とを備え、前記複数のグラウンド電極
が誘電体基板層を介して前記金属膜の上下に配置され
て、トリプレート構造を構成していることを特徴とす
る。According to the present invention, there is provided a dual mode bandpass filter, wherein a dielectric substrate having first and second principal surfaces is formed partially at a height of the dielectric substrate. A plurality of resonance modes are generated when an input is applied, and a metal film formed with a through hole or a protrusion for coupling the plurality of resonance modes; and a metal film and a dielectric material. A plurality of ground electrodes formed on or inside the first or second main surface of the dielectric substrate so as to face each other with the substrate layer interposed therebetween, and provided to electrically connect the plurality of ground electrodes. A ground connection electrode, input / output terminals formed on the first and second main surfaces of the dielectric substrate, and a pair of input / output coupling circuits coupled to the metal film at different portions of the metal film And the input / output terminal and the input An input / output connection electrode electrically connecting a force coupling circuit, and the plurality of ground electrodes are arranged above and below the metal film via a dielectric substrate layer to form a triplate structure. It is characterized by being.

【００１６】本発明の特定の局面では、前記グラウンド
電極及びグラウンド接続電極からなる構造体が、前記金
属膜で生じる複数の共振モードとは別個に共振するよう
に構成されている。In a specific aspect of the present invention, the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is configured to resonate separately from a plurality of resonance modes generated in the metal film.

【００１７】本発明の他の特定の局面では、前記グラウ
ンド電極及びグラウンド接続電極からなる構造体の共振
モードが、ＴＥモードまたはＴＭモードの変形モードで
ある。In another specific aspect of the present invention, the resonance mode of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is a modified mode of the TE mode or the TM mode.

【００１８】本発明のさらに他の特定の局面では、前記
グラウンド電極及びグラウンド接続電極からなる構造体
の共振モードの共振周波数が、前記金属膜において生じ
る複数の共振モードの共振周波数と異なっている。In still another specific aspect of the present invention, a resonance frequency of a resonance mode of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is different from a resonance frequency of a plurality of resonance modes generated in the metal film.

【００１９】本発明の別の特定の局面では、前記グラウ
ンド電極及びグラウンド接続電極からなる構造体の共振
モードと、前記金属膜において生じる複数の前記共振モ
ードとが結合され、バンドパスフィルタが構成されてい
る。According to another specific aspect of the present invention, a resonance mode of a structure including the ground electrode and the ground connection electrode is coupled to a plurality of the resonance modes generated in the metal film to form a band-pass filter. ing.

【００２０】本発明にかかるデュアルモード・バンドパ
スフィルタは、容易に特性を調整することができ、本発
明のある局面では、前記グラウンド電極及びグラウンド
接続電極からなる構造体の共振モードの共振周波数が所
望とする周波数位置に表われるように、前記グラウンド
電極及びグラウンド接続電極からなる構造体の共振長を
変化させることを特徴とするバンドパスフィルタの特性
調整方法が提供され、他の特定の局面では、前記グラウ
ンド電極及びグラウンド接続電極からなる構造体の共振
時のインピーダンスが所望の値となるように、前記入出
力接続電極の構造を調整することを特徴とするバンドパ
スフィルタの特性調整方法が提供される。The dual-mode bandpass filter according to the present invention can easily adjust the characteristics. According to one aspect of the present invention, the resonance frequency of the resonance mode of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is adjusted. A characteristic adjustment method of a band-pass filter characterized by changing a resonance length of a structure including the ground electrode and the ground connection electrode so as to appear at a desired frequency position is provided, and in another specific aspect, And adjusting the structure of the input / output connection electrode so that the impedance of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode at resonance becomes a desired value. Is done.

【００２１】本発明に係るデュプレクサは、本発明に従
って構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタを
備えることを特徴とする。A duplexer according to the present invention includes a dual-mode band-pass filter configured according to the present invention.

【００２２】本発明に係る無線通信装置は、本発明に従
って構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタを
備えることを特徴とする。A wireless communication apparatus according to the present invention includes a dual mode bandpass filter configured according to the present invention.

【００２３】[0023]

【発明の実施の形態】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１の実施例にかかるデュアルモード・バンドパスフィ
ルタの外観を示す斜視図及び正面断面図であり、図１
（ｃ）は、本実施例のデュアルモード・バンドパスフィ
ルタの内部に形成されている共振器を構成するための金
属膜及び入出力端子を示す平面断面図である。1 (a) and 1 (b) are a perspective view and a front sectional view showing the appearance of a dual mode bandpass filter according to a first embodiment of the present invention.
(C) is a sectional plan view showing a metal film and an input / output terminal for forming a resonator formed inside the dual mode bandpass filter of the present embodiment.

【００２４】デュアルモード・バンドパスフィルタ１
は、矩形の誘電体基板２を有する。誘電体基板２を構成
する材料は特に限定されるわけではないが、本実施例で
は、比誘電率ε＝７及びｔａｎδ＝０．００１（ａｔ３
０ＧＨｚ）であるＭｇ−Ｓｉ−Ｂ−Ｏ系ガラスセラミッ
クスにより構成されている。Dual mode band pass filter 1
Has a rectangular dielectric substrate 2. Although the material forming the dielectric substrate 2 is not particularly limited, in this embodiment, the relative dielectric constant ε = 7 and tan δ = 0.001 (at3
0 GHz) is made of Mg-Si-BO-based glass ceramics.

【００２５】矩形板状の誘電体基板２の第１の主面とし
ての上面には、ほぼ全面にグラウンド電極３が形成され
ている。グラウンド電極３は、誘電体基板２の上面にお
いて、対向しあう対の端縁２ａ，２ｂに沿う切欠部３
ａ，３ｂを有する。該切欠部３ａ，３ｂ内に、グラウン
ド電極３と隔てられて、すなわちグラウンド電極３と電
気的に絶縁されて入出力端子４，５がそれぞれ形成され
ている。入出力端子は、矩形の電極膜により構成されて
いる。A ground electrode 3 is formed on almost the entire upper surface of the rectangular plate-shaped dielectric substrate 2 as the first main surface. The ground electrode 3 is formed on the upper surface of the dielectric substrate 2 by a notch 3 along the pair of opposing edges 2a, 2b.
a and 3b. Input / output terminals 4 and 5 are formed in the cutouts 3 a and 3 b, respectively, separated from the ground electrode 3, that is, electrically insulated from the ground electrode 3. The input / output terminals are constituted by rectangular electrode films.

【００２６】誘電体基板２の第２の主面としての下面に
は、全面にグラウンド電極６が形成されている。また、
誘電体基板２の上面の端縁２ａ，２ｂの両側に位置する
一対の側面２ｃ，２ｄに、グラウンド接続電極７，８が
形成されている。グラウンド接続電極７，８は、誘電体
基板２の上面及び下面に形成されているグラウンド電極
３，６を電気的に接続するために設けられている。A ground electrode 6 is formed on the entire lower surface of the dielectric substrate 2 as the second main surface. Also,
Ground connection electrodes 7 and 8 are formed on a pair of side surfaces 2c and 2d located on both sides of the edges 2a and 2b on the upper surface of the dielectric substrate 2. The ground connection electrodes 7 and 8 are provided for electrically connecting the ground electrodes 3 and 6 formed on the upper and lower surfaces of the dielectric substrate 2.

【００２７】他方、誘電体基板２の内部のある高さ位置
には、共振器を構成するための金属膜９が部分的に形成
されている。金属膜９は、グラウンド電極３，６と誘電
体基板層を介して重なり合うように、かつこれらと平行
に配置されている。On the other hand, a metal film 9 for forming a resonator is partially formed at a certain height position inside the dielectric substrate 2. The metal film 9 is arranged so as to overlap with the ground electrodes 3 and 6 via the dielectric substrate layer and in parallel with these.

【００２８】本実施例では、金属膜９の平面形状は長方
形であり、貫通孔９ａを有する。貫通孔９ａもまた長方
形であるが、この貫通孔９ａは、金属膜９の長辺方向に
伝搬する共振モードと短辺方向に延びる共振モードとを
結合させるために設けられている。In this embodiment, the planar shape of the metal film 9 is rectangular and has a through hole 9a. The through hole 9a is also rectangular, but the through hole 9a is provided for coupling a resonance mode propagating in the long side direction of the metal film 9 and a resonance mode extending in the short side direction.

【００２９】すなわち、入出力端子４，５の一方から入
力を加えた場合、金属膜９において、長辺方向及び短辺
方向に伝搬する共振モードが発生する。長辺方向に伝搬
する共振モードの共振周波数と、短辺方向に伝搬する共
振モードの共振周波数は異なる。そして、貫通孔９ａは
金属膜９の長辺と平行な方向に延ばされた長方形の形状
を有する。従って、貫通孔９ａの存在により、短辺方向
に伝搬する共振モードの共振電界が弱められる。本実施
例では、この貫通孔９ａの大きさを調整することによ
り、短辺方向に伝搬する共振モードの共振周波数が調整
され、それによって短辺方向に伝搬する共振モードと長
辺方向に伝搬する共振モードとが結合され、デュアルモ
ード・バンドパスフィルタとしての特性が得られる。That is, when an input is applied from one of the input / output terminals 4 and 5, a resonance mode that propagates in the long side direction and the short side direction occurs in the metal film 9. The resonance frequency of the resonance mode propagating in the long side direction is different from the resonance frequency of the resonance mode propagating in the short side direction. The through hole 9a has a rectangular shape extending in a direction parallel to the long side of the metal film 9. Therefore, the presence of the through holes 9a weakens the resonance electric field of the resonance mode propagating in the short side direction. In the present embodiment, by adjusting the size of the through hole 9a, the resonance frequency of the resonance mode propagating in the short side direction is adjusted, whereby the resonance mode propagating in the short side direction and the resonance mode propagating in the long side direction are adjusted. The resonance mode is coupled, and a characteristic as a dual mode bandpass filter is obtained.

【００３０】言い換えれば、上記貫通孔９ａは、金属膜
９において生じる上記２つの共振モードを結合するよう
に構成されている。金属膜９と同じ高さ位置において、
金属膜９の短辺とを所定距離を隔てて、入出力結合回路
を構成する電極膜１０，１１が形成されている。電極膜
１０，１１は、金属膜９に容量結合している。In other words, the through-hole 9a is configured to couple the two resonance modes generated in the metal film 9. At the same height position as the metal film 9,
Electrode films 10 and 11 forming an input / output coupling circuit are formed at a predetermined distance from the short side of the metal film 9. The electrode films 10 and 11 are capacitively coupled to the metal film 9.

【００３１】また、電極膜１０，１１は、その外側端縁
が誘電体基板２の一対の端面２ｅ，２ｆにそれぞれ引き
出されている。他方、端面２ｅ，２ｆには、入出力接続
電極１２，１３が形成されている。入出力接続電極１
２，１３は、上記電極膜１０，１１に電気的に接続され
ており、かつその上端においては、入出力端子４，５に
それぞれ電気的に接続されている。The outer edges of the electrode films 10 and 11 are extended to a pair of end surfaces 2e and 2f of the dielectric substrate 2, respectively. On the other hand, input / output connection electrodes 12, 13 are formed on the end faces 2e, 2f. I / O connection electrode 1
The electrodes 2 and 13 are electrically connected to the electrode films 10 and 11 and, at the upper ends thereof, are electrically connected to the input / output terminals 4 and 5, respectively.

【００３２】入出力接続電極１２，１３は、上記入出力
結合回路としての電極膜１０，１１と、誘電体基板２の
上面に形成されている入出力端子４，５とを電気的に接
続するために設けられている。本実施例では、入出力端
子４，５が誘電体基板２の上面に形成されており、電極
膜１０，１１が中間高さ位置に形成されているので、入
出力接続電極１２，１３は、端面２ｅ，２ｆ上におい
て、端面２ｅ，２ｆと上面とのなす端縁２ａ，２ｂか
ら、下方に延び、かつ入出力結合回路としての電極膜１
０，１１に電気的に接続される位置まで延ばされてい
る。The input / output connection electrodes 12 and 13 electrically connect the electrode films 10 and 11 as the input / output coupling circuit and the input / output terminals 4 and 5 formed on the upper surface of the dielectric substrate 2. It is provided for. In this embodiment, since the input / output terminals 4 and 5 are formed on the upper surface of the dielectric substrate 2 and the electrode films 10 and 11 are formed at intermediate height positions, the input / output connection electrodes 12 and 13 are On the end surfaces 2e and 2f, the electrode film 1 extending downward from the edges 2a and 2b formed by the end surfaces 2e and 2f and the upper surface and serving as an input / output coupling circuit.
It extends to a position where it is electrically connected to 0,11.

【００３３】すなわち、入出力接続電極１２，１３は、
端面２ｅ，２ｆの下端には至らないように形成されてい
る。上述したグラウンド電極３、入出力端子４，５、グ
ラウンド電極６、グラウンド接続電極７，８、金属膜
９、電極膜１０，１１及び入出力接続電極１２，１３
は、いずれも、本実施例ではＣｕにより形成されてい
る。もっとも、これらの電極を構成する電極材料につい
ては特に限定されるものではない。That is, the input / output connection electrodes 12 and 13 are
It is formed so as not to reach the lower ends of the end faces 2e and 2f. The above-described ground electrode 3, input / output terminals 4, 5, ground electrode 6, ground connection electrodes 7, 8, metal film 9, electrode films 10, 11, and input / output connection electrodes 12, 13.
Are formed of Cu in this embodiment. However, the electrode materials constituting these electrodes are not particularly limited.

【００３４】上記デュアルモード・バンドパスフィルタ
１の製造に際しては、誘電体基板を構成するために、複
数枚の矩形の誘電体グリーンシートを用意する。次に、
誘電体グリーンシートに、誘電体基板の上面、中間高さ
位置及び下面に形成される各電極構造を、それぞれ別の
グリーンシート上に印刷する。そして、これらの電極が
印刷された誘電体グリーンシートを、さらに必要に応じ
て無地の誘電体グリーンシートを間に介在させて積層
し、積層体を得る。得られた積層体を厚み方向に加圧し
た後、焼成することにより、誘電体基板２が得られる。
このようにして得られた誘電体基板２の端面２ｅ，２ｆ
に、入出力接続電極１２，１３及びグラウンド電極７，
８を導電ペーストの塗布・焼付等の適宜の方法により形
成すればよい。In manufacturing the dual-mode bandpass filter 1, a plurality of rectangular dielectric green sheets are prepared to form a dielectric substrate. next,
The electrode structures formed on the upper surface, the intermediate height position, and the lower surface of the dielectric substrate are printed on separate green sheets on the dielectric green sheet. Then, the dielectric green sheets on which these electrodes are printed are laminated, if necessary, with a plain dielectric green sheet interposed therebetween to obtain a laminate. After the obtained laminate is pressed in the thickness direction and then fired, the dielectric substrate 2 is obtained.
The end faces 2e and 2f of the dielectric substrate 2 thus obtained
The input / output connection electrodes 12, 13 and the ground electrode 7,
8 may be formed by an appropriate method such as application and baking of a conductive paste.

【００３５】上記のように、誘電体基板２は、従来より
周知のセラミックス一体焼成技術により容易に得ること
ができる。As described above, the dielectric substrate 2 can be easily obtained by a well-known ceramic integral firing technique.

【００３６】本実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタ１は、中間高さ位置に共振器を構成するための金
属膜９を有し、金属膜９の上方及び下方に、グラウンド
電極３，６が配置されている、いわゆるトリプレート構
造を有する。しかも、共振器を構成する金属膜９の周囲
が、グラウンド電極３，６及びグラウンド接続電極７，
８により電磁シールドされている。従って、損失の低減
を果たすことができる。The dual mode bandpass filter 1 of this embodiment has a metal film 9 for forming a resonator at an intermediate height position, and ground electrodes 3 and 6 are provided above and below the metal film 9. It has a so-called triplate structure arranged. Moreover, the periphery of the metal film 9 constituting the resonator is formed by the ground electrodes 3, 6 and the ground connection electrodes 7,
8 is electromagnetically shielded. Therefore, loss can be reduced.

【００３７】加えて、上記グラウンド電極３，６及びグ
ラウンド接続電極７，８からなる構造体は、金属膜９で
構成される共振器の複数の共振モードとは別個に共振す
る。すなわち、入出力接続電極１２，１３を励振源とし
て、主としてグラウンド電極３，６及びグラウンド接続
電極７，８で囲まれる空間に上記金属膜９における共振
電磁界とは異なる共振電磁界が存在する。従って、グラ
ウンド電極３，６及びグラウンド接続電極７，８からな
る構造体の、例えば形状などを変えることにより、金属
膜９で生じる複数の共振モードとは別個の共振を制御す
ることができる。同様に、入出力接続電極１２，１３の
形状などを変えることにより、金属膜９で生じる複数の
共振モードとは別個の共振を制御することができる。従
って、デュアルモード・バンドパスフィルタの特性を容
易に調整することができる。In addition, the structure including the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8 resonates separately from a plurality of resonance modes of the resonator constituted by the metal film 9. That is, a resonance electromagnetic field different from the resonance electromagnetic field in the metal film 9 exists mainly in the space surrounded by the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8 using the input / output connection electrodes 12 and 13 as excitation sources. Therefore, by changing, for example, the shape of the structure including the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8, it is possible to control the resonance that is different from the plurality of resonance modes generated in the metal film 9. Similarly, by changing the shape and the like of the input / output connection electrodes 12 and 13, it is possible to control resonance that is different from a plurality of resonance modes generated in the metal film 9. Therefore, the characteristics of the dual mode bandpass filter can be easily adjusted.

【００３８】例えば、デュアルモード・バンドパスフィ
ルタ１の金属膜９の共振周波数に、上記グラウンド電極
３，６及びグラウンド接続電極７，８からなる構造体の
共振周波数を近接させることにより、多段フィルタを構
成することができる。あるいは、上記グラウンド電極
３，６及びグラウンド接続電極７，８からなる構造体の
共振周波数を、デュアルモード・バンドパスフィルタの
減衰域以外に移動させることにより、または上記構造体
の共振が小さくなるようにインピーダンスを調整するこ
とにより、スプリアスのないフィルタ特性を得ることが
できる。For example, by making the resonance frequency of the structure composed of the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8 close to the resonance frequency of the metal film 9 of the dual mode bandpass filter 1, a multi-stage filter can be formed. Can be configured. Alternatively, the resonance frequency of the structure including the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8 is moved to a position other than the attenuation range of the dual mode bandpass filter, or the resonance of the structure is reduced. By adjusting the impedance in (1), filter characteristics without spurious can be obtained.

【００３９】次に、本実施例のデュアルモード・バンド
パスフィルタ１の具体的な実験例を説明する。本実験例
では、通過帯域中心周波数が約２１ＧＨｚとなるよう
に、金属膜９の設計を行った。すなわち、金属膜９の長
辺を２．２ｍｍ、短辺を１．２ｍｍとした。また、金属
膜９において生じる長辺方向の共振と短辺方向の共振と
を結合させるために、金属膜９のほぼ中心に、長辺１．
８ｍｍ×短辺０．５ｍｍの貫通孔９ａを形成した。Next, a specific experimental example of the dual mode bandpass filter 1 of this embodiment will be described. In this experimental example, the metal film 9 was designed such that the center frequency of the pass band was about 21 GHz. That is, the long side of the metal film 9 was 2.2 mm, and the short side was 1.2 mm. In order to couple the resonance in the long side direction and the resonance in the short side direction generated in the metal film 9, the long side 1.
A through hole 9a of 8 mm × 0.5 mm on the short side was formed.

【００４０】また、誘電体基板２の寸法は、長辺約３．
０ｍｍ×短辺１．９ｍｍ×高さ０．６ｍｍとした。金属
膜９の各短辺のコーナー部分近傍において、短辺と４０
μｍのギャップを隔てて、０．３×０．３６ｍｍの長方
形状の電極膜１０，１１を形成した。The dimension of the dielectric substrate 2 is about 3.
0 mm × short side 1.9 mm × height 0.6 mm. Near the corner of each short side of the metal film 9, the short side
The rectangular electrode films 10 and 11 of 0.3 × 0.36 mm were formed with a gap of μm.

【００４１】また、上記金属膜９及び電極膜１０，１１
は、誘電体基板２の高さ方向ほぼ中央に配置した。さら
に、入出力接続電極１２，１３は、上面の入出力端子
４，５と中間高さ位置に形成された電極膜１０，１１と
を結ぶ長さとし、かつその幅（すなわち高さ方向と直交
する方向の寸法）は３００μｍとした。The metal film 9 and the electrode films 10, 11
Are arranged substantially at the center of the dielectric substrate 2 in the height direction. Further, the input / output connection electrodes 12 and 13 have a length connecting the input / output terminals 4 and 5 on the upper surface and the electrode films 10 and 11 formed at intermediate height positions, and have a width (that is, orthogonal to the height direction). Direction dimension) was 300 μm.

【００４２】上記設計のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタ１の反射特性の周波数特性を図２に示す。図２に
おいて、低周波数側に表われている、矢印Ａで示す共振
が金属膜９のフィルタ特性を得るための共振を示し、高
周波数側に表われている矢印Ｂで示す共振がグラウンド
電極３，６及びグラウンド接続電極７，８からなる構造
体による共振に対応している。FIG. 2 shows the frequency characteristics of the reflection characteristics of the dual mode bandpass filter 1 having the above design. In FIG. 2, the resonance indicated by the arrow A, which appears on the low frequency side, indicates the resonance for obtaining the filter characteristic of the metal film 9, and the resonance indicated by the arrow B, which appears on the high frequency side, is the ground electrode 3. , 6 and the ground connection electrodes 7, 8.

【００４３】図２から明らかなように、本実施例では、
グラウンド電極３，６及びグラウンド接続電極７，８か
らなる構造体の共振の共振周波数が、フィルタ特性を得
るための共振Ａの共振周波数よりもかなり高くされてお
り、すなわち十分に離されており、従って、フィルタの
減衰特性が影響を受けないように構成されている。本願
発明者は、図２の矢印Ｂで示されている共振における電
磁界分布を、ヒューレットパッカード社製電磁界シミュ
レータ（品番ＨＦＳＳ）を用い計算した。結果を図３
（ａ）及び（ｂ）に略図的に示す。As is apparent from FIG. 2, in this embodiment,
The resonance frequency of the resonance of the structure including the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8 is considerably higher than the resonance frequency of the resonance A for obtaining the filter characteristics, that is, sufficiently separated, Therefore, the filter is configured so that the attenuation characteristic of the filter is not affected. The inventor of the present application calculated the electromagnetic field distribution at the resonance indicated by the arrow B in FIG. 2 using an electromagnetic field simulator (product number HFSS) manufactured by Hewlett-Packard Company. Fig. 3 shows the results.
(A) and (b) show schematically.

【００４４】図３（ａ）は、誘電体基板２を平面視した
場合の電磁界分布を示し、（ｂ）は誘電体基板２の中央
を通る正面断面図方向から見た電磁界分布を示す。図３
（ａ），（ｂ）から明らかなように、誘電体基板２の中
央に誘電体基板２の厚み方向に強い電界が発生してお
り、該電界を回り込むように磁界が発生していることが
わかる。FIG. 3A shows an electromagnetic field distribution when the dielectric substrate 2 is viewed in a plan view, and FIG. 3B shows an electromagnetic field distribution when viewed from the front sectional view passing through the center of the dielectric substrate 2. . FIG.
As is clear from (a) and (b), a strong electric field is generated at the center of the dielectric substrate 2 in the thickness direction of the dielectric substrate 2, and a magnetic field is generated so as to go around the electric field. Understand.

【００４５】なお、図３（ａ）における中央のハッチン
グをした部分が電界の強い部分を示し、周囲の一点鎖線
で示す矢印は磁界のベクトル分布を示す。また、図３
（ｂ）における誘電体基板２の厚み方向に延びる矢印
は、電界ベクトルを示す。In FIG. 3A, the hatched portion at the center indicates the portion where the electric field is strong, and the arrows indicated by the dashed lines indicate the vector distribution of the magnetic field. FIG.
Arrows extending in the thickness direction of the dielectric substrate 2 in (b) indicate electric field vectors.

【００４６】図３（ａ）及び（ｂ）に示す電磁界分布
は、一般に空洞共振器の共振モードと知られているＴＥ
モードあるいはこれに等価なＴＭモードと分布が類似し
ている。異なるのは、本実施例では、グラウンド電極で
覆われていない端面２ｅ，２ｆが存在し、該端面２ｅ，
２ｆから電磁界が外部に若干漏れている点にある。The electromagnetic field distributions shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b) show a TE mode generally known as a resonance mode of a cavity resonator.
The distribution is similar to the mode or the TM mode equivalent thereto. The difference is that in this embodiment, there are end faces 2e and 2f which are not covered with the ground electrode, and the end faces 2e and 2f
The point is that the electromagnetic field slightly leaks outside from 2f.

【００４７】本願発明者は、上記実施例のデュアルモー
ド・バンドパスフィルタ１と比較するために、未だ公知
ではないが、特願２０００−４７９１９号に開示されて
いる構造を有するデュアルモード・バンドパスフィルタ
を作製した。図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、この
デュアルモード・バンドパスフィルタ２１は、誘電体基
板２２を用いて構成されており、誘電体基板２２の上面
にはデュアルモード・バンドパスフィルタ１の場合と同
様に、グラウンド電極３及び入出力端子４，５が形成さ
れている。もっとも、デュアルモード・バンドパスフィ
ルタ２１では、誘電体基板２２の下面に、金属膜９及び
入出力結合回路としての電極膜１０，１１が形成されて
いる。すなわち、デュアルモード・バンドパスフィルタ
２１はトリプレート構造を有するものではなく、マイク
ロスリップ構造の誘電体フィルタと同様の構造を有す
る。The present inventor has compared the dual mode bandpass filter 1 of the above embodiment with a dual mode bandpass filter having a structure disclosed in Japanese Patent Application No. 2000-47919, which is not known yet. A filter was made. As shown in FIGS. 4A and 4B, the dual-mode bandpass filter 21 is configured by using a dielectric substrate 22, and a dual-mode bandpass filter is provided on the upper surface of the dielectric substrate 22. 1, the ground electrode 3 and the input / output terminals 4 and 5 are formed. However, in the dual-mode bandpass filter 21, the metal film 9 and the electrode films 10 and 11 as input / output coupling circuits are formed on the lower surface of the dielectric substrate 22. That is, the dual-mode bandpass filter 21 does not have a triplate structure, but has a structure similar to a dielectric filter having a microslip structure.

【００４８】なお、電極膜１０，１１と入出力端子４，
５を電気的に接続するための入出力接続電極２３，２４
が端面２２ｅ，２２ｆの上端から下端に至るように形成
されている。The electrode films 10, 11 and the input / output terminals 4,
5, input / output connection electrodes 23, 24 for electrically connecting
Are formed to extend from the upper end to the lower end of the end faces 22e and 22f.

【００４９】上記のように、トリプレート構造とされて
いないことを除いては、第１の実施例のデュアルモード
・バンドパスフィルタ１と同様にして設計されたデュア
ルモード・バンドパスフィルタ２１の反射特性の周波数
特性を図５に示す。As described above, the reflection of the dual-mode bandpass filter 21 designed in the same manner as the dual-mode bandpass filter 1 of the first embodiment except that it does not have a triplate structure. FIG. 5 shows the frequency characteristics of the characteristics.

【００５０】図５から明らかなように、矢印Ｃで示すフ
ィルタ特性を得るための共振が得られているが、周波側
には、図２に示した共振Ｂは見られない。すなわち、図
４に示したデュアルモード・バンドパスフィルタ２１で
は、共振器を構成するための金属膜９がグラウンド電極
及びグラウンド接続電極で覆われてシールドされている
構造を有しないので、デュアルモード・バンドパスフィ
ルタ１における共振Ｂが存在しない。従って、デュアル
モード・バンドパスフィルタ２１では、グラウンド電極
を利用した別の共振が生じないので、該別の共振を利用
してフィルタ特性の調整を行ったり、多段化を行うこと
ができないことがわかる。As is apparent from FIG. 5, a resonance for obtaining the filter characteristic indicated by the arrow C is obtained, but the resonance B shown in FIG. 2 is not observed on the frequency side. That is, the dual-mode bandpass filter 21 shown in FIG. 4 does not have a structure in which the metal film 9 for forming the resonator is covered and shielded by the ground electrode and the ground connection electrode. The resonance B in the bandpass filter 1 does not exist. Therefore, in the dual-mode bandpass filter 21, since another resonance using the ground electrode does not occur, it is understood that the filter characteristic cannot be adjusted or the multi-stage operation cannot be performed using the another resonance. .

【００５１】次に、デュアルモード・バンドパスフィル
タ１におけるフィルタ特性を得るための共振Ａ（図２参
照）と、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１にお
けるフィルタ特性を得るための共振Ｃ（図５参照）の放
射効率（入力電力と放射電力との割合）を前述したシミ
ュレータを用いて算出した。その結果、実施例のデュア
ルモード・バンドパスフィルタ１では放射効率が１％未
満であるのに対し、デュアルモード・バンドパスフィル
タ２１では放射効率が３６％と非常に大きいことがわか
った。Next, resonance A for obtaining filter characteristics in the dual mode bandpass filter 1 (see FIG. 2) and resonance C for obtaining filter characteristics in the dual mode bandpass filter 21 (see FIG. 5). The radiation efficiency (the ratio between input power and radiation power) of the sample was calculated using the simulator described above. As a result, it was found that the radiation efficiency of the dual-mode bandpass filter 1 of the embodiment was less than 1%, whereas the radiation efficiency of the dual-mode bandpass filter 21 was as large as 36%.

【００５２】従って、本実施例のデュアルモード・バン
ドパスフィルタ１では、グラウンド電極３，６及びグラ
ウンド接続電極７，８で金属膜９が電磁シールドされて
いるので、フィルタからの放射が十分に抑制されること
がわかる。Accordingly, in the dual mode bandpass filter 1 of the present embodiment, the metal film 9 is electromagnetically shielded by the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8, so that radiation from the filter is sufficiently suppressed. It is understood that it is done.

【００５３】第１の実施例のデュアルモード・バンドパ
スフィルタ１では、グラウンド電極３，６は、誘電体基
板２の側面２ｃ，２ｄに設けられたグラウンド接続電極
７，８により電気的に接続されていたが、図６（ａ）に
示すように、ビアホール電極４１，４２により上面のグ
ラウンド電極３と下面のグラウンド電極６とをさらに電
気的に接続してもよい。ここでは、グラウンド接続電極
７，８だけでなく、ビアホール電極４１，４２によって
もグラウンド電極３，６が電気的に接続されている。In the dual mode bandpass filter 1 of the first embodiment, the ground electrodes 3 and 6 are electrically connected by ground connection electrodes 7 and 8 provided on the side surfaces 2c and 2d of the dielectric substrate 2. However, as shown in FIG. 6A, the ground electrode 3 on the upper surface and the ground electrode 6 on the lower surface may be further electrically connected by via hole electrodes 41 and 42. Here, the ground electrodes 3 and 6 are electrically connected not only by the ground connection electrodes 7 and 8 but also by the via hole electrodes 41 and 42.

【００５４】図６（ａ）に示すように、ビアホール電極
４１，４２は、入出力接続電極１２の両側に、該入出力
接続電極１２とは電気的に絶縁されているが、近接され
て配置されている。すなわち、ビアホール電極４１，４
２は、外側面が端面２ｅに露出するように形成されてお
り、かつ上端においては、欠落部３ａにのぞむように形
成されている。ビアホール電極４１，４２の位置を調整
することにより、例えばビアホール電極４１，４２を、
図６（ａ）に示す位置よりも入出力接続電極１２から離
れた位置に設けることにより、あるいは端面２ｅよりも
内側に位置させるように位置を変更することにより、デ
ュアルモード・バンドパスフィルタ１の特性を調整する
ことができる。なお、図６（ａ）では、端面２ｅ側のみ
を図示したが、端面２ｆ側においても同様にビアホール
電極が形成されている。As shown in FIG. 6A, the via hole electrodes 41 and 42 are arranged on both sides of the input / output connection electrode 12 while being electrically insulated from the input / output connection electrode 12 but close to each other. Have been. That is, the via hole electrodes 41 and 4
2 is formed so that the outer side surface is exposed to the end surface 2e, and is formed at the upper end so as to look into the missing portion 3a. By adjusting the positions of the via hole electrodes 41 and 42, for example, the via hole electrodes 41 and 42 are
By providing the dual-mode bandpass filter 1 at a position more distant from the input / output connection electrode 12 than the position shown in FIG. 6A or by changing the position so as to be located inside the end face 2e. Characteristics can be adjusted. Although FIG. 6A shows only the end face 2e side, a via hole electrode is similarly formed on the end face 2f side.

【００５５】また、図６（ｂ）は、デュアルモード・バ
ンドパスフィルタ１の第２の変形例を示す正面断面図で
ある。第２の変形例のデュアルモード・バンドパスフィ
ルタ５１では、金属膜９と、入出力結合回路を構成する
電極膜１０，１１が異なる高さ位置に形成されており、
かつ金属膜９に対して誘電体基板層を介して電極膜１
０，１１が部分的に重なり合うように配置されている。
このように、金属膜９と入出力結合回路を構成する電極
膜１０，１１は異なる高さ位置に配置されていてもよ
い。また、電極膜１０，１１と金属膜９との重なり面積
や距離を調整することにより、フィルタ特性を調整する
こともできる。FIG. 6B is a front sectional view showing a second modification of the dual-mode bandpass filter 1. As shown in FIG. In the dual mode bandpass filter 51 of the second modification, the metal film 9 and the electrode films 10 and 11 constituting the input / output coupling circuit are formed at different height positions.
And the electrode film 1 with respect to the metal film 9 via the dielectric substrate layer.
0 and 11 are arranged so as to partially overlap.
As described above, the metal film 9 and the electrode films 10 and 11 constituting the input / output coupling circuit may be arranged at different heights. Further, by adjusting the overlapping area and the distance between the electrode films 10, 11 and the metal film 9, the filter characteristics can be adjusted.

【００５６】図６（ａ）及び（ｂ）に示した各変形例の
デュアルモード・バンドパスフィルタの反射特性の周波
数特性を、それぞれ、図７（ａ）及び（ｂ）に示す。FIGS. 7A and 7B show the frequency characteristics of the reflection characteristics of the dual mode bandpass filters of the respective modifications shown in FIGS. 6A and 6B, respectively.

【００５７】図７（ａ）及び（ｂ）に示す各周波数特性
では、図２に示した矢印Ｂで示す高周波側の共振の存在
しないことがわかる。すなわち、入出力接続電極１２，
１３、入出力接続電極１２，１３を含む入出力回路部分
の構造を調整することにより、グラウンド電極３，６及
びグラウンド接続電極７，８からなる構造体の共振のイ
ンピーダンスが変化したことを示す。なお、入出力接続
回路部分とは、入出力接続電極１２，１３だけでなく、
電極膜１０，１１をも含むものとする。In each of the frequency characteristics shown in FIGS. 7A and 7B, it can be seen that there is no resonance on the high frequency side indicated by the arrow B shown in FIG. That is, the input / output connection electrodes 12,
13 indicates that by adjusting the structure of the input / output circuit portion including the input / output connection electrodes 12 and 13, the resonance impedance of the structure including the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8 has changed. The input / output connection circuit portion means not only the input / output connection electrodes 12 and 13 but also
It also includes the electrode films 10 and 11.

【００５８】入出力接続電極１１，１２を含む入出力接
続回路部分は、上記グラウンド電極３，６及びグラウン
ド接続電極７，８からなる構造体の共振の励振源に相当
している。従って、図６（ａ）に示したように、励振源
にビアホール電極４１，４２を設けることによりグラウ
ンド電位を近接させることにより、あるいは図６（ｂ）
に示したように励振源を小さくすることにより、上記構
造体の共振を小さくすることができる。逆に、グラウン
ド電位を励振源から遠ざけることにより、あるいは励振
源を大きくすることにより、上記構造体の共振を大きく
することもできる。The input / output connection circuit portion including the input / output connection electrodes 11 and 12 corresponds to an excitation source for resonance of the structure including the ground electrodes 3 and 6 and the ground connection electrodes 7 and 8. Therefore, as shown in FIG. 6A, the ground potential is brought close by providing the via-hole electrodes 41 and 42 in the excitation source, or FIG.
By reducing the excitation source as shown in (1), the resonance of the structure can be reduced. Conversely, the resonance of the above structure can be increased by moving the ground potential away from the excitation source or by increasing the excitation source.

【００５９】図８は、本発明の第２の実施例にかかるデ
ュアルモード・バンドパスフィルタの外観斜視図であ
る。本実施例のデュアルモード・バンドパスフィルタ６
１は、上面のグラウンド電極３と下面のグラウンド電極
６との電気的接続構造は異なることを除いては、第１の
実施例のデュアルモード・バンドパスフィルタ１と同様
に構成されている。すなわち、本実施例では、側面２
ｃ，２ｄにグラウンド接続電極は形成されておらず、４
個のビアホール電極６２〜６５により、グラウンド電極
３とグラウンド電極６とが電気的に接続されている。FIG. 8 is an external perspective view of a dual mode bandpass filter according to a second embodiment of the present invention. Dual-mode bandpass filter 6 of this embodiment
1 has the same configuration as the dual-mode bandpass filter 1 of the first embodiment, except that the electrical connection structure between the ground electrode 3 on the upper surface and the ground electrode 6 on the lower surface is different. That is, in the present embodiment, the side surface 2
No ground connection electrode is formed on c and 2d,
The ground electrode 3 and the ground electrode 6 are electrically connected by the via-hole electrodes 62 to 65.

【００６０】ビアホール電極６２〜６５は、誘電体基板
２のコーナー部分近傍に形成されている。ここでは、金
属膜９（図８では図示しないが、図１参照）の周囲が、
グラウンド電極３，６及びビアホール電極６２〜６５か
らなる構造により電磁シールドされている。このよう
に、グラウンド接続電極は複数のビアホール電極により
構成されていてもよい。The via hole electrodes 62 to 65 are formed near the corners of the dielectric substrate 2. Here, the periphery of the metal film 9 (not shown in FIG. 8, but see FIG. 1) is
Electromagnetic shielding is provided by a structure including ground electrodes 3 and 6 and via-hole electrodes 62 to 65. Thus, the ground connection electrode may be constituted by a plurality of via hole electrodes.

【００６１】デュアルモード・バンドパスフィルタ６１
の反射特性の周波数特性を、図９に示す。なお、図９は
低周波数側に表われるフィルタを構成するための共振部
分を拡大した図である点において、図２と異なる。The dual mode band pass filter 61
FIG. 9 shows the frequency characteristics of the reflection characteristics of FIG. FIG. 9 differs from FIG. 2 in that FIG. 9 is an enlarged view of a resonance portion for forming a filter appearing on the low frequency side.

【００６２】図９において、矢印Ｂは、フィルタの共振
を示し、実際には２つの共振モードが結合されている。
さらに、矢印Ｄで示すグラウンド電極３，６及びビアホ
ール電極６２〜６５からなる構造体の共振が共振Ｂに接
近し、あたかも３段のフィルタのようなフィルタ特性の
得られていることがわかる。In FIG. 9, an arrow B indicates the resonance of the filter, and actually two resonance modes are coupled.
Further, it can be seen that the resonance of the structure including the ground electrodes 3 and 6 and the via-hole electrodes 62 to 65 indicated by the arrow D approaches the resonance B, and a filter characteristic like a three-stage filter is obtained.

【００６３】これは、第１の実施例のデュアルモード・
バンドパスフィルタ１では、グラウンド接続電極７，８
が側面２ｃ，２ｄの全面に形成されていたのに対し、ビ
アホール電極６２〜６５が用いられているので、デュア
ルモード・バンドパスフィルタ６１では、ビアホール電
極６２〜６５によりインダクタンスが装荷され、それに
よって上記構造体の共振周波数が低下したものと思われ
る。なお、この構造体における共振の電磁界分布におけ
る共振電流は、グラウンド電極３、ビアホール電極６２
〜６５、グラウンド電極６、ビアホール電極６２〜６５
の順に流れることが前述したシミュレータにより確認さ
れている。This is the dual mode mode of the first embodiment.
In the band-pass filter 1, the ground connection electrodes 7, 8
Are formed on the entire surfaces of the side surfaces 2c and 2d, whereas the via-hole electrodes 62 to 65 are used. Therefore, in the dual-mode bandpass filter 61, the inductance is loaded by the via-hole electrodes 62 to 65. It is considered that the resonance frequency of the structure was lowered. Note that the resonance current in the resonance electromagnetic field distribution in this structure is equal to the ground electrode 3 and the via-hole electrode 62.
To 65, ground electrode 6, via hole electrodes 62 to 65
It has been confirmed by the simulator described above that they flow in the order of.

【００６４】上述した第１，第２の実施例及び各変形例
から明らかなように、本発明にかかるデュアルモード・
バンドパスフィルタでは、グラウンド電極及びグラウン
ド接続電極あるいは入出力接続電極を含む入出力回路部
の電極構造を異ならせることにより、あるいはこれらの
位置を調整することにより、フィルタ特性をさまざまに
調整し得ることがわかる。As is apparent from the above-described first and second embodiments and each of the modifications, the dual mode mode according to the present invention is provided.
In the bandpass filter, the filter characteristics can be variously adjusted by changing the electrode structure of the input / output circuit section including the ground electrode and the ground connection electrode or the input / output connection electrode, or by adjusting their positions. I understand.

【００６５】なお、本発明にかかるデュアルモード・バ
ンドパスフィルタは、上述した各実施例及び変形例に限
定されるものではない。特に、グラウンド電極及びグラ
ウンド接続電極の構造は、これらからなる構造体の共振
長を変えるために、その大きさ、形状及び位置などを自
由に選択することができる。また、入出力接続電極を含
む入出力接続回路の構造についても上記グラウンド電極
を含む構造体の励振源として作用するので、入出力接続
電極を含む入出力接続回路部分の大きさ、形状、位置な
どについても自由に選択することができる。The dual mode bandpass filter according to the present invention is not limited to the above embodiments and modifications. In particular, the size, shape, position, and the like of the structure of the ground electrode and the ground connection electrode can be freely selected in order to change the resonance length of the structure composed of these. In addition, the structure of the input / output connection circuit including the input / output connection electrodes also functions as an excitation source for the structure including the ground electrode. Therefore, the size, shape, position, and the like of the input / output connection circuit including the input / output connection electrodes Can also be freely selected.

【００６６】また、トリプレート構造を構成するにあた
り、金属の膜の上下のグラウンド電極のさらに上下に誘
電体基板層が設けられていてもよく、従って、グラウン
ド電極は誘電体基板内に形成されていてもよい。Further, in forming the triplate structure, a dielectric substrate layer may be provided further above and below the ground electrode above and below the metal film. Therefore, the ground electrode is formed in the dielectric substrate. You may.

【００６７】次に本発明のデュアルモード・バンドパス
フィルタをデュプレクサ及び無線通信装置に用いた場合
について、図１０を用いて説明する。図１０は、デュア
ルモード・バンドパスフィルタを用いたデュプレクサＤ
ＰＸ、及びそれを用いた無線通信装置３００の要部の一
実施例を示すブロック図である。図１０に示されている
ように、本実施例のデュプレクサＤＰＸは、本発明のデ
ュアルモード・バンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２
を２つ接続して構成されており、かつ３つのポートＰ
１，Ｐ２，Ｐ３を備える。Next, a case where the dual-mode bandpass filter of the present invention is used in a duplexer and a radio communication device will be described with reference to FIG. FIG. 10 shows a duplexer D using a dual-mode bandpass filter.
FIG. 2 is a block diagram illustrating an embodiment of a PX and a main part of a wireless communication device 300 using the PX. As shown in FIG. 10, the duplexer DPX according to the present embodiment includes the dual mode bandpass filters BPF1 and BPF2 according to the present invention.
And three ports P
1, P2 and P3.

【００６８】デュプレクサＤＰＸのポートＰ１は、ＢＰ
Ｆ１の一端に形成され、送信部ＴＸに接続されている。
また、デュプレクサＤＰＸのポートＰ２は、ＢＰＦ２の
一端に形成され、受信部ＲＸに接続されている。さら
に、デュプレクサＤＰＸのポートＰ３は、ＢＰＦ１の他
端及びＢＰＦ２の他端に接続されており、かつアンテナ
ＡＮＴに接続されている。The port P1 of the duplexer DPX is connected to the BP
It is formed at one end of F1 and is connected to the transmission unit TX.
The port P2 of the duplexer DPX is formed at one end of the BPF 2, and is connected to the receiving unit RX. Further, the port P3 of the duplexer DPX is connected to the other end of the BPF1 and the other end of the BPF2, and is connected to the antenna ANT.

【００６９】以上のように構成することにより、本発明
のデュアルモード・バンドパスフィルタをデュプレクサ
として用いることができる。従って設計の自由度が高
く、所望とする帯域幅を容易に得ることができるデュプ
レクサを得ることができる。With the above configuration, the dual mode bandpass filter of the present invention can be used as a duplexer. Therefore, it is possible to obtain a duplexer which has a high degree of design freedom and can easily obtain a desired bandwidth.

【００７０】また、以上のように、本発明のデュアルモ
ード・バンドパスフィルタ及びデュプレクサを無線通信
装置に用いることで、通信品質に優れた無線通信装置を
容易に得ることができる。As described above, by using the dual-mode bandpass filter and the duplexer of the present invention for a radio communication device, a radio communication device having excellent communication quality can be easily obtained.

【００７１】[0071]

【発明の効果】本発明にかかるデュアルモード・バンド
パスフィルタによれば、誘電体基板内に共振器を構成す
るための金属膜が形成されており、該金属膜と誘電体層
を介して金属膜の上下にグラウンド電極が形成されてい
るトリプレート構造を有し、かつ金属膜の上下に位置す
るグラウンド電極がグラウンド接続電極により電気的に
接続されている。従って、金属膜がグラウンド電極及び
グラウンド接続電極により電磁シールドされているの
で、デュアルモード・バンドパスフィルタにおける外部
への放射を低減することができる。従って、デュアルモ
ード・バンドパスフィルタの挿入損失の低減を果たすこ
とができ、あるいはデュアルモード・バンドパスフィル
タがノイズ源となる問題を解決することができる。According to the dual mode bandpass filter of the present invention, a metal film for forming a resonator is formed in a dielectric substrate, and a metal film is formed via the metal film and the dielectric layer. It has a triplate structure in which ground electrodes are formed above and below the film, and ground electrodes located above and below the metal film are electrically connected by ground connection electrodes. Therefore, since the metal film is electromagnetically shielded by the ground electrode and the ground connection electrode, radiation to the outside in the dual mode bandpass filter can be reduced. Therefore, the insertion loss of the dual mode bandpass filter can be reduced, or the problem that the dual mode bandpass filter becomes a noise source can be solved.

【００７２】また、グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体の共振モードを利用することによ
り、すなわち、金属膜で得られるフィルタ特性と上記構
造体の共振モードとを利用することにより、バンドパス
フィルタの多段化を果たすことができる。また、上記構
造体の共振周波数を調整することにより、スプリアスの
ない良好なフィルタ特性を得ることができる。Further, by utilizing the resonance mode of the structure composed of the ground electrode and the ground connection electrode, that is, by utilizing the filter characteristics obtained by the metal film and the resonance mode of the structure, the band-pass filter is formed. Can be achieved in multiple stages. In addition, by adjusting the resonance frequency of the above structure, a good filter characteristic without spurious can be obtained.

【００７３】さらに、従来のデュアルモード・バンドパ
スフィルタでは、共振器を構成する金属膜の形状に制約
があったり、入出力結合回路の結合点の位置に制約があ
ったのに対し、本発明にかかるデュアルモード・バンド
パスフィルタでは、このような制約がないため、設計の
自由度を大幅に高めることができる。しかも、金属膜の
寸法、貫通孔の寸法あるいは入出力結合回路の結合点の
位置を異ならせることにより、特性を大幅に調整するこ
とができる。Further, in the conventional dual-mode bandpass filter, the shape of the metal film constituting the resonator is restricted, and the position of the coupling point of the input / output coupling circuit is restricted. In the dual-mode bandpass filter according to the above, since there is no such restriction, the degree of freedom in design can be greatly increased. Moreover, by varying the size of the metal film, the size of the through hole, or the position of the coupling point of the input / output coupling circuit, the characteristics can be largely adjusted.

【００７４】グラウンド電極及びグラウンド接続電極か
らなる構造体が、金属膜で生じる複数の共振モードとは
別個に共振するように構成されている場合、該グラウン
ド電極及びグラウンド接続電極からなる構造体の共振モ
ードを利用して、上記のようにフィルタの多段化を果た
したり、スプリアスのないフィルタ特性を得ることがで
きる。In the case where the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is configured to resonate separately from a plurality of resonance modes generated by the metal film, the resonance of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode may occur. By utilizing the mode, it is possible to realize a multi-stage filter as described above and to obtain a filter characteristic without spurious.

【００７５】グラウンド電極及びグラウンド接続電極か
らなる構造体の共振モードの共振周波数を、金属膜にお
いて生じる複数の共振モードの共振周波数と異ならせる
ことにより、上記構造体による共振に起因するスプリア
スのない、良好なフィルタ特性を得ることができる。By making the resonance frequency of the resonance mode of the structure composed of the ground electrode and the ground connection electrode different from the resonance frequencies of the plurality of resonance modes generated in the metal film, there is no spurious caused by the resonance by the structure. Good filter characteristics can be obtained.

【００７６】上記構造体の共振モードと、金属膜におい
て生じる複数の共振モードとが結合される場合には、そ
れによって多段型のフィルタ特性を得ることができる。When the resonance mode of the above structure and a plurality of resonance modes generated in the metal film are coupled, a multi-stage filter characteristic can be obtained.

【００７７】本発明にかかるバンドパスフィルタの特性
調整方法において、グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体の共振長を変化させることにより、
上記構造体の共振周波数を所望の周波数位置に調整する
ことができる。In the method for adjusting the characteristics of the bandpass filter according to the present invention, the resonance length of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is changed to
The resonance frequency of the structure can be adjusted to a desired frequency position.

【００７８】また、本発明にかかるバンドパスフィルタ
の特性調整方法において、上記入出力接続電極の構造を
調整すれば、該入出力接続電極がグラウンド電極及びグ
ラウンド接続電極からなる構造体の励振源として作用す
るので、グラウンド電極及びグラウンド接続電極からな
る構造体の共振時のインピーダンスを所望の値に容易に
調整することができる。In the method for adjusting the characteristics of a band-pass filter according to the present invention, if the structure of the input / output connection electrode is adjusted, the input / output connection electrode serves as an excitation source for a structure including a ground electrode and a ground connection electrode. Since it operates, the impedance at the time of resonance of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode can be easily adjusted to a desired value.

【００７９】本発明にかかるデュプレクサ及び無線通信
装置は、本発明に従って構成されたデュアルモード・バ
ンドパスフィルタを帯域フィルタとして備えるため、低
損失化を果たすことができ、かつ特性の調整が容易であ
り、かつ良好な通信特性を得ることができる。Since the duplexer and the radio communication apparatus according to the present invention include the dual-mode bandpass filter configured according to the present invention as a band filter, the loss can be reduced and the characteristics can be easily adjusted. And good communication characteristics can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例にかかるデュア
ルモード・バンドパスフィルタの外観を示す斜視図、
（ｂ）は正面断面図、（ｃ）は内部構造を説明するため
の平面断面図。FIG. 1A is a perspective view showing an appearance of a dual mode bandpass filter according to a first embodiment of the present invention;
(B) is a front sectional view, and (c) is a plan sectional view for explaining an internal structure.

【図２】第１の実施例にかかるデュアルモード・バンド
パスフィルタの反射特性の周波数特性を示す図。FIG. 2 is a diagram showing frequency characteristics of reflection characteristics of the dual mode bandpass filter according to the first embodiment.

【図３】（ａ），（ｂ）は、第１の実施例のデュアルモ
ード・バンドパスフィルタにおける電磁界分布を説明す
るための略図的平面図及び略図的正面断面図。FIGS. 3A and 3B are a schematic plan view and a schematic front sectional view for explaining an electromagnetic field distribution in the dual mode bandpass filter of the first embodiment.

【図４】（ａ）は、公知ではないが、比較のために用意
したデュアルモード・バンドパスフィルタの外観を示す
斜視図、（ｂ）は（ａ）に示したデュアルモード・バン
ドパスフィルタの底面に形成されている電極構造を示す
模式的平面図。FIG. 4A is a perspective view showing the appearance of a dual mode bandpass filter which is not publicly known but is prepared for comparison, and FIG. 4B is a perspective view of the dual mode bandpass filter shown in FIG. FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure formed on a bottom surface.

【図５】図４に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタの反射特性の周波数特性を示す図。FIG. 5 is a diagram illustrating frequency characteristics of reflection characteristics of the dual mode bandpass filter illustrated in FIG. 4;

【図６】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、第１の実施例の
デュアルモード・バンドパスフィルタの第１の変形例及
び第２の変形例を説明するための各部分切欠斜視図及び
正面断面図。FIGS. 6A and 6B are partially cutaway perspective views for explaining a first modification and a second modification of the dual mode bandpass filter of the first embodiment, respectively. FIG.

【図７】（ａ），（ｂ）は、図６（ａ），（ｂ）に示し
た第１，第２の変形例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの反射特性の周波数特性を示す図。FIGS. 7A and 7B are diagrams showing frequency characteristics of reflection characteristics of the dual mode bandpass filters of the first and second modifications shown in FIGS. 6A and 6B.

【図８】本発明の第２の実施例にかかるデュアルモード
・バンドパスフィルタを示す外観斜視図。FIG. 8 is an external perspective view showing a dual mode bandpass filter according to a second embodiment of the present invention.

【図９】第２の実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの反射特性の周波数特性を示す図。FIG. 9 is a diagram illustrating frequency characteristics of reflection characteristics of the dual mode bandpass filter according to the second embodiment.

【図１０】本発明に従って構成されたデュアルモード・
バンドパスフィルタを有するデュプレクサ、並びに該デ
ュプレクサが備えられた無線通信装置の概略ブロック
図。FIG. 10 shows a dual mode mode constructed in accordance with the present invention.
FIG. 2 is a schematic block diagram of a duplexer having a band-pass filter and a wireless communication device provided with the duplexer.

【図１１】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
の一例を示す模式的平面図。FIG. 11 is a schematic plan view showing an example of a conventional dual mode bandpass filter.

【図１２】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
の他の例を示す模式的平面図。FIG. 12 is a schematic plan view showing another example of a conventional dual mode bandpass filter.

【図１３】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
のさらに他の例を示す模式的平面図。FIG. 13 is a schematic plan view showing still another example of the conventional dual mode bandpass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ２…誘電体基板 ２ａ，２ｂ…端縁 ２ｃ，２ｄ…側面 ２ｅ，２ｆ…端面 ３…グラウンド電極 ４，５…入出力端子 ６…グラウンド電極 ７，８…グラウンド接続電極 ９…金属膜 ９ａ…貫通孔 １０，１１…入出力結合回路としての電極膜 １２，１３…入出力接続電極 ４１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ４２，４３…ビアホール電極 ５１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ６１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ６２〜６５…ビアホール電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dual mode band pass filter 2 ... Dielectric substrate 2a, 2b ... Edge 2c, 2d ... Side 2e, 2f ... End face 3 ... Ground electrode 4,5 ... Input / output terminal 6 ... Ground electrode 7,8 ... Ground connection Electrode 9 Metal film 9a Through hole 10, 11 Electrode film as input / output coupling circuit 12, 13 Input / output connection electrode 41 Dual mode bandpass filter 42, 43 Via hole electrode 51 Dual mode bandpass Filter 61: Dual-mode bandpass filter 62-65: Via-hole electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡村 尚武 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HB04 HB22 HC14 JA01 LA02 LA11 NA04 NC03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Naotake Okamura 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto F-term in Murata Manufacturing Co., Ltd. (reference) 5J006 HB04 HB22 HC14 JA01 LA02 LA11 NA04 NC03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 第１，第２の主面を有する誘電体基板
と、 前記誘電体基板のある高さ位置において部分的に形成さ
れており、入力が引加された際に複数の共振モードが発
生し、該複数の共振モードを結合させるための貫通孔ま
たは突出部が形成されている金属膜と、 前記金属膜と誘電体基板層を介して対向するように誘電
体基板の第１もしくは第２の主面または内部に形成され
た複数のグラウンド電極と、 前記複数のグラウンド電極間を電気的に接続するように
設けられたグラウンド接続電極と、 前記誘電体基板の第１，第２の主面に形成された入出力
端子と、 前記金属膜に対し、該金属膜の異なる部分で結合された
１対の入出力結合回路と、前記入出力端子と前記入出力
結合回路とを電気的に接続している入出力接続電極とを
備え、前記複数のグラウンド電極が誘電体基板層を介し
て前記金属膜の上下に配置されて、トリプレート構造を
構成していることを特徴とする、デュアルモード・バン
ドパスフィルタ。1. A dielectric substrate having first and second main surfaces, and a plurality of resonance modes formed partially at a certain height of the dielectric substrate when an input is applied. Occurs, and a metal film in which a through-hole or a protrusion for coupling the plurality of resonance modes is formed; and a first or a dielectric substrate facing the metal film via a dielectric substrate layer. A plurality of ground electrodes formed on or inside a second main surface; a ground connection electrode provided to electrically connect the plurality of ground electrodes; and a first and a second of the dielectric substrate. An input / output terminal formed on the main surface, a pair of input / output coupling circuits coupled to the metal film at different portions of the metal film, and an electrical connection between the input / output terminal and the input / output coupling circuit. And an input / output connection electrode connected to the The number of ground electrodes are disposed above and below said metal film through the dielectric substrate layer, characterized in that it constitutes a tri-plate structure, the dual-mode bandpass filter. 【請求項２】 前記グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体が、前記金属膜で生じる複数の共振
モードとは別個に共振するように構成されている、請求
項１に記載のデュアルモード・バンドパスフィルタ。2. The dual mode band according to claim 1, wherein the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is configured to resonate separately from a plurality of resonance modes generated in the metal film. Pass filter. 【請求項３】 前記グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体の共振モードが、ＴＥモードまたは
ＴＭモードの変形モードである、請求項２に記載のデュ
アルモード・バンドパスフィルタ。3. The dual mode bandpass filter according to claim 2, wherein a resonance mode of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is a deformation mode of a TE mode or a TM mode. 【請求項４】 前記グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体の共振モードの共振周波数が、前記
金属膜において生じる複数の共振モードの共振周波数と
異なる、請求項２または３に記載のデュアルモード・バ
ンドパスフィルタ。4. The dual mode device according to claim 2, wherein a resonance frequency of a resonance mode of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is different from resonance frequencies of a plurality of resonance modes generated in the metal film. Bandpass filter. 【請求項５】 前記グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体の共振モードと、前記金属膜におい
て生じる複数の前記共振モードとが結合され、バンドパ
スフィルタが構成されている、請求項２〜４のいずれか
に記載のデュアルモード・バンドパスフィルタ。5. The band-pass filter according to claim 2, wherein a resonance mode of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is coupled to a plurality of the resonance modes generated in the metal film. The dual-mode bandpass filter according to any one of the above. 【請求項６】 前記グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体の共振モードの共振周波数が所望と
する周波数位置に表われるように、前記グラウンド電極
及びグラウンド接続電極からなる構造体の共振長を変化
させることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記
載のバンドパスフィルタの特性調整方法。6. The resonance length of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode is changed so that the resonance frequency of the resonance mode of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode appears at a desired frequency position. The method for adjusting the characteristics of a band-pass filter according to any one of claims 1 to 5, wherein the characteristic is adjusted. 【請求項７】 前記グラウンド電極及びグラウンド接続
電極からなる構造体の共振時のインピーダンスが所望の
値となるように、前記入出力接続電極の構造を調整する
ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のバ
ンドパスフィルタの特性調整方法。7. The structure of the input / output connection electrode is adjusted so that the impedance of the structure including the ground electrode and the ground connection electrode at the time of resonance has a desired value. 6. The method for adjusting the characteristics of a bandpass filter according to any one of 5. 【請求項８】 請求項１〜５のいずれかに記載のデュア
ルモード・バンドパスフィルタを備えることを特徴とす
る、デュプレクサ。8. A duplexer comprising the dual-mode bandpass filter according to claim 1. 【請求項９】 請求項１〜５のいずれかに記載のデュア
ルモード・バンドパスフィルタを帯域フィルタとして備
えることを特徴とする、無線通信装置。9. A wireless communication apparatus comprising the dual-mode bandpass filter according to claim 1 as a bandpass filter.