JP2002280325A - 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置 - Google Patents

照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置

Info

Publication number
JP2002280325A
JP2002280325A JP2001083562A JP2001083562A JP2002280325A JP 2002280325 A JP2002280325 A JP 2002280325A JP 2001083562 A JP2001083562 A JP 2001083562A JP 2001083562 A JP2001083562 A JP 2001083562A JP 2002280325 A JP2002280325 A JP 2002280325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
cylindrical lens
linear
linear beam
irradiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001083562A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4754703B2 (ja
Inventor
Kiwa Sugiyama
喜和 杉山
Miyuki Masaki
みゆき 正木
Taketo Yagi
武人 八木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Nikon Corp
Original Assignee
IHI Corp
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IHI Corp, Nikon Corp filed Critical IHI Corp
Priority to JP2001083562A priority Critical patent/JP4754703B2/ja
Priority to TW091102776A priority patent/TW528879B/zh
Priority to KR10-2002-0009058A priority patent/KR100487085B1/ko
Priority to SG200201044A priority patent/SG124241A1/en
Priority to US10/081,975 priority patent/US6894839B2/en
Priority to CNB021080968A priority patent/CN100416411C/zh
Publication of JP2002280325A publication Critical patent/JP2002280325A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4754703B2 publication Critical patent/JP4754703B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】優れた結像性能を有し、照度均一性が良く、細
い線幅の大きなアスペクト比の線状ビームを照射できる
照明光学系等を提供すること。 【解決手段】レーザー光源1からの照射ビームを、第1
の方向(x方向)に対して複数の照射ビームに分割し、
所定面I1上で重ね合わせるプリズム部材3と、少なく
とも前記第1の方向(x方向)に略直交する第2の方向
(y方向)に屈折力を有し、前記分割された複数の照射
ビームを前記第1の方向(x方向)に長手方向を有する
線状ビームに結像する線状ビーム形成レンズ系4と、前
記線状ビームを前記第1の方向(x方向)に拡大して被
処理面I2上に照射する拡大光学系5とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板等のア
ニール処理に好適な照明光学系及びこの光学系を備える
レーザー処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、非晶質珪素膜に対してレーザー光
を照射することで結晶化する技術が知られている。ま
た、不純物イオンの注入によって損傷した珪素膜の結晶
性の回復や注入された不純物イオンの活性化のためにレ
ーザー光を照射する技術が知られている。これらは、レ
ーザーアニール技術と呼ばれている。
【0003】レーザーアニール法によるプロセスでは、
基板に対する熱ダメージが殆ど無いという特徴を有して
いる。この基板に対する熱ダメージの問題が無いという
特徴は、たとえば、ガラスなどの耐熱性の低い基板上に
半導体素子を形成する際に有利である。
【0004】近年、液晶表示素子、特に大型の動画用液
晶表示素子では、コストの問題及び大面積化の要求から
基板としてガラス基板を利用することが望まれている。
このため、レーザーアニール法を用いれば、基板として
耐熱性の低いガラスを使用した場合でも、ガラス基板へ
の熱ダメージはほとんど無い。従って、ガラス基板を用
いても結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタ等の半導
体素子を作成することができる。よって、レーザーアニ
ール法は、ガラス基板上に半導体回路を作る技術要素と
して将来期待されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】半導体回路等が形成さ
れるガラス基板は比較的大きな面積を持つものが多い。
これに対して、レーザー光は光源から射出された直後の
状態では、ビーム照射面積が小さい。このため、ビーム
形状を方形状や線状に加工して、所定領域を走査するこ
とが行われている。例えば、線状のビームをその長手方
向とは垂直に移動させ、ガラス基板上を走査させる。こ
れにより、比較的に短時間にガラス基板全体にアニール
を行う事が可能となる。
【0006】このようなレーザーアニールに用いる線状
ビームを作る光学系が、例えば、特開平10−2443
92号公報に開示されている。特開平10−24439
2号公報では、ホモジナイザーと称される光学系を用い
てレーザービームを線状のビームに変換している。ホモ
ジナイザーには、非常に高い均一性を有する照度及び形
状の線状ビームを作る事が要求される。該公報では、複
数のシリンドリカルレンズからなる多シリンドリカルレ
ンズ系がホモジナイザイザーとして用いられている。そ
して、ホモジナイザイザーがビーム照度の均一性におい
て中心的な役割をする。
【0007】多シリンドリカルレンズ系は、短冊状の各
シリンドリカルレンズを、その屈折力を有する方向に沿
って一列に並べたレンズ系である。通常の均一照明の際
に用いられるフライアイレンズと同様に、多シリンドリ
カルレンズ系に入射した光束は各シリンドリカルレンズ
で分割され、線状に集光される。この結果、シリンドリ
カルレンズの数と等しい数の線状像が形成される。この
線状像が新たな複数の2次線光源となり、レンズ(他の
シリンドリカルレンズ)を通して試料を照明する。試料
の被照射面では複数の2次線光源からの光が重なりあっ
て平均化される。これにより、多シリンドリカルレンズ
系が配列された方向(屈折力を有する方向)の照度分布
が均一になる。
【0008】また、特開平10−244392号公報で
は、線状ビームの長手方向だけでなく、その幅方向に関
しても照度を均一にするため、多シリンドリカルレンズ
系を二つ用いている。
【0009】しかしながら、上記公報に開示されたよう
にシリンドリカルレンズを多用することは以下に述べる
問題がある。シリンドリカルレンズは、通常の球面レン
ズに比較して加工が困難であり、かつ製造コストも増加
する。また、形状加工の精度も通常の球面レンズに比較
して非常に低い。そのため、実際の装置の製造を考慮す
ると、シリンドリカルレンズを多用する光学系は、製造
コストが増加することに加え、加工精度の点から高い要
求性能を満足できないおそれがある。
【0010】また、上述したように大型の液晶ディスプ
レイの需要が増えていることに伴い、走査領域面積が大
型化している。このため、線状ビームの長さはより長い
ものが要求されるようになっている。ここで、ビーム線
幅一定のまま、ビームの長手方向の長さを長くすると、
照射面積が大きくなってしまう。従って、単位面積当た
りのエネルギー密度が小さくなる。この結果、試料にビ
ームを照射した時、アニールに必要な温度まで加熱する
事が困難になってしまう。そこで、試料照射時のエネル
ギー密度を上げるため、ビームの長手方向の長さを長く
するだけでなく、そのビーム線幅をも細くする事が必要
になる。
【0011】さらに、細い線幅のビームが必要とされる
他の理由を以下に述べる。従来、レーザー光源として出
力パワーの大きいエキシマレーザーを使用することが多
い。しかし、エキシマレーザーは、高価で装置自体が大
型である。このため、より安価で、小型、かつ取扱いも
容易なYAGレーザーを光源として使用することが望ま
れている。このYAGレーザーは、エキシマレーザーに
比べると出力エネルギーが低い。このため、被照射面の
エネルギー密度を増加するためには、より細い線幅のビ
ームで集光させる必要がある。よって、ビームの長手方
向の長さを長くするだけでなく、そのビーム線幅をも細
くする事が必要になる。
【0012】上述のように、細い線幅の線状ビームの必
要性に伴い、これを達成するため線状ビームの長手方向
に高い結像性能を有する光学系が必要となる。このよう
な結像性能の要求の立場からも、上述の特開平10−2
44392号公報に開示された光学系では十分な仕様で
はない。
【0013】特開平10−244392号公報では、上
述したように短冊状のシリンドリカルレンズを複数有す
る多シリンドリカルレンズ系を二つ使用している。そし
て、多シリンドリカルレンズ系に続く一般にコンデンサ
ーレンズと呼ばれる光学系も多シリンドリカルレンズ系
から構成されている。
【0014】このように、シリンドリカルレンズ群で光
学系を構成し、ビーム長手方向と短手方向とを各々異な
るパワー配置で光学系を構成する事は、長方形(線状)
のビームを作る際は、設計者にとって直感的に理解しや
すく、有効な設計方法であると考えられる。
【0015】しかし、パワーの方向の異なるシリンドリ
カルレンズを組み合わせた光学系に、平行光束が入射す
ると各シリンドリカルレンズのパワーの方向と異なる方
向に進む光線が現われる。この光線の収差は単に直交す
るパワーを組み合わせた光学系では容易に補正できな
い。従って、実際に光学系の収差を高いレベルで補正す
ることを目的とする場合は、この設計方法は好ましくな
い。
【0016】例えば、単純に円形の断面を有する平行光
束を仮定する。次に、負(凹)のパワーを持つ第1シリ
ンドリカルレンズと、この第1シリンドリカルレンズの
後ろ(像側)に第1シリンドリカルレンズのパワーの方
向と直交する方向に正(凸)のパワーを持つ第2シリン
ドリカルレンズを配置する。そして、上記平行光束を、
第1と第2シリンドリカルレンズへ入射させて、線状に
集光する場合を考える。
【0017】この場合、初めの負パワーを持つ第1シリ
ンドリカルレンズにより、光束は一方向にだけ発散す
る。また、次の正パワーを持つ第2シリンドリカルレン
ズにより、この発散光は、発散方向に垂直な方向に集光
される。ここで、負の第1シリンドリカルレンズを射出
した発散光のうち発散中心部の光は、正の第2シリンド
リカルに入射するとき、第2シリンドリカルレンズの母
線に対して垂直に入射する。一方、第1シリンドリカル
レンズを射出した発散光のうち発散方向周辺部の光は、
第2シリンドリカルレンズの母線に対して斜めに入射す
る。
【0018】その結果、負の第1シリンドリカルレンズ
を射出した発散光の発散方向中心部の光と周辺部の光と
では正の第2シリンドリカルレンズに入射した後の光の
集光位置が異なる。この結果、線状に結像する際、線状
像中心部と周辺部とでは線幅が異なることになる。その
ため、シリンドリカルレンズから成る光学系ではこのよ
うなシリンドリカルレンズ特有の収差を補正する必要が
ある。
【0019】上述のシリンドリカルレンズ特有の収差に
対して、一般の光学設計者は不慣れである。上記光線の
振舞いは、単にビーム短手(短軸)方向を含む面と長手
(長軸)方向を含む面だけでは表わす事ができない。直
交するパワーを持つシリンドリカルレンズの組み合わせ
のみで、シリンドリカルレンズに特有な上記収差を補正
する事は極めて困難である。また、仮に、該収差が補正
されたとしても、非常に多くのシリンドリカルレンズが
必要とされる事が予想される。
【0020】以上説明したように、より細い線幅の線状
ビームを加工する場合、光学設計の手法の立場からも直
交するシリンドリカルレンズを多用する光学系は望まし
くない。
【0021】また、特開平10−244392号公報に
開示された光学系では、ビーム短手方向の照度均一性を
確保する構成になっている。しかし、この構成も細い線
幅の線状ビームを加工する事を考えると以下の理由によ
り望ましくない。
【0022】まず、線幅方向の照度均一性の必要性につ
いて説明する。線幅方向の照度均一性を高めることは、
線状ビームの走査速度を高速化する場合に有効である。
線状ビームの走査方向の線幅が広い場合は、線状ビーム
の走査速度を速くしても、基板試料上の単位面積を線状
ビームが通過するのべ時間は長くなる。従って、基板試
料上の線状ビーム照射時間は、結晶化等の反応に十分な
ものとなる。このため、線状ビーム線幅が広いほど走査
速度を上げることができるので、アニールエ程の時間を
短縮できる。
【0023】ところが、線状ビームの照度均一性が低い
場合は、ビーム幅の周辺部でエネルギーが低くなってし
まう。このため、線状ビームを走査したとき、線状ビー
ムの周辺部ではアニールの反応が起きない場合がある。
この場合は、細い線幅の線状ビームを走査するのと等価
となるので、走査速度を上げられなくなってしまう。
【0024】上述したように、近年、より大きな面積の
液晶表示素子(ディスプレイ)が求められるようになっ
ている。従って、液晶表示素子の製造工程のスピード化
を図り、より広い面積の基板を加工する技術が望まれて
いる。また、上述したように、線状ビームの線幅を細く
するためには、高度に収差補正をすることが望ましい。
さらに、高度に収差補正された線幅の細い線状ビームを
加工することと、線状ビームの短手(線幅)方向に高い
照度均一性を得ることとを両立する事は非常に困難であ
る。従って、線状ビームの長手方向には照度均一性を高
くすること、及び線状ビームの短手方向には線幅を細く
することに関する光学性能だけに特化した光学系が望ま
れる。かかる観点からも、特開平10−244392号
公報に開示された光学系は十分であるとは言えない。
【0025】また、非常に広範囲を走査してレーザー光
を照射する光学系では、照射側の光学系の開口数(N
A)を大きくすることは困難である。このため、回折の
影響が生じ、幾何光学的な考察だけでは、線状像の照度
均一性を十分に解析できない。さらに、上述した光学系
では、線状ビームの短手方向の照度均一性を向上させる
ために、多シリンドリカルレンズ系を用いている。該レ
ンズ系の機能は、既に説明したように、光源からのビー
ムを線幅方向に分割し、その分割したビームの作る線状
像を被照射面で重ね合わせるものである。そのため、被
照射面での線状像の線幅が細くなると、線状像の重ね合
わせ精度は線状像幅より小さくする必要がある。即ち、
要求される線幅が細くなるに従って、線状像の重ね合わ
せ精度も厳しくなる。よって、レーザー処理装置の製造
を考慮に入れると、被照射面での線状像の照度分布の均
一性を多少犠牲にしても、ビームの分割数を減らした方
が望ましい。その際、アニール加工の速度を多少低下さ
せれば、線状像の線幅方向の照度均一性を低下できるた
め、ビームの分割数も減らす事ができ、より装置製造の
立場からは望ましくなる。
【0026】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、優れた結像性能を有し、照度均一性が良く、細い
線幅の大きなアスペクト比の線状ビームを照射できる照
明光学系及び低コストで、製造容易、大面積を高速に処
理できるレーザー処理装置を提供することを目的とす
る。
【0027】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、レーザー光源1からの照射ビームを、第
1の方向(x方向)に対して複数の照射ビームに分割
し、所定面I1上で重ね合わせるプリズム部材3と、少
なくとも前記第1の方向(x方向)に略直交する第2の
方向(y方向)に屈折力を有し、前記分割された複数の
照射ビームを前記第1の方向(x方向)に長手方向を有
する線状ビームに結像する線状ビーム形成レンズ系4
と、前記線状ビームを前記第1の方向(x方向)に拡大
して被処理面I2上に照射する拡大光学系5とを有する
ことを特徴とする照明光学系を提供する。
【0028】また、本発明の好ましい態様では、前記プ
リズム部材3は台形型プリズム3であり、該台形型プリ
ズム3により分割された前記複数の照射ビームが重ね合
わされる前記所定面I1の位置と、前記線状ビーム形成
レンズ系4の前記第2の方向(y方向)の焦点位置I
1,I12とが略一致していることが望ましい。
【0029】また、本発明の好ましい態様では、前記拡
大光学系5は、光軸AXに対して回転対称な光学系であ
ることが望ましい。
【0030】また、本発明の好ましい態様では、前記線
状ビーム形成レンズ系4は、前記第2の方向(y方向)
に正の屈折力を有する第1シリンドリカルレンズ4であ
ることが望ましい。
【0031】また、本発明の好ましい態様では、前記拡
大光学系5は、前記被処理面I2側に、前記第2の方向
(y方向)に正の屈折力を有する第2シリンドリカルレ
ンズ7を有することが望ましい。
【0032】また、本発明の好ましい態様では、前記第
1シリンドリカルレンズ4と前記第2シリンドリカルレ
ンズ7との少なくとも1つは前記光軸AXに沿って移動
可能であることが望ましい。
【0033】また、本発明の好ましい態様では、前記レ
ーザー光源1からの照射ビーム径を、前記第2の方向
(y方向)よりも前記第1の方向(x方向)に大きく拡
大するビームエクスパンダ系2をさらに有することが望
ましい。
【0034】また、本発明は、レーザー光を供給するレ
ーザー光源1と、請求項1乃至7の何れか一項に記載の
照明光学系と、前記被処理面I2上の線状ビームと前記
被処理面I2とを相対的に移動する走査移動部6とを有
するレーザ処理装置を提供する。
【0035】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて実施の
形態を説明をする。(第1実施形態)図1(a),
(b)は第1実施形態にかかるレーザー処理装置の概略
構成を示す図である。YAGレーザー1から射出した断
面がほぼ円形のレーザービームは、ビームエクスパンダ
2により断面が楕円形状のコリメート光に変換される。
このとき、楕円の長軸がx方向、短軸がy方向である。
ビームエクスパンダ2の構成及びビームの断面形状変換
に関しては後述する。
【0037】次に、このビームは台形型のプリズム3に
入射し、3分割され、それぞれ異なる方向に射出する。
このとき、ビームの分割方向は楕円ビームの長軸方向
(x方向)に一致させる。3分割されたビームはシリン
ドリカルレンズ4に入射する。シリンドリカルレンズ4
は、x方向に直交するy方向に正の屈折力を有してい
る。ここで、台形型プリズム3の形状と位置とは、3分
割されたビームがそれぞれ中間像面I1上で重なりあう
ように決めておく。また、シリンドリカルレンズ4の焦
点位置も中間像面I1上に一致させておく。これによ
り、シリンドリカルレンズ4を射出したビームは、それ
ぞれ中間像面I1上で線状に集光しながら、相互に重な
り合い線状像を形成する。
【0038】中間像面I1に形成された線状像は、分割
された3つの線状像の平均化の効果により、光源1から
射出された直後のビームL(以下、「原ビーム」とい
う。)を直接集光する場合に比較して照度の均一性が高
い像となる。そして、中間像面I1の線状像を拡大光学
系5によりガラス基板上の被照射面I2に拡大投影す
る。これにより、被照射面I2に照度均一性の良い線状
像を形成する。また、中間像面I1に開口を設けると、
フレアーや台形型プリズムでの回折の影響を除く事がで
きるので望ましい。
【0039】次に、中間像面I1の線状像の照度均一性
について、具体的にかつ定量的に説明する。
【0040】まず、原ビームを理想的なシリンドリカル
レンズで線状に集光したとき光の強度分布を図3(a)
〜(e)に基づいて説明する。図3(a)は、光軸AX
方向(z方向)から見た原ビームを通過させる開口AP
の断面形状を示す図である。開口APは、直径φの円形
断面を有している。図3(b)は、開口APを通過した
原ビームを線状に集光したときの照度分布を示す図であ
る。図3(b)に示す照度分布は、ビーム開口AP上の
照度分布を通常のレーザーのようにガウス分布であると
仮定し、次式から算出される。
【0041】
【0042】ここで、xy座標は図3(a)のようにレ
ーザー開口AP面上の座標である。x方向を線状像の長
手方向、y方向を線状像の線幅方向としている。上記式
から明らかなように、図3(b)の線状像上の位置x0
での光の強度は、図3(a)のビーム開口AP上の位置
x0を通りy軸に平行な直線LLに沿って、開口APの
範囲内の照度分布を積分したものと等しい。なお、ビー
ム径φは、通常の場合と同様に光の強度分布が中心のe
2乗分の1になるまでの範囲としている。図3(b)か
ら明らかなように、線状像の強度分布は、線状像中心
(x=0)が最も高く、周辺部へ行くに従って強度が低
下する。そして、最周辺部では照度は0(ゼロ)にな
る。
【0043】次に、図3(b)の照度分布を台形型プリ
ズムで3分割したのち線状に集光したときの光の照度分
布について考える。このときの照度分布は、線状に集光
されたビームを3分割し、その後さらに重ね合わせた場
合の照度分布と考えることができる。そのため、3分割
された各ビームの照度分布は、図3(b)に示す照度分
布を3分割したものと等価である。ここで、3分割され
たビームを、第1ビームL1、第2ビームL2、第3ビ
ームL3とそれぞれする(図1(a)参照)。これら分
割された各ビームの照度分布を図3(c)に示す。そし
て、中間像面I1では各ビームL1,L2,L3が図3
(d)に示すように重なり合う。この結果、最終的な照
度分布は図3(e)に示すような形状となる。図3
(e)から明らかなように、重ね合わされた後の線状像
の照度分布の均一性は非常に高くなっている。図3
(b)と図3(e)とを比較すれば重ね合わせの効果が
極めて大きいことがわかる。例えば、図3(e)の中心
部(x=0)の照度を100%とすると、最周辺部での
照度は約90%程度である。
【0044】また、上述のように中間像面I1上に形成
された線状像は、原ビームをそのままの状態で分割せず
に線状像に集光した場合に比べて非常に照度均一性が高
い。しかし、かかる高い照度均一性を有する線状像で
も、実際のレーザー処理装置に要求される仕様を満足し
ていない場合がある。この場合は、拡大光学系5の諸収
差を制御することで、線状像の中心部の照度を減らし、
周辺部の照度をさらに上げることができる。例えば、拡
大光学系5の歪曲収差を負の値にすることにより上記制
御ができる。これによれば、照度均一性を数%まで高め
ることができる。
【0045】さらに、被照射面I2での照度の均一性の
障害となるレンズや鏡筒などでの不要な反射で生じるフ
レアーや、分割プリズム開口で生じるフレアーを除くた
めに中間像面I1に絞り(不図示)を設けることが望ま
しい。
【0046】次に、本照明光学系の結像性能について説
明する。従来技術でも述べたように、細い線状像を形成
するためには、高い結像性能が要求され、光学系の諸収
差は良好に補正されている必要がある。このような観点
から見ると、本実施形態では、中間像面I1で線状に一
度集光し、さらに、これを拡大光学系5で再度結像して
いる。この光学系の収差の主な発生源は、中間像面I1
に光を集光するシリンドリカルレンズ4と、その線状像
を再び被照射面I2に結像する拡大光学系5であること
が分かる。そこで、この両者の収差補正について考え
る。まず、後者の拡大光学系5については、通常の投影
光学系であり、光軸AXに対称な球面レンズから構成さ
れる。そのため収差を補正するには、通常の補正手順と
同様に行えば良いので高度な収差補正が達成できる。
【0047】また、上述したように、拡大光学系5の歪
曲収差を制御することにより、被照射面I2での線状像
の照度均一性を補正している。この歪曲収差の制御は、
球面収差などの結像に関する収差に比べると容易であ
る。従って、これが収差補正(球面収差などの結像に影
響するもの)を困難にする要因にはならない。さらに加
工の観点からも、拡大光学系5は光軸AXに対称な光学
系なので、従来の加工技術を用いれば十分な仕様の光学
系が得られる。
【0048】次に、図1(a),(b)に戻ってシリン
ドリカルレンズ4の収差について説明する。シリンドリ
カルレンズ4は、台形型プリズム3で3分割された平行
光束を単に線状に集光している。このため、収差の補正
が困難であることはない。
【0049】シリンドリカルレンズ4へは入射角が異な
る3つ光束L1,L2,L3が入射するので、ここで発
生する収差も当然入射角に依存する。なお、光軸AXと
平行でない方向に進む2つの光線L1,L3の方向は、
互いに光軸AXに対して対称である。従って、光軸AX
方向へ進行する光束L2と、もう一つの方向へ進行する
光束L1(又はL3)との2つの光束を考えれば良い。
【0050】これらの入射角に依存する収差は、軸対称
光学系でいうところのコマ収差とサジタル像面の湾曲な
どと同じものである。このため、軸対称な光学系からの
類推から容易に入射角に依存する収差を補正する事がで
きる。また、光学系の寸法が多少大きくなる事が許容さ
れる場合は、分割プリズム3から射出する周辺部の2つ
の光束L1,L3の角度を小さくしてやれば、シリンド
リカルレンズ4で発生する入射角に依存する収差をより
小さくできる。
【0051】以上のように本実施形態では、収差の主な
発生源と考えられるシリンドリカルレンズ4と拡大光学
系5とにおいて容易に収差補正することができるので、
系全体として高い結像性能が達成できる。
【0052】さらに、本実施形態ではビームエクスパン
ダ2をプリズムから構成する事により、光学系全体の収
差を減らしている。上述したように、シリンドリカルレ
ンズ4には、楕円ビームを入射させている。これによ
り、シリンドリカルレンズ4に入射するビームの集光方
向(y方向)の明るさを暗くすると同時に、線状像の長
手方向(x方向)の光束径を長くしている。シリンドリ
カルレンズ4の集光方向(y方向)の明るさを大きくす
ると、収差がより大きく発生してしまうので好ましくな
い。一方、線状像の長手方向のビーム径を小さくする
と、中間像面I1に形成される線状像の長さが小さくな
る。このため、被照射面I2で要求される長さの線状像
を形成するために、拡大光学系5の倍率を大きくしなけ
ればならない。よって、拡大光学系5での収差が大きく
なってしまうので好ましくない。
【0053】本実施形態のように、原ビームを楕円ビー
ムへ拡大・変換する事は、収差を発生させないためには
望ましい。一般には、円形断面の原ビームを楕円ビーム
に拡大・変換する場合にシリンドリカルレンズを用い
る。しかし、シリンドリカルレンズは、上述したように
製造コストが高く、高精度な加工も困難である。そこで
本実施形態では、プリズム素子を用いる事により、収差
を発生せずに、円形断面の原ビームを楕円ビームへ拡大
・変換している。
【0054】図4は、ビームエクスパンダ2の構成を示
す図である。ビームエクスパンダ2は、3つの直角プリ
ズム8,9,10とを組合わせて構成される。レーザー
光源1からの原ビームは、プリズム8の面PR1へ斜入
射し、面PR2から略垂直に射出する。プリズム8の面
PR2から略垂直に射出した光は、プリズム9の面PR
3に斜入射し、面PR4から略垂直に射出する。プリズ
ム9の面PR4から射出した光は、プリズム10の面P
R5に斜入射し、面PR6から略垂直に射出する。かか
る構成により、図5(a)に示すような円形の断面形状
を有する原ビームは、図5(b)に示すような楕円の断
面形状を有する光へ拡大・変換される。
【0055】また、本実施形態では、シリンドリカルレ
ンズ4を光軸AXに沿って移動する第1移動機構部MV
1を有することが望ましい。これにより、レンズ3の位
置を変えることで、デフォーカスさせて線状像の線幅を
変えることができるという効果を奏する。
【0056】また、本実施形態では、ガラス基板Gを移
動する走査移動部6を備える。これにより、被照射面
(被処理面)I2上の線状ビームと被照射面I2とを相
対的に移動することができる。よって、ガラス基板G上
の大きい面積の被処理面を高速にアニール処理すること
ができるという効果を奏する。 (第2実施形態)図2(a),(b)は、第2実施形態
にかかるレーザー処理装置の概略構成を示す図である。
拡大光学系5と被照射面I2との間に、y方向に正
(凸)パワーを持つシリンドリカルレンズ7が新たに付
加されている。その他の構成は上記第1実施形態と同様
であるので同一部分には同様の符号を用い、重複する説
明は省略する。このような配置のため、線状像の線幅方
向の結像関係は上記第1実施形態と異なり、中間像面I
1と被照射面I2とは共役でなくなる。そのため、被照
射面I2上にビームを線状に集光するためシリンドリカ
ルレンズ4を光軸AX方向に移動し、その焦点位置を中
間像面I1から、図2(b)中の面I12に移動してい
る。ここで、面I12の位置は線幅方向(y方向)で見
ると被照射面I2と共役な位置である。この構成によ
り、シリンドリカルレンズ4と拡大光学系5とが形成し
た線状像は、線幅方向だけシリンドリカルレンズ7によ
り縮小されている。この結果、収差も縮小され、より細
い線状像を被照射面I2に形成する事ができる。
【0057】また、上記構成はレーザー光の波面の乱れ
や、射出方向の乱れなどに対しても非常に有効である。
一般にレーザー光源からは平行光が一定の方向に射出さ
れると考えられる。しかし、実際はレーザー光源からの
光は完全な平行光ではない。さらに、発振される方向に
も時間的なばらつきがある。そして、これらのため被照
射面I2では、線状像の幅が広くなること、又は全体像
の位置が被照射面I2上で動くことが生ずる。これらの
被照射面I2での収差に相当する量は、レーザー光源の
開口APから被照射面I2までの線状像の線幅方向の光
学系の焦点距離をf、レーザー光源1からの原ビームの
波面のスロープエラーをθとそれぞれすると、f×θと
なる。また、ビーム射出方向のばらつきをθとした場合
も、その収差量はf×θとなる。このように、ともに焦
点距離fに比例する。このため、線幅方向(y方向)の
焦点距離は短いほうが望ましい。
【0058】上記第1実施形態の構成の場合に、焦点距
離を短くするために拡大光学系5の光学パラメータを変
更すると線状像の長さも同時に変わってしまう。このた
め、シリンドリカルレンズ4の焦点距離や位置を変化さ
せる事により、全系の焦点距離を短くさせることにな
る。シリンドリカルレンズ4の焦点距離を短くする場合
は、このシリンドリカルレンズ4の開口数(NA)が大
きくなり、また同時に拡大光学系5に入射する光の開口
数(NA)も大きくなる。これは大きな収差の発生の原
因になる。そこで、本実施形態では、拡大光学系5の被
照射面I2側に他のシリンドリカルレンズ7を追加し、
線状像の線幅方向(y方向)の焦点距離を短くしてい
る。この構成により、さらに優れた結像性能を持つ光学
系を提供することができる。また、本実施形態では、シ
リンドリカルレンズ4を光軸AXに沿って移動する第1
移動機構部MV1に加えて、シリンドリカルレンズ7を
光軸AXに沿って移動する第2移動機構部MV2を有す
ることが望ましい。これにより、各レンズ4,7の位置
を変えることで、デフォーカスさせて線状像の線幅を変
えることができるという効果を奏する。なお、何れか一
つのレンズを移動させても良いことはいうまでもない。
【0059】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
優れた結像性能を有し、照度均一性が良く、細い線幅の
大きなアスペクト比の線状ビームを照射できる照明光学
系を提供できる。また、本発明によれば、低コストで、
製造容易、大面積を高速に処理できるレーザー処理装置
を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a),(b)は第1実施形態にかかるレーザ
ー処理装置の概略構成を示す図である。
【図2】(a),(b)は第2実施形態にかかるレーザ
ー処理装置の概略構成を示す図である。
【図3】(a)〜(e)は重ね合わせの効果を説明する
図である。
【図4】ビームエクスパンダの構成を示す図である。
【図5】(a),(b)はビームの断面形状変換を説明
する図である。
【符号の説明】
1…レーザー光源 2…ビームエクスパンダー 3…台形型プリズム 4…シリンドリカルレンズ 5…拡大光学系 6…走査移動部 7…シリンドリカルレンズ I1、I2…像面 G…ガラス基板 AX…光軸 AP…レーザー開口部 MV1,MV2…第1、第2移動部
フロントページの続き (72)発明者 正木 みゆき 東京都江東区豊洲三丁目1番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 (72)発明者 八木 武人 東京都江東区豊洲三丁目1番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 Fターム(参考) 4E068 AH00 CA05 CD05 CD08 DA10 5F052 AA02 BA07 BA14 BB02 JA01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザー光源からの照射ビームを、第1
    の方向に対して複数の照射ビームに分割し、所定面上で
    重ね合わせるプリズム部材と、 少なくとも前記第1の方向に略直交する第2の方向に屈
    折力を有し、前記分割された複数の照射ビームを前記第
    1の方向に長手方向を有する線状ビームに結像する線状
    ビーム形成レンズ系と、 前記線状ビームを前記第1の方向に拡大して被処理面上
    に照射する拡大光学系とを有することを特徴とする照明
    光学系。
  2. 【請求項2】 前記プリズム部材は台形型プリズムであ
    り、 該台形型プリズムにより分割された前記複数の照射ビー
    ムが重ね合わされる前記所定面の位置と、前記線状ビー
    ム形成レンズ系の前記第2の方向の焦点位置とが略一致
    していることを特徴とする請求項1に記載の照明光学
    系。
  3. 【請求項3】 前記拡大光学系は、光軸に対して回転対
    称な光学系であることを特徴とする請求項1に記載の照
    明光学系。
  4. 【請求項4】 前記線状ビーム形成レンズ系は、前記第
    2の方向に正の屈折力を有する第1シリンドリカルレン
    ズであることを特徴とする請求項1に記載の照明光学
    系。
  5. 【請求項5】 前記拡大光学系は、前記被処理面側に、
    前記第2の方向に正の屈折力を有する第2シリンドリカ
    ルレンズを有することを特徴とする請求項1に記載の照
    明光学系。
  6. 【請求項6】 前記第1シリンドリカルレンズと前記第
    2シリンドリカルレンズとの少なくとも1つは前記光軸
    に沿って移動可能であることを特徴とする請求項5に記
    載の照明光学系。
  7. 【請求項7】 前記レーザー光源からの照射ビーム径
    を、前記第2の方向よりも前記第1の方向に大きく拡大
    するビームエクスパンダ系をさらに有することを特徴と
    する請求項1に記載の照明光学系。
  8. 【請求項8】レーザー光を供給するレーザー光源と、 請求項1乃至7の何れか一項に記載の照明光学系と、 前記被処理面上の線状ビームと前記被処理面とを相対的
    に移動する走査移動部とを有することをレーザ処理装
    置。
JP2001083562A 2001-02-22 2001-03-22 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置 Expired - Fee Related JP4754703B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001083562A JP4754703B2 (ja) 2001-03-22 2001-03-22 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置
TW091102776A TW528879B (en) 2001-02-22 2002-02-19 Illumination optical system and laser processor having the same
KR10-2002-0009058A KR100487085B1 (ko) 2001-02-22 2002-02-20 조명광학계 및 이를 구비하는 레이저 처리장치
SG200201044A SG124241A1 (en) 2001-02-22 2002-02-22 Illumination optical system and laser processor having the same
US10/081,975 US6894839B2 (en) 2001-02-22 2002-02-22 Illumination optical system and laser processor having the same
CNB021080968A CN100416411C (zh) 2001-02-22 2002-02-22 照明光学***及配备该光学***的激光器处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001083562A JP4754703B2 (ja) 2001-03-22 2001-03-22 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002280325A true JP2002280325A (ja) 2002-09-27
JP4754703B2 JP4754703B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=18939361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001083562A Expired - Fee Related JP4754703B2 (ja) 2001-02-22 2001-03-22 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4754703B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295068A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Sony Corp 照射装置
JP2011069909A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 空間変調光生成装置および画像記録装置
WO2018110448A1 (ja) * 2016-12-12 2018-06-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 投影光学系、画像投影装置、および画像投影システム
CN112872582A (zh) * 2020-12-29 2021-06-01 武汉华工激光工程有限责任公司 连续可调大尺寸整形***以及方法
WO2023058504A1 (ja) * 2021-10-04 2023-04-13 株式会社アマダ ビーム整形器
JP7450062B2 (ja) 2020-07-31 2024-03-14 西安炬光科技股▲フン▼有限公司 光学モジュール及び医用レーザ装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62258416A (ja) * 1986-04-23 1987-11-10 クワントロニツクス コ−ポレ−シヨン 光線集中方法および装置
JPS63114186A (ja) * 1986-10-30 1988-05-19 Canon Inc 照明装置
JPH01109720A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Canon Inc 照明装置
JPH10244392A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
JPH10333077A (ja) * 1997-06-04 1998-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd ビームホモジナイザ及び半導体薄膜作製方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62258416A (ja) * 1986-04-23 1987-11-10 クワントロニツクス コ−ポレ−シヨン 光線集中方法および装置
JPS63114186A (ja) * 1986-10-30 1988-05-19 Canon Inc 照明装置
JPH01109720A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Canon Inc 照明装置
JPH10244392A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
JPH10333077A (ja) * 1997-06-04 1998-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd ビームホモジナイザ及び半導体薄膜作製方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295068A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Sony Corp 照射装置
JP2011069909A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 空間変調光生成装置および画像記録装置
US8436885B2 (en) 2009-09-24 2013-05-07 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for generating spatially modulated light and image recording apparatus
WO2018110448A1 (ja) * 2016-12-12 2018-06-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 投影光学系、画像投影装置、および画像投影システム
JPWO2018110448A1 (ja) * 2016-12-12 2019-10-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 投影光学系、画像投影装置、および画像投影システム
US10877359B2 (en) 2016-12-12 2020-12-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Projection optical system, image projection apparatus, and image projection system for a laser scanning projector
JP7450062B2 (ja) 2020-07-31 2024-03-14 西安炬光科技股▲フン▼有限公司 光学モジュール及び医用レーザ装置
CN112872582A (zh) * 2020-12-29 2021-06-01 武汉华工激光工程有限责任公司 连续可调大尺寸整形***以及方法
WO2023058504A1 (ja) * 2021-10-04 2023-04-13 株式会社アマダ ビーム整形器

Also Published As

Publication number Publication date
JP4754703B2 (ja) 2011-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100487085B1 (ko) 조명광학계 및 이를 구비하는 레이저 처리장치
JP6977609B2 (ja) 光照射装置、光照射装置を用いた光加工装置、光照射方法、及び光加工方法
US7486444B2 (en) Beam homogenizer and laser irradiation apparatus
JP5963219B2 (ja) 微小レンズアレイを使用してラインを生成する光学設計
JP4401410B2 (ja) レーザ加工装置
JP5848877B2 (ja) レーザ光整形及び波面制御用光学系
JPH09245708A (ja) 電子ビーム露光装置とその露光方法
KR20080046610A (ko) 레이저 광학 장치
TW201248673A (en) Drawing apparatus and method of manufacturing article
JP2001100145A (ja) レーザマーカ
KR101029926B1 (ko) 중첩식 doe 호모지나이저 광학계
TWI834736B (zh) 雷射加工系統
JP3278277B2 (ja) 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JP2009534820A (ja) 大基板のレーザアニーリング用装置および大基板のレーザアニーリング方法
JP2007310368A (ja) ホモジナイザを用いた整形ビームの伝搬方法およびそれを用いたレ−ザ加工光学系
JP4754703B2 (ja) 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置
JP2007029959A (ja) レーザ加工機
JP2009210726A (ja) マスクレス露光装置
JP4191334B2 (ja) 精密可変型長尺ビーム光学系
JP3955587B2 (ja) レーザ照射装置
JP2014083562A (ja) レーザ照射ユニット及びレーザ加工装置
JP4921643B2 (ja) 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置
JP2000338447A (ja) ビーム整形光学系
JP4665241B2 (ja) ビーム整形光学装置
JP2008016712A (ja) レーザ光学系およびレーザアニール装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110411

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110502

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110526

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4754703

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees