JP2002277742A - 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 - Google Patents
反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置Info
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Abstract
ができ、たとえば波長が180nm以下の真空紫外線波
長域の光を用いて0.1μm以下の高解像を達成するこ
とのできる反射屈折光学系。 【解決手段】 少なくとも2つの反射鏡を有し、第1面
(R)からの光に基づいて第1面の第1中間像を形成す
るための第1結像光学系(G1)と、少なくとも2つの
反射鏡を有し、第1結像光学系を介した光に基づいて第
1面の第2中間像を形成するための第2結像光学系(G
2)と、第2結像光学系を介した光に基づいて第1面の
最終像を第2面(W)上に形成するための屈折型の第3
結像光学系(G3)とを備えている。すべての光学部材
が単一の直線状光軸(AX)に沿って配置されている。
Description
び該光学系を備えた露光装置に関し、特に半導体素子な
どをフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される
露光装置に最適な高解像の反射屈折型の投影光学系に関
する。
実装基板の製造では、微細化がますます進んでおり、パ
ターンを焼き付ける露光装置ではより解像力の高い投影
光学系が要求されてきている。この高解像の要求を満足
するには、露光光を短波長化し、且つNA(投影光学系
の開口数)を大きくしなければならない。しかしなが
ら、露光光の波長が短くなると、光の吸収のため実用に
耐える光学ガラスの種類が限られてくる。たとえば、波
長が180nm以下になると、実用上使える硝材は蛍石
だけとなる。
面板など)だけで投影光学系を構成すると、形成された
屈折型の投影光学系では色収差の補正が全く不可能とな
る。換言すると、要求される解像力を有する投影光学系
を屈折光学部材だけで構成することは非常に難しいもの
となる。これに対して、反射光学部材すなわち反射鏡の
みで投影光学系を構成することも試みられている。
型の投影光学系は大型化し、且つ反射面の非球面化が必
要となる。なお、反射面を高精度に非球面化すること
は、製作の面で極めて困難である。そこで、短波長光の
使用に耐える光学ガラスからなる屈折光学部材と反射鏡
とを組み合わせた、いわゆる反射屈折型の縮小光学系が
種々提案されている。
を1枚だけ用いて中間像を1回だけ形成するタイプの反
射屈折光学系が知られている。このタイプの反射屈折光
学系では、凹面反射鏡を含む往復兼用光学系部分が負レ
ンズだけを含み、正のパワーを有する屈折光学部材を含
んでいない。その結果、光束が広がった状態で凹面反射
鏡に入射するため、凹面反射鏡の径が大きくなりがちで
あった。
分が完全対称型の構成を有する場合、この往復兼用光学
系部分での収差の発生を極力抑えて後続の屈折光学系部
分の収差補正負担を軽くしている。しかしながら、対称
型の往復兼用光学系を採用しているため、第1面付近で
のワーキングディスタンスを十分に確保しにくく、また
光路分岐のためにハーフプリズムを使用しなければなら
なかった。
される2次結像光学系に凹面反射鏡を使用する場合、光
学系の必要な明るさを確保するためには、光束が広がっ
た状態で凹面反射鏡に入射することになる。その結果、
凹面反射鏡の径が大きくなりがちであり、その小型化が
困難であった。
回だけ形成するタイプの反射屈折光学系も知られてい
る。このタイプの反射屈折光学系では、屈折光学系部分
のレンズ枚数を削減できる可能性がある。しかしなが
ら、このタイプの反射屈折光学系では、以下の不都合が
あった。
縮小側である第2面側に配置するタイプの反射屈折光学
系では、縮小倍率の関係から、反射鏡で反射された後の
第2面(ウェハ面)までの距離を十分に長く確保するこ
とができない。このため、この光路中にあまり多くの枚
数のレンズを挿入することができず、得られる光学系の
明るさが限られた値にならざるを得なかった。また、高
い開口数を有する光学系をたとえ実現することができた
としても、限られた長さの光路中に多くの屈折光学部材
が配置されるため、第2面であるウェハ面と最も第2面
側のレンズ面との距離、いわゆるワーキングディスタン
スWDを十分に長く確保することができなかった。
折り曲げる必要があり、必然的に複数の光軸(光学系を
構成する屈折曲面または反射曲面の曲率中心を連ねる直
線のことをいう)を有することになる。その結果、光学
系を形成するために複数の鏡筒を要し、光軸相互の調整
作業が非常に困難になり、高精度の光学系を実現するこ
とができなかった。なお、中央に開口部(光透過部)を
有する一対の反射鏡を用いることにより、すべての光学
部材を単一の直線状光軸に沿って配置したタイプの反射
屈折光学系も可能である。しかしながら、このタイプの
反射屈折光学系では、反射鏡で反射されることなく光軸
に沿って進行する不要光を遮るために、中心光束の遮蔽
すなわち中心遮蔽が必要になる。その結果、中心遮蔽に
起因して特定の周波数のパターンでコントラストの低下
が起こるという不都合があった。
視野絞りおよび開口絞りを設置すべき位置を確保するこ
とができなかった。さらに、上述したように、従来の反
射屈折光学系では、ワーキングディスタンスを十分に長
く確保することができなかった。また、上述したよう
に、従来の反射屈折光学系では、凹面反射鏡が大型化し
易く、光学系の小型化を図ることができなかった。
れた反射屈折光学系では、第2面側(ウェハ側)のワー
キングディスタンスが確保され、単一光軸に沿って構成
されているという利点があるが、第1面側(マスク側)
のワーキングディスタンス(第1面であるマスク面と最
も第1面側のレンズ面との距離)を十分に長く確保する
ことができないという不都合があった。また、WO01
/51979A2に開示された反射屈折光学系では、反
射鏡の径が大きくなり過ぎるため、十分に大きな開口数
を達成することができないという不都合があった。同様
に、特開2001−228401号公報に開示された反
射屈折光学系においても、反射鏡の径が大きくなり過ぎ
るため、十分に大きな開口数を達成することができない
という不都合があった。
のであり、調整が容易で高精度に光学系を製造すること
ができ、たとえば波長が180nm以下の真空紫外線波
長域の光を用いて0.1μm以下の高解像を達成するこ
とのできる反射屈折光学系を提供することを目的とす
る。
開口絞りを設置すべき位置を確保することができ、たと
えば波長が180nm以下の真空紫外線波長域の光を用
いて0.1μm以下の高解像を達成することのできる反
射屈折光学系を提供することを目的とする。
ィスタンスを確保することができ、たとえば波長が18
0nm以下の真空紫外線波長域の光を用いて0.1μm
以下の高解像を達成することのできる反射屈折光学系を
提供することを目的とする。
えて光学系の小型化を図ることができ、たとえば波長が
180nm以下の真空紫外線波長域の光を用いて0.1
μm以下の高解像を達成することのできる反射屈折光学
系を提供することを目的とする。
ィスタンスを十分に長く確保するとともに、反射鏡の径
の大型化を抑えて十分に大きな開口数を達成することが
でき、たとえば波長が180nm以下の真空紫外線波長
域の光を用いて0.1μm以下の高解像を達成すること
のできる反射屈折光学系を提供することを目的とする。
学系として使用し、たとえば波長が180nm以下の露
光光を用いて、0.1μm以下の高解像で良好な投影露
光を行うことのできる露光装置を提供することを目的と
する。
ば0.1μm以下の高解像で良好な投影露光を行うこと
により、高精度なマイクロデバイスを製造することので
きるマイクロデバイス製造方法を提供することを目的と
する。
に、本発明の第1発明では、少なくとも2つの反射鏡を
有し、第1面からの光に基づいて前記第1面の第1中間
像を形成するための第1結像光学系と、少なくとも2つ
の反射鏡を有し、前記第1結像光学系を介した光に基づ
いて前記第1面の第2中間像を形成するための第2結像
光学系と、前記第2結像光学系を介した光に基づいて前
記第1面の最終像を第2面上に形成するための屈折型の
第3結像光学系とを備え、前記第1結像光学系、前記第
2結像光学系および前記第3結像光学系を構成するすべ
ての光学部材が単一の直線状光軸に沿って配置されてい
ることを特徴とする反射屈折光学系を提供する。
1結像光学系と前記第2結像光学系との間の光路中には
フィールドレンズが配置されている。また、前記第1結
像光学系は、前記2つの反射鏡と、少なくとも1つのレ
ンズ成分とを有することが好ましい。さらに、前記第1
結像光学系と前記フィールドレンズとの合成光学系は、
第1面側および第2面側にテレセントリックな光学系を
構成していることが好ましい。
前記第1結像光学系は、前記2つの反射鏡の間の光路中
に配置された少なくとも1つの負レンズ成分を有する。
また、前記第2結像光学系は、前記2つの反射鏡の間の
光路中に配置された少なくとも1つの負レンズ成分を有
することが好ましい。
の間の光路中に前記第1面の中間像を2回形成し、前記
第1面の第3回目の中間像を最終像として前記第2面上
に形成する反射屈折光学系であって、すべての光学部材
が単一の直線状光軸に沿って配置されていることを特徴
とする反射屈折光学系を提供する。この場合、前記中間
像は、前記光軸から離れた位置に形成されることが好ま
しい。
に沿って配置された複数の反射鏡を有する反射屈折光学
系であって、第1面上において前記光軸から離れた矩形
状の領域の像を第2面上に形成することを特徴とする反
射屈折光学系を提供する。この場合、前記反射屈折光学
系は、該反射屈折光学系で形成される像領域を規定する
視野絞りと、該反射屈折光学系の開口数を規定する開口
絞りとを備えていることが好ましい。
射鏡と第2反射鏡とを有し、第1面からの光に基づいて
前記第1面の第1中間像を形成するための第1結像光学
系と、少なくとも第3反射鏡と第4反射鏡とを有し、前
記第1結像光学系を介した光に基づいて前記第1面の第
2中間像を形成するための第2結像光学系と、前記第2
結像光学系を介した光に基づいて前記第1面の最終像を
第2面上に形成するための屈折型の第3結像光学系とを
備え、前記第1結像光学系、前記第2結像光学系および
前記第3結像光学系を構成するすべての光学部材が単一
の直線状光軸に沿って配置され、前記第1反射鏡、前記
第2反射鏡、前記第3反射鏡および前記第4反射鏡のう
ちの2つの反射鏡の反射面側の直前に少なくとも1つの
負レンズがそれぞれ配置されていることを特徴とする反
射屈折光学系を提供する。
つの反射鏡の反射面側の直前に少なくとも1つの負レン
ズがそれぞれ配置されていることにより倍率の色収差の
補正が行われ、倍率色収差係数LATは、|LAT|<
5×10-6の条件を満足する。また、前記2つの反射鏡
の反射面側の直前に少なくとも1つの負レンズがそれぞ
れ配置されていることにより軸上の色収差の補正が行わ
れ、軸上色収差係数AXは、|AX|<2×10-4の条
件を満足することが好ましい。
されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクに
形成されたパターンの像を前記第2面に設定された感光
性基板上に形成するための第1発明〜第3発明の反射屈
折光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提
供する。この場合、前記反射屈折光学系に対して前記マ
スクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マス
クパターンを前記感光性基板上に走査露光することが好
ましい。
置により前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露
光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記
感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とす
るマイクロデバイスの製造方法を提供する。
の基本的な構成を説明するための図である。なお、図1
では、本発明の反射屈折光学系が走査露光型の露光装置
の投影光学系に適用されている。図1に示すように、本
発明の反射屈折光学系は、第1面に配置された投影原版
としてのレチクルRのパターンの第1中間像を形成する
ための第1結像光学系G1を備えている。なお、第1結
像光学系G1は、少なくとも2つの反射鏡、すなわち第
1反射鏡および第2反射鏡を有する。
とも2つの反射鏡、すなわち第3反射鏡および第4反射
鏡を有する第2結像光学系G2を介して、レチクルRの
パターンの第2中間像を形成する。第2結像光学系G2
を介した光は、反射鏡を含むことなく屈折光学部材を有
する屈折型の第3結像光学系G3を介して、レチクルR
のパターンの最終像を第2面に配置された感光性基板と
してのウェハW上に形成する。第1結像光学系G1、第
2結像光学系G2および第3結像光学系G3を構成する
すべての光学部材が、単一の直線状光軸AXに沿って配
置されている。
学系G1と第2結像光学系G2との間の光路中に、フィ
ールドレンズFLが配置されている。ここで、フィール
ドレンズFLは、第1中間像の形成に関して積極的に寄
与することなく、第1結像光学系G1と第2結像光学系
G2とを整合接続する機能を有する。また、第1結像光
学系G1は、2つの反射鏡に加えて、少なくとも1つの
レンズ成分を有する。こうして、第1結像光学系G1と
フィールドレンズFLとの合成光学系は、レチクル側
(第1面側)およびウェハ側(第2面側)にテレセント
リックな光学系を構成する。なお、第2結像光学系G2
と第3結像光学系G3との間の光路中にも、必要に応じ
て、フィールドレンズが配置される。
学系G1および第2結像光学系G2のうち少なくとも一
方の光学系では、2つの反射鏡の間の光路中に、少なく
とも1つの負レンズ成分(L13、L21)が配置され
ていることが好ましい。この構成により、屈折光学部材
(レンズ成分)を単一種の光学材料で形成しても、色収
差の良好な補正が可能となる。
を規定する視野絞りFSを、第1結像光学系G1と第2
結像光学系G2との間のフィールドレンズFLの近傍、
または第2結像光学系G2と第3結像光学系G3との間
のフィールドレンズの近傍に配置することができる。こ
の場合、照明光学系に視野絞りを設けなくてもよい構成
とすることができる。さらに、第3結像光学系G3の光
路中に、開口絞りASを配置することができる。
は、複数の光軸を有する従来の反射屈折光学系とは異な
り、すべての光学部材が単一の光軸AXに沿って配置さ
れている。したがって、光学系を形成するために複数の
鏡筒を要することなく、光軸相互の調整作業も不要とな
り、単一光軸AXに沿った各光学部材の傾きや位置ずれ
などを光学的に検知し易くなるので、高精度の光学系を
製造することができる。また、この構成により、単一光
軸AXを重力方向(鉛直方向)に一致させると、重力に
よるレンズのたわみが回転対称になるように設定するこ
とが可能になり、光学調整により結像性能の劣化を小さ
く抑えることが可能となる。
場合、単一光軸AXに沿って直立姿勢で使用することに
より、レチクルRおよびウェハWを重力方向に直交する
面(すなわち水平面)に沿って互いに平行に配置すると
ともに、投影光学系を構成するすべてのレンズを重力方
向の単一光軸AXに沿って水平に配置することができ
る。その結果、レチクルR、ウェハW、および投影光学
系を構成するすべてのレンズが水平に保持され、自重に
よる非対称な変形を受けることなく、光学調整や機械設
計や高解像度の確保などにおいて非常に有利である。
屈折光学系部分が正の屈折力(パワー)を有するために
正になりがちなペッツバール和を、第1結像光学系G1
および第2結像光学系G2における凹面反射鏡部分の負
のペッツバール和により相殺し、全体のペッツバール和
を完全に0に抑えることができる。
一の光軸に沿って配置する構成では、反射鏡に対してど
のように光路を設定するかが、大きな問題となる。1つ
の解決策として、前述したように、反射鏡の中央に開口
部(光透過部)を形成し、その中央開口部を介して光路
を設定する技術が考えられる。しかしながら、この従来
技術では、必然的に入射瞳部分において中心遮蔽を形成
せざるを得ず、この中心遮蔽に起因して光学結像性能の
低下を招くことになる。
G1において、レチクルパターンからの光束が第1反射
鏡の外側を廻り込んで第2反射鏡に入射する。そして、
第2反射鏡で反射された光束は、第1反射鏡で反射され
た後、第2反射鏡の外側を廻り込んで第1中間像を形成
する。さらに、第2結像光学系G2において、第1中間
像からの光束は、第3反射鏡の外側を廻り込んで第4反
射鏡に入射する。そして、第4反射鏡で反射された光束
は、第3反射鏡で反射された後、第4反射鏡の外側を廻
り込んで第2中間像を形成する。本発明では、第1結像
光学系G1と第2結像光学系G2とが、第1中間像の形
成位置に関してほぼ対称に構成されている。その結果、
レチクル側のワーキングディスタンス(最もレチクル側
の光学面とレチクルとの間の光軸に沿った距離)を大き
く確保することができる。つまり、第2結像光学系G2
を介して形成される第2中間像の位置を第3反射鏡から
遠ざけるように設定することにより、レチクル側のワー
キングディスタンスを大きく確保することができる。シ
ャップマンの色消しの原理「An achromat of the Schup
mann (Refer R. Kingstake, “Lens Design Fundamenta
ls”, Academic Press, 1978, Page 89)」によれば、負
レンズからの共役像(レチクルR、中間像)までの距離
差(図1では、レチクルRから第2反射鏡までの距離を
cとし、第2反射鏡から第1反射鏡までの距離をbと
し、第1反射鏡から中間像までの距離をaとすると、a
+b−c)が大きいと、色補正が困難である。本発明で
は、第1結像光学系G1と第2結像光学系G2とが第1
中間像の形成位置に関してほぼ対称に構成されているた
め、第1結像光学系G1の負レンズからの共役像までの
距離差(a+b−c)を第2結像光学系G2で相殺(キ
ャンセル)することができ、色収差補正の観点において
も有利である。
瞳での中心遮蔽を回避することができ、ひいては中心遮
蔽に起因する光学結像特性の低下を回避することができ
る。なお、反射屈折光学系全体の結像倍率を適宜選択す
ることにより、各反射鏡の外側を廻り込む光路の設定が
容易になる。その結果、図1に示すように、レチクルフ
ィールドにおいて光軸AXから偏心した比較的大きな矩
形状の照明領域IRに形成されたレチクルパターンの最
終像を、ウェハフィールドにおいて光軸AXから偏心し
た比較的大きな矩形状の実効露光領域ER上に形成する
ことができる。これに対応して、レチクルパターンの第
1中間像および第2中間像は、光軸AXから離れた位置
に形成されることになる。
影光学系として搭載した露光装置では、レチクルRおよ
びウェハWを所定の方向(スキャン方向)に沿って移動
させながら、矩形状の照明領域IRおよび実効露光領域
ERに基づく走査露光を行うことができる。これに対
し、すべての光学部材が単一光軸に沿って配置された反
射屈折光学系を投影光学系として搭載した従来の露光装
置では、比較的大きな矩形状の照明領域および実効露光
領域を確保することができず、細長い円弧状の照明領域
および実効露光領域に基づく走査露光を行っていた。
領域の形状が細長い円弧状であるため、走査露光に際し
て実効露光領域が投影光学系の焦点深度内に常に納まる
ようにウェハステージの傾きを調整することが困難であ
った。また、従来の露光装置では、実効露光領域の形状
が細長い円弧状であるため、スキャン方向に沿ったレチ
クルRおよびウェハWの所要移動量、すなわちスキャン
幅が大きくなってしまう。本発明では、実効露光領域の
形状が比較的大きい矩形状であるため、走査露光に際し
て実効露光領域が投影光学系の焦点深度内に常に納まる
ようにウェハステージの傾きを調整することが容易であ
り、スキャン幅も小さくなる。
て説明する。図2は、本発明の各実施例にかかる反射屈
折光学系を投影光学系として備えた露光装置の全体構成
を概略的に示す図である。なお、図2において、投影光
学系PLを構成する反射屈折光学系の基準光軸AXに平
行にZ軸を、光軸AXに垂直な面内において図2の紙面
に平行にY軸を、紙面に垂直にX軸を設定している。
給するための光源100として、F 2レーザー光源(発
振中心波長157.6nm)を備えている。光源100
から射出された光は、照明光学系ILを介して、所定の
パターンが形成されたレチクル(マスク)Rを均一に照
明する。なお、光源100と照明光学系ILとの間の光
路はケーシング(不図示)で密封されており、光源10
0から照明光学系IL中の最もレチクル側の光学部材ま
での空間は、露光光の吸収率が低い気体であるヘリウム
ガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、ある
いはほぼ真空状態に保持されている。
て、レチクルステージRS上においてXY平面に平行に
保持されている。レチクルRには転写すべきパターンが
形成されており、パターン領域全体のうちX方向に沿っ
て長辺を有し且つY方向に沿って短辺を有する矩形状の
パターン領域が照明される。レチクルステージRSは、
図示を省略した駆動系の作用により、レチクル面(すな
わちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、そ
の位置座標はレチクル移動鏡RMを用いた干渉計RIF
によって計測され且つ位置制御されるように構成されて
いる。
は、反射屈折型の投影光学系PLを介して、感光性基板
であるウェハW上にレチクルパターン像を形成する。ウ
ェハWは、ウェハテーブル(ウェハホルダ)WTを介し
て、ウェハステージWS上においてXY平面に平行に保
持されている。そして、レチクルR上での矩形状の照明
領域に光学的に対応するように、ウェハW上ではX方向
に沿って長辺を有し且つY方向に沿って短辺を有する矩
形状の露光領域にパターン像が形成される。ウェハステ
ージWSは、図示を省略した駆動系の作用によりウェハ
面(すなわちXY平面)に沿って二次元的に移動可能で
あり、その位置座標はウェハ移動鏡WMを用いた干渉計
WIFによって計測され且つ位置制御されるように構成
されている。
光領域(すなわち実効露光領域)と基準光軸との位置関
係を示す図である。図3に示すように、各実施例(ただ
し第6実施例を除く)では、基準光軸AXを中心とした
半径A(最大像高に対応)を有する円形状の領域(イメ
ージサークル)IF内において、基準光軸AXから−Y
方向に偏心した位置に所望の大きさを有する矩形状の実
効露光領域ERが設定されている。ここで、実効露光領
域ERのX方向の長さはLXであり、そのY方向の長さ
はLYである。
R上では、基準光軸AXから+Y方向に偏心した位置に
実効露光領域ERに対応した大きさおよび形状を有する
矩形状の照明領域IRが形成されていることになる。す
なわち、基準光軸AXを中心とした半径B(最大物体高
に対応)を有する円形状の領域内において、基準光軸A
Xから+Y方向に偏心した位置に所望の大きさを有する
矩形状の照明領域IRが設定されている。
Lを構成する光学部材のうち最もレチクル側に配置され
た光学部材(各実施例ではレンズL11)と最もウェハ
側に配置された光学部材(第1および第2実施例ではレ
ンズL38,第3実施例ではレンズL312,第4実施
例ではレンズL39,第5、第6および第9実施例では
レンズL315,第7および第8実施例ではレンズL3
17)との間で投影光学系PLの内部が気密状態を保つ
ように構成され、投影光学系PLの内部の気体はヘリウ
ムガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、あ
るいはほぼ真空状態に保持されている。
との間の狭い光路には、レチクルRおよびレチクルステ
ージRSなどが配置されているが、レチクルRおよびレ
チクルステージRSなどを密封包囲するケーシング(不
図示)の内部に窒素やヘリウムガスなどの不活性ガスが
充填されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されて
いる。
狭い光路には、ウェハWおよびウェハステージWSなど
が配置されているが、ウェハWおよびウェハステージW
Sなどを密封包囲するケーシング(不図示)の内部に窒
素やヘリウムガスなどの不活性ガスが充填されている
か、あるいはほぼ真空状態に保持されている。このよう
に、光源100からウェハWまでの光路の全体に亘っ
て、露光光がほとんど吸収されることのない雰囲気が形
成されている。
規定されるレチクルR上の照明領域およびウェハW上の
露光領域(すなわち実効露光領域ER)は、Y方向に沿
って短辺を有する矩形状である。したがって、駆動系お
よび干渉計(RIF、WIF)などを用いてレチクルR
およびウェハWの位置制御を行いながら、矩形状の露光
領域および照明領域の短辺方向すなわちY方向に沿って
レチクルステージRSとウェハステージWSとを、ひい
てはレチクルRとウェハWとを反対の方向へ(すなわち
反対の向きへ)同期的に移動(走査)させることによ
り、ウェハW上には露光領域の長辺に等しい幅を有し且
つウェハWの走査量(移動量)に応じた長さを有する領
域に対してレチクルパターンが走査露光される。
系からなる投影光学系PLは、第1面に配置されたレチ
クルRのパターンの第1中間像を形成するための反射屈
折型の第1結像光学系G1と、第1結像光学系G1を介
した光に基づいてレチクルRのパターンの第2中間像を
形成するための反射屈折型の第2結像光学系G2と、第
2結像光学系G2を介した光に基づいて第2面に配置さ
れたウェハW上にレチクルパターンの最終像(レチクル
パターンの縮小像)を形成するための屈折型の第3結像
光学系G3とを備えている。
G1、第2結像光学系G2および第3結像光学系G3を
構成するすべての光学部材が単一の直線状光軸AXに沿
って配置されている。また、第1結像光学系G1と第2
結像光学系G2との間の光路中には、第1フィールドレ
ンズが配置されている。さらに、第2結像光学系G2と
第3結像光学系G3との間の光路中には、第2フィール
ドレンズが配置されている。なお、基準光軸AXは、重
力方向(すなわち鉛直方向)に沿って位置決めされてい
る。その結果、レチクルRおよびウェハWは、重力方向
と直交する面すなわち水平面に沿って互いに平行に配置
されている。加えて、投影光学系PLを構成するすべて
の光学部材(レンズおよび反射鏡)も、基準光軸AX上
において水平面に沿って配置されている。
するすべての屈折光学部材(レンズ成分)には蛍石(C
aF2結晶)を使用している。また、露光光であるF2
レーザー光の発振中心波長は157.6nmであり、1
57.6nm付近においてCaF2の屈折率は、+1p
mの波長変化あたり−2×10-6の割合で変化し、−1
pmの波長変化あたり+2×10-6の割合で変化する。
換言すると、157.6nm付近において、CaF2の
屈折率の分散(dn/dλ)は、2×10-6/pmであ
る。
157.6nmに対するCaF2の屈折率は1.560
000である。そして、第1実施例、第2実施例および
第4実施例では、157.6nm+0.5pm=15
7.6005nmに対するCaF2の屈折率は1.55
9999であり、157.6nm−0.5pm=15
7.5995nmに対するCaF2の屈折率は1.56
0001である。また、第3実施例、第5実施例および
第6実施例では、157.6nm+0.3pm=15
7.6003nmに対するCaF2の屈折率は1.55
99994であり、157.6nm−0.3pm=15
7.5997nmに対するCaF2の屈折率は1.56
00006である。さらに、第7実施例〜第9実施例で
は、157.6nm+0.4pm=157.6004n
mに対するCaF2の屈折率は1.5599992であ
り、157.6nm−0.4pm=157.5996n
mに対するCaF2の屈折率は1.5600008であ
る。
に垂直な方向の高さをyとし、非球面の頂点における接
平面から高さyにおける非球面上の位置までの光軸に沿
った距離(サグ量)をzとし、頂点曲率半径をrとし、
円錐係数をκとし、n次の非球面係数をCn としたと
き、以下の数式(a)で表される。
は面番号の右側に*印を付している。
る反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を示
す図である。図4の反射屈折光学系において、第1結像
光学系G1は、レチクル側から順に、ウェハ側に非球面
状の凸面を向けた正メニスカスレンズL11と、ウェハ
側に非球面状の凸面を向けた正メニスカスレンズL12
と、ウェハ側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡M1
1と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL
13と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M12と
から構成されている。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡
M22とから構成されている。
側から順に、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた負メニ
スカスレンズL31と、レチクル側に非球面状の凸面を
向けた負メニスカスレンズL32と、ウェハ側に非球面
状の凹面を向けた正メニスカスレンズL33と、開口絞
りASと、レチクル側に非球面状の凹面を向けた正メニ
スカスレンズL34と、ウェハ側に非球面状の凹面を向
けた正メニスカスレンズL35と、ウェハ側に非球面状
の凹面を向けた正メニスカスレンズL36と、両凸レン
ズL37と、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた両凸レ
ンズL38とから構成されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、レチ
クル側に非球面状の凹面を向けた正メニスカスレンズL
41と、レチクル側に非球面状の凸面を向けた両凸レン
ズL42と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニ
スカスレンズL43とから構成された第1フィールドレ
ンズが配置されている。また、第2結像光学系G2と第
3結像光学系G3との間の光路中には、レチクル側に非
球面状の凸面を向けた両凸レンズL51から構成された
第2フィールドレンズが配置されている。
からの光が、正メニスカスレンズL11、正メニスカス
レンズL12および負メニスカスレンズL13を介し
て、凹面反射鏡M12に入射する。凹面反射鏡M12で
反射された光は、負メニスカスレンズL13を介して凹
面反射鏡M11で反射された後、第1フィールドレンズ
(L41〜L43)中にレチクルパターンの第1中間像
を形成する。
中に形成された第1中間像からの光は、凹面反射鏡M2
2で反射され、負メニスカスレンズL21を介して凹面
反射鏡M21で反射された後、負メニスカスレンズL2
1を介して第2フィールドレンズL51の近傍にレチク
ルパターンの第2中間像を形成する。第2フィールドレ
ンズL51の近傍に形成された第2中間像からの光は、
第3結像光学系G3を構成する各レンズL31〜L38
を介して、ウェハW上にレチクルパターンの最終像を形
成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(1)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。
系の横収差を示す図である。収差図において、Yは像高
(mm)を示している。収差図から明らかなように、第
1実施例では、波長幅が157.6nm±0.5pmの
露光光に対して色収差が良好に補正されていることがわ
かる。また、球面収差、コマ収差、非点収差、ディスト
ーション(歪曲収差)がほぼ無収差に近い状態まで良好
に補正され、優れた結像性能を有することを確認してい
る。
る反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を示
す図である。図6の反射屈折光学系において、第1結像
光学系G1は、レチクル側から順に、ウェハ側に非球面
状の凸面を向けた正メニスカスレンズL11と、ウェハ
側に非球面状の凸面を向けた正メニスカスレンズL12
と、ウェハ側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡M1
1と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL
13と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M12と
から構成されている。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡
M22とから構成されている。
側から順に、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた負メニ
スカスレンズL31と、レチクル側に非球面状の凸面を
向けた負メニスカスレンズL32と、ウェハ側に非球面
状の凸面を向けた両凸レンズL33と、開口絞りAS
と、レチクル側に非球面状の凸面を向けた両凸レンズL
34と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズ
L35と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニス
カスレンズL36と、レチクル側に凸面を向けた正メニ
スカスレンズL37と、ウェハ側に非球面状の凸面を向
けた両凸レンズL38とから構成されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、レチ
クル側に非球面状の凹面を向けた正メニスカスレンズL
41と、レチクル側に非球面状の凸面を向けた正メニス
カスレンズL42と、ウェハ側に非球面状の凹面を向け
た正メニスカスレンズL43とから構成された第1フィ
ールドレンズが配置されている。また、第2結像光学系
G2と第3結像光学系G3との間の光路中には、レチク
ル側に非球面状の凸面を向けた両凸レンズL51から構
成された第2フィールドレンズが配置されている。
からの光が、正メニスカスレンズL11、正メニスカス
レンズL12および負メニスカスレンズL13を介し
て、凹面反射鏡M12に入射する。凹面反射鏡M12で
反射された光は、負メニスカスレンズL13を介して凹
面反射鏡M11で反射された後、第1フィールドレンズ
(L41〜L43)中にレチクルパターンの第1中間像
を形成する。
中に形成された第1中間像からの光は、凹面反射鏡M2
2で反射され、負メニスカスレンズL21を介して凹面
反射鏡M21で反射された後、負メニスカスレンズL2
1を介して第2フィールドレンズL51の近傍にレチク
ルパターンの第2中間像を形成する。第2フィールドレ
ンズL51の近傍に形成された第2中間像からの光は、
第3結像光学系G3を構成する各レンズL31〜L38
を介して、ウェハW上にレチクルパターンの最終像を形
成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(2)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。
系の横収差を示す図である。収差図において、Yは像高
(mm)を示している。収差図から明らかなように、第
2実施例においても第1実施例と同様に、波長幅が15
7.6nm±0.5pmの露光光に対して色収差が良好
に補正されていることがわかる。また、球面収差、コマ
収差、非点収差、ディストーション(歪曲収差)がほぼ
無収差に近い状態まで良好に補正され、優れた結像性能
を有することを確認している。
る反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を示
す図である。図8の反射屈折光学系において、第1結像
光学系G1は、レチクル側から順に、両凸レンズL11
と、ウェハ側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡M1
1と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M12とか
ら構成されている。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡
M22とから構成されている。
側から順に、レチクル側に非球面状の凹面を向けた正メ
ニスカスレンズL31と、レチクル側に凸面を向けた負
メニスカスレンズL32と、レチクル側に凸面を向けた
正メニスカスレンズL33と、ウェハ側に非球面状の凹
面を向けた正メニスカスレンズL34と、両凸レンズL
35と、レチクル側に非球面状の凹面を向けた負メニス
カスレンズL36と、開口絞りASと、レチクル側に非
球面状の凹面を向けた負メニスカスレンズL37と、ウ
ェハ側に非球面状の凸面を向けた両凸レンズL38と、
ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニスカスレンズ
L39と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレン
ズL310と、両凹レンズL311と、レチクル側に凸
面を向けた正メニスカスレンズL312とから構成され
ている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、両凸
レンズL41と、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた両
凸レンズL42とから構成された第1フィールドレンズ
が配置されている。また、第2結像光学系G2と第3結
像光学系G3との間の光路中には、レチクル側から順
に、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズL5
1と、両凸レンズL52ととから構成された第2フィー
ルドレンズが配置されている。
からの光が、両凸レンズL11を介して、凹面反射鏡M
12に入射する。凹面反射鏡M12で反射された光は、
凹面反射鏡M11で反射された後、第1フィールドレン
ズ(L41およびL42)を介してレチクルパターンの
第1中間像を形成する。
2)を介して形成された第1中間像からの光は、凹面反
射鏡M22で反射され、負メニスカスレンズL21を介
して凹面反射鏡M21で反射された後、負メニスカスレ
ンズL21を介して、第2フィールドレンズ(L51お
よびL52)の近傍にレチクルパターンの第2中間像を
形成する。第2中間像からの光は、第2フィールドレン
ズ(L51およびL52)、および第3結像光学系G3
を構成する各レンズL31〜L312を介して、ウェハ
W上にレチクルパターンの最終像を形成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(3)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。
系の横収差を示す図である。収差図において、Yは像高
(mm)を示している。収差図から明らかなように、第
3実施例では、波長幅が157.6nm±0.3pmの
露光光に対して色収差が良好に補正されていることがわ
かる。また、球面収差、コマ収差、非点収差、ディスト
ーション(歪曲収差)がほぼ無収差に近い状態まで良好
に補正され、優れた結像性能を有することを確認してい
る。
かる反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を
示す図である。図10の反射屈折光学系において、第1
結像光学系G1は、レチクル側から順に、ウェハ側に非
球面状の凸面を向けた両凸レンズL11と、ウェハ側に
非球面状の凹面を向けた負メニスカスレンズL12と、
ウェハ側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡M11
と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL1
3と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M12とか
ら構成されている。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡
M22とから構成されている。
側から順に、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニ
スカスレンズL31と、ウェハ側に非球面状の凹面を向
けた負メニスカスレンズL32と、ウェハ側に非球面状
の凹面を向けた正メニスカスレンズL33と、開口絞り
ASと、レチクル側に非球面状の凹面を向けた正メニス
カスレンズL34と、レチクル側に凸面を向けた正メニ
スカスレンズL35と、ウェハ側に非球面状の凹面を向
けた正メニスカスレンズL36と、ウェハ側に非球面状
の凸面を向けた両凸レンズL37と、ウェハ側に非球面
状の凹面を向けた正メニスカスレンズL38と、レチク
ル側に非球面状の凸面を向けた正メニスカスレンズL3
9とから構成されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、レチ
クル側に凸面を向けた正メニスカスレンズL41と、ウ
ェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニスカスレンズL
42と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニスカ
スレンズL43とから構成された第1フィールドレンズ
が配置されている。また、第2結像光学系G2と第3結
像光学系G3との間の光路中には、レチクル側から順
に、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニスカスレ
ンズL51と、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた両凸
レンズL52とから構成された第2フィールドレンズが
配置されている。
からの光が、両凸レンズL11、負メニスカスレンズL
12および負メニスカスレンズL13を介して、凹面反
射鏡M12に入射する。凹面反射鏡M12で反射された
光は、負メニスカスレンズL13を介して凹面反射鏡M
11で反射された後、第1フィールドレンズ(L41〜
L43)中にレチクルパターンの第1中間像を形成す
る。
中に形成された第1中間像からの光は、凹面反射鏡M2
2で反射され、負メニスカスレンズL21を介して凹面
反射鏡M21で反射された後、負メニスカスレンズL2
1を介して第2フィールドレンズ(L51およびL5
2)中にレチクルパターンの第2中間像を形成する。第
2フィールドレンズ(L51およびL52)中に形成さ
れた第2中間像からの光は、第3結像光学系G3を構成
する各レンズL31〜L39を介して、ウェハW上にレ
チクルパターンの最終像を形成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(4)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。
学系の横収差を示す図である。収差図において、Yは像
高(mm)を示している。収差図から明らかなように、
第4実施例においても第1実施例および第2実施例と同
様に、波長幅が157.6nm±0.5pmの露光光に
対して色収差が良好に補正されていることがわかる。ま
た、球面収差、コマ収差、非点収差、ディストーション
(歪曲収差)がほぼ無収差に近い状態まで良好に補正さ
れ、優れた結像性能を有することを確認している。
かる反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を
示す図である。図12の反射屈折光学系において、第1
結像光学系G1は、レチクル側から順に、レチクル側に
凸面を向けた正メニスカスレンズL11と、ウェハ側に
平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡M11と、レチクル
側に凹面を向けた負メニスカスレンズL12と、レチク
ル側に凹面を向けた凹面反射鏡M12とから構成されて
いる。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡M
22とから構成されている。
側から順に、両凹レンズL31と、ウェハ側に非球面状
の凹面を向けた正メニスカスレンズL32と、両凸レン
ズL33と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレ
ンズL34と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカス
レンズL35と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正
メニスカスレンズL36と、両凸レンズL37と、レチ
クル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL38と、開
口絞りASと、レチクル側に非球面状の凹面を向けた負
メニスカスレンズL39と、ウェハ側に非球面状の凸面
を向けた両凸レンズL310と、レチクル側に凹面を向
けた負メニスカスレンズL311と、ウェハ側に非球面
状の凹面を向けた正メニスカスレンズL312と、レチ
クル側に凸面を向けた正メニスカスレンズL313と、
レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズL314
と、両凸レンズL315とから構成されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、両凸
レンズL41と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正
メニスカスレンズL42とから構成された第1フィール
ドレンズが配置されている。また、第2結像光学系G2
と第3結像光学系G3との間の光路中には、レチクル側
から順に、レチクル側に非球面状の凹面を向けた正メニ
スカスレンズL51と、両凸レンズL52とから構成さ
れた第2フィールドレンズが配置されている。
からの光が、正メニスカスレンズL11および負メニス
カスレンズL12を介して、凹面反射鏡M12に入射す
る。凹面反射鏡M12で反射された光は、負メニスカス
レンズL12を介して凹面反射鏡M11で反射された
後、第1フィールドレンズ(L41およびL42)の近
傍にレチクルパターンの第1中間像を形成する。
ンズ(L41およびL42)を介して、凹面反射鏡M2
2および凹面反射鏡M21で順次反射された後、第2フ
ィールドレンズ(L51およびL52)の近傍にレチク
ルパターンの第2中間像を形成する。第2中間像からの
光は、第2フィールドレンズ(L51およびL52)、
および第3結像光学系G3を構成する各レンズL31〜
L315を介して、ウェハW上にレチクルパターンの最
終像を形成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(5)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。
学系の横収差を示す図である。収差図において、Yは像
高(mm)を示している。収差図から明らかなように、
第5実施例においても第3実施例と同様に、波長幅が1
57.6nm±0.3pmの露光光に対して色収差が良
好に補正されていることがわかる。また、球面収差、コ
マ収差、非点収差、ディストーション(歪曲収差)がほ
ぼ無収差に近い状態まで良好に補正され、優れた結像性
能を有することを確認している。
かる反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を
示す図である。図14の反射屈折光学系において、第1
結像光学系G1は、レチクル側から順に、レチクル側に
凸面を向けた正メニスカスレンズL11と、ウェハ側に
平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡M11と、レチクル
側に凹面を向けた凹面反射鏡M12とから構成されてい
る。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡
M22とから構成されている。
側から順に、両凹レンズL31と、ウェハ側に非球面状
の凹面を向けた負メニスカスレンズL32と、レチクル
側に凸面を向けた正メニスカスレンズL33と、両凹レ
ンズL34と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカス
レンズL35と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正
メニスカスレンズL36と、両凸レンズL37と、レチ
クル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL38と、開
口絞りASと、レチクル側に非球面状の凹面を向けた正
メニスカスレンズL39と、ウェハ側に非球面状の凸面
を向けた両凸レンズL310と、レチクル側に凹面を向
けた負メニスカスレンズL311と、ウェハ側に非球面
状の凹面を向けた正メニスカスレンズL312と、レチ
クル側に凸面を向けた正メニスカスレンズL313と、
レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL314
と、両凸レンズL315とから構成されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、レチ
クル側に凹面を向けた正メニスカスレンズL41と、ウ
ェハ側に非球面状の凸面を向けた両凸レンズL42とか
ら構成された第1フィールドレンズが配置されている。
また、第2結像光学系G2と第3結像光学系G3との間
の光路中には、レチクル側から順に、レチクル側に非球
面状の凸面を向けた両凸レンズL51と、両凸レンズL
52とから構成された第2フィールドレンズが配置され
ている。
からの光が、正メニスカスレンズL11を介して、凹面
反射鏡M12に入射する。凹面反射鏡M12で反射され
た光は、凹面反射鏡M11で反射された後、第1フィー
ルドレンズ(L41およびL42)中にレチクルパター
ンの第1中間像を形成する。
2)中に形成された第1中間像からの光は、凹面反射鏡
M22で反射され、負メニスカスレンズL21を介して
凹面反射鏡M21で反射された後、負メニスカスレンズ
L21を介して、第2フィールドレンズ(L51および
L52)の近傍にレチクルパターンの第2中間像を形成
する。第2中間像からの光は、第2フィールドレンズ
(L51およびL52)、および第3結像光学系G3を
構成する各レンズL31〜L315を介して、ウェハW
上にレチクルパターンの最終像を形成する。
ウェハW上に矩形状の実効露光領域ERが形成される
が、第6実施例では円弧状の実効露光領域ERが形成さ
れる。図15は、第6実施例においてウェハ上に形成さ
れる円弧状の実効露光領域と基準光軸との位置関係を示
す図である。図15に示すように、第6実施例では、基
準光軸AXを中心とした半径A(最大像高に対応)を有
する円形状の領域(イメージサークル)IF内におい
て、基準光軸AXから+Y方向に偏心した位置に所望の
大きさを有する円弧状の実効露光領域ERが設定されて
いる。ここで、円弧状の実効露光領域ERのX方向の長
さはLX’であり、そのY方向の長さはLY’である。
したがって、レチクルR上では、基準光軸AXから−Y
方向に偏心した位置に円弧状の実効露光領域ERに対応
した大きさおよび形状を有する円弧状の照明領域IRが
形成されていることになる。すなわち、基準光軸AXを
中心とした半径B(最大物体高に対応)を有する円形状
の領域内において、基準光軸AXから−Y方向に偏心し
た位置に所望の大きさを有する円弧状の照明領域IRが
設定されている。
学系の諸元の値を掲げる。表(6)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、L
X’は円弧状の実効露光領域ERのX方向に沿った寸法
を、LY’は円弧状の実効露光領域ERのY方向に沿っ
た寸法をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。
学系の横収差を示す図である。収差図において、Yは像
高(mm)を示している。収差図から明らかなように、
第6実施例においても第3実施例および第5実施例と同
様に、波長幅が157.6nm±0.3pmの露光光に
対して色収差が良好に補正されていることがわかる。ま
た、球面収差、コマ収差、非点収差、ディストーション
(歪曲収差)がほぼ無収差に近い状態まで良好に補正さ
れ、優れた結像性能を有することを確認している。
かる反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を
示す図である。図17の反射屈折光学系において、第1
結像光学系G1は、レチクル側から順に、両凸レンズL
11と、ウェハ側に平面に近い凸面を向けた凸面反射鏡
M11と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M12
とから構成されている。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL
22と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M22と
から構成されている。
側から順に、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレ
ンズL31と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカス
レンズL32と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正
メニスカスレンズL33と、レチクル側に凸面を向けた
正メニスカスレンズL34と、レチクル側に凸面を向け
た負メニスカスレンズL35と、レチクル側に凹面を向
けた負メニスカスレンズL36と、ウェハ側に非球面状
の凹面を向けた正メニスカスレンズL37と、両凸レン
ズL38と、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレ
ンズL39と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカス
レンズL310と、レチクル側に非球面状の凹面を向け
た負メニスカスレンズL311と、レチクル側に凸面を
向けた正メニスカスレンズL312と、ウェハ側の非球
面状の凸面を向けた両凸レンズL313と、レチクル側
に凹面を向けた負メニスカスレンズL314と、ウェハ
側に非球面状の凹面を向けた正メニスカスレンズL31
5と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズL
316と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレン
ズL317とから構成されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、両凸
レンズL41と、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた両
凸レンズL42とから構成された第1フィールドレンズ
が配置されている。また、第2結像光学系G2と第3結
像光学系G3との間の光路中には、レチクル側に非球面
状の凸面を向けた両凸レンズL51から構成された第2
フィールドレンズが配置されている。
からの光が、両凸レンズL11を介して、凹面反射鏡M
12に入射する。凹面反射鏡M12で反射された光は、
凸面反射鏡M11で反射された後、第1フィールドレン
ズ(L41およびL42)の近傍にレチクルパターンの
第1中間像を形成する。
ズL22を介して凹面反射鏡M22で反射された後、負
メニスカスレンズL22および負メニスカスレンズL2
1を介して凹面反射鏡M21に入射する。凹面反射鏡M
21で反射された光は、負メニスカスレンズL21を介
して、第2フィールドレンズ(L51)の近傍にレチク
ルパターンの第2中間像を形成する。第2中間像からの
光は、第3結像光学系G3を構成する各レンズL31〜
L317を介して、ウェハW上にレチクルパターンの最
終像を形成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(7)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。さらに、
表(7)の条件式対応値において、LATは倍率色収差
係数を、AXは軸上色収差係数をそれぞれ示している。
る反射屈折光学系の横収差を示す図である。収差図にお
いて、Yは像高(mm)を示している。収差図から明ら
かなように、第7実施例では、波長幅が157.6nm
±0.4pmの露光光に対して色収差が良好に補正され
ていることがわかる。また、球面収差、コマ収差、非点
収差、ディストーション(歪曲収差)がほぼ無収差に近
い状態まで良好に補正され、優れた結像性能を有するこ
とを確認している。
かる反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を
示す図である。図20の反射屈折光学系において、第1
結像光学系G1は、レチクル側から順に、両凸レンズL
11と、ウェハ側に平面に近い凸面を向けた凸面反射鏡
M11と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M12
とから構成されている。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL
22と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M22と
から構成されている。
側から順に、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレ
ンズL31と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカス
レンズL32と、両凸レンズL33と、ウェハ側に非球
面状の凹面を向けた負メニスカスレンズL34と、両凹
レンズL35と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカ
スレンズL36と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた
正メニスカスレンズL37と、両凸レンズL38と、レ
チクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズL39と、
レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズL310
と、レチクル側に非球面状の凹面を向けた負メニスカス
レンズL311と、レチクル側に凸面を向けた正メニス
カスレンズL312と、ウェハ側の非球面状の凸面を向
けた両凸レンズL313と、レチクル側に凹面を向けた
負メニスカスレンズL314と、ウェハ側に非球面状の
凹面を向けた正メニスカスレンズL315と、レチクル
側に凸面を向けた正メニスカスレンズL316と、レチ
クル側に凸面を向けた正メニスカスレンズL317とか
ら構成されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、両凸
レンズL41と、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた両
凸レンズL42とから構成された第1フィールドレンズ
が配置されている。また、第2結像光学系G2と第3結
像光学系G3との間の光路中には、レチクル側に非球面
状の凹面を向けた正メニスカスレンズL51から構成さ
れた第2フィールドレンズが配置されている。
からの光が、両凸レンズL11を介して、凹面反射鏡M
12に入射する。凹面反射鏡M12で反射された光は、
凸面反射鏡M11で反射された後、第1フィールドレン
ズ(L41およびL42)の近傍にレチクルパターンの
第1中間像を形成する。
ズL22を介して凹面反射鏡M22で反射された後、負
メニスカスレンズL22および負メニスカスレンズL2
1を介して凹面反射鏡M21に入射する。凹面反射鏡M
21で反射された光は、負メニスカスレンズL21を介
して、第2フィールドレンズ(L51)の近傍にレチク
ルパターンの第2中間像を形成する。第2中間像からの
光は、第3結像光学系G3を構成する各レンズL31〜
L317を介して、ウェハW上にレチクルパターンの最
終像を形成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(8)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。さらに、
表(8)の条件式対応値において、LATは倍率色収差
係数を、AXは軸上色収差係数をそれぞれ示している。
る反射屈折光学系の横収差を示す図である。収差図にお
いて、Yは像高(mm)を示している。収差図から明ら
かなように、第8実施例において第7実施例と同様に、
波長幅が157.6nm±0.4pmの露光光に対して
色収差が良好に補正されていることがわかる。また、球
面収差、コマ収差、非点収差、ディストーション(歪曲
収差)がほぼ無収差に近い状態まで良好に補正され、優
れた結像性能を有することを確認している。
かる反射屈折光学系(投影光学系PL)のレンズ構成を
示す図である。図23の反射屈折光学系において、第1
結像光学系G1は、レチクル側から順に、両凸レンズL
11と、ウェハ側に平面に近い凸面を向けた凸面反射鏡
M11と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレン
ズL12と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡M1
2とから構成されている。
から順に、ウェハ側に凹面を向けた凹面反射鏡M21
と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL2
1と、レチクル側に平面に近い凹面を向けた凹面反射鏡
M22とから構成されている。
側から順に、両凸レンズL31と、ウェハ側に非球面状
の凹面を向けた両凹レンズL32と、レチクル側に凸面
を向けた正メニスカスレンズL33と、両凹レンズL3
4と、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズL
35と、ウェハ側に非球面状の凹面を向けた正メニスカ
スレンズL36と、両凸レンズL37と、レチクル側に
凹面を向けた正メニスカスレンズL38と、レチクル側
に非球面状の凹面を向けた両凹レンズL39と、両凸レ
ンズL310と、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた両
凸レンズL311と、レチクル側に凹面を向けた負メニ
スカスレンズL312と、ウェハ側の非球面状の凹面を
向けた正メニスカスレンズL313と、レチクル側に凸
面を向けた正メニスカスレンズL314と、レチクル側
に凸面を向けた正メニスカスレンズL315とから構成
されている。
系G2との間の光路中には、レチクル側から順に、両凸
レンズL41と、ウェハ側に非球面状の凸面を向けた両
凸レンズL42とから構成された第1フィールドレンズ
が配置されている。また、第2結像光学系G2と第3結
像光学系G3との間の光路中には、レチクル側に非球面
状の凹面を向けた正メニスカスレンズL51と、レチク
ル側に凹面を向けた正メニスカスレンズL52とから構
成された第2フィールドレンズが配置されている。
からの光が、両凸レンズL11および負メニスカスレン
ズL12を介して、凹面反射鏡M12に入射する。凹面
反射鏡M12で反射された光は、凸面反射鏡M11で反
射された後、第1フィールドレンズ(L41およびL4
2)の近傍にレチクルパターンの第1中間像を形成す
る。
で反射された後、負メニスカスレンズL21を介して凹
面反射鏡M21に入射する。凹面反射鏡M21で反射さ
れた光は、負メニスカスレンズL21を介して、第2フ
ィールドレンズ(L51およびL52)の近傍にレチク
ルパターンの第2中間像を形成する。第2中間像からの
光は、第3結像光学系G3を構成する各レンズL31〜
L315を介して、ウェハW上にレチクルパターンの最
終像を形成する。
学系の諸元の値を掲げる。表(9)の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率(全系の結
像倍率)を、NAは像側(ウェハ側)開口数を、Aはウ
ェハW上でのイメージサークルIFの半径すなわち最大
像高を、Bは最大像高Aに対応する最大物体高を、LX
は実効露光領域ERのX方向に沿った寸法(長辺の寸
法)を、LYは実効露光領域ERのY方向に沿った寸法
(短辺の寸法)をそれぞれ表している。
第1カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
2カラムのrは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点
曲率半径:mm)を、第3カラムのdは各面の軸上間隔
すなわち面間隔(mm)を、第4カラムのnは中心波長
に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔d
は、反射される度にその符号を変えるものとする。した
がって、面間隔dの符号は、凹面反射鏡M12から凹面
反射鏡M11への光路中および凹面反射鏡M22から凹
面反射鏡M21への光路中では負とし、その他の光路中
では正としている。また、光の入射方向に関わらず、レ
チクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル
側に向かって凹面の曲率半径を負としている。さらに、
表(9)の条件式対応値において、LATは倍率色収差
係数を、AXは軸上色収差係数をそれぞれ示している。
る反射屈折光学系の横収差を示す図である。収差図にお
いて、Yは像高(mm)を示している。収差図から明ら
かなように、第9実施例において第7実施例および第8
実施例と同様に、波長幅が157.6nm±0.4pm
の露光光に対して色収差が良好に補正されていることが
わかる。また、球面収差、コマ収差、非点収差、ディス
トーション(歪曲収差)がほぼ無収差に近い状態まで良
好に補正され、優れた結像性能を有することを確認して
いる。
が157.6nmのF2レーザー光に対して、0.7の
像側NAを確保するとともに、ウェハW上において色収
差をはじめとする諸収差が十分に補正された半径が17
mmのイメージサークルを確保することができる。一
方、第2実施例では、中心波長が157.6nmのF2
レーザー光に対して、0.8の像側NAを確保するとと
もに、ウェハW上において色収差をはじめとする諸収差
が十分に補正された半径が21mmのイメージサークル
を確保することができる。さらに、第3実施例、第5実
施例および第6実施例では、中心波長が157.6nm
のF2レーザー光に対して、0.8の像側NAを確保す
るとともに、ウェハW上において色収差をはじめとする
諸収差が十分に補正された半径が18mmのイメージサ
ークルを確保することができる。また、第4実施例で
は、中心波長が157.6nmのF2レーザー光に対し
て、0.6の像側NAを確保するとともに、ウェハW上
において色収差をはじめとする諸収差が十分に補正され
た半径が21mmのイメージサークルを確保することが
できる。さらに、第7実施例〜第9実施例では、中心波
長が157.6nmのF 2レーザー光に対して、0.8
45の像側NAを確保するとともに、ウェハW上におい
て色収差をはじめとする諸収差が十分に補正された半径
が18mmのイメージサークルを確保することができ
る。
では22mm×5mmの十分に大きな矩形状の実効露光
領域を確保した上で、第4実施例では22mm×約6m
mの十分に大きな矩形状の実効露光領域を確保した上
で、0.1μm以下の高解像を達成することができる。
そして、ウェハWにおいて、たとえば22mm×33m
mの大きさを有する各露光領域に、レチクルRのパター
ンを走査露光により高精度に転写することができる。ま
た、第3実施例および第5実施例では20mm×5mm
の十分に大きな矩形状の実効露光領域を確保した上で、
0.1μm以下の高解像を達成することができる。そし
て、ウェハWにおいて、たとえば20mm×33mmの
大きさを有する各露光領域に、レチクルRのパターンを
走査露光により高精度に転写することができる。さら
に、第6実施例では20mm×3mmの十分に大きな円
弧状の実効露光領域を確保した上で、0.1μm以下の
高解像を達成することができる。そして、ウェハWにお
いて、たとえば20mm×33mmの大きさを有する各
露光領域に、レチクルRのパターンを走査露光により高
精度に転写することができる。また、第7実施例〜第9
実施例では22mm×4mmの十分に大きな矩形状の実
効露光領域を確保した上で、0.1μm以下の高解像を
達成することができる。そして、ウェハWにおいて、た
とえば22mm×33mmの大きさを有する各露光領域
に、レチクルRのパターンを走査露光により高精度に転
写することができる。なお、上述の各実施例では、約6
mmの十分に長いウェハ側ワーキングディスタンスを確
保することができる。また、各実施例では、約60mm
〜115mmの十分に長いマスク側ワーキングディスタ
ンスを確保することができる。
効径が約240mmで最大であり、その他の大部分のレ
ンズの有効径は200mm以下である。一方、第2実施
例では、凹面反射鏡M21の有効径が約250mmで最
大であり、レンズL41の有効径が約268mmで最大
である。そして、その他の大部分のレンズの有効径は2
00mm以下である。さらに、第3実施例では、レンズ
L41の有効径が約260mmで最大であり、その他の
大部分のレンズの有効径は200mm以下である。ま
た、第4実施例では、レンズL11の有効径が約235
mmで最大であり、その他の大部分のレンズの有効径は
200mm以下である。さらに、第5実施例では、レン
ズL41の有効径が約250mmで最大であり、その他
の大部分のレンズの有効径は200mm以下である。ま
た、第6実施例では、レンズL41の有効径が約250
mmで最大であり、その他の大部分のレンズの有効径は
200mm以下である。さらに、第7実施例では、凹面
反射鏡M21の有効径が約260mmで最大であり、レ
ンズL41およびL42の有効径が約280mmで最大
である。そして、その他の大部分のレンズの有効径は1
90mm以下である。また、第7実施例では、凹面反射
鏡M21の有効径が約260mmで最大であり、レンズ
L41およびL42の有効径が約277mmで最大であ
る。そして、その他の大部分のレンズの有効径は179
mm以下である。さらに、第9実施例では、凹面反射鏡
M21の有効径が約217mmで最大であり、レンズL
41およびL42の有効径が約280mmで最大であ
る。そして、その他の大部分のレンズの有効径は176
mm以下である。このように、各実施例において、凹面
反射鏡やレンズの大型化を抑えて、光学系の小型化が図
られている。
式の光学系でありながら、レンズ枚数が非常に少ない構
成(第1実施例および第2実施例では16枚であり、第
3実施例および第4実施例では18枚であり、第5実施
例および第6実施例では21枚であり、第7実施例およ
び第8実施例では23枚であり、第9実施例では21
枚)となっている。F2レーザー光を用いる光学系で
は、良好な反射防止コートが得られないため、レンズ枚
数が多いとレンズ面において光量損失を招きやすい。こ
の観点から、上述の各実施例では、レンズ枚数が少な
く、レンズ面における光量損失を抑える構成になってい
る。また、上述の各実施例では、導入された非球面の数
も非常に少ない構成(第1実施例および第2実施例では
12枚であり、第3実施例、第4実施例では14枚であ
り、第5実施例および第6実施例では7枚であり、第7
実施例〜第9実施例では7枚)となっている。
第1結像光学系G1に含まれる2つの反射鏡M11およ
びM12と第2結像光学系G2に含まれる2つの反射鏡
M21およびM22とのうち、2つの反射鏡の直前にそ
れぞれ1つの負レンズが配置されている。具体的には、
第7実施例および第8実施例において、凹面反射鏡M2
1の直前に負メニスカスレンズL21が配置され、凹面
反射鏡M22の直前に負メニスカスレンズL22が配置
されている。一方、第9実施例では、凹面反射鏡M12
の直前に負メニスカスレンズL12が配置され、凹面反
射鏡M21の直前に負メニスカスレンズL21が配置さ
れている。こうして、第7実施例〜第9実施例では、2
つの反射鏡の直前に1つの負レンズがそれぞれ配置され
ていることにより、倍率の色収差および軸上の色収差の
補正が行われている。
を参照すると、第7実施例〜第9実施例では、倍率色収
差係数LATおよび軸上色収差係数AXが、以下の条件
式(1)および(2)を満足している。 |LAT|<5×10-6 (1) |AX|<2×10-4 (2) なお、倍率の色収差および軸上の色収差をさらに良好に
補正するには、条件式(1)の上限値を2.5×10-6
に、条件式(2)の上限値を1.0×10-4にそれぞれ
設定することが好ましい。
明光学系によってレチクル(マスク)を照明し(照明工
程)、投影光学系を用いてレチクルに形成された転写用
のパターンを感光性基板に走査露光する(露光工程)こ
とにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、
液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することがで
きる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板
としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成すること
によって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを
得る際の手法の一例につき図26のフローチャートを参
照して説明する。
1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステッ
プ302において、そのlロットのウェハ上の金属膜上
にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ30
3において、本実施形態の露光装置を用いて、レチクル
上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロ
ットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写され
る。その後、ステップ304において、その1ロットの
ウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステッ
プ305において、その1ロットのウェハ上でレジスト
パターンをマスクとしてエッチングを行うことによっ
て、レチクル上のパターンに対応する回路パターンが、
各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更
に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによっ
て、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導
体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パター
ンを有する半導体デバイスをスループット良く得ること
ができる。
ト(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、
電極パターン等)を形成することによって、マイクロデ
バイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以
下、図27のフローチャートを参照して、このときの手
法の一例につき説明する。図27において、パターン形
成工程401では、各実施形態の露光装置を用いてレチ
クルのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガ
ラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィー工
程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、
感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形
成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッ
チング工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることに
よって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラ
ーフィルター形成工程402へ移行する。
は、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3
つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、
またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組
を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形
成する。そして、カラーフィルター形成工程402の後
に、セル組み立て工程403が実行される。セル組み立
て工程403では、パターン形成工程401にて得られ
た所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター
形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用い
て液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て
工程403では、例えば、パターン形成工程401にて
得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター
形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に
液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
て、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作
を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付
けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素
子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有
する液晶表示素子をスループット良く得ることができ
る。
7.6nmの光を供給するF2レーザーを用いている
が、これに限定されることなく、たとえば波長248n
mの光を供給するKrFエキシマレーザーや波長193
nmの光を供給するArFエキシマレーザーや波長12
6nmの光を供給するAr2レーザーなどを用いること
もできる。
露光装置の投影光学系に本発明を適用しているが、これ
に限定されることなく、一括露光型の露光装置の投影光
学系に本発明を適用したり、露光装置の投影光学系以外
の一般的な結像光学系に本発明を適用したりすることも
できる。
光学系では、すべての光学部材が単一の直線状光軸に沿
って配置されているので、調整が容易で高精度に光学系
を製造することができ、たとえば波長が180nm以下
の真空紫外線波長域の光を用いて0.1μm以下の高解
像を達成することができる。また、たとえば有効な開口
絞りを設置すべき位置を確保すること、十分に長いワー
キングディスタンスを確保すること、および凹面反射鏡
の大型化を抑えて光学系の小型化を図ることができる。
置の投影光学系に適用することにより、たとえば波長が
180nm以下の露光光を用いて、0.1μm以下の高
解像で良好な投影露光を行うことができる。また、本発
明の反射屈折光学系を投影光学系として搭載した露光装
置を用いて、たとえば0.1μm以下の高解像で良好な
投影露光を行うことにより、高精度なマイクロデバイス
を製造することができる。
するための図である。
影光学系として備えた露光装置の全体構成を概略的に示
す図である。
わち実効露光領域)と基準光軸との位置関係を示す図で
ある。
成を示す図である。
示す図である。
成を示す図である。
示す図である。
成を示す図である。
示す図である。
構成を示す図である。
を示す図である。
構成を示す図である。
を示す図である。
構成を示す図である。
弧状の実効露光領域と基準光軸との位置関係を示す図で
ある。
を示す図である。
構成を示す図である。
を示す図である。
を示す図である。
構成を示す図である。
を示す図である。
を示す図である。
構成を示す図である。
を示す図である。
を示す図である。
得る際の手法のフローチャートである。
る際の手法のフローチャートである。
Claims (16)
- 【請求項1】 少なくとも2つの反射鏡を有し、第1面
からの光に基づいて前記第1面の第1中間像を形成する
ための第1結像光学系と、 少なくとも2つの反射鏡を有し、前記第1結像光学系を
介した光に基づいて前記第1面の第2中間像を形成する
ための第2結像光学系と、 前記第2結像光学系を介した光に基づいて前記第1面の
最終像を第2面上に形成するための屈折型の第3結像光
学系とを備え、 前記第1結像光学系、前記第2結像光学系および前記第
3結像光学系を構成するすべての光学部材が単一の直線
状光軸に沿って配置されていることを特徴とする反射屈
折光学系。 - 【請求項2】 前記第1結像光学系と前記第2結像光学
系との間の光路中にはフィールドレンズが配置されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の反射屈折光学系。 - 【請求項3】 前記第1結像光学系は、前記2つの反射
鏡と、少なくとも1つのレンズ成分とを有することを特
徴とする請求項1または2に記載の反射屈折光学系。 - 【請求項4】 前記第1結像光学系と前記フィールドレ
ンズとの合成光学系は、第1面側および第2面側にテレ
セントリックな光学系を構成していることを特徴とする
請求項2または3に記載の反射屈折光学系。 - 【請求項5】 前記第1結像光学系は、前記2つの反射
鏡の間の光路中に配置された少なくとも1つの負レンズ
成分を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれ
か1項に記載の反射屈折光学系。 - 【請求項6】 前記第2結像光学系は、前記2つの反射
鏡の間の光路中に配置された少なくとも1つの負レンズ
成分を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれ
か1項に記載の反射屈折光学系。 - 【請求項7】 第1面と第2面との間の光路中に前記第
1面の中間像を2回形成し、前記第1面の第3回目の中
間像を最終像として前記第2面上に形成する反射屈折光
学系であって、 すべての光学部材が単一の直線状光軸に沿って配置され
ていることを特徴とする反射屈折光学系。 - 【請求項8】 前記中間像は、前記光軸から離れた位置
に形成されることを特徴とする請求項7に記載の反射屈
折光学系。 - 【請求項9】 単一の直線状光軸に沿って配置された複
数の反射鏡を有する反射屈折光学系であって、 第1面上において前記光軸から離れた矩形状の領域の像
を第2面上に形成することを特徴とする反射屈折光学
系。 - 【請求項10】 前記反射屈折光学系は、該反射屈折光
学系で形成される像領域を規定する視野絞りと、該反射
屈折光学系の開口数を規定する開口絞りとを備えている
ことを特徴とする請求項9に記載の反射屈折光学系。 - 【請求項11】 少なくとも第1反射鏡と第2反射鏡と
を有し、第1面からの光に基づいて前記第1面の第1中
間像を形成するための第1結像光学系と、 少なくとも第3反射鏡と第4反射鏡とを有し、前記第1
結像光学系を介した光に基づいて前記第1面の第2中間
像を形成するための第2結像光学系と、 前記第2結像光学系を介した光に基づいて前記第1面の
最終像を第2面上に形成するための屈折型の第3結像光
学系とを備え、 前記第1結像光学系、前記第2結像光学系および前記第
3結像光学系を構成するすべての光学部材が単一の直線
状光軸に沿って配置され、 前記第1反射鏡、前記第2反射鏡、前記第3反射鏡およ
び前記第4反射鏡のうちの2つの反射鏡の反射面側の直
前に少なくとも1つの負レンズがそれぞれ配置されてい
ることを特徴とする反射屈折光学系。 - 【請求項12】 前記2つの反射鏡の反射面側の直前に
少なくとも1つの負レンズがそれぞれ配置されているこ
とにより倍率の色収差の補正が行われ、倍率色収差係数
LATは、 |LAT|<5×10-6 の条件を満足することを特徴とする請求項11に記載の
反射屈折光学系。 - 【請求項13】 前記2つの反射鏡の反射面側の直前に
少なくとも1つの負レンズがそれぞれ配置されているこ
とにより軸上の色収差の補正が行われ、軸上色収差係数
AXは、 |AX|<2×10-4 の条件を満足することを特徴とする請求項11または1
2に記載の反射屈折光学系。 - 【請求項14】 前記第1面に設定されたマスクを照明
するための照明系と、前記マスクに形成されたパターン
の像を前記第2面に設定された感光性基板上に形成する
ための請求項1乃至13のいずれか1項に記載の反射屈
折光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項15】 前記反射屈折光学系に対して前記マス
クおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスク
パターンを前記感光性基板上に走査露光することを特徴
とする請求項14に記載の露光装置。 - 【請求項16】 請求項14または15に記載の露光装
置により前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露
光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記
感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とす
るマイクロデバイスの製造方法。
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Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129775A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
EP1480065A3 (en) * | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2007013179A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Carl Zeiss Smt Ag | リソグラフィ投影対物レンズの補正方法およびリソグラフィ投影対物レンズ |
JP2007502019A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-01 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | ミラーm3の前にレンズを伴う複数のミラーを含む投影対物レンズ |
JP2007518125A (ja) * | 2004-01-14 | 2007-07-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折投影対物レンズ本出願は、2004年1月14日に出願された米国特許仮出願第60/536,248号、2004年7月14日に出願された米国特許仮出願第60/587,504号、2004年10月13日に出願された米国特許仮出願第60/617,674号、2004年7月27日に出願された米国特許仮出願第60/591,775号及び2004年9月24日に出願された米国特許仮出願第60/612,823号の優先権の利益を主張する。これらの米国特許仮出願すべての開示内容は、本出願の記載内容の一部を構成する。 |
JP2007532938A (ja) * | 2004-04-08 | 2007-11-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | カタジオプトリック投影対物レンズ |
WO2008087827A1 (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Nikon Corporation | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US7495840B2 (en) | 2002-03-08 | 2009-02-24 | Karl-Heinz Schuster | Very high-aperture projection objective |
EP1630585A4 (en) * | 2003-05-06 | 2010-07-14 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD |
US7869122B2 (en) | 2004-01-14 | 2011-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
JP2011049571A (ja) * | 2010-09-24 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2012073632A (ja) * | 2011-11-18 | 2012-04-12 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2012108540A (ja) * | 2004-07-14 | 2012-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | カタディオプトリック投影対物系 |
US8199400B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
JP2013033286A (ja) * | 2012-10-31 | 2013-02-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 瞳補正を有する反射屈折投影対物系 |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US8780441B2 (en) | 2007-02-28 | 2014-07-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with pupil correction |
US8913316B2 (en) | 2004-05-17 | 2014-12-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US9081295B2 (en) | 2003-05-06 | 2015-07-14 | Nikon Corporation | Catadioptric projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
JP2015132843A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-07-23 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016075931A (ja) * | 2015-11-30 | 2016-05-12 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2016136273A (ja) * | 2016-03-07 | 2016-07-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2018010303A (ja) * | 2017-08-03 | 2018-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2019082711A (ja) * | 2019-01-15 | 2019-05-30 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2019091057A (ja) * | 2019-01-15 | 2019-06-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US10451973B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10495981B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
TW538256B (en) | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
JP2004514943A (ja) | 2000-11-28 | 2004-05-20 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系 |
DE10316428A1 (de) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7463422B2 (en) * | 2004-01-14 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
US7400381B2 (en) * | 2004-05-26 | 2008-07-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE602005008591D1 (de) | 2004-06-10 | 2008-09-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung |
JP4954067B2 (ja) | 2004-07-14 | 2012-06-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物レンズ |
JP2006119244A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 |
EP1844365A1 (en) * | 2005-02-03 | 2007-10-17 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective with intermediate image |
EP1864175A4 (en) * | 2005-03-31 | 2008-08-27 | Kla Tencor Tech Corp | SMALL CATADIOPTRIC LENS WITH ULTRA HIGH DIGITAL OPENINGS USING ASPHERIC SURFACES |
JP2006309220A (ja) | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | 投影対物レンズ |
DE102005024290A1 (de) | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildungssystem, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
EP1886190B1 (en) * | 2005-06-02 | 2012-10-03 | Carl Zeiss SMT GmbH | Microlithography projection objective |
US7738188B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-06-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective and projection exposure apparatus including the same |
US7920338B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reduction projection objective and projection exposure apparatus including the same |
EP1852745A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-07 | Carl Zeiss SMT AG | High-NA projection objective |
EP1890191A1 (en) | 2006-08-14 | 2008-02-20 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective with pupil mirror |
US7929114B2 (en) | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
US20080259304A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
DE102009011328A1 (de) * | 2009-03-05 | 2010-08-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
DE102013105586B4 (de) * | 2013-05-30 | 2023-10-12 | Carl Zeiss Ag | Vorrichtung zur Abbildung einer Probe |
CN104062746B (zh) * | 2014-06-23 | 2016-08-24 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种大数值孔径的折反射浸没投影光学*** |
US9424388B2 (en) * | 2014-12-17 | 2016-08-23 | International Business Machines Corporation | Dividing lithography exposure fields to improve semiconductor fabrication |
CN105807410B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-11-09 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种基于高数值孔径的折反射式投影物镜 |
CN108152940B (zh) * | 2016-12-05 | 2021-04-27 | 佳能株式会社 | 反射折射光学***、照明光学***、曝光装置 |
CN107582020B (zh) * | 2017-10-20 | 2019-05-31 | 视微影像(河南)科技有限公司 | 一种眼科成像诊断*** |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3787035T2 (de) | 1986-03-12 | 1994-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches Projektionssystem für Präzisionskopien. |
GB2197962A (en) * | 1986-11-10 | 1988-06-02 | Compact Spindle Bearing Corp | Catoptric reduction imaging apparatus |
FR2617985B1 (fr) * | 1987-07-10 | 1991-09-13 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif optique de collection de lumiere formant objectif a miroir de grande ouverture numerique |
US5094539A (en) * | 1988-03-07 | 1992-03-10 | Hitachi, Ltd. | Method of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method, and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same |
EP0452963B1 (en) | 1990-04-20 | 1996-07-31 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Objective lens system for use within microscope |
US5734496A (en) * | 1991-06-03 | 1998-03-31 | Her Majesty The Queen In Right Of New Zealand | Lens system |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
JPH09311278A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
JP3339592B2 (ja) * | 1993-03-12 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、並びに露光方法及び装置 |
US5309541A (en) * | 1993-04-16 | 1994-05-03 | Laser Power Corporation | Flexible light conduit |
US5515207A (en) * | 1993-11-03 | 1996-05-07 | Nikon Precision Inc. | Multiple mirror catadioptric optical system |
US5559338A (en) | 1994-10-04 | 1996-09-24 | Excimer Laser Systems, Inc. | Deep ultraviolet optical imaging system for microlithography and/or microfabrication |
IL113350A (en) * | 1995-04-12 | 1998-06-15 | State Rafaelel Ministry Of Def | Catadioptric optics working staring detector system |
US6512631B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
US5815310A (en) * | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
US6157498A (en) | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
JPH1010430A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 2回結像光学系 |
US5999310A (en) | 1996-07-22 | 1999-12-07 | Shafer; David Ross | Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability |
US5717518A (en) | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
DE19639586A1 (de) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Zeiss Carl Fa | Katadioptrisches Mikrolithographie-Reduktionsobjektiv |
US6169627B1 (en) | 1996-09-26 | 2001-01-02 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric microlithographic reduction objective |
AU1689499A (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure method |
US6097537A (en) | 1998-04-07 | 2000-08-01 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
JP2000098228A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 |
US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
JP2000100694A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
KR20010041257A (ko) * | 1998-12-25 | 2001-05-15 | 오노 시게오 | 반사굴절 결상 광학계 및 그 광학계를 구비한 투영 노광장치 |
EP1772775B1 (de) | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
JP4717974B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
JP2001185480A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US6600608B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective comprising two intermediate images |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
JP2001228401A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US6842298B1 (en) | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
JP2004514943A (ja) * | 2000-11-28 | 2004-05-20 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系 |
-
2001
- 2001-10-05 JP JP2001309516A patent/JP4245286B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2001-10-23 WO PCT/JP2001/009266 patent/WO2002035273A1/ja active Application Filing
Cited By (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7495840B2 (en) | 2002-03-08 | 2009-02-24 | Karl-Heinz Schuster | Very high-aperture projection objective |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
US9086635B2 (en) | 2003-05-06 | 2015-07-21 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
EP2672307A3 (en) * | 2003-05-06 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US20180299785A1 (en) * | 2003-05-06 | 2018-10-18 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9933705B2 (en) | 2003-05-06 | 2018-04-03 | Nikon Corporation | Reduction projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
KR101384037B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2014-04-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
KR101383984B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2014-04-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
EP1630585A4 (en) * | 2003-05-06 | 2010-07-14 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD |
KR101273713B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2013-06-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US9846366B2 (en) | 2003-05-06 | 2017-12-19 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
EP2722704A3 (en) * | 2003-05-06 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, and exposure apparatus and exposure method |
KR101194449B1 (ko) | 2003-05-06 | 2012-10-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 마이크로 디바이스 제조 방법 |
US10156792B2 (en) | 2003-05-06 | 2018-12-18 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9606443B2 (en) | 2003-05-06 | 2017-03-28 | Nikon Corporation | Reducing immersion projection optical system |
US9500943B2 (en) | 2003-05-06 | 2016-11-22 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9081295B2 (en) | 2003-05-06 | 2015-07-14 | Nikon Corporation | Catadioptric projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
EP1480065A3 (en) * | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2007502019A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-01 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | ミラーm3の前にレンズを伴う複数のミラーを含む投影対物レンズ |
JP2005129775A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP4706171B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2011-06-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
KR101179350B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2012-09-11 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
JP2007518125A (ja) * | 2004-01-14 | 2007-07-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折投影対物レンズ本出願は、2004年1月14日に出願された米国特許仮出願第60/536,248号、2004年7月14日に出願された米国特許仮出願第60/587,504号、2004年10月13日に出願された米国特許仮出願第60/617,674号、2004年7月27日に出願された米国特許仮出願第60/591,775号及び2004年9月24日に出願された米国特許仮出願第60/612,823号の優先権の利益を主張する。これらの米国特許仮出願すべての開示内容は、本出願の記載内容の一部を構成する。 |
JP2013037371A (ja) * | 2004-01-14 | 2013-02-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 反射屈折投影対物レンズ |
KR101288187B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
KR101309242B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
US8208199B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US8199400B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US8355201B2 (en) | 2004-01-14 | 2013-01-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US8730572B2 (en) | 2004-01-14 | 2014-05-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US9772478B2 (en) | 2004-01-14 | 2017-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with parallel, offset optical axes |
US8339701B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-12-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
JP2012234214A (ja) * | 2004-01-14 | 2012-11-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 反射屈折投影対物レンズ |
US8804234B2 (en) | 2004-01-14 | 2014-08-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective including an aspherized plate |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US8908269B2 (en) | 2004-01-14 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Immersion catadioptric projection objective having two intermediate images |
US8416490B2 (en) | 2004-01-14 | 2013-04-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US7869122B2 (en) | 2004-01-14 | 2011-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
JP2008152272A (ja) * | 2004-01-14 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | 反射屈折投影対物レンズ |
US8289619B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-10-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
KR101150037B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2012-07-02 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
JP2007532938A (ja) * | 2004-04-08 | 2007-11-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | カタジオプトリック投影対物レンズ |
US8913316B2 (en) | 2004-05-17 | 2014-12-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US9726979B2 (en) | 2004-05-17 | 2017-08-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US9134618B2 (en) | 2004-05-17 | 2015-09-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US9019596B2 (en) | 2004-05-17 | 2015-04-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
JP2012108540A (ja) * | 2004-07-14 | 2012-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | カタディオプトリック投影対物系 |
JP2014199461A (ja) * | 2004-07-14 | 2014-10-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物系 |
JP2016021076A (ja) * | 2004-07-14 | 2016-02-04 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物系 |
JP2016224460A (ja) * | 2004-07-14 | 2016-12-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物系 |
JP2015121815A (ja) * | 2004-07-14 | 2015-07-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物系 |
US10495980B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10495981B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10488759B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-11-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10451973B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
JP2007013179A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Carl Zeiss Smt Ag | リソグラフィ投影対物レンズの補正方法およびリソグラフィ投影対物レンズ |
WO2008087827A1 (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Nikon Corporation | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US8780441B2 (en) | 2007-02-28 | 2014-07-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with pupil correction |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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JP2011049571A (ja) * | 2010-09-24 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
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