JP2002274030A - Optical recording medium - Google Patents
Optical recording mediumInfo
- Publication number
- JP2002274030A JP2002274030A JP2001076922A JP2001076922A JP2002274030A JP 2002274030 A JP2002274030 A JP 2002274030A JP 2001076922 A JP2001076922 A JP 2001076922A JP 2001076922 A JP2001076922 A JP 2001076922A JP 2002274030 A JP2002274030 A JP 2002274030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- optical recording
- reflectance
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体にレー
ザ光を集光照射して、その記録層における記録材料に結
晶相とアモルファス相との可逆的相変化を生じさせるこ
とにより、情報の記録再生を行う書換え可能な相変化型
の光記録媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for condensing and irradiating a laser beam onto an optical recording medium to cause a reversible phase change between a crystalline phase and an amorphous phase in a recording material in the recording layer, thereby obtaining information. The present invention relates to a rewritable phase-change optical recording medium for performing recording and reproduction.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６は、従来の光記録媒体の断面図であ
る。図６において、２０は、従来の光記録媒体である。
光記録媒体２０は、透明基板１１、第１誘電体層１３、
記録層１４、第２誘電体層１５、及び、反射層１６を順
次有している。反射層１６上には、紫外線硬化樹脂層１
７が保護層として設けられている。FIG. 6 is a sectional view of a conventional optical recording medium. In FIG. 6, reference numeral 20 denotes a conventional optical recording medium.
The optical recording medium 20 includes a transparent substrate 11, a first dielectric layer 13,
It has a recording layer 14, a second dielectric layer 15, and a reflective layer 16 in that order. The ultraviolet curable resin layer 1 is formed on the reflective layer 16.
7 is provided as a protective layer.
【０００３】そして、かかる従来の光記録媒体２０にお
いては、各層の材料及び膜厚は、アモルファス相の反射
率を結晶相の反射率よりも小さくなるように設定されて
いた。In such a conventional optical recording medium 20, the material and thickness of each layer are set so that the reflectance of the amorphous phase is smaller than that of the crystalline phase.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の光記録媒体２０においては、反射率の変化による
良好な再生信号が得られる反面、次のような問題があっ
た。即ち、光学定数変化に伴う反射率差を大きくしよう
とすると、光が反射層１６でほとんど反射されてしまう
ために、その記録層１４の光吸収率についてみると、ア
モルファス相に比べて結晶相の方が小さくなってしまう
という問題があった。そして、通常、結晶相の方がアモ
ルファス相に比べて熱伝導率が大きく、溶融に必要な潜
熱も大きいので、オーバーライト時の位置が結晶相かア
モルファス相かによって記録層１４の昇温状態に差が生
じるという問題があった。また、マークエッジに情報を
持たせるためにエッジ形状を精度よく形成することが必
要であるが、光吸収率の制御が不十分な記録膜では、オ
ーバーライト信号がオーバーライト前の信号成分によっ
て変調され、マークエッジ近傍で歪（以下、「マークエ
ッジ歪」という）が発生し、そのために、高密度記録が
できないという問題があった。However, in such an optical recording medium 20 of the related art, although a good reproduction signal can be obtained due to a change in reflectance, there are the following problems. That is, if an attempt is made to increase the difference in reflectivity due to the change in optical constant, light is almost reflected by the reflective layer 16. Therefore, the light absorptance of the recording layer 14 is higher in the crystalline phase than in the amorphous phase. There was a problem that it became smaller. Usually, the thermal conductivity of the crystalline phase is larger than that of the amorphous phase, and the latent heat required for melting is also larger. Therefore, depending on whether the overwriting position is the crystalline phase or the amorphous phase, the temperature of the recording layer 14 increases. There was a problem that a difference occurred. In addition, it is necessary to accurately form the edge shape in order to give information to the mark edge.However, in a recording film with insufficient control of the light absorption rate, the overwrite signal is modulated by the signal component before overwrite. As a result, distortion (hereinafter, referred to as “mark edge distortion”) occurs near the mark edge, and there is a problem that high-density recording cannot be performed.
【０００５】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、オーバーライト時のマ
ークエッジ歪を防止して高線速、高密度記録をいっそう
効果的に実現した光記録媒体を提供することを目的とす
る。An object of the present invention is to solve such a problem. That is, an object of the present invention is to provide an optical recording medium which prevents a mark edge distortion at the time of overwriting and realizes a high linear velocity and high density recording more effectively.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された発
明は、上記目的を達成するために、透明基板、光吸収
層、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、及び、反射
層を順次有する光記録媒体であって、前記記録層がＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含むことを
特徴とする光記録媒体である。According to the first aspect of the present invention, a transparent substrate, a light absorbing layer, a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, , An optical recording medium having a reflective layer sequentially, wherein the recording layer is
An optical recording medium comprising g, In, Sb, Te and Ge as constituent elements.
【０００７】請求項２に記載された発明は、請求項１に
記載された発明において、光吸収層が金属単体膜又は合
金膜からなることを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the light absorption layer is made of a single metal film or an alloy film.
【０００８】請求項３に記載された発明は、請求項２に
記載された発明において、光吸収層がＡｇ単体膜又はＡ
ｇ合金膜からなり、その光吸収層の膜厚ｄが、次の式 １２ｎｍ≦ｄ≦２４ｎｍ で示される範囲にあることを特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the invention, the light absorption layer is made of a single Ag film or
The light absorbing layer is made of a g alloy film, and the thickness d of the light absorbing layer is in a range represented by the following equation: 12 nm ≦ d ≦ 24 nm.
【０００９】請求項４に記載された発明は、請求項１〜
３のいずれかに記載された発明において、記録層が結晶
相である、未記録部の反射率をＲｃとし、そして、記録
層がアモルファス相である、記録部の反射率をＲmarkと
したときに、次の式 Ｒmark＞Ｒｃ を満たすことを特徴とするものである。The invention described in claim 4 is the first invention.
3. In the invention described in any one of (3) and (4), when the recording layer is in a crystalline phase, the reflectance of an unrecorded portion is Rc, and when the recording layer is in an amorphous phase, the reflectance of the recorded portion is Rmark. , And the following formula: Rmark> Rc is satisfied.
【００１０】請求項５に記載された発明は、請求項１〜
４のいずれかに記載された発明において、記録層の膜厚
ｄが、次の式 １０ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ で示される範囲にあることを特徴とするものである。[0010] The invention described in claim 5 is the first invention.
In the invention described in any one of the above items 4, the film thickness d of the recording layer is in a range represented by the following expression: 10 nm ≦ d ≦ 30 nm.
【００１１】請求項６に記載された発明は、請求項１〜
５のいずれかに記載された発明において、第１誘電体層
の屈折率ｎとその膜厚ｄとの積ｎｄが、次の式 １９０ｎｍ≦ｎｄ≦２４５ｎｍ で示される範囲にあることを特徴とするものである。The invention described in claim 6 is the first invention.
5. In the invention described in any one of the above items 5, the product nd of the refractive index n of the first dielectric layer and the thickness d thereof is in a range represented by the following expression: 190 nm ≦ nd ≦ 245 nm. Things.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施の形態を
示す光記録媒体の断面図である。図１において、１０
は、光記録媒体である。光記録媒体１０は、透明基板
１、光吸収層２，第１誘電体層３、記録層４、第２誘電
体層５、及び、反射層６を順次有している。これらの層
は、スパッタにより順次形成される。反射層６の上に
は、紫外線硬化樹脂層７が保護用としてスピンコートに
よって形成されている。FIG. 1 is a sectional view of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 10
Is an optical recording medium. The optical recording medium 10 has a transparent substrate 1, a light absorbing layer 2, a first dielectric layer 3, a recording layer 4, a second dielectric layer 5, and a reflective layer 6 in that order. These layers are sequentially formed by sputtering. On the reflective layer 6, an ultraviolet curable resin layer 7 is formed by spin coating for protection.
【００１３】前記透明基板１としては、アクリル系樹
脂、ポリカーボネート（ＰＣ）等の透明プラスチック基
板、又は、ガラス基板が用いられる。前記第１誘電体層
３及び第２誘電体層５としては、ＺｎＳとＳｉＯ2 との
混合物からなるＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、
ＴｉＯ2 、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ 4 等の材料が用いられる。The transparent substrate 1 is made of an acrylic resin.
Resin, transparent plastic base such as polycarbonate (PC)
A plate or a glass substrate is used. The first dielectric layer
3 and the second dielectric layer 5 are made of ZnS and SiOTwo With
ZnS-SiO consisting of a mixtureTwo, ZnS, SiOTwo ,
TiOTwo , AlN, SiThree N Four And other materials are used.
【００１４】前記記録層４は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ
及びＧｅを構成元素に含んでいる。本発明の光記録媒体
１０は、これらの元素の含有量を調整することにより、
高線速化が可能である。前記反射層６としては、放熱機
能を同時にもたせるために、金属等の高熱伝導の材料が
用いられる。これらの高熱伝導の材料としては、Ａｌ、
Ａｌ−Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の単体金属や合金から
なる金属材料が挙げられる。The recording layer 4 is made of Ag, In, Sb, Te.
And Ge as constituent elements. The optical recording medium 10 of the present invention adjusts the content of these elements,
High linear velocity is possible. The reflective layer 6 is made of a material having high thermal conductivity such as a metal so as to have a heat radiation function at the same time. These high heat conductive materials include Al,
A metal material made of a single metal or an alloy such as Al-Ti, Au, Ag, and Cu is used.
【００１５】前記光吸収層２は、単体金属膜又は合金膜
からなる。これらの単体金属膜又は合金膜は、例えば、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ等の単体金属又は
合金からなる金属材料で構成されている。本発明の光記
録媒体は、上記の材料に限定されるものではないが、上
記の構造と材料によれば、記録再生やオーバーライト特
性が良くなるので好ましい。The light absorbing layer 2 is composed of a single metal film or an alloy film. These single metal films or alloy films, for example,
It is composed of a single metal or a metal material such as an alloy such as Au, Ag, Cu, Al, or Al-Ti. The optical recording medium of the present invention is not limited to the above-mentioned materials, but is preferably used according to the above-mentioned structure and material because recording and reproduction and overwrite characteristics are improved.
【００１６】以上、本発明によれば、透明基板上に、例
えば、Ａｇ単体膜又はＡｇ合金膜からなる光吸収層を設
けて、アモルファス相である記録マークの反射率Ｒmark
を結晶相である未記録状態の反射率Ｒｃよりも大きくし
ているので、実効的に未記録状態の吸収率が記録マーク
の吸収率よりも大きくなって、光吸収率制御が効果的に
機能し、そのために、オーバーライト時のマークエッジ
歪が防止されて高線速、高密度記録が実現される。さら
に、本発明によれば、記録層に高線速材料に対応したＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含んだ材料
を用いているので、高線速、高密度記録がオーバーライ
ト時のマークエッジ歪なしにいっそう効果的に実現され
る。As described above, according to the present invention, a light absorption layer made of, for example, an Ag single film or an Ag alloy film is provided on a transparent substrate, and the reflectance Rmark of the recording mark in an amorphous phase is provided.
Is larger than the reflectance Rc in the unrecorded state, which is the crystalline phase, so that the absorptance in the unrecorded state is effectively larger than the absorptivity of the recording mark, and the light absorption rate control functions effectively. Therefore, mark edge distortion at the time of overwriting is prevented, and high linear velocity and high density recording are realized. Furthermore, according to the present invention, the recording layer is made of A corresponding to a high linear velocity material.
Since a material containing g, In, Sb, Te and Ge as constituent elements is used, high linear velocity and high density recording can be realized more effectively without mark edge distortion at the time of overwriting.
【００１７】次に、本発明の実施例を図面を用いて説明
するが、図２は、実施例１で得た光記録媒体の光吸収層
のＡｇ膜厚（ｎｍ）と反射率との関係を示すグラフであ
り、図３は、実施例２で得た光記録媒体の記録層膜厚
（ｎｍ）と反射率との関係を示すグラフであり、図４
は、実施例３で得た下部保護層（ｎｍ）と反射率との関
係を示すグラフであり、そして、図５は、実施例４で得
た記録媒体の記録波形である。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows the relationship between the Ag film thickness (nm) of the light absorbing layer of the optical recording medium obtained in the embodiment 1 and the reflectance. FIG. 3 is a graph showing the relationship between the recording layer thickness (nm) of the optical recording medium obtained in Example 2 and the reflectance, and FIG.
Is a graph showing the relationship between the lower protective layer (nm) obtained in Example 3 and the reflectance, and FIG. 5 is a recording waveform of the recording medium obtained in Example 4.
【００１８】（実施例１）記録層としてＡｇ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ及びＧｅを用い、光吸収層としてＡｇを用い、
第１誘電体層及び第２誘電体層としてＺｎＳとＳｉＯ2
の混合物であるＺｎＳ：ＳｉＯ2 を用い、反射層として
Ａｌ−Ｔｉ合金を用い、そして、透明基板としてポリカ
ーボネート樹脂を用いて、光記録媒体を形成し、その
際、Ａｇで構成される光吸収層の厚さを変えて、「記録
層が結晶相である、未記録部の反射率をＲｃとし、そし
て、記録層がアモルファス相である、記録部の反射率を
Ｒmarkとした」ときの反射率Ｒｃ，Ｒmarkを求めた。但
し、この実施例１においては、第１誘電体層ＺｎＳ：Ｓ
ｉＯ2 の膜厚を１００ｎｍとし、記録層ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅＧｅの膜厚を１９ｎｍとし、第２誘電体層ＺｎＳ：Ｓ
ｉＯ2 の膜厚を１９ｎｍとし、反射層Ａｌ−Ｔｉの膜厚
を１４０ｎｍとした。(Example 1) Ag, In, S as a recording layer
b, Te and Ge, and Ag as a light absorbing layer,
ZnS and SiO 2 as the first dielectric layer and the second dielectric layer
An optical recording medium is formed by using ZnS: SiO 2 which is a mixture of the above, using an Al—Ti alloy as a reflection layer, and using a polycarbonate resin as a transparent substrate. And the reflectivity when “the recording layer is in a crystalline phase, the reflectance of the unrecorded portion is Rc, and the recording layer is in the amorphous phase, and the reflectance of the recorded portion is Rmark”. Rc and Rmark were determined. However, in the first embodiment, the first dielectric layer ZnS: S
The film thickness of iO 2 is set to 100 nm, and the recording layer AgInSbT
The thickness of eGe is 19 nm, and the second dielectric layer ZnS: S
The thickness of iO 2 was 19 nm, and the thickness of the reflective layer Al-Ti was 140 nm.
【００１９】本実施例１においては、図２に示されてい
るように、Ａｇで構成される光吸収層の厚さが１２ｎｍ
以上になると結晶相である未記録状態の反射率Ｒｃとア
モルファス相である記録マークの反射率Ｒmarkとは、 Ｒmark＞Ｒｃ となり、記録マークの反射率が未記録部分の反射率より
も大きくなる。このことは、記録マークの吸収率Ａmark
と未記録部分の吸収率Ａｃとが、 Ａｃ＞Ａmark となっていて、結晶相である未記録部分の吸収率が大き
くなることを示している。Ａｇの膜厚の上限としては、
感度の低下が生じるので２４ｎｍ以下にするのが適切で
ある。In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the thickness of the light absorbing layer made of Ag is 12 nm.
As described above, the reflectance Rc in the unrecorded state of the crystalline phase and the reflectance Rmark of the recording mark in the amorphous phase are Rmark> Rc, and the reflectance of the recorded mark is larger than the reflectance of the unrecorded portion. This means that the recording mark absorption rate Amark
And the absorptance Ac of the unrecorded portion is Ac> Amark, indicating that the absorptance of the unrecorded portion which is a crystalline phase is large. As the upper limit of the Ag film thickness,
Since the sensitivity is lowered, it is appropriate to set the thickness to 24 nm or less.
【００２０】したがって、実施例１より、光記録媒体に
おいて、良好なコントラストと高い感度を得るために
は、Ａｇで構成される光吸収層の膜厚ｄが、次の式 １２ｎｍ≦ｄ≦２４ｎｍ で示される範囲にあることが好ましいことがわかる。な
お、この実施例において計算に用いた各層の光学定数
ｎ，ｋは、次のようにして求めた。即ち、誘電体層Ｚｎ
Ｓ：ＳｉＯ2 、光吸収層Ａｇ、及び、反射層Ａｌ−Ｔｉ
のｎ，ｋは、エリプソメーターで測定し、そして、記録
マーク及び未記録状態のｎ，ｋは、記録層の厚さの異な
る３枚のディスクに１４Ｔ信号を数回オーバーライトし
て、記録マーク部及び消去部の反射率の実測値（λ＝６
６０ｎｍ，ＮＡ＝０．６５の光学系使用）から解析的に
求めた。Therefore, from Example 1, in order to obtain good contrast and high sensitivity in the optical recording medium, the thickness d of the light absorbing layer made of Ag is expressed by the following equation: 12 nm ≦ d ≦ 24 nm. It can be seen that it is preferable to be in the range shown. The optical constants n and k of each layer used in the calculation in this example were obtained as follows. That is, the dielectric layer Zn
S: SiO 2 , light absorbing layer Ag, and reflecting layer Al—Ti
N and k are measured by an ellipsometer, and the recorded marks and unrecorded n and k are obtained by overwriting the 14T signal several times on three disks having different recording layer thicknesses to obtain the recording marks. Measurement values of the reflectance of the area and the erased area (λ = 6
60 nm, use of an optical system with NA = 0.65).
【００２１】（実施例２）Ａｇ光吸収層の厚さを２０ｎ
ｍにする以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を
形成し、そして、その際、記録層の膜厚を変化させたと
きの反射率Ｒｃ，Ｒmarkを求めた。本実施例２において
は、図３に示すように、記録層膜厚の範囲において、Ｒ
ｃとＲmarkとは、 Ｒmark＞Ｒｃ となり、記録マークの反射率が未記録部分の反射率より
も大きくなっている。したがって、実施例２より、光記
録媒体において、良好なコントラストと高い感度を得る
ためには、Ａｇで構成される記録層の膜厚ｄが、次の式 １０ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ で示される範囲にあることが好ましいことがわかる。(Example 2) The thickness of the Ag light absorbing layer was set to 20 n.
An optical recording medium was formed in the same manner as in Example 1 except that m was used, and at that time, the reflectances Rc and Rmark when the film thickness of the recording layer was changed were determined. In the second embodiment, as shown in FIG.
c and Rmark are such that Rmark> Rc, and the reflectance of the recorded mark is larger than the reflectance of the unrecorded portion. Therefore, from Example 2, in order to obtain good contrast and high sensitivity in the optical recording medium, the thickness d of the recording layer made of Ag is limited to the range represented by the following equation: 10 nm ≦ d ≦ 30 nm. It is understood that it is preferable that there is a certain value.
【００２２】（実施例３）Ａｇ光吸収層の厚さを１９ｎ
ｍにする以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を
形成し、そして、その際、下部保護層膜厚を変化させた
ときの反射率Ｒｃ，Ｒmarkを求めた。実施例３より、下
部保護層の膜厚ｄの範囲が、次の式 ９０ｎｍ≦ｄ≦１１５ｎｍ で示される範囲にあるときに、ｎｄ積（ｎ：下部保護層
の屈折率）で表わすと、ｎｄ積の範囲が、次の式 １９０ｎｍ≦ｎｄ≦２４５ｎｍ に示される範囲となり、ｎｄ積がこのような範囲にある
ときに、ＲｃとＲmarkとは、 Ｒmark＞Ｒｃ となり、記録マークの反射率が未記録部分の反射率より
も大きくなっている。したがって、実施例３より、光記
録媒体において、良好なコントラストと高い感度を得る
ためには、下部保護層の膜厚ｄの範囲が、次の式 １９０ｎｍ≦ｎｄ≦２４５ｎｍ で示される範囲にあることが好ましいことがわかる。Example 3 The thickness of the Ag light absorbing layer was 19 n
An optical recording medium was formed in the same manner as in Example 1 except that m was changed to m, and at this time, the reflectances Rc and Rmark when the thickness of the lower protective layer was changed were determined. From Example 3, when the range of the thickness d of the lower protective layer is in the range represented by the following equation: 90 nm ≦ d ≦ 115 nm, the product is expressed as nd product (n: refractive index of the lower protective layer). The range of the product is a range represented by the following formula: 190 nm ≦ nd ≦ 245 nm. When the nd product is in such a range, Rc and Rmark satisfy Rmark> Rc, and the reflectance of the recording mark is unrecorded. It is larger than the reflectance of the part. Therefore, from Example 3, in order to obtain good contrast and high sensitivity in the optical recording medium, the range of the thickness d of the lower protective layer must be in the range represented by the following expression: 190 nm ≦ nd ≦ 245 nm. Is preferable.
【００２３】以上、実施例１〜３について説明したが、
実施例１〜３において計算された反射率の値は、透明基
板（ＰＣ）をミラー面として取り扱った。実際には、後
述する様に基板にトラック用の溝が形成されるので、反
射率は多少低い値を示すものと思われる。Although the first to third embodiments have been described above,
In the reflectance values calculated in Examples 1 to 3, the transparent substrate (PC) was treated as a mirror surface. Actually, since a groove for a track is formed in the substrate as described later, it is considered that the reflectivity shows a somewhat low value.
【００２４】（実施例４）案内溝を設けたポリカーボネ
ート基板上に、厚さ２０ｎｍのＡｇからなる光吸収層、
厚さ１１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１誘電体
層、厚さ１９ｎｍのＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅからなる記録
層、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２誘電
体層、及び、厚さ１４０ｎｍのＡｌ−Ｔｉからなる反射
層を順次スパッタリング法により成膜し、次に、前記反
射層表面を紫外線硬化型樹脂でスピンコートして、光記
録媒体（光ディスク）とした後、この光記録媒体に、高
出力レーザを用いて、初期化処理を施した。この初期化
した記録媒体を線速７ｍ／ｓで回転してそのトラック上
に５３ＭＨｚの信号をオーバーライトした。このときの
光学系は、λ：６６０ｎｍ、対物レンズ：ＮＡ＝０．６
５、レーザパワー：消去パワー６ｍＷ、及び、記録パワ
ー：１２ｍＷに設定した。図５は、このようにして得た
記録媒体の記録波形である。この記録媒体の再生信号に
よれば、アモルファス相の記録マークの反射率が２０％
であり、結晶相の反射率が５％であり、そして、反射率
差、即ち、Ｒmark−Ｒｃが１５％であった。さらに、オ
ーバーライト時の再生信号ジッタとして、σ／Ｔｗ＜９
％という値が得られた。このことからみると、本実施例
４で得た光記録媒体においては、良好なオーバーライト
ジッタ特性が実現したことがわかる。Example 4 A light absorbing layer made of Ag having a thickness of 20 nm was formed on a polycarbonate substrate provided with a guide groove.
The first dielectric layer made of ZnS-SiO 2 having a thickness of 110 nm, a recording layer made of AgInSbTeGe thickness 19 nm, a second dielectric layer made of ZnS-SiO 2 having a thickness of 20 nm, and a thickness of 140 nm Al- A reflective layer made of Ti is sequentially formed by a sputtering method, and then the surface of the reflective layer is spin-coated with an ultraviolet curable resin to form an optical recording medium (optical disk). Initialization was performed using a laser. The initialized recording medium was rotated at a linear velocity of 7 m / s, and a 53 MHz signal was overwritten on the track. The optical system at this time is λ: 660 nm, objective lens: NA = 0.6.
5, laser power: erase power was set to 6 mW, and recording power: 12 mW. FIG. 5 shows a recording waveform of the recording medium obtained in this manner. According to the reproduction signal of the recording medium, the reflectance of the amorphous phase recording mark is 20%.
And the reflectance of the crystalline phase was 5%, and the reflectance difference, that is, Rmark-Rc, was 15%. Further, as the reproduction signal jitter at the time of overwriting, σ / Tw <9
% Was obtained. From this, it can be seen that in the optical recording medium obtained in Example 4, good overwrite jitter characteristics were realized.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明の光記録体によれば、透明基板上
に、例えば、Ａｇ単体膜又はＡｇ合金膜からなる光吸収
層を設けて、アモルファス相である記録マークの反射率
Ｒmarkを結晶相である未記録状態の反射率Ｒｃよりも大
きくしているので、実効的に未記録状態の吸収率が記録
マークの吸収率よりも大きくなって、光吸収率制御が効
果的に機能し、そのために、オーバーライト時のマーク
エッジ歪が防止されて高線速、高密度記録が実現され、
さらに、記録層に高線速材料に対応したＡｇ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含んだ材料を用いている
ので、高線速、高密度記録がオーバーライト時のマーク
エッジ歪なしにいっそう効果的に実現される。According to the optical recording medium of the present invention, a light absorbing layer made of, for example, an Ag single film or an Ag alloy film is provided on a transparent substrate, and the reflectance Rmark of a recording mark in an amorphous phase is measured by a crystal. Since the reflectance Rc in the unrecorded state, which is a phase, is larger than the reflectance in the unrecorded state, the absorptance in the unrecorded state is effectively larger than the absorptance of the recording mark, and the light absorptance control functions effectively. Therefore, mark edge distortion at the time of overwriting is prevented, and high linear velocity and high density recording are realized.
Further, Ag, In, S corresponding to a high linear velocity material is used for the recording layer.
Since a material containing b, Te and Ge as constituent elements is used, high linear velocity and high density recording can be more effectively realized without mark edge distortion at the time of overwriting.
【図１】本発明の一実施の形態を示す光記録媒体の断面
図である。FIG. 1 is a sectional view of an optical recording medium showing an embodiment of the present invention.
【図２】実施例１で得た光記録媒体の光吸収層のＡｇ膜
厚（ｎｍ）と反射率との関係を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the Ag film thickness (nm) of the light absorbing layer of the optical recording medium obtained in Example 1 and the reflectance.
【図３】実施例２で得た光記録媒体の記録層膜厚（ｎ
ｍ）と反射率との関係を示すグラフである。FIG. 3 shows the recording layer thickness (n) of the optical recording medium obtained in Example 2.
6 is a graph showing the relationship between m) and reflectance.
【図４】実施例３で得た下部保護層（ｎｍ）と反射率と
の関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the lower protective layer (nm) obtained in Example 3 and the reflectance.
【図５】実施例４で得た記録媒体の記録波形である。FIG. 5 is a recording waveform of a recording medium obtained in Example 4.
【図６】従来の光記録媒体の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a conventional optical recording medium.
１ 透明基板 ２ 光吸収層 ３ 第１誘電体層 ４ 記録層 ５ 第２誘電体層 ６ 反射層 ７ 紫外線硬化樹脂層 １０ 光記録媒体 REFERENCE SIGNS LIST 1 transparent substrate 2 light absorbing layer 3 first dielectric layer 4 recording layer 5 second dielectric layer 6 reflective layer 7 ultraviolet curable resin layer 10 optical recording medium
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 篠塚 道明 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA32 EA33 FA01 FA11 FA12 FA21 FA23 FB05 FB09 FB12 FB17 FB21 5D029 JA01 JB35 JC02 MA01 MA02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Nobuaki Onagi 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Inventor Michiaki Shinozuka 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Inside Ricoh Company (72) Inventor Masato Hariya 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Ricoh Company (72) Inventor Hajime Hara 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Ricoh Company ( 72) Inventor Hiroko Tashiro 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo F-term in Ricoh Co., Ltd. (reference) 2H111 EA04 EA23 EA32 EA33 FA01 FA11 FA12 FA21 FA23 FB05 FB09 FB12 FB17 FB21 5D029 JA01 JB35 JC02 MA01 MA02
Claims (6)
録層、第２誘電体層、及び、反射層を順次有する光記録
媒体であって、前記記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及
びＧｅを構成元素に含むことを特徴とする光記録媒体。1. An optical recording medium having a transparent substrate, a light absorbing layer, a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer, wherein the recording layer is made of Ag, In, Sb. , Te, and Ge as constituent elements.
ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the light absorbing layer is made of a single metal film or an alloy film.
らなり、その光吸収層の膜厚ｄが、次の式 １２ｎｍ≦ｄ≦２４ｎｍ で示される範囲にあることを特徴とする請求項２に記載
の光記録媒体。3. The light absorbing layer is made of a single Ag film or an Ag alloy film, and the thickness d of the light absorbing layer is in a range represented by the following equation: 12 nm ≦ d ≦ 24 nm. 3. The optical recording medium according to 2.
率をＲｃとし、そして、記録層がアモルファス相であ
る、記録部の反射率をＲmarkとしたときに、次の式 Ｒmark＞Ｒｃ を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の光記録媒体。4. When the reflectance of an unrecorded portion where the recording layer is in a crystalline phase is Rc, and the reflectance of the recorded portion where the recording layer is in an amorphous phase is Rmark, the following formula is used. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein Rc is satisfied.
いずれかに記載の光記録媒体。5. The optical recording medium according to claim 1, wherein the thickness d of the recording layer is in a range represented by the following expression: 10 nm ≦ d ≦ 30 nm.
の積ｎｄが、次の式 １９０ｎｍ≦ｎｄ≦２４５ｎｍ で示される範囲にあることを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載の光記録媒体。6. The method according to claim 1, wherein a product nd of a refractive index n of the first dielectric layer and a thickness d thereof is in a range represented by the following expression: 190 nm ≦ nd ≦ 245 nm. The optical recording medium according to any one of the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076922A JP2002274030A (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076922A JP2002274030A (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002274030A true JP2002274030A (en) | 2002-09-25 |
Family
ID=18933767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001076922A Withdrawn JP2002274030A (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002274030A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005023553A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Nec Corporation | Optical information recording medium and optical information recording/reproducing apparatus |
| CN100358031C (en) * | 2003-07-01 | 2007-12-26 | Tdk株式会社 | Optical recording disc |
| CN100361216C (en) * | 2003-07-01 | 2008-01-09 | Tdk株式会社 | Optical recording disc |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001076922A patent/JP2002274030A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100358031C (en) * | 2003-07-01 | 2007-12-26 | Tdk株式会社 | Optical recording disc |
| CN100361216C (en) * | 2003-07-01 | 2008-01-09 | Tdk株式会社 | Optical recording disc |
| WO2005023553A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Nec Corporation | Optical information recording medium and optical information recording/reproducing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2806274B2 (en) | Optical information recording medium | |
| KR0144001B1 (en) | Optical recording media and information recording and reproducing units | |
| JP3292890B2 (en) | Phase change type optical recording medium using light reflection and heat dissipation material | |
| KR930008455B1 (en) | Optical disc medium | |
| JP2785763B2 (en) | Phase change optical disk | |
| JP2812181B2 (en) | Optical information recording medium | |
| JP2737666B2 (en) | Optical information recording medium | |
| JP2000182274A (en) | Optical recording medium and optical recording method | |
| US20040121261A1 (en) | Phase-change optical recording medium | |
| US7485356B2 (en) | Optical recording medium | |
| US6638594B1 (en) | Rewritable optical information recording medium | |
| JP3180813B2 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH09286175A (en) | Optical recording medium | |
| JP2002274030A (en) | Optical recording medium | |
| JP2000163804A (en) | Draw type optical recording medium | |
| JPH06155921A (en) | Optical recording medium | |
| JP3080844B2 (en) | Phase change optical disk | |
| JP3138661B2 (en) | Phase change optical disk | |
| JP2982329B2 (en) | Information optical recording medium and recording / reproducing method thereof | |
| JPH05185733A (en) | Data recording medium | |
| JPH11185290A (en) | Optical recording medium | |
| JP2001184717A (en) | Optical recording medium | |
| JPH11265522A (en) | Optical recording medium | |
| JPH1035106A (en) | Optical disk | |
| JP2000076702A (en) | Optical recording medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |