JP2002271157A - Method of manufacturing elastic surface wave device - Google Patents
Method of manufacturing elastic surface wave deviceInfo
- Publication number
- JP2002271157A JP2002271157A JP2001072028A JP2001072028A JP2002271157A JP 2002271157 A JP2002271157 A JP 2002271157A JP 2001072028 A JP2001072028 A JP 2001072028A JP 2001072028 A JP2001072028 A JP 2001072028A JP 2002271157 A JP2002271157 A JP 2002271157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- frequency
- wave device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、帯域フィルタ、共
振子などの弾性表面波装置の製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a surface acoustic wave device such as a bandpass filter and a resonator.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＲＩＥを用いて弾性表面波装置の電極を
形成すると圧電体基板にダメージが大きいため、近年、
圧電体基板にダメージをほとんど与えないリフトオフ法
を用いて弾性表面波装置の電極を形成する製造方法が、
帯域フィルタや共振子などの弾性表面波装置の製造方法
として広がりつつある。2. Description of the Related Art When an electrode of a surface acoustic wave device is formed using RIE, a piezoelectric substrate is greatly damaged.
A manufacturing method of forming electrodes of a surface acoustic wave device using a lift-off method that hardly damages a piezoelectric substrate,
It is spreading as a method of manufacturing a surface acoustic wave device such as a bandpass filter or a resonator.
【０００３】また、帯域フィルタ、共振子などの弾性表
面波装置が高周波帯で用いられる場合には、周波数特性
に影響を与える電極の厚み、幅などが精度が良くなけれ
ば、弾性表面波装置の周波数特性などがばらつくため、
リフトオフ法を用いて電極を形成する場合にも、電極の
厚み、幅などに高い精度が求められている。In the case where a surface acoustic wave device such as a bandpass filter or a resonator is used in a high frequency band, if the thickness and width of an electrode which affects the frequency characteristics are not accurate, the surface acoustic wave device cannot be used. Because frequency characteristics etc. vary,
Even when an electrode is formed using a lift-off method, high accuracy is required for the thickness and width of the electrode.
【０００４】しかしながら、リフトオフ法により弾性表
面波装置の電極を成膜する場合、ウエハ状の圧電体基板
ごとに、成膜される電極の膜厚がばらつくため、ウエハ
状の圧電体基板ごとに、弾性表面波装置の周波数特性に
ばらつきが生ずることが多かった。そこで、電極を成膜
して不要になったレジストを除去した後に、弾性表面波
装置の周波数調整を行なっていた。この弾性表面波装置
の周波数調整としては、イオンビームを用いてＩＤＴ電
極などの電極表面をエッチングする方法や、ＲＩＥによ
って圧電体基板もしくはＩＤＴ電極などの電極をエッチ
ングする方法が用いられている。[0004] However, when the electrodes of the surface acoustic wave device are formed by the lift-off method, the thickness of the formed electrodes varies for each wafer-shaped piezoelectric substrate. The frequency characteristics of the surface acoustic wave device often varied. Therefore, after removing unnecessary resist by forming an electrode, the frequency of the surface acoustic wave device is adjusted. As the frequency adjustment of the surface acoustic wave device, a method of etching an electrode surface such as an IDT electrode using an ion beam or a method of etching an electrode such as a piezoelectric substrate or an IDT electrode by RIE is used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法で弾性表面波装置の周波数調整を行うと、エッ
チングによりＩＤＴ電極および圧電体基板にダメージを
与えることになり、弾性表面波装置の特性を劣化させる
原因となっていた。However, if the frequency of the surface acoustic wave device is adjusted by such a method, the IDT electrode and the piezoelectric substrate are damaged by etching, and the characteristics of the surface acoustic wave device are reduced. This was a cause of deterioration.
【０００６】くわえて、弾性表面波装置の良品率を向上
させるためには、かならず弾性表面波装置の製造工程に
周波数調整工程をいれる必要があり、弾性表面波装置の
製造工程が複雑になり製造時間の増加させる原因となっ
ていた。In addition, in order to improve the yield rate of the surface acoustic wave device, it is necessary to always include a frequency adjustment step in the manufacturing process of the surface acoustic wave device, which complicates the manufacturing process of the surface acoustic wave device. This was causing an increase in time.
【０００７】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、上
述の問題を鑑みてなされたものであり、これらの問題を
解決し、製造工程において弾性表面波装置の周波数調整
の工程を必要としない製造方法を提供することを目的と
している。The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention has been made in view of the above-described problems, and solves these problems. Therefore, a step of adjusting the frequency of the surface acoustic wave device is not required in the manufacturing process. It is intended to provide a manufacturing method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の弾性表面波装置の製造方法は、圧電体基板上に
リフトオフ法を用いて電極を成膜する工程を有する弾性
表面波装置の製造方法において、前記圧電体基板上に複
数の弾性表面波装置と一つまたは複数の周波数測定用素
子を形成するためのリフトオフパターンを形成し、前記
リフトオフパターンを用いて前記弾性表面波装置と周波
数測定用素子との電極を成膜しながら、前記周波数測定
用素子の周波数を測定し、前記周波数測定用素子の周波
数が前記弾性表面波装置の狙い周波数に対応する周波数
になった時点で、前記電極を成膜する工程を終了する。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention is directed to a method of manufacturing a surface acoustic wave device having a step of forming an electrode on a piezoelectric substrate by using a lift-off method. In the manufacturing method, a plurality of surface acoustic wave devices and a lift-off pattern for forming one or more frequency measuring elements are formed on the piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave device and the frequency are formed using the lift-off pattern. While forming an electrode with a measuring element, the frequency of the frequency measuring element is measured, and at the time when the frequency of the frequency measuring element becomes a frequency corresponding to a target frequency of the surface acoustic wave device, The step of forming the electrode is completed.
【０００９】また、圧電体基板上にリフトオフ法を用い
て電極を成膜する工程を有する弾性表面波装置の製造方
法において、前記圧電体基板上に複数の弾性表面波装置
と一つまたは複数の電極抵抗測定用素子を形成するため
のリフトオフパターンを形成し、前記リフトオフパター
ンを用いて前記弾性表面波装置と電極抵抗測定用素子と
の電極を成膜しながら、前記電極抵抗測定用素子の抵抗
値を測定し、前記電極抵抗測定用素子の抵抗値が前記弾
性表面波装置の狙い周波数に対応する抵抗値になった時
点で、前記電極を成膜する工程を終了する。Further, in a method of manufacturing a surface acoustic wave device having a step of forming an electrode on a piezoelectric substrate by using a lift-off method, a plurality of surface acoustic wave devices and one or more A lift-off pattern for forming an electrode resistance measuring element is formed, and while forming the electrodes of the surface acoustic wave device and the electrode resistance measuring element using the lift-off pattern, the resistance of the electrode resistance measuring element is formed. When the resistance value of the electrode resistance measuring element reaches a resistance value corresponding to a target frequency of the surface acoustic wave device, the step of forming the electrode is completed.
【００１０】これにより、弾性表面波装置の電極を成膜
する工程において弾性表面波装置の周波数バラツキを抑
えることができるので、弾性表面波装置の製造工程で必
要であった周波数調整の工程を省くことができる。[0010] This makes it possible to suppress the variation in the frequency of the surface acoustic wave device in the step of forming the electrodes of the surface acoustic wave device, thereby eliminating the frequency adjustment step required in the manufacturing process of the surface acoustic wave device. be able to.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】［第１実施例］以下、本発明の第
１実施例である弾性表面波装置の製造方法を、図１、２
に基づいて説明する。図１に示す弾性表面波装置１１
は、水晶の圧電体基板１の表面上に、ＴｉとＡｕの２層
構造を有するＩＤＴ電極２、入力電極３，出力電極４、
反射器電極５が設けられた弾性表面波共振子である。な
お、圧電体基板１の素材としては、水晶以外に、ＬｉＮ
ｂＯ3、ＬｉＢｉ4Ｏ7、ＬｉＴａＯ3などを用いてもよ
い。また、電極についてもＡｌ、Ａｌ合金、Ｔａなどを
用いてもよい。さらに、前記電極において、Ｔｉは密着
層としてはたらくものであるが、密着層の材料は、Ｔｉ
と同じような密着力を有するＣｒ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏを用いてもよい。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A method for manufacturing a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS.
It will be described based on. Surface acoustic wave device 11 shown in FIG.
Denotes an IDT electrode 2 having a two-layer structure of Ti and Au, an input electrode 3, an output electrode 4,
This is a surface acoustic wave resonator provided with a reflector electrode 5. The material of the piezoelectric substrate 1 may be LiN
bO 3 , LiBi 4 O 7 , LiTaO 3 or the like may be used. In addition, Al, Al alloy, Ta, or the like may be used for the electrodes. Further, in the electrode, Ti serves as an adhesion layer, and the material of the adhesion layer is Ti
Cr, Zr, Ta, W, M having the same adhesion as
o may be used.
【００１２】次に、この弾性表面波装置１１の製造方法
について詳細な説明を行う。まず、ウエハ状の圧電体基
板を用意し、洗浄を行う。ここで、ウエハ状の圧電体基
板の洗浄は、中性洗剤やアルコールなどを用いるウエッ
ト洗浄や、酸素プラズマなどを用いるドライ洗浄のいず
れかを用いればよい。Next, a method of manufacturing the surface acoustic wave device 11 will be described in detail. First, a wafer-like piezoelectric substrate is prepared and washed. Here, the cleaning of the wafer-shaped piezoelectric substrate may be performed by either wet cleaning using a neutral detergent or alcohol, or dry cleaning using oxygen plasma or the like.
【００１３】次に、図２に示すように、ウエハ状の圧電
体基板１０の上面にリフトオフ用フォトレジストを塗布
し、ウエハ状の圧電体基板１０に多数の弾性表面波装置
１１を形成するために、フォトマスクを用いて露光を行
う。ここで、このフォトマスクには、弾性表面波装置１
１の周波数測定に用いる周波数測定用素子１２のパター
ンが１箇所、形成されている。次に、フォトレジストを
現像液により現像し、複数の弾性表面波装置１１のパタ
ーンと周波数測定用素子１２のパターンが開口部となっ
ているリフトオフパターンが形成される。このとき、リ
フトオフパターンの開口部は、イメージリバース法など
の方法を用いて開口部分が逆テーパー形状に形成されて
いる。Next, as shown in FIG. 2, a lift-off photoresist is applied to the upper surface of the wafer-shaped piezoelectric substrate 10 to form a large number of surface acoustic wave devices 11 on the wafer-shaped piezoelectric substrate 10. Next, exposure is performed using a photomask. Here, this photomask includes a surface acoustic wave device 1
One pattern of the frequency measurement element 12 used for one frequency measurement is formed. Next, the photoresist is developed with a developing solution to form a lift-off pattern in which the pattern of the plurality of surface acoustic wave devices 11 and the pattern of the frequency measurement element 12 have openings. At this time, the opening of the lift-off pattern is formed in a reverse tapered shape by using a method such as an image reverse method.
【００１４】この工程において、リフトオフパターンで
形成された周波数測定用素子１２の部分には、周波数測
定用素子１２の周波数を測定するための測定端子部が設
けられており、この測定端子部は、ケーブルよって、外
部のネットワークアナライザと接続された周波数測定用
端子に接続されている。ここで、弾性表面波装置１１の
周波数測定に用いる周波数測定用素子１２は、周波数測
定のし易い弾性表面波共振子を用いている。このため、
この実施例では、周波数測定用素子１２のパターンは、
弾性表面波装置１１のパターンと同一である。In this step, a measuring terminal for measuring the frequency of the frequency measuring element 12 is provided at a portion of the frequency measuring element 12 formed by the lift-off pattern, and the measuring terminal is provided with: It is connected by a cable to a frequency measurement terminal connected to an external network analyzer. Here, the frequency measuring element 12 used for frequency measurement of the surface acoustic wave device 11 uses a surface acoustic wave resonator that can easily measure the frequency. For this reason,
In this embodiment, the pattern of the frequency measuring element 12 is
The pattern is the same as that of the surface acoustic wave device 11.
【００１５】次に、電子ビーム蒸着法を用いて弾性表面
波装置１１の電極を成膜する。このとき、ＩＤＴ電極２
などの電極の成膜が進むにつれて弾性表面波装置１１の
共振周波数が変化する。弾性表面波装置１１の周波数測
定に用いる周波数測定用素子１２の共振周波数は連続的
に測定されているため、周波数の変化を精度良く測定す
ることができる。そして、測定した周波数測定用素子１
２の共振周波数が弾性表面波装置１１の狙い周波数に相
当する共振周波数なった時点で成膜を終了する。Next, an electrode of the surface acoustic wave device 11 is formed using an electron beam evaporation method. At this time, the IDT electrode 2
The resonance frequency of the surface acoustic wave device 11 changes as the film formation of the electrodes proceeds. Since the resonance frequency of the frequency measuring element 12 used for measuring the frequency of the surface acoustic wave device 11 is continuously measured, a change in the frequency can be accurately measured. Then, the measured frequency measuring element 1
The film formation is terminated when the second resonance frequency becomes the resonance frequency corresponding to the target frequency of the surface acoustic wave device 11.
【００１６】ここで、弾性表面波装置１１の狙い周波数
は、弾性表面波装置１１に要求される周波数規格の中央
値に設定することが望ましい。また、弾性表面波装置１
１の周波数測定に用いる周波数測定用素子１２の共振周
波数は、予め実験により電極を成膜した共振周波数の値
が弾性表面波装置１１の狙い周波数に相当しているかど
うかを確認し、弾性表面波装置１１の狙い周波数に相当
する共振周波数を設定する。すなわち、周波数測定用素
子１２の共振周波数は、ＩＤＴ電極２の電極間にリフト
オフパターンが存在すると共振周波数が低くなり、リフ
トオフ後の周波数測定用素子１２の共振周波数と異なる
周波数になる。このため、予めリフトオフ前とリフトオ
フ後の周波数の相関データを取っておき、そのデータを
もとにして弾性表面波装置１１の狙い周波数に相当する
周波数測定用素子１２の共振周波数を設定する。Here, it is desirable that the target frequency of the surface acoustic wave device 11 is set to a median value of a frequency standard required for the surface acoustic wave device 11. Also, the surface acoustic wave device 1
The resonance frequency of the frequency measurement element 12 used for the frequency measurement 1 was confirmed in advance by an experiment to determine whether the value of the resonance frequency at which the electrode was formed was equivalent to the target frequency of the surface acoustic wave device 11, and A resonance frequency corresponding to a target frequency of the device 11 is set. That is, the resonance frequency of the frequency measurement element 12 becomes lower when the lift-off pattern exists between the electrodes of the IDT electrode 2, and becomes different from the resonance frequency of the frequency measurement element 12 after lift-off. For this reason, correlation data of the frequencies before and after the lift-off is obtained in advance, and the resonance frequency of the frequency measuring element 12 corresponding to the target frequency of the surface acoustic wave device 11 is set based on the data.
【００１７】次に、周波数測定用素子１２の周波数測定
に用いるケーブルを周波数測定用素子１２の測定端子部
から外し、ウエハ状の圧電体基板１０をレジスト剥離液
に浸漬することで、リフトオフパターンを基板からリフ
トオフし、ウエハ状の圧電体基板１０上に多数の弾性表
面波装置１１を得ることができる。Next, the cable used for frequency measurement of the frequency measuring element 12 is detached from the measuring terminal of the frequency measuring element 12, and the wafer-shaped piezoelectric substrate 10 is immersed in a resist stripping solution to form a lift-off pattern. By lifting off the substrate, a large number of surface acoustic wave devices 11 can be obtained on the piezoelectric substrate 10 in the form of a wafer.
【００１８】この弾性表面波装置の製造方法を用いて、
弾性表面波装置として狙い周波数２００ＭＨｚの弾性表
面波共振子を１５バッチ作製した。このときの１バッチ
ごとにウエハ状の圧電体基板上の中央付近に位置する弾
性表面波共振子の共振周波数を測定した結果を図３に示
す。図３に示すように狙い周波数２００ＭＨｚに対して
ほとんど周波数がばらついていないことがわかる。この
ように、この製造方法を用いて弾性表面波装置を作製す
ると狙い周波数からの周波数ばらつきが極めて小さいた
め、従来の製造方法で必要であった周波数調整の工程を
省くことができる。Using this method of manufacturing a surface acoustic wave device,
Fifteen batches of surface acoustic wave resonators having a target frequency of 200 MHz were produced as surface acoustic wave devices. FIG. 3 shows the result of measuring the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator located near the center on the wafer-like piezoelectric substrate for each batch at this time. As shown in FIG. 3, it can be seen that the frequency hardly fluctuates with respect to the target frequency of 200 MHz. As described above, when a surface acoustic wave device is manufactured using this manufacturing method, the frequency variation from the target frequency is extremely small, so that the frequency adjustment step required in the conventional manufacturing method can be omitted.
【００１９】また、この実施例においては、弾性表面波
装置が弾性表面波共振子である場合しか説明しなかった
が、当然の事ながら、弾性表面波フィルタなどその他の
弾性表面波装置にもこの製造方法を用いることができ
る。また、作製する弾性表面波装置が弾性表面波フィル
タである場合には、弾性表面波装置の周波数測定に用い
る周波数測定用素子が弾性表面波装置と同一の弾性表面
波フィルタを用いてもよいが、電極を成膜する工程で弾
性表面波フィルタの中心周波数を測定すると測定誤差が
大きいため、弾性表面波装置の周波数測定に用いる周波
数測定用素子は、共振周波数の測定がし易い弾性表面波
共振子を用いることが望ましい。In this embodiment, only the case where the surface acoustic wave device is a surface acoustic wave resonator has been described. However, it is needless to say that other surface acoustic wave devices such as a surface acoustic wave filter can also be used. Manufacturing methods can be used. When the surface acoustic wave device to be manufactured is a surface acoustic wave filter, the same surface acoustic wave filter as the surface acoustic wave device may be used as the frequency measuring element used for measuring the frequency of the surface acoustic wave device. Since the measurement error is large when the center frequency of the surface acoustic wave filter is measured in the process of forming the electrodes, the frequency measuring element used for measuring the frequency of the surface acoustic wave device is a surface acoustic wave resonance device that can easily measure the resonance frequency. It is desirable to use a child.
【００２０】［第２実施例］以下、本発明の第２実施例
である弾性表面波装置の製造方法について説明する。第
２実施例が第１実施例と異なる点は、弾性表面波装置の
周波数測定に用いる周波数測定用素子の代わりに、ウエ
ハ状の圧電体基板に弾性表面波装置の周波数測定に用い
るためのものとして、成膜される電極の抵抗値を測定す
る電極抵抗測定用素子を作製し、電極抵抗測定用素子を
抵抗測定端子に接続した点である。そして、電極を成膜
する工程において、電極抵抗測定用素子の抵抗値を測定
し、弾性表面波装置の狙い周波数に相当する抵抗値にな
ったときに電極を成膜する工程を終了する点である。[Second Embodiment] A method for manufacturing a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention will be described below. The second embodiment is different from the first embodiment in that a wafer-like piezoelectric substrate is used for measuring the frequency of a surface acoustic wave device instead of the frequency measuring element used for measuring the frequency of the surface acoustic wave device. The point is that an element for measuring an electrode resistance for measuring a resistance value of an electrode to be formed is prepared and the element for measuring an electrode resistance is connected to a resistance measuring terminal. Then, in the step of forming the electrode, the resistance value of the electrode resistance measuring element is measured, and when the resistance value corresponding to the target frequency of the surface acoustic wave device is reached, the step of forming the electrode is completed. is there.
【００２１】まず、図４に示すように、予め、電極抵抗
測定用素子の抵抗値と所望の弾性表面波装置の周波数と
の関係の相関データを実験で求めておく。次に、第１実
施例と同じようにウエハ状の圧電体基板上にリフトオフ
パターンを形成し、続いて、予めリフトオフパターンの
中に形成されている電極抵抗測定用素子の測定端子部と
抵抗測定端子をケーブルによって接続する。First, as shown in FIG. 4, correlation data on the relationship between the resistance value of the electrode resistance measuring element and the desired frequency of the surface acoustic wave device is obtained in advance by experiments. Next, a lift-off pattern is formed on the wafer-like piezoelectric substrate in the same manner as in the first embodiment. Subsequently, the measurement terminal portion of the electrode resistance measurement element previously formed in the lift-off pattern and the resistance measurement are performed. Connect the terminals with a cable.
【００２２】次に、電子ビーム蒸着法を用いて電極の成
膜を行う。このとき、ＩＤＴ電極などの電極の成膜とと
もに電極抵抗測定用素子の電極の成膜も進み、電極抵抗
測定用素子の抵抗値が変化する。電極抵抗測定用素子の
抵抗値は連続的に測定されているため、抵抗値を精度良
く測定することができる。そして、この抵抗値が、図４
の電極抵抗測定用素子の抵抗値と弾性表面波装置の所望
の周波数と関係の相関データから、弾性表面波装置の狙
い周波数付近になった時点で成膜を終了する。Next, an electrode is formed by using an electron beam evaporation method. At this time, the film formation of the electrode of the electrode resistance measuring element progresses along with the film formation of the electrode such as the IDT electrode, and the resistance value of the electrode resistance measuring element changes. Since the resistance value of the electrode resistance measuring element is continuously measured, the resistance value can be accurately measured. And, this resistance value is shown in FIG.
From the correlation data of the relationship between the resistance value of the electrode resistance measuring element and the desired frequency of the surface acoustic wave device, the film formation is terminated when the frequency becomes near the target frequency of the surface acoustic wave device.
【００２３】これにより、第２実施例においても、第１
実施例と同じように、弾性表面波装置の狙い周波数から
の周波数ばらつきが極めて小さい弾性表面波装置を作製
することができるため、従来の製造方法で必要であった
周波数調整の工程を省くことができる。また、周波数測
定に必要なネットワークアナライザなどの高価な測定器
が必要でないため、工程を安価に設計することができ
る。As a result, in the second embodiment as well, the first
As in the embodiment, it is possible to manufacture a surface acoustic wave device in which the frequency variation from the target frequency of the surface acoustic wave device is extremely small, so that it is possible to omit the frequency adjustment step required in the conventional manufacturing method. it can. In addition, since an expensive measuring instrument such as a network analyzer required for frequency measurement is not required, the process can be designed at low cost.
【００２４】また、実施例の電極は２層構造の電極であ
るが、１層構造や３層以上の多層構造の電極にも本発明
の製造方法を用いることができる。Although the electrodes of the embodiments are electrodes having a two-layer structure, the manufacturing method of the present invention can be used for electrodes having a single-layer structure or a multilayer structure having three or more layers.
【００２５】また、成膜装置の成膜分布が、ウエハ状の
圧電体基板上で微妙に異なる場合などには、ウエハ状の
圧電体基板上に、弾性表面波装置の周波数測定に用いる
周波数測定用素子や電極抵抗測定用素子を２箇所以上設
けて、ウエハ状の圧電体基板上での測定データの平均を
とることにより、測定精度を向上させることができる。When the film formation distribution of the film forming apparatus is slightly different on the wafer-like piezoelectric substrate, the frequency measurement used for the frequency measurement of the surface acoustic wave device is provided on the wafer-like piezoelectric substrate. The accuracy of measurement can be improved by providing two or more elements for measurement of electrodes and elements for measuring electrode resistance and averaging the measurement data on the wafer-like piezoelectric substrate.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、リフト
オフ法を用いてＩＤＴ電極など電極を成膜する工程を有
する弾性表面波装置の製造方法において、電極を成膜す
る工程で弾性表面波装置の周波数測定に用いる周波数測
定用素子の周波数を測定することにより、弾性表面波装
置の狙い周波数からの周波数バラツキが非常に小さい弾
性表面波装置を製造することができる。As described above, according to the present invention, in a method of manufacturing a surface acoustic wave device including a step of forming an electrode such as an IDT electrode by using a lift-off method, a method of forming a surface acoustic wave in a step of forming an electrode is performed. By measuring the frequency of the frequency measuring element used for measuring the frequency of the wave device, it is possible to manufacture a surface acoustic wave device having a very small frequency variation from the target frequency of the surface acoustic wave device.
【００２７】また、リフトオフ法を用いてＩＤＴ電極な
ど電極を成膜する工程を有する弾性表面波装置の製造方
法において、電極を成膜する工程で弾性表面波装置の周
波数測定に用いる電極抵抗測定用素子の抵抗値を測定す
ることにより、弾性表面波装置の狙い周波数からの周波
数バラツキが非常に小さい弾性表面波装置を製造するこ
とができる。Further, in the method of manufacturing a surface acoustic wave device having a step of forming an electrode such as an IDT electrode by using a lift-off method, the method for measuring an electrode resistance used for measuring the frequency of the surface acoustic wave device in the step of forming an electrode. By measuring the resistance value of the element, it is possible to manufacture a surface acoustic wave device having a very small frequency variation from the target frequency of the surface acoustic wave device.
【００２８】これにより、従来の製造方法で必要であっ
た周波数調整を行う必要がなくなり、大幅な製造時間短
縮を実現できるので、製造工程の大幅なコストダウンが
実現できる。As a result, it is not necessary to perform the frequency adjustment required in the conventional manufacturing method, and the manufacturing time can be greatly reduced, so that the cost of the manufacturing process can be greatly reduced.
【００２９】また、本発明の弾性表面波装置の製造方法
は、周波数調整の工程を有していないので、従来の製造
方法で周波数調整を行うときに発生していたＩＤＴ電極
などの電極や圧電体基板へのダメージがないため、製造
工程で弾性表面波装置の特性を劣化させることがなくな
り、弾性表面波装置の良品率を向上させることができ
る。Further, since the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention does not include a step of adjusting the frequency, electrodes such as IDT electrodes and piezoelectric elements generated when performing frequency adjustment by the conventional manufacturing method are used. Since there is no damage to the body substrate, the characteristics of the surface acoustic wave device are not deteriorated in the manufacturing process, and the yield of the surface acoustic wave device can be improved.
【図１】弾性表面波装置の構造。FIG. 1 shows the structure of a surface acoustic wave device.
【図２】本発明の圧電体基板上の測定略図。FIG. 2 is a schematic diagram of measurement on a piezoelectric substrate of the present invention.
【図３】弾性表面波共振子の狙い周波数が２００ＭＨｚ
のときのバッチごとの共振周波数。FIG. 3 A target frequency of the surface acoustic wave resonator is 200 MHz.
Resonance frequency for each batch when.
【図４】本発明の製造方法で用いた電極抵抗測定用素子
の抵抗値と弾性表面波装置の周波数との関係。FIG. 4 shows the relationship between the resistance value of the electrode resistance measuring element used in the manufacturing method of the present invention and the frequency of the surface acoustic wave device.
１ --- 圧電体基板 ２ --- ＩＤＴ電極 ３ --- 入力電極 ４ --- 出力電極 ５ --- 反射器電極 １０ --- ウエハ状の圧電体基板 １１ --- 弾性表面波装置 １２ --- 弾性表面波装置の周波数測定に用いる
周波数測定用素子1 --- Piezoelectric substrate 2 --- IDT electrode 3 --- Input electrode 4 --- Output electrode 5 --- Reflector electrode 10 --- Wafer-shaped piezoelectric substrate 11 --- Surface acoustic wave device 12 --- Frequency measuring element used for frequency measurement of surface acoustic wave device
Claims (5)
を成膜する工程を有する弾性表面波装置の製造方法にお
いて、 前記圧電体基板上に複数の弾性表面波装置と一つまたは
複数の周波数測定用素子を形成するためのリフトオフパ
ターンを形成し、 前記リフトオフパターンを用いて前記弾性表面波装置と
周波数測定用素子との電極を成膜しながら、前記周波数
測定用素子の周波数を測定し、 前記周波数測定用素子の周波数が前記弾性表面波装置の
狙い周波数に対応する周波数になった時点で、前記電極
を成膜する工程を終了することを特徴とする弾性表面波
装置の製造方法。1. A method of manufacturing a surface acoustic wave device having a step of forming an electrode on a piezoelectric substrate using a lift-off method, comprising: a plurality of surface acoustic wave devices on the piezoelectric substrate; Forming a lift-off pattern for forming a frequency measurement element, measuring the frequency of the frequency measurement element while forming an electrode of the surface acoustic wave device and the frequency measurement element using the lift-off pattern. A step of forming the electrode when the frequency of the frequency measuring element reaches a frequency corresponding to a target frequency of the surface acoustic wave device.
であることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装
置の製造方法。2. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1, wherein said frequency measuring element is a surface acoustic wave resonator.
を成膜する工程を有する弾性表面波装置の製造方法にお
いて、 前記圧電体基板上に複数の弾性表面波装置と一つまたは
複数の電極抵抗測定用素子を形成するためのリフトオフ
パターンを形成し、 前記リフトオフパターンを用いて前記弾性表面波装置と
電極抵抗測定用素子との電極を成膜しながら、前記電極
抵抗測定用素子の抵抗値を測定し、 前記電極抵抗測定用素子の抵抗値が前記弾性表面波装置
の狙い周波数に対応する抵抗値になった時点で、前記電
極を成膜する工程を終了することを特徴とする弾性表面
波装置の製造方法。3. A method of manufacturing a surface acoustic wave device having a step of forming an electrode on a piezoelectric substrate by using a lift-off method, wherein a plurality of surface acoustic wave devices are provided on the piezoelectric substrate. Forming a lift-off pattern for forming an electrode resistance measuring element, forming the electrodes of the surface acoustic wave device and the electrode resistance measuring element using the lift-off pattern, and forming a resistance of the electrode resistance measuring element. Measuring the value, when the resistance value of the electrode resistance measuring element reaches a resistance value corresponding to a target frequency of the surface acoustic wave device, the step of forming the electrode is terminated. A method for manufacturing a surface acoustic wave device.
る前記電極抵抗測定用素子の抵抗値は、予め実験により
求められた前記電極抵抗測定用素子の抵抗値と弾性表面
波装置の狙い周波数との相関データから求めたことを特
徴とする請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法。4. A resistance value of said electrode resistance measuring element corresponding to a target frequency of said surface acoustic wave device is determined by a resistance value of said electrode resistance measuring element previously determined by an experiment and a target frequency of said surface acoustic wave device. 4. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 3, wherein the surface acoustic wave device is obtained from correlation data with the following.
測定用素子が、前記圧電体基板上に２箇所以上あること
を特徴とする請求項１ないし請求項４に記載の弾性表面
波装置の製造方法。5. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the frequency measuring element or the electrode resistance measuring element is provided at two or more positions on the piezoelectric substrate. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001072028A JP2002271157A (en) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Method of manufacturing elastic surface wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001072028A JP2002271157A (en) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Method of manufacturing elastic surface wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002271157A true JP2002271157A (en) | 2002-09-20 |
Family
ID=18929666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001072028A Pending JP2002271157A (en) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Method of manufacturing elastic surface wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002271157A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175927A (en) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | Manufacturing method of surface acoustic wave element |
| WO2023090460A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | Method for manufacturing acoustic wave device |
-
2001
- 2001-03-14 JP JP2001072028A patent/JP2002271157A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175927A (en) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | Manufacturing method of surface acoustic wave element |
| WO2023090460A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | Method for manufacturing acoustic wave device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4171241B2 (en) | Method and system for tuning a bulk acoustic wave resonator and filter at wafer level | |
| US7501739B2 (en) | Thin film piezoelectric resonator and manufacturing process thereof | |
| US6917139B2 (en) | Film bulk acoustic resonator | |
| US6516503B1 (en) | Method of making surface acoustic wave device | |
| US8091190B2 (en) | Method of manufacturing an acoustic mirror for a piezoelectric resonator | |
| JP2002311959A (en) | Method and system for wafer level tuning of bulk sound resonator and filter | |
| JP2007201772A (en) | Manufacturing method of acoustic wave element, manufacturing method of electronic device, mask and manufacturing method of mask | |
| JP2004088706A (en) | Etching method and etching shaped article thereby | |
| JP2002271157A (en) | Method of manufacturing elastic surface wave device | |
| JP3140767B2 (en) | Manufacturing method of surface acoustic wave device | |
| JP2007036670A (en) | Manufacturing method of surface acoustic wave element, and the surface acoustic wave element | |
| Liffredo et al. | More-than-Moore Microacoustics: A Scalable Fabrication Process for Suspended Lamb Wave Resonators | |
| JP3969368B2 (en) | SAW chip manufacturing method, SAW chip and SAW device | |
| US20150145381A1 (en) | Quartz vibrator and manufacturing method thereof | |
| US7003875B2 (en) | Method for manufacturing piezo-resonator | |
| CN111327284A (en) | Preparation method of interdigital electrode | |
| JP2001251154A (en) | Manufacture of piezoelectric vibrating reed | |
| JPH0145246B2 (en) | ||
| CN111030631B (en) | Method for manufacturing acoustic wave device and acoustic wave device | |
| US20150145378A1 (en) | Quartz vibrator and method for manufacturing the same | |
| JPH07273582A (en) | Manufacture of surface acoustic wave resonator | |
| JPH0864931A (en) | Microelectrode forming method of electronic component | |
| JP2008252826A (en) | Method of manufacturing piezoelectric vibrating reed | |
| JPH1013178A (en) | Manufacture of surface acoustic wave element | |
| JP2005057666A (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave chip, surface acoustic wave chip manufactured by the manufacturing method and surface acoustic wave device |