JP2002268255A - Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic device having photoreceptor - Google Patents
Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic device having photoreceptorInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、プリンタ
ー、ファクシミリ等に使用される電子写真感光体とそれ
を用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置に関し、
詳しくは、高画質化の要求にこたえられる記録密度12
00dot/inch以上を可能にする超高解像度の電
子写真感光体とそれを用いたプロセスカートリッジ、電
子写真装置に関し、さらには高い耐久性のもとに高画質
が安定して得られる電子写真感光体とそれを用いたプロ
セスカートリッジ、電子写真装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member used for a copying machine, a printer, a facsimile and the like, a process cartridge using the same, and an electrophotographic apparatus.
More specifically, a recording density of 12 to meet the demand for higher image quality
The present invention relates to an ultra-high resolution electrophotographic photosensitive member capable of at least 00 dots / inch, a process cartridge and an electrophotographic apparatus using the same, and furthermore, an electrophotographic photosensitive member capable of stably obtaining high image quality under high durability. And a process cartridge and an electrophotographic apparatus using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
電子写真感光体(以下、単に感光体と言うことがある)
の光導電体としては大きく分けて種々の無機及び有機光
導電体が知られている。ここにいう「電子写真方式」と
は一般に、光導電性の感光体をまず暗所で、例えばコロ
ナ放電によって帯電させ、次いで像露光し、露光部のみ
の電荷を選択的に逸散させて静電潜像を得て、この潜像
部を染料、顔料などの着色剤と高分子材料などで構成さ
れるトナーで現像し、可視化して画像を形成するように
した、いわゆるカールソンプロセスとよばれる画像形成
プロセスである。2. Description of the Related Art An electrophotographic photosensitive member conventionally used in an electrophotographic system (hereinafter, may be simply referred to as a photosensitive member).
As inorganic photoconductors, various inorganic and organic photoconductors are known. The "electrophotographic method" as used herein generally means that a photoconductive photoreceptor is first charged in a dark place, for example, by corona discharge, and then subjected to image exposure to selectively dissipate the charge of only the exposed portion and statically. A so-called Carlson process, in which an electrostatic latent image is obtained, and this latent image portion is developed with a toner composed of a colorant such as a dye or a pigment and a polymer material to visualize and form an image. This is an image forming process.
【0003】有機の光導電体を用いた感光体は無機光導
電体のものに比べ、感光波長域の自由度、成膜性、可撓
性、膜の透明性、量産性、毒性やコスト面等において利
点を持つため、現在ではほとんどの感光体には有機光導
電体が用いられている。またこの電子写真方式および類
似プロセスにおいてくり返し使用される感光体には、感
度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分
光感度特性に代表される静電特性が優れていることが要
求される。A photoreceptor using an organic photoconductor has a higher degree of freedom in a photosensitive wavelength range, film formability, flexibility, film transparency, mass productivity, toxicity, and cost than an inorganic photoconductor. At present, most photoconductors use organic photoconductors because of their advantages. The photoreceptor used repeatedly in this electrophotographic method and similar processes must have excellent electrostatic characteristics such as sensitivity, receptive potential, potential holding property, potential stability, residual potential, and spectral sensitivity characteristics. Required.
【0004】近年では、電子写真方式を用いた情報処理
システム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報を
デジタル信号に変換して光によって情報記録を行うデジ
タル記録方式を用いたプリンターは、そのプリント品
質、信頼性において向上が著しい。またこのデジタル記
録方式はプリンターのみならず通常の複写機にも応用さ
れ、所謂デジタル複写機が開発されている。さらに、こ
のデジタル複写機は、種々様々な情報処理機能が付加さ
れるため今後その需要性が益々高まっていくと予想され
る。[0004] In recent years, the development of information processing system machines using the electrophotographic system has been remarkable. In particular, a printer using a digital recording method of converting information into a digital signal and recording information by light has remarkably improved in print quality and reliability. This digital recording method is applied not only to printers but also to ordinary copying machines, and so-called digital copying machines have been developed. Further, since the digital copier is added with various information processing functions, its demand is expected to increase in the future.
【0005】現在これらの方式に用いられる電子写真感
光体は、一般的には、導電性支持体上に直接または中間
層を介して電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を
設けたいわゆる機能分離型積層感光体が主流である。さ
らには、機械的もしくは化学的耐久性向上のため感光体
最表面に表面保護層を形成する。この機能分離型積層感
光体において、表面が帯電された感光体が露光されたと
き、光は電荷輸送層を透過し、電荷発生層中の電荷発生
材料に吸収される。電荷発生材料はこの光を吸収して電
荷担体を発生する。発生した電荷担体は電荷輸送層に注
入され帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層
を移動して感光体の表面電荷を中和する。その結果感光
体の表面に静電潜像が形成される。よって、機能分離型
積層感光体には主として近赤外部から可視部に吸収を持
つ電荷発生材料と、電荷発生材料の吸収光の透過を妨げ
ない、すなわち可視部(黄色光域)から紫外部に吸収を
持つ電荷輸送材料との組みあわせが多く用いられてい
る。[0005] The electrophotographic photoreceptors currently used in these systems generally have a charge generation layer formed directly or via an intermediate layer on a conductive support, and a charge transport layer provided thereon. The so-called function-separated type photoreceptor is mainly used. Further, a surface protective layer is formed on the outermost surface of the photoreceptor for improving mechanical or chemical durability. In this function-separated type photoconductor, when the photoconductor whose surface is charged is exposed, light passes through the charge transport layer and is absorbed by the charge generation material in the charge generation layer. The charge generating material absorbs this light to generate charge carriers. The generated charge carriers are injected into the charge transport layer and move in the charge transport layer along the electric field generated by the charging to neutralize the surface charge of the photoreceptor. As a result, an electrostatic latent image is formed on the surface of the photoconductor. Therefore, the function-separated type photoreceptor mainly has a charge generation material that absorbs from the near infrared to the visible part and does not hinder the transmission of the absorbed light of the charge generation material, that is, from the visible part (yellow light region) to the ultraviolet. A combination with a charge transport material having absorption is often used.
【0006】このようなデジタル記録方式に対応させる
光源としては、例えば、小型で安価な信頼性の高い半導
体レーザー(LD)や発光ダイオード(LED)が多く
使われている。現在最もよく使用されているLDの発振
波長域は780〜800nm付近の近赤外光領域にあ
る。また、代表的なLEDの発光波長は740nmにあ
る。As a light source compatible with such a digital recording method, for example, a small, inexpensive and highly reliable semiconductor laser (LD) or light emitting diode (LED) is often used. The oscillation wavelength range of the LD most frequently used at present is in the near-infrared light region around 780 to 800 nm. The emission wavelength of a typical LED is at 740 nm.
【0007】一方、最近ではこのデジタル記録方式に対
応させる書込光源として400〜450nmに発振波長
を有する紫色から青色の短波長LD、LEDが開発、上
場されるにおよんでいる。たとえば発振波長が従来から
の近赤外域LDに比べ約半分近くとなる短波長LDを書
込光源として用いた場合、下式(3)で示されるよう
に、感光体上におけるレーザービームのスポット径を理
論上かなり小さくすることが可能である。したがってこ
れらは潜像の書込密度すなわち解像度を上げることに非
常に有利なものである。 d∝(π/4)(λf/D) (3) (式中dは感光体上のスポット径、λはレーザー光の波
長、fはfθレンズの焦点距離、Dはレンズ径)On the other hand, recently, violet to blue short wavelength LDs and LEDs having an oscillation wavelength of 400 to 450 nm have been developed and listed as write light sources corresponding to the digital recording method. For example, when a short-wavelength LD whose oscillation wavelength is about half that of a conventional near-infrared region LD is used as a writing light source, the spot diameter of the laser beam on the photosensitive member is expressed by the following equation (3). Can be reduced significantly in theory. Therefore, they are very advantageous for increasing the writing density of the latent image, that is, the resolution. d∝ (π / 4) (λf / D) (3) (where d is the spot diameter on the photoconductor, λ is the wavelength of the laser beam, f is the focal length of the fθ lens, and D is the lens diameter)
【0008】また、この短波長LD、LEDにより光学
系を含む電子写真装置のコンパクト化、電子写真方式の
高速化がはかれるなどの利点があるため、これら約40
0〜450nmのLDもしくはLED発振光源に対応し
た高感度、高安定な電子写真感光体が要求されている。Further, the short wavelength LD and LED have advantages such as reduction in size of an electrophotographic apparatus including an optical system and speeding up of an electrophotographic method.
A highly sensitive and stable electrophotographic photosensitive member corresponding to an LD or LED oscillation light source of 0 to 450 nm is required.
【0009】ところが、現行の電子写真装置は300〜
600dpi程度の解像度であり、写真調の画像として
は十分ではなかった。このため、より高解像な電子写真
装置が望まれており、それに向けた開発が行われてい
る。解像度を上げるためには最小ドット径を小さくする
ことが有効でり、その為にはよりビーム径を小さくした
像露光手段と小さな電位潜像を可能にする電子写真感光
体とそれを再現性良く現像する現像手段が必要になる。However, current electrophotographic devices are 300 to
The resolution was about 600 dpi, which was not enough for a photographic image. For this reason, a higher resolution electrophotographic apparatus is desired, and development for it is being performed. To increase the resolution, it is effective to reduce the minimum dot diameter. For that purpose, an image exposure means with a smaller beam diameter, an electrophotographic photosensitive member that enables a small potential latent image, and a reproducible Developing means for developing is required.
【0010】しかしながら、これらを全て満足する電子
写真装置は未だ開発されていない。像露光手段において
は、従来小型で安価な信頼性の高い半導体レーザー(L
D)や発光ダイオード(LED)が多く使われている。
現在最もよく使われているLDの発振波長域は780〜
800nm付近の近赤外光領域にある。そしてそのビー
ムスポット径は約150〜60μm程度である。これを
1200dpi相当のドット径約30μm又は2400
dpi相当のドット径約15μmに絞り込むためには超
高精度な光学部品や大きな光学部材が必要になりコスト
的にも、スペース的にも実用化できるものではなかっ
た。この解決のためには光源波長を短くすることが有効
と考えられており、短波長レーザを使用した電子写真装
置が提案されている(特開平5−19598号公報)。
しかしながら、この様にビーム径を小さくしただけでは
超高解像度の画像は得られなかった。However, an electrophotographic apparatus that satisfies all of them has not yet been developed. Conventionally, a small, inexpensive and highly reliable semiconductor laser (L
D) and light emitting diodes (LEDs) are often used.
The oscillation wavelength range of the currently most frequently used LD is 780-
It is in the near infrared light region near 800 nm. The beam spot diameter is about 150 to 60 μm. A dot diameter of about 30 μm or 2400 equivalent to 1200 dpi
In order to narrow down the dot diameter to about 15 μm corresponding to dpi, an ultra-high precision optical component and a large optical member are required, and it has not been possible to commercialize both in terms of cost and space. To solve this problem, it is considered effective to shorten the wavelength of the light source, and an electrophotographic apparatus using a short wavelength laser has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 19598/1993).
However, an ultra-high resolution image could not be obtained only by reducing the beam diameter in this way.
【0011】従来の電子写真装置に使用されている電子
写真感光体は一般的には導電性支持体上に電荷発生層を
形成し、その上に電荷輸送層を設けたいわゆる機能分離
型積層感光体が主流である。さらには、機械的、もしく
は化学的耐久性向上のため感光体最表面に表面保護層を
形成する場合もある。An electrophotographic photoreceptor used in a conventional electrophotographic apparatus generally has a charge generation layer formed on a conductive support, and a so-called function-separated type laminated photoreceptor having a charge transport layer provided thereon. The body is mainstream. Further, a surface protective layer may be formed on the outermost surface of the photoconductor in order to improve mechanical or chemical durability.
【0012】この機能分離型積層感光体において、表面
が帯電された感光体が露光されたとき、光は電荷輸送層
を透過し、電荷発生層中の電荷発生材料に吸収される。
電荷発生材料はこの光を吸収して電荷担体を発生する。
発生した電荷担体は電荷輸送層に注入され帯電によって
生じている電界に沿って電荷輸送層を移動して感光体の
表面電荷を中和する。その結果感光体の表面に静電潜像
が形成される。よって、機能分離型積層感光体には主と
して近赤外部から可視部に吸収を持つ電荷発生材料と、
電荷発生材料の吸収光の透過を妨げない、すなわち可視
部(黄色光域)から紫外部に吸収を持つ電荷輸送材料と
の組みあわせが多く用いられている。この様な電子写真
感光体を使用した場合400〜450nmのような非常
に短波長の光では電荷輸送層に吸収されてしまい感度が
低下してしまうという欠点を有する。それに対しては吸
収の比較的少ない電荷輸送材料を使用した電子写真装置
が提案されている。In this function-separated type photoreceptor, when the photoreceptor whose surface is charged is exposed, light passes through the charge transport layer and is absorbed by the charge generation material in the charge generation layer.
The charge generating material absorbs this light to generate charge carriers.
The generated charge carriers are injected into the charge transport layer and move in the charge transport layer along the electric field generated by the charging to neutralize the surface charge of the photoreceptor. As a result, an electrostatic latent image is formed on the surface of the photoconductor. Therefore, a charge generation material having absorption from the near infrared region to the visible region,
A combination with a charge transporting material that does not hinder the transmission of the absorbed light of the charge generating material, that is, has an absorption from the visible portion (yellow light region) to the ultraviolet region, is often used. When such an electrophotographic photosensitive member is used, light having a very short wavelength such as 400 to 450 nm is absorbed by the charge transporting layer and has a disadvantage that the sensitivity is reduced. For this purpose, an electrophotographic apparatus using a charge transport material having relatively low absorption has been proposed.
【0013】この様に電子写真感光体の電荷発生層にビ
ーム径の小さい光を照射できるようにしてもなお超解像
度の画像形成は困難であった。画像形成の高速化、デジ
タル化に伴って光照射部位のエネルギー密度は高くな
り、電子写真感光体の電荷発生層で発生する電荷密度は
高くなる。高密度で発生した電荷は電荷輸送層中を感光
体表面まで移動するあいだに面方向に拡散してしまい、
折角ビーム径を絞っても感光体上に形成される静電潜像
は大きくなってしまった。[0013] Even if the charge generation layer of the electrophotographic photosensitive member can be irradiated with light having a small beam diameter, it is still difficult to form a super-resolution image. As the image formation speeds up and digitization proceeds, the energy density of the light-irradiated portion increases, and the charge density generated in the charge generation layer of the electrophotographic photosensitive member increases. Charges generated at high density are diffused in the plane direction while moving through the charge transport layer to the photoreceptor surface,
Even if the beam diameter was narrowed, the electrostatic latent image formed on the photoreceptor became large.
【0014】これを解決するためには電子写真感光体の
電荷輸送層の膜厚を小さくすることが有効であるが、現
状の1/2〜1/3にする必要があり、帯電安定性や寿
命や導電性支持体の凹凸による電位ムラによるドット再
現性の低下が起こり、その実現は非常に困難であった。
この様な状況により未だ超高解像度を有する電子写真装
置は市場提供されていない。To solve this problem, it is effective to reduce the thickness of the charge transport layer of the electrophotographic photoreceptor. The dot reproducibility was deteriorated due to the unevenness of the electric potential due to the life and unevenness of the conductive support, and it was very difficult to realize it.
Under such circumstances, an electrophotographic apparatus having an ultra-high resolution has not yet been provided on the market.
【0015】一方、電子写真装置に使用される電子写真
感光体として、導電性支持体上に電荷発生材料と電荷輸
送性材料とバインダーを主成分とする感光層を設けた単
層型のものが知られている。この感光体は光照射による
電荷発生が感光体表面部位で生じるため静電潜像の広が
りは少なくなり、超高解像度電子写真用として有利であ
る。しかしながら、機能分離型積層感光体に比べ感度や
残留電位特性が劣り、高速化が要求される電子写真装置
への課題を残している。On the other hand, as an electrophotographic photosensitive member used in an electrophotographic apparatus, a single-layer type having a photosensitive layer mainly composed of a charge generating material, a charge transporting material and a binder provided on a conductive support is known. Are known. This photoreceptor is advantageous for ultra-high resolution electrophotography because charge generation due to light irradiation occurs at the surface of the photoreceptor, so that the spread of the electrostatic latent image is reduced. However, the sensitivity and residual potential characteristics are inferior to the function-separated type photoreceptor, and there remains a problem for an electrophotographic apparatus that requires high speed.
【0016】また、導電性支持体上に電荷輸送層、電荷
発生層の順に積層された逆層型の電子写真感光体も知ら
れている。この場合も電荷発生が感光体表面部位で生じ
るため上記静電潜像の広がりは少なくなり、超高解像度
電子写真用として有利である。例えば、特開平9−24
0051号公報に発振波長400〜500nmのLDを
光源として用いた電子写真装置が開示されている。しか
しながらこの感光体層構成は脆弱な薄膜の電荷発生層が
最表面に形成されるため、これが帯電、現像、転写、ク
リーニング手段により機械的、化学的なハザードを受け
やすくなり、繰り返し使用による感光体の劣化が著しい
ので実用的ではない。Also, an inverse layer type electrophotographic photosensitive member in which a charge transport layer and a charge generation layer are laminated on a conductive support in this order is known. Also in this case, since the charge is generated at the surface of the photoreceptor, the spread of the electrostatic latent image is reduced, which is advantageous for ultra-high resolution electrophotography. For example, JP-A-9-24
No. 0051 discloses an electrophotographic apparatus using an LD having an oscillation wavelength of 400 to 500 nm as a light source. However, in this photoconductor layer configuration, a fragile thin-film charge generation layer is formed on the outermost surface, which is susceptible to mechanical and chemical hazards due to charging, development, transfer, and cleaning means. This is not practical because the deterioration of remarkably occurs.
【0017】寿命を上げるために表面保護層を形成した
逆層感光体の提案も行われている(特開平1−1709
51号公報)。この場合、オゾン発生量を低下させた環
境負荷の小さい電子写真装置の提供が狙いとなってお
り、超高解像電子写真装置用の感光体としての設計は行
われていなかった。高画質を繰り返して行われる画像形
成プロセス特に色の再現性、持続性の要求されるカラー
画像形成において、高耐久と両立する電子写真装置の提
供はなされていない。In order to extend the life, a reverse layer photoreceptor having a surface protective layer has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 1-1709).
No. 51). In this case, the aim is to provide an electrophotographic apparatus that reduces the amount of generated ozone and has a small environmental load, and has not been designed as a photoconductor for an ultra-high resolution electrophotographic apparatus. An electrophotographic apparatus compatible with high durability has not been provided in an image forming process repeatedly performed with high image quality, particularly in color image formation requiring color reproducibility and persistence.
【0018】以上のように、電子写真感光体として静電
潜像の広がりを防ぐ構成の提案もされているが、トナー
現像と転写を含めた画像形成プロセスの中で像露光手段
のビーム径と電子写真感光体の静電潜像の広がりを考慮
しただけでは超高解像度な画像を形成し、高速で、耐久
性に優れた電子写真装置は提供できていない。As described above, there has been proposed a configuration for preventing the spread of an electrostatic latent image as an electrophotographic photosensitive member. However, in an image forming process including toner development and transfer, the beam diameter of an image exposure unit is reduced. An electrophotographic apparatus which forms an ultra-high resolution image, has high speed, and has excellent durability cannot be provided only by considering the spread of the electrostatic latent image of the electrophotographic photosensitive member.
【0019】また、400dpi以上の高解像度を求め
る場合、半導体レーザーや発光ダイオードなど可干渉性
の光を露光光として使用する本発明のような装置におい
ては、電子写真感光体の感光層の膜厚偏差などに起因す
る干渉縞模様が画像に現れるという問題が非常に顕著に
なり、この課題解決が求められる。また、高画質化を考
慮した感光体設計を行おうとする際、既存の電荷発生材
料を用いた機能分離型における電荷発生層について、本
発明の像露光光源波長に対して電荷発生層の吸光度は小
さく、特に吸光度が2.0以下になるような場合、干渉
縞が発生しやすくなるという欠点を有する。これに対
し、単に電荷発生層の膜厚を厚くしたり、電荷発生材料
の濃度を上げる方法も考えられるが、繰り返し使用に対
する帯電電位の低下などを生じやすく問題がある。When a high resolution of 400 dpi or more is required, in an apparatus such as the present invention using coherent light such as a semiconductor laser or a light emitting diode as the exposure light, the thickness of the photosensitive layer of the electrophotographic photosensitive member is reduced. The problem that an interference fringe pattern due to a deviation or the like appears in an image becomes very prominent, and it is required to solve this problem. Also, when trying to design a photoreceptor in consideration of high image quality, regarding the charge generation layer in the function separation type using the existing charge generation material, the absorbance of the charge generation layer with respect to the image exposure light source wavelength of the present invention is When the absorbance is small, especially when the absorbance is 2.0 or less, there is a disadvantage that interference fringes are easily generated. On the other hand, a method of simply increasing the thickness of the charge generation layer or increasing the concentration of the charge generation material can be considered. However, there is a problem that the charge potential is easily reduced due to repeated use.
【0020】さらに、特開平3−62039号公報など
には、導電性基体表面の粗面化により干渉縞対策がなさ
れているが、表面を粗面化しすぎると、今度はクリーニ
ング不良の問題を生じてしまう。さらに、特開平7−1
60028号公報など下引き層、あるいは感光層中に色
素などを添加して、干渉縞抑制を試みているが、従来か
ら既知であるシアニン色素等は光劣化が大きく、目的を
達成するには十分な効果を期待できない。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-62039 and the like have taken measures against interference fringes by roughening the surface of the conductive substrate. However, if the surface is too rough, a problem of poor cleaning may occur. Would. Further, Japanese Patent Laid-Open No. 7-1
JP-A-60028 discloses an attempt to suppress interference fringes by adding a dye or the like to an undercoat layer or a photosensitive layer. However, conventionally known cyanine dyes and the like have a large photodegradation and are not sufficient to achieve the purpose. Effect cannot be expected.
【0021】[0021]
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明が
解決しようとする課題は、特に400〜450nmの範
囲に発振波長を有する半導体レーザーもしくは発光ダイ
オードを用いて像露光手段となすとき、その露光光源波
長に対する電荷発生層の吸光度が小さい場合であって
も、電荷発生層を通過する光による干渉縞発生を防止
し、1200dpi以上さらには2400dpiの超高
解像度な画像形成が可能で、高い耐久性のもとに高画質
が安定して得られる電子写真装置を提供することであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure light source for an image exposing means using a semiconductor laser or a light emitting diode having an oscillation wavelength in the range of 400 to 450 nm. Even when the absorbance of the charge generation layer with respect to the wavelength is small, it is possible to prevent the generation of interference fringes due to light passing through the charge generation layer, and to form an ultra-high-resolution image of 1200 dpi or more, and even 2400 dpi, and high durability. An object of the present invention is to provide an electrophotographic apparatus capable of stably obtaining high image quality.
【0022】[0022]
【課題を解決しようとする手段】本発明はこのような従
来の欠点や問題点を解消するものであって、少なくとも
電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段を装
着した電子写真装置において、像露光手段の書き込み光
源の波長が400〜450nmの範囲に発振波長を有す
る半導体レーザーもしくは発光ダイオードであり、電子
写真感光体が導電性基体上に短波長吸収層、感光層およ
び表面保護層の順に積層されており、かつ、該導電性支
持体の表面粗さがRz値で0.02μm以上1.5μm
以下であり、かつ該短波長光吸収層の表面粗さがRz値
で0.02μm以上1.5μm以下であり、かつ該感光
層最外表面の表面粗さがRz値で0.02μm以上1.
5μm以下であることを特徴とする電子写真装置が提供
される。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and problems of the prior art. An electrophotographic apparatus having at least an electrophotographic photosensitive member, a charging means, an image exposure means and a developing means is provided. Wherein the wavelength of the writing light source of the image exposure means is a semiconductor laser or a light emitting diode having an oscillation wavelength in the range of 400 to 450 nm, and the electrophotographic photoreceptor has a short wavelength absorbing layer, a photosensitive layer and a surface protective layer on a conductive substrate. And the surface roughness of the conductive support is 0.02 μm to 1.5 μm in Rz value.
And the surface roughness of the short-wavelength light absorbing layer is 0.02 μm or more and 1.5 μm or less in Rz value, and the surface roughness of the outermost surface of the photosensitive layer is 0.02 μm or more in Rz value and 1 .
An electrophotographic apparatus characterized by having a thickness of 5 μm or less is provided.
【0023】本装置における感光体は、高画質を達成す
るための超高解像度な画像形成の要求を満たすととも
に、高い耐久性のもとにトナー現像と転写が安定してい
ることを実現したものである。すなわち、高画質を達成
するため像露光手段および電子写真感光体の感光層を工
夫するとともに、露光光源波長に対して電荷発生層の吸
光度が小さいとき、電荷発生層を通過する光を短波長光
吸収層で吸収することにより干渉縞発生を抑制し、高画
質化を達成するものである。また、該導電性支持体の表
面粗さがRz値で0.02μm以上1.5μm以下であ
り、かつ該短波長光吸収層の表面粗さがRz値で0.0
2μm以上1.5μm以下であり、かつ該感光層最外表
面の表面粗さがRz値で0.02μm以上1.5μm以
下とすることで、短波長光吸収層による電荷発生層透過
光低減と相乗効果により干渉縞を極力低減できるもので
ある。The photoreceptor in the present apparatus satisfies the demand for ultra-high resolution image formation to achieve high image quality, and realizes stable toner development and transfer under high durability. It is. That is, in order to achieve high image quality, the image exposure means and the photosensitive layer of the electrophotographic photosensitive member are devised. By absorbing the light with the absorption layer, the generation of interference fringes is suppressed, and high image quality is achieved. Further, the surface roughness of the conductive support is not less than 0.02 μm and not more than 1.5 μm in Rz value, and the surface roughness of the short wavelength light absorbing layer is not more than 0.02 μm in Rz value.
When the surface roughness of the outermost surface of the photosensitive layer is at least 0.02 μm and at most 1.5 μm in Rz value, the light transmitted through the charge generation layer can be reduced by the short wavelength light absorbing layer. The interference fringes can be reduced as much as possible by the synergistic effect.
【0024】[0024]
【発明の実施の形態】本発明の電子写真感光体の感光層
としては、代表的な層構成を以下に示すがこれに限定さ
れるものではない。図1に示すように、導電性支持体1
上に短波長光吸収層2を形成し、電荷発生層3を形成
し、この電荷発生層上に電荷輸送層4を形成し、この電
荷輸送層上に保護層5が設けられる。この構成を採る場
合は、保護層および電荷輸送層は、書き込み光に対して
十分な透過率を持つことが要求される。さらに具体的に
は、390〜460nm波長領域の単色光に対して50
%以上の透過率を示すことが望ましい。また電荷発生層
で発生したキャリアーが電荷輸送層および保護層を移動
していく過程で拡散し、超高解像度の画像形成を阻害す
るのを防ぐため、電荷輸送層および保護層の膜厚はなる
べく薄くしたほうが良い。ただし、保護層は高耐久化を
達成するためには、1〜3μmを必要とするものであ
り、電荷輸送層は現像などの条件にもよるが、5〜15
μmが適切である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As the photosensitive layer of the electrophotographic photosensitive member of the present invention, typical layer constitutions are shown below, but the invention is not limited thereto. As shown in FIG.
A short wavelength light absorbing layer 2 is formed thereon, a charge generation layer 3 is formed, a charge transport layer 4 is formed on the charge generation layer, and a protective layer 5 is provided on the charge transport layer. In the case of employing this configuration, the protective layer and the charge transport layer are required to have a sufficient transmittance for writing light. More specifically, 50 to monochromatic light in the wavelength range of 390 to 460 nm is used.
%. The thickness of the charge transport layer and the protective layer should be as small as possible in order to prevent carriers generated in the charge generation layer from diffusing in the process of moving through the charge transport layer and the protective layer and hindering formation of an ultra-high resolution image. It is better to make it thin. However, in order to achieve high durability, the protective layer needs to have a thickness of 1 to 3 μm, and the charge transport layer has a thickness of 5 to 15 μm, depending on conditions such as development.
μm is appropriate.
【0025】また電荷輸送機能は、正孔輸送機能と電子
輸送機能がある。電荷輸送層に用いる場合、これら材料
は単独でも両機能材料を混合して使用しても良いが、保
護層にも電荷輸送機能を持たせる場合には、電荷輸送層
と同じ機能を持たせるほうが良い。The charge transport function has a hole transport function and an electron transport function. When used for the charge transport layer, these materials may be used alone or a mixture of both functional materials may be used.However, when the protective layer also has a charge transport function, it is better to have the same function as the charge transport layer. good.
【0026】各層の構成要素について以下に説明する。
導電性支持体としては、アルミニウム、ニッケル、銅、
チタン、金、ステンレス等の金属板、金属ドラムまたは
金属箔、アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、金、酸
化錫、酸化インジウムなどを蒸着したプラスチックフィ
ルム或いは導電性物質を塗布した紙、プラスチックなど
のフィルムまたはドラム等が挙げられる。上記以外の材
料として鉄、銀、亜鉛、鉛、錫、アンチモン、インジウ
ムなどの金属や合金、あるいは前記金属の酸化物、カー
ボン、導電性ポリマーなども挙げられ、上述のように導
電性材料をそのまま成形加工することや、適宜の基体上
に上記導電性材料を塗布、蒸着、エッチング、プラズマ
処理等の手段で成膜することによって得られた導電性支
持体を使用することができる。The components of each layer will be described below.
As the conductive support, aluminum, nickel, copper,
Metal plate of titanium, gold, stainless steel, etc., metal drum or metal foil, plastic film on which aluminum, nickel, copper, titanium, gold, tin oxide, indium oxide, etc. are deposited, or paper or plastic film coated with conductive material Alternatively, a drum or the like may be used. Materials other than the above include metals and alloys such as iron, silver, zinc, lead, tin, antimony, and indium, or oxides of the metals, carbon, and conductive polymers. A conductive support obtained by molding or forming the conductive material on an appropriate substrate by coating, vapor deposition, etching, plasma treatment, or the like can be used.
【0027】導電性支持体の表面粗さはRz値で0.0
2μmから1.5μmとされる。導電性支持体の表面粗
さが0.02μmより小さい場合には、レーザー光の散
乱が小さくなり干渉縞等の画像欠陥を生じやすくなった
り、感光層との接着性が弱くなり剥離をおこして白抜け
等の画像欠陥を起こしたりする。また、表面粗さが1.
5μmを越える場合には、感光層表面の電位ムラを起こ
してドット再現性が低下したり、異常放電によるピンホ
ールが感光層に生成し、黒ポチ等の画像欠陥が発生した
りする。The surface roughness of the conductive support is an Rz value of 0.0
The range is from 2 μm to 1.5 μm. When the surface roughness of the conductive support is smaller than 0.02 μm, scattering of laser light is reduced and image defects such as interference fringes are easily caused, and adhesion to the photosensitive layer is weakened and peeling is caused. It causes image defects such as white spots. The surface roughness is 1.
If the thickness exceeds 5 μm, unevenness of the potential on the surface of the photosensitive layer is caused to deteriorate dot reproducibility, and pinholes are generated in the photosensitive layer due to abnormal discharge, and image defects such as black spots occur.
【0028】本発明の導電性基体上に形成させる短波長
光吸収層としては、一般には樹脂を主成分とするが、こ
れらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考
えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂で
あることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビ
ニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム
等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナ
イロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラ
ミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹
脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型
樹脂等が挙げられる。また、干渉縞防止、抵抗値の最適
化等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジル
コニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金
属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。これらの短波長
光吸収層は適当な溶媒、塗工法を用いて形成することが
できる。更にシランカップリング剤、チタンカップリン
グ剤、クロムカップリング剤等を使用することもでき
る。このほかにも公知のものを用いることができる。The short-wavelength light-absorbing layer formed on the conductive substrate of the present invention generally comprises a resin as a main component. However, considering that these resins are coated with a photosensitive layer with a solvent, It is desirable that the resin has high solvent resistance to general organic solvents. Examples of such a resin include water-soluble resins such as polyvinyl alcohol, casein, and sodium polyacrylate, copolymer-soluble nylons, alcohol-soluble resins such as methoxymethylated nylon, polyurethane, melamine resins, phenol resins, alkyd-melamine resins, and epoxy resins. Curable resins that form a three-dimensional network structure, such as resins, are exemplified. Further, for preventing interference fringes and optimizing the resistance value, a fine powder pigment of a metal oxide exemplified by titanium oxide, silica, alumina, zirconium oxide, tin oxide, indium oxide and the like may be added. These short-wavelength light-absorbing layers can be formed using an appropriate solvent and a coating method. Further, silane coupling agents, titanium coupling agents, chromium coupling agents, and the like can also be used. In addition, known materials can be used.
【0029】短波長光吸収層の表面粗さはRz値で0.
02μmから1.5μmとされる。短波長光吸収層の表
面粗さが0.02μmより小さい場合には、レーザー光
の散乱が小さくなり干渉縞等の画像欠陥を生じやすくな
ったり、電荷発生層との接着性が弱くなり剥離をおこし
て白抜け等の画像欠陥を起こしたりする。また、表面粗
さが1.5μmを越える場合には、感光層表面の電位ム
ラを起こしてドット再現性が低下したり、異常放電によ
るピンホールが感光層に生成し、黒ポチ等の画像欠陥が
発生したりする。The surface roughness of the short-wavelength light-absorbing layer is set to an Rz value of 0.1.
The range is from 02 μm to 1.5 μm. When the surface roughness of the short-wavelength light-absorbing layer is smaller than 0.02 μm, scattering of laser light is reduced and image defects such as interference fringes are easily caused, and adhesion to the charge generating layer is weakened, and peeling is performed. To cause image defects such as white spots. When the surface roughness exceeds 1.5 μm, potential unevenness on the surface of the photosensitive layer is caused to reduce dot reproducibility, and pinholes are generated in the photosensitive layer due to abnormal discharge, and image defects such as black spots are generated. Or occur.
【0030】また、短波長光吸収層には以下に示す短波
長光吸収材料をバインダー中に含有させる。短波長光吸
収材料としては、電子輸送性を示すいわゆるn型顔料、
電子輸送材料、キレート色素、紫外線吸収剤などがあげ
られる。The short wavelength light absorbing layer contains the following short wavelength light absorbing material in a binder. As the short-wavelength light-absorbing material, a so-called n-type pigment having an electron transporting property,
Examples include an electron transport material, a chelate dye, and an ultraviolet absorber.
【0031】電子輸送性を示すいわゆるn型顔料として
は、例えば、ペリレン顔料、チオインジゴ顔料、キナク
リドン顔料、ジオキサジン顔料、ジスアゾ顔料、トリス
アゾ顔料などn型の半導体特性を示す有機顔料があげら
れる。この中でも特に390〜460nm波長領域の単
色光に対して吸光度の高いものが好適に使用される。Examples of the so-called n-type pigments exhibiting electron transport properties include organic pigments exhibiting n-type semiconductor characteristics such as perylene pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, dioxazine pigments, disazo pigments, and trisazo pigments. Among them, those having high absorbance for monochromatic light in the wavelength region of 390 to 460 nm are particularly preferably used.
【0032】電子輸送材料としては、例えば、クロルア
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、
2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−
トリニトロ−インデノ4H−インデノ[1,2−b]チ
オフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾ
チオフェン−5,5−ジオキサイド、オキサジアゾール
誘導体、(2,3−ジフェニル−1−インデニリデン)
マロノニトリル、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラ
セン、マロノニトリル、チオピラン系化合物、ベンゾキ
ノン、ジフェノキノン、スチルベンキノンなどのキノン
類とその誘導体、ジニトロアントラセン、ジニトロアク
リジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノ
ン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレ
イン酸などを挙げることができ、さらに、ジフェノキノ
ン誘導体や下記式に挙げる電子輸送物質を好適に使用す
ることができる。これらの電荷輸送物質は単独または2
種類以上混合して用いても良い。Examples of the electron transporting material include chloranil, bromanil, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, and 2,4,5,7-tetranitro-9-fluorenone. 2,4,5,7-tetranitroxanthone,
2,4,8-trinitrothioxanthone, 2,6,8-
Trinitro-indeno 4H-indeno [1,2-b] thiophen-4-one, 1,3,7-trinitrodibenzothiophene-5,5-dioxide, oxadiazole derivative, (2,3-diphenyl-1 -Indenylidene)
Malononitrile, dinitrobenzene, dinitroanthracene, malononitrile, thiopyran-based compounds, benzoquinone, quinones such as diphenoquinone, stilbenequinone and derivatives thereof, dinitroanthracene, dinitroacridine, nitroanthraquinone, dinitroanthraquinone, succinic anhydride, maleic anhydride, dibromo anhydride Maleic acid and the like can be mentioned, and a diphenoquinone derivative and an electron transporting substance shown in the following formula can be suitably used. These charge transport materials can be used alone or
You may mix and use more than one kind.
【化1】 (式中R1、R2およびR3は水素原子、ハロゲン原子、
置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換
もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも
異なっていても良い。)Embedded image (Wherein R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, a halogen atom,
Represents a substituted or unsubstituted alkyl group, an alkoxy group, or a substituted or unsubstituted phenyl group, which may be the same or different; )
【0033】キレート色素としては、例えば、インドア
ニリン色素、アゾメチン色素、フタロシアニン色素、ア
ゾ色素などが挙げられ、これらの色素は分子内にキレー
ト形成を可能にする基を有している。Examples of the chelate dye include an indoaniline dye, an azomethine dye, a phthalocyanine dye, and an azo dye. These dyes have a group capable of forming a chelate in the molecule.
【0034】紫外線吸収剤としては、例えば、公知のベ
ンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、シアノアクリ
レート系、トリアジン系紫外線吸収剤などが挙げられ
る。またこれらとHALS、いわゆる光安定剤、例え
ば、ヒンダートアミン系光安定剤を併用することで光劣
化も防止され、本発明の目的にも好適に使用できる。Examples of the ultraviolet absorber include known benzophenone-based, benzotriazole-based, cyanoacrylate-based, and triazine-based ultraviolet absorbers. When these are used in combination with HALS, a so-called light stabilizer, for example, a hindered amine-based light stabilizer, light deterioration is also prevented, and it can be suitably used for the purpose of the present invention.
【0035】また、短波長光吸収層の膜厚は1〜10μ
mが適当である。短波長光吸収層の膜厚が1μmより薄
い場合は、導電性支持体表面に起因する異常画像などの
問題が生じやすく、また、膜厚が10μmを越える場合
は、残留電位の発生やその蓄積性が大きくなり、感光体
電位変動が大きくなる。The thickness of the short wavelength light absorbing layer is 1 to 10 μm.
m is appropriate. When the film thickness of the short-wavelength light-absorbing layer is less than 1 μm, problems such as abnormal images due to the surface of the conductive support are likely to occur, and when the film thickness exceeds 10 μm, the generation and accumulation of residual potential And the fluctuation of the photoconductor potential increases.
【0036】電荷発生層は、電荷発生材料を適当な溶媒
に、必要に応じてバインダー樹脂を加え溶解もしくは分
散し、塗布して乾燥させることにより設けることができ
る。電荷発生層用分散液の分散方法としては、例えば、
ボールミル、超音波、ホモミキサー等が挙げられ、また
塗布手段としては、ディッピング塗工法、ブレード塗工
法、スプレー塗工法等が挙げられる。The charge generation layer can be provided by dissolving or dispersing the charge generation material in an appropriate solvent, if necessary, adding a binder resin, coating, and drying. As a dispersion method of the dispersion liquid for the charge generation layer, for example,
Examples thereof include a ball mill, an ultrasonic wave, and a homomixer. Examples of the application means include a dipping coating method, a blade coating method, and a spray coating method.
【0037】電荷発生材料を分散し、感光層を形成する
場合、層中への分散性を良くするために、その電荷発生
材料は1μm以下、好ましくは0.5μm以下の平均粒
径のものが好ましい。また、高画質、小径ドット再現性
のためにもなるべく小さな方がよい。ただし、上記の粒
径があまりに小さいとかえって凝集しやすく、再凝集に
より分散液の保存性が悪くなったり、層の抵抗が上昇し
たり、結晶欠陥が増えて感度及び繰り返し特性が低下し
たり、或いは微細化する上で限界があるので、平均粒径
の下限を0.01μmとするのが好ましい。When the photosensitive layer is formed by dispersing the charge generating material, the charge generating material should have an average particle diameter of 1 μm or less, preferably 0.5 μm or less, in order to improve the dispersibility in the layer. preferable. In addition, the smaller the better, the better for high image quality and small dot reproducibility. However, the above-mentioned particle size is too small to be easily agglomerated, and the preservation of the dispersion liquid is deteriorated by re-agglomeration, the resistance of the layer is increased, and the crystal defects are increased and the sensitivity and the repetition characteristics are reduced, Alternatively, since there is a limit in miniaturization, the lower limit of the average particle size is preferably set to 0.01 μm.
【0038】電荷発生層の膜厚は、0.1〜2μmが好
ましい。The thickness of the charge generation layer is preferably from 0.1 to 2 μm.
【0039】電荷発生材料は、従来公知の材料が使用で
き、例えば以下に示す様な顔料が挙げられる。有機顔料
としては、例えば、シーアイピグメントブルー25(カ
ラーインデックスCI 21180)、シーアイピグメ
ントレッド41(CI 21200)、シーアイアシッ
ドレッド52(CI 45100)、シーアイベーシッ
クレッド3(CI 45210)、カルバゾール骨格を
有するアゾ顔料(特開昭53−95033号公報に記
載)、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料(特開
昭53−133445号公報)、トリフェニルアミン骨
格を有するアゾ顔料(特開昭53−132347号公報
に記載)、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料
(特開昭54−21728号公報に記載)、オキサジア
ゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−12742
号公報に記載)、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料
(特開昭54−22834号公報に記載)、ビススチル
ベン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17733号
公報に記載)、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有す
るアゾ顔料(特開昭54−2129号公報に記載)、ジ
スチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭5
4−14967号公報に記載)、ベンズアントロン骨格
を有するアゾ顔料などのアゾ顔料の他、例えば、シーア
イピグメントブルー16(CI 74100)、Y型オ
キソチタニウムフタロシアニン(特開昭64−1706
6号公報)、A(β)型オキソチタニウムフタロシアニ
ン、B(α)型オキソチタニウムフタロシアニン、I型
オキソチタニウムフタロシアニン(特開平11−214
66号公報に記載)、II型クロロガリウムフタロシアニ
ン(飯島他,日本化学会第67春季年回,1B4,04
(1994))、V型ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン(大門他,日本化学会第67春季年回,1B4,05
(1994))、X型無金属フタロシアニン(米国特許
第3,816,118号)などのフタロシアニン系顔
料、シーアイバットブラウン5(CI 73410)、
シーアイバットダイ(CI 73030)などのインジ
コ系顔料、アルゴスカーレットB(バイエル社製)、イ
ンタンスレンスカーレットR(バイエル社製)などのペ
リレン顔料などが挙げられる。なお、これらの電荷発生
材料は単独あるいは2種類以上が併用されても良い。As the charge generation material, conventionally known materials can be used, and examples thereof include the following pigments. As organic pigments, for example, C.I. Pigment Blue 25 (Color Index CI 21180), C.I. Pigment Red 41 (CI. 21200), C.I. Acid Red 52 (CI. 45100), C.I. Pigments (described in JP-A-53-95033), azo pigments having a distyrylbenzene skeleton (JP-A-53-133445), and azo pigments having a triphenylamine skeleton (JP-A-53-132347) Azo pigments having a dibenzothiophene skeleton (described in JP-A-54-21728), and azo pigments having an oxadiazole skeleton (described in JP-A-54-12742).
Azo pigments having a fluorenone skeleton (described in JP-A-54-22834), azo pigments having a bisstilbene skeleton (described in JP-A-54-17733), distyryl oxadiazole An azo pigment having a skeleton (described in JP-A-54-2129) and an azo pigment having a distyrylcarbazole skeleton (described in JP-A-52-129)
In addition to azo pigments such as azo pigments having a benzanthrone skeleton, for example, CI Pigment Blue 16 (CI 74100), Y-type oxotitanium phthalocyanine (Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-1706).
No. 6), A (β) -type oxotitanium phthalocyanine, B (α) -type oxotitanium phthalocyanine, I-type oxotitanium phthalocyanine (JP-A-11-214)
No. 66), chlorogallium phthalocyanine type II (Iijima et al., Chemical Society of Japan 67th Spring Annual, 1B4,04)
(1994)), V-type hydroxygallium phthalocyanine (Daimon et al., Chemical Society of Japan 67th Spring Annual, 1B4,05)
(1994)), phthalocyanine-based pigments such as X-type metal-free phthalocyanine (U.S. Pat. No. 3,816,118), C-Ivat Brown 5 (CI 73410),
Examples include indico-based pigments such as CI butt die (CI 73030) and perylene pigments such as Argoscarlet B (manufactured by Bayer) and Insence Scarlet R (manufactured by Bayer). These charge generating materials may be used alone or in combination of two or more.
【0040】電荷発生層の分散液或いは溶液を調製する
際に使用する溶媒としては、例えば、N,N−ジメチル
ホルムアミド、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼ
ン、1,2−ジクロルエタン、1,1,1−トリクロル
エタン、ジクロルメタン、1,1,2−トリクロルエタ
ン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン等を挙げる
ことができる。As the solvent used for preparing the dispersion or solution of the charge generation layer, for example, N, N-dimethylformamide, toluene, xylene, monochlorobenzene, 1,2-dichloroethane, 1,1,1- Examples thereof include trichloroethane, dichloromethane, 1,1,2-trichloroethane, trichloroethylene, tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, and dioxane.
【0041】バインダー樹脂としては、絶縁性がよい従
来から知られているバインダー樹脂であれば何でも使用
でき、特に限定はない。例えば、ポリエチレン、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリプロピレン、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹
脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、
ならびにこれらの樹脂の繰り返し単位のうち2つ以上を
含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、スチレン−アクリル共重合体、塩化ビニル−酢酸
ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の
ほか、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半
導体が挙げられる。これらのバインダーは単独または2
種類以上の混合物として用いることができる。バインダ
ー樹脂の量は、電荷発生材料1重量部に対し0〜5重量
部、好ましくは0.1〜3重量部が適当である。As the binder resin, any conventionally known binder resin having good insulating properties can be used, and there is no particular limitation. For example, polyethylene, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polystyrene resin, phenoxy resin, polypropylene, acrylic resin, methacrylic resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, epoxy resin, polyurethane resin, phenol resin, polyester resin, alkyd resin, polycarbonate resin, Polyamide resin, silicone resin, addition polymerization type resin such as melamine resin, polyaddition type resin, polycondensation type resin,
And copolymer resins containing two or more of the repeating units of these resins, such as vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, styrene-acryl copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer resin, and the like. In addition to the insulating resin described above, a polymer organic semiconductor such as poly-N-vinyl carbazole may be used. These binders can be used alone or
It can be used as a mixture of more than one kind. The amount of the binder resin is suitably 0 to 5 parts by weight, preferably 0.1 to 3 parts by weight, per 1 part by weight of the charge generating material.
【0042】電荷輸送層としては、従来公知のものが使
用できる。電荷輸送層が電荷発生層より表層側に積層さ
れる場合には、400〜450nm波長域範囲の単色光
を透過する必要がある。その場合の好ましい例としては
以下のようである。As the charge transport layer, conventionally known ones can be used. When the charge transport layer is laminated on the surface side of the charge generation layer, it is necessary to transmit monochromatic light in the wavelength range of 400 to 450 nm. Preferred examples in that case are as follows.
【0043】電荷輸送層に用いられるバインダー樹脂と
しては、例えば具体的にポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロ
ース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン
樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬
化性樹脂が挙げられる。Specific examples of the binder resin used for the charge transport layer include polystyrene, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-maleic anhydride copolymer, polyester, polyvinyl chloride, and chloride. Vinyl-vinyl acetate copolymer, polyvinyl acetate, polyvinylidene chloride, polyarylate, phenoxy resin, polycarbonate, cellulose acetate resin, ethyl cellulose resin, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyvinyl toluene, poly-N-vinyl carbazole, acrylic resin, Thermoplastic or thermosetting resins such as silicone resin, epoxy resin, melamine resin, urethane resin, phenol resin, and alkyd resin are exemplified.
【0044】中でも、バインダー樹脂が下記一般式(化
2)及び/または(化3)で示されるものやポリアリレ
ート樹脂またはポリアリレート樹脂とポリカーボネート
樹脂のポリマーアロイ樹脂やポリアリレート樹脂とポリ
エチレンテレフタレート樹脂とのポリマーアロイ樹脂が
好適である。Among them, a binder resin represented by the following general formula (Chemical Formula 2) and / or (Chemical Formula 3), a polymer alloy resin of a polyarylate resin or a polyarylate resin and a polycarbonate resin, a polyarylate resin and a polyethylene terephthalate resin Are suitable.
【化2】 Embedded image
【化3】 (R4、R5、R6、R7はそれぞれ独立して水素原子、置
換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表
し、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。Xは
脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基を表し、Yは単結
合、炭素原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキレン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2
−、−CO−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは
脂肪族の2価基を表す。)または、Embedded image (R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group or a halogen atom, or a substituted or unsubstituted aryl group. X represents an aliphatic 2 Y represents a single bond, a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, -O-, -S-, -SO-,- SO 2
—, —CO—, —CO—O—Z—O—CO— (wherein Z represents an aliphatic divalent group) or
【化4】 (式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R8、R9は置換または無置換のアルキル基又はアリ
ール基を表す。ここで、R8とR9は、それぞれ同一でも
異なってもよい。p、qは組成を表し0.1≦p≦1、
0≦q≦0.9、nは繰り返し単位数を表し5〜500
0の整数である)を表わす。具体的には以下の構造のも
のがあげられるがこれらに限定されるものではない。Embedded image (In the formula, a is an integer of 1 to 20, b is an integer of 1 to 2000, R 8 and R 9 represent a substituted or unsubstituted alkyl group or an aryl group. Here, R 8 and R 9 represent P and q represent compositions, and 0.1 ≦ p ≦ 1;
0 ≦ q ≦ 0.9, n represents the number of repeating units, and is 5 to 500.
Which is an integer of 0). Specific examples include those having the following structures, but are not limited thereto.
【0045】[0045]
【表1】 [Table 1]
【0046】[0046]
【表2】 [Table 2]
【0047】また、本発明の電荷輸送層に用いられる電
荷輸送材料には正孔輸送材料と電子輸送材料があり、こ
れらには以下のものが挙げられる。The charge transporting material used in the charge transporting layer of the present invention includes a hole transporting material and an electron transporting material. These include the following.
【0048】正孔輸送材料としては、例えば、ポリ−N
−カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルム
アルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、
ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下
の一般式で示される化合物がある。As the hole transporting material, for example, poly-N
Carbazole and its derivatives, poly-γ-carbazolylethyl glutamate and its derivatives, pyrene-formaldehyde condensate and its derivatives, polyvinylpyrene,
There are polyvinylphenanthrene, oxazole derivatives, imidazole derivatives, triphenylamine derivatives, and compounds represented by the following general formula.
【0049】[0049]
【化5】 (式中、R1はメチル基、エチル基、2−ヒドロキシエ
チル基または2−クロルエチル基を表し、R2はメチル
基、エチル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、R
3は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数1〜4のア
ルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ジアルキルア
ミノ基またはニトロ基を表す。)Embedded image (Wherein, R 1 represents a methyl group, an ethyl group, a 2-hydroxyethyl group or a 2-chloroethyl group, R 2 represents a methyl group, an ethyl group, a benzyl group or a phenyl group;
3 represents a hydrogen atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a dialkylamino group or a nitro group. )
【0050】[0050]
【化6】 (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、ピレン
環及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環、
チオフェン環を表し、Rはアルキル基、フェニル基また
はベンジル基を表す。)Embedded image (Wherein, Ar represents a naphthalene ring, an anthracene ring, a pyrene ring and a substituted product thereof, a pyridine ring, a furan ring,
Represents a thiophene ring, and R represents an alkyl group, a phenyl group or a benzyl group. )
【0051】[0051]
【化7】 (式中、R1はアルキル基、ベンジル基、フェニル基ま
たはナフチル基を表し、R2は水素原子、炭素数1〜3
のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジアルキ
ルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリールア
ミノ基を表し、nは1〜4の整数を表し、nが2以上の
ときはR2は同じでも異なっていても良い。R3は水素原
子またはメトキシ基を表す。)Embedded image (Wherein, R 1 represents an alkyl group, a benzyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; R 2 represents a hydrogen atom, a carbon number of 1 to 3;
Represents an alkyl group, an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, a dialkylamino group, a diaralkylamino group or a diarylamino group, n represents an integer of 1 to 4, and when n is 2 or more, even if R 2 is the same, It may be different. R 3 represents a hydrogen atom or a methoxy group. )
【0052】[0052]
【化8】 (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換もし
くは無置換のフェニル基または複素環基を表し、R2、
R3はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシアルキル
基、クロルアルキル基または置換もしくは無置換のアラ
ルキル基を表し、また、R2とR3は互いに結合し窒素を
含む複素環を形成していても良い。R4は同一でも異な
っていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル
基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。)Embedded image (In the formula, R 1 represents an alkyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group or a heterocyclic group 1 to 11 carbon atoms, R 2,
R 3 may be each the same or different, represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyalkyl group, a chloroalkyl group, or a substituted or unsubstituted aralkyl group, also, R 2 and R 3 It may combine with each other to form a nitrogen-containing heterocyclic ring. R 4 may be the same or different and represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group or a halogen atom. )
【0053】[0053]
【化9】 (式中、Rは水素原子またはハロゲン原子を表し、Ar
は置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アン
トリル基またはカルバゾリル基を表す。)Embedded image (Wherein, R represents a hydrogen atom or a halogen atom;
Represents a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, anthryl group or carbazolyl group. )
【0054】[0054]
【化10】 (式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭
素数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4のアルキ
ル基を表し、ArはEmbedded image (Wherein, R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and Ar is
【化11】 (R2は炭素数1〜4のアルキル基を表し、R3は水素原
子、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数
1〜4のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を表
し、nは1または2であって、nが2のときはR3は同
一でも異なっていてもよく、R4、R5は水素原子、炭素
数1〜4の置換もしくは無置換のアルキル基または置換
もしくは無置換のベンジル基を表す)を表わす。Embedded image (R 2 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 3 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a dialkylamino group; When n is 2, R 3 may be the same or different, and R 4 and R 5 are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a substituted or unsubstituted alkyl group. Represents a substituted benzyl group).
【0055】[0055]
【化12】 (式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル
基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ置換もし
くは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基、ま
たはアントリル基であって、これらの置換基がジアルキ
ルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基
またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラル
キルアミノ基、N−アルキル−N−アラルキルアミノ
基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基からなる
群から選ばれた基を表す。)Embedded image Wherein R is a carbazolyl group, a pyridyl group, a thienyl group, an indolyl group, a furyl group or a substituted or unsubstituted phenyl group, a styryl group, a naphthyl group, or an anthryl group, and these substituents are dialkylamino Group, alkyl group, alkoxy group, carboxy group or ester thereof, halogen atom, cyano group, aralkylamino group, N-alkyl-N-aralkylamino group, amino group, nitro group and acetylamino group Represents a group.)
【0056】[0056]
【化13】 (式中、R1は低級アルキル基、置換もしくは無置換の
フェニル基、またはベンジル基を表し、R2は水素原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキル基または
ベンジル基で置換されたアミノ基を表し、nは1または
2の整数を表す。)Embedded image (Wherein, R 1 represents a lower alkyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group, or a benzyl group, and R 2 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group, a halogen atom, a nitro group, an amino group, or a lower alkyl group. Represents an amino group substituted with a benzyl group or a benzyl group, and n represents an integer of 1 or 2.)
【0057】[0057]
【化14】 (式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表し、R2およびR3はアルキル基、
置換もしくは無置換のアラルキル基あるいは置換もしく
は無置換のアリール基を表し、R4は水素原子、低級ア
ルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表
し、また、Arは置換もしくは無置換のフェニル基また
はナフチル基を表す。)Embedded image (Wherein, R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, and R 2 and R 3 represent an alkyl group,
Represents a substituted or unsubstituted aralkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, R 4 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a substituted or unsubstituted phenyl group, and Ar represents a substituted or unsubstituted phenyl group or Represents a naphthyl group. )
【0058】[0058]
【化15】 (式中、nは0または1の整数、R1は水素原子、アル
キル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、
Ar1は置換もしくは未置換のアリール基を表し、R5は
置換アルキル基を含むアルキル基、あるいは置換もしく
は無置換のアリール基を表し、AはEmbedded image (Wherein, n is an integer of 0 or 1, R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a substituted or unsubstituted phenyl group,
Ar 1 represents a substituted or unsubstituted aryl group; R 5 represents an alkyl group containing a substituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group;
【化16】 9−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾ
リル基を表し、ここでR 2は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子またはEmbedded image9-anthryl group or substituted or unsubstituted carbazo
Represents a aryl group, where R TwoRepresents a hydrogen atom, an alkyl group,
Alkoxy group, halogen atom or
【化17】 (ただし、R3およびR4はアルキル基、置換もしくは無
置換のアラルキル基または置換もしくは無置換のアリー
ル基を示し、R3およびR4は同じでも異なっていてもよ
く、R4は環を形成してもよく、mが2以上の時はR2は
同一でも異なっても良い。)また、nが0の時、AとR
1は共同で環を形成しても良い。)Embedded image (However, R 3 and R 4 represent an alkyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, R 3 and R 4 may be the same or different, and R 4 forms a ring When m is 2 or more, R 2 may be the same or different.) When n is 0, A and R
1 may form a ring together. )
【0059】[0059]
【化18】 (式中、R1、R2およびR3は水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはジアルキル
アミノ基を表し、nは0または1を表す。)Embedded image (In the formula, R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group, a halogen atom or a dialkylamino group, and n represents 0 or 1.)
【0060】[0060]
【化19】 (式中、R1およびR2は置換アルキル基を含むアルキル
基、または置換もしくは未置換のアリール基を表し、A
は置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基また
はアリル基を表す。)Embedded image (Wherein R 1 and R 2 represent an alkyl group containing a substituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group;
Represents a substituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group or an allyl group. )
【0061】[0061]
【化20】 (式中、Xは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン
原子を表し、Rは置換アルキル基を含むアルキル基、ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を表し、Aは置換
アミノ基または置換もしくは無置換のアリール基を表
す。)Embedded image (Wherein, X represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogen atom, R represents an alkyl group containing a substituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group, and A represents a substituted amino group or a substituted or unsubstituted group. Represents an aryl group.)
【0062】[0062]
【化21】 (式中、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基また
はハロゲン原子を表し、R2、R3は同じでも異なってい
てもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基またはハロゲン原子を表し、l、m、nは0〜4の整
数を表す。)Embedded image (Wherein, R 1 represents a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom, and R 2 and R 3 may be the same or different and represent a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom; l, m, and n represent an integer of 0 to 4.)
【0063】[0063]
【化22】 (式中、R1、R3およびR4は水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子または置換もしくは無置換のアリール基
を、R2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置
換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。ただし、R
1、R2、R3およびR4はすべて水素原子である場合は除
く。また、k,l,mおよびnは1、2、3または4の
整数であり、それぞれが2、3または4の整数の時は、
前記R1、R2、R3およびR4は同じでも異なっていても
良い。)Embedded image (Wherein R 1 , R 3 and R 4 are a hydrogen atom, an amino group, an alkoxy group, a thioalkoxy group, an aryloxy group, a methylenedioxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group,
R 2 represents a hydrogen atom, an alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group or a halogen atom; Where R
1 , R 2 , R 3 and R 4 are excluded unless they are all hydrogen atoms. Further, k, l, m and n are integers of 1, 2, 3 or 4, and when each is an integer of 2, 3 or 4,
R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different. )
【0064】[0064]
【化23】 (式中、Arは置換基を有してもよい炭素数18個以下
の縮合多環式炭化水素基を表し、また、R1およびR2は
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基
を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。nは1
もしくは2の整数を表す。)Embedded image (Wherein, Ar represents a condensed polycyclic hydrocarbon group having 18 or less carbon atoms which may have a substituent, and R 1 and R 2 represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl Group, an alkoxy group, a substituted or unsubstituted phenyl group, which may be the same or different, and n is 1
Alternatively, it represents an integer of 2. )
【0065】[0065]
【化24】 (式中、Arは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基
を表し、AはEmbedded image (In the formula, Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, and A represents
【化25】 (ただし、Arは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基を表し、R1およびR2は置換もしくは無置換のアルキ
ル基、または置換もしくは無置換のアリール基である)
を表す。)Embedded image (However, Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, and R 1 and R 2 are a substituted or unsubstituted alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group.)
Represents )
【0066】[0066]
【化26】 (式中、Arは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基
を、Rは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、
または置換もしくは無置換のアリール基を表す。nは0
または1、mは1または2であって、n=0、m=1の
場合、ArとRは共同で環を形成しても良い。)Embedded image (Wherein, Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, R represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group,
Or a substituted or unsubstituted aryl group. n is 0
Or, 1 and m are 1 or 2, and when n = 0 and m = 1, Ar and R may form a ring together. )
【0067】一般式化5で表される化合物には、例え
ば、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−1−メ
チル−1−フェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾー
ル−3−アルデヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒド
ラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−
1,1−ジフェニルヒドラゾンなどがある。The compounds represented by the general formula 5 include, for example, 9-ethylcarbazole-3-aldehyde-1-methyl-1-phenylhydrazone, 9-ethylcarbazole-3-aldehyde-1-benzyl-1-benzyl. Phenylhydrazone, 9-ethylcarbazole-3-aldehyde-
Examples include 1,1-diphenylhydrazone.
【0068】一般式化6で表される化合物には、例え
ば、4−ジエチルアミノスチリル−β−アルデヒド−1
−メチル−1−フェニルヒドラゾン、4−メトキシナフ
タレン−1−アルデヒド−1−ベンジル−1−フェニル
ヒドラゾンなどがある。The compound represented by the general formula 6 includes, for example, 4-diethylaminostyryl-β-aldehyde-1
-Methyl-1-phenylhydrazone, 4-methoxynaphthalene-1-aldehyde-1-benzyl-1-phenylhydrazone and the like.
【0069】一般式化7で表される化合物には、例え
ば、4−メトキシベンズアルデヒド−1−メチル−1−
フェニルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデ
ヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒ
ドラゾン、4−メトキシベンズアルデヒド−1−(4−
メトキシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノ
ベンズアルデヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒドラ
ゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−1,1
−ジフェニルヒドラゾンなどがある。Compounds represented by the general formula 7 include, for example, 4-methoxybenzaldehyde-1-methyl-1-
Phenylhydrazone, 2,4-dimethoxybenzaldehyde-1-benzyl-1-phenylhydrazone, 4-diethylaminobenzaldehyde-1,1-diphenylhydrazone, 4-methoxybenzaldehyde-1- (4-
Methoxy) phenylhydrazone, 4-diphenylaminobenzaldehyde-1-benzyl-1-phenylhydrazone, 4-dibenzylaminobenzaldehyde-1,1
-Diphenylhydrazone and the like.
【0070】一般式化8で表される化合物には、例え
ば、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プ
ロパン、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プ
ロパン、2,2−ジメチル−4,4−ビス(ジエチルア
ミノ)−トリフェニルメタンなどがある。The compounds represented by the general formula 8 include, for example, 1,1-bis (4-dibenzylaminophenyl) propane, tris (4-diethylaminophenyl) methane, 1,1-bis (4-diphenyl (Benzylaminophenyl) propane, 2,2-dimethyl-4,4-bis (diethylamino) -triphenylmethane and the like.
【0071】一般式化9で表される化合物には、例え
ば、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセ
ン、9−ブロム−10−(4−ジエチルアミノスチリ
ル)アントラセンなどがある。The compounds represented by the general formula 9 include, for example, 9- (4-diethylaminostyryl) anthracene and 9-bromo-10- (4-diethylaminostyryl) anthracene.
【0072】一般式化10で表される化合物には、例え
ば、9−(4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオレ
ン、3−(9−フルオレニリデン)−9−エチルカルバ
ゾールなどがある。The compounds represented by the general formula 10 include, for example, 9- (4-dimethylaminobenzylidene) fluorene and 3- (9-fluorenylidene) -9-ethylcarbazole.
【0073】一般式化12で表される化合物には、例え
ば、1,2−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベン
ゼン、1,2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベ
ンゼンなどがある。Examples of the compound represented by the general formula 12 include 1,2-bis (4-diethylaminostyryl) benzene and 1,2-bis (2,4-dimethoxystyryl) benzene.
【0074】一般式化13で表される化合物には、例え
ば、3−スチリル−9−エチルカルバゾール、3−(4
−メトキシスチリル)−9−エチルカルバゾールなどが
ある。Compounds represented by the general formula (13) include, for example, 3-styryl-9-ethylcarbazole, 3- (4
-Methoxystyryl) -9-ethylcarbazole and the like.
【0075】一般式化14で表される化合物には、例え
ば、4−ジフェニルアミノスチルベン、4−ジベンジル
アミノスチルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1
−(4−ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1−
(4−ジエチルアミノスチリル)ナフタレンなどがあ
る。Compounds represented by general formula 14 include, for example, 4-diphenylaminostilbene, 4-dibenzylaminostilbene, 4-ditolylaminostilbene,
-(4-diphenylaminostyryl) naphthalene, 1-
(4-Diethylaminostyryl) naphthalene and the like.
【0076】一般式化15で表される化合物には、例え
ば、4’−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベ
ン、4’−ビス(4−メチルフェニル)アミノ−α−フ
ェニルスチルベンなどがある。The compound represented by the general formula 15 includes, for example, 4'-diphenylamino-α-phenylstilbene, 4'-bis (4-methylphenyl) amino-α-phenylstilbene and the like.
【0077】一般式化18で表される化合物には、例え
ば、1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン
などがある。The compound represented by the general formula 18 includes, for example, 1-phenyl-3- (4-diethylaminostyryl) -5- (4-diethylaminophenyl) pyrazolin.
【0078】一般式化19で表される化合物には、例え
ば、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール、2−N,N−ジフェニ
ルアミノ−5−(4−ジエチルアミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、2−(4−ジメチルアミノ
フェニル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾールなどがある。The compound represented by the general formula 19 includes, for example, 2,5-bis (4-diethylaminophenyl)-
1,3,4-oxadiazole, 2-N, N-diphenylamino-5- (4-diethylaminophenyl) -1,
3,4-oxadiazole, 2- (4-dimethylaminophenyl) -5- (4-diethylaminophenyl)-
1,3,4-oxadiazole and the like.
【0079】一般式化20で表される化合物には、例え
ば、2−N,N−ジフェニルアミノ−5−(N−エチル
カルバゾール−3−イル)−1,3,4−オキサジアゾ
ール、2−(4−ジエチルアミノフェニル)−5−(N
−エチルカルバゾール−3−イル)−1,3,4−オキ
サジアゾールなどがある。The compound represented by the general formula 20 includes, for example, 2-N, N-diphenylamino-5- (N-ethylcarbazol-3-yl) -1,3,4-oxadiazole, -(4-diethylaminophenyl) -5- (N
-Ethylcarbazol-3-yl) -1,3,4-oxadiazole and the like.
【0080】一般式化21で表されるベンジジン化合物
には、例えば、N,N−ジフェニル−N,N−ビス(3
−メチルフェニル)−[1,1−ビフェニル]−4,4
−ジアミン、3,3−ジメチル−N,N,N,N−テト
ラキス(4−メチルフェニル)−[1,1−ビフェニ
ル]−4,4−ジアミンなどがある。The benzidine compound represented by the general formula (21) includes, for example, N, N-diphenyl-N, N-bis (3
-Methylphenyl)-[1,1-biphenyl] -4,4
-Diamine and 3,3-dimethyl-N, N, N, N-tetrakis (4-methylphenyl)-[1,1-biphenyl] -4,4-diamine.
【0081】一般式化22で表されるビフェニリルアミ
ン化合物には、例えば、4−メトキシ−N,N−ジフェ
ニル−[1,1−ビフェニル]−4−アミン、4−メチ
ル−N,N−ビス(4−メチルフェニル)−[1,1−
ビフェニル]−4−アミン、4−メトキシ−N,N−ビ
ス(4−メチルフェニル)−[1,1−ビフェニル]−
4−アミン、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニ
ル)−[1,1−ビフェニル]−4−アミンなどがあ
る。Examples of the biphenylylamine compound represented by the general formula 22 include 4-methoxy-N, N-diphenyl- [1,1-biphenyl] -4-amine and 4-methyl-N, N- Bis (4-methylphenyl)-[1,1-
Biphenyl] -4-amine, 4-methoxy-N, N-bis (4-methylphenyl)-[1,1-biphenyl]-
4-amine, N, N-bis (3,4-dimethylphenyl)-[1,1-biphenyl] -4-amine and the like.
【0082】一般式化23で表されるトリアリールアミ
ン化合物には、例えば、1−ジフェニルアミノピレン、
1−ジ(p−トリルアミノ)ピレン、N,N−ジ(p−
トリル)−1−ナフチルアミン、N,N−ジ(p−トリ
ル)−1−フェナントリルアミン、9,9−ジメチル−
2−(ジ−p−トリルアミノ)フルオレン、N,N,
N,N−テトラキス(4−メチルフェニル)−フェナン
トレン−9,10−ジアミン、N,N,N,N−テトラ
キス(3−メチルフェニル)−m−フェニレンジアミン
などがある。The triarylamine compound represented by the general formula (23) includes, for example, 1-diphenylaminopyrene,
1-di (p-tolylamino) pyrene, N, N-di (p-
Tolyl) -1-naphthylamine, N, N-di (p-tolyl) -1-phenanthrylamine, 9,9-dimethyl-
2- (di-p-tolylamino) fluorene, N, N,
N, N-tetrakis (4-methylphenyl) -phenanthrene-9,10-diamine, N, N, N, N-tetrakis (3-methylphenyl) -m-phenylenediamine and the like.
【0083】また、一般式化24で表されるジオレフィ
ン芳香族化合物には、例えば、1,4−ビス(4−ジフ
ェニルアミノスチリル)ベンゼン、1,4−ビス[4−
ジ(p−トリル)アミノスチリル]ベンゼンなどがあ
る。また、一般式化23で表されるスチリルピレン化合
物には、例えば、1−(4−ジフェニルアミノスチリ
ル)ピレン、1−[4−ジ(p−トリル)アミノスチリ
ル]ピレンなどがある。The diolefin aromatic compounds represented by the general formula (24) include, for example, 1,4-bis (4-diphenylaminostyryl) benzene, 1,4-bis [4-
Di (p-tolyl) aminostyryl] benzene. Examples of the styrylpyrene compound represented by the general formula 23 include 1- (4-diphenylaminostyryl) pyrene, 1- [4-di (p-tolyl) aminostyryl] pyrene, and the like.
【0084】高分子型電荷輸送材料としては例えば、ポ
リ−N−カルバゾール誘導体、ポリ−γ−カルバゾリル
エチルグルタメート誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮合物誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナン
トレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ア
セトフェノン誘導体(特開平7−325409号公報に
記載)、ジスチリルベンゼン誘導体、ジフェネチルベン
ゼン誘導体(特開平9−127713号公報に記載)、
α−フェニルスチルベン誘導体(特開平9−29741
9号公報に記載)、ブタジエン誘導体(特開平9−80
783号公報に記載)、水素化ブタジエン(特開平9−
80784号公報に記載)、ジフェニルシクロヘキサン
誘導体(特開平9−80772号公報に記載)、ジスチ
リルトリフェニルアミン誘導体(特開平9−22274
0号公報に記載)、ジフェニルジスチリルベンゼン誘導
体(特開平9−265197号、同9−265201号
公報に記載)、スチルベン誘導体(特開平9−2118
77号公報に記載)、m−フェニレンジアミン誘導体
(特開平9−304956号、同9−304957号公
報に記載)、レゾルシン誘導体(特開平9−32990
7号公報に記載)、トリアリールアミン誘導体(特開昭
64−9964号、特開平7−199503号、特開平
8−176293号、特開平8−208820号、特開
平8−253568号、特開平8−269446号、特
開平3−221522号、特開平4−11627号、特
開平4−183719号、特開平4−124163号、
特開平4−320420号、特開平4−316543
号、特開平5−310904号、特開平7−56374
号、特開平8−62864号各公報、米国特許5,42
8,090号、同5,486,439号各明細書)など
が挙げられる。Examples of the polymer type charge transport material include poly-N-carbazole derivatives, poly-γ-carbazolylethyl glutamate derivatives, pyrene-formaldehyde condensate derivatives, polyvinylpyrene, polyvinylphenanthrene, oxazole derivatives, imidazole derivatives, Acetophenone derivatives (described in JP-A-7-325409), distyrylbenzene derivatives, diphenethylbenzene derivatives (described in JP-A-9-127713),
α-phenylstilbene derivatives (JP-A-9-29741)
No. 9), butadiene derivatives (JP-A-9-80)
No. 783), hydrogenated butadiene (Japanese Unexamined Patent Publication No.
80784), diphenylcyclohexane derivatives (described in JP-A-9-80772), and distyryltriphenylamine derivatives (described in JP-A-9-22274).
0), diphenyldistyrylbenzene derivatives (described in JP-A-9-265197 and JP-A-9-265201), and stilbene derivatives (described in JP-A-9-2118).
No. 77), m-phenylenediamine derivatives (described in JP-A-9-304957 and JP-A-9-304957), resorcinol derivatives (described in JP-A-9-32990)
No. 7), triarylamine derivatives (JP-A-64-9964, JP-A-7-199503, JP-A-8-176293, JP-A-8-208820, JP-A-8-253568, JP-A-8-253568) 8-269446, JP-A-3-221522, JP-A-4-11627, JP-A-4-183719, JP-A-4-124163,
JP-A-4-320420, JP-A-4-316543
JP-A-5-310904, JP-A-7-56374
JP-A-8-62864, U.S. Pat.
8,090 and 5,486,439).
【0085】これら高分子型電荷輸送材料の一例(P1
〜P27)を挙げるが、形式は単重合体、ランダム共重
合体、交互共重合体、ブロック共重合体の形式であって
も、これに限定されるものではない。One example of these polymer type charge transport materials (P1
To P27), but the format is not limited to a homopolymer, a random copolymer, an alternating copolymer, or a block copolymer.
【0086】[0086]
【表3】 [Table 3]
【0087】[0087]
【表4】 [Table 4]
【0088】[0088]
【表5】 [Table 5]
【0089】[0089]
【表6】 [Table 6]
【0090】[0090]
【表7】 [Table 7]
【0091】[0091]
【表8】 [Table 8]
【0092】これらの電荷輸送材料は単独または2種類
以上混合して用いてもよい。電荷輸送材料の量はバイン
ダー樹脂100重量部に対し、20〜300重量部、好
ましくは40〜150重量部が適当である。電荷輸送層
形成で用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベ
ンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエ
チルケトン、アセトンなどが用いられる。These charge transporting materials may be used alone or in combination of two or more. The amount of the charge transporting material is suitably 20 to 300 parts by weight, preferably 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the binder resin. Examples of the solvent used for forming the charge transport layer include tetrahydrofuran,
Dioxane, toluene, dichloromethane, monochlorobenzene, dichloroethane, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetone and the like are used.
【0093】表面保護層としては、電荷輸送層よりも上
層に形成されるため、当然400〜450nm波長域範
囲の単色照射光をできるだけ吸収しないことが必要であ
る。使用される材料としてはABS樹脂、ACS樹脂、
オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエー
テル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、
ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポ
リアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、
ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレ
ン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチ
レン、AS樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ
ウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポ
キシ樹脂等の樹脂が挙げられる。Since the surface protective layer is formed above the charge transport layer, it is naturally necessary to absorb as little as possible monochromatic irradiation light in the wavelength range of 400 to 450 nm. Materials used are ABS resin, ACS resin,
Olefin-vinyl monomer copolymer, chlorinated polyether, allyl resin, phenol resin, polyacetal,
Polyamide, polyamide imide, polyacrylate, polyallyl sulfone, polybutylene, polybutylene terephthalate, polycarbonate, polyether sulfone,
Resins such as polyethylene, polyethylene terephthalate, polyimide, acrylic resin, polymethylbenten, polypropylene, polyphenylene oxide, polysulfone, polystyrene, AS resin, butadiene-styrene copolymer, polyurethane, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and epoxy resin Can be
【0094】保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目
的でポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂、シ
リコーン樹脂、及びこれらの樹脂に硬度の高い無機フィ
ラーや有機フィラーを添加することができる。これらフ
ィラーの平均粒径は0.02μm〜3μm好ましくは
0.05〜1μmが使用される。粒径がこれより小さい
場合は表面保護層の耐摩耗性が弱くなり、高寿命な画像
形成装置が得られない。粒径が大きい場合は、光の散乱
により解像度低下を引き起こす。For the purpose of improving abrasion resistance, a fluorine resin such as polytetrafluoroethylene, a silicone resin, and an inorganic or organic filler having high hardness can be added to these resins. The average particle size of these fillers is 0.02 μm to 3 μm, preferably 0.05 to 1 μm. If the particle size is smaller than this, the abrasion resistance of the surface protective layer becomes weak, and a long-life image forming apparatus cannot be obtained. When the particle size is large, light scattering causes a reduction in resolution.
【0095】フィラーの具体例としては、酸化チタン、
酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウ
ム、窒化ケイ素、酸化カルシウム、硫酸バリウム、IT
O、シリカ、コロイダルシリカ、アルミナ、カーボンブ
ラック、フッ素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微
粉末、高分子電荷輸送材料微粉末の中のいずれか一種も
しくは混合物を挙げることができる。Specific examples of the filler include titanium oxide,
Tin oxide, zinc oxide, zirconium oxide, indium oxide, silicon nitride, calcium oxide, barium sulfate, IT
One or a mixture of O, silica, colloidal silica, alumina, carbon black, fine powder of fluorine resin, fine powder of polysiloxane resin, and fine powder of polymer charge transport material can be given.
【0096】これらフィラーは分散性向上、表面性改質
などの理由から無機物、有機物で表面処理されてもよ
い。一般に撥水性処理としてシランカップリング剤で処
理したもの、あるいはフッ素系シランカップリング剤処
理したもの、高級脂肪酸処理もしくは高分子材料などと
共重合処理させたものがあげられ、無機物処理としては
フィラー表面をアルミナ、ジルコニア、酸化スズ、シリ
カ処理したものなどがあげられる。These fillers may be surface-treated with an inorganic substance or an organic substance for reasons such as improvement in dispersibility and improvement in surface properties. In general, those treated with a silane coupling agent as a water-repellent treatment, those treated with a fluorinated silane coupling agent, those treated with a higher fatty acid or copolymerized with a polymer material, etc., are used. Which are treated with alumina, zirconia, tin oxide, or silica.
【0097】フィラーはバインダー樹脂および、または
電荷輸送材料、分散溶媒とともに粉砕、もしくはそのま
ま分散し、感光層として塗工される。形成した表面保護
層中のフィラー含有量は5〜50重量%で、好ましくは
10〜40重量%であり、10重量%以下であると耐摩
耗性の点で十分ではなく、40重量%以上であると表面
保護層の透明性が損なわれ、感度低下をまねくこととな
る。平均粒径が0.02〜3.0μm、好ましくは0.
05〜1.0μmに粉砕、分散するのが好ましい。粒径
が大きいと表面に頭出しクリーニングブレードを傷つけ
クリーニング不良が発生し、画質が低下することとな
る。The filler is pulverized or dispersed as it is with the binder resin and / or the charge transport material and the dispersing solvent, and coated as a photosensitive layer. The content of the filler in the formed surface protective layer is 5 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight, and if it is 10% by weight or less, it is not sufficient in terms of abrasion resistance. If it is present, the transparency of the surface protective layer is impaired, resulting in a decrease in sensitivity. The average particle size is 0.02 to 3.0 μm, preferably 0.1 to 3.0 μm.
It is preferable to pulverize and disperse the particles to a size of from 0.5 to 1.0 μm. If the particle size is large, the cueing cleaning blade is damaged on the surface, resulting in poor cleaning and poor image quality.
【0098】分散溶媒としてはメチルエチルケトン、ア
セトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンの
ケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセ
ロソルブなどのエーテル類、トルエン、キシレンなどの
芳香族類、クロロベンゼン、ジクロルメタンなどのハロ
ゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類が使
用される。粉砕工程を加える場合はボールミル、サンド
ミル、振動ミルなどを用いる。Examples of the dispersion solvent include methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, ketones such as cyclohexanone, ethers such as dioxane, tetrahydrofuran and ethyl cellosolve, aromatics such as toluene and xylene, halogens such as chlorobenzene and dichloromethane, and ethyl acetate. And esters such as butyl acetate. When a pulverizing step is added, a ball mill, a sand mill, a vibration mill or the like is used.
【0099】さらに上記感光層および/または保護層中
には、帯電性の向上等を目的に、フェノール化合物、ハ
イドロキノン化合物、ヒンダードフェノール化合物、ヒ
ンダードアミン化合物、ヒンダードアミンとヒンダード
フェノールが、同一分子中に存在する化合物などを添加
することができる。Further, in the above-mentioned photosensitive layer and / or protective layer, a phenol compound, a hydroquinone compound, a hindered phenol compound, a hindered amine compound, a hindered amine and a hindered phenol are contained in the same molecule for the purpose of improving chargeability and the like. Existing compounds and the like can be added.
【0100】またさらに、可塑剤やレベリング剤を添加
してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、結
着樹脂に対して0〜30重量%程度が適当である。レベ
リング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチル
フェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類
や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあ
るいは、オリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂
に対して、0〜1重量%が適当である。Further, a plasticizer and a leveling agent may be added. As the plasticizer, those used as general plasticizers for general resins such as dibutyl phthalate and dioctyl phthalate can be used as they are, and the amount of the plasticizer is suitably about 0 to 30% by weight based on the binder resin. As the leveling agent, silicone oils such as dimethyl silicone oil and methylphenyl silicone oil, and polymers or oligomers having a perfluoroalkyl group in a side chain are used. 1% by weight is suitable.
【0101】本発明の電子写真感光体の表面における純
水に対する接触角は90゜以上が好ましい。より好まし
くは95゜以上である。純水に対する接触角が90゜以
上の場合、感光体の表面エネルギーの低下が達成され
る。感光体表面の純水に対する接触角が90゜未満の場
合、電子写真プロセスによる繰り返し使用によって表面
に帯電生成物やトナーや紙からもたらされる脱落物が付
着し易く、クリーニング不良や表面抵抗の低下による潜
像の劣化(画像流れ)を生じやすい。一方純水に対する
接触角があまり大き過ぎても、今度は感光体とトナーの
現像安定性などが不十分となるので140゜以下が好ま
しい。The contact angle of pure water on the surface of the electrophotographic photosensitive member of the present invention is preferably 90 ° or more. It is more preferably at least 95 °. When the contact angle with pure water is 90 ° or more, a reduction in the surface energy of the photoconductor is achieved. If the contact angle of the photoreceptor surface to pure water is less than 90 °, the charge product and the debris brought from the toner or paper are liable to adhere to the surface by repeated use by the electrophotographic process. The deterioration of the latent image (image deletion) is likely to occur. On the other hand, if the contact angle with pure water is too large, then the development stability of the photoconductor and the toner becomes insufficient.
【0102】電子写真感光体の表面における純水に対す
る接触角を90゜以上にするには、たとえば、ジメチル
シリコーン部、メチルフェニルシリコーン部などのシリ
コーン構造、パーフルオロアルキル構造、長鎖アルキル
構造などを有するポリマーを使用する。あるいは、フッ
素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、シリコ
ーンオイル、エステル基を有するワックス、高級脂肪酸
などを感光体に添加する。またはこれらを塗布あるいは
供給することにより達成される。さらにこれらの方法は
効果を高めるために併用して使用してもよい。In order to make the contact angle of pure water on the surface of the electrophotographic photosensitive member 90 ° or more, for example, a silicone structure such as a dimethylsilicone part or a methylphenylsilicone part, a perfluoroalkyl structure, a long-chain alkyl structure or the like is used. Use a polymer that has Alternatively, a fine powder of a fluorine resin, a fine powder of a polysiloxane resin, silicone oil, a wax having an ester group, a higher fatty acid, or the like is added to the photoreceptor. Alternatively, it is achieved by applying or supplying these. Further, these methods may be used in combination to enhance the effect.
【0103】ここで、F/C、Si/Cの意味として
は、上記にもある様に、シリコーン構造、パーフルオロ
アルキル構造を有する材料は接触角を高くし、感光体の
表面エネルギーを低下するのに非常に有効な材料であ
る。したがってこの値を規定することにより、クリーニ
ング不良などの悪影響を防ぐことができる。ここで、F
/C、Si/Cが0.01より小さいと、表面エネルギ
ーが高く効果が十分ではなく、また1.00より大きい
と、トナーの現像安定性などが不十分となるので好まし
くない。ここで、原子の比の測定法であるXPS(X線
光電子分光法)は、PHI社製1600S型で、X線源
としてMgKα(200W)を用い、0.8×2mmの
領域について測定し、10箇所の平均値として求めた。Here, as mentioned above, F / C and Si / C mean that a material having a silicone structure or a perfluoroalkyl structure increases the contact angle and lowers the surface energy of the photoreceptor. It is a very effective material. Therefore, by defining this value, it is possible to prevent adverse effects such as defective cleaning. Where F
If / C and Si / C are smaller than 0.01, the surface energy is high and the effect is not sufficient, and if / C and Si / C are larger than 1.00, the development stability of the toner becomes insufficient. Here, XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), which is a method of measuring the ratio of atoms, is a 1600S type manufactured by PHI, uses MgKα (200 W) as an X-ray source, and measures an area of 0.8 × 2 mm. The average was obtained at 10 points.
【0104】表面保護層を少なくとも硬化型樹脂からな
る層で構成するには、材料の分野で知られている種々の
架橋反応が使用できる。反応としては、ラジカル重合、
イオン重合、熱重合、光重合、放射線重合、プラズマC
VD法、光CVD法、などがよく知られている。たとえ
ば、特開平2−132456号公報、特開平11−28
8121号公報、特開平11−265085号公報、特
開平11−212291号公報、特開2000−664
33号公報などがある。In order to form the surface protective layer with at least a layer made of a curable resin, various cross-linking reactions known in the field of materials can be used. The reaction includes radical polymerization,
Ion polymerization, thermal polymerization, photopolymerization, radiation polymerization, plasma C
The VD method, the photo CVD method, and the like are well known. For example, JP-A-2-132456, JP-A-11-28
JP-A-8121, JP-A-11-265085, JP-A-11-212291, JP-A-2000-664
No. 33 publication.
【0105】電荷輸送機能を併せて持たせるために電荷
輸送機能を有する材料、または高分子型電荷輸送材料を
架橋反応させてもよい。これらについては、たとえば、
特開2000−147814号公報、特開2000−1
47804号公報、特開2000−122322号公報
などに記述の材料、方法が使用できる。A material having a charge-transporting function or a polymer-type charge-transporting material may be subjected to a cross-linking reaction so as to have a charge-transporting function. For these, for example,
JP-A-2000-147814, JP-A-2000-1
The materials and methods described in JP-A-47804 and JP-A-2000-122322 can be used.
【0106】表面エネルギーの低い硬化した保護層を実
現させるために、たとえば、特開平11−95474号
公報、特開2000−131860号公報などに開示さ
れる方法でシリコーン構造、パーフルオロアルキル構
造、長鎖アルキル構造などを有する材料を架橋反応させ
てもよい。In order to realize a hardened protective layer having a low surface energy, for example, a silicone structure, a perfluoroalkyl structure, or a long-chain structure can be obtained by the methods disclosed in JP-A-11-95474 and JP-A-2000-131860. A material having a chain alkyl structure or the like may be subjected to a crosslinking reaction.
【0107】感光体の磨耗性を制御する機構としては、
特開平8−20226号公報、特開平11−21239
8号公報、特開平11−219087号公報、特開平1
1−311928号公報、特開2000−047523
号公報、特開2000−098838号公報、特開20
00−147946号公報などに記載の方法がある。こ
れらの中には潤滑剤としてステアリン酸亜鉛、シリコー
ンオイル、フッ素系のオイル、フッ素を含有する高分子
などが例示され、これら潤滑剤を感光体表面に塗布およ
び、または供給し極薄膜を形成することにより低表面エ
ネルギーとし、低磨耗および高画質な電子写真装置が提
供される。The mechanism for controlling the abrasion of the photosensitive member is as follows.
JP-A-8-20226, JP-A-11-21239
No. 8, JP-A-11-219087, JP-A-11-219087
1-311928, JP-A-2000-047523
JP, JP-A-2000-098838, JP-A-20
There is a method described in, for example, JP-A-00-147946. These include zinc stearate, silicone oil, fluorine-based oil, fluorine-containing polymers, and the like as lubricants, and apply and / or supply these lubricants to the surface of the photoreceptor to form an extremely thin film. This provides an electrophotographic apparatus having low surface energy, low wear and high image quality.
【0108】帯電手段としてはコロトロン、スコロトロ
ン、固体帯電器(ソリッド・ステート・チャージャ
ー)、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられ
る。被帯電体表面に導電性ローラーの表面(表面に保護
層を有する物を含む)を直接接触させ、ローラーに電圧
を印加することで被帯電体の表面を帯電する方法や被帯
電体表面に接触帯電部材を接触させ、この接触帯電部材
に電圧を印加することで被帯電体の表面を帯電する方式
が使用される。As the charging means, known means such as a corotron, a scorotron, a solid state charger (solid state charger) and a charging roller are used. A method in which the surface of the conductive roller (including an object having a protective layer on the surface) is brought into direct contact with the surface of the member to be charged, and a voltage is applied to the roller to charge the surface of the member to be charged, or the surface of the member to be charged is contacted. A method is used in which a charging member is brought into contact, and a voltage is applied to the contact charging member to charge the surface of the member to be charged.
【0109】像露光手段としては、書き込み光源の波長
が400〜450nmの範囲に発振波長を有する半導体
レーザーもしくは発光ダイオードが使用された物であ
る。半導体レーザーを使用した場合、像露光手段の主要
構成は半導体レーザー(LD)、アパーチャー、コリメ
ートレンズ、主CYL、副CYL、ポリゴンミラー、走
査レンズ1、走査レンズ2、ミラーから構成される。L
Dの制御は画周波数65MHz以上であり、好ましくは
100MHz以上であり、さらに好ましくは130MH
z以上である。また、温度補償制御がされ、ポリゴンミ
ラーの回転数は50Krpm以上好ましくは60Krp
m以上である。光源はマルチビームで使用されるのが好
ましく、少なくとも2チャンネル、好ましくは4チャン
ネル以上が使用される。As the image exposure means, a semiconductor laser or light emitting diode having an oscillation wavelength in the range of 400 to 450 nm of the writing light source is used. When a semiconductor laser is used, the main components of the image exposure means are a semiconductor laser (LD), an aperture, a collimating lens, a main CYL, a sub CYL, a polygon mirror, a scanning lens 1, a scanning lens 2, and a mirror. L
D is controlled at an image frequency of 65 MHz or more, preferably 100 MHz or more, and more preferably 130 MHz.
z or more. In addition, temperature compensation control is performed, and the rotation speed of the polygon mirror is 50 Krpm or more, preferably 60 Krpm.
m or more. The light source is preferably used with multiple beams, at least two channels, preferably more than four channels.
【0110】現像手段としては、従来公知の現像装置が
使用できる。例えば接触現像方式や非接触現像方式が上
げられる。非接触現像方式とは静電像担持体と現像剤担
持体の間に現像剤層厚以上の間隙を空け、電界を印加し
顕画化する方法を言う。現像電圧はDCあるいはACあ
るいはDC+ACでもよい。AC現像とは静電潜像保持
体と現像剤担持体を対向させ交互電界を印加して顕画化
する方法を言う。その際、使用されるトナーの平均粒径
は4〜8μmであり、粉砕型トナーであっても重合型ト
ナーであってもよい。重合トナーの場合、モノマー及び
着色剤を含有する組成物、もしくはプレポリマー及び着
色剤を含有する組成物を液体媒体中で重合する方法によ
り生成されたトナー、又は必要に応じそのトナーを物理
的又は化学的に処理したトナー及びこれらのトナーを含
有する現像剤を表す。As a developing means, a conventionally known developing device can be used. For example, a contact development method or a non-contact development method can be used. The non-contact development method refers to a method in which a gap is provided between the electrostatic image bearing member and the developer bearing member with a thickness equal to or greater than the thickness of the developer layer, and an electric field is applied to visualize the image. The developing voltage may be DC, AC or DC + AC. AC development refers to a method in which an electrostatic latent image holding member and a developer carrying member are opposed to each other and an alternating electric field is applied to visualize the image. At this time, the average particle size of the toner used is 4 to 8 μm, and the toner may be a pulverized toner or a polymerized toner. In the case of a polymerized toner, a toner produced by a method of polymerizing a composition containing a monomer and a colorant, or a composition containing a prepolymer and a colorant in a liquid medium, or if necessary, physically or Represents chemically treated toners and developers containing these toners.
【0111】次に図面を用いて本発明の電子写真方法な
らびに電子写真装置を詳しく説明する。Next, the electrophotographic method and the electrophotographic apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0112】図2は、本発明の電子写真装置を説明する
ための概略図であり、下記するような変形例も本発明の
範疇に属するものである。図2において、感光体1は導
電性支持体上に、短波長光吸収層、電荷発生層、電荷輸
送層、表面保護層が順次積層された感光層が設けられて
いる。感光体1はドラム状の形状を示しているが、シー
ト状、エンドレスベルト状のものであっても良い。帯電
チャージャ3、転写前チャージャ7、転写チャージャ1
0、分離チャージャ11、クリーニング前チャージャ1
3には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器(ソリ
ッド・ステート・チャージャー)、帯電ローラを始めと
する公知の手段が用いられる。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the electrophotographic apparatus of the present invention, and the following modified examples also belong to the category of the present invention. In FIG. 2, a photosensitive member 1 is provided with a photosensitive layer in which a short-wavelength light absorbing layer, a charge generation layer, a charge transport layer, and a surface protective layer are sequentially laminated on a conductive support. The photoconductor 1 has a drum shape, but may have a sheet shape or an endless belt shape. Charger 3, pre-transfer charger 7, transfer charger 1
0, separation charger 11, charger 1 before cleaning
For 3, known means such as a corotron, a scorotron, a solid state charger (solid state charger), and a charging roller are used.
【0113】転写手段には、一般に上記の帯電器が使用
できるが、図に示されるように転写チャージャーと分離
チャージャーを併用したものが効果的である。As the transfer means, the above-mentioned charger can be generally used, but as shown in the figure, a combination of a transfer charger and a separation charger is effective.
【0114】画像露光部5には400〜450nmの範
囲に発振波長を有する半導体レーザーが用いられる。ま
た、除電ランプ2等の光源には、蛍光灯、タングステン
ランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光
ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)、エレ
クトロルミネッセンス(EL)などの発光物全般を用い
ることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射
するために、シャープカットフィルター、バンドパスフ
ィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフ
ィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなど
の各種フィルターを用いることもできる。For the image exposure section 5, a semiconductor laser having an oscillation wavelength in the range of 400 to 450 nm is used. In addition, as a light source such as the static elimination lamp 2, a general light emitting material such as a fluorescent lamp, a tungsten lamp, a halogen lamp, a mercury lamp, a sodium lamp, a light emitting diode (LED), a semiconductor laser (LD), and electroluminescence (EL) is used. Can be. To irradiate only light in a desired wavelength range, various filters such as a sharp cut filter, a band pass filter, a near infrared cut filter, a dichroic filter, an interference filter, and a color temperature conversion filter can be used.
【0115】かかる光源等は、図2に示される工程の他
に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング
工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、
感光体に光が照射される。The light source and the like are provided with a transfer step, a charge removal step, a cleaning step, and a pre-exposure step using light irradiation in addition to the step shown in FIG.
Light is applied to the photoconductor.
【0116】現像ユニット6により感光体1上に現像さ
れたトナーは、転写紙9に転写されるが、全部が転写さ
れるわけではなく、感光体1上に残存するトナーも生ず
る。このようなトナーは、ファーブラシ14およびブレ
ード15により、感光体より除去される。クリーニング
は、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、
クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラ
シを始めとする公知のものが用いられる。The toner developed on the photoreceptor 1 by the developing unit 6 is transferred to the transfer paper 9, but not all is transferred, and some toner remains on the photoreceptor 1. Such toner is removed from the photoconductor by the fur brush 14 and the blade 15. Cleaning may be performed only with a cleaning brush,
As the cleaning brush, a known brush such as a fur brush or a mag fur brush is used.
【0117】かかる現像手段には、公知の方法が適用さ
れるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。A known method is applied to the developing means, and a known method is also used for the charge removing means.
【0118】図3には、本発明による電子写真プロセス
の別の例を示す。感光体21は本発明の感光層を有して
おり、駆動ローラ22a、22bにより駆動され帯電器
23による帯電、光源24による像露光、現像(図示せ
ず)、帯電器25を用いる転写、光源26によるクリー
ニング前露光、ブラシ27によるクリーニング、光源2
8による除電が繰返し行なわれる。図3においては、感
光体21(勿論この場合は支持体が透光性である)に支
持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれる。FIG. 3 shows another example of the electrophotographic process according to the present invention. The photoreceptor 21 has the photosensitive layer of the present invention, is driven by drive rollers 22a and 22b, is charged by the charger 23, is exposed to light by the light source 24, is developed (not shown), and is transferred by the charger 25. Exposure before cleaning by 26, cleaning by brush 27, light source 2
8 is repeatedly performed. In FIG. 3, the photosensitive member 21 (in this case, the support is light-transmitting in this case) is irradiated with light for pre-cleaning exposure from the support side.
【0119】以上の図示した電子写真プロセスは、本発
明における実施形態を例示するものであって、もちろん
他の実施形態も可能である。例えば、図3において支持
体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感
光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照
射を支持体側から行ってもよい。The above illustrated electrophotographic process is an example of the embodiment of the present invention, and other embodiments are of course possible. For example, although the pre-cleaning exposure is performed from the support side in FIG. 3, this may be performed from the photosensitive layer side, or the image exposure and the irradiation of the static elimination light may be performed from the support side.
【0120】一方、光照射工程は、像露光、クリーニン
グ前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露
光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程
を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。On the other hand, the light irradiation step includes image exposure, pre-cleaning exposure, and charge elimination exposure. However, in addition to this, a pre-transfer exposure, a pre-exposure of image exposure, and other known light irradiation steps are provided. Light irradiation can also be performed on the body.
【0121】以上に示すような画像形成手段は、複写装
置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれ
ていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装
置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジと
は、感光体と帯電手段・現像手段・クリーニング手段の
少なくとも1つを一体に構成し、装置本体から着脱自在
としたものである。プロセスカートリッジの形状等は多
く挙げられるが、一般的な例として、図4に示すものが
挙げられる。The image forming means as described above may be fixedly incorporated in a copying apparatus, a facsimile, or a printer, or may be incorporated in the apparatus in the form of a process cartridge. The process cartridge is configured such that at least one of a photoconductor, a charging unit, a developing unit, and a cleaning unit is integrally formed and is detachable from the apparatus main body. There are many shapes and the like of the process cartridge. As a general example, the one shown in FIG.
【0122】[0122]
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて説明するが、
本発明が実施例により制約を受けるものではない。な
お、部はすべて重量部である。The present invention will be described below with reference to examples.
The present invention is not limited by the embodiments. All parts are parts by weight.
【0123】(実施例1)オイルフリーアルキッド樹脂
(大日本インキ化学社製:ベッコライトM6401)
1.5部、メラミン樹脂(大日本インキ化学社製:スー
パーベッカミンG−821)1部、ジブロモアンスアン
トロン3部、2−ブタノン22.5部の混合物をボール
ミルポットに取り、φ10mmのアルミナボールを使用
し、48時間ボールミリングして短波長光吸収層塗布液
を調製した。この塗布液を、送り0.2mm/revで
切削加工した表面粗さRz値0.5μmのアルミニウム
・シリンダー上に塗布し、130℃で20分間乾燥して
膜厚約2.5μmの短波長光吸収層を得た。この短波長
光吸収層の表面粗さは、東京精密社製の表面粗さ形状測
定器サーフコム570Aを使用し、測定距離2.5m
m、走査速度0.3mm/secで測定したところ、R
z値0.3であった。(Example 1) Oil-free alkyd resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc .: Beccolite M6401)
A mixture of 1.5 parts, 1 part of a melamine resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Super Beckamine G-821), 3 parts of dibromoanthanethrone, and 22.5 parts of 2-butanone was placed in a ball mill pot, and a φ10 mm alumina ball was taken. Was used for ball milling for 48 hours to prepare a coating solution for the short wavelength light absorbing layer. This coating solution is applied on an aluminum cylinder cut at a feed rate of 0.2 mm / rev and having a surface roughness Rz value of 0.5 μm, dried at 130 ° C. for 20 minutes, and irradiated with a short-wavelength light having a thickness of about 2.5 μm. An absorption layer was obtained. The surface roughness of the short-wavelength light-absorbing layer was measured using a surface roughness shape measuring device Surfcom 570A manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., at a measuring distance of 2.5 m
m, at a scanning speed of 0.3 mm / sec, R
The z value was 0.3.
【0124】次に下記構造式(a)で示されるビスアゾ
化合物7.5部およびポリエステル樹脂(東洋紡績社
製、バイロン200)2.5部の0.5%テトラヒドロ
フラン溶液500部をボールミル中で粉砕混合し、得ら
れた分散液を前記短波長光吸収層上に塗布し、自然乾燥
して電荷発生層を形成した。Next, 500 parts of a 0.5% tetrahydrofuran solution containing 7.5 parts of a bisazo compound represented by the following structural formula (a) and 2.5 parts of a polyester resin (Vylon 200, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was ground in a ball mill. After mixing, the resulting dispersion was applied onto the short-wavelength light-absorbing layer and air-dried to form a charge generation layer.
【化27】 Embedded image
【0125】次に、電荷輸送材料として下記構造式
(b)で示される電荷輸送材料7部とポリカーボネート
樹脂(帝人社製、パンライトC−1400)10部をテ
トラヒドロフランに溶解し、この電荷輸送層塗工液を前
記電荷発生層上に塗布し、80℃で2分間、ついで13
0℃で20分間乾燥して厚さ約14μmの電荷輸送層を
形成した。Next, as a charge transporting material, 7 parts of a charge transporting material represented by the following structural formula (b) and 10 parts of a polycarbonate resin (Panlite C-1400, manufactured by Teijin Limited) were dissolved in tetrahydrofuran. A coating solution is applied on the charge generation layer, and the coating solution is applied at 80 ° C. for 2 minutes,
After drying at 0 ° C. for 20 minutes, a charge transport layer having a thickness of about 14 μm was formed.
【化28】 Embedded image
【0126】次に、例示化合物(P9)で示される高分
子型電荷輸送材料8部、ポリテトラフルオロエチレン粒
子(平均1次粒径 0.3μm)3部をTHF40部及
びシクロヘキサノン140部に溶解し、この保護層塗工
液を電荷輸送層上に塗布し、80℃で2分間、ついで1
30℃で20分間乾燥して厚さ2μmの保護層を形成し
感光体を作成した。この保護層の最表面における表面粗
さはRz値0.6であった。Next, 8 parts of the polymer-type charge transport material represented by the exemplified compound (P9) and 3 parts of polytetrafluoroethylene particles (average primary particle size: 0.3 μm) were dissolved in 40 parts of THF and 140 parts of cyclohexanone. This protective layer coating solution was applied on the charge transport layer, and the coating solution was applied at 80 ° C. for 2 minutes.
After drying at 30 ° C. for 20 minutes, a protective layer having a thickness of 2 μm was formed to prepare a photoreceptor. The surface roughness of the outermost surface of the protective layer was an Rz value of 0.6.
【0127】この感光体について、純水に対する接触角
の測定を、接触角計CA−W型(協和界面科学社製)を
用い、液滴法にて測定した。接触角は110度であっ
た。また、別途作成した感光体について、XPSによる
表面元素の比を測定した結果、F/C=0.11であっ
た。For this photoreceptor, the contact angle to pure water was measured by a drop method using a contact angle meter CA-W type (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). The contact angle was 110 degrees. Further, the ratio of the surface elements of the separately prepared photoreceptor was measured by XPS, and as a result, F / C = 0.11.
【0128】こうして得られた電子写真感光体、帯電手
段として帯電ローラ、像露光手段として光源に発振波長
405nmの半導体レーザを搭載しビーム系をアパーチ
ャーで調節できる光学系、現像手段として2成分の現像
ユニット及びパターンジェネレーターを取り付けた作像
実験機により30μmのビーム系で得られる孤立ドット
を感光体上に形成させ、それを接着テープに転写させ、
CCDカメラにより読み取り、画像解析した。感光体の
初期帯電電位は−600Vで行い、トナーは平均粒径6
μm磁性トナーを使用した。孤立ドットの形状、再現性
を目視により評価した。The thus obtained electrophotographic photoreceptor, a charging roller as a charging means, a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 405 nm as a light source as an image exposure means, and a beam system adjustable by an aperture, and a two-component developing means as a developing means. An isolated dot obtained by a 30 μm beam system is formed on a photoreceptor by an image forming experiment machine equipped with a unit and a pattern generator, and is transferred to an adhesive tape.
The images were read by a CCD camera and analyzed. The photosensitive member was charged at an initial charging potential of -600 V.
μm magnetic toner was used. The shape and reproducibility of the isolated dot were visually evaluated.
【0129】また、上記、電子写真感光体ドラムを図2
に示した電子写真プロセスに装着し(ただし、画像露光
光源を405nmに発光を持つLDとした(ポリゴン・
ミラーによる画像書き込み))、テストチャートの画像
評価を始めと1万枚印刷後に行い、異常画像等の発生状
況を観察した。それらの結果を表9に示す。Further, the above-described electrophotographic photosensitive drum is shown in FIG.
(Except that the image exposure light source was an LD with emission at 405 nm (polygon
Image writing with a mirror)), image evaluation of the test chart was performed initially and after printing 10,000 sheets, and the occurrence of abnormal images and the like was observed. Table 9 shows the results.
【0130】(実施例2)実施例1で用いたジブロモア
ンスアントロンの代わりに、下記構造式(c)で示され
る電子輸送材料を使用した以外は実施例1と同様にアル
ミニウム・シリンダー上に短波長光吸収層、電荷発生
層、電荷輸送層を形成した。(Example 2) In the same manner as in Example 1 except that an electron transporting material represented by the following structural formula (c) was used instead of the dibromoanthanethrone used in Example 1, a short film was formed on an aluminum cylinder. A wavelength light absorption layer, a charge generation layer, and a charge transport layer were formed.
【0131】[0131]
【化29】 Embedded image
【0132】次に下記構造式(d)で示される電荷輸送
材料3部、酸化防止剤としてのジステアリル−3,3’
−チオジプロピオネ−ト0.03部、ポリスチレン樹脂
(三洋化成工業社製:SBM−700)5部、フィラー
として酸化チタン微粒子(石原産業社製CR97)2
部、THF40部及びシクロヘキサノン140部からな
る保護層塗工液を電荷輸送層上に塗布し、厚さ約2.5
μmの保護層を形成し感光体ドラムを作成した。この保
護層の最表面における表面粗さはRz値0.8であっ
た。こうして得られた電子写真感光体を実施例1と同様
に評価した。Next, 3 parts of a charge transporting material represented by the following structural formula (d) and distearyl-3,3 ′ as an antioxidant
0.03 parts of thiodipropionate, 5 parts of a polystyrene resin (SBM-700, manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.), and titanium oxide fine particles (CR97, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 2 as a filler
Layer, a protective layer coating solution consisting of 40 parts of THF and 140 parts of cyclohexanone was applied on the charge transport layer, and the thickness was about 2.5 parts.
A protective layer having a thickness of μm was formed to prepare a photosensitive drum. The surface roughness at the outermost surface of this protective layer was an Rz value of 0.8. The electrophotographic photosensitive member thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1.
【化30】 Embedded image
【0133】(実施例3)実施例2で用いた電子輸送材
料の代わりに、下記構造式(e)で示される電子輸送材
料を使用した以外は実施例2と同様にアルミニウム・シ
リンダー上に短波長光吸収層、電荷発生層、電荷輸送層
を形成した。(Example 3) In the same manner as in Example 2 except that an electron transporting material represented by the following structural formula (e) was used instead of the electron transporting material used in Example 2, a short film was formed on an aluminum cylinder. A wavelength light absorption layer, a charge generation layer, and a charge transport layer were formed.
【化31】 Embedded image
【0134】次に上記構造式(f)で示される電荷輸送
材料3部、弗化カーボン粒子(平均1次粒径0.2μ
m)2部、ポリカーボネート樹脂((株)帝人製パンラ
イトTS−2050)5部、フィラーとして酸化チタン
微粒子(石原産業社製CR97)2部、THF40部及
びシクロヘキサノン140部のこの保護層塗工液を電荷
輸送層上に塗布し、厚さ約1.5μmの保護層を形成し
感光体ドラムを作成した。Next, 3 parts of the charge transporting material represented by the above structural formula (f) and carbon fluoride particles (average primary particle diameter of 0.2 μm)
m) 2 parts, 5 parts of polycarbonate resin (Panlite TS-2050 manufactured by Teijin Limited), 2 parts of titanium oxide fine particles (CR97 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) as filler, 40 parts of THF, and 140 parts of cyclohexanone. Was applied onto the charge transport layer to form a protective layer having a thickness of about 1.5 μm, thereby producing a photosensitive drum.
【化32】 Embedded image
【0135】この感光体について、純水に対する接触角
の測定を、接触角計CA−W型(協和界面科学社製)を
用い、液滴法にて測定した。接触角は113度であっ
た。この保護層の最表面における表面粗さはRz値0.
7であった。また、別途作成した感光体について、XP
Sによる表面元素の比を測定した結果、F/C=0.1
であった。こうして得られた電子写真感光体を実施例1
と同様に評価した。The contact angle of the photoreceptor with respect to pure water was measured by a drop method using a contact angle meter CA-W type (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). The contact angle was 113 degrees. The surface roughness at the outermost surface of this protective layer is Rz value of 0.
It was 7. In addition, for photoconductors created separately, XP
As a result of measuring the ratio of surface elements by S, F / C = 0.1
Met. The electrophotographic photosensitive member thus obtained was used in Example 1.
Was evaluated in the same way as
【0136】(実施例4〜6、比較例1〜4)実施例1
において切削条件を変えたり、鏡面仕上げを行ったりし
てアルミ板支持体の表面粗さを表9の様に変えた以外は
同様にして感光体を作成し、評価した。その結果を表9
に示す。(Examples 4 to 6, Comparative Examples 1 to 4) Example 1
The photoreceptor was prepared and evaluated in the same manner except that the surface roughness of the aluminum plate support was changed as shown in Table 9 by changing the cutting conditions and performing mirror finishing. Table 9 shows the results.
Shown in
【0137】(比較例5、6)実施例1及び2の感光体
を図2に示した電子写真プロセスに装着し、像露光光源
に発振波長780nmの半導体レーザを使用するほかは
同様に評価した。その結果を表9に示す。Comparative Examples 5 and 6 The photosensitive members of Examples 1 and 2 were mounted in the electrophotographic process shown in FIG. 2 and evaluated in the same manner except that a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 780 nm was used as an image exposure light source. . Table 9 shows the results.
【表9】 [Table 9]
【0138】(比較例7、8)実施例2において使用す
るトナーの平均粒径を変える以外は同様にして評価し
た。その結果を表10に示す。Comparative Examples 7 and 8 Evaluations were made in the same manner as in Example 2 except that the average particle size of the toner used was changed. Table 10 shows the results.
【表10】 [Table 10]
【0139】これらの結果から本発明の電子写真感光
体、電子写真装置は、ドットの再現性に優れ、さらには
繰り返し使用によっても安定した画像が得られ、短波長
光吸収層によりモアレの発生を抑制できることがわか
る。またさらにフィラーを含む保護層を施した感光体、
表面を低表面エネルギーにすることにより耐摩耗性に優
れ、安定した超高解像度な画像を得ることが理解され
る。From these results, the electrophotographic photoreceptor and the electrophotographic apparatus of the present invention are excellent in dot reproducibility, can obtain a stable image even after repeated use, and can prevent generation of moire by the short wavelength light absorbing layer. It can be seen that it can be suppressed. A photoreceptor further provided with a protective layer containing a filler,
It is understood that by setting the surface to a low surface energy, a stable super-high-resolution image with excellent wear resistance can be obtained.
【0140】[0140]
【発明の効果】以上のように本発明では、微小ドットを
再現性良く画像形成することができ、且つ優れた耐刷性
を有することから1200dpi又は2400dpiと
いった超高解像度な画像を形成でき、且つ高耐久な部品
交換頻度の少ない両極性帯電可能な電子写真感光体、電
子写真装置、およびプロセスカートリッジを提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention, it is possible to form an image with minute dots with good reproducibility, and since it has excellent printing durability, it is possible to form an ultra-high resolution image such as 1200 dpi or 2400 dpi. It is possible to provide an electrophotographic photosensitive member, an electrophotographic apparatus, and a process cartridge which are highly durable and have a low frequency of component replacement and which can be charged with bipolarity.
【図1】本発明の電子写真感光体の一例の層構成を表わ
した図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a layer configuration of an example of an electrophotographic photosensitive member of the present invention.
【図2】本発明の電子写真装置を説明するための図であ
る。FIG. 2 is a view for explaining the electrophotographic apparatus of the present invention.
【図3】本発明の別の電子写真装置を説明するための図
である。FIG. 3 is a view for explaining another electrophotographic apparatus of the present invention.
【図4】本発明のプロセスカートリッジを説明するため
の図である。FIG. 4 is a view for explaining a process cartridge of the present invention.
(図1において) 1 導電性支持体 2 短波長光吸収層 3 電荷発生層 4 電荷輸送層 5 保護層 (In FIG. 1) 1 conductive support 2 short wavelength light absorbing layer 3 charge generating layer 4 charge transporting layer 5 protective layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03G 5/147 503 G03G 5/147 503 504 504 9/08 9/08 15/04 111 15/04 111 (72)発明者 島田 知幸 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 河村 慎一 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2H005 EA05 2H068 AA01 AA04 AA08 AA09 AA37 AA41 AA49 AA59 BB04 BB31 BB33 BB44 BB57 BB61 CA02 CA06 CA22 CA33 CA37 CA40 CA60 FA27 FB07 FB08 FC05 FC08 2H076 AB05 AB09 AB42 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme court ゛ (Reference) G03G 5/147 503 G03G 5/147 503 504 504 9/08 9/08 15/04 111 15/04 111 ( 72) Inventor Tomoyuki Shimada 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Inventor Shinichi Kawamura 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo F-term in Ricoh Company (Reference) 2H005 EA05 2H068 AA01 AA04 AA08 AA09 AA37 AA41 AA49 AA59 BB04 BB31 BB33 BB44 BB57 BB61 CA02 CA06 CA22 CA33 CA37 CA40 CA60 FA27 FB07 FB08 FC05 FC08 2H076 AB05 AB09 AB42
Claims (14)
真感光体において、該電子写真感光体の像露光手段の書
き込み光源波長が400〜450nmの範囲に発振波長
を有する半導体レーザーもしくは発光ダイオードであ
り、導電性支持体上に短波長光吸収層を介して感光層、
表面保護層を順に積層してなることを特徴とする電子写
真感光体。1. An electrophotographic photosensitive member having a photosensitive layer on a conductive support, wherein a semiconductor laser or a light emitting diode having an oscillation wavelength in a range of 400 to 450 nm for a writing light source of an image exposing means of the electrophotographic photosensitive member. And a photosensitive layer on a conductive support via a short wavelength light absorbing layer,
An electrophotographic photoreceptor comprising a surface protective layer sequentially laminated.
50nmの書き込み光源波長域に吸収を有し、導電性支
持体の表面粗さがRz値で0.02μm以上1.5μm
以下であり、該短波長光吸収層の表面粗さがRz値で
0.02μm以上1.5μm以下であり、かつ感光層最
外表面の表面粗さがRz値で0.02μm以上1.5μ
m以下であることを特徴とする請求項1記載の電子写真
感光体。2. The method according to claim 1, wherein the short-wavelength light-absorbing layer is at least 400-4.
Absorbs in the 50 nm writing light source wavelength range, and the surface roughness of the conductive support is 0.02 μm or more and 1.5 μm in Rz value.
Or less, the surface roughness of the short-wavelength light-absorbing layer is 0.02 μm or more and 1.5 μm or less in Rz value, and the surface roughness of the outermost surface of the photosensitive layer is 0.02 μm or more and 1.5 μm in Rz value.
2. The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein m is equal to or less than m.
長光吸収層を介して電荷発生層、電荷輸送層および表面
保護層を順次設けた積層型電子写真感光体で構成される
ことを特徴とする請求項1又は2記載の電子写真感光
体。3. The electrophotographic photoreceptor is composed of a laminated electrophotographic photoreceptor in which a charge generation layer, a charge transport layer and a surface protective layer are sequentially provided on a conductive support via a short wavelength light absorbing layer. The electrophotographic photoreceptor according to claim 1, wherein:
バインダー樹脂からなる層で構成されることを特徴とす
る請求項3記載の電子写真感光体。4. The electrophotographic photoreceptor according to claim 3, wherein the surface protective layer comprises at least a layer comprising a filler and a binder resin.
電荷輸送材料からなる層で構成されることを特徴とする
請求項3記載の電子写真感光体。5. The electrophotographic photoreceptor according to claim 3, wherein the surface protective layer comprises at least a layer comprising a filler and a charge transport material.
亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、窒化ケイ
素、酸化カルシウム、硫酸バリウム、シリカ、コロイダ
ルシリカ、アルミナ、カーボンブラック、フッ素系樹脂
微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、ポリエチレン系
樹脂微粉末、コア−シェル構造を有するグラフト共重合
体から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする
請求項4又は5記載の電子写真感光体。6. The filler is titanium oxide, tin oxide, zinc oxide, zirconium oxide, indium oxide, silicon nitride, calcium oxide, barium sulfate, silica, colloidal silica, alumina, carbon black, fluororesin fine powder, polysiloxane-based filler. 6. The electrophotographic photosensitive member according to claim 4, wherein the photosensitive member is at least one selected from resin fine powder, polyethylene resin fine powder, and a graft copolymer having a core-shell structure.
送材料からなる層で構成されることを特徴とする請求項
3記載の電子写真感光体。7. The electrophotographic photoreceptor according to claim 3, wherein the surface protective layer comprises at least a layer made of a polymer type charge transport material.
なる層で構成されることを特徴とする請求項3記載の電
子写真感光体。8. The electrophotographic photoreceptor according to claim 3, wherein the surface protective layer comprises at least a layer made of a curable resin.
角が、90度以上であることを特徴とする請求項3記載
の電子写真感光体。9. The electrophotographic photoreceptor according to claim 3, wherein the contact angle of the surface of the surface protective layer with pure water is 90 degrees or more.
μm以上15μm以下であることを特徴とする請求項3
〜9のいずれかに記載の電子写真感光体。10. The film thickness from the photosensitive layer to the surface protective layer is 4
4. The structure according to claim 3, wherein the thickness is not less than 15 μm.
An electrophotographic photoreceptor according to any one of claims 1 to 9.
子写真感光体と、帯電手段、像露光手段、現像手段及び
転写手段及びクリーニング手段から選ばれた少なくとも
一つの手段とを一体的に形成し、電子写真装置本体に着
脱自在としたことを特徴とするプロセスカートリッジ。11. An electrophotographic photosensitive member according to claim 1, and at least one unit selected from a charging unit, an image exposing unit, a developing unit, a transfer unit and a cleaning unit. A process cartridge formed and detachable from an electrophotographic apparatus main body.
に記載の電子写真感光体と、帯電手段、400〜450
nmの範囲に発振波長を有する半導体レーザーもしくは
発光ダイオードを使用した像露光手段、現像手段、転写
手段及びクリーニング手段を備えたことを特徴とする電
子写真装置。12. An electrophotographic photoreceptor according to claim 1, and a charging means,
An electrophotographic apparatus comprising: an image exposure unit, a development unit, a transfer unit, and a cleaning unit using a semiconductor laser or a light emitting diode having an oscillation wavelength in a range of nm.
査方向のビーム径のうち短い方のビーム径が10〜40
μmであることを特徴とする請求項12記載の電子写真
装置。13. The beam diameter of a shorter one of the beam diameters of the writing light source in the main scanning direction and the sub scanning direction is 10 to 40.
13. The electrophotographic apparatus according to claim 12, wherein the diameter is μm.
ーを使用することを特徴とする請求項12又は13記載
の電子写真装置。14. An electrophotographic apparatus according to claim 12, wherein said developing means uses a toner having an average particle diameter of 4 to 8 μm.
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