JP2002252523A - Fet band amplifier - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種の受信機等に
用いられるＦＥＴ帯域増幅器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an FET band amplifier used for various receivers and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＡＭ受信機やＦＭ受信機等の各種の受信
機には、所定の帯域の信号を高い利得で増幅する帯域増
幅器が用いられている。代表的な帯域増幅器として、フ
ロントエンドに含まれる高周波増幅器や、中間周波信号
を増幅する中間周波増幅器などがある。高周波増幅器で
は、同調周波数を中心とした所定帯域の信号のみが選択
的に増幅される。この場合の中心周波数は、選局の状態
に応じて可変に設定される。また、中間周波増幅器で
は、中間周波数近傍の狭い帯域の信号のみが選択的に増
幅される。この場合の中心周波数は、例えばＦＭ受信機
の場合には１０．７ＭＨｚ、ＡＭ受信機の場合には４５
５ｋＨｚというように固定の値が設定される。また、一
般にこのような増幅器において高い利得を設定する場合
には、トランジスタを複数段接続した多段増幅器が用い
られている。2. Description of the Related Art Various types of receivers, such as an AM receiver and an FM receiver, use band amplifiers for amplifying a signal of a predetermined band with a high gain. As typical band amplifiers, there are a high frequency amplifier included in the front end, an intermediate frequency amplifier for amplifying an intermediate frequency signal, and the like. In the high-frequency amplifier, only a signal in a predetermined band around the tuning frequency is selectively amplified. The center frequency in this case is set variably according to the state of the channel selection. In the intermediate frequency amplifier, only a signal in a narrow band near the intermediate frequency is selectively amplified. The center frequency in this case is, for example, 10.7 MHz in the case of an FM receiver and 45 in the case of an AM receiver.
A fixed value such as 5 kHz is set. In general, when a high gain is set in such an amplifier, a multi-stage amplifier having a plurality of connected transistors is used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した帯
域増幅器は、高い利得を設定しようとすると、ノイズ成
分によってこの帯域増幅器が飽和してしまう場合があ
り、設計上の利得が得られないという問題があった。However, in the above-described band amplifier, if a high gain is to be set, the band amplifier may be saturated by a noise component, and a gain in design cannot be obtained. was there.
【０００４】例えば、所定の帯域のみを通過させる場合
に、急峻な選択特性を有するバンドパスフィルタを用い
る必要があるが、上述した帯域増幅器を半導体基板上に
形成した場合には、このバンドパスフィルタを含めて半
導体基板上に形成することは困難であるため、前段部分
にこのバンドパスフィルタを外付けする場合が考えられ
る。ところが、このバンドパスフィルタを通過させた後
の信号を、半導体基板上に形成された多段増幅器で高い
利得で増幅すると、多段増幅器内部で発生したノイズ成
分が累積しながら増幅され、出力信号の品質が悪化する
という不都合を招くことにもなる。For example, when passing only a predetermined band, a bandpass filter having a steep selection characteristic must be used. However, when the above-described band amplifier is formed on a semiconductor substrate, this bandpass filter is used. Since it is difficult to form the bandpass filter on the semiconductor substrate including the above, it is conceivable to externally attach this bandpass filter to the preceding stage. However, when the signal after passing through the band-pass filter is amplified with a high gain by a multi-stage amplifier formed on a semiconductor substrate, the noise component generated inside the multi-stage amplifier is amplified while being accumulated, and the quality of the output signal is increased. Is worsened.
【０００５】本発明は、このような点に鑑みて創作され
たものであり、その目的は、高い利得を得ることができ
るＦＥＴ帯域増幅器を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an FET band amplifier capable of obtaining a high gain.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明のＦＥＴ帯域増幅器は、多段増幅器と、
その前段に設けられた第１の帯域通過フィルタとを有し
ている。この多段増幅器は、ＦＥＴが増幅素子として用
いられる縦続接続された複数段の増幅器と、これら複数
段の増幅器の中段に挿入されて増幅帯域よりも広い通過
帯域が設定された第２の帯域通過フィルタとを備えてい
る。また、これらの増幅器の少なくとも初段からｎ段目
までのＦＥＴとしてｐチャネルＦＥＴが用いられてお
り、多段増幅器の構成部品が半導体基板上に一体形成さ
れているとともに、第１の帯域通過フィルタが外付け部
品として多段増幅器に接続されている。In order to solve the above-mentioned problems, an FET band amplifier of the present invention comprises a multi-stage amplifier,
A first band-pass filter provided at the preceding stage. This multi-stage amplifier comprises a plurality of cascade-connected amplifiers in which FETs are used as amplification elements, and a second band-pass filter inserted in the middle of the plurality of amplifiers and having a pass band wider than the amplification band. And In addition, p-channel FETs are used as FETs of at least the first to n-th stages of these amplifiers, and the components of the multi-stage amplifier are integrally formed on a semiconductor substrate, and the first band-pass filter is externally mounted. It is connected to a multi-stage amplifier as a mounting part.
【０００７】増幅帯域よりも広い通過帯域を有する第１
の帯域通過フィルタを用いることにより、この通過帯域
よりも低域側に存在する１／ｆノイズと高域側に存在す
る熱雑音を除去することができる。特に、これらのノイ
ズ成分を除去するために用いられる第１の通過帯域フィ
ルタは、急峻な減衰特性が不要であるため、基板上に形
成された抵抗やコンデンサあるいはインダクタを組み合
わせることにより容易に構成することができ、第１の通
過帯域フィルタや複数の増幅器によって構成される多段
増幅器全体を半導体基板上に一体形成することが可能に
なる。しかも、増幅素子としてＦＥＴを用いることによ
り、多段増幅器全体をＦＥＴの製造プロセスで半導体基
板上に作ることができるようになるため、バイポーラト
ランジスタを増幅素子として用いた場合に比べて、集積
化が容易になるとともに、コストダウンや省スペース化
を図ることができる。The first having a pass band wider than the amplification band
The 1 / f noise existing on the lower side and the thermal noise existing on the higher side of the pass band can be removed by using the band pass filter of the above. In particular, since the first pass band filter used for removing these noise components does not need a steep attenuation characteristic, it can be easily configured by combining a resistor, a capacitor, or an inductor formed on a substrate. This makes it possible to integrally form the entire multistage amplifier including the first passband filter and the plurality of amplifiers on the semiconductor substrate. In addition, the use of FETs as amplifying elements allows the entire multi-stage amplifier to be fabricated on a semiconductor substrate in the FET manufacturing process, making integration easier than using bipolar transistors as amplifying elements. And cost reduction and space saving can be achieved.
【０００８】また、増幅素子として移動度が小さいｐチ
ャネルＦＥＴを用いることにより、増幅器内部でのノイ
ズの発生をさらに少なくすることができる。したがっ
て、半導体基板上に一体形成された多段増幅器内部にお
いて、ノイズ成分によって増幅器が飽和してしまうこと
を防止することができるため、増幅したい本来の信号成
分のみを増幅することができ、ＦＥＴ帯域増幅器全体と
して高い利得を得ることができる。Further, by using a p-channel FET having a small mobility as the amplifying element, it is possible to further reduce the generation of noise inside the amplifier. Therefore, since it is possible to prevent the amplifier from being saturated by the noise component inside the multi-stage amplifier integrally formed on the semiconductor substrate, it is possible to amplify only the original signal component to be amplified, and to use the FET band amplifier. High gain can be obtained as a whole.
【０００９】さらに、外付け部品としての第２の帯域通
過フィルタを組み合わせることにより、ＦＥＴ帯域増幅
器が構成されているため、この第２の通過帯域フィルタ
として急峻な減衰特性を有するもの、例えば大きなイン
ダクタンスを有するインダクタを含むＬＣフィルタや、
セラミックスフィルタ等の半導体化が困難なフィルタを
用いることができ、所望の選択特性を設定することがで
きる。この場合であっても、その後段に接続された多段
増幅器内部において発生するノイズ成分を抑制すること
ができるため、多段増幅器から出力される信号の品質を
向上させることができる。Further, since an FET band amplifier is constituted by combining a second bandpass filter as an external component, the second bandpass filter having a steep attenuation characteristic, for example, a large inductance LC filter including an inductor having
It is possible to use a filter such as a ceramics filter, which is difficult to be made into a semiconductor, and to set desired selection characteristics. Even in this case, the noise component generated inside the multistage amplifier connected to the subsequent stage can be suppressed, so that the quality of the signal output from the multistage amplifier can be improved.
【００１０】特に、上述した増幅器は、２個のＦＥＴを
差動動作させる差動増幅器であり、ノイズ成分が累積し
て増幅器が飽和する段数をｍとしたときに、この段数ｍ
よりも少ない数の縦続接続された増幅器の後段に第１の
帯域通過フィルタを配置することが望ましい。縦続接続
の段数がｍ以上にならないように第１の帯域通過フィル
タが挿入されているため、ｍ段目以降の増幅器がノイズ
成分によって飽和することを防止することができ、ＦＥ
Ｔ帯域増幅器全体の利得を高くすることができる。In particular, the above-described amplifier is a differential amplifier that differentially operates two FETs. When the number of stages at which the noise component is accumulated and the amplifier is saturated is m, the number of stages is m.
It is desirable to place the first bandpass filter after a smaller number of cascaded amplifiers. Since the first band-pass filter is inserted so that the number of stages in the cascade connection does not exceed m, it is possible to prevent the mth and subsequent stages from being saturated by noise components, and
The gain of the entire T-band amplifier can be increased.
【００１１】また、本発明のＦＥＴ帯域増幅器は、ＦＥ
Ｔが増幅素子として用いられる縦続接続された複数段の
増幅器を含んで構成される多段増幅器と、その前段に設
けられた帯域通過フィルタとを備えている。各段の増幅
器は、入出力される信号から増幅帯域成分の上限値より
も高域成分を除去する高域成分除去手段と、入出力信号
から増幅帯域成分の下限値よりも低域成分を除去する低
域成分除去手段とを有している。また、増幅器の少なく
とも初段からｎ段目までのＦＥＴとしてｐチャネルＦＥ
Ｔが用いられており、多段増幅器の構成部品が半導体基
板上に一体形成されているとともに、帯域通過フィルタ
が外付け部品として多段増幅器に接続されている。Further, the FET band amplifier of the present invention has an FE
The multi-stage amplifier includes a plurality of cascaded amplifiers in which T is used as an amplifying element, and a band-pass filter provided in the preceding stage. The amplifier at each stage removes high-frequency components higher than the upper limit value of the amplification band component from the input / output signal, and removes low-frequency components lower than the lower limit value of the amplification band component from the input / output signal. Low-frequency component removing means. Further, p-channel FEs are used as FETs of at least the first to nth stages of the amplifier.
T is used, the components of the multi-stage amplifier are integrally formed on a semiconductor substrate, and a band-pass filter is connected to the multi-stage amplifier as an external component.
【００１２】各段の増幅器において、増幅帯域以外の成
分が除去されるためノイズ成分により利得が制限される
ことがなく、しかも、増幅素子として移動度が小さいｐ
チャネルＦＥＴを用いることにより増幅器内部でのノイ
ズの発生をさらに少なくすることができるため、ＦＥＴ
帯域増幅器全体として高い利得を得ることができる。特
に、半導体基板上に一体形成された多段増幅器に、外付
け部品としての帯域通過フィルタを接続しているため、
容易に所望の選択特性を得ることができる。また、この
場合であっても、その後段に接続された多段増幅器内部
において発生するノイズ成分を抑制することができるた
め、多段増幅器から出力される信号の品質を向上させる
ことができる。In each of the amplifiers in the stages, components other than the amplification band are removed, so that the gain is not limited by noise components, and the mobility of the amplification element is small.
The use of a channel FET can further reduce the occurrence of noise inside the amplifier.
High gain can be obtained as a whole band amplifier. In particular, since a bandpass filter as an external component is connected to a multistage amplifier integrally formed on a semiconductor substrate,
Desired selection characteristics can be easily obtained. Also in this case, since the noise component generated inside the multistage amplifier connected to the subsequent stage can be suppressed, the quality of the signal output from the multistage amplifier can be improved.
【００１３】また、上述した低域成分除去手段は、カッ
トオフ周波数が増幅帯域の下限値よりも低い値に設定さ
れたハイパスフィルタであることが望ましい。各段の増
幅器にハイパスフィルタを備えることにより、このハイ
パスフィルタのカットオフ周波数よりも低い１／ｆノイ
ズを容易に除去することができる。Preferably, the low-frequency component removing means is a high-pass filter whose cut-off frequency is set to a value lower than the lower limit of the amplification band. By providing a high-pass filter in each stage amplifier, 1 / f noise lower than the cut-off frequency of the high-pass filter can be easily removed.
【００１４】また、上述した増幅器は、２個のＦＥＴを
差動動作させる差動増幅器であり、低域成分除去手段
は、各段の増幅器の差動出力信号の低域成分を合成した
信号を２個のＦＥＴに同位相で入力する帰還回路である
ことが望ましい。差動増幅器の差動出力信号に含まれる
低域成分のみを合成して同位相で入力側に帰還させるこ
とにより、この低域成分に対応する差動増幅器の差動動
作を停止させることができるため、この低域成分に含ま
れる１／ｆノイズを低減することができる。The above-mentioned amplifier is a differential amplifier for differentially operating two FETs, and the low-frequency component removing means converts the signal obtained by combining the low-frequency components of the differential output signals of the amplifiers at each stage. It is desirable that the feedback circuit be input to two FETs in the same phase. By synthesizing only the low-frequency component included in the differential output signal of the differential amplifier and feeding it back to the input side in the same phase, the differential operation of the differential amplifier corresponding to this low-frequency component can be stopped. Therefore, 1 / f noise included in the low frequency component can be reduced.
【００１５】また、本発明のＦＥＴ帯域増幅器は、ＦＥ
Ｔが増幅素子として用いられる縦続接続された複数段の
増幅器を含んで構成される多段増幅器と、その前段に設
けられた帯域通過フィルタとを備えている。これらの多
段増幅器は、最終段の増幅器の出力信号に含まれる増幅
帯域成分の下限値よりも低域成分を、初段の前記増幅器
に逆相の状態で帰還させる帰還回路を有している。ま
た、、各段の増幅器は、入出力信号から増幅帯域成分の
上限値よりも高域成分を除去する高域成分除去手段を有
している。そして、増幅器の少なくとも初段からｎ段目
までのＦＥＴとしてｐチャネルＦＥＴが用いられてお
り、多段増幅器の構成部品が半導体基板上に形成されて
いるとともに、この半導体基板上に形成された多段増幅
器の外付け部品として帯域通過フィルタが接続されてい
る。Further, the FET band amplifier of the present invention has an FE
The multi-stage amplifier includes a plurality of cascaded amplifiers in which T is used as an amplifying element, and a band-pass filter provided in the preceding stage. These multi-stage amplifiers include a feedback circuit that feeds back a lower-frequency component than the lower limit value of the amplification band component included in the output signal of the last-stage amplifier to the first-stage amplifier in an opposite phase. Further, each stage of the amplifier has a high-frequency component removing means for removing a higher-frequency component than the upper limit value of the amplification band component from the input / output signal. A p-channel FET is used as an FET from at least the first stage to the n-th stage of the amplifier. The components of the multi-stage amplifier are formed on a semiconductor substrate, and the components of the multi-stage amplifier formed on the semiconductor substrate. A band-pass filter is connected as an external component.
【００１６】最終段の増幅器の出力信号に含まれる低域
成分のみを逆相の状態で初段の増幅器の入力側に帰還さ
せることにより、この低域成分が打ち消されるため、こ
の低域成分に含まれる１／ｆノイズを除去することがで
きる。また、増幅素子として移動度が小さいｐチャネル
ＦＥＴを用いることにより、増幅器内部で発生する１／
ｆノイズ自体を少なくすることができる。By feeding back only the low-frequency component contained in the output signal of the final-stage amplifier in the opposite phase to the input side of the first-stage amplifier, the low-frequency component is canceled out. 1 / f noise can be removed. Also, by using a p-channel FET having a small mobility as an amplifying element, 1 /
f Noise itself can be reduced.
【００１７】特に、半導体基板上に一体形成された多段
増幅器に、外付け部品としての帯域通過フィルタを接続
しているため、容易に所望の選択特性を得ることができ
る。また、この場合であっても、その後段に接続された
多段増幅器内部において発生するノイズ成分を抑制する
ことができるため、多段増幅器から出力される信号の品
質を向上させることができる。In particular, since a band-pass filter as an external component is connected to a multistage amplifier integrally formed on a semiconductor substrate, desired selection characteristics can be easily obtained. Also in this case, since the noise component generated inside the multistage amplifier connected to the subsequent stage can be suppressed, the quality of the signal output from the multistage amplifier can be improved.
【００１８】また、上述した高域成分除去手段は、カッ
トオフ周波数が増幅帯域の上限値よりも高い値に設定さ
れたローパスフィルタであることが望ましい。各段の増
幅器の出力側にローパスフィルタを備えることにより、
このローパスフィルタのカットオフ周波数よりも高い熱
雑音を容易に除去することができる。Preferably, the high-frequency component removing means is a low-pass filter whose cutoff frequency is set to a value higher than the upper limit of the amplification band. By providing a low-pass filter on the output side of each stage amplifier,
Thermal noise higher than the cutoff frequency of the low-pass filter can be easily removed.
【００１９】また、このローパスフィルタに含まれるコ
ンデンサとして、次段の増幅器に含まれるＦＥＴの寄生
容量を用いることが望ましい。単体の部品としてのコン
デンサの代わりにＦＥＴの寄生容量を利用することによ
り、部品点数の低減が可能になり、これに伴ってコスト
ダウンが可能になる。特に、半導体基板上に形成された
ＦＥＴには寄生容量が生じるため、これを利用すること
により、単体のコンデンサを用いてローパスフィルタを
構成する場合に比べて半導体基板上のスペースを有効利
用することができ、チップの小型化等が可能になる。It is desirable to use, as a capacitor included in the low-pass filter, a parasitic capacitance of an FET included in the next-stage amplifier. By using the parasitic capacitance of the FET instead of the capacitor as a single component, it is possible to reduce the number of components and thereby reduce the cost. In particular, since FETs formed on a semiconductor substrate have parasitic capacitance, the use of this makes it possible to use the space on the semiconductor substrate more effectively than when a low-pass filter is configured using a single capacitor. And the size of the chip can be reduced.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した一実施形
態のＦＥＴ帯域増幅器について詳細に説明する。 〔第１の実施形態〕図１は、第１の実施形態のＦＥＴ帯
域増幅器の構成を示す図である。同図に示すＦＥＴ帯域
増幅器は、例えばＡＭ受信機やＦＭ受信機の中間周波増
幅器として使用されるものであり、多段増幅器１とその
前段に設けられたＢＰＦ（帯域通過フィルタ）２とを含
んで構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An FET band amplifier according to an embodiment of the present invention will be described below in detail. [First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an FET band amplifier according to a first embodiment. The FET band amplifier shown in FIG. 1 is used as an intermediate frequency amplifier of, for example, an AM receiver or an FM receiver, and includes a multistage amplifier 1 and a BPF (bandpass filter) 2 provided in a preceding stage thereof. It is configured.
【００２１】ＢＰＦ２は、入力信号の中から特定周波数
の中間周波信号のみを選択的に通過させるためものであ
り、多段増幅器１の前段に別部品として接続される。す
なわち、ＢＰＦ２は、単独の部品を用いることができる
ため、大きなインダクタンスを有するインダクタや大き
な静電容量を有するコンデンサ等を組み合わせたＬＣフ
ィルタやセラミックスフィルタ等を使用することが可能
になり、このＦＥＴ帯域増幅器を中間周波増幅器として
用いた受信器では４０ｄＢ程度の高い分離度を確保する
ことができる。The BPF 2 is for selectively passing only an intermediate frequency signal of a specific frequency from the input signals, and is connected as a separate component to a stage preceding the multi-stage amplifier 1. That is, since the BPF 2 can use a single component, it is possible to use an LC filter or a ceramics filter or the like in which an inductor having a large inductance or a capacitor having a large capacitance is combined. A receiver using an amplifier as an intermediate frequency amplifier can ensure a high degree of isolation of about 40 dB.
【００２２】また、多段増幅器１は、縦続接続された複
数段（例えば５段）の増幅器１１〜１５と、３段目の増
幅器１３と４段目の増幅器１４との間に挿入されたＢＰ
Ｆ１６とを含んで構成されている。増幅器１１〜１５の
それぞれは所定の利得を有しており、多段増幅器１全体
では各増幅器１１〜１５の利得を掛け合わせた利得を有
する。The multi-stage amplifier 1 includes a plurality of cascade-connected amplifiers 11 to 15 (for example, five stages) and a BP inserted between a third-stage amplifier 13 and a fourth-stage amplifier 14.
F16. Each of the amplifiers 11 to 15 has a predetermined gain, and the entire multistage amplifier 1 has a gain obtained by multiplying the gain of each of the amplifiers 11 to 15.
【００２３】図２は、増幅器１１の構成を示す回路図で
ある。なお、他の増幅器１２〜１５も増幅器１１と同じ
構成を有している。図２に示すように、増幅器１１は、
一対となる２つのｐチャネルＭＯＳ型のＦＥＴ１１１、
１１２と、ドレイン抵抗となる抵抗１１３、１１４と、
定電流回路１１５を含んで構成される。２つのＦＥＴ１
１１、１１２のそれぞれのソースには、定電流回路１１
５が共通に接続されている。このため、ＦＥＴ１１１、
１１２の各ソース・ドレイン間を流れる電流の合計がこ
の定電流回路１１５によって生成される電流と等しくな
る。また、２つのＦＥＴ１１１、１１２の各ゲート間に
は、前段の回路から出力される信号が入力される。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the amplifier 11. The other amplifiers 12 to 15 also have the same configuration as the amplifier 11. As shown in FIG. 2, the amplifier 11
A pair of two p-channel MOS type FETs 111,
112, resistors 113 and 114 serving as drain resistances,
It is configured to include the constant current circuit 115. Two FET1
The constant current circuit 11 is connected to each of the sources 11 and 112.
5 are commonly connected. Therefore, the FET 111,
The sum of the current flowing between each source and drain of 112 becomes equal to the current generated by the constant current circuit 115. A signal output from the preceding circuit is input between the gates of the two FETs 111 and 112.
【００２４】このように、増幅器１１は、差動動作を行
う２つのＦＥＴ１１１、１１２を有しており、例えば利
得Ａ1 を有する。他の増幅器１２〜１５のそれぞれの利
得をＡ2 、Ａ3 、Ａ4 、Ａ5 とすると、多段増幅器１全
体としては、理論上Ａ1Ａ2Ａ 3Ａ4Ａ5 の利得を実現する
ことができる。As described above, the amplifier 11 performs a differential operation.
It has two FETs 111 and 112,
Profit A1Having. Each amplifier of other amplifiers 12-15
ATwo, AThree, AFour, AFiveThen, the multistage amplifier 1
As a body, theoretically A1ATwoA ThreeAFourAFiveRealize the gain of
be able to.
【００２５】しかしながら、通常、このような高い利得
を得ようとしても、１／ｆノイズと熱雑音によって後段
の増幅器が飽和してしまい、それほど高い利得が得られ
ない場合がある。特に、ＭＯＳ型のＦＥＴ１１１、１１
２の場合には、１／ｆノイズによる影響が顕著に現れ
る。However, usually, even if an attempt is made to obtain such a high gain, the 1 / f noise and the thermal noise saturate the latter-stage amplifier, so that a very high gain may not be obtained. In particular, MOS type FETs 111 and 11
In the case of 2, the influence of 1 / f noise appears remarkably.
【００２６】一般に、１／ｆノイズは、信号の低周波領
域に現れるノイズであり、周波数が低くなるほど雑音レ
ベルが高くなる。反対に、熱雑音は、信号の高周波領域
に現れるノイズであり、周波数が高くなるほど雑音レベ
ルが高くなる。ＭＯＳ型のＦＥＴが発生するノイズ電圧
ｖn は、 ｖn ＝√（（８ｋＴ（１＋η）／（３ｇm ）＋ＫＦ／
（２ｆＣoxＷＬＫ’））Δｆ） と表すことができる。ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は絶対温度、ｇm は相互コンダクタンス、Ｃoxはゲート
酸化膜を挟んだゲートとチャネルの間の容量、Ｗはゲー
ト幅、Ｌはゲート長、ｆは周波数、Δｆは周波数ｆの帯
域幅である。ＫＦはノイズパラメータであり、１０-20
〜１０-25程度の値となる。また、η、Ｋ’は所定のパ
ラメータである。Generally, 1 / f noise is noise appearing in a low frequency region of a signal, and the noise level increases as the frequency decreases. Conversely, thermal noise is noise that appears in the high frequency region of a signal, and the higher the frequency, the higher the noise level. Noise voltage MOS type FET is generated v n is, v n = √ ((8kT (1 + η) / (3g m) + KF /
(2fCoxWLK ′)) Δf). Where k is Boltzmann's constant, T
Is the absolute temperature, the g m the transconductance, Cox is the capacitance between the gate and the channel, between which the gate oxide film, W is a gate width, L is the gate length, f is a bandwidth of the frequency, Delta] f is frequency f. KF is a noise parameter, which is 10 -20
It takes a value of about 10 to -25 . Further, η and K ′ are predetermined parameters.
【００２７】この式において、右辺の第１項が熱雑音を
示すものであり、温度（Ｔ）が高くなるにしたがって大
きくなることがわかる。また、右辺の第２項が１／ｆノ
イズを示すものであり、ｆの逆数に比例することがわか
る。増幅器１１〜１５のそれぞれにおいて発生するノイ
ズ（１／ｆノイズと熱雑音を合計したもの）をｅn1、ｅ
n2、ｅn3、ｅn4、ｅn5とすると、増幅器１１〜１５のそ
れぞれの出力信号に含まれるノイズレベルｅ1、ｅ2、ｅ
3、ｅ4、ｅ5 は、以下のようになる。In this equation, the first term on the right side indicates thermal noise, and it can be seen that the first term increases as the temperature (T) increases. In addition, it can be seen that the second term on the right side indicates 1 / f noise and is proportional to the reciprocal of f. Noise (sum of 1 / f noise and thermal noise) generated in each of the amplifiers 11 to 15 is represented by e n1 , e
n2, e n3, e n4, when the e n5, noise level e 1 included in each of the output signal of the amplifier 11~15, e 2, e
3 , e 4 and e 5 are as follows.
【００２８】 ｅ1 ＝ｅn1 ｅ2 ＝ｅ1Ａ2＋ｅn2 ＝ｅn1Ａ2＋ｅn2 ｅ3 ＝ｅ2Ａ3＋ｅn3 ＝（ｅn1Ａ2＋ｅn2）Ａ3＋ｅn3 ｅ4 ＝ｅ3Ａ4＋ｅn4 ＝（（ｅn1Ａ2＋ｅn2）Ａ3＋ｅn3）Ａ4＋ｅn4 ｅ5 ＝ｅ4Ａ5＋ｅn5 ＝（（（ｅn1Ａ2＋ｅn2）Ａ3＋ｅn3）Ａ4＋ｅn4）Ａ5＋ｅn5 このように、増幅器１１〜１５のそれぞれの間で入出力
される信号には、主に低周波領域に存在する１／ｆノイ
ズと高周波領域に主に存在する熱雑音とが含まれてお
り、しかも後段の増幅器になればなるほど、これらのノ
イズレベルが増幅されながら累積されるため、このノイ
ズレベルが各増幅器１１〜１５の飽和レベルＥ0 を越え
ると、これ以降の増幅器の出力がクリップされる。E 1 = en 1 e 2 = e 1 A 2 + en 2 = en 1 A 2 + en 2 e 3 = e 2 A 3 + en 3 = (en 1 A 2 + en 2 ) A 3 + en 3 e 4 = e 3 A 4 + e n4 = ( (e n1 A 2 + e n2) A 3 + e n3) A 4 + e n4 e 5 = e 4 A 5 + e n5 = (((e n1 A 2 + e n2) A 3 + e n3) A 4 + e n4 ) A 5 + e n5 As described above, the signals input and output between the amplifiers 11 to 15 mainly include the 1 / f noise existing mainly in the low frequency region and the heat mainly existing in the high frequency region. Since the noise level is included, and the noise level increases as the amplifier becomes more downstream, the noise level is accumulated while being amplified. If this noise level exceeds the saturation level E 0 of each of the amplifiers 11 to 15, The amplifier output is clipped.
【００２９】このような不都合を回避するために、本実
施形態の多段増幅器１では、ＢＰＦ１６が用いられてい
る。このＢＰＦ１６は、増幅帯域の成分（信号に含まれ
る増幅したい成分）を通過させるとともに、上述した１
／ｆノイズと熱雑音を除去するためのものである。ＦＭ
受信機を考えた場合には、１０．７ＭＨｚ近傍の中間周
波信号の帯域のみを多段増幅器１で増幅できればよい。
したがって、ＢＰＦ１６の特性としては、下側のカット
オフ周波数（１０．７ＭＨｚ）を１０．７−α（２αが
中間周波信号の帯域）以下であって１／ｆノイズが十分
に除去できる値に設定するとともに、上側のカットオフ
周波数を１０．７＋α以上であって熱雑音が十分に除去
できる値に設定する必要がある。但し、このように中間
周波信号の中心周波数よりも低域側に存在する１／ｆノ
イズと高域側に存在する熱雑音とを除去する目的でＢＰ
Ｆ１６が用いられているため、このＢＰＦ１６は、低域
側および高域側の減衰特性がなだらかなものを用いるこ
とができる、このため、ノイズ源となる能動素子を用い
たアクティブフィルタや大きなインダクタンスを有する
インダクタを含むＬＣフィルタ等を用いることなく、低
次のローパスフィルタとハイパスフィルタを組み合わせ
て容易に実現することができる。In order to avoid such inconvenience, the multistage amplifier 1 of this embodiment uses the BPF 16. The BPF 16 allows the components of the amplification band (the components contained in the signal to be amplified) to pass, and
/ F noise and thermal noise. FM
When considering a receiver, it is only necessary that the multistage amplifier 1 can amplify only the band of the intermediate frequency signal near 10.7 MHz.
Therefore, as a characteristic of the BPF 16, the lower cutoff frequency (10.7 MHz) is set to a value that is equal to or less than 10.7-α (2α is a band of the intermediate frequency signal) and 1 / f noise can be sufficiently removed. At the same time, it is necessary to set the upper cutoff frequency to a value that is equal to or higher than 10.7 + α and can sufficiently remove the thermal noise. However, in order to remove the 1 / f noise existing on the lower side from the center frequency of the intermediate frequency signal and the thermal noise existing on the higher side,
Since the F16 is used, the BPF 16 can use one having a gentle attenuation characteristic on the low frequency side and the high frequency side. Therefore, an active filter using an active element serving as a noise source and a large inductance can be used. It can be easily realized by combining a low-order low-pass filter and a high-pass filter without using an LC filter including an inductor.
【００３０】また、各増幅器１１〜１５のノイズレベル
ｅ1 〜ｅ5 が飽和レベルＥ0 を越えない段数をｍとした
ときに、この段数ｍよりも少ない数の縦続接続された増
幅器の後段にＢＰＦ１６を配置する必要がある。本実施
形態では、３段目の増幅器１３の出力信号に含まれるノ
イズレベルｅ3 が飽和レベルＥ0 以下であり、４段目の
増幅器１４の出力信号に含まれるノイズレベルｅ4 が飽
和レベルＥ0 以上であるものとして、３段目の増幅器１
３と４段目の増幅器１４の間にＢＰＦ１６が挿入されて
いる。When the number of stages in which the noise levels e 1 to e 5 of the amplifiers 11 to 15 do not exceed the saturation level E 0 is m, the number of cascaded amplifiers smaller than the number m of stages is set downstream of the amplifier m. It is necessary to arrange the BPF 16. In the present embodiment, the noise level e 3 included in the output signal of the third-stage amplifier 13 is equal to or lower than the saturation level E 0 , and the noise level e 4 included in the output signal of the fourth-stage amplifier 14 is equal to the saturation level E 0. The third stage amplifier 1 is assumed to be 0 or more.
A BPF 16 is inserted between the third and fourth stage amplifiers 14.
【００３１】このようにすることで、ＢＰＦ１６の後段
側に接続された増幅器１４、１５においてノイズ成分が
増加したために飽和することを防止することができる。
図３は、本実施形態のＦＥＴ帯域増幅器の概略構造を示
す斜視図である。図３において、半導体基板１００に
は、多段増幅器１やその他の部品が一体形成されてい
る。上述したように、増幅器１１〜１５はＦＥＴや抵抗
によって構成されており、ＢＰＦ１６も小さな特定値
（キャパシタンス等）を有するコンデンサや抵抗あるい
はインダクタを組み合わせて容易に実現することができ
るため、これらの全てを半導体製造技術を用いて半導体
基板１００上に形成することが可能となる。また、ＢＰ
Ｆ２は、１チップ化された多段増幅器１に対して外付け
部品として接続されている。By doing so, it is possible to prevent the amplifiers 14 and 15 connected to the subsequent stage of the BPF 16 from being saturated due to an increase in noise components.
FIG. 3 is a perspective view showing a schematic structure of the FET band amplifier of the present embodiment. In FIG. 3, a multi-stage amplifier 1 and other components are integrally formed on a semiconductor substrate 100. As described above, the amplifiers 11 to 15 are constituted by FETs and resistors, and the BPF 16 can be easily realized by combining a capacitor, a resistor or an inductor having a small specific value (capacitance or the like). Can be formed on the semiconductor substrate 100 by using a semiconductor manufacturing technique. Also, BP
F2 is connected as an external component to the multi-stage amplifier 1 made into one chip.
【００３２】このように、本実施形態のＦＥＴ帯域増幅
器に含まれる多段増幅器１では、増幅帯域よりも広い通
過帯域を有するＢＰＦ１６が用いられており、この通過
帯域よりも低域側に存在する１／ｆノイズと高域側に存
在する熱雑音を除去することができる。特に、これらの
ノイズ成分を除去するために用いられるＢＰＦ１６は、
急峻な減衰特性が不要であるため、半導体基板１００上
に形成された抵抗やコンデンサあるいはインダクタを組
み合わせることにより容易に構成することができ、ＢＰ
Ｆ１６や複数の増幅器１１〜１５によって構成される多
段増幅器１全体を半導体基板１００上に一体形成するこ
とが可能になる。しかも、増幅素子としてＦＥＴ１１
１、１１２を用いることにより、多段増幅器１全体をＦ
ＥＴの製造プロセスで半導体基板１００上に作ることが
できるようになるため、バイポーラトランジスタを増幅
素子として用いた場合に比べて、集積化が容易になると
ともに、コストダウンや省スペース化を図ることができ
る。As described above, in the multistage amplifier 1 included in the FET band amplifier of the present embodiment, the BPF 16 having a pass band wider than the amplification band is used, and the BPF 16 existing on the lower side than this pass band is used. / F noise and thermal noise existing on the high frequency side can be removed. In particular, the BPF 16 used to remove these noise components is
Since a steep attenuation characteristic is not required, it can be easily configured by combining a resistor, a capacitor or an inductor formed on the semiconductor substrate 100, and the BP
The entire multistage amplifier 1 including the F16 and the plurality of amplifiers 11 to 15 can be integrally formed on the semiconductor substrate 100. In addition, FET11 as an amplifying element
1 and 112, the entire multistage amplifier 1 is
Since the ET can be formed on the semiconductor substrate 100 in the manufacturing process, the integration becomes easier and the cost and space can be reduced as compared with the case where a bipolar transistor is used as an amplifier. it can.
【００３３】また、増幅素子として移動度が小さいｐチ
ャネルＦＥＴ１１１、１１２を用いることにより、増幅
器１１等の内部でのノイズの発生をさらに少なくするこ
とができる。したがって、半導体基板１００上に一体形
成された多段増幅器１内部において、ノイズ成分によっ
て各増幅器が飽和してしまうことを防止することができ
るため、増幅したい本来の信号成分のみを増幅すること
ができ、ＦＥＴ帯域増幅器全体として高い利得を得るこ
とができる。Further, by using the p-channel FETs 111 and 112 having low mobility as the amplifying elements, the generation of noise inside the amplifier 11 and the like can be further reduced. Therefore, in the multi-stage amplifier 1 integrally formed on the semiconductor substrate 100, it is possible to prevent each amplifier from being saturated by a noise component, so that only an original signal component to be amplified can be amplified, A high gain can be obtained as the whole FET band amplifier.
【００３４】さらに、外付け部品としてのＢＰＦ２を組
み合わせることにより、ＦＥＴ帯域増幅器が構成されて
いるため、このＢＰＦ２として急峻な減衰特性や任意の
周波数特性を有するもの、例えば大きなインダクタンス
を有するインダクタを含むＬＣフィルタや、セラミック
スフィルタ等の半導体化が困難なフィルタを用いること
ができ、所望の選択特性を設定することができる。この
場合であっても、その後段に接続された多段増幅器１内
部において発生するノイズ成分を抑制することができる
ため、多段増幅器１から出力される信号の品質を向上さ
せることができる。Further, since the FET band amplifier is constituted by combining the BPF2 as an external component, the BPF2 includes one having a steep attenuation characteristic and an arbitrary frequency characteristic, for example, an inductor having a large inductance. It is possible to use a filter that is difficult to be made into a semiconductor such as an LC filter or a ceramics filter, so that desired selection characteristics can be set. Even in this case, since the noise component generated inside the multistage amplifier 1 connected to the subsequent stage can be suppressed, the quality of the signal output from the multistage amplifier 1 can be improved.
【００３５】なお、本実施形態では、３段目の増幅器１
３と４段目の増幅器１４の間にＢＰＦ１６を挿入した
が、それよりも前段側にＢＰＦ１６を配置するようにし
てもよい。また、ＢＰＦ１６の後段側に接続された複数
段の増幅器において再びノイズレベルが増加して飽和レ
ベルＥ0 に達するような場合には、多段増幅器１内に２
つ目以降のＢＰＦを配置すればよい。In the present embodiment, the third-stage amplifier 1
Although the BPF 16 is inserted between the third and fourth stage amplifiers 14, the BPF 16 may be arranged at a stage earlier than the BPF 16. In the case where the noise level increases again and reaches the saturation level E 0 in a plurality of amplifiers connected to the subsequent stage of the BPF 16, the multi-stage amplifier 1
The third and subsequent BPFs may be arranged.
【００３６】また、本実施形態では、全ての増幅器１１
〜１５についてｐチャネル型のＦＥＴ１１１、１１２を
用いたが、ノイズ低減の効果が大きな初段からｎ段目ま
での（例えば２段目まで）増幅器についてｐチャネル型
のＦＥＴ１１１、１１２を用いるようにしてもよい。こ
のようにすることで、累積されるノイズ成分を効率よく
低減することができる。In this embodiment, all the amplifiers 11
Although the p-channel type FETs 111 and 112 are used for Nos. To 15, the p-channel type FETs 111 and 112 may be used for the amplifiers from the first stage to the n-th stage (for example, up to the second stage) having a large noise reduction effect. Good. By doing so, the accumulated noise component can be efficiently reduced.
【００３７】〔第２の実施形態〕上述した第１の実施形
態では、多段増幅器１内において、３段目の増幅器１３
の後段に１つのＢＰＦを挿入してノイズ成分を除去した
が、各段の増幅器においてノイズ成分を除去するように
してもよい。[Second Embodiment] In the above-described first embodiment, the third stage amplifier 13
Although one BPF is inserted in the subsequent stage to remove the noise component, the noise component may be removed in the amplifier in each stage.
【００３８】図４は、第２の実施形態のＦＥＴ帯域増幅
器に含まれる多段増幅器の構成を示す回路図である。な
お、ＦＥＴ帯域増幅器全体の構成は、図１に示した第１
の実施形態のＦＥＴ帯域増幅器の構成と同じであり、多
段増幅器１の内部構成のみが図４に示した構成に置き換
わるものとする。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a multi-stage amplifier included in the FET band amplifier of the second embodiment. The configuration of the entire FET band amplifier is the same as that of the first band amplifier shown in FIG.
It is assumed that the configuration is the same as that of the FET band amplifier according to the embodiment, and only the internal configuration of the multistage amplifier 1 is replaced with the configuration shown in FIG.
【００３９】図４に示す本実施形態の多段増幅器は、５
段の増幅器１１Ａ、１２Ａ、…、１５Ａを縦続接続する
ことにより構成されている。これらの各増幅器の構成は
基本的に同じであるため、以下では初段の増幅器１１Ａ
に着目して、詳細な構成および動作を説明する。The multistage amplifier of this embodiment shown in FIG.
, 15A are connected in cascade. Since the configuration of each of these amplifiers is basically the same, the first-stage amplifier 11A will be described below.
The detailed configuration and operation will be described by focusing on.
【００４０】増幅器１１Ａは、２個のｐチャネルＭＯＳ
型のＦＥＴ１１１、１１２、８個の抵抗１１３、１１
４、１２０、１２１、１２３、１２４、１２５、１２
６、定電流回路１１５、５個のコンデンサ１１６〜１１
９、１２２を含んで構成されている。この中でＦＥＴ１
１１、１１２、抵抗１１３、１１４、定電流回路１１５
については、図２に示した増幅器１１の構成と共通する
ものであるため、同じ符号が付されている。The amplifier 11A has two p-channel MOSs.
FETs 111, 112, eight resistors 113, 11
4, 120, 121, 123, 124, 125, 12
6, constant current circuit 115, five capacitors 116 to 11
9, 122 are included. FET1
11, 112, resistors 113, 114, constant current circuit 115
Are common to the configuration of the amplifier 11 shown in FIG.
【００４１】コンデンサ１１６は、一方のＦＥＴ１１１
のドレイン抵抗である抵抗１１３に並列に接続されてお
り、ＦＥＴ１１１のドレインから出力される一方の出力
信号に含まれる高域成分を除去する。同様に、コンデン
サ１１７は、他方のＦＥＴ１１２のドレイン抵抗である
抵抗１１４に並列に接続されており、ＦＥＴ１１２のド
レインから出力される他方の出力信号に含まれる高域成
分を除去する。これらの抵抗１１３、１１４、コンデン
サ１１６、１１７が高域成分除去手段に対応している。The capacitor 116 is connected to one FET 111
The high frequency component included in one output signal output from the drain of the FET 111 is removed in parallel with the resistor 113 which is the drain resistance of the FET 111. Similarly, the capacitor 117 is connected in parallel with the resistor 114, which is the drain resistance of the other FET 112, and removes a high-frequency component included in the other output signal output from the drain of the FET 112. These resistors 113 and 114 and capacitors 116 and 117 correspond to high-frequency component removing means.
【００４２】コンデンサ１１８は、ＦＥＴ１１１のドレ
インから出力されて、後段の増幅器１２Ａに入力される
一方の出力信号から直流成分を除去する。また、このコ
ンデンサ１１８は、抵抗１２０とともにＨＰＦ（ハイパ
スフィルタ）を構成しており、このＨＰＦによってＦＥ
Ｔ１１１から出力される信号に含まれる低域成分が除去
される。The capacitor 118 removes a DC component from one output signal output from the drain of the FET 111 and input to the subsequent amplifier 12A. The capacitor 118 forms an HPF (high-pass filter) together with the resistor 120, and the HPF is
Low-frequency components included in the signal output from T111 are removed.
【００４３】同様に、コンデンサ１１９は、ＦＥＴ１１
２のドレインから出力されて、後段の増幅器１２Ａに入
力される他方の出力信号から直流成分を除去する。ま
た、このコンデンサ１１９は、抵抗１２１とともにＨＰ
Ｆを構成しており、このＨＰＦによってＦＥＴ１１１か
ら出力される信号に含まれる低域成分が除去される。Similarly, the capacitor 119 is connected to the FET 11
The DC component is removed from the other output signal output from the drain of the second amplifier 2 and input to the subsequent amplifier 12A. The capacitor 119 is connected to the HP together with the resistor 121.
The low frequency component included in the signal output from the FET 111 is removed by the HPF.
【００４４】抵抗１２５、１２６は、ＦＥＴ１１１、１
１２のバイアス電圧を設定するためのものである。ま
た、上述した抵抗１２０、１２１のそれぞれの一方端は
共通に接続されており、この接続点とアースとの間にコ
ンデンサ１２２が挿入されている。これらの抵抗１２
０、１２１およびコンデンサ１２２によってＬＰＦ（ロ
ーパスフィルタ）が構成されている。すなわち、ＦＥＴ
１１１、１１２から別々に出力された信号は、低域成分
のみがこのＬＰＦで抽出され、同位相の信号として抵抗
１２３、１２４のそれぞれを介してＦＥＴ１１１、１１
２のゲートに帰還される。この結果、初段の増幅器１１
Ａに入力される信号の中の低域成分については、ＦＥＴ
１１１、１１２が差動増幅器として動作せずに、そのま
まの信号レベルで次段の増幅器１２Ａに入力される。こ
れらの抵抗１２０、１２１、１２３、１２４、コンデン
サ１２２から構成される帰還回路が低域成分除去手段に
対応している。The resistors 125 and 126 are connected to the FETs 111 and 1
This is for setting 12 bias voltages. One end of each of the resistors 120 and 121 is commonly connected, and a capacitor 122 is inserted between the connection point and the ground. These resistors 12
LPF (low-pass filter) is constituted by 0, 121 and the capacitor 122. That is, FET
Only low-frequency components of the signals separately output from 111 and 112 are extracted by this LPF, and the in-phase signals are output through FETs 111 and 11 through resistors 123 and 124, respectively.
2 is returned to the gate. As a result, the first-stage amplifier 11
A low-frequency component in the signal input to A
111 and 112 do not operate as differential amplifiers, but are input to the next-stage amplifier 12A at the same signal level. A feedback circuit composed of the resistors 120, 121, 123, and 124 and the capacitor 122 corresponds to a low-frequency component removing unit.
【００４５】このように、初段の増幅器１１Ａでは、一
方のＦＥＴ１１１のドレインから出力される信号の中か
ら、コンデンサ１１６を介して高域成分が除去されるた
め、ＦＥＴ１１１において発生する熱雑音を有効に取り
除くことができる。また、この信号の中から、コンデン
サ１１８と抵抗１２０によって構成されるＨＰＦによっ
て低域成分が除去されるため、ＦＥＴ１１１において発
生する１／ｆノイズを有効に取り除くことができる。As described above, in the first-stage amplifier 11A, the high-frequency component is removed from the signal output from the drain of one FET 111 via the capacitor 116, so that the thermal noise generated in the FET 111 can be effectively reduced. Can be removed. Also, from this signal, the low-frequency component is removed by the HPF constituted by the capacitor 118 and the resistor 120, so that the 1 / f noise generated in the FET 111 can be effectively removed.
【００４６】同様に、他方のＦＥＴ１１２のドレインか
ら出力される信号の中から、コンデンサ１１７を介して
高域成分が除去されるため、ＦＥＴ１１２において発生
する熱雑音を有効に取り除くことができる。また、この
信号の中から、コンデンサ１１９と抵抗１２１によって
構成されるＨＰＦによって低域成分が除去されるため、
ＦＥＴ１１２において発生する１／ｆノイズを有効に取
り除くことができる。Similarly, the high frequency component is removed from the signal output from the drain of the other FET 112 via the capacitor 117, so that the thermal noise generated in the FET 112 can be effectively removed. Also, from this signal, a low-frequency component is removed by an HPF constituted by a capacitor 119 and a resistor 121.
1 / f noise generated in the FET 112 can be effectively removed.
【００４７】さらに、ＦＥＴ１１１、１１２のそれぞれ
のドレインから出力される信号に含まれる低域成分は、
抵抗１２０、１２１およびコンデンサ１２２によって構
成されるＬＰＦによって同位相で入力側に帰還されてお
り、この低域成分については増幅器１１Ａにおける増幅
動作が行われないようになっているため、さらに１／ｆ
ノイズを低減することができる。Further, low-frequency components included in signals output from the drains of the FETs 111 and 112 are as follows:
The input signal is fed back to the input side in the same phase by the LPF constituted by the resistors 120 and 121 and the capacitor 122. Since the low-frequency component is not amplified by the amplifier 11A, 1 / f
Noise can be reduced.
【００４８】ところで、上述した増幅器１１Ａでは、抵
抗１１３、１１４のそれぞれに並列にコンデンサ１１
６、１１７を接続したが、これらのコンデンサ１１６、
１１７は、ＦＥＴ１１１、１１２のそれぞれのドレイン
とアース（あるいはそれ以外の固定電位）との間に挿入
するようにしてもよい。Incidentally, in the amplifier 11A described above, the capacitor 11 is connected in parallel with each of the resistors 113 and 114.
6 and 117, these capacitors 116,
117 may be inserted between the respective drains of the FETs 111 and 112 and the ground (or another fixed potential).
【００４９】また、これらのコンデンサ１１６、１１７
は、次段の増幅器１２Ａに含まれるＦＥＴの寄生容量を
利用するようにしてもよい。図５は、ＦＥＴの寄生容量
を利用することによりコンデンサの数を減らした多段増
幅器の構成を示す回路図である。図５に示す多段増幅器
は、５段の増幅器１１Ｂ、１２Ｂ、…、１５Ｂを縦続接
続することにより構成されている。図４に示した構成に
比べて、ドレイン抵抗に並列に接続されたコンデンサ１
１６、１１７が省略された点と、ＦＥＴ１１１、１１２
がゲート長Ｌとゲート幅Ｗが大きく設定されたＦＥＴ１
１１ａ、１１２ａに置き換えられた点が異なっている。The capacitors 116, 117
May use the parasitic capacitance of the FET included in the next-stage amplifier 12A. FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a multi-stage amplifier in which the number of capacitors is reduced by utilizing the parasitic capacitance of an FET. The multistage amplifier shown in FIG. 5 is configured by cascading five stages of amplifiers 11B, 12B,..., 15B. Compared to the configuration shown in FIG. 4, the capacitor 1 connected in parallel with the drain resistor
16 and 117 are omitted, and FETs 111 and 112 are omitted.
Is a FET1 with a large gate length L and a large gate width W
11a and 112a.
【００５０】一般に、ＦＥＴで発生するノイズ電流は、
ゲート長Ｌの逆数に比例することが知られている、した
がって、ゲート長Ｌを長く設定することにより、ノイズ
電流を低減することができる。ところが、ゲート長Ｌを
長くするとチャネル抵抗が大きくなるため、その分ゲー
ト幅Ｗを広く設定してチャネル抵抗を低減することが望
ましい。このように、ノイズ電流を低減するために、ゲ
ート長Ｌとゲート幅Ｗを大きくするということは、ゲー
ト電極の面積が大きくなるということであり、寄生容量
も大きくなるため、ある程度の容量値を確保することが
可能になり、コンデンサ１１６、１１７の代わりにこの
寄生容量を用いることができるようになる。Generally, the noise current generated in the FET is
It is known that it is proportional to the reciprocal of the gate length L. Therefore, by setting the gate length L to be long, the noise current can be reduced. However, when the gate length L is increased, the channel resistance is increased. Therefore, it is desirable to set the gate width W wide to reduce the channel resistance. As described above, increasing the gate length L and the gate width W to reduce the noise current means increasing the area of the gate electrode and increasing the parasitic capacitance. Therefore, the parasitic capacitance can be used instead of the capacitors 116 and 117.
【００５１】このように、ゲート長Ｌとゲート幅Ｗをと
もに大きくして寄生容量を大きくした上でコンデンサ１
１６、１１７を省略することにより、さらに信号の高域
成分、すなわち熱雑音を有効に除去することができる。
また、コンデンサ１１６、１１７を省略することによる
コストダウンが可能になることはいうまでもない。As described above, both the gate length L and the gate width W are increased to increase the parasitic capacitance.
By omitting the components 16 and 117, the high frequency component of the signal, that is, the thermal noise can be effectively removed.
Needless to say, the cost can be reduced by omitting the capacitors 116 and 117.
【００５２】〔第３の実施形態〕図６は、第３の実施形
態のＦＥＴ帯域増幅器に含まれる多段増幅器の構成を示
す回路図である。なお、第２の実施形態と同様に、ＦＥ
Ｔ帯域増幅器全体の構成は、図１に示した第１の実施形
態のＦＥＴ帯域増幅器の構成と同じであり、多段増幅器
１の内部構成のみが図６に示した構成に置き換わるもの
とする。[Third Embodiment] FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a multistage amplifier included in the FET band amplifier of the third embodiment. Note that, as in the second embodiment, the FE
The configuration of the entire T band amplifier is the same as the configuration of the FET band amplifier of the first embodiment shown in FIG. 1, and only the internal configuration of the multi-stage amplifier 1 replaces the configuration shown in FIG.
【００５３】図６に示す本実施形態の多段増幅器は、縦
続接続された５段の増幅器１１Ｃ、１２Ｃ、…、１５Ｃ
と、最終段の増幅器１５Ｃから出力される信号を外部に
取り出すとともに初段の増幅器１１Ｃに帰還させる付加
回路が含まれている。増幅器１１Ｃ〜１５Ｃのそれぞれ
の構成は同じであるため、以下では初段の増幅器１１Ｃ
に着目して説明する。The multistage amplifier of this embodiment shown in FIG. 6 has five stages of cascaded amplifiers 11C, 12C,.
And an additional circuit for extracting a signal output from the last-stage amplifier 15C to the outside and feeding it back to the first-stage amplifier 11C. Since the configurations of the amplifiers 11C to 15C are the same, the first stage amplifier 11C
The description will be made by focusing on.
【００５４】増幅器１１Ｃは、ＦＥＴ１１１ａ、１１２
ａ、抵抗１１３、１１４、定電流回路１１５を含んで構
成されている。この増幅器１１Ｃは、基本的には図２に
示した増幅器１１と同じ構成を有している。但し、ＦＥ
Ｔ１１１、１１２の代わりに図５に示したｐチャネルＭ
ＯＳ型のＦＥＴ１１１ａ、１１２ａが用いられている。
すなわち、これらのＦＥＴ１１１ａ、１１２ａは、ゲー
ト長Ｌとゲート幅Ｗが大きく設定されており、高域成分
に含まれる熱雑音を除去するために適した大きさのゲー
ト面積が確保されている。これにより、各段の増幅器に
入力される信号に含まれる熱雑音を有効に除去すること
ができる。The amplifier 11C includes FETs 111a, 112
a, resistors 113 and 114, and a constant current circuit 115. This amplifier 11C has basically the same configuration as the amplifier 11 shown in FIG. However, FE
P channel M shown in FIG. 5 instead of T111 and T112
OS type FETs 111a and 112a are used.
That is, the gate length L and the gate width W of these FETs 111a and 112a are set to be large, and a gate area of a size suitable for removing thermal noise included in a high-frequency component is secured. This makes it possible to effectively remove the thermal noise contained in the signal input to the amplifier at each stage.
【００５５】また、本実施形態の多段増幅器に備わった
付加回路には、ＦＥＴ１３１と定電流回路１３３からな
るソースホロワ回路１５０と、ＦＥＴ１３２と定電流回
路１３４からなるソースホロワ回路１５１と、抵抗１３
５、１３７、コンデンサ１３９、１４１からなるＬＰＦ
１５２と、抵抗１３６、１３８、コンデンサ１４０、１
４２からなるＬＰＦ１５３とが含まれている。The additional circuits provided in the multi-stage amplifier of this embodiment include a source follower circuit 150 comprising an FET 131 and a constant current circuit 133, a source follower circuit 151 comprising an FET 132 and a constant current circuit 134, and a resistor 13
LPF composed of 5, 137 and capacitors 139, 141
152, resistors 136 and 138, capacitors 140 and 1
, And an LPF 153 composed of 42.
【００５６】最終段の増幅器１５Ｃから出力される一方
の差動出力信号が、ソースホロワ回路１５０を介してＦ
ＥＴ帯域増幅器の一方の出力信号として取り出されると
もに、ＬＰＦ１５２および抵抗１４３を介して初段の増
幅器１１Ｃの一方の入力端に帰還される。同様に、最終
段の増幅器１５Ｃから出力される他方の差動出力信号
が、ソースホロワ回路１５１を介してＦＥＴ帯域増幅器
の他方の出力信号として取り出されるともに、ＬＰＦ１
５３および抵抗１４４を介して初段の増幅器１１Ｃの他
方の入力端に帰還される。One differential output signal output from the final-stage amplifier 15 C is supplied to the source follower circuit 150 via the F
The signal is extracted as one output signal of the ET band amplifier, and is fed back to one input terminal of the first-stage amplifier 11C via the LPF 152 and the resistor 143. Similarly, the other differential output signal output from the final stage amplifier 15C is taken out as the other output signal of the FET band amplifier via the source follower circuit 151, and the LPF 1
The signal is fed back to the other input terminal of the first-stage amplifier 11C via the resistor 53 and the resistor 144.
【００５７】ところで、本実施形態の多段増幅器には５
段（奇数個）の増幅器１１Ｃ〜１５Ｃが含まれているた
め、初段の増幅器１１Ｃに入力される信号の位相に対し
て、最終段の増幅器１５Ｃから出力される信号の位相は
反転している。したがって、ソースホロワ回路１５０、
１５１から出力される信号の低域成分のみをＬＰＦ１５
２、１５３によって抽出して初段の増幅器１１Ｃに帰還
させるということは、低域成分に対応する利得を下げ
て、この成分のみを除去することに他ならない。すなわ
ち、図６に示した帰還ループを形成することにより、低
域成分に含まれる１／ｆノイズを有効に除去することが
できる。Incidentally, the multistage amplifier of the present embodiment has 5
Since the stage (odd number) of amplifiers 11C to 15C is included, the phase of the signal output from the final stage amplifier 15C is inverted with respect to the phase of the signal input to the first stage amplifier 11C. Therefore, the source follower circuit 150,
LPF 15 converts only the low-frequency component of the signal output from
Extracting by 2,153 and feeding it back to the first-stage amplifier 11C is nothing less than lowering the gain corresponding to the low-frequency component and removing only this component. That is, by forming the feedback loop shown in FIG. 6, 1 / f noise included in the low frequency component can be effectively removed.
【００５８】このように、多段増幅器の全体に帰還ルー
プを形成して出力信号の低域成分のみを初段の増幅器１
１Ｃの入力側に帰還させることによっても有効に１／ｆ
ノイズを除去することができる。また、各段の増幅器１
１Ｃ〜１５Ｃにおいて高域成分を除去することにより、
この高域成分に含まれる熱雑音を有効に除去することが
できる。As described above, a feedback loop is formed in the entire multistage amplifier, and only the low-frequency component of the output signal is supplied to the first-stage amplifier 1.
1 / f can be effectively obtained by feeding back to the input side of 1C.
Noise can be removed. In addition, each stage of the amplifier 1
By removing high frequency components at 1C to 15C,
The thermal noise contained in the high frequency component can be effectively removed.
【００５９】なお、図６に示した本実施形態の多段増幅
器では、ＦＥＴの寄生容量を利用して信号の高域成分を
除去するようにしていたが、上述した図４に示した第２
の実施形態と同様に、コンデンサを用いるようにしても
よい。この場合には、図６に示したＦＥＴ１１１ａ等の
ゲート長Ｌとゲート幅Ｗを小さくするとともに、抵抗１
１３、１１４に並列にコンデンサを接続すればよい。In the multistage amplifier of this embodiment shown in FIG. 6, the high-frequency component of the signal is removed by utilizing the parasitic capacitance of the FET. However, the second stage amplifier shown in FIG.
As in the embodiment, a capacitor may be used. In this case, the gate length L and the gate width W of the FET 111a and the like shown in FIG.
A capacitor may be connected in parallel with 13, 114.
【００６０】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変
形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、
縦続接続された５段の増幅器によって多段増幅器を構成
したが、この段数は多段増幅器全体の利得をどの程度に
設定するかに応じて適宜変更することができる。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, in the embodiment described above,
Although the multistage amplifier is constituted by five stages of cascade-connected amplifiers, the number of stages can be changed as appropriate according to how much the gain of the whole multistage amplifier is set.
【００６１】また、上述した各実施形態に示した多段増
幅器とＡＧＣ（自動利得制御）回路を組み合わせるよう
にしてもよい。図７は、図１に示した多段増幅器１にＡ
ＧＣ回路１７を追加した構成を示す図である。ＡＧＣ回
路１７は、最終段の増幅器１５の出力信号のレベルがほ
ぼ一定となるように、各増幅器１１〜１５の利得を制御
する。このため、小信号がＦＥＴ帯域増幅器に入力され
た場合には増幅器１１〜１５のそれぞれの利得が大きな
値に設定されるが、上述したようにＢＰＦ１６によって
１／ｆノイズと熱雑音とが除去されるため、これらのノ
イズ成分によって各増幅器１１〜１５（特に増幅器１
４、１５）が飽和することがなく、歪みの少ない増幅信
号を得ることができる。なお、第２および第３の実施形
態の多段増幅器とＡＧＣ回路とを組み合わせた場合にも
同様の効果が得られることは明らかである。Further, the multi-stage amplifier and the AGC (automatic gain control) circuit shown in each of the above embodiments may be combined. FIG. 7 shows the multistage amplifier 1 shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration in which a GC circuit 17 is added. The AGC circuit 17 controls the gain of each of the amplifiers 11 to 15 so that the level of the output signal of the final-stage amplifier 15 is substantially constant. Therefore, when a small signal is input to the FET band amplifier, the gain of each of the amplifiers 11 to 15 is set to a large value. However, the 1 / f noise and the thermal noise are removed by the BPF 16 as described above. Therefore, each of the amplifiers 11 to 15 (in particular, the amplifier 1
4, 15) are not saturated, and an amplified signal with little distortion can be obtained. It is clear that the same effect can be obtained when the multistage amplifiers of the second and third embodiments are combined with the AGC circuit.
【００６２】[0062]
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、増幅
帯域よりも広い通過帯域を有する第１の帯域通過フィル
タを用いることにより、この通過帯域よりも低域側に存
在する１／ｆノイズと高域側に存在する熱雑音を除去す
ることができる。特に、これらのノイズ成分を除去する
ために用いられる第１の通過帯域フィルタは、急峻な減
衰特性が不要であるため、基板上に形成された抵抗やコ
ンデンサあるいはインダクタを組み合わせることにより
容易に構成することができ、第１の通過帯域フィルタや
複数の増幅器によって構成される多段増幅器全体を半導
体基板上に一体形成することが可能になる。しかも、増
幅素子としてＦＥＴを用いることにより、多段増幅器全
体をＦＥＴの製造プロセスで半導体基板上に作ることが
できるようになるため、バイポーラトランジスタを増幅
素子として用いた場合に比べて、集積化が容易になると
ともに、コストダウンや省スペース化を図ることができ
る。As described above, according to the present invention, by using the first band-pass filter having a pass band wider than the amplification band, the 1 / f which exists on the lower side of the pass band can be used. Noise and thermal noise present on the high frequency side can be removed. In particular, since the first pass band filter used for removing these noise components does not need a steep attenuation characteristic, it can be easily configured by combining a resistor, a capacitor, or an inductor formed on a substrate. This makes it possible to integrally form the entire multistage amplifier including the first passband filter and the plurality of amplifiers on the semiconductor substrate. In addition, the use of FETs as amplifying elements allows the entire multi-stage amplifier to be fabricated on a semiconductor substrate in the FET manufacturing process, making integration easier than using bipolar transistors as amplifying elements. And cost reduction and space saving can be achieved.
【００６３】また、増幅素子として移動度が小さいｐチ
ャネルＦＥＴを用いることにより、増幅器内部でのノイ
ズの発生をさらに少なくすることができる。したがっ
て、半導体基板上に一体形成された多段増幅器内部にお
いて、ノイズ成分によって増幅器が飽和してしまうこと
を防止することができるため、増幅したい本来の信号成
分のみを増幅することができ、ＦＥＴ帯域増幅器全体と
して高い利得を得ることができる。Further, by using a p-channel FET having a small mobility as the amplifying element, the generation of noise inside the amplifier can be further reduced. Therefore, since it is possible to prevent the amplifier from being saturated by the noise component inside the multi-stage amplifier integrally formed on the semiconductor substrate, it is possible to amplify only the original signal component to be amplified, and to use the FET band amplifier. High gain can be obtained as a whole.
【００６４】さらに、外付け部品としての第２の帯域通
過フィルタを組み合わせることにより、ＦＥＴ帯域増幅
器が構成されているため、この第２の通過帯域フィルタ
として急峻な減衰特性を有するもの、例えば大きなイン
ダクタンスを有するインダクタを含むＬＣフィルタや、
セラミックスフィルタ等の半導体化が困難なフィルタを
用いることができ、所望の選択特性を設定することがで
きる。この場合であっても、その後段に接続された多段
増幅器内部において発生するノイズ成分を抑制すること
ができるため、多段増幅器から出力される信号の品質を
向上させることができる。Further, since an FET band amplifier is formed by combining a second band-pass filter as an external component, the second band-pass filter having a steep attenuation characteristic, for example, a large inductance LC filter including an inductor having
It is possible to use a filter such as a ceramics filter, which is difficult to be made into a semiconductor, and to set desired selection characteristics. Even in this case, the noise component generated inside the multistage amplifier connected to the subsequent stage can be suppressed, so that the quality of the signal output from the multistage amplifier can be improved.
【図１】第１の実施形態のＦＥＴ帯域増幅器の構成を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an FET band amplifier of a first embodiment.
【図２】図１に示した多段増幅器に含まれる増幅器の構
成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of an amplifier included in the multi-stage amplifier shown in FIG.
【図３】図１に示したＦＥＴ帯域増幅器の概略構造を示
す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a schematic structure of the FET band amplifier shown in FIG. 1;
【図４】第２の実施形態のＦＥＴ帯域増幅器に含まれる
多段増幅器の構成を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a multi-stage amplifier included in the FET band amplifier of the second embodiment.
【図５】ＦＥＴの寄生容量を利用することによりコンデ
ンサの数を減らした多段増幅器の構成を示す回路図であ
る。FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a multi-stage amplifier in which the number of capacitors is reduced by utilizing the parasitic capacitance of an FET.
【図６】第３の実施形態のＦＥＴ帯域増幅器に含まれる
多段増幅器の構成を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a configuration of a multi-stage amplifier included in the FET band amplifier according to the third embodiment.
【図７】図１に示した多段増幅器にＡＧＣ回路を追加し
た構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration in which an AGC circuit is added to the multi-stage amplifier shown in FIG.
１ 多段増幅器 ２、１６ ＢＰＦ（帯域通過フィルタ） １１〜１５ 増幅器 １１１、１１２ ＦＥＴ １１３、１１４ 抵抗 １１５ 定電流回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multistage amplifier 2, 16 BPF (Bandpass filter) 11-15 Amplifier 111, 112 FET 113, 114 Resistance 115 Constant current circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J092 AA01 AA12 AA22 CA18 CA25 CA32 CA44 CA61 FA17 FA20 HA09 HA25 HA29 KA02 KA05 KA14 KA42 KA44 KA46 KA47 MA08 MA11 MA21 QA04 TA01 UR02 UR03 UR13 VL03 VL05 VL09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference)
Claims (8)
１の帯域通過フィルタとを有するＦＥＴ帯域増幅器にお
いて、 前記多段増幅器は、ＦＥＴが増幅素子として用いられる
縦続接続された複数段の増幅器と、前記複数段の増幅器
の中段に挿入されて増幅帯域よりも広い通過帯域が設定
された第２の帯域通過フィルタとを備え、 前記増幅器の少なくとも初段からｎ段目までの前記ＦＥ
ＴとしてｐチャネルＦＥＴを用い、 前記多段増幅器の構成部品を半導体基板上に一体形成す
るとともに、前記第１の帯域通過フィルタを外付け部品
として前記多段増幅器に接続することを特徴とするＦＥ
Ｔ帯域増幅器。1. An FET band amplifier having a multi-stage amplifier and a first band-pass filter provided in a stage preceding the multi-stage amplifier, wherein the multi-stage amplifier includes a cascade-connected multi-stage amplifier in which an FET is used as an amplification element. A second band-pass filter which is inserted in the middle stage of the plurality of stages of amplifiers and has a pass band wider than an amplification band.
FE characterized in that a p-channel FET is used as T, the components of the multistage amplifier are integrally formed on a semiconductor substrate, and the first bandpass filter is connected to the multistage amplifier as an external component.
T band amplifier.
増幅器であり、 ノイズ成分が累積して前記増幅器が飽和する段数をｍと
したときに、この段数ｍよりも少ない数の縦続接続され
た前記増幅器の後段に前記第１の帯域通過フィルタを配
置することを特徴とするＦＥＴ帯域増幅器。2. The amplifier according to claim 1, wherein the amplifier is a differential amplifier that differentially operates the two FETs. When the number of stages at which the amplifier saturates due to accumulation of noise components is m, An FET band-amplifier, wherein the first band-pass filter is arranged after the number of cascaded amplifiers smaller than the number m of stages.
接続された複数段の増幅器を含んで構成される多段増幅
器と、その前段に設けられた帯域通過フィルタとを備
え、 各段の前記増幅器は、入出力される信号から増幅帯域成
分の上限値よりも高域成分を除去する高域成分除去手段
と、前記入出力信号から前記増幅帯域成分の下限値より
も低域成分を除去する低域成分除去手段とを有し、 前記増幅器の少なくとも初段からｎ段目までの前記ＦＥ
ＴとしてｐチャネルＦＥＴを用い、 前記多段増幅器の構成部品を半導体基板上に一体形成す
るとともに、前記帯域通過フィルタを外付け部品として
前記多段増幅器に接続することを特徴とするＦＥＴ帯域
増幅器。3. A multi-stage amplifier including a plurality of cascaded amplifiers in which FETs are used as amplifying elements, and a band-pass filter provided in a preceding stage thereof, wherein the amplifier in each stage includes: High-frequency component removal means for removing higher-frequency components than the upper limit value of the amplification band component from the input / output signal; Removing means, and the FE at least from the first stage to the n-th stage of the amplifier.
An FET band amplifier, wherein a p-channel FET is used as T, components of the multistage amplifier are integrally formed on a semiconductor substrate, and the bandpass filter is connected to the multistage amplifier as an external component.
値よりも低い値に設定されたハイパスフィルタであるこ
とを特徴とするＦＥＴ帯域増幅器。4. The FET band amplifier according to claim 3, wherein the low-frequency component removing means is a high-pass filter whose cutoff frequency is set to a value lower than the lower limit.
増幅器であり、 前記低域成分除去手段は、各段の前記増幅器の差動出力
信号の低域成分を合成した信号を前記２個のトランジス
タに同位相で入力する帰還回路であることを特徴とする
ＦＥＴ帯域増幅器。5. The amplifier according to claim 3, wherein the amplifier is a differential amplifier that differentially operates the two FETs, and wherein the low-frequency component removing unit reduces a differential output signal of the amplifier in each stage. An FET band amplifier, which is a feedback circuit for inputting a signal obtained by synthesizing band components to the two transistors in the same phase.
接続された複数段の増幅器を含んで構成される多段増幅
器と、その前段に設けられた帯域通過フィルタとを備
え、 前記多段増幅器は、最終段の前記増幅器の出力信号に含
まれる増幅帯域成分の下限値よりも低域成分を、初段の
前記増幅器に逆相の状態で帰還させる帰還回路を有し、 各段の前記増幅器は、入出力信号から増幅帯域成分の上
限値よりも高域成分を除去する高域成分除去手段を有
し、 前記増幅器の少なくとも初段からｎ段目までの前記ＦＥ
ＴとしてｐチャネルＦＥＴを用い、 前記多段増幅器の構成部品を半導体基板上に形成すると
ともに、この半導体基板上に形成された前記多段増幅器
の外付け部品として前記帯域通過フィルタを接続するこ
とを特徴とするＦＥＴ帯域増幅器。6. A multi-stage amplifier including a plurality of cascaded amplifiers in which FETs are used as amplifying elements, and a band-pass filter provided in a preceding stage thereof, wherein the multi-stage amplifier is a final stage. A feedback circuit that feedbacks a lower-frequency component than the lower limit value of the amplification band component included in the output signal of the amplifier to the first-stage amplifier in an opposite phase. And a high-frequency component removing means for removing a high-frequency component higher than the upper limit value of the amplification band component from the FE.
Using a p-channel FET as T, forming the components of the multi-stage amplifier on a semiconductor substrate, and connecting the band-pass filter as an external component of the multi-stage amplifier formed on the semiconductor substrate. FET band amplifier to do.
値よりも高い値に設定されたローパスフィルタであるこ
とを特徴とするＦＥＴ帯域増幅器。7. The FET band amplifier according to claim 3, wherein the high-frequency component removing unit is a low-pass filter whose cutoff frequency is set to a value higher than the upper limit. .
段の前記増幅器に含まれる前記ＦＥＴの寄生容量を用い
ることを特徴とするＦＥＴ帯域増幅器。8. The FET band amplifier according to claim 7, wherein a parasitic capacitance of the FET included in the amplifier at the next stage is used as a capacitor included in the low-pass filter.
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|---|---|---|---|
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