JP2002252040A - Semiconductor electrode and solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体電極および
太陽電池に関するものである。[0001] The present invention relates to a semiconductor electrode and a solar cell.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、環境にやさしい電源として、
シリコンを用いた太陽電池が注目を集めている。シリコ
ンを用いた太陽電池の中には、人工衛星等に用いられる
単結晶シリコン型の太陽電池もあるが、実用的なものと
しては、特に多結晶シリコンを用いた太陽電池や、アモ
ルファスシリコンを用いた太陽電池が、産業用や家庭用
として実用化が始まっている。2. Description of the Related Art Conventionally, as an environmentally friendly power source,
Solar cells using silicon are attracting attention. Among the solar cells using silicon, there are single-crystal silicon solar cells used for artificial satellites and the like, but practically, solar cells using polycrystalline silicon and amorphous silicon are particularly used. Solar cells have been put into practical use for industrial and home use.
【０００３】しかしながら、これらのシリコンを用いた
太陽電池は、いずれもＣＶＤ（化学的気相成長）法等の
真空プロセスを用いるため、製造コストが高く、また、
これらのプロセスにおいて、多大な熱量や電気を使うた
め、製造に必要なエネルギーと太陽電池が生み出すエネ
ルギーとのバランスが非常に悪く、必ずしも省エネルギ
ーな電源とは言えなかった。However, these solar cells using silicon all use a vacuum process such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, so that the manufacturing cost is high, and
In these processes, a large amount of heat and electricity are used, so that the balance between the energy required for manufacturing and the energy generated by the solar cell is extremely poor, and it is not necessarily an energy-saving power source.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
に製造ができ、光電変換効率に優れる半導体電極および
太陽電池を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor electrode and a solar cell which can be manufactured at low cost and have excellent photoelectric conversion efficiency.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１７）の本発明により達成される。This and other objects are achieved by the present invention which is defined below as (1) to (17).
【０００６】（１） 主として酸化チタンで構成される
半導体電極であって、可視光領域の波長の光の吸収を可
能とする可視化処理が施されていることを特徴とする半
導体電極。(1) A semiconductor electrode mainly composed of titanium oxide, which has been subjected to a visualization process capable of absorbing light having a wavelength in a visible light region.
【０００７】（２） 前記可視化処理は、色素を吸着さ
せる色素吸着法によるものである上記（１）に記載の半
導体電極。(2) The semiconductor electrode according to (1), wherein the visualization is performed by a dye adsorption method for adsorbing a dye.
【０００８】（３） 前記色素は、顔料である上記
（２）に記載の半導体電極。(3) The semiconductor electrode according to (2), wherein the dye is a pigment.
【０００９】（４） 前記可視化処理は、酸素欠陥を形
成する酸素欠陥形成法によるものである上記（１）に記
載の半導体電極。(4) The semiconductor electrode according to the above (1), wherein the visualization is performed by an oxygen defect forming method for forming oxygen defects.
【００１０】（５） 前記可視化処理は、チタン原子の
一部をチタン原子と異なる金属原子で置換する原子置換
法によるものである上記（１）に記載の半導体電極。(5) The semiconductor electrode according to the above (1), wherein the visualization process is performed by an atom replacement method in which a part of a titanium atom is replaced with a metal atom different from a titanium atom.
【００１１】（６） 前記酸化チタンは、主として二酸
化チタンで構成される上記（１）ないし（５）のいずれ
かに記載の半導体電極。(6) The semiconductor electrode according to any one of (1) to (5), wherein the titanium oxide is mainly composed of titanium dioxide.
【００１２】（７） 平均粒径が１ｎｍ〜１μｍの酸化
チタン粉末を用いて製造されたものである上記（１）な
いし（６）のいずれかに記載の半導体電極。(7) The semiconductor electrode according to any one of the above (1) to (6), which is produced using a titanium oxide powder having an average particle size of 1 nm to 1 μm.
【００１３】（８） 多孔質である上記（１）ないし
（７）のいずれかに記載の半導体電極。(8) The semiconductor electrode according to any one of the above (1) to (7), which is porous.
【００１４】（９） 空孔率が５〜９０％である上記
（８）に記載の半導体電極。(9) The semiconductor electrode according to the above (8), wherein the porosity is 5 to 90%.
【００１５】（１０） 表面粗さＲａが５ｎｍ〜１０μ
ｍである上記（８）または（９）に記載の半導体電極。(10) Surface roughness Ra is 5 nm to 10 μm
m is the semiconductor electrode according to the above (8) or (9).
【００１６】（１１） 膜状をなしている上記（１）な
いし（１０）のいずれかに記載の半導体電極。(11) The semiconductor electrode according to any one of the above (1) to (10), which is in the form of a film.
【００１７】（１２） 平均厚さが０．１〜３００μｍ
である上記（１１）に記載の半導体電極。(12) The average thickness is 0.1 to 300 μm
The semiconductor electrode according to the above (11), wherein
【００１８】（１３） 陰極側に、上記（１）ないし
（１２）のいずれかに記載の半導体電極を設けたことを
特徴とする太陽電池。(13) A solar cell comprising the semiconductor electrode according to any one of (1) to (12) provided on the cathode side.
【００１９】（１４） 陰極と陽極との間に、上記
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の半導体電極を
有することを特徴とする太陽電池。(14) A solar cell having the semiconductor electrode according to any one of (1) to (12) between a cathode and an anode.
【００２０】（１５） 陽極と陰極との間に、上記
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の半導体電極と
電解質とを、前記半導体電極が陰極側に位置し、前記電
解質が陽極側に位置するように介挿してなることを特徴
とする太陽電池。(15) The semiconductor electrode and the electrolyte according to any one of the above (1) to (12) are provided between the anode and the cathode, wherein the semiconductor electrode is located on the cathode side, and the electrolyte is located on the anode side. A solar cell characterized by being interposed so as to be located at
【００２１】（１６） 前記半導体電極および前記電解
質の周囲には、壁部材が配設されている上記（１５）に
記載の太陽電池。(16) The solar cell according to (15), wherein a wall member is provided around the semiconductor electrode and the electrolyte.
【００２２】（１７） 前記半導体電極への光の入射角
が９０°での光電変換効率をＲ90とし、光の入射角が５
２°での光電変換効率をＲ52としたとき、Ｒ52／Ｒ90が
０．８以上である上記（１３）ないし（１６）のいずれ
かに記載の太陽電池。(17) The photoelectric conversion efficiency when the incident angle of light on the semiconductor electrode is 90 ° is R 90 and the incident angle of light is 5
The solar cell according to any one of the above (13) to (16), wherein R 52 / R 90 is 0.8 or more, where R 52 is the photoelectric conversion efficiency at 2 °.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体電極および
太陽電池を添付図面に示す好適な実施形態について詳細
に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.
【００２４】図１は、本発明の太陽電池（光電池）を示
す断面図であり、図２は、本発明の半導体電極（色素吸
着法により可視化処理が施された状態）の受光面付近の
断面を示す拡大図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a solar cell (photocell) of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view near a light-receiving surface of a semiconductor electrode of the present invention (in a state where visualization is performed by a dye adsorption method). FIG.
【００２５】図１に示す太陽電池１は、第１の基板２
と、第１の基板２の上面に設置された第１の電極３と、
第１の電極３の上面に設置された半導体電極４と、半導
体電極４を囲むようにして設置され、その内部に収納空
間８を有する壁部（壁部材）５と、壁部５を介して半導
体電極４と対向して設置された第２の電極６と、第２の
電極６の上面に設置された第２の基板７と、収納空間８
内に収納された電解質溶液（液体状の電解質）８１とを
有している。The solar cell 1 shown in FIG.
And a first electrode 3 provided on the upper surface of the first substrate 2;
A semiconductor electrode 4 provided on the upper surface of the first electrode 3; a wall (wall member) 5 provided so as to surround the semiconductor electrode 4 and having a storage space 8 therein; A second electrode 6 disposed opposite to the second electrode 4; a second substrate 7 disposed on the upper surface of the second electrode 6;
And an electrolyte solution (liquid electrolyte) 81 housed therein.
【００２６】以下、各構成要素について説明する。第１
の基板２は、第１の電極３の支持部材であり、平板状の
部材で構成されている。Hereinafter, each component will be described. First
The substrate 2 is a support member for the first electrode 3 and is formed of a plate-shaped member.
【００２７】第１の基板２の厚さ（平均）としては、特
に限定されないが、例えば、０．１〜１．５ｍｍ程度で
あるのが好ましく、０．８〜１．２ｍｍ程度であるのが
より好ましい。なお、この第１の基板２は、必要に応じ
て省略することもできる。The thickness (average) of the first substrate 2 is not particularly limited, but is preferably, for example, about 0.1 to 1.5 mm, and is preferably about 0.8 to 1.2 mm. More preferred. The first substrate 2 can be omitted if necessary.
【００２８】第１の基板２の上面には、層状（平板状）
の第１の電極３が設置されている。この第１の電極３
は、後述する半導体電極４で発生した電子を捕捉し、外
部回路９へ伝達する。すなわち、第１の電極３は、陰極
を構成する。On the upper surface of the first substrate 2, a layered (flat) plate
The first electrode 3 is provided. This first electrode 3
Captures electrons generated at the semiconductor electrode 4 described later and transmits the captured electrons to the external circuit 9. That is, the first electrode 3 forms a cathode.
【００２９】第１の電極３の厚さ（平均）としては、特
に限定されないが、例えば、０．００１〜０．５ｍｍ程
度であるのが好ましく、０．０５〜０．３ｍｍ程度であ
るのがより好ましい。The thickness (average) of the first electrode 3 is not particularly limited, but is preferably, for example, about 0.001 to 0.5 mm, and is preferably about 0.05 to 0.3 mm. More preferred.
【００３０】本実施形態の太陽電池１では、この第１の
電極３および前記第１の基板２側から、光を入射させて
（照射して）使用するものである。このため、第１の電
極３および第１の基板２は、それぞれ、好ましくは実質
的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされ
る。これにより、光を半導体電極４の受光面に効率よく
到達させることができる。In the solar cell 1 of the present embodiment, light is incident (irradiated) from the first electrode 3 and the first substrate 2 for use. Therefore, each of the first electrode 3 and the first substrate 2 is preferably substantially transparent (colorless transparent, colored transparent or translucent). Thereby, light can efficiently reach the light receiving surface of the semiconductor electrode 4.
【００３１】第１の電極３の上面には、主として酸化チ
タンで構成され、好ましくは膜状（層状）をなす半導体
電極４が設置されている。この半導体電極４は、受光に
より電子と正孔とを発生する。On the upper surface of the first electrode 3, there is provided a semiconductor electrode 4 mainly composed of titanium oxide, preferably in a film (layer) form. The semiconductor electrode 4 generates electrons and holes by receiving light.
【００３２】また、半導体電極４は、図２に示すよう
に、複数の孔４１を有する多孔質であるのが好ましい。
なお、半導体電極４の詳細については、後述する。The semiconductor electrode 4 is preferably porous having a plurality of holes 41 as shown in FIG.
The details of the semiconductor electrode 4 will be described later.
【００３３】また、第１の電極３の上面には、半導体電
極４を囲むように、壁部５が立設されている。この壁部
５の内部には、半導体電極４と後述する第２の電極６と
で収納空間８が画成され、後述する電解質溶液８１が収
納されている。A wall 5 is provided upright on the upper surface of the first electrode 3 so as to surround the semiconductor electrode 4. Inside the wall 5, a storage space 8 is defined by the semiconductor electrode 4 and a second electrode 6 described later, and an electrolyte solution 81 described later is stored therein.
【００３４】この壁部５は、太陽電池１の側面を気密的
に封止する封止部材としての機能を有し、また、第１の
電極３と第２の電極６との間隔（距離）を一定に保持す
るスペーサとしても機能する。The wall portion 5 has a function as a sealing member for hermetically sealing the side surface of the solar cell 1, and also has a distance (distance) between the first electrode 3 and the second electrode 6. Also functions as a spacer for keeping the constant.
【００３５】壁部５にスペーサとしての機能を持たせた
場合には、太陽電池１では、その強度を保持すること、
特に、少なくとも半導体電極４および電解質溶液８１
（電解質）の変形を防止することができる。このため、
太陽電池１では、電解質溶液８１のイオン伝導状態を好
適なものとすることができ、その結果、優れた発電効率
（光電変換効率）が得られる。When the wall 5 has a function as a spacer, the solar cell 1 must maintain its strength.
In particular, at least the semiconductor electrode 4 and the electrolyte solution 81
(Electrolyte) deformation can be prevented. For this reason,
In the solar cell 1, the ionic conduction state of the electrolyte solution 81 can be made favorable, and as a result, excellent power generation efficiency (photoelectric conversion efficiency) can be obtained.
【００３６】壁部５の幅（平均）、すなわち、図１中の
横方向の長さは、特に限定されないが、例えば、０．１
〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｍｍ程
度であるのがより好ましい。The width (average) of the wall 5, that is, the length in the horizontal direction in FIG. 1 is not particularly limited.
It is preferably about 10 to 10 mm, and more preferably about 0.5 to 5 mm.
【００３７】壁部５の高さ（平均）、すなわち、図１中
の縦方向の長さ（厚さ）は、特に限定されないが、例え
ば、０．００１〜１．０ｍｍ程度であるのが好ましく、
０．０１〜０．１ｍｍ程度であるのがより好ましい。The height (average) of the wall portion 5, that is, the vertical length (thickness) in FIG. 1 is not particularly limited, but is preferably, for example, about 0.001 to 1.0 mm. ,
More preferably, it is about 0.01 to 0.1 mm.
【００３８】このような壁部５は、絶縁材料で構成され
ている。この絶縁材料としては、例えば、ポリカーボネ
ート、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂のような各種樹脂材料、各種ガラス材料、
各種快削性セラミックス材料等のうちの１種または２種
以上を組み合わせて用いることができる。特に、壁部５
にスペーサとしての機能を持たせる場合には、より強度
に優れるという点において、前記材料の中でも、ポリカ
ーボネート、各種ガラス材料を用いるのが好ましい。The wall 5 is made of an insulating material. As the insulating material, for example, various resin materials such as polycarbonate, ultraviolet curing resin, thermosetting resin, epoxy resin, polyimide resin, various glass materials,
One or a combination of two or more of various free-cutting ceramic materials can be used. In particular, the wall 5
In the case where the material has a function as a spacer, it is preferable to use polycarbonate and various glass materials among the above-mentioned materials in terms of higher strength.
【００３９】また、壁部５を、例えば、低融点ガラスの
ような紫外線の耐性を有する材料で構成した場合には、
光の照射に伴う壁部５の経時的な変質、劣化を防止する
ことができ、太陽電池１では、電解質溶液８１の液漏れ
を防止して耐久性がより向上する。When the wall 5 is made of a material having resistance to ultraviolet rays, such as low melting point glass, for example,
It is possible to prevent temporal deterioration and deterioration of the wall portion 5 due to light irradiation, and in the solar cell 1, leakage of the electrolyte solution 81 is prevented and durability is further improved.
【００４０】なお、このような観点からは、壁部５を前
記第１の基板２または後述する第２の基板７と一体的に
形成するようにしてもよい。From such a viewpoint, the wall portion 5 may be formed integrally with the first substrate 2 or a second substrate 7 described later.
【００４１】壁部５の上面には、半導体電極４に対向し
て第２の電極６が設置されている。この第２の電極６
は、外部回路９を介して供給された電子を、後述する電
解質溶液８１に付与する。すなわち、第２の電極６は、
陽極を構成する。The second electrode 6 is provided on the upper surface of the wall 5 so as to face the semiconductor electrode 4. This second electrode 6
Applies the electrons supplied via the external circuit 9 to an electrolyte solution 81 described later. That is, the second electrode 6
Construct the anode.
【００４２】第２の電極６および前記第１の電極３の構
成材料としては、それぞれ、例えば、インジウムティン
オキサイド（ＩＴＯ）、フッ素ドープした酸化錫（ＦＴ
Ｏ）、酸化インジウム（ＩＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）の
ような金属酸化物、アルミニウム、ニッケル、クロム、
白金、銀、金、銅、モリブデン、チタン、タンタルのよ
うな金属またはこれらを含む合金等の１種または２種以
上を組み合わせて用いることができる。The constituent materials of the second electrode 6 and the first electrode 3 are, for example, indium tin oxide (ITO) and fluorine-doped tin oxide (FT), respectively.
O), metal oxides such as indium oxide (IO), tin oxide (SnO 2 ), aluminum, nickel, chromium,
Metals such as platinum, silver, gold, copper, molybdenum, titanium, and tantalum, or alloys containing these, or one or more of them can be used in combination.
【００４３】第２の電極６の厚さ（平均）としては、特
に限定されないが、例えば、０．００１〜０．５ｍｍ程
度であるのが好ましく、０．０５〜０．３ｍｍ程度であ
るのがより好ましい。The thickness (average) of the second electrode 6 is not particularly limited, but is preferably, for example, about 0.001 to 0.5 mm, and is preferably about 0.05 to 0.3 mm. More preferred.
【００４４】第２の電極６の上面には、平板状の第２の
基板７が設置されている。この第２の基板７は、第２の
電極６の支持部材である。On the upper surface of the second electrode 6, a plate-shaped second substrate 7 is provided. This second substrate 7 is a support member for the second electrode 6.
【００４５】この第２の基板７および前記第１の基板２
は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種セラミッ
クス材料、各種プラスチック材料、ポリカーボネート
（ＰＣ）のような樹脂材料、または、アルミニウムのよ
うな金属材料等の１種または２種以上を組み合わせて用
いることができる。The second substrate 7 and the first substrate 2
May be used in combination with one or more of various glass materials, various ceramic materials, various plastic materials, resin materials such as polycarbonate (PC), and metal materials such as aluminum. it can.
【００４６】第２の基板７の厚さ（平均）としては、特
に限定されないが、例えば、０．１〜１．５ｍｍ程度で
あるのが好ましく、０．８〜１．２ｍｍ程度であるのが
より好ましい。なお、この第２の基板７は、必要に応じ
て省略することもできる。The thickness (average) of the second substrate 7 is not particularly limited, but is preferably, for example, about 0.1 to 1.5 mm, and is preferably about 0.8 to 1.2 mm. More preferred. Note that the second substrate 7 can be omitted as necessary.
【００４７】収納空間８内には、電解質として、電解質
溶液８１が収納されている。この電解質溶液８１として
は、特に限定されないが、例えば、Ｉ／Ｉ3系、Ｂｒ／
Ｂｒ3系、Ｃｌ／Ｃｌ3系、Ｆ／Ｆ3系のようなハロゲン
系、キノン／ハイドロキノン系等のレドックス電解質
（酸化還元物質：電解質成分）の１種または２種以上を
組み合わせたものを、例えば各種水、アセトニトリル、
エチレンカーボネート、炭酸プロピレン、ポリエチレン
グリコール等の溶媒（または、これらの混合溶媒）に溶
解したものを用いることができる。これらの中でも、電
解質溶液８１としては、特に、ヨウ素溶液（Ｉ／Ｉ3系
溶液）が好ましく用いられる。より具体的には、電解質
溶液８１は、例えば、ヨウ素およびヨウ化カリウムをエ
チレングリコールに溶解した溶液、ジメチルヘキシルイ
ミダゾリウム、ヨウ素およびヨウ化リチウムを所定量の
Tertiary-butylpyridineが添加されたアセトニトリルに
溶解した溶液、Ｉｏｄｏｌｙｔｅ ＴＧ５０（Solaroni
cs社製）、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリ
チウムイオダイド等を用いることができる。In the storage space 8, an electrolyte solution 81 is stored as an electrolyte. The electrolyte solution 81 is not particularly limited. For example, an I / I 3 system, Br /
A redox electrolyte (oxidation-reduction substance: electrolyte component) such as a halogen type such as Br 3 type, Cl / Cl 3 type or F / F 3 type, or a quinone / hydroquinone type; For example, various water, acetonitrile,
A solvent dissolved in a solvent such as ethylene carbonate, propylene carbonate, or polyethylene glycol (or a mixed solvent thereof) can be used. Among these, an iodine solution (I / I 3 system solution) is particularly preferably used as the electrolyte solution 81. More specifically, the electrolyte solution 81 is, for example, a solution obtained by dissolving iodine and potassium iodide in ethylene glycol, dimethylhexylimidazolium, iodine and lithium iodide in a predetermined amount.
A solution of Tertiary-butylpyridine dissolved in acetonitrile, Iodolyte TG50 (Solaroni
cs), 1,2-dimethyl-3-propylimidazolithium iodide and the like.
【００４８】電解質溶液８１中の電解質成分の濃度（含
有量）としては、特に限定されないが、例えば、０．１
〜２５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．５〜１５ｗ
ｔ％程度であるのがより好ましい。The concentration (content) of the electrolyte component in the electrolyte solution 81 is not particularly limited.
２５25 wt%, preferably 0.5-15 w
It is more preferably about t%.
【００４９】また、電解質溶液８１の液量としては、特
に限定されず、例えば、製造する太陽電池１の寸法、電
解質溶液８１中の電解質成分の濃度等により適宜設定す
ることができる。The amount of the electrolyte solution 81 is not particularly limited, and can be appropriately set depending on, for example, the dimensions of the solar cell 1 to be manufactured, the concentration of the electrolyte component in the electrolyte solution 81, and the like.
【００５０】このような太陽電池１では、半導体電極４
に、光が入射すると、この半導体電極４において、電子
が励起され、電子と正孔とが発生する。また、半導体電
極４と電解質溶液８１との界面に発生しているバンドの
曲がりによって、電子が前記界面と反対側の方向に押し
やられ、電解分離が起こる。In such a solar cell 1, the semiconductor electrode 4
When light is incident on the semiconductor electrode 4, electrons are excited in the semiconductor electrode 4 to generate electrons and holes. In addition, due to the bending of the band generated at the interface between the semiconductor electrode 4 and the electrolyte solution 81, electrons are pushed in a direction opposite to the interface, and electrolytic separation occurs.
【００５１】そして、電子は、第１の電極３および外部
回路９を介して、対極の第２の電極６に集まる。この電
子は、電解質溶液８１としてヨウ素溶液を用いる場合、
電解質溶液８１中のヨウ素を還元して、Ｉ-の形にす
る。Then, the electrons are collected on the counter electrode second electrode 6 via the first electrode 3 and the external circuit 9. This electron, when using an iodine solution as the electrolyte solution 81,
The iodine in the electrolyte solution 81 is reduced to form I − .
【００５２】このＩ-（還元体）は、電解質溶液８１中
を拡散して、半導体電極４の表面（受光面）に達する
と、半導体電極４の表面に残存している正孔に電子を奪
い取られて（酸化され）、Ｉ3 -（酸化体）の形になる。
これにより、電流のループが完結するようになる。This I − (reduced form) diffuses in the electrolyte solution 81 and reaches the surface (light receiving surface) of the semiconductor electrode 4, where electrons are taken out by holes remaining on the surface of the semiconductor electrode 4. is to (oxidized), I 3 - takes the form of (oxidant).
This completes the current loop.
【００５３】なお、Ｉ3 -は、電解質溶液８１中を拡散移
動して、第２の電極６に戻り、電子をもらって還元され
るという行動を繰り返す。[0053] Incidentally, I 3 - is a middle electrolyte solution 81 diffuses moved back to the second electrode 6, and repeats the action of being reduced gotten electrons.
【００５４】なお、光の照射により、半導体電極４で
は、電子および正孔が同時に発生するが、以下の説明で
は、便宜上、「電子が発生する」と記載する。Note that, by irradiation of light, electrons and holes are simultaneously generated in the semiconductor electrode 4, but in the following description, "electrons are generated" for convenience.
【００５５】さて、本発明の半導体電極４は、主として
酸化チタンで構成される。酸化チタンとしては、例え
ば、二酸化チタン、一酸化チタン、三酸化二チタン等の
うちの、１種または２種以上を組み合わせて用いること
ができるが、この中でも、酸化チタンとしては、主とし
て二酸化チタンで構成されるものが好ましい。二酸化チ
タンは、光に対する感受性が高いので、酸化チタンとし
て、主として二酸化チタンを用いた半導体電極４では、
光の利用効率がより向上する。The semiconductor electrode 4 of the present invention is mainly composed of titanium oxide. As the titanium oxide, for example, one or a combination of two or more of titanium dioxide, titanium monoxide, dititanium trioxide and the like can be used. Among them, titanium oxide is mainly titanium dioxide. What is constituted is preferred. Since titanium dioxide is highly sensitive to light, the semiconductor electrode 4 mainly using titanium dioxide as titanium oxide
Light utilization efficiency is further improved.
【００５６】さらに、二酸化チタンとしては、結晶構造
がアナターゼ型の二酸化チタンを主とするもの、ルチル
型の二酸化チタンを主とするもの、アナターゼ型の二酸
化チタンとルチル型の二酸化チタンとの混合物を主とす
るもののいずれであってもよい。Further, as the titanium dioxide, those having a crystal structure mainly of anatase-type titanium dioxide, those mainly containing rutile-type titanium dioxide, and a mixture of anatase-type titanium dioxide and rutile-type titanium dioxide can be used. Any of the main ones may be used.
【００５７】ルチル型の二酸化チタンは、紫外領域に近
い部分の可視光領域の波長の光を利用することが可能で
あることから、ルチル型の二酸化チタンを主とする半導
体電極４では、光の利用効率に優れるという利点を有す
る。Since rutile-type titanium dioxide can use light having a wavelength in the visible light region near the ultraviolet region, the semiconductor electrode 4 mainly composed of rutile-type titanium dioxide emits light. It has the advantage of excellent utilization efficiency.
【００５８】また、ルチル型の二酸化チタンは、その結
晶構造が安定しているので、ルチル型の二酸化チタンを
主とする半導体電極４では、過酷な環境下に曝された場
合でも、経年変化（劣化）が少なく、安定した性能が長
期間継続して得られるという利点を有する。Further, since the crystal structure of rutile-type titanium dioxide is stable, the semiconductor electrode 4 mainly composed of rutile-type titanium dioxide undergoes aging (even if exposed to a severe environment). (Deterioration) is small and stable performance can be obtained continuously for a long period of time.
【００５９】一方、アナターゼ型の二酸化チタンの結晶
構造は、比較的不安定であることに起因して、アナター
ゼ型の二酸化チタンを主とする半導体電極４では、電子
が発生し易いという利点を有する。On the other hand, since the crystal structure of anatase type titanium dioxide is relatively unstable, the semiconductor electrode 4 mainly composed of anatase type titanium dioxide has an advantage that electrons are easily generated. .
【００６０】さらに、ルチル型の二酸化チタンとアナタ
ーゼ型の二酸化チタンとの混合物を主とする半導体電極
４では、前述した利点を併有することができる。Further, the semiconductor electrode 4 mainly composed of a mixture of rutile-type titanium dioxide and anatase-type titanium dioxide can have the advantages described above.
【００６１】このように混合させた場合には、ルチル型
の二酸化チタンとアナターゼ型の二酸化チタンとは、特
に限定されないが、例えば、重量比で９５：５〜５：９
５程度であるのが好ましく、８０：２０〜２０：８０程
度であるのがより好ましい。When mixed in this way, the rutile-type titanium dioxide and the anatase-type titanium dioxide are not particularly limited. For example, the weight ratio is 95: 5 to 5: 9.
It is preferably about 5 and more preferably about 80:20 to 20:80.
【００６２】さらに、本発明の半導体電極４では、可視
化処理が施され、可視光領域（通常、４００〜７５０ｎ
ｍ程度）の広い範囲の波長の光の吸収が可能とされてい
る。これにより、半導体電極４は、光の利用効率がより
向上し、より確実に電子を発生することができる。Further, in the semiconductor electrode 4 of the present invention, a visualization process is performed so that the semiconductor electrode 4 is in a visible light region (usually 400 to 750 n
m) can be absorbed. Thereby, the semiconductor electrode 4 can further improve the light use efficiency and generate electrons more reliably.
【００６３】このような可視化処理の方法としては、例
えば、色素を吸着させる色素吸着法、酸素欠陥を形
成する酸素欠陥形成法、チタン原子の一部をチタン原
子と異なる金属原子で置換する原子置換法等が挙げら
れ、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いる
ことができる。以下、これら〜の方法について、そ
れぞれ、詳述する。Examples of such a visualization method include a dye adsorption method in which a dye is adsorbed, an oxygen defect formation method in which oxygen defects are formed, and atom substitution in which a part of titanium atoms is replaced with a metal atom different from titanium atoms. And the like, and one or more of these can be used in combination. Hereinafter, each of these methods will be described in detail.
【００６４】 色素吸着法 色素吸着法では、半導体電極材料を膜状に成形した膜状
体（以下、単に「膜状体」と言う。）と、例えば色素４
２を溶解または懸濁（分散）した溶媒とを、例えば、浸
漬、塗布等により接触させることにより、色素４２を膜
状体の表面および／または空孔内に吸着させる。Dye Adsorption Method In the dye adsorption method, a film-like body (hereinafter, simply referred to as a “film-like body”) in which a semiconductor electrode material is formed into a film shape and, for example, dye 4
The dye 42 is adsorbed on the surface and / or in the pores of the film by bringing the solvent in which 2 is dissolved or suspended (dispersed) into contact with, for example, dipping or coating.
【００６５】この色素４２としては、特に限定されない
が、例えば、顔料、染料等が挙げられるが、経時的変
質、劣化がより少ないという点で顔料が好ましい。The dye 42 is not particularly limited, and includes, for example, pigments and dyes. Pigments are preferred because they are less likely to deteriorate and deteriorate with time.
【００６６】また、顔料としては、特に限定されない
が、例えば、フタロシアニングリーン、フタロシアニン
ブルー等のフタロシアニン系顔料、ファストイエロー、
ジスアゾイエロー、縮合アゾイエロー、ペンゾイミダゾ
ロンイエロー、ジニトロアニリンオレンジ、ペンズイミ
ダゾロンオレンジ、トルイジンレッド、パーマネントカ
ーミン、パーマネントレッド、ナフトールレッド、縮合
アゾレッド、ベンズイミダゾロンカーミン、ベンズイミ
ダゾロンブラウン等のアゾ系顔料、アントラピリミジン
イエロー、アントラキノニルレッド等のアントラキノン
系顔料、銅アゾメチンイエロー等のアゾメチン系顔料、
キノフタロンイエロー等のキノフタロン系顔料、イソイ
ンドリンイエロー等のイソインドリン系顔料、ニッケル
ジオキシムイエロー等のニトロソ系顔料、ペリノンオレ
ンジ等のペリノン系顔料、キナクリドンマゼンタ、キナ
クリドンマルーン、キナクリドンスカーレット、キナク
リドンレッド等のキナクリドン系顔料、ペリレンレッ
ド、ペリレンマルーン等のペリレン系顔料、ジケトピロ
ロピロールレッド等のピロロピロール系顔料、ジオキサ
ジンバイオレット等のジオキサジン系顔料のような有機
顔料、カーボンブラック、ランプブラック、ファーネス
ブラック、アイボリーブラック、黒鉛、フラーレン等の
炭素系顔料、黄鉛、モリブデートオレンジ等クロム酸塩
系顔料、カドミウムイエロー、カドミウムリトポンイエ
ロー、カドミウムオレンジ、カドミウムリトポンオレン
ジ、銀朱、カドミウムレッド、カドミウムリトポンレッ
ド等の硫化物系顔料、オーカー、チタンイエロー、チタ
ンバリウムニッケルイエロー、べんがら、鉛丹、アンバ
ー、褐色酸化鉄、亜鉛鉄クロムブラウン、酸化クロム、
コバルトグリーン、コバルトクロムグリーン、チタンコ
バルトグリーン、コバルトブルー、セルリアンブルー、
コバルトアルミニウムクロムブルー、鉄黒、マンガンフ
ェライトブラック、コバルトフェライトブラック、銅ク
ロムブラック、銅クロムマンガンブラック等の酸化物系
顔料、ビリジアン等の水酸化物系顔料、紺青等のフェロ
シアン化物系顔料、群青等のケイ酸塩系顔料、コバルト
バイオレット、ミネラルバイオレット等のリン酸塩系顔
料、その他（例えば硫化カドミウム、セレン化カドミウ
ム等）のような無機顔料等の１種または２種以上を組み
合わせて用いることができる。The pigment is not particularly limited. For example, phthalocyanine pigments such as phthalocyanine green and phthalocyanine blue, fast yellow,
Azo series such as disazo yellow, condensed azo yellow, penzoimidazolone yellow, dinitroaniline orange, penzimidazolone orange, toluidine red, permanent carmine, permanent red, naphthol red, condensed azo red, benzimidazolone carmine, benzimidazolone brown, etc. Pigments, anthrapyrimidine yellow, anthraquinone pigments such as anthraquinonyl red, azomethine pigments such as copper azomethine yellow,
Quinophthalone pigments such as quinophthalone yellow, isoindoline pigments such as isoindoline yellow, nitroso pigments such as nickel dioxime yellow, perinone pigments such as perinone orange, quinacridone magenta, quinacridone maroon, quinacridone scarlet, and quinacridone red. Organic pigments such as quinacridone pigments, perylene pigments such as perylene red and perylene maroon, pyrrolopyrrole pigments such as diketopyrrolopyrrole red, dioxazine pigments such as dioxazine violet, carbon black, lamp black, furnace black, Carbon pigments such as ivory black, graphite, fullerene, etc., chromate pigments such as graphite, molybdate orange, cadmium yellow, cadmium lithopone yellow, cadmium oxide Sulfide pigments such as orange, cadmium lithopone orange, silver vermilion, cadmium red, cadmium lithopone red, ocher, titanium yellow, titanium barium nickel yellow, red iron, lead red, amber, brown iron oxide, zinc iron chrome brown, oxidation chromium,
Cobalt green, cobalt chrome green, titanium cobalt green, cobalt blue, cerulean blue,
Oxide pigments such as cobalt aluminum chrome blue, iron black, manganese ferrite black, cobalt ferrite black, copper chromium black, copper chromium manganese black, hydroxide pigments such as viridian, ferrocyanide pigments such as navy blue, ultramarine Or a combination of two or more of silicate pigments such as silicate pigments, phosphate pigments such as cobalt violet and mineral violet, and other inorganic pigments such as cadmium sulfide and cadmium selenide. Can be.
【００６７】 酸素欠陥形成法 酸素欠陥形成法としては、特に限定されないが、例え
ば、酸化チタン粉末あるいは膜状体を、水素雰囲気（還
元雰囲気）中で熱処理する方法、真空（例えば１０-5〜
１０-6Ｔｏｒｒ）下で熱処理する方法、低温プラズマ処
理する方法等が挙げられる。この中でも、酸素欠陥形成
法としては、酸化チタン粉末あるいは膜状体を、水素雰
囲気中で熱処理する方法が好ましい。[0067] As the oxygen defects forming method oxygen defect formation method is not particularly limited, for example, a method of heat treatment at a titanium oxide powder or film-like material, in an atmosphere of hydrogen (reducing atmosphere), a vacuum (e.g., 10 -5
A method of performing a heat treatment under 10 −6 Torr), a method of performing a low-temperature plasma treatment, and the like are given. Among them, as the oxygen defect forming method, a method of heat-treating a titanium oxide powder or a film in a hydrogen atmosphere is preferable.
【００６８】 原子置換法 原子置換法としては、例えば、前記の金属原子あるいは
その酸化物からなる無機増感剤が添加された半導体電極
材料の膜状体を焼成（焼結）する方法、膜状体に対して
前記の金属原子をイオン化したものを注入する（打ち込
む）方法等が挙げられる。この中でも、原子置換法とし
ては、無機増感剤が添加された半導体電極材料の膜状体
を焼成する方法がより好ましい。なお、このような原子
置換法は、酸化チタン粉末に施すこともできる。Atom replacement method The atom replacement method includes, for example, a method of firing (sintering) a film of a semiconductor electrode material to which an inorganic sensitizer composed of the above-described metal atom or its oxide is added, A method of injecting (implanting) the ionized metal atom into the body may be used. Among these, a method of firing a film of a semiconductor electrode material to which an inorganic sensitizer is added is more preferable as the atom replacement method. In addition, such an atomic substitution method can be applied to titanium oxide powder.
【００６９】このような半導体電極４は、緻密質なもの
であってもよいが、前述したように、多孔質であるのが
好ましい。図２は、半導体電極４の受光面付近に、光が
入射している状態を模式的に示している。図２に示すよ
うに、半導体電極４を多孔質とすることにより、光（図
２中の矢印）は、半導体電極４の表面（受光面）から、
さらに内部まで侵入し、孔４１内で多重反射される。こ
のため、光は、より広い範囲で、半導体電極４に接触す
ることになる。Such a semiconductor electrode 4 may be dense, but is preferably porous as described above. FIG. 2 schematically shows a state in which light is incident near the light receiving surface of the semiconductor electrode 4. As shown in FIG. 2, by making the semiconductor electrode 4 porous, light (arrows in FIG. 2) is emitted from the surface (light receiving surface) of the semiconductor electrode 4.
Further, it penetrates into the inside and is multiply reflected in the hole 41. Therefore, light comes into contact with the semiconductor electrode 4 in a wider range.
【００７０】また、多孔質な半導体電極４では、電解質
溶液８１を内部にまで浸透させることができるので、電
解質溶液８１との接触面積を十分に確保することができ
る。Further, in the porous semiconductor electrode 4, since the electrolyte solution 81 can penetrate into the inside, the contact area with the electrolyte solution 81 can be sufficiently ensured.
【００７１】このようなことから、多孔質な半導体電極
４を用いた太陽電池１では、効率よく発電することがで
きる。Thus, the solar cell 1 using the porous semiconductor electrode 4 can generate power efficiently.
【００７２】また、この場合、半導体電極４の表面積
は、緻密質な半導体電極の表面積と比較して、大幅に増
大（例えば、５０〜１００００倍）する。これにより、
本発明の半導体電極４を用いた太陽電池１では、緻密質
な半導体電極を用いた太陽電池と比較して、大電流（例
えば、５０〜１００００倍）が生じることになる。In this case, the surface area of the semiconductor electrode 4 is significantly increased (for example, 50 to 10,000 times) as compared with the surface area of the dense semiconductor electrode. This allows
In the solar cell 1 using the semiconductor electrode 4 of the present invention, a large current (for example, 50 to 10,000 times) is generated as compared with the solar cell using the dense semiconductor electrode.
【００７３】このような多孔質の度合を表す指標として
は、例えば、半導体電極４の空孔率（気孔率）、半導体
電極４の受光面の表面粗さＲａ等があるが、本発明で
は、半導体電極４は、空孔率あるいは受光面の表面粗さ
Ｒａのいずれか一方が以下の条件を満足するのが好まし
く、空孔率および受光面の表面粗さＲａの双方が以下の
条件を満足するのがより好ましい。The index indicating the degree of such porosity includes, for example, the porosity (porosity) of the semiconductor electrode 4 and the surface roughness Ra of the light-receiving surface of the semiconductor electrode 4. In the semiconductor electrode 4, either one of the porosity and the surface roughness Ra of the light receiving surface preferably satisfies the following conditions, and both the porosity and the surface roughness Ra of the light receiving surface satisfy the following conditions. More preferably,
【００７４】半導体電極４の空孔率としては、特に限定
されないが、例えば、５〜９０％程度であるのが好まし
く、１５〜５０％程度であるのがより好ましく、２０〜
４０％程度であるのがさらに好ましい。The porosity of the semiconductor electrode 4 is not particularly limited, but is, for example, preferably about 5 to 90%, more preferably about 15 to 50%, and more preferably about 20 to 50%.
More preferably, it is about 40%.
【００７５】また、半導体電極４の受光面の表面粗さＲ
ａとしては、特に限定されないが、例えば、５ｎｍ〜１
０μｍ程度であるのが好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度
であるのがより好ましい。Further, the surface roughness R of the light receiving surface of the semiconductor electrode 4
Although a is not particularly limited, for example, 5 nm to 1
It is preferably about 0 μm, and more preferably about 20 nm to 1 μm.
【００７６】多孔質の度合が、それぞれ、前記の範囲内
の半導体電極４では、光の利用効率がさらに向上し、さ
らに確実に電子を発生することができる。In the semiconductor electrode 4 having a degree of porosity within the above-mentioned range, light use efficiency is further improved, and electrons can be generated more reliably.
【００７７】このような観点からは、半導体電極４は、
酸化チタン粉末を用いて製造されるのが好ましい。これ
により、半導体電極４をより容易かつ確実に多孔質とす
ることができる。From such a viewpoint, the semiconductor electrode 4 is
It is preferably manufactured using titanium oxide powder. Thereby, the semiconductor electrode 4 can be easily and reliably made porous.
【００７８】また、酸化チタン粉末の平均粒径として
は、特に限定されないが、例えば、１ｎｍ〜１μｍ程度
であるのが好ましく、５〜５０ｎｍ程度であるのがより
好ましい。酸化チタン粉末の平均粒径を前記の範囲内と
することにより、酸化チタン粉末の半導体電極材料中で
の均一性が向上する。また、このように酸化チタン粉末
の平均粒径を小さくすることにより、得られる半導体電
極４の比表面積をより大きくすることができる。The average particle size of the titanium oxide powder is not particularly limited, but is preferably, for example, about 1 nm to 1 μm, and more preferably about 5 to 50 nm. By setting the average particle size of the titanium oxide powder within the above range, the uniformity of the titanium oxide powder in the semiconductor electrode material is improved. In addition, by reducing the average particle size of the titanium oxide powder, the specific surface area of the obtained semiconductor electrode 4 can be further increased.
【００７９】また、半導体電極４は、比較的厚さの大き
なものであってもよいが、前述したように膜状（層状）
をなすものが好ましい。膜状の半導体電極４を太陽電池
１に用いることにより、太陽電池１の発電効率（光電変
換効率）がより向上するとともに、太陽電池１の薄型化
（小型化）、製造コストの削減を図ることができ有利で
ある。The semiconductor electrode 4 may have a relatively large thickness, but may have a film-like (layer-like) shape as described above.
Are preferred. By using the film-like semiconductor electrode 4 for the solar cell 1, the power generation efficiency (photoelectric conversion efficiency) of the solar cell 1 is further improved, and the solar cell 1 is made thinner (smaller) and the manufacturing cost is reduced. Is advantageous.
【００８０】この場合、半導体電極４の平均厚さ（膜
厚）としては、特に限定されないが、例えば、０．１〜
３００μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１００μ
ｍ程度であるのがより好ましく、１〜２５μｍ程度であ
るのがさらに好ましい。半導体電極４の厚さが前記の下
限値未満の場合、その空孔率等によっては、半導体電極
４に入射した光の透過が著しく、光の利用効率が低下す
ることがある。一方、半導体電極４の平均厚さを前記の
上限値を越えて厚くしても、それ以上、光の利用効率の
増大が見込めない。In this case, the average thickness (film thickness) of the semiconductor electrode 4 is not particularly limited.
It is preferably about 300 μm, and 0.5 to 100 μm.
m, more preferably about 1 to 25 μm. If the thickness of the semiconductor electrode 4 is less than the lower limit described above, depending on the porosity or the like, transmission of light incident on the semiconductor electrode 4 may be remarkable, and light utilization efficiency may decrease. On the other hand, even if the average thickness of the semiconductor electrode 4 is increased beyond the above upper limit value, further increase in light use efficiency cannot be expected.
【００８１】このような半導体電極４を用いた太陽電池
１では、半導体電極４への光の入射角が９０°での光電
変換効率をＲ90とし、光の入射角が５２°での光電変換
効率をＲ52としたとき、Ｒ52／Ｒ90が０．８以上程度と
なるような特性を有しているのが好ましく、０．８５以
上程度であるのがより好ましい。このような条件を満た
すということは、半導体電極４が光に対する指向性が低
い、すなわち、等方性を有するということである。した
がって、このような半導体電極４を有する太陽電池１
は、太陽の日照時間のほぼ全域に渡って、より効率良く
発電することができる。[0081] In the solar cell 1 using such a semiconductor electrode 4, the angle of incidence of the light to the semiconductor electrode 4 and the photoelectric conversion efficiency at 90 ° and R 90, photoelectric conversion of an incident angle of light is 52 ° the when the R 52 efficiency is preferably R 52 / R 90 has a characteristic such that the degree 0.8 or more, more preferably of the order 0.85. Satisfying such a condition means that the semiconductor electrode 4 has low directivity to light, that is, has isotropic properties. Therefore, solar cell 1 having such a semiconductor electrode 4
Can generate power more efficiently over almost the entire range of sunshine hours.
【００８２】このような太陽電池１は、例えば、次のよ
うにして製造することができる。 ＜０＞ まず、それぞれ、例えば石英ガラス等で構成さ
れた第１の基板２と第２の基板７とを用意する。これら
の第１の基板２および第２の基板７には、厚さが均一
で、たわみのないものが好適に用いられる。The solar cell 1 can be manufactured, for example, as follows. <0> First, a first substrate 2 and a second substrate 7 each made of, for example, quartz glass or the like are prepared. As the first substrate 2 and the second substrate 7, those having a uniform thickness and no bending are preferably used.
【００８３】＜１＞ まず、第１の電極３を第１の基板
２の上面に、また、第２の電極６を第２の基板７の上面
に、それぞれ、形成する。<1> First, the first electrode 3 is formed on the upper surface of the first substrate 2, and the second electrode 6 is formed on the upper surface of the second substrate 7, respectively.
【００８４】第１の電極３は、例えばＩＴＯ等で構成さ
れる第１の電極３の材料を、例えば、蒸着法、スパッタ
リング法、印刷法等を用いることにより、形成すること
ができる。The first electrode 3 can be formed by using the material of the first electrode 3 made of, for example, ITO or the like by using, for example, an evaporation method, a sputtering method, a printing method, or the like.
【００８５】また、第２の電極６は、例えば白金等で構
成される第２の電極６の材料を、例えば、蒸着法、スパ
ッタリング法、印刷法等を用いることにより、形成する
ことができる。The second electrode 6 can be formed by using the material of the second electrode 6 made of, for example, platinum or the like by using, for example, an evaporation method, a sputtering method, a printing method, or the like.
【００８６】＜２＞ 次に、半導体電極４を第１の電極
３の上面に形成する。半導体電極４は、半導体電極材料
を、例えば、ディッピング、ドクターブレード、スピン
コート、刷毛塗り、スプレー塗装、ロールコーター等の
各種塗布法、溶射法等の方法により膜状（厚膜および薄
膜）に形成することができる。この中でも、半導体電極
４の形成方法としては、各種塗布法によるものが好まし
い。<2> Next, the semiconductor electrode 4 is formed on the upper surface of the first electrode 3. The semiconductor electrode 4 is formed in a film shape (thick film and thin film) by a method such as dipping, doctor blade, spin coating, brush coating, spray coating, various coating methods such as a roll coater, and a thermal spraying method. can do. Among them, the method of forming the semiconductor electrode 4 is preferably a method using various coating methods.
【００８７】このような塗布法によれば、その操作は、
極めて簡単であり、かつ、大掛かりな装置も必要としな
いので、半導体電極４および太陽電池１の製造コストの
削減、製造時間の短縮に有利である。また、塗布法によ
れば、例えばマスキング等を用いることにより、所望の
パターン形状の半導体電極４を容易に得ることができ
る。According to such a coating method, the operation is as follows:
Since it is extremely simple and does not require a large-scale device, it is advantageous in reducing the manufacturing cost and the manufacturing time of the semiconductor electrode 4 and the solar cell 1. Further, according to the coating method, for example, by using masking or the like, the semiconductor electrode 4 having a desired pattern shape can be easily obtained.
【００８８】以下に、半導体電極４の塗布法による成形
方法の一例について説明する。なお、以下の説明では、
可視化処理の方法（＜２Ａ＞色素吸着法、＜２Ｂ＞、＜
２Ｃ＞酸素欠陥形成法、＜２Ｄ＞原子置換法）の相違に
より区別して説明するが、同様の事項については、後に
説明するものでは省略する。さらに、酸素欠陥形成法に
ついては、＜２Ｂ＞酸化チタン粉末に施す場合と、＜２
Ｃ＞膜状体に施す場合とに分けて説明する。An example of a forming method of the semiconductor electrode 4 by a coating method will be described below. In the following description,
Visualization treatment method (<2A> dye adsorption method, <2B>, <2A>
2C> Oxygen deficiency forming method and <2D> Atom replacement method), and the same matters will not be described later. Further, regarding the oxygen defect forming method, <2B> a case where the method is applied to the titanium oxide powder,
The description will be made separately for the case where C> is applied to a film.
【００８９】＜２Ａ＞：色素吸着法 ［酸化チタン粉末の調製］ ＜Ａ０＞ ルチル型の二酸化チタン粉末とアナターゼ型
の二酸化チタン粉末とを所定の配合比（アナターゼ型の
二酸化チタン粉末のみ、ルチル型の二酸化チタン粉末の
みの場合も含む）にて、配合し混合しておく。<2A>: Dye adsorption method [Preparation of titanium oxide powder] <A0> A predetermined mixing ratio of rutile-type titanium dioxide powder and anatase-type titanium dioxide powder (only anatase-type titanium dioxide powder, rutile-type titanium dioxide powder) (Including the case of using only titanium dioxide powder).
【００９０】これらのルチル型の二酸化チタン粉末の平
均粒径と、アナターゼ型の二酸化チタン粉末の平均粒径
とは、それぞれ異なっていてもよいし、同じであっても
よいが、異なっている方が好ましい。なお、酸化チタン
粉末全体としての平均粒径は、前述の範囲とする。The average particle size of the rutile type titanium dioxide powder and the average particle size of the anatase type titanium dioxide powder may be different or the same, respectively. Is preferred. The average particle size of the entire titanium oxide powder is in the above-mentioned range.
【００９１】［塗布液（半導体電極材料）の調製］ ＜Ａ１＞ まず、前記工程で調製した酸化チタン粉末を
適当量の水（例えば、蒸留水、超純水、イオン交換水、
ＲＯ水等）に懸濁する。[Preparation of Coating Solution (Semiconductor Electrode Material)] <A1> First, the titanium oxide powder prepared in the above step was treated with an appropriate amount of water (for example, distilled water, ultrapure water, ion-exchanged water,
RO water, etc.).
【００９２】＜Ａ２＞ 次に、かかる懸濁液に、例えば
硝酸等の安定化剤を添加し、メノウ製（またはアルミナ
製）の乳鉢内で十分に混練する。<A2> Next, a stabilizer such as nitric acid is added to the suspension, and the suspension is sufficiently kneaded in a mortar made of agate (or made of alumina).
【００９３】＜Ａ３＞ 次いで、かかる懸濁液に、前記
の水を加えてさらに混練する。このとき、前記安定化剤
と水との配合比は、体積比で好ましくは１０：９０〜４
０：６０程度、より好ましくは１５：８５〜３０：７０
程度とし、かかる懸濁液の粘度を、例えば０．２〜３０
ｃｐｓ程度とする。<A3> Next, the above-mentioned water is added to the suspension, followed by further kneading. At this time, the mixing ratio of the stabilizer to water is preferably 10:90 to 4 by volume.
About 0:60, more preferably 15:85 to 30:70
And the viscosity of the suspension is, for example, 0.2-30.
It is about cps.
【００９４】＜Ａ４＞ その後、かかる懸濁液に、例え
ば、最終濃度が０．０１〜５ｗｔ％程度となるように界
面活性剤を添加して混練する。これにより、塗布液（半
導体電極材料）を調製する。<A4> Thereafter, a surfactant is added to the suspension so as to have a final concentration of, for example, about 0.01 to 5% by weight and kneaded. Thus, a coating liquid (semiconductor electrode material) is prepared.
【００９５】なお、界面活性剤としては、カチオン性、
アニオン性、両イオン性、非イオン性のいずれであって
もよいが、好ましくは非イオン性のものが用いられる。The surfactant may be cationic,
Any of anionic, amphoteric, and nonionic may be used, but a nonionic one is preferably used.
【００９６】また、安定化剤としては、硝酸に代わり、
酢酸やアセチルアセトンのような酸化チタンの表面修飾
試薬を用いることもできる。Further, as a stabilizer, instead of nitric acid,
A titanium oxide surface modification reagent such as acetic acid or acetylacetone can also be used.
【００９７】また、塗布液（半導体電極材料）中には、
必要に応じて、例えばポリエチレングリコールのような
バインダー、可塑剤、酸化防止剤等の各種添加物を添加
してもよい。The coating liquid (semiconductor electrode material) contains
If necessary, various additives such as a binder such as polyethylene glycol, a plasticizer, and an antioxidant may be added.
【００９８】［半導体電極４の形成］ ＜Ａ５＞ 第１の電極３の上面に、塗布法（例えば、デ
ィッピング等）により、塗布液を塗布・乾燥して膜状体
（塗膜）を形成する。また、塗布・乾燥の操作を複数回
行って積層するようにしてもよい。[Formation of Semiconductor Electrode 4] <A5> A coating solution is applied and dried on the upper surface of the first electrode 3 by a coating method (for example, dipping or the like) to form a film (coating). . Alternatively, the coating and drying operations may be performed a plurality of times to laminate.
【００９９】次いで、この膜状体に、必要に応じて、例
えば、温度２５０〜５００℃程度で０．５〜３時間程
度、熱処理（例えば、焼成等）を施してもよい。これに
より、単に接触するのに止まっていた酸化チタン粉末同
士は、その接触部位に拡散が生じ、酸化チタン粉末同士
がある程度固着（固定）するようになる。なお、この状
態で、膜状体が多孔質となる。Next, this film may be subjected to a heat treatment (for example, firing) at a temperature of about 250 to 500 ° C. for about 0.5 to 3 hours, if necessary. As a result, the titanium oxide powder that has just stopped contacting is diffused at the contact portion, and the titanium oxide powders are fixed (fixed) to some extent. In this state, the film becomes porous.
【０１００】＜Ａ６＞ 前記工程＜Ａ５＞で得られた膜
状体には、必要に応じて、後処理を行うことができる。<A6> The film obtained in the step <A5> may be subjected to post-treatment, if necessary.
【０１０１】この後処理としては、例えば、形状を整え
るための、研削、研磨等のような機械加工（後加工）
や、その他、洗浄、化学処理のような後処理等が挙げら
れる。The post-processing includes, for example, mechanical processing (post-processing) such as grinding and polishing for adjusting the shape.
And other post-treatments such as cleaning and chemical treatment.
【０１０２】なお、前記の受光面の表面粗さＲａは、本
工程＜Ａ６＞での後処理によって調節するようにしても
よい。Incidentally, the surface roughness Ra of the light receiving surface may be adjusted by the post-processing in the present step <A6>.
【０１０３】＜Ａ７＞ 次いで、例えばカーボンブラッ
ク等の色素４２を溶解または懸濁（分散）した溶液に、
第１の基板２、第１の電極３および膜状体の積層体を浸
漬等する。これにより、前記溶液が膜状体の空孔内に浸
透して第１の電極３側まで到達し、膜状体の表面および
空孔内に色素４２が吸着される。<A7> Next, a solution in which a dye 42 such as carbon black is dissolved or suspended (dispersed)
The laminate of the first substrate 2, the first electrode 3, and the film is immersed or the like. Thereby, the solution penetrates into the pores of the film and reaches the first electrode 3 side, and the dye 42 is adsorbed on the surface and in the pores of the film.
【０１０４】色素４２を溶解または懸濁（分散）する溶
媒としては、特に限定されないが、例えば、各種水、メ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセ
トニトリル、酢酸エチル、エーテル、塩化メチレン、Ｎ
ＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）等の１種または２
種以上を組み合わせて用いることができる。The solvent for dissolving or suspending (dispersing) the dye 42 is not particularly limited. For example, various types of water, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, acetonitrile, ethyl acetate, ether, methylene chloride, N
One or two such as MP (N-methyl-2-pyrrolidone)
More than one species can be used in combination.
【０１０５】この後、前記積層体を前記溶液中から取り
出し、例えば、自然乾燥による方法や、空気、窒素ガス
等の気体を吹き付ける方法等により溶媒を除去する。Thereafter, the laminate is taken out of the solution, and the solvent is removed by, for example, a method of natural drying or a method of blowing a gas such as air or nitrogen gas.
【０１０６】さらに、必要に応じて、この積層体を、例
えば６０〜１００℃程度の温度で、０．５〜２時間程
度、クリーンオーブン等で乾燥してもよい。これによ
り、色素４２をより強固に膜状体に吸着させることがで
きる。Further, if necessary, the laminate may be dried in a clean oven or the like at a temperature of, for example, about 60 to 100 ° C. for about 0.5 to 2 hours. Thereby, the dye 42 can be more firmly adsorbed on the film.
【０１０７】＜２Ｂ＞：酸素欠陥形成法（酸化チタン粉
末に施す場合） ［酸化チタン粉末の調製］ ＜Ｂ０＞ ルチル型の二酸化チタン粉末とアナターゼ型
の二酸化チタン粉末とを所定の配合比（ルチル型の二酸
化チタン粉末のみの場合も含む）にて、配合し混合して
おく。なお、後述する酸素欠陥形成法による熱処理で、
二酸化チタンの結晶構造がアナターゼ型からルチル型へ
転移（変化）することを想定している場合には、アナタ
ーゼ型の二酸化チタン粉末のみを用いてもよい。<2B>: Oxygen vacancy forming method (when applied to titanium oxide powder) [Preparation of titanium oxide powder] <B0> A predetermined mixing ratio (rutile) of rutile-type titanium dioxide powder and anatase-type titanium dioxide powder (Including the case of only the titanium dioxide powder of the type)). In addition, by the heat treatment by the oxygen defect formation method described later,
When it is assumed that the crystal structure of titanium dioxide changes (changes) from anatase type to rutile type, only anatase type titanium dioxide powder may be used.
【０１０８】次に、前記配合された酸化チタン粉末に、
酸素欠陥形成法による熱処理を施す。このときの熱処理
条件としては、水素雰囲気中で、好ましくは温度８００
〜１２００℃程度で、０．２〜３時間程度、より好まし
くは温度９００〜１２００℃程度で、０．５〜１時間程
度とされる。Next, to the compounded titanium oxide powder,
Heat treatment by an oxygen defect forming method is performed. The heat treatment at this time is performed in a hydrogen atmosphere, preferably at a temperature of 800.
The temperature is about 1200 to 1200 ° C. and about 0.2 to 3 hours, more preferably about 900 to 1200 ° C. and about 0.5 to 1 hour.
【０１０９】このとき、酸化チタン粉末がアナターゼ型
の二酸化チタン粉末を含有している場合、前記の熱処理
温度、熱処理時間によっては、アナターゼ型の二酸化チ
タンは、その結晶構造の一部または全部がルチル型へ転
移することがある。At this time, when the titanium oxide powder contains anatase-type titanium dioxide powder, the crystal structure of anatase-type titanium dioxide is partially or entirely rutile depending on the heat treatment temperature and heat treatment time. May transfer to the mold.
【０１１０】なお、酸素欠陥形成法は、本工程＜Ｂ０＞
前に、ルチル型の二酸化チタン粉末および／またはアナ
ターゼ型の二酸化チタン粉末に施し、かかる二酸化チタ
ン粉末を配合して、酸化チタン粉末を調製するようにし
てもよい。Incidentally, in the oxygen defect forming method, this step <B0>
Before this, a titanium oxide powder may be prepared by applying to rutile-type titanium dioxide powder and / or anatase-type titanium dioxide powder and blending the titanium dioxide powder.
【０１１１】［塗布液（半導体電極材料）の調製］ ＜Ｂ１＞〜＜Ｂ４＞ 前記工程＜Ａ１＞〜＜Ａ４＞と同
様の工程を行う。[Preparation of Coating Solution (Semiconductor Electrode Material)] <B1> to <B4> Steps similar to the above steps <A1> to <A4> are performed.
【０１１２】［半導体電極４の形成］ ＜Ｂ５＞ 前記工程＜Ａ５＞と同様の工程を行う。[Formation of Semiconductor Electrode 4] <B5> The same step as the step <A5> is performed.
【０１１３】＜Ｂ６＞ 必要に応じて、前記工程＜Ａ６
＞と同様の工程を行う。なお、色素吸着を行う前記工程
＜Ａ７＞は省略される。<B6> If necessary, the step <A6
>. The step <A7> for dye adsorption is omitted.
【０１１４】＜２Ｃ＞：酸素欠陥形成法（膜状体に施す
場合） ［酸化チタン粉末の調製］ ＜Ｃ０＞ ルチル型の二酸化チタン粉末とアナターゼ型
の二酸化チタン粉末とを所定の配合比（ルチル型の二酸
化チタン粉末のみの場合も含む）にて、配合し混合して
おく。なお、後述する酸素欠陥形成法による熱処理で、
二酸化チタンの結晶構造がアナターゼ型からルチル型へ
転移（変化）することを想定している場合には、アナタ
ーゼ型の二酸化チタン粉末のみを用いてもよい。<2C>: Oxygen deficiency forming method (when applied to a film) [Preparation of Titanium Oxide Powder] <C0> A predetermined mixing ratio (rutile) of rutile type titanium dioxide powder and anatase type titanium dioxide powder (Including the case of only the titanium dioxide powder of the type)). In addition, by the heat treatment by the oxygen defect formation method described later,
When it is assumed that the crystal structure of titanium dioxide changes (changes) from anatase type to rutile type, only anatase type titanium dioxide powder may be used.
【０１１５】［塗布液（半導体電極材料）の調製］ ＜Ｃ１＞〜＜Ｃ４＞ 前記工程＜Ａ１＞〜＜Ａ４＞と同
様の工程を行う。[Preparation of Coating Solution (Semiconductor Electrode Material)] <C1> to <C4> Steps similar to the above steps <A1> to <A4> are performed.
【０１１６】［半導体電極４の形成］ ＜Ｃ５＞ 前記工程＜Ａ５＞と同様の工程を行った後、
膜状体に酸素欠陥形成法による熱処理を施して半導体電
極４を得る。この熱処理条件としては、水素雰囲気中
で、好ましくは温度８００〜１２００℃程度で、０．２
〜３時間程度、より好ましくは温度９００〜１２００℃
程度で、０．５〜１時間程度とされる。[Formation of Semiconductor Electrode 4] <C5> After performing the same step as the above step <A5>,
The film-shaped body is subjected to a heat treatment by an oxygen defect forming method to obtain a semiconductor electrode 4. The heat treatment is performed in a hydrogen atmosphere, preferably at a temperature of about
About 3 hours, more preferably 900 to 1200 ° C
About 0.5 to 1 hour.
【０１１７】なお、この場合、前記工程＜Ａ５＞におけ
る熱処理（例えば、焼成等）は、この酸素欠陥形成法に
よる熱処理で兼用することもできる。In this case, the heat treatment (for example, sintering or the like) in the step <A5> can be also used as the heat treatment by the oxygen defect forming method.
【０１１８】＜Ｃ６＞ 必要に応じて、前記工程＜Ａ６
＞と同様の工程を行う。なお、色素吸着を行う前記工程
＜Ａ７＞は省略される。<C6> If necessary, the above-mentioned step <A6
>. The step <A7> for dye adsorption is omitted.
【０１１９】＜２Ｄ＞：原子置換法 ［酸化チタン粉末の調製］ ＜Ｄ０＞ ルチル型の二酸化チタン粉末とアナターゼ型
の二酸化チタン粉末とを所定の配合比（ルチル型の二酸
化チタン粉末のみの場合も含む）にて、配合し混合して
おく。なお、後述する原子置換法による焼成で、二酸化
チタンの結晶構造がアナターゼ型からルチル型へ転移
（変化）することを想定している場合には、アナターゼ
型の二酸化チタン粉末のみを用いてもよい。<2D>: Atomic substitution method [Preparation of titanium oxide powder] <D0> A predetermined mixing ratio of rutile-type titanium dioxide powder and anatase-type titanium dioxide powder (even when only rutile-type titanium dioxide powder is used) ) And mix. When it is assumed that the crystal structure of titanium dioxide changes (changes) from an anatase type to a rutile type by baking by an atomic substitution method described later, only anatase type titanium dioxide powder may be used. .
【０１２０】［塗布液（半導体電極材料）の調製］ ＜Ｄ１＞〜＜Ｄ３＞ 前記工程＜Ａ１＞〜＜Ａ３＞と同
様の工程を行う。[Preparation of Coating Solution (Semiconductor Electrode Material)] <D1> to <D3> Steps similar to the above steps <A1> to <A3> are performed.
【０１２１】＜Ｄ４＞ 前記工程＜Ａ４＞と同様の工程
において、懸濁液中に、無機増感剤を添加して混練す
る。これにより、塗布液（半導体電極材料）を調製す
る。<D4> In the same step as step <A4>, an inorganic sensitizer is added to the suspension and kneaded. Thus, a coating liquid (semiconductor electrode material) is prepared.
【０１２２】この無機増感剤としては、特に限定されな
いが、例えば、クロム、バナジウム、ニッケル、鉄、マ
ンガン、銅、亜鉛、ニオブ、またはこれらの酸化物等が
挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合
わせて用いることができる。Examples of the inorganic sensitizer include, but are not particularly limited to, chromium, vanadium, nickel, iron, manganese, copper, zinc, niobium, and oxides thereof. Alternatively, two or more kinds can be used in combination.
【０１２３】また、無機増感剤の含有量としては、特に
限定されないが、例えば、酸化チタン粉末１ｇに対し
て、０．１〜２．５μｍｏｌ程度であるのが好ましく、
０．５〜２．０μｍｏｌ程度であるのがより好ましい。The content of the inorganic sensitizer is not particularly limited, but is preferably, for example, about 0.1 to 2.5 μmol per 1 g of the titanium oxide powder.
More preferably, it is about 0.5 to 2.0 μmol.
【０１２４】なお、酸化チタン粉末がアナターゼ型の二
酸化チタン粉末を含有し、アナターゼ型の二酸化チタン
の結晶構造がルチル型へ転移するのを防止したい場合に
は、焼結助剤を添加するようにする。When the titanium oxide powder contains anatase-type titanium dioxide powder and it is desired to prevent the crystal structure of the anatase-type titanium dioxide from changing to the rutile type, a sintering aid is added. I do.
【０１２５】焼結助剤としては、融点が９００℃以下の
金属酸化物であるのが好ましい。この金属酸化物として
は、特に限定されないが、例えば、三酸化モリブデン、
三酸化二ビスマス、酸化鉛、酸化パラジウム、三酸化二
アンチモン、二酸化テルル、三酸化二タリウム等が挙げ
られ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせ
て用いることができる。The sintering aid is preferably a metal oxide having a melting point of 900 ° C. or less. The metal oxide is not particularly limited, for example, molybdenum trioxide,
Bismuth trioxide, lead oxide, palladium oxide, diantimony trioxide, tellurium dioxide, dithallium trioxide and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.
【０１２６】この場合、焼結助剤と酸化チタン粉末との
配合比としては、特に限定されないが、例えば、体積比
で１：９９〜４０：６０程度であるのが好ましく、５：
９５〜２０：８０程度であるのがより好ましい。In this case, the compounding ratio of the sintering aid to the titanium oxide powder is not particularly limited, but is preferably, for example, about 1:99 to 40:60 by volume, preferably 5:40 to 60:60.
The ratio is more preferably about 95 to 20:80.
【０１２７】これにより、膜状体を、９００℃以下の温
度で焼成（焼結）できるので、二酸化チタンの結晶構造
がアナターゼ型からルチル型へ転移するのをより確実に
防止（抑制）することができる。Thus, the film can be fired (sintered) at a temperature of 900 ° C. or less, so that the transition of the crystal structure of titanium dioxide from anatase type to rutile type can be more reliably prevented (suppressed). Can be.
【０１２８】［半導体電極４の形成］ ＜Ｄ５＞ 前記工程＜Ａ５＞と同様の工程を行った後、
膜状体を、例えば、大気、窒素ガス、または各種不活性
ガス、真空、減圧状態（例えば、１０-1〜１０ -6Ｔｏｒ
ｒ）のような非酸化性雰囲気中で焼成（焼結）する。こ
のときの焼成条件としては、例えば、次のようにするこ
とができる。[Formation of Semiconductor Electrode 4] <D5> After performing the same step as the above step <A5>,
For example, air, nitrogen gas, or various inert
Gas, vacuum, reduced pressure (for example, 10-1-10 -6Tor
It is fired (sintered) in a non-oxidizing atmosphere as in r). This
The firing conditions at the time are, for example, as follows:
Can be.
【０１２９】 酸化チタン粉末がアナターゼ型の二酸
化チタン粉末を含有しない場合、もしくは、二酸化チタ
ンの結晶構造がアナターゼ型からルチル型へ転移するこ
とを想定している場合、好ましくは温度１０００〜１２
００℃程度で０．５〜１０時間程度とされる。When the titanium oxide powder does not contain anatase-type titanium dioxide powder, or when it is assumed that the crystal structure of titanium dioxide changes from anatase-type to rutile-type, the temperature is preferably 1000 to 12
The heating is performed at about 00 ° C. for about 0.5 to 10 hours.
【０１３０】 二酸化チタンの結晶構造がアナターゼ
型からルチル型へ転移することを想定していない（防止
したい）場合、好ましくは温度９００℃以下程度で１〜
２６時間程度とされる。When it is not assumed that the crystal structure of titanium dioxide changes from an anatase type to a rutile type (it is desired to prevent the transition), it is preferable that the temperature be about 900 ° C. or lower and 1 to 1 degree.
It is about 26 hours.
【０１３１】なお、この場合、前記工程＜Ａ５＞におけ
る熱処理（例えば、焼成等）は、この原子置換法による
焼成で兼用することもできる。In this case, the heat treatment (for example, sintering or the like) in the step <A5> can also be performed by sintering by the atom substitution method.
【０１３２】また、このような原子置換法は、酸化チタ
ン粉末の調製前に、ルチル型の二酸化チタン粉末および
／またはアナターゼ型の二酸化チタン粉末に施すように
してもよいし、酸化チタン粉末の調製後に、かかる酸化
チタン粉末に施すようにしてもよい。なお、これらの場
合、本工程＜Ｄ５＞における原子置換法による焼成は、
省略することができる。Further, such an atomic substitution method may be applied to rutile-type titanium dioxide powder and / or anatase-type titanium dioxide powder before preparing titanium oxide powder, or to preparing titanium oxide powder. The titanium oxide powder may be applied later. In these cases, the firing by the atom replacement method in the present step <D5>
Can be omitted.
【０１３３】＜Ｄ６＞ 必要に応じて、前記工程＜Ａ６
＞と同様の工程を行う。なお、色素吸着を行う前記工程
＜Ａ７＞は省略される。以上のような工程を経て、半導
体電極４が得られる。<D6> If necessary, the step <A6
>. The step <A7> for dye adsorption is omitted. The semiconductor electrode 4 is obtained through the steps described above.
【０１３４】＜３＞ 次に、半導体電極４と第２の電極
６との間に電解質溶液８１を封入して、太陽電池１を完
成する。<3> Next, the electrolyte solution 81 is sealed between the semiconductor electrode 4 and the second electrode 6 to complete the solar cell 1.
【０１３５】まず、半導体電極４の外縁部（周囲）を、
例えばポリカーボネート等からなる壁部５の材料で囲
む。次いで、この内部に、例えばヨウ素溶液等の電解質
溶液８１を供給する。First, the outer edge (periphery) of the semiconductor electrode 4 is
For example, it is surrounded by the material of the wall 5 made of polycarbonate or the like. Next, an electrolyte solution 81 such as an iodine solution is supplied into the inside.
【０１３６】次に、半導体電極４と第２の電極６とが対
向するように、第１の基板２と第２の基板７とを配置、
積層して、電解質溶液８１を封入する。この後、壁部５
の材料を固化（硬化）させる。以上のような工程を経
て、太陽電池１が製造される。Next, the first substrate 2 and the second substrate 7 are arranged so that the semiconductor electrode 4 and the second electrode 6 face each other.
After lamination, the electrolyte solution 81 is sealed. After this, the wall 5
Is solidified (hardened). The solar cell 1 is manufactured through the steps described above.
【０１３７】なお、本実施形態では、壁部５は、半導体
電極４および電解質溶液８１（電解質）の全周を覆うよ
うな構成であったが、これに代わり、例えば、壁部５
を、半導体電極４および電解質溶液８１の周囲に所定間
隔おいて配設し、これら間隙を封止部材で封止するよう
な構成とすることもできる。In the present embodiment, the wall 5 is configured to cover the entire circumference of the semiconductor electrode 4 and the electrolyte solution 81 (electrolyte).
May be arranged at predetermined intervals around the semiconductor electrode 4 and the electrolyte solution 81, and these gaps may be sealed with a sealing member.
【０１３８】また、本実施形態では、第１の基板２側か
ら光を入射させて使用する場合について示したが、これ
に限定されず、第２の基板７（電解質溶液８１）側から
光を入射させて使用することができることは、言うまで
もない。In the present embodiment, the case where light is incident from the first substrate 2 side has been described. However, the present invention is not limited to this, and light is transmitted from the second substrate 7 (electrolyte solution 81) side. It goes without saying that it can be used by being incident.
【０１３９】また、第１の電極（陰極）３と半導体電極
４との間には、電解質溶液８１が第１の電極３に接触す
るのを防止または抑制する機能を有するバリヤ層を設け
てもよい。In addition, a barrier layer having a function of preventing or suppressing the contact of the electrolyte solution 81 with the first electrode 3 may be provided between the first electrode (cathode) 3 and the semiconductor electrode 4. Good.
【０１４０】以上、本発明の半導体電極および太陽電池
を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、こ
れに限定されるものではない。太陽電池を構成する各部
は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換す
ることができる。Although the semiconductor electrode and the solar cell of the present invention have been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to this. Each component constituting the solar cell can be replaced with any component having the same function.
【０１４１】例えば、電解質としては、液体状の電解質
にかわり、固体状の電解質あるいはゲル状の電解質を用
いることもできる。For example, instead of a liquid electrolyte, a solid electrolyte or a gel electrolyte can be used as the electrolyte.
【０１４２】[0142]
【実施例】次に、本発明の具体的実施例について説明す
る。Next, specific examples of the present invention will be described.
【０１４３】（実施例１）次のようにして、図１に示す
太陽電池を製造した。Example 1 The solar cell shown in FIG. 1 was manufactured as follows.
【０１４４】−０− まず、寸法：縦１１０ｍｍ×横１
３０ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの２枚の石英ガラス基板（第
１の基板および第２の基板）を用意した。次に、これら
の石英ガラス基板を８５℃の洗浄液（硫酸と過酸化水素
水との混合液）に浸漬して洗浄を行い、その表面を清浄
化した。-0- First, dimensions: 110 mm in length x 1 in width
Two quartz glass substrates (a first substrate and a second substrate) having a size of 30 mm and a thickness of 1.0 mm were prepared. Next, these quartz glass substrates were immersed in a cleaning liquid (a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution) at 85 ° C. to perform cleaning, and the surfaces thereof were cleaned.
【０１４５】−１− これらの石英ガラス基板の上面
に、それぞれ、蒸着法により、寸法：縦１１０ｍｍ×横
１３０ｍｍ×厚さ０．１ｍｍのＩＴＯ電極（第１の電
極）、白金電極（第２の電極）を形成した。-1- An ITO electrode (first electrode) and a platinum electrode (second electrode) having dimensions: 110 mm × 130 mm × 0.1 mm in thickness are formed on the upper surfaces of these quartz glass substrates by vapor deposition, respectively. Electrodes).
【０１４６】−２− 次に、形成したＩＴＯ電極の上面
に、寸法：縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚さ１０μｍ
の半導体電極を形成した。これは、次のようにして行っ
た。-2- Next, on the upper surface of the formed ITO electrode, dimensions: 100 mm long × 100 mm wide × 10 μm thick
Was formed. This was performed as follows.
【０１４７】［酸化チタン粉末の調製］ルチル型の二酸
化チタン粉末と、アナターゼ型の二酸化チタン粉末との
混合物からなる酸化チタン粉末を用意した。なお、酸化
チタン粉末の平均粒径は、４０ｎｍであり、ルチル型の
二酸化チタン粉末とアナターゼ型の二酸化チタン粉末と
の配合比は、重量比で６０：４０とした。[Preparation of Titanium Oxide Powder] A titanium oxide powder comprising a mixture of rutile type titanium dioxide powder and anatase type titanium dioxide powder was prepared. The average particle size of the titanium oxide powder was 40 nm, and the mixing ratio of the rutile type titanium dioxide powder and the anatase type titanium dioxide powder was 60:40 by weight.
【０１４８】［塗布液（半導体電極材料）の調製］ま
ず、調製した酸化チタン粉末５０ｇを、蒸留水１００ｍ
Ｌに懸濁した。[Preparation of Coating Solution (Semiconductor Electrode Material)] First, 50 g of the prepared titanium oxide powder was added to 100 m of distilled water.
L.
【０１４９】次に、かかる懸濁液に硝酸（安定化剤）５
０ｍＬを添加し、メノウ製の乳鉢内で十分に混練した。Next, nitric acid (stabilizer) 5 was added to the suspension.
0 mL was added and kneaded sufficiently in an agate mortar.
【０１５０】次いで、かかる懸濁液に蒸留水１００ｍＬ
を加えてさらに混練した。この蒸留水の添加により、硝
酸と水との配合比が、最終的に２０：８０（体積比）と
なるようにした。なお、このとき、懸濁液の粘度は、５
ｃｐｓであった。Then, 100 mL of distilled water was added to the suspension.
And further kneaded. By the addition of distilled water, the mixing ratio of nitric acid and water was finally adjusted to 20:80 (volume ratio). At this time, the viscosity of the suspension was 5
cps.
【０１５１】次いで、かかる懸濁液に、非イオン性の界
面活性剤（ICN Biomedical社製、「Triton-X 100」）を
最終濃度が３ｗｔ％になるように添加して混練した。こ
れにより、塗布液（半導体電極材料）を調製した。Next, a nonionic surfactant ("Triton-X100", manufactured by ICN Biomedical) was added to the suspension to a final concentration of 3% by weight and kneaded. Thus, a coating liquid (semiconductor electrode material) was prepared.
【０１５２】［半導体電極の形成］ＩＴＯ電極の上面
に、半導体電極材料をディッピング（塗布法）により塗
布した後、温度３００℃で２時間、焼成（熱処理）を行
うことにより膜状体を得た。[Formation of Semiconductor Electrode] After a semiconductor electrode material was applied on the upper surface of the ITO electrode by dipping (coating method), baking (heat treatment) was performed at a temperature of 300 ° C. for 2 hours to obtain a film. .
【０１５３】次いで、石英ガラス基板、ＩＴＯ電極およ
び膜状体の積層体を、カーボンブラック（無機顔料）を
懸濁したエタノールに浸漬させた後、自然乾燥により、
エタノールを揮発し、さらに、８０℃、０．５時間、ク
リーンオーブンで乾燥した後、一晩放置した。これによ
り、カーボンブラックが膜状体の表面および空孔内に吸
着した半導体電極を得た。Next, the laminate of the quartz glass substrate, the ITO electrode, and the film was immersed in ethanol in which carbon black (inorganic pigment) was suspended.
The ethanol was volatilized, further dried at 80 ° C. for 0.5 hour in a clean oven, and left overnight. Thus, a semiconductor electrode having carbon black adsorbed on the surface of the film and in the pores was obtained.
【０１５４】なお、得られた半導体電極は、空孔率が３
３％、受光面の表面粗さＲａが０．４５μｍであった。The obtained semiconductor electrode has a porosity of 3
3%, and the surface roughness Ra of the light receiving surface was 0.45 μm.
【０１５５】−３− この半導体電極の周囲を、ポリカ
ーボネート（壁部の材料）で囲み、この内部に、ヨウ素
溶液（電解質溶液）０．５ｍＬを供給した。-3- The periphery of the semiconductor electrode was surrounded by polycarbonate (wall material), and 0.5 mL of an iodine solution (electrolyte solution) was supplied into the inside.
【０１５６】なお、このヨウ素溶液は、ヨウ素およびヨ
ウ化リチウム（電解質成分）を、エチレングリコール
に、それぞれ、０．６ｗｔ％、３．５ｗｔ％となるよう
に溶解して用いた。This iodine solution was used by dissolving iodine and lithium iodide (electrolyte component) in ethylene glycol so as to be 0.6 wt% and 3.5 wt%, respectively.
【０１５７】次いで、半導体電極と白金電極とが対向す
るように、石英ガラス基板同士を配置、積層した後、ポ
リカーボネートを固化させた。Next, the quartz glass substrates were arranged and laminated so that the semiconductor electrode and the platinum electrode faced each other, and then the polycarbonate was solidified.
【０１５８】（実施例２）カーボンブラック（無機顔
料）をフタロシアニングリーン（有機顔料）に代えたこ
と以外は、前記実施例１と同様にして半導体電極を得
て、図１に示す太陽電池を製造した。Example 2 A semiconductor electrode was obtained in the same manner as in Example 1 except that phthalocyanine green (organic pigment) was used instead of carbon black (inorganic pigment) to manufacture the solar cell shown in FIG. did.
【０１５９】なお、得られた半導体電極は、空孔率が３
１％、受光面の表面粗さＲａが０．４２μｍであった。The obtained semiconductor electrode has a porosity of 3
1%, and the surface roughness Ra of the light receiving surface was 0.42 μm.
【０１６０】（実施例３）色素吸着法に代わり、酸化チ
タン粉末に酸素欠陥形成法を施したこと以外は、前記実
施例１と同様にして半導体電極を得て、図１に示す太陽
電池を製造した。Example 3 A semiconductor electrode was obtained in the same manner as in Example 1 except that the titanium oxide powder was subjected to an oxygen defect forming method instead of the dye adsorption method, and the solar cell shown in FIG. Manufactured.
【０１６１】［酸化チタン粉末の調製］前記実施例１と
同様にして酸化チタン粉末を用意し、次いで、かかる酸
化チタン粉末に、水素雰囲気中で、１０００℃で０．５
時間、熱処理を行うことにより酸素欠陥形成法を施し
た。[Preparation of Titanium Oxide Powder] A titanium oxide powder was prepared in the same manner as in Example 1, and then the titanium oxide powder was added to the titanium oxide powder in a hydrogen atmosphere at 1000 ° C. for 0.5 hour.
An oxygen defect forming method was performed by performing heat treatment for a time.
【０１６２】なお、得られた半導体電極は、空孔率が３
２％、受光面の表面粗さＲａが０．４４μｍであった。The obtained semiconductor electrode has a porosity of 3
The surface roughness Ra of the light receiving surface was 0.44 μm.
【０１６３】（実施例４）色素吸着法に代わり、膜状体
に酸素欠陥形成法を施したこと以外は、前記実施例１と
同様にして半導体電極を得て、図１に示す太陽電池を製
造した。Example 4 A semiconductor electrode was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film-like body was subjected to an oxygen defect forming method instead of the dye adsorption method, and the solar cell shown in FIG. Manufactured.
【０１６４】［半導体電極の形成］前記実施例１と同様
にして膜状体を形成し、次いで、かかる膜状体に、水素
雰囲気中で、１０００℃で０．５時間、熱処理（酸素欠
陥形成法）を行うことにより半導体電極を得た。[Formation of Semiconductor Electrode] A film was formed in the same manner as in Example 1 and then heat-treated at 1000 ° C. for 0.5 hour in a hydrogen atmosphere (oxygen defect formation) in a hydrogen atmosphere. Method) to obtain a semiconductor electrode.
【０１６５】なお、得られた半導体電極は、空孔率が３
０％、受光面の表面粗さＲａが０．４１μｍであった。The obtained semiconductor electrode has a porosity of 3
0%, and the surface roughness Ra of the light receiving surface was 0.41 μm.
【０１６６】（実施例５）色素吸着法に代わり、原子置
換法を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして半
導体電極を得て、図１に示す太陽電池を製造した。Example 5 A semiconductor electrode was obtained in the same manner as in Example 1 except that an atom replacement method was used instead of the dye adsorption method, and a solar cell shown in FIG. 1 was manufactured.
【０１６７】［塗布液（半導体電極材料）の調製］前記
実施例１と同様にして塗布液（半導体電極材料）を調製
した。この塗布液に三酸化二クロム（無機増感剤）と三
酸化モリブデン（焼結助剤）とを混合した。なお、三酸
化二クロムおよび三酸化モリブデンの含有量または配合
比は、以下の通りである。[Preparation of Coating Solution (Semiconductor Electrode Material)] A coating solution (semiconductor electrode material) was prepared in the same manner as in Example 1. This coating solution was mixed with dichromium trioxide (inorganic sensitizer) and molybdenum trioxide (sintering aid). The contents or mixing ratios of dichromium trioxide and molybdenum trioxide are as follows.
【０１６８】＜三酸化二クロム＞ 酸化チタン粉末１
ｇに対して、０．９μｍｏｌ ＜三酸化モリブデン＞ 酸化チタン粉末：三酸化モリブ
デン＝９０：１０（体積比）<Dichromium trioxide> Titanium oxide powder 1
0.9 μmol based on g <molybdenum trioxide> Titanium oxide powder: molybdenum trioxide = 90: 10 (volume ratio)
【０１６９】［半導体電極の形成］前記実施例１と同様
にして膜状体を形成し、次いで、かかる膜状体を、大気
中で、８００℃で３時間焼成することにより半導体電極
を得た。[Formation of Semiconductor Electrode] A film was formed in the same manner as in Example 1, and the film was fired at 800 ° C. for 3 hours in the air to obtain a semiconductor electrode. .
【０１７０】なお、得られた半導体電極は、空孔率が３
２％、受光面の表面粗さＲａが０．４１μｍであった。The obtained semiconductor electrode had a porosity of 3
The light receiving surface had a surface roughness Ra of 0.41 μm.
【０１７１】（比較例）色素吸着法（可視化処理）を省
略したこと以外は、前記実施例１と同様にして半導体電
極を得て、図１に示す太陽電池を製造した。Comparative Example A semiconductor cell was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dye adsorption method (visualization treatment) was omitted, and the solar cell shown in FIG. 1 was manufactured.
【０１７２】なお、得られた半導体電極は、空孔率が３
４％、受光面の表面粗さＲａが０．４５μｍであった。Note that the obtained semiconductor electrode has a porosity of 3
4%, and the surface roughness Ra of the light receiving surface was 0.45 μm.
【０１７３】（評価）実施例１〜５および比較例におい
て製造した太陽電池に、それぞれ、人工太陽灯の光を照
射し、このときの光電変換効率を測定した。なお、半導
体電極への光の入射角度は、９０°と５２°に設定し、
光の入射角度が９０°のときの光電変換効率をＲ90と
し、５２°のときの光電変換効率をＲ52とした。この評
価の結果を表１に示す。(Evaluation) The solar cells manufactured in Examples 1 to 5 and Comparative Example were each irradiated with light from an artificial sun lamp, and the photoelectric conversion efficiency at this time was measured. The incident angles of light on the semiconductor electrode were set at 90 ° and 52 °,
The photoelectric conversion efficiency when the light incident angle was 90 ° was R 90, and the photoelectric conversion efficiency when the light incident angle was 52 ° was R 52 . Table 1 shows the results of this evaluation.
【０１７４】[0174]
【表１】 [Table 1]
【０１７５】表１に示す結果から、可視化処理が施され
た半導体電極を有する本発明の太陽電池（実施例１〜
５）は、いずれも、光電変換効率が優れるものであっ
た。From the results shown in Table 1, the solar cell of the present invention having the visualized semiconductor electrode (Examples 1 to 5)
In each of 5), the photoelectric conversion efficiency was excellent.
【０１７６】これに対し、可視化処理が省略された半導
体電極を有する比較例の太陽電池は、光電変換効率に劣
るものであった。On the other hand, the solar cell of the comparative example having the semiconductor electrode from which the visualization treatment was omitted was inferior in photoelectric conversion efficiency.
【０１７７】また、本発明の太陽電池（実施例１〜５）
は、いずれも、Ｒ52／Ｒ90が０．８５以上であり、この
ことは、本発明の太陽電池が、光に対する指向性がより
低いことを示すものであった。The solar cell of the present invention (Examples 1 to 5)
In each case, R 52 / R 90 was 0.85 or more, which indicated that the solar cell of the present invention had lower directivity to light.
【０１７８】[0178]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体電極に可視化処理が施されているので、可視光領域
の広い範囲の波長の光を利用することができ、その結
果、高い光電変換効率が得られる。As described above, according to the present invention, since a visualization process is performed on a semiconductor electrode, light having a wavelength in a wide range of a visible light region can be used. The photoelectric conversion efficiency can be obtained.
【０１７９】このようなことから、本発明の半導体電極
は、受光光の波長依存性が低くなり、太陽電池のみなら
ず、光センサー、光スイッチ等の各種受光素子等あらゆ
るものに利用でき、実用に耐え得る性能を発揮する。ま
た、本発明の太陽電池は、製造が容易であり、安価に製
造できる。Thus, the semiconductor electrode of the present invention has low wavelength dependency of received light, and can be used not only for solar cells but also for various light receiving elements such as optical sensors and optical switches. Demonstrate the performance that can withstand. Further, the solar cell of the present invention is easy to manufacture and can be manufactured at low cost.
【図１】本発明の太陽電池（光電池）を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing a solar cell (photocell) of the present invention.
【図２】本発明の半導体電極（色素吸着法により可視化
処理が施された状態）の受光面付近の断面を示す拡大図
である。FIG. 2 is an enlarged view showing a cross section near a light receiving surface of a semiconductor electrode of the present invention (in a state where visualization has been performed by a dye adsorption method).
１ 太陽電池 ２ 第１の基板 ３ 第１の電極 ４ 半導体電極 ４１ 孔 ４２ 色素 ５ 壁部 ６ 第２の電極 ７ 第２の基板 ８ 収納空間 ８１ 電解質溶液 ９ 外部回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solar cell 2 1st substrate 3 1st electrode 4 Semiconductor electrode 41 Hole 42 Dye 5 Wall part 6 2nd electrode 7 2nd substrate 8 Storage space 81 Electrolyte solution 9 External circuit
Claims (17)
電極であって、 可視光領域の波長の光の吸収を可能とする可視化処理が
施されていることを特徴とする半導体電極。1. A semiconductor electrode mainly composed of titanium oxide, which has been subjected to a visualization treatment capable of absorbing light having a wavelength in a visible light region.
素吸着法によるものである請求項１に記載の半導体電
極。2. The semiconductor electrode according to claim 1, wherein the visualization is performed by a dye adsorption method for adsorbing a dye.
の半導体電極。3. The semiconductor electrode according to claim 2, wherein the dye is a pigment.
酸素欠陥形成法によるものである請求項１に記載の半導
体電極。4. The semiconductor electrode according to claim 1, wherein the visualization is performed by an oxygen defect forming method for forming oxygen defects.
チタン原子と異なる金属原子で置換する原子置換法によ
るものである請求項１に記載の半導体電極。5. The semiconductor electrode according to claim 1, wherein the visualization processing is performed by an atom replacement method in which a part of a titanium atom is replaced with a metal atom different from a titanium atom.
ンで構成される請求項１ないし５のいずれかに記載の半
導体電極。6. The semiconductor electrode according to claim 1, wherein said titanium oxide is mainly composed of titanium dioxide.
粉末を用いて製造されたものである請求項１ないし６の
いずれかに記載の半導体電極。7. The semiconductor electrode according to claim 1, which is manufactured using a titanium oxide powder having an average particle size of 1 nm to 1 μm.
かに記載の半導体電極。8. The semiconductor electrode according to claim 1, which is porous.
載の半導体電極。9. The semiconductor electrode according to claim 8, wherein the porosity is 5 to 90%.
る請求項８または９に記載の半導体電極。10. The semiconductor electrode according to claim 8, wherein the surface roughness Ra is 5 nm to 10 μm.
のいずれかに記載の半導体電極。11. A film according to claim 1, wherein said film is in the form of a film.
The semiconductor electrode according to any one of the above.
請求項１１に記載の半導体電極。12. The semiconductor electrode according to claim 11, having an average thickness of 0.1 to 300 μm.
れかに記載の半導体電極を設けたことを特徴とする太陽
電池。13. A solar cell comprising the semiconductor electrode according to claim 1 provided on a cathode side.
１２のいずれかに記載の半導体電極を有することを特徴
とする太陽電池。14. A solar cell comprising the semiconductor electrode according to claim 1 between a cathode and an anode.
１２のいずれかに記載の半導体電極と電解質とを、前記
半導体電極が陰極側に位置し、前記電解質が陽極側に位
置するように介挿してなることを特徴とする太陽電池。15. The semiconductor electrode and the electrolyte according to claim 1 between an anode and a cathode, wherein the semiconductor electrode is located on the cathode side and the electrolyte is located on the anode side. A solar cell characterized by being interposed in a solar cell.
囲には、壁部材が配設されている請求項１５に記載の太
陽電池。16. The solar cell according to claim 15, wherein a wall member is provided around the semiconductor electrode and the electrolyte.
°での光電変換効率をＲ90とし、光の入射角が５２°で
の光電変換効率をＲ52としたとき、Ｒ52／Ｒ 90が０．８
以上である請求項１３ないし１６のいずれかに記載の太
陽電池。17. An incident angle of light on the semiconductor electrode is 90.
The photoelectric conversion efficiency in °90And the incident angle of light is 52 °
The photoelectric conversion efficiency of R52And R52/ R 90Is 0.8
The thickness according to any one of claims 13 to 16,
Positive battery.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048924A JP2002252040A (en) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | Semiconductor electrode and solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007087772A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fuji Xerox Co Ltd | Photoelectric conversion element |
| JP2007287483A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Fujikura Ltd | Dye-sensitized solar cell |
| JP2014500581A (en) * | 2010-10-26 | 2014-01-09 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | Dye-sensitized solar cell and manufacturing method thereof |
| JP2014116261A (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Kuraray Co Ltd | Semiconductor electrode, photoelectric conversion element, and solar battery |
-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048924A patent/JP2002252040A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007287483A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Fujikura Ltd | Dye-sensitized solar cell |
| JP2014500581A (en) * | 2010-10-26 | 2014-01-09 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | Dye-sensitized solar cell and manufacturing method thereof |
| JP2014116261A (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Kuraray Co Ltd | Semiconductor electrode, photoelectric conversion element, and solar battery |
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|---|---|---|---|
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