JP2002246865A - バラン - Google Patents
バランInfo
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- JP2002246865A JP2002246865A JP2001041330A JP2001041330A JP2002246865A JP 2002246865 A JP2002246865 A JP 2002246865A JP 2001041330 A JP2001041330 A JP 2001041330A JP 2001041330 A JP2001041330 A JP 2001041330A JP 2002246865 A JP2002246865 A JP 2002246865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- primary coil
- balun
- signal
- primary
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出力信号に生ずるひずみを抑制したバランを
提供することを目的とする。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、一
次コイル13と、この一次コイル13の両側にほぼ等間
隔で同一次コイル13と略平行に設けられた第一の二次
コイル16、第二の二次コイル19を備える構成を有し
ており、この構成により一次側により一次側の回路と二
次側の回路が直接接続されることがないので、直流バイ
アスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを抑
制することが出来る。
提供することを目的とする。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、一
次コイル13と、この一次コイル13の両側にほぼ等間
隔で同一次コイル13と略平行に設けられた第一の二次
コイル16、第二の二次コイル19を備える構成を有し
ており、この構成により一次側により一次側の回路と二
次側の回路が直接接続されることがないので、直流バイ
アスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを抑
制することが出来る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として移動体通
信機器等の高周波回路に用いられるバランに関するもの
である。
信機器等の高周波回路に用いられるバランに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】例として図7に従来のバラン(メガネ型
バラン)の回路図を示す。メガネ型バランは両端に信号
端子25、26を有するコイル29と、それと平行して
一端にグラウンド端子27、他端に信号端子28を有す
るコイル30と、一端を前記コイル29の信号端子25
と共有し他端を、前記コイル30のグラウンド端子27
と共有し、その中点をグラウンド端子32に接続したコ
イル31とにより構成されていた。
バラン)の回路図を示す。メガネ型バランは両端に信号
端子25、26を有するコイル29と、それと平行して
一端にグラウンド端子27、他端に信号端子28を有す
るコイル30と、一端を前記コイル29の信号端子25
と共有し他端を、前記コイル30のグラウンド端子27
と共有し、その中点をグラウンド端子32に接続したコ
イル31とにより構成されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図7において信号端子
25から入力された不平衡信号(例えば音声)は信号端
子26、28から平衡信号(例えばICで処理できる信
号)として出力される。逆に信号端子26、28から入
力された平衡信号は信号端子25から不平衡信号として
出力される。
25から入力された不平衡信号(例えば音声)は信号端
子26、28から平衡信号(例えばICで処理できる信
号)として出力される。逆に信号端子26、28から入
力された平衡信号は信号端子25から不平衡信号として
出力される。
【0004】しかし、メガネ型バランは上記のように入
力と出力が直接接続されるため、例えば信号端子25か
ら入力された不平衡信号が信号端子26、28から平衡
信号として出力される場合、出力側に接続されるIC回
路等を動作させるために用いる直流電源の直流バイアス
が例えばコイル29内の信号に重畳する。この結果、信
号端子25からの出力信号にひずみが生じるという問題
を有していた。
力と出力が直接接続されるため、例えば信号端子25か
ら入力された不平衡信号が信号端子26、28から平衡
信号として出力される場合、出力側に接続されるIC回
路等を動作させるために用いる直流電源の直流バイアス
が例えばコイル29内の信号に重畳する。この結果、信
号端子25からの出力信号にひずみが生じるという問題
を有していた。
【0005】そこで、本発明は出力信号に生ずるひずみ
を抑制することを目的とするものである。
を抑制することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために、本発明は以下の構成を有するものである。
するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【0007】本発明の請求項1に記載の発明は、一次コ
イルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同一次コ
イルと略平行に第一、第二の二次コイルとを備える構成
としたものであり、以上の構成をとれば一次側の回路と
二次側の回路が直接接続されることがないので、直流バ
イアスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを
抑制することが出来る。
イルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同一次コ
イルと略平行に第一、第二の二次コイルとを備える構成
としたものであり、以上の構成をとれば一次側の回路と
二次側の回路が直接接続されることがないので、直流バ
イアスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを
抑制することが出来る。
【0008】本発明の請求項2に記載の発明は、一次コ
イル、及び第一、第二の二次コイルを、1層のセラミッ
ク基板上に渦巻き状に巻き線したものであって、これに
よりバランの高さの小型化が図れる。
イル、及び第一、第二の二次コイルを、1層のセラミッ
ク基板上に渦巻き状に巻き線したものであって、これに
よりバランの高さの小型化が図れる。
【0009】本発明の請求項3に記載の発明は、一次コ
イル、及び第一、第二の二次コイルを、多層セラミック
基板のそれぞれ異なる層上に渦巻き状に巻き線したもの
であって、これによりバランの底面積の小型化が図れ
る。
イル、及び第一、第二の二次コイルを、多層セラミック
基板のそれぞれ異なる層上に渦巻き状に巻き線したもの
であって、これによりバランの底面積の小型化が図れ
る。
【0010】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、実施の形
態1を用いて、本発明の請求項1に記載の発明について
説明する。
態1を用いて、本発明の請求項1に記載の発明について
説明する。
【0011】図1において、13は一次コイルで、この
一次コイル13の両側にほぼ等間隔で同一次コイル13
と略平行に第一の二次コイル16、第二の二次コイル1
9とが設けられている。前記一次コイル13は一端に信
号端子11、他端にグラウンド端子12を有する。前記
第一の二次コイル16は一端に信号端子14、他端にグ
ラウンド端子15を有し、前記第二の二次コイル19は
一端に信号端子17、他端にグラウンド端子18を有す
る。ここで、前記第一の二次コイル16に流れる信号が
一次コイル13に流れる信号に対して同位相になり、か
つ、前記第二の二次コイル19に流れる信号が一次コイ
ル13に流れる信号に対して逆位相になるように、前記
一次コイル13及び第一の二次コイル16、第二の二次
コイル19は配置されている。
一次コイル13の両側にほぼ等間隔で同一次コイル13
と略平行に第一の二次コイル16、第二の二次コイル1
9とが設けられている。前記一次コイル13は一端に信
号端子11、他端にグラウンド端子12を有する。前記
第一の二次コイル16は一端に信号端子14、他端にグ
ラウンド端子15を有し、前記第二の二次コイル19は
一端に信号端子17、他端にグラウンド端子18を有す
る。ここで、前記第一の二次コイル16に流れる信号が
一次コイル13に流れる信号に対して同位相になり、か
つ、前記第二の二次コイル19に流れる信号が一次コイ
ル13に流れる信号に対して逆位相になるように、前記
一次コイル13及び第一の二次コイル16、第二の二次
コイル19は配置されている。
【0012】以上のように本実施の形態1におけるバラ
ンの回路は、一次コイル13と、この一次コイルの両側
にほぼ等間隔で同一次コイルと略平行に設けられた第一
の二次コイル16、第二の二次コイル19とを備える構
成を特徴とする。この構成により、各コイルは独立し、
従来のメガネ型バランのように一次側の回路と二次側の
回路が直接接続されることがないので、直流バイアスの
影響を受けることはなく、その結果、出力信号のひずみ
を抑制することが出来る。
ンの回路は、一次コイル13と、この一次コイルの両側
にほぼ等間隔で同一次コイルと略平行に設けられた第一
の二次コイル16、第二の二次コイル19とを備える構
成を特徴とする。この構成により、各コイルは独立し、
従来のメガネ型バランのように一次側の回路と二次側の
回路が直接接続されることがないので、直流バイアスの
影響を受けることはなく、その結果、出力信号のひずみ
を抑制することが出来る。
【0013】なお、同一コイルを3本用いれば、全体と
して一次コイル13と二次コイル16、19の巻き線比
が1:2となるが、二次コイル16、19の巻き数を一
次コイル13の2倍、3倍とすれば、巻き線比を1:
4、1:6とすることも可能である。
して一次コイル13と二次コイル16、19の巻き線比
が1:2となるが、二次コイル16、19の巻き数を一
次コイル13の2倍、3倍とすれば、巻き線比を1:
4、1:6とすることも可能である。
【0014】以下、本発明の請求項2に記載の発明につ
いて図2〜図4を用いて説明する。
いて図2〜図4を用いて説明する。
【0015】図2に示すごとく、一次コイル13、第一
の二次コイル16、第二の二次コイル19は、1層のセ
ラミック基板22上に過巻き状に巻き線されている。各
コイル間には結晶化ガラス21が充填され各コイルは絶
縁されている。また一次コイル13、第一の二次コイル
16、第二の二次コイル19が配置された層の上には、
絶縁層としてオーバーコート層20が設けられ、外部と
の絶縁が図られている。
の二次コイル16、第二の二次コイル19は、1層のセ
ラミック基板22上に過巻き状に巻き線されている。各
コイル間には結晶化ガラス21が充填され各コイルは絶
縁されている。また一次コイル13、第一の二次コイル
16、第二の二次コイル19が配置された層の上には、
絶縁層としてオーバーコート層20が設けられ、外部と
の絶縁が図られている。
【0016】以上のように構成されたバランについて、
以下にその製造方法を図3、図4を参照しながら説明す
る。まず、図3に示すような大判基板上に各コイルをプ
リントし、切断マーカ23に沿って切断し、個片(例え
ば、図3の点線に囲まれた四角形が個片の1個)とす
る。次にこの個片の端部に露出した、各コイル部に図4
に示すごとく、端面電極24が形成され、これによって
外部回路との接続が行えるように構成される。
以下にその製造方法を図3、図4を参照しながら説明す
る。まず、図3に示すような大判基板上に各コイルをプ
リントし、切断マーカ23に沿って切断し、個片(例え
ば、図3の点線に囲まれた四角形が個片の1個)とす
る。次にこの個片の端部に露出した、各コイル部に図4
に示すごとく、端面電極24が形成され、これによって
外部回路との接続が行えるように構成される。
【0017】以上のバランは、特に一次コイル13、第
一の二次コイル16、第二の二次コイル19が、1層の
セラミック基板上に過巻き状に巻き線されており、これ
によりバランの高さの小型化が図れる。
一の二次コイル16、第二の二次コイル19が、1層の
セラミック基板上に過巻き状に巻き線されており、これ
によりバランの高さの小型化が図れる。
【0018】なお、使用周波数範囲は数百MHzから可
能であり、携帯電話等超精密電子機器への電子部品の提
供に適する。
能であり、携帯電話等超精密電子機器への電子部品の提
供に適する。
【0019】本発明の請求項3に記載の発明について図
5、図6を用いて説明する。
5、図6を用いて説明する。
【0020】図5に示すごとく、一次コイル13は中間
層に形成され、一次コイル13の上層に同一次コイル1
3と略平行に第一の二次コイル16、下層に前記一次コ
イル13と略平行に第二の二次コイル19が形成されて
いる。前記一次コイル13は一端に信号端子11、他端
にグラウンド端子18を有する。前記第一の二次コイル
16は一端に信号端子14、他端にグラウンド端子15
を有し、前記第二の二次コイル19は一端に信号端子1
7、他端にグラウンド端子18を有する。ここで、前記
第一の二次コイル16に流れる信号が一次コイル13に
流れる信号に対して逆位相になり、かつ、前記第二の二
次コイル19に流れる信号が一次コイル13に流れる信
号に対して同位相になるように、前記一次コイル13及
び第一の二次コイル16、第二の二次コイル19は配置
されている。
層に形成され、一次コイル13の上層に同一次コイル1
3と略平行に第一の二次コイル16、下層に前記一次コ
イル13と略平行に第二の二次コイル19が形成されて
いる。前記一次コイル13は一端に信号端子11、他端
にグラウンド端子18を有する。前記第一の二次コイル
16は一端に信号端子14、他端にグラウンド端子15
を有し、前記第二の二次コイル19は一端に信号端子1
7、他端にグラウンド端子18を有する。ここで、前記
第一の二次コイル16に流れる信号が一次コイル13に
流れる信号に対して逆位相になり、かつ、前記第二の二
次コイル19に流れる信号が一次コイル13に流れる信
号に対して同位相になるように、前記一次コイル13及
び第一の二次コイル16、第二の二次コイル19は配置
されている。
【0021】また、図6に示すごとく、中間層に一次コ
イル13、一次コイル13の上層の第一の二次コイル1
6、一次コイル13の下層の第二の二次コイル19各層
のコイルの間にはそれぞれ結晶化ガラス21が充填され
絶縁されている。さらに最上層上に絶縁層としてオーバ
ーコート層20が設けられ、外部との絶縁が図られてい
る。
イル13、一次コイル13の上層の第一の二次コイル1
6、一次コイル13の下層の第二の二次コイル19各層
のコイルの間にはそれぞれ結晶化ガラス21が充填され
絶縁されている。さらに最上層上に絶縁層としてオーバ
ーコート層20が設けられ、外部との絶縁が図られてい
る。
【0022】以上のバランは、特に一次コイル13と同
一次コイル13の上下層にほぼ等間隔で一次コイル13
と略平行に設けられた第一の二次コイル16、第二の二
次コイル19を備える構成を有しており、これによりバ
ランの底面積の小型化が図れる。
一次コイル13の上下層にほぼ等間隔で一次コイル13
と略平行に設けられた第一の二次コイル16、第二の二
次コイル19を備える構成を有しており、これによりバ
ランの底面積の小型化が図れる。
【0023】
【発明の効果】以上のように、本発明によるバランは、
一次コイルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同
一次コイルと略平行に設けられた第一、第二の二次コイ
ルとを備え、前記一次コイル、及び第一、第二の二次コ
イルは一端に信号端子、他端にグラウンド端子をそれぞ
れ有し、前記第一の二次コイルに流れる信号が一次コイ
ルに流れる信号に対して逆位相になり、前記第二の二次
コイルに流れる信号が一次コイルに流れる信号に対して
同位相になるように、前記一次コイル及び第一、第二の
二次コイルを配置することにより、一次側の回路と二次
側の回路が直接接続されることがなく、直流バイアスの
影響を受けず、その結果として出力信号のひずみを抑制
することが出来る。
一次コイルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同
一次コイルと略平行に設けられた第一、第二の二次コイ
ルとを備え、前記一次コイル、及び第一、第二の二次コ
イルは一端に信号端子、他端にグラウンド端子をそれぞ
れ有し、前記第一の二次コイルに流れる信号が一次コイ
ルに流れる信号に対して逆位相になり、前記第二の二次
コイルに流れる信号が一次コイルに流れる信号に対して
同位相になるように、前記一次コイル及び第一、第二の
二次コイルを配置することにより、一次側の回路と二次
側の回路が直接接続されることがなく、直流バイアスの
影響を受けず、その結果として出力信号のひずみを抑制
することが出来る。
【図1】本発明の実施の形態1におけるバランを示す回
路図
路図
【図2】同バランの断面図
【図3】同バランを製造するための大判基板の上面図
【図4】同バランの斜視図
【図5】本発明の他のバランの分解斜視図
【図6】本発明の同バランの断面図
【図7】従来のメガネ型バランの回路図
11 信号端子 12 グラウンド端子 13 一次コイル 14 信号端子 15 グラウンド端子 16 第一の二次コイル 17 信号端子 18 グラウンド端子 19 第二の二次コイル 20 オーバーコート層 21 結晶化ガラス 22 セラミック基板 23 切断マーカ 24 端面電極
Claims (3)
- 【請求項1】 一次コイルと、この一次コイルの両側に
ほぼ等間隔で同一次コイルと略平行に設けられた第一、
第二の二次コイルとを備え、 前記第一次コイル、及び第一、第二の二次コイルは一端
に信号端子、他端にグラウンド端子をそれぞれ有し、 前記第一の二次コイルに流れる信号が一次コイルに流れ
る信号に対して逆位相になり、前記第二の二次コイルに
流れる信号が一次コイルに流れる信号に対して同位相に
なるように、前記一次コイル及び第一、第二の二次コイ
ルを配置したバラン。 - 【請求項2】 一次コイル、及び第一、第二の二次コイ
ルは、1層のセラミック基板上に渦巻き状に巻き線して
構成されている請求項1に記載のバラン。 - 【請求項3】 一次コイル、及び第一、第二の二次コイ
ルは、多層セラミック基板のそれぞれ異なる層上に渦巻
状に巻き線して構成されている請求項1に記載のバラ
ン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001041330A JP2002246865A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | バラン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001041330A JP2002246865A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | バラン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002246865A true JP2002246865A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18903788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001041330A Pending JP2002246865A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | バラン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002246865A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012519287A (ja) * | 2009-03-02 | 2012-08-23 | マイクロ−エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カー・ゲー | 位置センサ |
-
2001
- 2001-02-19 JP JP2001041330A patent/JP2002246865A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012519287A (ja) * | 2009-03-02 | 2012-08-23 | マイクロ−エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カー・ゲー | 位置センサ |
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