JP2002236470A - アクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディスプレイの駆動方法 - Google Patents
アクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディスプレイの駆動方法Info
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- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
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- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
- G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】AMELディスプレイの駆動方法を提供する。
【解決手段】AMELディスプレイは、第一トランジスタ
と、第二トランジスタと、コンデンサと、有機発光ダイ
オード(O-LED)とを有する画素を含む。本発明のフレー
ム時間インタバルは、少なくとも第一サブインタバルと
第二サブインタバルとを含む。本駆動方法は以下のステ
ップを含む。先ず、第一サブインタバルの間、走査線に
順次第一パルスを印加し、対応するデータ信号をデータ
ラインに与える。次に、第二サブインタバルの間、走査
線に順次第二パルスを印加して第一トランジスタをオン
にし、データラインに抑止信号を与えて対応する第二ト
ランジスタをオフにする。
と、第二トランジスタと、コンデンサと、有機発光ダイ
オード(O-LED)とを有する画素を含む。本発明のフレー
ム時間インタバルは、少なくとも第一サブインタバルと
第二サブインタバルとを含む。本駆動方法は以下のステ
ップを含む。先ず、第一サブインタバルの間、走査線に
順次第一パルスを印加し、対応するデータ信号をデータ
ラインに与える。次に、第二サブインタバルの間、走査
線に順次第二パルスを印加して第一トランジスタをオン
にし、データラインに抑止信号を与えて対応する第二ト
ランジスタをオフにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願は、2001年1月8日に
出願された***出願番号090100392号を引用により組
み込んでいる。本発明は、アクティブマトリクスエレク
トロルミネッセントディスプレイの駆動方法に関し、特
にアクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディ
スプレイにおける薄膜トランジスタのしきい値電圧シフ
トを防止する為のアクティブマトリクスエレクトロルミ
ネッセントディスプレイの駆動方法に関する。
出願された***出願番号090100392号を引用により組
み込んでいる。本発明は、アクティブマトリクスエレク
トロルミネッセントディスプレイの駆動方法に関し、特
にアクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディ
スプレイにおける薄膜トランジスタのしきい値電圧シフ
トを防止する為のアクティブマトリクスエレクトロルミ
ネッセントディスプレイの駆動方法に関する。
【０００２】
【関連技術の説明】アクティブマトリクスエレクトロル
ミネッセント(AMEL)ディスプレイは一般に、例えば1.3"
x1.2"の小型高解像度ディスプレイに使用される。AMEL
ディスプレイは、光信号の生成に有機発光ダイオード(O
-LEDs)を使用している。O-LEDsの輝度は、その中を流れ
る電流に依存する。更に、 O-LEDsを駆動するアクティ
ブコンポーネントとして種々のトランジスタが使用でき
る。中でも、ポリシリコン薄膜トランジスタ(poly-Si T
FT)が多用されている。一方、薄膜トランジスタ液晶デ
ィスプレイ(TFT-LCDs)においては、製造の際に使用する
マスクが少なく、膜形成温度が低く、製造コストが安い
為に、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-TFT)
が多用されている。しかしながら、poly-Si TFTもa-TFT
も、長時間使用するとしきい値電圧シフトにより通電量
が落ちるという問題がある。特にa-TFTが使用されてい
る場合、この問題は深刻となる。
ミネッセント(AMEL)ディスプレイは一般に、例えば1.3"
x1.2"の小型高解像度ディスプレイに使用される。AMEL
ディスプレイは、光信号の生成に有機発光ダイオード(O
-LEDs)を使用している。O-LEDsの輝度は、その中を流れ
る電流に依存する。更に、 O-LEDsを駆動するアクティ
ブコンポーネントとして種々のトランジスタが使用でき
る。中でも、ポリシリコン薄膜トランジスタ(poly-Si T
FT)が多用されている。一方、薄膜トランジスタ液晶デ
ィスプレイ(TFT-LCDs)においては、製造の際に使用する
マスクが少なく、膜形成温度が低く、製造コストが安い
為に、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-TFT)
が多用されている。しかしながら、poly-Si TFTもa-TFT
も、長時間使用するとしきい値電圧シフトにより通電量
が落ちるという問題がある。特にa-TFTが使用されてい
る場合、この問題は深刻となる。
【０００３】図1は、AMELディスプレイ用O-LEDsの画素
アレイを示す。AMELディスプレイは、M本の走査線とN本
のデータラインを有し、MxN画素のディスプレイを構成
する。多数の連続フレームを有するビデオシーケンス
は、このMxN個の画素を有するAMELディスプレイに表示
することができる。参照記号Pで示される画素はそれぞ
れ、参照記号Dで示される薄膜トランジスタTa, Tbによ
り駆動されるO-LEDと、コンデンサを有し、トランジス
タTaのソース電極又はドレイン電極は一本のデータライ
ンに結合され、トランジスタTaのゲート電極は一本の走
査線に結合されている。
アレイを示す。AMELディスプレイは、M本の走査線とN本
のデータラインを有し、MxN画素のディスプレイを構成
する。多数の連続フレームを有するビデオシーケンス
は、このMxN個の画素を有するAMELディスプレイに表示
することができる。参照記号Pで示される画素はそれぞ
れ、参照記号Dで示される薄膜トランジスタTa, Tbによ
り駆動されるO-LEDと、コンデンサを有し、トランジス
タTaのソース電極又はドレイン電極は一本のデータライ
ンに結合され、トランジスタTaのゲート電極は一本の走
査線に結合されている。
【０００４】例えば、図1に示すP(1,1)又はP11等の一つ
の画素において、トランジスタTa(1,1)又はT11aのゲー
ト電極は、一本の走査線Scan(1)又はS1に接続され、ト
ランジスタTa(1,1)のソース（又はドレイン）電極は、
一本のデータラインData(1)又はD1に接続されており、
トランジスタTa(1,1)のドレイン（又はソース）電極は
コンデンサC(1,1)又はC11及びトランジスタTb(1,1)又は
T11bのゲート電極に接続されている。トランジスタTb
(1,1)のドレイン電極は、O-LED D(1,1)又はD11に接続さ
れ、トランジスタTb(1,1)のソース電極は、直流(DC)電
源VDDに接続されており、トランジスタTb(1,1)はN−型
トランジスタとなっている。
の画素において、トランジスタTa(1,1)又はT11aのゲー
ト電極は、一本の走査線Scan(1)又はS1に接続され、ト
ランジスタTa(1,1)のソース（又はドレイン）電極は、
一本のデータラインData(1)又はD1に接続されており、
トランジスタTa(1,1)のドレイン（又はソース）電極は
コンデンサC(1,1)又はC11及びトランジスタTb(1,1)又は
T11bのゲート電極に接続されている。トランジスタTb
(1,1)のドレイン電極は、O-LED D(1,1)又はD11に接続さ
れ、トランジスタTb(1,1)のソース電極は、直流(DC)電
源VDDに接続されており、トランジスタTb(1,1)はN−型
トランジスタとなっている。
【０００５】図2は、図1に示す回路を駆動するための波
形を示す。AMELディスプレイが一フレームを表示する時
間は、フレーム時間インタバルIと定義される。 AMELデ
ィスプレイの従来の駆動方法は以下の通りである。先
ず、各走査線を順次走査する。即ち、Scan(1)からScan
(M)の全走査線に正電圧パルスを順次印加して、各走査
線の全ての画素のトランジスタTaをオンにする。トラン
ジスタTaのオンと同時に、異なる所要の輝度を表すデー
タ信号を、発光する画素に関連するデータラインに与え
る。また、データ信号の異なる信号レベルは、画素の輝
度に対応する。
形を示す。AMELディスプレイが一フレームを表示する時
間は、フレーム時間インタバルIと定義される。 AMELデ
ィスプレイの従来の駆動方法は以下の通りである。先
ず、各走査線を順次走査する。即ち、Scan(1)からScan
(M)の全走査線に正電圧パルスを順次印加して、各走査
線の全ての画素のトランジスタTaをオンにする。トラン
ジスタTaのオンと同時に、異なる所要の輝度を表すデー
タ信号を、発光する画素に関連するデータラインに与え
る。また、データ信号の異なる信号レベルは、画素の輝
度に対応する。
【０００６】例えば図2に示すように、時間t1におい
て、パルス202を走査線Scan(1)に印加してトランジスタ
Ta(1,1)、Ta(1,2)及びTa(1,3)をオンにする間に、それ
ぞれ信号レベルがV(1,1)、V(1,2)、V(1,3)のデータ信号
をデータラインData(1)、Data(2)、Data(3)に与える。
パルス202が走査線Scan(1)に印加されると、コンデンサ
C(1,1)、C(1,2)、C(1,3)が充電され、ノードN(1,1)、N
(1,2)、N(1,3)の電圧がそれぞれ信号レベルV(1,1)、V
(1,2)、V(1,3)に近づいてトランジスタTｂ(1,1)、Tｂ
(1,2)、Tｂ(1,3)がオンになる。これと同時に、直流電
源VDDから電流がトランジスタTｂ(1,1)、Tｂ(1,2)、Tｂ
(1,3)及びO-LEDs D(1,1)、D(1,2)、D(1,3)内を流れるの
で、各画素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)のO-LEDs D(1,1)、D
(1,2)、D(1,3)が異なる輝度の光を発する。信号レベルV
(1,1)、V(1,2)、V(1,3)が異なるので、O-LEDs D(1,1)、
D(1,2)、D(1,3)内を流れる電流量は異なる。その結果、
各画素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)の輝度が異なるのであ
る。
て、パルス202を走査線Scan(1)に印加してトランジスタ
Ta(1,1)、Ta(1,2)及びTa(1,3)をオンにする間に、それ
ぞれ信号レベルがV(1,1)、V(1,2)、V(1,3)のデータ信号
をデータラインData(1)、Data(2)、Data(3)に与える。
パルス202が走査線Scan(1)に印加されると、コンデンサ
C(1,1)、C(1,2)、C(1,3)が充電され、ノードN(1,1)、N
(1,2)、N(1,3)の電圧がそれぞれ信号レベルV(1,1)、V
(1,2)、V(1,3)に近づいてトランジスタTｂ(1,1)、Tｂ
(1,2)、Tｂ(1,3)がオンになる。これと同時に、直流電
源VDDから電流がトランジスタTｂ(1,1)、Tｂ(1,2)、Tｂ
(1,3)及びO-LEDs D(1,1)、D(1,2)、D(1,3)内を流れるの
で、各画素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)のO-LEDs D(1,1)、D
(1,2)、D(1,3)が異なる輝度の光を発する。信号レベルV
(1,1)、V(1,2)、V(1,3)が異なるので、O-LEDs D(1,1)、
D(1,2)、D(1,3)内を流れる電流量は異なる。その結果、
各画素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)の輝度が異なるのであ
る。
【０００７】時間t2において、走査線Scan(1)に印加さ
れる電圧はローに切り替わってトランジスタTa(1,1)、T
a(1,2)、Ta(1,3)はオフになるが、コンデンサC(1,1)、C
(1,2)、C(1,3)は電荷を蓄えており、ノードN(1,1)、N
(1,2)、N(1,3)はハイに維持されているので、トランジ
スタTb(1,1)、Tb(1,2)、Tb(1,3)は依然としてオン状態
にあり、 O-LEDs D(1,1)、D(1,2)、D(1,3)は発光し続け
る。このように、時間t2において、画素P(1,1)、P(1,
2)、P(1,3)は表示状態を維持している。現在のフレーム
のフレーム時間インタバルIが経過した後、画素の状態
が変わる。
れる電圧はローに切り替わってトランジスタTa(1,1)、T
a(1,2)、Ta(1,3)はオフになるが、コンデンサC(1,1)、C
(1,2)、C(1,3)は電荷を蓄えており、ノードN(1,1)、N
(1,2)、N(1,3)はハイに維持されているので、トランジ
スタTb(1,1)、Tb(1,2)、Tb(1,3)は依然としてオン状態
にあり、 O-LEDs D(1,1)、D(1,2)、D(1,3)は発光し続け
る。このように、時間t2において、画素P(1,1)、P(1,
2)、P(1,3)は表示状態を維持している。現在のフレーム
のフレーム時間インタバルIが経過した後、画素の状態
が変わる。
【０００８】フレーム時間インタバルIの間、トランジ
スタTb内にしきい値電圧シフトが生じて表示品質が落ち
る。この現象を説明する為に、トランジスタのデューテ
ィ比は、フレーム時間インタバルIの長さに対し、トラ
ンジスタがフレーム時間インタバル中にオンになってい
る時間の比と定義される。例えば、一フレームのフレー
ム時間インタバルの間、画素P(1,1)が表示の為に選択さ
れるとする。上述したように、このフレーム時間インタ
バルの間中、コンデンサC(1,1)の電圧はハイレベルV(1,
1)を維持するので、トランジスタTb(1,1)のゲートはハ
イレベルのままであり、電流はゲートを流れる。この
時、O-LED D(1,1)は、その内部を電流が流れているので
発光する。この状態において、トランジスタTb(1,1)は
このフレーム時間インタバルを通じてオン状態にあるの
で、そのデューティ比は１となる。しかしながら、その
場合、しきい値電圧シフトが生じる。その上、以下に説
明するが、トランジスタTb(1,1)内に生じたしきい値電
圧シフトの影響により、表示品質が著しく低下する可能
性がある。
スタTb内にしきい値電圧シフトが生じて表示品質が落ち
る。この現象を説明する為に、トランジスタのデューテ
ィ比は、フレーム時間インタバルIの長さに対し、トラ
ンジスタがフレーム時間インタバル中にオンになってい
る時間の比と定義される。例えば、一フレームのフレー
ム時間インタバルの間、画素P(1,1)が表示の為に選択さ
れるとする。上述したように、このフレーム時間インタ
バルの間中、コンデンサC(1,1)の電圧はハイレベルV(1,
1)を維持するので、トランジスタTb(1,1)のゲートはハ
イレベルのままであり、電流はゲートを流れる。この
時、O-LED D(1,1)は、その内部を電流が流れているので
発光する。この状態において、トランジスタTb(1,1)は
このフレーム時間インタバルを通じてオン状態にあるの
で、そのデューティ比は１となる。しかしながら、その
場合、しきい値電圧シフトが生じる。その上、以下に説
明するが、トランジスタTb(1,1)内に生じたしきい値電
圧シフトの影響により、表示品質が著しく低下する可能
性がある。
【０００９】上述したしきい値電圧シフトの原因は以下
の通りである。トランジスタTb(1,1)がアモルファスシ
リコン薄膜トランジスタである場合、そのゲート電極
は、低温で形成されたSiN絶縁層により覆われている。
ハイレベルに維持されている時、ゲート電極はSiN絶縁
層内のイオンを引き付け、その為にトランジスタTb(1,
1)の導通電圧が上がる。言い換えると、トランジスタTb
(1,1)のしきい値電圧が上昇する。このような場合に、
コンデンサC(1,1)からトランジスタTb(1,1)に一定の電
圧を印加すると、トランジスタTb(1,1)内の電流が減少
し、これによりO-LEDD(1,1)の輝度が低下する。しきい
値電圧シフトは、デューティ比が1のトランジスタTb内
に起こる。更に、画素PのトランジスタTbと関連するコ
ンデンサC内の電圧が異なるので、各画素Pの輝度低下量
は異なる。このように、AMELディスプレイの輝度の変動
は一様ではなく、その為、表示品質が低下するのであ
る。このしきい値電圧シフトによる問題は、Poly-Si TF
Tにも起こり、特にディスプレイが長時間使用された後
に表示品質が低下する。
の通りである。トランジスタTb(1,1)がアモルファスシ
リコン薄膜トランジスタである場合、そのゲート電極
は、低温で形成されたSiN絶縁層により覆われている。
ハイレベルに維持されている時、ゲート電極はSiN絶縁
層内のイオンを引き付け、その為にトランジスタTb(1,
1)の導通電圧が上がる。言い換えると、トランジスタTb
(1,1)のしきい値電圧が上昇する。このような場合に、
コンデンサC(1,1)からトランジスタTb(1,1)に一定の電
圧を印加すると、トランジスタTb(1,1)内の電流が減少
し、これによりO-LEDD(1,1)の輝度が低下する。しきい
値電圧シフトは、デューティ比が1のトランジスタTb内
に起こる。更に、画素PのトランジスタTbと関連するコ
ンデンサC内の電圧が異なるので、各画素Pの輝度低下量
は異なる。このように、AMELディスプレイの輝度の変動
は一様ではなく、その為、表示品質が低下するのであ
る。このしきい値電圧シフトによる問題は、Poly-Si TF
Tにも起こり、特にディスプレイが長時間使用された後
に表示品質が低下する。
【００１０】
【発明の概要】従って本発明の目的は、アクティブマト
リクスエレクトロルミネッセント(AMEL)ディスプレイの
輝度を安定させて表示品質を高める為に、薄膜トランジ
スタのしきい値電圧シフトの影響を防止するAMELディス
プレイ駆動方法を提供することである。本発明は、AMEL
ディスプレイ駆動方法を提供することにより上記目的を
達成する。AMELディスプレイは、M本の走査線と、N本の
データラインと、MxN個の画素を含み、MxN個の画素は複
数の連続フレームを有するビデオ信号を表示することが
できる。フレーム時間インタバルは、一つのフレームを
表示するのに必要とされる時間と定義される。当該フレ
ーム時間インタバルは、少なくとも第一サブインタバル
と第二サブインタバルとを含む。更に、MxN個の画素
は、画素（p,q）を含む。ただし、pがM以下の正の整数
で、qがN以下の正の整数である。当該画素(p,q)は、第
一トランジスタと、第二トランジスタと、コンデンサ
と、有機発光ダイオード(O-LED)とを含む。第一トラン
ジスタは、q-番目のデータラインと結合したソース/ド
レイン電極と、p-番目の走査線と結合したゲート電極と
を有する。第二トランジスタは、第一トランジスタに結
合される。p-番目の走査線に第一パルスが印加される
と、第一トランジスタがオンになってq-番目のデータラ
インを介して第二トランジスタのゲート電極にデータ信
号を送り、当該データ信号が第二トランジスタの動作を
決定する。当該コンデンサは、第二トランジスタのゲー
ト電極と結合している。当該O-LEDは、第二トランジス
タのソース/ドレイン電極に結合され、第二トランジス
タが、そのソース電極及びドレイン電極内に電流が流れ
て動作する時、発光する。従って、O-LEDの輝度は、当
該データ信号のレベルに対応している。当該AMELディス
プレイ駆動方法は、以下のステップを含む。先ず第一サ
ブインタバルの間、第一パルスを順次走査線に印加し、
対応するデータ信号をデータラインに与える。次に、第
二サブインタバルの間、第二パルスを順次走査線に印加
して第一トランジスタをオンにし、データラインに抑止
信号を与えて対応する第二トランジスタをオフにする。
リクスエレクトロルミネッセント(AMEL)ディスプレイの
輝度を安定させて表示品質を高める為に、薄膜トランジ
スタのしきい値電圧シフトの影響を防止するAMELディス
プレイ駆動方法を提供することである。本発明は、AMEL
ディスプレイ駆動方法を提供することにより上記目的を
達成する。AMELディスプレイは、M本の走査線と、N本の
データラインと、MxN個の画素を含み、MxN個の画素は複
数の連続フレームを有するビデオ信号を表示することが
できる。フレーム時間インタバルは、一つのフレームを
表示するのに必要とされる時間と定義される。当該フレ
ーム時間インタバルは、少なくとも第一サブインタバル
と第二サブインタバルとを含む。更に、MxN個の画素
は、画素（p,q）を含む。ただし、pがM以下の正の整数
で、qがN以下の正の整数である。当該画素(p,q)は、第
一トランジスタと、第二トランジスタと、コンデンサ
と、有機発光ダイオード(O-LED)とを含む。第一トラン
ジスタは、q-番目のデータラインと結合したソース/ド
レイン電極と、p-番目の走査線と結合したゲート電極と
を有する。第二トランジスタは、第一トランジスタに結
合される。p-番目の走査線に第一パルスが印加される
と、第一トランジスタがオンになってq-番目のデータラ
インを介して第二トランジスタのゲート電極にデータ信
号を送り、当該データ信号が第二トランジスタの動作を
決定する。当該コンデンサは、第二トランジスタのゲー
ト電極と結合している。当該O-LEDは、第二トランジス
タのソース/ドレイン電極に結合され、第二トランジス
タが、そのソース電極及びドレイン電極内に電流が流れ
て動作する時、発光する。従って、O-LEDの輝度は、当
該データ信号のレベルに対応している。当該AMELディス
プレイ駆動方法は、以下のステップを含む。先ず第一サ
ブインタバルの間、第一パルスを順次走査線に印加し、
対応するデータ信号をデータラインに与える。次に、第
二サブインタバルの間、第二パルスを順次走査線に印加
して第一トランジスタをオンにし、データラインに抑止
信号を与えて対応する第二トランジスタをオフにする。
【００１１】本発明のその他の目的、特徴、利点等は、
好適であるが限定的ではない実施態様の詳細な説明から
明らかになるであろう。本発明の以下の説明は、添付図
を参照して行う。
好適であるが限定的ではない実施態様の詳細な説明から
明らかになるであろう。本発明の以下の説明は、添付図
を参照して行う。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施形態におい
て、アクティブマトリクスエレクトロルミネッセント(A
MEL)ディスプレイを駆動する波形を図3に示す。図1及び
図3を参照して、従来の駆動方法に対し、本発明による
駆動方法では、フレーム時間インタバルIが少なくとも
サブインタバルIAとサブインタバルIBとを含んでいる。
サブインタバルIAの間、AMELディスプレイの走査線にパ
ルスAが順次印加されて、AMELディスプレイのトランジ
スタTaが順次オンになる一方で、AMELディスプレイのデ
ータラインに、対応するデータ信号が順次与えられる。
AMELディスプレイの一つの画素において、そのコンデン
サCの電圧が対応するデータ信号のレベルに近い信号レ
ベルにまで上昇し、その結果トランジスタTbがオンにな
り、有機発光ダイオード(O-LED)が発光する。従って、O
-LEDの輝度は、与えられるデータ信号に応じて変化す
る。サブインタバルIBの間、AMELディスプレイの走査線
にパルスBが順次印加されてトランジスタTaが順次オン
になる一方で、AMELディスプレイのデータラインに、ロ
ーレベルの抑止信号が与えられて各コンデンサCを放電
させる。すると各コンデンサCの電圧が下がって抑止信
号の信号レベルに近づき、コンデンサはオフになる。従
って、トランジスタTbが動作するのはフレーム時間イン
タバルの一部に限定されるので、トランジスタTbのデュ
ーティ比は１より小さくなる。従って、トランジスタTb
内に発生するしきい値電圧シフトは、効果的に低減され
る。
て、アクティブマトリクスエレクトロルミネッセント(A
MEL)ディスプレイを駆動する波形を図3に示す。図1及び
図3を参照して、従来の駆動方法に対し、本発明による
駆動方法では、フレーム時間インタバルIが少なくとも
サブインタバルIAとサブインタバルIBとを含んでいる。
サブインタバルIAの間、AMELディスプレイの走査線にパ
ルスAが順次印加されて、AMELディスプレイのトランジ
スタTaが順次オンになる一方で、AMELディスプレイのデ
ータラインに、対応するデータ信号が順次与えられる。
AMELディスプレイの一つの画素において、そのコンデン
サCの電圧が対応するデータ信号のレベルに近い信号レ
ベルにまで上昇し、その結果トランジスタTbがオンにな
り、有機発光ダイオード(O-LED)が発光する。従って、O
-LEDの輝度は、与えられるデータ信号に応じて変化す
る。サブインタバルIBの間、AMELディスプレイの走査線
にパルスBが順次印加されてトランジスタTaが順次オン
になる一方で、AMELディスプレイのデータラインに、ロ
ーレベルの抑止信号が与えられて各コンデンサCを放電
させる。すると各コンデンサCの電圧が下がって抑止信
号の信号レベルに近づき、コンデンサはオフになる。従
って、トランジスタTbが動作するのはフレーム時間イン
タバルの一部に限定されるので、トランジスタTbのデュ
ーティ比は１より小さくなる。従って、トランジスタTb
内に発生するしきい値電圧シフトは、効果的に低減され
る。
【００１３】上記の抑止信号は負電圧のローレベル信号
であり、トランジスタTa、TbはN−型薄膜トランジスタ
である。他方、トランジスタTa、TbとしてP−型トラン
ジスタが使用された場合、抑止信号は正電圧である。本
発明によると、しきい値電圧シフトは効果的に低減でき
る。一般的なディスプレイ要件では、フレーム時間イン
タバルIは16.7ms（つまり表示レートは60フレーム/秒で
ある）となっている。このフレーム時間インタバルI内
に、パルスA及びBがAMELディスプレイに印加される。し
きい値電圧シフトを防止する為に、パルスAを走査線に
順次印加した後のサブインタバルIBの間に、パルスBを
走査線に印加する。例えば図1に示す画素P(1,1)におい
て、パルスB(1)が走査線Scan(1)に印加されると、トラ
ンジスタTa(1,1)がオンになる一方で、ローレベルの抑
止信号VbがデータラインData(1)に与えられる。こうし
てコンデンサC(1,1)はトランジスタTa(1,1)を介して放
電し、ノードN(1,1)の電圧は大体、この抑止信号Vbのレ
ベルに落ち、これによりトランジスタTb(1,1)がオフに
なる。トランジスタTb(1,1)のゲート電極は、大体抑止
信号のレベルVbになっているので、インタフェース領域
で生じるイオン吸引が避けられ、トランジスタTb(1,1)
のしきい値電圧の変動はない。従って、走査線にパルス
Bを順次印加し、それに応じてローレベルの抑止信号Vb
をデータラインに与えることにより、しきい値電圧シフ
トの抑制が達成される。
であり、トランジスタTa、TbはN−型薄膜トランジスタ
である。他方、トランジスタTa、TbとしてP−型トラン
ジスタが使用された場合、抑止信号は正電圧である。本
発明によると、しきい値電圧シフトは効果的に低減でき
る。一般的なディスプレイ要件では、フレーム時間イン
タバルIは16.7ms（つまり表示レートは60フレーム/秒で
ある）となっている。このフレーム時間インタバルI内
に、パルスA及びBがAMELディスプレイに印加される。し
きい値電圧シフトを防止する為に、パルスAを走査線に
順次印加した後のサブインタバルIBの間に、パルスBを
走査線に印加する。例えば図1に示す画素P(1,1)におい
て、パルスB(1)が走査線Scan(1)に印加されると、トラ
ンジスタTa(1,1)がオンになる一方で、ローレベルの抑
止信号VbがデータラインData(1)に与えられる。こうし
てコンデンサC(1,1)はトランジスタTa(1,1)を介して放
電し、ノードN(1,1)の電圧は大体、この抑止信号Vbのレ
ベルに落ち、これによりトランジスタTb(1,1)がオフに
なる。トランジスタTb(1,1)のゲート電極は、大体抑止
信号のレベルVbになっているので、インタフェース領域
で生じるイオン吸引が避けられ、トランジスタTb(1,1)
のしきい値電圧の変動はない。従って、走査線にパルス
Bを順次印加し、それに応じてローレベルの抑止信号Vb
をデータラインに与えることにより、しきい値電圧シフ
トの抑制が達成される。
【００１４】更に、本発明の動作を以下に説明する。サ
ブインタバルIBの開始時間tB1がフレーム時間インタバ
ルIの中間と想定する。つまり、サブインタバルIAとIB
は、同じ長さである。例えばScan(1)において、サブイ
ンタバルIAの開始時間tA1に、パルスA1が走査線Scan(1)
に印加され、対応するデータ信号がデータラインData
(1)からData(N)に与えられる。トランジスタTb(1,1)か
らTb(1,N)がオンになり、O-LEDs D(1,1)からD(1,N)が対
応するデータ信号に応じて選択的に発光する。時間tB1
に、パルスB1が走査線Scan(1)に印加され、ローレベル
の抑止信号VbがデータラインData(1)からData(N)に与え
られるので、トランジスタTb(1,1)からTb(1,N)がオフに
なり、O-LEDs D(1,1)からD(1,N)が発光を停止する。言
い換えると、トランジスタTb(1,1)からTb(1,N)はオンに
なってから時間tA1から時間tB1までの間のみ動作する。
ブインタバルIBの開始時間tB1がフレーム時間インタバ
ルIの中間と想定する。つまり、サブインタバルIAとIB
は、同じ長さである。例えばScan(1)において、サブイ
ンタバルIAの開始時間tA1に、パルスA1が走査線Scan(1)
に印加され、対応するデータ信号がデータラインData
(1)からData(N)に与えられる。トランジスタTb(1,1)か
らTb(1,N)がオンになり、O-LEDs D(1,1)からD(1,N)が対
応するデータ信号に応じて選択的に発光する。時間tB1
に、パルスB1が走査線Scan(1)に印加され、ローレベル
の抑止信号VbがデータラインData(1)からData(N)に与え
られるので、トランジスタTb(1,1)からTb(1,N)がオフに
なり、O-LEDs D(1,1)からD(1,N)が発光を停止する。言
い換えると、トランジスタTb(1,1)からTb(1,N)はオンに
なってから時間tA1から時間tB1までの間のみ動作する。
【００１５】フレーム時間インタバルI毎に、トランジ
スタTb(1,1)からTb(1,N)がオンになってから時間tA1か
らtB1の間だけ動作するので、トランジスタTb(1,1)から
Tb(1,N)のデューティ比は1/2となる。一方、O-LEDs D
(1,1)からD(1,N)は、対応するデータ信号に応じて、時
間tA1からtB1の間、選択的に発光する。即ち、O-LEDs
は、フレーム時間インタバルIの半分の間、選択的に発
光するのである。特定の画素の平均輝度は、デューティ
比1を使用する従来の駆動法における平均輝度と比べる
と、明らかに低下する。
スタTb(1,1)からTb(1,N)がオンになってから時間tA1か
らtB1の間だけ動作するので、トランジスタTb(1,1)から
Tb(1,N)のデューティ比は1/2となる。一方、O-LEDs D
(1,1)からD(1,N)は、対応するデータ信号に応じて、時
間tA1からtB1の間、選択的に発光する。即ち、O-LEDs
は、フレーム時間インタバルIの半分の間、選択的に発
光するのである。特定の画素の平均輝度は、デューティ
比1を使用する従来の駆動法における平均輝度と比べる
と、明らかに低下する。
【００１６】平均輝度を向上する為に、O-LEDsのオンし
た時の輝度を増強する必要がある。一つの方法は、デー
タラインData(1)からData(N)に与えるデータ信号の信号
レベルを上げてO-LEDsのオンした時の輝度を上げること
である。この方法を用いることにより、本発明に従って
駆動される各画素の平均輝度を、従来の方法に従って駆
動された場合の平均輝度に近づけることができる。更
に、トランジスタTbのデューティ比は調整可能である。
このデューティ比は、全フレーム時間インタバルIに対
するサブインタバルIAの長さの比である。即ち、一つの
画素のトランジスタTbのデューティ比は、その画素のサ
ブインタバルIAとIBの長さを調整することによって調整
可能である。
た時の輝度を増強する必要がある。一つの方法は、デー
タラインData(1)からData(N)に与えるデータ信号の信号
レベルを上げてO-LEDsのオンした時の輝度を上げること
である。この方法を用いることにより、本発明に従って
駆動される各画素の平均輝度を、従来の方法に従って駆
動された場合の平均輝度に近づけることができる。更
に、トランジスタTbのデューティ比は調整可能である。
このデューティ比は、全フレーム時間インタバルIに対
するサブインタバルIAの長さの比である。即ち、一つの
画素のトランジスタTbのデューティ比は、その画素のサ
ブインタバルIAとIBの長さを調整することによって調整
可能である。
【００１７】AMELディスプレイの各画素の平均輝度を調
整するもう一つの方法は、画素のトランジスタTbのデュ
ーティ比を変更することである。一つの画素の平均輝度
は、その画素の輝度にサブインタバルIAの長さをかけ、
フレーム時間インタバルIの長さで割ることにより得ら
れる。 AMELディスプレイパネルの平均輝度の調整は、
パルスAとBとの間のインタバルを調整することにより、
つまり、トランジスタTbのデューティ比を調整すること
により行われる。更に、パルスBの幅は、画素のコンデ
ンサCの放電時間に応じて決めることができる。
整するもう一つの方法は、画素のトランジスタTbのデュ
ーティ比を変更することである。一つの画素の平均輝度
は、その画素の輝度にサブインタバルIAの長さをかけ、
フレーム時間インタバルIの長さで割ることにより得ら
れる。 AMELディスプレイパネルの平均輝度の調整は、
パルスAとBとの間のインタバルを調整することにより、
つまり、トランジスタTbのデューティ比を調整すること
により行われる。更に、パルスBの幅は、画素のコンデ
ンサCの放電時間に応じて決めることができる。
【００１８】上述したように、このAMELディスプレイ駆
動方法は、薄膜トランジスタのしきい値電圧シフトの影
響を効果的に抑止することができ、それによって輝度を
安定させ、表示品質を高めることができる。上記の実施
態様では、例示としてN−型トランジスタがトランジス
タTbとして使用されている。しかしながら、N−型トラ
ンジスタの使用は本発明を限定するものではない。図4
に示すように、P−型トランジスタTbを使用する場合、P
−型トランジスタTbのソース電極を接地し、ドレイン電
極を、O-LEDを介して直流(DC)電源VDDに接続する。本発
明のAMELディスプレイ駆動方法は、P−型トランジスタ
を用いるAMELディスプレイに適用できる。
動方法は、薄膜トランジスタのしきい値電圧シフトの影
響を効果的に抑止することができ、それによって輝度を
安定させ、表示品質を高めることができる。上記の実施
態様では、例示としてN−型トランジスタがトランジス
タTbとして使用されている。しかしながら、N−型トラ
ンジスタの使用は本発明を限定するものではない。図4
に示すように、P−型トランジスタTbを使用する場合、P
−型トランジスタTbのソース電極を接地し、ドレイン電
極を、O-LEDを介して直流(DC)電源VDDに接続する。本発
明のAMELディスプレイ駆動方法は、P−型トランジスタ
を用いるAMELディスプレイに適用できる。
【００１９】本発明を好適な実施形態を例にして説明し
たが、本発明はこれに限定されることはないものと理解
されよう。むしろ、さまざまな変更や類似する構成や手
順を含むものであり、従って、特許請求の範囲は、かか
る変更や類似構成、手順を全て包含するように最も広義
に解釈すべきである。
たが、本発明はこれに限定されることはないものと理解
されよう。むしろ、さまざまな変更や類似する構成や手
順を含むものであり、従って、特許請求の範囲は、かか
る変更や類似構成、手順を全て包含するように最も広義
に解釈すべきである。
【図１】AMELディスプレイのO-LEDsの従来の画素アレイ
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】図1に示す回路を駆動する従来の波形を示す波
形図である。
形図である。
【図３】本発明の好適な実施形態によるAMELディスプレ
イ駆動波形を示す波形図である。
イ駆動波形を示す波形図である。
【図４】P−型トランジスタが形成された画素を示す回
路図である。
路図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｃ
Claims (6)
- 【請求項1】アクティブマトリクスエレクトロルミネッ
セント(AMEL)ディスプレイの駆動方法であって、AMELデ
ィスプレイがM本の走査線と、N本のデータラインと、Mx
N個の画素を具備して成り、MxN個の画素が複数の連続フ
レームから成るビデオ信号を表示することができ、一つ
のフレーム時間インタバルが一つのフレームを表示する
のに必要とされ、前記フレーム時間インタバルが少なく
とも第一サブインタバルと第二サブインタバルとを含
み、MxN個の画素は、pがM以下の正の整数でqがN以下の
正の整数である画素(p,q)であり、 前記画素(p,q)は、 q-番目のデータラインと結合したソース/ドレイン電極
と、p-番目の走査線と結合したゲート電極を有する第一
トランジスタと、 第一トランジスタに結合され、p-番目の走査線に第一パ
ルスが印加されると第一トランジスタがオンになってq-
番目のデータラインを介して第二トランジスタのゲート
電極にデータ信号を送り、前記データ信号が第二トラン
ジスタの動作を決定するようになっている第二トランジ
スタと、 第二トランジスタのゲート電極と結合したコンデンサ
と、 第二トランジスタのソース/ドレイン電極に結合され、
第二トランジスタが動作する時発光し、その輝度が前記
データ信号のレベルに対応している有機発光ダイオード
(O-LED)とを具備するAMELディスプレイの駆動方法にお
いて、 第一サブインタバルの間、第一パルスを順次走査線に印
加し、対応するデータ信号をデータラインに与えるステ
ップと、 第二サブインタバルの間、第二パルスを順次走査線に印
加して第一トランジスタをオンにし、データラインに抑
止信号を与えて対応する第二トランジスタをオフにする
ステップとを含む、駆動方法。 - 【請求項２】前記第一トランジスタが薄膜トランジスタ
である、請求項１に記載の駆動方法。 - 【請求項３】前記第二トランジスタが薄膜トランジスタ
である、請求項１に記載の駆動方法。 - 【請求項４】前記第二トランジスタがN−型トランジス
タである、請求項1に記載の駆動方法。 - 【請求項５】前記第二トランジスタがP−型トランジス
タである、請求項1に記載の駆動方法。 - 【請求項６】前記抑止信号が一定の信号レベルを有す
る、請求項1に記載の駆動方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090100392 | 2001-01-08 | ||
| TW090100392A TW518528B (en) | 2001-01-08 | 2001-01-08 | Driving method of active matrix electro-luminescent display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002236470A true JP2002236470A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=21676973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002001306A Revoked JP2002236470A (ja) | 2001-01-08 | 2002-01-08 | アクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディスプレイの駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6710757B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002236470A (ja) |
| TW (1) | TW518528B (ja) |
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-
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- 2002-01-08 JP JP2002001306A patent/JP2002236470A/ja not_active Revoked
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