JP2002232786A - 画像センサピクセルの出力信号の処理方法、及び読み出し回路 - Google Patents
画像センサピクセルの出力信号の処理方法、及び読み出し回路Info
- Publication number
- JP2002232786A JP2002232786A JP2001378004A JP2001378004A JP2002232786A JP 2002232786 A JP2002232786 A JP 2002232786A JP 2001378004 A JP2001378004 A JP 2001378004A JP 2001378004 A JP2001378004 A JP 2001378004A JP 2002232786 A JP2002232786 A JP 2002232786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- capacitor element
- capacitor
- switch means
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
センサピクセルの出力信号の処理方法を提供する。 【解決手段】 この方法は、共通端子で互いに結合され
た第1及び第2コンデンサ素子に基準電圧VREFを印加
するステップと、画像センサピクセルからの第1のサン
プル信号VS1を第1のコンデンサ素子に印加し、第1の
コンデンサ素子に電荷を配置するステップと、この電荷
を第1のコンデンサ素子から第2のコンデンサ素子に移
すステップと、画像センサピクセルからの第2のサンプ
ル信号VS2を第1のコンデンサ素子に印加し、第1のコ
ンデンサ素子に電荷を配置するステップと、電荷を第2
のコンデンサ素子から第1のコンデンサ素子に移し、第
2のサンプル信号VS2と第1のサンプル信号VS1との差
の関数である出力信号を提供するステップと、を含む。
Description
イスに関し、より詳細にはCMOS画像センサに関す
る。
末の人気が高まるにつれて、新しく興味深い機能に対す
る要求も増加している。デジタルビデオ通信又ははめ込
み画像撮像装置を含みうるこのような機能は、これらの
デバイスと両立しうる仕様の、即ち、低電力消費、小さ
なサイズ、高解像度、及び高速の、変換器の使用を必要
とする。
er)の米国特許第3,715,485号に開示されるタ
イプの電荷結合素子(CCD)は、画像を電気信号とし
て表すのに使用される現在最も有効な商用IC変換器で
ある。相補型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
(CMOS)画像センサ及びCCDセンサはほぼ同時期
に開発されたが、初めて製造された際に、CMOS画像
センサはSN比が大きく、競争力のないことがわかっ
た。CMOS画像形成装置の基本的な例は、1979年
5月15日発行のオーバら(Ohba et al)の米国特許第
4,155,094号に記載されている。
Dセンサに勝る利点がいくつかある。CMOS画像セン
サは、デジタル信号処理回路などの関連回路を画像セン
サと同一の基板に一体化させることができ、画像センサ
と連動するのに必要な周辺回路の大きさを減少させるこ
とができる。更に、集積化処理及び取得回路により、設
計者はこれらの段階間でより幅広なデータパスを利用す
ることができる。
準CMOS製造技術を用いて製造可能であり、特殊な製
造技術を必要とする代替的なCCD画像センサを使用す
るよりもコストの点で非常に有利である。CMOSは、
より少数のマスク層を用いたより安価な技術であり、商
業的により大きい生産量を有する、より成熟した製造技
術である。CCD技術は複雑であるため、製造の際の歩
留りがより低い。
イズは、デバイス内の種々の段階で対処されている。特
に、1976年4月6日発行のマルーグ(Malueg)の米国
特許第3,949,162号に記載の相関二重サンプリ
ング(CDS)が開発されている。
す際に用いられる。この動作は、まず、ピクセルエレメ
ント(素子)に蓄積された電荷のレベルを読み出してこ
れをコンデンサに蓄積し、次にピクセルエレメントに蓄
積された電荷をリセット電圧によって読み出してこれを
コンデンサに蓄積することにより行われる。次にこれら
の2つの信号は組み合わされ、ピクセル信号を表すノイ
ズの低減された信号が形成される。このプロセスは、暗
電流ノイズ、浮動拡散ノードからのkT/Cノイズ、ピ
クセル内のしきい値電圧差から生じるMOSトランジス
タの固定パターンノイズ(FPN)、及びソースフォロ
アMOSトランジスタによって生じる低周波数ノイズな
ど、アクティブピクセルセンサ(APS)に関連するノ
イズの殆どを低減する。しかしながら、このプロセス
は、列(コラム)読み出し回路におけるコンデンサの不
整合が一因となる、列に関連したFPNを低減しない。
路によって生じる固定パターンノイズを有効に取り除く
方法及び装置が必要である。
の処理方法及び装置に関する。
互いに結合された第1及び第2コンデンサ素子に基準電
圧VREFを印加するステップと、画像センサピクセルか
らの第1のサンプル信号VS1を第1のコンデンサ素子に
印加し、第1のコンデンサ素子に電荷を配置するステッ
プと、この電荷を第1のコンデンサ素子から第2のコン
デンサ素子に移すステップと、画像センサピクセルから
の第2のサンプル信号VS2を第1のコンデンサ素子に印
加し、第1のコンデンサ素子に電荷を配置するステップ
と、電荷を第2のコンデンサ素子から第1のコンデンサ
素子に移し、第2のサンプル信号VS2と第1のサンプル
信号VS1との差の関数である出力信号を提供するステッ
プと、を含む。
第1コンデンサ素子と第2コンデンサ素子との間の共通
端子に結合されており、演算増幅器の出力はVO=VS2
−VS 1+VREFである。更に、VS1はピクセル上の光強
度に比例するサンプル電圧であり、VS2はピクセルリセ
ット電圧である。
サピクセル用の読み出し回路は、第1及び第2の端子を
有する第1のコンデンサ素子と、第1及び第2の端子を
有する第2のコンデンサ素子と、入力端子及び出力端子
を有し、入力端子が第1及び第2のコンデンサ素子の第
2端子に接続された増幅器と、を含む。読み出し回路
は、基準電圧と第1のコンデンサ素子の第1端子との間
に接続された第1のスイッチと、ピクセルと第1のコン
デンサ素子の第1端子との間に接続された第2のスイッ
チと、基準電圧と第2のコンデンサ素子の第1端子との
間に接続された第3のスイッチと、増幅器の入力端子と
出力端子との間に接続された第4のスイッチと、第2の
コンデンサ素子の第2端子と増幅器の出力端子との間に
接続された第5のスイッチと、第1のコンデンサ素子の
第1端子と増幅器の出力端子との間に接続された第6の
スイッチと、を更に含む。
路は、第1〜第6のスイッチを制御するコントローラを
更に含む。特に、コントローラは第1、第3、及び第4
のスイッチを同時に閉め、第2及び第5のスイッチを同
時に閉め、第2及び第4のスイッチを同時に閉め、そし
て第3及び第6のスイッチを同時に閉めるようになって
いる。
基準電圧に接続するための基準端子を有するCMOS演
算増幅器であり、スイッチは全てCMOSトランジスタ
である。
し回路の作動方法は、全てのスイッチを開くステップ
と、第1、第3、及び第4のスイッチを閉めるステップ
と、全てのスイッチを開くステップと、第2及び第5の
スイッチを閉めるステップと、第5のスイッチを開いて
第4のスイッチを閉めるステップと、全てのスイッチを
開くステップと、第3及び第6のスイッチを閉めるステ
ップと、演算増幅器の出力端子の出力電圧VOを読み取
るステップと、を含む。
プル信号がVS1及びVS2である場合、VO=VS2−VS1
+VREFである。VS1がピクセル上の光強度に比例する
サンプル電圧であり、VS2がピクセルリセット電圧であ
る場合、出力VOは、第1及び第2のコンデンサ素子の
値に依存しないピクセル上の光強度の関数である。
種々の実施の形態の構造及び作用は、添付の図面に関連
させて本発明の下記の説明を検討するにつれ、当業者に
は明白になるであろう。
る。
(CDS)列読み出し回路100が図1に示されてい
る。回路100は、演算増幅器101、コンデンサ10
5及び107、ならびにトランジスタ102、106、
109、及び110を含む。列のビットラインはライン
120を介してトランジスタ102のソースに接続され
ている。回路100は、このビットラインから第1の有
効ピクセル電荷VA、そしてリセットピクセル電荷VBを
以下のように連続的にサンプリングする。
ランジスタ102、106、及び110のゲートに印加
され、これらは導電状態になる。トランジスタ109
は、ゲートの信号の値が小さいため、非導電状態であ
る。この周期の間、フィードバックコンデンサ107は
演算増幅器101のオフセット電圧VOS1に帯電され、
入力コンデンサ105は、(ライン115の基準電圧V
REF−演算増幅器のオフセット電圧VOS1)を入力ピクセ
ル電圧VAから引いて得られた値に帯電される。従っ
て、コンデンサ105における電荷Q1は下記のように
なる。 Q1=[VA−(VREF−VOS1)]C1
110は非導電モードになり、トランジスタ102及び
109は、大きな値の信号φBをトランジスタ102及
び109のゲートに印加することによって導電モードに
なる。これにより、演算増幅器101は電荷フィードバ
ック増幅設定になる。これと同時に、VBがライン12
0に印加される。コンデンサ105及び107のキャパ
シタンスが整合している場合、フィードバックコンデン
サ107に蓄積されたオフセット電圧VOS1は演算増幅
器のオフセット電圧VOS2を補償し、入力電圧の差がVO
として出力端子113に伝わる。ここで、VO=VREF+
VA−VBである。しかしながら、コンデンサ105及び
107が不整合である場合、電圧差(VA−VB)は増幅
され、蓄積されたオフセット電圧VOS1は第2のサンプ
リングの際にオフセット電圧VOS2の増幅効果を相殺し
ない。これにより、コンデンサの不整合による列のFP
Nが生じる。
れる列読み出し回路200によって解決される。読み出
し回路の対応クロック信号が図3に示されている。図3
は、クロック信号φ1、φ2、φ3、及びφ4を示してい
る。トランジスタ210、202、及び206にそれぞ
れ送られる、組み合わされたクロック信号φ1+φ4、φ
2+φ3、及びφ1+φ3も示されている。サンプル信号V
S1及びVS2も図3に示されている。回路200は、読み
出し回路200を介する電荷の流れを制御する、NMO
Sトランジスタ202、203、206、209、21
0、及び214などのいくつかのスイッチングデバイス
と、ピクセルの電荷の読み出し値を蓄積する2つのコン
デンサ素子205及び207と、最終的な読み出し値を
増幅させる演算増幅器201と、を含む。図面及び後述
の説明において、コンデンサ205及び207のそれぞ
れの値C1及びC2は、この場合では工程の不整合として
知られる、集積回路の形成工程に特有の差により、互い
に対して等しくない。増幅器201の、コンデンサ20
5及び207の値への依存性を取り除くことによってこ
れらの差を効果的に吸収することが、本発明の意図する
ところである。
ップでは、図4に示されるように、列読み出し回路20
0は、トランジスタ203、206、及び210のゲー
トでφ1を高論理レベルに設定し、これらのトランジス
タを導電状態にすることによってリセットされる。他の
トランジスタは全て、非導電状態のままにされる。これ
により、基準電圧VREFが第1のコンデンサ素子205
の陽極及び第2のコンデンサ207の陽極に接続され
る。このステップは、コンデンサ205及び207の電
荷を演算増幅器201のオフセット電圧VOSに設定し、
出力VOを(基準電圧VREF−オフセット電圧VOS)に設
定する。要約すると、以下のようになる。 VC1=VOS (式1.1) VC2=VOS (式1.2) VO=VREF−VOS (式1.3)
第1のサンプル信号VS1の取得である。この信号の取得
は、φ1を低論理レベルに戻し、φ2を高論理レベルに上
げることによって達成される。φ2がトランジスタ20
2及び209のゲートに印加されると、これらのトラン
ジスタは導電状態になる。他のトランジスタは全て、非
導電状態にある。ライン220は、第1のサンプル電圧
VS1を有するピクセルエレメントに列のラインを介して
接続される。
REFに帯電されているため、このノードにVS1を取り込
むと電荷の差が生じる。電荷保存の法則により、2つの
コンデンサ205及び207間の電荷の総量は変化しな
い。即ち、下記の通りである。 Q1+Q2=K (式2.1) 式中、Qはコンデンサに関連する電荷であり、ΔQはコ
ンデンサにおける電荷の差であり、Kは定数である。即
ち、ΔQ1+ΔQ2=0である。
式を決定することができる。 VC1=VS1−(VREF−VOS) (式2.2)
サンプリングを完了した。このサンプリングは、第1の
サンプル信号を第1のコンデンサ205に配置し、次に
取得された第1ピクセルデータを第2のコンデンサ20
7に移すことによって達成された。これにより第1のコ
ンデンサ205に回路スペースがもたらされ、ピクセル
データの第2のサンプル信号VS2がこのスペースを用い
て取得される。
号VS2の取得を含む第3のステップは、φ2信号を低論
理レベルに戻し、φ3信号を高論理レベルに設定するこ
とによって行われる。これによってトランジスタ202
及び206は導電状態になり、回路200内の他のトラ
ンジスタは全て非導電状態のままである。
ンプル信号VS2を第1のコンデンサ205の陽極に配置
することができる。コンデンサ205の両側にかかる電
圧は下記の値を有する。 VC1=VS2−(VREF−VOS) (式3.1)
幅器201の反転入力216に関係しているため、下記
の値となる。 VO=VREF−VOS (式3.2)
は影響を及ぼすあらゆる電位から切断されており、陰極
は前のステップと同一の電圧に維持されているため、前
のステップの電荷を維持することができる。従って、以
下のようになる。 VC2=VOS+(C1/C2)×(VREF−VS1) (式3.3)
され、第2のコンデンサ207に蓄えられた。次いで、
第2のサンプル信号VS2が取得され、第1のコンデンサ
素子205に蓄えられた。これにより、2つのピクセル
データ値を評価するステップのみが残る。
に関する第4のステップは、φ3を低論理レベルに戻
し、φ4を高論理レベルにすることによって達成され
る。φ4クロック信号はトランジスタ214及び210
を制御し、トランジスタ214及び210のゲートでφ
4を高論理レベルに設定することによりトランジスタ2
14及び210が導電状態になり、他のトランジスタは
全て非導電状態のままである。
絡により、コンデンサ207の陽極はVREFに接続され
ており、陰極は(VREF−VOS)に接続されている。こ
れにより、以下の値の電荷がコンデンサ207上に設け
られる。 Q2=VREF−(VREF−VOS)×C2
る。 VO=VS2−VS1+VREF (式4.3)
ンデンサ207に蓄積された電荷が第1のコンデンサ2
05に移され、回路200の出力VOには評価が残され
る。コンデンサ205及び207の値とは独立した評価
が増幅器において使用され、従って、工程の不整合によ
って生じる、コンデンサ205及び207に関連したノ
イズを有効に取り除く。更に、本発明は、コンデンサ2
05及び207間の差が小さいか又は存在しない場合で
も、同様に適用可能である。
有用な列読み出し回路が上記に詳細に説明された。しか
しながら、本発明は必ずしもCMOS画像形成装置に限
られているわけではなく、読み出し回路からのノイズな
しで2つの電気信号の評価を行わなくてはならないいか
なる状況下でも本発明を用いることができる。
形態とみなされるものに従って説明されたが、本発明は
ここに開示された実施の形態に限定されないことを理解
せねばならない。請求の範囲に定義されるような本発明
の趣意及び範囲から逸脱せずに種々の変更物や同等の構
造及び機能が形成可能であることを、当業者は理解する
であろう。従って、請求の範囲に定義されるような本発
明に対しては、このような変更物、ならびに同等の構造
及び機能を全て含むように、最も広義の解釈がなされる
必要がある。
DS)列読み出し回路を示す図である。
る。
である。
である。
である。
である。
トランジスタ 203、207 コンデンサ 220 ライン
Claims (23)
- 【請求項1】 第1のコンデンサ素子が第2のコンデン
サ素子に結合された読み取り回路における画像センサピ
クセルの出力信号の処理方法であって、 (a)前記第1及び第2のコンデンサ素子に基準電圧V
REFを印加するステップと、 (b)前記画像センサピクセルからの第1のサンプル信
号VS1を前記第1のコンデンサ素子に印加し、前記第1
のコンデンサ素子に電荷を配置するステップと、 (c)前記電荷を前記第1のコンデンサ素子から前記第
2のコンデンサ素子に移すステップと、 (d)前記画像センサピクセルからの第2のサンプル信
号VS2を前記第1のコンデンサ素子に印加し、前記第1
のコンデンサ素子に電荷を配置するステップと、 (e)前記電荷を前記第2のコンデンサ素子から前記第
1のコンデンサ素子に移し、前記第2のサンプル信号V
S2と前記第1のサンプル信号VS1との差の関数である出
力信号を提供するステップと、 を含む、画像センサピクセルの出力信号の処理方法。 - 【請求項2】 前記ステップ(e)が、前記電荷を前記
第2のコンデンサ素子から前記第1のコンデンサ素子に
移し、VO=VS2−VS1+VREFである出力信号VOを提
供することを含む、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 VS1はピクセル上の光強度に比例するサ
ンプル電圧であり、VS2はピクセルリセット電圧であ
る、請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 入力端子、基準端子、及び出力端子を備
える演算増幅器と、第1及び第2の端子を有し、前記第
2端子が前記入力端子に結合された第1のコンデンサ
と、第1及び第2の端子を有し、前記第2端子が前記入
力端子に結合された第2のコンデンサと、を有する読み
出し回路における、画像センサピクセルの出力信号の処
理方法であって、 (a)前記演算増幅器の前記基準端子を基準電圧VREF
に接続するステップと、 (b)前記基準電圧VREFを前記第1及び第2のコンデ
ンサ素子の前記第1端子に印加するステップと、 (c)前記画像センサピクセルからの第1のサンプル信
号VS1を前記第1のコンデンサ素子の前記第1端子に印
加し、前記第1のコンデンサ素子に電荷を配置するステ
ップと、 (d)前記電荷を前記第1のコンデンサ素子から前記第
2のコンデンサ素子に移すステップと、 (e)前記画像センサピクセルからの第2のサンプル信
号VS2を前記第1のコンデンサ素子の前記第1端子に印
加し、前記第1のコンデンサ素子に電荷を配置するステ
ップと、 (f)前記電荷を前記第2のコンデンサ素子から前記第
1のコンデンサ素子に移し、前記第2のサンプル信号V
S2と前記第1のサンプル信号VS1との差の関数である出
力信号VOを前記演算増幅器の前記出力端子に提供する
ステップと、 を含む、画像センサピクセルの出力信号の処理方法。 - 【請求項5】 VO=VS2−VS1+VREFである、請求項
4記載の方法。 - 【請求項6】 VS1はピクセル上の光強度に比例するサ
ンプル電圧であり、VS2はピクセルリセット電圧であ
る、請求項4記載の方法。 - 【請求項7】 入力端子、第1の基準電圧に接続された
基準端子、及び出力端子を備える演算増幅器と、第1及
び第2の端子を有し、前記第2端子が前記入力端子に結
合された第1のコンデンサ素子と、第1及び第2の端子
を有し、前記第2端子が前記入力端子に結合された第2
のコンデンサ素子と、第2の基準電圧と前記第1のコン
デンサ素子の前記第1端子との間に接続された第1のス
イッチ手段と、ピクセルと前記第1のコンデンサ素子の
前記第1端子との間に接続された第2のスイッチ手段
と、第3の基準電圧と前記第2のコンデンサ素子の前記
第1端子との間に接続された第3のスイッチ手段と、前
記演算増幅器の前記入力端子と前記出力端子との間に接
続された第4のスイッチ手段と、前記第2のコンデンサ
素子の前記第2端子と前記演算増幅器の前記出力端子と
の間に接続された第5のスイッチ手段と、前記第1のコ
ンデンサ素子の前記第1端子と前記演算増幅器の前記出
力端子との間に接続された第6のスイッチ手段と、を有
する読み出し回路における、画像センサピクセルの出力
信号の処理方法であって、 (a)全ての前記スイッチ手段を開くステップと、 (b)前記第1、第3、及び第4のスイッチ手段を閉め
るステップと、 (c)全ての前記スイッチ手段を開くステップと、 (d)前記第2及び第5のスイッチ手段を閉めるステッ
プと、 (e)前記第5のスイッチ手段を開き、前記第4のスイ
ッチ手段を閉めるステップと、 (f)全ての前記スイッチ手段を開くステップと、 (g)前記第3及び第6のスイッチ手段を閉めるステッ
プと、 (h)前記演算増幅器の前記出力端子の前記出力電圧V
Oを読み取るステップと、 を含む、画像センサピクセルの出力信号の処理方法。 - 【請求項8】 前記第1、第2、及び第3の基準電圧が
VREFに等しい、請求項7記載の方法。 - 【請求項9】 前記ステップ(d)が、ピクセルのサン
プル信号VS1を前記第1のコンデンサ素子に印加するこ
とを含む、請求項8記載の方法。 - 【請求項10】 前記ステップ(e)が、ピクセルのサ
ンプル信号VS2を前記第1のコンデンサ素子に印加する
ことを含む、請求項9記載の方法。 - 【請求項11】 VO=VS2−VS1+VREFである、請求
項10記載の方法。 - 【請求項12】 VS1はピクセル上の光強度に比例する
サンプル電圧であり、VS2はピクセルリセット電圧であ
る、請求項11記載の方法。 - 【請求項13】 画像センサピクセル用の読み出し回路
であって、 第1及び第2の端子を有する第1のコンデンサ手段と、 第1及び第2の端子を有する第2のコンデンサ手段と、 入力端子及び出力端子を有し、前記第1及び第2のコン
デンサ手段の前記第2端子が前記入力端子に接続された
増幅器手段と、 前記第1のコンデンサ手段の前記第1端子に接続された
第1のスイッチ手段と、 前記第2のコンデンサ手段の前記第1端子に接続された
第2のスイッチ手段と、 前記増幅器手段の前記入力端子と前記出力端子との間に
接続された第3のスイッチ手段と、 前記第2のコンデンサ手段の前記第2端子と前記増幅器
手段の前記出力端子との間に接続された第4のスイッチ
手段と、 前記第1のコンデンサ手段の前記第1端子と前記増幅器
手段の前記出力端子との間に接続された第5のスイッチ
手段と、 を含む、読み出し回路。 - 【請求項14】 前記増幅器手段が、基準電圧VREFに
接続された基準端子を更に含む、請求項13記載の読み
出し回路。 - 【請求項15】 前記第1のスイッチ手段が、 前記第1のコンデンサ手段の前記第1端子を基準電圧V
REFに結合する第1の結合手段と、 前記第1のコンデンサ手段の前記第1端子をピクセルに
結合する第2の結合手段と、 を含む、請求項14記載の読み出し回路。 - 【請求項16】 前記第2のスイッチ手段が、前記第2
のコンデンサ手段の前記第1端子を基準電圧VREFに結
合する、請求項15記載の読み出し回路。 - 【請求項17】 前記第1及び第2の結合手段と、前記
第2、第3、第4、及び第5のスイッチ手段とを制御す
る手段を含む、請求項16記載の読み出し回路。 - 【請求項18】 前記制御手段は、前記第2のスイッチ
手段、前記第3のスイッチ手段、及び前記第1の結合手
段をほぼ同時に閉める、請求項17記載の読み出し回
路。 - 【請求項19】 前記制御手段は、前記第4のスイッチ
手段及び前記第2の結合手段をほぼ同時に閉める、請求
項18記載の読み出し回路。 - 【請求項20】 前記制御手段は、前記第3のスイッチ
手段及び前記第2の結合手段をほぼ同時に閉める、請求
項19記載の読み出し回路。 - 【請求項21】 前記制御手段は、前記第2のスイッチ
手段及び前記第5のスイッチ手段をほぼ同時に閉める、
請求項20記載の読み出し回路。 - 【請求項22】 前記第1及び第2の結合手段、ならび
に前記第2、第3、第4、及び第5のスイッチ手段はト
ランジスタである、請求項16記載の読み出し回路。 - 【請求項23】 前記第1及び第2の結合手段、ならび
に前記第2、第3、第4、及び第5のスイッチ手段はC
MOSトランジスタである、請求項16記載の読み出し
回路。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US25649100P | 2000-12-20 | 2000-12-20 | |
CA60/256491 | 2001-06-14 | ||
CA002350416A CA2350416A1 (en) | 2000-12-20 | 2001-06-14 | Image sensor with correlated double sampling technique using switched-capacitor technology |
CA2350416 | 2001-06-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002232786A true JP2002232786A (ja) | 2002-08-16 |
JP4027087B2 JP4027087B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=25682617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001378004A Expired - Fee Related JP4027087B2 (ja) | 2000-12-20 | 2001-12-12 | 画像センサピクセルの出力信号の処理方法、及び読み出し回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1220534A1 (ja) |
JP (1) | JP4027087B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005022903A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Rohm Co., Ltd. | 光電変換装置 |
JP2007502068A (ja) * | 2003-08-08 | 2007-02-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 信号増幅用回路、及びアクティブマトリクス装置における同回路の使用 |
JP2007336157A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
US7692702B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-04-06 | Seiko Epson Corporation | Solid-state imaging device with amplifiers corresponding to signal lines and alternating control voltage |
JP2010183400A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Texas Instr Japan Ltd | 増幅回路及び撮像装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104266764B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-03 | 天津工业大学 | 一种用于红外面阵型探测器的读出电路 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0946597A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
US6222175B1 (en) * | 1998-03-10 | 2001-04-24 | Photobit Corporation | Charge-domain analog readout for an image sensor |
US6342919B2 (en) * | 1999-04-08 | 2002-01-29 | Nucore Technology, Inc. | Power saving method using interleaved programmable gain amplifier and A/D converters for digital imaging devices |
-
2001
- 2001-12-12 JP JP2001378004A patent/JP4027087B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-18 EP EP01310577A patent/EP1220534A1/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007502068A (ja) * | 2003-08-08 | 2007-02-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 信号増幅用回路、及びアクティブマトリクス装置における同回路の使用 |
JP4851326B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2012-01-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 信号増幅用回路、及びアクティブマトリクス装置における同回路の使用 |
WO2005022903A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Rohm Co., Ltd. | 光電変換装置 |
US7420600B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-09-02 | Rohm Co., Ltd. | Photoelectric conversion apparatus with circuitry to offset dark noise |
US7692702B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-04-06 | Seiko Epson Corporation | Solid-state imaging device with amplifiers corresponding to signal lines and alternating control voltage |
JP2007336157A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
JP2010183400A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Texas Instr Japan Ltd | 増幅回路及び撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4027087B2 (ja) | 2007-12-26 |
EP1220534A1 (en) | 2002-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100399954B1 (ko) | 아날로그 상호 연관된 이중 샘플링 기능을 수행하는씨모스 이미지 센서용 비교 장치 | |
US7697051B2 (en) | Image sensor with pixels having multiple capacitive storage elements | |
US7612817B2 (en) | CMOS image sensor with noise cancellation | |
Ma et al. | A single-chip CMOS APS camera with direct frame difference output | |
JP4362156B2 (ja) | Cmos領域アレイ・センサのための逐次相関ダブル・サンプリング方式 | |
US6864919B2 (en) | Image sensor with correlated double sampling technique using switched-capacitor technology | |
JP2002330349A (ja) | Xyアドレス型固体撮像装置 | |
US20060044436A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4558216B2 (ja) | Cmosイメージセンサーのアクティブピクセル回路 | |
WO2002101832A2 (en) | Cmos image sensor and method for operating a cmos image sensor with increased dynamic range | |
JP2001128070A (ja) | 自己補償型相関二重サンプリング回路 | |
JPH11275471A (ja) | アクティブ画素センサの読み出しチャネル | |
JP2002064751A (ja) | 固体撮像装置 | |
CN112004037B (zh) | 图像传感器像素结构 | |
JP2003511920A (ja) | 能動画素センサによる時間遅延積分画像形成 | |
CN111787250B (zh) | 比较器电路、图像感测装置及方法 | |
US6995797B2 (en) | Charge detecting device for a solid state imaging device | |
US20110058082A1 (en) | CMOS Image Sensor with Noise Cancellation | |
JP4027087B2 (ja) | 画像センサピクセルの出力信号の処理方法、及び読み出し回路 | |
JP2004266597A (ja) | 全画素同時電子シャッタ機能つきイメージセンサ | |
US8045028B1 (en) | Six transistor (6T) pixel architecture | |
US8648950B2 (en) | Image sensor for minimizing variation of control signal level | |
Xu et al. | A new digital-pixel architecture for CMOS image sensor with pixel-level ADC and pulse width modulation using a 0.18/spl mu/m CMOS technology | |
CN112866590A (zh) | 一种减小图像传感器时序电路误差值的方法 | |
CN216313265U (zh) | 一种双存储cmos图像传感器电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070731 |
|
R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071009 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |