JP2002231980A

JP2002231980A - 薄膜半導体処理装置

Info

Publication number: JP2002231980A
Application number: JP2001022850A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Mizuno; 眞一水野; Misao Kusunoki; 美佐雄楠
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-01-31
Filing date: 2001-01-31
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜半導体素子の製造の際に、多孔質シリコ
ン層における単結晶シリコン基板からのエピタキシャル
膜の剥離を、エピタキシャル膜が損傷するのを極力抑え
ながら容易に行うことができる薄膜半導体処理装置を提
供する。【解決手段】薄膜半導体処理装置１０は、ガス圧縮機
１２および圧力容器１１を備える。圧力容器１１内の底
面には基板保持部１３が固定され、上面には上下方向に
変位可能なピストン１４が設けられる。基板保持部１３
のウェハチャック１５に半導体基板の裏面、ピストン１
４のウェハチャック１６にエピタキシャル膜３の表面を
それぞれ密着させることで、半導体基板１が保持され
る。ガス圧縮機１２から圧力容器１１に供給された圧縮
ガスは多孔質シリコン層２の隙間を通過するので、エピ
タキシャル膜３には上方向に圧力が加わり、エピタキシ
ャル膜３はピストン１４と共に押し上げられて半導体基
板１から剥離される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池素子など
の薄膜半導体素子を製造する際に、半導体基板からエピ
タキシャル膜を剥離するための薄膜半導体処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、単結晶シリコン薄膜を用いた太陽
電池素子を製造する方法として、例えば、単結晶シリコ
ン基板の表面に多孔質（ポーラス）シリコン層を形成
し、この多孔質シリコン層上に単結晶シリコン薄膜（エ
ピタキシャル膜）からなる光電変換部を形成し、この光
電変換部にプラスチックフィルムを接着した後に、引張
応力により、この光電変換部を単結晶シリコン基板から
剥離するものがある（特開平８−２１３６４５号公
報）。この方法を用いることにより、プラスチックフィ
ルムや紙シートなどに形成された柔軟な太陽電池素子を
得ることが可能となっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の製造
方法では、剥離層を有する多孔質シリコン層における単
結晶シリコン基板からの光電変換部の剥離は手で行われ
ている。しかしながら、多孔質シリコン層の剥離層の引
張強度が面内において均一ではないため、この剥離の際
には微妙な力の調整が必要となる。そのため、この剥離
を自動化することは容易ではなく、量産には不向きであ
るという問題がある。また、剥離の前に光電変換部に接
着させるべきプラスチックフィルムは高温には耐えられ
ないので、プラスチックフィルムが接着された状態で
は、低温での加工しか行うことができないという問題が
ある。そのため、例えば、はんだ付けなどの高温での加
工においては、特開平９−２５５４８７号公報に記載さ
れているように、プリント基板を用いた処理が必要とな
る。

【０００４】また、多孔質シリコン層における単結晶シ
リコン基板からの単結晶シリコン薄膜の剥離をウォータ
ージェットにより行う方法がある（特開平１１−０４５
８４０号公報、特開平２０００−１００６８０号公
報）。しかし、この方法では、その剥離に時間がかかる
と共に、水圧により単結晶シリコン薄膜に亀裂が生じる
という問題がある。

【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、太陽電池素子などの薄膜半導体素子
の製造の際に、多孔質シリコン層における単結晶シリコ
ン基板からのエピタキシャル膜の剥離を、エピタキシャ
ル膜が損傷するのを極力抑えながら容易に行うことがで
きる薄膜半導体処理装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明による薄膜半導体
処理装置は、表面に多孔質半導体層、この多孔質半導体
層の上に半導体素子構成膜がそれぞれ形成された半導体
基板を保持する保持部を有する容器と、多孔質半導体層
において半導体基板から半導体素子構成膜が剥離される
ように、容器内に圧縮ガスを供給する供給手段とを備え
ている。

【０００７】本発明による薄膜半導体処理装置では、表
面に多孔質半導体層、この多孔質半導体層の上に半導体
素子構成膜がそれぞれ形成された半導体基板が容器内の
保持部に保持された後、供給手段によりこの容器内に圧
縮ガスが供給される。これにより、多孔質半導体層にお
いて半導体基板から半導体素子構成膜が剥離される。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【０００９】〔第１の実施の形態〕図１は本発明の第１
の実施の形態に係る薄膜半導体処理装置１０の概略構成
を表すものである。この薄膜半導体処理装置１０は、太
陽電池素子などの薄膜半導体素子を製造する際に用いら
れる半導体基板１に対して剥離処理を行うためのもので
ある。剥離処理の対象となる半導体基板１は、例えば単
結晶シリコンからなり、この半導体基板１の表面には例
えば陽極化成法により多孔質シリコン層２、多孔質シリ
コン層２の上にはエピタキシャル成長によりエピタキシ
ャル膜３が、それぞれ形成されている。上記の剥離処理
は、この多孔質シリコン層２の剥離層（図示せず）にお
いて半導体基板１からエピタキシャル膜３を剥離するた
めのものである。なお、エピタキシャル膜３の剥離を小
さい力（引張応力）で行えるように、多孔質シリコン層
２は、多孔質化率（ポーラシティ）および隙間が大きく
なるように形成されている。

【００１０】薄膜半導体処理装置１０は、圧力容器１１
を備えており、この圧力容器１１には、ガス供給管１２
Ａを介してガス圧縮機１２が連結されている。圧力容器
１１内の底面には基板保持部１３が固定されている。圧
力容器１１内の上面には基板保持部１３に対向してピス
トン１４が設けられている。このピストン１４は、支持
部材（図示せず）により上下方向に変位可能に支持され
ている。

【００１１】圧力容器１１は、例えば約２０ＭＰａ以上
の圧力に耐えられるようになっている。ガス圧縮機１２
は、例えばコンプレッサからなり、ガス供給管１２Ａを
通して、例えば約１ＭＰａ〜２０ＭＰａ（数十ｋｇ／ｃ
ｍ²〜数百ｋｇ／ｃｍ²）の範囲内の圧力の圧縮ガスを
圧力容器１１に供給するようになっている。この圧縮ガ
スとしては、多孔質シリコン層２内の隙間を通過可能な
もの、例えば空気を用いる。その他、ヘリウム（Ｈｅ）
または水素（Ｈ₂）などのような、Ｎ₂（分子量２８）
またはＯ₂（分子量３２）などよりも分子量が小さい分
子のガスを用いてもよい。このようなガスの方が、多孔
質化率や隙間が大きい多孔質シリコン層２内の隙間を通
過しやすいからである。

【００１２】因みに、バルクの単結晶シリコンの、引張
応力や摺り応力に対する強度は、例えば約２００ＭＰａ
（２０００ｋｇ／ｃｍ²）である。しかしながら、多孔
質シリコン層２は多数の隙間を有しているので、バルク
の単結晶シリコンの場合よりもその強度は小さく、例え
ば約０．５ＭＰａ（数十ｋｇ／ｃｍ²）である。従っ
て、ガス圧縮機１２から供給される圧縮ガスの圧力は、
この強度よりも高い上記の範囲内の値となる。

【００１３】基板保持部１３は、半導体基板１を載せて
保持するためのものであり、エピタキシャル膜３の剥離
の際に半導体基板１が離れないように半導体基板１の裏
面（下面）を吸着する例えば静電吸着型のウェハチャッ
ク１５を含んでいる。ピストン１４は、ガス圧縮機１２
から供給された圧縮ガスにより矢印で示す上方向（半導
体基板１の表面に対して垂直な方向）Ｄ１に変位するこ
とで、エピタキシャル膜３を半導体基板１から引き離す
ためのものである。このピストン１４は、剥離の際にエ
ピタキシャル膜３がピストン１４から離れないようにエ
ピタキシャル膜３の表面（上面）を吸着する例えば静電
吸着型のウェハチャック１６を含んでいる。ウェハチャ
ック１５は平滑な吸着面１５Ａ、ウェハチャック１６は
平滑な吸着面１６Ａをそれぞれ有している。吸着面１５
Ａは半導体基板１の裏面、吸着面１６Ａはエピタキシャ
ル膜３の表面とそれぞれ密着するようになっており、こ
れにより吸着面１５Ａと半導体基板１の裏面との間およ
び吸着面１６Ａとエピタキシャル膜３の表面との間には
圧縮ガスが入り込まないようにしている。ウェハチャッ
ク１５，１６の吸着力は、約１ＭＰａ（数ｋｇ／ｃ
ｍ²）以下、例えば約０．５ＭＰａ（５ｋｇ／ｃｍ²）
である。なお、これらのウェハチャック１５，１６の代
わりに、例えば多孔質セラミックからなる真空吸着型の
ウェハチャックをそれぞれ設けるようにしてもよい。半
導体基板１は、圧力容器１１に設けられた出入口１１Ａ
を通して挿入または取り出しができるようになってい
る。

【００１４】次に、以上のように構成された薄膜半導体
処理装置１０の作用について説明する。

【００１５】多孔質シリコン層２およびエピタキシャル
膜３が形成された半導体基板１が、出入口１１Ａを通し
て圧力容器１１内に挿入され、基板保持部１３に保持さ
れる。この際、ウェハチャック１５の吸着により、吸着
面１５Ａに半導体基板１の裏面を密着させると共に、ピ
ストン１４のウェハチャック１６の吸着により、吸着面
１６Ａにエピタキシャル膜３の表面を密着させる。これ
により、ウェハチャック１５の吸着面１５Ａと半導体基
板１の裏面との隙間、ウェハチャック１６の吸着面１６
Ａとエピタキシャル膜３の表面との隙間に、それぞれ圧
縮ガスが入り込まないようにする。

【００１６】この状態で、ガス圧縮機１２から、ガス供
給管１２Ａを通して所定の圧力の圧縮ガスが圧力容器１
１に供給される。この際、多孔質シリコン層２には多数
の隙間があるため、圧縮ガスが多孔質シリコン層２の隙
間に入り込み、多孔質シリコン層２側から、半導体基板
１およびエピタキシャル膜３に対してそれぞれ圧力が加
わる。これにより、エピタキシャル膜３には、ウェハチ
ャック１６側と多孔質シリコン層２側の差圧力が加わる
ので、エピタキシャル膜３がピストン１４と共に上方向
Ｄ１に押し上げられ、エピタキシャル膜３が半導体基板
１から剥離される。なお、圧力容器１１に供給される圧
縮ガスの圧力を、複数の段階に変化させる（例えば徐々
に上昇させる）ようにしてもよい。

【００１７】以上のように、上記の実施の形態では、エ
ピタキシャル膜３をウェハチャック１６の吸着面１６Ａ
に密着させた状態で、圧縮ガスを供給することにより、
多孔質シリコン層２において半導体基板１からエピタキ
シャル膜３を剥離している。従って、多孔質シリコン層
２側からエピタキシャル膜３に加わる圧力が面内におい
て不均一であったとしても、エピタキシャル膜３が割れ
てしまうなどの損傷を受けるのを極力防ぐことができ
る。また、エピタキシャル膜３は平滑な吸着面１６Ａに
密着されているため、多孔質シリコン層２の面内におけ
る引張強度分布が不均一となっている場合でも、エピタ
キシャル膜３の剥離を、その割れなどの損傷の発生を極
力抑えながら行うことができる。

【００１８】また、圧縮ガスとして上記のような分子量
の小さい分子のガスを用い、このガスを多孔質シリコン
層２の隙間に短時間に入り込ませるようにすることで、
多孔質シリコン層２内の圧力を短時間で高くすることが
できると共に、エピタキシャル膜３に対して均一に圧力
を加えることができる。従って、エピタキシャル膜３に
おいて割れなどの損傷を極力生じさせることなくその剥
離を行うことが可能となる。

【００１９】さらに、例えばプラスチックフィルムなど
を用いることなく、圧縮ガスによってエピタキシャル膜
３の剥離を行っているので、剥離の後の、ウェハチャッ
ク１６に密着させた状態のエピタキシャル膜３に対し
て、高温での加工が可能になる。なお、ウェハチャック
１６としては、加工の温度に耐えられるものを予め設け
ておくようにすればよい。

【００２０】さらにまた、例えばウオータージェットを
用いてエピタキシャル膜の剥離を行う方法では、多孔質
シリコン層に対する位置合わせを行う必要があるが、上
記の実施の形態では、圧縮ガスによる圧力（引張応力）
を利用しているので、多孔質シリコン層に対する位置合
わせを行うことなく、エピタキシャル膜を容易に剥離す
ることができる。

【００２１】〔第２の実施の形態〕図２は本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜半導体処理装置の概略構成を表
したものである。ここでは、第１の実施の形態と同一の
構成要素には同一の符号を付し、異なる部分についての
み説明する。

【００２２】本実施の形態の薄膜半導体処理装置２０
は、薄膜半導体処理装置１０と比較して、さらに、圧力
容器１１内に設けられ、連結部材２２を介して基板保持
部１３に連結された加振装置２１を備えている。圧力容
器１１内の底面には、例えばゴムからなる弾性板２３が
例えば接着材により接着されている。基板保持部１３
は、弾性板２３の上に例えば接着剤により接着されてい
る。

【００２３】加振装置２１は、連結部材２２を介して、
基板保持部１３を半導体基板１の表面に対して平行な方
向（面内方向）に振動させるようになっている。弾性板
２３は、基板保持部１３を振動可能にするためのもので
ある。

【００２４】以上のように構成された薄膜半導体処理装
置２０では、半導体基板１が基板保持部１３およびピス
トン１４によって保持された状態で、ガス圧縮機１２か
ら、ガス供給管１２Ａを通して圧縮ガスが圧力容器１１
に供給されると共に、加振装置２１によって、連結部材
２２を介して基板保持部１３を面内方向に振動させる。
これにより、エピタキシャル膜３には引張応力、多孔質
シリコン層２には摺り応力が生じるので、エピタキシャ
ル膜３は、ピストン１４と共に上方向Ｄ１に押し上げら
れて半導体基板１から剥離される。

【００２５】以上のように、上記の実施の形態では、半
導体基板１を基板保持部１３およびピストン１４によっ
て保持した状態で、圧縮ガスを圧力容器１１内に供給す
ると共に、基板保持部１３を振動させている。従って、
上記の薄膜半導体処理装置１０のように、圧縮ガスの供
給のみを行った場合と比べて、多孔質シリコン層２にお
ける半導体基板１からのエピタキシャル膜３の剥離をよ
り容易に行うことができる。

【００２６】なお、圧縮ガスを供給することなく、加振
装置２１により基板保持部１３を振動させて多孔質シリ
コン層２に摺り応力を生じさせることにより、半導体基
板１からエピタキシャル膜３を剥離することも可能であ
る。その他、加振装置２１を連結部材２２を介してピス
トン１４に連結し、加振装置２１によりピストン１４を
振動させるようにしてもよい。加振装置２１とは別の加
振装置をピストン１４に連結し、基板保持部１３および
ピストン１４を同時に振動させるようにすることも可能
である。加振装置２１の代わりに、基板保持部１３に対
して面内の所定の方向にのみ力（引張力または押付力）
を加える装置を用い、圧縮ガスの供給と共に、基板保持
部１３に対して所定の方向にのみ力を加えることによ
り、エピタキシャル膜３の剥離を行うようにしてもよ
い。

【００２７】〔第３の実施の形態〕図３は本発明の第３
の実施の形態に係る薄膜半導体処理装置の概略構成を表
したものである。ここでは、第１および第２の実施の形
態と同一の構成要素には同一の符号を付し、異なる部分
についてのみ説明する。

【００２８】本実施の形態の薄膜半導体処理装置３０
は、薄膜半導体処理装置１０と比較して、さらに、圧力
容器３１、ガス圧縮機３２および制御部３４を備えてい
る。圧力容器３１は、圧力容器１１の上部に連結部３３
により連結されている。ガス圧縮機３２は、ガス供給管
３２Ａを介して圧力容器３１に連結されている。ピスト
ン１４は、上部が圧力容器３１内に突出するように設け
られている。

【００２９】圧力容器３１は、圧力容器１１と同様な構
成を有しており、圧力容器１１と同程度の圧力に耐えら
れるようになっている。ガス圧縮機３２は、ガス圧縮機
１２と同様な構成を有しており、ガス供給管３２Ａを通
して、ガス圧縮機１２と同程度の圧力の圧縮ガスを圧力
容器３１に供給し、ピストン１４に対して下方向Ｄ２に
圧力を加えるようになっている。制御部３４は、ガス圧
縮機１２，３２からの圧縮ガスの圧力を調整すること
で、ピストン１４の上下方向の動きを制御するようにな
っている。

【００３０】以上のように構成された薄膜半導体処理装
置３０では、半導体基板１が基板保持部１３およびピス
トン１４によって保持された状態で、制御部３４の制御
により、ガス圧縮機１２，３２から、ガス供給管１２
Ａ，３２Ａを通して同程度の圧力の圧縮ガスが圧力容器
１１，３１に供給される。これにより、ピストン１４に
対して上方向Ｄ１および下方向Ｄ２にそれぞれ同程度の
圧力が加わることで、ピストン１４を変位させないよう
にする。そして、多孔質シリコン層２内の圧力が十分に
高くなった後に、制御部３４の制御により、ガス圧縮機
３２から圧力容器３１に供給される圧縮ガスの圧力のみ
を減少させる。ここでは、圧力を大気圧まで下げる。こ
れにより、エピタキシャル膜３がピストン１４と共に上
方向Ｄ１に押し上げられて半導体基板１から剥離され
る。

【００３１】以上のように、上記の実施の形態では、半
導体基板１を基板保持部１３およびピストン１４によっ
て保持し、ガス圧縮機１２からの圧縮ガスを圧力容器１
１内に供給すると共に、ガス圧縮機３２からの圧縮ガス
を圧力容器３１に供給してピストン１４を変位させない
ようにした状態で、ガス圧縮機３２からの圧縮ガスの圧
力を減少させている。従って、エピタキシャル膜３の剥
離の前に、多孔質シリコン層２内の圧力を十分に高くす
ることができ、面内において均一に力を加えることが可
能となる。これにより、エピタキシャル膜３が割れて一
部の領域のみが剥離されてしまうことを防止することが
できる。なお、剥離強度（引張強度）が面内において不
均一である多孔質シリコン層２に対しては、剥離強度が
最も大きい部分でも十分に剥離することが可能な程度の
圧力を加えた状態で、上述のように、ガス圧縮機３２か
ら圧力容器３１に供給される圧縮ガスの圧力のみを減少
させるようにすることで、エピタキシャル膜の割れなど
の損傷を極力生じさせることなく剥離を行うことが可能
となる。

【００３２】また、剥離に必要な最小剥離圧力よりも十
分高い圧力を加えることができるので、上記の薄膜半導
体処理装置１０，２０の場合よりも、短時間に圧縮ガス
を多孔質シリコン層２内に送り込んでエピタキシャル膜
３を剥離することが可能となる。従って、エピタキシャ
ル膜３の剥離時間を短縮することができる。なお、この
際、多孔質シリコン層２に対する最低圧力が最小剥離圧
力よりも高くなるようにすれば、多孔質シリコン層２内
の面内における圧力分布は不均一であってもよい。

【００３３】薄膜半導体処理装置３０では、ピストン１
４に対して下方向Ｄ２に力が加えられればよいので、圧
力容器３１およびガス圧縮機３２を用いる代わりに、他
の原理に基づく加圧装置を用いるようにしてもよい。

【００３４】上記の薄膜半導体処理装置３０の代わり
に、図４に示したような薄膜半導体処理装置４０を用い
ることも可能である。薄膜半導体処理装置４０は、薄膜
半導体処理装置３０の機能に、薄膜半導体処理装置２０
の機能を合わせて構成されたものであり、ピストン１４
を変位させないように上下から圧力を加えると共に、基
板保持部１３を振動させた状態で、ピストン１４の上か
らの圧力を減少させるようになっている。従って、上記
の薄膜半導体処理装置１０，２０，３０の場合と比べ
て、多孔質シリコン層２における半導体基板１からのエ
ピタキシャル膜３の剥離をより容易に行うことができ
る。

【００３５】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、
種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、基板保持部１３のウェハチャック１５の吸着面１５
Ａに半導体基板１の裏面、ピストン１４のウェハチャッ
ク１６の吸着面１６Ａにエピタキシャル膜３の表面を、
それぞれ密着させるようにしているが、逆に、基板保持
部１３のウェハチャック１５の吸着面１５Ａにエピタキ
シャル膜３の表面、ピストン１４のウェハチャック１６
の吸着面１６Ａに半導体基板１の裏面を、それぞれ密着
させるように、半導体基板１を上下反転して配置しても
よい。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜半導
体処理装置によれば、表面に多孔質半導体層、多孔質半
導体層の上に半導体素子構成膜がそれぞれ形成された半
導体基板を容器内の保持部に保持した後、供給手段によ
り容器内に圧縮ガスを供給するようにしたので、例えば
太陽電池素子の製造の際に、多孔質シリコン層における
単結晶シリコン基板からのエピタキシャル膜の剥離を、
エピタキシャル膜の損傷の発生を極力抑えながら容易に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜半導体処
理装置の概略構成を表す図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜半導体処
理装置の概略構成を表す図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜半導体処
理装置の概略構成を表す図である。

【図４】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜半導体処
理装置の他の概略構成を表す図である。

【符号の説明】

１…半導体基板、２…多孔質シリコン層、３…エピタキ
シャル膜、１０，２０，３０，４０…薄膜半導体処理装
置、１１，３１…圧力容器、１１Ａ…出入口、１２，３
２…ガス圧縮機、１２Ａ，３２Ａ…ガス供給管、１３…
基板保持部、１４…ピストン、１５，１６…ウェハチャ
ック、１５Ａ，１６Ａ…吸着面、２１…加振装置、２２
…連結部材、２３…弾性板、３３…連結部、３４…制御
部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に多孔質半導体層、前記多孔質半導
体層の上に半導体素子構成膜がそれぞれ形成された半導
体基板を保持する保持部を有する容器と、前記多孔質半導体層において前記半導体基板から前記半
導体素子構成膜が剥離されるように、前記容器内に圧縮
ガスを供給する供給手段とを備えたことを特徴とする薄
膜半導体処理装置。
【請求項２】前記保持部は、前記半導体基板の、前記
多孔質半導体層が形成されている面と反対側の面を吸着
する第１の保持体と、前記半導体素子構成膜の、前記多
孔質半導体膜が形成されている面と反対側の面を吸着す
る第２の保持体とによって構成されていることを特徴と
する請求項１記載の薄膜半導体処理装置。
【請求項３】前記第１および第２の保持体は、それぞ
れ静電吸着型または真空吸着型のウェハチャックを有す
ることを特徴とする請求項２記載の薄膜半導体処理装
置。
【請求項４】前記供給手段は、前記圧縮ガスとして、
ヘリウムガスまたは水素ガスを供給することを特徴とす
る請求項１記載の薄膜半導体処理装置。
【請求項５】前記供給手段は、前記多孔質半導体層側
から前記半導体素子構成膜に向けて、前記半導体素子構
成膜の表面に対して垂直に圧力が加わるように、前記圧
縮ガスを供給することを特徴とする請求項１記載の薄膜
半導体処理装置。
【請求項６】更に、前記第１の保持体または第２の保
持体の少なくとも１つに対して、表面に平行な方向に力
を加えることにより、前記多孔質半導体層において摺り
応力を発生させる発生手段を備えたことを特徴とする請
求項２記載の薄膜半導体処理装置。
【請求項７】前記発生手段は、前記第１の保持体また
は第２の保持体の少なくとも１つを振動させることによ
り前記摺り応力を発生させることを特徴とする請求項６
記載の薄膜半導体処理装置。
【請求項８】更に、前記半導体素子構成膜の表面に加
わる圧力の方向と反対の方向から、前記第１の保持体ま
たは第２の保持体のいずれかに力を加える手段を備えた
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜半導体処理装置。