JP2002231453A - Organic electroluminescence element - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve light emitting efficiency of an element, and to sufficiently secure driving stability in an organic electroluminescence element using phosphorescence emission. SOLUTION: This organic electroluminescence element includes at least a light emitting layer 5 sandwiched by an anode 2 and a cathode 8 on a substrate 1. The light emitting layer 5 includes a compound having a group expressed by the following general equation (1), and an organic metallic complex including at least one metal selected from a periodic table 7 or 11 group. (General formula I) (In the formula I, R1 to R4 respectively independently represent a hydrogen atom or an optional substituent, and R1 and R2, and R3 and R4 may form a ring by respectively adjacent mutual substituents. X represents an oxygen atom or a sulfur atom).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光
層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a thin film device which emits light by applying an electric field to a light emitting layer made of an organic compound.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、 １）交流駆動が必要（50〜1000Ｈｚ）、 ２）駆動電圧が高い（〜200Ｖ）、 ３）フルカラー化が困難（特に青色）、 ４）周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。2. Description of the Related Art Conventionally, as a thin film type electroluminescent (EL) element, Zn, which is a group II-VI compound semiconductor of an inorganic material, is used.
In general, S, CaS, SrS, and the like are doped with Mn or a rare earth element (Eu, Ce, Tb, Sm, or the like) which is a luminescence center. However, EL devices manufactured from the above inorganic materials include: 1) AC drive is required (50-1000 Hz), 2) High drive voltage (up to 200 V), 3) Full color is difficult (especially blue), 4) Peripheral drive circuit has high cost. .

【０００３】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と８−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設け
た有機電界発光素子の開発（Appl. Phys. Lett., 51巻,
913頁，1987年）により、従来のアントラセン等の単結
晶を用いたＥＬ素子と比較して発光効率の大幅な改善が
なされ、実用特性に近づいている。However, in recent years, in order to improve the above problems,
Development of EL devices using organic thin films has been started. In particular, in order to enhance the luminous efficiency, the type of the electrode was optimized for the purpose of improving the efficiency of carrier injection from the electrode, and a hole transport layer composed of an aromatic diamine and a luminescent layer composed of an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline were used. Of an organic electroluminescent device equipped with an organic layer (Appl. Phys. Lett., Vol. 51,
913, 1987), the luminous efficiency has been greatly improved as compared with the conventional EL device using a single crystal such as anthracene or the like, and the practical characteristics have been approached.

【０００４】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素
子の他にも、発光層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレ
ンビニレン）、ポリ［2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシル
オキシ)-1,4-フェニレンビニレン］、ポリ（3-アルキル
チオフェン）等の高分子材料を用いた電界発光素子の開
発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発
光材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われて
いる。In addition to the electroluminescent device using a low molecular material as described above, poly (p-phenylenevinylene) and poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy)- Development of electroluminescent devices using polymer materials such as 1,4-phenylenevinylene] and poly (3-alkylthiophene), and devices in which a low molecular light emitting material and an electron transfer material are mixed with a polymer such as polyvinyl carbazole Is also being developed.

【０００５】素子の発光効率を挙げる試みとして、蛍光
ではなく燐光を用いることも検討されている。燐光を用
いる、即ち、三重項励起状態からの発光を利用すれば、
従来の蛍光（一重項）を用いた素子と比べて、３倍程度
の効率向上が期待される。この目的のためにクマリン誘
導体やベンゾフェノン誘導体を発光層とすることが検討
されたが（第51回応用物理学会連合講演会、28a-PB-7、
1990年）、極めて低い輝度しか得られなかった。その
後、三重項状態を利用する試みとして、ユーロピウム錯
体を用いることが検討されてきたが、これも高効率の発
光には至らなかった。最近、以下に示す白金錯体（Ｔ−
１）を用いることで、高効率の赤色発光が可能なことが
報告された（Nature, 395巻，151頁，1998年）。その
後、以下に示すイリジウム錯体（Ｔ−２）を発光層にド
ープすることで、さらに緑色発光で効率が大きく改善さ
れている（Appl. Phys. Lett., 75巻，4頁，1999年）。As an attempt to increase the luminous efficiency of the device, the use of phosphorescence instead of fluorescence has been studied. Using phosphorescence, that is, utilizing light emission from a triplet excited state,
The efficiency is expected to be improved about three times as compared with a device using conventional fluorescence (singlet). For this purpose, the use of coumarin derivatives or benzophenone derivatives in the light-emitting layer has been studied (The 51st JSAP Joint Lecture, 28a-PB-7,
1990), only very low brightness was obtained. Thereafter, as an attempt to utilize the triplet state, the use of a europium complex has been studied, but this has not led to highly efficient light emission. Recently, a platinum complex (T-
It was reported that highly efficient red light emission was possible by using 1) (Nature, 395, 151, 1998). After that, the iridium complex (T-2) shown below is doped into the light-emitting layer to further improve the efficiency in green light emission (Appl. Phys. Lett., Vol. 75, p. 4, 1999).

【０００６】[0006]

【化６】 Embedded image

【０００７】[0007]

【化７】 Embedded image

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】有機電界発光素子をフ
ラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するた
めには、素子の発光効率を改善すると同時に駆動時の安
定性を十分に確保する必要がある。しかしながら、前述
の燐光分子を用いた高効率の有機電界発光素子では、駆
動安定性が実用には不十分であるのが現状である（Jpn.
J. Appl. Phys.,38巻，L1502頁，1999年）。In order to apply an organic electroluminescent device to a display device such as a flat panel display, it is necessary to improve the luminous efficiency of the device and at the same time ensure sufficient driving stability. . However, at present, the driving stability of the above-described high-efficiency organic electroluminescent device using phosphorescent molecules is insufficient for practical use (Jpn.
J. Appl. Phys., 38, L1502, 1999).

【０００９】上記の駆動劣化の主原因は、基板／陽極／
正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極、
の素子構造において、発光層の薄膜形状の劣化によると
推定される。この薄膜形状の劣化は、素子駆動時の発熱
等による有機非晶質薄膜の結晶化（または凝集）等に起
因すると考えられている。この耐熱性の低さは材料のガ
ラス転移温度（以下Tgと略す）の低さに由来すると考え
られる。前記文献（Appl. Phys., Lett., 75巻，4頁，1
999年）記載の燐光分子を用いた素子では、発光層にお
けるホスト材料として以下に示すカルバゾール化合物
（Ｈ−１）を使用しているが、この化合物は対称性がよ
く分子量が小さいために、容易に結晶化・凝集して薄膜
形状が劣化する。[0009] The main cause of the above drive deterioration is the substrate / anode /
Hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode,
It is presumed that in the element structure of the above, the thin film shape of the light emitting layer is deteriorated. It is considered that the deterioration of the thin film shape is caused by crystallization (or aggregation) of the organic amorphous thin film due to heat generation at the time of driving the element. This low heat resistance is considered to be due to the low glass transition temperature (hereinafter abbreviated as Tg) of the material. The literature (Appl. Phys., Lett., 75, 4 pages, 1
In the device using a phosphorescent molecule described in (999), a carbazole compound (H-1) shown below is used as a host material in the light-emitting layer. However, since this compound has good symmetry and a small molecular weight, it is easily used. Crystallization and agglomeration cause the thin film shape to deteriorate.

【００１０】[0010]

【化８】 Embedded image

【００１１】このように発光層の薄膜形状が安定でない
ことは、素子の駆動寿命が短くなり、耐熱性も低下する
という悪影響をもたらす。The instability of the thin-film shape of the light-emitting layer has the adverse effect of shortening the driving life of the device and lowering the heat resistance.

【００１２】上述の理由から、燐光分子を用いた有機電
界発光素子においては、実用化に向けて素子の駆動安定
性に大きな問題を抱えているのが実状である。[0012] For the above reasons, the organic electroluminescent device using phosphorescent molecules has a large problem in the driving stability of the device for practical use.

【００１３】有機電界発光素子の駆動安定性及び耐熱性
が改善されないことは、フラットパネル・ディスプレイ
等の表示素子や照明等の応用を考える上で望ましくない
特性である。The fact that the driving stability and the heat resistance of the organic electroluminescent device are not improved is an undesirable characteristic in consideration of applications such as display devices such as flat panel displays and lighting.

【００１４】本発明者は上記実状に鑑み、高効率かつ高
い駆動安定性を有する有機電界発光素子を提供すること
を目的として鋭意検討した結果、発光層に特定の化合物
を用いることで、上記課題を解決することができること
を見出し、本発明を完成するに至った。In view of the above situation, the present inventors have conducted intensive studies with the aim of providing an organic electroluminescent device having high efficiency and high driving stability. As a result, the use of a specific compound in the light-emitting layer has led to the problems described above. Can be solved, and the present invention has been completed.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、基板上に、陽極及び陰極により挟持された発光層を
少なくとも含む有機電界発光素子であって、発光層が、
下記一般式（Ｉ）で表わされる基を含有する化合物と、
周期表７ないし１１族から選ばれる少なくとも一つの金
属を含む有機金属錯体とを含有することを特徴とする有
機電界発光素子に存する。That is, the gist of the present invention is an organic electroluminescent device including at least a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode on a substrate, wherein the light emitting layer comprises:
A compound containing a group represented by the following general formula (I),
An organic electroluminescent device comprising an organic metal complex containing at least one metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

【００１６】[0016]

【化９】 Embedded image

【００１７】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に、水素原子
または任意の置換基を表わし、Ｒ¹ とＲ²、Ｒ³とＲ⁴は
それぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。Ｘ
は酸素原子または硫黄原子を示す。）(Wherein, R ^{1 to} R ⁴ each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent, and R ¹ and R ² , and R ³ and R ⁴ each form a ring with adjacent substituents. X
Represents an oxygen atom or a sulfur atom. )

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の有機電界発光素子
について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the organic electroluminescent device of the present invention will be described in detail.

【００１９】本発明では、発光層に前記一般式（Ｉ）で
表される基を有する化合物と、周期表７ないし１１族か
ら選ばれる少なくとも１つの金属を含む有機金属錯体と
の二成分を用いることが特徴であるが、通常前記一般式
（Ｉ）で表される基を有する化合物を主成分として、後
者の有機金属錯体を副成分として配合するのが好まし
い。In the present invention, two components of a compound having a group represented by the general formula (I) and an organometallic complex containing at least one metal selected from groups 7 to 11 of the periodic table are used in the light emitting layer. However, it is preferable that the compound having the group represented by the general formula (I) is generally used as a main component, and the latter organometallic complex is used as an auxiliary component.

【００２０】ここで、「主成分」とは、発光層中に５０
重量％以上含まれていることを意味し、「副成分」とは
５０重量％未満含まれていることを意味する。Here, the “main component” means that 50
% Means more than 50% by weight, and "sub-component" means less than 50% by weight.

【００２１】好ましくは、一般式（Ｉ）で表される基を
有する化合物に対して、有機金属錯体の含有率が0.1〜3
0重量％であることが望ましい。Preferably, the content of the organometallic complex is 0.1 to 3 with respect to the compound having a group represented by the general formula (I).
Desirably, it is 0% by weight.

【００２２】まず、本発明において、発光層の成分とし
て用いる前記一般式（Ｉ）で表される基を含有する化合
物について説明する。前記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹
〜Ｒ⁴ は各々独立に、水素原子または任意の置換基を表
わし、Ｒ¹ とＲ²、Ｒ³とＲ⁴はそれぞれ隣接する置換基
同士で、ベンゼン環、シクロヘキサン環等を形成しても
よく、またＸは酸素原子または硫黄原子を示す。First, in the present invention, the components of the light emitting layer
Containing a group represented by the general formula (I)
The thing is explained. In the general formula (I), R¹
~ R^Four Each independently represents a hydrogen atom or an optional substituent
I, R¹ And R^Two, R^ThreeAnd R^FourIs an adjacent substituent
May form a benzene ring, a cyclohexane ring, etc.
Often, X represents an oxygen atom or a sulfur atom.

【００２３】Ｒ¹〜Ｒ⁴は、具体的には、水素原子；ハロ
ゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアル
キル基；ベンジル基等のアラルキル基；ビニル基等のア
ルケニル基；シアノ基；アミノ基；アシル基；メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１
〜６のアルコキシカルボニル基；フェノキシ基、ベンジ
ルオキシ基などのアリールオキシ基；ジエチルアミノ
基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキルアミノ基；
ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジア
ラルキルアミノ基；トリフルオロメチル基等のα−ハロ
アルキル基；水酸基；置換基を有していてもよいフェニ
ル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素環基；置換基を有
していてもよいチエニル基、ピリジル基等の芳香族複素
環基を表わし、前記置換基としては、フッ素原子等のハ
ロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のア
ルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６のアル
コキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素
数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキ
シ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基等のジアルキルアミノ基、アセチル基等の
アシル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、
シアノ基が挙げられる。なお、上述の置換基のうち、炭
素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカ
ルボニル基は、直鎖であっても分岐していてもよい。以
下の置換基の例示においても同様である。R ^{1 to} R ⁴ are specifically a hydrogen atom; a halogen atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; an aralkyl group such as a benzyl group; An amino group; an acyl group; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; a carbon atom having 1 carbon atom such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group;
To 6 alkoxycarbonyl groups; aryloxy groups such as phenoxy group and benzyloxy group; dialkylamino groups such as diethylamino group and diisopropylamino group;
Diaralkylamino groups such as dibenzylamino group and diphenethylamino group; α-haloalkyl groups such as trifluoromethyl group; hydroxyl groups; and aromatic hydrocarbon rings such as phenyl group and naphthyl group which may have a substituent. A group; an aromatic heterocyclic group such as a thienyl group or a pyridyl group which may have a substituent; and the substituent is a halogen atom such as a fluorine atom; An alkenyl group such as a vinyl group; an alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; a phenoxy group; Aryloxy groups such as benzyloxy group; dialkylamino groups such as dimethylamino group and diethylamino group; acyl groups such as acetyl group; Oromechiru haloalkyl group such as a group,
And a cyano group. In addition, among the above-mentioned substituents, an alkyl group, an alkoxy group, and an alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms may be linear or branched. The same applies to the following examples of substituents.

【００２４】前記一般式（Ｉ）で表わされる基の好まし
い具体例を以下に示すが、これらに限定するものではな
い。Preferred specific examples of the group represented by the general formula (I) are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【００２５】[0025]

【化１０】 Embedded image

【００２６】前記一般式（Ｉ）で表される基を有する化
合物は、低分子であっても高分子であってもよい。高分
子の場合は、主鎖に含有されていてもよいし、また、側
鎖として含有されていてもよい。The compound having a group represented by the general formula (I) may be a low molecular weight or a high molecular weight. In the case of a polymer, it may be contained in the main chain or as a side chain.

【００２７】この化合物は分子量４００〜１２００程度
の低分子化合物である場合が好ましく、一般式（Ｉ）で
表される基を有する化合物は、化合物全体としての環の
合計数が６〜２０であるのが好ましく、より好ましくは
７〜１８である。また、一般式（Ｉ）で表される基を有
する化合物は、分子内に一般式（Ｉ）で表される単位を
２〜３個有している化合物が好ましい。This compound is preferably a low molecular weight compound having a molecular weight of about 400 to 1200. The compound having a group represented by the general formula (I) has a total number of rings of 6 to 20 as a whole compound. And more preferably 7 to 18. Further, the compound having a group represented by the general formula (I) is preferably a compound having two to three units represented by the general formula (I) in a molecule.

【００２８】中でも、一般式（Ｉ）で表される基は、前
記（Ｓ−１）あるいは（Ｓ−２）であるのが好ましく、
一般式（Ｉ）で表される基を有する化合物は、下記一般
式（II）または（III）で表される化合物であることが
好ましい。Among them, the group represented by the general formula (I) is preferably (S-1) or (S-2),
The compound having a group represented by the general formula (I) is preferably a compound represented by the following general formula (II) or (III).

【００２９】[0029]

【化１１】 Embedded image

【００３０】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルアミノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳
香族複素環基を表わし、Ｒ¹ とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ
⁶、Ｒ⁷とＲ⁸はそれぞれ隣接する置換基同士で環を形成
してもよい。Ｘ¹およびＸ²は各々独立に、酸素原子また
は硫黄原子を示し、Ａは置換基を有していてもよい芳香
族炭化水素環基または芳香族複素環基からなる２価の連
結基を示す。）(Wherein R ^{1 to} R ⁸ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group , An alkoxy group, an alkylamino group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group,
Represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, wherein R ¹ and R ² , R ³ and R ⁴ , R ⁵ and R
⁶ , R ⁷ and R ⁸ may form a ring with adjacent substituents. X ¹ and X ² each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom, and A represents a divalent linking group comprising an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. . )

【００３１】[0031]

【化１２】 Embedded image

【００３２】（式中、Ｒ¹〜Ｒ¹²は各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルアミノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳
香族複素環基を表わし、Ｒ¹ とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ
⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹とＲ¹²はそれぞれ隣接す
る置換基同士で環を形成してもよい。Ｘ¹〜Ｘ³は各々独
立に、酸素原子または硫黄原子を示し、Ｂは置換基を有
していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環
基からなる３価の連結基を示す。）(Wherein R ^{1 to} R ¹² each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group , An alkoxy group, an alkylamino group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group,
Represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, wherein R ¹ and R ² , R ³ and R ⁴ , R ⁵ and R
⁶ , R ⁷ and R ⁸ , R ⁹ and R ¹⁰ , and R ¹¹ and R ¹² may form a ring together with adjacent substituents. X ^{1 to} X ³ each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom, and B represents a trivalent linking group comprising an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. . )

【００３３】前記一般式（II）において、Ｒ¹〜Ｒ⁸ は
各々独立に、水素原子；ハロゲン原子；メチル基、エチ
ル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ベンジル基等のア
ラルキル基；ビニル基等のアルケニル基；シアノ基；ア
ミノ基；アシル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数
１〜６のアルコキシ基；メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基等の炭素数１〜６のアルコキシカルボニ
ル基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリール
オキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基
等のジアルキルアミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェ
ネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；トリフル
オロメチル基等のα−ハロアルキル基；水酸基；置換基
を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等の芳香族
炭化水素環基；置換基を有していてもよいチエニル基、
ピリジル基等の芳香族複素環基を表わし、前記置換基と
しては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチ
ル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基等のアル
ケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基等の炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基；メトキ
シ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フ
ェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ
基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキ
ルアミノ基、アセチル基等のアシル基、トリフルオロメ
チル基等のハロアルキル基、シアノ基を示す。Ｒ¹ とＲ
²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵ とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸はそれぞれ隣接する
置換基同士で、ベンゼン環、シクロヘキサン環等を形成
してもよい。Ｘ¹〜Ｘ²は各々独立に、酸素原子または硫
黄原子を示す。Ａは置換基を有していてもよい芳香族芳
香族炭化水素環基または芳香族複素環基からなる２価の
連結基を示す。連結基Ａの好ましい例を以下に示す。In the general formula (II), R ^{1 to} R ⁸ each independently represent a hydrogen atom; a halogen atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group or an ethyl group; an aralkyl group such as a benzyl group; An alkenyl group such as a vinyl group; a cyano group; an amino group; an acyl group; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; an alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group; Aryloxy groups such as phenoxy group and benzyloxy group; dialkylamino groups such as diethylamino group and diisopropylamino group; diaralkylamino groups such as dibenzylamino group and diphenethylamino group; α-haloalkyl groups such as trifluoromethyl group Group; hydroxyl group; aromatic hydrocarbon ring group such as phenyl group and naphthyl group which may have a substituent; Thienyl group optionally having,
Represents an aromatic heterocyclic group such as a pyridyl group, and the substituent is a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group or an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; An alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a carbonyl group or an ethoxycarbonyl group; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group or an ethoxy group; an aryloxy group such as a phenoxy group or a benzyloxy group; a dimethylamino group or a diethylamino group A dialkylamino group such as a group, an acyl group such as an acetyl group, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, and a cyano group. R ¹ and R
² , R ³ and R ⁴ , R ⁵ and R ⁶ , and R ⁷ and R ⁸ may form a benzene ring, a cyclohexane ring, or the like by adjacent substituents. X ^{1 and} X ² each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. A represents a divalent linking group consisting of an aromatic aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Preferred examples of the linking group A are shown below.

【００３４】[0034]

【化１３】 Embedded image

【００３５】これらの中でも、連結基Ａは、（Ａ−
２）、（Ａ−６）、（Ａ−８）、（Ａ−１０）あるいは
（Ａ−１２）が好ましい。そして、これら連結基Ａを有
し、環構造として（Ｓ−１）または（Ｓ−２）を有する
化合物であるものが最も好ましい。Among these, the linking group A is represented by (A-
2), (A-6), (A-8), (A-10) and (A-12) are preferred. Compounds having these linking groups A and having (S-1) or (S-2) as a ring structure are most preferred.

【００３６】前記一般式（II）で表わされる化合物の好
ましい具体例を表１に示すが、これらに限定するもので
はない。Preferred specific examples of the compound represented by the general formula (II) are shown in Table 1, but are not limited thereto.

【００３７】[0037]

【表１】 [Table 1]

【００３８】[0038]

【表２】 [Table 2]

【００３９】前記一般式（III） において、Ｒ¹〜Ｒ¹²
は各々独立に、水素原子；ハロゲン原子；メチル基、エ
チル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ベンジル基等の
アラルキル基；ビニル基等のアルケニル基；シアノ基；
アミノ基；アシル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素
数１〜６のアルコキシ基；メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基等の炭素数１〜６のアルコキシカルボ
ニル基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリー
ルオキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ
基等のジアルキルアミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフ
ェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；トリフ
ルオロメチル基等のα−ハロアルキル基；水酸基；置換
基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等の芳香
族炭化水素環基；置換基を有していてもよいチエニル
基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表わし、前記置換
基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、
エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基等の
アルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基等の炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基；メ
トキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ
基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオ
キシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジア
ルキルアミノ基、アセチル基等のアシル基、トリフルオ
ロメチル基等のハロアルキル基、シアノ基を示す。Ｒ¹
とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵ とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹ とＲ¹⁰、
Ｒ¹¹とＲ¹²はそれぞれ隣接する置換基同士で、ベンゼン
環、シクロヘキサン環等を形成してもよい。Ｘ¹〜Ｘ³は
各々独立に、酸素原子または硫黄原子を示す。Ｂは置換
基を有していてもよい芳香族芳香族炭化水素環基または
芳香族複素環基からなる３価の連結基を示す。連結基Ｂ
の好ましい例を以下に示す。In the general formula (III), R ^{1 to} R ¹²
Each independently represents a hydrogen atom; a halogen atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group or an ethyl group; an aralkyl group such as a benzyl group; an alkenyl group such as a vinyl group;
Amino group; acyl group; alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy group and ethoxy group; alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; aryl such as phenoxy group and benzyloxy group Oxy group; dialkylamino group such as diethylamino group and diisopropylamino group; diaralkylamino group such as dibenzylamino group and diphenethylamino group; α-haloalkyl group such as trifluoromethyl group; hydroxyl group; An aromatic hydrocarbon ring group such as a phenyl group and a naphthyl group which may be substituted; an aromatic heterocyclic group such as a thienyl group and a pyridyl group which may have a substituent; and the substituent is a fluorine atom or the like. A halogen atom; a methyl group,
An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; an alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group; 6 represents an aryloxy group such as a phenoxy group and a benzyloxy group; a dialkylamino group such as a dimethylamino group and a diethylamino group; an acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; and a cyano group. R ¹
And R ² , R ³ and R ⁴ , R ⁵ and R ⁶ , R ⁷ and R ⁸ , R ⁹ and R ¹⁰ ,
R ¹¹ and R ¹² may be adjacent to each other to form a benzene ring, a cyclohexane ring or the like. X ^{1 to} X ³ each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. B represents a trivalent linking group consisting of an aromatic aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Linking group B
Preferred examples are shown below.

【００４０】[0040]

【化１４】 Embedded image

【００４１】これらの中でも連結基Ｂは、（Ｂ−１）、
（Ｂ−２）あるいは（Ｂー７）が好ましい。最も好まし
くは、これら連結基を有し、環構造として（Ｓ−１）ま
たは（Ｓ−２）を有する場合である。Among these, the linking group B is represented by (B-1),
(B-2) or (B-7) is preferred. Most preferably, it has these linking groups and has (S-1) or (S-2) as a ring structure.

【００４２】前記一般式（III） で表わされる化合物の
好ましい具体例を表２に示すが、これらに限定するもの
ではない。Preferable specific examples of the compound represented by the general formula (III) are shown in Table 2, but are not limited thereto.

【００４３】[0043]

【表３】 [Table 3]

【００４４】[0044]

【表４】 [Table 4]

【００４５】なお、前記一般式（Ｉ）で表される基を有
する化合物は、発光層中に１種のみが含まれていてもよ
く、２種以上が含まれていてもよい。The light emitting layer may contain only one kind of the compound having the group represented by the general formula (I), or may contain two or more kinds.

【００４６】本発明では、発光層に、このような化合物
と共に、周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含有
する有機金属錯体を含有することが特徴である。この有
機金属錯体としては、好ましくは、金属原子として、ル
テニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オス
ミウム、イリジウム、白金、金を含有するものが挙げら
れる。これらの有機金属錯体は下記一般式（Ｖ）で表さ
れる有機金属錯体であるのが好ましい。The present invention is characterized in that the light emitting layer contains, together with such a compound, an organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Examples of the organometallic complex preferably include those containing ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold as metal atoms. These organometallic complexes are preferably organometallic complexes represented by the following general formula (V).

【００４７】[0047]

【化１５】 Embedded image

【００４８】（式中、Ａ¹ は置換基を有していてもよい
芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表わし、好
ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イ
ソキノリル基を表し、前記置換基としては、フッ素原子
等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜
６のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６
のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等
の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジ
ルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、アセチ
ル基等のアシル基、トリフルオロメチル基等のハロアル
キル基、シアノ基を示す。Ａ² は置換基を有していても
よい窒素を複素環を形成する原子として含有する芳香族
複素環基を表わし、好ましくは、ピリジル基、ピリミジ
ル基、ピラジン基、トリアジン基、ベンゾチアゾール
基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キ
ノリル基、イソキノリル基、キノキサリン基、フェナン
トリジン基を表わし、前記置換基としては、フッ素原子
等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜
６のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６
のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等
の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジ
ルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、アセチ
ル基等のアシル基、トリフルオロメチル基等のハロアル
キル基、シアノ基を示す。環Ａ¹ と環Ａ² は一つの縮合
環を形成してもよく、このようなものとしては、例えば
7,8-ベンゾキノリン基等が挙げられる。Ｑは周期表７な
いし１１族から選ばれる金属であり、好ましくは、ルテ
ニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミ
ウム、イリジウム、白金、金を示す。Ｌは２座型の配位
子を表し、好ましくは、アセチルアセトナート等のβ−
ジケト型の配位子から選ばれる。ｍ及びｎは整数を表
し、Ｑが二価金属の場合は、ｎ＝２、ｍ＝０であり、Ｑ
が三価金属の場合は、ｎ＝３かつｍ＝０、もしくは、ｎ
＝２かつｍ＝１である。）(In the formula, A ¹ represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and is preferably a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a thienyl group. Represents a group, a pyridyl group, a quinolyl group, or an isoquinolyl group, wherein the substituent is a halogen atom such as a fluorine atom;
An alkyl group of 6; an alkenyl group such as a vinyl group; and a carbon number of 1 to 6 such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group.
An alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; an aryloxy group such as a phenoxy group and a benzyloxy group; a dialkylamino group such as a dimethylamino group and a diethylamino group; and an acyl group such as an acetyl group. And a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group and a cyano group. A ² represents an aromatic heterocyclic group containing a nitrogen which may have a substituent as an atom forming a heterocyclic ring, preferably a pyridyl group, a pyrimidyl group, a pyrazine group, a triazine group, a benzothiazole group, A benzoxazole group, a benzimidazole group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, a quinoxaline group, or a phenanthridine group, wherein the substituent is a halogen atom such as a fluorine atom;
An alkyl group of 6; an alkenyl group such as a vinyl group; and a carbon number of 1 to 6 such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group.
An alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; an aryloxy group such as a phenoxy group and a benzyloxy group; a dialkylamino group such as a dimethylamino group and a diethylamino group; and an acyl group such as an acetyl group. And a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group and a cyano group. Ring A ¹ and ring A ² may form one fused ring, such as, for example,
And a 7,8-benzoquinoline group. Q is a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table, and preferably represents ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold. L represents a bidentate ligand, preferably a β- such as acetylacetonate.
Selected from diketo-type ligands. m and n represent integers, and when Q is a divalent metal, n = 2 and m = 0;
Is a trivalent metal, n = 3 and m = 0, or n
= 2 and m = 1. )

【００４９】前記一般式（Ｖ）で示される有機金属錯体
の具体例を以下に示すが、何ら下記の化合物に限定され
るものではない。Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (V) are shown below, but are not limited to the following compounds.

【００５０】[0050]

【化１６】 Embedded image

【００５１】[0051]

【化１７】 Embedded image

【００５２】これらの有機金属錯体は１種を単独で用い
てもよく、２種以上を混合して用いてもよい。These organometallic complexes may be used alone or as a mixture of two or more.

【００５３】前記一般式（Ｖ）で表わされる有機金属錯
体等の有機金属錯体が発光層中に含有される量は、一般
式（Ｉ）で表される基を有する化合物に対して0.1〜30
重量％の範囲にあることが好ましい。この含有量が0.1
重量％以下では素子の発光効率向上に寄与できず、30重
量％を超えると有機金属錯体同士が２量体を形成する等
の濃度消光が起き、発光効率の低下に至る。有機金属錯
体は、発光層中に膜厚方向に対して部分的に含まれてい
ても良く、また、不均一に分布していてもよい。The amount of the organometallic complex such as the organometallic complex represented by the general formula (V) in the light-emitting layer is 0.1 to 30 with respect to the compound having the group represented by the general formula (I).
Preferably it is in the range of weight%. This content is 0.1
If the content is less than 30% by weight, it cannot contribute to the improvement of the luminous efficiency of the device. If the content is more than 30% by weight, concentration quenching such as formation of a dimer between the organometallic complexes occurs, leading to a decrease in luminous efficiency. The organometallic complex may be partially contained in the light emitting layer in the thickness direction, or may be unevenly distributed.

【００５４】以下、本発明の有機電界発光素子の構造に
ついて、図面を参照しながら説明する。Hereinafter, the structure of the organic electroluminescent device of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００５５】図１〜３は本発明の有機電界発光素子の実
施の形態を模式的に示す断面図であり、１は基板、２は
陽極、３は陽極バッファ層、４は正孔輸送層、５は発光
層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は陰極を各々
表わす。FIGS. 1 to 3 are cross-sectional views schematically showing an embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention, wherein 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is an anode buffer layer, 4 is a hole transport layer, Reference numeral 5 denotes a light emitting layer, 6 denotes a hole blocking layer, 7 denotes an electron transporting layer, and 8 denotes a cathode.

【００５６】基板１は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性
に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が小さすぎ
ると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣
化することがあるので好ましくない。このため、合成樹
脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設
けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つ
である。The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent device, and may be a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film or a sheet, or the like. Particularly, a glass plate or a plate of a transparent synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent device may be deteriorated by the outside air passing through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate to secure gas barrier properties is also a preferable method.

【００５７】基板１上には陽極２が設けられる。陽極２
は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッ
ケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／ま
たはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハ
ロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（3-
メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の
導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅など
の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などを用いる場合には、適当な
バインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布すること
により陽極２を形成することもできる。さらに、導電性
高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を
形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２
を形成することもできる（Appl．Phys．Lett．，60巻，
2711頁，1992年）。陽極２は異なる物質で積層して形成
することも可能である。陽極２の厚みは、必要とする透
明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視
光の透過率を、通常、60％以上、好ましくは80％以上と
することが望ましく、この場合、厚みは、通常、５〜10
00nm、好ましくは10〜500nm程度である。不透明でよい場
合は陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには上
記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能
である。An anode 2 is provided on a substrate 1. Anode 2
Plays a role of injecting holes into the hole transport layer 4. The anode 2 is usually made of a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, and platinum; a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin; a metal halide such as copper iodide; Poly (3-
(Methylthiophene), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline. Usually, the formation of the anode 2 is often performed by a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like. When metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder are used, they are dispersed in an appropriate binder resin solution and the substrate 1 The anode 2 can also be formed by coating on the top. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film is formed directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or a conductive polymer is applied on the substrate 1 to form an anode 2
(Appl. Phys. Lett., Vol. 60,
2711, 1992). The anode 2 can be formed by laminating different materials. The thickness of the anode 2 depends on the required transparency. When transparency is required, the transmittance of visible light is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness is usually 5 to 10%.
00 nm, preferably about 10 to 500 nm. If opaque, the anode 2 may be the same as the substrate 1. Further, it is also possible to laminate a different conductive material on the anode 2.

【００５８】陽極２の上には正孔輸送層４が設けられ
る。正孔輸送層４の材料に要求される条件としては、陽
極２からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔
を効率よく輸送することができる材料であることが挙げ
られる。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さ
く、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動
度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純
物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。
また、発光層５に接するために発光層５からの発光を消
光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成
して効率を低下させないことが求められる。上記の一般
的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子に
はさらに耐熱性が要求されるため、Tgとして85℃以上の
値を有する材料が望ましい。The hole transport layer 4 is provided on the anode 2. The conditions required for the material of the hole transport layer 4 include a material having a high hole injection efficiency from the anode 2 and capable of efficiently transporting the injected holes. For that purpose, the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities serving as traps are unlikely to be generated during production or use. Required.
In addition, it is required that the light emitted from the light-emitting layer 5 is not quenched in order to come into contact with the light-emitting layer 5 or that exciplex is formed with the light-emitting layer 5 so as not to lower the efficiency. In addition to the above general requirements, when considering applications for in-vehicle display, since the element is required to have further heat resistance, a material having a value of 85 ° C. or more as Tg is desirable.

【００５９】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、4,4'-ビス［N-（1-ナフチル）-N-フェニルアミノ］
ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２
個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジア
ミン（特開平５−234681号公報）、4,4',4"-トリス(1-
ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスタ
ーバースト構造を有する芳香族アミン化合物（J. Lumi
n., 72-74巻、985頁、1997年）、トリフェニルアミンの
四量体から成る芳香族アミン化合物（Chem.Commun., 21
75頁、1996年）、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルア
ミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Syn
th. Metals, 91巻、209頁、1997年）等が挙げられる。
これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じ
て、各々、混合して用いてもよい。As such a hole transporting material, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino]
Containing two or more tertiary amines represented by biphenyl;
Aromatic diamines in which at least two condensed aromatic rings are substituted with nitrogen atoms (JP-A-5-234681), 4,4 ', 4 "-tris (1-
Aromatic amine compounds having a starburst structure such as naphthylphenylamino) triphenylamine (J. Lumi
n., 72-74, 985, 1997), an aromatic amine compound composed of a tetramer of triphenylamine (Chem. Commun., 21).
75, 1996), spiro compounds such as 2,2 ', 7,7'-tetrakis- (diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene (Syn
th. Metals, vol. 91, p. 209, 1997).
These compounds may be used alone, or may be used as a mixture as necessary.

【００６０】上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料
として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェ
ニルアミン（特開平７− 53953号公報）、テトラフェニ
ルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホ
ン（Polym. Adv. Tech., 7巻、33頁、1996年）等の高分
子材料が挙げられる。In addition to the above compounds, as a material of the hole transport layer 4, polyarylene ether sulfone (Polym. Adv) containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-53953), and tetraphenylbenzidine. Tech., 7, 33, 1996).

【００６１】正孔輸送層４を塗布法で形成する場合は、
正孔輸送材料の１種または２種以上に、必要により正孔
のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤な
どの添加剤を添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピ
ンコート法などの方法により陽極２上に塗布し、乾燥し
て正孔輸送層４を形成する。バインダー樹脂としては、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が
挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動
度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、５０
重量％以下が好ましい。When the hole transport layer 4 is formed by a coating method,
If necessary, additives such as a binder resin or a coating improver that does not trap holes are added to one or more of the hole transporting materials, and dissolved to prepare a coating solution. It is applied on the anode 2 by a method and dried to form the hole transport layer 4. As the binder resin,
Examples thereof include polycarbonate, polyarylate, and polyester. If the amount of the binder resin added is large, the hole mobility is lowered.
% By weight or less is preferred.

【００６２】正孔輸送層４を真空蒸着法で形成する場合
には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに
入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10^−４Pa程度に
まで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸
発させ、ルツボと向き合って置かれた、陽極２が形成さ
れた基板１上に正孔輸送層４を形成させる。When the hole transport layer 4 is formed by a vacuum evaporation method, the hole transport material is put into a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is reduced to about 10 ^-4 Pa by a suitable vacuum pump. After evacuation, the crucible is heated to evaporate the hole transport material, and a hole transport layer 4 is formed on the substrate 1 on which the anode 2 is formed, which is placed facing the crucible.

【００６３】正孔輸送層４の膜厚は、通常、5〜300nm、
好ましくは 10〜100nmである。この様に薄い膜を一様に
形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられ
る。The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 to 300 nm,
Preferably it is 10 to 100 nm. In order to uniformly form such a thin film, generally, a vacuum deposition method is often used.

【００６４】正孔輸送層４の上には発光層５が設けられ
る。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽
極２から注入されて正孔輸送層４を移動する正孔と、陰
極から注入されて正孔阻止層６を移動する電子との再結
合により励起されて、強い発光を示す化合物より形成さ
れる。The light emitting layer 5 is provided on the hole transport layer 4. The light-emitting layer 5 is a recombination between holes injected from the anode 2 and moving through the hole transport layer 4 and electrons injected from the cathode and moving through the hole blocking layer 6 between the electrodes to which an electric field is applied. Is formed from a compound that is excited by and emits strong light.

【００６５】発光層５には、一般式（Ｉ）で表される基
を有する化合物と、周期表７ないし１１族から選ばれる
金属を含有する有機金属錯体を用いるが、前述の如く、
通常は前者を主成分とし、後者を副成分として用いる。
一般式（Ｉ）で表される基を有する化合物は、併用する
有機金属錯体の励起三重項準位より高いエネルギー状態
の励起三重項準位を有することが基本的に必要である。
また、安定な薄膜形状を与え、高いガラス転移温度（T
g）を有し、正孔および／または電子を効率よく輸送す
ることができる化合物であることが必要である。さらに
電気化学的かつ化学的に安定であり、トラップとなった
り発光を消光したりする不純物が製造時や使用時に発生
しにくい化合物であることが要求される。For the light emitting layer 5, a compound having a group represented by the general formula (I) and an organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table are used.
Usually, the former is used as a main component and the latter is used as a subcomponent.
The compound having the group represented by the general formula (I) basically needs to have an excited triplet level in an energy state higher than the excited triplet level of the organometallic complex used in combination.
It also provides a stable thin film shape and has a high glass transition temperature (T
It must be a compound having g) and capable of efficiently transporting holes and / or electrons. Further, the compound is required to be a compound which is electrochemically and chemically stable, and hardly generates impurities which become traps or quench light emission during production or use.

【００６６】発光層５には、さらに第三成分として、電
子輸送をさらに促進する電子輸送性物質または正孔輸送
をさらに促進する芳香族三級アミン化合物（例えば、正
孔輸送層の材料として列挙した化合物）などを添加して
も良い。The light-emitting layer 5 further includes, as a third component, an electron-transporting substance that further promotes electron transport or an aromatic tertiary amine compound that further promotes hole transport (for example, listed as materials for the hole transport layer). May be added.

【００６７】発光層５の膜厚は、通常１０〜２００ｎ
ｍ、好ましくは２０〜１００ｎｍであり、正孔輸送層４
と同様の方法にて薄膜形成される。The thickness of the light emitting layer 5 is usually 10 to 200 n
m, preferably 20 to 100 nm.
A thin film is formed in the same manner as described above.

【００６８】正孔阻止層６は発光層５の上に積層され、
正孔輸送層４から移動してくる正孔を陰極に到達するの
を阻止する役割と、陰極８から注入された電子を効率よ
く発光層５の方向に輸送することができる化合物より形
成される。正孔阻止層６を構成する材料に求められる物
性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いことが
必要とされる。正孔阻止層６は正孔と電子を発光層５内
に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。The hole blocking layer 6 is laminated on the light emitting layer 5,
It is formed of a compound that functions to prevent holes moving from the hole transport layer 4 from reaching the cathode and that can efficiently transport electrons injected from the cathode 8 toward the light emitting layer 5. . The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include a high electron mobility and a low hole mobility. The hole blocking layer 6 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 5 and improving luminous efficiency.

【００６９】このような条件を満たす正孔阻止層材料と
しては、下記一般式（IV）で表わされる混合配位子錯体
が挙げられる。As a material for the hole blocking layer satisfying such conditions, there is a mixed ligand complex represented by the following general formula (IV).

【００７０】[0070]

【化１８】 Embedded image

【００７１】（式中、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁸は、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、ア
リル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカ
ルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキル
アミノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、置換基を有し
ていてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有して
いてもよい芳香族複素環基を表す。Ｍはアルミニウム、
ガリウム、インジウムから選ばれる金属原子を表す。一
般式（IV）中、Ｙは以下に示す一般式（IVa）、（IV
b）、（IVc）のいずれかで表される。）(Wherein, R ^{13 to} R ¹⁸ represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group , An alkylamino group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group, an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group, wherein M is aluminum,
Represents a metal atom selected from gallium and indium. In the general formula (IV), Y represents the following general formulas (IVa), (IV
b) or (IVc). )

【００７２】[0072]

【化１９】 Embedded image

【００７３】（式中、Ａr¹〜Ａr⁵は各々独立に、置換基
を有していてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を
有していてもよい芳香族複素環基を表し、Ｚはシリコン
またはゲルマニウムを表す。）(Wherein, Ar ^{1 to} Ar ⁵ each independently represent an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent; Z represents silicon or germanium.)

【００７４】前記一般式（IV）において、Ｒ¹³〜Ｒ
¹⁸は、好ましくは水素原子；塩素、臭素等のハロゲン原
子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル
基；ベンジル基等のアラルキル基；ビニル基等のアルケ
ニル基；シアノ基；アミノ基；アシル基；メトキシ基、
エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６
のアルコキシカルボニル基；カルボキシル基；フェノキ
シ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジエ
チルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキル
アミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基
などのジアラルキルアミノ基；トリフルオロメチル基等
のα−ハロアルキル基；水酸基；置換基を有していても
よいフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素環基；
置換基を有していてもよいチエニル基、ピリジル基等の
芳香族複素環基を表わす。芳香族炭化水素環基や芳香族
複素環基が置換しうる置換基としては、フッ素原子等の
ハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６の
アルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜６のア
ルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭
素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオ
キシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、アセチル基等
のアシル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル
基、シアノ基などが挙げられる。中でも、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁸と
しては、より好ましくは水素原子、アルキル基、ハロゲ
ン原子またはシアノ基であり、Ｒ¹⁶としてはシアノ基が
特に好ましい。In the general formula (IV), R ^{13 to} R
¹⁸ is preferably a hydrogen atom; a halogen atom such as chlorine and bromine; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; an aralkyl group such as a benzyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; a cyano group; A group; an acyl group; a methoxy group,
An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as an ethoxy group; a C1 to 6 carbon atom such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group;
Carboxyl group; aryloxy group such as phenoxy group and benzyloxy group; dialkylamino group such as diethylamino group and diisopropylamino group; diaralkylamino group such as dibenzylamino group and diphenethylamino group; An α-haloalkyl group such as a methyl group; a hydroxyl group; an aromatic hydrocarbon ring group such as a phenyl group and a naphthyl group which may have a substituent;
It represents an aromatic heterocyclic group such as a thienyl group and a pyridyl group which may have a substituent. Examples of the substituent that can be substituted on the aromatic hydrocarbon ring group or the aromatic heterocyclic group include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; An alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; an aryloxy group such as a phenoxy group and a benzyloxy group; Groups, a dialkylamino group such as a diethylamino group, an acyl group such as an acetyl group, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, and a cyano group. Among them, R ^{13 to} R ¹⁸ are more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom or a cyano group, and R ¹⁶ is particularly preferably a cyano group.

【００７５】Ａr¹〜Ａr⁵は、置換基を有していてもよい
フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化
水素環基またはチエニル基、ピリジル基等の芳香族複素
環基を表わす。Ar ^{1 to} Ar ^{5 each} represent an aromatic hydrocarbon ring group such as a phenyl group, a biphenyl group or a naphthyl group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group such as a thienyl group or a pyridyl group. .

【００７６】前記一般式（IV）で表わされる化合物の好
ましい具体例を以下の表３に示すが、これらに限定する
ものではない。Preferred specific examples of the compound represented by the general formula (IV) are shown in Table 3 below, but are not limited thereto.

【００７７】[0077]

【表５】 [Table 5]

【００７８】[0078]

【表６】 [Table 6]

【００７９】尚、表中、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁸で特に示していない
もの、あるいは「−」と表示したものは水素原子を表わ
す。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に
応じて、各々、混合して用いてもよい。In the table, those not particularly indicated by R ^{13 to} R ¹⁸ or those indicated by “-” represent hydrogen atoms. These compounds may be used alone, or may be used as a mixture as necessary.

【００８０】正孔阻止材料としては、前記一般式（IV）
の混合配位子錯体の他に、以下の構造式で示される１，
２，４−トリアゾール環を少なくとも１個有する化合物
を用いることができる。As the hole blocking material, the above-mentioned general formula (IV)
In addition to the mixed ligand complex of
A compound having at least one 2,4-triazole ring can be used.

【００８１】[0081]

【化２０】 Embedded image

【００８２】前記構造式で表わされる１，２，４−トリ
アゾール環を少なくとも１個有する化合物の具体例を以
下に示す。Specific examples of the compound having at least one 1,2,4-triazole ring represented by the above structural formula are shown below.

【００８３】[0083]

【化２１】 Embedded image

【００８４】正孔阻止材料として、さらに、以下の構造
式で示されるフェナントロリン環を少なくとも１個有す
る化合物が挙げられる。The hole blocking material further includes a compound having at least one phenanthroline ring represented by the following structural formula.

【００８５】[0085]

【化２２】 Embedded image

【００８６】前記構造式で表わされるフェナントロリン
環を少なくとも１個有する化合物の具体例を以下に示
す。Specific examples of the compound having at least one phenanthroline ring represented by the above structural formula are shown below.

【００８７】[0087]

【化２３】 Embedded image

【００８８】正孔阻止層６の膜厚は、通常、 0.3〜 100
nm、好ましくは 0.5〜50nmである。正孔阻止層６も正孔
輸送層４と同様の方法で形成することができるが、通常
は真空蒸着法が用いられる。The thickness of the hole blocking layer 6 is usually from 0.3 to 100
nm, preferably 0.5 to 50 nm. The hole blocking layer 6 can be formed in the same manner as the hole transporting layer 4, but usually, a vacuum evaporation method is used.

【００８９】陰極８は、正孔阻止層６を介して発光層５
に電子を注入する役割を果たす。陰極８として用いられ
る材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが
可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関
数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジ
ウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属ま
たはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグ
ネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、ア
ルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙
げられる。The cathode 8 is connected to the light emitting layer 5 via the hole blocking layer 6.
Plays the role of injecting electrons into As the material used for the cathode 8, the material used for the anode 2 can be used, but for efficient electron injection, a metal having a low work function is preferable, and tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include a low work function alloy electrode such as a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, and an aluminum-lithium alloy.

【００９０】陰極８の膜厚は通常、陽極２と同様であ
る。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、こ
の上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属
層を積層することは素子の安定性を増す上で好ましい。
この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、
クロム、金、白金等の金属が使われる。The thickness of the cathode 8 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, it is preferable to further laminate a metal layer having a high work function and being stable to the atmosphere in order to increase the stability of the device.
For this purpose, aluminum, silver, copper, nickel,
Metals such as chromium, gold and platinum are used.

【００９１】素子の発光効率をさらに向上させることを
目的として、図２に示す如く、正孔阻止層６と陰極８の
間に電子輸送層７を設けることが考えられる。電子輸送
層７は、電界を与えられた電極間において陰極８から注
入された電子を効率よく正孔阻止層６の方向に輸送する
ことができる化合物より形成される。For the purpose of further improving the luminous efficiency of the device, an electron transport layer 7 may be provided between the hole blocking layer 6 and the cathode 8 as shown in FIG. The electron transport layer 7 is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 8 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the hole blocking layer 6.

【００９２】従って、電子輸送層７に用いられる電子輸
送性化合物としては、陰極８からの電子注入効率が高
く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率
よく輸送することができる化合物であることが必要であ
る。Therefore, the electron transporting compound used in the electron transporting layer 7 has a high electron injection efficiency from the cathode 8 and a high electron mobility, so that the injected electrons can be efficiently transported. It must be a compound.

【００９３】このような条件を満たす材料としては、８
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体（特開昭59−194393号公報）、10-ヒドロキシベンゾ
[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジ
スチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-または
5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金
属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミ
ダゾリルベンゼン（米国特許第 5,645,948号）、キノキ
サリン化合物（特開平６−207169号公報）、フェナント
ロリン誘導体（特開平５−331459号公報）、2-t-ブチル
-9,10-N,N'-ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水
素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化
亜鉛などが挙げられる。Materials satisfying such conditions include 8
Metal complexes such as aluminum complexes of -hydroxyquinoline (JP-A-59-194393);
[h] quinoline metal complex, oxadiazole derivative, distyrylbiphenyl derivative, silole derivative, 3- or
5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound (JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459) Gazette), 2-t-butyl
-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinone diimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide and the like.

【００９４】電子輸送層６の膜厚は、通常、5〜200nm、
好ましくは10〜100 nmである。The thickness of the electron transport layer 6 is usually 5 to 200 nm,
Preferably it is 10 to 100 nm.

【００９５】電子輸送層７は、正孔輸送層４と同様にし
て塗布法あるいは真空蒸着法により正孔輸送層６上に積
層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用
いられる。The electron transporting layer 7 is formed by laminating on the hole transporting layer 6 by a coating method or a vacuum evaporation method in the same manner as the hole transporting layer 4. Usually, a vacuum evaporation method is used.

【００９６】また、正孔注入の効率をさらに向上させ、
かつ、有機層全体の陽極２への付着力を改善させる目的
で、図３に示す如く、正孔輸送層４と陽極２との間に陽
極バッファ層３を挿入することも行われている。陽極バ
ッファ層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が
下げると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧
上昇も抑制される効果が得られる。陽極バッファ層３に
用いられる材料に要求される条件としては、陽極２との
コンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、
すなわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点として
は 300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上が要
求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極２
からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいこと
が挙げられる。Further, the efficiency of hole injection is further improved,
Further, for the purpose of improving the adhesion of the entire organic layer to the anode 2, as shown in FIG. 3, an anode buffer layer 3 is inserted between the hole transport layer 4 and the anode 2. The insertion of the anode buffer layer 3 has the effect of reducing the initial drive voltage of the device and suppressing the voltage rise when the device is continuously driven with a constant current. The conditions required for the material used for the anode buffer layer 3 are as follows: the contact with the anode 2 is good, a uniform thin film can be formed,
That is, the melting point and the glass transition temperature are high, the melting point is required to be 300 ° C. or more, and the glass transition temperature is required to be 100 ° C. or more. Further, the ionization potential is low and the anode 2
Hole injection from the substrate is easy and the hole mobility is high.

【００９７】この目的のために、これまでに銅フタロシ
アニン等のフタロシアニン化合物（特開昭63−295695号
公報）、ポリアニリン（Appl. Phys. Lett., 64巻、124
5頁,1994年）、ポリチオフェン（Optical Materials, 9
巻、125頁、1998年）等の有機化合物や、スパッタ・カ
ーボン膜（Synth. Met., 91巻、73頁、1997年）や、バ
ナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物
等の金属酸化物（J.Phys. D, 29巻、2750頁、1996年）
が報告されている。For this purpose, phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine (JP-A-63-295695) and polyaniline (Appl. Phys. Lett., Vol. 64, 124) have been used so far.
5, 1994), polythiophene (Optical Materials, 9)
Vol. 125, 1998), sputtered carbon films (Synth. Met., Vol. 91, p. 73, 1997), and metal oxides such as vanadium oxide, ruthenium oxide and molybdenum oxide. (J.Phys. D, 29, 2750, 1996)
Have been reported.

【００９８】陽極バッファ層３も、正孔輸送層４と同様
にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さら
に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法
が用いられる。The anode buffer layer 3 can be formed as a thin film in the same manner as the hole transport layer 4. However, in the case of an inorganic substance, a sputtering method, an electron beam evaporation method, or a plasma CVD method is used.

【００９９】以上の様にして形成される陽極バッファ層
３の膜厚は、通常、3〜100nm、好ましくは 5〜50nmであ
る。The thickness of the anode buffer layer 3 formed as described above is usually 3 to 100 nm, preferably 5 to 50 nm.

【０１００】さらに、陰極８と発光層５または電子輸送
層７との界面にLiF 、MgF_２、Li_２O等の極薄絶縁膜（膜
厚0.1〜5nm）を挿入することも、素子の効率を向上させ
る有効な方法である（Appl. Phys. Lett., 70巻，152
頁，1997年；特開平10−74586号公報；IEEETrans. Elec
tron. Devices，44巻，1245頁，1997年）。Further, an ultra-thin insulating film (film thickness: 0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF ₂ , or Li ₂ O may be inserted at the interface between the cathode 8 and the light emitting layer 5 or the electron transporting layer 7. This is an effective method for improving the quality of life (Appl. Phys. Lett., 70, 152
Page, 1997; JP-A-10-74586; IEEETrans. Elec
tron. Devices, 44, 1245, 1997).

【０１０１】尚、図１とは逆の構造、すなわち、基板上
に陰極８、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、陽
極２の順に積層することも可能であり、既述したように
少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明
の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様
に、図２および図３に示した前記各層構成とは逆の構造
に積層することも可能である。It is to be noted that a structure reverse to that of FIG. 1, that is, a cathode 8, a hole blocking layer 6, a light emitting layer 5, a hole transporting layer 4, and an anode 2 can be laminated on a substrate in this order. As described above, the organic electroluminescent device of the present invention can be provided between two substrates, at least one of which has high transparency. Similarly, it is also possible to laminate in a structure opposite to the above-mentioned respective layer constitutions shown in FIG. 2 and FIG.

【０１０２】本発明は、有機電界発光素子が、単一の素
子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰
極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれに
おいても適用することができる。The present invention can be applied to any of a single organic electroluminescent device, a device having a structure arranged in an array, and a structure in which an anode and a cathode are arranged in an XY matrix. Can be.

【０１０３】本発明の有機電界発光素子によれば、特定
の骨格を有する化合物を発光層の主成分として用い、ま
た、燐光性の金属錯体を含有させることにより、従来の
一重項状態からの発光を用いた素子よりも発光効率が高
くかつ駆動安定性においても大きく改善された素子が得
られ、フルカラーあるいはマルチカラーのパネルへの応
用において優れた性能を発揮できる。According to the organic electroluminescent device of the present invention, a compound having a specific skeleton is used as a main component of the light-emitting layer, and a phosphorescent metal complex is contained, whereby light emission from the conventional singlet state is achieved. Thus, an element having higher luminous efficiency and greatly improved driving stability than an element using is obtained, and can exhibit excellent performance in application to a full-color or multi-color panel.

【０１０４】[0104]

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist.

【０１０５】実施例１ 図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。Example 1 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 3 was manufactured by the following method.

【０１０６】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
（ＩＴＯ）透明導電膜を 150nm堆積したもの（ジオマテ
ック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗15Ω）を通常
のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2
mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。
パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波
洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる
超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後
に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置し
た。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、
装置内の真空度が2×10^-6Torr（約2.7×10^-4Pa）以下に
なるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用い
て排気した。A transparent conductive film of indium tin oxide (ITO) deposited on a glass substrate in a thickness of 150 nm (manufactured by Geomatic Corporation; electron beam film-formed product; sheet resistance of 15Ω) was obtained by using a usual photolithography technique and hydrochloric acid etching. Two
An anode was formed by patterning into a stripe having a width of mm.
The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water cleaning with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally cleaned with ultraviolet and ozone, and placed in a vacuum evaporation apparatus. installed. After performing rough exhaust of the above device by an oil rotary pump,
Evacuation was performed using an oil diffusion pump equipped with a liquid nitrogen trap until the degree of vacuum in the apparatus became 2 × 10 ⁻⁶ Torr (about 2.7 × 10 ⁻⁴ Pa) or less.

【０１０７】次いで、上記装置内に配置されたモリブデ
ンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン（結晶形
はβ型）を加熱して、真空度1.2×10^-6Torr（約1.6×10
^-4Pa）、蒸着速度0.1nm／秒で蒸着を行ない、膜厚10nm
の陽極バッファ層３を形成した。Next, the copper phthalocyanine (crystal form is β type) shown below, which was put in a molybdenum boat placed in the above apparatus, was heated to a degree of vacuum of 1.2 × 10 ⁻⁶ Torr (about 1.6 × 10
^-4 Pa), deposition at a deposition rate of 0.1 nm / sec, and a film thickness of 10 nm
The anode buffer layer 3 was formed.

【０１０８】[0108]

【化２４】 Embedded image

【０１０９】次に、上記装置内に配置されたセラミック
るつぼに入れた、以下に示す、4,4'-ビス［N-（1-ナフ
チル）-N-フェニルアミノ］ビフェニルをるつぼの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、270〜260℃の範囲で制御した。蒸着
時の真空度1.1×10^-6Torr（約1.5×10^-4Pa）、蒸着速度
は0.2nm/秒で膜厚60nmの正孔輸送層４を形成した。Next, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl shown below was placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus and tantalum around the crucible was used. The deposition was performed by heating with a wire heater. At this time, the temperature of the crucible was controlled in the range of 270 to 260 ° C. A hole transport layer 4 having a thickness of 60 nm was formed at a degree of vacuum of 1.1 × 10 ⁻⁶ Torr (about 1.5 × 10 ⁻⁴ Pa) at a deposition rate of 0.2 nm / sec.

【０１１０】[0110]

【化２５】 Embedded image

【０１１１】引続き、発光層５の主成分として、表１に
示した化合物（II-4）を、燐光性有機金属錯体として
（Ｔ−７）で示した白金錯体を別々のセラミックるつぼ
に設置し、２元同時蒸着法により成膜を行った。化合物
（II-4）のるつぼ温度は240〜250℃に、蒸着速度は0.2n
m／秒に制御し、白金錯体（Ｔ−７）は270〜280℃の温
度範囲に制御し、膜厚30nmで白金錯体（Ｔ−７）が化合
物（II-4）に対して4.7重量％含有された発光層５を正
孔輸送層４の上に積層した。蒸着時の真空度は2.0×10
^-6Torr（約2.7×10^-4Pa）であった。Subsequently, the compound (II-4) shown in Table 1 as a main component of the light emitting layer 5 and the platinum complex shown as (T-7) as a phosphorescent organometallic complex were placed in separate ceramic crucibles. A film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method. Crucible temperature of compound (II-4) is 240-250 ° C, deposition rate is 0.2n
m / sec, the platinum complex (T-7) was controlled in a temperature range of 270 to 280 ° C., and the platinum complex (T-7) was 4.7% by weight based on the compound (II-4) at a film thickness of 30 nm. The contained light emitting layer 5 was laminated on the hole transport layer 4. The degree of vacuum during evaporation is 2.0 × 10
^-6 Torr (about 2.7 × 10 ^-4 Pa).

【０１１２】さらに、正孔阻止層６として表６に示した
化合物（HB12）をるつぼ温度を 220℃として、蒸着速度
0.1nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は1.
0×10^-6Torr（約1.3×10^-4Pa）であった。Further, the compound (HB12) shown in Table 6 was used as the hole blocking layer 6 at a crucible temperature of 220 ° C.
The layers were laminated at a thickness of 10 nm at 0.1 nm / sec. The degree of vacuum during evaporation is 1.
It was 0 × 10 ⁻⁶ Torr (about 1.3 × 10 ⁻⁴ Pa).

【０１１３】次いで、正孔阻止層６の上に、電子輸送層
７として以下の構造式に示すアルミニウムの８−ヒドロ
キシキノリン錯体、Al(C_９H_６NO)_３を同様にして蒸着し
た。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯
体のるつぼ温度は300〜310℃の範囲で制御し、蒸着時の
真空度は1.0×10^-6Torr（約1.3×10^−４Pa）、蒸着速度
は0.2nm/秒で膜厚は35nmとした。Next, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex represented by the following structural formula, Al (C ₉ H ₆ NO) ₃ , was vapor-deposited on the hole blocking layer 6 in the same manner as the electron transporting layer 7. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex was controlled in the range of 300 to 310 ° C., the degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.0 × 10 ⁻⁶ Torr (about 1.3 × 10 ⁻⁴ Pa), and the vapor deposition rate was 0.2. The film thickness was 35 nm at nm / sec.

【０１１４】[0114]

【化２６】 Embedded image

【０１１５】上記の陽極バッファ層３、正孔輸送層４、
発光層５、正孔阻止層６及び電子輸送層７を真空蒸着す
る時の基板温度は室温に保持した。The above-mentioned anode buffer layer 3, hole transport layer 4,
The substrate temperature during vacuum deposition of the light emitting layer 5, the hole blocking layer 6, and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.

【０１１６】ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った
素子を一旦前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして 2mm幅のストライプ状シ
ャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交す
るように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置
して有機層の形成時と同様にして装置内の真空度が2×1
0^-6Torr（約2.7×10^−４Pa）以下になるまで排気した。Here, the element on which the electron transport layer 7 was deposited was once taken out of the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm-wide stripe-shaped shadow mask was used as a cathode deposition mask, and the ITO of the anode 2 was used. Adhere to the element so that it is perpendicular to the stripe, and install it in another vacuum deposition apparatus and set the degree of vacuum in the apparatus to 2 × 1 in the same way as when forming the organic layer.
Evacuation was performed until the pressure became 0 ^-6 Torr (about 2.7 × 10 ^-4 Pa) or less.

【０１１７】その後、陰極８として、先ず、フッ化マグ
ネシウム（MgF_２）をモリブデンボートを用いて、蒸着
速度0.1nm／秒、真空度4.0×10^-6Torr（約5.3×10^-4P
a）で、1.5 nmの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。
次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加
熱して、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10^-5Torr（約1.3
×10^-3Pa）で膜厚40nmのアルミニウム層を形成した。さ
らに、その上に、陰極の導電性を高めるために銀を、同
様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.4nm/
秒、真空度1×10^-5Torr（約1.3×10^-3Pa）で膜厚40nmの
銀層を形成して陰極８を完成させた。以上の３層型陰極
８の蒸着時の基板温度は室温に保持した。Then, as the cathode 8, magnesium fluoride (MgF ₂ ) was first deposited using a molybdenum boat at a deposition rate of 0.1 nm / sec and a degree of vacuum of 4.0 × 10 ⁻⁶ Torr (about 5.3 × 10 ⁻⁴ P).
In a), a film was formed on the electron transport layer 7 to a thickness of 1.5 nm.
Next, the aluminum was similarly heated by a molybdenum boat, and the deposition rate was 0.5 nm / sec and the degree of vacuum was 1 × 10 ⁻⁵ Torr (about 1.3
(× 10 ⁻³ Pa) to form an aluminum layer having a thickness of 40 nm. Furthermore, silver was further heated thereon by a molybdenum boat in order to increase the conductivity of the cathode, and a deposition rate of 0.4 nm /
In 40 seconds, a silver layer having a thickness of 40 nm was formed at a degree of vacuum of 1 × 10 ⁻⁵ Torr (about 1.3 × 10 ⁻³ Pa) to complete the cathode 8. The substrate temperature during vapor deposition of the above three-layer cathode 8 was kept at room temperature.

【０１１８】以上の様にして、2mm×2mm のサイズの発
光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この
素子の発光特性を表４に示す。表４において、発光効率
は 100cd／m²での値、輝度／電流は輝度−電流密度特性
の傾きを、電圧は 100cd／m²での値を各々示す。また、
輝度−電圧特性を図４に、素子の発光スペクトルを図５
に示す。発光スペクトルの極大波長は 585nmであり、白
金錯体（Ｔ−７）からのものと同定された。As described above, an organic electroluminescent device having a light emitting area of 2 mm × 2 mm was obtained. Table 4 shows the emission characteristics of this device. In Table 4, the luminous efficiency shows a value at 100 cd / m ² , the luminance / current shows the slope of the luminance-current density characteristic, and the voltage shows a value at 100 cd / m ² . Also,
FIG. 4 shows luminance-voltage characteristics, and FIG. 5 shows an emission spectrum of the device.
Shown in The maximum wavelength of the emission spectrum was 585 nm, and it was identified as being derived from the platinum complex (T-7).

【０１１９】比較例１ 発光層の主成分として、アルミニウムの８−ヒドロキシ
キノリン錯体を用いた他は実施例１と同様にして素子を
作製した。この素子の発光特性を表４に、発光スペクト
ルを図５に示す。この素子では、白金錯体からの発光は
得られず、ホストからの発光のみがみられた。Comparative Example 1 An element was produced in the same manner as in Example 1 except that an 8-hydroxyquinoline complex of aluminum was used as a main component of a light emitting layer. The emission characteristics of this device are shown in Table 4, and the emission spectrum is shown in FIG. In this device, light emission from the platinum complex was not obtained, and only light emission from the host was observed.

【０１２０】[0120]

【表７】 [Table 7]

【０１２１】比較例２ 発光層の主成分として、カルバゾール誘導体（Ｈ−１）
を用いた他は実施例１と同様にして素子を作製した。こ
の素子の輝度−電圧特性を図４に示す。実施例１と比較
して、高電圧側に駆動特性がシフトした。Comparative Example 2 A carbazole derivative (H-1) was used as a main component of the light emitting layer.
A device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the device was used. FIG. 4 shows the luminance-voltage characteristics of this element. The driving characteristics shifted to the higher voltage side as compared with the first embodiment.

【０１２２】[0122]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の有機電界発
光素子によれば、低電圧において高輝度・高効率で発光
し、高温保存時の劣化の少ない素子が提供される。As described in detail above, according to the organic electroluminescent device of the present invention, there is provided a device that emits light with high luminance and high efficiency at a low voltage and has little deterioration during high-temperature storage.

【０１２３】従って、本発明による有機電界発光素子は
フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュー
タ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や
面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機
の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光
源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的
価値は大きいものである。Accordingly, the organic electroluminescent device according to the present invention can be used as a light source (for example, a copier) for a flat panel display (for example, for an OA computer or a wall-mounted television), an in-vehicle display device, a mobile phone display, or a surface illuminator. , Light sources for liquid crystal displays and backlights for instruments and the like, display boards, and sign lamps, and their technical value is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例
を示した模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one example of an embodiment of an organic electroluminescent device of the present invention.

【図２】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の
例を示した模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing another example of the embodiment of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図３】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の
例を示した模式的断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of the embodiment of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図４】実施例１および比較例２で得られた素子の輝度
−電圧特性を表す図である。FIG. 4 is a diagram showing luminance-voltage characteristics of the devices obtained in Example 1 and Comparative Example 2.

【図５】実施例１および比較例１で得られた素子の発光
スペクトル図である。FIG. 5 is an emission spectrum diagram of the devices obtained in Example 1 and Comparative Example 1.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 陽極 ３ 陽極バッファ層 ４ 正孔輸送層 ５ 発光層 ６ 正孔阻止層 ７ 電子輸送層 ８ 陰極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Anode buffer layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Cathode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市野澤 晶子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 畚野 真代 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB04 AB06 AB11 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Akiko Nozawa Ichigo, Yokohama, Kanagawa Prefecture, 1000 Kamoshitacho, Mitsubishi Chemical Co., Ltd. Address Mitsubishi Chemical Corporation Yokohama Research Laboratory F-term (reference) 3K007 AB02 AB03 AB04 AB06 AB11 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に、陽極及び陰極により挟持され
た発光層を少なくとも含む有機電界発光素子であって、
発光層が、下記一般式（Ｉ）で表わされる基を有する化
合物と、周期表７ないし１１族から選ばれる少なくとも
一つの金属を含む有機金属錯体とを含有することを特徴
とする有機電界発光素子。 【化１】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に、水素原子または任意の
置換基を表し、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴はそれぞれ隣接する
置換基同士で環を形成してもよい。Ｘは酸素原子または
硫黄原子を示す。）1. An organic electroluminescent device comprising at least a light-emitting layer sandwiched between an anode and a cathode on a substrate,
The organic electroluminescent device, wherein the light emitting layer contains a compound having a group represented by the following general formula (I) and an organometallic complex containing at least one metal selected from groups 7 to 11 of the periodic table. . Embedded image (In the formula, R ^{1 to} R ⁴ each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent, and R ¹ and R ² , and R ³ and R ⁴ may form a ring with adjacent substituents. X represents an oxygen atom or a sulfur atom.) 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）で表わされる基を有す
る化合物が、下記一般式（II）または（III）で表わさ
れる化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有
機電界発光素子。 【化２】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は各々独立に、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリル
基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミ
ノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、置換基を有してい
てもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表
わし、Ｒ¹ とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸はそ
れぞれ隣接する置換基同士で環を形成してもよい。Ｘ¹
およびＸ²は各々独立に、酸素原子または硫黄原子を示
し、Ａは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基
または芳香族複素環基からなる２価の連結基を示す。） 【化３】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹²は各々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリ
ル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルア
ミノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、置換基を有して
いてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を
表わし、Ｒ¹ とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、
Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹とＲ¹²はそれぞれ隣接する置換基同士
で環を形成してもよい。Ｘ¹〜Ｘ³は各々独立に、酸素原
子または硫黄原子を示し、Ｂは置換基を有していてもよ
い芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基からなる３
価の連結基を示す。）2. The organic electroluminescence according to claim 1, wherein the compound having a group represented by the general formula (I) is a compound represented by the following general formula (II) or (III). element. Embedded image (Wherein, R ^{1 to} R ⁸ are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group , An alkylamino group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group, an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group, R ¹ and R ² , R ³ and R ⁴ , R ⁵ and R ^6, R ⁷ and R ⁸ are may form a ring substituent which are adjacent each .X ¹
And X ² each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom, and A represents a divalent linking group comprising an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring group or aromatic heterocyclic group. ) (Wherein, the R ¹ to R ¹² are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group , An alkylamino group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group, an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group, R ¹ and R ² , R ³ and R ⁴ , R ⁵ And R ⁶ , R ⁷ and R ⁸ ,
R ⁹ and R ¹⁰ , and R ¹¹ and R ¹² may form a ring with adjacent substituents. X ^{1 to} X ³ each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom, and B represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent;
Shows a valent linking group. ) 【請求項３】 周期表７ないし１１族から選ばれる少な
くとも一つの金属が、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び
金から選ばれる金属であることを特徴とする請求項１又
は２に記載の有機電界発光素子。3. The method according to claim 1, wherein at least one metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table is a metal selected from ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum and gold. 3. The organic electroluminescent device according to 1 or 2. 【請求項４】 前記発光層と陰極との間に正孔阻止層が
設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれか一項に記載の有機電界発光素子。4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a hole blocking layer is provided between the light emitting layer and the cathode. 【請求項５】 前記正孔阻止層が下記一般式（IＶ） で
表わされる化合物を含むことを特徴とする請求項４に記
載の有機電界発光素子。 【化４】 （式中、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁸は各々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリ
ル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルア
ミノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、置換基を有して
いてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有してい
てもよい芳香族複素環基を表す。Ｍはアルミニウム、ガ
リウムおよびインジウムから選ばれる金属原子を表す。
一般式（IV）中、Ｙは以下に示す一般式（IVa）、（IV
b）、（IVc）のいずれかで表される。） 【化５】 （式中、Ａr¹〜Ａr⁵は各々独立に、置換基を有していて
もよい芳香族炭化水素環基または置換基を有していても
よい芳香族複素環基を表し、Ｚはシリコンまたはゲルマ
ニウムを表す。）5. The organic electroluminescent device according to claim 4, wherein the hole blocking layer contains a compound represented by the following general formula (IV). Embedded image (Wherein, R ^{13 to} R ¹⁸ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group Represents an alkylamino group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group, an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, wherein M is aluminum or gallium. And a metal atom selected from indium.
In the general formula (IV), Y represents the following general formulas (IVa), (IV
b) or (IVc). ) (Wherein, Ar ^{1 to} Ar ⁵ each independently represent an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and Z is silicon Or represents germanium.) 【請求項６】 発光層と陽極との間に正孔輸送層が設け
られていることを特徴とする請求項１ないし５いずれか
一項に記載の有機電界発光素子。6. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a hole transport layer is provided between the light emitting layer and the anode. 【請求項７】 正孔阻止層と陰極との間に電子輸送層が
設けられていることを特徴とする請求項１ないし６いず
れか一項に記載の有機電界発光素子。7. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein an electron transport layer is provided between the hole blocking layer and the cathode.