JP2002231445A - El element and method of manufacture - Google Patents
El element and method of manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、簡便な方法により
製造でき均一な発光を得られるＥＬ素子とその製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL device which can be manufactured by a simple method and can obtain uniform light emission, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＥＬ素子は、自発光の面状表示素子とし
ての使用が注目されている。その中でも、有機物質を発
光材料として用いた有機薄膜ＥＬディスプレイは、印加
電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光が実現するなど
発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定
のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表
示用ディスプレイへの応用が期待されている。2. Description of the Related Art Attention has been focused on the use of EL elements as self-luminous planar display elements. Among them, an organic thin-film EL display using an organic substance as a light-emitting material has high luminous efficiency, such as realizing high-luminance light emission even at an applied voltage of slightly less than 10 V, and can emit light with a simple element structure. Is expected to be applied to advertisements for displaying the pattern of light emission and other low-cost displays for simple displays.
【０００３】このようなＥＬ素子を用いたフルカラーデ
ィスプレイとしては、大別してＥＬ素子にカラーフィル
ターや蛍光発色する色変換フィルターを組み合わせたも
の、あるいは有機ＥＬ層をパターン状に成膜したものが
知られている。A full-color display using such an EL element is roughly classified into a combination of an EL element with a color filter or a color conversion filter for emitting fluorescence, or a display in which an organic EL layer is formed in a pattern. ing.
【０００４】このうち、後者のディスプレイの製造にお
いて、有機ＥＬ層をパターン状に成膜する方法として
は、例えばマスク蒸着、印刷法、インクジェット法が挙
げられる。これらの成膜法のうち、マスク蒸着は、パタ
ーンの数だけ蒸着工程を繰り返す必要があるため工程が
複雑になること、高価格の真空装置が必要となることな
ど問題点がある。一方、印刷またはインクジェット法等
によりパターン状にＥＬ層形成液を塗布する場合は、高
価な真空装置が必要なく、容易にフルカラーディスプレ
イの作成が可能になる。[0004] Among these, in the latter manufacturing of displays, as a method of forming an organic EL layer in a pattern, there are, for example, a mask vapor deposition, a printing method, and an ink jet method. Among these film forming methods, the mask vapor deposition has problems such as the necessity of repeating the vapor deposition process by the number of patterns, so that the process becomes complicated, and a high-priced vacuum apparatus is required. On the other hand, when the EL layer forming liquid is applied in a pattern by printing or an inkjet method, an expensive vacuum apparatus is not required, and a full-color display can be easily formed.
【０００５】しかしながら印刷またはインクジェット法
では、ＥＬ層形成液の表面張力および絶縁層との濡れ性
の高さあるいは低さにより塗布液の絶縁層近傍が盛り上
がりあるいは下がり、中心部が薄くあるいは厚くなる現
象がみられるため、製造後のＥＬ素子のＥＬ層の膜厚均
一性が問題になる。また、ＥＬ層形成液が絶縁層の上な
どのＥＬ層形成領域外に付着した場合にＥＬ層に必要な
一定膜厚が確保できないことがある。これらのＥＬ層の
不均一な膜厚はＥＬ素子の不均一発光や発光効率の低下
を引き起こす点で問題である。さらに、インクジェット
のヘッドから吐出されたインキが軌道から外れ、絶縁層
上あるいは隣接したセルに飛散し歩留まりを低下させる
という問題がある。However, in the printing or ink-jet method, the phenomenon that the vicinity of the insulating layer of the coating liquid rises or falls due to the surface tension of the EL layer forming liquid and the high or low wettability with the insulating layer, and the central part becomes thin or thick. Therefore, the uniformity of the thickness of the EL layer of the manufactured EL element becomes a problem. In addition, when the EL layer forming liquid adheres to the outside of the EL layer forming region such as on the insulating layer, the required thickness of the EL layer may not be secured. The non-uniform thickness of these EL layers is problematic in that it causes non-uniform light emission of the EL element and a decrease in luminous efficiency. Further, there is a problem that the ink ejected from the ink jet head is displaced from the trajectory and scatters on the insulating layer or adjacent cells, thereby lowering the yield.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の課題を
解決するものであり、本発明の目的は、インクジェット
法などの方法によりＥＬ層を形成したＥＬ素子であっ
て、ＥＬ層形成液の表面張力および絶縁層との濡れ性の
高低などによって形成された不均一膜厚部分を有するＥ
Ｌ層に起因する、および、ＥＬ層形成液がＥＬ層形成領
域外に付着して形成される薄いＥＬ層に起因する、不均
一発光および発光効率の低下を防止し、歩留まりの向上
が見込めるＥＬ素子を提供することである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an EL device having an EL layer formed by a method such as an ink jet method, wherein an EL layer forming liquid is used. E having a non-uniform film thickness portion formed by the surface tension and the level of wettability with the insulating layer, etc.
An EL that can prevent non-uniform light emission and a decrease in light emission efficiency due to the L layer and a thin EL layer formed by the EL layer forming liquid adhering to the outside of the EL layer formation region, and can improve the yield. It is to provide an element.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は、絶縁層とＥ
Ｌ層の界面をＥＬ層と第１電極の界面に対して垂直方向
よりも絶縁層側に傾斜させ、しかも光触媒含有層を絶縁
層と第１電極とを覆うように形成することによって上記
課題を解決できることを見出した。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventor has proposed an insulating layer and an E layer.
The above problem is solved by inclining the interface of the L layer toward the insulating layer rather than perpendicular to the interface between the EL layer and the first electrode, and forming the photocatalyst-containing layer so as to cover the insulating layer and the first electrode. We found that we could solve it.
【０００８】したがって本発明のＥＬ素子は、基板と、
前記基板上にパターニングされた第１電極と、前記基板
上であって前記第１電極間に設けられた絶縁層と、前記
絶縁層と前記第１電極とを覆うように形成された光触媒
含有層と、前記第１電極上に前記光触媒含有層を介して
形成され、前記絶縁層によって区分されたＥＬ層と、前
記ＥＬ層上に形成された第２電極から少なくともなるＥ
Ｌ素子であって、前記絶縁層の前記ＥＬ層側の面が、前
記第１電極の前記ＥＬ層側の面に対して垂直方向よりも
絶縁層側に傾斜していることを特徴とするものである。Accordingly, the EL device of the present invention comprises a substrate,
A first electrode patterned on the substrate, an insulating layer provided on the substrate between the first electrodes, and a photocatalyst-containing layer formed to cover the insulating layer and the first electrode And an EL layer formed on the first electrode via the photocatalyst-containing layer and divided by the insulating layer, and a second electrode formed on the EL layer.
An L element, wherein a surface of the insulating layer on the EL layer side is inclined toward the insulating layer more than a direction perpendicular to a surface of the first electrode on the EL layer side. It is.
【０００９】また、本発明の別の態様のＥＬ素子は、基
板と、前記基板上にパターニングされた第１電極と、前
記基板上であって前記第１電極間に設けられた絶縁層
と、前記絶縁層と前記第１電極とを覆うように形成され
た光触媒含有層と、前記第１電極上に前記光触媒含有層
を介して形成され、前記絶縁層によって区分されたＥＬ
層と、前記ＥＬ層上に形成された第２電極から少なくと
もなるＥＬ素子であって、前記ＥＬ層の絶縁層近傍の不
均一膜厚部が、前記ＥＬ素子の法線方向から見て、前記
第１電極と前記第２電極とが重なる部分からはみ出して
いることを特徴とするものである。According to another aspect of the present invention, there is provided an EL device comprising: a substrate; a first electrode patterned on the substrate; an insulating layer provided on the substrate between the first electrodes; A photocatalyst-containing layer formed so as to cover the insulating layer and the first electrode; and an EL formed over the first electrode with the photocatalyst-containing layer interposed therebetween and separated by the insulating layer.
An EL element comprising at least a layer and a second electrode formed on the EL layer, wherein the non-uniform film thickness portion of the EL layer near the insulating layer has a thickness in the normal direction of the EL element. The first electrode and the second electrode protrude from an overlapping portion.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】絶縁層 図１は、本発明のＥＬ素子の具体例を示す断面図であ
り、基板１上に絶縁層２が設けられ、基板１上の絶縁層
２の間に第１電極３が設けられ、絶縁層２と第１電極３
を覆うように光触媒含有層４が、第１電極３上にＥＬ層
５が、さらにその上に第２電極６が設けられている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Insulating Layer FIG. 1 is a sectional view showing a specific example of an EL device according to the present invention. An insulating layer 2 is provided on a substrate 1 and an insulating layer 2 is provided between the insulating layers 2 on the substrate 1. The first electrode 3 is provided, and the insulating layer 2 and the first electrode 3
, A photocatalyst containing layer 4 is provided, an EL layer 5 is provided on the first electrode 3, and a second electrode 6 is provided thereon.
【００１１】本発明のＥＬ素子において、絶縁層は、例
えば、光触媒含有層によって覆われた絶縁層とＥＬ層の
界面が、ＥＬ層と光触媒含有層によって覆われた第１電
極の界面に対して垂直方向よりも絶縁層側に傾斜してい
るものとすることができる。また、絶縁層とＥＬ層の界
面は、絶縁層側に凸の曲面形状であっても、ＥＬ層側に
凸の曲面形状を有するものであってもよい。In the EL device of the present invention, for example, the interface between the insulating layer and the EL layer covered by the photocatalyst containing layer is different from the interface between the EL layer and the first electrode covered by the photocatalyst containing layer. It may be inclined to the insulating layer side from the vertical direction. In addition, the interface between the insulating layer and the EL layer may have a curved surface shape convex toward the insulating layer side or a curved surface shape convex toward the EL layer side.
【００１２】また、絶縁層の断面形状としては、図１の
ように好ましくは絶縁層の上方部分が絶縁層の下方部分
よりも細くする。このようにするとＥＬ素子の真上から
第２電極を蒸着した場合でも断線せずに第２電極を形成
できる。また、このような形状であると、ＥＬ層形成液
の吐出方向が少しずれて絶縁層の斜面部分に付着して
も、ＥＬ層形成液が本来付着すべき絶縁層と絶縁層との
間の第１電極上に移動しやすいので好ましい。さらに図
１のように、絶縁層が第１電極のエッジを覆うように形
成すると、第１電極からのリークを防止でき好ましい。
絶縁層を構成する材料としては、絶縁性の樹脂、例え
ば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、他、光硬
化型樹脂、熱硬化型樹脂などが挙げられる。The cross section of the insulating layer is preferably such that the upper part of the insulating layer is thinner than the lower part of the insulating layer as shown in FIG. In this case, even when the second electrode is deposited from directly above the EL element, the second electrode can be formed without disconnection. Further, with such a shape, even if the discharge direction of the EL layer forming liquid is slightly shifted and adheres to the inclined surface of the insulating layer, the gap between the insulating layer to which the EL layer forming liquid should originally adhere and the insulating layer It is preferable because it easily moves on the first electrode. Further, as shown in FIG. 1, it is preferable that the insulating layer be formed so as to cover the edge of the first electrode, because leakage from the first electrode can be prevented.
As a material for forming the insulating layer, an insulating resin, for example, a photosensitive polyimide resin, an acrylic resin, a photocurable resin, a thermosetting resin, or the like can be given.
【００１３】絶縁層の形成は、ディスペンサー塗布、印
刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法など様
々な方法を用いることができる。このうちフォトリソグ
ラフィー法を用いてパターニングする方法は、例えば、
感光性の絶縁層材料を塗布した後、露光する際のマスク
と塗布面との距離、露光量、現像時間等を適宜調節する
ことによって絶縁層の形状を制御でき好ましい。絶縁層
の断面形状について上方部分を下方部分より細くするた
めには、具体的には例えば、絶縁層のレジストを塗布、
露光後、現像時間を長くする、または、基材の裏面から
露光するなどの方法を用いることができる。For forming the insulating layer, various methods such as dispenser coating, printing, ink jetting, and photolithography can be used. Among these, the method of patterning using photolithography method, for example,
After the photosensitive insulating layer material is applied, the shape of the insulating layer can be controlled by appropriately adjusting the distance between the mask and the coated surface, the amount of exposure, the development time, and the like when exposing, which is preferable. In order to make the upper part thinner than the lower part with respect to the cross-sectional shape of the insulating layer, specifically, for example, applying a resist of the insulating layer,
After the exposure, a method of extending the development time or exposing from the back surface of the base material can be used.
【００１４】光触媒含有層 （光触媒含有層）本発明において光触媒含有層とは、広
く光照射によって濡れ性が今後変化し得る層および既に
変化した層を意味する。また、光触媒とは、このような
変化を引き起こすものであれば、どのような物質であっ
てもよい。光触媒含有層はパターン状に露光することに
より、濡れ性の変化によるパターンを形成することがで
きる。典型的には光照射しない部位は撥水性であるが、
光照射した部位は高親水性となる。そして本発明におい
て、光触媒含有層は、絶縁層および第１電極とＥＬ層と
の間に設けられる。 Photocatalyst-Containing Layer (Photocatalyst-Containing Layer) In the present invention, the photocatalyst-containing layer means a layer whose wettability can be changed in the future by light irradiation and a layer which has already changed. The photocatalyst may be any substance that causes such a change. By exposing the photocatalyst-containing layer in a pattern, a pattern due to a change in wettability can be formed. Typically, the area not irradiated with light is water repellent,
The site irradiated with light becomes highly hydrophilic. And in this invention, a photocatalyst containing layer is provided between an insulating layer and a 1st electrode, and an EL layer.
【００１５】本発明においては、光触媒含有層の表面の
濡れ性の違いによるパターンを利用して光触媒含有層上
にＥＬ層のパターンを簡便に、品質良く形成することが
できる。具体的には例えば、絶縁層と第１電極とを覆う
ように形成された光触媒含有層のうち、第１電極の上の
部分に光を照射して濡れ性を高め、絶縁層上の部分には
光を照射させず濡れ性が低いままとする。そこにインク
ジェット法などでＥＬ層形成液を付着させると、ＥＬ層
形成液が多少はみ出したとしても第１電極上に戻される
ため、第１電極上に所定量のＥＬ層形成液が供給され、
ＥＬ層の厚みの均一化を図ることができる。In the present invention, the pattern of the EL layer can be easily formed on the photocatalyst-containing layer with good quality by utilizing the pattern due to the difference in wettability of the surface of the photocatalyst-containing layer. Specifically, for example, in the photocatalyst containing layer formed so as to cover the insulating layer and the first electrode, a portion above the first electrode is irradiated with light to increase wettability, and a portion on the insulating layer is formed. Do not irradiate light and keep the wettability low. When the EL layer forming liquid is adhered thereto by an ink-jet method or the like, even if the EL layer forming liquid slightly protrudes, the EL layer forming liquid is returned to the first electrode, so that a predetermined amount of the EL layer forming liquid is supplied on the first electrode,
The thickness of the EL layer can be made uniform.
【００１６】光触媒含有層の膜厚は、薄すぎると濡れ性
の違いが明確には発現しなくなりパターニングが困難に
なること、厚すぎると正孔または電子の輸送を阻害しＥ
Ｌ素子の発光に悪影響を及ぼすため、好ましくは５０〜
２０００Å、より好ましくは１００〜１０００Åとす
る。If the thickness of the photocatalyst-containing layer is too small, the difference in wettability does not clearly appear and patterning becomes difficult. If the thickness is too large, the transport of holes or electrons is hindered.
Since the light emission of the L element is adversely affected, preferably 50 to
2000 °, more preferably 100 to 1000 °.
【００１７】（濡れ性変化の原理）本発明においては、
光の照射によって近傍の物質（バインダーなど）に化学
変化を起こすことが可能な光触媒を用いて、光照射を受
けた部分に濡れ性の違いによるパターンを形成する。光
触媒による作用機構は、必ずしも明確なものではない
が、光の照射によって光触媒に生成したキャリアが、バ
インダーなどの化学構造を直接変化させ、あるいは酸
素、水の存在下で生じた活性酸素種によってバインダー
などの化学構造を変化させることにより、表面の濡れ性
が変化すると考えられる。(Principle of wettability change) In the present invention,
Using a photocatalyst capable of causing a chemical change in a nearby substance (such as a binder) by light irradiation, a pattern due to a difference in wettability is formed in a portion irradiated with light. The mechanism of action by the photocatalyst is not always clear, but the carrier generated in the photocatalyst by light irradiation directly changes the chemical structure of the binder or the like, or the active oxygen species generated in the presence of oxygen or water binds the binder. It is considered that the surface wettability changes by changing the chemical structure such as the above.
【００１８】（光触媒材料）光触媒材料としては、例え
ば光半導体として知られている酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化すず（ＳｎＯ２）・
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）・酸化タング
ステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化
鉄（Ｆｅ２Ｏ３）のような金属酸化物を挙げることがで
きるが、特に酸化チタンが好ましい。酸化チタンは、バ
ンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定であり、
毒性もなく、入手も容易である点で有利である。(Photocatalyst material) As a photocatalyst material, for example,
Titanium oxide (Ti)
O 2), Zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO)2) ・
Strontium titanate (SrTiO3) ・ Oxidized tongue
Stainless (WO3), Bismuth oxide (Bi)2O3), Oxidation
Iron (Fe2O3)).
However, titanium oxide is particularly preferred. Titanium oxide
High energy gap energy, is chemically stable,
It is advantageous in that it is nontoxic and easily available.
【００１９】光触媒としての酸化チタンにおいては、ア
ナターゼ型とルチル型のいずれも使用することができる
が、アナターゼ型酸化チタンが好ましい。具体的には例
えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（石原産
業（株）、ＳＴＳ−０１、平均結晶子径７ｎｍ）、硝酸
解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（日産化学、ＴＡ−
１５、平均結晶子径１２ｎｍ）を挙げることができる。As titanium oxide as a photocatalyst, both anatase type and rutile type can be used, but anatase type titanium oxide is preferable. Specifically, for example, anatase-type titania sol of peptic hydrochloride type (Ishihara Sangyo Co., Ltd., STS-01, average crystallite diameter 7 nm), anatase-type titania sol of nitrate-peptizing type (Nissan Chemical, TA-
15, average crystallite diameter of 12 nm).
【００２０】光触媒含有層中の光触媒の量は、５〜６０
重量％であることが好ましく、２０〜４０重量％である
ことがより好ましい。The amount of the photocatalyst in the photocatalyst-containing layer is 5 to 60.
% By weight, and more preferably 20 to 40% by weight.
【００２１】（バインダー成分）光触媒含有層に用いる
ことのできるバインダーは、好ましくは主骨格が前記光
触媒の光励起により分解されないような高い結合エネル
ギーを有するものであり、例えば、（１）ゾルゲル反応
等によりクロロまたはアルコキシシラン等を加水分解、
重縮合して大きな強度を発揮するオルガノポリシロキサ
ン、あるいは（２）撥水性や撥油性に優れた反応性シリ
コーンを架橋したオルガノポリシロキサン等を挙げるこ
とができる。(Binder Component) The binder that can be used in the photocatalyst-containing layer preferably has a high binding energy such that the main skeleton is not decomposed by the photoexcitation of the photocatalyst. Hydrolysis of chloro or alkoxy silane, etc.
Examples thereof include an organopolysiloxane which exhibits large strength by polycondensation, and (2) an organopolysiloxane obtained by crosslinking a reactive silicone having excellent water repellency and oil repellency.
【００２２】前記（１）の場合、一般式ＹｎＳｉＸ
４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表される珪素化合物の１種また
は２種以上の加水分解縮合物、共加水分解化合物が主体
であることができる。前記一般式では、Ｙは例えばアル
キル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基また
はエポキシ基であることができ、Ｘは例えばハロゲン、
メトキシル基、エトキシル基、またはアセチル基である
ことができる。In the case of the above (1), the general formula Y n SiX
One or more hydrolyzed condensates and co-hydrolyzed compounds of the silicon compound represented by 4-n (n = 1 to 3) can be the main component. In the above general formula, Y can be, for example, an alkyl group, a fluoroalkyl group, a vinyl group, an amino group or an epoxy group, and X is, for example, a halogen,
It can be a methoxyl, ethoxyl, or acetyl group.
【００２３】具体的には、メチルトリクロルシラン、メ
チルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシ
ラン、メチルトリｔ−ブトキシシラン；エチルトリクロ
ルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキ
シシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソ
プロポキシシラン、エチルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ
−プロピルトリクロルシラン、ｎ−プロピルトリブロム
シラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピ
ルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリイソプロポキ
シシラン、ｎ−プロピルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−
ヘキシルトリクロルシラン、ｎ−ヘキシルトリブロムシ
ラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシル
トリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリイソプロポキシ
シラン、ｎ−ヘキシルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−デ
シルトリクロルシラン、ｎ−デシルトリブロムシラン、
ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリエトキ
シシラン、ｎ−デシルトリイソプロポキシシラン、ｎ−
デシルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−オクタデシルトリ
クロルシラン、ｎ−オクタデシルトリブロムシラン、ｎ
−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシル
トリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリイソプロポ
キシシラン、ｎ−オクタデシルトリｔ−ブトキシシラ
ン；フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェ
ニルトリｔ−ブトキシシラン；テトラクロルシラン、テ
トラブロムシラン、テトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエト
キシシラン；ジメチルジクロルシラン、ジメチルジブロ
ムシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン；ジフェニルジクロルシラン、ジフェニルジ
ブロムシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシラン；フェニルメチルジクロルシラン、
フェニルメチルジブロムシラン、フェニルメチルジメト
キシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン；トリク
ロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメト
キシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイ
ソプロポキシヒドロシラン、トリｔ−ブトキシヒドロシ
ラン；ビニルトリクロルシラン、ビニルトリブロムシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリｔ
−ブトキシシラン；トリフルオロプロピルトリクロルシ
ラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフ
ルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロ
ピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイ
ソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリｔ−ブ
トキシシラン；γ−グリシドキシプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリｔ−ブトキシシラン；γ−
メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ
−メタアクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタアクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリｔ−ブトキシシラ
ン；γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリｔ−ブトキシシラン；
γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリ
ｔ−ブトキシシラン；β−（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、β−（３，４−エ
ポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン；お
よび、それらの部分加水分解物；およびそれらの混合物
を挙げることができる。Specifically, methyltrichlorosilane, methyltribromosilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriisopropoxysilane, methyltri-t-butoxysilane; ethyltrichlorosilane, ethyltribromosilane, ethyltrichlorosilane Methoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltri-t-butoxysilane; n
-Propyltrichlorosilane, n-propyltribromosilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltriisopropoxysilane, n-propyltri-t-butoxysilane; n-
Hexyltrichlorosilane, n-hexyltribromosilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, n-hexyltriisopropoxysilane, n-hexyltri-t-butoxysilane; n-decyltrichlorosilane, n-decyl Tribromosilane,
n-decyltrimethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-decyltriisopropoxysilane, n-
Decyltri-t-butoxysilane; n-octadecyltrichlorosilane, n-octadecyltribromosilane, n
-Octadecyltrimethoxysilane, n-octadecyltriethoxysilane, n-octadecyltriisopropoxysilane, n-octadecyltri-t-butoxysilane; phenyltrichlorosilane, phenyltribromosilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyl Triisopropoxysilane, phenyltri-t-butoxysilane; tetrachlorosilane, tetrabromosilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, dimethoxydiethoxysilane; dimethyldichlorosilane, dimethyldibromosilane, dimethyldimethoxysilane , Dimethyldiethoxysilane; diphenyldichlorosilane, diphenyldibromosilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane Phenyl methyldichlorosilane,
Phenylmethyldibromosilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenylmethyldiethoxysilane; trichlorohydrosilane, tribromohydrosilane, trimethoxyhydrosilane, triethoxyhydrosilane, triisopropoxyhydrosilane, tri-t-butoxyhydrosilane; vinyltrichlorosilane, vinyltribromo Silane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriisopropoxysilane, vinyltrit
-Butoxysilane; trifluoropropyltrichlorosilane, trifluoropropyltribromosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, trifluoropropyltriisopropoxysilane, trifluoropropyltri-t-butoxysilane; γ- Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ
Glycidoxypropyltriisopropoxysilane, γ
-Glycidoxypropyltri-t-butoxysilane; γ-
Methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ
-Methacryloxypropylmethyldiethoxysilane,
γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ
-Methacryloxypropyltriethoxysilane, γ-
Methacryloxypropyltriisopropoxysilane,
γ-methacryloxypropyltri-t-butoxysilane; γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-
Aminopropylmethyldiethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltriisopropoxysilane, γ-aminopropyltri-t-butoxysilane;
γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-
Mercaptopropylmethyldiethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltriisopropoxysilane, γ-mercaptopropyltri-t-butoxysilane; Cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane; and partial hydrolysates thereof; and mixtures thereof.
【００２４】また、バインダーとして、特に好ましくは
フルオロアルキル基を含有するポリシロキサンを用いる
ことができ、具体的には、下記のフルオロアルキルシラ
ンのの１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分
解縮合物が挙げられ、また、一般にフッ素系シランカッ
プリング剤として知られているものを使用してもよい。Further, as the binder, a polysiloxane containing a fluoroalkyl group can be particularly preferably used. Specifically, one or two or more kinds of hydrolyzed condensates of the following fluoroalkylsilanes may be used. Examples include a hydrolytic condensate, and those generally known as a fluorine-based silane coupling agent may be used.
【００２５】ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ （ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ３）３ （ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ３）３ （ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ３）３ ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ
３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ
３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ
３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣ
Ｈ３）２ ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣ
Ｈ３）２ ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣ
Ｈ３）２ ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣ
Ｈ３）２ （ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３
（ＯＣＨ３）２ （ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３
（ＯＣＨ３）２ （ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３
（ＯＣＨ３）２ ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２ ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ
３（ＯＣＨ３）２ ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ
３（ＯＣＨ３）２ ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ
３（ＯＣＨ３）２ ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２Ｃ
Ｈ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２Ｃ
Ｈ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２Ｃ
Ｈ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２Ｃ
Ｈ３）３ ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ２Ｈ４ＣＨ
２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３ 上記のようなフルオロアルキル基を含有するポリシロキ
サンをバインダーとして用いることにより、光触媒含有
層の非光照射部の撥水性および撥油性が大きく向上す
る。CF 3 (CF 2 ) 3 CH 2 CH 2 Si (O
CH 3) 3 CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 (CF 3 ) 2 CF (CF 2 ) 4 CH 2 CH 2 Si (OC
H 3) 3 (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 CH 2 CH 2 Si (OC
H 3) 3 (CF 3) 2 CF (CF 2) 8 CH 2 CH 2 Si (OC
H 3) 3 CF 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3 CF 3 (CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH
3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 5 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 Si (OCH
3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 7 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 Si (OCH
3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 3 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3 ) 2 CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3 ) 2 CF 3 (CF 2 ) 7 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3 ) 2 CF 3 (CF 2 ) 9 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3) 2 (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 SiCH 3
(OCH 3 ) 2 (CF 3 ) 2 CF (CF 2 ) 6 CH 2 CH 2 SiCH 3
(OCH 3 ) 2 (CF 3 ) 2 CF (CF 2 ) 8 CH 2 CH 2 SiCH 3
(OCH 3 ) 2 CF 3 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3 ) 2 CF 3 (CF 2 ) 3 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 SiCH
3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 5 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH
3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 7 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH
3 (OCH 3 ) 2 CF 3 (CF 2 ) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3) 3 CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (C 2 H 5) C 2 H 4 CH
2 Si (OCH 3 ) 3 By using a polysiloxane containing a fluoroalkyl group as described above as a binder, the water repellency and oil repellency of the non-light-irradiated portion of the photocatalyst containing layer are greatly improved.
【００２６】前記（２）の反応性シリコーンとしては、
下記一般式で表される骨格を持つ化合物を挙げることが
できる。The reactive silicone of the above (2) includes:
A compound having a skeleton represented by the following general formula can be given.
【００２７】−（Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）Ｏ）ｎ− ただし、ｎは２以上の整数、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ炭素
数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニ
ル、アリールあるいはシアノアルキル基であることがで
きる。好ましくは全体の４０モル％以下がビニル、フェ
ニル、ハロゲン化フェニルであることができる。また、
Ｒ１および／またはＲ２がメチル基であるものが表面エ
ネルギーが最も小さくなるので好ましく、好ましくはメ
チル基が６０モル％以上であり、鎖末端または側鎖に
は、分子鎖中に少なくとも１個以上の水酸基などの反応
性基を有する。-(Si (R 1 ) (R 2 ) O) n-wherein n is an integer of 2 or more, and R 1 and R 2 are each a substituted or unsubstituted alkyl, alkenyl or aryl having 1 to 10 carbon atoms. Alternatively, it can be a cyanoalkyl group. Preferably, up to 40 mol% of the total can be vinyl, phenyl or phenyl halide. Also,
It is preferable that R 1 and / or R 2 be a methyl group because the surface energy is minimized. Preferably, the methyl group is at least 60 mol%, and at least one of the methyl group and the chain end or side chain in the molecular chain It has a reactive group such as the above hydroxyl group.
【００２８】また、前記のオルガノポリシロキサンとと
もにジメチルポリシロキサンのような架橋反応を起こさ
ない安定なオルガノシリコン化合物をバインダーに混合
してもよい。Further, a stable organosilicon compound which does not cause a crosslinking reaction such as dimethylpolysiloxane may be mixed with the above-mentioned organopolysiloxane in a binder.
【００２９】（光触媒含有層に用いるその他の成分）光
触媒含有層には、未露光部の濡れ性を低下させるため界
面活性剤を含有させることができる。この界面活性剤は
光触媒により分解除去されるものであれば限定されない
が、具体的には、好ましくは例えば日本サーファクタン
ト工業製：ＮＩＫＫＯＬ ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各
シリーズ等の炭化水素系の界面活性剤、デュポン社製：
ＺＯＮＹＬ ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子製：サーフロンＳ
−１４１、１４５、大日本インキ製：メガファックＦ−
１４１、１４４、ネオス製：フタージェントＦ−２０
０、Ｆ２５１、ダイキン工業製：ユニダインＤＳ−４０
１、４０２、スリーエム製：フロラードＦＣ−１７０、
１７６等のフッ素系あるいはシリコーン系の非イオン界
面活性剤を挙げることができる。また、カチオン系、ア
ニオン系、両性界面活性剤を用いることもできる。(Other Components Used in Photocatalyst-Containing Layer) The photocatalyst-containing layer may contain a surfactant in order to reduce the wettability of the unexposed portion. The surfactant is not limited as long as it can be decomposed and removed by a photocatalyst. Specifically, preferably, the surfactant is, for example, a hydrocarbon interface such as NIKKOL BL, BC, BO, or BB series manufactured by Nippon Surfactant Industries. Activator, manufactured by DuPont:
ZONYL FSN, FSO, made by Asahi Glass: Surflon S
-141, 145, manufactured by Dainippon Ink: Megafac F-
141, 144, manufactured by Neos: Futuregent F-20
0, F251, manufactured by Daikin Industries: Unidyne DS-40
1, 402, manufactured by 3M: Florard FC-170,
176 and the like, and a fluorine-based or silicone-based nonionic surfactant. In addition, cationic, anionic and amphoteric surfactants can also be used.
【００３０】また、光触媒含有層には、他の成分、例え
ば、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、アク
リル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレ
ンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、スチレ
ンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレ
ン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ナ
イロン、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイ
ミダゾール、ポリアクリロニトリル、エピクロルヒドリ
ン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマ
ー、ポリマーを含むことができる。The photocatalyst-containing layer contains other components such as polyvinyl alcohol, unsaturated polyester, acrylic resin, polyethylene, diallyl phthalate, ethylene propylene diene monomer, epoxy resin, phenol resin, polyurethane, melamine resin, polycarbonate, Oligomers and polymers such as polyvinyl chloride, polyamide, polyimide, styrene butadiene rubber, chloroprene rubber, polypropylene, polybutylene, polystyrene, polyvinyl acetate, nylon, polyester, polybutadiene, polybenzimidazole, polyacrylonitrile, epichlorohydrin, polysulfide, polyisoprene, etc. Can be included.
【００３１】さらに、光触媒含有層には、光触媒の光活
性を増感させる成分である増感色素を含んでいてもよ
い。このような増感色素の添加により、低い露光量で濡
れ性を変化させるあるいは異なる波長の露光で濡れ性を
変化させることができる。また、光触媒含有層には、Ｅ
Ｌ材料を添加することもでき、例えば、電荷注入材料、
電荷輸送材料または発光材料を混合することによりＥＬ
素子の発光特性を向上させることができる。Further, the photocatalyst-containing layer may contain a sensitizing dye which is a component for sensitizing the photoactivity of the photocatalyst. By adding such a sensitizing dye, the wettability can be changed at a low exposure dose, or the wettability can be changed at a different wavelength. In addition, the photocatalyst containing layer has E
L material can also be added, for example, a charge injection material,
EL can be obtained by mixing a charge transport material or a luminescent material.
The light emitting characteristics of the element can be improved.
【００３２】（光触媒含有層の形成方法）光触媒含有層
の形成方法は特に限定されないが、例えば光触媒を含ん
だ塗布液を、スピンコート、ディップコート、ロールコ
ート、ビードコートなどの方法により基材に塗布して形
成することができる。(Method for Forming Photocatalyst-Containing Layer) The method for forming the photocatalyst-containing layer is not particularly limited. For example, a coating solution containing a photocatalyst is applied to a substrate by a method such as spin coating, dip coating, roll coating, or bead coating. It can be formed by coating.
【００３３】光触媒等を含む塗布液を用いる場合に、塗
布液に使用することができる溶剤としては、特に限定さ
れないが、例えばエタノール、イソプロパノール等のア
ルコール系の有機溶剤を挙げることができる。When a coating solution containing a photocatalyst or the like is used, the solvent that can be used for the coating solution is not particularly limited, and examples thereof include alcoholic organic solvents such as ethanol and isopropanol.
【００３４】（光触媒を作用させる照射光線）光触媒を
作用させるための照射光線は、光触媒を励起することが
できれば限定されない。このようなものとしては紫外
線、可視光線、赤外線の他、これらの光線よりもさらに
短波長または長波長の電磁波、放射線であることができ
る。(Irradiation Light for Activating the Photocatalyst) The irradiation light for activating the photocatalyst is not limited as long as the photocatalyst can be excited. Examples of such a material include ultraviolet light, visible light, and infrared light, as well as electromagnetic waves and radiation having a shorter or longer wavelength than these light beams.
【００３５】例えば光触媒として、アナターゼ型チタニ
アを用いる場合は、励起波長が３８０ｎｍ以下にあるの
で、光触媒の励起は紫外線により行うことができる。こ
のような紫外線を発するものとしては水銀ランプ、メタ
ルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザ
ー、その他の紫外線光源を使用することができる。For example, when anatase type titania is used as the photocatalyst, since the excitation wavelength is 380 nm or less, the photocatalyst can be excited by ultraviolet rays. As a device emitting such ultraviolet rays, a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, an excimer laser, and other ultraviolet light sources can be used.
【００３６】ＥＬ層 本発明のＥＬ素子に設けられるＥＬ層は、エレクトロル
ミネッセンスを起こすものであれば限定されない。ま
た、ＥＬ層は第１電極上に光触媒含有層を介在させて設
けられる。ＥＬ層の絶縁層近傍は濡れ性および表面張力
の関係でメニスカスが生じ、不均一膜厚部が形成される
ことがあるが、この不均一膜厚部が、ＥＬ素子の法線方
向から見て、第１電極と第２電極とが重なる部分からは
み出していることが好ましい。 EL Layer The EL layer provided in the EL device of the present invention is not limited as long as it causes electroluminescence. The EL layer is provided on the first electrode with a photocatalyst containing layer interposed. In the vicinity of the insulating layer of the EL layer, a meniscus may be generated due to the relationship between wettability and surface tension, and a non-uniform film thickness portion may be formed. It is preferable that the first electrode and the second electrode protrude from the overlapping portion.
【００３７】本発明のＥＬ層はさらに、その構成要素と
して、必須の層として発光層、任意の層として、発光層
に正孔を輸送する正孔輸送層および電子を輸送する電子
輸送層（これらはまとめて、電荷輸送層とよぶことがあ
る）、ならびに、発光層または正孔輸送層に正孔を注入
する正孔注入層および発光層または電子輸送層に電子を
注入する電子注入層（これらはまとめて、電荷注入層と
よぶことがある）を設けることができる。The EL layer of the present invention further comprises, as constituent elements thereof, a light-emitting layer as an essential layer, a hole transport layer for transporting holes to the light-emitting layer, and an electron transport layer for transporting electrons (optional). May be collectively referred to as a charge transport layer), and a hole injection layer for injecting holes into the light emitting layer or the hole transport layer, and an electron injection layer for injecting electrons into the light emitting layer or the electron transport layer (these may be referred to as a charge transport layer). May be collectively referred to as a charge injection layer).
【００３８】これらＥＬ層を構成する材料としては例え
ば以下のものが挙げられる。Examples of the materials constituting these EL layers include the following.
【００３９】（発光層） ＜色素系＞シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニル
ブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサ
ジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリ
ルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロ
ール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、
ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘
導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダ
イマー、ビラゾリンダイマー ＜金属錯体系＞アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリ
ノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、
ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポル
フィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体、等、中心金属に
Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土
類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾ
ール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾー
ル、キノリン構造等を有する金属錯体。(Light Emitting Layer) <Dye System> Cyclopentadiene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, triphenylamine derivative, oxadiazole derivative, pyrazoloquinoline derivative, distyrylbenzene derivative, distyrylarylene derivative, silole derivative, thiophene ring Compound, pyridine ring compound,
Perinone derivative, perylene derivative, oligothiophene derivative, trifmanylamine derivative, oxadiazole dimer, virazoline dimer <metal complex type> aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex,
Benzothiazole zinc complex, azomethyl zinc complex, porphyrin zinc complex, eurobium complex, etc., have Al, Zn, Be, etc. as a central metal or rare earth metals such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole as a ligand, Metal complexes having a thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure or the like.
【００４０】＜高分子系＞ポリパラフェニレンビニレン
誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘
導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリ
ビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体 （ドーピング材料）ペリレン誘導体、クマリン誘導体、
ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘
導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセ
ン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキ
サゾン （正孔注入層（陽極バッファー材料））フェニルアミン
系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸
化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化
アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリ
アニリン、ポリチオフェン誘導体 （電子注入層（陰極バッファー材料））アルミリチウ
ム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウ
ム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ
化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸
化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム （ＥＬ層の形成）ＥＬ層は、ＥＬ層形成液を光触媒層に
付着させた後、硬化させることにより形成できる。<Polymer system> Polyparaphenylene vinylene derivative, polythiophene derivative, polyparaphenylene derivative, polysilane derivative, polyacetylene derivative, polyvinylcarbazole, etc., polyfluorene derivative (doping material) perylene derivative, coumarin derivative,
Rubrene derivative, quinacridone derivative, squarium derivative, porphyrin derivative, styryl dye, tetracene derivative, pyrazoline derivative, decacyclene, phenoxazone (hole injection layer (anode buffer material)) phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, oxidation Oxides such as vanadium, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline, and polythiophene derivatives (electron injection layer (cathode buffer material)) aluminum lithium, lithium fluoride, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, fluoride Strontium, calcium fluoride, barium fluoride, aluminum oxide, strontium oxide, calcium, polymethyl methacrylate, polystyrene sulfonate Potassium (formation of the EL layer) EL layer, after depositing the EL layer forming liquid on the photocatalyst layer can be formed by curing.
【００４１】ＥＬ層形成液は、溶媒が水などの極性溶媒
であることが好ましい。このような極性溶媒を用いたＥ
Ｌ層形成液は、光触媒層との濡れ性が高く、かつ非露光
部とははじきあう傾向が強く、ＥＬ層形成液をパターニ
ングする上で有利である。In the EL layer forming liquid, the solvent is preferably a polar solvent such as water. E using such a polar solvent
The L layer forming liquid has high wettability with the photocatalyst layer and has a strong tendency to repel the non-exposed portion, which is advantageous in patterning the EL layer forming liquid.
【００４２】また、光触媒層へのＥＬ層形成液の付着方
法としては、典型的にはインクジェット法が挙げられる
が、それに限られない。As a method for attaching the EL layer forming liquid to the photocatalyst layer, an ink jet method is typically used, but the method is not limited thereto.
【００４３】インクジェット法などの方法により、液体
状のＥＬ層形成液を用いてＥＬ層を形成したＥＬ素子
は、通常絶縁層とＥＬ層形成液との濡れ性の高さや表面
張力および絶縁層との濡れ性の高さのため、絶縁層近傍
のＥＬ層が盛り上がることが多い。本発明においてはそ
のようにＥＬ層が盛り上がる場合に限らず、絶縁層とＥ
Ｌ層形成液の濡れ性が低いため、絶縁層近傍のＥＬ層が
下がる場合、その他様々な原因によって絶縁層近傍のＥ
Ｌ層の厚みが変化する場合に有用である。An EL element in which an EL layer is formed by using a liquid EL layer forming liquid by a method such as an ink-jet method usually has a high wettability between the insulating layer and the EL layer forming liquid, a surface tension, and an insulating layer. Due to the high wettability of the EL layer, the EL layer near the insulating layer often rises. In the present invention, the present invention is not limited to the case where the EL layer is raised as described above.
When the EL layer in the vicinity of the insulating layer is lowered due to low wettability of the L layer forming liquid, the E layer in the vicinity of the insulating layer may be reduced due to various other reasons.
This is useful when the thickness of the L layer changes.
【００４４】本発明のＥＬ素子においては、例えばＥＬ
層がストライプ状にパターニングされたものまたはＥＬ
層がセグメント状にパターニングされたものであること
ができる。In the EL device of the present invention, for example, EL
Layers patterned in stripes or EL
The layers may be patterned in segments.
【００４５】電極 本発明のＥＬ素子においては、基板上に先に設ける電極
を第１電極、ＥＬ層上に設ける電極を第２電極として呼
ぶ。これらの電極は、特に限定されないが、好ましく
は、電極は陽極と陰極からなるが、第１電極は陽極、陰
極のいずれであってもよい。陽極と陰極のどちらか一方
が、透明または、半透明であり、陽極としては、正孔が
注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料が好まし
く、逆に陰極としては、電子が注入し易いように電子親
和力の小さい導電性材料が好ましい。また、複数の材料
を混合させてもよい。いずれの電極も、抵抗はできるだ
け小さいものが好ましく、一般には、金属材料が用いら
れるが、有機物あるいは無機化合物を用いてもよい。 Electrodes In the EL device of the present invention, the electrode provided first on the substrate is referred to as a first electrode, and the electrode provided on the EL layer is referred to as a second electrode. Although these electrodes are not particularly limited, preferably, the electrodes include an anode and a cathode, but the first electrode may be either an anode or a cathode. Either the anode or the cathode is transparent or translucent, and the anode is preferably a conductive material having a large work function so that holes can be easily injected. Conversely, the cathode is easily injected with electrons. Thus, a conductive material having a small electron affinity is preferable. Further, a plurality of materials may be mixed. The resistance of each electrode is preferably as low as possible. In general, a metal material is used, but an organic substance or an inorganic compound may be used.
【００４６】具体的には好ましい陽極材料は、ＩＴＯ、
酸化インジウム、金、ポリアニリン、陰極材料として
は、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ他）、アルミニウム合
金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ他）、金属カルシウ
ムが挙げられる。また、第１電極がストライプ状にパタ
ーニングされたものまたは第１電極がセグメント状にパ
ターニングされたものであることができる。Specifically, preferred anode materials are ITO,
Examples of indium oxide, gold, polyaniline, and cathode materials include magnesium alloys (eg, MgAg), aluminum alloys (eg, AlLi, AlCa, AlMg), and calcium metal. Further, the first electrode may be patterned in a stripe shape or the first electrode may be patterned in a segment shape.
【００４７】基板 本発明のＥＬ素子においては基板を設けるが、この基板
は、その上に電極や絶縁層が設けられるものであり、材
料は特に限定されない。所望により透明材料からなるこ
とができるが、不透明材料であってもよい。 Substrate In the EL device of the present invention, a substrate is provided. The substrate is provided with electrodes and an insulating layer thereon, and the material is not particularly limited. It can be made of a transparent material if desired, but may be an opaque material.
【００４８】用途 本発明のＥＬ素子は好ましくは、ディスプレイ、より好
ましくはフルカラーディスプレイに用いることができ
る。 Use The EL device of the present invention can be preferably used for a display, more preferably for a full color display.
【００４９】ＥＬ素子の製造方法 本発明のＥＬ素子の製造方法は、少なくとも、基板上に
第１電極をパターン形成する工程と、基板上に絶縁層を
形成する工程と、第１電極および絶縁層上に光触媒含有
層を形成する工程と、光触媒含有層上のＥＬ層形成領域
に、光触媒含有層の濡れ性を変化させる光照射を行う工
程と、ＥＬ層形成領域にＥＬ層形成液を塗布または吐出
させる工程と、ＥＬ層形成液からＥＬ層を形成する工程
と、ＥＬ層上に第２電極を形成する工程により製造す
る。各々の工程は前述のようにあるいは従来のＥＬ素子
の製造方法と同様に行うことができる。微細なパターン
を形成する際には、第１電極のパターンと垂直方法にカ
ソードセパレータを設けることにより第２電極をセパレ
ートする。 Method for Producing EL Element The method for producing an EL element of the present invention comprises at least a step of patterning a first electrode on a substrate, a step of forming an insulating layer on the substrate, a step of forming the first electrode and the insulating layer A step of forming a photocatalyst-containing layer thereon, a step of performing light irradiation to change the wettability of the photocatalyst-containing layer to the EL layer-forming region on the photocatalyst-containing layer, and applying an EL layer-forming liquid to the EL layer-forming region. It is manufactured by a step of discharging, a step of forming an EL layer from an EL layer forming liquid, and a step of forming a second electrode on the EL layer. Each step can be performed as described above or in the same manner as in a conventional EL element manufacturing method. When forming a fine pattern, the second electrode is separated by providing a cathode separator in a manner perpendicular to the pattern of the first electrode.
【００５０】[0050]
【実施例】実施例１ （ＩＴＯパターン基板の作製）洗浄したガラス基板上に
第１電極としてＩＴＯをスパッタにより１５００Åの膜
厚で成膜した後、８２μｍのライン幅で１８μｍのピッ
チのＩＴＯ電極パターンをフォトリソグラフィー法によ
り形成した。 EXAMPLE 1 (Production of ITO Patterned Substrate) ITO was deposited as a first electrode on a cleaned glass substrate by sputtering at a film thickness of 1500 °, and then an ITO electrode pattern having a line width of 82 μm and a pitch of 18 μm was formed. Was formed by a photolithography method.
【００５１】（絶縁層の成膜）ＩＴＯパターンを設けた
基材に、ポジ型レジスト（ＺＰＰ−１８５０：日本ゼオ
ン（株）製）を乾燥膜厚が１μｍになるようにスピン塗
布した後、１１０℃で９０秒間ベーキングした。その
後、ＩＴＯのあるピッチ部分を中心に７５μｍの幅で、
フォトマスクを用いて３６５ｎｍのＵＶ光を１５０ｍＪ
露光量で露光した。このとき、フォトマスクと基板を１
ｍｍのギャップを設けて露光した。これを２．３８％の
ＴＭＨＤ液を現像液として７０秒間現像した後、１３０
℃で１時間ベーキングすることにより、図２に示す形状
の絶縁層を得た。(Formation of Insulating Layer) A positive resist (ZPP-1850: manufactured by Zeon Corporation) is spin-coated on a substrate provided with an ITO pattern so as to have a dry film thickness of 1 μm. Baking at 90 ° C. for 90 seconds. Then, with a width of 75 μm around the pitch part of ITO,
Using a photomask, UV light of 365 nm was irradiated at 150 mJ.
Exposure was performed at the exposure amount. At this time, the photomask and the substrate
Exposure was performed with a gap of mm. This was developed for 70 seconds using a 2.38% TMHD solution as a developing solution, and then developed for 130 seconds.
By baking at 1 ° C. for 1 hour, an insulating layer having the shape shown in FIG. 2 was obtained.
【００５２】（カソードセパレーターの形成）ネガ型レ
ジスト（ＺＰＮ−１１００：日本ゼオン（株）製）を乾
燥膜厚が４μｍになるようにスピン塗布した後、ホット
プレートで９０℃で９０秒間乾燥した。これに、ＩＴＯ
のパターン方向と直交する方向の絶縁層上に２０μｍの
ライン幅でマスクをし、ＵＶ光を６０ｍＪ露光量で露光
した後、１１０℃で６０秒間ベーキングした。さらに
２．３８％のＴＭＡＨＯ液を用いて７０秒間現像するこ
とにより、逆テーパー状のカソードセパレーターを形成
した。(Formation of Cathode Separator) A negative resist (ZPN-1100: manufactured by Zeon Corporation) was spin-coated so as to have a dry film thickness of 4 μm, and then dried on a hot plate at 90 ° C. for 90 seconds. To this, ITO
Was masked with a line width of 20 μm on the insulating layer in a direction perpendicular to the pattern direction of the above, and was exposed to UV light at an exposure of 60 mJ, and then baked at 110 ° C. for 60 seconds. Further, development was performed for 70 seconds using a 2.38% TMAHO solution to form a reverse tapered cathode separator.
【００５３】（光触媒含有層の成膜および濡れ性パター
ンの形成）この絶縁層を設けた基板上に光触媒含有層用
の塗布液として ・酸化チタンゾル（石原産業（株）製ＳＴＳ−０１） …０．３重量部 ・テトラエトキシシラン …０．１重量部 ・フルオロアルコキシシラン （トーケムプロダクツ（株）製ＭＦ−１６０Ｅ） …０．００１重量部 ・２規定の塩酸 …４重量部 ・イソプロピルアルコール …７．５重量部 を混合した塗布液をスピンコーターで塗布し、１５０
℃、１０分間の乾燥処理により加水分解、重縮合反応を
進行させ、光触媒がオルガノスロキサン中に強固に固定
された、膜厚２０ｎｍの透明な光触媒層を形成した。(Film formation of photocatalyst containing layer and formation of wettability pattern) On the substrate provided with this insulating layer, as a coating solution for the photocatalyst containing layer: Titanium oxide sol (STS-01 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) ... 0 0.3 parts by weight Tetraethoxysilane 0.1 parts by weight Fluoroalkoxysilane (MF-160E manufactured by Tochem Products Co., Ltd.) 0.001 part by weight 2 N hydrochloric acid 4 parts by weight Isopropyl alcohol 7 A coating solution mixed with 0.5 parts by weight was applied by a spin coater,
The hydrolysis and the polycondensation reaction were allowed to proceed by a drying treatment at 10 ° C. for 10 minutes to form a 20 nm-thick transparent photocatalyst layer in which the photocatalyst was firmly fixed in organothroxane.
【００５４】図３に示すように、得られた光触媒層にマ
スクを介して絶縁層と絶縁層の間の第１電極が形成され
た部位のみに光照射し、濡れ性を変化させた。光照射と
しては、水銀灯（波長３６５ｎｍ）により、７０ｍＷ／
ｃｍ２の照度で５０秒間パターン照射した。光照射部位
と非照射部位との水の接触角を、接触角測定器（協和界
面科学（株）製ＣＡ−Ｚ型）を用い、マイクロシリンジ
から水滴を滴下して３０秒後に測定すると、非照射部位
における水に対する接触角は１４２度であるのに対し
て、照射部位における水の接触角は１０度以下であり、
照射部位と非照射部位との濡れ性の相違によるパターン
形成が可能であることを確認した。As shown in FIG. 3, the obtained photocatalytic layer was irradiated with light through a mask only on the portion where the first electrode was formed between the insulating layers to change the wettability. The light irradiation was performed using a mercury lamp (wavelength 365 nm) at 70 mW /
Pattern irradiation was performed for 50 seconds at an illuminance of cm 2 . When the contact angle of water between the light-irradiated part and the non-irradiated part is measured 30 seconds after a water drop is dropped from a micro syringe using a contact angle measuring device (CA-Z type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.), While the contact angle with water at the irradiation site is 142 degrees, the contact angle of water at the irradiation site is 10 degrees or less,
It was confirmed that pattern formation was possible due to the difference in wettability between the irradiated part and the non-irradiated part.
【００５５】（有機ＥＬ層の成膜） 発光材料を含む塗布液の調整 下記の組成の塗布液（ＥＬ層形成液）を調整した。 ・ ポリビニルカルバゾール…７重量部 ・ 発光色素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）…０．１重量部 ・ オキサジアゾール化合物…３重量部 ・ トルエン…５０５０重量部 これらは以下のような構造式を有する。(Formation of Organic EL Layer) Preparation of Coating Solution Containing Light-Emitting Material A coating solution (EL layer forming solution) having the following composition was prepared. Polyvinyl carbazole: 7 parts by weight Luminescent dye (R, G, B): 0.1 part by weight Oxadiazole compound: 3 parts by weight Toluene: 5050 parts by weight These have the following structural formula.
【００５６】ポリビニルカルバゾール構造式Polyvinylcarbazole structural formula
【化１】 オキサジアゾール化合物構造式Embedded image Oxadiazole compound structural formula
【化２】 発光色素（Ｇ）クマリン６構造式Embedded image Luminescent dye (G) coumarin 6 structural formula
【化３】 発光色素（Ｒ）ナイルレッドEmbedded image Luminescent dye (R) Nile Red
【化４】 発光色素（Ｂ）ベリレン化合物Embedded image Luminescent dye (B) berylen compound
【化５】 発光材料を含む塗布液の塗布 上記のＲ，Ｇ，Ｂの各色の塗布液をインクジェット塗布
装置を使用して、パターン状に光照射した光触媒含有層
上に、交互に配列するように塗り分けた後、８０度で３
０分間乾燥させ、それぞれ膜厚１０００Åの３色の発光
層を光照射部のみ交互形成した。Embedded image Application of Coating Liquid Containing Light-Emitting Material The coating liquids of the above-described R, G, and B colors were separately applied to the photocatalyst-containing layer irradiated with light in a pattern using an inkjet coating apparatus so as to be alternately arranged. Later, at 80 degrees 3
After drying for 0 minutes, light-emitting layers of three colors each having a thickness of 1000 ° were alternately formed only in the light-irradiated portions.
【００５７】（陰極の成膜）第２電極としてＬｉＦを５
ｎｍ、Ａｌを２０００Åの膜厚で蒸着し、カソードセパ
レーターにより７６μｍのライン幅、ピッチ３０μｍで
ＩＴＯラインと直交する方向に形成し、フルカラーのデ
ィスプレイを作製した。(Formation of Cathode) LiF 5
nm and Al were deposited in a thickness of 2000 ° and formed in a direction perpendicular to the ITO lines with a line width of 76 μm and a pitch of 30 μm by a cathode separator to produce a full-color display.
【００５８】実施例２ インクジェット装置を用いる代わりに、ディップコータ
ーを用いて単色（Ｇ）のＥＬ塗布液を塗布すること以外
は実施例１と同様にしてモノクロディスプレイを作製し
た。 Example 2 A monochrome display was produced in the same manner as in Example 1 except that a monochromatic (G) EL coating solution was applied using a dip coater instead of using an ink jet apparatus.
【００５９】比較例１ 絶縁層としてネガ型レジスト（ＺＰＮ−１１００：日本
ゼオン（株）製）用いてＩＴＯのないピッチ部分を中心
に３０μｍの幅でフォトマスクを用いて６０ｍＪの露光
をした後、１１０℃で６０秒間加熱した。さらに２．３
８％のＴＭＡＨＯで７０秒間現像した後、真空乾燥した
以外は、実施例１と同様にしてフルカラーディスプレイ
を作製した。図４にＥＬ層形成前の断面図を示す。COMPARATIVE EXAMPLE 1 A negative resist (ZPN-1100: manufactured by Zeon Corporation) was used as an insulating layer, and a 60 μJ exposure was performed using a photomask with a width of 30 μm around a pitch portion without ITO, using a photomask. Heated at 110 ° C. for 60 seconds. Further 2.3
After developing with 8% TMAHO for 70 seconds, a full-color display was produced in the same manner as in Example 1 except that the layer was vacuum-dried. FIG. 4 shows a cross-sectional view before the EL layer is formed.
【００６０】比較例２ 絶縁層を設けない以外は、実施例１と同様にしてフルカ
ラーディスプレイを作製した。図５にＥＬ層形成前の断
面図を示す。 Comparative Example 2 A full-color display was manufactured in the same manner as in Example 1 except that no insulating layer was provided. FIG. 5 shows a cross-sectional view before the EL layer is formed.
【００６１】（ディスプレイの点灯評価）実施例１、２
および比較例１、２のディスプレイにおいて、全面発光
させることにより発光ムラを目視評価したところ、比較
例１、２に対して、実施例１、２の方が発光ムラが少な
く均一な発光が得られることが確認できた。(Evaluation of Display Lighting) Examples 1 and 2
In the displays of Comparative Examples 1 and 2, light emission unevenness was visually evaluated by emitting light over the entire surface. As compared with Comparative Examples 1 and 2, the light emission unevenness was smaller and uniform light emission was obtained. That was confirmed.
【００６２】[0062]
【発明の効果】本発明によって、第２電極の断線を防止
し、ＥＬ層形成液のはみ出しによるＥＬ層の部分的薄膜
化やＥＬ層周囲の不均一膜厚部分に起因する不均一発光
を防止し、発光効率を高め、発光領域を広め、歩留まり
を向上できるＥＬ素子が提供できる。According to the present invention, the disconnection of the second electrode is prevented, and the EL layer is partially thinned due to the protrusion of the EL layer forming liquid, and the uneven light emission caused by the uneven film thickness around the EL layer is prevented. In addition, it is possible to provide an EL element that can increase luminous efficiency, widen a luminous region, and improve yield.
【図１】本発明のＥＬ素子の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an EL device of the present invention.
【図２】本発明の実施例における絶縁層の形状の断面説
明図である。FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view of a shape of an insulating layer according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例におけるＥＬ層形成前の断面説
明図である。FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view before an EL layer is formed in an example of the present invention.
【図４】本発明の比較例１におけるＥＬ層形成前の断面
説明図である。FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view before forming an EL layer in Comparative Example 1 of the present invention.
【図５】本発明の比較例２におけるＥＬ層形成前の断面
説明図である。FIG. 5 is an explanatory sectional view before an EL layer is formed in Comparative Example 2 of the present invention.
１ 基板 ２ 絶縁層 ３ 第１電極 ４ 光触媒含有層 ４’光照射により濡れ性が高まった光触媒含有層 ５ ＥＬ層 ６ 第２電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Insulating layer 3 First electrode 4 Photocatalyst containing layer 4 Photocatalyst containing layer whose wettability was increased by light irradiation 5 'EL layer 6 Second electrode
Claims (10)
第１電極と、前記基板上であって前記第１電極間に設け
られた絶縁層と、前記絶縁層と前記第１電極とを覆うよ
うに形成された光触媒含有層と、前記第１電極上に前記
光触媒含有層を介して形成され前記絶縁層によって区分
されたＥＬ層と、前記ＥＬ層上に形成された第２電極か
ら少なくともなるＥＬ素子であって、 前記絶縁層の前記ＥＬ層側の面が、前記第１電極の前記
ＥＬ層側の面に対して垂直方向よりも絶縁層側に傾斜し
ていることを特徴とする、ＥＬ素子。1. A substrate, a first electrode patterned on the substrate, an insulating layer provided on the substrate between the first electrodes, and covering the insulating layer and the first electrode. A photocatalyst-containing layer formed as described above, an EL layer formed on the first electrode via the photocatalyst-containing layer, divided by the insulating layer, and a second electrode formed on the EL layer. An EL element, wherein a surface of the insulating layer on the EL layer side is inclined to an insulating layer side relative to a direction perpendicular to a surface of the first electrode on the EL layer side, EL element.
第１電極と、前記基板上であって前記第１電極間に設け
られた絶縁層と、前記絶縁層と前記第１電極とを覆うよ
うに形成された光触媒含有層と、前記第１電極上に前記
光触媒含有層を介して形成され前記絶縁層によって区分
されたＥＬ層と、前記ＥＬ層上に形成された第２電極か
ら少なくともなるＥＬ素子であって、 前記ＥＬ層の絶縁層近傍の不均一膜厚部が、前記ＥＬ素
子の法線方向から見て、前記第１電極と前記第２電極と
が重なる部分からはみ出していることを特徴とする、Ｅ
Ｌ素子。2. A substrate, a first electrode patterned on the substrate, an insulating layer provided on the substrate between the first electrodes, and covering the insulating layer and the first electrode. A photocatalyst-containing layer formed as described above, an EL layer formed on the first electrode via the photocatalyst-containing layer, divided by the insulating layer, and a second electrode formed on the EL layer. An EL element, wherein an uneven thickness portion of the EL layer near an insulating layer protrudes from a portion where the first electrode and the second electrode overlap when viewed from a normal direction of the EL element. E
L element.
縁層側に凸の曲面形状を有するものである、請求項１ま
たは２に記載のＥＬ素子。3. The EL device according to claim 1, wherein the surface of the insulating layer on the EL layer side has a curved shape protruding toward the insulating layer.
Ｌ層側に凸の曲面形状を有するものである、請求項１ま
たは２に記載のＥＬ素子。4. The device according to claim 1, wherein the surface of the insulating layer on the EL layer side is the E layer.
3. The EL device according to claim 1, wherein the EL device has a curved surface shape convex toward the L layer.
グされている、請求項１または２に記載のＥＬ素子。5. The EL device according to claim 1, wherein the EL layer is patterned in a stripe shape.
グされてなる、請求項１または２に記載のＥＬ素子。6. The EL device according to claim 1, wherein the EL layer is patterned in a segment shape.
ングされてなる、請求項１または２に記載のＥＬ素子。7. The EL device according to claim 1, wherein the first electrode is patterned in a stripe shape.
てなる、ディスプレイ。8. A display comprising the EL element according to claim 1 or 2.
てなる、フルカラーディスプレイ。9. A full-color display using the EL element according to claim 1 or 2.
程と、 前記基板上に絶縁層を形成する工程と、 前記第１電極および絶縁層上に光触媒含有層を形成する
工程と、 前記光触媒含有層上のＥＬ層形成領域に、前記光触媒含
有層の濡れ性を変化させる光照射を行う工程と、 前記ＥＬ層形成領域にＥＬ層形成液を塗布または吐出さ
せる工程と、 前記ＥＬ層形成液からＥＬ層を形成する工程と、 前記ＥＬ層上に第２電極を形成する工程を含む、請求項
１または２に記載のＥＬ素子の製造方法。10. A step of patterning a first electrode on a substrate; a step of forming an insulating layer on the substrate; a step of forming a photocatalyst-containing layer on the first electrode and the insulating layer; A step of irradiating the EL layer forming region on the containing layer with light for changing the wettability of the photocatalyst containing layer; a step of applying or discharging an EL layer forming solution to the EL layer forming region; 3. The method for manufacturing an EL element according to claim 1, further comprising: forming an EL layer on the EL layer; and forming a second electrode on the EL layer. 4.
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