JP2002229048A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002229048A JP2002229048A JP2001021997A JP2001021997A JP2002229048A JP 2002229048 A JP2002229048 A JP 2002229048A JP 2001021997 A JP2001021997 A JP 2001021997A JP 2001021997 A JP2001021997 A JP 2001021997A JP 2002229048 A JP2002229048 A JP 2002229048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- light
- crystal display
- display device
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】光漏れの原因となる液晶分子の配向不良を低減
する。 【解決手段】液晶表示装置はアレイ基板および対向基板
と、これらアレイ基板および対向基板間に液晶組成物の
セルとして挟持される液晶層とを備え、アレイ基板は反
射導電層２５Ｒおよび反射導電層２５Ｒの窓Ｗとして配
置される透過導電層２５Ｔを持つ画素電極２５、並びに
反射導電層２５Ｒおよび透過導電層２５Ｔを覆う配向膜
を含む。反射導電層２５Ｒの窓Ｗは配向膜のラビング方
向に略一致する長手方向を持つ長方形である。
する。 【解決手段】液晶表示装置はアレイ基板および対向基板
と、これらアレイ基板および対向基板間に液晶組成物の
セルとして挟持される液晶層とを備え、アレイ基板は反
射導電層２５Ｒおよび反射導電層２５Ｒの窓Ｗとして配
置される透過導電層２５Ｔを持つ画素電極２５、並びに
反射導電層２５Ｒおよび透過導電層２５Ｔを覆う配向膜
を含む。反射導電層２５Ｒの窓Ｗは配向膜のラビング方
向に略一致する長手方向を持つ長方形である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶層が一対の電極
基板間に液晶組成物のセルとして挟持される液晶表示装
置およびその製造方法に関し、特に透過光および反射光
を併用して画像を表示する液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
基板間に液晶組成物のセルとして挟持される液晶表示装
置およびその製造方法に関し、特に透過光および反射光
を併用して画像を表示する液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では、軽量、小型、高精細な液晶表
示装置がコンピュータを中心とする情報機器分野および
テレビなどを中心とする映像機器分野で盛んに開発され
ている。一般的な液晶表示装置は一対の電極基板間に液
晶層を挟持した構造を有し、光源光を液晶層で光学変調
することにより画像を表示する。
示装置がコンピュータを中心とする情報機器分野および
テレビなどを中心とする映像機器分野で盛んに開発され
ている。一般的な液晶表示装置は一対の電極基板間に液
晶層を挟持した構造を有し、光源光を液晶層で光学変調
することにより画像を表示する。
【０００３】この液晶表示装置は、例えば背面または背
面側方に配置されるバックライトからの光を透過させる
透過型および周囲からの光を反射させる反射型に分類さ
れる。これら透過型および反射型のいずれも、表示画像
が液晶表示装置に入射する周囲光の影響を受ける。透過
型での表示画像は周囲光が明るすぎる場合に見にくくな
り、反射型での表示画像は周囲光が暗すぎる場合に見に
くくなる。
面側方に配置されるバックライトからの光を透過させる
透過型および周囲からの光を反射させる反射型に分類さ
れる。これら透過型および反射型のいずれも、表示画像
が液晶表示装置に入射する周囲光の影響を受ける。透過
型での表示画像は周囲光が明るすぎる場合に見にくくな
り、反射型での表示画像は周囲光が暗すぎる場合に見に
くくなる。
【０００４】このような問題を解決するため、例えば特
開平１１−３１６３８２は光透過率の高い光透過導電層
と反射効率の高い光反射導電層とを各画素内に配置して
透過光および反射光を併用する方式を開示する。この方
式では、一方の電極基板が光透過性絶縁基板およびこの
絶縁基板を覆う有機絶縁膜を有し、光透過導電層が有機
絶縁膜の一部に形成された開口内に配置され、光反射導
電層が光透過導電層の周囲において有機絶縁膜上に配置
される。これら光透過導電層および光反射導電層は配向
膜により覆われる。
開平１１−３１６３８２は光透過率の高い光透過導電層
と反射効率の高い光反射導電層とを各画素内に配置して
透過光および反射光を併用する方式を開示する。この方
式では、一方の電極基板が光透過性絶縁基板およびこの
絶縁基板を覆う有機絶縁膜を有し、光透過導電層が有機
絶縁膜の一部に形成された開口内に配置され、光反射導
電層が光透過導電層の周囲において有機絶縁膜上に配置
される。これら光透過導電層および光反射導電層は配向
膜により覆われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この配向膜
はラビング布で所定方向にラビング処理されることによ
り液晶分子の配向を制御する。しかし、ラビング布は開
口付近の段差のために均一に配向膜をラビングできない
ため、配向不良による光漏れが発生し、これがコントラ
ストを低下させる結果となっている。
はラビング布で所定方向にラビング処理されることによ
り液晶分子の配向を制御する。しかし、ラビング布は開
口付近の段差のために均一に配向膜をラビングできない
ため、配向不良による光漏れが発生し、これがコントラ
ストを低下させる結果となっている。
【０００６】本発明の目的は、上述のような課題に鑑
み、光漏れの原因となる液晶分子の配向不良を低減でき
る液晶表示装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
み、光漏れの原因となる液晶分子の配向不良を低減でき
る液晶表示装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１お
よび第２電極基板と、これら第１および第２電極基板間
に液晶組成物のセルとして挟持される液晶層とを備え、
第１電極基板は光反射部およびこの光反射部の窓として
配置される光透過部を持つ電極、並びにこれら光反射部
および光透過部を覆う配向膜を含み、光反射部の窓は配
向膜のラビング方向に略一致する長手方向を持つ形状で
ある液晶表示装置が提供される。
よび第２電極基板と、これら第１および第２電極基板間
に液晶組成物のセルとして挟持される液晶層とを備え、
第１電極基板は光反射部およびこの光反射部の窓として
配置される光透過部を持つ電極、並びにこれら光反射部
および光透過部を覆う配向膜を含み、光反射部の窓は配
向膜のラビング方向に略一致する長手方向を持つ形状で
ある液晶表示装置が提供される。
【０００８】本発明によれば、さらに光反射部およびこ
の光反射部の窓として配置される光透過部を持つ電極、
並びに光反射部および光透過部を覆う配向膜を一方に含
む第１および第２電極基板を形成する工程と、第１およ
び第２電極基板間に液晶組成物のセルとして挟持される
液晶層を形成する工程とを備え、前記光反射部の窓が長
手方向を持つ形状であり、さらに窓の長手方向に略一致
する方向に配向膜をラビングする工程を備える液晶表示
装置の製造方法が提供される。
の光反射部の窓として配置される光透過部を持つ電極、
並びに光反射部および光透過部を覆う配向膜を一方に含
む第１および第２電極基板を形成する工程と、第１およ
び第２電極基板間に液晶組成物のセルとして挟持される
液晶層を形成する工程とを備え、前記光反射部の窓が長
手方向を持つ形状であり、さらに窓の長手方向に略一致
する方向に配向膜をラビングする工程を備える液晶表示
装置の製造方法が提供される。
【０００９】この液晶表示装置およびその製造方法にお
いて、光反射部の窓は配向膜のラビング方向に略一致す
る長手方向を持つ形状であり、この光反射部および光透
過部間に生じた段差を補償する。この場合、窓の長手方
向が配向膜のラビング方向から大きくずれている場合よ
りもラビング布が段差の影響で十分ラビングできない配
向膜の領域を削減できる。従って、光漏れの原因となる
配向不良を低減して、高いコントラストを得ることがで
きる。
いて、光反射部の窓は配向膜のラビング方向に略一致す
る長手方向を持つ形状であり、この光反射部および光透
過部間に生じた段差を補償する。この場合、窓の長手方
向が配向膜のラビング方向から大きくずれている場合よ
りもラビング布が段差の影響で十分ラビングできない配
向膜の領域を削減できる。従って、光漏れの原因となる
配向不良を低減して、高いコントラストを得ることがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態に係
る液晶表示装置について添付図面を参照して説明する。
この液晶表示装置は透過光および反射光を併用して画像
を表示する方式である。
る液晶表示装置について添付図面を参照して説明する。
この液晶表示装置は透過光および反射光を併用して画像
を表示する方式である。
【００１１】図１は液晶表示装置の部分的な断面構造を
示し、図２は図１に示す画素付近の平面構造を示す。こ
の液晶表示装置は図１に示すようにアレイ基板ＡＲ、対
向基板ＣＴ、これら基板ＡＲおよびＣＴ間に挟持される
液晶層ＬＱを備える。
示し、図２は図１に示す画素付近の平面構造を示す。こ
の液晶表示装置は図１に示すようにアレイ基板ＡＲ、対
向基板ＣＴ、これら基板ＡＲおよびＣＴ間に挟持される
液晶層ＬＱを備える。
【００１２】アレイ基板ＡＲは光透過性の絶縁基板２
１、この絶縁基板２１上でマトリクス状に配置される複
数の画素電極２５、これら画素電極２５の列に沿って配
置される複数の信号線１３、これら画素電極２５の行に
沿って配置される複数の走査線１４、各々対応走査線１
４および対応信号線１３の交差位置近傍に画素用スイッ
チング素子として配置される複数の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）２３、複数の走査線１４および複数の信号線
１３を駆動する駆動回路、および複数の画素電極２５を
覆う配向膜２７Ａを含む。対向基板ＣＴは光透過性の絶
縁基板２２と、各々対応列の画素電極２５に対向して行
方向に順番に並ぶ赤、緑、および青のストライプとして
絶縁基板２２上に形成されるカラーフィルタ２４と、カ
ラーフィルタ２４を覆う透明対向電極２９と、この対向
電極２９を覆う配向膜２７Ｂとを有する。また、位相差
板ＲＴ１および偏光板ＰＬ１が複数の画素電極２５とは
反対側において絶縁基板２１に貼り付けられ、位相差板
ＲＴ２および偏光板ＰＬ２がカラーフィルタ２４とは反
対側において絶縁基板２２に貼り付けられる。
１、この絶縁基板２１上でマトリクス状に配置される複
数の画素電極２５、これら画素電極２５の列に沿って配
置される複数の信号線１３、これら画素電極２５の行に
沿って配置される複数の走査線１４、各々対応走査線１
４および対応信号線１３の交差位置近傍に画素用スイッ
チング素子として配置される複数の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）２３、複数の走査線１４および複数の信号線
１３を駆動する駆動回路、および複数の画素電極２５を
覆う配向膜２７Ａを含む。対向基板ＣＴは光透過性の絶
縁基板２２と、各々対応列の画素電極２５に対向して行
方向に順番に並ぶ赤、緑、および青のストライプとして
絶縁基板２２上に形成されるカラーフィルタ２４と、カ
ラーフィルタ２４を覆う透明対向電極２９と、この対向
電極２９を覆う配向膜２７Ｂとを有する。また、位相差
板ＲＴ１および偏光板ＰＬ１が複数の画素電極２５とは
反対側において絶縁基板２１に貼り付けられ、位相差板
ＲＴ２および偏光板ＰＬ２がカラーフィルタ２４とは反
対側において絶縁基板２２に貼り付けられる。
【００１３】この液晶表示装置では、液晶層ＬＱが複数
の画素電極２５にそれぞれ対応して複数の画素領域ＰＸ
に区画され、各画素領域ＰＸが各々２本の隣接走査線１
４と２本の隣接信号線１３との間に配置される。各薄膜
トランジスタ２３は対応走査線１４から供給される走査
パルスに応答して対応信号線１３の電位を対応画素電極
２５に供給する。各画素電極２５は対応信号線１３の電
位を画素電位として液晶層ＬＱの対応画素領域ＰＸに印
加し、この画素電位と対向電極２９の電位との電位差に
基づいて画素領域ＰＸの透過率を制御する。また、各画
素電極２５は例えば銀、アルミニウム、あるいはこれら
の合金のような金属の反射導電層２５Ｒおよびこの反射
導電層２５Ｒの窓Ｗとして配置されるＩＴＯ等の透過導
電層２５Ｔを有する。反射導電層２５Ｒは対向基板ＣＴ
側から液晶層ＬＱを介して入射する光を高い反射率で反
射し散乱させる光反射部を構成し、透過導電層２５Ｔは
アレイ基板ＡＲの背面から入射する光を液晶層ＬＱ側に
透過する光透過部を構成する。反射導電層２５Ｒの窓Ｗ
は配向膜２７Ａのラビング方向に略一致する長手方向を
持つ長方形である。
の画素電極２５にそれぞれ対応して複数の画素領域ＰＸ
に区画され、各画素領域ＰＸが各々２本の隣接走査線１
４と２本の隣接信号線１３との間に配置される。各薄膜
トランジスタ２３は対応走査線１４から供給される走査
パルスに応答して対応信号線１３の電位を対応画素電極
２５に供給する。各画素電極２５は対応信号線１３の電
位を画素電位として液晶層ＬＱの対応画素領域ＰＸに印
加し、この画素電位と対向電極２９の電位との電位差に
基づいて画素領域ＰＸの透過率を制御する。また、各画
素電極２５は例えば銀、アルミニウム、あるいはこれら
の合金のような金属の反射導電層２５Ｒおよびこの反射
導電層２５Ｒの窓Ｗとして配置されるＩＴＯ等の透過導
電層２５Ｔを有する。反射導電層２５Ｒは対向基板ＣＴ
側から液晶層ＬＱを介して入射する光を高い反射率で反
射し散乱させる光反射部を構成し、透過導電層２５Ｔは
アレイ基板ＡＲの背面から入射する光を液晶層ＬＱ側に
透過する光透過部を構成する。反射導電層２５Ｒの窓Ｗ
は配向膜２７Ａのラビング方向に略一致する長手方向を
持つ長方形である。
【００１４】アレイ基板ＡＲでは、複数の薄膜トランジ
スタ２３、複数の反射導電層２５Ｔその他の配線が光透
過性絶縁基板２１上に形成され、有機絶縁膜３１で絶縁
基板２１と共に覆われる。この有機絶縁膜３１は各々対
応透過導電層２５Ｔを部分的に露出する複数の開口３１
Ｈおよびこれら開口３１Ｈをそれぞれ囲むように複数の
画素領域ＰＸに対応して配置される凹凸パターンを有す
る。各薄膜トランジスタ２３は対応走査線１４に接続さ
れるゲート、対応画素電極２５の透過導電層２５Ｔに接
続されるソース、および対応信号線１３に接続されるド
レインを有する。各画素電極２５の反射導電層２５Ｒは
対応透過導電層２５Ｔの外縁にコンタクトして有機絶縁
膜３１上に形成される。この反射導電層２５Ｒは有機絶
縁膜３１の凹凸パターンに沿って所定の厚さで形成さ
れ、ランダムに配置される複数の半球状凸部２５ＲＡお
よびこれら半球状凸部２５ＲＡを囲んで配置される凹部
２５ＲＢを凹凸パターンとして含む。この反射導電層２
５Ｒはこの凹凸パターンにより入射光を散乱させるよう
に反射する。
スタ２３、複数の反射導電層２５Ｔその他の配線が光透
過性絶縁基板２１上に形成され、有機絶縁膜３１で絶縁
基板２１と共に覆われる。この有機絶縁膜３１は各々対
応透過導電層２５Ｔを部分的に露出する複数の開口３１
Ｈおよびこれら開口３１Ｈをそれぞれ囲むように複数の
画素領域ＰＸに対応して配置される凹凸パターンを有す
る。各薄膜トランジスタ２３は対応走査線１４に接続さ
れるゲート、対応画素電極２５の透過導電層２５Ｔに接
続されるソース、および対応信号線１３に接続されるド
レインを有する。各画素電極２５の反射導電層２５Ｒは
対応透過導電層２５Ｔの外縁にコンタクトして有機絶縁
膜３１上に形成される。この反射導電層２５Ｒは有機絶
縁膜３１の凹凸パターンに沿って所定の厚さで形成さ
れ、ランダムに配置される複数の半球状凸部２５ＲＡお
よびこれら半球状凸部２５ＲＡを囲んで配置される凹部
２５ＲＢを凹凸パターンとして含む。この反射導電層２
５Ｒはこの凹凸パターンにより入射光を散乱させるよう
に反射する。
【００１５】次に、上述した液晶表示装置の製造工程を
説明する。
説明する。
【００１６】アレイ基板ＡＲの製造では、複数の薄膜ト
ランジスタ２３、複数の透過導電層２５Ｔ、その他の配
線が通常の成膜およびパターニングを繰り返して高歪点
ガラス板や石英板等の光透過性絶縁基板２１上に形成さ
れる。続いて、例えばポジ型感光性の樹脂がスピンコー
ト法などにより絶縁基板２１全体を覆う厚さ１μｍ〜４
μｍ程度の有機絶縁膜３１として塗布される。絶縁基板
２１のプリベーク後、有機絶縁膜３１は開口用フォトマ
スクを用いて複数の開口３１Ｈに対応する範囲で部分的
に露光され、さらに信号線１３および走査線１４に重な
らないように各画素領域ＰＸの範囲においてランダムな
ピッチで配置された複数の円形遮光部を持つ凹凸パター
ン用フォトマスクを用いて露光される。ここでは、凹凸
パターン用露光量が１０〜２００ｍＪに設定され、開口
用露光量が２００〜２０００ｍＪに設定され、円形遮光
部の直径が２〜２０μｍ程度に設定される。凹凸パター
ンの起伏形状および密度はフォトマスクの開口形状、密
度、露光量等により制御される。
ランジスタ２３、複数の透過導電層２５Ｔ、その他の配
線が通常の成膜およびパターニングを繰り返して高歪点
ガラス板や石英板等の光透過性絶縁基板２１上に形成さ
れる。続いて、例えばポジ型感光性の樹脂がスピンコー
ト法などにより絶縁基板２１全体を覆う厚さ１μｍ〜４
μｍ程度の有機絶縁膜３１として塗布される。絶縁基板
２１のプリベーク後、有機絶縁膜３１は開口用フォトマ
スクを用いて複数の開口３１Ｈに対応する範囲で部分的
に露光され、さらに信号線１３および走査線１４に重な
らないように各画素領域ＰＸの範囲においてランダムな
ピッチで配置された複数の円形遮光部を持つ凹凸パター
ン用フォトマスクを用いて露光される。ここでは、凹凸
パターン用露光量が１０〜２００ｍＪに設定され、開口
用露光量が２００〜２０００ｍＪに設定され、円形遮光
部の直径が２〜２０μｍ程度に設定される。凹凸パター
ンの起伏形状および密度はフォトマスクの開口形状、密
度、露光量等により制御される。
【００１７】続いて、有機絶縁膜３１が上述の露光部分
を除去するために現像され、これにより複数の開口３１
Ｈと共に有機絶縁膜３１の凹凸パターンを形成する。こ
の段階では凹凸パターンが鋭角状の起伏となるため、絶
縁基板２１の熱処理がこの凹凸パターンを角のとれた滑
らかな状態にするように行われる。
を除去するために現像され、これにより複数の開口３１
Ｈと共に有機絶縁膜３１の凹凸パターンを形成する。こ
の段階では凹凸パターンが鋭角状の起伏となるため、絶
縁基板２１の熱処理がこの凹凸パターンを角のとれた滑
らかな状態にするように行われる。
【００１８】続いて、Ａｌ，Ｎｉ，ＣｒおよびＡｇ等の
金属膜がスパッタ法により１００ｎｍ程度の厚さで有機
絶縁膜３１上に堆積され、フォトエッチング法で所定の
形状にパターニングされ、これにより各々対応透過導電
層２５Ｔの外縁にコンタクトした複数の反射導電層２５
Ｒを形成する。
金属膜がスパッタ法により１００ｎｍ程度の厚さで有機
絶縁膜３１上に堆積され、フォトエッチング法で所定の
形状にパターニングされ、これにより各々対応透過導電
層２５Ｔの外縁にコンタクトした複数の反射導電層２５
Ｒを形成する。
【００１９】続いて、複数の柱状スペーサ１５が液晶層
ＬＱの厚さとなる所定の間隙を確保するために所定領域
に形成され、配向膜２７Ａが低温キュア型のポリイミド
を印刷により画素電極２５および有機絶縁膜３１を覆う
ように３μｍ程度塗布しこれを反射導電層２５Ｒの窓Ｗ
の長手方向(すなわち、反射導電層２５Ｒと透過導電層
２５Ｔとの段差が最も長く伸びる方向)に一致するラビ
ング方向にラビング布でラビング処理することにより形
成される。
ＬＱの厚さとなる所定の間隙を確保するために所定領域
に形成され、配向膜２７Ａが低温キュア型のポリイミド
を印刷により画素電極２５および有機絶縁膜３１を覆う
ように３μｍ程度塗布しこれを反射導電層２５Ｒの窓Ｗ
の長手方向(すなわち、反射導電層２５Ｒと透過導電層
２５Ｔとの段差が最も長く伸びる方向)に一致するラビ
ング方向にラビング布でラビング処理することにより形
成される。
【００２０】他方、対向基板ＣＴの製造では、顔料など
を分散させたカラーフィルタ２４が高歪点ガラス板や石
英板等の光透過性絶縁基板２２上に形成される。透明対
向電極２９は例えば１ＴＯをスパッタ法で着色層２４上
に堆積することにより形成される。続いて、配向膜２７
Ｂが低温キュア型のポリイミドを印刷により透明対向電
極２９を覆うように３μｍ程度塗布しこれをラビング布
でラビング処理することにより形成される。尚、配向膜
２７Ｂのラビング処理は液晶層ＬＱの液晶分子を略ホモ
ジニアス配列とするように配向膜２７Ａに対して配向軸
を合わせる。アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴは配向
膜２７Ａおよび２７Ｂの形成後に一体化される。具体的
には、アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴが配向膜２７
Ａおよび２７Ｂを内側にして向かい合わされ、エポキシ
系熱硬化樹脂の接着剤である周縁シール材を介して貼り
合わされる。液晶層ＬＱはアレイ基板ＡＲおよび対向基
板ＣＴ間において周縁シール材で囲まれた液晶注入空間
をセルとし、ネマチック液晶のような液晶組成物をこの
セルに注入し紫外線硬化樹脂で封止することにより得ら
れる。こうして液晶層ＬＱがアレイ基板ＡＲおよび対向
基板ＣＴ間に挟持された状態で、位相差板ＲＴ１および
偏光板ＰＬ１が複数の画素電極２５とは反対側において
絶縁基板２１に貼り付けられ、位相差板ＲＴ２および偏
光板ＰＬ２がカラーフィルタ２４とは反対側において絶
縁基板２２に貼り付けられる。液晶表示装置は上述のよ
うにして完成する。
を分散させたカラーフィルタ２４が高歪点ガラス板や石
英板等の光透過性絶縁基板２２上に形成される。透明対
向電極２９は例えば１ＴＯをスパッタ法で着色層２４上
に堆積することにより形成される。続いて、配向膜２７
Ｂが低温キュア型のポリイミドを印刷により透明対向電
極２９を覆うように３μｍ程度塗布しこれをラビング布
でラビング処理することにより形成される。尚、配向膜
２７Ｂのラビング処理は液晶層ＬＱの液晶分子を略ホモ
ジニアス配列とするように配向膜２７Ａに対して配向軸
を合わせる。アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴは配向
膜２７Ａおよび２７Ｂの形成後に一体化される。具体的
には、アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴが配向膜２７
Ａおよび２７Ｂを内側にして向かい合わされ、エポキシ
系熱硬化樹脂の接着剤である周縁シール材を介して貼り
合わされる。液晶層ＬＱはアレイ基板ＡＲおよび対向基
板ＣＴ間において周縁シール材で囲まれた液晶注入空間
をセルとし、ネマチック液晶のような液晶組成物をこの
セルに注入し紫外線硬化樹脂で封止することにより得ら
れる。こうして液晶層ＬＱがアレイ基板ＡＲおよび対向
基板ＣＴ間に挟持された状態で、位相差板ＲＴ１および
偏光板ＰＬ１が複数の画素電極２５とは反対側において
絶縁基板２１に貼り付けられ、位相差板ＲＴ２および偏
光板ＰＬ２がカラーフィルタ２４とは反対側において絶
縁基板２２に貼り付けられる。液晶表示装置は上述のよ
うにして完成する。
【００２１】上述した第１実施形態の液晶表示装置によ
れば、反射導電層２５Ｒの窓Ｗは図１に示すように反射
導電層２５Ｒおよび透過導電層２５Ｔ間に有機絶縁膜３
１の厚さにより生じた段差を補償するよう配向膜２７Ａ
のラビング方向に略一致する長手方向を持つ長方形であ
る。窓Ｗの長手方向および配向膜２７Ａのラビング方向
を例えば１２時間時計形式で表すとすれば、窓Ｗの長手
方向が信号線１３に平行な６時−１２時の方向に設定さ
れる場合に、配向膜２７Ａのラビング方向も６時−１２
時の方向に設定される。このような液晶表示装置を実際
に駆動したところ、幅約４μｍの配向不良領域が図３の
（ａ）に示すように窓Ｗの一短辺に沿って発生すること
が顕微鏡観察により確認された。しかし、目視観察で
は、透過光表示画像および反射光表示画像のいずれも高
品位であった。特に透過光表示の場合には、３５０とい
うコントラストを得ることができた。
れば、反射導電層２５Ｒの窓Ｗは図１に示すように反射
導電層２５Ｒおよび透過導電層２５Ｔ間に有機絶縁膜３
１の厚さにより生じた段差を補償するよう配向膜２７Ａ
のラビング方向に略一致する長手方向を持つ長方形であ
る。窓Ｗの長手方向および配向膜２７Ａのラビング方向
を例えば１２時間時計形式で表すとすれば、窓Ｗの長手
方向が信号線１３に平行な６時−１２時の方向に設定さ
れる場合に、配向膜２７Ａのラビング方向も６時−１２
時の方向に設定される。このような液晶表示装置を実際
に駆動したところ、幅約４μｍの配向不良領域が図３の
（ａ）に示すように窓Ｗの一短辺に沿って発生すること
が顕微鏡観察により確認された。しかし、目視観察で
は、透過光表示画像および反射光表示画像のいずれも高
品位であった。特に透過光表示の場合には、３５０とい
うコントラストを得ることができた。
【００２２】第１比較例として、配向膜２７Ａのラビン
グ方向を７時半−１時半の方向と９時−３時の方向とに
変更することを除いて第１実施形態と同様な液晶表示装
置を製造し、これを実際に駆動する実験を行った。する
と、ラビング方向が７時半−１時半の方向である場合、
配向不良領域が図３の（ｂ）に示すように窓Ｗの一長辺
および一短辺の両方に沿って発生することが顕微鏡観察
により確認された。このときコントラストを測定する
と、その結果は２８０であった。他方、ラビング方向が
９時−３時の方向である場合、配向不良領域が図３の
（ｃ）に示すように窓Ｗの一長辺に沿って発生すること
が顕微鏡観察により確認された。このときコントラスト
を測定すると、その結果は２６０であった。すなわち、
配向膜２７Ａのラビング方向が窓Ｗの長手方向から大き
くずれると、ラビング布が段差の影響で十分ラビングさ
れない配向不良領域の長さを増大させてしまう。従っ
て、この配向不良領域に対応した光漏れにより３００を
越えるような高いコントラストを得ることができない。
グ方向を７時半−１時半の方向と９時−３時の方向とに
変更することを除いて第１実施形態と同様な液晶表示装
置を製造し、これを実際に駆動する実験を行った。する
と、ラビング方向が７時半−１時半の方向である場合、
配向不良領域が図３の（ｂ）に示すように窓Ｗの一長辺
および一短辺の両方に沿って発生することが顕微鏡観察
により確認された。このときコントラストを測定する
と、その結果は２８０であった。他方、ラビング方向が
９時−３時の方向である場合、配向不良領域が図３の
（ｃ）に示すように窓Ｗの一長辺に沿って発生すること
が顕微鏡観察により確認された。このときコントラスト
を測定すると、その結果は２６０であった。すなわち、
配向膜２７Ａのラビング方向が窓Ｗの長手方向から大き
くずれると、ラビング布が段差の影響で十分ラビングさ
れない配向不良領域の長さを増大させてしまう。従っ
て、この配向不良領域に対応した光漏れにより３００を
越えるような高いコントラストを得ることができない。
【００２３】第２比較例として、対向基板ＣＴ側の配向
膜２７Ｂをラビング処理しない垂直配向膜に変更しハイ
ブリッド型液晶配列を得るようにしたことを除いて第１
実施形態と同様な液晶表示装置を製造し、これを実際に
駆動する実験を行った。すると、配向膜２７Ａのラビン
グ方向も６時−１２時の方向に設定される場合において
最も高いコントラストが得られるという上述の結果と同
様の傾向となった。尚、この比較例ではハイブリッド型
液晶配列としたが、ＴＮ型液晶配列としてもよい。
膜２７Ｂをラビング処理しない垂直配向膜に変更しハイ
ブリッド型液晶配列を得るようにしたことを除いて第１
実施形態と同様な液晶表示装置を製造し、これを実際に
駆動する実験を行った。すると、配向膜２７Ａのラビン
グ方向も６時−１２時の方向に設定される場合において
最も高いコントラストが得られるという上述の結果と同
様の傾向となった。尚、この比較例ではハイブリッド型
液晶配列としたが、ＴＮ型液晶配列としてもよい。
【００２４】次に、本発明の第２実施形態に係る液晶表
示装置を説明する。図４はこの液晶表示装置の部分的な
断面構造を示し、図５は図４に示す画素付近の平面構造
を示す。この液晶表示装置は以下のことを除いて第１実
施形態と同様に構成される。このため、図４および図５
において第１実施形態と同様な部分を同一参照符号で示
し、その説明を省略する。
示装置を説明する。図４はこの液晶表示装置の部分的な
断面構造を示し、図５は図４に示す画素付近の平面構造
を示す。この液晶表示装置は以下のことを除いて第１実
施形態と同様に構成される。このため、図４および図５
において第１実施形態と同様な部分を同一参照符号で示
し、その説明を省略する。
【００２５】この液晶表示装置は図１に示すような透過
導電膜２５Ｔを持たない。その代わり、光透過部が光反
射部の窓Ｗとして反射導電層２５Ｒに形成される３個の
切欠部２５ＴＣにより構成される。この切欠部２５ＴＣ
に対応する領域の液晶は反射導電層２５Ｒのエッジで生
じる漏れ電界を利用して駆動される。このため、有機絶
縁膜３１の各開口３１Ｈは透過導電膜２５Ｔを露出する
ためではなく、対応反射導電層２５Ｒを対応薄膜トラン
ジスタ２３のソースに接続するためのコンタクトホール
として形成される。各切欠部２５ＴＣは幅４μｍ×長さ
５０μｍという寸法の長方形である。この長方形の長手
方向は図５に示すように配向膜２７Ａのラビング方向に
略一致する。次に、第１実施形態と異なるアレイ基板Ａ
Ｒの製造工程を説明する。アレイ基板ＡＲの製造では、
複数の薄膜トランジスタ２３およびその他の配線が通常
の成膜およびパターニングを繰り返して高歪点ガラス板
や石英板等の光透過性絶縁基板２１上に形成される。続
いて、例えばポジ型感光性の樹脂がスピンコート法など
により絶縁基板２１全体を覆う厚さ１μｍ〜４μｍ程度
の有機絶縁膜３１として塗布される。絶縁基板２１のプ
リベーク後、有機絶縁膜３１は開口用フォトマスクを用
いて複数の開口３１Ｈに対応する範囲で部分的に露光さ
れ、さらに信号線１３および走査線１４に重ならないよ
うに各画素領域ＰＸの範囲においてランダムなピッチで
配置された複数の円形遮光部を持つ凹凸パターン用フォ
トマスクを用いて露光される。ここでは、第１実施形態
と同様に、凹凸パターン用露光量が１０〜２００ｍＪに
設定され、開口用露光量が２００〜２０００ｍＪに設定
され、円形遮光部の直径が２〜２０μｍ程度に設定され
る。凹凸パターンの起伏形状および密度はフォトマスク
の開口形状、密度、露光量等により制御される。
導電膜２５Ｔを持たない。その代わり、光透過部が光反
射部の窓Ｗとして反射導電層２５Ｒに形成される３個の
切欠部２５ＴＣにより構成される。この切欠部２５ＴＣ
に対応する領域の液晶は反射導電層２５Ｒのエッジで生
じる漏れ電界を利用して駆動される。このため、有機絶
縁膜３１の各開口３１Ｈは透過導電膜２５Ｔを露出する
ためではなく、対応反射導電層２５Ｒを対応薄膜トラン
ジスタ２３のソースに接続するためのコンタクトホール
として形成される。各切欠部２５ＴＣは幅４μｍ×長さ
５０μｍという寸法の長方形である。この長方形の長手
方向は図５に示すように配向膜２７Ａのラビング方向に
略一致する。次に、第１実施形態と異なるアレイ基板Ａ
Ｒの製造工程を説明する。アレイ基板ＡＲの製造では、
複数の薄膜トランジスタ２３およびその他の配線が通常
の成膜およびパターニングを繰り返して高歪点ガラス板
や石英板等の光透過性絶縁基板２１上に形成される。続
いて、例えばポジ型感光性の樹脂がスピンコート法など
により絶縁基板２１全体を覆う厚さ１μｍ〜４μｍ程度
の有機絶縁膜３１として塗布される。絶縁基板２１のプ
リベーク後、有機絶縁膜３１は開口用フォトマスクを用
いて複数の開口３１Ｈに対応する範囲で部分的に露光さ
れ、さらに信号線１３および走査線１４に重ならないよ
うに各画素領域ＰＸの範囲においてランダムなピッチで
配置された複数の円形遮光部を持つ凹凸パターン用フォ
トマスクを用いて露光される。ここでは、第１実施形態
と同様に、凹凸パターン用露光量が１０〜２００ｍＪに
設定され、開口用露光量が２００〜２０００ｍＪに設定
され、円形遮光部の直径が２〜２０μｍ程度に設定され
る。凹凸パターンの起伏形状および密度はフォトマスク
の開口形状、密度、露光量等により制御される。
【００２６】続いて、有機絶縁膜３１が上述の露光部分
を除去するために現像され、これにより各々対応薄膜ト
ランジスタ２３のソースを露出する複数の開口３１Ｈと
共に有機絶縁膜３１の凹凸パターンを形成する。この段
階では凹凸パターンが鋭角状の起伏となるため、絶縁基
板２１の熱処理がこの凹凸パターンを角のとれた滑らか
な状態にするように行われる。
を除去するために現像され、これにより各々対応薄膜ト
ランジスタ２３のソースを露出する複数の開口３１Ｈと
共に有機絶縁膜３１の凹凸パターンを形成する。この段
階では凹凸パターンが鋭角状の起伏となるため、絶縁基
板２１の熱処理がこの凹凸パターンを角のとれた滑らか
な状態にするように行われる。
【００２７】続いて、Ａｌ，Ｎｉ，ＣｒおよびＡｇ等の
金属膜がスパッタ法により１００ｎｍ程度の厚さで有機
絶縁膜３１上に堆積され、フォトエッチング法で各画素
領域ＰＸについて図５に示す所定の形状にパターニング
され、これにより各々対応薄膜トランジスタ２３のソー
スにコンタクトすると共に３個の切欠部２５ＴＣを持つ
複数の反射導電層２５Ｒを形成する。
金属膜がスパッタ法により１００ｎｍ程度の厚さで有機
絶縁膜３１上に堆積され、フォトエッチング法で各画素
領域ＰＸについて図５に示す所定の形状にパターニング
され、これにより各々対応薄膜トランジスタ２３のソー
スにコンタクトすると共に３個の切欠部２５ＴＣを持つ
複数の反射導電層２５Ｒを形成する。
【００２８】続いて、複数の柱状スペーサ１５が液晶層
ＬＱの厚さとなる所定の間隙を確保するために所定領域
に形成され、配向膜２７Ａが低温キュア型のポリイミド
を印刷により画素電極２５および有機絶縁膜３１を覆う
ように３μｍ程度塗布し、これを図５に示すように反射
導電層２５Ｒの窓Ｗの長手方向(すなわち、光反射部と
光透過部との段差が最も長く伸びる方向)に一致するラ
ビング方向にラビング布でラビング処理することにより
形成される。
ＬＱの厚さとなる所定の間隙を確保するために所定領域
に形成され、配向膜２７Ａが低温キュア型のポリイミド
を印刷により画素電極２５および有機絶縁膜３１を覆う
ように３μｍ程度塗布し、これを図５に示すように反射
導電層２５Ｒの窓Ｗの長手方向(すなわち、光反射部と
光透過部との段差が最も長く伸びる方向)に一致するラ
ビング方向にラビング布でラビング処理することにより
形成される。
【００２９】この後、対向基板ＣＴの製造工程、並びに
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの一体化工程が第１実
施形態と同様に行われる。
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの一体化工程が第１実
施形態と同様に行われる。
【００３０】上述した第２実施形態の液晶表示装置によ
れば、反射導電層２５Ｒの切欠部２５ＴＣが光反射部の
窓Ｗとして形成され、この窓Ｗが光反射部および光透過
部間に反射導電層２５Ｒの厚さにより生じた段差を補償
するよう配向膜２７Ａのラビング方向に略一致する長手
方向を持つ長方形である。すなわち、窓Ｗの長手方向が
７時半−１時半の方向に設定される場合に、配向膜２７
Ａのラビング方向も７時半−１時半の方向に設定され
る。この場合、窓Ｗの長手方向が配向膜２７Ａのラビン
グ方向から大きくずれている場合よりもラビング布が段
差の影響で十分ラビングできない配向膜２７Ａの領域を
削減できる。従って、光漏れの原因となる配向不良を低
減して、高いコントラストを得ることができる。このよ
うな液晶表示装置を実際に駆動したところ、目視観察で
高品位な表示画像が確認された。また、透過光表示で２
０というコントラストを得ることができた。特に、複数
の切欠部２５ＴＣが１０μｍ以下の幅で形成されるよう
な場合には、配向不良による光漏れで低下するコントラ
ストを大幅に改善することが可能である。
れば、反射導電層２５Ｒの切欠部２５ＴＣが光反射部の
窓Ｗとして形成され、この窓Ｗが光反射部および光透過
部間に反射導電層２５Ｒの厚さにより生じた段差を補償
するよう配向膜２７Ａのラビング方向に略一致する長手
方向を持つ長方形である。すなわち、窓Ｗの長手方向が
７時半−１時半の方向に設定される場合に、配向膜２７
Ａのラビング方向も７時半−１時半の方向に設定され
る。この場合、窓Ｗの長手方向が配向膜２７Ａのラビン
グ方向から大きくずれている場合よりもラビング布が段
差の影響で十分ラビングできない配向膜２７Ａの領域を
削減できる。従って、光漏れの原因となる配向不良を低
減して、高いコントラストを得ることができる。このよ
うな液晶表示装置を実際に駆動したところ、目視観察で
高品位な表示画像が確認された。また、透過光表示で２
０というコントラストを得ることができた。特に、複数
の切欠部２５ＴＣが１０μｍ以下の幅で形成されるよう
な場合には、配向不良による光漏れで低下するコントラ
ストを大幅に改善することが可能である。
【００３１】第３比較例として、配向膜２７Ａのラビン
グ方向を６時−１２時の方向と９時−３時の方向とに変
更することを除いて第２実施形態と同様な液晶表示装置
を製造し、これを実際に駆動する実験を行った。する
と、ラビング方向が６時−１２時の方向である場合、コ
ントラストが透過光表示で８となる。他方、ラビング方
向が９時−３時の方向である場合、コントラストが透過
光表示で６になる。従って、この配向不良領域に対応し
た光漏れにより第２実施形態で得られた２０を越えるよ
うな透過光表示のコントラストを得ることができない。
グ方向を６時−１２時の方向と９時−３時の方向とに変
更することを除いて第２実施形態と同様な液晶表示装置
を製造し、これを実際に駆動する実験を行った。する
と、ラビング方向が６時−１２時の方向である場合、コ
ントラストが透過光表示で８となる。他方、ラビング方
向が９時−３時の方向である場合、コントラストが透過
光表示で６になる。従って、この配向不良領域に対応し
た光漏れにより第２実施形態で得られた２０を越えるよ
うな透過光表示のコントラストを得ることができない。
【００３２】尚、本発明は上述の実施形態に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。例えば、第２実施形態の切欠部２５ＴＣは長方形で
なく、例えば楕円形のように長手方向をもつ他の形状で
あってもよい。さらに、切欠部２５ＴＣの数を３個以外
の数に変更してもよい。
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。例えば、第２実施形態の切欠部２５ＴＣは長方形で
なく、例えば楕円形のように長手方向をもつ他の形状で
あってもよい。さらに、切欠部２５ＴＣの数を３個以外
の数に変更してもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光漏れの
原因となる液晶分子の配向不良を低減できる液晶表示装
置およびその製造方法を提供できる。
原因となる液晶分子の配向不良を低減できる液晶表示装
置およびその製造方法を提供できる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の部
分的な断面構造を示す図である。
分的な断面構造を示す図である。
【図２】図１に示す画素付近の平面構造を示す図であ
る。
る。
【図３】図１に示す窓の長手方向を配向膜のラビング方
向に一致させる理由を説明するための図である。
向に一致させる理由を説明するための図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の部
分的な断面構造を示す図である。
分的な断面構造を示す図である。
【図５】図４に示す画素付近の平面構造を示す図であ
る。
る。
２５…画素電極 ２５Ｔ…透過導電層 ２５Ｒ…反射導電層 ２５ＴＣ…切欠部 ２７Ａ…配向膜 ＡＲ…アレイ基板 ＣＴ…対向基板 ＬＱ…液晶層 ＰＸ…画素領域 Ｗ…窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 義孝 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 花澤 康行 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y KA05 LA06 LA09 LA15 MB01 MB03 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Z FC26 FD06 GA13 HA07 LA17 2H092 JA24 JA41 MA13 NA25 PA02 PA08 PA10 PA11
Claims (9)
- 【請求項１】 第１および第２電極基板と、前記第１お
よび第２電極基板間に液晶組成物のセルとして挟持され
る液晶層とを備え、前記第１電極基板は光反射部および
前記光反射部の窓として配置される光透過部を持つ電
極、並びに前記光反射部および光透過部を覆う配向膜を
含み、前記光反射部の窓は前記配向膜のラビング方向に
略一致する長手方向を持つ形状であることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記光反射部は入射光を反射する反射導
電層により構成され、前記光透過部は入射光を透過する
少なくとも１個の透過導電層により構成されることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 各透過導電層は光透過性の絶縁基板上に
形成され、前記反射導電層は各透過導電層を露出させて
前記絶縁基板を覆う絶縁膜上に形成されることを特徴と
する請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記光反射部は入射光を反射する反射導
電層により構成され、前記光透過部は入射光を透過する
ように前記反射導電層に形成される少なくとも１個の切
欠部により構成されることを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記切欠部は前記長手方向に直角な方向
において幅１０μｍ以下で形成されることを特徴とする
請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記第２電極基板は前記電極に対向する
対向電極およびこの対向電極を覆う配向膜を含み、前記
第２電極基板の配向膜のラビング方向は前記液晶層の液
晶分子配列に所定の捻れを持たせるように前記第１電極
基板の配向膜のラビング方向に基づいて決定されること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記反射導電層は反射光を散乱させる凹
凸パターンを持つことを特徴とする請求項２または４に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記凹凸パターンは前記反射導電層の下
地の起伏に依存することを特徴とする請求項７に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項９】 光反射部および前記光反射部の窓として
配置される光透過部を持つ電極、並びに前記光反射部お
よび光透過部を覆う配向膜を一方に含む第１および第２
電極基板を形成する工程と、前記第１および第２電極基
板間に液晶組成物のセルとして挟持される液晶層を形成
する工程とを備え、前記光反射部の窓が長手方向を持つ
形状であり、さらに前記窓の長手方向に略一致する方向
に前記配向膜をラビングする工程を備えることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001021997A JP2002229048A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001021997A JP2002229048A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002229048A true JP2002229048A (ja) | 2002-08-14 |
Family
ID=18887467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001021997A Pending JP2002229048A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002229048A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008227A2 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| JP2005196207A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 上部基板及びこれを有する液晶表示装置 |
| JP2006267993A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| KR100828534B1 (ko) * | 2002-08-14 | 2008-05-13 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US7394517B2 (en) | 2003-01-17 | 2008-07-01 | Sony Corporation | Liquid crystal panel |
-
2001
- 2001-01-30 JP JP2001021997A patent/JP2002229048A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008227A2 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| WO2004008227A3 (en) * | 2002-07-16 | 2004-06-24 | Samsung Electronics Co Ltd | Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US7463318B2 (en) | 2002-07-16 | 2008-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US7561232B2 (en) | 2002-07-16 | 2009-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| KR100828534B1 (ko) * | 2002-08-14 | 2008-05-13 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US7394517B2 (en) | 2003-01-17 | 2008-07-01 | Sony Corporation | Liquid crystal panel |
| KR100979074B1 (ko) * | 2003-01-17 | 2010-08-31 | 소니 주식회사 | 액정 패널 |
| JP2005196207A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 上部基板及びこれを有する液晶表示装置 |
| KR101035844B1 (ko) * | 2004-01-06 | 2011-05-19 | 삼성전자주식회사 | 상부 기판 및 이를 갖는 액정표시장치 |
| JP2006267993A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| US7978291B2 (en) | 2005-02-28 | 2011-07-12 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7436472B2 (en) | Liquid crystal display device and method with color filters having overcoat layer thereover formed on substrate except for fourth color filter formed on the overcoat layer | |
| US6262783B1 (en) | Liquid crystal display device with reflective electrodes and method for fabricating the same | |
| US7050131B2 (en) | Liquid crystal display device having black seal pattern and external resin pattern, and method of fabricating the same | |
| US7126662B2 (en) | Transflective liquid crystal display device comprising a patterned spacer wherein the buffer layer and the spacer are a single body and method of fabricating the same | |
| US8558975B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| US7667807B2 (en) | In-plane-switching-mode liquid crystal display device | |
| JP2007047202A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2004151459A (ja) | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 | |
| US7532299B2 (en) | Method of fabricating a liquid crystal display device having column spacers and overcoat layer formed by double exposure | |
| US7532289B2 (en) | Method for fabricating color filter substrate for a liquid crystal display device with color filter having polarizing function | |
| US6808868B2 (en) | Method for manufacturing a substrate for a display panel | |
| JP3695415B2 (ja) | 電気光学パネル用基板、その製造方法、及び電気光学パネル、並びにその製造方法 | |
| JP3941437B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 | |
| JP2003098537A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP2002229048A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US7791693B2 (en) | Semi-transmission liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| KR20070063056A (ko) | 액정표시장치용 칼라필터기판 및 그 제조방법 | |
| JP2005241826A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100904520B1 (ko) | 액정표시장치용 컬러필터 기판과 그 제조방법 | |
| JP4360068B2 (ja) | 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 | |
| JP2002031797A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP4661148B2 (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法及び電子機器 | |
| JP2006072175A (ja) | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び電子機器 | |
| JP4528531B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3575764B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 |