JP2002229032A - 反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置 - Google Patents
反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置Info
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 コントラストを改善できる反射型ＦＦＳ−Ｌ
ＣＤを提供する。 【解決手段】 所定の距離をおいて配置され、単位画素
が限定された上下部基板と、上下部基板の間に介在され
る多数個の液晶分子を含む液晶層４０と、下部基板の単
位画素に各々形成されるカウンタ電極３２と、カウンタ
電極と共にフリンジフィールドを発生させて、単位画素
内の大部分の液晶分子を動作させる画素電極３６と、下
部基板と液晶層の間に介在し、所定のラビング軸を有す
る水平配向膜３８と、上部基板と液晶層の間に介在する
垂直配向膜５２と、上部基板の外側面に配置され、所定
の偏光軸を有する偏光子５５と、下部基板に配置され、
上部基板の上方から入射される光を反射させる反射手段
とを含む。
ＣＤを提供する。 【解決手段】 所定の距離をおいて配置され、単位画素
が限定された上下部基板と、上下部基板の間に介在され
る多数個の液晶分子を含む液晶層４０と、下部基板の単
位画素に各々形成されるカウンタ電極３２と、カウンタ
電極と共にフリンジフィールドを発生させて、単位画素
内の大部分の液晶分子を動作させる画素電極３６と、下
部基板と液晶層の間に介在し、所定のラビング軸を有す
る水平配向膜３８と、上部基板と液晶層の間に介在する
垂直配向膜５２と、上部基板の外側面に配置され、所定
の偏光軸を有する偏光子５５と、下部基板に配置され、
上部基板の上方から入射される光を反射させる反射手段
とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置に係り、より詳細には、コントラスト比を改善できる
反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置（ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｔｙｐｅ ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅ
ｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ ＬＣＤ：以下、
反射型ＦＦＳ−ＬＣＤ）に関する。
置に係り、より詳細には、コントラスト比を改善できる
反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置（ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｔｙｐｅ ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅ
ｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ ＬＣＤ：以下、
反射型ＦＦＳ−ＬＣＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の反射型ＬＣＤは、誘電率異方性が
陽であるネマチック液晶組成物をツイスト配向させたＴ
Ｎ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）ＬＣＤが用いら
れる。この反射型ＴＮ−ＬＣＤは、低消費電力という特
徴を有し、電子式卓上時計、デジタル時計等の比較的小
型ＬＣＤに用いられる。しかしながら、反射型ＴＮ−Ｌ
ＣＤは、視野角特性が非常に悪くて、コントラスト比が
低いという問題点を有する。
陽であるネマチック液晶組成物をツイスト配向させたＴ
Ｎ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）ＬＣＤが用いら
れる。この反射型ＴＮ−ＬＣＤは、低消費電力という特
徴を有し、電子式卓上時計、デジタル時計等の比較的小
型ＬＣＤに用いられる。しかしながら、反射型ＴＮ−Ｌ
ＣＤは、視野角特性が非常に悪くて、コントラスト比が
低いという問題点を有する。
【０００３】このため、近年、視野角特性に優れ、かつ
高い反射率及び開口率を確保するために、反射型フリン
ジフィールド駆動液晶表示装置が研究、開発されてい
る。このような従来の反射型フリンジフィールド駆動液
晶表示装置は、その概略的な構成が図１及び図２に示さ
れている。
高い反射率及び開口率を確保するために、反射型フリン
ジフィールド駆動液晶表示装置が研究、開発されてい
る。このような従来の反射型フリンジフィールド駆動液
晶表示装置は、その概略的な構成が図１及び図２に示さ
れている。
【０００４】図１及び図２を参照すると、下部基板１１
と上部基板１２は、所定の距離をおいて対向する。多数
個の液晶分子１５ａを有する液晶層１５は、下部基板１
１と上部基板１２の間に介在する。液晶分子１５ａを動
作させるためのフリンジフィールドを形成するカウンタ
電極１４及び画素電極１３は、下部基板１１の内側面に
配置される。
と上部基板１２は、所定の距離をおいて対向する。多数
個の液晶分子１５ａを有する液晶層１５は、下部基板１
１と上部基板１２の間に介在する。液晶分子１５ａを動
作させるためのフリンジフィールドを形成するカウンタ
電極１４及び画素電極１３は、下部基板１１の内側面に
配置される。
【０００５】カラーフィルタ（図示せず）は、上部基板
１２の内側面に配置される。第１の水平配向膜２０は、
カウンタ電極１４及び画素電極１３が形成された下部基
板１１と液晶層１５との間に介在し、第２の水平配向膜
１９は、カラーフィルターが形成された上部基板１２と
液晶層１５との間に介在する。この際、第１及び第２の
水平配向膜２０、１９は、それぞれラビング軸を有し、
第１の水平配向膜２０のラビング軸と第２の水平配向膜
１９のラビング軸は、お互いに１８０゜の角度をなす
（ａｎｔｉ−ｐａｒａｌｌｅｌ）。さらに、第１の水平
配向膜２０のラビング軸は、カウンタ電極１４と画素電
極１３の間に形成されるフリンジフィールドを、基板面
に投影させた線と所定の角度をなす。上部基板１２の外
側面には、偏光子１８が取り付けられ、偏光子１８は、
その偏光軸が第１の水平配向膜２０のラビング軸と一致
するように取り付けられる。また、下部基板１１の外側
面には、入射または反射される光をλ／４だけ偏光させ
る４分１波長板１７が配置され、λ／４板１７（すなわ
ち４分１波長板）の外側には、４分１波長板１７を通過
した光を反射させる反射板１６が配置される。この際、
４分１波長板１７の遅延軸は、第１の水平配向膜２０の
ラビング軸と４５゜をなす。
１２の内側面に配置される。第１の水平配向膜２０は、
カウンタ電極１４及び画素電極１３が形成された下部基
板１１と液晶層１５との間に介在し、第２の水平配向膜
１９は、カラーフィルターが形成された上部基板１２と
液晶層１５との間に介在する。この際、第１及び第２の
水平配向膜２０、１９は、それぞれラビング軸を有し、
第１の水平配向膜２０のラビング軸と第２の水平配向膜
１９のラビング軸は、お互いに１８０゜の角度をなす
（ａｎｔｉ−ｐａｒａｌｌｅｌ）。さらに、第１の水平
配向膜２０のラビング軸は、カウンタ電極１４と画素電
極１３の間に形成されるフリンジフィールドを、基板面
に投影させた線と所定の角度をなす。上部基板１２の外
側面には、偏光子１８が取り付けられ、偏光子１８は、
その偏光軸が第１の水平配向膜２０のラビング軸と一致
するように取り付けられる。また、下部基板１１の外側
面には、入射または反射される光をλ／４だけ偏光させ
る４分１波長板１７が配置され、λ／４板１７（すなわ
ち４分１波長板）の外側には、４分１波長板１７を通過
した光を反射させる反射板１６が配置される。この際、
４分１波長板１７の遅延軸は、第１の水平配向膜２０の
ラビング軸と４５゜をなす。
【０００６】このような従来の反射型ＦＦＳ−ＬＣＤ
は、次のように動作する。まず、図１を参照すると、カ
ウンタ電極１４と画素電極１３の間に電圧差が発生しな
いと、液晶分子１５ａは、その長軸が水平配向膜２０、
１９のラビング軸と平行に配列される。これにより、自
然光は、偏光子１８を通過しながら、偏光軸と一致する
方向に進行する入射光になる。その後、入射光は、液晶
分子１５ａの長軸が水平配向膜２０、１９のラビング軸
と並んで配列されている液晶層１５を通過するので、進
行方向が変わらない。液晶層１５を通過した入射光は、
４分１波長板１７の遅延軸と４５゜をなすので、４分１
波長板１７を通過しながら右側円偏光になる。右側円偏
光は、反射板１６により反射され、右側円偏光された反
射光になる。
は、次のように動作する。まず、図１を参照すると、カ
ウンタ電極１４と画素電極１３の間に電圧差が発生しな
いと、液晶分子１５ａは、その長軸が水平配向膜２０、
１９のラビング軸と平行に配列される。これにより、自
然光は、偏光子１８を通過しながら、偏光軸と一致する
方向に進行する入射光になる。その後、入射光は、液晶
分子１５ａの長軸が水平配向膜２０、１９のラビング軸
と並んで配列されている液晶層１５を通過するので、進
行方向が変わらない。液晶層１５を通過した入射光は、
４分１波長板１７の遅延軸と４５゜をなすので、４分１
波長板１７を通過しながら右側円偏光になる。右側円偏
光は、反射板１６により反射され、右側円偏光された反
射光になる。
【０００７】反射光は、その進行方向と４５゜をなす遅
延軸を有する４分１波長板１７を通過しながら、偏光軸
と直交する方向に進行する反射光になる。４分１波長板
１７を通過した反射光の進行方向は、液晶分子１５ａの
長軸と直交するので、進行方向が変化せず液晶層１５を
通過する。液晶層１５を通過した反射光は、偏光軸と直
交するので、偏光子１８を通過しない。したがって、画
面は、ダーク（ｄａｒｋ）となる。
延軸を有する４分１波長板１７を通過しながら、偏光軸
と直交する方向に進行する反射光になる。４分１波長板
１７を通過した反射光の進行方向は、液晶分子１５ａの
長軸と直交するので、進行方向が変化せず液晶層１５を
通過する。液晶層１５を通過した反射光は、偏光軸と直
交するので、偏光子１８を通過しない。したがって、画
面は、ダーク（ｄａｒｋ）となる。
【０００８】次に、図２のように、カウンタ電極１４と
画素電極１３の間にフリンジフィールドＦが形成される
と、液晶分子１５ａは、フリンジフィールドＥの形態で
ツイストされる。これにより、液晶分子１５ａの光軸
は、偏光軸と所定の角度をなすことになる。自然光は、
偏光子１８を通過することによって、偏光軸と一致する
方向に進行する入射光になる。その後、入射光は、フリ
ンジフィールドＥの形態で配列された液晶分子１５ａの
長軸と４５゜をなす。したがって、液晶層１５を通過し
た入射光は、偏光軸と４５゜をなす入射光になる。ここ
で、液晶層１５を通過した入射光は、４分１波長板１７
の遅延軸と一致するから、入射光は、４分１波長板１７
を通過しながら、その進行方向が変わらない。４分１波
長板１７を通過した入射光は、反射板１６により反射さ
れて反射光となる。
画素電極１３の間にフリンジフィールドＦが形成される
と、液晶分子１５ａは、フリンジフィールドＥの形態で
ツイストされる。これにより、液晶分子１５ａの光軸
は、偏光軸と所定の角度をなすことになる。自然光は、
偏光子１８を通過することによって、偏光軸と一致する
方向に進行する入射光になる。その後、入射光は、フリ
ンジフィールドＥの形態で配列された液晶分子１５ａの
長軸と４５゜をなす。したがって、液晶層１５を通過し
た入射光は、偏光軸と４５゜をなす入射光になる。ここ
で、液晶層１５を通過した入射光は、４分１波長板１７
の遅延軸と一致するから、入射光は、４分１波長板１７
を通過しながら、その進行方向が変わらない。４分１波
長板１７を通過した入射光は、反射板１６により反射さ
れて反射光となる。
【０００９】反射光は、その進行方向が４分１波長板１
７の遅延軸と一致するから、進行方向が変化することな
く、４分１波長板１７を通過する。４分１波長板１７を
通過した反射光の進行方向は、液晶層１５の液晶分子１
５ａの長軸と４５゜をなすので、液晶層１５を通過した
反射光の進行方向は、偏光軸と一致することになる。し
たがって、画面は、ホワイト状態となる。
７の遅延軸と一致するから、進行方向が変化することな
く、４分１波長板１７を通過する。４分１波長板１７を
通過した反射光の進行方向は、液晶層１５の液晶分子１
５ａの長軸と４５゜をなすので、液晶層１５を通過した
反射光の進行方向は、偏光軸と一致することになる。し
たがって、画面は、ホワイト状態となる。
【００１０】しかしながら、従来の反射型ＦＦＳ−ＬＣ
Ｄは、次のような問題点を有する。従来の反射型液晶表
示装置は、バックライトを光源として使用することな
く、コントラストを改善するために、基板の外側に４分
１波長板のような光学成分が付加される。しかし、４分
１波長板のような光学成分が付加されることによって、
製造費用が上昇するという問題点がある。さらに、４分
１波長板が入射または反射される光を一部吸収するの
で、ＬＣＤの透過率、すなわち反射率を低下させる。
Ｄは、次のような問題点を有する。従来の反射型液晶表
示装置は、バックライトを光源として使用することな
く、コントラストを改善するために、基板の外側に４分
１波長板のような光学成分が付加される。しかし、４分
１波長板のような光学成分が付加されることによって、
製造費用が上昇するという問題点がある。さらに、４分
１波長板が入射または反射される光を一部吸収するの
で、ＬＣＤの透過率、すなわち反射率を低下させる。
【００１１】このような問題点を解決するために、従来
の他の方法として、４分１波長板が除去される代わり
に、液晶層の位相遅延（ｄΔｎ）がλ（２ｎ＋１）／４
になるようにして、液晶層が４分１波長板の役目をする
ようにする技術が本出願人により出願されたことがあ
る。
の他の方法として、４分１波長板が除去される代わり
に、液晶層の位相遅延（ｄΔｎ）がλ（２ｎ＋１）／４
になるようにして、液晶層が４分１波長板の役目をする
ようにする技術が本出願人により出願されたことがあ
る。
【００１２】しかし、液晶層が４分１波長板の役目をす
る技術は、次のような問題点がある。すなわち、液晶層
自体が４分１波長板の役目をすることができるように、
液晶層の位相遅延を（２ｎ＋１）λ／４に調節したとし
ても、この位相遅延は、光波長λの関数で、特定の光波
長のみでダークを実現でき、他の波長帯域では、完璧な
ダークを実現出来ない。これにより、すべての光波長帯
域で完璧なコントラストを示すことができない。
る技術は、次のような問題点がある。すなわち、液晶層
自体が４分１波長板の役目をすることができるように、
液晶層の位相遅延を（２ｎ＋１）λ／４に調節したとし
ても、この位相遅延は、光波長λの関数で、特定の光波
長のみでダークを実現でき、他の波長帯域では、完璧な
ダークを実現出来ない。これにより、すべての光波長帯
域で完璧なコントラストを示すことができない。
【００１３】また、反射型ＦＦＳ−ＬＣＤは、液晶分子
の初期配列方向を指定するために、上下基板の配向膜が
所定のラビング軸を有するようにラビングする工程を必
要とする。この際、ラビング工程は、よく知らされてい
るように、不良が発生する確率が高くて、配向膜の表面
に損傷を与えやすい。このような配向不良により、ダー
ク状態時、すなわちカウンタ電極と画素電極の間に電圧
差が発生する前、液晶分子が誤整列され、光漏洩が発生
する。これにより、ＦＦＳ−ＬＣＤの画質特性が劣化す
る。
の初期配列方向を指定するために、上下基板の配向膜が
所定のラビング軸を有するようにラビングする工程を必
要とする。この際、ラビング工程は、よく知らされてい
るように、不良が発生する確率が高くて、配向膜の表面
に損傷を与えやすい。このような配向不良により、ダー
ク状態時、すなわちカウンタ電極と画素電極の間に電圧
差が発生する前、液晶分子が誤整列され、光漏洩が発生
する。これにより、ＦＦＳ−ＬＣＤの画質特性が劣化す
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コン
トラストを改善できる反射型ＦＦＳ−ＬＣＤを提供する
ことである。
トラストを改善できる反射型ＦＦＳ−ＬＣＤを提供する
ことである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の反射型ＦＦＳ−ＬＣＤは、所定の距離をお
いて配置され、単位画素が限定された上下部基板と、上
下部基板の間に介在する多数個の液晶分子を含む液晶層
と、下部基板の単位画素に各々形成されるカウンタ電極
と、カウンタ電極と共にフリンジフィールドを発生させ
て、単位画素内の大部分の液晶分子を動作させる画素電
極と、下部基板と液晶層の間に介在し、所定のラビング
軸を有する水平配向膜と、上部基板と液晶層の間に介在
する垂直配向膜と、上部基板の外側面に配置され、所定
の偏光軸を有する偏光子と、下部基板に配置され、上部
基板の上方から入射される光を反射させる反射手段とを
含むことを特徴とする。
に、本発明の反射型ＦＦＳ−ＬＣＤは、所定の距離をお
いて配置され、単位画素が限定された上下部基板と、上
下部基板の間に介在する多数個の液晶分子を含む液晶層
と、下部基板の単位画素に各々形成されるカウンタ電極
と、カウンタ電極と共にフリンジフィールドを発生させ
て、単位画素内の大部分の液晶分子を動作させる画素電
極と、下部基板と液晶層の間に介在し、所定のラビング
軸を有する水平配向膜と、上部基板と液晶層の間に介在
する垂直配向膜と、上部基板の外側面に配置され、所定
の偏光軸を有する偏光子と、下部基板に配置され、上部
基板の上方から入射される光を反射させる反射手段とを
含むことを特徴とする。
【００１６】ここで、偏光子の偏光軸は、水平配向膜の
ラビング軸と一致するか、４５゜の角度をなす。偏光軸
がラビング軸と一致する時、ラビング軸は、液晶分子の
誘電率異方性が陽である場合、フリンジフィールドの基
板投影面と４５ないし９０゜の角度をなし、液晶分子の
誘電率異方性が陰である場合、フリンジフィールドの基
板投影面と０ないし４５゜の角度をなす。また、フリン
ジフィールド印加時、液晶層の有効位相遅延（ｄΔｎ、
ｄ：上下基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈折率異方性）
は、λ（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整数）であるこ
とが好ましい。
ラビング軸と一致するか、４５゜の角度をなす。偏光軸
がラビング軸と一致する時、ラビング軸は、液晶分子の
誘電率異方性が陽である場合、フリンジフィールドの基
板投影面と４５ないし９０゜の角度をなし、液晶分子の
誘電率異方性が陰である場合、フリンジフィールドの基
板投影面と０ないし４５゜の角度をなす。また、フリン
ジフィールド印加時、液晶層の有効位相遅延（ｄΔｎ、
ｄ：上下基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈折率異方性）
は、λ（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整数）であるこ
とが好ましい。
【００１７】一方、偏光子の偏光軸がラビング軸と４５
゜の角度をなす時、ラビング軸は、液晶分子の誘電率異
方性が陽である場合、フリンジフィールドの基板投影面
と４５ないし９０゜の角度をなし、液晶分子の誘電率異
方性が陰である場合、フリンジフィールドの基板投影面
と０ないし４５゜の角度をなす。また、フリンジフィー
ルド印加前、液晶層の有効位相遅延（ｄΔｎ、ｄ：上下
基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈折率異方性）は、λ
（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整数）であることが好
ましい。
゜の角度をなす時、ラビング軸は、液晶分子の誘電率異
方性が陽である場合、フリンジフィールドの基板投影面
と４５ないし９０゜の角度をなし、液晶分子の誘電率異
方性が陰である場合、フリンジフィールドの基板投影面
と０ないし４５゜の角度をなす。また、フリンジフィー
ルド印加前、液晶層の有効位相遅延（ｄΔｎ、ｄ：上下
基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈折率異方性）は、λ
（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整数）であることが好
ましい。
【００１８】さらに、液晶分子の屈折率異方性（Δｎ）
は、約０．０４ないし０．２程度の範囲であり、上下部
基板間の距離は、２ないし１０μｍであることが好まし
い。また、液晶層は、フィールド印加時、液晶分子が容
易にツイストされるようにドーパントを含むことが好ま
しい。
は、約０．０４ないし０．２程度の範囲であり、上下部
基板間の距離は、２ないし１０μｍであることが好まし
い。また、液晶層は、フィールド印加時、液晶分子が容
易にツイストされるようにドーパントを含むことが好ま
しい。
【００１９】本発明において、反射手段とカウンタ電極
は、同一であることが好ましく、カウンタ電極は、アル
ミニウム、金、銀から選ばれる一種の物質で形成される
ことができる。
は、同一であることが好ましく、カウンタ電極は、アル
ミニウム、金、銀から選ばれる一種の物質で形成される
ことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好ましい実施例を詳細に説明する。図３及び図４
は、本発明の実施例１に係るＦＦＳ−ＬＣＤの斜視図で
あり、図５及び図６は、本発明の実施例２に係るＦＦＳ
−ＬＣＤの斜視図である。特に、図３及び図５は、電圧
を印加する前の作動状態を、図４及び図６は、電圧を印
加した後の作動状態を各々示す。
明の好ましい実施例を詳細に説明する。図３及び図４
は、本発明の実施例１に係るＦＦＳ−ＬＣＤの斜視図で
あり、図５及び図６は、本発明の実施例２に係るＦＦＳ
−ＬＣＤの斜視図である。特に、図３及び図５は、電圧
を印加する前の作動状態を、図４及び図６は、電圧を印
加した後の作動状態を各々示す。
【００２１】
【実施例１】・ノーマルホワイト方式の反射型ＨＡＮ
（ｈｙｂｒｉｄ ａｌｉｇｎｍｅｎｔｎｅｍａｔｉｃ）
ＦＦＳ−ＬＣＤ：図３及び図４を参照すると、下部基
板３０と上部基板５０は、所定の距離をおいて対向す
る。多数個の液晶分子４０ａを有する液晶層４０は、下
部基板３０と上部基板５０の間に介在する。ここで、液
晶分子４０ａは、誘電率異方性が陰または陽であり、電
圧印加時、容易にツイストされるようにドーパントが添
加され、好ましくはｄ／ｐ（ｄ：上下基板の距離、ｐ：
ピッチ）が０．５以下に添加される。
（ｈｙｂｒｉｄ ａｌｉｇｎｍｅｎｔｎｅｍａｔｉｃ）
ＦＦＳ−ＬＣＤ：図３及び図４を参照すると、下部基
板３０と上部基板５０は、所定の距離をおいて対向す
る。多数個の液晶分子４０ａを有する液晶層４０は、下
部基板３０と上部基板５０の間に介在する。ここで、液
晶分子４０ａは、誘電率異方性が陰または陽であり、電
圧印加時、容易にツイストされるようにドーパントが添
加され、好ましくはｄ／ｐ（ｄ：上下基板の距離、ｐ：
ピッチ）が０．５以下に添加される。
【００２２】下部基板３０の内側面には、カウンタ電極
３２がプレート形態または櫛歯形態で配置されることが
でき、本実施例では、プレート形態で形成される。ま
た、カウンタ電極３２は、反射型液晶表示装置の反射板
の役目をすることができるように、反射効率に優れるア
ルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）または（Ａｇ）のよう
な物質で形成される。このようなカウンタ電極３２の表
面には、ゲート絶縁膜３４が形成され、ゲート絶縁膜３
４の上部には、カウンタ電極３２とフリンジフィールド
を形成できるように、櫛歯形態で画素電極３６が形成さ
れる。画素電極３６は、カウンタ電極３２と同じ物質で
形成されるか、又は透明導電体で形成されることができ
る。この際、フリンジフィールドは、画素電極３６の櫛
歯部分と、櫛歯部分により露出したカウンタ電極３２の
間に形成される。
３２がプレート形態または櫛歯形態で配置されることが
でき、本実施例では、プレート形態で形成される。ま
た、カウンタ電極３２は、反射型液晶表示装置の反射板
の役目をすることができるように、反射効率に優れるア
ルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）または（Ａｇ）のよう
な物質で形成される。このようなカウンタ電極３２の表
面には、ゲート絶縁膜３４が形成され、ゲート絶縁膜３
４の上部には、カウンタ電極３２とフリンジフィールド
を形成できるように、櫛歯形態で画素電極３６が形成さ
れる。画素電極３６は、カウンタ電極３２と同じ物質で
形成されるか、又は透明導電体で形成されることができ
る。この際、フリンジフィールドは、画素電極３６の櫛
歯部分と、櫛歯部分により露出したカウンタ電極３２の
間に形成される。
【００２３】このように処理された下部基板３０の表面
には、水平配向膜３８が形成される。水平配向膜３８
は、ラビング処理により、所定方向へのラビング軸を有
する。ここで、ラビング軸は、液晶分子４０ａの誘電率
異方性によって、その方向が決定される。すなわち、最
大の透過率を満足できるように、液晶分子４０ａの誘電
率異方性が陰である場合、ラビング軸は、フリンジフィ
ールドの基板投影面と約０ないし４５゜をなすように
し、誘電率異方性が陽である場合、ラビング軸は、フリ
ンジフィールドの基板投影面と約４５ないし９０゜をな
すようにする。
には、水平配向膜３８が形成される。水平配向膜３８
は、ラビング処理により、所定方向へのラビング軸を有
する。ここで、ラビング軸は、液晶分子４０ａの誘電率
異方性によって、その方向が決定される。すなわち、最
大の透過率を満足できるように、液晶分子４０ａの誘電
率異方性が陰である場合、ラビング軸は、フリンジフィ
ールドの基板投影面と約０ないし４５゜をなすように
し、誘電率異方性が陽である場合、ラビング軸は、フリ
ンジフィールドの基板投影面と約４５ないし９０゜をな
すようにする。
【００２４】対向する上部基板５０の内側面には、垂直
配向膜５２が配置され、この垂直配向膜５２は、公知の
ように別のラビング処理をしない。ここで、上下部基板
のいずれか一方には、垂直配向膜が配置され、他方には
水平配向膜が配置される構成をＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ−
Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードという。
配向膜５２が配置され、この垂直配向膜５２は、公知の
ように別のラビング処理をしない。ここで、上下部基板
のいずれか一方には、垂直配向膜が配置され、他方には
水平配向膜が配置される構成をＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ−
Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードという。
【００２５】上部基板５０の外側面には、所定の偏光軸
Ｐを有する偏光子５５が配置される。この際、偏光軸Ｐ
の方向によって、反射型液晶表示装置の駆動モードが決
定される。本実施例で、偏光軸Ｐは、ラビング軸と一致
するように配置される。また、本実施例では、ノーマル
ホワイトモードで電圧印加時、液晶層４０の有効位相遅
延（ｄΔｎ、ｄ：上下基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈
折率異方性）がλ（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整
数）になるように調節して、液晶層４０が４分１波長板
の役目をする。ここで、一般に反射型モードは、液晶分
子４０ａの円滑な動作のために、透過型より小さな位相
遅延が要求される。しかしながら、ＦＦＳ−ＬＣＤのセ
ルギャップまたは屈折率異方性を減らすことは、フィー
ルド形成及び透過率に影響を及ぼすから、このようなセ
ルギャップと屈折率異方性を任意に調節することは困難
である。
Ｐを有する偏光子５５が配置される。この際、偏光軸Ｐ
の方向によって、反射型液晶表示装置の駆動モードが決
定される。本実施例で、偏光軸Ｐは、ラビング軸と一致
するように配置される。また、本実施例では、ノーマル
ホワイトモードで電圧印加時、液晶層４０の有効位相遅
延（ｄΔｎ、ｄ：上下基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈
折率異方性）がλ（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整
数）になるように調節して、液晶層４０が４分１波長板
の役目をする。ここで、一般に反射型モードは、液晶分
子４０ａの円滑な動作のために、透過型より小さな位相
遅延が要求される。しかしながら、ＦＦＳ−ＬＣＤのセ
ルギャップまたは屈折率異方性を減らすことは、フィー
ルド形成及び透過率に影響を及ぼすから、このようなセ
ルギャップと屈折率異方性を任意に調節することは困難
である。
【００２６】しかし、本実施例のように、上部基板５０
の側に垂直配向膜５２が形成されることによって、上部
基板５０側の液晶分子４０ａは、基板と長軸とが垂直な
形態で配列され、相対的に有効位相遅延が減少すること
になる。したがって、別の調節をしなくても、反射型で
動作できる程度に有効位相遅延が減少する。好ましく
は、液晶分子４０ａの屈折率異方性Δｎは、約０．０４
ないし０．２程度の範囲に設定され、上下基板３０、５
０間の距離は、２ないし１０μｍの範囲内に設定され
る。
の側に垂直配向膜５２が形成されることによって、上部
基板５０側の液晶分子４０ａは、基板と長軸とが垂直な
形態で配列され、相対的に有効位相遅延が減少すること
になる。したがって、別の調節をしなくても、反射型で
動作できる程度に有効位相遅延が減少する。好ましく
は、液晶分子４０ａの屈折率異方性Δｎは、約０．０４
ないし０．２程度の範囲に設定され、上下基板３０、５
０間の距離は、２ないし１０μｍの範囲内に設定され
る。
【００２７】このような本発明の反射型ＦＦＳ−ＬＣＤ
は、次のように動作する。まず、図３を参照すると、カ
ウンタ電極３２と画素電極３６の間に電圧差が発生しな
いと、液晶分子４０ａは、下部基板３０側では、長軸が
基板表面と平行に配列されるが、上部基板５０側へ行く
ほど長軸が基板表面と垂直をなすようなハイブリッド形
態で配列される。この際、下部基板３０側の液晶分子４
０ａの長軸は、偏光軸Ｐと一致するラビング軸と平行に
配列される。これにより、自然光１００は、偏光子５５
を通過しながら、偏光軸Ｐと一致する方向に進行する入
射光１００ａになる。その後、入射光１００ａは、液晶
分子４０ａがハイブリッド形態で配列された液晶層４０
を通過しながら、その進行方向が変わらない。液晶層４
０を通過した入射光１００ｂは、カウンタ電極３２によ
り反射光１００ｃになる。
は、次のように動作する。まず、図３を参照すると、カ
ウンタ電極３２と画素電極３６の間に電圧差が発生しな
いと、液晶分子４０ａは、下部基板３０側では、長軸が
基板表面と平行に配列されるが、上部基板５０側へ行く
ほど長軸が基板表面と垂直をなすようなハイブリッド形
態で配列される。この際、下部基板３０側の液晶分子４
０ａの長軸は、偏光軸Ｐと一致するラビング軸と平行に
配列される。これにより、自然光１００は、偏光子５５
を通過しながら、偏光軸Ｐと一致する方向に進行する入
射光１００ａになる。その後、入射光１００ａは、液晶
分子４０ａがハイブリッド形態で配列された液晶層４０
を通過しながら、その進行方向が変わらない。液晶層４
０を通過した入射光１００ｂは、カウンタ電極３２によ
り反射光１００ｃになる。
【００２８】反射光１００ｃは、さらに液晶層４０を通
過しながら下部基板３０側の液晶分子４０ａの長軸と直
交するから、進行方向が変化することなく、液晶層４０
を通過する。液晶層４０を通過した反射光１００ｄは、
偏光軸Ｐと一致するから、偏光子５５を通過する。した
がって、画面はホワイトとなる。
過しながら下部基板３０側の液晶分子４０ａの長軸と直
交するから、進行方向が変化することなく、液晶層４０
を通過する。液晶層４０を通過した反射光１００ｄは、
偏光軸Ｐと一致するから、偏光子５５を通過する。した
がって、画面はホワイトとなる。
【００２９】一方、図４に示すように、カウンタ電極３
２と画素電極３６の間にフリンジフィールドＥが形成さ
れると、液晶分子４０ａは、フリンジフィールドＥ形態
でツイストされる。この際、フリンジフィールドＥの下
部基板３０の投影線は、偏光軸Ｐと所定角度をなす。こ
れにより、液晶分子４０ａは、フリンジフィールドと長
軸または光軸とが平行するように配列され、液晶層４０
は、（２ｎ＋１）λ／４（ここで、ｎは整数）だけ位相
遅延が発生する。
２と画素電極３６の間にフリンジフィールドＥが形成さ
れると、液晶分子４０ａは、フリンジフィールドＥ形態
でツイストされる。この際、フリンジフィールドＥの下
部基板３０の投影線は、偏光軸Ｐと所定角度をなす。こ
れにより、液晶分子４０ａは、フリンジフィールドと長
軸または光軸とが平行するように配列され、液晶層４０
は、（２ｎ＋１）λ／４（ここで、ｎは整数）だけ位相
遅延が発生する。
【００３０】自然光２００は、偏光子５５を通過するこ
とによって、偏光軸Ｐと一致する入射光２００ａにな
る。偏光子５５を通過した入射光２００ａは、（２ｎ＋
１）λ／４（ここで、ｎは整数）の位相遅延を有する液
晶層４０を通過しながら、その進行方向が変わって、右
側円偏光された入射光２００ｂになる。右側円偏光され
た入射光２００ｂは、カウンタ電極３２によって反射さ
れ、右側円偏光された反射光２００ｃになる。
とによって、偏光軸Ｐと一致する入射光２００ａにな
る。偏光子５５を通過した入射光２００ａは、（２ｎ＋
１）λ／４（ここで、ｎは整数）の位相遅延を有する液
晶層４０を通過しながら、その進行方向が変わって、右
側円偏光された入射光２００ｂになる。右側円偏光され
た入射光２００ｂは、カウンタ電極３２によって反射さ
れ、右側円偏光された反射光２００ｃになる。
【００３１】反射光２００ｃは、さらに液晶層４０の位
相遅延によって偏光軸Ｐと直交する反射光２００ｄにな
る。これにより、液晶層４０を通過した反射光２００ｄ
の進行方向は、偏光軸Ｐと直交するから、偏光子５５を
通過しなく、画面は、ダークとなる。したがって、４分
１波長板を具備しなくても、ノーマルホワイト方式でデ
ィスプレイを実現できる。この際、単位画素内の大部分
の液晶分子４０ａは、全部ツイストされ、高透過率及び
高開口率を実現できる。
相遅延によって偏光軸Ｐと直交する反射光２００ｄにな
る。これにより、液晶層４０を通過した反射光２００ｄ
の進行方向は、偏光軸Ｐと直交するから、偏光子５５を
通過しなく、画面は、ダークとなる。したがって、４分
１波長板を具備しなくても、ノーマルホワイト方式でデ
ィスプレイを実現できる。この際、単位画素内の大部分
の液晶分子４０ａは、全部ツイストされ、高透過率及び
高開口率を実現できる。
【００３２】ここで、上部基板５０側の液晶分子４０ａ
は、既に垂直配向されているので、より一層速い応答時
間で液晶分子４０ａが駆動される。また、上部基板５０
側の垂直配向膜５２は、別のラビング工程を必要としな
いので、上部基板５０側の配向不良が除去される。ま
た、下部基板３０の結果物は、従来のＦＦＳ−ＬＣＤの
構造と同一なので、別の変更なしに、従来のＦＦＳ−Ｌ
ＣＤで処理された下部基板をそのまま使用することがで
きる。
は、既に垂直配向されているので、より一層速い応答時
間で液晶分子４０ａが駆動される。また、上部基板５０
側の垂直配向膜５２は、別のラビング工程を必要としな
いので、上部基板５０側の配向不良が除去される。ま
た、下部基板３０の結果物は、従来のＦＦＳ−ＬＣＤの
構造と同一なので、別の変更なしに、従来のＦＦＳ−Ｌ
ＣＤで処理された下部基板をそのまま使用することがで
きる。
【００３３】
【実施例２】・ノーマルブラック方式の反射型ＨＡＮ
ＦＦＳ−ＬＣＤ：図５及び図６は、本発明の実施例２に
係る反射型ＨＡＮ ＦＦＳ−ＬＣＤの断面図である。本
実施例では、下部基板３０の構造物及び上部基板５０構
造物の構成は、上述した実施例１と同様で、液晶層４０
及び偏光子５５の配置だけが異なる。本実施例の反射型
ＨＡＮ ＦＦＳ−ＬＣＤは、図５に示すように、ノーマ
ルブラック方式で動作するように、偏光子５５の偏光軸
Ｐがラビング軸Ｒと所定角度、好ましくは４５゜をな
す。さらに、液晶層４０の電圧印加前の有効位相遅延
（ｄΔｎ、ｄ：上下基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈折
率異方性）がλ（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整数）
になるように調節して、液晶層４０が４分１波長板の役
目をするようにする。
ＦＦＳ−ＬＣＤ：図５及び図６は、本発明の実施例２に
係る反射型ＨＡＮ ＦＦＳ−ＬＣＤの断面図である。本
実施例では、下部基板３０の構造物及び上部基板５０構
造物の構成は、上述した実施例１と同様で、液晶層４０
及び偏光子５５の配置だけが異なる。本実施例の反射型
ＨＡＮ ＦＦＳ−ＬＣＤは、図５に示すように、ノーマ
ルブラック方式で動作するように、偏光子５５の偏光軸
Ｐがラビング軸Ｒと所定角度、好ましくは４５゜をな
す。さらに、液晶層４０の電圧印加前の有効位相遅延
（ｄΔｎ、ｄ：上下基板の距離、Δｎ：液晶分子の屈折
率異方性）がλ（２ｎ＋１）／４（ここで、ｎは整数）
になるように調節して、液晶層４０が４分１波長板の役
目をするようにする。
【００３４】このようなノーマルブラック方式の反射型
ＦＦＳ−ＬＣＤの動作を説明する。まず、フリンジフィ
ールドが形成される前、液晶分子４０ａは、長軸がラビ
ング軸と一致し、かつ基板にほぼ平行に配列される。こ
のため、自然光３００は、図５に示したように、偏光子
５５によって偏光軸Ｐと一致する方向に進行する入射光
３００ａになる。入射光３００ａは、液晶層４０を通過
しながらλ（２ｎ＋１）／４だけ位相遅延が発生し、右
側円偏光された入射光３００ｂになる。液晶層４０を通
過した入射光３００ｂは、カウンタ電極３２によって反
射されて反射光３００ｃになる。
ＦＦＳ−ＬＣＤの動作を説明する。まず、フリンジフィ
ールドが形成される前、液晶分子４０ａは、長軸がラビ
ング軸と一致し、かつ基板にほぼ平行に配列される。こ
のため、自然光３００は、図５に示したように、偏光子
５５によって偏光軸Ｐと一致する方向に進行する入射光
３００ａになる。入射光３００ａは、液晶層４０を通過
しながらλ（２ｎ＋１）／４だけ位相遅延が発生し、右
側円偏光された入射光３００ｂになる。液晶層４０を通
過した入射光３００ｂは、カウンタ電極３２によって反
射されて反射光３００ｃになる。
【００３５】反射光３００ｃの進行方向は、液晶分子４
０ａの長軸と４５゜をなすので、液晶層４０を通過しな
がら、反射光は、偏光軸Ｐと垂直をなす反射光３００ｄ
になる。液晶層４０を通過した反射光３００ｃは、その
進行方向が偏光軸Ｐと垂直であるから偏光軸Ｐを通過で
きない。したがって、画面は、ダークとなる。
０ａの長軸と４５゜をなすので、液晶層４０を通過しな
がら、反射光は、偏光軸Ｐと垂直をなす反射光３００ｄ
になる。液晶層４０を通過した反射光３００ｃは、その
進行方向が偏光軸Ｐと垂直であるから偏光軸Ｐを通過で
きない。したがって、画面は、ダークとなる。
【００３６】一方、フリンジフィールドＦが形成される
と、液晶分子４０ａは、フリンジフィールドＥと長軸ま
たは短縮が平行するように配列される。自然光４００
は、図６に示したように、偏光子５５を通過しながら偏
光軸Ｐと一致する入射光４００ａになる。偏光子５５を
通過した入射光４００ａは、液晶分子４０ａが位相遅延
無しに４５゜ツイストされるので、液晶層４０を通過し
ながら偏光軸Ｐと直交する方向に進行する入射光４００
ｂになる。液晶層４０を通過した入射光４００ｂは、カ
ウンタ電極３２によって反射されて反射光４００ｃにな
る。
と、液晶分子４０ａは、フリンジフィールドＥと長軸ま
たは短縮が平行するように配列される。自然光４００
は、図６に示したように、偏光子５５を通過しながら偏
光軸Ｐと一致する入射光４００ａになる。偏光子５５を
通過した入射光４００ａは、液晶分子４０ａが位相遅延
無しに４５゜ツイストされるので、液晶層４０を通過し
ながら偏光軸Ｐと直交する方向に進行する入射光４００
ｂになる。液晶層４０を通過した入射光４００ｂは、カ
ウンタ電極３２によって反射されて反射光４００ｃにな
る。
【００３７】反射光４００ｃは、フリンジフィールドの
形態で配列された液晶層４０を通過しながら、さらに偏
光軸と一致する反射光４００ｄになる。液晶層４０を通
過した反射光４００ｄの進行方向は、偏光軸Ｐと一致す
るので、偏光子５５を通過する。したがって、画面は、
ホワイトとなる。すなわち、４分１波長板を具備しなく
ても、ノーマルブラック方式でディスプレイを実現でき
る。
形態で配列された液晶層４０を通過しながら、さらに偏
光軸と一致する反射光４００ｄになる。液晶層４０を通
過した反射光４００ｄの進行方向は、偏光軸Ｐと一致す
るので、偏光子５５を通過する。したがって、画面は、
ホワイトとなる。すなわち、４分１波長板を具備しなく
ても、ノーマルブラック方式でディスプレイを実現でき
る。
【００３８】また、本発明は、前述の実施例のみに限定
されるものではない。例えば、本発明では、カウンタ電
極が反射板に利用されたが、カウンタ電極及び画素電極
は、透明導電体で形成され、反射板が取り付けられて
も、本実施例と同様な動作をする。
されるものではない。例えば、本発明では、カウンタ電
極が反射板に利用されたが、カウンタ電極及び画素電極
は、透明導電体で形成され、反射板が取り付けられて
も、本実施例と同様な動作をする。
【００３９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
ると、反射型ＦＦＳ−ＬＣＤにおいて、下部基板側に水
平配向膜が配置され、上部基板側に垂直配向膜が配置さ
れる。
ると、反射型ＦＦＳ−ＬＣＤにおいて、下部基板側に水
平配向膜が配置され、上部基板側に垂直配向膜が配置さ
れる。
【００４０】これにより、フィールド印加前、液晶分子
がハイブリッド形態で配列されることによって、液晶分
子の配列自体で液晶分子の屈折率異方性が自然に補償さ
れるので、多様な光波長帯域でも完璧なダークを実現で
きる。
がハイブリッド形態で配列されることによって、液晶分
子の配列自体で液晶分子の屈折率異方性が自然に補償さ
れるので、多様な光波長帯域でも完璧なダークを実現で
きる。
【００４１】また、上下基板間の距離及び屈折率異方性
を調節しなくても、反射型で動作できる程度に有効位相
遅延を減少させることができる。
を調節しなくても、反射型で動作できる程度に有効位相
遅延を減少させることができる。
【００４２】また、上部基板側にラビングを必要としな
い垂直配向膜を配置することによって、配向不良が減少
する。したがって、ダーク時、液晶分子の誤整列を防止
でき、画質欠陥が改善される。したがって、コントラス
ト比が大きく改善される。
い垂直配向膜を配置することによって、配向不良が減少
する。したがって、ダーク時、液晶分子の誤整列を防止
でき、画質欠陥が改善される。したがって、コントラス
ト比が大きく改善される。
【００４３】また、上部基板側の液晶分子は、既に垂直
配向膜により垂直配向されているので、応答時間が一層
減少する。
配向膜により垂直配向されているので、応答時間が一層
減少する。
【００４４】さらに、液晶層が４分１波長板の役目をす
ることができる程度の位相遅延を有するので、４分１波
長板のような別の光学的手段を備える必要がなく、反射
率が大きく改善される。
ることができる程度の位相遅延を有するので、４分１波
長板のような別の光学的手段を備える必要がなく、反射
率が大きく改善される。
【００４５】尚、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲
内でいろいろと変更して実施することができる。
内でいろいろと変更して実施することができる。
【図１】従来技術に係る反射型ＦＦＳ−ＬＣＤの電圧印
加前の状態を示す断面図である。
加前の状態を示す断面図である。
【図２】従来技術に係る反射型ＦＦＳ−ＬＣＤの電圧印
加後の状態を示す断面図である。
加後の状態を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係るＦＦＳ−ＬＣＤの電圧
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
【図４】本発明の実施例１に係るＦＦＳ−ＬＣＤの電圧
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
【図５】本発明の実施例２に係るＦＦＳ−ＬＣＤの電圧
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
【図６】本発明の実施例２に係るＦＦＳ−ＬＣＤの電圧
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
印加前後の状態を各々示す斜視図である。
３０ 下部基板 ３２ カウンタ電極 ３４ ゲート絶縁膜 ３６ 画素電極 ３８ 水平配向膜 ４０ 液晶層 ４０ａ 液晶分子 ５０ 上部基板 ５２ 垂直配向膜 ５５ 偏光子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 (72)発明者 金 鎭 滿 大韓民国 京畿道 利川市 大月面 巳東 里 465 現代６次アパート 604−604 (72)発明者 李 升 煕 大韓民国 京畿道 利川市 創前洞 49− １ 現代アパート 102−1206 Ｆターム(参考） 2H090 HD14 LA01 LA09 LA20 MA01 MA02 2H091 FA08X FA08Z FA14Y FB08 GA02 GA06 KA02 KA10 LA17 2H092 HA05 NA01 PA02 5C094 AA06 AA21 AA53 BA03 BA43 CA19 EA04 EA06 EA07 EB04
Claims (12)
- 【請求項１】 所定の距離をおいて配置され、単位画素
が限定された上下部基板と、 前記上下部基板の間に介在する多数個の液晶分子を含む
液晶層と、 前記下部基板の前記単位画素に各々形成されるカウンタ
電極と、 前記カウンタ電極と共にフリンジフィールドを発生させ
て、前記単位画素内の大部分の前記液晶分子を動作させ
る画素電極と、 前記下部基板と前記液晶層の間に介在し、所定のラビン
グ軸を有する水平配向膜と、 前記上部基板と前記液晶層の間に介在する垂直配向膜
と、 前記上部基板の外側面に配置され、所定の偏光軸を有す
る偏光子と、 前記下部基板に配置され、前記上部基板の上方から入射
される光を反射させる反射手段とを含むことを特徴とす
る反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記偏光子の偏光軸は、前記水平配向膜
のラビング軸と一致することを特徴とする請求項１に記
載の反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記ラビング軸は、前記液晶分子の誘電
率異方性が陽である場合、前記フリンジフィールドの基
板投影面と４５ないし９０゜の角度をなし、前記液晶分
子の誘電率異方性が陰である場合、前記フリンジフィー
ルドの基板投影面と０ないし４５゜の角度をなすことを
特徴とする請求項２に記載の反射型フリンジフィールド
駆動モード液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記フリンジフィールド印加時、前記液
晶層の有効位相遅延（ｄΔｎ、ｄ：上下基板の距離、Δ
ｎ：液晶分子の屈折率異方性）は、λ（２ｎ＋１）／４
（ここで、ｎは整数）であることを特徴とする請求項３
に記載の反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示
装置。 - 【請求項５】 前記偏光子の偏光軸は、前記水平配向膜
のラビング軸と４５゜の角度をなすことを特徴とする請
求項１に記載の反射型フリンジフィールド駆動モード液
晶表示装置。 - 【請求項６】 前記ラビング軸は、前記液晶分子の誘電
率異方性が陽である場合、前記フリンジフィールドの基
板投影面と４５ないし９０゜の角度をなし、前記液晶分
子の誘電率異方性が陰である場合、前記フリンジフィー
ルドの基板投影面と０ないし４５゜の角度をなすことを
特徴とする請求項５に記載の反射型フリンジフィールド
駆動モード液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記フリンジフィールド印加前、前記液
晶層の有効位相遅延（ｄΔｎ、ｄ：上下基板の距離、Δ
ｎ：液晶分子の屈折率異方性）は、λ（２ｎ＋１）／４
（ここで、ｎは整数）であることを特徴とする請求項６
に記載の反射型フリンジフィールド駆動モード液晶表示
装置。 - 【請求項８】 前記液晶分子の屈折率異方性（Δｎ）
は、約０．０４ないし０．２程度の範囲であることを特
徴とする請求項１、２、５のいずれかに記載の反射型フ
リンジフィールド駆動モード液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記上下部基板間の距離は、２ないし１
０μｍであることを特徴とする請求項８に記載の反射型
フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記液晶層は、フィールド印加時、液
晶分子が容易にツイストされるようにドーパントを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型フリンジフィ
ールド駆動モード液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記反射手段と前記カウンタ電極は、
同一であることを特徴とする請求項１に記載の反射型フ
リンジフィールド駆動モード液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記カウンタ電極は、アルミニウム、
金、銀から選ばれる一種の物質で形成されることを特徴
とする請求項１に記載の反射型フリンジフィールド駆動
モード液晶表示装置。
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