JP2002222778A - Manufacturing apparatus of semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents
Manufacturing apparatus of semiconductor device and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造装
置及びその製造方法に関し、特に特に半導体ウェーハを
チップに切断するウェーハ切断装置および切断方法に関
する。The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a wafer cutting apparatus and method for cutting a semiconductor wafer into chips.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体チップを製造するシリコ
ンウェーハは、ブレードを備えた半導体装置の切断装置
により、スクライブ線に沿って切断される。2. Description of the Related Art Generally, a silicon wafer for manufacturing a semiconductor chip is cut along a scribe line by a cutting device for a semiconductor device having a blade.
【０００３】図３はかかる従来の一例を説明するウェー
ハ切断装置の正面図である。図３に示すように、この従
来のウェーハ切断装置は、チップの形成にあたり、シリ
コンウェーハ５に対し回転軸７ａが平行になったウェー
ハ切断装置が用いられる。このウェーハ切断装置は、先
端にブレード１ａが取り付けられ、モータ２によりブレ
ード１ａを回転させることにより、ウェーハ５にＶ溝６
を形成し、チップに切断する。特に、ブレード１ａは、
円板状の砥石が用いられるが、その側面は全周にわたり
外側に突出したＶの字を形成している。FIG. 3 is a front view of a wafer cutting apparatus for explaining one example of the prior art. As shown in FIG. 3, this conventional wafer cutting apparatus uses a wafer cutting apparatus in which a rotation axis 7a is parallel to a silicon wafer 5 when forming chips. In this wafer cutting device, a blade 1a is attached to the tip, and the blade 1a is rotated by a motor 2, so that a V-groove 6
And cut into chips. In particular, the blade 1a
A disk-shaped grindstone is used, and its side surface forms a V-shape protruding outward over the entire circumference.
【０００４】また、上述した切断装置とは異なり、例え
ば特開昭６２−１４５８８１号公報などに記載された切
断装置も用いられている。Further, unlike the above-described cutting apparatus, a cutting apparatus described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-145881 is also used.
【０００５】図４はかかる従来の別の例を説明するウェ
ーハ切断装置の正面図である。図４に示すように、この
従来のウェーハ切断装置は、傾斜したステージ１４にシ
ート状接着剤１３を介してシリコンウェーハ５を固定し
た後、上方より平板状のブレード１２を用いて切込み１
５を形成するものである。FIG. 4 is a front view of a wafer cutting apparatus for explaining another conventional example. As shown in FIG. 4, the conventional wafer cutting apparatus fixes a silicon wafer 5 on a tilted stage 14 via a sheet-like adhesive 13 and then cuts the silicon wafer 5 from above using a flat blade 12.
5 is formed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述した前者のウェー
ハ切断装置においては、円板状の砥石の先端部がＶ字を
形成しているため、両側がウェーハにあたる。この結
果、ブレード自体の摩耗が早くなり、目立てを頻繁に行
うようになるという欠点がある。しかも、ブレードの目
立てにあたっては、Ｖ字形状の特殊な目立て治具を必要
とし、製造コストが高くなるという欠点もある。In the above-mentioned wafer cutting apparatus, since the tip of the disc-shaped grindstone forms a V-shape, both sides correspond to the wafer. As a result, there is a drawback that the blade itself wears quickly and the dressing is frequently performed. In addition, in dressing the blade, a special V-shaped dressing jig is required, and there is a disadvantage that the manufacturing cost is increased.
【０００７】また、後者のウェーハ切断装置において
は、ステージを斜めに傾けて切断を行うため、切込みの
深さを一定に保つために、ブレードの高さを溝毎に変え
る必要がある。この結果、ブレードの目立ての煩わしさ
は少なくなるものの、切込みのための時間がかかるだけ
でなく、製造コストも高くなるという欠点がある。Further, in the latter wafer cutting apparatus, since the cutting is performed with the stage inclined, the blade height must be changed for each groove in order to keep the cutting depth constant. As a result, although the burden of sharpening the blade is reduced, not only it takes a long time for cutting but also has a disadvantage that the manufacturing cost is increased.
【０００８】本発明の目的は、このようなブレードの寿
命を長く且つ目立てを容易に行なえるとともに、製造コ
ストを安くすることのできる半導体装置の製造装置及び
その製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device capable of extending the life of such a blade, facilitating dressing, and reducing the manufacturing cost.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、ウェーハを載置し裏面側を真空吸着する平板
状ステージと、回転軸が前記ウェーハの表面に対し所定
の角度をもって設置され且つ回転により前記ウェーハに
Ｖ溝を形成する厚ブレードと、回転軸が前記ウェーハの
表面に対し平行に設置され且つ回転により前記ウェーハ
の前記Ｖ溝に続く切断溝を形成する薄ブレードとを有し
て構成される。According to the present invention, there is provided an apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: a plate-like stage on which a wafer is placed and a rear surface side is vacuum-adsorbed; A thick blade that forms a V-groove in the wafer by rotation, and a thin blade whose rotation axis is set parallel to the surface of the wafer and forms a cutting groove that follows the V-groove of the wafer by rotation. It is composed.
【００１０】また、本発明における厚ブレードは、金属
円板の表面にダイヤモンドなどの硬物を接合した砥石状
に形成され、その上面および側面により前記ウェーハに
前記Ｖ溝を形成する。The thick blade according to the present invention is formed in the shape of a grindstone in which a hard material such as diamond is bonded to the surface of a metal disk, and the V-groove is formed in the wafer by its upper surface and side surfaces.
【００１１】また、本発明における厚ブレードの回転軸
は、前記ウェーハ表面に対し、ほぼ４５度の傾斜を保っ
て配置される。In the present invention, the rotation axis of the thick blade is disposed so as to be inclined at an angle of about 45 degrees with respect to the wafer surface.
【００１２】また、本発明におけるウェーハに形成する
前記Ｖ溝は、左右対称に且つほぼ９０度の角度になるよ
うに形成する。Further, the V-groove formed on the wafer in the present invention is formed so as to be bilaterally symmetric and at an angle of about 90 degrees.
【００１３】また、本発明における薄ブレードは、回転
させることなく、前記Ｖ溝内を直線的に移動するダイサ
を用いることもできる。The thin blade according to the present invention may use a dicer that moves linearly in the V-groove without rotating.
【００１４】また、本発明におけるステージは、前記ウ
ェーハの裏面を真空吸着するための複数の吸着穴を等間
隔に設けて形成される。The stage in the present invention is formed by providing a plurality of suction holes for vacuum suction of the back surface of the wafer at equal intervals.
【００１５】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、ウェーハを平板状ステージに載置しその裏面より真
空吸着するウェーハの吸着ステップと、前記ウェーハの
表面に厚ブレードを傾斜させて配置し、モータにより回
転させて前記ウェーハの表面にＶ溝を形成するＶ溝形成
ステップと、前記ウェーハの表面に形成した前記Ｖ溝に
薄ブレードを垂直に押しつけ、前記Ｖ溝から前記裏面に
続く切断溝を形成する切断溝形成ステップとを含んで構
成される。Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a wafer is placed on a flat plate-shaped stage and the wafer is sucked by vacuum suction from a back surface thereof; and a thick blade is arranged obliquely on the surface of the wafer. A V-groove forming step of forming a V-groove on the front surface of the wafer by rotating with a motor, and vertically pressing a thin blade against the V-groove formed on the front surface of the wafer, and cutting a cutting groove from the V-groove to the back surface. And forming a cutting groove to be formed.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の製造装置お
よび半導体装置の製造方法は、ステージ上に真空吸着す
るウェーハに円板状の厚ブレードを約４５度の傾斜を持
って押しつけてＶ溝を形成し、さらにそのＶ溝よりも幅
の狭い薄ブレードを垂直に配置して前記Ｖ溝に続く切断
溝を形成する。これにより、厚ブレードとウェーハとの
接触面積を増大させられるので、厚ブレードの摩耗を保
護し、もって必要以上の目立てや工数を削減し、製造コ
ストを安くするものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method according to the present invention are characterized in that a disk-shaped thick blade is pressed at an angle of about 45 degrees against a wafer to be vacuum-sucked on a stage, thereby forming a V-groove. And a thin blade narrower than the V-groove is vertically arranged to form a cutting groove following the V-groove. As a result, the contact area between the thick blade and the wafer can be increased, so that the wear of the thick blade can be protected, unnecessary dressing and man-hours can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced.
【００１７】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発
明の一実施の形態を説明するための工程順に示した半導
体装置の製造装置の正面図である。まず、図１（ａ）に
示すように、本実施の形態における半導体装置の製造装
置は、半導体チップ製造用のウェーハ５を載置し、裏面
側を矢印で示すように外部より真空吸着する平板状ステ
ージ３を備えている。このステージ３は、真空吸着する
ための複数の吸着穴４を等間隔に設けて形成される。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 1A and 1B are front views of a semiconductor device manufacturing apparatus shown in the order of steps for describing an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1 (a), a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present embodiment mounts a wafer 5 for manufacturing a semiconductor chip and vacuum-adheres a back surface from outside as indicated by an arrow. Stage 3 is provided. The stage 3 is formed by providing a plurality of suction holes 4 for vacuum suction at equal intervals.
【００１８】また、この半導体装置の製造装置は、ステ
ージ３の上方に配置され且つ個片のチップに分離するた
めに高速回転する厚ブレード１を有する。モータ２によ
って厚ブレード１を駆動する回転軸７は、水平状態に置
かれたウェーハ７の表面に対し所定の角度、最適には４
５度の傾斜をもって設置され、この厚ブレード１の回転
により、ウェーハ５にＶ溝６を形成する。この厚ブレー
ド１は、移動可能な構造で設けられるが、移動機構につ
いては、発明と直接関係ないため、図示省略している。The apparatus for manufacturing a semiconductor device has a thick blade 1 arranged above the stage 3 and rotated at a high speed to separate the chips into individual chips. The rotating shaft 7 for driving the thick blade 1 by the motor 2 has a predetermined angle with respect to the surface of the wafer 7 placed in a horizontal state, optimally at 4 °.
The V-groove 6 is formed on the wafer 5 by the rotation of the thick blade 1. The thick blade 1 is provided in a movable structure, but a moving mechanism is not shown in the drawing because it is not directly related to the present invention.
【００１９】この厚ブレード１は、金属円板の表面にダ
イヤモンドなどの硬物を接合した砥石状に形成され、そ
の上面外周部および側面の上部がウェーハ５の表面に押
し付けられ、高速回転によりＶ溝６を形成する。また、
このＶ溝６は、厚ブレード１の回転軸７をほぼ４５度に
保っているため、左右対称に形成されるとともに、ほぼ
９０度の角度になるように形成される。要するに、ウェ
ーハ５には、厚ブレード１の端面で９０度のＶカットが
形成される。The thick blade 1 is formed in a whetstone shape in which a hard material such as diamond is bonded to the surface of a metal disk, and the outer peripheral portion and the upper portion of the side surface thereof are pressed against the surface of the wafer 5. A groove 6 is formed. Also,
Since the V-groove 6 keeps the rotation axis 7 of the thick blade 1 at approximately 45 degrees, it is formed symmetrically and at an angle of approximately 90 degrees. In short, a 90 degree V-cut is formed on the end face of the thick blade 1 on the wafer 5.
【００２０】ついで、図１（ｂ）に示すように、この半
導体装置の製造装置は、モータ９により駆動される薄ブ
レード８を有する。なお、この薄ブレード８について
も、厚ブレード１と同様に、移動機構については、省略
している。この薄ブレード８は、回転軸１１がウェーハ
５の表面に対し平行に設置され且つ回転によりウェーハ
５に形成したＶ溝６に続く切断溝１０を形成する。これ
らにより、ウェーハ５より個片のチップが形成される。Next, as shown in FIG. 1B, the apparatus for manufacturing a semiconductor device has a thin blade 8 driven by a motor 9. The moving mechanism of the thin blade 8 is omitted as in the case of the thick blade 1. The thin blade 8 forms a cutting groove 10 in which the rotation axis 11 is set parallel to the surface of the wafer 5 and which follows the V-groove 6 formed in the wafer 5 by rotation. As a result, individual chips are formed from the wafer 5.
【００２１】図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１におけ
るウェーハとブレードとの関係を説明するための概略正
面図である。図２（ａ），（ｂ）に示すように、ここで
はウェーハ５を平板状ステージ５に載置しその裏面より
真空吸着するウェーハ５の吸着ステップについては、前
述した図１（ａ），（ｂ）より明白であるので、図示省
略している。FIGS. 2A and 2B are schematic front views for explaining the relationship between the wafer and the blade in FIG. As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), here, the wafer 5 is placed on the flat plate-shaped stage 5 and the wafer 5 is vacuum-adsorbed from its back surface. b) Not shown in the figure because it is more obvious.
【００２２】まず、図２（ａ）に示すように、Ｖ溝形成
ステップにおいては、ウェーハ５の表面に厚ブレード１
を所定の角度（θ１）に傾斜させて配置し、モータを回
転させてウェーハ５の表面にＶ溝６を形成する。このと
きの角度（θ１）は、前述したように、ほぼ４５度の傾
斜が理想的である。First, as shown in FIG. 2A, in a V-groove forming step, a thick blade 1
Are inclined at a predetermined angle (θ1), and the motor is rotated to form a V-groove 6 on the surface of the wafer 5. The angle (θ1) at this time is ideally approximately 45 degrees as described above.
【００２３】つぎに、図２（ｂ）に示すように、切断溝
形成ステップにおいては、ウェーハ５の表面に形成した
Ｖ溝６に薄ブレード８を垂直に押しつけ、Ｖ溝６からウ
ェーハ裏面に続く切断溝１０を形成する。これらによ
り、ウェーハ５より個片のチップが形成される。Next, as shown in FIG. 2B, in the cutting groove forming step, a thin blade 8 is pressed vertically against a V groove 6 formed on the surface of the wafer 5 and continues from the V groove 6 to the back surface of the wafer. A cutting groove 10 is formed. As a result, individual chips are formed from the wafer 5.
【００２４】また、上述した実施の形態において、薄ブ
レード８は、厚ブレード１と同様に回転する機構の例を
説明したが、Ｖ溝６の最大径よりも小さな薄いダイサと
呼ばれるブレードを用い、回転させずに直線的にＶ溝６
を移動させ、ウェーハ５を切断するように形成すること
もできる。In the above-described embodiment, an example of a mechanism in which the thin blade 8 rotates similarly to the thick blade 1 has been described. However, a thin dicer blade smaller than the maximum diameter of the V groove 6 is used. V-groove 6 linearly without rotating
Can be moved to cut the wafer 5.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造装置は、平板状ステージ上に真空吸着させた半
導体ウェーハの表面に対し回転軸を傾斜（約４５度）さ
せ、半導体ウェーハにＶ溝を形成する円板状の厚ブレー
ドと、Ｖ溝に続く切断溝を形成するために、Ｖ溝よりも
幅が狭く且つ半導体ウェーハに垂直に配置される円板状
の薄ブレードとを有することにより、厚ブレードの上面
外周部および側面上部が半導体ウェーハに当り接触面積
が増加するので、厚ブレードの摩耗を抑制し、ブレード
の寿命を長く且つ目立てを容易に行なえるとともに、製
造コストを安くできるという効果がある。As described above, the apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention tilts the rotation axis (about 45 degrees) with respect to the surface of a semiconductor wafer vacuum-adsorbed on a plate-like stage, thereby forming a semiconductor wafer. It has a disk-shaped thick blade that forms a V-groove, and a disk-shaped thin blade that is narrower than the V-groove and is arranged perpendicular to the semiconductor wafer to form a cutting groove that follows the V-groove. As a result, the upper peripheral portion and the upper side surface of the thick blade come into contact with the semiconductor wafer to increase the contact area, so that the wear of the thick blade is suppressed, the life of the blade is long, the sharpening can be easily performed, and the manufacturing cost is reduced. There is an effect that can be.
【００２６】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
ウェーハの真空吸着ステップと、前記ウェーハの表面に
厚ブレードを傾斜させて配置し、モータにより回転させ
て前記ウェーハの表面にＶ溝を形成するＶ溝形成ステッ
プと、前記ウェーハの表面に形成した前記Ｖ溝に薄ブレ
ードを垂直に押しつけ、前記Ｖ溝から前記裏面に続く切
断溝を形成する切断溝形成ステップとを有することによ
り、厚ブレートとウェーハとの接触面積が増大するの
で、厚ブレードの摩耗を抑制し、ブレードの寿命を長く
且つ目立てを容易に行なえるとともに、切断時間を短縮
し製造コストを安くできるという効果がある。Further, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention
A vacuum suction step of the wafer, a V-groove forming step of forming a V-groove on the surface of the wafer by rotating a motor to form a V-groove by arranging a thick blade on the surface of the wafer at an angle, By vertically pressing the thin blade against the V-groove and forming a cutting groove from the V-groove to the back surface, the contact area between the thick plate and the wafer is increased, so that the wear of the thick blade is increased. , The life of the blade is prolonged and sharpening can be easily performed, and the cutting time can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.
【図１】本発明の一実施の形態を説明するための工程順
に示した半導体装置の製造装置の正面図である。FIG. 1 is a front view of a semiconductor device manufacturing apparatus shown in the order of steps for describing an embodiment of the present invention.
【図２】図１におけるウェーハとブレードとの関係を説
明するための概略正面図である。FIG. 2 is a schematic front view for explaining a relationship between a wafer and a blade in FIG. 1;
【図３】従来の一例を説明する半導体装置の製造装置の
正面図である。FIG. 3 is a front view of a semiconductor device manufacturing apparatus for explaining an example of the related art.
【図４】従来の別の例を説明する半導体装置の製造装置
の正面図である。FIG. 4 is a front view of a semiconductor device manufacturing apparatus illustrating another conventional example.
１ 厚ブレード ２，９ モータ ３ ステージ ４ 吸着穴 ５ ウェーハ ６ Ｖ溝 ７，１１ 回転軸 ８ 薄ブレード １０ 切断溝 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thick blade 2, 9 Motor 3 Stage 4 Suction hole 5 Wafer 6 V groove 7, 11 Rotation axis 8 Thin blade 10 Cutting groove
Claims (7)
平板状ステージと、回転軸が前記ウェーハの表面に対し
所定の角度をもって設置され且つ回転により前記ウェー
ハにＶ溝を形成する厚ブレードと、回転軸が前記ウェー
ハの表面に対し平行に設置され且つ回転により前記ウェ
ーハの前記Ｖ溝に続く切断溝を形成する薄ブレードとを
有することを特徴とする半導体装置の製造装置。A flat stage on which a wafer is placed and the back side of the wafer is vacuum-sucked; a thick blade having a rotation axis set at a predetermined angle with respect to the front surface of the wafer and forming a V-groove in the wafer by rotation; A thin blade whose rotation axis is set in parallel with the surface of the wafer and forms a cutting groove following the V-groove of the wafer by rotation.
イヤモンドなどの硬物を接合した砥石状に形成され、そ
の上面および側面により前記ウェーハに前記Ｖ溝を形成
する請求項１記載の半導体装置の製造装置。2. The semiconductor according to claim 1, wherein said thick blade is formed in the shape of a grindstone in which a hard material such as diamond is bonded to a surface of a metal disk, and said V-groove is formed in said wafer by its upper surface and side surfaces. Equipment manufacturing equipment.
ハ表面に対し、ほぼ４５度の傾斜を保って配置される請
求項１記載の半導体装置の製造装置。3. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the rotation axis of said thick blade is disposed so as to be inclined at approximately 45 degrees with respect to said wafer surface.
右対称に且つほぼ９０度の角度になるように形成する請
求項１記載の半導体装置の製造装置。4. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the V-groove formed in the wafer is formed symmetrically and substantially at an angle of 90 degrees.
く、前記Ｖ溝内を直線的に移動するダイサを用いた請求
項１記載の半導体装置の製造装置。5. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the thin blade uses a dicer that moves linearly in the V-groove without rotating.
真空吸着するための複数の吸着穴を等間隔に設けた請求
項１記載の半導体装置の製造装置。6. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the stage is provided with a plurality of suction holes for vacuum suction of the back surface of the wafer at equal intervals.
裏面より真空吸着するウェーハの吸着ステップと、前記
ウェーハの表面に厚ブレードを傾斜させて配置し、モー
タにより回転させて前記ウェーハの表面にＶ溝を形成す
るＶ溝形成ステップと、前記ウェーハの表面に形成した
前記Ｖ溝に薄ブレードを垂直に押しつけ、前記Ｖ溝から
前記裏面に続く切断溝を形成する切断溝形成ステップと
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。7. A wafer suction step in which a wafer is mounted on a flat plate-shaped stage and vacuum suction is performed from the back surface thereof, and a thick blade is arranged on the surface of the wafer at an angle, and is rotated by a motor to rotate the wafer on the surface of the wafer. A V-groove forming step of forming a V-groove; and a cutting-groove forming step of vertically pressing a thin blade against the V-groove formed on the front surface of the wafer to form a cutting groove from the V-groove to the back surface. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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|---|---|---|---|
| JP2001017254A JP2002222778A (en) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | Manufacturing apparatus of semiconductor device and its manufacturing method |
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| JP (1) | JP2002222778A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100459092C (en) * | 2003-11-28 | 2009-02-04 | 日东电工株式会社 | Method and apparatus for cutting adhesive tape |
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-
2001
- 2001-01-25 JP JP2001017254A patent/JP2002222778A/en active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030630 |