JP2002217172A - Manufacturing equipment - Google Patents
Manufacturing equipmentInfo
- Publication number
- JP2002217172A JP2002217172A JP2001009283A JP2001009283A JP2002217172A JP 2002217172 A JP2002217172 A JP 2002217172A JP 2001009283 A JP2001009283 A JP 2001009283A JP 2001009283 A JP2001009283 A JP 2001009283A JP 2002217172 A JP2002217172 A JP 2002217172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield plate
- manufacturing apparatus
- shield
- manufacturing
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は製造装置に関する。
さらに詳しくは、半導体チップや液晶表示素子の製造工
程などにおいて、たとえば気相中でウエハやガラス基板
などをエッチングするドライエッチング装置または成膜
装置などの製造装置に関する。[0001] The present invention relates to a manufacturing apparatus.
More specifically, the present invention relates to a manufacturing apparatus such as a dry etching apparatus or a film forming apparatus for etching a wafer or a glass substrate in a gas phase, for example, in a manufacturing process of a semiconductor chip or a liquid crystal display element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、液晶表示素子製造工程におけ
るドライエッチング装置では、安価な石英製のシールド
板が多用されていたが、プロセス中に付着する反応生成
物（デポ物）の薄膜と石英との密着力が小さく、剥離し
やすいため頻繁にチャンバを開放して、シールド板を交
換する必要があった。これを解消するために、半導体用
装置技術を応用して、シールド板の材質を、デポ物との
密着力が高いアルミナセラミックとすることが知られて
いる。2. Description of the Related Art In the past, inexpensive shield plates made of quartz have been frequently used in dry etching equipment in the process of manufacturing liquid crystal display elements. However, a thin film of a reaction product (deposited substance) adhering during the process and quartz are used. Therefore, the chamber had to be frequently opened and the shield plate had to be replaced, since the adhesive force was small and the peeling was easy. In order to solve this problem, it is known that the material of the shield plate is made of alumina ceramic having a high adhesion to a deposited material by applying a semiconductor device technology.
【０００３】しかしながら、液晶表示素子用基板とし
て、大きなサイズの基板をドライエッチングする場合、
該大きな基板用ドライエッチング装置に装着するアルミ
ナセラミック製シールド板としては、そのシールド板の
縦寸法または横寸法が板厚の５０倍以上となる。このよ
うな大きなシールド板を前記基板の４辺に沿うように４
分割して、その端部を階段状に加工して組み合わせる技
術があるが、製造コストが高いという問題がある。However, when dry etching a large-sized substrate as a substrate for a liquid crystal display element,
As the alumina ceramic shield plate to be mounted on the large substrate dry etching apparatus, the vertical or horizontal dimension of the shield plate is 50 times or more the plate thickness. Place such a large shield plate along the four sides of the substrate.
Although there is a technique of dividing and processing the ends in a step shape and combining them, there is a problem that the manufacturing cost is high.
【０００４】つぎに図を用いてさらに詳しく説明する。
図１２に従来のドライエッチング装置でのシールド板の
配置を示す図を、図１３に従来のドライエッチング装置
でのシールド板の端部の組み合わせ部の形状を、図１４
に従来のドライエッチング装置の主要部を切り欠いた部
分断面図を示す。図１４において、５１はシールド板、
５２は真空槽、５３は基板、５４は上部電極、５５は下
部電極であるサセプタである。真空槽５２は図示しない
真空排気装置に接続され、内部が高真空に排気される。
上部電極５４は図示しない電源に接続されている。従来
のシールド板５１は、図１２に示されるように４辺が４
分割、横方向の辺部の分割片５１ａと縦方向の辺部の分
割片５１ｂにされ、図１３に示されるように該分割片５
１ａと５１ｂの端部の組み合わせ部５６が階段状とされ
ている。このため、組み合わせ部５６の嵌め合い精度を
確保するために、本焼き後で、非常に硬度の大きなアル
ミナセラミックに対して、高価で破損しやすいエンドミ
ルを用いて研削加工が行なわれる。その結果、コストが
高くなるという問題がある。たとえば、縦６５ｍｍ、横
５６０ｍｍおよび厚さ３ｍｍのシールド板の端部を階段
状に加工したときの加工費は、石英ガラス製シールド板
では１枚４万円であるのに対し、アルミナセラミック製
シールド板では１枚１５万円と高価であった。Next, a more detailed description will be given with reference to the drawings.
FIG. 12 is a diagram showing the arrangement of the shield plate in the conventional dry etching apparatus, and FIG. 13 is a diagram showing the shape of the combination of the ends of the shield plate in the conventional dry etching apparatus.
FIG. 1 shows a partial cross-sectional view of a conventional dry etching apparatus in which main parts are cut away. In FIG. 14, 51 is a shield plate,
52 is a vacuum chamber, 53 is a substrate, 54 is an upper electrode, and 55 is a susceptor as a lower electrode. The vacuum chamber 52 is connected to a not-shown vacuum exhaust device, and the inside is exhausted to a high vacuum.
The upper electrode 54 is connected to a power source (not shown). The conventional shield plate 51 has four sides of four as shown in FIG.
As shown in FIG. 13, the divided pieces 51a are divided into horizontal side divided parts 51a and vertical side divided parts 51b.
The combination portion 56 at the end of 1a and 51b is stepped. For this reason, in order to secure the fitting accuracy of the combination part 56, after the final baking, the alumina ceramic having extremely high hardness is subjected to grinding using an expensive and easily breakable end mill. As a result, there is a problem that the cost increases. For example, the cost of processing a shield plate having a length of 65 mm, a width of 560 mm, and a thickness of 3 mm in a stepped manner is 40,000 yen for a quartz glass shield plate, whereas an alumina ceramic shield plate costs 40,000 yen. Plates were expensive at 150,000 yen per sheet.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題を
解決するためになされたものであり、シールド板の製造
コストを低減させるとともに、シールド板の寸法精度を
維持することができる製造装置を提供することを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus capable of reducing the manufacturing cost of a shield plate and maintaining the dimensional accuracy of the shield plate. The purpose is to provide.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の製造装置は、真
空槽内に配置される上部電極と、該上部電極に対向して
配置される下部電極と、該下部電極に載置される基板の
外周に配置されるシールド板とを備える製造装置であっ
て、前記シールド板を小ピースに分割したことを特徴と
する。A manufacturing apparatus according to the present invention comprises an upper electrode disposed in a vacuum chamber, a lower electrode disposed opposite to the upper electrode, and a substrate mounted on the lower electrode. And a shield plate arranged on the outer periphery of the shield plate, wherein the shield plate is divided into small pieces.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の製造装置を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
【０００８】実施の形態１ 本実施の形態１にかかわるドライエッチング装置は、図
１〜２に示されるように液晶表示素子製造工程における
ガラス基板を対象とするドライエッチング装置であっ
て、真空槽１内に配置される上部電極２と、該上部電極
２に対向して配置される下部電極であるサセプタ３と、
該サセプタ３に載置される矩形の基板４の外周に配置さ
れる矩形のシールド板５とを備えている。前記真空槽１
はターボ分子ポンプなどの真空排気装置（図示せず）に
接続され、内部が高真空に排気され、エッチング時には
基板４の薄膜表面に作用させるエッチングガスが充填さ
れる。また、サセプタ３は電源６に接続されている。First Embodiment A dry etching apparatus according to a first embodiment is a dry etching apparatus for a glass substrate in a liquid crystal display element manufacturing process as shown in FIGS. An upper electrode 2 disposed therein, a susceptor 3 which is a lower electrode disposed opposite to the upper electrode 2,
A rectangular shield plate 5 arranged on the outer periphery of a rectangular substrate 4 mounted on the susceptor 3. The vacuum chamber 1
Is connected to a vacuum evacuation device (not shown) such as a turbo molecular pump, and the inside is evacuated to a high vacuum, and is filled with an etching gas that acts on the thin film surface of the substrate 4 during etching. The susceptor 3 is connected to a power supply 6.
【０００９】本実施の形態１では、シールド板５の縦寸
法および横寸法が、板厚の概ね３０倍以内となるよう
に、シールド板５の四隅部が小ピース片のシールド板５
ｃにされるとともに、該シールド板５の４辺部（横方向
Ｘの辺部と縦方向Ｙの辺部）が複数の小ピース片のシー
ルド板５ａ、５ｂに分割されている。In the first embodiment, the four corners of the shield plate 5 are formed of small piece pieces so that the vertical and horizontal dimensions of the shield plate 5 are within approximately 30 times the plate thickness.
c, and four sides (a side in the horizontal direction X and a side in the vertical direction Y) of the shield plate 5 are divided into a plurality of small piece shield plates 5a and 5b.
【００１０】一例として、図３にシールド板の隅部分の
シールド板寸法を示す。図３では、シールド板５の厚さ
を４ｍｍとして、３種類の形状、具体的には縦Ｙ１＝６
５ｍｍ、横Ｘ１＝７９ｍｍの１２枚のシールド板５ａ、
縦Ｙ２＝７４ｍｍ、横Ｘ２＝８７ｍｍの１４枚のシール
ド板５ｂ、および縦Ｙ３＝６８ｍｍ、横Ｘ３＝９０ｍｍ
の隅部の４枚のシールド板５ｃにされている。また、シ
ールド板５ａ、５ｂの中央にエッチングガスの流路とな
る直径２５ｍｍの孔７を設けている。As an example, FIG. 3 shows dimensions of a shield plate at a corner of the shield plate. In FIG. 3, the thickness of the shield plate 5 is 4 mm, and three types of shapes, specifically, Y1 = 6
12 shield plates 5a each having a size of 5 mm and a width of X1 = 79 mm,
Fourteen shield plates 5b with a vertical Y2 = 74 mm and a horizontal X2 = 87 mm, and a vertical Y3 = 68 mm and a horizontal X3 = 90 mm
The four shield plates 5c at the corners are provided. In addition, a hole 7 having a diameter of 25 mm serving as a flow path for the etching gas is provided at the center of the shield plates 5a and 5b.
【００１１】本実施の形態１では、前記シールド板５ａ
を１２枚、シールド板５ｂを１４枚、シールド板５ｃを
４枚組み合わせて、サセプタ３と真空槽１とのあいだの
ロの字型部分に並べている。In the first embodiment, the shield plate 5a
Are combined, 12 shield plates 5b, and 4 shield plates 5c are arranged in a square shape between the susceptor 3 and the vacuum chamber 1.
【００１２】シールド板５（５ａ〜５ｃ）の材質として
は、純度９９％以上の高純度アルミナセラミックの焼結
材を用いている。各シールド板５ａ〜５ｃの形状加工
は、焼き放し（１度目の焼成）時に、外形加工を済ませ
るだけであり、本焼き（２度目の焼成）後に研削加工を
施す必要はない。As a material of the shield plate 5 (5a to 5c), a sintered material of high-purity alumina ceramic having a purity of 99% or more is used. The shape processing of each of the shield plates 5a to 5c only finishes the outer shape processing at the time of burning (first firing), and does not need to perform the grinding processing after the main firing (second firing).
【００１３】前記小ピース片のシールド板同士の繋ぎ部
である端部の組み合わせ面は、概ね垂直であるが焼成時
の反りにより、完全に密着せず、１ｍｍ程度の隙間が生
じるが、実用上は問題ない。The combined surface of the ends of the small piece pieces, which are the connecting portions of the shield plates, is generally vertical, but does not completely adhere due to warpage during firing, and a gap of about 1 mm is generated. Is no problem.
【００１４】なお、かかるセラミックの板状部材の本焼
きで生じる面方向の反りは、概ね板厚を１０倍した面方
向寸法あたり０．２ｍｍである。たとえば、板厚４ｍｍ
であれば、４０ｍｍあたり０．２ｍｍの反りが発生す
る。複数ごとを並べる場合、隣接するシールド板同士で
生じる段差が０．６ｍｍ程度以内であれば、実用上充分
である。これを満足するようにシールド板の板厚に応じ
て小ピースに分割する。ドライエッチイング装置では、
シールド板の厚さとして、２〜８ｍｍ、望ましくは３〜
５ｍｍのものが適するので、シールド板の縦横寸法とし
て厚さが２ｍｍであれば、縦横６０ｍｍ角以内、厚さが
３ｍｍであれば、縦横９０ｍｍ角以内、厚さが５ｍｍで
あれば、縦横１５０ｍｍ以内、厚さが８ｍｍであれば、
縦横２４０ｍｍ以内とする。このような寸法とすると、
本焼き後の研磨加工なしでも、シールド板１枚の反りは
０．６ｍｍ以内となり、実用上問題ない状態となる。The warpage of the ceramic plate-like member in the surface direction caused by the main firing is approximately 0.2 mm per dimension in the surface direction, which is approximately ten times the plate thickness. For example, plate thickness 4mm
, A warp of 0.2 mm per 40 mm occurs. In the case of arranging a plurality of the shield plates, it is practically sufficient if the step generated between the adjacent shield plates is within about 0.6 mm. In order to satisfy this, it is divided into small pieces according to the thickness of the shield plate. In dry etching equipment,
The thickness of the shield plate is 2 to 8 mm, preferably 3 to
5 mm is suitable, so if the thickness of the shield plate is 2 mm, it is within 60 mm square, if it is 3 mm, it is within 90 mm square, if it is 3 mm, and if it is 5 mm, it is 150 mm. , If the thickness is 8mm,
Length and width should be within 240mm. With these dimensions,
Even without polishing after baking, the warpage of one shield plate is within 0.6 mm, which is a practically acceptable state.
【００１５】以上のように、小ピースに分割したシール
ド板とすることで、シールド板製造の際に本焼き後の研
削加工が不要になり、低コストのシールド板が得られる
という効果を奏する。As described above, by forming a shield plate divided into small pieces, there is no need to perform grinding after baking when manufacturing the shield plate, and an effect is obtained that a low-cost shield plate can be obtained.
【００１６】なお、本実施の形態１では、矩形の電極と
真空槽とのあいだのロの字型部分をシールドするシール
ド板の場合を説明したが、たとえば円形の電極と、概ね
円筒状の真空槽とのあいだのリング状部をシールドする
シールド板に適用しても同等の効果を奏する。もちろ
ん、たとえば矩形の開口部をシールドするシールド板に
適用しても、同様の効果を奏する。In the first embodiment, the case of the shield plate for shielding the square-shaped portion between the rectangular electrode and the vacuum chamber has been described. For example, a circular electrode and a substantially cylindrical vacuum The same effect can be obtained even when applied to a shield plate for shielding a ring-shaped portion between the tank and the tank. Of course, the same effect can be obtained even when the present invention is applied to, for example, a shield plate for shielding a rectangular opening.
【００１７】また、本実施の形態１では、シールド板の
材質として、アルミナセラミックを用いた場合を説明し
たが、他の材料の焼結体、たとえばジルコニア、マグネ
シア、ステアタイト、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ
素などを用いる場合でも同様の効果を奏する。さらにこ
れらの材料の多孔質体を用いても同様の効果を奏する。In the first embodiment, the case where alumina ceramic is used as the material of the shield plate has been described. However, a sintered body of another material, for example, zirconia, magnesia, steatite, aluminum nitride or silicon nitride is used. The same effect can be obtained even when such a method is used. Further, the same effect can be obtained by using a porous body of these materials.
【００１８】実施の形態２ 実施の形態２にかかわるシールド板では、図４に示され
るようにシールド板５ａ〜５ｃの端部をテーパ状の面取
りＣ１としている。なお、図４においては、シールド板
５ｂのみを示している。本発明の機械加工による端部の
テーパ加工では、焼き放し後で硬度の低い状態にて、高
価で破損しやすいエンドミルを使わずに、一般的な刃物
にて加工することができるため、加工コストを低廉にす
ることができる。Second Embodiment In the shield plate according to the second embodiment, as shown in FIG. 4, the ends of the shield plates 5a to 5c are tapered chamfers C1. Note that FIG. 4 shows only the shield plate 5b. In the taper processing of the end portion by the machining according to the present invention, since it can be processed with a general blade without using an expensive and easily breakable end mill in a state of low hardness after annealing, the processing cost is reduced. Can be reduced.
【００１９】また、端部をテーパ状にして複数のシール
ド板を組み合わせることで、シールド板の平面に垂直な
方向から、反対側が光学的に不可視となる。したがっ
て、ドライエッチング装置を用いたプロセスでは発生が
不可避なデポ物の拡散に対しては、デポ物がシールド板
を通過する頻度を極めて低くすることが可能で、分割し
ない大型のシールド板と同等の防御性が実現できる。By combining a plurality of shield plates with tapered ends, the opposite side becomes optically invisible from a direction perpendicular to the plane of the shield plate. Therefore, it is possible to extremely reduce the frequency at which the deposits pass through the shield plate for the diffusion of the deposits, which is inevitable in the process using the dry etching apparatus, which is equivalent to a large shield plate that is not divided. Defensiveness can be realized.
【００２０】なお、図４ではテーパ角度θを４５度とし
た場合を示したが、これ以外の角度、たとえば３０度ま
たは６０度であっても同様の効果を奏する。Although FIG. 4 shows the case where the taper angle θ is 45 degrees, the same effect can be obtained with other angles, for example, 30 degrees or 60 degrees.
【００２１】以上の構成のシールド板とすることで、従
来の階段状の端部のシールド板と比べ、焼き放しで低コ
ストで製作できるという効果がある。By using the shield plate having the above-described structure, there is an effect that the shield plate can be manufactured at low cost by burning it in as compared with a conventional shield plate having a stepped end portion.
【００２２】実施の形態３ 実施の形態３にかかわるドライエッチング装置のシール
ド板では、複数のシールド板５ａ〜５ｃの両端部（繋ぎ
部）における組み合わせ面、たとえばシールド板５ｂの
板厚方向の端部を、図５（ａ）に示されるように垂直部
Ｖを０．５ｍｍ以上残した上で、テーパ状に面取りＣ２
を施している。本実施の形態３では、図５（ｂ）に示さ
れるように板厚Ｈ＝４ｍｍの場合に、ｈ＝１ｍｍの垂直
部Ｖを残し、当該残りの３ｍｍに４５度の面取りＣ２を
施したものである。Third Embodiment In a shield plate of a dry etching apparatus according to a third embodiment, a combined surface at both end portions (joining portions) of a plurality of shield plates 5a to 5c, for example, an end portion in a thickness direction of the shield plate 5b As shown in FIG. 5 (a), after leaving a vertical portion V of 0.5 mm or more, the chamfer C2 is tapered.
Has been given. In the third embodiment, as shown in FIG. 5B, when the plate thickness H is 4 mm, a vertical portion V of h = 1 mm is left, and the remaining 3 mm is subjected to a 45-degree chamfer C2. It is.
【００２３】本実施の形態３は、前記実施の形態２で示
した、端部を完全にテーパ状とした場合では、テーパの
先端がとがっていることにより、複数のシールド板の組
み合わせ精度がせいぜい±０．８ｍｍ程度のため、精度
が不足するという場合に有効である。また、シールド板
のエッジに鋭利な部分がないため、シールド板の破損防
止に有効である。さらに、シールド板の長さ方向の寸法
精度（シールド板の面方向の縦横寸法の精度）を高く、
端部に垂直部を残すことで、焼き放し後の機械加工時に
容易に、シールド板の長さ方向の寸法精度を±０．２ｍ
ｍ程度まで高くすることができる。In the third embodiment, when the end portion is completely tapered as shown in the second embodiment, the tip of the taper is sharpened, so that the accuracy of combining a plurality of shield plates is at best. Since it is about ± 0.8 mm, it is effective when accuracy is insufficient. Further, since there is no sharp portion at the edge of the shield plate, it is effective to prevent breakage of the shield plate. Furthermore, the dimensional accuracy in the length direction of the shield plate (the accuracy of the vertical and horizontal dimensions in the surface direction of the shield plate) is high
By leaving a vertical portion at the end, the dimensional accuracy in the length direction of the shield plate is easily ± 0.2 m during machining after annealing.
m.
【００２４】以上の構成のシールド板を用いることで、
シールド板の長さ寸法精度が高く、また、端部が破損し
にくいため、扱いが容易で長寿命のシールド板が得られ
るという効果がある。By using the shield plate having the above configuration,
Since the length dimension accuracy of the shield plate is high and the ends are not easily damaged, there is an effect that a shield plate which is easy to handle and has a long life can be obtained.
【００２５】実施の形態４ 実施の形態４にかかわるドライエッチング装置のシール
ド板では、図６〜７に示されるようにシールド板５ａ〜
５ｃ、たとえばシールド板５ｂの両端部（繋ぎ部）のテ
ーパ状の面取りＣ２の方向を概ね平行にしている。ここ
では、図５と同様に板厚４ｍｍの場合に、１ｍｍの垂直
部を残し、３ｍｍの４５度面取りＣ２を両端部に施した
ものである。また、シールド板５ａ、５ｂにおけるエッ
チングガス流路となる孔７をシールド板面の中心に設け
ている。このような形状とすることで、シールド板５
ａ、５ｂの表裏がなくなる。Fourth Embodiment In a shield plate of a dry etching apparatus according to a fourth embodiment, as shown in FIGS.
5c, for example, the directions of the tapered chamfers C2 at both ends (joining portions) of the shield plate 5b are made substantially parallel. Here, similarly to FIG. 5, when the plate thickness is 4 mm, a 1 mm vertical portion is left, and a 45 mm chamfer C2 of 3 mm is applied to both ends. Further, a hole 7 serving as an etching gas flow path in the shield plates 5a and 5b is provided at the center of the shield plate surface. With such a shape, the shield plate 5
The front and back of a and 5b disappear.
【００２６】なお、本実施の形態４では、図８（ａ）に
示されるように隅部のシールド板５ｃの端部の面取りＣ
２のテーパ面の方向を、図８（ｂ）に示されるように反
対（左側の面取りＣ２のテーパ面が垂直部から下向き、
右側の面取りＣ２のテーパ面が垂直部から上向きとなる
状態）にした例を説明したが、図１１（ａ）に示される
隅部のシールド板５ｃのように、端部の面取りＣ２のテ
ーパ面の方向を、図１１（ｂ）に示されるように同一
（左側の面取りＣ２のテーパ面が垂直部から下向き、右
側の面取りＣ２のテーパ面が垂直部から下向きとなる状
態）として他のシールド板と組み合わせるようにしても
同等の効果を奏する。In the fourth embodiment, as shown in FIG. 8A, the chamfer C at the end of the corner shield plate 5c is used.
8B, the direction of the tapered surface is reversed as shown in FIG. 8B (the tapered surface of the left-side chamfer C2 faces downward from the vertical portion,
The example in which the tapered surface of the right-side chamfer C2 is upward from the vertical portion has been described, but the tapered surface of the chamfer C2 at the end portion like the shield plate 5c at the corner shown in FIG. 11 (b), the same direction (a state in which the tapered surface of the left-side chamfer C2 faces downward from the vertical portion, and the taper surface of the right-side chamfer C2 faces downward from the vertical portion). The same effect can be obtained by combining with.
【００２７】したがって、ドライエッチング装置のメン
テナンス時にシールド板の向きを間違えることがなくな
り、メンテナンス作業が容易になるという効果が得られ
る。Therefore, the direction of the shield plate is not mistaken during the maintenance of the dry etching apparatus, and the effect that the maintenance work is facilitated is obtained.
【００２８】実施の形態５ 実施の形態５にかかわるドライエッチング装置のシール
ド板では、図９〜１０に示されるようにシールド板５ａ
〜５ｃの両端部（繋ぎ部）のテーパ状の面取りＣ２の方
向を対称にしている。ここでは、図５と同様に板厚４ｍ
ｍの場合に、１ｍｍの垂直部を残し、３ｍｍの４５度面
取りＣ２を対称にしている。この場合、シールド板５
ａ、５ｃの断面は台形となる。また、ガス抜き孔７をシ
ールド板面の中心に設けている。なお、隅部のシールド
板５ｃでは、端部のテーパ方向を適宜設定することで、
複数のシールド板を隙間なく組み合わせることが可能で
ある。このような形状とすることで、複数のシールド板
を並べる場合に表裏を交互に並べることでシールドすべ
き部分を埋め尽くすことができる。また、本実施の形態
５で示した形状では、それぞれのシールド板が楔効果を
発揮するため、シールド板の長さ方向の寸法精度が低い
場合でも、組み合わせ面の密着度を高くすることができ
る。Fifth Embodiment A shield plate of a dry etching apparatus according to a fifth embodiment includes a shield plate 5a as shown in FIGS.
The directions of the tapered chamfers C2 at both end portions (connecting portions) of 5c to 5c are symmetrical. Here, as in FIG.
In the case of m, the 1 mm vertical portion is left, and the 3 mm 45 ° chamfer C2 is symmetric. In this case, the shield plate 5
Sections a and 5c are trapezoidal. Further, a gas vent hole 7 is provided at the center of the shield plate surface. In the corner shield plate 5c, by appropriately setting the taper direction of the end,
It is possible to combine a plurality of shield plates without gaps. By adopting such a shape, when a plurality of shield plates are arranged, the front and back sides are alternately arranged, so that a portion to be shielded can be filled up. Further, in the shape shown in the fifth embodiment, since each shield plate exerts a wedge effect, even when the dimensional accuracy in the length direction of the shield plate is low, the degree of adhesion of the combined surface can be increased. .
【００２９】なお、本実施の形態では、図１１（ａ）、
（ｂ）に示されるように隅部のシールド板５ｃの端部の
面取りＣ２のテーパ面の方向を同一にした場合を示した
が、図８（ａ）、（ｂ）のシールド板５ｃのように、テ
ーパ面を反対方向として他のシールド板と組み合わせる
ようにしても同等の効果を奏する。In this embodiment, FIG.
As shown in FIG. 8B, the case where the direction of the tapered surface of the chamfer C2 at the end of the corner shield plate 5c is the same is shown, but as shown in FIG. 8A and FIG. In addition, the same effect can be obtained even when the tapered surface is set in the opposite direction and combined with another shield plate.
【００３０】以上の構成により、小ピースに分割して長
さ寸法の精度が低いシールド板であっても組み合わせ面
の隙間が小さく、シールド効果を高くできるという効果
がある。With the above configuration, even if the shield plate is divided into small pieces and the accuracy of the length dimension is low, the gap between the combined surfaces is small and the shield effect can be enhanced.
【００３１】なお、以上の実施の形態では、ドライエッ
チング装置に適用した場合を示したが、これ以外の液晶
表示素子製造工程で用いる装置、たとえばプラズマＣＶ
Ｄ装置またはスパッタ装置などの成膜装置に適用しても
同様の効果を奏する。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a dry etching apparatus has been described. However, other apparatuses used in a liquid crystal display element manufacturing process, for example, a plasma CV
The same effect can be obtained even when applied to a film forming apparatus such as a D apparatus or a sputtering apparatus.
【００３２】また、液晶表示素子製造工程以外、たとえ
ば半導体製造工程で用いるドライエッチング装置、プラ
ズマＣＶＤ装置またはスパッタ装置に適用しても同様の
効果を奏する。The same effects can be obtained by applying the present invention to a dry etching apparatus, a plasma CVD apparatus, or a sputtering apparatus used in a semiconductor manufacturing process other than the liquid crystal display device manufacturing process.
【００３３】さらに、多結晶シリコン太陽電池製造工程
に用いるプラズマＣＶＤ装置のシールド板に適用しても
同様の効果を奏する。Further, the same effect can be obtained by applying the present invention to a shield plate of a plasma CVD apparatus used in a polycrystalline silicon solar cell manufacturing process.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したとおり、請求項１記載の発
明によれば、本焼き後の研削加工が不要になり、低コス
トのシールド板を得ることができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the grinding after the baking becomes unnecessary, and a low-cost shield plate can be obtained.
【００３５】請求項２記載の発明によれば、従来の階段
状の端部と比べて、焼き放しで低コストで製作できる。According to the second aspect of the present invention, as compared with the conventional stepped end portion, it can be manufactured at low cost by burning.
【００３６】請求項３記載の発明によれば、端部が破損
しにくく、また、シールド板の長さ寸法の精度を高くす
ることができる。According to the third aspect of the present invention, the end portion is hardly damaged, and the accuracy of the length of the shield plate can be increased.
【００３７】請求項４記載の発明によれば、シールド板
の表裏がなく、シールド板の設置作業性を良好にするこ
とができる。According to the fourth aspect of the present invention, there is no front and back of the shield plate, and the installation workability of the shield plate can be improved.
【００３８】請求項５記載の発明によれば、楔効果によ
りシールド板の組み合わせ面の密着度が高く、シールド
効果の高いシールド板を得ることができる。According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to obtain a shield plate having a high shielding effect with a high degree of adhesion between the combined surfaces of the shield plates due to the wedge effect.
【図１】 本発明のドライエッチング装置にかかわる実
施の形態１を示す部分断面図である。FIG. 1 is a partial sectional view showing a first embodiment relating to a dry etching apparatus of the present invention.
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】 図１におけるシールド板の隅部分のシールド
板寸法を説明する図である。FIG. 3 is a view for explaining dimensions of a shield plate at a corner of the shield plate in FIG. 1;
【図４】 シールド板の端部におけるテーパ状の面取り
を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing a tapered chamfer at an end of the shield plate.
【図５】 図５の（ａ）は他のシールド板の端部におけ
るテーパ状の面取りを示す側面図、図５の（ｂ）は図５
の（ａ）におけるシールド板の端部の拡大図である。5A is a side view showing a tapered chamfer at an end of another shield plate, and FIG. 5B is a view showing FIG.
5A is an enlarged view of an end of the shield plate in FIG.
【図６】 さらに他のシールド板の端部におけるテーパ
状の面取りを示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing a tapered chamfer at an end of still another shield plate.
【図７】 図６におけるシールド板の分解斜射図であ
る。FIG. 7 is an exploded perspective view of the shield plate in FIG. 6;
【図８】 図８（ａ）は隅部のシールド板を示す斜射図
であり、図８（ｂ）は図８（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面
の展開図である。8A is a perspective view showing a shield plate at a corner, and FIG. 8B is a developed view of a cross section taken along line BB in FIG. 8A.
【図９】 さらなる他のシールド板の端部におけるテー
パ状の面取りを示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing a tapered chamfer at an end of still another shield plate.
【図１０】 図８におけるシールド板の分解斜射図であ
る。FIG. 10 is an exploded perspective view of the shield plate in FIG.
【図１１】 図１１（ａ）は隅部のシールド板を示す斜
射図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）におけるＣ−
Ｃ線断面の展開図である。11A is a perspective view showing a shield plate at a corner, and FIG. 11B is a perspective view of FIG. 11A.
It is a development view of a C line section.
【図１２】 従来のドライエッチング装置でのシールド
板の配置を示す図である。FIG. 12 is a view showing an arrangement of a shield plate in a conventional dry etching apparatus.
【図１３】 従来のシールド板の端部の組み合わせ部の
一例を示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing an example of a combination part of the ends of a conventional shield plate.
【図１４】 従来のドライエッチング装置の一例を示す
部分断面図である。FIG. 14 is a partial sectional view showing an example of a conventional dry etching apparatus.
１ 真空槽、２ 上部電極、３ サセプタ、４ 基板、
５ シールド板、５ａ、５ｂ、５ｃ 小ピース片のシー
ルド板、６ 電源、７ 孔、Ｃ１、Ｃ２面取り、Ｖ 垂
直部。1 vacuum chamber, 2 upper electrode, 3 susceptor, 4 substrates,
5 shield plate, 5a, 5b, 5c small piece piece shield plate, 6 power supply, 7 holes, C1, C2 chamfer, V vertical part.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ ５Ｆ１０３ (72)発明者 吉田 和夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 森田 浩正 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 小崎 浩二 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 Ｆターム(参考） 4G075 AA30 BC02 BC04 BC06 CA65 DA01 EB01 EB42 EC21 EE12 4K029 BA35 BB08 BC07 BD00 DA10 DC20 4K030 BA29 BB03 KA12 LA16 5F004 AA16 BA06 BB23 BB28 BB29 5F045 AA08 DP02 DQ10 EB03 EF20 5F103 AA08 BB47 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/205 H01L 21/302 B 5F103 (72) Inventor Kazuo Yoshida 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo No. Mitsubishi Electric Co., Ltd.・ F-term in the display (reference) 4G075 AA30 BC02 BC04 BC06 CA65 DA01 EB01 EB42 EC21 EE12 4K029 BA35 BB08 BC07 BD00 DA10 DC20 4K030 BA29 BB03 KA12 LA16 5F004 AA16 BA06 BB23 BB28 BB29 5F045 AA08 DP02A10 BB10
Claims (8)
部電極に対向して配置される下部電極と、該下部電極に
載置される基板の外周に配置されるシールド板とを備え
る製造装置であって、前記シールド板を小ピースに分割
したことを特徴とする製造装置。An upper electrode disposed in a vacuum chamber, a lower electrode disposed opposite to the upper electrode, and a shield plate disposed on an outer periphery of a substrate mounted on the lower electrode. A manufacturing apparatus, wherein the shield plate is divided into small pieces.
ーパ状にした請求項１記載の製造装置。2. The manufacturing apparatus according to claim 1, wherein an end which is a connecting portion of the small piece pieces is tapered.
以上残した上で、テーパ状に面取りした請求項１または
２記載の製造装置。3. The end in the thickness direction is 0.5 mm.
The manufacturing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the taper is chamfered after being left as described above.
のテーパ状の面取りを平行に施した請求項１、２または
３記載の製造装置。4. The manufacturing apparatus according to claim 1, wherein tapered chamfers at both ends are provided in parallel so that the cross section is substantially a parallelogram.
パ状の面取りを対称に施した請求項１、２または３記載
の製造装置。5. The manufacturing apparatus according to claim 1, wherein tapered chamfers at both ends are symmetrically formed so that the cross section is substantially trapezoidal.
で用いられるドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装
置またはスパッタ装置である請求項１〜５のいずれかに
記載の製造装置。6. The manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the manufacturing apparatus is a dry etching apparatus, a plasma CVD apparatus, or a sputtering apparatus used in a liquid crystal display element manufacturing process.
られるドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置また
はスパッタ装置である請求項１〜５のいずれかに記載の
製造装置。7. The manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said manufacturing apparatus is a dry etching apparatus, a plasma CVD apparatus, or a sputtering apparatus used in a semiconductor manufacturing process.
池製造工程で用いられるプラズマＣＶＤ装置である請求
項１〜５のいずれかに記載の製造装置。8. The manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said manufacturing apparatus is a plasma CVD apparatus used in a polycrystalline silicon solar cell manufacturing process.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001009283A JP2002217172A (en) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001009283A JP2002217172A (en) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217172A true JP2002217172A (en) | 2002-08-02 |
Family
ID=18876791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001009283A Pending JP2002217172A (en) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217172A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009293074A (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Canon Anelva Corp | Mask, film-forming apparatus using the mask, and film-forming method using the mask |
| JP2010010304A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | Processing device |
| CN110760823A (en) * | 2014-01-30 | 2020-02-07 | 应用材料公司 | Gas confiner assembly for shadow frame elimination |
-
2001
- 2001-01-17 JP JP2001009283A patent/JP2002217172A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009293074A (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Canon Anelva Corp | Mask, film-forming apparatus using the mask, and film-forming method using the mask |
| JP4700714B2 (en) * | 2008-06-04 | 2011-06-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | Mask, film forming apparatus using the mask, and film forming method using the mask |
| JP2010010304A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | Processing device |
| CN110760823A (en) * | 2014-01-30 | 2020-02-07 | 应用材料公司 | Gas confiner assembly for shadow frame elimination |
| CN110760823B (en) * | 2014-01-30 | 2022-08-30 | 应用材料公司 | Gas confiner assembly for shadow frame elimination |
| US11773489B2 (en) | 2014-01-30 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Gas confiner assembly for eliminating shadow frame |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI818997B (en) | Substrate support pedestal | |
| CN105144352B (en) | Method and apparatus for carrying out plasma section to semiconductor crystal wafer | |
| TW526558B (en) | Focus ring and plasma processing apparatus for semiconductor process | |
| US8402918B2 (en) | Showerhead electrode with centering feature | |
| CN101740298B (en) | Plasma processing apparatus and constituent part thereof | |
| TWI620262B (en) | Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces | |
| KR20080102926A (en) | Semiconductor apparatus and method using the same | |
| KR20020066198A (en) | Substrate supporting table, method for manufacturing the same and processing system | |
| WO2001004945A1 (en) | Electrostatic chuck and its manufacturing method | |
| KR19980081336A (en) | Vertical Wafer Boat | |
| JP2013149377A (en) | Plasma processing device | |
| JP2014528155A (en) | Flip edge shadow frame | |
| US20220352002A1 (en) | Patterned chuck for double-sided processing | |
| US8342121B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP5936165B2 (en) | Electrostatic chuck and wafer processing equipment | |
| JP2002217172A (en) | Manufacturing equipment | |
| JP2000200698A (en) | Plasma processing method and device | |
| KR20210073466A (en) | Electrostatic chuck and substrate fixing device | |
| JP2000068252A (en) | Apparatus and method of plasma treatment | |
| JP2006066857A (en) | Bipolar electrostatic chuck | |
| TWI518820B (en) | Showerhead assembly with improved impact protection | |
| JP6348321B2 (en) | Etching device | |
| JP5889746B2 (en) | Substrate processing apparatus, solid electrolyte membrane forming apparatus, and solid electrolyte membrane forming method | |
| JP6169399B2 (en) | Corrosion-resistant film formation method | |
| JP2012204582A (en) | Plasma processing apparatus |