JP2002216949A - 有機ｅｌディスプレイの封止方法及び封止構造 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイの封止方法及び封止構造Info
- Publication number
- JP2002216949A JP2002216949A JP2001010469A JP2001010469A JP2002216949A JP 2002216949 A JP2002216949 A JP 2002216949A JP 2001010469 A JP2001010469 A JP 2001010469A JP 2001010469 A JP2001010469 A JP 2001010469A JP 2002216949 A JP2002216949 A JP 2002216949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- adhesive
- organic
- metal wiring
- sealing cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 照射された紫外線ＵＶを接着剤１１の硬化反
応に効率よく消費し、高い封止接着強度及び気密度でＴ
ＦＴ基板１ａに封止カバー１０を接着する。 【構成】 透明基板１と封止カバー１０の封止面との間
に絶縁膜１３で被われていない金属配線１２を位置さ
せ、封止カバー１０の封止面に塗布された接着剤で金属
配線１２を包み込み、透明基板１側又は非発光面側から
紫外線を照射して接着剤を硬化させる。金属配線１２を
絶縁膜１３で被覆している有機ＥＬディスプレイを封止
する場合には、透明基板１と封止カバー１０との間の封
止部より内側又は外側に金属配線１２を位置させ、同様
な紫外線照射によって接着剤１１を硬化させる。
応に効率よく消費し、高い封止接着強度及び気密度でＴ
ＦＴ基板１ａに封止カバー１０を接着する。 【構成】 透明基板１と封止カバー１０の封止面との間
に絶縁膜１３で被われていない金属配線１２を位置さ
せ、封止カバー１０の封止面に塗布された接着剤で金属
配線１２を包み込み、透明基板１側又は非発光面側から
紫外線を照射して接着剤を硬化させる。金属配線１２を
絶縁膜１３で被覆している有機ＥＬディスプレイを封止
する場合には、透明基板１と封止カバー１０との間の封
止部より内側又は外側に金属配線１２を位置させ、同様
な紫外線照射によって接着剤１１を硬化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、優れた大気遮断性で有
機ＥＬディスプレイを封止する方法に関する。
機ＥＬディスプレイを封止する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬディスプレイは、発光層に電圧
を印加することにより生じる自発光で画像を表示するこ
とから、バックライトを必要とする液晶ディスプレイに
比較して明るく鮮明な画像が得られ、視野角度の影響も
受けない。この長所から、次世代表示装置として脚光を
浴びている。有機ＥＬディスプレイは駆動方式により単
純マトリックス方式とアクティブマトリックス方式に大
別されるが、個々の画素を単独でスイッチングできるこ
とから省電力，長寿命化が可能なアクティブマトリック
ス方式の開発が推進されている。
を印加することにより生じる自発光で画像を表示するこ
とから、バックライトを必要とする液晶ディスプレイに
比較して明るく鮮明な画像が得られ、視野角度の影響も
受けない。この長所から、次世代表示装置として脚光を
浴びている。有機ＥＬディスプレイは駆動方式により単
純マトリックス方式とアクティブマトリックス方式に大
別されるが、個々の画素を単独でスイッチングできるこ
とから省電力，長寿命化が可能なアクティブマトリック
ス方式の開発が推進されている。
【０００３】アクティブマトリックス方式の有機ＥＬデ
ィスプレイでは、ガラス，プラスチック等の透明基板１
に層間絶縁膜２を介してＩＴＯ（陽極）薄膜３及びＴＦ
Ｔ層４が堆積される。ＩＴＯ薄膜３は、個々の画素に孤
立した島状に形成される。ＴＦＴ層４に絶縁膜５が積層
され、ＩＴＯ薄膜３の上に堆積する有機ＥＬ層６，背面
電極７とＴＦＴ層４との間の短絡が絶縁膜５で防止され
る。
ィスプレイでは、ガラス，プラスチック等の透明基板１
に層間絶縁膜２を介してＩＴＯ（陽極）薄膜３及びＴＦ
Ｔ層４が堆積される。ＩＴＯ薄膜３は、個々の画素に孤
立した島状に形成される。ＴＦＴ層４に絶縁膜５が積層
され、ＩＴＯ薄膜３の上に堆積する有機ＥＬ層６，背面
電極７とＴＦＴ層４との間の短絡が絶縁膜５で防止され
る。
【０００４】ＩＴＯ薄膜３と背面電極７との間に駆動電
流を供給すると、ＩＴＯ薄膜３からホール，背面電極７
から電子が有機ＥＬ層６に注入され、ホール・電子の再
結合により有機ＥＬ層６の有機発光体が励起され、発光
が外部に発せられる。そこで、Ｘ−Ｘ方向及びＹ−Ｙ方
向に複数のピクセルが配列するように有機ＥＬ素子を形
成し、一方の電極（ＩＴＯ薄膜３又は背面電極７）にデ
ータ信号を、他方の電極（背面電極７又はＩＴＯ薄膜
３）にスキャン信号を送ることにより特定ピクセルの有
機ＥＬ素子が発光し、必要とする画像が表示される。
流を供給すると、ＩＴＯ薄膜３からホール，背面電極７
から電子が有機ＥＬ層６に注入され、ホール・電子の再
結合により有機ＥＬ層６の有機発光体が励起され、発光
が外部に発せられる。そこで、Ｘ−Ｘ方向及びＹ−Ｙ方
向に複数のピクセルが配列するように有機ＥＬ素子を形
成し、一方の電極（ＩＴＯ薄膜３又は背面電極７）にデ
ータ信号を、他方の電極（背面電極７又はＩＴＯ薄膜
３）にスキャン信号を送ることにより特定ピクセルの有
機ＥＬ素子が発光し、必要とする画像が表示される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴ層４を形成した
透明基板１（以下、ＴＦＴ基板１ａという）は、単純マ
トリックス方式の基板と異なり、信号線駆動ＩＣ８や走
査線駆動ＩＣ９が発光表示エリアＡの外側に緻密配置さ
れている（図２）。ＴＦＴ基板１ａにＩＴＯ薄膜３，有
機ＥＬ層６，背面電極７を積層することにより作製され
た有機ＥＬ素子は、酸素や水分による劣化を防止するた
め外気遮断性のある封止カバー１０（図３）で封止され
る。
透明基板１（以下、ＴＦＴ基板１ａという）は、単純マ
トリックス方式の基板と異なり、信号線駆動ＩＣ８や走
査線駆動ＩＣ９が発光表示エリアＡの外側に緻密配置さ
れている（図２）。ＴＦＴ基板１ａにＩＴＯ薄膜３，有
機ＥＬ層６，背面電極７を積層することにより作製され
た有機ＥＬ素子は、酸素や水分による劣化を防止するた
め外気遮断性のある封止カバー１０（図３）で封止され
る。
【０００６】金属製の封止カバー１０を使用する場合、
ＴＦＴ基板１ａに当接する封止面に紫外線硬化型接着剤
１１を塗布した封止カバー１０をＴＦＴ基板１ａに重ね
合わせ、ＴＦＴ基板１ａ側から紫外線ＵＶを照射するこ
とによって接着剤１１を硬化させる。ところが、信号線
駆動ＩＣ８や走査線駆動ＩＣ９から引き出された金属配
線１２が緻密配置されている部分では紫外線ＵＶが透過
しがたく、十分な封止接着強度で有機ＥＬ素子を封止で
きない虞がある（図４）。また、接着剤とＴＦＴ基板１
ａとの間に絶縁膜５が介在すると、ＴＦＴ基板１ａに対
する絶縁膜５の密着性が弱く、また絶縁膜５を水分が透
過するため、気密度の低い封止部になりやすい。
ＴＦＴ基板１ａに当接する封止面に紫外線硬化型接着剤
１１を塗布した封止カバー１０をＴＦＴ基板１ａに重ね
合わせ、ＴＦＴ基板１ａ側から紫外線ＵＶを照射するこ
とによって接着剤１１を硬化させる。ところが、信号線
駆動ＩＣ８や走査線駆動ＩＣ９から引き出された金属配
線１２が緻密配置されている部分では紫外線ＵＶが透過
しがたく、十分な封止接着強度で有機ＥＬ素子を封止で
きない虞がある（図４）。また、接着剤とＴＦＴ基板１
ａとの間に絶縁膜５が介在すると、ＴＦＴ基板１ａに対
する絶縁膜５の密着性が弱く、また絶縁膜５を水分が透
過するため、気密度の低い封止部になりやすい。
【０００７】光透過性のあるガラス，プラスチック等の
封止カバー１０を使用するとき、背面電極７側からの紫
外線照射によって接着剤１１を硬化させることができ
る。しかし、この場合でも、封止部と多数の金属配線１
２が重なり、そこに有色絶縁膜１３があると、絶縁膜１
３による紫外線吸収に起因した封止接着強度の低下が生
じやすい。封止接着強度の低下は、ＴＦＴ基板１ａに限
らず、単純マトリックス方式の透明基板１でも生じる。
封止カバー１０を使用するとき、背面電極７側からの紫
外線照射によって接着剤１１を硬化させることができ
る。しかし、この場合でも、封止部と多数の金属配線１
２が重なり、そこに有色絶縁膜１３があると、絶縁膜１
３による紫外線吸収に起因した封止接着強度の低下が生
じやすい。封止接着強度の低下は、ＴＦＴ基板１ａに限
らず、単純マトリックス方式の透明基板１でも生じる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、基板周辺部の配
線を考慮して封止部や封止方法を変更することにより、
接着剤を十分に硬化させ、優れた封止接着強度及び気密
度で有機ＥＬディスプレイを封止することを目的とす
る。
題を解消すべく案出されたものであり、基板周辺部の配
線を考慮して封止部や封止方法を変更することにより、
接着剤を十分に硬化させ、優れた封止接着強度及び気密
度で有機ＥＬディスプレイを封止することを目的とす
る。
【０００９】本発明の封止方法は、その目的を達成する
ため、透明基板と封止カバーの封止面との間に絶縁膜で
被われていない金属配線を位置させ、封止カバーの封止
面に塗布された接着剤で金属配線を包み込み、透明基板
側又は非発光面側から紫外線を照射して接着剤を硬化さ
せることを特徴とする。この封止方法によるとき、透明
基板と封止カバーの封止面との間に絶縁膜で被われてい
ない金属配線を位置させ、封止カバーの封止面に塗布さ
れた接着剤で金属配線を包み込んだ封止構造となる。
ため、透明基板と封止カバーの封止面との間に絶縁膜で
被われていない金属配線を位置させ、封止カバーの封止
面に塗布された接着剤で金属配線を包み込み、透明基板
側又は非発光面側から紫外線を照射して接着剤を硬化さ
せることを特徴とする。この封止方法によるとき、透明
基板と封止カバーの封止面との間に絶縁膜で被われてい
ない金属配線を位置させ、封止カバーの封止面に塗布さ
れた接着剤で金属配線を包み込んだ封止構造となる。
【００１０】金属配線を絶縁膜で被覆している有機ＥＬ
ディスプレイを封止する場合、透明基板と封止カバーと
の間の封止部より内側又は外側に金属配線を位置させ、
封止面に接着剤を塗布した封止カバーを透明基板に重ね
合わせ、透明基板側又は非発光面側から紫外線を照射し
て接着剤を硬化させる。この封止方法によるとき、透明
基板と封止カバーとの間の封止部より内側又は外側に金
属配線を位置させ、封止面に接着剤を塗布した封止カバ
ーを透明基板に重ね合わせた封止構造になる。
ディスプレイを封止する場合、透明基板と封止カバーと
の間の封止部より内側又は外側に金属配線を位置させ、
封止面に接着剤を塗布した封止カバーを透明基板に重ね
合わせ、透明基板側又は非発光面側から紫外線を照射し
て接着剤を硬化させる。この封止方法によるとき、透明
基板と封止カバーとの間の封止部より内側又は外側に金
属配線を位置させ、封止面に接着剤を塗布した封止カバ
ーを透明基板に重ね合わせた封止構造になる。
【００１１】
【実施の形態】金属製の封止カバー１０を用いて有機Ｅ
Ｌ素子を封止する場合、絶縁膜１３を排除した封止部
（図５ａ）をもつ封止構造が採用される。この封止構造
は、有色の絶縁膜１３で信号線駆動ＩＣ８，走査線駆動
ＩＣ９等が覆われているときに特に有効であり、接着剤
１１の絶縁性が金属配線１２の絶縁に利用される。接着
剤１１の絶縁耐力が不足する場合、金属製封止カバー１
０に代えて、接着剤１１に対する親和力の高いガラスや
プラスチック等の封止カバー１０が使用される。
Ｌ素子を封止する場合、絶縁膜１３を排除した封止部
（図５ａ）をもつ封止構造が採用される。この封止構造
は、有色の絶縁膜１３で信号線駆動ＩＣ８，走査線駆動
ＩＣ９等が覆われているときに特に有効であり、接着剤
１１の絶縁性が金属配線１２の絶縁に利用される。接着
剤１１の絶縁耐力が不足する場合、金属製封止カバー１
０に代えて、接着剤１１に対する親和力の高いガラスや
プラスチック等の封止カバー１０が使用される。
【００１２】接着剤１１としては、アクリル系，エポキ
シ系等の紫外線硬化型樹脂が使用され、なかでも高い封
止接着強度が得られることからエポキシ系接着剤が好適
である。封止カバー１０の封止面に接着剤１１を塗布
し、有機ＥＬ素子が搭載されたＴＦＴ基板１ａに重ね合
わせ、ＴＦＴ基板１ａ側から紫外線ＵＶを照射する。封
止作業は、有機ＥＬ素子を封入した封止カバー１０内に
酸素や水分が残留しないように乾燥窒素雰囲気中で実施
することが好ましい。
シ系等の紫外線硬化型樹脂が使用され、なかでも高い封
止接着強度が得られることからエポキシ系接着剤が好適
である。封止カバー１０の封止面に接着剤１１を塗布
し、有機ＥＬ素子が搭載されたＴＦＴ基板１ａに重ね合
わせ、ＴＦＴ基板１ａ側から紫外線ＵＶを照射する。封
止作業は、有機ＥＬ素子を封入した封止カバー１０内に
酸素や水分が残留しないように乾燥窒素雰囲気中で実施
することが好ましい。
【００１３】紫外線ＵＶは、金属配線１２を被う絶縁膜
１３がないため接着剤１１の硬化反応に効率よく消費さ
れる。絶縁膜１３による紫外線ＵＶの吸収も生じないた
め、使用可能な絶縁膜１３の種類に加わる制約も緩和さ
れる。その結果、高い気密度で封止カバー１０がＴＦＴ
基板１ａに接着され、酸素や水分による劣化から有機Ｅ
Ｌ素子が保護され、長期にわたって優れた性能を維持す
る有機ＥＬディスプレイが得られる。
１３がないため接着剤１１の硬化反応に効率よく消費さ
れる。絶縁膜１３による紫外線ＵＶの吸収も生じないた
め、使用可能な絶縁膜１３の種類に加わる制約も緩和さ
れる。その結果、高い気密度で封止カバー１０がＴＦＴ
基板１ａに接着され、酸素や水分による劣化から有機Ｅ
Ｌ素子が保護され、長期にわたって優れた性能を維持す
る有機ＥＬディスプレイが得られる。
【００１４】封止部の内側に金属配線１２が位置する設
計（図５ｂ）が好ましいが、金属配線１２の粗な部分を
封止部に選定するとき外側に金属配線１２が位置する設
計（図５ｃ）も採用可能である。何れの場合も、金属配
線１２を絶縁する絶縁膜１３が紫外線ＵＶによる接着剤
１１の硬化反応に悪影響を及ぼすことがなく、高い気密
度で封止カバー１０がＴＦＴ基板１ａに接着される。
計（図５ｂ）が好ましいが、金属配線１２の粗な部分を
封止部に選定するとき外側に金属配線１２が位置する設
計（図５ｃ）も採用可能である。何れの場合も、金属配
線１２を絶縁する絶縁膜１３が紫外線ＵＶによる接着剤
１１の硬化反応に悪影響を及ぼすことがなく、高い気密
度で封止カバー１０がＴＦＴ基板１ａに接着される。
【００１５】光透過性のない金属製封止カバー１０を使
用する場合には、接着剤１１を硬化させる紫外線ＵＶの
照射はＴＦＴ基板１ａ側に限られる。他方、金属製封止
カバー１０に代えて光透過性のあるガラスやプラスチッ
クでできた封止カバー１０を使用する場合、非発光面か
ら紫外線ＵＶを照射することによっても接着剤１１を硬
化させることができる。非発光面からの紫外線ＵＶ照射
は、ＴＦＴ基板１ａ上に形成される配線の設計自由度を
増し、有機ＥＬ素子の高密度化にも好適である。光透過
性のある封止カバー１０で有機ＥＬ素子を封止する場合
でも、必要に応じて封止部から絶縁膜１３を排除した構
造（図５ａ），封止部の内側に金属配線１２を配置した
構造（図５ｂ），封止部の外側に金属配線１２を配置し
た構造（図５ｃ）等が適宜採用される。
用する場合には、接着剤１１を硬化させる紫外線ＵＶの
照射はＴＦＴ基板１ａ側に限られる。他方、金属製封止
カバー１０に代えて光透過性のあるガラスやプラスチッ
クでできた封止カバー１０を使用する場合、非発光面か
ら紫外線ＵＶを照射することによっても接着剤１１を硬
化させることができる。非発光面からの紫外線ＵＶ照射
は、ＴＦＴ基板１ａ上に形成される配線の設計自由度を
増し、有機ＥＬ素子の高密度化にも好適である。光透過
性のある封止カバー１０で有機ＥＬ素子を封止する場合
でも、必要に応じて封止部から絶縁膜１３を排除した構
造（図５ａ），封止部の内側に金属配線１２を配置した
構造（図５ｂ），封止部の外側に金属配線１２を配置し
た構造（図５ｃ）等が適宜採用される。
【００１６】以上の説明では、ＴＦＴ基板１ａを使用す
るアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイ
を例に採ったが、単純マトリックス方式の有機ＥＬディ
スプレイに対しても同様に適用されることは勿論であ
る。この場合でも、透明基板１周辺部の配線に拘わらず
接着剤１１を十分に硬化反応させることができるため、
高密度集積した高性能の有機ＥＬディスプレイが得られ
る。
るアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイ
を例に採ったが、単純マトリックス方式の有機ＥＬディ
スプレイに対しても同様に適用されることは勿論であ
る。この場合でも、透明基板１周辺部の配線に拘わらず
接着剤１１を十分に硬化反応させることができるため、
高密度集積した高性能の有機ＥＬディスプレイが得られ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、絶縁膜による紫外線の吸収がない条件下で紫外線Ｕ
Ｖ照射しているので、接着剤の硬化反応に紫外線が効果
的に消費され、封止接着強度が高く気密度に優れた封止
部が得られる。したがって、封止カバーの外気遮断性が
優れ、酸素や水分による有機ＥＬ素子の劣化が防止さ
れ、長期間にわたって良好な発光特性を呈する有機ＥＬ
ディスプレイが得られる。
は、絶縁膜による紫外線の吸収がない条件下で紫外線Ｕ
Ｖ照射しているので、接着剤の硬化反応に紫外線が効果
的に消費され、封止接着強度が高く気密度に優れた封止
部が得られる。したがって、封止カバーの外気遮断性が
優れ、酸素や水分による有機ＥＬ素子の劣化が防止さ
れ、長期間にわたって良好な発光特性を呈する有機ＥＬ
ディスプレイが得られる。
【図１】 ＴＦＴ基板に搭載した有機ＥＬ素子の断面構
造を示す図
造を示す図
【図２】 信号線駆動ＩＣ，走査線駆動ＩＣを周辺に設
けた有機ＥＬディスプレイの平面図
けた有機ＥＬディスプレイの平面図
【図３】 封止カバーで封止された有機ＥＬディスプレ
イの断面図
イの断面図
【図４】 紫外線硬化型接着剤を用いて封止カバーをＴ
ＦＴ基板に接着する場合の問題を説明する図
ＦＴ基板に接着する場合の問題を説明する図
【図５】 本発明に従った封止方法を説明する図であ
り、金属配線から絶縁膜を排除した構造（図２ａ），封
止部の内側に金属配線を配置した構造（図２ｂ）及び封
止部の外側に金属配線を配置した構造（図２ｃ）を示す
断面図
り、金属配線から絶縁膜を排除した構造（図２ａ），封
止部の内側に金属配線を配置した構造（図２ｂ）及び封
止部の外側に金属配線を配置した構造（図２ｃ）を示す
断面図
１：透明基板 １ａ：ＴＦＴ基板 ３：ＩＴＯ薄膜
６：有機ＥＬ層 ７：背面電極 ８：信号線駆動ＩＣ ９：走査線駆
動ＩＣ １０：封止カバー １１：接着剤 １
２：金属配線 １３：絶縁膜Ａ：発光表示エリア
ＵＶ：紫外線
６：有機ＥＬ層 ７：背面電極 ８：信号線駆動ＩＣ ９：走査線駆
動ＩＣ １０：封止カバー １１：接着剤 １
２：金属配線 １３：絶縁膜Ａ：発光表示エリア
ＵＶ：紫外線
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板と封止カバーの封止面との間に
絶縁膜で被われていない金属配線を位置させ、封止カバ
ーの封止面に塗布された接着剤で金属配線を包み込み、
透明基板側又は非発光面側から紫外線を照射して接着剤
を硬化させることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの
封止方法。 - 【請求項２】 透明基板と封止カバーとの間の封止部よ
り内側又は外側に絶縁膜で被われた金属配線を位置さ
せ、封止面に接着剤を塗布した封止カバーを透明基板に
重ね合わせ、透明基板側又は非発光面側から紫外線を照
射して接着剤を硬化させることを特徴とする有機ＥＬデ
ィスプレイの封止方法。 - 【請求項３】 透明基板と封止カバーの封止面との間に
絶縁膜で被われていない金属配線を位置させ、封止カバ
ーの封止面に塗布された接着剤で金属配線を包み込んで
いることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの封止構
造。 - 【請求項４】 透明基板と封止カバーとの間の封止部よ
り内側又は外側に絶縁膜で被われた金属配線を位置さ
せ、封止面に接着剤を塗布した封止カバーを透明基板に
重ね合わせていることを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イの封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010469A JP2002216949A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 有機ｅｌディスプレイの封止方法及び封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010469A JP2002216949A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 有機ｅｌディスプレイの封止方法及び封止構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002216949A true JP2002216949A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18877777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010469A Pending JP2002216949A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 有機ｅｌディスプレイの封止方法及び封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002216949A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003229250A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| KR20040019502A (ko) * | 2002-08-28 | 2004-03-06 | 주식회사 엘리아테크 | 포토레지스트를 이용한 유기 ｅｌ 소자 및 제조방법 |
| KR100637146B1 (ko) | 2004-02-14 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
| KR100718968B1 (ko) | 2006-01-31 | 2007-05-16 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| US7629617B2 (en) | 2001-11-16 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2010238678A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および発光装置 |
| KR100995071B1 (ko) | 2008-09-12 | 2010-11-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101373969B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2014-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시 패널 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217674A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Ｅｌランプの製造方法 |
| JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| JP2000036381A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-02-02 | Eastman Kodak Co | 有機ｅｌディスプレ―パネル及びそのシ―ル方法 |
| JP2001009963A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-16 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 積層体、その製造方法およびその利用 |
| JP2001102166A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
-
2001
- 2001-01-18 JP JP2001010469A patent/JP2002216949A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217674A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Ｅｌランプの製造方法 |
| JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| JP2000036381A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-02-02 | Eastman Kodak Co | 有機ｅｌディスプレ―パネル及びそのシ―ル方法 |
| JP2001009963A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-16 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 積層体、その製造方法およびその利用 |
| JP2001102166A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003229250A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7629617B2 (en) | 2001-11-16 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP4515022B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| KR20040019502A (ko) * | 2002-08-28 | 2004-03-06 | 주식회사 엘리아테크 | 포토레지스트를 이용한 유기 ｅｌ 소자 및 제조방법 |
| KR100637146B1 (ko) | 2004-02-14 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
| KR100718968B1 (ko) | 2006-01-31 | 2007-05-16 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| KR101373969B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2014-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시 패널 |
| KR100995071B1 (ko) | 2008-09-12 | 2010-11-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US8084941B2 (en) | 2008-09-12 | 2011-12-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display having improved mechanical strength |
| JP2010238678A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3423261B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP4550026B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP4800868B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP4579205B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP4777219B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
| US8492969B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| US7825594B2 (en) | Organic light emitting display and fabricating method of the same | |
| CN110265434B (zh) | 显示装置 | |
| US20070152579A1 (en) | Display device | |
| JP2015181135A (ja) | 発光装置 | |
| CN109119448B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| US6737799B1 (en) | Active matrix organic light emitting diode display and fabrication method of the same | |
| US20030197475A1 (en) | Flat-panel display, manufacturing method thereof, and portable terminal | |
| JP4272447B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| JP2002216949A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの封止方法及び封止構造 | |
| WO2005036935A1 (en) | Double-sided organic electroluminescent display | |
| KR20210017144A (ko) | 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN113193137B (zh) | 显示面板及显示面板的封装结构制备方法 | |
| KR100508948B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| US11641757B2 (en) | Display panel having second substrate with barrier structure for defining open spaces that adjoin adhesive layer | |
| WO2005112516A1 (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| KR102630570B1 (ko) | 표시장치 | |
| JP2008288034A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2007141863A (ja) | 表示装置 | |
| JP2007264354A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070220 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070312 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071113 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101005 |