JP2002208549A

JP2002208549A - 露光装置の調整方法およびマイクロデバイスの製造方法

Info

Publication number: JP2002208549A
Application number: JP2001001649A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Takahashi; 哲男高橋; Satoshi Ishikawa; 聡石川
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-01-09
Filing date: 2001-01-09
Publication date: 2002-07-26

Abstract

(57)【要約】【課題】パルスレーザー光の照射による光学部材の物
性変化に起因して生じる投影光学系の結像性能の悪化を
良好に補正する露光装置の調整方法。【解決手段】パルス発光のレーザー光により照明され
たレチクル（Ｒ）のパターン像を感光性基板（Ｗ）に形
成する投影光学系（ＰＬ）を備えた露光装置の調整方
法。レーザー光のパルス数および投影光学系の光学特性
を計測し、投影光学系内の少なくとも１つの光学部材に
関する屈折率変化および体積変化のうち少なくとも一方
を算出する。レーザー光の投影光学系への照射に起因し
て生じる投影光学系の結像性能の悪化を補正するため
に、投影光学系内の少なくとも１つの光学部材に関する
回転量を算出する。投影光学系内の少なくとも１つの光
学部材を回転させて調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置の調整方
法およびマイクロデバイスの製造方法に関する。さらに
詳細には、本発明は、半導体素子、撮像素子、液晶表示
素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをフォトリ
ソグラフィー工程で製造するための露光装置に好適な投
影光学系の調整に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等を製造するためのフォトリ
ソグラフィー工程において、フォトマスクあるいはレチ
クル（以下、「レチクル」と総称する）上のパターン
を、投影光学系を介してウェハのような感光性基板上に
露光する露光装置が用いられている。この種の露光装置
では、半導体素子等のチップパターンの集積化に対応し
て、露光光が短波長化している。現在、光源としては、
波長が２４８ｎｍの光を供給するＫｒＦエキシマレーザ
ーから、波長が１９３ｎｍの光を供給するＡｒＦエキシ
マレーザーへと主流が移りつつある。

【０００３】なお、２５０ｎｍ以下の紫外波長域におい
て十分な透過率を有する光学材料、すなわち２５０ｎｍ
以下の露光光を用いる露光装置に使用可能な光学材料と
して、石英（合成石英）および蛍石が知られている。こ
こで、石英と蛍石とを比較すると、石英の方が蛍石より
も屈折率が大きい。また、石英の方が、蛍石よりも安価
で量産し易い。さらに、石英の方が、蛍石よりも硬くて
取り扱いが容易である。その結果、石英の方が蛍石より
も使用される頻度がはるかに大きく、投影光学系の形成
に必須の光学材料となっている。

【０００４】一方、露光装置では、半導体素子等のチッ
プパターンの大型化に対応するために、より大きなレチ
クルパターンをウェハ上の各露光領域（各ショット領
域）に転写することが求められている。そのため、長方
形の照明領域内のレチクルパターンを投影光学系を介し
てウェハ上に投影した状態で、レチクルとウェハとを投
影光学系に対して同期走査しながら、レチクルパターン
をウェハ上の各ショット領域に逐次露光する、いわゆる
ステップ・アンド・スキャン方式が主流になってきてい
る。

【０００５】ステップ・アンド・スキャン方式の露光装
置すなわち走査露光型の露光装置では、投影光学系の有
効露光フィールドにほぼ内接するスリット状（細長い矩
形状）の実効露光領域に対してウェハを走査しながら露
光を行う。したがって、スリット状の実効露光領域の設
定に際して、投影光学系の円形状の有効露光フィールド
を最大限に利用することができる。また、各ショット領
域への転写パターンの走査方向に沿った長さを、有効露
光フィールドの直径よりも長く設定することができる。
その結果、走査露光型の露光装置では、大面積のレチク
ルのパターンを良好な収差状態でウェハ上に転写するこ
とができる。

【０００６】また、投影光学系内に設けられてアナモフ
ィック(anamorphic)な光学面を有する一対の光学部材
（すなわち一対のアナモフィックレンズ）を相対的に回
転させることにより、ウェハ面において直交する２つの
直線に関して対称な収差を補正する方法も提案されてい
る。具体的には、特開平７−１８３１９０号公報におい
て、投影光学系内にトーリック面を有する複数組のレン
ズを設け、投影光学系の使用によって発生する熱の吸収
等に起因する回転非対称な収差を補正する技術が開示さ
れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、石英に
おいては、照射されたパルスレーザーエネルギー（パル
ス数および照度）の蓄積によって内部の原子配列が僅か
に変化し、それによって光学的な屈折率および体積（ひ
いては密度）が僅かに変化することが知られている。こ
のうち、レーザー照射によって、屈折率が増大し且つ体
積が減少（密度が増大）する現象は、かねてからラジエ
ーション・コンパクション（radiation compaction：以
下、単に「コンパクション」という）として有名である
（J. Opt.Soc. Am. B vol.14, P1606-1615, Borrelli e
t. al., Optics Letters Dec-1996D.C. Allan et. al.
を参照）。

【０００８】また、最近では、露光装置に搭載される投
影光学系のように比較的少量のレーザーが照射される場
合、屈折率が減少し且つ体積が増大（密度が減少）する
現象が、レアファクション（rarefaction）として知ら
れている（Micro-lithographyConference, Santa Clara
Mar. 2000を参照）。レーザー照射による屈折率および
体積の変化量は、サンプルとなる個々の石英の特性（性
質）にも依存するが、投影光学系で使用される照度を考
えると、元の値に対して高々１０^-6倍のオーダーであ
り、一般的に大きい値とは言えない。

【０００９】しかしながら、この値は、投影光学系のよ
うに非常に高度な光学性能が要求される光学系において
は無視することのできない値である。すなわち、投影光
学系を構成する光学部材において、この程度の屈折率変
化および密度（体積）変化が発生すると、光学部材の外
形形状が変化してしまうとともに、光学部材内の屈折率
分布が不均一になる。その結果、投影光学系を用いて露
光すると、石英からなる光学部材の位置によって、様々
な収差が生じてしまうという不都合がある。

【００１０】特に、走査露光型の露光装置においては、
レチクル上の長方形の照明領域に対してレーザー照射を
行うため、レチクルからウェハに至る投影光学系中の光
学部材の大部分には、回転非対称な照度分布が形成され
る。その結果、石英からなる光学部材において発生する
屈折率変化および密度変化も回転非対称になり、ひいて
は発生する収差も回転非対称になる。

【００１１】この場合、光学部材の間隔を変化させる従
来の調整機構では、この種の回転非対称な収差を補正す
ることは不可能である。また、実効露光領域が光軸を中
心として設定されるような単一光軸の投影光学系では、
照度分布も光学部材の物性変化（屈折率変化および体積
変化）も、光軸に垂直な面において直交する２つの軸線
に関してほぼ対称性が保たれる。したがって、光学部材
の偏心シフト（光軸直交方向への移動）や偏心チルト
（光軸に対する傾斜）を行うような調整機構において
も、光軸に垂直な面において直交する２つの軸線のうち
１つの軸線に対してのみ対称性が保たれるので、上述の
回転非対称な収差を補正することは不可能である。

【００１２】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、パルスレーザー光の照射による光学部材の物
性変化に起因して生じる投影光学系の結像性能の悪化を
良好に補正することのできる、露光装置の調整方法を提
供することを目的とする。また、パルスレーザー光の照
射に起因して生じる投影光学系の結像性能の悪化が良好
に補正された露光装置を用いて、良好なマイクロデバイ
スを製造することのできるマイクロデバイス製造方法を
提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第１発明では、パルス発光のレーザー光に
より照明されたレチクルのパターン像を感光性基板に形
成する投影光学系を備えた露光装置の調整方法におい
て、前記レーザー光のパルス数および前記投影光学系の
光学特性を計測する計測工程と、前記計測工程の計測結
果に基づいて、前記投影光学系内の少なくとも１つの光
学部材に関する屈折率変化および体積変化のうち少なく
とも一方を算出する第１算出工程と、前記レーザー光の
前記投影光学系への照射に起因して生じる前記投影光学
系の結像性能の悪化を補正するために、前記第１算出工
程の算出結果に基づいて、前記投影光学系内の少なくと
も１つの光学部材に関する回転量を算出する第２算出工
程と、前記第２算出工程の算出結果に基づいて、前記投
影光学系内の少なくとも１つの光学部材を回転させて調
整する回転調整工程とを含むことを特徴とする露光装置
の調整方法を提供する。

【００１４】第１発明の好ましい態様によれば、前記第
１算出工程は、波長が２５０ｎｍ以下のレーザー光の照
射により屈折率および密度のうち少なくとも一方の物性
が変化する光学部材に関する屈折率変化および体積変化
のうち少なくとも一方を算出する。また、前記第２算出
工程は、前記投影光学系に設けられてアナモフィックな
光学面を有する一対のアナモフィック光学部材に関する
相対的な回転量を算出し、前記回転調整工程は、前記一
対のアナモフィック光学部材の少なくとも一方を回転さ
せて調整することが好ましい。さらに、前記第２算出工
程は、前記投影光学系に設けられて前記光学部材を複数
含む少なくとも１つの光学ブロックに関する回転量を算
出し、前記回転調整工程は、前記少なくとも１つの光学
ブロックを回転させて調整することが好ましい。

【００１５】本発明の第２発明では、パルス発光のレー
ザー光により照明されたレチクルのパターン像を感光性
基板に形成する投影光学系を備えた露光装置の調整方法
において、前記レーザー光のパルス数および前記投影光
学系の光学特性を計測する計測工程と、前記計測工程の
計測結果に基づいて、前記投影光学系内の少なくとも１
つの光学部材に関する屈折率変化および体積変化のうち
少なくとも一方を算出する算出工程と、前記レーザー光
の前記投影光学系への照射に起因して生じる前記投影光
学系の結像性能の悪化を補正するために、前記算出工程
の算出結果に基づいて、前記投影光学系内の交換すべき
少なくとも１つの光学部材を選択する選択工程と、前記
選択工程の結果に基づいて、前記投影光学系内の交換す
べき少なくとも１つの光学部材を他の光学部材と交換し
て調整する交換調整工程とを含むことを特徴とする露光
装置の調整方法を提供する。

【００１６】第２発明の好ましい態様によれば、前記第
１算出工程は、波長が２５０ｎｍ以下のレーザー光の照
射により屈折率および密度のうち少なくとも一方の物性
が変化する光学部材に関する屈折率変化および体積変化
のうち少なくとも一方を算出する。また、前記選択工程
は、前記投影光学系に設けられて前記光学部材を複数含
む少なくとも１つの光学ブロックを交換すべき光学ブロ
ックとして選択し、前記交換調整工程は、前記選択され
た少なくとも１つの光学ブロックを他の光学ブロックと
交換して調整することが好ましい。

【００１７】本発明の第３発明では、第１発明または第
２発明の調整方法により調整された露光装置を用いて前
記レチクルのパターンを前記感光性基板に露光する露光
工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板
を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロ
デバイスの製造方法を提供する。

【００１８】

【発明の実施の形態】コンパクションは、前述したよう
に、深紫外光によって石英内で原子の組み替え等が起こ
り、石英の物性変化が起こる現象である。その詳しい物
理現象については諸説があり、明確には解明されていな
い。しかしながら、パルスレーザー照射による屈折率変
化および体積変化（密度変化）についての関係式は、多
数の論文において実験的に測定されており信頼し得るも
のと考えられるので、以下その内容について示す。な
お、式中の各定数については、実験や試料、仮説によっ
て異なるが、どの値を用いても後述するシミュレーショ
ンに大きくは影響しないので、本発明では各論文を参照
して平均的な値を用いている。

【００１９】一般に、レーザー照射と屈折率変化との関
係は、次の式（１）で表わされる。 Δｎ／ｎ＝κ₁（Ｎ・Ｉ²）^α （１）ここで、ｎは物質の屈折率であり、Δｎはその屈折率変
化量である。したがって、Δｎ／ｎは、屈折率変化率で
ある。本発明では、ＡｒＦエキシマレーザー光の波長
（１９３ｎｍ）に対する石英の屈折率をｎ＝１．５６０
３２６と設定している。また、κ₁は比例定数であっ
て、本発明では２．３×１０^-11と設定している。さら
に、Ｎはレーザー照射のパルス数（累積パルス数）であ
り、Ｉは１パルスでの照度（ｍＪ／ｃｍ²／pulse）であ
る。また、αはべきの係数であって、本発明では０．６
と設定している。

【００２０】また、屈折率変化と密度変化との関係は、
ローレンツ・ローレンツの関係式で表わされると考えら
れており、ローレンツ・ローレンツの式を微分して、次
の式（２）で表わされる。 Δｎ＝｛（ｎ²−１）（ｎ²＋２）／６ｎ｝（１＋Ω）（Δρ／ρ）（２）ここで、Ωは物質に依存する定数であって、石英の場合
はΩ＝−０．１５と設定している。また、ρは物質の密
度であり、Δρはその密度変化量である。したがって、
Δρ／ρは、密度変化率である。

【００２１】なお、当然のことながら、密度変化と体積
変化との関係は、次の式（３）で表わされる。 ΔＶ／Ｖ＝−Δρ／ρ （３）ここで、Ｖは物質の体積であり、ΔＶはその体積変化量
である。したがって、ΔＶ／Ｖは体積変化率である。

【００２２】上述の式（２）にｎ＝１．５６０３２６を
代入すると、次の式（４）に示す関係が得られる。 Δｎ＝０．５７７６２３（Δρ／ρ）（４）

【００２３】また、上述の式（１）と式（４）とを参照
すると、次の式（５）に示す関係が得られる。 ΔＶ／Ｖ＝−６．２１３×１０^-11（Ｎ・Ｉ²）^0.6 （５）

【００２４】コンパクションによる石英レンズ（石英か
らなるレンズ）の物性変化が投影光学系の結像性能に与
える影響をシミュレーションするには、これらの関係式
（１）〜（５）を参照し、光学評価ソフトと弾性体の有
限要素法ソフトとを組み合わせて計算すればよい。な
お、前述したように、露光装置において用いられる程度
の照度の弱いレーザー照射の場合、石英の屈折率が減少
し且つ体積が増大（密度が減少）するレアファクション
現象が最近になって報告されているが、その詳細は未だ
十分に解明されていない。

【００２５】しかしながら、このレアファクション現象
が起こる場合においても、コンパクションの場合と同様
に、光学評価ソフトと弾性体の有限要素法ソフトとを組
み合わせて計算すれば良く、解析手法は全く同じである
ため、コンパクションと同様に考察することができる。
さらに、コンパクションの場合について計算しておけ
ば、レアファクションが起こる場合には、計算結果の符
号を逆転させるとともに所定の定数をかけるだけで、レ
アファクションの場合の計算結果を直ちに予測すること
ができ、計算をし直す必要がない。したがって、本発明
では、一例として、コンパクションの場合のシミュレー
ションについてのみ述べる。

【００２６】図１は、本発明にしたがうシミュレーショ
ン手順を概略的に示すフローチャートである。以下、図
１を参照して、本発明にしたがうシミュレーション手順
を概説する。まず、本発明では、各石英レンズの各面で
の照度分布を計算する（Ｓ１１）。具体的には、平均的
な照明条件を仮定するとともに、１パルスでの感光性基
板上の照度Ｉおよび照射パルス数（累積パルス数）Ｎを
計測する。そして、仮定した平均的な照明条件と、計測
した照度Ｉとに基づいて、レチクルを介した露光光が途
中の各石英レンズの各面においてどのような照度分布を
形成するかを計算する。この計算は、通常の光学評価ソ
フトの機能を組み合わせることにより可能である。

【００２７】次に、各石英レンズの各有限要素の初期的
な体積変化率を計算する（Ｓ１２）。具体的には、各石
英レンズのデータを有限要素解析ソフトに取り込み、各
石英レンズを適当な数の有限要素に分割する。各有限要
素の初期的な体積変化率ΔＶ／Ｖは、計測された照射パ
ルス数Ｎおよび照度Ｉを上述の関係式（５）に代入する
ことにより計算される。ここで、初期的な体積変化率と
は、１つの石英レンズを構成する各有限要素が空間的に
互いに独立であって、その体積変化が隣接する有限要素
の影響を全く受けないと仮定したときの体積変化率であ
る。

【００２８】次いで、各石英レンズの各有限要素の最終
的な体積変化率を計算する（Ｓ１３）。上述したよう
に、工程Ｓ１２で計算された体積変化率は、各有限要素
が空間的に独立であることを仮定しているが、実際には
各有限要素が互いに弾性体として力学的に作用し合って
いる。そこで、隣接する有限要素の影響を考慮した各有
限要素の実際の体積変化率すなわち最終的な体積変化率
は、例えば工程Ｓ１２で計算された初期的な体積変化率
の結果を初期的な温度分布と等価置換（アナロジー）
し、弾性体の熱伝導解析を行なうことにより求められ
る。もちろん、これ以外の計算方法も可能であり、有限
要素解析ソフトの機能に応じて適当な計算方法を決めれ
ば良い。

【００２９】さらに、各石英レンズの各有限要素の屈折
率変化を計算する（Ｓ１４）。具体的には、工程Ｓ１３
で計算された各有限要素の最終的な体積変化率と、上述
の関係式（２）および（３）とに基づいて、各有限要素
の屈折率変化Δｎを計算する。

【００３０】最後に、投影光学系の波面収差を計算する
（Ｓ１５）。具体的には、工程Ｓ１３で計算された体積
変化率のデータおよび工程Ｓ１４で計算された屈折率変
化のデータを、面変化のデータおよび屈折率分布のデー
タとして、光学評価ソフトに取り込むことにより、投影
光学系の波面収差が計算され、投影光学系の結像性能の
悪化の評価が行なわれる。

【００３１】本発明の実施形態を、添付図面に基づいて
説明する。図２は、本実施形態にかかる露光装置の構成
を概略的に示す図である。なお、図２において、投影光
学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を、光軸ＡＸに垂直な
面内において図２の紙面に平行にＹ軸を、紙面に垂直に
Ｘ軸を設定している。図示の露光装置は、紫外領域の照
明光を供給するための光源１として、ＡｒＦエキシマレ
ーザー光源（発振中心波長１９３．３０６ｎｍ）を備え
ている。

【００３２】光源１から射出された光は、第１照明光学
系２ａおよび第２照明光学系２ｂを介して、所定のパタ
ーンが形成されたレチクル（マスク）Ｒを照明する。照
明光学系２（２ａおよび２ｂ）は、光源１からの光に基
づいて所定の形状および大きさを有する二次光源を形成
するオプティカルインテグレータ（内面反射型のロッド
部材、フライアイレンズ、マイクロレンズアレイ、回折
光学素子など）や、レチクルＲ上での照明領域を規定す
る視野絞りや、この視野絞りの像をレチクルＲ上へ投影
する結像光学系などを有する。

【００３３】レチクルＲは、レチクルホルダ（不図示）
を介して、レチクルステージＲＳＴ上においてＸＹ平面
に平行に保持されている。レチクルＲには転写すべきパ
ターンが形成されており、パターン領域全体のうちＸ方
向に沿って長辺を有し且つＹ方向に沿って短辺を有する
矩形状のパターン領域が照明される。レチクルステージ
ＲＳＴは、図示を省略した駆動系の作用により、レチク
ル面（すなわちＸＹ平面）に沿って二次元的に移動可能
であり、その位置座標はレチクル移動鏡ＲＭを用いた干
渉計ＲＩＦによって計測され且つ位置制御されるように
構成されている。

【００３４】レチクルＲに形成されたパターンからの光
は、投影光学系ＰＬを介して、感光性基板であるウェハ
Ｗ上にレチクルパターン像を形成する。ウェハＷは、ウ
ェハホルダ（不図示）を介して、ウェハステージＷＳＴ
上においてＸＹ平面に平行に保持されている。そして、
レチクルＲ上での矩形状の照明領域に光学的に対応する
ように、ウェハＷ上ではＸ方向に沿って長辺を有し且つ
Ｙ方向に沿って短辺を有する矩形状の露光領域にパター
ン像が形成される。ウェハステージＷＳＴは、図示を省
略した駆動系の作用によりウェハ面（すなわちＸＹ平
面）に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標
はウェハ移動鏡ＷＭを用いた干渉計ＷＩＦによって計測
され且つ位置制御されるように構成されている。

【００３５】図３は、本実施形態においてウェハ上に形
成される矩形状の実効露光領域と投影光学系の有効露光
フィールドとの位置関係を示す図である。図３に示すよ
うに、本実施形態では、光軸ＡＸを中心とした半径Ｙ０
（最大像高に対応）を有する円形状の有効露光フィール
ド（イメージフィールド）ＩＦ内において、光軸ＡＸを
中心として矩形状の実効露光領域ＥＲが設定されてい
る。ここで、実効露光領域ＥＲのＸ方向の長さはＬＸで
あり、そのＹ方向の長さはＬＹである。したがって、レ
チクルＲ上では、光軸ＡＸを中心とした矩形状の実効露
光領域ＥＲに対応した大きさおよび形状を有する矩形状
の照明領域が形成されていることになる。

【００３６】上述したように、レチクルＲ上の照明領域
およびウェハＷ上の実効露光領域ＥＲは、Ｙ方向に沿っ
て短辺を有する矩形状である。したがって、駆動系およ
び干渉計（ＲＩＦ、ＷＩＦ）などを用いてレチクルＲお
よびウェハＷの位置制御を行いながら、矩形状の実効露
光領域ＥＲおよび照明領域の短辺方向すなわちＹ方向に
沿ってレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴ
とを、ひいてはレチクルＲとウェハＷとを同期的に移動
（走査）させることにより、ウェハＷ上には実効露光領
域ＥＲの長辺に等しい幅を有し且つウェハＷの走査量
（移動量）に応じた長さを有する領域に対してレチクル
パターンが走査露光される。

【００３７】なお、図１の露光装置には、照明光学系２
中における積算光量を検出するためのインテグレーター
センサ３と、ウェハＷ上における光量をモニターするた
めの照度センサ４とが設けられている。また、図示を省
略しているが、エキシマレーザー光源１の内部には、光
源１からの光エネルギを検出するための内部センサが設
けられている。こうして、エキシマレーザー光のパルス
数（計測時までの累積パルス数）Ｎは、インテグレータ
ーセンサ３の出力に基づいてカウント（計数）される。
また、１パルスでのウェハＷ上の照度Ｉは、エキシマレ
ーザー光源１に内蔵された内部センサの出力、照明光学
系２中のインテグレーターセンサ３の出力、ウェハＷの
高さ位置に設けられた照度センサ４の出力等に基づいて
計測される。

【００３８】図４は、本実施形態にかかる投影光学系の
レンズ構成を示す図である。図４に示すように、投影光
学系ＰＬは、物体側（レチクル側）から順に、第１部分
光学系Ｇ１と、投影光学系ＰＬの入射瞳位置に配置され
た開口絞りＡＳと、第２部分光学系Ｇ２とから構成され
ている。

【００３９】第１部分光学系Ｇ１は、レチクル側から順
に、両凹レンズＬ１１と、両凸レンズＬ１２と、両凸レ
ンズＬ１３と、両凸レンズＬ１４と、レチクル側に凸面
を向けた負メニスカスレンズＬ１５と、両凸レンズＬ１
６と、両凹レンズＬ１７と、両凹レンズＬ１８と、両凹
レンズＬ１９と、レチクル側に凹面を向けた正メニスカ
スレンズＬ１１０と、レチクル側に凹面を向けた負メニ
スカスレンズＬ１１１と、レチクル側に凹面を向けた正
メニスカスレンズＬ１１２と、両凸レンズＬ１１３と、
両凸レンズＬ１１４と、レチクル側に凸面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ１１５と、レチクル側に凸面を向けた
負メニスカスレンズＬ１１６と、レチクル側に凸面を向
けた負メニスカスレンズＬ１１７と、両凹レンズＬ１１
８と、両凹レンズＬ１１９と、両凸レンズＬ１２０とか
ら構成されている。

【００４０】また、第２部分光学系Ｇ２は、レチクル側
から順に、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレン
ズＬ２１と、両凸レンズＬ２２と、レチクル側に凹面を
向けた負メニスカスレンズＬ２３と、レチクル側に凸面
を向けた正メニスカスレンズＬ２４と、レチクル側に凸
面を向けた正メニスカスレンズＬ２５と、レチクル側に
凸面を向けた正メニスカスレンズＬ２６と、レチクル側
に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ２７と、レチクル
側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ２８と、レチク
ル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ２９とから構
成されている。なお、正メニスカスレンズＬ１１５、両
凸レンズＬ１２０、両凸レンズＬ２２、正メニスカスレ
ンズＬ２５、および正メニスカスレンズＬ２６は、蛍石
で形成されている。そして、その他のレンズは、石英で
形成されている。

【００４１】次の表（１）に、本実施形態にかかる投影
光学系の諸元の値を掲げる。表（１）の主要諸元におい
て、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率を、ＮＡは
像側（ウェハ側）開口数を、Ｙ０はウェハＷ上でのイメ
ージサークルＩＦの半径すなわち最大像高を、ＬＸは実
効露光領域ＥＲのＸ方向に沿った寸法（長辺の寸法）
を、ＬＹは実効露光領域ＥＲのＹ方向に沿った寸法（短
辺の寸法）をそれぞれ表している。

【００４２】また、表（１）の光学部材諸元において、
第１カラムの面番号はレチクル側からの面の順序を、第
２カラムのｒは各面の曲率半径（ｍｍ）を、第３カラム
のｄは各面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍｍ）を、第４
カラムのｎ０は中心波長１９３．３０６ｎｍに対する屈
折率を、第５カラムのｎ＋は１９３．３０６ｎｍ＋０．
５６ｐｍ＝１９３．３０６５６ｎｍに対する屈折率を、
第６カラムのｎ−は１９３．３０６ｎｍ−０．５６ｐｍ
＝１９３．３０５４４ｎｍに対する屈折率を、第７カラ
ムのφは有効径（半径：ｍｍ）をそれぞれ示している。

【００４３】

【表１】（主要諸元） λ＝１９３．３０６ｎｍ β＝−１／４ＮＡ＝０．６８Ｙ０＝１３．１ｍｍＬＸ＝２５ｍｍＬＹ＝８ｍｍ（光学部材諸元）面番号ｒｄｎ０ｎ＋ｎ− φ 光学部材（レチクル面）66.162 1 -367.754 14.217 1.560326 1.560325 1.560327 65.5 （Ｌ11） 2 253.076 25.089 72.5 3 420.051 28.056 1.560326 1.560325 1.560327 84.0 （Ｌ12） 4 -392.653 1.000 84.0 5 1007.299 25.948 1.560326 1.560325 1.560327 88.0 （Ｌ13） 6 -343.807 1.000 88.0 7 311.267 26.246 1.560326 1.560325 1.560327 89.0 （Ｌ14） 8 -1400.000 1.000 89.0 9 157.459 23.000 1.560326 1.560325 1.560327 83.5 （Ｌ15） 10 116.402 30.731 74.5 11 546.080 26.087 1.560326 1.560325 1.560327 73.0 （Ｌ16） 12 -279.624 9.582 73.0 13 -2912.140 17.000 1.560326 1.560325 1.560327 69.0 （Ｌ17） 14 143.035 23.017 60.0 15 -220.246 18.050 1.560326 1.560325 1.560327 59.5 （Ｌ18） 16 235.901 25.938 63.5 17 -122.420 16.000 1.560326 1.560325 1.560327 61.5 （Ｌ19） 18 970.000 14.557 75.5 19 -304.434 23.449 1.560326 1.560325 1.560327 75.5 （Ｌ110） 20 -162.839 10.070 82.0 21 -129.805 24.650 1.560326 1.560325 1.560327 82.5 （Ｌ111） 22 -177.511 1.000 97.5 23 -538.404 38.931 1.560326 1.560325 1.560327 112.5 （Ｌ112） 24 -192.482 1.000 112.5 25 1793.041 36.647 1.560326 1.560325 1.560327 125.0 （Ｌ113） 26 -412.867 1.000 125.0 27 446.034 35.081 1.560326 1.560325 1.560327 126.5 （Ｌ114） 28 -2797.707 1.000 126.5 29 198.481 46.284 1.501455 1.501454 1.501455 119.0 （Ｌ115） 30 685.189 1.046 116.0 31 195.568 25.602 1.560326 1.560325 1.560327 106.0 （Ｌ116） 32 139.874 15.219 91.5 33 209.108 19.052 1.560326 1.560325 1.560327 91.0 （Ｌ117） 34 132.321 41.343 81.0 35 -280.949 18.000 1.560326 1.560325 1.560327 80.5 （Ｌ118） 36 334.482 34.610 83.0 37 -163.296 21.875 1.560326 1.560325 1.560327 80.5 （Ｌ119） 38 1243.197 1.003 94.5 39 962.439 45.911 1.501455 1.501454 1.501455 97.5 （Ｌ120） 40 -194.157 32.883 97.5 41 ∞ 30.000 104.0 （ＡＳ） 42 -2946.077 28.888 1.560326 1.560325 1.560327 114.0 （Ｌ21） 43 -411.107 1.000 114.0 44 309.494 54.314 1.501455 1.501454 1.501455 120.0 （Ｌ22） 45 -489.467 9.157 120.0 46 -333.069 25.000 1.560326 1.560325 1.560327 120.5 （Ｌ23） 47 -665.018 1.225 120.5 48 290.408 36.784 1.560326 1.560325 1.560327 118.0 （Ｌ24） 49 2707.107 1.000 114.5 50 164.070 41.449 1.501455 1.501454 1.501455 104.0 （Ｌ25） 51 432.975 1.000 104.0 52 136.275 37.320 1.501455 1.501454 1.501455 85.5 （Ｌ26） 53 327.582 7.019 85.5 54 820.775 21.221 1.560326 1.560325 1.560327 73.5 （Ｌ27） 55 77.652 6.342 53.0 56 88.563 39.020 1.560326 1.560325 1.560327 53.0 （Ｌ28） 57 362.173 2.696 40.0 58 383.182 25.000 1.560326 1.560325 1.560327 38.0 （Ｌ29） 59 ∞ 13.230 27.5 （ウェハ面）

【００４４】図５は、本実施形態における投影光学系の
球面収差、非点収差および歪曲収差を示す図である。ま
た、図６は、本実施形態における投影光学系のタンジェ
ンシャル面内のコマ収差およびサジタル面内のコマ収差
を示す図である。各収差図において、ＮＡは像側開口数
を、Ｙは像高をそれぞれ示している。各収差図から明ら
かなように、本実施形態における投影光学系では、諸収
差が良好に補正され、良好な光学性能が確保されている
ことがわかる。

【００４５】図７は、本実施形態における投影光学系の
波面収差を０．０１λ単位の等高線で示す図である。図
７に示すように、投影光学系ＰＬの実効露光領域ＥＲの
中心点ＣＥ（光軸ＡＸに一致：図３を参照）における波
面収差のＲＭＳ（root meansquare：自乗平均平方根）
値が０．００５λである。また、投影光学系ＰＬの実効
露光領域ＥＲの各周辺点ＵＣ、ＣＲおよびＵＲ（図３を
参照）における波面収差のＲＭＳ値が、それぞれ０．０
０５λ、０．００８λおよび０．００９λである。以上
のように、投影光学系ＰＬの実効露光領域ＥＲの全体に
亘って波面収差のＲＭＳ値が０．０１λ以下に補正され
ていることがわかる。

【００４６】前述したように、本実施形態の露光動作に
おいてパルスレーザー光の投影光学系ＰＬへの照射を多
数回に亘って繰り返すことにより、コンパクションやレ
アファクションのような現象が起こり、石英レンズの屈
折率や密度が変化する。その結果、石英レンズの物性変
化に伴って、投影光学系ＰＬの結像性能（波面収差）が
悪化する。そこで、本実施形態では、以下の第１調整方
法または第２調整方法を実施することにより、パルスレ
ーザー光の照射による光学部材の物性変化に起因して生
じる投影光学系ＰＬの結像性能の悪化を補正する。

【００４７】図８は、本実施形態における第１調整方法
の調整フローを概略的に示すフローチャートである。図
８を参照すると、第１調整方法では、レーザー光の照射
パルス数Ｎおよび１パルスでのウェハＷ上の照度Ｉを計
測する（Ｓ２１）。ここで、照射パルス数（計測時まで
の累積パルス数）Ｎは、上述したように、照明光学系２
において積算光量を検出するための検出器としてのイン
テグレーターセンサ３の出力に基づいて計測される。ま
た、投影光学系ＰＬの光学特性としての照度Ｉは、エキ
シマレーザー光源１の内部センサの出力、インテグレー
ターセンサ３の出力、照度センサ４の出力等に基づいて
計測される。

【００４８】次に、計測工程Ｓ２１の計測結果すなわち
ウェハＷ上の照度Ｉに基づいて、投影光学系ＰＬを構成
する各石英レンズ（各石英光学部材）の光学面での照度
分布（エネルギ分布）を、図１を参照して説明したシミ
ュレーション手順Ｓ１１にしたがって算出する（Ｓ２
２）。なお、上述したように、石英以外の光学材料（本
実施形態では蛍石）からなる光学部材では、コンパクシ
ョンやレアファクションによる物性変化が起こらないた
め、各蛍石レンズ（蛍石からなる各光学部材）における
照度分布を求める必要はない。

【００４９】次いで、計測工程Ｓ２１の計測結果すなわ
ち照射パルス数Ｎと、算出工程Ｓ２２の算出結果すなわ
ち各石英レンズの光学面での照度分布とに基づいて、各
石英レンズの体積変化および屈折率変化を、図１を参照
して説明したシミュレーション手順Ｓ１２〜Ｓ１４にし
たがって算出する（Ｓ２３）。また、算出工程Ｓ２３の
算出結果すなわち各石英レンズの体積変化および屈折率
変化に基づいて、投影光学系ＰＬの波面収差を算出する
（Ｓ２４）。そして、算出工程Ｓ２４で算出した波面収
差を許容することができるか否かを判断する（Ｓ２
５）。

【００５０】判断工程Ｓ２５において、算出工程Ｓ２４
で算出した波面収差を許容することができると判断した
場合（図中ＹＥＳの場合）、第１調整方法を終了して、
露光動作に移行する。一方、判断工程Ｓ２５において、
算出工程Ｓ２４で算出した波面収差を許容することがで
きないと判断した場合（図中ＮＯの場合）、第１調整方
法を続行し、調整量算出工程Ｓ２６に移行する。調整量
算出工程Ｓ２６では、算出工程Ｓ２３の算出結果すなわ
ち各石英レンズの体積変化および屈折率変化に基づい
て、回転調整すべき石英レンズの所要回転量を算出す
る。

【００５１】最後に、調整量算出工程Ｓ２６の算出結果
に基づいて、回転調整すべき石英レンズをその光軸廻り
に所要角度だけ回転させて調整する（Ｓ２７）。こうし
て、第１調整方法では、パルスレーザー光の投影光学系
ＰＬへの照射により起こる各石英レンズの物性変化（屈
折率変化および密度変化）に起因して生じる投影光学系
ＰＬの波面収差の悪化（ひいては結像性能の悪化）を良
好に補正することができる。

【００５２】図９は、本実施形態における第２調整方法
の調整フローを概略的に示すフローチャートである。図
９を参照すると、第２調整方法においても第１調整方法
と同様に、レーザー光の照射パルス数Ｎおよび１パルス
でのウェハＷ上の照度Ｉを計測する（Ｓ３１）。次い
で、計測工程Ｓ３１の計測結果すなわちウェハＷ上の照
度Ｉに基づいて、投影光学系ＰＬを構成する各石英レン
ズの光学面での照度分布を、シミュレーション手順Ｓ１
１にしたがって算出する（Ｓ３２）。

【００５３】さらに、計測工程Ｓ３１で計測した照射パ
ルス数Ｎと、算出工程Ｓ３２で算出した各石英レンズの
光学面での照度分布とに基づいて、各石英レンズの体積
変化および屈折率変化を、シミュレーション手順Ｓ１２
〜Ｓ１４にしたがって算出する（Ｓ３３）。また、算出
工程Ｓ３３で算出した各石英レンズの体積変化および屈
折率変化に基づいて、投影光学系ＰＬの波面収差を算出
する（Ｓ３４）。そして、算出工程Ｓ３４で算出した波
面収差を許容することができるか否かを判断する（Ｓ３
５）。

【００５４】判断工程Ｓ３５において、算出工程Ｓ３４
で算出した波面収差を許容することができると判断した
場合（図中ＹＥＳの場合）、第２調整方法を終了して、
露光動作に移行する。一方、判断工程Ｓ３５において、
算出工程Ｓ３４で算出した波面収差を許容することがで
きないと判断した場合（図中ＮＯの場合）、第２調整方
法を続行し、選択工程Ｓ３６に移行する。選択工程Ｓ３
６では、算出工程Ｓ３３の算出結果すなわち各石英レン
ズの体積変化および屈折率変化に基づいて、交換すべき
石英レンズを選択する。

【００５５】最後に、選択工程Ｓ３６で選択した石英レ
ンズを他の石英レンズと交換して調整する（Ｓ３７）。
ここで、選択した石英レンズと交換用の石英レンズと
は、互いに同じ光学特性を有することはいうまでもな
い。こうして、第２調整方法においても第１調整方法と
同様に、パルスレーザー光の投影光学系ＰＬへの照射に
より起こる各石英レンズの物性変化（屈折率変化および
密度変化）に起因して生じる投影光学系ＰＬの波面収差
の悪化（ひいては結像性能の悪化）を良好に補正するこ
とができる。

【００５６】以下、本実施形態においてコンパクション
による石英レンズの物性変化が投影光学系ＰＬの結像性
能に与える影響を図１に示す手順にしたがってシミュレ
ーションし、上述の第１調整方法および第２調整方法の
有効性について検証する。なお、前述したように、石英
以外の光学材料（本実施形態では蛍石）からなるレンズ
では、コンパクションによる物性変化が起こらないもの
とする。また、シミュレーション条件として、平均的な
照明条件、１パルスでのウェハ上の照度Ｉ、および照射
ショット数Ｎを次の通り設定する。

【００５７】図１０は、平均的な照明条件の一例とし
て、レチクルへの照明光束の開口数ＮＡｉと投影光学系
ＰＬの物体側開口数ＮＡｐとの比で規定されるσ値（σ
＝ＮＡｉ／ＮＡｐ）と照明強度との関係を示す図であ
る。すなわち、図１０において、縦軸はウェハＷ上での
照明強度を示し、横軸はσ値を示している。図１０で
は、σ＝０のときの照明強度を１とし、σ＝１のときの
照明強度を０．２５とし、その間をガウス曲線によって
滑らかに結んでいる。なお、この平均的な照明条件は、
各ショットでの個別の照明条件を表すものではなく、累
積的な照明条件を示している。

【００５８】また、１パルスでのレチクル上の照度を
０．１５（ｍＪ／ｃｍ²／pulse）と仮定し、レチクルの
透過率（明パターンの割合）を６０％と仮定することに
より、１パルスでのウェハ上の照度Ｉを０．０９（ｍＪ
／ｃｍ²／pulse）と仮定している。さらに、照射ショッ
ト数Ｎを２．５×１０¹¹パルスと仮定している。これ
は、レーザー発振周波数１ｋＨｚ（現在のＡｒＦエキシ
マレーザーの典型的な周波数）で毎日１８時間の露光を
１０年間に亘って行なったときの照射ショット数に対応
している。

【００５９】図１１は、図７に対応する図であって、本
実施形態においてコンパクションの影響を受けた第１シ
ミュレーションの結果を示している。図１１に示す波面
収差では、レンズ間隔を調整することにより容易に補正
可能な成分、すなわちフォーカス成分（デフォーカス成
分）、シフト成分（中心の像シフト）、倍率成分、３次
の像面湾曲成分、３次のディストーション成分が予め補
正されている。図１１を参照すると、レンズ間隔の調整
による補正後に残る波面収差は、光軸に関して回転非対
称な成分を多く含むことがわかる。

【００６０】また、図１１には、レンズ間隔の調整によ
る補正をした後のディストーションの残差収差量（シフ
トＸおよびシフトＹ）および像面湾曲の残差収差量を数
値で示している。但し、像面湾曲の残差収差量やディス
トーションの残差収差量の値は、中心点ＣＥでの値が０
になるように全体をシフトさせている。なお、実際に製
造される投影光学系では、レンズ面形状の誤差、メカホ
ールド（機械的な保持機構）によるレンズ変形などの様
々な収差悪化要因があるので、実際の収差はさらに悪化
する。

【００６１】図１１に示す収差状態が許容範囲内である
か否かは、投影光学系ＰＬに要求される規格に依存する
ので一概に述べることができない。しかしながら、像面
湾曲の残差収差量が５０ｎｍ以下に収まり、且つディス
トーションの残差収差量が±１ｎｍ以下に収まっている
のに対し、像質自体の悪化を示す最大波面収差悪化量
０．０２７λ（図７の周辺点ＵＲにおける０．００９λ
から０．０３６λへの変化）が、パターンの作成自体が
不可能になるという意味で最も問題が大きいと考えられ
る。なお、平均的な照明条件や１パルスでのウェハ上の
照度Ｉや照射パルス数Ｎについては、実際にはこれ以外
にも様々な組み合わせがあるので、その都度上述のシミ
ュレーション手順に従って計算すれば良い。

【００６２】ところで、図１１の波面収差図を参照する
と、中心点ＣＥや中心上の周辺点ＵＣのフィールドにお
ける波面収差量が、右上の周辺点ＵＲや中心右の周辺点
ＣＲのフィールドよりもかなり小さい。そこで、第２シ
ミュレーションでは、光軸ＡＸを中心として（Ｚ軸廻り
に）９０°だけ投影光学系ＰＬを全体的に回転させる。
これは、図３において破線で示す長方形領域が新たな実
効露光領域ＥＲになることと等価である。この場合、コ
ンパクションの影響の少ないフィールドＡやＢを利用す
ることができる。なお、投影光学系ＰＬの回転角度は、
−Ｚ軸に対して右ねじの向きを正としている。この点
は、以降の他のシミュレーションにおいても同様であ
る。

【００６３】図１２は、本実施形態において投影光学系
を全体的に９０°回転させた第２シミュレーションの結
果を示している。なお、図１２に示す波面収差では、図
１１と同様に、３次以内の回転対称収差成分は予め補正
されている。また、レンズ間隔の調整による補正後の像
面湾曲の残差収差量やディストーションの残差収差量が
非常に小さいので、その値の図示を省略する。この点
は、以降の他のシミュレーションにおいても同様であ
る。

【００６４】図１２を参照すると、投影光学系ＰＬを全
体的に９０°回転させてフィールド（実効露光領域Ｅ
Ｒ）を変えたことにより、周辺点ＣＲ（図３の点Ｂに対
応）や周辺点ＵＲ（図３の点Ａに対応）での波面収差量
が減って、最大波面収差悪化量は０．０２３λ（図７の
点ＣＥおよび点ＵＣにおける０．００５λから０．０２
８λへの変化）だけ減っている。このように、投影光学
系ＰＬを全体的に回転させる場合、コンパクションの影
響が少ないフィールド（図３の点ＡやＢなど）を利用す
ることができるように回転角度は９０°±３０°が好適
である。ここで、投影光学系ＰＬの全体的な回転量を、
光学設計ソフトの一般的な機能を用いて最適化すること
ができる。

【００６５】次に、本実施形態の第１変形例について説
明する。第１変形例にかかる投影光学系ＰＬの構成は、
上述の実施形態の構成と基本的に同じであるが、レンズ
Ｌ１１９のレチクル側の面およびレンズＬ２１のウェハ
側の面にアナモフィックな曲率が付与されている点が上
述の実施形態と相違している。具体的には、図１３に示
すように、レンズＬ１１９のレチクル側の面では正のパ
ワー（屈折力）が強い向き（図中太い実線で示す）がＹ
方向に一致し、レンズＬ２１のウェハ側の面では正のパ
ワーが強い向きがＸ方向に一致するように初期設定され
ている。

【００６６】なお、レンズＬ１１９のレチクル側の面お
よびレンズＬ２１のウェハ側の面に付与されているアナ
モフィックな曲率は、５５０ｎｍの波長光に対して直交
２方向のニュートンリングの縞が１本差になるように設
定されている。そして、レンズＬ１１９のレチクル側の
面において正のパワーが強い向きとレンズＬ２１のウェ
ハ側の面において正のパワーが強い向きとが直交してい
る初期状態では、互いに初期のパワーが打ち消すように
なっている。このようにアナモフィックな光学面を有す
る一対のアナモフィックレンズが設けられていると、投
影光学系ＰＬの初期調整に有効であるが、同様にコンパ
クションの影響の調整にも有効となる。以下、この点に
ついて説明する。

【００６７】前述の式（１）を参照すると、コンパクシ
ョンは、（Ｎ・Ｉ²）^0.6に比例して進行することがわか
る。このため、（Ｎ・Ｉ²）を測定し、測定値がある閾
値を超えたときに投影光学系ＰＬが最初のフィールドで
は使用不可能になるものと判断することができる。この
閾値は、上述のシミュレーションの条件を変えた場合で
も、（Ｎ・Ｉ²）が同じであれば波面収差悪化量はおお
よそ変わらないと考えられるので、（Ｎ・Ｉ²）に基づ
いて計算することができる。

【００６８】一般に、マーシャルの規格では、解像がな
される波面収差は、λ／１４≒０．０７１λ以下である
ことが要請される。しかしながら、最近では、露光装置
への要請はますます厳しくなり、２５０ｎｍ以下の露光
波長に対し、実際には０．０４λ程度以下の波面収差が
要請されている。このうち、設計上発生する波面収差
や、製造誤差に起因して発生する波面収差や、投影露光
中の熱変化に起因して発生する波面収差などを考える
と、コンパクション等による石英レンズの物性変化に許
される波面収差変化量は、最大でも０．０１６λであ
る。

【００６９】上述の実施形態では、投影光学系ＰＬを全
体的に回転させる前のコンパクションによる波面収差悪
化量は、最大で０．０２７λであった。ここで、波面収
差が二乗和で増加することを考えると、（０．０１６／
０．０２７）²×１００≒３５％であるから、コンパク
ションが３５％程度進んだ場合に、投影光学系ＰＬが最
初のフィールドでは使用不可能になり、さらに使用を続
けるには調整が必要になる。式（１）を参照すると、コ
ンパクションを支配する量は（Ｎ・Ｉ²）^0.6であるた
め、コンパクションが３５％程度進んだ状態に対応する
（Ｎ・Ｉ²）の値を求める。

【００７０】上述の実施形態では、照射パルス数Ｎ₁＝
２．５×１０¹¹であり、１パルスでのウェハ上の照度Ｉ
₁＝０．０９（ｍＪ／ｃｍ²／pulse）であるから、（Ｎ₁
・Ｉ ₁ ²）^0.6は次の式（６）で表される。（Ｎ₁・Ｉ₁ ²）^0.6≒３．８×１０⁵ （６）

【００７１】したがって、投影光学系ＰＬの使用を続け
るために調整が必要になる（Ｎ・Ｉ ²）^0.6の値が次の式
（７）で表され、ひいては投影光学系ＰＬの使用を続け
るために調整が必要になる（Ｎ・Ｉ²）の値が次の式
（８）で表される。（Ｎ・Ｉ²）^0.6＝３．８×１０⁵×０．３５（７）（Ｎ・Ｉ²）＝３．５×１０⁸ （８）

【００７２】そこで、第１変形例では、インテグレータ
ーセンサ３の出力に基づいて照射パルス数Ｎを計測す
る。また、エキシマレーザー光源１に内蔵された内部セ
ンサの出力、照明光学系２中のインテグレーターセンサ
３の出力、ウェハＷの高さ位置に設けられた照度センサ
４の出力等に基づいて、１パルスでのウェハＷ上の照度
Ｉを計測する。そして、（Ｎ・Ｉ²）の値に基づいて、
投影光学系ＰＬの使用を続けるために調整が必要か否か
を判断する。

【００７３】また、別の観点によれば、１パルスでのウ
ェハＷ上の照度Ｉが上述の実施形態で仮定した値Ｉ₁＝
０．０９（ｍＪ／ｃｍ²／pulse）で一定であるものと仮
定すると、投影光学系ＰＬの使用を続けるために調整が
必要になるＮの値が次の式（９）で表される。Ｎ≒４．３×１０¹⁰ （９）

【００７４】ところで、上述の実施形態では、露光装置
の稼働時間を１日平均１８時間と仮定しているが、稼働
時間がもう少し短いこともあり得る。この場合、式
（９）と上述の実施形態で仮定した照射パルス数Ｎ＝
２．５×１０¹¹とを比較すると、露光装置の使用期間が
約２年に達した時点で式（９）が満たされることにな
る。つまり、露光装置の使用期間が約２年に達した時点
で、投影光学系ＰＬの使用を続けるための調整を行うこ
ともできる。

【００７５】あるいは、さらに別の観点によれば、投影
光学系ＰＬの波面収差を波面収差測定機等で定期的に測
定し、測定で得られた波面収差が規格量を超えているの
を確認した時点で投影光学系ＰＬの使用を続けるための
調整を行うことができる。なお、波面収差測定機とし
て、たとえば特開２０００−９７６１６号公報に開示さ
れた、いわゆるＰＤＩ（Phase Diffraction Interferom
eter：位相回折干渉計）方式の波面収差測定機を用いる
ことができる。

【００７６】なお、第１変形例では、投影光学系ＰＬの
使用を続けるための調整の有効性を明らかにするため
に、コンパクションが上述の実施形態の場合と同じ程度
に進行してから調整を行なうとする。しかしながら、上
述したように、実際には、（Ｎ・Ｉ²）の測定値、照射
パルス数Ｎの測定値、使用期間、および波面収差の実測
値のうちいずれかの値に基づく判断にしたがって調整を
行うこともできる。

【００７７】ここで、上述の実施形態におけるコンパク
ションの影響を示す第１シミュレーションの結果を表す
図９を参照すると、中心点ＣＥにおいても周辺点ＵＣ、
ＣＲおよびＵＲにおいても、低次の非点隔差が画面一様
にかなり大きく現れていることがわかる。このような波
面収差の補正には、アナモフィックな光学面を有する一
対のアナモフィックレンズＬ１１９およびＬ２１を光軸
中心に相対的に回転させれば良い。ここで、各アナモフ
ィックレンズＬ１１９およびＬ２１の回転量は、光学設
計ソフトの偏心機能を用いて最適化することができる。

【００７８】そこで、第３シミュレーションでは、図１
４に示すように、第１変形例においてレンズＬ１１９を
４７．５°だけ回転させるとともに、レンズＬ２１を４
２．５°だけ回転させる。図１５は、第１変形例におい
てレンズＬ１１９を４７．５°だけ回転させ且つレンズ
Ｌ２１を４２．５°だけ回転させた第３シミュレーショ
ンの結果を示している。図１１と図１５とを比較参照す
ると、一対のアナモフィックレンズＬ１１９およびＬ２
１の作用により、中心点ＣＥおよび中心右の点ＣＲにお
いて波面収差がかなり補正され、周辺点ＵＲにおいても
波面収差がある程度良くなっている。

【００７９】しかしながら、図１５において、画面一様
に現れている残差波面収差成分はほとんどなく、一対の
アナモフィックレンズの作用だけではこれ以上良好に補
正することはできない。そこで、第４シミュレーション
では、第３シミュレーションの状態から、一対のレンズ
Ｌ１１９およびＬ２１以外の他のレンズを回転させる。
第１変形例においては、投影光学系ＰＬを全体的に回転
させるにはメカ的な制約が大きいことを考慮し、図１６
に示すように、投影光学系ＰＬを８つの光学ブロックＢ
Ｌ１〜ＢＬ８に分割している。

【００８０】図１６を参照すると、第１光学ブロックＢ
Ｌ１はレンズＬ１１〜レンズＬ１５を含み、第２光学ブ
ロックＢＬ２はレンズＬ１６〜レンズＬ１１１を含み、
第３光学ブロックＢＬ３はレンズＬ１１２〜レンズＬ１
１４を含み、第４光学ブロックＢＬ４はレンズＬ１１５
〜レンズＬ１２０を含んでいる。また、第５光学ブロッ
クＢＬ５はレンズＬ２１〜レンズＬ２２を含み、第６光
学ブロックＢＬ６はレンズＬ２３〜レンズＬ２４を含
み、第７光学ブロックＢＬ７はレンズＬ２５〜レンズＬ
２６を含み、第８光学ブロックＢＬ８はレンズＬ２７〜
レンズＬ２９を含んでいる。

【００８１】ところで、図１５に示す第３シミュレーシ
ョンの結果を参照すると、画面一様に現れる波面収差は
殆ど補正されているので、開口絞りＡＳの近くにあるレ
ンズにおいてコンパクションの影響は殆どないと考えら
れる。また、コンパクションは（Ｎ・Ｉ²）^0.6に比例し
て進行するので、１パルスでのウェハＷ上の照度Ｉに大
きく依存する。このことから、有効径が比較的小さく且
つウェハＷに比較的近いレンズにおいて、コンパクショ
ンの影響が大きく現れるものと考えられる。以上より、
開口絞りＡＳとウェハＷとの間の有効径が比較的小さい
レンズで最も大きくコンパクションの影響が現れている
と考えられる。

【００８２】そこで、第４シミュレーションでは、第２
光学ブロックＢＬ２を−３５°だけ回転させ、第６光学
ブロックＢＬ６および第８光学ブロックＢＬ８をともに
５５°だけ回転させる。図１７は、第１変形例において
第３シミュレーションの状態から第２光学ブロックＢＬ
２を−３５°だけ回転させ且つ第６光学ブロックＢＬ６
および第８光学ブロックＢＬ８をともに５５°だけ回転
させた第４シミュレーションの結果を示している。図１
５と図１７とを比較参照すると、中心上の周辺点ＵＣに
おいて波面収差がやや悪化しているが、右上の周辺点Ｕ
Ｒでの波面収差量が小さくなっている。また、フィール
ド全体での波面収差最悪値（第４シミュレーションでは
ＵＲにおける０．０２６λ）は、これまでの４つのシミ
ュレーションの中で最も小さくなっている。

【００８３】なお、上述の第４シミュレーションにおい
て所定の光学ブロックを回転させる角度としては、フィ
ールドに対して光学ブロックのコンパクションの影響が
出難い９０°前後（たとえば９０°±３０°）、４５°
前後（たとえば４５°±１５°）、または−４５°前後
（たとえば−４５°±１５°）が好ましい。厳密には、
光学設計ソフトの偏心機能を用いて、最適化のための所
要回転角度を求めることができる。以下、他のシミュレ
ーションにおける回転角度も同様に、光学設計ソフトの
偏心機能を用いて最適化すれば良い。

【００８４】次に、第４シミュレーションにおける調整
を行なっても、製造誤差により元々の波面収差が悪いた
めに調整後の波面収差が規格を満足しない場合や、第４
シミュレーションの調整後に投影露光を続けることによ
って波面収差の悪化が進んだ場合について考える。この
場合、レンズを回転させることによる調整の効果はあま
り期待することができない。そこで、コンパクションの
原因となっている主要レンズのみを交換すれば、他の大
部分のレンズはその後も使用することができると考えら
れる。

【００８５】なお、レンズ交換の時期は、投影光学系Ｐ
Ｌの波面収差を前述の波面収差測定機等で検査し、検査
結果が規格を満足しているか否かに基づいて判断するこ
とができる。また、交換すべきレンズは、コンパクショ
ンの影響を最も大きく受けるレンズ、すなわち有効径が
比較的小さくウェハＷに比較的に近い石英レンズであ
る。そこで、第５シミュレーションでは、第４シミュレ
ーションの状態から、第６光学ブロックＢＬ６および第
８光学ブロックＢＬ８を他の光学ブロックと交換する。
ここで、交換用の光学ブロックを構成するレンズは、交
換される元の光学ブロックを構成するレンズとほぼ同じ
光学特性（曲率、屈折率、レンズ厚など）を有するもの
とする。

【００８６】図１８は、第１変形例において第４シミュ
レーションの状態から第６光学ブロックＢＬ６および第
８光学ブロックＢＬ８を交換した第５シミュレーション
の結果を示している。図１７と図１８とを比較参照する
と、周辺点ＵＣおよびＵＲでの波面収差のＲＭＳ値が、
第４シミュレーションに比してかなり小さくなっている
ことがわかる。

【００８７】なお、第６光学ブロックＢＬ６および第８
光学ブロックＢＬ８の交換により、新たに収差が発生す
るかもしれない。しかしながら、その場合においても、
各光学ブロック同士の間隔を調整したり、光軸に垂直な
方向に沿って各光学ブロックをシフトさせて調整するこ
とにより、コンパクションに起因する収差以外の収差を
除去することができる。また、第１変形例では、投影光
学系ＰＬを複数の光学ブロックに分割しているので、回
転も交換も光学ブロック毎に比較的容易に行なうことが
でき、能率的であることはいうまでもない。

【００８８】次に、本実施形態の第２変形例について説
明する。第２変形例にかかる投影光学系ＰＬの構成は、
上述の実施形態の構成と基本的に同じであるが、図１６
に示すように投影光学系ＰＬが８つの光学ブロックＢＬ
１〜ＢＬ８に分割されている点が上述の実施形態と相違
している。第２変形例においても、上述の実施形態およ
び第１変形例と同様な条件でコンパクションが進み、図
１１に示す第１シミュレーションの状態まで波面収差が
悪化したものとする。そして、第２変形例では、製造誤
差による元々の波面収差が大きく、一対のアナモフィッ
クレンズを導入しても波面収差の補正を十分に行うこと
ができないものとする。

【００８９】この場合、最も効果的な調整方法は、やは
りコンパクションの影響が大きい石英レンズを交換する
ことである。交換すべき石英レンズは、第３シミュレー
ションの場合と同様に、有効径が比較的小さくウェハＷ
に比較的に近いレンズである。そこで、第６シミュレー
ションでは、第２変形例において、第６光学ブロックＢ
Ｌ６および第８光学ブロックＢＬ８（図１６参照）を交
換する。図１９は、第２変形例において第６光学ブロッ
クＢＬ６および第８光学ブロックＢＬ８を交換した第６
シミュレーションの結果を示している。図１９と他のシ
ミュレーションの結果とを比較すると、他のシミュレー
ションの結果に比して、フィールドの全面に亘って波面
収差のＲＭＳ値がかなり良好に補正されていることがわ
かる。

【００９０】次に、本実施形態の第３変形例について説
明する。第３変形例にかかる投影光学系ＰＬの構成は、
上述の第１変形例の構成と全く同じである。すなわち、
第３変形例では第１変形例と同様に、レンズＬ１１９の
レチクル側の面およびレンズＬ２１のウェハ側の面にア
ナモフィックな曲率が付与されている。具体的には、図
１３に示すように、レンズＬ１１９のレチクル側の面で
は正のパワーが強い向きがＹ方向に一致し、レンズＬ２
１のウェハ側の面では正のパワーが強い向きがＸ方向に
一致するように初期設定されている。

【００９１】なお、レンズＬ１１９のレチクル側の面お
よびレンズＬ２１のウェハ側の面に付与されているアナ
モフィックな曲率は、５５０ｎｍの波長光に対して直交
２方向のニュートンリングの縞が１本差になるように設
定されている。そして、レンズＬ１１９のレチクル側の
面において正のパワーが強い向きとレンズＬ２１のウェ
ハ側の面において正のパワーが強い向きとが直交してい
る初期状態では、互いに初期のパワーが打ち消すように
してある。また、第３変形例では第１変形例と同様に、
投影光学系ＰＬが８つの光学ブロックＢＬ１〜ＢＬ８に
分割されている。

【００９２】第３変形例では、第６シミュレーションに
おける調整を行なっても、製造誤差により元々の波面収
差が悪いために調整後の波面収差が規格を満足しない場
合や、第６シミュレーションの調整後に投影露光を続け
ることによって波面収差の悪化が進んだ場合について考
える。この場合、レンズを回転させてやれば良い。そこ
で、第７シミュレーションでは、第３変形例において、
第２光学ブロックＢＬ２を９０°だけ回転させる。さら
に、図２０に示すように、レンズＬ１１９を３１°だけ
回転させるとともに、レンズＬ２１を２９°だけ回転さ
せる。

【００９３】図２１は、第３変形例においてレンズＬ１
１９を３１°だけ回転させ且つレンズＬ２１を２９°だ
け回転させた第７シミュレーションの結果を示してい
る。図２１と図１９とを比較参照すると、周辺点ＵＣ、
ＵＲおよびＣＲにおいても、中心点ＣＥにおいても、波
面収差のＲＭＳ値が第６シミュレーションよりも更に改
善されていることがわかる。

【００９４】本実施形態（変形例を含む）にかかる露光
装置では、照明系によってレチクルを照明し（照明工
程）、投影光学系を用いてレチクルに形成された転写用
のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことに
より、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶
表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができ
る。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板と
してのウェハ等に所定の回路パターンを形成することに
よって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得
る際の手法の一例につき図２２のフローチャートを参照
して説明する。

【００９５】先ず、図２２のステップ３０１において、
１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステッ
プ３０２において、そのｌロットのウェハ上の金属膜上
にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０
３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上
のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロッ
トのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。
その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェ
ハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３
０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパタ
ーンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マ
スク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ
上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレ
イヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導
体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイ
ス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有す
る半導体デバイスをスループット良く得ることができ
る。

【００９６】また、本実施形態の露光装置では、プレー
ト（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、
電極パターン等）を形成することによって、マイクロデ
バイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以
下、図２３のフローチャートを参照して、このときの手
法の一例につき説明する。図２３において、パターン形
成工程４０１では、本実施形態の露光装置を用いてマス
クのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラ
ス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程
が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感
光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成
される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチ
ング工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることによ
って、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラー
フィルター形成工程４０２へ移行する。

【００９７】次に、カラーフィルター形成工程４０２で
は、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３
つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、
またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルターの組
を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形
成する。そして、カラーフィルター形成工程４０２の後
に、セル組み立て工程４０３が実行される。セル組み立
て工程４０３では、パターン形成工程４０１にて得られ
た所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター
形成工程４０２にて得られたカラーフィルター等を用い
て液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て
工程４０３では、例えば、パターン形成工程４０１にて
得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター
形成工程４０２にて得られたカラーフィルターとの間に
液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。

【００９８】その後、モジュール組み立て工程４０４に
て、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作
を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付
けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素
子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有
する液晶表示素子をスループット良く得ることができ
る。

【００９９】なお、上述の実施形態および変形例では、
ＡｒＦエキシマレーザー光源を用いているが、これに限
定されることなく、たとえば波長が２４８ｎｍの光を供
給するＫｒＦエキシマレーザー光源や波長が１５６ｎｍ
の光を供給するＦ₂エキシマレーザー光源のような他の
適当な光源を用いることもできる。

【０１００】また、上述の実施形態および変形例では、
屈折型の投影光学系に対して本発明を適用しているが、
これに限定されることなく、反射屈折型の投影光学系に
対しても本発明を適用することができる。

【０１０１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、所定
の光学部材をその光軸廻りに所要角度だけ回転させて調
整することにより、パルスレーザー光の投影光学系への
照射により起こる物性変化（屈折率変化および密度変
化）に起因して生じる投影光学系の結像性能の悪化を良
好に補正することができる。また、所定の光学部材を交
換して調整することにより、パルスレーザー光の投影光
学系への照射により起こる物性変化に起因して生じる投
影光学系の結像性能の悪化を良好に補正することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にしたがうシミュレーション手順を概略
的に示すフローチャートである。

【図２】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概
略的に示す図である。

【図３】本実施形態においてウェハ上に形成される矩形
状の実効露光領域と投影光学系の有効露光フィールドと
の位置関係を示す図である。

【図４】本実施形態にかかる投影光学系のレンズ構成を
示す図である。

【図５】本実施形態における投影光学系の球面収差、非
点収差および歪曲収差を示す図である。

【図６】本実施形態における投影光学系のタンジェンシ
ャル面内のコマ収差およびサジタル面内のコマ収差を示
す図である。

【図７】本実施形態における投影光学系の波面収差を
０．０１λ単位の等高線で示す図である。

【図８】本実施形態における第１調整方法の調整フロー
を概略的に示すフローチャートである。

【図９】本実施形態における第２調整方法の調整フロー
を概略的に示すフローチャートである。

【図１０】平均的な照明条件の一例として、レチクルへ
の照明光束の開口数ＮＡｉと投影光学系ＰＬの物体側開
口数ＮＡｐとの比で規定されるσ値（σ＝ＮＡｉ／ＮＡ
ｐ）と照明強度との関係を示す図である。

【図１１】図７に対応する図であって、本実施形態にお
いてコンパクションの影響を受けた第１シミュレーショ
ンの結果を示している。

【図１２】本実施形態において投影光学系を全体的に９
０°回転させた第２シミュレーションの結果を示してい
る。

【図１３】一対のアナモフィックレンズＬ１１９および
Ｌ２１において正のパワーが強い向きが互いに直交する
ように初期設定されている様子を示す図である。

【図１４】第１変形例において、レンズＬ１１９を４
７．５°だけ回転させるとともに、レンズＬ２１を４
２．５°だけ回転させる様子を示す図である。

【図１５】第１変形例においてレンズＬ１１９を４７．
５°だけ回転させ且つレンズＬ２１を４２．５°だけ回
転させた第３シミュレーションの結果を示す図である。

【図１６】第１変形例において投影光学系ＰＬを８つの
光学ブロックＢＬ１〜ＢＬ８に分割している様子を示す
図である。

【図１７】第１変形例において第３シミュレーションの
状態から第２光学ブロックＢＬ２を−３５°だけ回転さ
せ且つ第６光学ブロックＢＬ６および第８光学ブロック
ＢＬ８をともに５５°だけ回転させた第４シミュレーシ
ョンの結果を示す図である。

【図１８】第１変形例において第４シミュレーションの
状態から第６光学ブロックＢＬ６および第８光学ブロッ
クＢＬ８を交換した第５シミュレーションの結果を示す
図である。

【図１９】第２変形例において第６光学ブロックＢＬ６
および第８光学ブロックＢＬ８を交換した第６シミュレ
ーションの結果を示す図である。

【図２０】第３変形例において、レンズＬ１１９を３１
°だけ回転させるとともに、レンズＬ２１を２９°だけ
回転させる様子を示す図である。

【図２１】第３変形例においてレンズＬ１１９を３１°
だけ回転させ且つレンズＬ２１を２９°だけ回転させた
第７シミュレーションの結果を示す図である。

【図２２】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを
得る際の手法のフローチャートである。

【図２３】マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得
る際の手法のフローチャートである。

【符号の説明】

１光源２照明光学系３インテグレーターセンサ４照度センサＲレチクルＲＳＴレチクルステージＰＬ投影光学系ＷウェハＷＳＴウェハステージ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｂ 13/00 Ｇ０２Ｂ 13/24 ５Ｆ０４６ 13/24 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０２Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０２Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ａ５１５ＤＦターム(参考） 2G065 AA03 AA04 AB05 AB09 AB16 BB03 BB09 BB14 BB28 BC13 BC17 DA20 2G086 HH06 2H044 AC01 2H087 KA21 NA02 NA04 PA15 PA17 PB20 QA03 QA19 QA21 QA25 QA33 QA41 QA46 UA03 2H097 CA13 LA10 5F046 BA03 CA04 CB12 CB25 DA13 DB01 DC12 DD06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パルス発光のレーザー光により照明され
たレチクルのパターン像を感光性基板に形成する投影光
学系を備えた露光装置の調整方法において、前記レーザー光のパルス数および前記投影光学系の光学
特性を計測する計測工程と、前記計測工程の計測結果に基づいて、前記投影光学系内
の少なくとも１つの光学部材に関する屈折率変化および
体積変化のうち少なくとも一方を算出する第１算出工程
と、前記レーザー光の前記投影光学系への照射に起因して生
じる前記投影光学系の結像性能の悪化を補正するため
に、前記第１算出工程の算出結果に基づいて、前記投影
光学系内の少なくとも１つの光学部材に関する回転量を
算出する第２算出工程と、前記第２算出工程の算出結果に基づいて、前記投影光学
系内の少なくとも１つの光学部材を回転させて調整する
回転調整工程とを含むことを特徴とする露光装置の調整
方法。
【請求項２】前記第１算出工程は、波長が２５０ｎｍ
以下のレーザー光の照射により屈折率および密度のうち
少なくとも一方の物性が変化する光学部材に関する屈折
率変化および体積変化のうち少なくとも一方を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置の調整方
法。
【請求項３】前記第２算出工程は、前記投影光学系に
設けられてアナモフィックな光学面を有する一対のアナ
モフィック光学部材に関する相対的な回転量を算出し、前記回転調整工程は、前記一対のアナモフィック光学部
材の少なくとも一方を回転させて調整することを特徴と
する請求項１または２に記載の露光装置の調整方法。
【請求項４】前記第２算出工程は、前記投影光学系に
設けられて前記光学部材を複数含む少なくとも１つの光
学ブロックに関する回転量を算出し、前記回転調整工程は、前記少なくとも１つの光学ブロッ
クを回転させて調整することを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載の露光装置の調整方法。
【請求項５】パルス発光のレーザー光により照明され
たレチクルのパターン像を感光性基板に形成する投影光
学系を備えた露光装置の調整方法において、前記レーザー光のパルス数および前記投影光学系の光学
特性を計測する計測工程と、前記計測工程の計測結果に基づいて、前記投影光学系内
の少なくとも１つの光学部材に関する屈折率変化および
体積変化のうち少なくとも一方を算出する算出工程と、前記レーザー光の前記投影光学系への照射に起因して生
じる前記投影光学系の結像性能の悪化を補正するため
に、前記算出工程の算出結果に基づいて、前記投影光学
系内の交換すべき少なくとも１つの光学部材を選択する
選択工程と、前記選択工程の結果に基づいて、前記投影光学系内の交
換すべき少なくとも１つの光学部材を他の光学部材と交
換して調整する交換調整工程とを含むことを特徴とする
露光装置の調整方法。
【請求項６】前記第１算出工程は、波長が２５０ｎｍ
以下のレーザー光の照射により屈折率および密度のうち
少なくとも一方の物性が変化する光学部材に関する屈折
率変化および体積変化のうち少なくとも一方を算出する
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置の調整方
法。
【請求項７】前記選択工程は、前記投影光学系に設け
られて前記光学部材を複数含む少なくとも１つの光学ブ
ロックを交換すべき光学ブロックとして選択し、前記交換調整工程は、前記選択された少なくとも１つの
光学ブロックを他の光学ブロックと交換して調整するこ
とを特徴とする請求項５または６に記載の露光装置の調
整方法。
【請求項８】請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
調整方法により調整された露光装置を用いて前記レチク
ルのパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像す
る現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイス
の製造方法。