JP2002203826A - 半導体装置の製造方法および研磨装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および研磨装置Info
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- H01L21/321—After treatment
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線金属膜のＣＭＰ研磨工程を適正に行うこ
とができ、また、装置のスループットの向上を図ること
ができる半導体装置の製造方法および研磨装置を提供す
ること。 【解決手段】 複数の研磨部２Ａ〜２Ｃを有する研磨ユ
ニット２と移送ロボット５との間に配置され、ウェーハ
を一時的に支持する中継部６に、処理済のウェーハの被
加工面を評価する検査手段を設ける。これにより、研磨
工程を行いながら先に処理したウェーハの加工評価を行
うことができ、装置生産性の向上が図られる。また、検
査手段の検査対象を、ダマシン法で形成された配線層の
面内分離幅とディッシング量とすることにより、配線パ
ターンの疎密に応じた適正な加工評価を行うことが可能
となる。
とができ、また、装置のスループットの向上を図ること
ができる半導体装置の製造方法および研磨装置を提供す
ること。 【解決手段】 複数の研磨部２Ａ〜２Ｃを有する研磨ユ
ニット２と移送ロボット５との間に配置され、ウェーハ
を一時的に支持する中継部６に、処理済のウェーハの被
加工面を評価する検査手段を設ける。これにより、研磨
工程を行いながら先に処理したウェーハの加工評価を行
うことができ、装置生産性の向上が図られる。また、検
査手段の検査対象を、ダマシン法で形成された配線層の
面内分離幅とディッシング量とすることにより、配線パ
ターンの疎密に応じた適正な加工評価を行うことが可能
となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダマシン法で配線
層が形成されるデバイスの製造に用いて好適な半導体装
置の製造方法および当該方法に用いられる研磨装置に関
する。
層が形成されるデバイスの製造に用いて好適な半導体装
置の製造方法および当該方法に用いられる研磨装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年における超ＬＳＩの高密度化、高集
積化の発展は、サブミクロン以下の微細領域に対応でき
るリソグラフィ技術に支えられている。ところが、シリ
コンウェーハ表面は、デバイス化プロセスにおいて加工
が進むにつれて凹凸が増幅されるため、投影露光方式に
おける解像度と焦点深度とを両立できずに、ウェーハ表
面の凹部と凸部を同時に焦点合わせすることが困難にな
ってきている。このため、プロセスの然るべき段階で、
ウェーハのデバイス化表面の凹凸を取り除くための平坦
化（プラナリゼーション）処理を行って、凹凸段差を焦
点深度以下に収めることが不可欠となっている。
積化の発展は、サブミクロン以下の微細領域に対応でき
るリソグラフィ技術に支えられている。ところが、シリ
コンウェーハ表面は、デバイス化プロセスにおいて加工
が進むにつれて凹凸が増幅されるため、投影露光方式に
おける解像度と焦点深度とを両立できずに、ウェーハ表
面の凹部と凸部を同時に焦点合わせすることが困難にな
ってきている。このため、プロセスの然るべき段階で、
ウェーハのデバイス化表面の凹凸を取り除くための平坦
化（プラナリゼーション）処理を行って、凹凸段差を焦
点深度以下に収めることが不可欠となっている。
【０００３】このウェーハ表面の平坦化技術の１つとし
て、ＣＭＰ法がある。ＣＭＰ法は公知のように、ウェー
ハ被加工面をスラリーを介して研磨布で研磨し、スラリ
ーによる被加工面の酸化作用と研磨布の機械的な研磨作
用によりウェーハ被加工面を平坦化する技術である。
て、ＣＭＰ法がある。ＣＭＰ法は公知のように、ウェー
ハ被加工面をスラリーを介して研磨布で研磨し、スラリ
ーによる被加工面の酸化作用と研磨布の機械的な研磨作
用によりウェーハ被加工面を平坦化する技術である。
【０００４】ＣＭＰは元々、第２層以降の配線パターン
加工に備えるための層間絶縁膜の平坦化工程に用いられ
ていたが、近年、絶縁膜上に形成された配線用金属膜に
対しても適用されている。いわゆるダマシン法である。
これは、絶縁膜に上層の配線と下層の配線を連結するた
めの溝（コンタクトホール）や配線形成用の溝を形成
し、その上に配線材料となる金属膜を成膜した後、溝以
外の部分の金属膜をＣＭＰで除去する技術で、埋め込み
配線法とも呼ばれている。ダマシン法は配線パターンを
形成した段階で平坦化が完成するので、絶縁膜の平坦化
工程を省略することができる。
加工に備えるための層間絶縁膜の平坦化工程に用いられ
ていたが、近年、絶縁膜上に形成された配線用金属膜に
対しても適用されている。いわゆるダマシン法である。
これは、絶縁膜に上層の配線と下層の配線を連結するた
めの溝（コンタクトホール）や配線形成用の溝を形成
し、その上に配線材料となる金属膜を成膜した後、溝以
外の部分の金属膜をＣＭＰで除去する技術で、埋め込み
配線法とも呼ばれている。ダマシン法は配線パターンを
形成した段階で平坦化が完成するので、絶縁膜の平坦化
工程を省略することができる。
【０００５】ダマシン法に適用される配線用金属膜とし
て、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ
（銅）がある。その中でもＣｕは、配線の低抵抗化、耐
エレクトロマイグレーション性の向上を図れる点で有利
である。
て、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ
（銅）がある。その中でもＣｕは、配線の低抵抗化、耐
エレクトロマイグレーション性の向上を図れる点で有利
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】さて、ダマシン法にお
けるＣＭＰプロセスでは、配線層よりも加工速度が遅い
絶縁膜が研磨ストッパとなる。しかし、配線パターンの
密度や大きさによって加工の進み具合が異なるため、あ
る程度絶縁膜が加工のストッパとして働いても、高密度
の配線パターンの部分では加工の進行をくい止めること
ができない。その結果、配線部のオーバー加工が生じ、
配線層の厚さが目減りするシニングが生ずる。一方、比
較的低密度な配線パターンや幅広の配線部では、配線層
の中央部が凹むディッシングが生じ、信頼性低下および
その上層に形成する絶縁膜表面の凹凸化の原因となる。
ディッシングは、配線部のオーバー加工の段階で層間絶
縁膜の研磨レートと金属層の研磨レートの差に起因して
発生する。また、オーバー加工を回避するためにＣｕ層
の加工量を抑えると、隣接する配線間でＣｕが残留し
（メタル残り）、配線不良を引き起こす。
けるＣＭＰプロセスでは、配線層よりも加工速度が遅い
絶縁膜が研磨ストッパとなる。しかし、配線パターンの
密度や大きさによって加工の進み具合が異なるため、あ
る程度絶縁膜が加工のストッパとして働いても、高密度
の配線パターンの部分では加工の進行をくい止めること
ができない。その結果、配線部のオーバー加工が生じ、
配線層の厚さが目減りするシニングが生ずる。一方、比
較的低密度な配線パターンや幅広の配線部では、配線層
の中央部が凹むディッシングが生じ、信頼性低下および
その上層に形成する絶縁膜表面の凹凸化の原因となる。
ディッシングは、配線部のオーバー加工の段階で層間絶
縁膜の研磨レートと金属層の研磨レートの差に起因して
発生する。また、オーバー加工を回避するためにＣｕ層
の加工量を抑えると、隣接する配線間でＣｕが残留し
（メタル残り）、配線不良を引き起こす。
【０００７】したがって、ＣＭＰでは研磨加工量を高精
度に制御することが必要であり、研磨終了点を適切に判
断して配線部の過度な加工を防止することが重要となっ
てくる。
度に制御することが必要であり、研磨終了点を適切に判
断して配線部の過度な加工を防止することが重要となっ
てくる。
【０００８】そこで従来では、空間分解能の高さから光
学的測定方法が多く採用され、例えば特開平１１−３０
７６０４号公報には、レーザー光の反射光に基づいて絶
縁膜上のメタル残りの存在を確認するようにしている。
また、特開平９−２９８１７４号公報、特開平９−２９
８１７５号公報、特開平９−２９８１７６号公報には、
ウェーハを回転させながら分光反射率測定法により絶縁
膜の膜厚分布を測定するようにしている。
学的測定方法が多く採用され、例えば特開平１１−３０
７６０４号公報には、レーザー光の反射光に基づいて絶
縁膜上のメタル残りの存在を確認するようにしている。
また、特開平９−２９８１７４号公報、特開平９−２９
８１７５号公報、特開平９−２９８１７６号公報には、
ウェーハを回転させながら分光反射率測定法により絶縁
膜の膜厚分布を測定するようにしている。
【０００９】しかしながら、前者は単に絶縁膜上の金属
膜の有無を検出するだけで、配線層のディッシング等の
オーバー加工を検出する構成ではない。また、後者は、
ウェーハ面内の同一半径領域における表面形状を平均化
して検出するようにしているため、高精度な加工評価を
行うことが困難である。特に、配線パターンが疎な領域
ではディッシング量が問題となる一方、配線パターンが
密な領域では隣接する配線層間の分離幅が問題となる
が、配線パターンに疎密を有するデバイスの高精度な研
磨終了点の検出は、上記の方法では極めて困難である。
膜の有無を検出するだけで、配線層のディッシング等の
オーバー加工を検出する構成ではない。また、後者は、
ウェーハ面内の同一半径領域における表面形状を平均化
して検出するようにしているため、高精度な加工評価を
行うことが困難である。特に、配線パターンが疎な領域
ではディッシング量が問題となる一方、配線パターンが
密な領域では隣接する配線層間の分離幅が問題となる
が、配線パターンに疎密を有するデバイスの高精度な研
磨終了点の検出は、上記の方法では極めて困難である。
【００１０】次に、ＣＭＰ装置によって製品ウェーハを
処理する前には、通常、パイロットウェーハ（モニタウ
ェーハ）を研磨、評価することによって、製品ウェーハ
を処理できる装置状態にあるか、いかなる条件で処理す
べきかを判断している。しかし、現状のＣＭＰ技術では
加工特性の変動が他の半導体製造装置に比べて大きいの
で、高精度な研磨を行うためには、高い頻度でモニタウ
ェーハを流す必要が生じる。一方、ＣＭＰ装置のローダ
／アンローダユニットの近傍に検査（評価）ユニットを
設けて、処理した製品ウェーハの評価を行うようにした
ものがあるが、製品評価をアンロード直前で行うように
しているため、研磨条件の変更等、装置へフィードバッ
クをかけにくいという問題がある。
処理する前には、通常、パイロットウェーハ（モニタウ
ェーハ）を研磨、評価することによって、製品ウェーハ
を処理できる装置状態にあるか、いかなる条件で処理す
べきかを判断している。しかし、現状のＣＭＰ技術では
加工特性の変動が他の半導体製造装置に比べて大きいの
で、高精度な研磨を行うためには、高い頻度でモニタウ
ェーハを流す必要が生じる。一方、ＣＭＰ装置のローダ
／アンローダユニットの近傍に検査（評価）ユニットを
設けて、処理した製品ウェーハの評価を行うようにした
ものがあるが、製品評価をアンロード直前で行うように
しているため、研磨条件の変更等、装置へフィードバッ
クをかけにくいという問題がある。
【００１１】そこで、上記した特開平９−２９８１７４
号、特開平９−２９８１７５号、特開平９−２９８１７
６号、特開平１１−３０７６０４号の各公報には、ウェ
ーハ研磨中に加工評価を行う検査工程を設け、ウェーハ
表面が所定の条件範囲内にあるときには研磨を停止し、
そうでなければ研磨を続行するようにした技術が記載さ
れている。これにより、モニタウェーハの研磨評価に伴
う時間や消耗資材を低減できるとともに、研磨速度の変
動や製品ウェーハ毎の膜厚のバラツキの影響を受けずに
最適な加工が可能となり、更に装置異常に伴う製品ウェ
ーハの損失を最低限に抑えることができる。
号、特開平９−２９８１７５号、特開平９−２９８１７
６号、特開平１１−３０７６０４号の各公報には、ウェ
ーハ研磨中に加工評価を行う検査工程を設け、ウェーハ
表面が所定の条件範囲内にあるときには研磨を停止し、
そうでなければ研磨を続行するようにした技術が記載さ
れている。これにより、モニタウェーハの研磨評価に伴
う時間や消耗資材を低減できるとともに、研磨速度の変
動や製品ウェーハ毎の膜厚のバラツキの影響を受けずに
最適な加工が可能となり、更に装置異常に伴う製品ウェ
ーハの損失を最低限に抑えることができる。
【００１２】しかしながら、上記の構成では、検査工程
中に製品ウェーハの研磨作業を行うことができないため
に、検査による時間的ロスが多大となり、装置全体とし
てスループットの向上が望めないという問題点がある。
中に製品ウェーハの研磨作業を行うことができないため
に、検査による時間的ロスが多大となり、装置全体とし
てスループットの向上が望めないという問題点がある。
【００１３】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、配線
金属膜の研磨工程を適正に行うことができ、また、装置
のスループットの向上を図ることができる半導体装置の
製造方法および研磨装置を提供することを課題とする。
金属膜の研磨工程を適正に行うことができ、また、装置
のスループットの向上を図ることができる半導体装置の
製造方法および研磨装置を提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
当たり、本発明の第１の発明である半導体装置の製造方
法は、ウェーハ被研磨面の表面状態を検査する検査工程
が、配線層の面内分離幅を測定するステップと、配線層
のディッシング量を測定するステップとからなることを
特徴としている。
当たり、本発明の第１の発明である半導体装置の製造方
法は、ウェーハ被研磨面の表面状態を検査する検査工程
が、配線層の面内分離幅を測定するステップと、配線層
のディッシング量を測定するステップとからなることを
特徴としている。
【００１５】上記の両ステップを行うことにより、配線
パターンの疎なる領域に対する加工量と配線パターンの
密なる領域に対する加工量とを検出でき、配線パターン
に疎密を有するデバイス化領域に対して適正な研磨条件
を設定することができると共に、研磨終了点を高精度に
制御することが可能となる。
パターンの疎なる領域に対する加工量と配線パターンの
密なる領域に対する加工量とを検出でき、配線パターン
に疎密を有するデバイス化領域に対して適正な研磨条件
を設定することができると共に、研磨終了点を高精度に
制御することが可能となる。
【００１６】また、以上の課題を解決するに当たり、本
発明の第２の発明である研磨装置は、ウェーハ表面に形
成された被加工層を研磨する複数の研磨部を有する研磨
ユニットと、上記研磨ユニットとの間で上記ウェーハの
受け渡しを行う移送手段と、上記研磨ユニットと移送手
段との間に配置され、上記移送されるウェーハを一時的
に支持する中継部と、上記各研磨部および中継部へウェ
ーハを循環供給するキャリアを備えた研磨装置であっ
て、上記中継部に、上記研磨したウェーハの被加工面を
評価する検査手段を設けたことを特徴としている。
発明の第２の発明である研磨装置は、ウェーハ表面に形
成された被加工層を研磨する複数の研磨部を有する研磨
ユニットと、上記研磨ユニットとの間で上記ウェーハの
受け渡しを行う移送手段と、上記研磨ユニットと移送手
段との間に配置され、上記移送されるウェーハを一時的
に支持する中継部と、上記各研磨部および中継部へウェ
ーハを循環供給するキャリアを備えた研磨装置であっ
て、上記中継部に、上記研磨したウェーハの被加工面を
評価する検査手段を設けたことを特徴としている。
【００１７】本発明の作用について説明すると、移送手
段によってローダ部から中継部へ供給されたウェーハ
は、キャリアによって研磨ユニット内の各研磨部へ搬送
され、所定の研磨処理が行われる。一方、研磨ユニット
で所定の研磨処理がされたウェーハは上記中継部へ供給
され、ここから上記移送手段によってアンローダ部へ搬
送される。このとき、上記中継部に供給された処理済ウ
ェーハの被加工面を上記検査手段で評価して、研磨処理
が適正か否かを判断し、研磨が不十分な場合は再度研磨
部へ搬送し、研磨が過度に行われていれば研磨部におけ
る研磨時間等の研磨条件の設定を変更する。本発明で
は、上記したウェーハの検査工程を行っている間でも上
記複数の研磨部において所定の研磨作業を行わせること
により、装置のスループット向上が図られると共に、検
査手段による検査結果を研磨部へフィードバックして、
生産中のウェーハの研磨条件等をその場で変更すること
が可能となる。
段によってローダ部から中継部へ供給されたウェーハ
は、キャリアによって研磨ユニット内の各研磨部へ搬送
され、所定の研磨処理が行われる。一方、研磨ユニット
で所定の研磨処理がされたウェーハは上記中継部へ供給
され、ここから上記移送手段によってアンローダ部へ搬
送される。このとき、上記中継部に供給された処理済ウ
ェーハの被加工面を上記検査手段で評価して、研磨処理
が適正か否かを判断し、研磨が不十分な場合は再度研磨
部へ搬送し、研磨が過度に行われていれば研磨部におけ
る研磨時間等の研磨条件の設定を変更する。本発明で
は、上記したウェーハの検査工程を行っている間でも上
記複数の研磨部において所定の研磨作業を行わせること
により、装置のスループット向上が図られると共に、検
査手段による検査結果を研磨部へフィードバックして、
生産中のウェーハの研磨条件等をその場で変更すること
が可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１９】図１は本発明の実施の形態による研磨装置
の概要を示す平面図である。本実施の形態の研磨装置１
は、第１から第３の複数の研磨部２Ａ，２Ｂ，２Ｃを有
する研磨ユニット３と、研磨ユニット３とローダ／アン
ローダ部４との間でウェーハを移送する移送ロボット５
と、移送ロボット５から研磨ユニット３へ、及び、研磨
ユニット３から移送ロボット５へウェーハを移載する際
に、当該ウェーハを一時的に支持する中継部６とを備え
ている。
の概要を示す平面図である。本実施の形態の研磨装置１
は、第１から第３の複数の研磨部２Ａ，２Ｂ，２Ｃを有
する研磨ユニット３と、研磨ユニット３とローダ／アン
ローダ部４との間でウェーハを移送する移送ロボット５
と、移送ロボット５から研磨ユニット３へ、及び、研磨
ユニット３から移送ロボット５へウェーハを移載する際
に、当該ウェーハを一時的に支持する中継部６とを備え
ている。
【００２０】各研磨部２Ａ〜２Ｃと中継部６はそれぞれ
同一円周上に配置されると共に、各研磨部２Ａ〜２Ｃ及
び中継部６に対応して各々ウェーハＷを支持可能なキャ
リア（ヘッド）７が設けられている。キャリア７は、中
心Ｏの周りに矢印方向へ間欠的に回動し、研磨部２Ａ〜
２Ｃ及び中継部６の間で各々ウェーハＷを同期して循環
供給するように構成されている。
同一円周上に配置されると共に、各研磨部２Ａ〜２Ｃ及
び中継部６に対応して各々ウェーハＷを支持可能なキャ
リア（ヘッド）７が設けられている。キャリア７は、中
心Ｏの周りに矢印方向へ間欠的に回動し、研磨部２Ａ〜
２Ｃ及び中継部６の間で各々ウェーハＷを同期して循環
供給するように構成されている。
【００２１】制御部８は、各研磨部２Ａ〜２Ｃにおける
研磨時間、研磨圧力、スラリー供給量等の研磨条件と、
移送ロボット５及びキャリア７の運転とを制御すると共
に、後述するように、中継部６に設けられた検査手段の
検査結果に基づいて、各研磨部２Ａ〜２Ｃにおける研磨
条件の設定を変更可能に構成される。
研磨時間、研磨圧力、スラリー供給量等の研磨条件と、
移送ロボット５及びキャリア７の運転とを制御すると共
に、後述するように、中継部６に設けられた検査手段の
検査結果に基づいて、各研磨部２Ａ〜２Ｃにおける研磨
条件の設定を変更可能に構成される。
【００２２】各研磨部２Ａ〜２Ｃは各々同一構成を有
し、例えば図２に示すようなＣＭＰ研磨装置として構成
されている。各研磨部２Ａ〜２Ｃには、矢印Ｃ方向へ回
転可能な回転軸９に支持され上面に研磨布１０が敷設さ
れた研磨プレート（プラテン）１１を有している。キャ
リア７は矢印Ｄ方向へ回転可能な回転軸１２を有し、そ
の下面はウェーハＷを被加工面Ｗｐを下向きにして吸着
保持できる構成となっている。そして、ウェーハＷを研
磨布１０へ所定の研磨圧力で押し付けると共に、各回転
軸９，１２を回転させることによって、スラリー（研磨
材）１３を介して被加工面Ｗｐを研磨するように構成さ
れる。
し、例えば図２に示すようなＣＭＰ研磨装置として構成
されている。各研磨部２Ａ〜２Ｃには、矢印Ｃ方向へ回
転可能な回転軸９に支持され上面に研磨布１０が敷設さ
れた研磨プレート（プラテン）１１を有している。キャ
リア７は矢印Ｄ方向へ回転可能な回転軸１２を有し、そ
の下面はウェーハＷを被加工面Ｗｐを下向きにして吸着
保持できる構成となっている。そして、ウェーハＷを研
磨布１０へ所定の研磨圧力で押し付けると共に、各回転
軸９，１２を回転させることによって、スラリー（研磨
材）１３を介して被加工面Ｗｐを研磨するように構成さ
れる。
【００２３】なお、本実施の形態では、各研磨部２Ａ〜
２Ｃにエンドポイントモニター（図示略）が設けられ、
各モニターの出力に基づいて制御部８により研磨部２Ａ
〜２Ｃの制御が行われる。上記エンドポイントモニター
は、研磨中のウェーハ被加工面Ｗｐからの反射光に基づ
いて、被加工面の状態変化を平均化して検出する従来公
知のものである。
２Ｃにエンドポイントモニター（図示略）が設けられ、
各モニターの出力に基づいて制御部８により研磨部２Ａ
〜２Ｃの制御が行われる。上記エンドポイントモニター
は、研磨中のウェーハ被加工面Ｗｐからの反射光に基づ
いて、被加工面の状態変化を平均化して検出する従来公
知のものである。
【００２４】中継部６には、本発明に係る検査手段が設
けられている。図３に示すように、中継部６は、ウェー
ハＷの被加工面Ｗｐ側の面の周縁を支持する検査ステー
ジ１４を備えている。検査ステージ１４は中空部１４ａ
を有する略円筒形状を呈し、その下方位置には被加工面
Ｗｐの表面状態を光学的に検出する測定ヘッド１５が配
置されている。測定ヘッド１５は、被加工面Ｗｐと平行
な方向へ移動可能な移動台１６の上に支持されている。
けられている。図３に示すように、中継部６は、ウェー
ハＷの被加工面Ｗｐ側の面の周縁を支持する検査ステー
ジ１４を備えている。検査ステージ１４は中空部１４ａ
を有する略円筒形状を呈し、その下方位置には被加工面
Ｗｐの表面状態を光学的に検出する測定ヘッド１５が配
置されている。測定ヘッド１５は、被加工面Ｗｐと平行
な方向へ移動可能な移動台１６の上に支持されている。
【００２５】測定ヘッド１５は、本実施の形態では被加
工面Ｗｐに向けて出射した紫外線領域の短波長照射光Ｌ
の反射光を受光し、その出力を制御部８へ供給するよう
に構成される。制御部８は測定ヘッド１５の出力に基づ
いて、被加工面Ｗｐに後述するダマシンプロセスで形成
された配線層の面内分離幅と、当該配線層のディッシン
グ量とを測定する。そして、これらの値が所定範囲内に
ないときは、後述するように当該ウェーハを再度研磨部
２Ａ〜２Ｃへ供給して研磨するか、あるいは、装置の異
常を報知等するように構成される。
工面Ｗｐに向けて出射した紫外線領域の短波長照射光Ｌ
の反射光を受光し、その出力を制御部８へ供給するよう
に構成される。制御部８は測定ヘッド１５の出力に基づ
いて、被加工面Ｗｐに後述するダマシンプロセスで形成
された配線層の面内分離幅と、当該配線層のディッシン
グ量とを測定する。そして、これらの値が所定範囲内に
ないときは、後述するように当該ウェーハを再度研磨部
２Ａ〜２Ｃへ供給して研磨するか、あるいは、装置の異
常を報知等するように構成される。
【００２６】次に、以上のように構成される研磨装置１
を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実
施の形態では、図４に示すダマシン法によって絶縁膜上
に銅配線層を埋め込み形成する工程に上記構成の研磨装
置１が用いられる。まず、ダマシン法による銅配線層の
形成工程について説明する。
を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実
施の形態では、図４に示すダマシン法によって絶縁膜上
に銅配線層を埋め込み形成する工程に上記構成の研磨装
置１が用いられる。まず、ダマシン法による銅配線層の
形成工程について説明する。
【００２７】ＳｉＯ2 （二酸化珪素）等の絶縁膜２１に
対してプラズマエッチング法により配線埋め込み用の溝
部２２を形成した後（図４Ａ）、バリアメタル層２３を
成膜し（図４Ｂ）、その上にＣＶＤ法、メッキ法等によ
り金属膜２４を成膜してＣｕ層を形成する（図４Ｃ）。
バリアメタル層２３は、絶縁膜１へのＣｕの拡散阻止、
密着力向上の観点から形成されるもので、例えばＴｉＮ
（窒化チタン）、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（窒化タン
タル）、ＷＮ（窒化タングステン）等が用いられる。次
いで、ＣＭＰ法により溝部２２以外の部分のＣｕ層２４
及びバリアメタル層２３を除去して、絶縁膜２１上にＣ
ｕ配線層２４Ａを形成する（図４Ｄ）。
対してプラズマエッチング法により配線埋め込み用の溝
部２２を形成した後（図４Ａ）、バリアメタル層２３を
成膜し（図４Ｂ）、その上にＣＶＤ法、メッキ法等によ
り金属膜２４を成膜してＣｕ層を形成する（図４Ｃ）。
バリアメタル層２３は、絶縁膜１へのＣｕの拡散阻止、
密着力向上の観点から形成されるもので、例えばＴｉＮ
（窒化チタン）、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（窒化タン
タル）、ＷＮ（窒化タングステン）等が用いられる。次
いで、ＣＭＰ法により溝部２２以外の部分のＣｕ層２４
及びバリアメタル層２３を除去して、絶縁膜２１上にＣ
ｕ配線層２４Ａを形成する（図４Ｄ）。
【００２８】研磨装置１のローダ／アンローダ部４へ
は、図４Ｃに示した状態のウェーハ（以下、未処理ウェ
ーハともいう。）Ｗが搬入され、研磨部２Ａ〜２Ｃにお
いて図４Ｄに示した状態に加工される。以下、研磨装置
１の作用について説明する。
は、図４Ｃに示した状態のウェーハ（以下、未処理ウェ
ーハともいう。）Ｗが搬入され、研磨部２Ａ〜２Ｃにお
いて図４Ｄに示した状態に加工される。以下、研磨装置
１の作用について説明する。
【００２９】図８は本実施の形態の作用を示すフローで
ある。まず、ローダ／アンローダ部４に収容された未処
理ウェーハＷを移送ロボット５によって中継部６の検査
ステージ１４上へ被加工面Ｗｐを下向きにして移送する
（ステップＳ１）。そして、以下のように各研磨部２Ａ
〜２ＣへウェーハＷを順次循環供給し、所定の研磨処理
を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。
ある。まず、ローダ／アンローダ部４に収容された未処
理ウェーハＷを移送ロボット５によって中継部６の検査
ステージ１４上へ被加工面Ｗｐを下向きにして移送する
（ステップＳ１）。そして、以下のように各研磨部２Ａ
〜２ＣへウェーハＷを順次循環供給し、所定の研磨処理
を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。
【００３０】中継部６に位置するキャリア７はウェーハ
Ｗの裏面側を吸着保持し、第１研磨部２Ａへ移動し、被
加工面Ｗｐに対し所定の研磨作用を行う。ここでは、Ｃ
ｕ膜２４表面の凹凸除去を目的とする粗研磨が行われ
る。研磨終了点は、上記エンドポイントモニターにより
検出されるＣｕ膜２４の膜厚分布に基づいて決定され
る。
Ｗの裏面側を吸着保持し、第１研磨部２Ａへ移動し、被
加工面Ｗｐに対し所定の研磨作用を行う。ここでは、Ｃ
ｕ膜２４表面の凹凸除去を目的とする粗研磨が行われ
る。研磨終了点は、上記エンドポイントモニターにより
検出されるＣｕ膜２４の膜厚分布に基づいて決定され
る。
【００３１】次いで、キャリア７は第１研磨部２Ａから
第２研磨部２Ｂへ移動する。ここでは、絶縁膜２１上の
溝部２２以外のＣｕ膜２４の除去を目的とする研磨が行
われる。研磨終了点は、ウェーハ表面がＣｕ膜２４から
バリアメタル層２３へ変化することによる反射光強度変
化の面内平均値に基づいて決定される。
第２研磨部２Ｂへ移動する。ここでは、絶縁膜２１上の
溝部２２以外のＣｕ膜２４の除去を目的とする研磨が行
われる。研磨終了点は、ウェーハ表面がＣｕ膜２４から
バリアメタル層２３へ変化することによる反射光強度変
化の面内平均値に基づいて決定される。
【００３２】続いて、キャリア７は第２研磨部２Ｂから
第３研磨部２Ｃへ移動する。ここでは、絶縁膜２１上の
溝部２２以外のバリアメタル層２３の除去を目的とする
研磨が行われる。研磨終了点は、ウェーハ表面がバリア
メタル層２３から絶縁膜２１へ変化することによる反射
光強度変化の面内平均値に基づいて決定される。
第３研磨部２Ｃへ移動する。ここでは、絶縁膜２１上の
溝部２２以外のバリアメタル層２３の除去を目的とする
研磨が行われる。研磨終了点は、ウェーハ表面がバリア
メタル層２３から絶縁膜２１へ変化することによる反射
光強度変化の面内平均値に基づいて決定される。
【００３３】以上のようにして各研磨部２Ａ〜２Ｃにお
いて図４Ｃに示した状態から図４Ｄに示した状態にまで
ウェーハＷの被加工面Ｗｐを研磨した後（ステップＳ
４）、キャリア７を第３研磨部２Ｃから再度中継部６へ
移動させ、ウェーハＷを検査ステージ１４上へ図３に示
した形態で載置する（ステップＳ５）。その後、移動ユ
ニット５が検査ステージ１４上に置かれた処理済のウェ
ーハＷを把持してローダ／アンローダ部４へ搬送するが
（ステップＳ７）、それまでの間に、以下のような被加
工面Ｗｐの表面状態の検査が行われる（ステップＳ
６）。
いて図４Ｃに示した状態から図４Ｄに示した状態にまで
ウェーハＷの被加工面Ｗｐを研磨した後（ステップＳ
４）、キャリア７を第３研磨部２Ｃから再度中継部６へ
移動させ、ウェーハＷを検査ステージ１４上へ図３に示
した形態で載置する（ステップＳ５）。その後、移動ユ
ニット５が検査ステージ１４上に置かれた処理済のウェ
ーハＷを把持してローダ／アンローダ部４へ搬送するが
（ステップＳ７）、それまでの間に、以下のような被加
工面Ｗｐの表面状態の検査が行われる（ステップＳ
６）。
【００３４】検査ステージ１４上へ被加工面Ｗｐを下向
きにしてウェーハＷが位置決め載置されると、検査ステ
ージ１４の下方に位置する測定ヘッド１５が、あらかじ
め設定されたウェーハ上の特定のチップ領域Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３（図７参照）に対向する位置へ移動し、当該領
域における表面状態の検査を行う。
きにしてウェーハＷが位置決め載置されると、検査ステ
ージ１４の下方に位置する測定ヘッド１５が、あらかじ
め設定されたウェーハ上の特定のチップ領域Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３（図７参照）に対向する位置へ移動し、当該領
域における表面状態の検査を行う。
【００３５】本実施の形態では、照射光Ｌの反射光強度
分布、位相のズレ量等から、配線パターンの密なる部分
におけるＣｕ配線層２４Ａの面内分離幅Ｘ（図５参照）
と、配線パターンの疎なる部分におけるＣｕ配線層２４
Ａのディッシング量ΔＹとが測定される（図６参照）。
特に、溝部２２の開口２２ａはテーパ状を呈するので、
加工量に応じた分離幅Ｘを検出でき、これによりシニン
グ量を測定できると共に、絶縁膜２１の膜厚を間接的に
測定することができる。
分布、位相のズレ量等から、配線パターンの密なる部分
におけるＣｕ配線層２４Ａの面内分離幅Ｘ（図５参照）
と、配線パターンの疎なる部分におけるＣｕ配線層２４
Ａのディッシング量ΔＹとが測定される（図６参照）。
特に、溝部２２の開口２２ａはテーパ状を呈するので、
加工量に応じた分離幅Ｘを検出でき、これによりシニン
グ量を測定できると共に、絶縁膜２１の膜厚を間接的に
測定することができる。
【００３６】このように配線パターンの疎密に応じて測
定対象を異ならせることにより、配線パターンに疎密を
有するデバイス化領域に対して適正な研磨が行われたか
否かを検出することができると共に、ＣＭＰを用いたＣ
ｕ軟質金属配線の研磨条件を適正に制御することがで
き、高い品質保証が可能となる。すなわち、低抵抗、高
い耐エレクトロマイグレーション性を有する配線層を得
ることができる。
定対象を異ならせることにより、配線パターンに疎密を
有するデバイス化領域に対して適正な研磨が行われたか
否かを検出することができると共に、ＣＭＰを用いたＣ
ｕ軟質金属配線の研磨条件を適正に制御することがで
き、高い品質保証が可能となる。すなわち、低抵抗、高
い耐エレクトロマイグレーション性を有する配線層を得
ることができる。
【００３７】本検査工程では、図７に示すようにウェー
ハＷ上の異なる半径領域に位置するチップ数カ所、例え
ばウェーハ中央部に位置するチップＣ１，ウェーハ周縁
部に位置するチップＣ２及びこれらの間に位置するチッ
プＣ３に対して上記の測定を行う。これにより、ウェー
ハＷ全体が適正に研磨されたかどうかを検査することが
できる。
ハＷ上の異なる半径領域に位置するチップ数カ所、例え
ばウェーハ中央部に位置するチップＣ１，ウェーハ周縁
部に位置するチップＣ２及びこれらの間に位置するチッ
プＣ３に対して上記の測定を行う。これにより、ウェー
ハＷ全体が適正に研磨されたかどうかを検査することが
できる。
【００３８】本実施の形態では、例えば配線層２４Ａの
面内分離幅が約０．２μｍ、ディッシング量ΔＹが５０
ｎｍ以下となるように各研磨部２Ａ〜２Ｃを設定してい
るが、分離幅Ｘが上記所定未満であるときは配線短絡不
良となったりメタル残りの可能性があることから研磨不
足と判断し、再度研磨部２Ａ〜２Ｃで所定の研磨を行わ
せると共に、分離幅Ｘ及びディッシング量ΔＹが上記所
定値を超える場合は過研磨であると判断して各研磨部２
Ａ〜２Ｃの研磨条件を変更したり、装置のメンテナンス
を行わせるべく装置異常を発令する（ステップＳ６）。
また、各研磨部２Ａ〜２Ｃのエンドポイントモニターの
出力発信タイミングを変更させるようにしてもよい。
面内分離幅が約０．２μｍ、ディッシング量ΔＹが５０
ｎｍ以下となるように各研磨部２Ａ〜２Ｃを設定してい
るが、分離幅Ｘが上記所定未満であるときは配線短絡不
良となったりメタル残りの可能性があることから研磨不
足と判断し、再度研磨部２Ａ〜２Ｃで所定の研磨を行わ
せると共に、分離幅Ｘ及びディッシング量ΔＹが上記所
定値を超える場合は過研磨であると判断して各研磨部２
Ａ〜２Ｃの研磨条件を変更したり、装置のメンテナンス
を行わせるべく装置異常を発令する（ステップＳ６）。
また、各研磨部２Ａ〜２Ｃのエンドポイントモニターの
出力発信タイミングを変更させるようにしてもよい。
【００３９】以上のような作用を各キャリア７がそれぞ
れ同期して行うことにより、各研磨部２Ａ〜２Ｃにおい
て別々にウェーハＷの研磨作業が行われる一方、中継部
６では研磨直後のウェーハＷの上述した検査が行われる
ので、製品ウェーハの生産を停止させることなくウェー
ハ被加工面Ｗｐの研磨を行うことができる。特に検査工
程における検査結果に基づく研磨条件の変更は、並行し
て行われる研磨部２Ａ〜２Ｃでの研磨工程に反映され、
これにより適正な研磨加工を維持できる。
れ同期して行うことにより、各研磨部２Ａ〜２Ｃにおい
て別々にウェーハＷの研磨作業が行われる一方、中継部
６では研磨直後のウェーハＷの上述した検査が行われる
ので、製品ウェーハの生産を停止させることなくウェー
ハ被加工面Ｗｐの研磨を行うことができる。特に検査工
程における検査結果に基づく研磨条件の変更は、並行し
て行われる研磨部２Ａ〜２Ｃでの研磨工程に反映され、
これにより適正な研磨加工を維持できる。
【００４０】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４１】例えば以上の実施の形態では、金属配線層
２４としてＣｕを用いたが、これに限らず、ＡｌやＷな
どの金属材料でなる配線層を形成するプロセスにも、本
発明は適用可能である。
２４としてＣｕを用いたが、これに限らず、ＡｌやＷな
どの金属材料でなる配線層を形成するプロセスにも、本
発明は適用可能である。
【００４２】また、以上の実施の形態では、第１から第
３の各研磨部２Ａ〜２Ｃで段階的にウェーハＷを研磨処
理するようにしたが、各研磨部独立して全研磨工程を行
わせるようにしてもよい。また、各研磨部を同一円周上
に配置するようにしたが、直線的に並設するようにして
もよい。
３の各研磨部２Ａ〜２Ｃで段階的にウェーハＷを研磨処
理するようにしたが、各研磨部独立して全研磨工程を行
わせるようにしてもよい。また、各研磨部を同一円周上
に配置するようにしたが、直線的に並設するようにして
もよい。
【００４３】更に、ＣＭＰ研磨装置の構成は上記実施の
形態に限らず、一枚のウェーハに対して複数の加圧ヘッ
ドを適用して研磨するようにしたＣＭＰ研磨装置にも、
本発明は適用可能である。
形態に限らず、一枚のウェーハに対して複数の加圧ヘッ
ドを適用して研磨するようにしたＣＭＰ研磨装置にも、
本発明は適用可能である。
【００４４】更に又、配線層２４の面内分離幅Ｘの測定
に反射光の強度分布を利用したが、電子ビームを照射し
たときに発生する被照射面からの二次電子を利用するこ
とも可能である。
に反射光の強度分布を利用したが、電子ビームを照射し
たときに発生する被照射面からの二次電子を利用するこ
とも可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
の製造方法によれば、ダマシン法で形成される配線パタ
ーンの疎密に応じた適正な加工評価を行うことができ、
高い品質保証が可能となる。
の製造方法によれば、ダマシン法で形成される配線パタ
ーンの疎密に応じた適正な加工評価を行うことができ、
高い品質保証が可能となる。
【００４６】請求項２の発明によれば、加工評価を平均
値でなく実測値で行うことができるので、高精度な加工
評価を行うことができると共に、ウェーハ面内における
加工のバラツキを検出することができる。
値でなく実測値で行うことができるので、高精度な加工
評価を行うことができると共に、ウェーハ面内における
加工のバラツキを検出することができる。
【００４７】請求項３の発明によれば、製品の生産を停
止させることなくウェーハ被加工面の評価を行うことが
できるので、スループットの向上が図られる。
止させることなくウェーハ被加工面の評価を行うことが
できるので、スループットの向上が図られる。
【００４８】請求項４の発明によれば、軟質金属材料を
用いたダマシンプロセスを適正に行うことができ、デバ
イスの低電気抵抗化、耐エレクトロマイグレーション性
の向上等を図ることができる。
用いたダマシンプロセスを適正に行うことができ、デバ
イスの低電気抵抗化、耐エレクトロマイグレーション性
の向上等を図ることができる。
【００４９】また、本発明の研磨装置によれば、各研磨
部でウェーハの研磨処理を行いながら、処理済のウェー
ハ被加工面の加工評価を行うことができるので、装置の
スループットの向上を図ることができる。また、異常研
磨検出時においては各研磨部へフィードバックが可能と
なり、適正な研磨終了点を確保することができる。
部でウェーハの研磨処理を行いながら、処理済のウェー
ハ被加工面の加工評価を行うことができるので、装置の
スループットの向上を図ることができる。また、異常研
磨検出時においては各研磨部へフィードバックが可能と
なり、適正な研磨終了点を確保することができる。
【００５０】請求項６の発明によれば、空間分解能の高
い加工評価を行うことができ、請求項７の発明によれ
ば、ウェーハ面内のチップ単位で個別の加工評価を行う
ことができる。これらの構成により、高精度なウェーハ
被加工面の加工評価を行うことが可能となる。
い加工評価を行うことができ、請求項７の発明によれ
ば、ウェーハ面内のチップ単位で個別の加工評価を行う
ことができる。これらの構成により、高精度なウェーハ
被加工面の加工評価を行うことが可能となる。
【００５１】そして、請求項８の発明によれば、先に処
理したウェーハ被加工面の評価結果を、並行して行われ
る他のウェーハの研磨処理にフィードバックでき、適正
な加工条件を維持することができる。
理したウェーハ被加工面の評価結果を、並行して行われ
る他のウェーハの研磨処理にフィードバックでき、適正
な加工条件を維持することができる。
【図１】本発明の実施の形態による研磨装置の概略構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図１における各研磨部の構成の一例を示す側断
面図である。
面図である。
【図３】図１における中継部の構成を示す側面図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施の形態に適用されるダマシンプロ
セスの各工程を説明する断面模式図であり、Ａは配線用
溝部形成工程、Ｂはバリアメタル層形成工程、Ｃは配線
金属膜形成工程、そしてＤはＣＭＰ研磨工程をそれぞれ
示している。
セスの各工程を説明する断面模式図であり、Ａは配線用
溝部形成工程、Ｂはバリアメタル層形成工程、Ｃは配線
金属膜形成工程、そしてＤはＣＭＰ研磨工程をそれぞれ
示している。
【図５】本発明の実施の形態における、ダマシンプロセ
スで形成された配線層間の面内分離幅を説明する要部断
面図である。
スで形成された配線層間の面内分離幅を説明する要部断
面図である。
【図６】本発明の実施の形態における、ダマシンプロセ
スで形成された配線層のディッシング量を説明する要部
断面図である。
スで形成された配線層のディッシング量を説明する要部
断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における、研磨評価対象を
模式的に説明するウェーハ平面図である。
模式的に説明するウェーハ平面図である。
【図８】本発明の実施の形態の作用を説明するフロー図
である。
である。
１…研磨装置、２Ａ…第１研磨部、２Ｂ…第２研磨部、
２Ｃ…第３研磨部、３…研磨ユニット、４…ローダ／ア
ンローダ部、５…移送ロボット（移送手段）、６…中継
部、７…キャリア、８…制御部、１４…検査ステージ、
１５…測定ヘッド（検査手段）、１６…移動台、２１…
絶縁膜、２２…溝部、２３…バリアメタル層、２４…金
属膜（銅）、２４Ａ…配線部。
２Ｃ…第３研磨部、３…研磨ユニット、４…ローダ／ア
ンローダ部、５…移送ロボット（移送手段）、６…中継
部、７…キャリア、８…制御部、１４…検査ステージ、
１５…測定ヘッド（検査手段）、１６…移動台、２１…
絶縁膜、２２…溝部、２３…バリアメタル層、２４…金
属膜（銅）、２４Ａ…配線部。
Claims (8)
- 【請求項１】 配線用溝部を形成した絶縁膜の上に配線
用金属膜を成膜したウェーハに対して、前記溝部以外の
前記金属膜を研磨除去し配線層を形成する研磨工程と、
前記ウェーハの被研磨面の表面状態を検査する検査工程
とを行う半導体装置の製造方法において、 前記検査工程が、 前記配線層の面内分離幅を測定するステップと、 前記配線層のディッシング量を測定するステップとから
なることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記検査工程が、前記ウェーハ面内の所
定のチップ領域に対して行われることを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記検査工程が、前記研磨工程で他のウ
ェーハが処理されている間に行われることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属膜が、銅でなることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 ウェーハ表面に形成された被加工層を研
磨する複数の研磨部を有する研磨ユニットと、前記研磨
ユニットとの間で前記ウェーハの受け渡しを行う移送手
段と、前記研磨ユニットと前記移送手段との間に配置さ
れ、前記移送されるウェーハを一時的に支持する中継部
と、前記各研磨部および前記中継部へ前記ウェーハを循
環供給するキャリアを備えた研磨装置であって、 前記中継部に、前記研磨したウェーハの被加工面を評価
する検査手段を設けたことを特徴とする研磨装置。 - 【請求項６】 前記検査手段が、 前記ウェーハを支持する検査ステージと、 前記被加工面に対向配置され、前記被加工面の表面状態
を光学的に検出する測定ヘッドとを含むことを特徴とす
る請求項５に記載の研磨装置。 - 【請求項７】 前記測定ヘッドが、前記被加工面と平行
な方向へ移動可能とされることを特徴とする請求項６に
記載の研磨装置。 - 【請求項８】 前記検査手段による検査結果に基づい
て、前記研磨部における研磨条件の設定を変更可能な制
御手段を備えたことを特徴とする請求項５に記載の研磨
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001000654A JP2002203826A (ja) | 2001-01-05 | 2001-01-05 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
| US10/029,839 US20020090888A1 (en) | 2001-01-05 | 2001-12-31 | Method of fabricating semiconductor device and polishing apparatus used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001000654A JP2002203826A (ja) | 2001-01-05 | 2001-01-05 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203826A true JP2002203826A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=18869403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001000654A Pending JP2002203826A (ja) | 2001-01-05 | 2001-01-05 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020090888A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002203826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006121001A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および研磨剤 |
| US9431220B1 (en) | 2015-07-06 | 2016-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6713015B2 (ja) * | 2018-04-13 | 2020-06-24 | 株式会社大気社 | 自動研磨システム |
-
2001
- 2001-01-05 JP JP2001000654A patent/JP2002203826A/ja active Pending
- 2001-12-31 US US10/029,839 patent/US20020090888A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006121001A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および研磨剤 |
| US9431220B1 (en) | 2015-07-06 | 2016-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020090888A1 (en) | 2002-07-11 |
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