JP2002203783A - Method of treating and treater - Google Patents
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばＬＣＤ基
板等の被処理基板の表面に例えば現像液等の処理液を供
給して処理を施す処理方法及び処理装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for supplying a processing liquid such as a developing solution to a surface of a substrate to be processed such as an LCD substrate for processing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体技術の分野では、被処理
基板例えばＬＣＤ基板の上に形成された半導体層、絶縁
体層、電極層を選択的に所定のパターンにエッチングす
る場合に、半導体ウエハの場合と同様なフォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジ
ストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施され
ている。2. Description of the Related Art Generally, in the field of semiconductor technology, when a semiconductor layer, an insulator layer, and an electrode layer formed on a substrate to be processed, for example, an LCD substrate, are selectively etched into a predetermined pattern, a semiconductor wafer is formed. A series of processes for reducing a circuit pattern or the like using a photolithography technique similar to the case, transferring the circuit pattern to a photoresist, and developing the same are performed.
【０００３】例えば被処理基板であるＬＣＤ基板を、洗
浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒージョン処
理装置にて疎水化処理を施し、冷却装置にて冷却した
後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜すなわち感
光膜を塗布形成する。そして、フォトレジスト膜を加熱
処理装置にて加熱してベーキング処理を施した後、露光
装置にて所定のパターンを露光し、そして、露光後のＬ
ＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布して現像した後に
リンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了す
る。For example, an LCD substrate, which is a substrate to be processed, is cleaned by a cleaning device, the LCD substrate is subjected to hydrophobic treatment by an adhesion processing device, cooled by a cooling device, and then photoresist is coated by a resist coating device. A film, that is, a photosensitive film is applied and formed. Then, after the photoresist film is heated by a heat treatment device and subjected to a baking treatment, a predetermined pattern is exposed by an exposure device, and the exposed L is exposed.
After developing and applying the developing solution to the CD substrate with a developing device, the developing solution is washed away with a rinsing solution to complete the developing process.
【０００４】上記のような処理を行う場合、ＬＣＤ基板
等の被処理基板を保持手段であるスピンチャックにて保
持し、ＬＣＤ基板等の表面に現像液等の処理液を供給し
た後、ＬＣＤ基板を水平に回転して現像液等を純水によ
り洗浄するスピンリンス法が知られている。In performing the above-described processing, a substrate to be processed such as an LCD substrate is held by a spin chuck as a holding means, and a processing liquid such as a developing solution is supplied to the surface of the LCD substrate or the like. There is known a spin rinsing method in which a developer is horizontally rotated to wash a developer or the like with pure water.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、スピンチャックが一般に
アルミニウム合金製部材にて形成されているため、リン
ス処理時にスピンチャックを回転させてリンス液である
純水を供給すると、純水とＬＣＤ基板との摩擦作用によ
ってＬＣＤ基板が帯電し、この帯電によりＬＣＤ基板内
のデバイスが静電気により破壊する問題があり、また、
デバイスが無いＬＣＤ基板であっても帯電した基板から
搬送アームへ放電が起こり、この放電現象が搬送アーム
から静電ノイズとなり、搬送装置に支障をきたすという
問題があった。However, in this type of conventional processing apparatus, since the spin chuck is generally formed of an aluminum alloy member, the spin chuck is rotated during the rinsing process to generate a rinsing liquid. When pure water is supplied, the LCD substrate is charged by the frictional action between the pure water and the LCD substrate, and there is a problem that the device in the LCD substrate is broken by static electricity due to the charging.
Even in the case of an LCD substrate having no device, discharge occurs from the charged substrate to the transfer arm, and this discharge phenomenon causes electrostatic noise from the transfer arm, causing a problem in the transfer device.
【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、ＬＣＤ基板の帯電を抑制して、被処理基板の帯電に
よる障害を防止すると共に、搬送アームへの放電を防止
することを目的とする処理方法及び処理装置を提供する
ものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to suppress charging of an LCD substrate, to prevent a failure due to charging of a substrate to be processed, and to prevent discharge to a transfer arm. A method and a processing apparatus are provided.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、搬送アームから受け取った
被処理基板を保持手段により保持し、被処理基板の表面
に処理液を供給する工程と、 上記被処理基板を回転さ
せると共に、被処理基板の表面に洗浄液を供給する工程
と、 上記搬送アームによって上記被処理基板の上記保
持手段に対する入れ替え時において、保持手段と被処理
基板のうちの少なくとも保持手段に除電用気体又は除電
用液体からなる除電用流体を供給する工程と、を有する
ことを特徴とする。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a substrate to be processed received from a transfer arm is held by holding means, and a processing liquid is supplied to the surface of the substrate to be processed. And rotating the substrate to be processed and supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed; and when the transfer arm replaces the substrate to be processed with the holder, Supplying a charge removing fluid composed of a charge removing gas or a charge removing liquid to at least the holding means.
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の処
理方法において、 上記除電用流体が除電用揮発性液体
であることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the processing method of the first aspect, the fluid for static elimination is a volatile liquid for static elimination.
【０００９】請求項３記載の発明は、搬送アームから受
け取った被処理基板を保持手段により保持し、被処理基
板の表面に処理液を供給する工程と、 上記被処理基板
を回転させると共に、被処理基板の表面に洗浄液を供給
する工程と、 上記保持手段と被処理基板に除電用液体
を供給する工程と、 上記除電用液体を乾燥させるため
の気体を上記保持手段と被処理基板に供給する工程と、
を有することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, a substrate to be processed received from the transfer arm is held by holding means, and a processing liquid is supplied to the surface of the substrate to be processed. A step of supplying a cleaning liquid to the surface of the processing substrate; a step of supplying a charge removing liquid to the holding unit and the substrate to be processed; and a gas for drying the charge removing liquid to the holding unit and the substrate to be processed. Process and
It is characterized by having.
【００１０】請求項３記載の発明において、上記除電用
液体を供給する工程と、上記除電用液体を乾燥させるた
めの気体を供給する工程とを同時に行ってもよく（請求
項４）、あるいは、上記除電用液体を供給した後に、上
記除電用液体を乾燥させるための気体を保持手段と被処
理基板に供給してもよい（請求項５）。In the invention described in claim 3, the step of supplying the charge removing liquid and the step of supplying a gas for drying the charge removing liquid may be performed simultaneously (claim 4). After supplying the charge removing liquid, a gas for drying the charge removing liquid may be supplied to the holding means and the substrate to be processed.
【００１１】また、請求項６記載の発明は、搬送アーム
との間で被処理基板の受け渡しを行うと共に、被処理基
板を保持し回転させる保持手段と、 上記被処理基板の
表面に処理液を供給する処理液供給手段と、 上記被処
理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
上記保持手段と被処理基板に除電用揮発性液体を供給
する除電用流体供給手段と、を具備することを特徴とす
る。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a holding means for transferring a substrate to and from a transfer arm, holding and rotating the substrate to be processed, and applying a processing liquid to the surface of the substrate to be processed. Processing liquid supply means for supplying, a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed,
It is characterized by comprising: the above-mentioned holding means and a charge removing fluid supply means for supplying a charge removing volatile liquid to the substrate to be processed.
【００１２】また、請求項７記載の発明は、搬送アーム
との間で被処理基板の受け渡しを行うと共に、被処理基
板を保持し回転させる保持手段と、 上記被処理基板の
表面に処理液を供給する処理液供給手段と、 上記被処
理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
上記保持手段と被処理基板に除電用液体を供給する除
電用流体供給手段と、 上記除電用液体を乾燥させるた
めの気体を上記保持手段と被処理基板に供給する乾燥気
体供給手段と、を具備することを特徴とする。Further, according to a seventh aspect of the present invention, there is provided a holding means for transferring a substrate to be processed with a transfer arm, holding and rotating the substrate to be processed, and applying a processing liquid to the surface of the substrate to be processed. Processing liquid supply means for supplying, a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed,
A fluid supply unit for supplying static elimination liquid to the holding unit and the substrate to be processed; and a dry gas supply unit for supplying a gas for drying the liquid for static elimination to the holding unit and the substrate to be processed. It is characterized by doing.
【００１３】請求項７記載の発明において、上記保持手
段の回転軸と、上記保持手段と被処理基板を包囲する容
器との隙間に、窒素ガス又は空気を流して、上記回転軸
側を陽圧可能に形成することも可能である（請求項
８）。In the invention according to claim 7, nitrogen gas or air is flowed through a gap between the rotating shaft of the holding means and a container surrounding the substrate to be processed, and a positive pressure is applied to the rotating shaft side. It is also possible to form it as possible (claim 8).
【００１４】この発明において、上記除電用流体として
は、例えばイオン化した気体、純水や除電用揮発性液体
例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の液体等を
使用することができる。また、除電用流体供給手段とし
ては、例えばイオン化した気体を生成するイオナイザ、
純水を噴射する純水供給ノズル、ＩＰＡを噴射するＩＰ
Ａ供給ノズル等を使用することができる。除電用流体と
して、例えば純水等の液体を使用する場合には、上記保
持手段の上方又は下方に、この保持手段に向かって乾燥
気体を供給する乾燥気体供給手段を設ける方が好まし
い。この場合、乾燥気体としては、例えば窒素（Ｎ2）
ガスあるいは清浄化された空気を使用することができ
る。In the present invention, for example, ionized gas, pure water or a volatile liquid for static elimination such as isopropyl alcohol (IPA) can be used as the static elimination fluid. Further, as the static elimination fluid supply means, for example, an ionizer that generates an ionized gas,
Pure water supply nozzle that injects pure water, IP that injects IPA
An A supply nozzle or the like can be used. When a liquid such as pure water is used as the static elimination fluid, it is preferable to provide a dry gas supply unit that supplies a dry gas toward the holding unit above or below the holding unit. In this case, the dry gas is, for example, nitrogen (N2).
Gas or purified air can be used.
【００１５】請求項１記載の発明によれば、搬送アーム
によって被処理基板の保持手段に対する入れ替え時に、
保持手段と被処理基板のうちの少なくとも保持手段に除
電用気体又は除電用液体からなる除電用流体を供給する
ことにより、保持手段の帯電を抑制することができると
共に、保持手段に帯電した電荷を除電することができ
る。したがって、連続処理において、保持手段が常に帯
電していない状態にて処理できるため、初期状態での洗
浄時の洗浄液の摩擦による被処理基板の帯電を抑制し
て、被処理基板の帯電による被処理基板に形成されたデ
バイスの静電破壊等の静電気障害を更に確実に防止する
ことができると共に、被処理基板から搬送手段への放電
現象による放電ノイズ障害を更に確実に防止することが
できる。According to the first aspect of the present invention, when the holding means for the substrate to be processed is replaced by the transfer arm,
By supplying a neutralization gas or a neutralization fluid composed of a neutralization liquid to at least the holding unit of the holding unit and the substrate to be processed, the charging of the holding unit can be suppressed and the electric charge charged to the holding unit can be reduced. Static electricity can be removed. Therefore, in the continuous processing, the processing can be performed in a state where the holding means is not always charged, so that the charging of the substrate to be processed due to friction of the cleaning liquid at the time of cleaning in the initial state is suppressed, and the processing of the substrate by the charging of the substrate to be processed is suppressed. Electrostatic disturbances such as electrostatic destruction of devices formed on the substrate can be more reliably prevented, and discharge noise failure due to a discharge phenomenon from the substrate to be processed to the transfer means can be more reliably prevented.
【００１６】請求項２，６記載の発明によれば、保持手
段と被処理基板に除電用揮発性液体を供給することによ
り、保持手段の帯電を抑制することができると共に、保
持手段に帯電した電荷を除電することができる。また、
乾燥気体を供給することなく保持手段の乾燥を行うこと
ができる。According to the second and sixth aspects of the present invention, by supplying the neutralizing volatile liquid to the holding means and the substrate to be processed, it is possible to suppress the charging of the holding means and to charge the holding means. The charge can be eliminated. Also,
The holding means can be dried without supplying a drying gas.
【００１７】請求項３，４，５又は７記載の発明によれ
ば、保持手段と被処理基板に除電用液体を供給して、保
持手段の帯電の抑制及び帯電した電荷の除電を行った
後、保持手段に向かって乾燥気体を供給することによ
り、保持手段の乾燥を促進することができる。According to the third, fourth, fifth or seventh aspect of the present invention, after the static elimination liquid is supplied to the holding means and the substrate to be processed, the charging of the holding means is suppressed and the charged electric charge is eliminated. By supplying the drying gas toward the holding means, the drying of the holding means can be promoted.
【００１８】請求項８記載の発明によれば、保持手段の
回転軸と、保持手段と被処理基板を包囲する容器との隙
間に、窒素ガス又は空気を流して、回転軸側を陽圧にす
ることにより、回転軸側への除電用液体の侵入を阻止す
ることができる。According to the eighth aspect of the present invention, nitrogen gas or air is caused to flow through the rotation shaft of the holding means and the gap between the holding means and the container surrounding the substrate to be processed, so that the rotation shaft has a positive pressure. By doing so, it is possible to prevent the charge removing liquid from entering the rotating shaft side.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の処理
装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムに
適用した場合について説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Here, a case will be described in which the processing apparatus of the present invention is applied to an LCD substrate resist coating / developing processing system.
【００２０】上記レジスト塗布・現像処理システムは、
図１に示すように、被処理基板であるＬＣＤ基板Ｇ（以
下に基板という）を搬入・搬出するローダ部１と、基板
Ｇの第１の処理部２と、中継部３を介して第１の処理部
２に連設される第２の処理部４とで主に構成されてい
る。なお、第２の処理部４には受渡し部５を介してレジ
スト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置
６が連設可能に構成されている。The above resist coating / developing system comprises:
As shown in FIG. 1, a loader unit 1 for loading and unloading an LCD substrate G (hereinafter, referred to as a substrate) as a substrate to be processed, a first processing unit 2 for the substrate G, and a first unit via a relay unit 3. And a second processing unit 4 connected to the processing unit 2. An exposure device 6 for exposing a predetermined fine pattern on a resist film via a transfer unit 5 can be connected to the second processing unit 4.
【００２１】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット載置台８上に載置されたカセ
ット７内に収容された未処理の基板Ｇはローダ部１の搬
出入ピンセット９によって取出された後、第１の処理部
２の搬送路１１を移動するＸ，Ｙ（水平），Ｚ（垂直）
方向及びθ（回転）可能な搬送アームであるメインアー
ム１０に受け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１２内に
搬送される。このブラシ洗浄装置１２内にてブラシ洗浄
された基板Ｇは必要に応じてジェット水洗浄装置１３内
にて高圧ジェット水により洗浄される。この後、基板Ｇ
は、アドヒージョン処理装置１４にて疎水化処理が施さ
れ、冷却処理装置１５にて冷却された後、レジスト塗布
装置１６にてフォトレジスト膜すなわち感光膜が塗布形
成され、引続いて塗布膜除去装置１７によって基板Ｇの
周辺部の不要なレジスト膜が除去される。そして、この
フォトレジスト膜が加熱処理装置１８にて加熱されてベ
ーキング処理が施された後、露光装置６にて所定のパタ
ーンが露光される。そして、露光後の基板Ｇは、第２の
処理部４の搬送路１１ａを移動するＸ，Ｙ，Ｚ及びθ回
転可能な搬送アームであるメインアーム１０ａによって
現像装置２０内へ搬送され、現像液により現像された後
にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了す
る。現像処理された処理済みの基板Ｇはローダ部１のカ
セット７ａ内に収容された後に、搬出されて次の処理工
程に向けて移送される。In the coating / developing processing system configured as described above, the unprocessed substrate G stored in the cassette 7 mounted on the cassette mounting table 8 is taken out by the loading / unloading tweezers 9 of the loader unit 1. X, Y (horizontal), Z (vertical) moving on the transport path 11 of the first processing unit 2
It is delivered to the main arm 10 which is a transfer arm capable of rotating in the direction and θ (rotation), and then transferred into the brush cleaning device 12. The substrate G that has been brush-cleaned in the brush cleaning device 12 is cleaned with high-pressure jet water in the jet water cleaning device 13 as necessary. Thereafter, the substrate G
Is subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion treatment device 14 and cooled by a cooling treatment device 15, and then a photoresist film, that is, a photosensitive film is applied and formed by a resist coating device 16, and subsequently, a coating film removing device Unnecessary resist films 17 are removed from the peripheral portion of the substrate G by 17. Then, the photoresist film is heated by the heat treatment device 18 and subjected to a baking process, and then a predetermined pattern is exposed by the exposure device 6. Then, the exposed substrate G is transported into the developing device 20 by a main arm 10a which is a transport arm rotatable in X, Y, Z and θ directions that moves along the transport path 11a of the second processing unit 4, and the developing solution After the development, the developer is washed away with a rinse solution, and the development processing is completed. The processed substrate G that has been subjected to the development processing is accommodated in the cassette 7a of the loader unit 1 and then carried out and transferred to the next processing step.
【００２２】次に、上記ＬＣＤ基板の塗布・現像処理シ
ステムに使用されるこの発明に係る処理装置（具体的に
は現像装置）の構成について説明する。Next, the configuration of a processing apparatus (specifically, a developing apparatus) according to the present invention used in the above-mentioned LCD substrate coating / developing processing system will be described.
【００２３】◎第一実施形態 上記現像装置２０は、図２及び図３に示すように、メイ
ンアーム１０ａから受け取った基板Ｇを真空吸着によっ
て保持し、水平方向に回転する保持手段であるスピンチ
ャック２１と、このスピンチャック２１と基板Ｇを包囲
する容器３０と、基板Ｇの表面のレジスト膜面に処理液
として現像液を供給する現像液供給ノズル２２（処理液
供給手段）と、現像後の基板Ｇ表面の回路パターンにリ
ンス液（洗浄液）を供給する洗浄液供給ノズル２３と、
現像液供給ノズル２２を図面の右側に設けた待機位置と
基板Ｇ上方の処理位置に移動する移動機構２４と、スピ
ンチャック２１の上方に位置して基板Ｇ及びスピンチャ
ック２１に向かって除電用流体例えばイオン化した気体
を吹き付けるイオナイザ２５（除電流体供給手段）とを
具備してなる。First Embodiment As shown in FIGS. 2 and 3, the developing device 20 is a spin chuck which is a holding means which holds a substrate G received from a main arm 10a by vacuum suction and rotates in a horizontal direction. 21, a container 30 surrounding the spin chuck 21 and the substrate G, a developing solution supply nozzle 22 (processing solution supply means) for supplying a developing solution as a processing solution to the resist film surface on the surface of the substrate G, A cleaning liquid supply nozzle 23 for supplying a rinse liquid (cleaning liquid) to the circuit pattern on the surface of the substrate G;
A moving mechanism 24 for moving the developer supply nozzle 22 to a standby position provided on the right side of the drawing and to a processing position above the substrate G; and a discharging fluid located above the spin chuck 21 and directed toward the substrate G and the spin chuck 21. For example, it is provided with an ionizer 25 (current eliminator supply means) for blowing ionized gas.
【００２４】上記スピンチャック２１は、図２及び図４
（ａ）に示すように、基板Ｇを載置する載置部２１ａ
と、この載置部２１ａの下面中央に突出する回転軸取付
用ボス部２１ｂとで構成されており、載置部２１ａは、
例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の合成
樹脂製部材にて形成され、またボス部２１ｂは例えばス
テンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属製部材にて形成されてい
る。このように構成されるスピンチャック２１は、誘電
体である載置部２１ａを基板Ｇとボス部２１ｂの電極で
挟まれたコンデンサと考えることができる。（この時、
基板Ｇもコンデンサとなっている。）また、スピンチャ
ック２１はボス部２１ｂに取り付けられる回転軸２６を
介してモータ２７に連結されている。なお、スピンチャ
ック２１は図示しない昇降手段によって上下移動し得る
ように構成されている。また、スピンチャック２１は図
示しない真空装置に接続されて、載置部２１ａに載置さ
れた基板Ｇを真空吸着し得るように構成されている。The spin chuck 21 is shown in FIGS.
As shown in (a), a mounting portion 21a on which the substrate G is mounted
And a boss 21b for attaching a rotating shaft projecting from the center of the lower surface of the mounting portion 21a.
For example, it is formed of a synthetic resin member such as polyphenylene sulfide (PPS), and the boss 21b is formed of a metal member such as stainless steel (SUS). The spin chuck 21 thus configured can be considered as a capacitor in which the mounting portion 21a, which is a dielectric, is sandwiched between the substrate G and the electrodes of the boss portion 21b. (At this time,
The substrate G is also a capacitor. In addition, the spin chuck 21 is connected to a motor 27 via a rotating shaft 26 attached to the boss 21b. The spin chuck 21 is configured to be able to move up and down by an elevating means (not shown). Further, the spin chuck 21 is connected to a vacuum device (not shown), and is configured to be capable of vacuum-sucking the substrate G mounted on the mounting portion 21a.
【００２５】この場合、スピンチャック２１の配置スペ
ース及びスピンチャック２１の許容できる強度等を勘案
して、載置部２１ａの直径Ｄに対してボス部２１ｂの直
径ｄは可及的に小径に形成されると共に、載置部２１ａ
の厚さｈは可及的に厚く形成されている。例えば、載置
部２１ａの直径Ｄが３００ｍｍφに対してボス部２１ｂ
の直径ｄが３０ｍｍφに形成され、また載置部２１ａの
厚さｈは９ｍｍに形成されている。なお、ボス部の厚さ
Ｈは３０ｍｍに形成されている。一般に、静電容量Ｃは
以下の（１）式のように表わされる。In this case, in consideration of the arrangement space of the spin chuck 21 and the allowable strength of the spin chuck 21, the diameter d of the boss portion 21b is made as small as possible with respect to the diameter D of the mounting portion 21a. And the mounting portion 21a
Is formed as thick as possible. For example, when the diameter D of the mounting portion 21a is 300 mmφ and the boss portion 21b
Has a diameter d of 30 mmφ, and the thickness h of the mounting portion 21a is 9 mm. The boss has a thickness H of 30 mm. Generally, the capacitance C is represented by the following equation (1).
【００２６】Ｃ＝ε・Ｓ／ｈ〔Ｆ；ファラド〕…（１） ｛ここで、Ｃは静電容量、εは誘電率、ｈは載置部２１
ａの厚さ、Ｓはボス部２１ｂの表面積である。｝ したがって、電極であるボス部２１ｂの表面積Ｓを小さ
くし、誘電体である載置部２１ａの厚さｈを厚くするこ
とにより、スピンチャック２１の静電容量を少なくする
ことができる。C = ε · S / h [F; Farad] (1) where C is the capacitance, ε is the dielectric constant, and h is the mounting portion 21
The thickness a and S are the surface area of the boss 21b. Therefore, the capacitance of the spin chuck 21 can be reduced by reducing the surface area S of the boss portion 21b serving as an electrode and increasing the thickness h of the mounting portion 21a serving as a dielectric.
【００２７】また、図４（ｂ）に示すように、載置部２
１ａのコンデンサと基板のコンデンサを直列にすること
で全体静電容量Ｃallが、 Ｃall＝Ｃｃ×Ｃｇ／（Ｃｃ＋Ｃｇ）…（２） ｛ここで、Ｃｃは載置部の静電容量、Ｃｇは基板の静電
容量である。｝となり、それぞれの静電容量よりも小さ
くすることができる。Further, as shown in FIG.
By connecting the capacitor of 1a and the capacitor of the substrate in series, the total capacitance Call becomes: Call = Cc × Cg / (Cc + Cg) (2) where Cc is the capacitance of the mounting portion and Cg is the substrate. Is the capacitance. ｝, Which can be made smaller than the respective capacitances.
【００２８】また、リンス液（純水）と基板の摩擦によ
って形成される電荷による電位をＶとすると、基板Ｇ及
び載置部２１ａに溜められる電荷Ｑallは、 Ｑall＝（Ｃｃ×Ｑｇ＋Ｃｇ×Ｑｃ）／（Ｃｃ＋Ｃｇ）…（３） ｛ここで、Ｑｇは基板の電荷、Ｑｃは載置部の電荷であ
る。｝であり、Ｑall＝Ｃall×Ｖである。Ｖは、基板Ｇ
とリンス液の摩擦によって発生する電荷による電位であ
るため、処理条件によって一定である。そのため、Ｃal
lが小さくできればＱallも小さくすることができる。つ
まり、Ｑｇを小さくすることができるのである。If the potential caused by the charge formed by the friction between the rinsing liquid (pure water) and the substrate is V, the charge Qall stored in the substrate G and the mounting portion 21a is: Qall = (Cc × Qg + Cg × Qc) / (Cc + Cg) (3) where Qg is the charge on the substrate and Qc is the charge on the mounting portion. ｝ And Qall = Call × V. V is the substrate G
Is constant due to the electric charge generated by friction between the rinsing liquid and the liquid. Therefore, Cal
If l can be reduced, Qall can also be reduced. That is, Qg can be reduced.
【００２９】一方、上記現像液供給ノズル２２は現像液
供給チューブ２８を介して現像液収容タンク４０に接続
され、現像液供給チューブ２８に介設されるポンプ４１
の駆動及びバルブ４２の開閉操作によって現像液が供給
されるように構成されている。この現像液供給ノズル２
２は、図示しないが基板Ｇとほぼ等しい長さの現像液収
容室の下部面に適宜間隔をおいて現像液吐出孔を穿設し
た構造となっている。On the other hand, the developer supply nozzle 22 is connected to a developer storage tank 40 via a developer supply tube 28, and a pump 41 provided in the developer supply tube 28.
And the opening and closing operation of the valve 42 supplies the developing solution. This developer supply nozzle 2
Reference numeral 2 denotes a structure in which a developer discharge hole is formed at an appropriate interval in a lower surface of a developer storage chamber having a length substantially equal to that of the substrate G (not shown).
【００３０】また、上記洗浄液供給ノズル２３は、図３
に示すように、水平方向に回転（回動）可能に装着され
るアーム２３ａの先端側に下方に向って傾斜状に折曲す
るヘッド２３ｂを有しており、ヘッド２３ｂの先端口部
には、例えば有底筒状のメッシュ体（図示せず）が装着
されている。このようにメッシュ体を洗浄液供給ノズル
２３の先端口部に装着することによって、洗浄液供給ノ
ズル２３から例えば純水等のリンス液を吐出して停止し
た際に、メッシュ部に毛細管現象が働いてリンス液を保
持し、リンス液がぼた落ちするのを防止することができ
る。Further, the cleaning liquid supply nozzle 23 is provided as shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a head 23b is provided at the distal end of an arm 23a which is mounted so as to be rotatable (rotatable) in the horizontal direction. For example, a bottomed tubular mesh body (not shown) is attached. By attaching the mesh body to the tip end of the cleaning liquid supply nozzle 23 in this way, when the rinse liquid supply nozzle 23 discharges a rinsing liquid, such as pure water, and stops, the capillary action acts on the mesh part to rinse the mesh. The liquid can be held and the rinse liquid can be prevented from dropping.
【００３１】なお、洗浄液供給ノズル２３は、必ずしも
図３に示すように、水平方向に回転可能に形成されるも
のである必要はなく、例えば現像液供給ノズル２２と同
様な直線移動するような構造であってもよい。The cleaning liquid supply nozzle 23 does not need to be formed so as to be rotatable in the horizontal direction, as shown in FIG. 3, and has, for example, a linear movement similar to that of the developer supply nozzle 22. It may be.
【００３２】なお、上記容器３０は、スピンチャック２
１及び基板Ｇの下方に位置する下容器３１と、スピンチ
ャック２１及び基板Ｇの外周側に位置する外容器３２と
で構成されており、下容器３１の底部に図示しない排気
装置に接続する排気口３３が設けられ、外容器３２の底
部には、排液口３４が設けられている。The container 30 is provided with a spin chuck 2
1 and a lower container 31 located below the substrate G, and an outer container 32 located on the outer peripheral side of the spin chuck 21 and the substrate G, and an exhaust connected to an exhaust device (not shown) at the bottom of the lower container 31. A port 33 is provided, and a drain port 34 is provided at the bottom of the outer container 32.
【００３３】一方、上記イオナイザ２５は、上記スピン
チャック２１の上方に設けられており、このイオナイザ
２５によって生成された異なる極性のイオン化した気体
を基板Ｇ及びスピンチャック２１に向かって吹き付ける
ことにより、基板Ｇ及びスピンチャック２１に帯電した
電荷を打ち消すことができるようになっている。On the other hand, the ionizer 25 is provided above the spin chuck 21. By blowing ionized gases of different polarities generated by the ionizer 25 toward the substrate G and the spin chuck 21, The charge charged to the G and the spin chuck 21 can be canceled.
【００３４】次に、上記のように構成される処理装置の
動作態様について説明する。まず、メインアーム１０ａ
によって基板Ｇを処理装置２０に搬送すると、スピンチ
ャック２１が上昇して基板Ｇを受け取り、図示しない真
空装置の駆動による真空吸着によって保持する。その
後、メインアーム１０ａは処理装置２０から後退し、ス
ピンチャック２１が下降する。次に、ポンプ４１を駆動
すると共に、現像液供給ノズル２２を基板Ｇの短辺又は
長辺方向にスキャンさせて、基板Ｇ表面に現像液を供給
（液盛り）する。Next, the operation of the processing apparatus configured as described above will be described. First, the main arm 10a
When the substrate G is transported to the processing apparatus 20, the spin chuck 21 rises to receive the substrate G, and holds the substrate G by vacuum suction driven by a vacuum device (not shown). Thereafter, the main arm 10a retreats from the processing device 20, and the spin chuck 21 descends. Next, the pump 41 is driven, and at the same time, the developing solution supply nozzle 22 is caused to scan in the short side or long side direction of the substrate G, thereby supplying the developing solution to the surface of the substrate G (liquid accumulation).
【００３５】次に、現像液供給ノズル２２を待機位置に
後退させ所定時間現像処理を行った後、洗浄液供給ノズ
ル２３を基板Ｇの上方に移動し、リンス液を供給すると
共に、モータ２７の駆動によりスピンチャック２１を回
転させることにより、リンス液で基板Ｇ上に残っている
現像液を洗い流す。そして、洗浄液供給ノズル２３から
のリンス液の供給を停止して洗浄液供給ノズル２３を待
機位置に後退させた後、スピンチャック２１を高速回転
して基板Ｇ表面上に付着する現像液、リンス液を遠心力
で吹き飛ばして乾燥を行って現像処理が完了する。Next, after the developing solution supply nozzle 22 is retracted to the standby position and the developing process is performed for a predetermined time, the cleaning solution supply nozzle 23 is moved above the substrate G to supply the rinsing solution and drive the motor 27. By rotating the spin chuck 21, the developer remaining on the substrate G is washed away with the rinse liquid. Then, after the supply of the rinsing liquid from the cleaning liquid supply nozzle 23 is stopped and the cleaning liquid supply nozzle 23 is retracted to the standby position, the spin chuck 21 is rotated at a high speed to remove the developer and the rinsing liquid adhering to the surface of the substrate G. Drying is performed by blowing off by centrifugal force to complete the development processing.
【００３６】なお、このとき、リンス液の摩擦により基
板Ｇ及びスピンチャック２１が帯電する。本現像装置２
０は次々と新しい基板Ｇがメインアーム１０ａにより搬
送されて連続的に現像処理を繰り返す。そのため、スピ
ンチャック２１が帯電していない状態で最初の基板Ｇを
現像処理した場合、スピンリンス時のリンス液の摩擦に
よっても基板Ｇとスピンチャック２１は僅かに帯電す
る。その後、メインアーム１０ａにより現像処理済み基
板Ｇが現像装置２０から取り除かれ、現像未処理の基板
Ｇが新たに現像装置２０に投入される。その後、スピン
チャック２１から受け取った基板Ｇは以後の処理部へ搬
送される。この現像処理済み基板Ｇと現像未処理の基板
Ｇの入れ替え時にイオナイザ２５を駆動してスピンチャ
ック２１に向かって吹き付けてこれを除電する。このよ
うにスピンチャック２１を基板入れ替え時に除電するこ
とにより、連続処理において、スピンチャック２１が常
に帯電していない状態にて処理できるため、初期状態で
のスピンリンス時のリンス液の摩擦による基板Ｇの僅か
な帯電に抑えることができ、基板Ｇのデバイスへの静電
気障害、搬送手段例えばメインアーム１０ａの制御系の
放電ノイズ障害を防止することができる。At this time, the substrate G and the spin chuck 21 are charged by friction of the rinsing liquid. Main developing device 2
In the case of 0, new substrates G are successively transported by the main arm 10a and the developing process is continuously repeated. Therefore, when the first substrate G is developed while the spin chuck 21 is not charged, the substrate G and the spin chuck 21 are slightly charged even by friction of a rinsing liquid during spin rinsing. Thereafter, the developed substrate G is removed from the developing device 20 by the main arm 10a, and the undeveloped substrate G is newly loaded into the developing device 20. Thereafter, the substrate G received from the spin chuck 21 is transported to a subsequent processing unit. When the developed substrate G and the undeveloped substrate G are exchanged, the ionizer 25 is driven and sprayed toward the spin chuck 21 to remove electricity. In this way, by removing the charge from the spin chuck 21 at the time of replacing the substrate, it is possible to perform the process in a state where the spin chuck 21 is not always charged in the continuous processing. , Which can prevent static electricity damage to the device on the substrate G and discharge noise damage to the control means of the transfer means such as the main arm 10a.
【００３７】一方、現像処理済み基板Ｇと現像未処理基
板Ｇの入れ替え時にイオナイザ２５によるスピンチャッ
ク２１の除電を行わないと、本現像装置２０による基板
Ｇの現像処理を繰り返すことによりスピンチャック２１
が大きく帯電してくるため、スピンリンス時のリンス液
の摩擦により基板Ｇへの帯電も大きくなる。そのため、
基板Ｇに形成されたデバイスが基板Ｇに帯電した電荷に
より静電破壊される虞れがある。また、基板Ｇが帯電す
ると、帯電した基板Ｇから搬送手段への放電現象により
ノイズが発生し、搬送手段例えばメインアーム１０ａの
制御系に放電ノイズ障害を引き起こす虞れもある。On the other hand, if the charge of the spin chuck 21 is not removed by the ionizer 25 when the developed substrate G and the undeveloped substrate G are exchanged, the developing process of the substrate G by the developing device 20 is repeated, whereby the spin chuck 21 is removed.
Is largely charged, so that the friction on the rinsing liquid during spin rinsing also increases the charge on the substrate G. for that reason,
There is a possibility that the device formed on the substrate G may be electrostatically damaged by the electric charge charged on the substrate G. Further, when the substrate G is charged, noise is generated due to a discharge phenomenon from the charged substrate G to the transporting means, and there is a possibility that a discharge noise failure may occur in a control system of the transporting means, for example, the main arm 10a.
【００３８】◎第二実施形態 図５はこの発明に係る処理装置の第二実施形態の概略断
面図、図６はその要部拡大断面図である。Second Embodiment FIG. 5 is a schematic sectional view of a processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part thereof.
【００３９】第二実施形態は、除電用流体をスピンチャ
ック２１の下方側から供給して、帯電するスピンチャッ
ク２１及び基板Ｇを除電するようにした場合である。す
なわち、スピンチャック２１の下方側に配置される下容
器３１に除電用流体例えば純水を噴射する純水供給ノズ
ル５０（除電用流体供給手段）を配設し、この純水供給
ノズル５０からスピンチャック２１と基板Ｇとに純水を
噴射させてスピンチャック２１及び基板Ｇに帯電する電
荷を打ち消すようにした場合である。In the second embodiment, a charge removing fluid is supplied from below the spin chuck 21 to remove charge from the charged spin chuck 21 and the substrate G. That is, a pure water supply nozzle 50 (static fluid supply means) for injecting a static elimination fluid, for example, pure water, is provided in a lower container 31 disposed below the spin chuck 21. This is a case where pure water is sprayed onto the chuck 21 and the substrate G to cancel the electric charges charged on the spin chuck 21 and the substrate G.
【００４０】なお、この場合、下容器３１は、図５及び
図６に示すように、スピンチャック２１の下方側に水平
な底部３１ａの内周側に起立壁３１ｂを設けて純水供給
ノズル５０から噴射される純水がスピンチャック２１の
回転軸２６側に侵入しないようになっている。なお、回
転軸２６側への純水の侵入を完全に阻止するには、例え
ば回転軸２６と容器３０との隙間にＮ2ガスや空気等を
流して回転軸２６側を陽圧雰囲気にすればよい。In this case, as shown in FIGS. 5 and 6, the lower container 31 is provided with an upright wall 31b on the inner peripheral side of a horizontal bottom portion 31a below the spin chuck 21 and a pure water supply nozzle 50. Is prevented from entering the rotation shaft 26 of the spin chuck 21. In order to completely prevent intrusion of pure water into the rotating shaft 26, for example, N2 gas, air, or the like may be flowed through a gap between the rotating shaft 26 and the container 30 to make the rotating shaft 26 a positive pressure atmosphere. Good.
【００４１】また、上記スピンチャック２１の下方側の
別の位置例えば純水供給ノズル５０と対向する位置に
は、スピンチャック２１に向かって乾燥気体例えば窒素
（Ｎ2）ガスを供給する乾燥気体供給ノズル５１が配設
されている。この乾燥気体供給ノズル５１からスピンチ
ャック２１と基板Ｇとの間にＮ2ガスを噴射することに
より、上記純水供給ノズル５０から噴射された純水によ
りスピンチャック２１が濡れた部分の乾燥を促進するこ
とができる。A dry gas supply nozzle for supplying a dry gas, for example, nitrogen (N 2) gas toward the spin chuck 21 is provided at another position below the spin chuck 21, for example, at a position facing the pure water supply nozzle 50. 51 are provided. By injecting N2 gas between the spin chuck 21 and the substrate G from the dry gas supply nozzle 51, drying of the portion where the spin chuck 21 is wet by the pure water injected from the pure water supply nozzle 50 is promoted. be able to.
【００４２】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。In the second embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, and the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【００４３】上記のように構成することにより、スピン
チャック２１を高速回転して現像処理された基板Ｇ表面
上に付着する現像液、リンス液を遠心力で吹き飛ばして
乾燥する際、純水供給ノズル５０からスピンチャック２
１と基板Ｇとに純水を噴射してスピンチャック２１及び
基板Ｇの除電を行うことができる。また、純水の噴射と
同時に乾燥気体供給ノズル５１から乾燥気体例えばＮ2
ガスをスピンチャック２１と基板Ｇとの間に向かって噴
射することにより、純水によって濡れたスピンチャック
２１及び基板Ｇ裏面を乾燥することができる。なお、乾
燥気体供給ノズル５１から噴射されるＮ2ガスの噴射タ
イミングは、必しも純水の供給と同時である必要はな
く、純水の供給より遅らせてもよくあるいは純水の供給
停止後に行うようにしてもよい。また、Ｎ2ガスの供給
を純水の供給停止後も引き続いて行うようにしてもよ
い。When the spin chuck 21 is rotated at a high speed and the developing solution and the rinsing solution adhering to the surface of the developed substrate G are blown off by centrifugal force and dried, the pure water supply nozzle is used. Spin chuck 2 from 50
Pure water is sprayed on the substrate 1 and the substrate G to remove electricity from the spin chuck 21 and the substrate G. At the same time as the injection of pure water, the drying gas,
By injecting the gas between the spin chuck 21 and the substrate G, the spin chuck 21 and the back surface of the substrate G wet with pure water can be dried. Note that the injection timing of the N2 gas injected from the dry gas supply nozzle 51 does not necessarily need to be simultaneous with the supply of pure water, and may be delayed from the supply of pure water or after the supply of pure water is stopped. You may do so. Further, the supply of the N2 gas may be continuously performed even after the supply of the pure water is stopped.
【００４４】◎その他の実施形態 （１）上記実施形態では、ボス部２１ｂを金属製部材に
て形成した場合について説明したが、ＰＰＳ等の合成樹
脂製部材にて形成してもよい。このように載置部２１ａ
とボス部２１ｂとを同質のＰＰＳ等の合成樹脂製部材に
て形成することにより、載置部２１ａとボス部２１ｂと
を一体に形成することができ、しかも、誘電体の厚さ
（距離）を厚く（長く）することができ、基板Ｇの帯電
量を少なくすることができる。Other Embodiments (1) In the above embodiment, the case where the boss 21b is formed of a metal member has been described. However, the boss portion 21b may be formed of a synthetic resin member such as PPS. Thus, the mounting portion 21a
The mounting portion 21a and the boss portion 21b can be integrally formed by forming the boss portion 21b and the boss portion 21b with the same material made of a synthetic resin such as PPS, and the thickness (distance) of the dielectric material Can be made thicker (longer), and the charge amount of the substrate G can be reduced.
【００４５】（２）上記実施形態では、除電用流体がイ
オン化した気体、純水である場合について説明したが、
必しもこのような流体である必要はなく、例えばイオン
化した気体に代えて例えば帯電した基板Ｇ及びスピンチ
ャック２１に向かって軟Ｘ線を照射することにより、除
電してもよく、また、純水に代えて例えばイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）等の揮発性液体を用いることもで
きる。なお、除電用流体に揮発性の液体例えばＩＰＡを
用いることにより、乾燥気体供給手段を不要とすること
ができるので、構成部材の削減及び装置の小型化を図る
ことができる。また、乾燥用気体として上記Ｎ2ガスに
代えて清浄化した空気を用いてもよい。(2) In the above embodiment, a case has been described in which the static elimination fluid is ionized gas or pure water.
It is not necessary to use such a fluid. For example, instead of ionized gas, static elimination may be performed by irradiating the charged substrate G and the spin chuck 21 with soft X-rays, for example. A volatile liquid such as isopropyl alcohol (IPA) can be used instead of water. By using a volatile liquid such as IPA as the static elimination fluid, the need for a dry gas supply unit can be obviated, so that the number of components can be reduced and the size of the apparatus can be reduced. Further, as the drying gas, purified air may be used instead of the N2 gas.
【００４６】（３）上記実施形態では、この発明に係る
処理装置をＬＣＤ基板の現像装置に適用した場合につい
て説明したが、現像装置以外の例えばレジスト塗布装置
やＬＣＤ基板以外の半導体ウエハやＣＤ等の被処理体の
処理装置等にも適用できることは勿論である。(3) In the above embodiment, the case where the processing apparatus according to the present invention is applied to an LCD substrate developing apparatus has been described. However, other than the developing apparatus, for example, a resist coating apparatus, a semiconductor wafer other than the LCD substrate, a CD, etc. Needless to say, the present invention can be applied to a processing device for a target object.
【００４７】次に、従来のアルミニウム合金製のスピン
チャック、この発明における合成樹脂製のスピンチャッ
ク及び除電用流体例えばイオン化した気体を供給して除
電した場合のスピンチャックの帯電量を調べるための実
験結果について説明する。Next, a conventional spin chuck made of an aluminum alloy, a spin chuck made of a synthetic resin according to the present invention, and an experiment for examining a charge amount of the spin chuck when a static elimination fluid such as an ionized gas is supplied and static elimination is performed. The results will be described.
【００４８】 ★実験条件 ・比較例 ：アルミニウム合金製スピンチャック ・実施例１ ：ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）製スピンチャック （図４参照） 載置部２１ａの直径Ｄ＝３００ｍｍφ、厚さＨ＝９ｍｍ ボス部２１ｂの直径ｄ＝３０ｍｍφ，厚さｈ＝３０ｍｍ ・実施例２ ：実施例１のスピンチャックにイオン化した気体を照射 ・リンス時間：２０秒。★ Experimental conditions ・ Comparative example: Spin chuck made of aluminum alloy ・ Example 1: Spin chuck made of polyphenylene sulfide (PPS) (see FIG. 4) The diameter D of the mounting portion 21a is 300 mmφ, and the thickness H is 9 mm. Example 2: Irradiating ionized gas to the spin chuck of Example 1 Rinse time: 20 seconds.
【００４９】上記比較例、実施例１及び実施例２を同じ
条件で基板Ｇの現像処理に使用して、基板Ｇの処理枚数
と帯電量（電位）との関係を調べたところ、図７に示す
ような結果が得られた。The relationship between the number of processed substrates G and the amount of charge (potential) was examined using the comparative example, Example 1 and Example 2 under the same conditions for developing the substrate G. FIG. The results shown were obtained.
【００５０】上記実施権の結果、従来のアルミニウム合
金製スピンチャックを使用した場合は、基板Ｇの処理枚
数に関係なく、約−４．５〜−５ｋＶの電位を示してい
た。これに対し、実施例１のＰＰＳ製スピンチャックに
おいては、処理開始時の電位は約＋１ｋＶであったが、
処理枚数を増やして１０枚まで処理すると徐々に電位が
増加し約１．５ｋＶまで電位が上昇した。なお、１０枚
以上処理しても電位はさほど変化しなかった。これに対
し、実施例２の場合は、基板Ｇの電位は約０ｋＶであ
り、十分帯電抑制効果があることが判った。As a result of the above license, when the conventional aluminum alloy spin chuck was used, the potential was about -4.5 to -5 kV regardless of the number of substrates G processed. On the other hand, in the PPS spin chuck of Example 1, the potential at the start of the process was about +1 kV,
When the number of processed sheets was increased to 10 sheets, the potential gradually increased to about 1.5 kV. It should be noted that the potential did not change much even when 10 or more sheets were processed. In contrast, in the case of Example 2, the potential of the substrate G was about 0 kV, and it was found that the substrate G had a sufficient charge-suppressing effect.
【００５１】[0051]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
上記のように構成されているので、以下のような効果が
得られる。As described above, according to the present invention,
With the configuration described above, the following effects can be obtained.
【００５２】１）請求項１記載の発明によれば、連続処
理において、保持手段が常に帯電していない状態にて処
理できるので、初期状態での洗浄時の洗浄液の摩擦によ
る被処理基板の帯電を抑制することができる。したがっ
て、被処理基板に形成されるデバイスの静電破壊等の静
電気障害を防止することができると共に、被処理基板か
ら搬送手段への放電現象によるノイズによる搬送手段の
制御系への放電ノイズ障害を防止することができる。1) According to the first aspect of the present invention, in the continuous processing, the processing can be performed in a state where the holding means is not always charged, so that the substrate to be processed is charged by friction of the cleaning liquid at the time of cleaning in the initial state. Can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent electrostatic interference such as electrostatic destruction of a device formed on the substrate to be processed, and also to prevent a discharge noise obstacle to a control system of the transport unit due to noise due to a discharge phenomenon from the substrate to the transport unit. Can be prevented.
【００５３】２）請求項２又は６記載の発明によれば、
保持手段と被処理基板に除電用揮発性液体を供給するこ
とにより、保持手段の帯電を抑制することができると共
に、保持手段に帯電した電荷を除電することができる。
また、乾燥気体を供給することなく保持手段の乾燥を行
うことができるので、構成部材の削減が図れると共に、
装置の小型化が図れる。2) According to the invention described in claim 2 or 6,
By supplying the volatile liquid for static elimination to the holding means and the substrate to be processed, the charging of the holding means can be suppressed, and the charge charged in the holding means can be eliminated.
Further, since the holding means can be dried without supplying a drying gas, the number of constituent members can be reduced, and
The size of the device can be reduced.
【００５４】３）請求項３，４，５又は７記載の発明に
よれば、保持手段と被処理基板に除電用液体を供給し
て、保持手段の帯電の抑制及び帯電した電荷の除電を行
った後、保持手段に向かって乾燥気体を供給することに
より、保持手段の乾燥を促進することができる。3) According to the third, fourth, fifth or seventh aspect of the present invention, the static elimination liquid is supplied to the holding means and the substrate to be processed, thereby suppressing the charging of the holding means and eliminating the charged electric charges. After that, by supplying the drying gas toward the holding means, the drying of the holding means can be promoted.
【００５５】４）請求項８記載の発明によれば、保持手
段の回転軸と、保持手段と被処理基板を包囲する容器と
の隙間に、窒素ガス又は空気を流して、回転軸側を陽圧
にすることにより、回転軸側への除電用液体の侵入を阻
止することができる。4) According to the eighth aspect of the present invention, nitrogen gas or air is flowed through the rotating shaft of the holding means and the gap between the holding means and the container surrounding the substrate to be processed, so that the rotating shaft side is positive. By setting the pressure, it is possible to prevent the liquid for static elimination from entering the rotating shaft side.
【図１】この発明に係る処理装置を組み込んだ塗布・現
像処理システムを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a coating / developing processing system incorporating a processing apparatus according to the present invention.
【図２】この発明に係る処理装置の第一実施形態を示す
概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a processing apparatus according to the present invention.
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view taken along line AA of FIG. 2;
【図４】この発明におけるスピンチャックを示す概略側
面図（ａ）及び基板とスピンチャック帯電時の等価回路
図（ｂ）である。4A is a schematic side view showing a spin chuck according to the present invention, and FIG. 4B is an equivalent circuit diagram when the substrate and the spin chuck are charged.
【図５】この発明に係る処理装置の第二実施形態を示す
概略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the processing apparatus according to the present invention.
【図６】第二実施形態の要部を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a main part of the second embodiment.
【図７】従来のスピンチャックとこの発明におけるスピ
ンチャック及び除電用流体を供給した場合の処理枚数と
電位との関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the number of processed wafers and the potential when a conventional spin chuck, a spin chuck according to the present invention, and a static elimination fluid are supplied.
Ｇ ＬＣＤ基板（被処理基板） １０ａ メインアーム（搬送アーム） ２１ スピンチャック（保持手段） ２１ａ 載置部 ２１ｂ 回転軸取付用ボス部 ２２ 現像液供給ノズル（処理液供給手段） ２３ 洗浄液供給ノズル ２５ イオナイザ（除電用流体供給手段） ５０ 純水供給ノズル（除電用流体供給手段） ５１ 乾燥気体供給ノズル（乾燥気体供給手段） G LCD substrate (substrate to be processed) 10a Main arm (transfer arm) 21 Spin chuck (holding unit) 21a Placement unit 21b Rotating shaft mounting boss unit 22 Developing liquid supply nozzle (processing liquid supplying unit) 23 Cleaning liquid supply nozzle 25 Ionizer (Electric neutralization fluid supply means) 50 Pure water supply nozzle (Electric neutralization fluid supply means) 51 Dry gas supply nozzle (Dry gas supply means)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ａ // Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ 21/30 ５６９Ｚ (72)発明者 坂井 光広 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 の４ 東京エレクトロン九州株式会社大津 事業所内 (72)発明者 山口 恭満 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 の４ 東京エレクトロン九州株式会社大津 事業所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA27 GA02 GA17 GA29 GA32 4D075 AC64 AC79 AC84 BB57Z BB65Z CA22 DA08 DC21 EA05 EA60 4F042 AA02 AA06 CC04 CC09 DA01 DD31 DF09 DF28 EB05 EB09 EB18 5F046 LA04 LA05 LA07 LA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/30 502 H01L 21/304 643A // H01L 21/304 643 21/30 569Z (72) Inventor Sakai Mitsuhiro Otsu-cho, Otsu-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture, Tokyo 272-4 Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Otsu Office (72) Inventor Yasumitsu Yamaguchi Ootsu, Otsu-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Pref. In-house F term (reference) 2H096 AA27 GA02 GA17 GA29 GA32 4D075 AC64 AC79 AC84 BB57Z BB65Z CA22 DA08 DC21 EA05 EA60 4F042 AA02 AA06 CC04 CC09 DA01 DD31 DF09 DF28 EB05 EB09 EB18 5F046 LA04 LA07 LA08
Claims (8)
保持手段により保持し、被処理基板の表面に処理液を供
給する工程と、 上記被処理基板を回転させると共に、被処理基板の表面
に洗浄液を供給する工程と、 上記搬送アームによって上記被処理基板の上記保持手段
に対する入れ替え時において、保持手段と被処理基板の
うちの少なくとも保持手段に除電用気体又は除電用液体
からなる除電用流体を供給する工程と、を有することを
特徴とする処理方法。1. A process for holding a substrate to be processed received from a transfer arm by a holding means and supplying a processing liquid to a surface of the substrate to be processed, and a step of rotating the substrate to be processed and applying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed. And supplying the charge removing fluid comprising a charge removing gas or a charge removing liquid to at least the holding means of the holding means and the processing target substrate when the transfer arm replaces the processing target substrate with the holding means. And a processing method.
する処理方法。2. The processing method according to claim 1, wherein the static elimination fluid is a static elimination volatile liquid.
保持手段により保持し、被処理基板の表面に処理液を供
給する工程と、 上記被処理基板を回転させると共に、被処理基板の表面
に洗浄液を供給する工程と、 上記保持手段と被処理基板に除電用液体を供給する工程
と、 上記除電用液体を乾燥させるための気体を上記保持手段
と被処理基板に供給する工程と、を有することを特徴と
する処理方法。3. A step of holding a substrate to be processed received from a transfer arm by a holding means and supplying a processing liquid to a surface of the substrate to be processed, and a step of rotating the substrate to be processed and a cleaning liquid on the surface of the substrate to be processed. Supplying a charge removing liquid to the holding unit and the substrate to be processed; and supplying a gas for drying the charge removing liquid to the holding unit and the substrate to be processed. A processing method characterized by the following.
燥させるための気体を供給する工程とを同時に行うこと
を特徴とする処理方法。4. The processing method according to claim 3, wherein the step of supplying the charge removing liquid and the step of supplying a gas for drying the charge removing liquid are performed simultaneously.
させるための気体を保持手段と被処理基板に供給するこ
とを特徴とする処理方法。5. The processing method according to claim 3, wherein after supplying the charge removing liquid, a gas for drying the charge removing liquid is supplied to the holding unit and the substrate to be processed. .
しを行うと共に、被処理基板を保持し回転させる保持手
段と、 上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手
段と、 上記被処理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノ
ズルと、 上記保持手段と被処理基板に除電用揮発性液体を供給す
る除電用流体供給手段と、を具備することを特徴とする
処理装置。6. A holding means for transferring a substrate to be processed between the transfer arm and holding and rotating the substrate to be processed, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to a surface of the substrate to be processed, A processing apparatus comprising: a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed; and a fluid supply means for static elimination for supplying the volatile liquid for static elimination to the substrate to be processed.
しを行うと共に、被処理基板を保持し回転させる保持手
段と、 上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手
段と、 上記被処理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノ
ズルと、 上記保持手段と被処理基板に除電用液体を供給する除電
用流体供給手段と、 上記除電用液体を乾燥させるための気体を上記保持手段
と被処理基板に供給する乾燥気体供給手段と、を具備す
ることを特徴とする処理装置。7. A holding means for transferring a substrate to be processed between the transfer arm and holding and rotating the substrate to be processed, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to a surface of the substrate to be processed, A cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed; a fluid supply means for supplying static elimination liquid to the holding means and the substrate to be treated; and a gas for drying the liquid for static elimination. And a drying gas supply unit for supplying a dry gas to the substrate to be processed.
包囲する容器との隙間に、窒素ガス又は空気を流して、
上記回転軸側を陽圧可能に形成してなることを特徴とす
る処理装置。8. The processing apparatus according to claim 7, wherein nitrogen gas or air is passed through a rotation shaft of the holding unit and a gap between the holding unit and a container surrounding the substrate to be processed.
A processing apparatus, wherein the rotating shaft side is formed so as to be capable of positive pressure.
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