JP2002200555A - Polishing tool and polishing device with polishing tool - Google Patents
Polishing tool and polishing device with polishing toolInfo
- Publication number
- JP2002200555A JP2002200555A JP2000402031A JP2000402031A JP2002200555A JP 2002200555 A JP2002200555 A JP 2002200555A JP 2000402031 A JP2000402031 A JP 2000402031A JP 2000402031 A JP2000402031 A JP 2000402031A JP 2002200555 A JP2002200555 A JP 2002200555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing tool
- semiconductor wafer
- tool
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板を研磨して平坦化する際に基板に摺接して研磨作用
をなす研磨面を構成する研磨パッド又は固定砥粒（研磨
砥石）等の研磨工具および該研磨工具を具備したポリッ
シング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing pad or a fixed abrasive (polishing grindstone) which constitutes a polishing surface which performs a polishing action by slidably contacting a substrate such as a semiconductor wafer when the substrate is polished and flattened. And a polishing apparatus provided with the polishing tool.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスがますます微細化
され素子構造が複雑になり、またロジック系の多層配線
の層数が増えるに伴い、半導体デバイス表面はますます
凹凸が増え、段差が大きくなる傾向にある。半導体デバ
イスの製造では薄膜を形成し、パターニングや開孔を行
う微細加工の後、次の薄膜を積むという工程を何回も繰
り返すためである。表面の凹凸が増えると、薄膜形成時
に段差部での膜厚が薄くなったり、また配線の断線によ
るオープンや配線層間の絶縁不良によるショートが起こ
るため、良品が取れなかったり、歩留りが低下したりす
る。また初期的に正常動作しても、長時間の使用に対し
信頼性の問題が生じる。2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor devices have become more miniaturized and the element structure has become more complex, and the number of layers of logic-related multilayer wiring has increased, the surface of the semiconductor device has become more and more uneven and the level difference has increased. There is a tendency. This is because, in the manufacture of semiconductor devices, a process of forming a thin film, performing fine processing for patterning and opening, and then stacking the next thin film is repeated many times. If the surface irregularities increase, the film thickness at the stepped part becomes thinner when forming the thin film, and the open due to the disconnection of the wiring and the short circuit due to the insulation failure between the wiring layers occur, so that a good product cannot be obtained or the yield decreases. I do. In addition, even if it operates normally at the initial stage, there is a problem of reliability when used for a long time.
【０００３】表面凹凸のもう一つの大きな問題は、リソ
グラフィ工程である。露光時、照射表面に凹凸がある
と、露光系のレンズ焦点が部分的に合わなくなり微細パ
ターンの形成そのものが難しくなるためである。これら
の理由により、半導体デバイスの製造工程において、表
面の平坦化技術は、ますます重要になっている。この平
坦化技術のうち、最も重要な技術は、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing））であ
る。この化学的機械的研磨においては、ポリッシング装
置を用いて、シリカ（ＳｉＯ２）等の砥粒を含んだ研磨
液を研磨パッド等の研磨面上に供給しつつ半導体ウエハ
を研磨面に摺接させて研磨を行うものである。Another major problem of surface irregularities is the lithography process. This is because, if there is unevenness on the irradiation surface during exposure, the lens of the exposure system is partially out of focus and the formation of a fine pattern itself becomes difficult. For these reasons, surface flattening techniques have become increasingly important in semiconductor device manufacturing processes. The most important of these planarization techniques is chemical mechanical polishing (CMP). In this chemical mechanical polishing, a semiconductor wafer is brought into sliding contact with a polishing surface while supplying a polishing liquid containing abrasive grains such as silica (SiO 2 ) onto a polishing surface such as a polishing pad using a polishing apparatus. Polishing.
【０００４】従来、この種のポリッシング装置は、研磨
パッドからなる研磨面を有した研磨テーブルと、半導体
ウエハを保持するためのトップリングと称される基板保
持装置とを備えている。研磨液を研磨面に供給しつつ基
板保持装置によって半導体ウエハを保持して半導体ウエ
ハを研磨テーブルに対して所定の圧力で押圧し、かつ基
板保持装置と研磨テーブルとを相対運動させることによ
り半導体ウエハを研磨面に対して摺接させ、半導体ウエ
ハの表面を平坦かつ鏡面に研磨している。Conventionally, this type of polishing apparatus is provided with a polishing table having a polishing surface composed of a polishing pad and a substrate holding device called a top ring for holding a semiconductor wafer. The semiconductor wafer is held by the substrate holding device while the polishing liquid is supplied to the polishing surface, the semiconductor wafer is pressed with a predetermined pressure against the polishing table, and the substrate holding device and the polishing table are relatively moved. Is slid in contact with the polishing surface, and the surface of the semiconductor wafer is polished flat and mirror-finished.
【０００５】研磨パッドは発泡ポリウレタンや繊維をウ
レタン樹脂で固めた不織布を円板状に形成したものから
なり、この円板状の研磨パッドを研磨テーブルに貼り付
けている。被研磨物である半導体ウエハに摺接する研磨
パッドの上面、即ち、研磨面は、通常、その全面が平坦
に形成されている。また全面が平坦な研磨パッド以外に
も、図８に示すように全面に格子状の溝６１を形成した
研磨パッド６０や、図９に示すように全面に多数のディ
ンプル（くぼみ）７１を形成した研磨パッド７０があ
る。The polishing pad is made of a non-woven fabric formed by solidifying polyurethane foam or fiber with urethane resin into a disk shape, and the disk-shaped polishing pad is attached to a polishing table. The upper surface of the polishing pad that is in sliding contact with the semiconductor wafer to be polished, that is, the polished surface is usually formed so that the entire surface is flat. In addition to the polishing pad having an entirely flat surface, a polishing pad 60 having a lattice-like groove 61 formed on the entire surface as shown in FIG. 8 and a large number of dimples (recesses) 71 formed on the entire surface as shown in FIG. There is a polishing pad 70.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の平坦な
研磨パッド、および格子状又はディンプル形状の研磨パ
ッドにおいては、研磨によって生ずる研磨くずやドレッ
シング時にドレッサーから脱落したダイヤモンド粒子等
の粒子が研磨パッドから排出できずに研磨面上に滞在す
る。そして、この粒子が研磨時に半導体ウエハの被研磨
面に侵入し、半導体ウエハの被研磨面に大小のスクラッ
チを発生させてしまうという問題点があった。また研磨
パッドの研磨面上に滞在する粒子中には比較的大粒径の
粒子（以下、大粒径粒子という）もあり、この大粒径粒
子が研磨時に半導体ウエハの被研磨面に入り込み、粒子
の大きさ分、半導体ウエハの被研磨面が研磨パッドの研
磨面から離れて半導体ウエハが研磨面に対して傾いてし
まう。その結果、半導体ウエハの被研磨面を研磨パッド
の研磨面に対して均一に押圧することができず、半導体
ウエハの全面を均一に研磨できないという問題点があっ
た。In the above-mentioned conventional flat polishing pad and lattice-shaped or dimple-shaped polishing pad, polishing debris generated by polishing or particles such as diamond particles dropped from the dresser during dressing are generated. Stay on the polished surface without being able to drain from the surface. Then, there is a problem that the particles enter the surface to be polished of the semiconductor wafer during polishing, and generate large and small scratches on the surface to be polished of the semiconductor wafer. Also, there are particles having a relatively large particle diameter (hereinafter, referred to as large particle diameter) among particles staying on the polishing surface of the polishing pad, and these large particle diameter enter the surface to be polished of the semiconductor wafer during polishing, The polished surface of the semiconductor wafer is separated from the polished surface of the polishing pad by the size of the particles, and the semiconductor wafer is inclined with respect to the polished surface. As a result, there is a problem that the surface to be polished of the semiconductor wafer cannot be uniformly pressed against the polishing surface of the polishing pad, and the entire surface of the semiconductor wafer cannot be uniformly polished.
【０００７】一方、半導体ウエハの研磨が完了した後に
は、トップリングが半導体ウエハを真空吸着した後に上
昇し、半導体ウエハを研磨パッドから引き離すようにし
ている。この際、半導体ウエハが研磨パッドに強く密着
して、半導体ウエハが研磨パッドから離れずにトップリ
ングのみが上昇し、回転する研磨テーブル上に残存した
半導体ウエハが破損するトラブルが発生することがあ
る。On the other hand, after the polishing of the semiconductor wafer is completed, the top ring is lifted after the semiconductor wafer is vacuum-sucked, and the semiconductor wafer is separated from the polishing pad. At this time, the semiconductor wafer strongly adheres to the polishing pad, the semiconductor wafer does not separate from the polishing pad, and only the top ring rises, which may cause a trouble that the semiconductor wafer remaining on the rotating polishing table is damaged. .
【０００８】本発明は、上述の事情に鑑みなされたもの
で、研磨中に、研磨対象物である半導体基板にスクラッ
チを発生させることがなく、研磨パッド等の研磨工具に
半導体基板の被研磨面の全面を均一に押圧して安定した
研磨性能を得ることができるとともに、研磨後に半導体
基板を研磨パッド等の研磨工具から確実に引き離すこと
ができる研磨工具および該研磨工具を備えたポリッシン
グ装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and does not cause scratches on a semiconductor substrate to be polished during polishing, and allows a polishing tool such as a polishing pad to be used on a polishing tool such as a polishing pad. Provided is a polishing tool capable of obtaining a stable polishing performance by uniformly pressing the entire surface of the substrate and reliably separating the semiconductor substrate from a polishing tool such as a polishing pad after polishing, and a polishing apparatus provided with the polishing tool. The purpose is to do.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明の研磨工具は、研磨対象物である基板に摺
接して研磨作用をなす研磨面を構成する研磨工具におい
て、前記研磨工具の上面に、該研磨工具の中央部から外
周縁まで延びる複数のスパイラル溝を形成したことを特
徴とするものである。また本発明のポリッシング装置
は、前記研磨工具を具備した研磨テーブルと、ポリッシ
ング対象物である基板を保持して研磨テーブル上の研磨
面に押圧するトップリングとを備えたことを特徴とする
ものである。In order to achieve the above-mentioned object, a polishing tool according to the present invention is a polishing tool comprising a polishing surface which performs a polishing action by slidingly contacting a substrate to be polished. A plurality of spiral grooves extending from a central portion of the polishing tool to an outer peripheral edge of the polishing tool. Further, the polishing apparatus of the present invention is characterized by comprising a polishing table having the polishing tool, and a top ring for holding a substrate to be polished and pressing against a polishing surface on the polishing table. is there.
【００１０】本発明によれば、研磨工具の回転により、
スパイラル溝には、遠心力によるポンプ作用が働き、ダ
イヤモンド粒子や研磨液中の粒子などの有害な大粒径粒
子を、スパイラル溝の中を、研磨液と一緒に研磨工具の
外周側に流し去ることができる。したがって、基板の被
研磨面に大小のスクラッチが発生することを防止できる
とともに、基板の被研磨面の全面を均一に研磨工具に押
圧することができ、安定した研磨性能を得ることができ
る。また、研磨時に、スパイラル溝を通して基板の被研
磨面にスラリー状の研磨液を安定して供給できるので、
安定した研磨性能を得ることができる。According to the present invention, by the rotation of the polishing tool,
Pump action by centrifugal force acts on the spiral groove, causing harmful large-diameter particles such as diamond particles and particles in the polishing liquid to flow off the spiral groove to the outer peripheral side of the polishing tool together with the polishing liquid. be able to. Therefore, generation of large and small scratches on the surface to be polished of the substrate can be prevented, and the entire surface of the surface to be polished of the substrate can be uniformly pressed by the polishing tool, so that stable polishing performance can be obtained. In addition, during polishing, a slurry-like polishing liquid can be stably supplied to the surface to be polished of the substrate through the spiral groove,
Stable polishing performance can be obtained.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る研磨工具およ
び該研磨工具を備えたポリッシング装置の実施の形態を
図１乃至図５を参照して説明する。図１は本発明の研磨
工具を備えたポリッシング装置を示す斜視図である。図
１に示すポリッシング装置は、研磨パッドからなる研磨
工具１を貼り付けた研磨テーブル５と、基板である半導
体ウエハＷを保持して研磨工具１の上面の研磨面１ａに
押圧するトップリング１０と、研磨工具１の上面をドレ
ッシングするドレッサ２０とを配置して構成されてい
る。研磨工具１の上面の研磨面１ａには、研磨液供給ノ
ズル２１からスラリー状の研磨液が供給されるようにな
っている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a polishing tool according to the present invention and a polishing apparatus provided with the polishing tool will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view showing a polishing apparatus provided with the polishing tool of the present invention. The polishing apparatus shown in FIG. 1 includes a polishing table 5 on which a polishing tool 1 composed of a polishing pad is attached, a top ring 10 for holding a semiconductor wafer W as a substrate and pressing the semiconductor wafer W against a polishing surface 1a on the upper surface of the polishing tool 1. , And a dresser 20 for dressing the upper surface of the polishing tool 1. A polishing liquid in a slurry state is supplied from a polishing liquid supply nozzle 21 to the polishing surface 1a on the upper surface of the polishing tool 1.
【００１２】上述の構成において、半導体ウエハＷをト
ップリング１０の下面に保持し、トップリング１０によ
って半導体ウエハＷを研磨テーブル５上の研磨工具１に
押圧するとともに、研磨テーブル５およびトップリング
１０を回転させて研磨工具１と半導体ウエハＷを相対運
動させて研磨する。このとき、研磨液供給ノズル２１か
ら研磨工具１上の研磨面１ａに研磨液を供給する。研磨
液は、例えばアルカリ溶液にシリカ（ＳｉＯ２）等の微
粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、アルカリによ
る化学的研磨作用と、砥粒による機械的研磨作用との複
合作用によって半導体ウエハＷを平坦かつ鏡面状に研磨
する。In the above configuration, the semiconductor wafer W is held on the lower surface of the top ring 10, the semiconductor wafer W is pressed against the polishing tool 1 on the polishing table 5 by the top ring 10, and the polishing table 5 and the top ring 10 are held together. The polishing is performed by rotating the polishing tool 1 and the semiconductor wafer W relative to each other. At this time, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 21 to the polishing surface 1a on the polishing tool 1. As the polishing liquid, for example, a polishing liquid in which abrasive grains composed of fine particles such as silica (SiO 2 ) are suspended in an alkali solution is used. W is polished flat and mirror-like.
【００１３】一方、研磨面１ａを構成する研磨工具１の
表面に研磨液の粒子が目詰まりすると、安定した研磨性
能が得られなくなる。そのため、必要に応じて回転して
いる研磨テーブル５上の研磨工具１の研磨面１ａに、図
示しない純水供給手段から純水を供給しつつドレッサ２
０を回転しながら研磨面１ａに押し当てて前記目詰まり
を防止し（再生し）、研磨面１ａを常に一定の状態に保
つようにする。ここでドレッサ２０は、研磨面１ａをμ
単位で薄く削る、または清掃するツールである。On the other hand, if the surface of the polishing tool 1 constituting the polishing surface 1a is clogged with polishing liquid particles, stable polishing performance cannot be obtained. Therefore, the dresser 2 is supplied with pure water from a pure water supply means (not shown) to the polishing surface 1a of the polishing tool 1 on the rotating polishing table 5 as necessary.
While rotating 0, it is pressed against the polishing surface 1a to prevent the clogging (regeneration), and the polishing surface 1a is always kept in a constant state. Here, the dresser 20 sets the polished surface 1a to μ.
It is a tool for thinning or cleaning in units.
【００１４】図２は、図１に示す研磨パッドからなる研
磨工具の平面図である。研磨パッドからなる研磨工具１
は、発泡ポリウレタンや繊維をウレタン樹脂で固めた不
織布を円盤状に形成して構成されている。図２に示すよ
うに、研磨パッドからなる研磨工具１の上面にはスパイ
ラル溝（螺旋形の溝）２が形成されている。スパイラル
溝２は複数個（実施例では８個）形成されており、各ス
パイラル溝２は研磨工具１の中心部から外周縁まで右巻
きで延びている。各スパイラル溝２の巻き角度（巻き始
めから巻き終わりまでの角度）は９０゜〜４５０゜が好
ましく、図示例では３６０゜に設定されている。スパイ
ラル溝２の溝幅は、１〜３ｍｍが好ましく、図示例では
約２ｍｍに設定されている。またスパイラル溝２の溝深
さは、０．５〜１．５ｍｍが好ましく、図示例では約１
ｍｍに設定されている。スパイラル溝２は、平坦な研磨
パッドに切削加工の追加工をすることにより形成する
か、又は研磨パッドを型を用いて円板状などの所定形状
に成形する際に同時に形成する。FIG. 2 is a plan view of a polishing tool comprising the polishing pad shown in FIG. Polishing tool 1 consisting of polishing pad
Is formed by forming a non-woven fabric obtained by solidifying foamed polyurethane or fiber with a urethane resin into a disk shape. As shown in FIG. 2, a spiral groove (spiral groove) 2 is formed on the upper surface of a polishing tool 1 composed of a polishing pad. A plurality of spiral grooves 2 (eight in the embodiment) are formed, and each spiral groove 2 extends clockwise from the center of the polishing tool 1 to the outer peripheral edge. The winding angle of each spiral groove 2 (the angle from the winding start to the winding end) is preferably 90 ° to 450 °, and is set to 360 ° in the illustrated example. The groove width of the spiral groove 2 is preferably 1 to 3 mm, and is set to about 2 mm in the illustrated example. Further, the groove depth of the spiral groove 2 is preferably 0.5 to 1.5 mm.
mm. The spiral groove 2 is formed by performing an additional machining process on a flat polishing pad, or simultaneously with forming the polishing pad into a predetermined shape such as a disk shape using a mold.
【００１５】上述した例においては、研磨工具１は研磨
パッドとして説明したが、研磨工具１は固定砥粒（研磨
砥石）であってもよい。研磨工具１が固定砥粒からなる
場合、研磨工具１の形状およびスパイラル溝２の構成は
図２に示すものと同様である。研磨工具１が固定砥粒か
らなる場合、研磨工具１は、ＣｅＯ２又はＳｉＯ２又は
Ａｌ２Ｏ３からなる砥粒を、エポキシ樹脂やフェノール
樹脂などの熱硬化性樹脂、又はＭＢＳ樹脂やＡＢＳ樹脂
などの熱可塑性樹脂からなるバインダを用いて固定する
ことにより製作されている。前記砥粒は、その平均粒子
径が０．５μｍ以下のものを用いている。固定砥粒から
なる研磨工具１にスパイラル溝２を形成するには、平坦
な固定砥粒に切削加工の追加工をすることにより形成す
るか、又は固定砥粒を型を用いて円板状などの所定形状
に成形する際に同時に形成する。研磨工具１が固定砥粒
の場合には、研磨液には砥粒を含まない純水又は薬液が
用いられ、この薬液には界面活性剤、ｐＨ調整剤、酸化
剤、キレート剤等が含まれる。In the above example, the polishing tool 1 has been described as a polishing pad, but the polishing tool 1 may be a fixed abrasive (polishing grindstone). When the polishing tool 1 is made of fixed abrasive grains, the shape of the polishing tool 1 and the configuration of the spiral groove 2 are the same as those shown in FIG. When the polishing tool 1 is made of fixed abrasive grains, the polishing tool 1 is made of an abrasive made of CeO 2, SiO 2, or Al 2 O 3 , a thermosetting resin such as an epoxy resin or a phenol resin, or an MBS resin or an ABS resin. It is manufactured by fixing using a binder made of a thermoplastic resin such as. The abrasive grains having an average particle diameter of 0.5 μm or less are used. To form the spiral groove 2 in the polishing tool 1 made of fixed abrasive grains, the spiral groove 2 is formed by performing additional machining of flat fixed abrasive grains, or the fixed abrasive grains are formed into a disk shape using a mold. It is formed at the same time when it is formed into a predetermined shape. When the polishing tool 1 is a fixed abrasive, pure water or a chemical containing no abrasive is used as the polishing liquid, and the chemical contains a surfactant, a pH adjuster, an oxidizing agent, a chelating agent, and the like. .
【００１６】図２に示す研磨工具１は、スパイラル溝２
が右巻きであるため、研磨テーブル５（図１参照）に固
定されて矢印に示すように反時計方向に回転される。図
２に示す研磨工具１は以下に列挙する作用を有する。 （１）スクラッチ発生の防止 本発明のスパイラル溝付き研磨工具１においては、研磨
テーブル５の回転により各スパイラル溝２には遠心力に
よるポンプ作用が働き、ダイヤモンド粒子や研磨液中の
粒子などの有害な大粒径粒子を、スパイラル溝２の中
を、研磨液と一緒に研磨工具の中心側から外周側に流し
去ることができる。したがって、大粒径粒子の異物が研
磨面１ａに滞在することがなく、半導体ウエハＷの被研
磨面に大小のスクラッチが発生することを防止できる。
半導体ウエハＷの外径が２００〜３００ｍｍに大径化す
る傾向にあり、そのため、更に研磨工具１の研磨面上に
有害な大粒径粒子が含まれ、従来のディンプル溝、格子
溝、同心円の溝付き研磨工具などは異物を流し去る作用
が乏しいので、半導体ウエハＷの被研磨面に大小のスク
ラッチが発生しやすくなる。しかしながら、スパイラル
溝付き研磨工具１においては、有害な大粒径粒子などの
異物がスパイラル溝２の中を研磨液と一緒に流れ去るこ
とにより、半導体ウエハＷの被研磨面に大小のスクラッ
チが発生することを防止できる。The polishing tool 1 shown in FIG.
Is clockwise, so it is fixed to the polishing table 5 (see FIG. 1) and rotated counterclockwise as indicated by the arrow. The polishing tool 1 shown in FIG. 2 has the following operations. (1) Prevention of Scratch In the polishing tool 1 with a spiral groove of the present invention, a pump action by centrifugal force acts on each spiral groove 2 due to the rotation of the polishing table 5, thereby causing harmful effects such as diamond particles and particles in the polishing liquid. Such large-diameter particles can flow away from the center of the polishing tool to the outer peripheral side together with the polishing liquid in the spiral groove 2. Therefore, foreign matter of large-diameter particles does not stay on the polished surface 1a, and the occurrence of large and small scratches on the polished surface of the semiconductor wafer W can be prevented.
The outer diameter of the semiconductor wafer W tends to increase to 200 to 300 mm. Therefore, harmful large-diameter particles are further included on the polishing surface of the polishing tool 1, and the conventional dimple grooves, lattice grooves, and concentric circles Since a grooved polishing tool or the like has a poor effect of removing foreign matter, large and small scratches are likely to be generated on the surface to be polished of the semiconductor wafer W. However, in the polishing tool 1 having a spiral groove, foreign substances such as harmful particles having a large particle diameter flow down in the spiral groove 2 together with the polishing liquid, and large and small scratches are generated on the surface to be polished of the semiconductor wafer W. Can be prevented.
【００１７】（２）半導体ウエハの破損防止 トップリングが上昇するときに、従来の研磨工具におい
ては半導体ウエハが研磨面に強く密着して離れないため
に半導体ウエハを破損するトラブルが発生していた。し
かしながら、本発明のスパイラル溝付き研磨工具１にお
いては、スパイラル溝２を通して研磨面１ａが大気圧に
なり、半導体ウエハＷと研磨工具１が密着しなくなる。
そのため、半導体ウエハＷの搬送ミスがなくなり、半導
体ウエハＷが破損するトラブルがなくなる。 （３）研磨液の安定供給 本発明のスパイラル溝付き研磨工具１においては、研磨
時に、スパイラル溝２を通して半導体ウエハＷの被研磨
面にスラリー状の研磨液を安定して供給できるので、安
定した研磨性能を得ることができる。(2) Prevention of Breakage of Semiconductor Wafer When the top ring is raised, the conventional polishing tool has a problem that the semiconductor wafer is damaged because the semiconductor wafer is in close contact with the polished surface and does not separate. . However, in the polishing tool 1 with a spiral groove of the present invention, the polishing surface 1a is at atmospheric pressure through the spiral groove 2, so that the semiconductor wafer W and the polishing tool 1 do not adhere to each other.
Therefore, there is no transfer error of the semiconductor wafer W, and there is no trouble that the semiconductor wafer W is damaged. (3) Stable supply of polishing liquid In the polishing tool 1 with a spiral groove of the present invention, a slurry-type polishing liquid can be stably supplied to the surface to be polished of the semiconductor wafer W through the spiral groove 2 during polishing, so that the polishing tool is stable. Polishing performance can be obtained.
【００１８】（４）研磨性能の安定 本発明のスパイラル溝付き研磨工具１においては、有害
な大粒径粒子をスパイラル溝２の中を、研磨液と一緒に
流し去ることにより、大粒径粒子が研磨時に半導体ウエ
ハの被研磨面に入り込むことがなくなる。そのため、半
導体ウエハＷの被研磨面が研磨工具１の上面と平行にな
り、半導体ウエハＷの全面を研磨工具１に均一に押圧す
ることができ、均一な研磨が可能である。また、研磨液
の流れが一定になるので、安定な研磨性能を維持でき
る。 （５）メンテナンス性の向上 有害な大粒径粒子の悪影響を受けなくなるので、研磨工
具１の寿命が伸び、メンテナンス性が向上する。(4) Stable polishing performance In the polishing tool 1 with a spiral groove according to the present invention, harmful particles having a large particle diameter are removed from the spiral groove 2 together with the polishing liquid, thereby removing the particles having a large particle diameter. Does not enter the surface to be polished of the semiconductor wafer during polishing. Therefore, the surface to be polished of the semiconductor wafer W is parallel to the upper surface of the polishing tool 1, and the entire surface of the semiconductor wafer W can be uniformly pressed against the polishing tool 1, thereby enabling uniform polishing. Further, since the flow of the polishing liquid is constant, stable polishing performance can be maintained. (5) Improvement of maintainability Since the adverse effects of harmful large-diameter particles are eliminated, the life of the polishing tool 1 is extended, and the maintainability is improved.
【００１９】図３は研磨工具の他の実施形態を示す平面
図である。図３に示す研磨工具１は、図２に示す右巻き
の第１スパイラル溝２に加えて、図２に示す第１スパイ
ラル溝２とは反対の巻き方向の第２スパイラル溝３が形
成されている。第２スパイラル溝３は複数個（実施例で
は８個）形成されており、各第２スパイラル溝３は研磨
工具１の中心部から外周縁まで左巻きで延びている。各
第２スパイラル溝３は、隣接する２本の第１スパイラル
溝２の巻き始め端間に、その巻き始め端が位置するよう
に配置されている。各第２スパイラル溝３の巻き角度は
９０゜〜４５０゜が好ましく、図示例では３６０゜に設
定されている。スパイラル溝２，３の溝幅および溝深さ
は、図２に示す例と同様である。本実施形態の研磨工具
１は、巻き方向が互いに反対の２つのスパイラル溝２，
３を備えており、時計方向回転および反時計方向回転の
両用になっている。FIG. 3 is a plan view showing another embodiment of the polishing tool. The polishing tool 1 shown in FIG. 3 has a second spiral groove 3 having a winding direction opposite to that of the first spiral groove 2 shown in FIG. 2 in addition to the right-handed first spiral groove 2 shown in FIG. I have. A plurality of (8 in the embodiment) second spiral grooves 3 are formed, and each second spiral groove 3 extends leftward from the center of the polishing tool 1 to the outer peripheral edge. Each second spiral groove 3 is arranged between the winding start ends of two adjacent first spiral grooves 2 so that the winding start end is located. The winding angle of each second spiral groove 3 is preferably 90 ° to 450 °, and is set to 360 ° in the illustrated example. The groove width and groove depth of the spiral grooves 2 and 3 are the same as in the example shown in FIG. The polishing tool 1 of the present embodiment has two spiral grooves 2 whose winding directions are opposite to each other.
3 for both clockwise rotation and counterclockwise rotation.
【００２０】次に、研磨テーブルの他の実施形態を図４
および図５を参照して説明する。図４および図５に示す
研磨テーブルは、スクロール運動（並進円運動）を行う
ものである。図４は研磨テーブルの縦断面図、図５
（ａ）は図４のＰ−Ｐ線断面図、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。図４および図５に示す
ように、中空シャフトを有するモータ１５０の上部フラ
ンジ１５１、内部が中空になったシャフト１５２が順に
ボルトによって締結されている。シャフト１５２の上部
にはベアリング１５３によりセットリング１５４が支持
されている。セットリング１５４の上面にはテーブル１
５９が固定され、このテーブル１５９に研磨テーブル３
５がボルト１９０により固定されている。研磨テーブル
３５の上面には、図２に示す研磨パッド又は固定砥粒か
らなる研磨工具１が貼り付けられている。研磨テーブル
３５の外径は、半導体ウエハＷの直径＋２“ｅ”以上に
設定されていて、研磨テーブル３５がスクロール運動
（並進円運動）をしても半導体ウエハＷが研磨テーブル
３５からはみ出さない大きさになっている。Next, another embodiment of the polishing table is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. The polishing tables shown in FIGS. 4 and 5 perform a scroll motion (translational circular motion). FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the polishing table, and FIG.
FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the line PP of FIG. 4, and FIG.
It is a XX sectional view taken on the line of (a). As shown in FIGS. 4 and 5, an upper flange 151 of a motor 150 having a hollow shaft and a shaft 152 having a hollow inside are fastened in order by bolts. A set ring 154 is supported by an upper portion of the shaft 152 by a bearing 153. Table 1 is on the upper surface of set ring 154.
59 is fixed, and the polishing table 3
5 is fixed by bolts 190. The polishing tool 1 made of the polishing pad or the fixed abrasive shown in FIG. 2 is attached to the upper surface of the polishing table 35. The outer diameter of the polishing table 35 is set to be equal to or more than the diameter of the semiconductor wafer W + 2 “e”, and the semiconductor wafer W does not protrude from the polishing table 35 even if the polishing table 35 performs a scroll motion (translational circular motion). It is sized.
【００２１】前記セットリング１５４には、周方向に３
つ以上の支持部１５８が形成され、テーブル１５９が支
持されている。即ち、この支持部１５８の上面とテーブ
ル１５９の下面の対応する位置には、周方向に等間隔に
複数の凹所１６０，１６１が形成され、これらの凹所１
６０，１６１にはベアリング１６２，１６３がそれぞれ
装着されている。ベアリング１６２，１６３には、図４
および図５に示すように、“ｅ”だけずれた２つの軸体
１６４，１６５を持つ支持部材１６６が各軸体の端部を
挿入して支持され、モータ１５０を回転することにより
研磨テーブル３５が半径“ｅ”の円に沿って並進運動
（公転運動）可能となっている。The set ring 154 has three circumferentially
One or more support portions 158 are formed, and the table 159 is supported. That is, a plurality of recesses 160, 161 are formed at equal intervals in the circumferential direction at positions corresponding to the upper surface of the support portion 158 and the lower surface of the table 159.
Bearings 162 and 163 are mounted on 60 and 161 respectively. The bearings 162 and 163 have the structure shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a supporting member 166 having two shafts 164 and 165 shifted by “e” is supported by inserting the ends of the shafts, and the polishing table 35 is rotated by rotating the motor 150. Are able to translate (revolve) along a circle of radius “e”.
【００２２】また、フランジ１５１がモータ１５０とシ
ャフト１５２との間で同様に“ｅ”だけ偏心している。
偏心による負荷のバランスを取るためバランサ１６７が
シャフト１５２に取り付けられている。供給される研磨
液は純水や薬液やスラリー等のうち最適なものが選定さ
れ、必要に応じて一種類以上の研磨液が同時に、または
交互に、または順番に供給されるように制御される。研
磨中の研磨液から並進運動を行う機構を保護するため
に、研磨テーブル３５にフリンガー１６９が取り付けら
れていて、樋１７０とラビリンス機構を形成している。The flange 151 is similarly eccentric by "e" between the motor 150 and the shaft 152.
A balancer 167 is attached to the shaft 152 to balance the load due to the eccentricity. The polishing liquid to be supplied is selected from the optimal one among pure water, a chemical liquid, a slurry, and the like, and is controlled so that one or more polishing liquids are supplied simultaneously, alternately, or sequentially as necessary. . A flinger 169 is attached to the polishing table 35 to protect the mechanism performing the translational movement from the polishing liquid during polishing, and forms a labyrinth mechanism with the gutter 170.
【００２３】上述の構成において、モータ１５０の作動
によって研磨テーブル５が非回転運動である並進円運動
（スクロール運動）し、トップリング１０（図１参照）
に保持された半導体ウエハＷは研磨テーブル５上の研磨
工具１の研磨面１ａに押し付けられる。In the above-described configuration, the polishing table 5 performs a non-rotational translational circular motion (scrolling motion) by the operation of the motor 150, and the top ring 10 (see FIG. 1).
Is pressed against the polishing surface 1 a of the polishing tool 1 on the polishing table 5.
【００２４】研磨液供給ノズル（図示せず）から研磨液
が研磨工具１の研磨面１ａに供給され、半導体ウエハＷ
の研磨が行われる。研磨工具１の研磨面１ａと半導体ウ
エハＷの間には、半径“ｅ”の微小な相対並進円運動
（スクロール運動）が生じて、研磨面全体において等し
い相対速度を生じる。従って、半導体ウエハＷの被研磨
面はその全面において均一な研磨がなされる。なお、半
導体ウエハＷの被研磨面と研磨工具１の研磨面１ａの位
置関係が同じであると、研磨面１ａの局部的な差異によ
る影響を受けるので、これを避けるためにトップリング
１０を徐々に自転させて、半導体ウエハＷが研磨面１ａ
の同じ場所のみで研磨されるのを防止している。本実施
形態のスクロール運動を行う研磨工具１においても、図
１及び図２に示す実施形態のものと同様の作用効果を奏
する。A polishing liquid is supplied to the polishing surface 1a of the polishing tool 1 from a polishing liquid supply nozzle (not shown).
Is polished. Between the polishing surface 1a of the polishing tool 1 and the semiconductor wafer W, a small relative translational circular motion (scroll motion) having a radius "e" occurs, and an equal relative velocity is generated on the entire polishing surface. Therefore, the surface to be polished of the semiconductor wafer W is uniformly polished over the entire surface. Note that if the positional relationship between the surface to be polished of the semiconductor wafer W and the polishing surface 1a of the polishing tool 1 is the same, the top ring 10 is gradually removed in order to avoid the influence of local differences in the polishing surface 1a. And the semiconductor wafer W is polished surface 1a.
To prevent polishing only at the same location. The same effects as those of the embodiment shown in FIG. 1 and FIG.
【００２５】次に、図１乃至図５に示すポリッシング装
置を備えるとともに洗浄装置を組み込んだ半導体処理装
置を図６及び図７を参照して説明する。最近、化学的機
械的研磨を行うポリッシング装置において、半導体ウエ
ハを乾燥状態で入れ乾燥状態で出す、所謂ドライイン・
ドライアウトの構成を有した装置が採用されている。装
置の構成としては、乾燥した状態の半導体ウエハを装置
内に入れて研磨を行った後に、洗浄ユニット及びスピン
乾燥ユニットにより、パーティクルを除去し、乾燥した
状態で半導体ウエハを装置から取り出すようにしてい
る。図６はドライイン・ドライアウト方式の半導体処理
装置の全体構成を示す平面図であり、図７は図６に示す
半導体処理装置の立面図である。図６に示すように、半
導体処理装置は多数の半導体ウエハをストックするウエ
ハカセット５１を載置するロードアンロードステージ５
２を４つ備えている。ロードアンロードステージ５２は
昇降可能な機構を有していても良い。ロードアンロード
ステージ５２上の各ウエハカセット５１に到達可能とな
るように、走行機構５３の上に２つのハンドを有した搬
送ロボット４が配置されている。Next, a semiconductor processing apparatus having the polishing apparatus shown in FIGS. 1 to 5 and incorporating a cleaning apparatus will be described with reference to FIGS. Recently, in a polishing apparatus that performs chemical mechanical polishing, a semiconductor wafer is put in a dry state and put out in a dry state, that is, a so-called dry-in process.
An apparatus having a dry-out configuration is employed. As a configuration of the apparatus, after the semiconductor wafer in a dry state is put into the apparatus and polished, the particles are removed by a cleaning unit and a spin drying unit, and the semiconductor wafer is taken out of the apparatus in a dry state. I have. FIG. 6 is a plan view showing the overall configuration of a dry-in / dry-out type semiconductor processing apparatus, and FIG. 7 is an elevation view of the semiconductor processing apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 6, the semiconductor processing apparatus includes a load / unload stage 5 on which a wafer cassette 51 for storing a large number of semiconductor wafers is placed.
2 are provided. The load / unload stage 52 may have a mechanism that can move up and down. The transport robot 4 having two hands is arranged on the traveling mechanism 53 so as to be able to reach each wafer cassette 51 on the load / unload stage 52.
【００２６】搬送ロボット４の走行機構５３を対称軸
に、ウエハカセット５１とは反対側に２台の洗浄機５
５，６５が配置されている。各洗浄機５５，６５は搬送
ロボット４のハンドが到達可能な位置に配置されてい
る。また２台の洗浄機５５，６５の間で、搬送ロボット
４が到達可能な位置に、４つの半導体ウエハの載置台
７，８，９，１９を備えたウエハステーション４８が配
置されている。前記洗浄機５５，６５は、半導体ウエハ
を高速回転させて乾燥させるスピンドライ機能を有して
おり、これにより半導体ウエハの２段洗浄及び３段洗浄
にモジュール交換することなく対応することができる。The two cleaning machines 5 are mounted on the opposite side of the wafer cassette 51 with the traveling mechanism 53 of the transfer robot 4 as the axis of symmetry.
5, 65 are arranged. Each of the washing machines 55 and 65 is arranged at a position where the hand of the transfer robot 4 can reach. Further, a wafer station 48 having four semiconductor wafer mounting tables 7, 8, 9, 19 is disposed at a position where the transfer robot 4 can reach between the two cleaning machines 55, 65. The washing machines 55 and 65 have a spin-drying function of rotating and drying the semiconductor wafer at a high speed, so that it is possible to perform the two-stage cleaning and the three-stage cleaning of the semiconductor wafer without changing modules.
【００２７】前記洗浄機５５，６５と載置台７，８，
９，１９が配置されている領域Ｂと前記ウエハカセット
５１と搬送ロボット４が配置されている領域Ａのクリー
ン度を分けるために隔壁１４が配置され、互いの領域の
間で半導体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャ
ッター１１が設けられている。洗浄機５５と３つの載置
台７，９，１９に到達可能な位置に２つのハンドを有し
た搬送ロボット３２が配置されており、洗浄機６５と３
つの載置台８，９，１９に到達可能な位置に２つのハン
ドを有した搬送ロボット３３が配置されている。The washing machines 55, 65 and the mounting tables 7, 8,
Partitions 14 are arranged to separate the cleanliness of the area B where the wafers 9 and 19 are arranged and the area A where the wafer cassette 51 and the transfer robot 4 are arranged, and the semiconductor wafer is transferred between the areas. Shutter 11 is provided in the opening of the partition wall. The transfer robot 32 having two hands is arranged at a position where the washing machine 55 and the three mounting tables 7, 9, and 19 can be reached.
A transfer robot 33 having two hands is arranged at a position where it can reach one of the mounting tables 8, 9, and 19.
【００２８】前記載置台７は、搬送ロボット４と搬送ロ
ボット３２との間で半導体ウエハを互いに受渡すために
使用され、載置台８は、搬送ロボット４と搬送ロボット
３３との間で半導体ウエハを受渡すために使用される。
載置台９は、搬送ロボット３３から搬送ロボット３２へ
半導体ウエハを搬送するために使用され、載置台１９
は、搬送ロボット３２から搬送ロボット３３へ半導体ウ
エハを搬送するために使用される。The mounting table 7 is used to transfer semiconductor wafers between the transfer robot 4 and the transfer robot 32, and the mounting table 8 transfers semiconductor wafers between the transfer robot 4 and the transfer robot 33. Used to deliver.
The mounting table 9 is used for transferring a semiconductor wafer from the transfer robot 33 to the transfer robot 32.
Is used to transfer a semiconductor wafer from the transfer robot 32 to the transfer robot 33.
【００２９】前記洗浄機５５と隣接するように搬送ロボ
ット３２のハンドが到達可能な位置に洗浄機２２が配置
されている。また、洗浄機６５と隣接するように搬送ロ
ボット３３のハンドが到達可能な位置に洗浄機２３が配
置されている。前記洗浄機５５，６５，２２，２３とウ
エハステーション４８の載置台７，８，９，１９と搬送
ロボット３２，３３は全て領域Ｂの中に配置されてい
て、領域Ｂ内の気圧は領域Ａ内の気圧よりも低い気圧に
調整されている。前記洗浄機２２，２３は、両面洗浄可
能な洗浄機である。The washing machine 22 is arranged adjacent to the washing machine 55 at a position where the hand of the transfer robot 32 can reach. Further, the washing machine 23 is arranged at a position where the hand of the transfer robot 33 can reach so as to be adjacent to the washing machine 65. The cleaning machines 55, 65, 22, and 23, the mounting tables 7, 8, 9, and 19 of the wafer station 48, and the transfer robots 32 and 33 are all disposed in the area B. It is adjusted to a pressure lower than the internal pressure. The washing machines 22 and 23 are washing machines capable of washing both sides.
【００３０】図６に示す半導体処理装置は、各機器を囲
むようにハウジング４６を有しており、前記ハウジング
４６内は隔壁１４、隔壁１５、隔壁１６、隔壁２４、お
よび隔壁４７により複数の部屋（領域Ａ、領域Ｂを含
む）に区画されている。The semiconductor processing apparatus shown in FIG. 6 has a housing 46 so as to surround each device, and the inside of the housing 46 is divided into a plurality of rooms by a partition 14, a partition 15, a partition 16, a partition 24 and a partition 47. (Including region A and region B).
【００３１】隔壁２４によって領域Ｂと区分されたポリ
ッシング室が形成され、ポリッシング室は更に隔壁４７
によって２つの領域ＣとＤに区分されている。そして、
２つの領域Ｃ，Ｄには、図１に示す回転運動を行う研磨
テーブル５と、図４に示すスクロール運動を行う研磨テ
ーブル３５とがそれぞれ設置されている。研磨テーブル
５および研磨テーブル３５の上面には、図２に示す研磨
工具１が設置されている。この場合、研磨テーブル５に
は研磨パッドからなる研磨工具１が固定され、研磨テー
ブル３５には固定砥粒からなる研磨工具１が固定されて
いる。また２つの領域Ｃ，Ｄには、１枚の半導体ウエハ
を保持し且つ半導体ウエハを前記研磨テーブル５，３５
に対して押し付けながら研磨するための１つのトップリ
ング１０と、研磨テーブル５に研磨液を供給するための
砥液供給ノズル２１と、研磨テーブル５のドレッシング
を行うためのドレッサ２０と、研磨テーブル３５のドレ
ッシングを行うドレッサ５０とがそれぞれ配置されてい
る。A polishing chamber separated from the region B by the partition wall 24 is formed.
Is divided into two areas C and D. And
In the two regions C and D, a polishing table 5 for performing a rotary motion shown in FIG. 1 and a polishing table 35 for performing a scroll motion shown in FIG. 4 are provided, respectively. On the upper surfaces of the polishing table 5 and the polishing table 35, the polishing tool 1 shown in FIG. In this case, the polishing tool 1 made of a polishing pad is fixed to the polishing table 5, and the polishing tool 1 made of fixed abrasive is fixed to the polishing table 35. In the two regions C and D, one semiconductor wafer is held and the semiconductor wafer is placed on the polishing tables 5 and 35.
One top ring 10 for polishing while pressing against, a polishing liquid supply nozzle 21 for supplying a polishing liquid to the polishing table 5, a dresser 20 for dressing the polishing table 5, and a polishing table 35 And a dresser 50 for performing dressing.
【００３２】図７はトップリング１０と研磨テーブル
５，３５との関係を示す図である。図７に示すように、
トップリング１０は回転可能なトップリング駆動軸９１
によってトップリングヘッド３１から吊下されている。
トップリングヘッド３１は位置決め可能な揺動軸９２に
よって支持されており、揺動軸９２を回転させることで
トップリング１０は研磨テーブル５，３５およびロータ
リトランスポータ２７（後述する）にアクセス可能にな
っている。また、ドレッサ２０は回転可能なドレッサ駆
動軸９３によってドレッサヘッド９４から吊下されてい
る。ドレッサヘッド９４は位置決め可能な揺動軸９５に
よって支持されており、揺動軸９５を回転させることで
ドレッサ２０は待機位置と研磨テーブル５上のドレッサ
位置との間を移動可能になっている。研磨テーブル５、
ドレッサ２０は、共に自転するタイプのものである。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the top ring 10 and the polishing tables 5 and 35. As shown in FIG.
The top ring 10 has a rotatable top ring drive shaft 91.
From the top ring head 31.
The top ring head 31 is supported by a swing shaft 92 that can be positioned. By rotating the swing shaft 92, the top ring 10 can access the polishing tables 5, 35 and the rotary transporter 27 (described later). ing. The dresser 20 is suspended from a dresser head 94 by a rotatable dresser drive shaft 93. The dresser head 94 is supported by a swing shaft 95 that can be positioned. By rotating the swing shaft 95, the dresser 20 can move between a standby position and a dresser position on the polishing table 5. Polishing table 5,
The dresser 20 is of a type that rotates together.
【００３３】図６に示すように、長尺状に延びるドレッ
サ５０が設置されており、ドレッサ５０をスクロール運
動する研磨テーブル３５の表面に沿って平行移動するこ
とにより該研磨テーブル３５上の研磨工具１の研磨面１
ａをドレッシングするようになっている。隔壁２４によ
って領域Ｂとは区切られた領域Ｃの中にあって、搬送ロ
ボット３２のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを
反転させる反転機２８が配置されており、搬送ロボット
３３のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転さ
せる反転機２８’が配置されている。また、領域Ｂと領
域Ｃを区切る隔壁２４には、半導体ウエハ搬送用の開口
部が設けられ、反転機２８と反転機２８’それぞれの専
用のシャッター２５，２６が開口部に設けられている。As shown in FIG. 6, a dresser 50 extending in a long shape is provided, and the dresser 50 is moved in parallel along the surface of the polishing table 35 which scrolls, whereby the polishing tool on the polishing table 35 is moved. Polished surface 1
a is dressed. In a region C separated from the region B by the partition wall 24, a reversing device 28 for reversing the semiconductor wafer is disposed at a position where the hand of the transfer robot 32 can reach, and the hand of the transfer robot 33 reaches A reversing machine 28 'for reversing the semiconductor wafer is arranged at a possible position. An opening for transferring a semiconductor wafer is provided in the partition wall 24 that separates the region B from the region C, and dedicated shutters 25 and 26 for the reversing machine 28 and the reversing machine 28 ′ are provided in the opening.
【００３４】前記反転機２８及び２８’とトップリング
１０の下方に、洗浄室（領域Ｂ）とポリッシング室（領
域Ｃ，Ｄ）の間で半導体ウエハを搬送するロータリトラ
ンスポータ２７が配置されている。ロータリトランスポ
ータ２７には、半導体ウエハを載せるステージが４ヶ所
等配に設けてあり、同時に複数の半導体ウエハが搭載可
能になっている。反転機２８及び２８’に搬送された半
導体ウエハは、ロータリトランスポータ２７のステージ
の中心と、反転機２８または２８’でチャックされた半
導体ウエハの中心の位相が合った時に、ロータリトラン
スポータ２７の下方に設置されたリフタ２９または２
９’が昇降することで、ロータリトランスポータ２７上
に搬送される。ロータリトランスポータ２７のステージ
上に載せられた半導体ウエハは、ロータリトランスポー
タ２７の位置を９０°変えることで、一方のトップリン
グ１０の下方へ搬送される。トップリング１０は予めロ
ータリトランスポータ２７の位置に揺動している。トッ
プリング１０の中心が前記ロータリトランスポータ２７
に搭載された半導体ウエハの中心と位相が合ったとき、
それらの下方に配置されたプッシャー３０または３０’
が昇降することで、半導体ウエハはロータリトランスポ
ータ２７から一方のトップリング１０へ移送される。Below the reversing machines 28 and 28 'and the top ring 10, a rotary transporter 27 for transferring a semiconductor wafer between a cleaning chamber (area B) and a polishing chamber (areas C and D) is arranged. . The rotary transporter 27 is provided with stages on which semiconductor wafers are mounted at four equally spaced positions, so that a plurality of semiconductor wafers can be mounted at the same time. When the phase of the center of the stage of the rotary transporter 27 and the phase of the center of the semiconductor wafer chucked by the reversing machine 28 or 28 ′ match with each other, the semiconductor wafers transferred to the reversing machines 28 and 28 ′ are rotated. Lifter 29 or 2 installed below
As 9 ′ moves up and down, it is transported onto the rotary transporter 27. The semiconductor wafer placed on the stage of the rotary transporter 27 is transferred below one of the top rings 10 by changing the position of the rotary transporter 27 by 90 °. The top ring 10 has been swung to the position of the rotary transporter 27 in advance. The center of the top ring 10 is the rotary transporter 27
When the phase matches the center of the semiconductor wafer mounted on
Pushers 30 or 30 'located below them
The semiconductor wafer is transferred from the rotary transporter 27 to one of the top rings 10 by moving up and down.
【００３５】前記トップリング１０に移送された半導体
ウエハは、トップリングの真空吸着機構により吸着さ
れ、半導体ウエハは研磨テーブル５まで吸着されたまま
搬送される。そして、半導体ウエハは研磨テーブル５上
に取り付けられた研磨パッドからなる研磨工具１で研磨
される。トップリング１０がそれぞれに到達可能な位置
に、前述したスクロール運動を行う第２の研磨テーブル
３５が配置されている。これにより、半導体ウエハは第
１の研磨テーブル５で研磨が終了した後、第２の研磨テ
ーブル３５上に取り付けられた固定砥粒からなる研磨工
具１で研磨できるようになっている。半導体ウエハに付
けられた膜種によっては、第２の研磨テーブル３５で研
磨された後、第１の研磨テーブル５で研磨される。この
場合、第２の研磨テーブル３５の研磨面が小径であるこ
とから、研磨パッドに比べて値段の高い固定砥粒からな
る研磨工具１を設け、粗削りをした後に、大径の第１の
研磨テーブル５に寿命が固定砥粒に比べて短い研磨パッ
ドからなる研磨工具１を設けて仕上げ研磨をすること
で、ランニングコストを低減することが可能である。The semiconductor wafer transferred to the top ring 10 is suctioned by a vacuum suction mechanism of the top ring, and the semiconductor wafer is transported while being suctioned to the polishing table 5. Then, the semiconductor wafer is polished by the polishing tool 1 including a polishing pad mounted on the polishing table 5. A second polishing table 35 that performs the above-described scroll motion is disposed at a position where the top ring 10 can reach each. Thus, after the semiconductor wafer has been polished by the first polishing table 5, the semiconductor wafer can be polished by the polishing tool 1 made of fixed abrasive grains mounted on the second polishing table 35. Depending on the type of film applied to the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is polished by the second polishing table 35 and then polished by the first polishing table 5. In this case, since the polishing surface of the second polishing table 35 has a small diameter, the polishing tool 1 made of fixed abrasives, which is more expensive than the polishing pad, is provided. The running cost can be reduced by providing the table 5 with the polishing tool 1 made of a polishing pad having a shorter life than the fixed abrasive grains and performing finish polishing.
【００３６】前述したように、第１の研磨テーブル５を
研磨パッド、第２の研磨テーブル３５を固定砥粒とする
ことにより、安価な研磨テーブルを供給できる。という
のは、固定砥粒の価格は研磨パッドより高く、径にほぼ
比例して高くなる。また、固定砥粒より研磨パッドの方
が寿命が短いので、仕上げ研磨のように軽荷重で行った
方が寿命が延びる。また、径が大きいと接触頻度が分散
でき、寿命が延びる。よって、メンテナンス周期が延
び、生産性が向上する。As described above, an inexpensive polishing table can be supplied by using the first polishing table 5 as the polishing pad and the second polishing table 35 as the fixed abrasive. Because the price of fixed abrasives is higher than that of polishing pads, they increase almost in proportion to the diameter. Further, since the life of the polishing pad is shorter than that of the fixed abrasive, the life is longer when the polishing is performed with a light load such as the finish polishing. Further, when the diameter is large, the contact frequency can be dispersed, and the life is prolonged. Therefore, the maintenance cycle is extended, and the productivity is improved.
【００３７】第１の研磨テーブル５（又は第２の研磨テ
ーブル３５）で半導体ウエハを研磨した後に、第２の研
磨テーブル３５（又は第１の研磨テーブル５）にトップ
リング１０が移動する前に、トップリング１０が研磨テ
ーブル５（又は３５）から離間した位置で、研磨テーブ
ル５（又は３５）に隣接して設置された洗浄液ノズル
（図示せず）によりトップリング１０に保持された半導
体ウエハに向けて洗浄液が噴射される。これにより、第
２の研磨テーブル３５（又は第１の研磨テーブル５）へ
移動する前に半導体ウエハが一旦リンスされるので、複
数の研磨テーブル相互間の汚染が防止できる。After the semiconductor wafer is polished by the first polishing table 5 (or the second polishing table 35), before the top ring 10 is moved to the second polishing table 35 (or the first polishing table 5). At a position where the top ring 10 is separated from the polishing table 5 (or 35), the semiconductor wafer held on the top ring 10 by a cleaning liquid nozzle (not shown) installed adjacent to the polishing table 5 (or 35). The cleaning liquid is sprayed toward. Thereby, the semiconductor wafer is once rinsed before moving to the second polishing table 35 (or the first polishing table 5), so that contamination between the plurality of polishing tables can be prevented.
【００３８】次に、図６に示すポリッシング装置で半導
体ウエハのポリッシングを行う場合の半導体ウエハの流
れの一例として、２カセットパラレル処理について説明
する。すなわち、一方の半導体ウエハは、ウエハカセッ
ト５１→搬送ロボット４→ウエハステーションの置き台
７→搬送ロボット３２→反転機２８→ロータリトランス
ポータ２７のロード用の置き台→トップリング１０→第
１の研磨テーブル５（又は第２の研磨テーブル３５）→
第２の研磨テーブル３５（又は第１の研磨テーブル５）
→ロータリトランスポータ２７のアンロード用の置き台
→反転機２８→搬送ロボット３２→洗浄機２２→搬送ロ
ボット３２→洗浄機５５→搬送ロボット４→ウエハカセ
ット５１に至る経路を経る。Next, a two-cassette parallel process will be described as an example of the flow of a semiconductor wafer when polishing the semiconductor wafer by the polishing apparatus shown in FIG. That is, for one semiconductor wafer, the wafer cassette 51 → the transfer robot 4 → the pedestal 7 of the wafer station → the transfer robot 32 → the reversing device 28 → the loading pedestal of the rotary transporter 27 → the top ring 10 → the first polishing Table 5 (or second polishing table 35) →
Second polishing table 35 (or first polishing table 5)
→ a table for unloading the rotary transporter 27 → a reversing machine 28 → a transfer robot 32 → a washing machine 22 → a transfer robot 32 → a washing machine 55 → a transfer robot 4 → a wafer cassette 51.
【００３９】また、他方の半導体ウエハは、ウエハカセ
ット５１→搬送ロボット４→ウエハステーションの置き
台８→搬送ロボット３３→反転機２８’→ロータリトラ
ンスポータ２７のロード用の置き台→トップリング１０
→第１の研磨テーブル５（又は第２の研磨テーブル３
５）→第２の研磨テーブル３５（又は第１の研磨テーブ
ル５）→ロータリトランスポータ２７のアンロード用の
置き台→反転機２８’→搬送ロボット３３→洗浄機２３
→搬送ロボット３３→洗浄機６→搬送ロボット４→ウエ
ハカセット５１に至る経路を経る。The other semiconductor wafer is transferred from the wafer cassette 51 to the transfer robot 4 to the mounting table 8 for the wafer station, to the transfer robot 33, to the reversing device 28 ', to the mounting table for loading the rotary transporter 27, and to the top ring 10.
→ First polishing table 5 (or second polishing table 3)
5) → second polishing table 35 (or first polishing table 5) → table for unloading rotary transporter 27 → reversing machine 28 ′ → transfer robot 33 → washing machine 23
The route goes from the transfer robot 33 to the cleaning machine 6 to the transfer robot 4 to the wafer cassette 51.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨工具の回転により、スパイラル溝には、遠心力によ
るポンプ作用が働き、ダイヤモンド粒子や研磨液中の粒
子などの有害な大粒径粒子を、スパイラル溝の中を、研
磨液と一緒に研磨工具の外周側に流し去ることができ
る。したがって、基板の被研磨面に大小のスクラッチが
発生することを防止できるとともに、基板の被研磨面の
全面を均一に研磨工具に押圧することができ、安定した
研磨性能を得ることができる。また、研磨時に、スパイ
ラル溝を通して基板の被研磨面にスラリー状の研磨液を
安定して供給できるので、安定した研磨性能を得ること
ができる。さらに、スパイラル溝を通して研磨面が大気
圧になり、半導体ウエハと研磨工具が密着しなくなるた
め、半導体ウエハが破損するトラブルがなくなる。As described above, according to the present invention,
Pump action by centrifugal force acts on the spiral groove by the rotation of the polishing tool, and harmful large-diameter particles such as diamond particles and particles in the polishing liquid are removed from the spiral groove along with the polishing liquid in the spiral groove. Can be washed away on the outer peripheral side of the. Therefore, generation of large and small scratches on the surface to be polished of the substrate can be prevented, and the entire surface of the surface to be polished of the substrate can be uniformly pressed by the polishing tool, so that stable polishing performance can be obtained. In addition, during polishing, a slurry-like polishing liquid can be stably supplied to the surface to be polished of the substrate through the spiral groove, so that stable polishing performance can be obtained. Further, since the polishing surface is at atmospheric pressure through the spiral groove and the semiconductor wafer and the polishing tool do not come into close contact with each other, there is no trouble that the semiconductor wafer is damaged.
【図１】本発明の研磨工具を備えたポリッシング装置を
示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a polishing apparatus provided with a polishing tool of the present invention.
【図２】図１に示す研磨工具の詳細を示す平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view showing details of the polishing tool shown in FIG. 1;
【図３】研磨工具の他の実施形態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing another embodiment of the polishing tool.
【図４】研磨テーブルの他の実施形態を示す縦断面図で
ある。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing another embodiment of the polishing table.
【図５】図５（ａ）は図４のＰ−Ｐ線断面図、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。5A is a cross-sectional view taken along the line PP of FIG. 4, FIG.
FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.
【図６】ドライイン・ドライアウト方式の半導体処理装
置の全体構成を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an overall configuration of a dry-in / dry-out type semiconductor processing apparatus.
【図７】図６に示す半導体処理装置の立面図である。FIG. 7 is an elevation view of the semiconductor processing apparatus shown in FIG. 6;
【図８】全面に格子状の溝を形成した研磨パッドを示す
図である。FIG. 8 is a view showing a polishing pad in which lattice grooves are formed on the entire surface.
【図９】全面に多数のディンプル（くぼみ）を形成した
研磨パッドを示す図である。FIG. 9 is a view showing a polishing pad having a large number of dimples (dents) formed on the entire surface.
１ 研磨工具 １ａ 研磨面 ２，３ スパイラル溝 ４ 搬送ロボット ５，３５ 研磨テーブル ７，８，９，１９ 載置台 １０ トップリング １１ シャッター １４，１５，１６，２４，４７ 隔壁 ２０，５０ ドレッサ ２１ 研磨液供給ノズル ２２，２３，５５，６５ 洗浄機 ２７ ロータリトランスポータ ２８，２８’ 反転機 ２９，２９’ リフタ ３０，３０’ プッシャー ３１ トップリングヘッド ３２，３３ 搬送ロボット ４６ ハウジング ４８ ウエハステーション ５１ ウエハカセット ５２ ロードアンロードステージ ５３ 走行機構 ９２，９５ 揺動軸 ９３ ドレッサ駆動軸 ９４ ドレッサヘッド １５０ モータ １５１ 上部フランジ １５２ シャフト １５３，１６２，１６３ ベアリング １５４ セットリング １５８ 支持部 １５９ テーブル １６０，１６１ 凹所 １６４，１６５ 軸体 １６６ 支持部材 １６７ バランサ １６９ フリンガー １７０ 樋 １９０ ボルト Ｗ 半導体ウエハ Reference Signs List 1 polishing tool 1a polishing surface 2, 3 spiral groove 4 transfer robot 5, 35 polishing table 7, 8, 9, 19 mounting table 10 top ring 11 shutter 14, 15, 16, 24, 47 partition wall 20, 50 dresser 21 polishing liquid Supply nozzle 22, 23, 55, 65 Washing machine 27 Rotary transporter 28, 28 'Reversing machine 29, 29' Lifter 30, 30 'Pusher 31 Top ring head 32, 33 Transfer robot 46 Housing 48 Wafer station 51 Wafer cassette 52 Load Unload stage 53 Running mechanism 92,95 Swing shaft 93 Dresser drive shaft 94 Dresser head 150 Motor 151 Upper flange 152 Shaft 153,162,163 Bearing 154 Set ring 158 Support 159 Table 160 161 recess 164, 165 shaft 166 support member 167 balancer 169 flinger 170 trough 190 volts W semiconductor wafer
Claims (6)
用をなす研磨面を構成する研磨工具において、 前記研磨工具の上面に、該研磨工具の中央部から外周縁
まで延びる複数のスパイラル溝を形成したことを特徴と
する研磨工具。1. A polishing tool which forms a polishing surface that performs a polishing action by slidingly contacting a substrate to be polished, wherein a plurality of spiral grooves extending from a central portion of the polishing tool to an outer peripheral edge are formed on an upper surface of the polishing tool. A polishing tool characterized in that a polishing tool is formed.
かれていることを特徴とする請求項１記載の研磨工具。2. The polishing tool according to claim 1, wherein the plurality of spiral grooves are wound in one direction.
かれている複数の第１スパイラル溝と、該第１スパイラ
ル溝と反対の方向に巻かれている複数の第２スパイラル
溝とからなることを特徴とする請求項１記載の研磨工
具。3. The plurality of spiral grooves include a plurality of first spiral grooves wound in one direction and a plurality of second spiral grooves wound in a direction opposite to the first spiral groove. The polishing tool according to claim 1, wherein:
わりまでの巻き角度は、９０゜〜４５０゜であることを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の研磨
工具。4. The polishing tool according to claim 1, wherein a winding angle of the spiral groove from a winding start to a winding end is 90 ° to 450 °.
粒からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
１項に記載の研磨工具。5. The polishing tool according to claim 1, wherein the polishing tool comprises a polishing pad or fixed abrasive.
研磨工具を具備した研磨テーブルと、ポリッシング対象
物である基板を保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧
するトップリングとを備えたことを特徴とするポリッシ
ング装置。6. A polishing table provided with the polishing tool according to claim 1, and a top ring for holding a substrate to be polished and pressing against a polishing surface on the polishing table. A polishing apparatus, comprising:
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000402031A JP2002200555A (en) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Polishing tool and polishing device with polishing tool |
| US10/028,717 US20020083577A1 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Polishing member and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000402031A JP2002200555A (en) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Polishing tool and polishing device with polishing tool |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002200555A true JP2002200555A (en) | 2002-07-16 |
| JP2002200555A5 JP2002200555A5 (en) | 2004-12-09 |
Family
ID=18866384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000402031A Pending JP2002200555A (en) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Polishing tool and polishing device with polishing tool |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020083577A1 (en) |
| JP (1) | JP2002200555A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004351561A (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nippei Toyama Corp | Device and method for dressing grinding wheel tool |
| WO2006003697A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Grinding pad and method of producing the same |
| JP2006332585A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Hynix Semiconductor Inc | Polishing pad and chemical mechanical polishing device employing it |
| JP2008068394A (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | Cmp pad having overlaid constant area spiral groove |
| JP2008290197A (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Nihon Micro Coating Co Ltd | Polishing pad and method |
| US7591713B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-09-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing pad, method for processing polishing pad, and method for producing substrate using it |
| JP2014008577A (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Fujibo Holdings Inc | Abrasive pad and manufacturing method of the same |
| WO2014156840A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Polishing pad and polishing method |
| JP2014195840A (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Abrasive pad |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802761B1 (en) | 2003-03-20 | 2004-10-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Pattern-electroplated lapping plates for reduced loads during single slider lapping and process for their fabrication |
| US6955587B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-10-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Grooved polishing pad and method |
| US7059950B1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP polishing pad having grooves arranged to improve polishing medium utilization |
| US7059949B1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement |
| US20140024299A1 (en) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Wen-Chiang Tu | Polishing Pad and Multi-Head Polishing System |
| US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
| KR102630261B1 (en) | 2014-10-17 | 2024-01-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
| US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
| US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
| JP6940495B2 (en) | 2015-10-30 | 2021-09-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Equipment and methods for forming abrasive articles with the desired zeta potential |
| CN106853610B (en) * | 2015-12-08 | 2019-11-01 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | Polishing pad and its monitoring method and monitoring system |
| US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
| US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
| WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | Abrasive delivery polishing pads and manufacturing methods thereof |
| US11260495B2 (en) * | 2018-07-27 | 2022-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing |
| CN112654655A (en) | 2018-09-04 | 2021-04-13 | 应用材料公司 | Advanced polishing pad formulations |
| US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
| CN115106931A (en) * | 2022-06-23 | 2022-09-27 | 万华化学集团电子材料有限公司 | Chemical mechanical polishing pad with labyrinth-shaped grooves and application thereof |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5216843A (en) * | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
| US5650039A (en) * | 1994-03-02 | 1997-07-22 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution |
| US5690540A (en) * | 1996-02-23 | 1997-11-25 | Micron Technology, Inc. | Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
| US5733176A (en) * | 1996-05-24 | 1998-03-31 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and method of use |
| US6090475A (en) * | 1996-05-24 | 2000-07-18 | Micron Technology Inc. | Polishing pad, methods of manufacturing and use |
| US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
| US6001001A (en) * | 1997-06-10 | 1999-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for chemical mechanical polishing of a wafer |
| US5913713A (en) * | 1997-07-31 | 1999-06-22 | International Business Machines Corporation | CMP polishing pad backside modifications for advantageous polishing results |
| US5888121A (en) * | 1997-09-23 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corporation | Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow |
| JP3076291B2 (en) * | 1997-12-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | Polishing equipment |
| US6106661A (en) * | 1998-05-08 | 2000-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing pad having a wear level indicator and system using the same |
| GB2345255B (en) * | 1998-12-29 | 2000-12-27 | United Microelectronics Corp | Chemical-Mechanical Polishing Pad |
| US6261168B1 (en) * | 1999-05-21 | 2001-07-17 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns |
| US6656019B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Grooved polishing pads and methods of use |
| US6340325B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-22 | International Business Machines Corporation | Polishing pad grooving method and apparatus |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000402031A patent/JP2002200555A/en active Pending
-
2001
- 2001-12-28 US US10/028,717 patent/US20020083577A1/en not_active Abandoned
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004351561A (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nippei Toyama Corp | Device and method for dressing grinding wheel tool |
| US7591713B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-09-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing pad, method for processing polishing pad, and method for producing substrate using it |
| US7677957B2 (en) | 2003-09-26 | 2010-03-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing apparatus, method for providing and mounting a polishing pad in a polishing apparatus, and method for producing a substrate using the polishing apparatus |
| WO2006003697A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Grinding pad and method of producing the same |
| JP2006332585A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Hynix Semiconductor Inc | Polishing pad and chemical mechanical polishing device employing it |
| JP2008068394A (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | Cmp pad having overlaid constant area spiral groove |
| JP2008290197A (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Nihon Micro Coating Co Ltd | Polishing pad and method |
| JP2014008577A (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Fujibo Holdings Inc | Abrasive pad and manufacturing method of the same |
| WO2014156840A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Polishing pad and polishing method |
| JP2014195840A (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Abrasive pad |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020083577A1 (en) | 2002-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002200555A (en) | Polishing tool and polishing device with polishing tool | |
| JP4838614B2 (en) | Semiconductor substrate planarization apparatus and planarization method | |
| TWI678750B (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
| KR100315722B1 (en) | Polishing machine for flattening substrate surface | |
| US6626736B2 (en) | Polishing apparatus | |
| JP2004517479A (en) | System and method for polishing and planarizing a semiconductor wafer using a reduced surface area polishing pad and a variable partial pad-wafer overlap technique | |
| JPH0950975A (en) | Wafer grinding device | |
| US6413156B1 (en) | Method and apparatus for polishing workpiece | |
| KR101814650B1 (en) | Polishing method and apparatus | |
| US20210323118A1 (en) | High throughput polishing modules and modular polishing systems | |
| US5975991A (en) | Method and apparatus for processing workpieces with multiple polishing elements | |
| KR20160024797A (en) | Buffing apparatus, and substrate processing apparatus | |
| TW201812928A (en) | Apparatus and method for polishing a surface of a substrate | |
| JP2019216207A (en) | Substrate processing method | |
| JP3560051B2 (en) | Substrate polishing method and apparatus | |
| US6343975B1 (en) | Chemical-mechanical polishing apparatus with circular motion pads | |
| TWI765125B (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program | |
| JP3768399B2 (en) | Dressing device and polishing device | |
| TW201922413A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method capable of removing impurities by bringing a scrubbing tool into sliding contact with the back surface of the substrate | |
| JPH11156704A (en) | Polishing device for substrate | |
| JP2003188125A (en) | Polishing apparatus | |
| JP2001038615A (en) | Polishing device | |
| JP2001018161A (en) | Polishing device | |
| JPWO2004059714A1 (en) | Polishing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2003251555A (en) | Polishing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050909 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060124 |