JP2002198594A - 広帯域ａｓｅ光源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高出力、広帯域、低リプルの、出力が安定した
広帯域ＡＳＥ光源を提供する。 【解決手段】励起光を発生する励起光源と、励起光を入
射することでＡＳＥ光を発生する希土類添加光ファイバ
と、該希土類添加光ファイバの一方の端部に配置され、
希土類添加光ファイバから放射されるＡＳＥ光を一部／
あるいは全て反射させる反射手段と、前記希土類添加光
ファイバの他方の端部と前記励起光源との間に配置さ
れ、励起光とＡＳＥ光を合波、分波する光合分波器と、
該光合分波器の励起光源側に備えた出力端子とからなる
広帯域ＡＳＥ光源において、前記出力端子側に入力側反
射減衰量が６０ｄＢ以上の光アイソレータを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、希土類添加光ファ
イバから発生される自然放出光を光源とする広帯域自然
放出光光源に関するものであり、波長多重光通信システ
ム、光計測等の光源として使用するのに適するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】希土類添加光ファイバは、ある波長範囲
の励起光を入射することにより、ある波長に対して大き
な利得を得ることができる特性を有する。このため、利
得を有する波長帯の信号光を希土類添加光ファイバ内に
透過させることで、信号光の光強度を非常に大きくする
ことが可能であり、現在光増幅器として光通信の分野に
おいて広く利用されている。希土類添加光ファイバに励
起光を入射したとき、希土類添加光ファイバは信号光の
利得を発生させると共に自然放出光も発生する。発生し
た自然放出光は、利得の影響を受けて光出力が増大す
る。このようにして発生した光は、Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ
Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ光（以
下、ＡＳＥ光）と呼ばれている。

【０００３】希土類添加光ファイバは、それ自身が持つ
大きな利得によりＡＳＥ光出力を出射することができ、
広帯域光源として使用することが可能である。近年、通
信容量の拡大に伴い、広い波長帯域を用いて、異なる波
長を持つ光信号を多重し、送受信する波長多重光通信シ
ステムが盛んに検討されており、このような背景のも
と、希土類添加光ファイバのＡＳＥ光を用いた広帯域光
源が、インコヒーレントなＷＤＭ用光源として、またＷ
ＤＭシステム用光部品の試験用光源として使用されてい
る。

【０００４】図８は従来の広帯域ＡＳＥ光源の構成を示
す図である（特公平７−１１７６６９号）。

【０００５】所定波長の励起光を発生する励起光源１０
１と、励起光を入射することでＡＳＥ光を発生する希土
類添加光ファイバ１０２と、希土類添加光ファイバから
放射されるＡＳＥ光を反射させる反射器１０３と、光合
分波器１０４と、出力端子１０５から構成され、各構成
部品は光ファイバ融着あるいはスプライス等により光学
的に結合されている。

【０００６】次にこのＡＳＥ光源１００の動作について
説明する。励起光源１０１から出射された励起光Ｌｐは
光合分波器１０４を透過し希土類添加光ファイバ１０２
へ入射される。希土類添加光ファイバは入射された励起
光ＬｐによりＡＳＥ光Ｌｂ、Ｌｆを発生する。ＡＳＥ光
Ｌｆは反射器１０３で反射され、希土類添加光ファイバ
１０２に再入射し、ＡＳＥ光Ｌｂと共に光合分波器１０
４を透過する。光合分波器１０４は励起光Ｌｐの波長の
光と、ＡＳＥ光Ｌｂ、Ｌｆの波長の光を合波、あるいは
分波する機能を持ち、光合分波器１０４を透過したＡＳ
Ｅ光Ｌｂ＋Ｌｆは出力端子１０５から出射する。

【０００７】このように反射器１０３によりＡＳＥ光Ｌ
ｆを反射させるダブルパス構成をとることにより、より
大きな光を出力することができる。また、ＡＳＥ光Ｌｂ
は１５３０〜１５７０ｎｍの短波長帯域光で、ＡＳＥ光
Ｌｆは１５７０ｎｍ以上の長波長帯域光であるため、Ａ
ＳＥ光Ｌｆを反射させＬｂと共に出力することにより、
非常に広帯域な光源が実現する。

【０００８】また、特公平７−１１７６６９号公報には
示されていないが、一般的に出力端子１０５の前段には
偏波無依存型の光アイソレータが配置される。この光ア
イソレータの役目は、希土類添加光ファイバ１０２への
反射戻り光を除去することにあり、反射戻り光による寄
生発振、およびＡＳＥ光の多重反射による利得の低下を
抑圧している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図８に示
す従来の広帯域ＡＳＥ光源１００は、反射のダブルパス
構成であるため、特に反射戻り光に対して非常に敏感と
なり、光アイソレータを配置してもなお励起光源１０１
の出力をあげると、ＡＳＥ光のリプルが発生し、出力が
不安定となり、さらに出力を上げるとある特定の波長で
寄生発振するという課題があった。

【００１０】図９は広帯域ＡＳＥ光源ＡＳＥ光のリプル
の様子を示す図である。

【００１１】リプルとは出力波形の規則的なうねりで
（図中Ｂ参照）、多重反射干渉現象の希土類添加光ファ
イバ内での増幅により生じる。このようなリプルの発生
は励起光源の出力を上げるほど大きくなり、広帯域ＡＳ
Ｅ光源の出力は非常に不安定となり、最終的には特定の
波長において寄生発振（図中Ａ参照）が見られるように
なる。

【００１２】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、広帯域、高出力で、
リプルが小さく、出力が安定した広帯域ＡＳＥ光源を提
供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明はこれらの課題を
解決するためのものであり、励起光を発生する励起光源
と、励起光を入射することでＡＳＥ光を発生する希土類
添加光ファイバと、該希土類添加光ファイバの一方の端
部に配置され、希土類添加光ファイバから放射されるＡ
ＳＥ光を一部／あるいは全て反射させる反射手段と、前
記希土類添加光ファイバの他方の端部と前記励起光源と
の間に配置され、励起光とＡＳＥ光を合波、分波する光
合分波器と、該光合分波器の励起光源側に備えた出力端
子とからなる広帯域ＡＳＥ光源において、前記出力端子
側に入力側反射減衰量が６０ｄＢ以上の光アイソレータ
を備えたことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に実施例として、本発明によ
る広帯域ＡＳＥ光源について説明する。

【００１５】図１は本発明の広帯域ＡＳＥ光源１０の実
施形態を示す構成図である。励起光源１１から出射され
た励起光Ｌｐは光合分波器１４を透過し希土類添加光フ
ァイバ１２へ入射される。希土類添加光ファイバ１２は
入射された励起光ＬｐによりＡＳＥ光Ｌｂ、Ｌｆを発生
する。ＡＳＥ光Ｌｆは反射器１３で反射され、希土類添
加光ファイバ１２に再入射し、ＡＳＥ光Ｌｂと共に光合
分波器１４を透過する。光合分波器１４は励起光Ｌｐの
波長の光と、ＡＳＥ光Ｌｂ＋Ｌｆの波長の光を合波、あ
るいは分波する機能を持ち、光合分波器１４を透過した
ＡＳＥ光Ｌｂ＋Ｌｆは光アイソレータ１６を備えた出力
端子１５の方向に分波される。光アイソレータ１６は入
射するＬｂ＋Ｌｆ光に対し順方向に配置され、希土類添
加光ファイバ１２への不要な反射を除去する機能を持
ち、光利得に伴う寄生発振を抑え、ＡＳＥ光の出力を増
加させる機能を有する。光アイソレータ１６に入射した
ＡＳＥ光Ｌｂ＋ｌｆは、光アイソレータ１６を透過し、
出力端子１５から出力される。

【００１６】励起光源１１は、例えば１．４８μｍ帯、
または０．９８μｍ帯等の波長を有する励起光Ｌｐを発
生する。また希土類添加光ファイバ１２は、希土類元素
であるエルビウム等が光ファイバのコア部にドープされ
た一般的なドープ光ファイバであり、希土類添加光ファ
イバ１２内の希土類原子は、励起光Ｌｐにより励起され
ＡＳＥ光を発生する。ＡＳＥ光はランダムな方向に進む
光の合成であり、コア内を伝搬可能なモードだけが希土
類添加光ファイバ１２を伝搬していく。

【００１７】伝搬するＡＳＥ光は１．５５μｍ帯の光
で、後方及び前方の両方向に存在し、後方伝搬光をＬ
ｂ、前方伝搬光をＬｆで示す。前方伝搬光のＡＳＥ光Ｌ
ｆは希土類添加光ファイバ１２の後半部分で再吸収さ
れ、これにより１．５８μｍ帯の誘導放出が生じる。Ａ
ＳＥ光Ｌｆはさらに反射器１３で反射され希土類添加光
ファイバ１２を逆方向に伝搬する。この反射によって、
ＡＳＥ光が再吸収される確率が高くなり、１．５８μｍ
帯の光の増幅が高い励起効率で行われるようになる。ま
た、後方伝搬光のＡＳＥ光Ｌｂは再吸収される量が少な
いため、その多くが１．５５μｍ帯の光のまま光合分波
器１４方向に伝搬する。

【００１８】ここで反射器１３は少なくともＡＳＥ光Ｌ
ｆの一部あるいは全て反射する機能を有し、例えば誘電
体多層膜からなる反射ミラー、光ファイバグレーティン
グ、ファイバループミラー、あるいは光ファイバの端面
からのフレネル反射等を使用することが可能である。

【００１９】光アイソレータ１６は、偏波無依存型のイ
ンライン型光アイソレータが用いられ、１．５８μｍ帯
のアイソレーションが５０ｄＢ以上の２段型Ｌバンド光
アイソレータが好ましい。一般に光アイソレータ１６は
レンズ、複屈折結晶、磁気光学結晶等の光学部品を空間
に配置した複合型の光モジュールである。

【００２０】ここで、希土類添加光ファイバ１２への不
要な反射戻り光Ｌｒが引き起こすリプルについて説明す
る。反射戻り光Ｌｒは、希土類添加光ファイバ１２内で
小信号として増幅され、ＡＳＥ光Ｌｆ＋Ｌｂと共に出力
される。ここで反射戻り光Ｌｒ自体にリプルがあり、か
つその反射戻り光量が無視できないほどの大きさの場合
は、そのリプルが希土類添加光ファイバ１２で増幅され
ＡＳＥ光のリプルとして観測される。

【００２１】希土類添加光ファイバ１２への反射戻り光
Ｌｒの要因としては、本実施例においては光アイソレー
タ１６、あるいは光合分波器１４、あるいは励起光源１
１等、各端面からの反射が考えられるが、なかでも光学
部品を空間に配置した複合型のモジュールである光アイ
ソレータ１６が各光学部品間の多重反射により、その反
射減衰量にリプルが発生しやすいことを確認した。

【００２２】図２はＡＳＥ光リプル量と反射減衰量の関
係を計算により求めた図である。

【００２３】横軸は波長、縦軸はＡＳＥ光リプル量で、
反射減衰量が５０ｄＢ、５５ｄＢ、６０ｄＢ、６５ｄＢ
の場合について計算した。計算は光アイソレータからの
反射が再び希土類添加光ファイバ１２へ戻り、増幅さ
れ、これがＡＳＥ光リプルとなると考え算出した。

【００２４】希土類添加光ファイバ１２の増幅は一般に
波長特性を有し、特に本発明に示す反射型ダブルパス構
成の広帯域ＡＳＥ光源においては、１．５９μｍ近辺の
光の増幅が大きくなる。従って図２に示すように、ＡＳ
Ｅ光リプル量は１．５６〜１．６１μｍ波長で他の波長
帯域より大きくなり、この波長帯での反射減衰量がＡＳ
Ｅ光リプル量に大きく影響することがわかる。

【００２５】一般にＡＳＥ光源は、光の波長とパワーを
計測する光スペクトラムアナライザと組合せて、被測定
物の挿入損失の波長特性を測定するための光源として用
いられる。被測定物は、たとえば光ファイバカプラや分
波器等のパッシブデバイスで、これらの挿入損失は０．
３ｄＢ程度以上である。従って、測定の正確さのために
は、ＡＳＥ光リプル量は０．０５ｄＢ以下が望ましい。
そこで、図２に示す計算結果により、ＡＳＥ光リプル量
０．０５ｄＢ以下のためには、少なくとも１．５７〜
１．６μｍの波長範囲で反射減衰量は約６０ｄＢ以上が
必要であることがわかった。

【００２６】このように反射器１３によりＡＳＥ光Ｌｆ
を反射させるダブルパス構成をとることにより、より大
きな光を出力することができる。また、ＡＳＥ光Ｌｂは
１．５３〜１．５７μｍの短波長帯域光で、ＡＳＥ光Ｌ
ｆは１．５７μｍ以上の長波長帯域光であるため、ＡＳ
Ｅ光Ｌｆを反射させＬｂと共に出力することにより、非
常に広帯域な光源が実現する。さらに、光アイソレータ
１６の入力側の反射減衰量を６０ｄＢ以上とすること
で、ＡＳＥ光リプル量が０．０５ｄＢ以下の安定した出
力の広帯域ＡＳＥ光源が実現する。

【００２７】さらに、本発明では光合分波器１４に融着
延伸型光合分波器を用いることが望ましい。光合分波器
１４も光アイソレータ１６と同様に希土類添加光ファイ
バ１２への反射戻り光を発生する部品の一つであるが、
融着型光合分波器を用いる事で、前記希土類添加光ファ
イバ１２への反射戻り光を限りなく小さくすることが可
能である。

【００２８】図３は本発明に用いる光合分波器１４の構
造を示す概略図である。

【００２９】光合分波器１４は２本の光ファイバを融着
延伸し、融着延伸部でのモード結合により、特定の波長
の光を分離、合成する機能を有する。本発明のＡＳＥ光
源においては、図３に示す光ファイバポート１から光フ
ァイバポート２に励起光Ｌｐは透過し、ＡＳＥ光Ｌｆ＋
Ｌｂは光ファイバポート２から光ファイバポート３に透
過する。光ファイバポート２には希土類添加光ファイバ
１２が接続されており、従って光ファイバポート２の反
射減衰量がＡＳＥ光のリプル量に影響する。

【００３０】ここで、図３に示す融着延伸構造の場合、
光学部品を空間に配置する構造とは異なり、光ファイバ
ポート２から入射した光に反射点は存在しない。また、
唯一反射点となる光ファイバポート４の終端面は、通
常、終端面の斜めカットや屈折率の整合等の反射防止処
理がなされている。また光ファイバポート４からの反射
はその方向性から光ファイバポート１あるいは光ファイ
バポート３の方向に伝搬し、光ファイバポート２方向に
は伝搬しない。従って、希土類添加光ファイバ１２と接
続された光ファイバポート２の反射減衰量は非常に大き
いものとなり、６０ｄＢ以上を十分満足する。

【００３１】図４は本発明に用いる光アイソレータ１６
の構造を示す概略図である。

【００３２】光ファイバ２２、２３を保持した１対のキ
ャピラリ１８、１９の間に、１対のレンズ２４、２５と
非相反部２１が配置されており、それぞれの部材は接着
剤、はんだ、あるいはＹＡＧ溶接等で互いに接合されて
いる。その際、１対のレンズ２４、２５と一対のキャピ
ラリ１８、１９は順方向に進む光の損失ができるだけ小
さくなるように、精密に調芯固定されている。

【００３３】非相反部２１は複数の複屈折結晶とファラ
デー回転子と磁石から構成されており、順方向に進む光
と逆方向に進む光の光路を変える機能を有する。

【００３４】光ファイバ２２から伝送してきたＡＳＥ光
Ｌｆ＋Ｌｂは、キャピラリ１８端面から空間に出射し、
レンズ２４により集光され、非相反部２１に入射する。
非相反部２１を透過したＡＳＥ光Ｌｆ＋Ｌｂは、レンズ
２５によりキャピラリ１９端面に集光され、光ファイバ
２３を伝送する。逆に、光ファイバ２３から戻ってきた
反射戻り光は、同様に非相反部２１に入射するが、非相
反部により光路が変わるため、光ファイバ２２には結合
しない。

【００３５】ここで、光アイソレータ１６の入射側反射
戻り光Ｌｒの要因は、キャピラリ１８端面と、レンズ２
４端面と、非相反部２１を構成する複数の光学素子端面
からの反射である。一般に、それぞれの端面には反射防
止のための誘電体多層膜が施されており、その反射率は
通常０．５％程度以下におさえられている。

【００３６】さらに、レンズ２４端面は球面であるた
め、レンズ２４端面からの反射光はほとんど光ファイバ
２２には戻らない。また、非相反部２１を透過する集光
ビーム径は比較的大きく、具体的にはφ３０〜２００μ
ｍ程度のビーム径であるため、非相反部２１全体あるい
は一部の光学素子端面を３度以上光軸に対して傾けるこ
とにより、非相反部２１からの反射は十分に小さくで
き、反射減衰量６０ｄＢ以上を実現することができる。
次にキャピラリ１８端面の反射は、直接光ファイバ２２
に直接戻るため非常に重要な反射要因である。その反射
減衰量は、キャピラリ１８端面の研磨角度によって決定
され、反射減衰量６０ｄＢ以上を実現するには、少なく
とも９度以上の研磨角度であることが望ましい。

【００３７】以上説明したように、非相反部２１全体、
あるいは一部の光学素子の傾斜角度を３度以上とし、か
つキャピラリ１８端面の研磨角度を９度以上とすること
で、本発明に用いる反射減衰量６０ｄＢ以上の光アイソ
レータ１６が実現する。

【００３８】図５は本発明の第２の実施形態を示す構成
図である。

【００３９】第１の実施形態と同様に、反射器１３によ
りＡＳＥ光Ｌｆを反射させるダブルパス構成である。本
実施形態ではさらに励起光源１１と光合分波器１４の間
に、励起光源１１側から光合分波器１４に向かって順方
向となるように光アイソレータ１７を配置した。光アイ
ソレータ１７は光アイソレータ１６と同様に、ＡＳＥ光
リプル量を低減させるために配置され、１５５０ｎｍ帯
で４０ｄＢ程度のアイソレーションを有する１段型Ｃバ
ンド光アイソレータである。

【００４０】以下、本実施形態における光アイソレータ
１７の効果について説明する。第１の実施形態で説明し
たとおり、希土類添加光ファイバ１２で発生したＡＳＥ
光Ｌｂ＋Ｌｆは光合分波器１４により光アイソレータ１
６の方向に分波され、出力端子１５から出力される。こ
こで光合分波器１４により光アイソレータ１６の方向に
分波されずに、励起光源１１の方向に進行するＡＳＥ光
Ｌｂ＋Ｌｆも存在する。励起光源１１方向に進行する光
の量は、光合分波器１４のアイソレーション特性により
決まる。具体的には、光合分波器１４が融着延伸型光合
分波器で構成される場合、アイソレーション特性は約２
０ｄＢ程度である。

【００４１】ここで、光アイソレータ１７を配置しない
場合は、励起光源１１へ進行するＡＳＥ光が励起光源１
１で反射し、再度光合分波器１４を透過し、希土類添加
光ファイバ１２に進入するため、励起光源１１での反射
が大きく、かつその反射にリプルがある場合は、励起光
源１１からの反射減衰量が増幅され、ＡＳＥ光リプルが
発生する。一般に励起光源１１からの反射減衰量は特に
制御管理されておらず、１０〜４０ｄＢ程度の製品間ば
らつきがある。例えば、光合分波器１４のアイソレーシ
ョンが２０ｄＢで、励起光源１１の反射減衰量が１５ｄ
Ｂの場合、希土類添加光ファイバ１２に戻る反射減衰量
は２０ｄＢ＋１５ｄＢ＋２０ｄＢ＝５５ｄＢとなる。そ
のためＡＳＥ光リプル量は約０．１５ｄＢとなり好まし
くない。

【００４２】そこで、本実施形態では光アイソレータ１
７を配置し、励起光源１１への反射戻り光を遮断するこ
とにより、励起光源での反射の影響を受けない構成とし
た。例えば、光合分波器１４のアイソレーションが２０
ｄＢ、光アイソレータ１７のアイソレーションが３０ｄ
Ｂの場合、励起光源１１の反射減衰量にかかわらず希土
類添加光ファイバ１２への反射戻り光は２０ｄＢ＋３０
ｄＢ＋２０ｄＢ＝７０ｄＢ以上となり、ＡＳＥ光リプル
量０．０５ｄＢ以下となる反射減衰量条件６０ｄＢ以上
を十分満足する。

【００４３】以上、本発明の第２の実施形態において
は、光アイソレータ１７を励起光源１１と光合分波器１
４の間に配置したことを特徴とし、このような構成とす
ることで、さらにＡＳＥ光リプル量は低減し、安定した
広帯域ＡＳＥ光源を得ることが出来る。

【００４４】図６は本発明の第３の実施形態を示す構成
図である。

【００４５】希土類添加光ファイバ３３の両端に光合分
波器３４、３５、および励起光源３１、３２を配置し、
希土類添加光ファイバ３３の双方向から励起する構成で
ある。このように反射ダブルパス構成と双方向励起構成
と組み合わせることにより、より高出力、広帯域のＡＳ
Ｅ光源が実現する。

【００４６】本実施形態においても、光アイソレータ１
６の入射側の反射減衰量は６０ｄＢ以上で、出力端子１
５から出力されるＡＳＥ光のリプル量は０．０５ｄＢ以
下におさえることができる。また第２の実施形態と同様
に、励起光源３１、３２と光合分波器３４、３５それぞ
れの間に、光アイソレータを配置することにより、さら
にＡＳＥ光リプル量の低減に効果がある。

【００４７】なお、本実施形態では双方向励起の方法と
して２個の励起光源を用いたが、１個の励起光源からの
励起光を光分岐器により分岐し双方向励起する事も可能
である。

【００４８】以上本実施形態に示した広帯域ＡＳＥ光源
によれば、高出力、広帯域で、発振の発生可能性が少な
く、リプルが０．０５ｄＢ以下の広帯域ＡＳＥ光源が実
現する。

【００４９】なお、以上説明した実施形態によらず、本
発明はダブルパス構成の広帯域ＡＳＥ光源において、希
土類添加光ファイバへの反射戻り光を６０ｄＢ以上とす
ることで、ＡＳＥ光リプル量を０．０５ｄＢ以下となる
効果を説明したもので、例えば光アイソレータと光合分
波器を複合化一体化した複合モジュールを用いた場合で
も、複合モジュールの反射減衰量を６０ｄＢ以上とする
ことで同様の効果を得ることができる。

【００５０】

【実施例】本発明の広帯域ＡＳＥ光源の実施例として図
１に示したＡＳＥ光源の試作を行った。各部品と構成に
ついて以下に説明する。

【００５１】励起光源１１は１．４８μｍ帯で約１００
ｍＷの光出力とした。励起光源１１の出力側の反射減衰
量は約３０ｄＢであった。光合分波器１４はファイバ融
着延伸型のもので、１．４８μｍ帯と１．５８μｍ帯の
光を合波分波する機能を有し、そのアイソレーションは
１．５８μｍ帯で約２５ｄＢであった。希土類添加光フ
ァイバ１２は、１．５５μｍ帯光の再吸収のために、十
分長尺のものを用い、本試作では約８０ｍの長さとし
た。反射器１３は誘電体多層膜と光ファイバから構成さ
れた、反射率が９０％以上の製品をもちいた。出力端子
１５の手前には、２段型偏波無依存型光アイソレータを
配置し、１．５８μｍ帯でアイソレーションが５５ｄＢ
以上、入射側の反射減衰量は６２ｄＢの製品を使用し
た。出力端子１５はＦＣ／ＳＰＣコネクタからなり、４
５ｄＢ以上の反射減衰量を有する。

【００５２】図７は、試作した本発明の広帯域ＡＳＥ光
源のスペクトラム出力を示す図である。

【００５３】ＡＳＥ光のトータル出力は＋１５ｄＢｍ、
リプル量は最大で０．０３ｄＢ（１５９０ｎｍにおい
て）、スペクトラム密度は１５３０〜１６１０ｎｍの範
囲で−１５ｄＢｍ／ｎｍ以上の広帯域化を実現した。

【００５４】従来の同等製品は、トータル出力で＋１３
ｄＢ、リプル量０．１〜０．２ｄＢ程度、スペクトラム
密度１５３５〜１６０５ｎｍの範囲で−１５ｄＢｍ／ｎ
ｍ以上であり、上記試作結果と比較して、本発明により
高出力、広帯域、低リプルのＡＳＥ光源が実現すること
を確認した。

【００５５】なお本実施例では１．４８μｍ帯の励起光
源を用いたが、０．９８μｍ帯の励起光源でも同様の効
果があることを確認した。

【００５６】また、本発明の第２、第３の実施形態にお
いても、リプルについては同様の改善効果があることを
確認した。

【００５７】

【発明の効果】以上、発明によれば、励起光を発生する
励起光源と、励起光を入射することでＡＳＥ光を発生す
る希土類添加光ファイバと、該希土類添加光ファイバの
一方の端部に配置され、希土類添加光ファイバから放射
されるＡＳＥ光を一部／あるいは全て反射させる反射手
段と、前記希土類添加光ファイバの他方の端部と前記励
起光源との間に配置され、励起光とＡＳＥ光を合波、分
波する光合分波器と、該光合分波器の励起光源側に備え
た出力端子とからなる広帯域ＡＳＥ光源において、前記
出力端子側に入力側反射減衰量が６０ｄＢ以上の光アイ
ソレータを備えることで、高出力、広帯域、低リプルで
の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の広帯域ＡＳＥ光源の実施形態を示す構
成図である。

【図２】ＡＳＥ光リプル量と反射減衰量の関係を計算に
より求めた図である。

【図３】本発明に用いる光合分波器の構造を示す概略図
である。

【図４】本発明に用いる光アイソレータの構造を示す概
略図である。

【図５】本発明の第２の実施形態を示す構成図である。

【図６】本発明の第３の実施形態を示す構成図である。

【図７】本発明の広帯域ＡＳＥ光源のスペクトラム出力
を示す図である。

【図８】従来の広帯域ＡＳＥ光源の構成を示す図であ
る。

【図９】広帯域ＡＳＥ光源のＡＳＥ光リプルの様子を示
す図である。

【符号の説明】

１、２、３、４：光ファイバポート １０、２０、３０、１００：広帯域ＡＳＥ光源 １１、３１、３２、１０１：励起光源 １２、３３、１０２：希土類添加光ファイバ １３、１０３：反射器 １４、３４、３５、１０４：光合分波器 １５、１０５：出力端子 １６、１７：光アイソレータ １８、１９：キャピラリ ２１：非相反部 ２２、２３：光ファイバ ２４、２５：レンズ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】励起光を発生する励起光源と、励起光を入
   射することでＡＳＥ光を発生する希土類添加光ファイバ
   と、該希土類添加光ファイバの一方の端部に配置され、
   希土類添加光ファイバから放射されるＡＳＥ光を一部／
   あるいは全て反射させる反射手段と、前記希土類添加光
   ファイバの他方の端部と前記励起光源との間に配置さ
   れ、励起光とＡＳＥ光を合波、分波する光合分波器と、
   該光合分波器の励起光源側に備えた出力端子とからなる
   広帯域ＡＳＥ光源において、前記出力端子側に入力側反
   射減衰量が６０ｄＢ以上の光アイソレータを備えたこと
   を特徴とする広帯域ＡＳＥ光源。
2. 【請求項２】前記合分波器が、融着延伸型光合分波器か
   らなることを特徴とする請求項１に記載の広帯域ＡＳＥ
   光源。
3. 【請求項３】前記光アイソレータを２個以上具備し、少
   なくとも１個は前記出力端子側に配置し、少なくとも１
   個は前記励起光源と前記光合分波器の間に配置したこと
   を特徴とする請求項１記載の広帯域ＡＳＥ光源。