JP2002190113A - Optical recording method and optical recording medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To permit high-density recording in a phase change type optical recording medium, and to increase a data transfer rate. SOLUTION: In performing a recording operation for an optical recording medium which serially includes a phase change type recording layer on a transparent substrate having a groove, a dielectric layer, and a reflective layer, an optical recording method is for forming a recording mark having both the ends thereof which stick out beyond the groove, by performing recording operation for the groove with the conditions that 0.48<=PT/(λ/NA)<=0.74 and PT<=0.50 μm stand, wherein λ is a wavelength of a laser beam for recording, NA is numerical aperture of an objective lens of a recording optical system, and PT is an arrangement pitch of a recording track.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体に記録する方法およびこの方法に用いる光記録媒体に
関する。The present invention relates to a method for recording on a phase change type optical recording medium and an optical recording medium used for this method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザービームを照射することにより記
録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状
態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することによ
り再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一
のレーザービームの強度を変調することによりオーバー
ライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, an optical recording medium capable of high-density recording and capable of erasing and rewriting recorded information has attracted attention. Among the rewritable optical recording media, phase change type optical recording media perform recording by changing the crystal state of the recording layer by irradiating a laser beam, and reflectivity of the recording layer accompanying such a state change. Reproduction is performed by detecting a change. Phase-change optical recording media can be overwritten by modulating the intensity of a single laser beam, and the optical system of the drive is simpler than that of magneto-optical recording media. ing.

【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系やＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系等のカルコゲナイド系材料が用いられること
が多い。A phase change type recording layer has a large difference in reflectance between a crystalline state and an amorphous state, and has a relatively high stability in an amorphous state. Ge-S
A chalcogenide-based material such as a b-Te-based material is often used.

【０００４】オーバーライトによる書き換えが可能な相
変化型媒体では、結晶質記録層に記録パワーレベルのレ
ーザー光を照射して溶融させ、溶融状態から急冷するこ
とにより非晶質記録マークを形成する。消去に際して
は、消去パワーレベルのレーザー光を照射して記録層の
結晶化温度以上融点未満の温度まで昇温し、次いで徐冷
することにより、非晶質記録マークを結晶化する。した
がって、単一のレーザー光を強度変調しながら照射する
ことにより、オーバーライトが可能である。このような
相変化型媒体において高速記録を行う場合に律速となる
のが、記録層の結晶化速度、すなわち非晶質から結晶質
に変化する際の結晶変態速度である。高速記録を行うに
は、結晶化速度の速い記録層を用いればよいが、結晶化
速度が速すぎると、非晶質記録マークが結晶化しやすく
なり、不安定となる。そのため、記録時に、隣接トラッ
クに存在する記録マークが消去されてしまうクロスイレ
ーズが生じやすい。In a phase-change type medium that can be rewritten by overwriting, a crystalline recording layer is irradiated with a laser beam having a recording power level to be melted, and is rapidly cooled from a molten state to form an amorphous recording mark. At the time of erasing, an amorphous recording mark is crystallized by irradiating a laser beam of an erasing power level to raise the temperature to a temperature higher than the crystallization temperature of the recording layer and lower than the melting point, and then slowly cooling. Therefore, overwriting is possible by irradiating a single laser beam while modulating the intensity. When high-speed recording is performed on such a phase-change medium, the rate-determining rate is the crystallization rate of the recording layer, that is, the crystal transformation rate when the recording layer changes from amorphous to crystalline. To perform high-speed recording, a recording layer having a high crystallization speed may be used. However, if the crystallization speed is too high, the amorphous recording marks are easily crystallized and become unstable. Therefore, at the time of recording, cross-erasure in which recording marks existing on adjacent tracks are erased is likely to occur.

【０００５】したがって、オーバーライト可能な相変化
型媒体では、記録層の結晶化速度を著しく速くすること
はできず、そのため、データ転送レートを著しく高くす
ることは難しい。また、クロスイレーズは、記録トラッ
クの配列ピッチ（トラックピッチ）を広くすることによ
り低減できるが、トラックピッチを広くすると記録密度
が低くなってしまう。[0005] Therefore, in a phase-change medium capable of overwriting, the crystallization speed of the recording layer cannot be remarkably increased, so that it is difficult to significantly increase the data transfer rate. The cross erase can be reduced by increasing the arrangement pitch of the recording tracks (track pitch). However, if the track pitch is increased, the recording density decreases.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、相変化型光
記録媒体において、高密度記録を可能とし、また、デー
タ転送レートを高くすることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to enable high-density recording and increase the data transfer rate in a phase-change optical recording medium.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）の本発明により達成される。 （１） グルーブを有する透光性基体上に相変化型の記
録層を有する光記録媒体に記録を行うに際し、記録に用
いるレーザー光の波長をλ、記録光学系の対物レンズの
開口数をＮＡ、記録トラックの配列ピッチをＰ_Tとした
とき、 ０．４８≦Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．７４、 Ｐ_T≦０．５０μm が成立する条件でグルーブに対し記録を行う光記録方
法。 （２） 媒体の線速度を４．５m/s以上とする上記
（１）の光記録方法。 （３） グルーブを有する透光性基体上に相変化型の記
録層を有する光記録媒体に記録を行うに際し、記録に用
いるレーザー光の波長をλ、記録光学系の対物レンズの
開口数をＮＡ、記録トラックの配列ピッチをＰ_Tとした
とき、 ０．４８≦Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．６８ が成立する条件でグルーブに対し記録を行う光記録方
法。 （４） 少なくとも一方の端部がグルーブからはみ出し
た記録マークを形成する上記（１）〜（３）のいずれか
の光記録方法。 （５） 前記光記録媒体は、前記透光性基体上に前記記
録層、誘電体層および反射層をこの順で有し、前記反射
層の熱伝導率が１００W/mK以上であり、前記誘電体層の
熱伝導率が１W/mK以上である上記（１）〜（４）のいず
れかの光記録方法。 （６） 上記（１）〜（５）のいずれかの光記録方法に
より記録がなされる光記録媒体。This and other objects are achieved by the present invention which is defined below as (1) to (6). (1) When recording on an optical recording medium having a phase-change recording layer on a light-transmitting substrate having grooves, the wavelength of the laser beam used for recording is λ, and the numerical aperture of the objective lens of the recording optical system is NA. An optical recording method for recording on a groove under the condition that 0.48 ≦ _{PT / (} λ / NA) ≦ 0.74 and _PT ≦ 0.50 μm, where _PT is the array pitch of recording tracks. . (2) The optical recording method according to the above (1), wherein the linear velocity of the medium is 4.5 m / s or more. (3) When recording on an optical recording medium having a phase-change recording layer on a light-transmitting substrate having grooves, the wavelength of the laser beam used for recording is λ, and the numerical aperture of the objective lens of the recording optical system is NA. when the arrangement pitch of the recording track was P _T, an optical recording method for recording to the groove under the condition that satisfied 0.48 ≦ P _T /(λ/NA)≦0.68. (4) The optical recording method according to any one of (1) to (3), wherein at least one end forms a recording mark protruding from the groove. (5) The optical recording medium has the recording layer, the dielectric layer, and the reflective layer on the translucent substrate in this order, and the thermal conductivity of the reflective layer is 100 W / mK or more. The optical recording method according to any one of the above (1) to (4), wherein the thermal conductivity of the body layer is 1 W / mK or more. (6) An optical recording medium on which recording is performed by the optical recording method according to any one of the above (1) to (5).

【０００８】[0008]

【発明の実施の形態】記録密度の高い相変化型媒体とし
ては、例えばＤＶＤ−ＲＷおよびＤＶＤ−ＲＡＭが挙げ
られる。ＤＶＤ−ＲＷでは、トラッキングサーボに利用
されるグルーブ（案内溝）だけを記録トラックとするグ
ルーブ記録方式により記録が行われる。一方、ＤＶＤ−
ＲＡＭでは、グルーブおよび隣り合うグルーブ間の領域
（ランド）の両方を記録トラックとするランド・グルー
ブ記録方式により記録が行われる。ランド・グルーブ記
録方式は、狭トラックピッチ化のために有利とされてい
る。ＤＶＤ−ＲＷのトラックピッチは０．７４μm、Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭのトラックピッチは０．６１５μmであ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of a phase change medium having a high recording density include a DVD-RW and a DVD-RAM. In the DVD-RW, recording is performed by a groove recording method using only grooves (guide grooves) used for tracking servo as recording tracks. Meanwhile, DVD-
In the RAM, recording is performed by a land / groove recording method in which both grooves and areas (lands) between adjacent grooves are recording tracks. The land / groove recording method is advantageous for narrowing track pitch. The track pitch of DVD-RW is 0.74 μm,
The track pitch of the VD-RAM is 0.615 μm.

【０００９】図１にグルーブ記録方式の媒体断面の模式
図を、図２にランド・グルーブ方式の媒体断面の模式図
を、それぞれ示す。各図において、透光性基体と記録層
との積層体である媒体２００の上面には、グルーブ２Ｇ
およびランド２Ｌが設けられている。記録・再生用のレ
ーザー光は、媒体２００の下面から入射する。グルーブ
２Ｇはレーザー光入射面に相対的に近い領域であり、ラ
ンド２Ｌはレーザー光入射面から相対的に遠い領域であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of a cross section of a medium of a groove recording system, and FIG. 2 is a schematic diagram of a cross section of a medium of a land / groove system. In each figure, a groove 2G is provided on the upper surface of a medium 200 which is a laminate of a light-transmitting substrate and a recording layer.
And a land 2L. The recording / reproducing laser light enters from the lower surface of the medium 200. The groove 2G is a region relatively close to the laser light incident surface, and the land 2L is a region relatively far from the laser light incident surface.

【００１０】グルーブ記録方式における記録マーク４Ｍ
は、グルーブ２Ｇを中心として形成され、その両端部は
グルーブ２Ｇからはみ出してランド２Ｌにかかってい
る。一方、ランド・グルーブ記録方式では、グルーブ２
Ｇ内およびランド２Ｌ内に記録マーク４Ｍが形成され
る。高密度記録を行うためには、記録用レーザー光のビ
ームスポット径をトラックピッチに対して比較的大きく
することが好ましいが、その場合には、ビームスポット
の端部による加熱が、記録対象のトラックに隣接するト
ラックに影響を及ぼしやすい。そのため、前記隣接する
トラックに存在する非晶質記録マークの端部が加熱さ
れ、結晶化しやすい。これがクロスイレーズである。[0010] Recording mark 4M in groove recording system
Are formed with the groove 2G at the center, and both ends protrude from the groove 2G and hang on the land 2L. On the other hand, in the land / groove recording method, the groove 2
A recording mark 4M is formed in G and the land 2L. In order to perform high-density recording, it is preferable that the beam spot diameter of the recording laser beam be relatively large with respect to the track pitch. Easily affect tracks adjacent to the track. Therefore, the end of the amorphous recording mark existing in the adjacent track is heated and easily crystallized. This is cross erase.

【００１１】記録に用いるレーザー光の波長をλ、記録
光学系の対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、λ／Ｎ
Ａは、記録層表面におけるレーザー光の実効的なビーム
スポット径と見なし得る値である。したがって、トラッ
クピッチをＰ_Tとしたとき、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）は、ビー
ムスポット径に対するトラックピッチの比率と考えてよ
い。この値はクロスイレーズの生じやすさの指標とな
り、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）が小さいほどクロスイレーズが
大きくなる。When the wavelength of the laser beam used for recording is λ and the numerical aperture of the objective lens of the recording optical system is NA, λ / N
A is a value that can be regarded as an effective beam spot diameter of the laser beam on the recording layer surface. Therefore, when the track pitch is _PT , _PT / ([lambda] / NA) may be considered as the ratio of the track pitch to the beam spot diameter. This value is an index of the likelihood of occurrence of cross-erase, and the smaller P _T / (λ / NA), the greater the cross-erase.

【００１２】本発明者らは、グルーブ記録方式の媒体お
よびランド・グルーブ記録方式の媒体のそれぞれについ
て、トラックピッチを同じとし、かつ同じ記録光学系を
用いて、すなわちＰ_T／（λ／ＮＡ）が同一となる条件
で、クロスイレーズ量を調べた。その結果、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗとほぼ同じ 線速度：３．５m/s、 λ＝６３５nm、 ＮＡ＝０．６０、 Ｐ_T＝０．７４μm、 Ｐ_T／（λ／ＮＡ）＝０．６９９ の条件では、グルーブ記録方式およびランド・グルーブ
記録方式共にクロスイレーズは認められなかった。しか
し、トラックピッチを縮め、かつＰ_T／（λ／ＮＡ）が
ほぼ同じとなるように、 線速度：５．７m/s、 λ＝４０５nm、 ＮＡ＝０．８５、 Ｐ_T＝０．３３μm、 Ｐ_T／（λ／ＮＡ）＝０．６９３ とすると、ランド・グルーブ記録方式においてグルーブ
でのクロスイレーズが急増した。一方、グルーブ記録方
式およびランド・グルーブ記録方式におけるランドでの
クロスイレーズは、全く認められなかった。The present inventors have made the track pitch the same for each of the groove recording medium and the land / groove recording medium, and use the same recording optical system, that is, P _T / (λ / NA) The cross erase amount was examined under the same conditions. As a result, DVD-R
W and approximately the same linear velocity: 3.5m / s, λ = 635nm , NA = 0.60, P T = 0.74μm, in the conditions of P _T /(λ/NA)=0.699, groove recording system and No cross-erasing was observed for both the land and groove recording methods. However, the linear velocity: 5.7 m / s, λ = 405 nm, NA = 0.85, _PT = 0.33 μm, so that the track pitch is reduced and P _T / (λ / NA) becomes almost the same. When P _T /(λ/NA)=0.693, the cross-erase in the groove in the land / groove recording method rapidly increased. On the other hand, no cross-erase on lands was observed in the groove recording method and the land / groove recording method.

【００１３】本発明者らはこのような実験を繰り返した
結果、 ０．４８≦Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．７４、 Ｐ_T≦０．５０μm の条件下、特に、 ０．５０≦Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．７０、 Ｐ_T≦０．４５μm の条件下では、ランド・グルーブ記録方式ではなくグル
ーブ記録方式を採用することにより、クロスイレーズを
顕著に低減できることを見いだした。そのため本発明で
は、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）およびＰ_Tが上記範囲にある場合
に、グルーブ記録方式を利用することを限定する。As a result of repeating such experiments, the present inventors found that 0.48 ≦ P _T /(λ/NA)≦0.74 and P _T ≦ 0.50 μm, especially 0.50 ≦ Under the conditions of _{PT / (} λ / NA) ≦ 0.70 and _PT ≦ 0.45 μm, it has been found that the cross erase can be remarkably reduced by adopting the groove recording method instead of the land / groove recording method. . Therefore, in the present invention, when P _T / (λ / NA) and P _T are within the above ranges, the use of the groove recording method is limited.

【００１４】なお、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）が小さすぎる
と、グルーブ記録方式においてもクロスイレーズを十分
に低減できなくなるため、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）には上記
のような下限を設けた。Ｐ_Tの下限はＰ_T／（λ／ＮＡ）
の下限によって決定される。If P _T / (λ / NA) is too small, the cross erase cannot be sufficiently reduced even in the groove recording method. Therefore, P _T / (λ / NA) has the lower limit as described above. Was. The lower limit of the P _T is P _T / (λ / NA)
Is determined by the lower limit of

【００１５】また、本発明は高密度記録媒体を対象とす
るので、好ましくは λ／ＮＡ≦６８０nm、より好ましくは λ／ＮＡ≦６３０nm とする。ただし、利用可能なレーザー波長および開口数
には制限があり、著しく短い波長および著しく大きい開
口数とすることは困難であるため、通常、 ３５０nm≦λ／ＮＡ とすることが好ましい。Since the present invention is directed to a high-density recording medium, it is preferable that λ / NA ≦ 680 nm, more preferably λ / NA ≦ 630 nm. However, available laser wavelengths and numerical apertures are limited, and it is difficult to obtain extremely short wavelengths and extremely large numerical apertures. Therefore, it is usually preferable to satisfy 350 nm ≦ λ / NA.

【００１６】本発明によりクロスイレーズが低減するの
は、以下に説明する理由によると考えられる。The reason why the cross erase is reduced by the present invention is considered to be as follows.

【００１７】相変化型媒体では、図３および図４にそれ
ぞれ示すように、透光性基体２、第１誘電体層３１、記
録層４、第２誘電体層３２および反射層５がこの順で積
層された構造とすることが一般的である。金属からなる
反射層５は放熱層としても機能し、レーザー光の照射に
より加熱された記録層４は、第２誘電体層３２を介して
反射層５への放熱が生じることにより冷却される。ラン
ド２Ｌは、グルーブ２Ｇと異なり、第２誘電体層３２お
よび反射層５に包囲された状態となっている。また、ラ
ンド２Ｌの端部付近は、グルーブ２Ｇに比べ反射層５に
対する距離が近い。そのため、ランド２Ｌ、特にその両
端部付近は、グルーブ２Ｇに比べ冷却されやすいと考え
られる。In the phase change type medium, as shown in FIGS. 3 and 4, the light-transmitting substrate 2, the first dielectric layer 31, the recording layer 4, the second dielectric layer 32, and the reflective layer 5 are arranged in this order. It is common to make it the structure laminated | stacked by. The reflective layer 5 made of metal also functions as a heat radiating layer, and the recording layer 4 heated by the irradiation of the laser beam is cooled by radiating heat to the reflective layer 5 via the second dielectric layer 32. Unlike the groove 2G, the land 2L is in a state surrounded by the second dielectric layer 32 and the reflective layer 5. Further, the distance to the reflection layer 5 near the end of the land 2L is shorter than that of the groove 2G. Therefore, it is considered that the land 2L, particularly the vicinity of both ends thereof, is more easily cooled than the groove 2G.

【００１８】したがって図２に示すランド・グルーブ記
録方式では、ランド２Ｌに存在する記録マーク４Ｍの両
端が、隣接トラックに照射されたレーザービームスポッ
トの端部にかかって加熱されても、その後に迅速に冷却
されるため記録マーク４Ｍの端部が結晶化しにくく、ク
ロスイレーズは小さくなる。これに対しグルーブ２Ｇに
存在する記録マーク４Ｍの端部は、隣接トラックに照射
されたレーザービームスポットの端部によって加熱され
た後、冷却されにくい。その結果、結晶化温度付近の温
度に比較的長時間保たれることになり、結晶化してしま
う。そのため、グルーブ２Ｇにおけるクロスイレーズは
大きくなる。Accordingly, in the land / groove recording method shown in FIG. 2, even if both ends of the recording mark 4M existing on the land 2L are heated by being applied to the end of the laser beam spot irradiated on the adjacent track, the recording mark 4M is rapidly thereafter. Therefore, the end of the recording mark 4M hardly crystallizes, and the cross erase becomes small. On the other hand, the end of the recording mark 4M existing in the groove 2G is hardly cooled after being heated by the end of the laser beam spot applied to the adjacent track. As a result, the temperature is kept at a temperature near the crystallization temperature for a relatively long time, and crystallization occurs. Therefore, the cross erase in the groove 2G increases.

【００１９】一方、図１に示すグルーブ記録方式におい
てランド・グルーブ記録方式と同等のトラックピッチと
した場合、記録マーク４Ｍをグルーブ内に収まるように
形成すると、記録マーク４Ｍの面積が不十分となり、十
分なＣＮＲ（carrier to noise ratio）を得ることがで
きない。そのため、グルーブ記録方式において狭トラッ
クピッチとする場合、記録マーク４Ｍをグルーブ２Ｇか
らはみ出させる必要がある。その場合、記録マーク４Ｍ
の両端部はランド２Ｌの端部上に存在することになる。
隣接トラックに照射されたレーザービームスポットの端
部は、ランド２Ｌの端部、すなわち記録マーク４Ｍの端
部にかかるが、上述したようにランド２Ｌの端部は冷却
されやすく、短時間で温度が低下するため、記録マーク
４Ｍの端部が結晶化することはない。そのため、グルー
ブ記録方式では、全記録トラックにおいてクロスイレー
ズが小さくなると考えられる。On the other hand, in the groove recording method shown in FIG. 1, when the track pitch is the same as that of the land / groove recording method, if the recording mark 4M is formed to fit in the groove, the area of the recording mark 4M becomes insufficient. A sufficient CNR (carrier to noise ratio) cannot be obtained. Therefore, in the case of a narrow track pitch in the groove recording method, the recording mark 4M needs to protrude from the groove 2G. In that case, the recording mark 4M
Are located on the ends of the land 2L.
The end of the laser beam spot applied to the adjacent track is applied to the end of the land 2L, that is, the end of the recording mark 4M. However, as described above, the end of the land 2L is easily cooled, and the temperature is reduced in a short time. Since it is lowered, the end of the recording mark 4M does not crystallize. Therefore, in the groove recording method, it is considered that cross erase is reduced in all recording tracks.

【００２０】本発明においてクロスイレーズ低減効果を
実現するためには、グルーブ記録方式においてグルーブ
から記録マークの少なくとも一方の端部、好ましくは両
方の端部がはみ出していることが必要である。具体的に
は、記録マーク幅をＭ_W、グルーブ幅をＧ_Wとすると、好
ましくは Ｍ_W／Ｇ_W＞１、より好ましくは Ｍ_W／Ｇ_W≧１．１、さらに好ましくは Ｍ_W／Ｇ_W≧１．４ である。ただし、トラックピッチＰ_Tに対する記録マー
ク幅Ｍ_Wの比率が高すぎるとクロスイレーズが大きくな
ってしまうので、好ましくは Ｍ_W／Ｐ_T≦０．９５、より好ましくは Ｍ_W／Ｐ_T≦０．９０ とする。一方、記録密度を高くして、かつ、十分なＣＮ
Ｒを得るためには、好ましくは Ｍ_W／Ｐ_T≧０．６０、より好ましくは Ｍ_W／Ｐ_T≧０．６５ とする。In order to realize the cross erase reduction effect in the present invention, it is necessary that at least one end, preferably both ends of the recording mark protrude from the groove in the groove recording system. Specifically, the recording mark width M _W, when the groove width is G _W, preferably M _W / G _W> 1, more preferably M _W / G _W ≧ 1.1, more preferably M _W / G _W ≧ 1.4. However, since the ratio of the recording mark width M _W with respect to the track pitch P _T is too high cross erase increases, preferably M _W / P _T ≦ 0.95, more preferably M _W / P _T ≦ 0. 90. On the other hand, if the recording density is increased and sufficient CN
To obtain R is preferably M _W / P _T ≧ 0.60, more preferably from M _W / P _T ≧ 0.65.

【００２１】トラックピッチＰ_Tに対するグルーブ幅Ｇ_W
の比率は特に限定されず、Ｍ_W／Ｇ_Wが好ましい範囲とな
るように適宜決定すればよいが、好ましくは ０．１≦Ｇ_W／Ｐ_T≦０．８、より好ましくは ０．２≦Ｇ_W／Ｐ_T≦０．６ とする。Ｇ_W／Ｐ_Tが小さすぎると、トラッキングエラー
信号が小さくなるので、トラッキングサーボが不安定と
なりやすい。一方、Ｇ_W／Ｐ_Tが大きすぎると、Ｍ _W／Ｇ_W
が小さくなって本発明の効果が減じられる。Track pitch P_TGroove width G for_W
Is not particularly limited, and M_W/ G_WIs the preferred range
May be determined as appropriate, but preferably 0.1 ≦ G_W/ P_T≦ 0.8, more preferably 0.2 ≦ G_W/ P_T≦ 0.6. G_W/ P_TIs too small, tracking error
Since the signal becomes smaller, the tracking servo becomes unstable.
Prone. On the other hand, G_W/ P_TIs too large, M _W/ G_W
And the effect of the present invention is reduced.

【００２２】なお、本発明においてグルーブ深さは特に
限定されないが、透光性基体の屈折率をｎとしたとき、
グルーブ深さＧ_Dは、 λ／１３ｎ≦Ｇ_D≦λ／６ｎ であることが好ましい。グルーブが浅すぎるとクロスイ
レーズが大きくなってしまい、グルーブが深すぎると再
生信号出力が小さくなってしまう。In the present invention, the groove depth is not particularly limited, but when the refractive index of the light-transmitting substrate is n,
It is preferable that the groove depth G _D satisfies λ / 13n ≦ G _D ≦ λ / 6n. If the groove is too shallow, the cross erase will increase, and if the groove is too deep, the reproduced signal output will decrease.

【００２３】本発明によるクロスイレーズ低減効果をよ
り高くするためには、ランド２Ｌにおける冷却効率を高
くすることが好ましい。そのためには、図３および図４
にそれぞれ示す構造において、反射層５の熱伝導率を１
００W/mK以上とし、かつ、記録層４と反射層５との間に
存在する第２誘電体層３２の熱伝導率を１W/mK以上とす
る急冷構造とすることが好ましい。In order to further enhance the effect of reducing cross erase according to the present invention, it is preferable to increase the cooling efficiency in the land 2L. For this purpose, FIGS. 3 and 4
In each of the structures shown in FIG.
It is preferable to have a quenching structure in which the thermal conductivity of the second dielectric layer 32 existing between the recording layer 4 and the reflective layer 5 is 1 W / mK or more and the thermal conductivity is 1 W / mK or more.

【００２４】次に、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）が同じであるに
もかかわらず、トラックピッチＰ_Tが特定値よりも小さ
くなるとクロスイレーズが大きくなることの理由につい
て考察する。図１および図２では、記録マークの中心が
グルーブ２Ｇ中央またはランド２Ｌ中央と正確に一致し
ている。すなわち、これらの図は、トラッキングが正確
に行われたものとして描いてある。しかし実際には、ト
ラッキングサーボが不安定となることがあり、特に、線
速度が速いと不安定となりやすい。トラッキングサーボ
が不安定であると、ビームスポットの位置が図中左右方
向にふらつくため、クロスイレーズが生じやすくなる。
トラッキングサーボの不安定さは、ビームスポット径に
対するトラックピッチの相対値Ｐ_T／（λ／ＮＡ）では
なく、トラックピッチＰ_Tそのものに依存し、Ｐ_Tが小さ
いほど不安定となる。そのため、Ｐ _T／（λ／ＮＡ）が
ＤＶＤ−ＲＷと同等であってもＰ_TがＤＶＤ−ＲＷより
も小さくなると、クロスイレーズが顕著に生じたものと
考えられる。なお、本発明は、トラッキングサーボが不
安定となりやすい高線速時、具体的には、媒体の線速度
Ｖが Ｖ≧４．５m/s、特に Ｖ≧５．５m/s である場合に特に有効である。ただし、線速度があまり
に速いと、媒体駆動装置の高コスト化、駆動時の媒体の
安定性などに問題が生じるため、好ましくは ３５m/s≧Ｖ、より好ましくは ３０m/s≧Ｖ とする。Next, P_T/ (Λ / NA) is the same
Nevertheless, the track pitch P_TIs less than a certain value
The reason why the cross-erase becomes larger
To consider. In FIGS. 1 and 2, the center of the recording mark is
Exactly coincides with the center of groove 2G or the center of land 2L
ing. That is, these figures show that tracking is accurate
It is drawn as having been performed. But in practice,
The racking servo may become unstable.
High speeds tend to be unstable. Tracking servo
If the beam spot is unstable, the position of the beam spot
The cross-erase tends to occur because of the wobble in the direction.
Tracking servo instability depends on the beam spot diameter.
Relative value of track pitch P_TIn / (λ / NA)
No, track pitch P_TDepends on itself, P_TIs small
It becomes very unstable. Therefore, P _T/ (Λ / NA)
Even if it is equivalent to DVD-RW, P_TIs from DVD-RW
Is also small, the cross-erase has occurred remarkably.
Conceivable. In the present invention, the tracking servo is disabled.
At high linear velocities that tend to be stable, specifically the linear velocity of the medium
This is particularly effective when V satisfies V ≧ 4.5 m / s, particularly V ≧ 5.5 m / s. However, the linear velocity is too low
Speed, the cost of the media drive increases,
Since a problem arises in stability and the like, it is preferably 35 m / s ≧ V, more preferably 30 m / s ≧ V.

【００２５】トラックピッチＰ_Tが広い場合、および／
または、線速度が遅い場合には、トラッキングサーボの
不良に起因するクロスイレーズは生じにくい。しかし、
このようにトラッキングサーボの不安定さの影響が小さ
くても、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）が０．６８以下であると、
クロスイレーズが大きくなってしまう。したがって、 ０．４８≦Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．６８ であれば、トラックピッチＰ_Tの値によらず本発明は有
効である。When the track pitch _PT is wide, and / or
Alternatively, when the linear velocity is low, cross-erase due to the failure of the tracking servo is unlikely to occur. But,
As described above, even if the influence of the instability of the tracking servo is small, when P _T / (λ / NA) is 0.68 or less,
The cross erase becomes large. Therefore, if 0.48 ≦ _{PT / (} λ / NA) ≦ 0.68, the present invention is effective regardless of the value of the track pitch _PT .

【００２６】なお、グルーブ記録方式を採用した相変化
型媒体としては、例えばＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷが知
られているが、グルーブ記録方式であって、かつ、本発
明が有効であるトラックピッチＰ_Tをもつ媒体は、知ら
れていない。また、一般に狭トラックピッチ化に対して
有利と考えられているランド・グルーブ記録方式におい
てグルーブでのクロスイレーズが大きく、一方、狭トラ
ックピッチ化には不利と考えられているグルーブ記録方
式がクロスイレーズに関して有利であることも、知られ
ていない。As a phase change type medium adopting the groove recording method, for example, a CD-RW or a DVD-RW is known. However, the track recording method using the groove recording method and the present invention is effective. The medium with _PT is unknown. In the land / groove recording method generally considered to be advantageous for narrow track pitch, the cross erase in the groove is large. On the other hand, the groove recording method considered to be disadvantageous for narrow track pitch is cross erase. It is also not known to be advantageous with respect to

【００２７】次に、本発明が適用される光記録媒体の構
成例について説明する。Next, an example of the configuration of an optical recording medium to which the present invention is applied will be described.

【００２８】図３に示す構造 この光記録媒体は、支持基体２０上に、金属または半金
属から構成される反射層５、第２誘電体層３２、記録層
４、第１誘電体層３１および透光性基体２を、この順で
積層して形成したものである。記録および再生のための
レーザー光は、透光性基体２を通して入射する。なお、
支持基体２０と反射層５との間に、誘電体材料からなる
中間層を設けてもよい。 Structure shown in FIG . 3 This optical recording medium has a reflection layer 5, a second dielectric layer 32, a recording layer 4, a first dielectric layer 31, The translucent substrate 2 is formed by laminating in this order. Laser light for recording and reproduction enters through the translucent substrate 2. In addition,
An intermediate layer made of a dielectric material may be provided between the support base 20 and the reflection layer 5.

【００２９】支持基体２０ 支持基体２０は、媒体の剛性を維持するために設けられ
る。支持基体２０の厚さは、通常、０．２〜１．２mm、
好ましくは０．４〜１．２mmとすればよく、透明であっ
ても不透明であってもよい。支持基体２０は、通常の光
記録媒体と同様に樹脂から構成すればよいが、ガラスか
ら構成してもよい。グルーブ２Ｇおよびランド２Ｌは、
図示するように、支持基体２０に設けた凹凸パターン
を、その上に形成される各層に転写することにより、形
成できる。 Support Base 20 The support base 20 is provided to maintain the rigidity of the medium. The thickness of the support base 20 is usually 0.2 to 1.2 mm,
The thickness is preferably 0.4 to 1.2 mm, and may be transparent or opaque. The support base 20 may be made of a resin as in a normal optical recording medium, but may be made of glass. The groove 2G and the land 2L are
As shown in the drawing, the concavo-convex pattern provided on the support base 20 can be formed by transferring the concavo-convex pattern to each layer formed thereon.

【００３０】反射層５ 反射層構成材料は特に限定されず、通常、Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等の金属ま
たは半金属の単体あるいはこれらの１種以上を含む合金
などから構成すればよいが、前述したように本発明では
媒体を急冷構造とすることが好ましいため、熱伝導率の
高い材料から反射層を構成することが好ましい。熱伝導
率の高い材料としては、ＡｇまたはＡｌが好ましい。し
かし、ＡｇまたはＡｌの単体では十分な耐食性が得られ
ないため、耐食性向上のために他の元素を添加すること
が好ましい。また、図３に示す構造の媒体では、反射層
形成時の結晶成長により、レーザー光入射側における反
射層の表面粗さが大きくなりやすい。この表面粗さが大
きくなると、再生ノイズが増大する。そのため、反射層
の結晶粒径を小さくすることが好ましいが、そのために
も、ＡｇまたはＡｌの単体ではなく、反射層の結晶粒径
を小さくするため、または、反射層を非晶質層として形
成するために、添加元素を加えることが好ましい。 Reflective layer 5 The material constituting the reflective layer is not particularly limited, and usually, Al, Au,
The metal or semimetal such as Ag, Pt, Cu, Ni, Cr, Ti, and Si may be composed of a simple substance or an alloy containing at least one of these metals. Therefore, it is preferable to form the reflective layer from a material having high thermal conductivity. Ag or Al is preferable as the material having high thermal conductivity. However, since Ag or Al alone does not provide sufficient corrosion resistance, it is preferable to add another element to improve corrosion resistance. In the medium having the structure shown in FIG. 3, the surface roughness of the reflective layer on the laser beam incident side is likely to be large due to the crystal growth when the reflective layer is formed. As the surface roughness increases, the reproduction noise increases. Therefore, it is preferable to reduce the crystal grain size of the reflective layer. For that purpose, instead of using Ag or Al alone, the crystal grain size of the reflective layer is reduced, or the reflective layer is formed as an amorphous layer. In order to do so, it is preferable to add an additional element.

【００３１】ただし、他の元素を添加すると熱伝導率が
低下するため、その場合には熱伝導率のより高いＡｇを
主成分元素として用いることが好ましい。Ａｇに添加す
ることが好ましい副成分元素としては、例えば、Ｍｇ、
Ｐｄ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｅ
およびＺｒから選択される少なくとも１種が挙げられ
る。これら副成分元素は、少なくとも１種、好ましくは
２種以上用いることが望ましい。反射層中における副成
分元素の含有量は、各金属について好ましくは０．０５
〜２．０原子％、より好ましくは０．２〜１．０原子％
であり、副成分全体として好ましくは０．２〜５原子
％、より好ましくは０．５〜３原子％である。副成分元
素の含有量が少なすぎると、これらを含有することによ
る効果が不十分となる。一方、副成分元素の含有量が多
すぎると、熱伝導率が小さくなってしまう。However, if another element is added, the thermal conductivity decreases. In this case, it is preferable to use Ag having a higher thermal conductivity as a main component element. Examples of the auxiliary component element that is preferably added to Ag include, for example, Mg,
Pd, Ce, Cu, Ge, La, S, Sb, Si, Te
And at least one selected from Zr. It is desirable to use at least one, and preferably two or more of these subcomponent elements. The content of the subcomponent element in the reflective layer is preferably 0.05 for each metal.
To 2.0 atomic%, more preferably 0.2 to 1.0 atomic%
And the total amount of the subcomponents is preferably 0.2 to 5 atomic%, more preferably 0.5 to 3 atomic%. If the content of the subcomponent elements is too small, the effect of containing them becomes insufficient. On the other hand, when the content of the subcomponent element is too large, the thermal conductivity becomes small.

【００３２】なお、反射層の熱伝導率は、結晶粒径が小
さいほど低くなるため、反射層が非晶質であると、記録
時に十分な冷却速度が得られにくい。そのため、反射層
をまず非晶質層として形成した後、熱処理を施して結晶
化させることが好ましい。いったん非晶質層として形成
した後に結晶化すると、非晶質のときの表面粗さをほぼ
維持でき、しかも、結晶化による熱伝導率向上は実現す
る。Since the thermal conductivity of the reflective layer becomes lower as the crystal grain size becomes smaller, if the reflective layer is amorphous, it is difficult to obtain a sufficient cooling rate during recording. Therefore, it is preferable to first form the reflective layer as an amorphous layer and then perform a heat treatment to crystallize the layer. Once formed as an amorphous layer and then crystallized, the surface roughness in the amorphous state can be substantially maintained, and the thermal conductivity can be improved by crystallization.

【００３３】反射層の熱伝導率は、好ましくは１００W/
mK以上、より好ましくは１５０W/mK以上である。熱伝導
率は、例えば、４探針法を用いて求めた反射層の電気抵
抗値から、Widemann-Franzの法則により算出することが
できる。反射層の熱伝導率の上限は特にない。すなわ
ち、反射層構成材料として使用可能なもののうち最も高
い熱伝導率を有する純銀（熱伝導率２５０W/mK）も使用
可能である。The thermal conductivity of the reflective layer is preferably 100 W /
mK or more, more preferably 150 W / mK or more. The thermal conductivity can be calculated, for example, from the electric resistance value of the reflective layer obtained by using the four probe method according to the Widemann-Franz law. There is no particular upper limit on the thermal conductivity of the reflective layer. That is, pure silver (thermal conductivity 250 W / mK) having the highest thermal conductivity among materials usable as the reflective layer constituent material can also be used.

【００３４】反射層の厚さは、通常、１０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率を得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。The thickness of the reflection layer is usually preferably from 10 to 300 nm. If the thickness is less than the above range, it becomes difficult to obtain a sufficient reflectance. Further, even if the ratio exceeds the above range, the improvement of the reflectance is small, which is disadvantageous in cost. The reflective layer is preferably formed by a vapor phase growth method such as a sputtering method or an evaporation method.

【００３５】第１誘電体層３１および第２誘電体層３２ これらの誘電体層は、記録層の酸化、変質を防ぎ、ま
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体２０や透光性基体２を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。 First dielectric layer 31 and second dielectric layer 32 These dielectric layers prevent the recording layer from being oxidized and deteriorated, and also block or release heat transmitted from the recording layer during recording. Thereby, the support base 20 and the translucent base 2 are protected. Also, by providing these dielectric layers,
The degree of modulation can be improved.

【００３６】これらの誘電体層に用いる誘電体として
は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素等か
ら選択される少なくとも１種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の２種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。As the dielectric used for these dielectric layers, for example, various compounds containing at least one metal component selected from Si, Ge, Zn, Al, rare earth elements and the like are preferable. The compound is preferably an oxide, a nitride or a sulfide, and a mixture containing two or more of these compounds can also be used.

【００３７】急冷構造とするためには、誘電体層、特に
第２誘電体層３２を、熱伝導率の高い誘電体から構成す
ることが好ましい。熱伝導率の高い誘電体としては、例
えば硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物（ＺｎＳ−ＳｉＯ
₂）、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ
素、酸化タンタルなどが好ましく、特に、Ａｌの酸化物
および／または窒化物、Ｓｉの酸化物および／または窒
化物が好ましい。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂としては、ＳｉＯ₂を
３０〜６０モル％含有するものが好ましい。ＳｉＯ₂含
有量が少なすぎると、熱伝導率が低くなりすぎる。一
方、ＳｉＯ₂含有量が多すぎると、他の層との密着性が
不十分となるため、長期間保存する際に層間の剥離が生
じやすい。In order to form a quenching structure, it is preferable that the dielectric layer, especially the second dielectric layer 32, is made of a dielectric material having high thermal conductivity. As the dielectric having high thermal conductivity, for example, a mixture of zinc sulfide and silicon oxide (ZnS-SiO
₂ ), aluminum nitride, aluminum oxide, silicon nitride, tantalum oxide, and the like are preferable, and an oxide and / or nitride of Al and an oxide and / or nitride of Si are particularly preferable. The ZnS-SiO _2, those containing SiO ₂ 30 to 60 mol% are preferred. If the SiO ₂ content is too low, the thermal conductivity will be too low. On the other hand, if the content of SiO ₂ is too large, the adhesion to other layers becomes insufficient, so that the layers are likely to peel off during storage for a long period of time.

【００３８】第２誘電体層の熱伝導率は、好ましくは１
W/mK以上、より好ましくは１．５W/mK以上である。第２
誘電体層の熱伝導率の上限は特にないが、誘電体層とし
て使用可能な材料は、通常、熱伝導率が２０W/mK程度以
下である。本発明における第２誘電体層の熱伝導率は、
薄膜状態での測定値ではなく、バルク材料での値であ
る。The thermal conductivity of the second dielectric layer is preferably 1
It is at least W / mK, more preferably at least 1.5 W / mK. Second
Although there is no particular upper limit on the thermal conductivity of the dielectric layer, the material that can be used for the dielectric layer usually has a thermal conductivity of about 20 W / mK or less. The thermal conductivity of the second dielectric layer in the present invention is:
It is not a measured value in a thin film state but a value in a bulk material.

【００３９】第１誘電体層および第２誘電体層は、組成
の相異なる２層以上の誘電体層を積層したものであって
もよい。The first dielectric layer and the second dielectric layer may be formed by laminating two or more dielectric layers having different compositions.

【００４０】第１誘電体層および第２誘電体層の厚さ
は、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように
適宜決定すればよいが、通常、第１誘電体層３１の厚さ
は好ましくは３０〜３００nm、より好ましくは５０〜２
５０nmであり、第２誘電体層３２の厚さは好ましくは１
０〜５０nmであるが、急冷構造とするためには、第２誘
電体層の厚さを好ましくは３０nm以下、より好ましくは
２５nm以下とする。The thicknesses of the first dielectric layer and the second dielectric layer may be appropriately determined so that a protective effect and a modulation degree improving effect can be sufficiently obtained. The thickness is preferably 30 to 300 nm, more preferably 50 to 2 nm.
50 nm, and the thickness of the second dielectric layer 32 is preferably 1
Although it is 0 to 50 nm, the thickness of the second dielectric layer is preferably 30 nm or less, more preferably 25 nm or less, in order to obtain a quenched structure.

【００４１】各誘電体層は、スパッタ法により形成する
ことが好ましい。Each dielectric layer is preferably formed by a sputtering method.

【００４２】記録層４ 記録層の組成は特に限定されず、各種相変化材料から適
宜選択すればよいが、少なくともＳｂおよびＴｅを含有
するものが好ましい。ＳｂおよびＴｅだけからなる記録
層は、結晶化温度が１３０℃程度と低く、保存信頼性が
不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元素
を添加することが好ましい。この場合の添加元素として
は、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇｅ、
Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｐｄおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイ
ド）から選択される少なくとも１種が好ましい。これら
のうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことから、
希土類元素、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される少な
くとも１種が好ましい。 Recording Layer 4 The composition of the recording layer is not particularly limited and may be appropriately selected from various phase change materials, but preferably contains at least Sb and Te. The recording layer composed of only Sb and Te has a low crystallization temperature of about 130 ° C. and has insufficient storage reliability. Therefore, it is preferable to add another element to improve the crystallization temperature. In this case, the additional elements include In, Ag, Au, Bi, Se, Al, P, Ge,
H, Si, C, V, W, Ta, Zn, Ti, Sn, P
At least one selected from b, Pd and rare earth elements (Sc, Y and lanthanoids) is preferred. Of these, the effect of improving storage reliability is particularly high,
At least one selected from the group consisting of rare earth elements, Ag, In and Ge is preferable.

【００４３】ＳｂおよびＴｅを含有する組成としては、
以下のものが好ましい。ＳｂおよびＴｅをそれぞれ除く
元素をＭで表し、記録層構成元素の原子比を 式Ｉ （Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yＭ_y で表したとき、好ましくは ０．２≦ｘ≦０．９０、０≦ｙ≦０．２５ であり、より好ましくは ０．５５≦ｘ≦０．８５、０．０１≦ｙ≦０．２０ である。As a composition containing Sb and Te,
The following are preferred. It represents elements excluding Sb and Te, respectively by M, when the atomic ratio of the recording layer constituent elements represented by the formula _{I (Sb x Te 1-x} ) 1-y M y, preferably 0.2 ≦ x ≦ 0. 90, 0 ≦ y ≦ 0.25, more preferably 0.55 ≦ x ≦ 0.85, 0.01 ≦ y ≦ 0.20.

【００４４】上記式Ｉにおいて、Ｓｂの含有量を表すｘ
が小さすぎると、結晶化速度が遅くなりすぎる。また、
記録層の結晶質領域での反射率が低くなるため、再生信
号出力が低くなる。また、ｘが著しく小さいと、記録も
困難となる。一方、ｘが大きすぎると、結晶状態と非晶
質状態との間での反射率差が小さくなってしまう。In the above formula I, x representing the content of Sb
Is too small, the crystallization speed becomes too slow. Also,
Since the reflectance in the crystalline region of the recording layer is low, the output of the reproduction signal is low. When x is extremely small, recording becomes difficult. On the other hand, if x is too large, the difference in reflectance between the crystalline state and the amorphous state will be small.

【００４５】元素Ｍは特に限定されないが、保存信頼性
向上効果を示す上記元素のなかから少なくとも１種を選
択することが好ましい。元素Ｍの含有量を表すｙが大き
すぎると結晶化速度が低下してしまうので、ｙは上記範
囲内であることが好ましい。The element M is not particularly limited, but it is preferable to select at least one of the above-mentioned elements exhibiting the effect of improving storage reliability. If the value of y representing the content of the element M is too large, the crystallization speed is reduced. Therefore, y is preferably within the above range.

【００４６】記録層の厚さは、好ましくは４nm超５０nm
以下、より好ましくは５〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、結晶化が困難とな
る。一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大き
くなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下
も生じる。The thickness of the recording layer is preferably more than 4 nm and 50 nm
Hereinafter, it is more preferably 5 to 30 nm. If the recording layer is too thin, growth of the crystal phase becomes difficult, and crystallization becomes difficult. On the other hand, when the recording layer is too thick, the heat capacity of the recording layer becomes large, so that recording becomes difficult, and the output of a reproduced signal also decreases.

【００４７】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。The recording layer is preferably formed by a sputtering method.

【００４８】透光性基体２ 透光性基体２は、記録再生用のレーザー光を透過するた
めに透光性を有する。透光性基体２には、支持基体２０
と同程度の厚さの樹脂板やガラス板を用いてもよい。た
だし、記録再生光学系の高ＮＡ化によって高記録密度を
達成するためには、透光性基体２を薄型化することが好
ましい。その場合の透光性基体の厚さは、３０〜３００
μmの範囲から選択することが好ましい。透光性基体が
薄すぎると、透光性基体表面に付着した塵埃による光学
的な影響が大きくなる。一方、透光性基体が厚すぎる
と、高ＮＡ化による高記録密度達成が難しくなる。The light-transmitting substrate 2 light-transmitting substrate 2 has a light-transmitting property for transmitting a laser beam for recording and reproduction. The translucent substrate 2 includes a support substrate 20.
A resin plate or a glass plate having the same thickness as that described above may be used. However, in order to achieve a high recording density by increasing the NA of the recording / reproducing optical system, it is preferable to make the light-transmitting substrate 2 thin. In this case, the thickness of the translucent substrate is 30 to 300.
It is preferable to select from the range of μm. If the light-transmitting substrate is too thin, the optical effect of dust adhering to the surface of the light-transmitting substrate increases. On the other hand, if the light-transmitting substrate is too thick, it is difficult to achieve a high recording density by increasing the NA.

【００４９】透光性基体２を薄型化するに際しては、例
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第１誘電体層３１に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第１誘電
体層３１上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。When making the light-transmitting substrate 2 thin, for example, a light-transmitting sheet made of a light-transmitting resin is attached to the first dielectric layer 31 with various adhesives or adhesives to form a light-transmitting substrate. Alternatively, a light-transmitting resin layer may be formed directly on the first dielectric layer 31 using a coating method to form a light-transmitting substrate.

【００５０】図４に示す構造 図４に示す光記録媒体は、透光性基体２上に、第１誘電
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６をこの順で有する。レーザー光は、透光性基
体２を通して入射する。The optical recording medium shown in structure 4 shown in FIG. 4, on the transparent substrate 2, first dielectric layer 31, a recording layer 4, second dielectric layer 32, the reflective layer 5 and the protective layer 6 In this order. The laser light enters through the translucent substrate 2.

【００５１】図４における透光性基体２は、図３におけ
る支持基体２０と同様なものを利用すればよいが、透光
性を有する必要がある。The light-transmitting substrate 2 shown in FIG. 4 may be the same as the supporting substrate 20 shown in FIG. 3, but needs to have a light-transmitting property.

【００５２】保護層６は、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から
構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合
物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬
化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の
厚さは、通常、０．１〜１００μm程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング
等、通常の方法により形成すればよい。The protective layer 6 is provided for improving scratch resistance and corrosion resistance. This protective layer is preferably composed of various organic substances, and in particular, it is preferably composed of a substance obtained by curing a radiation-curable compound or a composition thereof with an electron beam, radiation such as ultraviolet rays. . The thickness of the protective layer is usually about 0.1 to 100 μm, and may be formed by a usual method such as spin coating, gravure coating, spray coating, and dipping.

【００５３】このほかの各層は、図３に示す構成例と同
様である。The other layers are the same as those in the configuration example shown in FIG.

【００５４】[0054]

【実施例】実施例１ 図３に示す構造をもち、グルーブ記録方式またはランド
・グルーブ記録方式で記録がなされる光記録ディスクサ
ンプルを、以下の手順で作製した。 EXAMPLE 1 An optical recording disk sample having the structure shown in FIG. 3 and being recorded by a groove recording method or a land / groove recording method was produced by the following procedure.

【００５５】支持基体２０には、直径１２０mm、厚さ
１．２mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。この
支持基体の表面には、透光性基体２に転写後にグルーブ
およびランドとなる凹凸パターンを設けた。As the support base 20, a disc-shaped polycarbonate having a diameter of 120 mm and a thickness of 1.2 mm was used. On the surface of the supporting substrate, a concave / convex pattern serving as a groove and a land after being transferred to the translucent substrate 2 was provided.

【００５６】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｇ₉₈Ｐｄ₁Ｃｕ₁
を用いた。反射層の厚さは１００nmとした。この反射層
の熱伝導率は、１７０W/mKであった。The reflection layer 5 was formed by a sputtering method in an Ar atmosphere. The target is Ag ₉₈ Pd ₁ Cu ₁
Was used. The thickness of the reflection layer was 100 nm. The thermal conductivity of this reflective layer was 170 W / mK.

【００５７】第２誘電体層３２は、Ａｌ₂Ｏ₃ターゲット
を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。第
２誘電体層の厚さは２０nmとした。ターゲットに用いた
Ａｌ ₂Ｏ₃の熱伝導率は１０．５W/mKであった。The second dielectric layer 32 is made of Al_TwoO_Threetarget
By sputtering in an Ar atmosphere. No.
The thickness of the two dielectric layers was 20 nm. Used for target
Al _TwoO_ThreeHad a thermal conductivity of 10.5 W / mK.

【００５８】記録層４は、合金ターゲットを用い、Ａｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は、 （Ｓｂ_0.78Ｔｅ_0.22）_0.95Ｉｎ_0.01Ｇｅ_0.04 とした。記録層の厚さは１２nmとした。The recording layer 4 is made of an alloy target,
It was formed by a sputtering method in an atmosphere. The composition (atomic ratio) of the recording layer was (Sb _0.78 Te _0.22 ) _0.95 In _0.01 Ge _0.04 . The thickness of the recording layer was 12 nm.

【００５９】第１誘電体層３１は、ＺｎＳ（８０モル
％）−ＳｉＯ₂（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の
厚さは１３０nmとした。The first dielectric layer 31 is made of Ar using a ZnS (80 mol%)-SiO ₂ (20 mol%) target.
It was formed by a sputtering method in an atmosphere. The thickness of the first dielectric layer was 130 nm.

【００６０】透光性基体２は、第１誘電体層３１の表面
に、溶剤型の紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる厚さ
３μmの接着層を介して、ポリカーボネートシート（厚
さ１００μm）を接着することにより形成した。The translucent substrate 2 has a polycarbonate sheet (100 μm thick) bonded to the surface of the first dielectric layer 31 via a 3 μm thick adhesive layer made of a solvent-type UV-curable acrylic resin. It formed by doing.

【００６１】このようにして作製したサンプルをバルク
イレーザーにより初期化（結晶化）した後、 線速度：５．７m/s、 レーザー波長：４０５nm、 開口数ＮＡ：０．８５、 変調コード：（１，７）ＲＬＬ の条件において、下記手順でクロスイレーズを測定し
た。After the sample thus prepared was initialized (crystallized) by a bulk eraser, a linear velocity: 5.7 m / s, a laser wavelength: 405 nm, a numerical aperture NA: 0.85, a modulation code: (1) , 7) Under the conditions of RLL, the cross erase was measured by the following procedure.

【００６２】まず、測定対象トラックに８Ｔ信号を記録
し、このキャリア出力をＣ１とした。次いで、上記測定
対象トラックに隣接する両側のトラックに、それぞれ７
Ｔ信号を１０回オーバーライトした。次に、最初に測定
対象トラックに記録した８Ｔ信号について再びキャリア
出力を測定し、これをＣ２とした。Ｃ２−Ｃ１がクロス
イレーズである。グルーブでのクロスイレーズをＧ−Ｘ
Ｅとして、また、ランドでのクロスイレーズをＬ−ＸＥ
として、それぞれ表１に示す。First, an 8T signal was recorded on the track to be measured, and the carrier output was set to C1. Next, 7 tracks are added to the tracks on both sides adjacent to the track to be measured.
The T signal was overwritten ten times. Next, the carrier output was measured again for the 8T signal recorded on the track to be measured first, and this was designated as C2. C2-C1 is the cross erase. G-X cross erase in groove
As E, the cross erase in the land is L-XE
Are shown in Table 1 respectively.

【００６３】なお、本実施例では極めて狭いトラックピ
ッチの媒体についてクロスイレーズを測定する必要があ
るため、グルーブ記録方式の媒体ではグルーブ幅が著し
く狭くなる。したがって、サンプルの寸法精度を高くす
ることが困難であり、その結果、信頼度の高いデータを
得ることが難しくなる。そのため、グルーブ記録方式で
は、図５（Ｂ）に示す評価用ディスクを用いて以下の手
順でクロスイレーズを測定し、データの信頼度を確保し
た。In this embodiment, since it is necessary to measure the cross erase on a medium having an extremely narrow track pitch, the groove width of the medium of the groove recording system becomes extremely narrow. Therefore, it is difficult to increase the dimensional accuracy of the sample, and as a result, it is difficult to obtain highly reliable data. Therefore, in the groove recording method, the cross erase was measured by the following procedure using the evaluation disk shown in FIG. 5B to secure the reliability of the data.

【００６４】図５（Ａ）は、通常のグルーブ記録ディス
クにおいて、測定対象トラックに記録マーク４Ｍを形成
しておき、次いでその隣接トラックにレーザー光を照射
してクロスイレーズを生じさせる実験を模式的に示す断
面図である。一方、図５（Ｂ）には、本実施例において
用いた媒体２００を示してある。図５（Ｂ）では、ラン
ド幅Ｌ_Wを図５（Ａ）におけるランド幅Ｌ_Wと同じとし、
一方、グルーブ幅Ｇ_Wは図５（Ａ）におけるグルーブ幅
Ｇ_Wより広くしてある。そのため、製造が容易で寸法精
度の高いディスクとなっている。ただし、この状態で
は、図５（Ｂ）におけるトラックピッチが図５（Ａ）よ
り広くなってしまう。そのため、測定に際しては、図５
（Ｂ）に示すように、まず、測定対象トラックに、トラ
ック幅方向にオフセットしたレーザー光を用いて記録マ
ーク４Ｍを形成し、前記Ｃ１を測定する。このときのオ
フセット量は、記録マーク４Ｍのランドへのはみ出し量
が図５（Ａ）と図５（Ｂ）とで同じとなるように、すな
わち、ランド中央からビームスポット中央までの距離が
図５（Ａ）と図５（Ｂ）とで同じとなるように設定す
る。FIG. 5A is a schematic diagram showing an experiment in which a recording mark 4M is formed on a track to be measured in a normal groove recording disk, and then a laser beam is irradiated on the adjacent track to cause cross erase. It is sectional drawing shown in FIG. On the other hand, FIG. 5B shows a medium 200 used in this embodiment. In FIG. 5B, the land width L _W is the same as the land width L _W in FIG.
On the other hand, the groove width G _W is are wider than the groove width G _W in FIG. 5 (A). Therefore, the disk is easy to manufacture and has high dimensional accuracy. However, in this state, the track pitch in FIG. 5B becomes wider than that in FIG. Therefore, at the time of measurement, FIG.
As shown in (B), first, a recording mark 4M is formed on a track to be measured by using a laser beam offset in the track width direction, and the C1 is measured. The offset amount at this time is such that the amount of protrusion of the recording mark 4M to the land is the same in FIGS. 5A and 5B, that is, the distance from the center of the land to the center of the beam spot is as shown in FIG. (A) and FIG. 5 (B) are set to be the same.

【００６５】次に、隣接トラックにレーザー光を照射し
てクロスイレーズを生じさせるが、このときもトラック
幅方向にレーザー光をオフセットして照射する。このと
きのオフセット量Ｔ_Oは、記録マーク形成の際のオフセ
ット量と同じである。Next, a laser beam is irradiated to the adjacent track to cause cross-erasing. In this case, the laser beam is irradiated with the laser beam offset in the track width direction. The offset amount T _{O at} this time is the same as the offset amount at the time of forming the recording mark.

【００６６】次いで、前記Ｃ２を測定し、Ｃ２−Ｃ１を
求める。ただし、このＣ２−Ｃ１は、記録マーク片側だ
けについてのクロスイレーズなので、他方の側について
も同様に測定を行い、両測定結果を加算した値をグルー
ブでのクロスイレーズＧ−ＸＥとする。Next, C2 is measured to obtain C2-C1. However, since C2-C1 is the cross erase on only one side of the recording mark, the same measurement is performed on the other side, and the value obtained by adding both the measurement results is defined as the cross erase G-XE in the groove.

【００６７】表１に、各記録方式におけるトラックピッ
チＰ_Tを示す。ランド・グルーブ記録方式のサンプルで
は、グルーブ幅とランド幅とを同じとした。なお、グル
ーブ記録方式におけるＰ_Tは、レーザー光のオフセット
量から算出した仮想トラックピッチであり、図５（Ａ）
におけるＧ_W＋Ｌ_Wに相当する。また、グルーブ記録方式
において、レーザー光のオフセット量から算出した仮想
グルーブ幅Ｇ_W、すなわち図５（Ａ）におけるＧ_Wに相当
する値は、仮想グルーブ幅を仮想トラックピッチで除し
た値Ｇ_W／Ｐ_Tが０．３０〜０．３５となるように設定し
た。Table 1 shows the track pitch _PT in each recording method. In the sample of the land / groove recording method, the groove width and the land width were the same. Note that _PT in the groove recording method is a virtual track pitch calculated from the offset amount of the laser beam, and is shown in FIG.
Corresponding to the G _W + L _W in. Further, the groove recording method, the virtual groove width G _W calculated from the offset amount of the laser beam, i.e. 5 values corresponding to the G _W in (A), the value G _W obtained by dividing the virtual groove width in the virtual track pitch / _PT was set to be 0.30 to 0.35.

【００６８】グルーブ記録方式で各サンプルに記録後、
記録層の透過型電子顕微鏡写真を撮影し、得られた写真
から記録マーク幅Ｍ_Wを測定し、仮想グルーブ幅Ｇ_Wとの
比および仮想トラックピッチＰ_Tとの比を求めた。その
結果、Ｍ_W／Ｇ_Wは２．３〜２．８の範囲にあり、また、
Ｍ_W／Ｐ_Tは０．７０〜０．８５の範囲にあった。After recording on each sample by the groove recording method,
The transmission electron micrograph of the recording layer taken, resulting measured recording mark width M _W from the photograph to determine the ratio and the ratio of the virtual track pitch P _T of the virtual groove width G _W. As a result, M _W / G _W is in the range of 2.3 to 2.8, also,
M _W / P _T was in the range of 0.70 to 0.85.

【００６９】[0069]

【表１】 [Table 1]

【００７０】表１から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、ランド・グルーブ記録方式では、Ｐ_T／（λ
／ＮＡ）がＤＶＤ−ＲＷとほぼ同じ０．６９３であって
もトラックピッチが０．３３μmであると、グルーブで
クロスイレーズが生じている。これは、線速度が速く、
かつトラックピッチが狭いために、トラッキングサーボ
が不安定となった結果と考えられる。これに対しグルー
ブ記録方式では、トラックピッチを０．２７μmまで狭
くしてもクロスイレーズは全く発生しておらず、トラッ
クピッチが０．２４μmであってもクロスイレーズは十
分に小さい。Table 1 clearly shows the effect of the present invention.
That is, in the land / groove recording method, P _T / (λ
Even if (/ NA) is 0.693 which is almost the same as that of DVD-RW, if the track pitch is 0.33 μm, cross erase occurs in the groove. This is because the linear speed is fast,
It is considered that the tracking servo became unstable due to the narrow track pitch. On the other hand, in the groove recording method, no cross erase occurs even when the track pitch is reduced to 0.27 μm, and the cross erase is sufficiently small even when the track pitch is 0.24 μm.

【００７１】実施例２ グルーブ幅の寸法精度の高い支持基体２０を用い、トラ
ックピッチＰ_Tを表２に示す値としたほかは実施例１と
同様にして、光記録ディスクサンプルを作製した。な
お、表２に示すＰ_Tは、実施例１における仮想トラック
ピッチではなく現実のトラックピッチである。 Example 2 An optical recording disk sample was produced in the same manner as in Example 1 except that the track pitch _PT was set to the value shown in Table 2 using the support base 20 having high groove width dimensional accuracy. Note that _PT shown in Table 2 is not the virtual track pitch in the first embodiment but the actual track pitch.

【００７２】これらのサンプルについて、実施例１と同
様な評価を行った。結果を表２に示す。なお、グルーブ
記録方式で各サンプルに記録後、記録層の透過型電子顕
微鏡写真を撮影し、得られた写真から記録マーク幅Ｍ_W
を測定し、グルーブ幅Ｇ_Wとの比およびトラックピッチ
Ｐ_Tとの比を求めた。その結果、Ｍ_W／Ｇ_Wは２．０〜
２．８の範囲にあり、また、Ｍ_W／Ｐ_Tは０．７０〜０．
８６の範囲にあった。These samples were evaluated in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results. After recording on each sample by the groove recording method, a transmission electron micrograph of the recording layer was taken, and the recording mark width M _W was determined from the obtained photograph.
It was measured to determine the ratio and the ratio of the track pitch P _T of the groove width G _W. As a result, M _W / G _W is 2.0
Is in the range of 2.8, also, the M _W / P _T 0.70~0.
86.

【００７３】[0073]

【表２】 [Table 2]

【００７４】表２では、トラックピッチＰ_TおよびＰ_T／
（λ／ＮＡ）に応じて表１と同等の結果が得られてい
る。この結果から、本発明の効果が明らかである。In Table 2, the track pitches _PT and _PT /
According to (λ / NA), a result equivalent to Table 1 is obtained. From these results, the effect of the present invention is clear.

【００７５】実施例３ 図４に示す構造をもち、グルーブ記録方式またはランド
・グルーブ記録方式で記録がなされる光記録ディスクサ
ンプルを、以下の手順で作製した。 Example 3 An optical recording disk sample having the structure shown in FIG. 4 and being recorded by the groove recording method or the land / groove recording method was manufactured by the following procedure.

【００７６】透光性基体２には、射出成形によりグルー
ブを同時形成した直径１２０mm、厚さ０．６mmのディス
ク状ポリカーボネートを用いた。グルーブ記録方式およ
びランド・グルーブ記録方式のそれぞれにおいて、トラ
ックピッチＰ_Tは表３に示す値とした。なお、グルーブ
記録方式の媒体におけるグルーブ幅Ｇ_Wは、Ｇ_W／Ｐ_Tが
０．３０〜０．３５となるように設定し、ランド・グル
ーブ記録方式の媒体におけるグルーブ幅は、ランド幅と
同じとした。As the translucent substrate 2, a disc-shaped polycarbonate having a diameter of 120 mm and a thickness of 0.6 mm, in which grooves were simultaneously formed by injection molding, was used. In each of the groove recording method and the land / groove recording method, the track pitch _PT had a value shown in Table 3. Incidentally, the groove width G _W in the medium of groove-recording system, set as G _W / P _T is 0.30 to 0.35, the groove width in the medium of the land-groove recording system is the same as the land width And

【００７７】第１誘電体層３１は、ＺｎＳ（８０モル
％）−ＳｉＯ₂（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の
厚さは８０nmとした。The first dielectric layer 31 is made of Ar using a ZnS (80 mol%)-SiO ₂ (20 mol%) target.
It was formed by a sputtering method in an atmosphere. The thickness of the first dielectric layer was 80 nm.

【００７８】記録層４は、合金ターゲットを用い、Ａｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は、 （Ｓｂ_0.72Ｔｅ_0.28）_0.88Ａｇ_0.06Ｉｎ_0.04Ｇｅ_0.02 とした。記録層の厚さは２３nmとした。The recording layer 4 is made of an alloy target,
It was formed by a sputtering method in an atmosphere. The composition (atomic ratio) of the recording layer was (Sb _0.72 Te _0.28 ) _0.88 Ag _0.06 In _0.04 Ge _0.02 . The thickness of the recording layer was 23 nm.

【００７９】第２誘電体層３２は、ＺｎＳ（５０モル
％）−ＳｉＯ₂（５０モル％）ターゲットを用いてＡｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。第２誘電体層の
厚さは２５nmとした。ターゲットに用いたＺｎＳ（５０
モル％）−ＳｉＯ₂（５０モル％）の熱伝導率は１．０W
/mKであった。The second dielectric layer 32 is formed by using a ZnS (50 mol%) — SiO ₂ (50 mol%)
It was formed by a sputtering method in an atmosphere. The thickness of the second dielectric layer was 25 nm. ZnS (50
Mol%) - thermal conductivity of SiO ₂ (50 mol%) of 1.0W
/ mK.

【００８０】反射層５は、実施例１と同様にして形成し
た。The reflection layer 5 was formed in the same manner as in Example 1.

【００８１】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。保護層の厚さは５μmであった。The protective layer 6 was formed by applying an ultraviolet curable resin by a spin coating method and then curing the resin by irradiation with ultraviolet light. The thickness of the protective layer was 5 μm.

【００８２】このようにして作製したサンプルをバルク
イレーザーにより初期化（結晶化）した後、 線速度：３．５m/s、 レーザー波長：６３５nm、 開口数ＮＡ：０．６０、 変調コード：８−１６変調 の条件において、実施例１と同様にしてクロスイレーズ
を測定した。ただし、測定対象トラックに記録する信号
は１４Ｔとし、隣接トラックに記録する信号は１１Ｔと
した。結果を表３に示す。After the sample thus prepared was initialized (crystallized) by a bulk eraser, a linear velocity: 3.5 m / s, a laser wavelength: 635 nm, a numerical aperture NA: 0.60, a modulation code: 8- Cross erase was measured in the same manner as in Example 1 under 16 modulation conditions. However, the signal recorded on the track to be measured was 14T, and the signal recorded on the adjacent track was 11T. Table 3 shows the results.

【００８３】なお、グルーブ記録方式で各サンプルに記
録後、記録層の透過型電子顕微鏡写真を撮影し、得られ
た写真から記録マーク幅Ｍ_Wを測定し、グルーブ幅Ｇ_Wと
の比およびトラックピッチＰ_Tとの比を求めた。その結
果、Ｍ_W／Ｇ_Wは２．３〜３．２の範囲にあり、また、Ｍ
_W／Ｐ_Tは０．７０〜０．９６の範囲にあった。[0083] Incidentally, after recording each sample in groove recording method, taking a transmission electron micrograph of the recording layer was measured recording mark width M _W from the obtained photograph, the ratio and track the groove width G _W The ratio to the pitch _PT was determined. As a result, M _W / G _W is in the range of 2.3 to 3.2, also, M
_W / _PT was in the range of 0.70 to 0.96.

【００８４】[0084]

【表３】 [Table 3]

【００８５】表３から、 Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．６８ のとき、ランド・グルーブ記録方式においてグルーブで
のクロスイレーズが大きくなることがわかる。これに対
しグルーブ記録方式では、Ｐ_T／（λ／ＮＡ）が極めて
小さくなるまでクロスイレーズが発生していない。From Table 3, it can be seen that when P _T /(λ/NA)≦0.68, the cross erase in the groove becomes large in the land / groove recording method. On the other hand, in the groove recording method, cross erase does not occur until P _T / (λ / NA) becomes extremely small.

【００８６】[0086]

【発明の効果】本発明では、従来、ランド・グルーブ記
録方式が適していると考えられていた高密度記録媒体に
おいて、グルーブ記録方式を採用することにより、ラン
ド・グルーブ記録方式に比べクロスイレーズを著しく低
減することができる。したがって、クロスイレーズの抑
制が難しい結晶化速度の速い記録層を採用できるので、
高転送レートの記録システムが実現できる。また、トラ
ックピッチを狭くできるので、高密度記録システムが実
現できる。According to the present invention, in a high-density recording medium conventionally considered to be suitable for the land / groove recording method, the cross-erase is improved by adopting the groove recording method as compared with the land / groove recording method. It can be significantly reduced. Therefore, it is possible to employ a recording layer having a high crystallization speed in which it is difficult to suppress cross-erase,
A recording system with a high transfer rate can be realized. Further, since the track pitch can be narrowed, a high-density recording system can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】グルーブ記録方式の媒体の断面を模式的に示す
断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a medium of a groove recording system.

【図２】ランド・グルーブ記録方式の媒体の断面を模式
的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a land-groove recording medium.

【図３】光記録媒体の構成例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of an optical recording medium.

【図４】光記録媒体の構成例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of an optical recording medium.

【図５】（Ａ）は、グルーブ記録方式の媒体の断面を模
式的に示す断面図であり、（Ｂ）は、実施例においてグ
ルーブ記録方式での測定に用いた評価用ディスクの断面
を模式的に示す断面図である。FIG. 5A is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a groove recording medium, and FIG. 5B is a schematic cross section of an evaluation disk used for measurement in the groove recording method in Examples. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２ 透光性基体 ２０ 支持基体 ２００ 媒体 ２Ｇ グルーブ ２Ｌ ランド ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ４Ｍ 記録マーク ５ 反射層 ６ 保護層 Reference Signs List 2 translucent base 20 support base 200 medium 2G groove 2L land 31 first dielectric layer 32 second dielectric layer 4 recording layer 4M recording mark 5 reflection layer 6 protective layer

フロントページの続き (72)発明者 宇都宮 肇 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 井上 弘康 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 LC17 MA17 WB11 WD10 WD30 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14 FF11 FF21 GG01 Continuing on the front page (72) Inventor Hajime Utsunomiya 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation (72) Inventor Hiroyasu Inoue 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation F term (reference) 5D029 LC17 MA17 WB11 WD10 WD30 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14 FF11 FF21 GG01

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 グルーブを有する透光性基体上に相変化
型の記録層を有する光記録媒体に記録を行うに際し、 記録に用いるレーザー光の波長をλ、記録光学系の対物
レンズの開口数をＮＡ、記録トラックの配列ピッチをＰ
_Tとしたとき、 ０．４８≦Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．７４、 Ｐ_T≦０．５０μm が成立する条件でグルーブに対し記録を行う光記録方
法。When recording on an optical recording medium having a phase-change recording layer on a light-transmitting substrate having grooves, the wavelength of a laser beam used for recording is λ, the numerical aperture of an objective lens of a recording optical system. NA and recording track array pitch P
_An optical recording method in which recording is performed on a groove under the conditions that 0.48 ≦ _{PT / (} λ / NA) ≦ 0.74 and _PT ≦ 0.50 μm where _T is satisfied. 【請求項２】 媒体の線速度を４．５m/s以上とする請
求項１の光記録方法。2. The optical recording method according to claim 1, wherein the linear velocity of the medium is 4.5 m / s or more. 【請求項３】 グルーブを有する透光性基体上に相変化
型の記録層を有する光記録媒体に記録を行うに際し、 記録に用いるレーザー光の波長をλ、記録光学系の対物
レンズの開口数をＮＡ、記録トラックの配列ピッチをＰ
_Tとしたとき、 ０．４８≦Ｐ_T／（λ／ＮＡ）≦０．６８ が成立する条件でグルーブに対し記録を行う光記録方
法。3. When recording on an optical recording medium having a phase-change recording layer on a translucent substrate having grooves, the wavelength of the laser beam used for recording is λ, the numerical aperture of the objective lens of the recording optical system. NA and recording track array pitch P
_An optical recording method in which recording is performed on a groove under the condition that 0.48 ≦ _{PT / (} λ / NA) ≦ 0.68 when _T is satisfied. 【請求項４】 少なくとも一方の端部がグルーブからは
み出した記録マークを形成する請求項１〜３のいずれか
の光記録方法。4. The optical recording method according to claim 1, wherein at least one end forms a recording mark protruding from the groove. 【請求項５】 前記光記録媒体は、前記透光性基体上に
前記記録層、誘電体層および反射層をこの順で有し、前
記反射層の熱伝導率が１００W/mK以上であり、前記誘電
体層の熱伝導率が１W/mK以上である請求項１〜４のいず
れかの光記録方法。5. The optical recording medium has the recording layer, a dielectric layer, and a reflective layer on the translucent substrate in this order, and the thermal conductivity of the reflective layer is 100 W / mK or more. 5. The optical recording method according to claim 1, wherein the thermal conductivity of the dielectric layer is 1 W / mK or more. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかの光記録方法に
より記録がなされる光記録媒体。6. An optical recording medium on which recording is performed by the optical recording method according to claim 1.