JP2002184810A - ボンディング方法、ボンディング装置および実装基板 - Google Patents
ボンディング方法、ボンディング装置および実装基板Info
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Abstract
可能となり、圧着バンプ形状をほぼ円形に保ち、かつ、
基板依存性をなくし、また、接合温度の低温化を図る。 【解決手段】 ボンディング・ステージ2は、ヒータ部
13により、常温〜200℃前後に加熱される。電子部
品3は、ボンディング・ツール4のセラミックヒータに
より、100℃〜500℃程度に加熱される。電子部品
3を基板1の所定の接続位置に当接させる直前に、超音
波発振器24および超音波振動子24により、基板1に
超音波振動を印加する。高温に加熱されている電子部品
3と基板1との当接部位には、超音波振動と熱とが印加
され、接合部の間に介在している酸化膜が満遍なく除去
され、さらに熱による拡散により、両者は強固に結合す
る。
Description
電子部品をフリップチップ・ボンディングするためのボ
ンディング方法、ボンディング装置および実装基板に関
する。
を介して接合するフリップチップ・ボンディングは、実
装面積が小さく、回路の配線長さが短いという特長があ
り、高密度実装や高速デバイスの実装に適している。特
に、形成プロセスが比較的容易である金ボールバンプを
用いたものが広く実用化している。
基づいて説明する。まず、予め電子部品81の電極上に
金バンプ83を形成する。この金バンプ83が形成され
た電子部品81を、バンプ形成面を下向きにして超音波
ホーンに取付けられたボンディング・ツールで吸着す
る。
ディング・ステージ上には、電極用金めっきが施された
セラミック基板を配置する。しかして、電子部品81と
セラミック基板とはカメラ等により位置決めされた後
に、ボンディング・ツールが下降して電子部品81をセ
ラミック基板に超音波を印加しながら加圧・接合する。
て行われる。すなわち、第1段階としての金バンプ83
に残存しているバリを超音波により除去する工程、およ
び、金バンプ83とセラミック基板の電極との超音波接
合工程からなっている。
力で超音波振動を800m秒間印加した後、2.0Wで
超音波を800m秒間印加する。この際、ボンディング
・ツールは、同一状態で作動するので、超音波の振動は
同一方向(図7の矢印84参照)である。
熱圧着するフリップチップ・ボンディングにおいては、
十分な接合強度を獲得するために、ワイヤ・ボンディン
グと比較して、超音波を高い出力で長時間に亘ってバン
プに印加する必要がある。この結果、生産能率が大幅に
低下することはもとより、ボンディング前には円形であ
った金バンプ83は(図7の点線参照)、ボンディング
後には、超音波振動方向91が長径となる楕円形に変形
する(図7の実線参照)。
形であることから、電極のサイズに対する金バンプ83
の変形許容量が楕円の長径で決まってしまうため、ボン
ディング条件の適正範囲が狭くなってしまうという問題
がある。例えば、従来方式では、短径が90pμmであ
るのに対して、長径が120μmに達してしまい、一辺
が120μmの電極パッドへの適用は困難である。
特表平10−503059では、半導体部品および基板
を加熱して加圧・加熱接続する方法がある。しかしなが
ら、該方法では、基板と半導体部品との熱膨張率の違い
により、接続した部分が常温に戻った時点にズレが生
じ、接合部が剥がれてしまう。
8、特開平7−115109などでは、超音波発振部を
半導体部品側と基板側とに設け、加熱と超音波とを両方
に加えることで接合を行う方法が考えられている。しか
しながら、該方法では、超音波ホーンとヒータ部とを上
と下に設けるため、設備が複雑となり購入金額額も高く
なる。また、現状のFCボンダの流用は難しく、新たに
設備開発が必要で、開発コストも高額となる。さらに、
ヘッド側に超音波ホーンと加熱機能とを設ける場合に
は、ヘッド部が大きく複雑になるだけでなく、ホーンの
熱膨張を考えた設計が必要となり、設定温度を変更する
ごとにホーン交換が必要でこのための工数も大きな問題
である。
ディングヘッド部は、コンスタントヒートで200℃程
度が限界である。この理由は、超音波発信部は、通常、
圧電素子を用いているが、この部分が熱に弱く、50℃
以上では機能しなくなるため、発信部をヒータ部から離
すことで何とか200℃が達成されている。当然、この
場合は、ヘッド部が非常に大きくなる。200℃以下の
温度で接合しようとする場合(但し、周辺に熱が逃げる
ため、接合部の温度は実質150℃程度しか上がらな
い)、接合部には超音波が十分にかかる必要があり、基
板の固定などをしっかり行う必要があり、また基板もセ
ラミック基板のみしか使えない。さらに、超音波を中心
に接合を行うため、接合毎にボンディングヘッドが磨耗
し、1万チップをボンドするごとにホーン交換が必要と
なり、このコストおよび工数もかかってしまう。
音波および加熱を行って、ボンディングを行う場合、ボ
ンディング条件の適正範囲が極度に制約を受ける結果、
電極パッドが微細化した場合の対応が困難である。さら
に、超音波を半導体部品と基板とに同時に印加する場合
には、設備の高額化と作業性の低下、また2つの事例に
言えることであるが、基板タイプがセラミックのみに限
定されるという問題があった。
れたもので、簡単な構成で、十分な接合強度を得ること
ができ、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことができ、
かつ、基板依存性をなくすことができ、また、接合温度
の低温化を図ることができるボンディング方法、ボンデ
ィング装置および実装基板を提供することを目的とす
る。
求項1記載の発明によるボンディング方法は、電子部品
上の電極と基板の電極とを接続するボンディング方法に
おいて、前記基板の電極上にバンプを形成するバンプ形
成工程と、前記基板に超音波を印加しながら、前記電子
部品上の電極と前記基板の電極上に形成したバンプとを
圧着する圧着工程とを有することを特徴とする。
2記載のように、請求項1記載のボンディング方法にお
いて、前記圧着工程において、前記電子部品と前記基板
とを加熱するようにしてもよい。
の発明によるボンディング方法は、電子部品上の電極と
基板の電極とを接続するボンディング方法において、前
記電子部品の電極上にバンプを形成するバンプ形成工程
と、前記基板に超音波を印加しながら、前記電子部品上
の電極に形成したバンプと前記基板上の電極とを圧着す
る圧着工程とを有することを特徴とする。
4記載のように、請求項3記載のボンディング方法にお
いて、前記圧着工程において、前記電子部品と前記基板
とを加熱するようにしてもよい。
の発明によるボンディング装置は、電子部品上の電極と
基板の電極とを接続するボンディング装置において、前
記基板に超音波を印加する超音波発生手段と、前記電子
部品上の電極と前記基板の電極上に形成されたバンプと
を圧着する圧着手段とを具備することを特徴とする。
6記載のように、請求項5記載のボンディング装置にお
いて、前記圧着手段による圧着時に前記電子部品を加熱
する第1の加熱手段と、前記圧着手段による圧着時に前
記基板を加熱する第2の加熱手段とを具備するようにし
てもよい。
の発明によるボンディング装置は、電子部品上の電極と
基板の電極とを接続するボンディング装置において、前
記基板に超音波を印加する超音波発生手段と、前記電子
部品上の電極に形成されたバンプと前記基板上の電極と
を圧着する圧着手段とを具備することを特徴とする。
8記載のように、請求項7記載のボンディング装置にお
いて、前記圧着手段による圧着時に前記電子部品を加熱
する第1の加熱手段と、前記圧着手段による圧着時に前
記基板を加熱する第2の加熱手段とを具備するようにし
てもよい。
の発明による実装基板は、電子部品上の電極と基板の電
極とを接続することにより電子部品を実装する実装基板
において、前記基板に超音波を印加しながら、前記基板
の電極上に形成されたバンプに前記電子部品上の電極を
圧着することにより電気的に接続された電子部品を実装
することを特徴とする。
10記載のように、請求項9記載の実装基板において、
前記電子部品と前記基板とは、圧着時に加熱されるよう
にしてもよい。
載の発明による実装基板は、電子部品上の電極と基板の
電極とを接続することにより電子部品を実装する実装基
板において、前記基板に超音波を印加しながら、前記基
板の電極上に前記電子部品の電極上に形成されたバンプ
を圧着することにより電気的に接続された電子部品を実
装することを特徴とする。
12記載のように、請求項11記載の実装基板におい
て、前記電子部品と前記基板とは、圧着時に加熱される
ようにしてもよい。
前記基板の電極上にバンプを形成し、圧着工程におい
て、前記基板に超音波を印加しながら、前記電子部品上
の電極と前記基板の電極上に形成したバンプとを圧着す
る。すなわち、電子部品のバンプ電極を基板に対して熱
圧着することにより接続する際に、基板側のみに超音波
振動を印加するようにしたことで、簡単な構成で、十分
な接合強度を得ることが可能となり、圧着バンプ形状を
ほぼ円形に保つことが可能となり、かつ、基板依存性を
なくすことが可能となり、また、接合温度の低温化を図
ることが可能となる。
面を参照して説明する。
成を示す側面図である。このボンディング装置は、例え
ばステンレス銅などの材質からなり、かつ基板1を保持
する円柱状のボンディング・ステージ2を備える。ボン
ディング・ステージ2には、基板1を吸引して固定させ
る真空源42が連結されている。また、ボンディング・
ステージ2には、基板1に超音波を印加する超音波振動
子24が当接して設けられている。超音波振動子24
は、超音波発振部9により、所定のタイミングで、所定
の周波数、所定の時間、超音波振動する。また、該ボン
ディング・ステージ2には、基板1を加熱するヒータ部
13が内設されている。
は、電子部品3を着脱自在に保持でき、かつ加熱可能な
ボンディング・ツール4が配設されている。このボンデ
ィング・ツール4は、上下方向(矢印Z)に昇降駆動す
る昇降駆動部6に支持されている。また、昇降駆動部6
は、XY方向に移動させるXYステージ41に載置され
ている。
駆動部6、真空源7、超音波発振部9およびボンディン
グ・ステージ2を予め設定されたプログラムに基づいて
制御し、一連のボンディング作業を行う。
うに、外形寸法が、縦6.Omm、横6.0mm、厚さ
0.4mmであり、一方の主面には、例えば60個のア
ルミニウム製(具体的にはAi−Si、Al−Cu、A
l−Si−Cu)の電極10が、スバッタ法により成膜
されている。これらの電極10の形状は、例えば、一辺
が90μmの正方形をなし、厚さは、0.5μmであ
る。各電極10には、直径70μmおよび高さ30〜1
00μmの金バンプ11が形成されている。
辺が8mmの正方形をなし、その厚さは、例えば0.1
mmである。そして、この基板1上には、上記金バンプ
11が接続される電極12が形成されている(図2を参
照)。この電極12は、Cu/ニッケル(Ni)/金
(Au)の層状構造をなしていて、最上層の金層は、電
解めっき法(無電解でも良い)にて0.1μm以上の厚
さに形成されている。なお、基板材質としては、ガラエ
ポ基板やポリイミドテープなどが使用できる。また、セ
ラミック基板も使用でき、この場合の電極12は、W/
ニッケル(Ni)/金(Au)の層状構造をなしてい
て、最上層の金層は、無電解めっき法にて0.4μmの
厚さに形成されている。
るヒータ部13は、例えばニクロム線などの加熱手段か
らなり、基板1を例えば200℃前後に加熱するように
設定されている。このヒータ部13は、上述したボンデ
ィング制御部40により温度制御されるようになってい
る。
ミック内に配線を形成し、電流を流すことで加熱可能な
セラミックヒータ(図示略)が内設されている。このセ
ラミックヒータは、保持部15により保持され、さら
に、該保持部15は、支持部16により支持されてい
る。上記保持部15は、主面が例えば10mm角をな
し、かつ、厚さは例えば5mmであり、熱伝導率が低い
材料(断熱材)からなる。この材料としては、ポーラス
な金属材料などが考えられる。そして、保持部15およ
びボンディング・ツール4(セラミックヒータ)には、
内径が例えば0.8mmの吸引孔17が穿設されてい
る。この吸引孔17には、配管を介して真空源17が接
続されている。
乗せずに、超音波振動子24が固定されている超音波発
信ブロック43をXYステージ41に乗せ、基板側をX
Y方向に動かし、ボンディング・ツール部をZ方向のみ
に動かすことも可能である。
について説明する。まず、ボンディング制御部40から
の制御信号に基づき真空源7を起動し、ボンディング・
ツール4の保持部15に電子部品3を吸着させる。そし
て、ボンディング・ステージ2上に基板1を乗せ、真空
吸着源42をONすることで真空吸着固定する。一方、
ボンディング制御部40からの制御信号に基づきヒータ
部13に通電することにより、ボンディング・ステージ
2を常温〜200℃前後に加熱する。
信号に基づき昇降駆動部6およびXYステージ41を起
動し、ボンディング・ツール4をボンディング・ステー
ジ2上に載置された基板1に対して下降させ、ボンディ
ング・ツール4に吸着されている電子部品3を基板1の
所定の接続位置に当接させる。このとき、ボンディング
制御部40の制御によりセラミックヒータに通電し、ボ
ンディング・ツール4、電子部品3を加熱する。加熱開
始時期は、基板1と電子部品3とが接触する前でもよ
い。また、加熱方法は、常に加熱したままでもよい。加
熱温度は、100℃〜500℃程度になる。当接により
電子部品3の金バンプ11が対応する電極12に押圧さ
れる。なお、電子部品3と基板1との位置決めは、図示
せぬ撮像装置を用いてボンディング制御部40から印加
された制御信号によりXYテーブル41を作動させるこ
とにより行う。
に、超音波発振器24に、ボンディング制御部40から
制御信号が印加され、超音波振動子24を、例えば10
KHz〜130KHzの振動数で10〜200m秒間程
度振動させる(図3の矢印52を参照)。このときの出
力は、例えば10mW〜5Wが好ましい。
ている金バンプ11と電極12との当接部位に超音波振
動と熱とが印加され、金バンプ11と電極12との間に
介在している酸化膜が満遍なく除去される。さらに、熱
による拡散により、両者は強固に結合する。このような
ボンディングが終了すると、真空源7による電子部品3
の吸着を解除するとともに、ボンディング制御部40か
ら制御信号を昇降駆動部6に印加して、ボンディング・
ツール4を上昇させる。
子部品3の接合強度を調べるため、図4に示すシェア・
ツールを水平(矢印53)方向に動かすことにより、せ
ん断強度を測定したところ、30gfと十分な接合強度
が得られた。
たところ、金バンプ11は、図5に示すように、ほぼ円
形を保ちながら変形していた。すなわち、金バンプ11
の変形後の圧着径は70μmであり、一辺が100μm
の正方形をなすパッド電極12への対応は十分である。
なお、図6において、点線にて示した円形は、ボンディ
ング前のバンプ形状である。
品側にバンプを形成したが、これに限らず、図6に示す
ように、基板1側に金バンプ11を形成してもよい。こ
の場合、高温に加熱されている電極10と金バンプ11
との当接部位に超音波振動と熱とが印加され、金バンプ
11と電極10との間に介在している酸化膜が満遍なく
除去され、さらに熱による拡散により、両者は強固に結
合する。
ンプ11の電極12への当接直前に超音波を印加するよ
うにしているが、超音波の印加時点は、良好な接合を得
ることができる前提条件を満足する限り時期に制約され
ない。
サを組み込み、この圧力センサにより検出された金バン
プ11の電極12に対する加圧荷重が、例えば1kgf
に達したと同時に超音波振動を印加するようにしてもよ
い。
子部品3のバンプとして、金バンプを用いているが、例
えばNi(ニッケル)バンプや、Cuバンプなどを用い
てもよい。また、これらバンプにAuメッキ等のメッキ
を行ってもよい。さらに、本発明は、一般の半導体装置
の製造に拡大適用が可能である。
ンプ電極を基板に対して熱圧着することにより接続する
際に、基板側のみに超音波振動を印加するようにしたこ
とで、今まで使用されていたFCボンダの簡単な改造に
より、十分な接合強度を得ることができることはもとよ
り、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことができるの
で、対応するパッド電極へはみ出すことなく接合するこ
とが可能となる。また、熱を中心に接合するため、基板
の強固なホールドも必要なく、真空吸着程度の固定で問
題なく、また基板に対する依存性も少ない。
半導体部品の熱が基板側により伝わりにくいため、基板
の加熱による熱膨張を防ぎつつ、接合部の温度を下げて
電極10と金バンプ11を接合することが可能となる。
特に、Al−CuやAl−Cu−Siで半導体部品の電
極が形成された場合には、AlやAl−Siに比べ接合
しにくいため、接合温度の低温化は重要である(あまり
に温度が高い場合には、基板側が熱膨張し、常温に戻し
た時点で半導体部品と基板との熱膨張の違いでバンプ部
の接続が壊れる問題が発生している)。
成工程により、前記基板の電極上にバンプを形成した
後、圧着工程により、前記基板に超音波を印加しなが
ら、前記電子部品上の電極と前記基板の電極上に形成し
たバンプとを圧着するようにしたので、簡単な構成で、
十分な接合強度を得ることができ、圧着バンプ形状をほ
ぼ円形に保つことができ、かつ、基板依存性をなくすこ
とができ、また、接合温度の低温化を図ることができる
という利点が得られる。
圧着工程において、前記電子部品と前記基板とを加熱す
るようにしたので、簡単な構成で、十分な接合強度を得
ることができ、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことが
でき、かつ、基板依存性をなくすことができ、また、接
合温度の低温化を図ることができるという利点が得られ
る。
プ形成工程により、前記電子部品の電極上にバンプを形
成した後、圧着工程により、前記基板に超音波を印加し
ながら、前記電子部品上の電極に形成したバンプと前記
基板上の電極とを圧着するようにしたので、簡単な構成
で、十分な接合強度を得ることができ、圧着バンプ形状
をほぼ円形に保つことができ、かつ、基板依存性をなく
すことができるという利点が得られる。
圧着工程において、前記電子部品と前記基板とを加熱す
るようにしたので、簡単な構成で、十分な接合強度を得
ることができ、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことが
でき、かつ、基板依存性をなくすことができるという利
点が得られる。
波発生手段により、前記基板に超音波を印加しながら、
圧着手段により、前記電子部品上の電極と前記基板の電
極上に形成されたバンプとを圧着するようにしたので、
簡単な構成で、十分な接合強度を得ることができ、圧着
バンプ形状をほぼ円形に保つことができ、かつ、基板依
存性をなくすことができ、また、接合温度の低温化を図
ることができるという利点が得られる。
の加熱手段により、前記圧着手段による圧着時に前記電
子部品を加熱し、第2の加熱手段により、前記圧着手段
による圧着時に前記基板を加熱するようにしたので、簡
単な構成で、十分な接合強度を得ることができ、圧着バ
ンプ形状をほぼ円形に保つことができ、かつ、基板依存
性をなくすことができ、また、接合温度の低温化を図る
ことができるという利点が得られる。
波発生手段により、前記基板に超音波を印加しながら、
圧着手段により、前記電子部品上の電極に形成されたバ
ンプと前記基板上の電極とを圧着するようにしたので、
簡単な構成で、十分な接合強度を得ることができ、圧着
バンプ形状をほぼ円形に保つことができ、かつ、基板依
存性をなくすことができるという利点が得られる。
の加熱手段により、前記圧着手段による圧着時に前記電
子部品を加熱し、第2の加熱手段により、前記圧着手段
による圧着時に前記基板を加熱するようにしたので、簡
単な構成で、十分な接合強度を得ることができ、圧着バ
ンプ形状をほぼ円形に保つことができ、かつ、基板依存
性をなくすことができるという利点が得られる。
基板に超音波を印加しながら、前記基板の電極上に形成
されたバンプに前記電子部品上の電極を圧着することに
より電気的に接続された電子部品を実装するようにした
ので、簡単な構成で、十分な接合強度を得ることがで
き、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことができ、か
つ、基板依存性をなくすことができ、また、接合温度の
低温化を図ることができるという利点が得られる。
記電子部品と前記基板とを、圧着時に加熱するようにし
たので、簡単な構成で、十分な接合強度を得ることがで
き、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことができ、か
つ、基板依存性をなくすことができ、また、接合温度の
低温化を図ることができるという利点が得られる。
記基板に超音波を印加しながら、前記基板の電極上に前
記電子部品の電極上に形成されたバンプを圧着すること
により電気的に接続された電子部品を実装するようにし
たので、簡単な構成で、十分な接合強度を得ることがで
き、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことができ、か
つ、基板依存性をなくすことができるという利点が得ら
れる。
記電子部品と前記基板とを、圧着時に加熱するようにし
たので、簡単な構成で、十分な接合強度を得ることがで
き、圧着バンプ形状をほぼ円形に保つことができ、か
つ、基板依存性をなくすことができるという利点が得ら
れる。
成を示す側面図である。
側面図である。
る。
板1と電子部品3の接合強度を調べる試験方法を説明す
るための側面図である。
た圧着バンプの形状を説明するための上面図である。
説明するための側面図である。
を説明するための上面図である。
子部品、4……ボンディング・ツール(圧着手段、第1
の加熱手段)、6……昇降駆動部、7……真空源、9…
…超音波発振部(超音波発生手段)、10……電極、1
1……金バンプ、13……ヒータ部(第2の加熱手
段)、24……超音波振動子(超音波発生手段)、40
……ボンディング制御部、41……XYステージ、42
……真空源
Claims (12)
- 【請求項1】 電子部品上の電極と基板の電極とを接続
するボンディング方法において、 前記基板の電極上にバンプを形成するバンプ形成工程
と、 前記基板に超音波を印加しながら、前記電子部品上の電
極と前記基板の電極上に形成したバンプとを圧着する圧
着工程とを有することを特徴とするボンディング方法。 - 【請求項2】 前記圧着工程において、前記電子部品と
前記基板とを加熱することを特徴とする請求項1記載の
ボンディング方法。 - 【請求項3】 電子部品上の電極と基板の電極とを接続
するボンディング方法において、 前記電子部品の電極上にバンプを形成するバンプ形成工
程と、 前記基板に超音波を印加しながら、前記電子部品上の電
極に形成したバンプと前記基板上の電極とを圧着する圧
着工程とを有することを特徴とするボンディング方法。 - 【請求項4】 前記圧着工程において、前記電子部品と
前記基板とを加熱することを特徴とする請求項3記載の
ボンディング方法。 - 【請求項5】 電子部品上の電極と基板の電極とを接続
するボンディング装置において、 前記基板に超音波を印加する超音波発生手段と、 前記電子部品上の電極と前記基板の電極上に形成された
バンプとを圧着する圧着手段とを具備することを特徴と
するボンディング装置。 - 【請求項6】 前記圧着手段による圧着時に前記電子部
品を加熱する第1の加熱手段と、 前記圧着手段による圧着時に前記基板を加熱する第2の
加熱手段とを具備することを特徴とする請求項5記載の
ボンディング装置。 - 【請求項7】 電子部品上の電極と基板の電極とを接続
するボンディング装置において、 前記基板に超音波を印加する超音波発生手段と、 前記電子部品上の電極に形成されたバンプと前記基板上
の電極とを圧着する圧着手段とを具備することを特徴と
するボンディング装置。 - 【請求項8】 前記圧着手段による圧着時に前記電子部
品を加熱する第1の加熱手段と、 前記圧着手段による圧着時に前記基板を加熱する第2の
加熱手段とを具備することを特徴とする請求項7記載の
ボンディング装置。 - 【請求項9】 電子部品上の電極と基板の電極とを接続
することにより電子部品を実装する実装基板において、 前記基板に超音波を印加しながら、前記基板の電極上に
形成されたバンプに前記電子部品上の電極を圧着するこ
とにより電気的に接続された電子部品を実装することを
特徴とする実装基板。 - 【請求項10】 前記電子部品と前記基板とは、圧着時
に加熱されることを特徴とする請求項9記載の実装基
板。 - 【請求項11】 電子部品上の電極と基板の電極とを接
続することにより電子部品を実装する実装基板におい
て、 前記基板に超音波を印加しながら、前記基板の電極上に
前記電子部品の電極上に形成されたバンプを圧着するこ
とにより電気的に接続された電子部品を実装することを
特徴とする実装基板。 - 【請求項12】 前記電子部品と前記基板とは、圧着時
に加熱されることを特徴とする請求項11記載の実装基
板。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000384948A JP2002184810A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | ボンディング方法、ボンディング装置および実装基板 |
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JP2000384948A JP2002184810A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | ボンディング方法、ボンディング装置および実装基板 |
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