JP2002184738A - Substrate-treating device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-treating device for improving airtightness at the boundary between a site where a drive mechanism such as a motor is arranged and a treatment chamber. SOLUTION: The substrate-treating device 2 retains a substrate W on a rotation support plate 21 for rotary treatment at a treatment space S that is formed by pinching the substrate W at an area to an upper rotary plate 41. A seal section 90 is arranged between a casing 37 and the lower surface of the rotation support plate 21. The seal section 90 is composed by arranging a first seal section 91 and a second seal section 92 where the directions of partition plates differ in parallel. The first seal section 91 forms a first bypass passage 93 by first downward partition plates 911 and 912, and first downward partition plates 913 and 914. A second seal section 92 forms a second bypass passage 94 by a second inner horizontal partition plate 922 and second outer horizontal partition plates 924 and 925.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用のガ
ラス基板や半導体ウェハなどの基板を水平面内で回転さ
せながら薬液処理、洗浄処理や乾燥処理などの所要の処
理を施す基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing required processing such as chemical processing, cleaning processing and drying processing while rotating a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display or a semiconductor wafer in a horizontal plane.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置を図４を参
照して説明する。この基板処理装置は、半導体ウェハな
どの基板Ｗを水平面内で回転させながら、基板Ｗの表裏
面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に施す装置
である。この基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持
する回転支持板１１０を備えている。回転支持板１１０
は平面視で円形状の平板であって、その上面に基板Ｗの
外周縁に係合して基板Ｗを支持する複数個の駆動ピン１
２０が立設されている。2. Description of the Related Art A conventional substrate processing apparatus of this type will be described with reference to FIG. This substrate processing apparatus is an apparatus that sequentially performs a chemical solution process, a cleaning process, and a drying process on the front and back surfaces of a substrate W while rotating the substrate W such as a semiconductor wafer in a horizontal plane. This substrate processing apparatus includes a rotation support plate 110 that holds a substrate W in a horizontal posture. Rotation support plate 110
Is a flat plate having a circular shape in a plan view, and a plurality of driving pins 1 which support the substrate W by being engaged with the outer peripheral edge of the substrate W on the upper surface thereof.
20 are erected.

【０００３】回転支持板１１０の回転中心部に開口１１
０ａがあり、この開口１１０ａに筒軸１３０が連結固定
されている。この筒軸１３０はモータ１４０に連結され
ている。筒軸１３０の中心に沿って液ノズル１５０が配
設されており、この液ノズル１５０の先端が基板Ｗの下
面中心部に臨んでいる。液ノズル１５０は薬液供給源お
よび洗浄液供給源に選択的に接続されるようになってい
る。基板Ｗを挟んで基板Ｗの上方には、液ノズル１６０
が配設されており、この液ノズル１６０の先端が基板Ｗ
の上面中心部に臨んでいる。液ノズル１５０の場合と同
様に、液ノズル１６０も薬液供給源および洗浄液供給源
に選択的に接続されている。An opening 11 is provided at the center of rotation of the rotation support plate 110.
0a, and the cylindrical shaft 130 is connected and fixed to the opening 110a. The cylinder shaft 130 is connected to a motor 140. A liquid nozzle 150 is provided along the center of the cylindrical shaft 130, and the tip of the liquid nozzle 150 faces the center of the lower surface of the substrate W. The liquid nozzle 150 is selectively connected to a chemical liquid supply source and a cleaning liquid supply source. A liquid nozzle 160 is provided above the substrate W with the substrate W interposed therebetween.
Is disposed, and the tip of the liquid nozzle 160 is
It faces the center of the upper surface. As in the case of the liquid nozzle 150, the liquid nozzle 160 is also selectively connected to the chemical liquid supply source and the cleaning liquid supply source.

【０００４】そして、平行に配置された回転支持板１１
０と基板Ｗを囲むようにカップ１７０が配設されてお
り、このカップ１７０の底部に排気管１８０が連通接続
されている。[0004] The rotation support plate 11 is disposed in parallel.
A cup 170 is provided so as to surround 0 and the substrate W, and an exhaust pipe 180 is connected to the bottom of the cup 170 so as to communicate therewith.

【０００５】以上のように構成された基板処理装置にお
いては、次にように基板処理が行われる。まず、ノズル
１６０が上方に退避した状態で、回転支持板１１０に基
板Ｗが載置される。この基板Ｗは駆動ピン１２０によっ
て支持される。続いて、ノズル１６０が回転支持板１１
０に対向する位置（図６の状態）にまで下降する。この
状態でモータ１４０が始動して、回転支持板１１０を回
転する。回転支持板１１０の回転に伴って、その回転力
が駆動ピン１２０を介して基板Ｗに伝達され、基板Ｗも
回転支持板１１０と同期して回転する。基板Ｗの回転数
が所定値に達すると、不活性ガスを導入しながら、上下
の液ノズル１５０、１６０から薬液および洗浄液をその
順に供給して、基板Ｗの表裏面の処理を行う。基板Ｗの
薬液処理および洗浄処理が終わると、基板Ｗを回転させ
ながら不活性ガスだけを導入して、基板Ｗの乾燥処理を
行う。In the substrate processing apparatus configured as described above, the substrate processing is performed as follows. First, the substrate W is placed on the rotation support plate 110 with the nozzle 160 retracted upward. The substrate W is supported by the drive pins 120. Subsequently, the nozzle 160 is moved to the rotation support plate 11.
It descends to the position (state of FIG. 6) facing 0. In this state, the motor 140 starts to rotate the rotation support plate 110. With the rotation of the rotation support plate 110, its rotational force is transmitted to the substrate W via the drive pins 120, and the substrate W also rotates in synchronization with the rotation support plate 110. When the number of rotations of the substrate W reaches a predetermined value, the chemical liquid and the cleaning liquid are supplied in that order from the upper and lower liquid nozzles 150 and 160 while introducing an inert gas, and the front and rear surfaces of the substrate W are processed. When the chemical processing and the cleaning processing of the substrate W are completed, only the inert gas is introduced while rotating the substrate W, and the substrate W is dried.

【０００６】ここでカップ１７０の下方に配置されてい
るモータ１４０は、回転駆動により微細な塵埃等が発生
する。また、処理中には基板Ｗの回転により、基板Ｗの
表面に供給された処理液の液滴等はカップ１７０内に飛
散する。そこでモータ１４０の塵埃等がカップ１７０内
に拡散したり、逆に処理液の液滴や雰囲気がモータ１４
０にまで漏出や拡散しないように、カップ１７０内の雰
囲気とモータ１４０の配置場所の雰囲気とを連通させな
いことが大切である。[0006] Here, the motor 140 disposed below the cup 170 generates fine dust and the like due to the rotational driving. During the processing, the rotation of the substrate W causes droplets of the processing liquid supplied to the surface of the substrate W to fly into the cup 170. Therefore, dust and the like from the motor 140 diffuse into the cup 170, and conversely, the droplets and the atmosphere of the processing liquid
It is important that the atmosphere in the cup 170 and the atmosphere at the place where the motor 140 is disposed are not communicated so that the atmosphere does not leak or diffuse to zero.

【０００７】そのような基板処理装置として、例えば特
開平１１−２６５８６８号公報では、図４に示すよう
に、回転支持板１１０と筒軸１３０をカバー１９０で覆
い、カバー１９０と回転支持板１１０との間に雰囲気を
密封するラビリンスシール２００を設けたものを提供し
ている。As such a substrate processing apparatus, for example, in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 11-265868, a rotary support plate 110 and a cylindrical shaft 130 are covered with a cover 190 as shown in FIG. A labyrinth seal 200 for sealing the atmosphere is provided between them.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。より微細化技術が要求されている今日の各種デバ
イスの製造工程では、従来では問題に成らなかった程度
の微細な塵埃等でもパーティクルの原因となり歩留まり
の低下を招くおそれがある。However, the prior art having such a structure has the following problems. In today's manufacturing processes of various devices that require finer technology, even fine dust or the like that has not been a problem in the past may cause particles and reduce the yield.

【０００９】微細な塵埃等は、ほんの僅かな隙間を通過
しカップ１７０内に入り込んでしまい、回転支持板１１
０に保持されている基板Ｗの裏面や表面に付着する。ラ
ビリンスシール２００の密閉性をより向上させるに、仕
切り板の数を多くすることや、仕切り板間の隙間を狭小
化する等が考えられる。しかしながら、前者はラビリン
スシール自体を大型化し、後者は高精度の加工、組立が
必要である点で問題があった。The fine dust and the like pass through a very small gap and enter the cup 170, and
It adheres to the back and front surfaces of the substrate W held at zero. In order to further improve the hermeticity of the labyrinth seal 200, it is conceivable to increase the number of partition plates, narrow the gap between the partition plates, or the like. However, the former has a problem in that the labyrinth seal itself is enlarged, and the latter requires high-precision processing and assembly.

【００１０】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、モータ等の駆動機構が配
置される部位と処理室との境界における気密性を向上で
きる処理装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of improving airtightness at a boundary between a processing chamber and a portion where a driving mechanism such as a motor is disposed. To provide.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、処理液が供給され
た基板を回転させながら、基板に所要の処理を施す基板
処理装置において、基板を支持した状態で回転する回転
支持板と、前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、
前記駆動手段と回転支持板を連結する駆動軸と、前記駆
動軸を覆うカバーと、前記カバーと回転支持板との間に
雰囲気を密閉する一方向に仕切り板を配列した第１シー
ル部と、前記第１シール部に並列して第１シール部と異
なる方向に仕切り板を配列した第２シール部と、を具備
したことを特徴とする基板処理装置である。In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus for performing a required process on a substrate while rotating the substrate supplied with the processing liquid. A rotation support plate that rotates while supporting the substrate, and a driving unit that rotationally drives the rotation support plate,
A drive shaft connecting the drive means and the rotation support plate, a cover covering the drive shaft, a first seal portion in which a partition plate is arranged in one direction to seal an atmosphere between the cover and the rotation support plate, A second seal portion having a partition plate arranged in a direction different from that of the first seal portion in parallel with the first seal portion.

【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記第２シール部は横方向に
仕切り板を配列し、前記第１シール部は縦方向に仕切り
板を配列し、前記第１シール部を駆動軸側に配置したこ
とを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the second seal portion has a partition plate arranged in a horizontal direction, and the first seal portion has a partition plate arranged in a vertical direction. The first seal portion is arranged on the drive shaft side.

【００１３】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明の基板処理装置においては、先ず駆動軸を
カバーで覆うことに伴い、例えば駆動軸の下方に取り付
けられた駆動手段などの構成要素もカバーで覆い、基板
処理側の雰囲気を遮断する。さらに、駆動軸が貫通する
カバーと回転支持板との間で雰囲気を第１及び第２シー
ル部で密封し、該当箇所の気密性を向上させる。第１及
び第２シール部の仕切り板の配列は、互いに方向が異な
るため、一方のシール部から他方のシール部を塵埃等が
通過する際に、容易に通過できない。従って、駆動軸が
貫通する箇所を介して、カバー内の微細は塵埃が基板処
理側まで拡散したり、基板処理側の処理液の液滴やミス
トを含んだ雰囲気がカバー内に漏出することや拡散する
ことを防止することができる。The operation of the present invention is as follows. In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, when the drive shaft is first covered with the cover, components such as driving means attached below the drive shaft are also covered with the cover, and the atmosphere on the substrate processing side is reduced. Cut off. Further, the atmosphere is sealed by the first and second seal portions between the cover through which the drive shaft penetrates and the rotation support plate, and the airtightness of the corresponding portion is improved. Since the arrangement of the partition plates of the first and second seal portions is different from each other, when dust or the like passes from one seal portion to the other seal portion, it cannot easily pass. Therefore, through the portion through which the drive shaft penetrates, fine dust in the cover can be diffused to the substrate processing side, or an atmosphere containing droplets and mist of the processing liquid on the substrate processing side can leak into the cover. Spreading can be prevented.

【００１４】また、第１及び第２シール部はそれぞれ仕
切り板の配列で気密性に寄与するが、単に一方のシール
部を大きくするだけであれば、気密性の格段の向上は望
めない。本願によれば、仕切り板の配列方向のことなる
シール部を並列的に配置することで、気密性の格段の向
上を図るものである。すなわち、塵埃等の通過に対し
て、その配列方向の変更部位で抵抗が生じるためであ
る。よって、同等の気密性を得るのに本願発明では、小
型化されたシール部が提供される。The first and second seal portions each contribute to airtightness by the arrangement of the partition plates. However, if only one of the seal portions is simply enlarged, a remarkable improvement in airtightness cannot be expected. According to the present application, the airtightness is remarkably improved by arranging the seal portions different in the arrangement direction of the partition plates in parallel. That is, resistance to the passage of dust or the like occurs at the changed portion in the arrangement direction. Therefore, in order to obtain the same airtightness, the present invention provides a miniaturized seal portion.

【００１５】請求項２記載の発明は、駆動軸側に縦方向
に仕切り板を配列した第１シール部、その外側に横方向
に仕切り板を配列した第２シール部で構成される。縦方
向に仕切り板を配列した構成では、侵入した塵埃等はシ
ール部を上昇しなければ通過できないので、気密性が高
い。そして、駆動軸側に第１シール部が配置されるの
で、駆動手段からの塵埃等の侵入はより確実に防止され
る。一方、横方向に仕切り板を配列した構成では、駆動
軸の回転中、シール部内の雰囲気が遠心力で外側へ押し
やられるので気密性が向上する。そして、基板処理側に
第２シール部が配置されるので、処理液の液滴やミスト
を含んだ雰囲気がカバー内に漏出することや拡散するは
より確実に防止される。The invention according to claim 2 comprises a first seal portion in which partition plates are arranged vertically on the drive shaft side, and a second seal portion in which partition plates are arranged laterally outside the first seal portion. In the configuration in which the partition plates are arranged in the vertical direction, dust and the like that have entered cannot pass through the seal portion unless they rise, so that the airtightness is high. And since the 1st seal part is arranged at the side of a drive shaft, invasion of dust etc. from a drive means is more reliably prevented. On the other hand, in the configuration in which the partition plates are arranged in the lateral direction, the airtightness is improved because the atmosphere in the seal portion is pushed outward by the centrifugal force during the rotation of the drive shaft. Since the second seal portion is disposed on the substrate processing side, the atmosphere including the droplets and mist of the processing liquid is more reliably prevented from leaking or diffusing into the cover.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。 ＜第１実施例＞本発明の実施の形態を、基板の一例とし
て液晶表示器用のガラス基板の処理に用いられる基板処
理装置を例に採って図面を参照して説明する。ただし、
本発明は、ガラス基板の処理に限らず、半導体ウェハな
どの各種の基板の処理にも適用することができる。ま
た、本発明が適用できる基板処理は、薬液処理、洗浄処
理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うものだ
けに限らず、単一の処理を行うものや、薬液処理、洗浄
処理、および乾燥処理を同じ装置内で連続して行うもの
などにも適用可能である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking a substrate processing apparatus used for processing a glass substrate for a liquid crystal display as an example of a substrate. However,
The present invention can be applied not only to processing of a glass substrate but also to processing of various substrates such as a semiconductor wafer. In addition, the substrate processing to which the present invention can be applied is not limited to one in which chemical solution processing, cleaning processing, and drying processing are continuously performed in the same apparatus, one in which a single processing is performed, and one in which chemical processing, cleaning processing, The present invention can also be applied to a case where the drying process is continuously performed in the same apparatus.

【００１７】図１は、本発明の一実施形態としての基板
処理装置が配置された基板処理システムの構成を示す概
略斜視図である。この基板処理システム１では、一方の
端部にＬＣＤ用ガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗとい
う）を基板処理装置２に搬入出する移載装置３が配置さ
れる。この移載装置３の、一端に基板Ｗを収容する複数
のカセット４が載置可能に構成されたカセットステーシ
ョン５が設けられており、このカセットステーション５
の側方には、カセット４から処理工程前の一枚ずつ基板
Ｗを取出しと共に、処理工程後の基板Ｗをカセット４内
に１枚ずつ収容する搬送アーム６を備えた基板搬送装置
７とが備えられている。FIG. 1 is a schematic perspective view showing a configuration of a substrate processing system in which a substrate processing apparatus as one embodiment of the present invention is disposed. In this substrate processing system 1, a transfer device 3 that carries a glass substrate W for LCD (hereinafter simply referred to as a substrate W) into and out of the substrate processing device 2 is arranged at one end. At one end of the transfer device 3, there is provided a cassette station 5 in which a plurality of cassettes 4 accommodating the substrates W can be placed.
A substrate transfer device 7 having a transfer arm 6 for taking out the substrates W one by one before the processing step from the cassette 4 and accommodating the substrates W after the processing step one by one in the cassette 4 is provided on the side of. Provided.

【００１８】カセットステーション５の載置部８は、基
板Ｗを２５枚収納したカセット４を複数個載置できる構
成になっている。基板搬送装置７は、水平、昇降（Ｘ、
Ｙ、Ｚ）方向に移動自在でると共に、かつ鉛直軸を中心
に回転（θ方向）できるように構成されている。The mounting portion 8 of the cassette station 5 is configured to mount a plurality of cassettes 4 each containing 25 substrates W. The substrate transfer device 7 is horizontally, vertically moved (X,
It is configured to be movable in the (Y, Z) directions and to be rotatable (θ direction) about a vertical axis.

【００１９】次に基板処理装置２の構成について説明す
る。図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す縦断面図である。この基板処理装置２は、基板
Ｗを処理するのに、基板を保持する回転支持部２０、そ
れらを回転する駆動部３０、回転支持部２０の上側で処
理空間Ｓを形成し遮蔽する上部遮蔽部４０、上部遮蔽部
４０の昇降部５０、基板Ｗから振り切られる液体を回収
するカップ部６０、それぞれの機構を収納するユニット
ハウジング７０を備えている。Next, the configuration of the substrate processing apparatus 2 will be described. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 2 includes a rotation support unit 20 that holds substrates, a driving unit 30 that rotates them, and an upper shielding unit that forms and shields a processing space S above the rotation support unit 20 when processing the substrate W. 40, an elevating part 50 of the upper shielding part 40, a cup part 60 for collecting the liquid shaken off from the substrate W, and a unit housing 70 for accommodating the respective mechanisms.

【００２０】回転支持部２０は、上平面視でドーナツ状
の回転支持板２１に、基板Ｗを下面から支える支持ピン
２２と駆動ピン２３が立設されて構成されている。駆動
ピン２３は基板Wの４角部に対応して２個ずつ配置され
る。なお、図１では、図面が煩雑になることを避けるた
めに、２個の駆動ピン２３のみを示している。The rotation support section 20 is constituted by supporting pins 22 and drive pins 23 for supporting the substrate W from below, on a donut-shaped rotation support plate 21 in plan view. The drive pins 23 are arranged two by two corresponding to the four corners of the substrate W. FIG. 1 shows only two drive pins 23 in order to avoid complicating the drawing.

【００２１】駆動ピン２３は、基板Ｗの外周端縁を下方
から支持する支持部２３ａと支持部２３ａに支持された
基板Ｗの外周端面に当接して基板Ｗの移動を規制する案
内立ち上がり面２３ｂとを備えている。基板Ｗは、この
回転支持板２１に水平姿勢で保持される。The drive pin 23 has a support portion 23a for supporting the outer peripheral edge of the substrate W from below, and a guide rising surface 23b for contacting the outer peripheral end surface of the substrate W supported by the support portion 23a to regulate the movement of the substrate W. And The substrate W is held by the rotation support plate 21 in a horizontal posture.

【００２２】駆動部３０は、回転支持板２１の回転中心
の開口２４に連結して設けられている。そして、この開
口２４に連通するように、回転支持板２１の下面に接続
される筒軸３１と、この筒軸３１をベルト機構３２を介
して回転するモータ３３とから構成されている。このモ
ータ３３は本発明における駆動手段に相当し、筒軸３１
は駆動軸に相当する。モーター３３を駆動することによ
って、筒軸３１、回転支持板２１とともに、保持された
基板Ｗを鉛直方向の軸芯周りで回転させる。The drive section 30 is provided in connection with the opening 24 at the center of rotation of the rotation support plate 21. The motor includes a cylindrical shaft 31 connected to the lower surface of the rotation support plate 21 so as to communicate with the opening 24, and a motor 33 that rotates the cylindrical shaft 31 via a belt mechanism 32. This motor 33 corresponds to the driving means in the present invention,
Corresponds to the drive shaft. By driving the motor 33, the held substrate W is rotated around the vertical axis along with the cylindrical shaft 31 and the rotation support plate 21.

【００２３】また、筒軸３１は中空を有する筒状の部材
で構成され、中心に沿って液ノズル３４が配設されてお
り、この液ノズル３４の先端が基板Ｗの下面中心部に臨
んでいる。そして上端部のノズル孔３４ａから基板Ｗの
下面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成さ
れている。The cylindrical shaft 31 is formed of a hollow cylindrical member, and a liquid nozzle 34 is disposed along the center. The tip of the liquid nozzle 34 faces the center of the lower surface of the substrate W. I have. The processing liquid can be supplied to the vicinity of the rotation center on the lower surface of the substrate W from the nozzle hole 34a at the upper end.

【００２４】液ノズル３４は配管８０に連通接続されて
いる。この配管８０の基端部は分岐されていて、一方の
分岐配管８０ａには薬液供給源８１が連通接続され、他
方の分岐配管８０ｂには純水供給源８２が連通接続され
ている。各分岐配管８０ａ、８０ｂには開閉弁８３ａ、
８３ｂが設けられていて、これら開閉弁８３ａ、８３ｂ
の開閉を切り換えることで、ノズル孔３４ａから薬液と
純水とを選択的に切り換えて供給できるようになってい
る。The liquid nozzle 34 is connected to a pipe 80. The base end of the pipe 80 is branched, and a chemical liquid supply source 81 is connected to one branch pipe 80a in communication, and a pure water supply source 82 is connected to the other branch pipe 80b. Each branch pipe 80a, 80b has an on-off valve 83a,
83b, and these on-off valves 83a, 83b
By switching between opening and closing, a chemical solution and pure water can be selectively switched and supplied from the nozzle hole 34a.

【００２５】また、液ノズル３４の内部には、気体供給
路３５が穿設されている。この気体供給路３５は、開閉
弁８４ａが設けられた配管８４を介して気体供給源８５
に連通接続されていて、気体供給路３５の上端部の気体
供給孔３５ａから回転支持板２１と基板Ｗの下面との間
の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガス（窒素ガスな
ど）などの清浄な気体を供給できるように構成されてい
る。A gas supply passage 35 is provided inside the liquid nozzle 34. The gas supply path 35 is connected to a gas supply source 85 via a pipe 84 provided with an on-off valve 84a.
To the space between the rotary support plate 21 and the lower surface of the substrate W from the gas supply hole 35a at the upper end of the gas supply path 35 to clean air or clean inert gas (such as nitrogen gas). And so on.

【００２６】また、筒軸３１と液ノズル３４との間隙は
流量調整弁８６ａを介して配管８６が大気圧雰囲気に開
放されるよう構成されている。筒軸３１と液ノズル３４
との間隙は開口３６を介して大気圧雰囲気からのエアー
を排出される。この構成により、回転支持板２１が回転
するとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、
回転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、大気圧
雰囲気に開放されている筒軸３１内部はポンプ効果によ
りエアーを吸入する。その際、流量調整弁８６ａにより
吸引されるエアー量は後述するように処理空間Ｓ内の気
圧状態を所望の状態に設定するように調整される。The gap between the cylinder shaft 31 and the liquid nozzle 34 is configured such that the pipe 86 is opened to the atmospheric pressure atmosphere via the flow control valve 86a. Tube shaft 31 and liquid nozzle 34
The air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged through the opening 36 through the gap. With this configuration, when the rotation support plate 21 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force,
The closer to the rotation center, the lower the pressure. Therefore, the inside of the cylindrical shaft 31 that is open to the atmospheric pressure atmosphere sucks air by a pump effect. At this time, the amount of air sucked by the flow control valve 86a is adjusted so as to set the pressure state in the processing space S to a desired state as described later.

【００２７】モータ３３やベルト機構３２などは、この
基板処理装置２の底板としてのベース部材７１上に設け
られた円筒状のケーシング３７内に収容されている。こ
のケーシング３７が本発明のカバーに相当し、筒軸３１
の外周面に軸受け３８を介して接続され、筒軸３１を覆
おう状態となる。すなわち、モータ３３から回転支持板
２１に接続する直前までの筒軸３１の周囲をケーシング
３７で覆い、これに伴い筒軸３１に下方に取り付けられ
たモータ３３もケーシング３７で覆った状態とする。さ
らに、筒軸３１がケーシング３７の箇所の気密性を高め
るため、ケーシング３７から突き出て回転支持板２１の
下面を支持する構成でシール部９０を配置し、その周面
に沿って設けられた略円形状のシール部９０で筒軸３１
の周囲の雰囲気を密封する。The motor 33 and the belt mechanism 32 are accommodated in a cylindrical casing 37 provided on a base member 71 as a bottom plate of the substrate processing apparatus 2. The casing 37 corresponds to the cover of the present invention, and the cylindrical shaft 31
Is connected via a bearing 38 to cover the cylindrical shaft 31. That is, the periphery of the cylindrical shaft 31 immediately before the connection from the motor 33 to the rotation support plate 21 is covered with the casing 37, and the motor 33 attached below the cylindrical shaft 31 is also covered with the casing 37. Further, in order to increase the airtightness of the cylindrical shaft 31 at the location of the casing 37, a seal portion 90 is arranged so as to protrude from the casing 37 and support the lower surface of the rotation support plate 21, and is provided substantially along the peripheral surface thereof. The cylindrical shaft 31 with the circular seal portion 90
Seal the atmosphere around.

【００２８】図３に示すように、シール部９０は、筒軸
３１側の第１シール部９１と、その外側に配置される第
２シール部９２より構成される。第１シール部９１は、
ケーシング３７の上面から垂直に立設される第１の上向
き仕切り板９１１、９１２の２枚を所定の間隔を空けて
平行に配置し、これらの第１の上向き仕切り板９１１、
９１２の間に、回転支持板２１の底面から垂直に垂設さ
れる第１の下向き仕切り板９１３、９１４を２枚重ね合
わせるように縦方向に配列されている。これにより、第
１シール部９１内に、第１の迂回通路９３を形成する。As shown in FIG. 3, the seal portion 90 includes a first seal portion 91 on the cylinder shaft 31 side and a second seal portion 92 disposed outside the first seal portion 91. The first seal portion 91
Two first upward partition plates 911 and 912 vertically arranged from the upper surface of the casing 37 are arranged in parallel at a predetermined interval, and these first upward partition plates 911 and 912 are arranged in parallel.
Between 912, two first downward partition plates 913 and 914 vertically extending from the bottom surface of the rotation support plate 21 are arranged in a longitudinal direction so as to overlap each other. As a result, a first bypass passage 93 is formed in the first seal portion 91.

【００２９】この第１の迂回通路９３の外側の口は第２
シール部９２に接続し、内側の口９３ａは軸受け３８に
よって塞がれている。このように形成された第１の迂回
通路９３では、第２シール部９２から侵入した処理液の
雰囲気が口９３ａへ流れ出ることや、ケーシング３７と
筒軸３１との僅かな隙間から抜け出たモータ３３が可動
する際に発生する塵埃等が口９３ａから第２シール部９
２側へ流れ出ることが難しい構成になっている。The outside port of the first bypass passage 93 is the second port.
The inner port 93 a is connected to the seal portion 92 and is closed by the bearing 38. In the first bypass passage 93 thus formed, the atmosphere of the processing liquid that has entered through the second seal portion 92 flows out to the port 93a, or the motor 33 that has escaped from the slight gap between the casing 37 and the cylindrical shaft 31. Dust and the like that are generated when the movable member is moved from the opening 93 a to the second seal portion 9.
It is configured to be difficult to flow to the two sides.

【００３０】第２シール部９２は、ケーシング３７の上
面から垂直に立設される円筒壁９２１の内周面に第２の
内方水平仕切り板９２２を回転支持板２１と平行に配置
し、この第２の内方水平仕切り板９２２を挟むように回
転支持板２１の底面から垂直に垂設される円筒壁９２３
の外周面から第２の外方水平仕切り板９２４、９２５を
２枚を所定の間隔を空けて平行に横方向に配列されてい
る。これにより、第２シール部９２内に、第２の迂回通
路９４を形成する。The second seal portion 92 has a second inner horizontal partition plate 922 disposed on the inner peripheral surface of a cylindrical wall 921 that stands vertically from the upper surface of the casing 37 in parallel with the rotation support plate 21. A cylindrical wall 923 vertically suspended from the bottom surface of the rotation support plate 21 so as to sandwich the second inner horizontal partition plate 922.
, Two second outer horizontal partition plates 924 and 925 are arranged in a horizontal direction in parallel at a predetermined interval. As a result, a second bypass passage 94 is formed in the second seal portion 92.

【００３１】この第２の迂回通路９４の外側の口９４ａ
は開放され、内側の口は第１シール部９１に接続する。
このように形成された第２の迂回通路９４では、口９４
ａから侵入した処理液の雰囲気が第１シール部９１へ流
れ出ることや、第１シール部９１から侵入する塵埃等が
第２シール部９２側へ流れ出ることが難しい構成になっ
ている。The outside port 94a of the second bypass passage 94
Is opened, and the inside port is connected to the first seal portion 91.
In the second bypass passage 94 thus formed, the port 94
The configuration is such that it is difficult for the atmosphere of the processing liquid that has entered from a to flow out to the first seal portion 91 and that the dust and the like that enter from the first seal portion 91 flow out to the second seal portion 92 side.

【００３２】これらの仕切り板を配列するシール構造
は、ラビリンスシール構造であり、第１シール部９１と
第２シール部９２のラビリンスシール構造の方向が異な
るように配置されている。そのため、それぞれのシール
部に形成される第１の迂回通路９３と第２の迂回通路９
４は、その接続部位で方向性が変化する。よって、迂回
通路の口９３ａと口９４ａから侵入する雰囲気は、なお
一層、一方のシール部への移動が妨げられ気密性が向上
する。すなわち、単なるラビリンスシールを配置して得
られる気密性を、より小型なシール構造で得ることがで
きる。The seal structure in which these partition plates are arranged is a labyrinth seal structure, and the first seal portion 91 and the second seal portion 92 are arranged so that the directions of the labyrinth seal structures are different. Therefore, the first bypass passage 93 and the second bypass passage 9 formed in each seal portion are provided.
4 changes the directionality at the connection site. Therefore, the atmosphere entering through the ports 93a and 94a of the bypass passage is further prevented from moving to one of the seal portions, and the airtightness is further improved. That is, the airtightness obtained by simply disposing the labyrinth seal can be obtained with a smaller seal structure.

【００３３】また、この実施例では、筒軸３１側に縦方
向に仕切り板が配置される第１シール部９１が設置され
てなる。その結果、塵埃等の侵入をより基板Ｗより遠い
部位で行える。すなわち、縦方向に仕切り板を配列した
構成では、侵入した塵埃等は第１の迂回通路９３を上昇
しなければ通過できないので、より流れ出るのが難しい
構成になっている。そして、モータ３３側に第１シール
部９１が配置されるので、モータ３３からの塵埃等の処
理空間Ｓ側への侵入はより確実に防止される。一方、筒
軸３１より遠い側に横方向に仕切り板が配置される第２
シール部９２が配置されてなる。横方向に仕切り板を配
列した構成では、筒軸３１の回転中に第２の迂回通路９
４内で雰囲気が遠心力で外方に押しやられやすい。その
結果、処理空間Ｓ側からのミストは、その発生時により
確実に侵入が防止される。Further, in this embodiment, a first seal portion 91 in which a partition plate is disposed in the vertical direction is provided on the cylinder shaft 31 side. As a result, intrusion of dust and the like can be performed at a portion farther than the substrate W. That is, in the configuration in which the partition plates are arranged in the vertical direction, the dust or the like that has entered cannot pass through unless the first detour passage 93 is raised, so that it is more difficult to flow out. Since the first seal portion 91 is arranged on the motor 33 side, intrusion of dust and the like from the motor 33 into the processing space S is more reliably prevented. On the other hand, a second partition plate in which a partition plate is arranged in a lateral direction on a side farther than the cylinder shaft 31
The seal part 92 is arranged. In the configuration in which the partition plates are arranged in the horizontal direction, the second bypass passage 9 is rotated during rotation of the cylindrical shaft 31.
In 4, the atmosphere is easily pushed outward by centrifugal force. As a result, the mist from the processing space S is more reliably prevented from entering when it occurs.

【００３４】さらに、第２シール部９２の外周壁９２１
の外周面は耐薬性のある樹脂コーティングが施される。
または、ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）等の樹脂で一体的
に形成される。基板処理装置２で基板Ｗを薬液処理する
場合、例えばフッ素樹脂により外壁壁９２１をコーティ
ングすることで、シール部９０の耐薬性が向上する。Further, the outer peripheral wall 921 of the second seal portion 92
Is coated with a chemical resistant resin coating.
Alternatively, it is integrally formed of a resin such as polyvinyl chloride (PVC). When the substrate processing apparatus 2 performs the chemical treatment on the substrate W, the chemical resistance of the seal portion 90 is improved by coating the outer wall 921 with, for example, a fluorine resin.

【００３５】さらに、第１シール部９１に、気体として
例えば不活性ガスとしての特性を有する窒素を供給する
第１の気体供給路９５を接続し、その出口を第１の迂回
通路９３において第１の下向き仕切り板９１３、９１４
の間に挟まれた空間に開口されている。これにより、第
１の気体供給路９５から供給された窒素ガスは、回転支
持板２１に衝突し二手に分かれ、一方は口９３ａへ第１
シール部９１から外側に吹き出す気流を形成し、他方は
第２シール部９２に流れる気流を形成する。Further, a first gas supply passage 95 for supplying nitrogen having a characteristic of, for example, an inert gas as a gas is connected to the first seal portion 91, and the outlet thereof is connected to the first bypass passage 93 through the first bypass passage 93. Downward partition plates 913, 914
It is open to the space between them. As a result, the nitrogen gas supplied from the first gas supply passage 95 collides with the rotary support plate 21 and is split into two parts, one of which is connected to the port 93a by the first gas.
The airflow blown outward from the seal portion 91 is formed, and the other airflow flows to the second seal portion 92.

【００３６】第２シール部９２は、気体として窒素を供
給する第２気体供給路９６続し、その出口を第２の迂回
通路９４において第２の水平仕切り板９２４、９２５の
間に挟まれた空間に開口されている。これにより、第２
の気体供給路９６から供給された窒素ガスは、円筒壁９
２３に衝突し二手に分かれ、一方は口９４ａへ第２シー
ル部９２から外側に吹き出す気流を形成し、このような
気流は口９４ａでエアーカーテンとして機能し、他方は
第１シール部９１に流れる気流を形成する。The second seal portion 92 is connected to a second gas supply passage 96 for supplying nitrogen as a gas, and its outlet is sandwiched between second horizontal partition plates 924 and 925 in a second bypass passage 94. It is open to space. Thereby, the second
The nitrogen gas supplied from the gas supply path 96 of the cylindrical wall 9
23 divides into two hands, one of which forms an airflow that blows outward from the second seal portion 92 to the opening 94 a, such an airflow functions as an air curtain at the opening 94 a, and the other flows to the first seal portion 91. Form an airflow.

【００３７】そして、第１の迂回通路９３と第２の迂回
通路９４が接続される部位にて排気通路９７が開口され
ている。これにより、第１の気体供給路９５から供給さ
れた窒素ガスと第２の気体供給路９６から供給された窒
素ガスが衝突して迂回通路内に滞留することが防止され
る。よって第１と第２の迂回通路９３、９４は常に清浄
な状態を維持される。Further, an exhaust passage 97 is opened at a portion where the first bypass passage 93 and the second bypass passage 94 are connected. This prevents the nitrogen gas supplied from the first gas supply path 95 from colliding with the nitrogen gas supplied from the second gas supply path 96 and staying in the bypass passage. Therefore, the first and second bypass passages 93 and 94 are always kept clean.

【００３８】図２に戻って、上部遮蔽部４０は、基板Ｗ
を挟んで回転支持板２１に対向するように上部回転板４
１が配設されている。この上部回転板４１は基板Ｗの周
縁領域を覆うリング状を呈しており、中央部に大きな開
口４１ａが開けられている。そして開口４１ａの周囲は
仕切壁４１ｂが円筒状に立設されており、この仕切壁４
１ｂ内に、処理空間Ｓへの気流の流入を制御する可動式
の遮断板４２が開口４１ａを塞ぐように設置してある。
遮断板４２は、シリンダで昇降され薬液処理時に上方へ
退避し、乾燥処理時には下降し気流制御する。そして、
上下移動自在に設けられている基板Ｗの上面に純水など
の洗浄液を供給する液ノズル４３が、遮断板４２に形成
される中央開口４２ａより処理空間Ｓ内に挿入される。Returning to FIG. 2, the upper shielding portion 40
The upper rotating plate 4 is opposed to the rotating support plate 21 with the
1 is provided. The upper rotating plate 41 has a ring shape that covers the peripheral region of the substrate W, and has a large opening 41a in the center. A partition wall 41b is provided upright around the opening 41a in a cylindrical shape.
In 1b, a movable blocking plate 42 for controlling the flow of airflow into the processing space S is installed so as to close the opening 41a.
The blocking plate 42 is moved up and down by a cylinder to retreat upward during chemical solution processing, and to descend and control airflow during drying processing. And
A liquid nozzle 43 for supplying a cleaning liquid such as pure water to the upper surface of the substrate W provided to be vertically movable is inserted into the processing space S through a central opening 42a formed in the blocking plate 42.

【００３９】そして、上部回転板４１は押えピン４４を
介して駆動ピン２３により支持され、回転支持板２１と
で挟まれた処理空間Ｓを構成している。駆動ピン２３
は、支持部２３ａが基板Ｗの周縁に対して点接触するこ
とで基板Ｗに不均一に応力がかかることを防止してい
る。押えピン４４は、逆凸形状を呈し、上部回転板４１
下面に固定して取り付けられている。The upper rotating plate 41 is supported by the driving pins 23 via the holding pins 44, and forms a processing space S sandwiched between the rotating supporting plates 21. Drive pin 23
This prevents the substrate W from being unevenly stressed due to the point of contact of the support portion 23a with the peripheral edge of the substrate W. The holding pin 44 has an inverted convex shape, and the upper rotating plate 41
It is fixedly attached to the lower surface.

【００４０】上記の構成により、駆動ピン２３は押えピ
ン４４とで上下に分離可能に構成されている。上部回転
板４１がアームバー５５によって処理位置まで下降移動
されたときに、駆動ピン２３が押えピン４４に嵌合する
ことにより、上部回転板４１が回転支持板２１と一体回
転可能に回転支持板２１に支持されるようになってい
る。つまり、駆動ピン２３は、上部回転板４１を回転支
持板２１に着脱自在に支持する支持機構を兼ねている。
また、この押えピン４４が基板Ｗの浮き上がりを防止す
る。With the above configuration, the drive pin 23 is configured to be vertically separable from the holding pin 44. When the upper rotating plate 41 is moved down to the processing position by the arm bar 55, the drive pin 23 is fitted to the holding pin 44, so that the upper rotating plate 41 can rotate integrally with the rotation supporting plate 21. Is to be supported. That is, the drive pin 23 also serves as a support mechanism for detachably supporting the upper rotary plate 41 on the rotary support plate 21.
The holding pins 44 prevent the substrate W from lifting.

【００４１】この構成により、回転支持板３１が回転す
るとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回
転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、処理空間
Ｓは遮断板４２と仕切壁４１ｂよりエアーを吸入する。
その際、遮断板４２は吸引されるエアー（気流）の流れ
に抵抗を与えて、処理空間Ｓ内に供給されるエアーの流
量を制限する役目を担っている。そして、エアー量は後
述するように処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設
定するように調整される。処理空間Ｓは、基板Ｗを挟ん
で下部と上部に区画され、遮断板４２より上部に流入す
るエアー流量を規定することで上部の気圧を設定し、開
口３６により下部に流入するエアー流量を規定すること
で下部の気圧を設定する。この基板Ｗの上部と下部の気
圧の設定で基板Ｗの回転処理中の浮き上がりや波打ちが
抑制される。With this configuration, when the rotation support plate 31 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force, and the pressure becomes lower as the rotation support plate 31 is closer to the rotation center. Therefore, the processing space S sucks air from the blocking plate 42 and the partition wall 41b.
At that time, the blocking plate 42 has a role of giving a resistance to the flow of the sucked air (air flow) and limiting the flow rate of the air supplied into the processing space S. Then, the air amount is adjusted so as to set the air pressure state in the processing space S to a desired state as described later. The processing space S is divided into a lower part and an upper part with the substrate W interposed therebetween. The upper air pressure is set by defining an air flow rate flowing into the upper part from the blocking plate 42, and the air flow rate flowing into the lower part is defined by the opening 36. To set the lower pressure. By setting the upper and lower pressures of the substrate W, lifting and waving during the rotation processing of the substrate W are suppressed.

【００４２】昇降部５０は、上部回転板４１の上面に上
方に張り出し設置されたＴ字状の係合部５１と、この係
合部５１の上部鍔部５１ａに連結された昇降駆動手段５
２とから構成されている。この昇降駆動手段５２はシリ
ンダー５３のロッド５４が伸縮することでアームバー５
５が昇降する。アームバー５５の下面には上述の係合部
５１に対向して門形アーム５６が配置され、係合部５１
の上部鍔部５１ａが係合される。この構成で門形アーム
５６が上部鍔部５１ａに当接して上下動することによ
り、回転支持板２１に支持される処理位置と、基板Ｗの
搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって上部
回転板４１が移動するようになっている。尚、図１で
は、２つの昇降駆動手段５２が開示されているが、上部
回転板２１の上面で等間隔に４つの係合部５１が配置さ
れ、それに対応して４つの昇降駆動手段５２が配置され
る。そして上部回転板４１の回転停止位置の制御によ
り、係合部５１と門形アーム５６が係合される。The elevating part 50 includes a T-shaped engaging part 51 projecting upward from the upper surface of the upper rotating plate 41 and an elevating driving means 5 connected to an upper flange part 51a of the engaging part 51.
And 2. The raising / lowering driving means 52 is configured to extend and contract the rod 54 of the cylinder 53 so that the arm bar 5 is moved.
5 goes up and down. On the lower surface of the arm bar 55, a gate-shaped arm 56 is disposed so as to face the above-described engaging portion 51, and the engaging portion 51
The upper flange portion 51a is engaged. In this configuration, the gate-shaped arm 56 moves up and down in contact with the upper flange portion 51a, so that the upper portion extends over the processing position supported by the rotary support plate 21 and the upper evacuation position allowing the loading and unloading of the substrate W. The rotating plate 41 moves. Although two lifting drive units 52 are disclosed in FIG. 1, four engaging portions 51 are arranged at equal intervals on the upper surface of the upper rotating plate 21, and four lifting drive units 52 are correspondingly provided. Be placed. Then, by controlling the rotation stop position of the upper rotating plate 41, the engaging portion 51 and the portal arm 56 are engaged.

【００４３】さらに、この昇降部５０と上部回転板４１
の上方は、中心側に開口が形成された内ベース板５７が
配置されている。この内ベース板５７に連設し、例えば
ステンレス鋼板に多数の小孔を開けた、いわゆるパンチ
ングプレートよりなるドーナツ状の流路抵抗部材５７ｂ
が設置してある。は、その内周縁には仕切壁５７ａが下
方に延在して構成され、仕切壁５７ａは仕切壁４１ｂの
外周面に近接している。内ベース板５７の外周縁はユニ
ットハウジング７０に接続される。Further, the lifting unit 50 and the upper rotating plate 41
An inner base plate 57 having an opening formed on the center side is disposed above. A donut-shaped flow path resistance member 57b, which is formed of a so-called punching plate and is provided continuously with the inner base plate 57 and has a number of small holes formed in, for example, a stainless steel plate.
Is installed. The partition wall 57a is formed so as to extend downward on the inner peripheral edge thereof, and the partition wall 57a is close to the outer peripheral surface of the partition wall 41b. The outer peripheral edge of the inner base plate 57 is connected to the unit housing 70.

【００４４】そして、この内ベース板５７と流路抵抗部
材５７ｂと遮断板４２が装置２内の上部を略閉塞し２分
することで、後述する排気構造を介した排気に伴う負圧
に応じて、引き込まれるエアー（気流）に流れを与え
て、処理空間Ｓから排出されるミストを含んだエアーが
飛散することを制限する役目を担っている。また、遮断
板４２と仕切壁４１ｂ、５７ａとの隙間から気流流入す
ることで、処理空間Ｓからの排気効率を向上させること
に寄与している。The inner base plate 57, the flow path resistance member 57b, and the blocking plate 42 substantially close the upper part of the apparatus 2 and divide it into two parts, thereby responding to a negative pressure caused by exhaust through an exhaust structure described later. In addition, it provides a flow to the drawn-in air (air flow), and has a role of restricting scattering of air containing mist discharged from the processing space S. In addition, the inflow of air from the gap between the blocking plate 42 and the partition walls 41b and 57a contributes to improving the exhaust efficiency from the processing space S.

【００４５】内ベース板５７の上面には液ノズル４３の
接離機構４３０が配置される。液ノズル４３は、支持ア
ーム４３１に支持され、支持アーム４３１は接離機構４
３０によって旋回及び昇降される。この支持アーム４３
１の昇降によって、基板Ｗに対して液ノズル４３が接離
されるように構成されている。このような接離動を実現
する接離機構４３０は、螺軸などを用いた機構や、ある
いは、エアシリンダなどで構成されている。On the upper surface of the inner base plate 57, a contact / separation mechanism 430 for the liquid nozzle 43 is arranged. The liquid nozzle 43 is supported by a support arm 431, and the support arm 431 is
It is turned and moved up and down by 30. This support arm 43
The liquid nozzle 43 is configured to be brought into contact with and separated from the substrate W by moving up and down 1. The contact / separation mechanism 430 that realizes such contact / separation movement is configured by a mechanism using a screw shaft or the like, or an air cylinder.

【００４６】液ノズル４３の中空部には、液供給管４３
２が貫通され、その下端部から回転支持板２１に保持さ
れた基板Ｗの上面の回転中心付近に処理液を供給できる
ように構成されている。液供給管４３２は配管８７に連
通接続されている。この配管８７の基端部は分岐されて
いて、一方の分岐配管８７ａには薬液供給源８１が連通
接続され、他方の分岐配管８７ｂには純水供給源８２が
連通接続されている。各分岐配管８７ａ、８７ｂには開
閉弁８８ａ、８８ｂが設けられていて、これら開閉弁８
８ａ、８８ｂの開閉を切り換えることで、液ノズル４３
から薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるよう
になっている。A liquid supply pipe 43 is provided in the hollow portion of the liquid nozzle 43.
2, through which the processing liquid can be supplied from the lower end to the vicinity of the center of rotation of the upper surface of the substrate W held by the rotation support plate 21. The liquid supply pipe 432 is connected to the pipe 87 in communication. The base end of the pipe 87 is branched, and one branch pipe 87a is connected to a chemical solution supply source 81, and the other branch pipe 87b is connected to a pure water supply source 82. On / off valves 88a and 88b are provided in each of the branch pipes 87a and 87b.
8a and 88b are switched to open and close the liquid nozzle 43.
It is possible to selectively switch between a chemical solution and pure water.

【００４７】また、液ノズル４３の内周面と液供給管４
３２の外周面との間の隙間は、気体供給路４３３となっ
ている。この気体供給路４３３は、開閉弁８９ａが設け
られた配管８９を介して気体供給源８５に連通接続され
ていて、気体供給路４３３の下端部から上部回転板４１
と基板Ｗの上面との間の空間に清浄な気体を供給できる
ように構成されている。The inner peripheral surface of the liquid nozzle 43 and the liquid supply pipe 4
A gap between the outer peripheral surface of the gas turbine 32 and the outer peripheral surface of the gas turbine 32 serves as a gas supply path 433. The gas supply path 433 is connected to a gas supply source 85 via a pipe 89 provided with an opening / closing valve 89a.
It is configured such that clean gas can be supplied to the space between the substrate and the upper surface of the substrate W.

【００４８】カップ部６０は、回転支持板２１と上部回
転板４１との外周端の間隙である排出口に臨んで開口し
たリング状の排気カップ６１が配設され、以下の排気構
造を含む。この排気カップ６１は、回転支持板２１の下
方に延設し、回転支持板２１の回転軸（本実施例では筒
軸３１）と平行して配置される排気管６２に繋がり、こ
の排気管６２を介して装置外の排気手段に連通してい
る。また、排気カップ６１の底部外周側には、エアーと
ともに排出された処理液を排出するための排液管６３が
連通接続されている。符号６４は、この排気カップ６１
を上下動する昇降駆動手段である。The cup portion 60 is provided with a ring-shaped exhaust cup 61 which is open to an exhaust port which is a gap between the outer peripheral end of the rotary support plate 21 and the upper rotary plate 41, and includes the following exhaust structure. The exhaust cup 61 extends below the rotation support plate 21 and is connected to an exhaust pipe 62 arranged in parallel with the rotation axis of the rotation support plate 21 (the cylindrical shaft 31 in this embodiment). Through the exhaust means outside the apparatus. A drain pipe 63 for discharging the processing liquid discharged together with the air is connected to the bottom outer peripheral side of the exhaust cup 61. Reference numeral 64 denotes the exhaust cup 61
Is a lifting drive means for moving up and down.

【００４９】ユニットハウジング７０は、ベース部材７
１上にカップ部６０を囲む大きさの枠体７２と、この枠
体７２に基板搬入出口７３を形成される。この構成によ
り、昇降駆動手段５２が昇降すると上部回転板４１が上
昇し、同時に昇降駆動手段６４が昇降すると排気カップ
６１が下降しする。それに伴い回転支持板２１が枠体７
２の搬入口７３に臨むことにより装置２に基板Ｗを外部
から搬入可能となる。The unit housing 70 includes the base member 7
1, a frame 72 having a size surrounding the cup portion 60 and a substrate loading / unloading port 73 are formed in the frame 72. With this configuration, when the elevation drive unit 52 moves up and down, the upper rotating plate 41 moves up, and at the same time, when the elevation drive unit 64 moves up and down, the exhaust cup 61 descends. Accordingly, the rotation support plate 21 is attached to the frame 7.
The substrate W can be carried into the apparatus 2 from outside by facing the carry-in port 73 of the second apparatus.

【００５０】次に上述した構成を備えた実施例装置２の
動作を説明する。処理の対象である角形基板Ｗが本実施
例装置２に搬入されるとき、上部回転板４１および液ノ
ズル４３は上方の退避位置にある。上部回転板４１が退
避位置にある状態で、駆動ピン２３と押えピン４４は上
下に分離されており、回転支持板２１上には駆動ピン２
３だけがある。こうして、上部回転板４１と回転支持板
２１との間に、基板Ｗの搬入経路が確保される。基板搬
入出口７３を介して基板搬送装置７で搬送されてきた基
板Ｗは、駆動ピン２３によって受け持ち支持される。基
板搬送装置７の搬送アーム６が処理装置２内に入り込
み、駆動ピン２３の上に未処理の基板Ｗをおき、その
後、処理装置２外に退避する。Next, the operation of the embodiment apparatus 2 having the above-described configuration will be described. When the rectangular substrate W to be processed is carried into the apparatus 2 of the present embodiment, the upper rotating plate 41 and the liquid nozzle 43 are at the upper retreat position. With the upper rotary plate 41 in the retracted position, the drive pin 23 and the holding pin 44 are separated vertically, and the drive pin 2 is placed on the rotary support plate 21.
There are only three. In this way, a path for carrying in the substrate W is secured between the upper rotating plate 41 and the rotation supporting plate 21. The substrate W transferred by the substrate transfer device 7 through the substrate loading / unloading port 73 is supported and supported by the drive pins 23. The transfer arm 6 of the substrate transfer device 7 enters the inside of the processing device 2, places the unprocessed substrate W on the drive pin 23, and then retreats outside the processing device 2.

【００５１】次いで、この状態で、液ノズル３４から薬
液を基板Ｗの下面に供給して本発明の薬液処理過程を開
始する。すなわち、開閉弁８３ａを開成することによ
り、液ノズル３４のノズル孔３４ａから洗浄用薬液とし
てのエッチング液を吐出させる。これにより、基板Ｗの
下面の中央に向けてエッチング液が至近距離から供給さ
れる。供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転に伴う
遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、
結果として、基板Ｗの下面の全域に対して隈無く薬液洗
浄を行うことができる。Next, in this state, a chemical solution is supplied from the liquid nozzle 34 to the lower surface of the substrate W to start the chemical solution processing process of the present invention. That is, by opening the on-off valve 83a, the etching liquid as the cleaning chemical is discharged from the nozzle hole 34a of the liquid nozzle 34. Thus, the etchant is supplied from a short distance toward the center of the lower surface of the substrate W. Since the supplied etchant is guided outward in the rotation radial direction by centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W,
As a result, chemical cleaning can be performed on the entire lower surface of the substrate W.

【００５２】この薬液処理の際に、回転される基板Ｗの
周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、排気カッ
プ６１で受け止められ、排液管６２に導かれ排液される
ことになる。また、この時、上部回転板４１が基板Ｗよ
り離間しているので、薬液が飛散して上部回転板４１に
付着することを防止する。At the time of this chemical solution treatment, the chemical solution that is shaken off from the periphery of the rotating substrate W and scattered around is received by the exhaust cup 61, guided to the drain pipe 62, and discharged. At this time, since the upper rotating plate 41 is separated from the substrate W, it is possible to prevent the chemical solution from scattering and adhering to the upper rotating plate 41.

【００５３】なお、薬液供給源９から基板Ｗに供給され
るエッチング液としては、たとえば、ＨＦ、ＢＨＦ（希
フッ酸）、Ｈ_３ＰＯ_４、ＨＮＯ_３、ＨＦ＋Ｈ_２Ｏ_２（フ
ッ酸過水）、Ｈ_３ＰＯ_４＋Ｈ_２Ｏ_２（リン酸過水）、Ｈ
_２ＳＯ_４＋ Ｈ_２Ｏ_２（硫酸過水）、ＨＣｌ＋ Ｈ_２Ｏ_２
（アンモニア過水）、Ｈ_３ＰＯ_４＋ＣＨ_３ＣＯＯＨ＋Ｈ
ＮＯ_３、ヨウ素＋ヨウ化アンモニウム、しゅう酸系やク
エン酸系の有機酸、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモ
ニウム・ハイドロオキサイド）やコリンなどの有機アル
カリを例示することができる。The etchant supplied from the chemical supply source 9 to the substrate W is, for example, HF, BHF (dilute hydrofluoric acid), H ₃ PO ₄ , HNO ₃ , HF + H ₂ O ₂ (hydrogen peroxide). , H ₃ PO ₄ + H ₂ O ₂ (hydrogen phosphate), H
₂ SO ₄ + H ₂ O ₂ (sulfuric acid / hydrogen peroxide), HCl + H ₂ O ₂
(Ammonia hydrogen _{peroxide), H 3 PO 4 + CH} 3 COOH + H
Examples include NO ₃ , iodine + ammonium iodide, oxalic acid and citric acid organic acids, and organic alkalis such as TMAH (tetramethyl ammonium hydroxide) and choline.

【００５４】また、基板Ｗから飛散され排気カップ６１
に当たった薬液の一部はミストとなって浮遊することに
なる。しかしながら、この装置では、回転支持板２１近
傍に浮遊するミストがケーシング３７との間を筒軸３１
へ移動したとしても、シール部９０により、そのミスト
が駆動部３０に侵入することが防止される。さらに、第
２の迂回通路９４の口９４ａからの排気により、薬液の
ミストは排気カップ６１内に押し流される。従って、薬
液のミストが基板Ｗに再付着するのを抑制することがで
きる。The exhaust cup 61 scattered from the substrate W
A part of the chemical solution hit by the mist becomes a mist and floats. However, in this device, the mist floating near the rotation support plate 21 moves between the casing 37 and the cylindrical shaft 31.
Even if the mist moves, the mist is prevented from entering the drive unit 30 by the seal unit 90. Further, the mist of the chemical solution is flushed into the exhaust cup 61 by the exhaust from the opening 94 a of the second bypass passage 94. Accordingly, it is possible to suppress the mist of the chemical solution from re-adhering to the substrate W.

【００５５】所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、液
ノズル３４からのエッチング液の供給を停止する。続い
て、昇降部５０を制御して、上部回転板４１を下降させ
る。これにより、退避位置にあった上部回転板４１が処
理位置にまで下降移動することにより、上部回転板４１
の押えピン４４が回転支持板２１の駆動ピン２３に嵌合
連結される。また接離機構４３０を制御し、液ノズル４
３を旋回し、中上方から下降させる。この状態ので開閉
弁８３ａを閉成して薬液処理過程を終了するとともに、
開閉弁８３ｂ、８８ｂを開成する。When a predetermined chemical cleaning time has elapsed, the supply of the etching liquid from the liquid nozzle 34 is stopped. Subsequently, the control unit 50 controls the lifting unit 50 to lower the upper rotating plate 41. As a result, the upper rotating plate 41 at the retreat position moves down to the processing position, and the upper rotating plate 41
Press pin 44 is fitted and connected to the drive pin 23 of the rotation support plate 21. In addition, the contact / separation mechanism 430 is controlled, and the liquid nozzle 4 is controlled.
Turn 3 and lower it from above the center. In this state, the on-off valve 83a is closed to end the chemical solution treatment process,
The on-off valves 83b and 88b are opened.

【００５６】これにより、液ノズル３４、４３からは、
洗浄液として純水が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供
給されることになる。よって、純水を基板Ｗの上下両面
に供給して基板Ｗに付着している薬液を純水で洗い落と
す洗浄処理過程を行う。こうして、薬液処理工程後の基
板Ｗの上下面に存在するエッチング液を洗い流すための
洗浄処理過程が行われる。なお、洗浄液としては、他
に、オゾン水、電解イオン水などであってもよい。Thus, from the liquid nozzles 34 and 43,
Pure water is supplied as a cleaning liquid toward the center of the upper and lower surfaces of the substrate W. Therefore, a cleaning process is performed in which pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W and the chemical liquid attached to the substrate W is washed away with the pure water. Thus, the cleaning process for washing away the etching liquid existing on the upper and lower surfaces of the substrate W after the chemical solution processing step is performed. In addition, ozone water, electrolytic ion water, etc. may be used as the cleaning liquid.

【００５７】さらに、駆動制御信号を与え、モータ３３
を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、筒軸
３１に固定されている回転支持板２１が中心を通る鉛直
軸芯まわりに回転することになる。回転支持板２１の回
転力は駆動ピン２３を介して基板Ｗに伝達されて、基板
Ｗが回転支持板２１とともに回転する。さらに、回転支
持板２１の回転力は押えピン４４を介して上部回転板４
１に伝達され、上部回転板４１も回転支持板２１ととも
に回転する。Further, a drive control signal is given, and the motor 33
To rotate. Accordingly, the cylinder shaft 31 is rotated, and the rotation support plate 21 fixed to the cylinder shaft 31 rotates around the vertical axis passing through the center. The rotational force of the rotation support plate 21 is transmitted to the substrate W via the drive pins 23, and the substrate W rotates with the rotation support plate 21. Further, the rotational force of the rotation support plate 21 is applied to the upper rotation plate 4 via the holding pin 44.
1 and the upper rotary plate 41 also rotates together with the rotary support plate 21.

【００５８】この洗浄処理過程の際に、回転される基板
Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する廃液（薬液が
混ざった純水）は、薬液処理過程と同様に排気カップ６
１で受け止められ排液管６３に導かれ排液され、回収さ
れることになる。また、基板Ｗから飛散され排気カップ
６１に当たった廃液の一部はミストとなって浮遊する
が、薬液処理の場合と同様の作用により、駆動部３０へ
の侵入を好適に抑制することができるとともに、駆動部
３０からの塵埃等の処理空間Ｓへの侵入も防止される。In this cleaning process, the waste liquid (pure water mixed with the chemical solution) which is shaken off from the periphery of the rotating substrate W and scattered around the substrate W is discharged into the exhaust cup 6 similarly to the chemical solution processing process.
The liquid is received at 1 and guided to the drain pipe 63 to be drained and collected. Further, a part of the waste liquid scattered from the substrate W and hitting the exhaust cup 61 floats as a mist, but by the same action as in the case of the chemical solution treatment, the intrusion into the drive unit 30 can be suitably suppressed. At the same time, intrusion of dust and the like from the drive unit 30 into the processing space S is also prevented.

【００５９】洗浄液の供給が停止された後は、回転支持
板２１が高速回転駆動されることにより、基板Ｗに付着
した洗浄液が振り切られる。基板Ｗから振り切られた洗
浄液のミストはエアーの流れに乗って処理空間Ｓ内を半
径方向外側に流動し、回転支持板２１と上部回転板４１
の間隙から排出される。この、乾燥開始と同時に、排気
管６２、６２に連通する装置外の排気手段が作動して排
気カップ部６１が排気される。そして、排出された洗浄
液のミストを含むエアーは排気カップ部６１および排気
管６２、６２を介して装置２外へ排出される。After the supply of the cleaning liquid is stopped, the cleaning liquid adhering to the substrate W is shaken off by rotating the rotation support plate 21 at a high speed. The mist of the cleaning liquid shaken off from the substrate W flows radially outward in the processing space S by the flow of air, and the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41
Is discharged from the gap. Simultaneously with the start of the drying, the exhaust means outside the apparatus communicating with the exhaust pipes 62, 62 is operated to exhaust the exhaust cup portion 61. Then, the air containing the mist of the discharged cleaning liquid is discharged out of the apparatus 2 through the exhaust cup 61 and the exhaust pipes 62 and 62.

【００６０】この乾燥過程の際にも、浮遊するミスト
は、シール部９０の薬液処理の場合と同様の作用によ
り、駆動部３０への侵入を好適に抑制することができる
とともに、駆動部３０からの塵埃等の処理空間Ｓへの侵
入も防止される。During the drying process, the floating mist can be suitably prevented from entering the drive unit 30 by the same operation as in the case of the chemical solution treatment of the seal unit 90, and the mist from the drive unit 30 can be prevented. Also, dust and the like can be prevented from entering the processing space S.

【００６１】この乾燥工程の際、開閉弁８４ａ、８９ａ
を開成し、気体供給路３５、４３３から基板Ｗの上下面
に窒素ガスを供給させる。これにより、処理空間Ｓの空
気は、すみやかに窒素ガスに置換されるので、洗浄処理
後の基板Ｗの上下面に不所望な酸化膜が成長することは
ない。During this drying step, the on-off valves 84a, 89a
Is opened, and nitrogen gas is supplied from the gas supply paths 35 and 433 to the upper and lower surfaces of the substrate W. Thus, the air in the processing space S is immediately replaced with the nitrogen gas, so that an undesired oxide film does not grow on the upper and lower surfaces of the substrate W after the cleaning processing.

【００６２】また、回転支持板２１と上部回転板４１と
の間隙（処理空間Ｓ）は外周端側で絞られて、その上下
の間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっているので、
外周からのエアーの排出量が規制される。これに合わせ
て、回転支持板２１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである
下側空間内へポンプ効果により吸入されるエアーの量も
流量調整弁８６ａによって調整され、また、上部回転板
４１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである上側空間内へ吸
入されるエアーの量は遮断板４２によって規制される。Further, the gap (processing space S) between the rotation support plate 21 and the upper rotation plate 41 is narrowed on the outer peripheral end side, and the space between the upper and lower sides is smaller than that on the rotation center side.
The amount of air discharged from the outer periphery is regulated. In accordance with this, the amount of air sucked from the rotation support plate 21 side into the lower space which is the processing space S with the substrate W by the pump effect is also adjusted by the flow control valve 86a. The amount of air sucked into the upper space, which is the processing space S with the substrate W, is regulated by the blocking plate 42.

【００６３】乾燥工程の終了後には、モータ３３の回転
を停止させ、さらに、上部回転板４１および液ノズル４
３が退避位置に戻されて、基板搬送装置７によって処理
済の基板Ｗが装置外へ搬出される。以下、上述したと同
様に未処理の基板Ｗが搬入されて処理が繰り返し行われ
る。After the drying step, the rotation of the motor 33 is stopped, and the upper rotating plate 41 and the liquid nozzle 4
The substrate 3 is returned to the retracted position, and the processed substrate W is carried out of the apparatus by the substrate transfer device 7. Hereinafter, as described above, the unprocessed substrate W is carried in and the processing is repeatedly performed.

【００６４】以上、上記実施例によれば、この基板処理
装置は、半導体ウェハなどの基板Ｗを水平面内で回転さ
せながら、基板Ｗの表裏面に処理を施す装置である。駆
動軸が貫通するカバーと回転支持板との間で雰囲気を第
１及び第２シール部で密封し、該当箇所の気密性を向上
させる。第１及び第２シール部の仕切り板の配列は、互
いに方向が異なるため、一方のシール部から他方のシー
ル部を塵埃等が通過する際に、容易に通過できない。従
って、駆動軸が貫通する箇所を介して、カバー内の微細
な塵埃が基板処理側まで拡散したり、基板処理側の処理
液の液滴やミストを含んだ雰囲気がカバー内に漏出する
ことや拡散することを防止することができる。As described above, according to the above embodiment, this substrate processing apparatus is an apparatus that performs processing on the front and back surfaces of the substrate W while rotating the substrate W such as a semiconductor wafer in a horizontal plane. The atmosphere is sealed between the cover through which the drive shaft penetrates and the rotation support plate by the first and second seal portions, and the airtightness of the corresponding portion is improved. Since the arrangement of the partition plates of the first and second seal portions is different from each other, when dust or the like passes from one seal portion to the other seal portion, it cannot easily pass. Therefore, fine dust in the cover is diffused to the substrate processing side through a portion through which the drive shaft penetrates, and an atmosphere containing droplets and mist of the processing liquid on the substrate processing side leaks into the cover. Spreading can be prevented.

【００６５】本発明は上述した実施例に限らず次のよう
に変形実施することができる。 （１）シール部９０の第１及び第２シール部９１、９２
の仕切り板の数は適宜、増減させてもよい。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be modified as follows. (1) First and second seal portions 91 and 92 of seal portion 90
May be appropriately increased or decreased.

【００６６】（２）さらに、上述の実施形態では、液晶
表示装置用ガラス基板を洗浄する装置を例にとったが、
この発明は、洗浄以外の処理を行う装置にも適用でき、
また、液晶表示装置用ガラス基板以外にもやフォトマス
ク用のガラス基板、光ディスク用の基板、半導体ウエハ
などの各種の基板に対して処理する装置にも同様に適用
することができる。(2) Further, in the above-described embodiment, an apparatus for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device is taken as an example.
The present invention can be applied to an apparatus that performs processing other than cleaning,
Further, the present invention can be similarly applied to an apparatus for processing various substrates such as a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and a semiconductor wafer other than the glass substrate for a liquid crystal display device.

【００６７】（３）さらに、上述の実施形態では、エッ
チング液を薬液として処理を説明したが、剥離液を薬液
として用いてもよい。(3) Further, in the above-described embodiment, the processing is described using the etching liquid as the chemical liquid, but the stripping liquid may be used as the chemical liquid.

【００６８】[0068]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を保持して良好に処理することができる基板処理装
置が提供される。即ち、カバー内の微細な塵埃が基板処
理側まで拡散したり、基板処理側の処理液の液滴やミス
トを含んだ雰囲気がカバー内に漏出することや拡散する
ことを防止することができる。As described above, according to the present invention,
A substrate processing apparatus capable of holding a substrate and performing favorable processing is provided. That is, it is possible to prevent the fine dust in the cover from diffusing to the substrate processing side and preventing the atmosphere containing the droplets and mist of the processing liquid on the substrate processing side from leaking or diffusing into the cover.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る基板処理システムの一実施例の概
略構成を示した斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing system according to the present invention.

【図２】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構
成を示した縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

【図３】シール部の構成を示す拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view illustrating a configuration of a seal portion.

【図４】従来装置の概略構成を示した縦断面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ 基板 Ｓ 処理空間 ２ 基板処理装置 ２０ 回転支持部 ２１、１１０ 回転支持板 ３０ 駆動部 ３１、１３０ 筒軸 ３３、１４０ モータ ３４、１５０、１６０ 液ノズル ３７、１９０ ケーシング（カバー） ４０ 上部遮蔽部 ４１ 上部回転板 ６０ カップ部 ９０ シール部 ９１ 第１シール部 ９２ 第２シール部 ９１１、９１２ 第１の上向き仕切り板 ９１３、９１４ 第１の下向き仕切り板 ９２２ 第２の内方水平仕切り板 ９２４、９２５ 第２の外方水平仕切り板 W substrate S processing space 2 substrate processing apparatus 20 rotation support unit 21, 110 rotation support plate 30 drive unit 31, 130 cylinder shaft 33, 140 motor 34, 150, 160 liquid nozzle 37, 190 casing (cover) 40 upper shielding unit 41 Upper rotating plate 60 Cup portion 90 Seal portion 91 First seal portion 92 Second seal portion 911, 912 First upward partition plate 913, 914 First downward partition plate 922 Second inner horizontal partition plate 924, 925 2 outer horizontal partition

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 処理液が供給された基板を回転させなが
ら、基板に所要の処理を施す基板処理装置において、 基板を支持した状態で回転する回転支持板と、 前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、 前記駆動手段と回転支持板を連結する駆動軸と、 前記駆動軸を覆うカバーと、 前記カバーと回転支持板との間に雰囲気を密閉する一方
向に仕切り板を配列した第１シール部と、 前記第１シール部に並列して第１シール部と異なる方向
に仕切り板を配列した第２シール部と、を具備したこと
を特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing a required process on a substrate while rotating a substrate to which a processing liquid is supplied, comprising: a rotation support plate rotating while supporting the substrate; and a rotation drive of the rotation support plate. A drive unit, a drive shaft connecting the drive unit and the rotation support plate, a cover covering the drive shaft, and a first plate in which a partition plate is arranged between the cover and the rotation support plate in one direction to seal an atmosphere. A substrate processing apparatus comprising: a seal portion; and a second seal portion in which a partition plate is arranged in a direction different from the first seal portion in parallel with the first seal portion. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記第２シール部は横方向に仕切り板を配列し、前記第
１シール部は縦方向に仕切り板を配列し、 前記第１シール部を駆動軸側に配置したことを特徴とす
る基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second seal portion has a partition plate arranged in a horizontal direction, and the first seal portion has a partition plate arranged in a vertical direction. A substrate processing apparatus, wherein a part is disposed on a drive shaft side.