JP2002181682A - Electron pair measuring apparatus and scanning tunneling microscope - Google Patents
Electron pair measuring apparatus and scanning tunneling microscopeInfo
- Publication number
- JP2002181682A JP2002181682A JP2000380280A JP2000380280A JP2002181682A JP 2002181682 A JP2002181682 A JP 2002181682A JP 2000380280 A JP2000380280 A JP 2000380280A JP 2000380280 A JP2000380280 A JP 2000380280A JP 2002181682 A JP2002181682 A JP 2002181682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- sample
- superconducting
- electron pair
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、超伝導体の物性
を調べるのに好適な電子対測定装置および走査形トンネ
ル顕微鏡に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron pair measuring device and a scanning tunneling microscope suitable for examining physical properties of a superconductor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】 これまで、超伝導物性発現の機構につ
いて研究が行われているが、この研究で用いられている
装置として、超伝導体の超伝導転移温度ＴCなどを得る
超伝導評価装置がある。2. Description of the Related Art Up to now, research has been conducted on the mechanism of the manifestation of superconductivity, but as a device used in this research, a superconductivity evaluation device for obtaining a superconducting transition temperature T C of a superconductor and the like. There is.
【０００３】この超伝導評価装置においては、超伝導体
が冷却器によって極低温に冷却され、同時にその超伝導
体の磁化率が磁化率測定器で測定されて、磁化率が急激
に−μになる超伝導転移温度ＴCが測定される。In this superconductivity evaluation device, the superconductor is cooled to a very low temperature by a cooler, and at the same time, the magnetic susceptibility of the superconductor is measured by a magnetic susceptibility measuring device, and the magnetic susceptibility rapidly decreases to -μ. superconducting transition temperature T C is measured made.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、上述
した超伝導評価装置では、超伝導体の温度を変えてその
磁化率の変化から物性を調べられるだけであり、超伝導
物性を示す原因と考えられている電子対（クーパー対）
の超伝導体内での生成過程などを調べることはできな
い。なお、この電子対とは、超伝導体内でスピンが反対
向きの電子がペアを作ったものであり、ボース粒子の性
格をもつものである。However, in the above-described superconductivity evaluation device, it is only possible to examine the physical properties from the change in the magnetic susceptibility by changing the temperature of the superconductor, which is considered to be the cause of the superconductivity. Electron pair (Cooper pair)
It is impossible to investigate the generation process of superconductors in superconductors. The electron pair is a pair of electrons having opposite spins in the superconductor, and has the character of a Bose particle.
【０００５】本発明はこのような点に鑑みて成されたも
ので、その目的は、物質中における電子対の挙動を観測
することができる電子対測定装置を提供することにあ
る。[0005] The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide an electron pair measuring device capable of observing the behavior of an electron pair in a substance.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】 この目的を達成する本
発明の電子対測定装置は、超伝導体でつくられた超伝導
探針と、その超伝導探針内で電子対を生成させるために
その超伝導探針を冷却する冷却手段と、試料を前記超伝
導探針に対向かつ接近して配置するための手段と、前記
試料と超伝導探針間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記超伝導探針内または前記試料内における前記電子対
の挙動を観測する手段を備えたことを特徴としている。Means for Solving the Problems An electron pair measuring apparatus according to the present invention which achieves this object is provided with a superconducting probe made of a superconductor and an electron pair generated in the superconducting probe. Cooling means for cooling the superconducting probe, means for arranging the sample facing and close to the superconducting probe, voltage applying means for applying a voltage between the sample and the superconducting probe,
A means for observing the behavior of the electron pair in the superconducting probe or the sample is provided.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】 以下、図面を用いて本発明の実
施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００８】図１は、本発明の電子対測定装置の一例を
示したものである。FIG. 1 shows an example of an electron pair measuring apparatus according to the present invention.
【０００９】まず、図１の装置構成について説明する
と、１は試料室チャンバであり、この試料室チャンバ内
部の試料室２は図示していない排気装置によって排気さ
れている。First, the configuration of the apparatus shown in FIG. 1 will be described. Reference numeral 1 denotes a sample chamber, and a sample chamber 2 inside the sample chamber is evacuated by an exhaust device (not shown).
【００１０】３は移動ステージであり、試料室２に配置
された移動ステージ３は、図１に示すｘ，ｙおよびｚ方
向に移動可能に構成されている。この移動ステージ３上
には冷却器４が配置されており、そして、超伝導体（た
とえば、Nb3SnやNbTi）でつくられた超伝導探針５が冷
却器４に保持されている。なお、図示していないが、冷
却器４は、液体ヘリウムなどの冷媒により探針５を冷却
するように構成されている。Reference numeral 3 denotes a moving stage. The moving stage 3 arranged in the sample chamber 2 is configured to be movable in the x, y and z directions shown in FIG. A cooler 4 is arranged on the moving stage 3, and a superconducting probe 5 made of a superconductor (for example, Nb 3 Sn or NbTi) is held by the cooler 4. Although not shown, the cooler 4 is configured to cool the probe 5 with a coolant such as liquid helium.
【００１１】また、６は試料ステージであり、試料ステ
ージ６は試料室２に配置されている。この試料ステージ
６は、前記移動ステージ３同様、図１に示すｘ，ｙおよ
びｚ方向に移動可能に構成されている。Reference numeral 6 denotes a sample stage, and the sample stage 6 is disposed in the sample chamber 2. This sample stage 6 is configured to be movable in the x, y and z directions shown in FIG.
【００１２】そして、常伝導物質（たとえば、Cu，Ag，
Au，Pt）である試料７が試料ステージ６にセットされて
おり、試料７は前記探針５に対向して接近している。こ
の試料７と探針５間には、電圧印加手段８によって電圧
が印加されるように構成されている。And a normal conducting material (for example, Cu, Ag,
A sample 7 (Au, Pt) is set on a sample stage 6, and the sample 7 is approaching the probe 5. A voltage is applied between the sample 7 and the probe 5 by a voltage applying means 8.
【００１３】また、図１において、９は光電子分光装置
であり、光電子分光装置９は試料室２に配置されてい
る。この光電子分光装置９は、前記探針５または試料７
にＸ線または紫外線（ＵＶ）を照射して、そのＸ線また
はＵＶ照射によって発生した電子を電子分光器で分光検
出するものであり、図１の装置においては、この電子分
光器の出力信号が処理制御手段１０に供給されるように
構成されている。処理制御手段１０と光電子分光装置９
で本発明の電子対測定手段が構成されている。In FIG. 1, reference numeral 9 denotes a photoelectron spectroscopy device, which is disposed in the sample chamber 2. The photoelectron spectroscopy device 9 is provided with the probe 5 or the sample 7.
Is irradiated with X-rays or ultraviolet rays (UV), and electrons generated by the X-rays or UV irradiation are spectrally detected by an electron spectroscope. In the apparatus shown in FIG. It is configured to be supplied to the processing control means 10. Processing control means 10 and photoelectron spectroscopy device 9
Constitute the electron pair measuring means of the present invention.
【００１４】以上、図１の装置構成について説明した
が、図１における電子対測定装置は、これまで良く知ら
れている走査形トンネル顕微鏡（STM：Scanning Tunnel
ing Microscope）において、超伝導体の探針を超伝導状
態に冷却する冷却手段と、超伝導探針内で生成された電
子対の挙動を観測する電子対観測手段を備えたことを特
徴としている。Although the configuration of the apparatus shown in FIG. 1 has been described above, the electron pair measuring apparatus shown in FIG. 1 uses a well-known scanning tunneling microscope (STM: Scanning Tunnel).
ing Microscope), comprising a cooling means for cooling a superconductor probe to a superconducting state, and an electron pair observation means for observing behavior of an electron pair generated in the superconducting probe. .
【００１５】以下、図１の装置の動作説明を行う。The operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be described below.
【００１６】まず、探針５と試料７間の距離が所定距離
（数nm）となるように、移動ステージ３がｚ方向に移動
されて探針５が試料７に近づけられる。この探針５の試
料側への移動制御はＳＴＭの機能を用いて行われ、探針
と試料間に電圧印加手段８によりバイアス電圧が印加さ
れ、そのときに探針と試料間に流れるトンネル電流が所
定値になるように前記移動ステージ３が試料方向に移動
される。First, the moving stage 3 is moved in the z direction so that the distance between the probe 5 and the sample 7 becomes a predetermined distance (several nm), and the probe 5 approaches the sample 7. The control of the movement of the probe 5 toward the sample is performed by using the function of the STM. A bias voltage is applied between the probe and the sample by the voltage applying means 8, and a tunnel current flowing between the probe and the sample at that time. The moving stage 3 is moved in the direction of the sample such that is equal to a predetermined value.
【００１７】こうして、探針５と試料７間の距離が所定
距離になると、移動ステージ３と試料ステージ６の位置
は固定されて、探針５と試料７間の距離は固定される。When the distance between the probe 5 and the sample 7 becomes a predetermined distance, the positions of the moving stage 3 and the sample stage 6 are fixed, and the distance between the probe 5 and the sample 7 is fixed.
【００１８】次に、超伝導体でつくられた探針５は、冷
却器４によってその超伝導転移温度ＴC以下まで冷却さ
れる。この冷却により、探針５は超伝導状態となり、探
針５内で電子対が生成される。Next, the probe 5 made of a superconductor is cooled by the cooler 4 to a temperature lower than its superconducting transition temperature T C. By this cooling, the probe 5 enters a superconducting state, and an electron pair is generated in the probe 5.
【００１９】また、このような探針５の冷却時、電圧印
加手段８により探針５と試料７間に所定の電圧が印加さ
れる。この際、探針５には試料７より負の電位がかけら
れるので、上述した探針５内で生成された電子対は試料
７に連続的に注入される。When the probe 5 is cooled, a predetermined voltage is applied between the probe 5 and the sample 7 by the voltage applying means 8. At this time, since a negative potential is applied to the probe 5 from the sample 7, the electron pairs generated in the probe 5 described above are continuously injected into the sample 7.
【００２０】さらに、図１の装置においては、前記探針
５の冷却開始と同時に、光電子分光装置９による探針５
の分析が始められる。すなわち、探針５の冷却が開始さ
れると、光電子分光装置９から探針５にＸ線が照射され
ると共に電子分光器の分光エネルギーが掃引されて、Ｘ
線またはＵＶ照射によって探針５から発生した電子が光
電子分光装置９の電子分光器で分光検出される。Further, in the apparatus shown in FIG. 1, simultaneously with the start of cooling of the probe 5,
Analysis is started. That is, when the cooling of the probe 5 is started, the probe 5 is irradiated with X-rays from the photoelectron spectroscopy device 9 and the spectral energy of the electron spectroscope is swept.
Electrons generated from the probe 5 by the irradiation of the line or the UV are spectrally detected by the electron spectroscope of the photoelectron spectroscope 9.
【００２１】そして、この電子分光器の検出信号は、そ
の検出時の電子分光器の分光エネルギー情報と共に、光
電子分光装置９から処理制御手段１０に送られる。処理
制御手段１０は送られてくる信号に基づき、その表示画
面上に、横軸に電子エネルギー、そして縦軸にカウント
値をとった探針５に関する電子放出スペクトルをリアル
タイムに表示させる。The detection signal of the electron spectroscope is sent from the photoelectron spectroscope 9 to the processing control means 10 together with the spectral energy information of the electron spectroscope at the time of the detection. On the basis of the transmitted signal, the processing control means 10 displays, on a display screen, an electron emission spectrum of the probe 5 having the electron energy on the horizontal axis and the count value on the vertical axis in real time.
【００２２】ところで、超伝導状態にある探針５にＸ線
またはＵＶが照射されると、探針５内で生成された前記
電子対による電子が探針５から放出される。この電子対
による電子は、まだ常伝導状態にある探針５にＸ線また
はＵＶを照射したときに探針５から放出される光電子と
は異なった性格をもっている。When the probe 5 in the superconducting state is irradiated with X-rays or UV, electrons from the electron pair generated in the probe 5 are emitted from the probe 5. The electrons generated by the electron pairs have different characteristics from the photoelectrons emitted from the probe 5 when the probe 5 in the normal conduction state is irradiated with X-rays or UV.
【００２３】このため、探針５が常伝導状態のときと、
探針５が常伝導状態から超伝導状態に変わるときと、探
針５が超伝導状態に安定しているときとでは、Ｘ線また
はＵＶ照射によって探針５から放出される電子の挙動は
変化する。この変化は、上述した電子放出スペクトルの
スペクトル変化として表れ、オペレータはこのスペクト
ル変化を観察することにより、超伝導探針内における電
子対の生成過程を観測することができる。Therefore, when the probe 5 is in the normal conduction state,
The behavior of electrons emitted from the probe 5 by X-ray or UV irradiation changes when the probe 5 changes from the normal state to the superconducting state and when the probe 5 is stabilized in the superconducting state. I do. This change appears as the above-described change in the spectrum of the electron emission spectrum. By observing the change in the spectrum, the operator can observe the generation process of the electron pair in the superconducting probe.
【００２４】つまり、オペレータは、前記電子放出スペ
クトルに現れるピークの電子エネルギー位置や、そのピ
ークカウント値の変化や、あるいはそのピークの電子エ
ネルギー位置のシフトから、探針５をつくる超伝導体内
における電子対の挙動を観測することができる。このよ
うにして得られた情報は、超伝導体の物性を知るのに重
要なものである。That is, the operator determines the electron energy position of the peak appearing in the electron emission spectrum, the change of the peak count value, or the shift of the electron energy position of the peak, in the superconductor forming the probe 5. The behavior of the pair can be observed. The information thus obtained is important for knowing the physical properties of the superconductor.
【００２５】なお、図１の装置における試料ステージ６
の位置設定を、光電子分光装置９からのＸ線またはＵＶ
が試料７に照射され、そのＸ線またはＵＶ照射によって
試料７から発生した電子が前記電子分光器で分光検出さ
れるように予め行っておけば、探針５から試料７に前記
電子対が注入されたとき、前記電子放出スペクトルを観
察することにより、試料７内における電子対の挙動や消
滅過程を観測することができる。The sample stage 6 in the apparatus shown in FIG.
The position of X-ray or UV from the photoelectron spectroscopy device 9
Is irradiated on the sample 7, and the electrons generated from the sample 7 by the X-ray or UV irradiation are previously detected by the electron spectroscope. Then, by observing the electron emission spectrum, the behavior and annihilation process of the electron pair in the sample 7 can be observed.
【００２６】また、上述した図１の装置動作において
は、探針５に試料７より負の電位が与えられたが、電圧
印加手段８の極性を逆にして、探針５に試料７より正の
電位を与えるようにしても良い。このようにすれば、試
料７からの電子が超伝導状態にある探針５に連続的に注
入される。そして、同時に探針５の先端を前記光電子分
光装置９で測定して前記電子放出スペクトルを得れば、
超伝導探針５内における注入電子の挙動や、探針５にお
ける電子対の挙動を観測することができる。In the operation of the apparatus shown in FIG. 1, a negative potential is applied to the probe 5 from the sample 7, but the polarity of the voltage applying means 8 is reversed so that the probe 5 is more positive than the sample 7. May be applied. In this way, electrons from the sample 7 are continuously injected into the probe 5 in a superconducting state. At the same time, if the tip of the probe 5 is measured by the photoelectron spectrometer 9 to obtain the electron emission spectrum,
The behavior of injected electrons in the superconducting probe 5 and the behavior of electron pairs in the probe 5 can be observed.
【００２７】また、図１の装置において試料７を冷却す
るように構成すれば、試料７に接近して配置される探針
を効率良く冷却して超伝導状態にすることができる。Further, if the sample 7 is configured to be cooled in the apparatus shown in FIG. 1, the probe disposed close to the sample 7 can be efficiently cooled and brought into a superconducting state.
【００２８】以上、図１を用いて本発明の一例を説明し
たが、次に本発明の他の例について説明する。An example of the present invention has been described above with reference to FIG. 1. Next, another example of the present invention will be described.
【００２９】図２は、本発明の電子対測定装置の他の例
を示したものである。FIG. 2 shows another example of the electron pair measuring apparatus of the present invention.
【００３０】まず、図２の装置構成について説明する
と、１１は試料室チャンバであり、この試料室チャンバ
内部の試料室１２は図示していない排気装置によって排
気されている。First, the configuration of the apparatus shown in FIG. 2 will be described. Reference numeral 11 denotes a sample chamber, and a sample chamber 12 inside the sample chamber is evacuated by an exhaust device (not shown).
【００３１】１３は試料ステージであり、試料室１２に
配置された試料ステージ１３は、図２に示すｘ，ｙおよ
びｚ方向に移動可能に構成されている。この試料ステー
ジ１３上には冷却器１４が配置されており、そして、超
伝導体（たとえば、NbTi，Nb 3Sn，Nb，NbN，YBa2Cu3O
7-8，Bi2Sr2Ca2Cu3O10，C60，TTF-TCNQ）である超伝導
試料１５が冷却器１４に保持されている。Reference numeral 13 denotes a sample stage, which is
The placed sample stage 13 is provided with the x, y and
And are movable in the z-direction. This sample stay
A cooler 14 is arranged on the die 13 and
Conductors (eg, NbTi, Nb ThreeSn, Nb, NbN, YBaTwoCuThreeO
7-8, BiTwoSrTwoCaTwoCuThreeOTen, C60, TTF-TCNQ)
A sample 15 is held in the cooler 14.
【００３２】また、１６はスキャナであり、スキャナ１
６は試料室１２に配置されていてチャンバ側に支持され
ている。このスキャナ１６は、圧電体でつくられたｘｙ
スキャナ１６ｘｙとｚスキャナ１６ｚで構成され、ｘｙ
スキャナ１６ｘｙは図２に示すｘおよびｙ方向に移動可
能であり、一方ｚスキャナ１６ｚは図２に示すｚ方向に
移動可能である。Reference numeral 16 denotes a scanner.
Reference numeral 6 is arranged in the sample chamber 12 and is supported on the chamber side. This scanner 16 is composed of an xy made of a piezoelectric material.
Scanner 16xy and z scanner 16z, xy
The scanner 16xy is movable in the x and y directions shown in FIG. 2, while the z scanner 16z is movable in the z direction shown in FIG.
【００３３】１７は冷却器であり、冷却器１７は前記ス
キャナ１６に取り付けられている。そして、超伝導体
（たとえば、Nb，NbTi，Nb3Sn）でつくられた超伝導探
針１８が冷却器１７に保持されており、探針１８は前記
試料１５に対向して接近している。この探針１８と試料
１５間には、電圧印加手段１９によって電圧が印加され
るように構成されており、また、探針１８と試料１５間
に流れる電流が電流検出手段２０によって検出されるよ
うに構成されている。Reference numeral 17 denotes a cooler, and the cooler 17 is attached to the scanner 16. Then, superconductors (e.g., Nb, NbTi, Nb 3 Sn ) superconducting probe 18 made of is held in the condenser 17, the probe 18 is closer to face the sample 15 . A voltage is applied between the probe 18 and the sample 15 by voltage applying means 19, and a current flowing between the probe 18 and the sample 15 is detected by the current detecting means 20. Is configured.
【００３４】また、図２において２１は制御測定手段で
あり、制御測定手段２１は前記電流検出手段２０からの
信号を受けて前記スキャナ１６を駆動させたり、表示手
段２２を制御する。In FIG. 2, reference numeral 21 denotes a control / measurement unit. The control / measurement unit 21 receives a signal from the current detection unit 20, drives the scanner 16 and controls the display unit 22.
【００３５】なお、図示していないが、前記冷却器１４
と冷却器１７は、液体ヘリウムなどの冷媒により試料１
５と探針１８をそれぞれ冷却するように構成されてい
る。Although not shown, the cooler 14
The sampler 1 is cooled by a coolant such as liquid helium.
It is configured to cool the probe 5 and the probe 18 respectively.
【００３６】以上、図２の装置構成について説明した
が、図２における電子対測定装置は、これまでのＳＴＭ
を基本構成としており、そして、探針と試料が超伝導体
であると共に、それらを超伝導状態まで冷却できるよう
に構成したことを特徴としている。Although the configuration of the apparatus shown in FIG. 2 has been described above, the electron pair measuring apparatus shown in FIG.
In addition, the probe and the sample are superconductors, and are configured so that they can be cooled to a superconducting state.
【００３７】以下、図２の装置の動作説明を行う。The operation of the apparatus shown in FIG. 2 will be described below.
【００３８】まず、超伝導探針１８が冷却器１７によっ
てその超伝導転移温度ＴC以下まで冷却されると共に、
超伝導体試料１５が冷却器１４によってその超伝導転移
温度ＴC以下まで冷却される。この冷却により、探針１
８と試料１５は超伝導状態となり、探針１８と試料１５
内でそれぞれ電子対が生成される。First, the superconducting probe 18 is cooled by the cooler 17 to a temperature lower than its superconducting transition temperature T C ,
The superconductor sample 15 is cooled by the cooler 14 to a temperature lower than its superconducting transition temperature T C. By this cooling, the probe 1
The sample 8 and the sample 15 enter a superconducting state, and the probe 18 and the sample 15
In each, an electron pair is generated.
【００３９】そして、探針１８が試料１５に近づけら
れ、電圧印加手段１９により探針１８と試料１５間に所
定のバイアス電圧が印加される。すると、探針１８と試
料１５間に、探針１８と試料１５内で生成された前記電
子対によるトンネル電流ＩCが流れる。Then, the probe 18 is brought close to the sample 15, and a predetermined bias voltage is applied between the probe 18 and the sample 15 by the voltage applying means 19. Then, a tunnel current I C by the electron pair generated in the probe 18 and the sample 15 flows between the probe 18 and the sample 15.
【００４０】このトンネル電流ＩCは電流検出手段２０
で検出され、そのトンネル電流ＩCを表す信号ＩCが電流
検出手段２０から制御測定手段２１に送られる。制御測
定手段２１は、送られてくる信号ＩCに基づき、探針１
８と試料１５間に流れるトンネル電流ＩCが所定電流Ｉ0
となるように、前記ｚスキャナ１６ｚをｚ方向に駆動さ
せて探針１８と試料１５間の距離を制御する。The tunnel current I C is supplied to the current detecting means 20.
, And a signal I C representing the tunnel current I C is sent from the current detecting means 20 to the control measuring means 21. Control measuring unit 21 on the basis of the transmitted signal I C, the probe 1
The tunnel current I C flowing between the sample 8 and the sample 15 is a predetermined current I 0
The distance between the probe 18 and the sample 15 is controlled by driving the z scanner 16z in the z direction so that
【００４１】さらに制御測定手段２１は、探針１８を試
料１５上でｘｙ方向に２次元的に走査させるために、ｘ
ｙスキャナ１６ｘｙをｘｙ方向に駆動させる。この走査
期間中においても制御測定手段２１は、電流検出手段２
０から送られてくる信号ＩCに基づき、探針１８と試料
１５間に流れるトンネル電流ＩCが所定電流Ｉ0となるよ
うに、前記ｚスキャナ１６ｚをｚ方向に駆動させて探針
１８と試料１５間の距離を制御する。Further, the control / measurement means 21 scans the probe 18 two-dimensionally in the xy directions
The y scanner 16xy is driven in the xy directions. Even during this scanning period, the control and measurement means 21 keeps the current detection means 2
The z scanner 16z is driven in the z direction so that the tunnel current I C flowing between the probe 18 and the sample 15 becomes a predetermined current I 0 based on the signal I C sent from 0, and the probe 18 and the probe 18 are connected to each other. The distance between the samples 15 is controlled.
【００４２】このときの試料上における探針走査位置を
ｘi，ｙj（ｉ＝０，１，２，…ｍ、ｊ＝０，１，２，…
ｎ）とすると、各探針走査位置（ｘi，ｙj）において制
御測定手段２１がｚスキャナ１６ｚを駆動制御した信号
は、各探針走査位置（ｘi，ｙj）に対応させて信号ｚij
として制御測定手段２１に記憶される。At this time, the probe scanning position on the sample is defined as x i , y j (i = 0, 1, 2,... M, j = 0, 1, 2,.
When n), a signal controlling the measurement unit 21 drives and controls the z scanner 16z at each probe scan position (x i, y j), each probe scanning position (x i, y j) in in correspondence with the signal z ij
Is stored in the control and measurement means 21.
【００４３】ところで、上述した探針１８と試料１５間
に流れる電子対による電流ＩCは、探針１８と試料１５
の電子対（または電子対の非占有軌道）の実空間分布に
応じて変化する。このため、上述した各探針走査位置に
おける探針の高さ制御の結果、すなわち前記制御信号ｚ
ijは、各探針走査位置における探針と試料の電子対の波
動関数の実空間分布に対応している。By the way, the current I C by electron pair flowing between the probe 18 and the sample 15 described above, the probe 18 and the sample 15
In accordance with the real space distribution of the electron pair (or the unoccupied orbital of the electron pair). Therefore, the result of the height control of the probe at each probe scanning position described above, that is, the control signal z
ij corresponds to the real space distribution of the wave function of the electron pair of the probe and the sample at each probe scanning position.
【００４４】そして、前記制御測定手段２１は、前記制
御信号ｚijを各探針走査位置における画像輝度信号に変
換し、探針走査位置信号と共にその輝度信号を表示手段
２２に送る。この信号を受けた表示手段２２は、その画
面上に、超伝導探針１８と超伝導体試料１５の電子対の
波動関数の実空間分布像を表示する。このようにして得
られた情報は、超伝導体の物性を知るのに重要なもので
ある。The control / measurement means 21 converts the control signal z ij into an image luminance signal at each probe scanning position, and sends the luminance signal together with the probe scanning position signal to the display means 22. The display means 22 having received this signal displays a real space distribution image of the wave function of the electron pair of the superconducting probe 18 and the superconductor sample 15 on the screen. The information thus obtained is important for knowing the physical properties of the superconductor.
【００４５】なお、このようにして得られた電子対の波
動関数の実空間分布像は、超伝導体試料の表面がほぼ平
らな場合には、探針と試料の電子対の波動関数の実空間
分布を忠実に表したものとなる。しかし、試料の表面に
大きな凹凸がある場合には、その影響が像に表れる。そ
こで、探針と試料を常伝導状態にして試料の所定領域の
凹凸像信号を取得しておき、それと同じ試料領域につい
て上述した電子対の波動関数の実空間分布像信号を得、
この波動関数の実空間分布像信号と前記凹凸像信号の差
をとってその差信号を画像輝度信号に変換すれば、試料
の凹凸の影響を受けない電子対の波動関数の実空間分布
像を得ることができる。When the surface of the superconductor sample is almost flat, the real space distribution image of the electron pair wave function obtained in this manner is obtained. It is a faithful representation of the spatial distribution. However, when there are large irregularities on the surface of the sample, the effect appears in the image. Therefore, the probe and the sample are set to the normal conduction state to obtain a concavo-convex image signal of a predetermined region of the sample, and the real space distribution image signal of the above-mentioned electron pair wave function is obtained for the same sample region,
If the difference between the real space distribution image signal of the wave function and the concavo-convex image signal is obtained and the difference signal is converted into an image luminance signal, the real space distribution image of the wave function of the electron pair not affected by the concavo-convex of the sample is obtained. Obtainable.
【００４６】また、上記動作では、各探針走査位置にお
いて探針のｚ位置を制御するようにしたが、探針のｚ位
置を変えずに探針をｘｙ方向に走査し、そのときに探針
と試料間に流れるトンネル電流に基づいて、探針と試料
の電子対の波動関数の実空間分布を測定するようにして
もよい。このときに試料表面に凹凸がある場合には、上
述したような凹凸像信号との差をとる処理を行えば、試
料の凹凸の影響を受けない電子対の波動関数の実空間分
布像を得ることができる。In the above operation, the z position of the probe is controlled at each probe scanning position. However, the probe is scanned in the xy directions without changing the z position of the probe, and at that time the probe is scanned. The real space distribution of the wave function of the electron pair of the probe and the sample may be measured based on the tunnel current flowing between the needle and the sample. At this time, if there is unevenness on the sample surface, a process for obtaining a difference from the unevenness image signal as described above is performed to obtain a real space distribution image of a wave function of an electron pair which is not affected by the unevenness of the sample. be able to.
【００４７】また、図２の装置において、超伝導探針１
８を冷却して超伝導状態にする一方、超伝導体試料１５
を常伝導状態の範囲内で冷却し、そして、上述した動作
と同様な動作を行えば、前記制御測定手段２１は電流検
出手段２０の出力に基づき、超伝導探針１８から常伝導
状態にある試料１５への電子対の伝導特性を測定するこ
とができる。この場合、表示手段２２の画面上には、超
伝導探針１８から常伝導試料１５への電子対の伝導特性
に関する分布像が表示されることになる。Further, in the apparatus shown in FIG.
8 is cooled to a superconducting state, while the superconductor sample 15 is cooled.
Is cooled in the range of the normal conduction state, and if the same operation as the above-described operation is performed, the control and measurement means 21 is in the normal conduction state from the superconducting probe 18 based on the output of the current detection means 20. The conduction characteristics of the electron pair to the sample 15 can be measured. In this case, on the screen of the display means 22, a distribution image relating to the conduction characteristics of the electron pair from the superconducting probe 18 to the normal conducting sample 15 is displayed.
【００４８】以上、図２の装置において、超伝導状態に
ある探針と超伝導状態にある試料の電子対の波動関数の
実空間分布を測定する場合と、超伝導状態にある探針か
ら常伝導状態にある試料への電子対の伝導特性を測定す
る場合について説明したが、以下に、図２の装置におい
て、超伝導探針１８と超伝導体試料１５の電子対の状態
密度関数を測定する場合について説明する。As described above, in the apparatus shown in FIG. 2, the real space distribution of the wave function of the probe in the superconducting state and the electron pair of the sample in the superconducting state is measured. The case of measuring the conduction characteristics of an electron pair to a sample in a conductive state has been described. Hereinafter, the state density function of the electron pair of the superconducting probe 18 and the superconductor sample 15 is measured in the apparatus shown in FIG. Will be described.
【００４９】まず、探針１８と試料１５が冷却されて、
探針１８と試料１５が超伝導状態にされる。First, the probe 18 and the sample 15 are cooled,
The probe 18 and the sample 15 are brought into a superconductive state.
【００５０】そして、スキャナ１６または試料ステージ
１３が前記制御測定手段２１に制御されて、探針１８が
試料１５上の特定位置に固定される。このとき、試料上
の特定位置に探針を固定するにあたっては、たとえば、
予め取得しておいた試料の凹凸像上で探針固定位置を指
定するようにすればよい。Then, the scanner 16 or the sample stage 13 is controlled by the control and measurement means 21 so that the probe 18 is fixed at a specific position on the sample 15. At this time, when fixing the probe at a specific position on the sample, for example,
What is necessary is just to specify the probe fixing position on the uneven image of the sample acquired in advance.
【００５１】こうして、探針１８が試料１５上の特定位
置に試料１５と所定距離を保って固定されると、制御測
定手段２１に制御される電圧印加手段１９によって探針
１８と試料１５間に電圧が印加され、その電圧値は増加
または減少する方向に変えられる。When the probe 18 is fixed at a specific position on the sample 15 at a predetermined distance from the sample 15, the voltage application means 19 controlled by the control and measurement means 21 controls the voltage between the probe 18 and the sample 15. A voltage is applied, and the voltage value is changed to increase or decrease.
【００５２】このような電圧印加により、探針１８と試
料１５間に前記電子対による電流が流れ、その電流値は
印加電圧の変化に伴って変化する。この電流は電流検出
手段２０で検出され、その検出電流を表す信号は制御測
定手段２１に供給される。By such a voltage application, a current by the electron pair flows between the probe 18 and the sample 15, and the current value changes with a change in the applied voltage. This current is detected by the current detecting means 20, and a signal representing the detected current is supplied to the control measuring means 21.
【００５３】そして、制御測定手段２１は、電流検出手
段２０から供給される電流信号と、前記電圧印加手段１
９による電圧制御に基づき、前記試料上の特定位置にお
ける超伝導探針１８と超伝導体試料１５の電子対の状態
密度関数を測定する。この測定された状態密度関数は、
たとえば横軸に電圧、そして縦軸に電流をとったＩ−Ｖ
カーブとして表示手段２２の画面上に表示される。The control / measurement means 21 compares the current signal supplied from the current detection means 20 with the voltage application means 1
Based on the voltage control according to 9, the state density function of the electron pair of the superconducting probe 18 and the superconductor sample 15 at a specific position on the sample is measured. This measured density of states function is
For example, I-V with voltage on the horizontal axis and current on the vertical axis
It is displayed on the screen of the display means 22 as a curve.
【００５４】なお、超伝導探針１８を冷却して超伝導状
態にする一方、超伝導体試料１５を常伝導状態の範囲内
で冷却し、そして、上述した状態密度関数測定動作と同
様な動作を行うようにすれば、前記制御測定手段２１は
電流検出手段２０の出力と電圧印加手段１９による電圧
制御に基づき、前記試料上の特定位置について、各印加
電圧における常伝導試料への電子対の伝導特性を測定す
ることができる。この場合、表示手段２２の画面上に
は、各印加電圧における超伝導探針１８から常伝導試料
１５への電子対の伝導特性に関するＩ−Ｖカーブが表示
される。このようにして得られた情報も、超伝導体の物
性を知るのに重要なものである。While the superconducting probe 18 is cooled to a superconducting state, the superconductor sample 15 is cooled within the range of the normal conducting state, and the operation similar to the state density function measuring operation described above is performed. In this case, the control / measurement unit 21 determines, based on the output of the current detection unit 20 and the voltage control by the voltage application unit 19, the electron pair to the normal sample at each applied voltage for a specific position on the sample. Conduction properties can be measured. In this case, on the screen of the display means 22, an IV curve relating to the conduction characteristics of the electron pair from the superconducting probe 18 to the normal conducting sample 15 at each applied voltage is displayed. The information thus obtained is also important for knowing the physical properties of the superconductor.
【００５５】以上、本発明の電子対測定装置の例を説明
したが、本発明はこれらに限定されるものではない。The examples of the electron pair measuring apparatus of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these.
【００５６】たとえば、上記図１の装置においては、電
子対の挙動を観測する手段として光電子分光装置が用い
られたが、これに代えて、電子線を探針または試料に照
射するための電子銃と、その電子線照射によって探針ま
たは試料から放出した散乱電子を測定するアナライザー
を備えた電子エネルギー損失分光装置を用いるようにし
ても良い。For example, in the apparatus shown in FIG. 1, a photoelectron spectroscopy apparatus is used as a means for observing the behavior of an electron pair. Instead, an electron gun for irradiating a probe or a sample with an electron beam is used. Alternatively, an electron energy loss spectrometer equipped with an analyzer for measuring scattered electrons emitted from the probe or the sample by the electron beam irradiation may be used.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】 本発明の電子対測定装置の一例を示した図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing an example of an electron pair measuring device of the present invention.
【図２】 本発明の電子対測定装置の他の例を示した図
である。FIG. 2 is a diagram showing another example of the electron pair measuring device of the present invention.
１、１１…試料室チャンバ、２、１２…試料室、３…移
動ステージ、４、１４、１７…冷却器、５、１８…超伝
導探針、６、１３…試料ステージ、７…試料、８、１９
…電圧印加手段、９…光電子分光装置、１０…処理制御
手段、１５…超伝導体試料、１６…スキャナ、２０…電
流検出手段、２１…制御測定手段、２２…表示手段1, 11: sample chamber, 2, 12: sample chamber, 3: moving stage, 4, 14, 17: cooler, 5, 18: superconducting probe, 6, 13: sample stage, 7: sample, 8 , 19
... voltage applying means, 9 ... photoelectron spectrometer, 10 ... processing control means, 15 ... superconductor sample, 16 ... scanner, 20 ... current detecting means, 21 ... control measuring means, 22 ... display means
Claims (11)
の超伝導探針内で電子対を生成させるためにその超伝導
探針を冷却する冷却手段と、試料を前記超伝導探針に対
向かつ接近して配置するための手段と、前記試料と超伝
導探針間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記超伝導
探針内または前記試料内における前記電子対の挙動を観
測する手段を備えたことを特徴とする電子対測定装置。1. A superconducting probe made of a superconductor, cooling means for cooling the superconducting probe in order to generate an electron pair in the superconducting probe, and Means for arranging the probe in opposition to and close to the needle, voltage applying means for applying a voltage between the sample and the superconducting probe, and observing the behavior of the electron pair in the superconducting probe or the sample An electronic pair measuring device, comprising:
えて、超伝導探針で生成された電子対を試料に注入する
ようにしたことを特徴とする請求項１記載の電子対測定
装置。2. The electron pair according to claim 1, wherein a negative potential is applied to the superconducting probe from the sample, and an electron pair generated by the superconducting probe is injected into the sample. measuring device.
えて試料内の電子を超伝導探針に注入させ、前記観測手
段により、超伝導探針内における前記電子の挙動または
電子対の挙動を観測するようにしたことを特徴とする請
求項１記載の電子対測定装置。3. An electron in the sample is injected into the superconducting probe by applying a positive potential from the sample to the superconducting probe, and the behavior or electron pair in the superconducting probe is measured by the observation means. The electron pair measuring device according to claim 1, wherein the behavior of the electron pair is observed.
電子エネルギー損失分光装置であることを特徴とする請
求項１から３の何れかに記載の電子対測定装置。4. An electron pair measuring apparatus according to claim 1, wherein said observation means is a photoelectron spectrometer or an electron energy loss spectrometer.
の超伝導探針内で電子対を生成させるためにその超伝導
探針を冷却する探針冷却手段と、超伝導体試料を前記超
伝導探針に対向かつ接近して配置するための手段と、前
記超伝導体試料内で電子対を生成させるためにその超伝
導体試料を冷却する試料冷却手段と、前記超伝導探針と
超伝導体試料間に電圧を印加する電圧印加手段と、その
電圧印加手段の電圧印加によって前記超伝導探針と超伝
導体試料間に流れる電子対による電流を検出する電流検
出手段と、その電流検出手段の出力に基づき、前記超伝
導探針と超伝導体試料の電子対の波動関数の実空間分布
を測定する手段を備えたことを特徴とする電子対測定装
置。5. A superconducting probe made of a superconductor, a probe cooling means for cooling the superconducting probe to generate an electron pair in the superconducting probe, and a superconductor sample. Means for arranging the superconducting probe in opposition to and close to the superconducting probe; sample cooling means for cooling the superconducting sample in order to generate an electron pair in the superconducting sample; Voltage applying means for applying a voltage between the needle and the superconductor sample, and current detecting means for detecting a current by an electron pair flowing between the superconducting probe and the superconductor sample by applying a voltage from the voltage applying means, An electron pair measuring apparatus comprising: means for measuring a real space distribution of a wave function of an electron pair of the superconducting probe and the superconductor sample based on an output of the current detecting means.
的に走査させ、超伝導探針と超伝導体試料の電子対の波
動関数の実空間分布像を得るようにしたことを特徴とす
る請求項５記載の電子対測定装置。6. The superconducting probe is relatively scanned on a superconductor sample to obtain a real space distribution image of a wave function of an electron pair of the superconducting probe and the superconductor sample. The electron pair measuring device according to claim 5, characterized in that:
の超伝導探針内で電子対を生成させるためにその超伝導
探針を冷却する探針冷却手段と、試料を前記超伝導探針
に対向かつ接近して配置するための手段と、前記超伝導
探針と試料間に電圧を印加する電圧印加手段と、その電
圧印加手段の電圧印加によって前記超伝導探針と試料間
に流れる電子対による電流を検出する電流検出手段と、
その電流検出手段の出力に基づき、前記試料への電子対
の伝導特性を測定する手段を備えたことを特徴とする電
子対測定装置。7. A superconducting probe made of a superconductor, a probe cooling means for cooling the superconducting probe in order to generate an electron pair in the superconducting probe, and Means for arranging the probe in opposition to and close to the conductive probe, voltage applying means for applying a voltage between the superconducting probe and the sample, and applying voltage between the superconducting probe and the sample by applying a voltage from the voltage applying means. Current detection means for detecting a current by an electron pair flowing through
An electron pair measuring device, comprising: means for measuring a conduction characteristic of an electron pair to the sample based on an output of the current detecting means.
の超伝導探針内で電子対を生成させるためにその超伝導
探針を冷却する探針冷却手段と、超伝導体試料を前記超
伝導探針に対向かつ接近して配置するための手段と、前
記超伝導体試料内で電子対を生成させるためにその超伝
導体試料を冷却する試料冷却手段と、前記超伝導探針を
超伝導体試料上の特定位置に固定して、超伝導探針と超
伝導体試料間の距離を一定に保つ手段と、前記超伝導探
針と超伝導体試料間に電圧を変化させながら印加する電
圧印加手段と、その電圧印加手段の電圧印加によって前
記超伝導探針と超伝導体試料間に流れる電子対による電
流を検出する電流検出手段と、その電流検出手段の出力
と前記電圧印加手段による電圧制御に基づき、前記超伝
導探針と超伝導体試料の電子対の状態密度関数を測定す
る手段を備えたことを特徴とする電子対測定装置。8. A superconducting probe made of a superconductor, a probe cooling means for cooling the superconducting probe to generate an electron pair in the superconducting probe, and a superconductor sample. Means for arranging the superconducting probe in opposition to and close to the superconducting probe; sample cooling means for cooling the superconducting sample in order to generate an electron pair in the superconducting sample; A means for fixing the needle at a specific position on the superconductor sample, maintaining a constant distance between the superconducting probe and the superconductor sample, and changing a voltage between the superconducting probe and the superconductor sample. Voltage applying means for applying a voltage while applying the voltage, current detecting means for detecting a current caused by an electron pair flowing between the superconducting probe and the superconductor sample by applying a voltage from the voltage applying means, an output of the current detecting means and the voltage Based on the voltage control by the application means, the superconducting probe and the superconductor test were performed. An electron pair measuring apparatus, comprising: means for measuring a state density function of an electron pair of a sample.
の超伝導探針内で電子対を生成させるためにその超伝導
探針を冷却する探針冷却手段と、試料を前記超伝導探針
に対向かつ接近して配置するための手段と、前記超伝導
探針を試料上の特定位置に固定して、超伝導探針と試料
間の距離を一定に保つ手段と、前記超伝導探針と試料間
に電圧を変化させながら印加する電圧印加手段と、その
電圧印加手段の電圧印加によって前記超伝導探針と試料
間に流れる電子対による電流を検出する電流検出手段
と、その電流検出手段の出力と前記電圧印加手段による
電圧制御に基づき、各印加電圧における前記試料への電
子対の伝導特性を測定する手段を備えたことを特徴とす
る電子対測定装置。9. A superconducting probe made of a superconductor, a probe cooling means for cooling the superconducting probe to generate an electron pair in the superconducting probe, and A means for arranging the superconducting probe in opposition to and close to the conducting probe, a means for fixing the superconducting probe at a specific position on the sample, and maintaining a constant distance between the superconducting probe and the sample; Voltage applying means for applying a voltage between the conductive probe and the sample while changing the voltage; current detecting means for detecting a current by an electron pair flowing between the superconducting probe and the sample by applying a voltage from the voltage applying means; An electron pair measuring apparatus comprising: means for measuring conduction characteristics of an electron pair to the sample at each applied voltage based on an output of a current detecting means and voltage control by the voltage applying means.
導体試料は常伝導状態の範囲内で冷却されることを特徴
とする請求項７または９記載の電子対測定装置。10. The electron pair measuring apparatus according to claim 7, wherein the sample is a superconductor, and the superconductor sample is cooled within a normal conduction state.
おいて、超伝導体でつくられた探針を超伝導状態に冷却
する手段を備えたことを特徴とする走査形トンネル顕微
鏡。11. A scanning tunneling microscope provided with a probe, comprising means for cooling a probe made of a superconductor to a superconducting state.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380280A JP2002181682A (en) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | Electron pair measuring apparatus and scanning tunneling microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380280A JP2002181682A (en) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | Electron pair measuring apparatus and scanning tunneling microscope |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002181682A true JP2002181682A (en) | 2002-06-26 |
Family
ID=18848494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000380280A Withdrawn JP2002181682A (en) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | Electron pair measuring apparatus and scanning tunneling microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002181682A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005103646A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Japan Science And Technology Agency | Scanning probe microscope probe and production method therefor and scanning probe microscope and application method therefor and needle-like element and production method therefor and electron element and production method tehrefor and charge density wave quantum phase microscope and charge density wave quantum interferomet |
| JP2005308652A (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Japan Science & Technology Agency | Probe for probe microscope and its manufacturing method, probe microscope, needle-shaped body and its manufacturing method, and electronic element and its manufacturing method |
-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000380280A patent/JP2002181682A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005103646A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Japan Science And Technology Agency | Scanning probe microscope probe and production method therefor and scanning probe microscope and application method therefor and needle-like element and production method therefor and electron element and production method tehrefor and charge density wave quantum phase microscope and charge density wave quantum interferomet |
| JP2005308652A (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Japan Science & Technology Agency | Probe for probe microscope and its manufacturing method, probe microscope, needle-shaped body and its manufacturing method, and electronic element and its manufacturing method |
| US7553335B2 (en) | 2004-04-23 | 2009-06-30 | Japan Science And Technology Agency | Scanning probe microscope probe and manufacturing method therefor, scanning probe microscope and using method therefor, needle-like body and manufacturing method therefor, electronic device and manufacturing method therefor, charge density wave quantum phase microscope, and charge density wave quantum interferometer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20230358829A1 (en) | Method and apparatus for measuring magnetic field strength | |
| US5417494A (en) | Contactless testing of electronic materials and devices using microwaves | |
| US6548810B2 (en) | Scanning confocal electron microscope | |
| Huebener | Scanning electron microscopy at very low temperatures | |
| JP2002181682A (en) | Electron pair measuring apparatus and scanning tunneling microscope | |
| KR101493838B1 (en) | Microscopy Scanning Photoluminescence. | |
| JP2005134196A (en) | Non-destructive analysis method and non-destructive analysis device | |
| Huebener et al. | Low-temperature scanning electron microscopy for studying inhomogeneities in thin-film high-T c superconductors | |
| JPH03102754A (en) | Scanning tunnel microscope with equipment for detecting electron emitted from probe | |
| Kopelvski et al. | Potentialities of a new dedicated system for real time field emission devices characterization: a case study | |
| Itozaki et al. | HTS scanning SQUID microscope | |
| Daibo et al. | Photo-induced magnetic field imaging of p–n junction using a laser SQUID microscope | |
| Zhang et al. | Unique laser-scanning optical microscope for low-temperature imaging and spectroscopy | |
| JPH05249209A (en) | Scanning microscope | |
| Koelle et al. | Vortex imaging by low-temperature scanning electron microscopy and correlation with low-frequency noise in YBCO DC SQUIDs | |
| Propper et al. | THz properties of He-FIB YBa 2 Cu 3 O 7-x Josephson junctions | |
| Wang et al. | Variable temperature scanning laser microscopy of wider width high temperature superconducting films | |
| Hayashi et al. | SQUID probe microscope combined with scanning tunneling microscope | |
| JPH0540100A (en) | Apparatus and method for inspecting surface | |
| DE19714346A1 (en) | Method of optical microscopy with sub-wavelength resolution | |
| Smith et al. | In Situ Nanoprobing Tools for Fault Localization and Defect Characterization | |
| Huebener et al. | Ballistic phonon signal for imaging crystal properties | |
| Seo | Spatial distribution analyses of superconducting transition temperature in epitaxial yttrium barium (2) copper (3) oxygen (7) film using variable temperature scanning laser microscopy | |
| Liao et al. | Simultaneously scanning two connected tips in a scanning tunneling microscope | |
| Huebener et al. | Simultaneous Micro-Characterization of the Superconducting and Structural Properties of High-Tc Superconducting Films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080304 |