JP2002176203A - 発光デバイス及び発光デバイスアレイ - Google Patents

発光デバイス及び発光デバイスアレイ

Info

Publication number
JP2002176203A
JP2002176203A JP2001301991A JP2001301991A JP2002176203A JP 2002176203 A JP2002176203 A JP 2002176203A JP 2001301991 A JP2001301991 A JP 2001301991A JP 2001301991 A JP2001301991 A JP 2001301991A JP 2002176203 A JP2002176203 A JP 2002176203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting element
light emitting
reflecting member
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001301991A
Other languages
English (en)
Inventor
Shingo Tamai
進悟 玉井
Hayami Hosokawa
速美 細川
Hironobu Kiyomoto
浩伸 清本
Shigeru Yasuda
成留 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP2001301991A priority Critical patent/JP2002176203A/ja
Publication of JP2002176203A publication Critical patent/JP2002176203A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の発光ダイオード(LED)や半導体レ
ーザー(LD)などの発光素子から発する熱は、細いリ
ードフレームから外部に放熱する以外放熱構造が考慮さ
れておらず、熱的損傷を考慮して印加できる最大定格電
流が小さく押さえられていた。そのため、最大定格電流
を越える大きな電流を長時間流すと、発光素子のジャン
クション部が高温となり、発光素子の特性劣化、あるい
は断線事故を生じ、発光素子の信頼性を低下させる問題
が生じていた。 【解決手段】 発光デバイスを、光反射部材と発光素子
を覆って発光素子を封止する樹脂とで構成し、発光素子
から出射した光のうち前方の所定領域を外れる光を樹脂
界面でほぼ全反射させた後に前記光反射部材で前方に出
射させるようにすると共に、発光素子と光反射部材とを
熱的接触させ、発光素子の熱光反射部材で放熱させるよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
(LED)や半導体レーザー(LD)などの発光素子チ
ップをモールド樹脂で封止した形態の発光デバイスにお
ける発光素子の放熱構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】発光ダイオード(LED)や半導体レー
ザー(LD)などの発光デバイスは、図30に砲弾型の
一例を示したように、発光ダイオード(LED)や半導
体レーザー(LD)などの発光素子チップ(以下発光素
子と略称する)1をリードフレーム2に載置してダイボ
ンドし、他方のリードフレーム3からボンディングワイ
ヤ4で電気的に接続した形でモールド樹脂6により封止
したものがある。
【0003】しかしながらこのような発光デバイスにお
いては、発光素子から発する熱は、細いリードフレーム
2から外部に放熱する以外放熱構造が考慮されておら
ず、熱的損傷を考慮して印加できる最大定格電流が小さ
く押さえられていた。そのため、最大定格電流を越える
大きな電流を長時間流すと、発光素子のジャンクション
部が高温となり、発光素子の特性劣化、あるいは断線事
故を生じ、発光素子の信頼性を低下させる問題が生じて
いた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最大定
格電流が小さく押さえられるということは、それだけ発
光光量が小さく押さえられるということであり、大きな
光量を得たい場合は発光デバイスを多数必要とし、不経
済であった。
【0005】上述の事情に鑑み本発明は、放熱性能を高
めた発光デバイスを提供し、印加できる最大定格電流を
大きくして明るく発光させられるようにすると共に、発
光素子の過熱による特性劣化、あるいは断線事故を防止
し、発光素子の信頼性を向上させることが課題である。
また本発明においては、放熱特性のよい発光デバイスア
レイを得ることや、表面実装タイプの発光素子において
も放熱特性を向上できるようにすることも課題である。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、発光素子からの光を効率よく前方に出射させ
るために光反射部材を用い、かつ、この光反射部材を放
熱板として利用し、放熱性能を高めて印加できる最大定
格電流を大きくして明るく発光させられるようにすると
共に、発光素子の過熱による特性劣化、あるいは断線事
故を防止し、発光素子の信頼性を向上させられるように
した。
【0007】そのため本発明における第1の発光デバイ
スにおいては、発光素子と、光反射部材と、該光反射部
材と発光素子を覆って発光素子を封止した樹脂とからな
り、前記発光素子から出射した光のうち前方の所定領域
を外れる光を樹脂界面でほぼ全反射させた後に前記光反
射部材で前方に出射させるよう構成した発光デバイスに
おいて、前記発光素子と光反射部材とが熱的接触して発
光素子の熱を放熱するようにしたことを特徴とする。
【0008】このように発光素子と光反射部材を樹脂で
覆い、発光素子から出た光のうち、前方の所定領域を外
れる光を樹脂界面でほぼ全反射させた後に前記光反射部
材で前方に出射させて光の出射効率を増大させると共
に、光反射部材を発光素子に熱的接触させて前記したよ
うに光反射部材を放熱板とすることにより、放熱性能を
高め、印加できる最大定格電流を大きくして明るく発光
させることができると共に、発光素子の過熱による特性
劣化、あるいは断線事故を防止し、発光素子の信頼性を
向上することができる。
【0009】そしてこの発光素子と光反射部材の熱的接
触のため、前記発光素子を該発光素子と電気的に接続す
る一方のリードフレームに載置し、該リードフレームを
光反射部材と熱的接触するようにして発光素子の熱をリ
ードフレームから光反射部材に伝えて放熱させるように
してもよい。このようにすることで、容易に、かつ、確
実に発光素子の熱を光反射部材に伝えて放熱することが
できる。またさらに、前記光反射部材の非反射面を、直
接、若しくは薄い樹脂層を介して空気層に露出したり、
前記光反射部材の外縁が、樹脂表面の一部、または全部
を覆うようにすることで、光反射部材の非反射面、また
は光反射部材の外縁を直接空気層にふれさせ、より効果
的に放熱を行うようにしても良い。
【0010】そして更に放熱効果を高めるため本発明に
おける第2の発光デバイスにおいては、発光素子と、光
反射部材と、該光反射部材と発光素子を覆って発光素子
を封止した樹脂とからなり、前記発光素子から出射した
光のうち前方の所定領域を外れる光を樹脂界面でほぼ全
反射させた後に前記光反射部材で前方に出射させるよう
構成した発光デバイスにおいて、前記発光素子を良熱伝
導性の立面体に載置し、該立面体と光反射部材を熱的接
触させて発光素子の熱を立面体と光反射部材とから放熱
するようにしたことを特徴とする。
【0011】このように構成することにより、良熱伝導
性の立面体は光反射部材より熱容量が大きいから発光素
子が発生した熱をより迅速に拡散させて放熱効果が大き
く、印加できる最大定格電流を大きくして発光素子を明
るく発光させられるようにすると共に、発光素子の過熱
による特性劣化、あるいは断線事故を防止し、発光素子
の信頼性を向上することができる。
【0012】そしてこの立面体は、中央に発光素子を載
置する皿部と、リードフレームを保持した絶縁体を収容
する溝部と、リードフレームを延在させる溝を設けるよ
うにすると、リードフレームをしっかりと絶縁した上で
電流を発光素子に送ることができ、より効果的に前記放
熱効果を発揮させることができる。
【0013】また本発明における第3の発光デバイスに
おいては、簡単に放熱効果を得るため、発光素子と、光
反射部材と、該光反射部材と発光素子を覆って発光素子
を封止した樹脂とからなり、前記発光素子から出射した
光のうち前方の所定領域を外れる光を樹脂界面でほぼ全
反射させた後に前記光反射部材で前方に出射させるよう
構成した発光デバイスにおいて、前記光反射部材と、発
光素子を載置するリードフレームとを一体部材で構成
し、リードフレームに載置した発光素子の熱を光反射部
材に伝えて放熱するようにしたことを特徴とする。
【0014】このように、光反射部材と発光素子を載置
するリードフレームとを一体部材で構成することによ
り、容易に、かつ、確実に発光素子の熱をリードフレー
ムを介して光反射部材に伝えて放熱することができ、放
熱性能を高めて印加できる最大定格電流を大きくして明
るく発光させられるようにすると共に、発光素子の過熱
による特性劣化、あるいは断線事故を防止し、発光素子
の信頼性を向上できる。
【0015】また、発光素子を光反射部材と一体に樹脂
で封止せず、表面実装タイプの発光素子を利用する場合
も本発明における第4の発光デバイスにおいては、金属
板上に実装した表面実装タイプ発光素子と、光反射部材
と該光反射部材を覆った樹脂を有し、前記発光素子から
出射した光のうち前方の所定領域を外れる光を樹脂界面
でほぼ全反射させた後に前記光反射部材で前方に出射さ
せるよう構成した光学部材とからなり、前記光反射部材
を金属板に熱的接触させて前記発光素子の熱を放熱する
ようにしたことを特徴とする。
【0016】このようにすることで、発光素子を光反射
部材と一体に樹脂で封止せず、表面実装タイプの発光素
子を利用する場合においても放熱特性を改善でき、印加
できる最大定格電流を大きくして明るく発光させられる
ようにすると共に、発光素子の過熱による特性劣化、あ
るいは断線事故を防止して、信頼性の高い表面実装タイ
プ発光デバイスを得ることができる。
【0017】また本発明の発光デバイスアレイにおいて
は、前記第1から第3の発光デバイスをアレイ状に構成
する場合、金属製部材にアレイ状に形成した光反射部
と、該光反射部の各々の中央近辺に載置した発光素子
と、該発光素子の各々に接続する前記金属製部材表面に
絶縁膜を介して形成した配線パターンと、前記光反射部
上の前記発光素子を覆って界面を形成し、前記発光素子
から出射した光のうち、前方の所定領域を外れる光を前
記界面でほぼ全反射させた後に前記光反射部で前方に出
射させるよう構成した樹脂とからなり、発光素子の熱を
前記金属製部材で放熱するようにしたことを特徴とす
る。
【0018】このようにすることで、発光素子を複数個
アレイ状に配列した発光デバイスアレイが容易に得られ
ると共に、複数の発光素子による発熱も金属製部材で拡
散されて大きな放熱効果が得られるから、個々の発光素
子に印加できる最大定格電流を大きくして明るく発光さ
せられると共に、発光素子の過熱による特性劣化、ある
いは断線事故を防止し、信頼性の高い発光デバイスアレ
イを得ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を例示的に詳しく説明する。但し、この実施の
形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、そ
の相対配置などは、特に特定的な記載がない限りはこの
発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる
説明例に過ぎない。
【0020】図1は、本発明の第1の実施形態による発
光デバイスを示す断面図である。同図において、1は発
光ダイオード(LED)や半導体レーザー(LD)など
の発光素子、2は発光素子1を載置してダイボンドする
受け皿部を有したリードフレーム、3は他方のリードフ
レーム、4はリードフレーム3と発光素子1を接続する
ボンディングワイヤ、5は金属製の光反射部材で、これ
ら発光素子1、リードフレーム2、3、ボンディングワ
イヤ4、光反射部材5は、透明なモールド樹脂6中に封
止されている。
【0021】そしてモールド樹脂6の光出射側中央部に
は、図に示すように球面レンズ状、非球面レンズ状、放
物面上などの凸レンズ形状をした直接出射領域7が形成
され、発光素子1はこの直接出射領域7の焦点、または
その近傍に位置している。そのため、発光素子1から出
て直接出射領域7に向かった光は、直接モールド樹脂6
の前面から前方へ出射される。
【0022】一方直接出射領域7の周囲には、この直接
出射領域7を囲むように平面状の全反射領域8が形成さ
れ、かつ、発光素子1から見て、直接出射領域7と全反
射領域8との境界方向と発光素子1の光軸とのなす角度
が、モールド樹脂6と空気との間の全反射の臨界角と等
しいか、それよりも大きく設定されている。そのため、
発光素子1から出射された光のうち、全反射領域8に向
かった光は、モールド樹脂6の界面で全反射され、さら
に光反射部材5で反射されて全反射領域8から前方へ出
射される。
【0023】そして発光素子1を載置したリードフレー
ム2は、光反射部材5と接触する部分9が熱伝導性接着
剤での接着、ハンダ付け、銀ロウ付け、超音波融着、か
しめなどで機械的に接合して熱的接触しており、他方の
リードフレーム3は光反射部材5と接触しないように封
止されている。そのため、発光素子1の発光により生じ
た熱は、リードフレーム2を通して金属製の光反射部材
5に伝わって拡散されて温度を低下させると共に、広い
面積で放熱していっそう冷却効果を向上させる。そのた
め発光素子1の加熱による特性劣化、断線事故などを防
止して発光素子1の信頼性の向上を可能とすると共に、
発光素子1に印加できる絶対最大定格電流が大きくな
り、より明るく発光素子を発光することが可能となる。
【0024】図2は、本発明の第2の実施形態による発
光デバイスを示す断面図である。図中図1と同一の構成
要素には同一番号を付した。なお、以下の実施形態説明
においては、図1と同一の構成要素には全て同一番号を
付し、説明を省略する。
【0025】図1に示した第1の実施形態においては、
リードフレーム2と光反射部材5を接合する工程が必要
であり、それだけ工数が増えて発光素子の価格が上昇す
る。そのため第2の実施形態においては、図1に示した
第1の実施形態におけるリードフレーム2と光反射部材
5を接合した接触部9を有せず、リードフレーム2と光
反射部材5を接触しないように、かつ、リードフレーム
2からの熱が光反射部材5に伝わるように熱的接触させ
るべくきわめて近くに位置させてモールド樹脂6で封止
してある。すなわち、このようにすることで、リードフ
レーム2と光反射部材5を接合するための工程が省ける
わけであるが、モールド樹脂6は熱伝導性が良く、リー
ドフレーム2を光反射部材5に近接して封止すること
で、熱的接触は保たれて放熱効果は第1の実施形態と同
じように得られる。
【0026】図3は、本発明の第3の実施形態による発
光デバイスを示す断面図である。図1、図2に示した第
1、第2の実施形態においては、光反射部材5の発光素
子1側と逆側もモールド樹脂6で封止していた。そのた
め、モールド樹脂6の熱伝導性が良いとはいうものの、
光反射部材5に伝わった熱はモールド樹脂6を通して空
気に放熱されるわけであり、光反射部材5から直接空気
に放熱する場合に比べて放熱効果が落ちる。そのためこ
の第3の実施形態においては、光反射部材5を境に発光
素子1のある方はモールド樹脂6で封止するが、逆側は
封止しないか、または1mm以下のごく薄い樹脂コーテ
ィングだけにする。このようにすることで、発光素子1
からリードフレーム2を介して光反射部材5に伝わった
熱は、光反射部材5が直接、またはごく薄いコーティン
グ層を介して空気に接触しているから効率的に放熱を行
うことができ、冷却効果を更に高めることができる。な
お、この第3の実施形態においては、リードフレーム2
と光反射部材5は第1の実施形態(図1)のように接合
しても良く、また第2の実施形態(図2)のように、接
合せずに近接して封止するようにしても良い。以下の実
施形態においてもこの点は同様である。
【0027】図4は、本発明の第4の実施形態による発
光デバイスを示す上面図(A)と断面図(B)である。
図1に示した第1の実施形態においては、リードフレー
ム2と3は単に発光素子1と電気的な接触をさせるため
のリード線の役目をしているだけであったが、この図4
に示した第4の実施形態においては、このリードフレー
ムにも放熱効果を持たせるようにした。すなわち10は
図1における2と同様、発光素子1を載置してダイボン
ドしてあるリードフレームであり、11は他のリードフ
レームであるが、この図4からもわかるように、これら
リードフレームを幅広に構成し、かつ、モールド樹脂の
外部にリードフレームの端部が3本以上突出するように
してある。このようにすることで、発光素子1からの熱
は光反射部材5に伝わって拡散すると共に、リードフレ
ーム10によっても拡散して空気中に放出され、また、
光反射部材5からモールド樹脂6に伝わった熱がリード
フレーム11からも放出され、大きな冷却効果が得られ
る。
【0028】図5は、本発明の第5の実施形態による発
光デバイスを示す断面図である。図1乃至図4に示した
実施形態においては、発光素子1はリードフレーム2に
設けた受け皿部にダイボンドすると説明してきたが、こ
の場合発光素子1からの熱はリードフレームからのみ光
反射部材5などを通して放熱される。しかしリードフレ
ームは断面積が小さいため、熱伝導性が悪く、その放熱
能力は限られる。
【0029】図5に示した第5の実施形態は、この点を
考慮し、発光素子1を金属製の立面体で構成した土台1
2にダイボンドし、リードフレーム2、3は、この土台
12の中を土台12とは絶縁して通すと共に光反射部材
5は、この土台12に熱伝導性が高くなるよう接合して
ある。そのため発光素子1からの熱はまず土台12に伝
わり、また光反射部材5にも伝わって拡散し、大きな冷
却効果が得られる。
【0030】図6はこの土台12の構造の一例を説明す
るための図であり、120はリードフレーム2、3を図
のように保持するための絶縁材、121は発光素子1を
載置してダイボンドするための基台である。この基台1
21には、図示したように発光素子1を載置する皿状の
受け皿部122、絶縁材120をいれる溝123、リー
ドフレーム2、3を通すための溝124、125が設け
られ、これらの溝123、124、125に絶縁材12
0がはめ込めるようになっている。
【0031】図7はこの土台12の構造の他の一例を説
明するための図であり、図7(a)は発光デバイスの全
体断面図、図7(b)は基台121の上面図、図7
(c)は絶縁材120の上面図、図7(d)は図7
(b)におけるア−ア’の断面図、図7(e)は図7
(c)におけるイ−イ’の断面図、図7(f)は絶縁材
120を基台121にはめ込んだ上面図である。この例
では、基台121は図6に示したものと同じであるが、
絶縁材120の内部にはリードフレーム2、3が点線で
示したように半円形状に設けられ、リードフレーム2、
3が絶縁材から出る部分に突出部が設けられて基台12
1と接触しないようにされていると共に、絶縁材120
とリードフレーム2、3自体の補強を行っている。
【0032】なおこの基台121は図6では円柱状とし
て示したが、これは円柱状に限らず、四角柱、三角柱、
円錐など、良熱伝導性の立面体であればどのような形状
のものでも良い。また、光反射部材5と土台12の接合
は、前記したように熱伝導性接着剤での接着、ハンダ付
け、銀ロウ付け、超音波融着、かしめなどで機械的に接
合する。
【0033】図8は、本発明の第6の実施形態であり、
図5に示した第5の実施形態による発光デバイス80の
金属製の土台12を、金属製の放熱板13と接合したも
のである。この接合は、前記したように熱伝導性接着剤
での接着、ハンダ付け、銀ロウ付け、超音波融着、かし
めなどを用いる。図9は、この図8に示した第6の実施
形態に用いる放熱板13の一具体例であり、図9(A)
は上面図、図9(B)は断面図である。この放熱板13
は断面図図9(B)に示したように、アルミ、銅などの
熱伝導性の高い金属からなる第1層ランド17、ガラス
エポキシなどの絶縁性の高い樹脂の薄層からなる第2層
ランド18、図5に示した第5の実施形態におけるリー
ドフレーム2、3、土台12などを接合するため、上面
図図9(A)に示した土台用ランド14、リードフレー
ム用ランド15、16、などを持つ第3層ランド19な
どからなる。
【0034】このようにすることで、図5に示した第5
の実施形態による土台12の放熱効果に加え、土台用ラ
ンド14から、ガラスエポキシなどの薄層からなる第2
層ランド18を通して第1層ランド17からの放熱が期
待できるため、さらに放熱性能が向上する。
【0035】図10は、本発明の第7の実施形態を示す
断面図(A)と上面図(B)である。今まで説明してき
た図1から図9までの第1の実施形態から第6の実施形
態においては、リードフレームは図4に示した第4の実
施形態を除いて線状のものであり、図4に示した第4の
実施形態においても発光素子1を載置する部分近辺は大
きな面積を有さない。それに対してこの第7の実施形態
においては、図から明らかなように、発光素子1をダイ
ボンドする側のリードフレーム20が、光反射部材5の
内径のほぼ全体、または一部をふさぐことが可能な程度
の面積を有する板状の部材で形成されて光反射部材5が
接合されており、かつ、このリードフレーム20は、リ
ードフレーム20と同じ程度の幅を有するもう一方のリ
ードフレーム21から延びるボンディングワイヤ4を結
合するためのリードフレームを通すための穴22を有し
ている。
【0036】そのためこの第7の実施形態においては、
発光素子1からの熱は放熱機能を持たせたリードフレー
ム20、光反射部材5、モールド樹脂6を通して伝わる
リードフレーム21などで拡散放熱され、放熱性能が大
きく向上する。なお、リードフレーム21を通す穴22
の形状は、図では円形で示したが、四角形、その他の多
角形など、どのような形状でも良い。
【0037】図11は、本発明の第8の実施形態による
発光デバイスの断面図である。図中23は光反射部材5
の外径部分から発光素子1とは反対側のモールド樹脂6
を覆うように延ばした光反射部材5の一部で、このよう
に光反射部材5を構成することで、23部分が直接空気
に触れ、放熱性能が向上すると共に、発光デバイス自体
の強度を向上させることができる。
【0038】図12は、本発明の第9の実施形態による
発光デバイスの断面図である。図中24は、光の出射面
以外のモールド樹脂6表面を覆うよう構成した金属パッ
ケージで、光反射部材5と26の部分で接合してあり、
さらにリードフレーム3を通す部分は絶縁材25が設け
られている。接合部分26は、前記したように熱伝導性
接着剤での接着、ハンダ付け、銀ロウ付け、超音波融
着、かしめなどを用いる。
【0039】このようにすることで、図11に示した第
8の実施形態より更に直接空気に触れる部分が増え、放
熱性能が向上すると共に、発光デバイス自体の強度を向
上させることができる。なお、光反射部材5と金属パッ
ケージ24は、別部材として接合すると説明したが、一
体部材でも良いことはもちろんである。
【0040】図13は、本発明の第10の実施形態によ
る発光デバイスの断面図であり、図12に示した第9の
実施形態に加えて放熱板27を金属パッケージ24に接
触させたものである。このようにすることで、発光素子
1から発生した熱は、リードフレーム2、光反射部材
5、金属パッケージ24、放熱板27と伝わって空気中
に放熱され、さらに放熱性能が向上する。なお、放熱板
27と金属パッケージ24は、接触だけでなく、前記し
た方法で接合するようにしても良い。
【0041】図14は、本発明の第11の実施形態によ
る発光デバイスの断面図であり、この実施形態において
は、発光素子1を、発光素子1のリードフレームを兼用
させる金属製平板28に載置してダイボンドしたもの
で、この金属製平板28には、他方の極性のリードフレ
ーム3を通すための穴29が開けてある。このように構
成することで、金属製平板28が直接空気と接触してい
るから、発光素子1の熱はこの金属製平板28から直接
空気中に放熱され、高い放熱性能が得られる。なお、リ
ードフレーム3を通す穴29は、円形や四角形、その他
の多角形など、どのような形状でも良い。
【0042】図15は、本発明の第12の実施形態によ
る発光デバイスの構成を説明する図であり、この実施形
態においては、図15の(C)に示した金属製平板33
に実装されている表面実装タイプの発光素子32に、図
15の(A)に外観を、図15の(B)に断面図を示し
た光反射部材5とモールド樹脂6で構成した光学部材
(レンズ部)をかぶせて接合したものである。この光学
部材(レンズ部)は、図15(B)の断面図において、
5は光反射部材、6はモールド樹脂、7は直接出射領
域、8は全反射領域であり、図1における発光素子1、
リードフレーム2、3、ボンディングワイヤ4などを除
くと共に、表面実装タイプの発光素子32を収納するた
めの窪み30を持ち、光反射部材5の31で示した部分
はむき出しになっていて、金属製平板33と前記したよ
うな方法で接合できるようになっている。
【0043】このように発光デバイスを構成すること
で、表面実装タイプの発光素子を用いた場合でも図14
の第11の実施形態と同じような効果を得ることがで
き、さらに表面実装タイプの発光素子においても射出光
を効率良く利用することができる。
【0044】図16は、本発明の第13の実施形態によ
る発光デバイスの断面図であり、この実施形態において
は、光反射部材5に直接発光素子1を載置してダイボン
ディングできるようにし、かつ、この光反射部材5を構
成している材料でリードフレーム34を作成してある。
それ以外の構成要素は図1に示したものと同じである。
このようにすることで、発光素子1からの熱は光反射部
材5全体に拡散して温度を低下させると共に、その広い
面積で放熱して一層冷却効果を向上させ、発光素子1の
加熱による特性劣化、断線事故などを防止して信頼性の
向上を可能とすると共に、発光素子1に印加できる絶対
最大定格電流が大きくなり、より明るく発光素子1を発
光することが可能となる。
【0045】図17に示した本発明の第14の実施形態
は、図16に示した第13の実施形態の変形であり、図
16におけるリードフレーム3、34を、発光素子1の
光軸に直角に交わる方向にモールド樹脂6から外部に突
出させてある。このようにすることで、第13の実施形
態における発光素子1からの熱は光反射部材5全体に拡
散して温度を低下させると共に、その広い面積で放熱し
て一層冷却効果を向上させるという効果に加え、実装時
の省スペース化が可能となる。
【0046】図18は、本発明の第15の実施形態によ
る発光デバイスの断面図であり、この実施形態において
は、図1から図17までに示した光反射部材5の代わり
に、円柱形状の金属製部材35の立面体の1端面をくり
貫いて反射面を構成し、発光素子1を反射面にダイボン
ディングして金属製部材35の一端からリードフレーム
を形成すると共に、他方のリードフレーム3を金属製部
材35から絶縁するための絶縁材36を有する孔を設け
てある。このように構成することで、発光素子1からの
熱は体積が大きく、そのため熱容量の大きな円柱形状の
金属製部材35に拡散し、効率よく放熱することが可能
となる。なおこの金属製部材35の立面体は、円柱状だ
けでなく、多角形状や円錐状、楕円柱状など、その他の
形状の立面体でもよいことはもちろんである。
【0047】図19は、本発明の第16の実施形態によ
る発光デバイスの断面図であり、この実施形態において
は、図16で説明した第13の実施形態における発光デ
バイスにおいて、光反射部材5の発光素子1を載置する
位置に凹状とした受け皿部37を設けたものである。こ
のようにすることで、第13の実施形態における効果に
加え、発光素子1から出射した光を光軸方向に効果的に
集光することができ、光軸方向の光量を増大させること
ができる。なお同様なことは、前記した図10に示した
実施形態7、図14に示した実施形態11などについて
も応用でき、図10に示した実施形態7においてはリー
ドフレーム20に、図14に示した実施形態11におい
ては金属製平板28のそれぞれに、発光素子1を載置す
る部分に受け皿部を設けることで、上記したのと同様な
効果を得ることができる。
【0048】図20は、前記図5から図7で説明した第
5の実施形態の発光デバイスを、アレイ状に配列した発
光デバイスアレイの構成を示した図であり、図20
(a)は上面図、図20(b)は図20(a)における
B−B’における断面図、図20(c)は図20(a)
におけるA−A’における断面図、図20(d)は前記
図6、または図7におけるリードフレーム2、3を構成
するリードフレームアレイで、図20(e)は図20
(d)におけるC−C’の断面図、図20(f)は光反
射部材アレイ、図20(g)はその断面図である。
【0049】この実施形態においては、まず図20
(d)に示したリードフレームアレイのそれぞれのリー
ドフレーム40に、図6、図7で説明したリードフレー
ムを保持する絶縁材120を形成する。そしてこの絶縁
材120のそれぞれに基台121(図6、図7)をはめ
込んで発光素子1をダイボンディングし、その後各リー
ドフレームと発光素子1、および基台121を、図6、
図7のようにボンディングワイヤで結び、その上に図2
0(f)で示した光反射部材アレイを重ねて各光反射部
材を基台121に接合する。そしてモールド樹脂6で、
直接出射領域7、全反射領域8を形成しながら発光素子
1を封止することで、発光デバイスアレイができあが
る。
【0050】そして最後に図20(d)に示したリード
フレームアレイの図上上下のタイバー38、39を切り
離すことで、この発光デバイスアレイは電気的に図21
に示すような回路を形成することができ、少ない部品で
効率的に多くの発光素子を発光させることが可能とな
る。またそれぞれの発光デバイスは、図20(b)に示
したように図20(f)で示した光反射部材アレイと、
図20(c)に示したようにリードフレームアレイ図2
0(d)で保持されるから、強固な発光デバイスアレイ
ができる。
【0051】また、図20(d)に示したリードフレー
ムアレイの板厚を厚くすれば、さらに発光デバイスアレ
イの剛性は強固になり、このリードフレームを湾曲させ
たり折り曲げたりすることで、任意の曲面に発光デバイ
スアレイを装着させることが可能となる。またこのよう
に構成することで、前記図6、図7で説明したように、
発光素子1からの熱はまず土台12(図5、図7)に伝
わり、また光反射部材5にも伝わってアレイをつないで
いる部材からも放熱し、大きな冷却効果が得られる。ま
た、このように作成したアレイの発光デバイス1つ1つ
を切り離せば、単体の発光デバイスが容易に得られる。
【0052】図22から図25は、発光デバイスアレイ
の他の実施形態を説明するための図である。この実施形
態においては、アルミ等の熱伝導率が高い金属製部材4
1に、前記5の光反射部材の曲率に相当する曲率を持っ
た窪みで構成した反射部42を形成し、かつ図23に詳
細を示したように、この金属製部材41上に配線膜44
を上に配した絶縁膜43を配線パターン45として形成
する。そして発光素子1を反射部42の中央にダイボン
ディングし、ボンディングワイヤ4で配線膜44と発光
素子1を接続する。
【0053】一方、発光素子1からの光を集束したり全
反射するための直接出射領域7、全反射領域8をモール
ド樹脂6で形成するため、図24に示したように、図2
2における金属製部材41上の反射部42の配列ピッチ
と同じピッチで成形型46を有する樹脂型47を用意
し、これを図25のように金属製部材41上に載置して
モールド樹脂6を注入し、発光素子1を封止すると共に
直接出射領域7、全反射領域8をそれぞれの発光素子1
に対応させて形成する。
【0054】このようにすることで、図18に示した円
柱状の金属製部材35を用いた第15の実施形態で説明
したのと同様、発光素子1からの熱は体積の大きい金属
製部材41に拡散し、効率よく放熱することが可能とな
る。また、この実施形態によれば、少ない部品で効率的
に多くの発光素子を発光することが可能となる。
【0055】図26は、図20に示したような発光デバ
イスをアレイ状に配列した他の実施形態である。この図
26の実施形態においては、図5、及び図7に示した第
5の実施形態の構成を用いて発光デバイスをアレイ状に
配列したもので、放熱板13を扇形の形状とし、その上
に図5、図7に示したような発光デバイス48を順次並
べ、図27に示す電気回路となるようにしたものであ
る。このように構成することで、この扇形のモジュール
をいくつか組み合わせ、図28のように円形に発光する
光源を得ることができる。
【0056】また、放熱板13として薄いものを使い、
図29(a)に示したようにこの放熱板を湾曲させて図
29(b)のように組み合わせ、縁部より中央部を高く
なるよう各扇形アレイを湾曲させて外観が図29(c)
のようにすることでモジュール全体の指向角が広い光源
を得ることができ、視認性が向上する。なお、この図2
6から図29の実施形態においては、一つの扇形モジュ
ールに15の発光デバイスを5段に配列した例を示し、
また図28、図29においては扇形モジュール6つで円
形を構成するように示したが、この数はこれらに限定さ
れるものではなく、どのような数で構成しても良いこと
は明らかである。
【0057】
【発明の効果】以上記載の如く本発明によれば、発光素
子と光反射部材を樹脂で覆い、発光素子から出た光のう
ち、前方の所定領域を外れる光を樹脂界面でほぼ全反射
させた後に前記光反射部材で前方に出射させて光の出射
効率を増大させると共に、光反射部材を発光素子に熱的
接触させて前記したように光反射部材を放熱板とするこ
とにより、放熱性能を高め、印加できる最大定格電流を
大きくして明るく発光させることができると共に、発光
素子の過熱による特性劣化、あるいは断線事故を防止
し、発光素子の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態による発光デバイス
を示す断面図である。
【図2】 本発明の第2の実施形態による発光デバイス
を示す断面図である。
【図3】 本発明の第3の実施形態による発光デバイス
を示す断面図である。
【図4】 本発明の第4の実施形態による発光デバイス
を示す上面図と断面図である。
【図5】 よる発光デバイスを示す断面図である。
【図6】 本発明の第5の実施形態における土台の構造
の一例を説明するための図である。
【図7】 本発明の第5の実施形態における他の一例を
説明するための図である。
【図8】 本発明の第6の実施形態による発光デバイス
を示す斜視図である。
【図9】 第6の実施形態に用いる放熱板の一具体例で
ある。
【図10】 本発明の第7の実施形態を示す断面図と上
面図である。
【図11】 本発明の第8の実施形態による発光デバイ
スの断面図である。
【図12】 本発明の第9の実施形態による発光デバイ
スの断面図である。
【図13】 本発明の第10の実施形態による発光デバ
イスの断面図である。
【図14】 本発明の第11の実施形態による発光デバ
イスの断面図である。
【図15】 本発明の第12の実施形態による発光デバ
イスの構成を説明する図である。
【図16】 本発明の第13の実施形態による発光デバ
イスの断面図である。
【図17】 本発明の第14の実施形態による発光デバ
イスの断面図である。
【図18】 本発明の第15の実施形態による発光デバ
イスの断面図である。
【図19】 本発明の第16の実施形態による発光デバ
イスの断面図である。
【図20】 第5の実施形態の発光デバイスをアレイ状
に配列した発光デバイスの構成を示した図である。
【図21】 発光デバイスアレイの回路を説明するため
の図である。
【図22】 発光デバイスアレイの他の実施形態を説明
するための図である。
【図23】 発光デバイスアレイの配線パターンを説明
するための図である。
【図24】 発光デバイスアレイのレンズ部形成用型の
説明図である。
【図25】 発光デバイスアレイのモールド樹脂形成を
説明する図である。
【図26】 発光デバイスをアレイ状に配列した他の実
施形態である。
【図27】 発光デバイスの回路図を示したものであ
る。
【図28】 扇形発光デバイスアレイを円形に配置した
アレイの説明図である。
【図29】 扇形発光デバイスアレイを円形に配置した
アレイの他の実施形態である。
【図30】 従来の砲弾型発光デバイスの一例である。
【符号の説明】
1 発光素子 2 リードフレーム 3 他方のリードフレーム 4 ボンディングワイヤ 5 光反射部材 6 モールド樹脂 7 直接出射領域 8 全反射領域 9 接合部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清本 浩伸 京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町 801番地 オムロン株式会社内 (72)発明者 安田 成留 京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町 801番地 オムロン株式会社内 Fターム(参考) 5F041 AA03 AA33 AA43 CB15 DA07 DA18 DA26 DA57 EE23

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子と、光反射部材と、該光反射部
    材と発光素子を覆って発光素子を封止した樹脂とからな
    り、前記発光素子から出射した光のうち前方の所定領域
    を外れる光を樹脂界面でほぼ全反射させた後に前記光反
    射部材で前方に出射させるよう構成した発光デバイスに
    おいて、 前記発光素子と光反射部材とが熱的接触して発光素子の
    熱を放熱するようにしたことを特徴とする発光デバイ
    ス。
  2. 【請求項2】 前記発光素子を該発光素子と電気的に接
    続する一方のリードフレームに載置し、該リードフレー
    ムを光反射部材と熱的接触するようにして発光素子の熱
    をリードフレームから光反射部材に伝えて放熱するよう
    にしたことを特徴とする請求項1に記載した発光デバイ
    ス。
  3. 【請求項3】 前記光反射部材の非反射面を、直接、若
    しくは薄い樹脂層を介して空気層に露出し、放熱させる
    ようにしたことを特徴とする請求項1に記載した発光デ
    バイス。
  4. 【請求項4】 前記光反射部材の外縁が、樹脂表面の一
    部、または全部を覆っていることを特徴とする請求項1
    に記載した発光デバイス。
  5. 【請求項5】 発光素子と、光反射部材と、該光反射部
    材と発光素子を覆って発光素子を封止した樹脂とからな
    り、前記発光素子から出射した光のうち前方の所定領域
    を外れる光を樹脂界面でほぼ全反射させた後に前記光反
    射部材で前方に出射させるよう構成した発光デバイスに
    おいて、 前記発光素子を良熱伝導性の立面体に載置し、該立面体
    と光反射部材を熱的接触させて発光素子の熱を立面体と
    光反射部材とから放熱するようにしたことを特徴とする
    発光デバイス。
  6. 【請求項6】 前記立面体は、中央に発光素子を載置す
    る皿部と、リードフレームを保持した絶縁体を収容する
    溝部と、リードフレームを延在させる溝を有しているこ
    とを特徴とする請求項5に記載した発光デバイス。
  7. 【請求項7】 発光素子と、光反射部材と、該光反射部
    材と発光素子を覆って発光素子を封止した樹脂とからな
    り、前記発光素子から出射した光のうち前方の所定領域
    を外れる光を樹脂界面でほぼ全反射させた後に前記光反
    射部材で前方に出射させるよう構成した発光デバイスに
    おいて、 前記光反射部材と、発光素子を載置するリードフレーム
    とを一体部材で構成し、リードフレームに載置した発光
    素子の熱を光反射部材に伝えて放熱するようにしたこと
    を特徴とする発光デバイス。
  8. 【請求項8】 金属板上に実装した表面実装タイプ発光
    素子と、光反射部材と該光反射部材を覆った樹脂を有
    し、前記発光素子から出射した光のうち前方の所定領域
    を外れる光を樹脂界面でほぼ全反射させた後に前記光反
    射部材で前方に出射させるよう構成した光学部材とから
    なり、前記光反射部材を金属板に熱的接触させて前記発
    光素子の熱を放熱するようにしたことを特徴とする発光
    デバイス。
  9. 【請求項9】 金属製部材にアレイ状に形成した光反射
    部と、該光反射部の各々の中央近辺に載置した発光素子
    と、該発光素子の各々に接続する前記金属製部材表面に
    絶縁膜を介して形成した配線パターンと、前記光反射部
    上の前記発光素子を覆って界面を形成し、前記発光素子
    から出射した光のうち、前方の所定領域を外れる光を前
    記界面でほぼ全反射させた後に前記光反射部で前方に出
    射させるよう構成した樹脂とからなり、発光素子の熱を
    前記金属製部材で放熱するようにしたことを特徴とする
    発光デバイスアレイ。
JP2001301991A 2000-09-29 2001-09-28 発光デバイス及び発光デバイスアレイ Pending JP2002176203A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001301991A JP2002176203A (ja) 2000-09-29 2001-09-28 発光デバイス及び発光デバイスアレイ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-300430 2000-09-29
JP2000300430 2000-09-29
JP2001301991A JP2002176203A (ja) 2000-09-29 2001-09-28 発光デバイス及び発光デバイスアレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002176203A true JP2002176203A (ja) 2002-06-21

Family

ID=26601229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001301991A Pending JP2002176203A (ja) 2000-09-29 2001-09-28 発光デバイス及び発光デバイスアレイ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002176203A (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004034529A1 (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光素子
JP2004179048A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Toshiba Lighting & Technology Corp Led照明ユニット及びled照明器具
JP2005209930A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Seiko Epson Corp 光源装置及びプロジェクタ
WO2006022516A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Sailux, Inc. Light emitting device, light emitting device package structure, and method of manufacturing the light emitting device package structure
WO2006030671A1 (ja) * 2004-09-16 2006-03-23 Hitachi Aic Inc. Led用反射板およびled装置
KR100579397B1 (ko) 2004-12-16 2006-05-12 서울반도체 주식회사 리드프레임과 직접 연결된 히트싱크를 채택하는 발광다이오드 패키지
JP2006308775A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 光源装置及びカメラ
JP2007027535A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置
JP2007114459A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Mitsubishi Electric Corp 光源装置及び光源装置を用いた映像表示装置
US7282740B2 (en) 2003-12-17 2007-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
JP2008258530A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
JP2011044741A (ja) * 2004-02-03 2011-03-03 Panasonic Corp 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子
JP2011066419A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Maintek Computer (Suzhou) Co Ltd 発光ダイオード
JP2012182024A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Mitsubishi Electric Corp 照明器具
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
CN103208574A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 重庆四联光电科技有限公司 Led封装结构
JP2017045986A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 ▲みん▼辰科技有限公司 放熱フレーム構造及びそれの製造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004034529A1 (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光素子
US7531844B2 (en) 2002-09-30 2009-05-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Light emitting element
JP2004179048A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Toshiba Lighting & Technology Corp Led照明ユニット及びled照明器具
US7282740B2 (en) 2003-12-17 2007-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
JP2005209930A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Seiko Epson Corp 光源装置及びプロジェクタ
JP2011044741A (ja) * 2004-02-03 2011-03-03 Panasonic Corp 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子
WO2006022516A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Sailux, Inc. Light emitting device, light emitting device package structure, and method of manufacturing the light emitting device package structure
CN100452458C (zh) * 2004-08-25 2009-01-14 赛勒克斯有限公司 发光器件及其封装结构以及该封装结构的制造方法
WO2006030671A1 (ja) * 2004-09-16 2006-03-23 Hitachi Aic Inc. Led用反射板およびled装置
US7626211B2 (en) 2004-09-16 2009-12-01 Hitachi Aic Inc. LED reflecting plate and LED device
US7901113B2 (en) 2004-10-07 2011-03-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
KR100579397B1 (ko) 2004-12-16 2006-05-12 서울반도체 주식회사 리드프레임과 직접 연결된 히트싱크를 채택하는 발광다이오드 패키지
JP2006308775A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 光源装置及びカメラ
JP2007027535A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置
US8592851B2 (en) 2005-07-20 2013-11-26 Stanley Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device and circuit
JP2007114459A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Mitsubishi Electric Corp 光源装置及び光源装置を用いた映像表示装置
JP2008258530A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2011066419A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Maintek Computer (Suzhou) Co Ltd 発光ダイオード
US8294169B2 (en) 2009-09-15 2012-10-23 Maintek Computer (Suzhou) Co., Ltd. Light-emitting diode
JP2012182024A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Mitsubishi Electric Corp 照明器具
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
CN103208574A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 重庆四联光电科技有限公司 Led封装结构
JP2017045986A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 ▲みん▼辰科技有限公司 放熱フレーム構造及びそれの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6552368B2 (en) Light emission device
USRE46851E1 (en) High power light emitting diode package
JP2002176203A (ja) 発光デバイス及び発光デバイスアレイ
US8097937B2 (en) Leadframe and housing for radiation-emitting component, radiation-emitting component, and a method for producing the component
JP3912607B2 (ja) 半導体発光装置の製法
US8860068B2 (en) Light emitting diode package having heat dissipating slugs and wall
US8030762B2 (en) Light emitting diode package having anodized insulation layer and fabrication method therefor
US7607801B2 (en) Light emitting apparatus
JP4360858B2 (ja) 表面実装型led及びそれを用いた発光装置
US7361940B2 (en) Leadframe and packaged light emitting diode
JP5140711B2 (ja) 1つの小さい設置面積を有するledパッケージダイ
US20060292747A1 (en) Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
EP1453107A1 (en) Light-emitting diode, led light, and light apparatus
JP2003152225A (ja) 発光装置
JP2005117041A (ja) 高出力発光ダイオードデバイス
JP2001185763A (ja) 光半導体パッケージ
JP2006313896A (ja) 発光素子パッケージ
JP2004207367A (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
JP2003303936A (ja) リードフレームとその製造方法ならびにそれを用いたチップ型led
JP2006344717A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2008103401A (ja) 上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2003115615A (ja) 発光ダイオード装置
JP2000277812A (ja) ライン光源装置およびその製造方法
JP2007081430A (ja) 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
WO2011123984A1 (zh) 多层式阵列型发光二极管装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040727

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061222

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080516