JP2002176094A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2002176094A JP2002176094A JP2000371213A JP2000371213A JP2002176094A JP 2002176094 A JP2002176094 A JP 2002176094A JP 2000371213 A JP2000371213 A JP 2000371213A JP 2000371213 A JP2000371213 A JP 2000371213A JP 2002176094 A JP2002176094 A JP 2002176094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- disk
- wafer
- semiconductor
- finger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディスクに固定された半導体ウエハに対し、
ディスクを回転させながら不純物注入を行う半導体製造
装置において、ディスクの回転による遠心力によって半
導体ウエハがフィンガ等に衝突する場合であっても、そ
の衝突によるフィンガ等の変形を最小限に抑え、不純物
の注入中にディスクから半導体ウエハが外れてしまうこ
とを防止する。 【解決手段】 切り込み部を有しない略長方形の板を円
弧状に湾曲させることによって構成されるフェンス22
a及びフィンガ22bによって、半導体ウエハ30を外
周側面方向から保持することにより、半導体ウエハ30
をディスク22に固定し、ディスク22を回転させなが
ら、半導体ウエハ30へのイオン注入を行う。
ディスクを回転させながら不純物注入を行う半導体製造
装置において、ディスクの回転による遠心力によって半
導体ウエハがフィンガ等に衝突する場合であっても、そ
の衝突によるフィンガ等の変形を最小限に抑え、不純物
の注入中にディスクから半導体ウエハが外れてしまうこ
とを防止する。 【解決手段】 切り込み部を有しない略長方形の板を円
弧状に湾曲させることによって構成されるフェンス22
a及びフィンガ22bによって、半導体ウエハ30を外
周側面方向から保持することにより、半導体ウエハ30
をディスク22に固定し、ディスク22を回転させなが
ら、半導体ウエハ30へのイオン注入を行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハにイ
オン化した不純物を注入する半導体製造装置に関し、特
に、半導体ウエハを回転させながらイオン化した不純物
の注入を行う半導体製造装置に関する。
オン化した不純物を注入する半導体製造装置に関し、特
に、半導体ウエハを回転させながらイオン化した不純物
の注入を行う半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハにイオン化した不純物を注
入する方法の1つとして、チャンバー内に設置されたデ
ィスクに複数枚の半導体ウエハを固定し、そのディスク
の回転によって、そのディスクに固定された半導体ウエ
ハを回転させ、その回転状態の半導体ウエハに対し、イ
オン化した不純物のビームを走査させる方法がある。こ
の方法では、各半導体ウエハのイオン注入面に対し、均
等に不純物を注入することが可能となるため、特性が安
定した高い品質の半導体装置を製造することが可能とな
る。
入する方法の1つとして、チャンバー内に設置されたデ
ィスクに複数枚の半導体ウエハを固定し、そのディスク
の回転によって、そのディスクに固定された半導体ウエ
ハを回転させ、その回転状態の半導体ウエハに対し、イ
オン化した不純物のビームを走査させる方法がある。こ
の方法では、各半導体ウエハのイオン注入面に対し、均
等に不純物を注入することが可能となるため、特性が安
定した高い品質の半導体装置を製造することが可能とな
る。
【0003】図9は、このように半導体ウエハに不純物
を注入する際、その半導体ウエハをディスクに固定する
様子を示した断面図である。ディスク110の上面に
は、半導体ウエハ100を配置するウエハペデスタル1
11が設けられ、さらに、ウエハペデスタル111の上
面に配置された半導体ウエハ100を側面から保持する
フェンス112及びフィンガ113が設けられる。ウエ
ハペデスタル111上に配置された半導体ウエハ100
は、その外周側面をフェンス112及びフィンガ113
によって挟み込まれ、固定される。
を注入する際、その半導体ウエハをディスクに固定する
様子を示した断面図である。ディスク110の上面に
は、半導体ウエハ100を配置するウエハペデスタル1
11が設けられ、さらに、ウエハペデスタル111の上
面に配置された半導体ウエハ100を側面から保持する
フェンス112及びフィンガ113が設けられる。ウエ
ハペデスタル111上に配置された半導体ウエハ100
は、その外周側面をフェンス112及びフィンガ113
によって挟み込まれ、固定される。
【0004】図10は、このように半導体ウエハ100
を固定するフィンガ113の外観構成を示した斜視図で
ある。図10に示すように、フィンガ113は、複数の
切り込み部113a〜113cを有する板を、半導体ウ
エハ100の外周形状に沿うように湾曲させた形状を有
しており、この湾曲部の内側面によって半導体ウエハ1
00を外周側面から保持する。なお、フェンス112
も、フィンガ113と同様、複数の切り込み部を有する
板を、半導体ウエハ100の外周形状に沿うように湾曲
させた形状を有しており、この湾曲部の内側面によって
半導体ウエハ100を外周側面から保持する。
を固定するフィンガ113の外観構成を示した斜視図で
ある。図10に示すように、フィンガ113は、複数の
切り込み部113a〜113cを有する板を、半導体ウ
エハ100の外周形状に沿うように湾曲させた形状を有
しており、この湾曲部の内側面によって半導体ウエハ1
00を外周側面から保持する。なお、フェンス112
も、フィンガ113と同様、複数の切り込み部を有する
板を、半導体ウエハ100の外周形状に沿うように湾曲
させた形状を有しており、この湾曲部の内側面によって
半導体ウエハ100を外周側面から保持する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フェンス11
2及びフィンガ113による半導体ウエハ100の固定
が十分でないままディスク110を回転させた場合、そ
の遠心力によって半導体ウエハ100がウエハペデスタ
ル111上を移動してフェンス112及びフィンガ11
3に衝突し、その衝撃によってフィンガ113等が変形
してしまうという問題点がある。このようなフィンガ1
13等の変形が進むと、半導体ウエハ100をディスク
110に十分固定できなくなり、ディスク110の回転
中に、ディスク110から半導体ウエハ100が外れ、
外れた半導体ウエハ100がチャンバー内で粉々になっ
てしまう。チャンバー内で粉々になった半導体ウエハ1
00の破片は、そのチャンバー内に配置された他の半導
体ウエハに付着することとなり、これにより、破片が付
着した他の半導体ウエハへの注入ドーズ量が変化し、そ
の半導体ウエハの生産プロセスに悪影響を及ぼしてしま
う。また、破片の他の半導体ウエハへのヒットにより、
その半導体ウエハのカケ、割れ等の2次的不良も生じて
しまう。さらに、一旦、チャンバー内に飛散した破片を
除去し、装置を正常状態に復帰させるためには、多大な
労力を要する。
2及びフィンガ113による半導体ウエハ100の固定
が十分でないままディスク110を回転させた場合、そ
の遠心力によって半導体ウエハ100がウエハペデスタ
ル111上を移動してフェンス112及びフィンガ11
3に衝突し、その衝撃によってフィンガ113等が変形
してしまうという問題点がある。このようなフィンガ1
13等の変形が進むと、半導体ウエハ100をディスク
110に十分固定できなくなり、ディスク110の回転
中に、ディスク110から半導体ウエハ100が外れ、
外れた半導体ウエハ100がチャンバー内で粉々になっ
てしまう。チャンバー内で粉々になった半導体ウエハ1
00の破片は、そのチャンバー内に配置された他の半導
体ウエハに付着することとなり、これにより、破片が付
着した他の半導体ウエハへの注入ドーズ量が変化し、そ
の半導体ウエハの生産プロセスに悪影響を及ぼしてしま
う。また、破片の他の半導体ウエハへのヒットにより、
その半導体ウエハのカケ、割れ等の2次的不良も生じて
しまう。さらに、一旦、チャンバー内に飛散した破片を
除去し、装置を正常状態に復帰させるためには、多大な
労力を要する。
【0006】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、ディスクの回転による遠心力によって半導体
ウエハがフィンガ等に衝突する場合であっても、その衝
突によるフィンガ等の変形を最小限に抑え、不純物の注
入中にディスクから半導体ウエハが外れてしまうことを
防止することが可能な半導体製造装置を提供することを
目的とする。
のであり、ディスクの回転による遠心力によって半導体
ウエハがフィンガ等に衝突する場合であっても、その衝
突によるフィンガ等の変形を最小限に抑え、不純物の注
入中にディスクから半導体ウエハが外れてしまうことを
防止することが可能な半導体製造装置を提供することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、半導体ウエハにイオン化した不純物を注
入する半導体製造装置において、前記不純物の注入時に
前記半導体ウエハを回転させるディスクと、切り込み部
を有しない略長方形の板を円弧状に湾曲させることによ
って構成され、前記半導体ウエハを外周側面方向から保
持することにより、前記半導体ウエハを前記ディスクに
固定するウエハストッパーとを有することを特徴とする
半導体製造装置が提供される。
決するために、半導体ウエハにイオン化した不純物を注
入する半導体製造装置において、前記不純物の注入時に
前記半導体ウエハを回転させるディスクと、切り込み部
を有しない略長方形の板を円弧状に湾曲させることによ
って構成され、前記半導体ウエハを外周側面方向から保
持することにより、前記半導体ウエハを前記ディスクに
固定するウエハストッパーとを有することを特徴とする
半導体製造装置が提供される。
【0008】ここで、ディスクは、不純物を半導体ウエ
ハに注入する際、半導体ウエハを回転させ、ウエハスト
ッパーは、半導体ウエハを外周側面方向から保持するこ
とにより、半導体ウエハをディスクに固定する。
ハに注入する際、半導体ウエハを回転させ、ウエハスト
ッパーは、半導体ウエハを外周側面方向から保持するこ
とにより、半導体ウエハをディスクに固定する。
【0009】また、本発明における半導体製造装置にお
いて、好ましくは、ウエハストッパーは、1.0〜1.
5mmの厚みに構成される。また、本発明における半導
体製造装置において、好ましくは、ウエハストッパー
は、1.1〜1.3mmの厚みに構成される。
いて、好ましくは、ウエハストッパーは、1.0〜1.
5mmの厚みに構成される。また、本発明における半導
体製造装置において、好ましくは、ウエハストッパー
は、1.1〜1.3mmの厚みに構成される。
【0010】また、本発明における半導体製造装置にお
いて、好ましくは、ウエハストッパーは、ディスクの回
転面と略垂直にディスクに取り付けられ、半導体ウエハ
をディスクの回転面と略平行に固定する。
いて、好ましくは、ウエハストッパーは、ディスクの回
転面と略垂直にディスクに取り付けられ、半導体ウエハ
をディスクの回転面と略平行に固定する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図2は、本形態における半導体製
造装置1の全体構成を例示した平面図である。
を参照して説明する。図2は、本形態における半導体製
造装置1の全体構成を例示した平面図である。
【0012】半導体製造装置1は、半導体ウエハ30へ
のイオン注入を行う超高エネルギーインプラ装置であ
り、主に、プロセスチャンバ20に半導体ウエハ30を
配置するウエハハンドラー10、及び半導体ウエハ30
のイオン注入が行われるプロセスチャンバ20によって
構成されている。
のイオン注入を行う超高エネルギーインプラ装置であ
り、主に、プロセスチャンバ20に半導体ウエハ30を
配置するウエハハンドラー10、及び半導体ウエハ30
のイオン注入が行われるプロセスチャンバ20によって
構成されている。
【0013】ウエハハンドラー10は、主に、イオン注
入対象となる複数の半導体ウエハ30が装填されたウエ
ハカセット11a〜13aをセットするロードロック1
1〜13、及びロードロック11〜13から取り出した
半導体ウエハ30をプロセスチャンバ20内まで適切に
移動させるオリエントペデスタル15a、15b、ロボ
ットアーム15cを収納するトランスファチャンバ15
によって構成され、ロードロック11〜13とトランス
ファチャンバ15とはロードロック仕切用バルブ11b
〜13bによって、トランスファチャンバ15とプロセ
スチャンバ20とはプロセスチャンバ仕切用バルブ21
によってそれぞれ仕切られている。
入対象となる複数の半導体ウエハ30が装填されたウエ
ハカセット11a〜13aをセットするロードロック1
1〜13、及びロードロック11〜13から取り出した
半導体ウエハ30をプロセスチャンバ20内まで適切に
移動させるオリエントペデスタル15a、15b、ロボ
ットアーム15cを収納するトランスファチャンバ15
によって構成され、ロードロック11〜13とトランス
ファチャンバ15とはロードロック仕切用バルブ11b
〜13bによって、トランスファチャンバ15とプロセ
スチャンバ20とはプロセスチャンバ仕切用バルブ21
によってそれぞれ仕切られている。
【0014】図3は、ロードロック11の構成を示した
正面図である。ロードロック11は、主に、ウエハカセ
ット11aが取り付けられ、半導体ウエハ30供給時に
ウエハカセット11aを上下させるエレベータ11c、
ロードロック11内を大気状態にする際にロードロック
11内に注入する窒素ガスの気流を分散させるベントバ
ックル11d、及びロードロック11内を外気から遮断
するドア11eによって構成されている。なお、ここで
は説明を省略するが、ロードロック12、13について
も、ロードロック11と同様な構成となる。
正面図である。ロードロック11は、主に、ウエハカセ
ット11aが取り付けられ、半導体ウエハ30供給時に
ウエハカセット11aを上下させるエレベータ11c、
ロードロック11内を大気状態にする際にロードロック
11内に注入する窒素ガスの気流を分散させるベントバ
ックル11d、及びロードロック11内を外気から遮断
するドア11eによって構成されている。なお、ここで
は説明を省略するが、ロードロック12、13について
も、ロードロック11と同様な構成となる。
【0015】図4は、トランスファチャンバ15の構成
を示した平面図である。上述のように、トランスファチ
ャンバ15は、主に、半導体ウエハ30の運搬を行うロ
ボットアーム15c、及び半導体ウエハ30を適切な向
きに配置するオリエントペデスタル15a、15bによ
って構成され、ロボットアーム15c及びオリエントペ
デスタル15a、15bは、図示していない制御装置の
指示に従い、ロードロック11〜13内に供給された半
導体ウエハ30を適切な配置でプロセスチャンバ20内
に供給する。
を示した平面図である。上述のように、トランスファチ
ャンバ15は、主に、半導体ウエハ30の運搬を行うロ
ボットアーム15c、及び半導体ウエハ30を適切な向
きに配置するオリエントペデスタル15a、15bによ
って構成され、ロボットアーム15c及びオリエントペ
デスタル15a、15bは、図示していない制御装置の
指示に従い、ロードロック11〜13内に供給された半
導体ウエハ30を適切な配置でプロセスチャンバ20内
に供給する。
【0016】図5及び図6は、オリエントペデスタル1
5aの詳細構成を示した断面図である。オリエントペデ
スタル15aは、主に、ロボットアーム15cによって
搬送された半導体ウエハ30の向きを検出するオリエン
トセンストランスミッタ15ab、オリエントセンスデ
ィテクタ15ac、及び半導体ウエハ30を適切な向き
に回転させるオリエントペデスタル15aaによって構
成されている。なお、ここでは説明を省略するが、オリ
エントペデスタル15bについても、オリエントペデス
タル15aと同様な構成となる。
5aの詳細構成を示した断面図である。オリエントペデ
スタル15aは、主に、ロボットアーム15cによって
搬送された半導体ウエハ30の向きを検出するオリエン
トセンストランスミッタ15ab、オリエントセンスデ
ィテクタ15ac、及び半導体ウエハ30を適切な向き
に回転させるオリエントペデスタル15aaによって構
成されている。なお、ここでは説明を省略するが、オリ
エントペデスタル15bについても、オリエントペデス
タル15aと同様な構成となる。
【0017】図1及び図7は、プロセスチャンバ20内
の詳細構成を示した図である。図7に示すように、プロ
セスチャンバ20内には、イオン注入される半導体ウエ
ハ30が複数取り付けられる円盤上のディスク22、半
導体ウエハ30へのイオン注入時にディスク22を回転
させるスキャンドライブバケット25、及びイオン注入
時におけるディスク22の位置を移動させるスキッドシ
ャフト24が設けられる。
の詳細構成を示した図である。図7に示すように、プロ
セスチャンバ20内には、イオン注入される半導体ウエ
ハ30が複数取り付けられる円盤上のディスク22、半
導体ウエハ30へのイオン注入時にディスク22を回転
させるスキャンドライブバケット25、及びイオン注入
時におけるディスク22の位置を移動させるスキッドシ
ャフト24が設けられる。
【0018】図1の(a)は、図7におけるI部の拡大
断面図であり、図1の(b)は、フィンガ22bの拡大
斜視図である。図1に示すように、半導体製造装置1
は、不純物の注入時に半導体ウエハを回転させるディス
ク22、半導体ウエハ30が配置されるウエハペデスタ
ル22c、切り込み部を有しない略長方形の板を円弧状
に湾曲させることによって構成され、半導体ウエハ30
を外周側面方向から保持することにより、半導体ウエハ
30をディスク22に固定するウエハストッパーである
フェンス22a、フィンガ22b、及びウエハペデスタ
ル22c上に半導体ウエハ30が搬送されたことを検出
するウエハセンサ23b、フィンガ22bをA方向(半
導体ウエハ30の外周側面方向)に移動させるフィンガ
アクチュエータ23c、ロボットアーム15cによって
搬送された半導体ウエハ30を一旦持ち上げ、持ち上げ
た半導体ウエハ30をウエアペデスタル22c上に配置
するウエハリフタピン23aによって構成されるウエハ
リフタアセンブリ23を有している。ここで、フェンス
22a及びフィンガ22bは、ディスク22の回転面と
略垂直に、ディスク22に取り付けられ、半導体ウエハ
30をディスク22の回転面と略平行に固定する。
断面図であり、図1の(b)は、フィンガ22bの拡大
斜視図である。図1に示すように、半導体製造装置1
は、不純物の注入時に半導体ウエハを回転させるディス
ク22、半導体ウエハ30が配置されるウエハペデスタ
ル22c、切り込み部を有しない略長方形の板を円弧状
に湾曲させることによって構成され、半導体ウエハ30
を外周側面方向から保持することにより、半導体ウエハ
30をディスク22に固定するウエハストッパーである
フェンス22a、フィンガ22b、及びウエハペデスタ
ル22c上に半導体ウエハ30が搬送されたことを検出
するウエハセンサ23b、フィンガ22bをA方向(半
導体ウエハ30の外周側面方向)に移動させるフィンガ
アクチュエータ23c、ロボットアーム15cによって
搬送された半導体ウエハ30を一旦持ち上げ、持ち上げ
た半導体ウエハ30をウエアペデスタル22c上に配置
するウエハリフタピン23aによって構成されるウエハ
リフタアセンブリ23を有している。ここで、フェンス
22a及びフィンガ22bは、ディスク22の回転面と
略垂直に、ディスク22に取り付けられ、半導体ウエハ
30をディスク22の回転面と略平行に固定する。
【0019】図1の(b)は、フィンガ22bの外観を
示した斜視図である。図1の(b)に示すように、フィ
ンガ22bは、切り込み部を有しない一定の厚みを有す
る略長方形の板を円弧状に湾曲させることによって構成
され、その両脇にフィンガ22bを取り付けるための取
り付け穴22ba、22bbを有している。
示した斜視図である。図1の(b)に示すように、フィ
ンガ22bは、切り込み部を有しない一定の厚みを有す
る略長方形の板を円弧状に湾曲させることによって構成
され、その両脇にフィンガ22bを取り付けるための取
り付け穴22ba、22bbを有している。
【0020】フィンガ22bの材質としては、半導体ウ
エハ30を十分強固に固定できるだけの機械的強度を有
し、材料成分の半導体ウエハ30への混入問題が少な
く、低コストな材料であれば、アルミニュウム等、特に
制限なく使用することができる。
エハ30を十分強固に固定できるだけの機械的強度を有
し、材料成分の半導体ウエハ30への混入問題が少な
く、低コストな材料であれば、アルミニュウム等、特に
制限なく使用することができる。
【0021】また、フィンガ22bの機械的強度向上の
ため、フィンガ22bの厚みは、従来構成のものに比
べ、厚めに構成することが望ましいが、フィンガ22b
の厚みが厚くなりすぎると、半導体ウエハ30へのイオ
ン注入時に、イオンビームがフィンガ22bにヒットす
る確立が高くなり、このイオンビームのヒットに起因す
るフィンガ22b材料の半導体ウエハ30へ混入問題が
発生する確率が高くなる。そのため、フィンガ22bの
厚みは、1.0〜1.5mm程度に構成されることが望
ましく、また1.1〜1.3mmに構成されることがよ
り望ましい。
ため、フィンガ22bの厚みは、従来構成のものに比
べ、厚めに構成することが望ましいが、フィンガ22b
の厚みが厚くなりすぎると、半導体ウエハ30へのイオ
ン注入時に、イオンビームがフィンガ22bにヒットす
る確立が高くなり、このイオンビームのヒットに起因す
るフィンガ22b材料の半導体ウエハ30へ混入問題が
発生する確率が高くなる。そのため、フィンガ22bの
厚みは、1.0〜1.5mm程度に構成されることが望
ましく、また1.1〜1.3mmに構成されることがよ
り望ましい。
【0022】なお、ここでは説明省略するが、フェンス
22aについてもフィンガ22bと同様な構成とする。
このようにフェンス22a及びフィンガ22bに切り込
み部を設けず、フィンガ22bの肉厚を厚く構成するこ
とにより、フェンス22a及びフィンガ22bの機械的
強度を向上させることが可能となる。
22aについてもフィンガ22bと同様な構成とする。
このようにフェンス22a及びフィンガ22bに切り込
み部を設けず、フィンガ22bの肉厚を厚く構成するこ
とにより、フェンス22a及びフィンガ22bの機械的
強度を向上させることが可能となる。
【0023】次に、図1〜図7を用い、半導体製造装置
1の一連の動作について説明する。まず、作業者によっ
て、半導体ウエハ30が装填されたウエハカセット11
aが、ロードロック11内のエレベータ11c上に取り
付けられる。この際、ドア11eは開かれた状態に、ロ
ードロック仕切用バルブ11bは閉じられた状態になっ
ており、これにより、トランスファチャンバ15内は真
空状態に、ロードロック11は大気状態に保たれてい
る。
1の一連の動作について説明する。まず、作業者によっ
て、半導体ウエハ30が装填されたウエハカセット11
aが、ロードロック11内のエレベータ11c上に取り
付けられる。この際、ドア11eは開かれた状態に、ロ
ードロック仕切用バルブ11bは閉じられた状態になっ
ており、これにより、トランスファチャンバ15内は真
空状態に、ロードロック11は大気状態に保たれてい
る。
【0024】ウエハカセット11aがエレベータ11c
上に取り付けられると、ドア11eがC方向にスライド
することによって閉じられ、その後、ロードロック11
内の真空度をトランスファチャンバ15内と同程度まで
上げてゆく。ロードロック11内の真空度がトランスフ
ァチャンバ15内の真空度と同程度にまで達すると、次
に、ロードロック仕切用バルブ11bが開かれ、ロボッ
トアーム15cによるウエハカセット11aからの半導
体ウエハ30の搬出が行われる。この半導体ウエハ30
の搬出は、エレベータ11cを、ウエハカセット11a
から取り出す半導体ウエハ30がロードロック仕切用バ
ルブ11bの位置に達するまで上昇させ、ロードロック
仕切用バルブ11bの位置にまで達した半導体ウエハ3
0をロボットアーム15cによって取り出すことによっ
て行われ、このように取り出された半導体ウエハ30
は、その向きを適切な方向に配置するため、オリエント
ペデスタル15a上に搬送される。
上に取り付けられると、ドア11eがC方向にスライド
することによって閉じられ、その後、ロードロック11
内の真空度をトランスファチャンバ15内と同程度まで
上げてゆく。ロードロック11内の真空度がトランスフ
ァチャンバ15内の真空度と同程度にまで達すると、次
に、ロードロック仕切用バルブ11bが開かれ、ロボッ
トアーム15cによるウエハカセット11aからの半導
体ウエハ30の搬出が行われる。この半導体ウエハ30
の搬出は、エレベータ11cを、ウエハカセット11a
から取り出す半導体ウエハ30がロードロック仕切用バ
ルブ11bの位置に達するまで上昇させ、ロードロック
仕切用バルブ11bの位置にまで達した半導体ウエハ3
0をロボットアーム15cによって取り出すことによっ
て行われ、このように取り出された半導体ウエハ30
は、その向きを適切な方向に配置するため、オリエント
ペデスタル15a上に搬送される。
【0025】ロボットアーム15cによって半導体ウエ
ハ30がオリエントペデスタル15a上に搬送される
と、オリエントペデスタル15aaは、図5に示すよう
にD方向に上昇し、ロボットアーム15cによって搬送
された半導体ウエハ30を図6に示すように持ち上げ
る。
ハ30がオリエントペデスタル15a上に搬送される
と、オリエントペデスタル15aaは、図5に示すよう
にD方向に上昇し、ロボットアーム15cによって搬送
された半導体ウエハ30を図6に示すように持ち上げ
る。
【0026】オリエントペデスタル15aaによって持
ち上げられた半導体ウエハ30は、オリエントセンスト
ランスミッタ15abから出力されたオリエントセンス
ビーム15adをオリエントセンスディテクタ15ac
によって検出することにより、その向きが適切であるか
否かが判断される。ここで、半導体ウエハ30の向きが
適切でないと判断された場合、オリエントペデスタル1
5aaによって持ち上げられた半導体ウエハ30は、オ
リエントペデスタル15aaのE方向の回転によって適
切な向きに配置される。半導体ウエハ30の向きが適切
に配置されると、次に、オリエントペデスタル15aa
がF方向に下降し、半導体ウエハ30をロボットアーム
15c上に配置する。
ち上げられた半導体ウエハ30は、オリエントセンスト
ランスミッタ15abから出力されたオリエントセンス
ビーム15adをオリエントセンスディテクタ15ac
によって検出することにより、その向きが適切であるか
否かが判断される。ここで、半導体ウエハ30の向きが
適切でないと判断された場合、オリエントペデスタル1
5aaによって持ち上げられた半導体ウエハ30は、オ
リエントペデスタル15aaのE方向の回転によって適
切な向きに配置される。半導体ウエハ30の向きが適切
に配置されると、次に、オリエントペデスタル15aa
がF方向に下降し、半導体ウエハ30をロボットアーム
15c上に配置する。
【0027】半導体ウエハ30がロボットアーム15c
上に適切な向きで配置されると、次に、プロセスチャン
バ仕切用バルブ21が開けられ、ロボットアーム15c
上に配置された半導体ウエハ30は、プロセスチャンバ
20内のディスク22に搬送される。
上に適切な向きで配置されると、次に、プロセスチャン
バ仕切用バルブ21が開けられ、ロボットアーム15c
上に配置された半導体ウエハ30は、プロセスチャンバ
20内のディスク22に搬送される。
【0028】なお、以上の説明では、ロードロック11
にセットされたウエハカセット11aから搬出した半導
体ウエハ30を、オリエントペデスタル15aにおいて
適切な向きに配置し、プロセスチャンバ20内に搬送す
る流れを示したが、ロードロック12、13にセットさ
れたウエハカセット12a、13aから半導体ウエハ3
0を搬出することとしてもよく、また、搬出した半導体
ウエハ30をオリエントペデスタル15bにおいて適切
な向きに配置することとしてもよい。
にセットされたウエハカセット11aから搬出した半導
体ウエハ30を、オリエントペデスタル15aにおいて
適切な向きに配置し、プロセスチャンバ20内に搬送す
る流れを示したが、ロードロック12、13にセットさ
れたウエハカセット12a、13aから半導体ウエハ3
0を搬出することとしてもよく、また、搬出した半導体
ウエハ30をオリエントペデスタル15bにおいて適切
な向きに配置することとしてもよい。
【0029】図8は、ディスク22に半導体ウエハ30
が搬送される様子を示した断面図である。ロボットアー
ム15cによってウエハペデスタル22cの上部まで搬
送された半導体ウエハ30は、ウエハセンサ23bによ
って検出される。ウエハセンサ23bによって半導体ウ
エハ30がウエハペデスタル22c上に配置されたこと
が検出されると、ウエハリフタアセンブリ23はG方向
に上昇し、ウエハリフタピン23aによってロボットア
ーム15c上に配置された半導体ウエハ30を持ち上げ
る。半導体ウエハ30が持ち上げられると、次に、ロボ
ットアーム15cがウエハペデスタル22c上から移動
し、その後、ウエハリフタアセンブリ23をG方向に下
降させることにより、ウエハリフタピン23aによって
持ち上げられていた半導体ウエハ30をウエハペデスタ
ル22c上に配置する。
が搬送される様子を示した断面図である。ロボットアー
ム15cによってウエハペデスタル22cの上部まで搬
送された半導体ウエハ30は、ウエハセンサ23bによ
って検出される。ウエハセンサ23bによって半導体ウ
エハ30がウエハペデスタル22c上に配置されたこと
が検出されると、ウエハリフタアセンブリ23はG方向
に上昇し、ウエハリフタピン23aによってロボットア
ーム15c上に配置された半導体ウエハ30を持ち上げ
る。半導体ウエハ30が持ち上げられると、次に、ロボ
ットアーム15cがウエハペデスタル22c上から移動
し、その後、ウエハリフタアセンブリ23をG方向に下
降させることにより、ウエハリフタピン23aによって
持ち上げられていた半導体ウエハ30をウエハペデスタ
ル22c上に配置する。
【0030】半導体ウエハ30がウエハペデスタル22
c上に配置されると、フィンガアクチュエータ23cの
駆動により、フィンガ22bをA方向に移動させ、ウエ
ハペデスタル22c上に配置された半導体ウエハ30
を、フェンス22aとフィンガ22bとによって外周側
面方向から挟み込んで固定する。
c上に配置されると、フィンガアクチュエータ23cの
駆動により、フィンガ22bをA方向に移動させ、ウエ
ハペデスタル22c上に配置された半導体ウエハ30
を、フェンス22aとフィンガ22bとによって外周側
面方向から挟み込んで固定する。
【0031】このように、順次半導体ウエハ30をディ
スク22上に固定していき、所定数の半導体ウエハ30
がディスク22上に固定されると、次に、プロセスチャ
ンバ仕切用バルブ21が閉じられ、ディスク22上に固
定された半導体ウエハ30へのイオン注入が行われる。
スク22上に固定していき、所定数の半導体ウエハ30
がディスク22上に固定されると、次に、プロセスチャ
ンバ仕切用バルブ21が閉じられ、ディスク22上に固
定された半導体ウエハ30へのイオン注入が行われる。
【0032】図7に示すように、半導体ウエハ30への
イオン注入は、スキャンドライブバケット25をH方向
に移動させながら、半導体ウエハ30が固定されたディ
スク22を回転させ、入射イオンビーム26をディスク
22に固定された半導体ウエハ30にスキャン照射する
ことによって行われる。ここで、前述したように、本形
態におけるフェンス22a及びフィンガ22bは、切り
込み部を有さず、なおかつ、肉厚が厚く構成されてい
る。そのため、本形態におけるフェンス22a及びフィ
ンガ22bの機械的強度は、従来構成に比べ飛躍的に向
上しており、例え、フェンス22a及びフィンガ22b
による半導体ウエハ30の固定が十分でないままディス
ク22を回転させた場合であっても、その遠心力による
半導体ウエハ30の衝突によって、フェンス22a及び
フィンガ22bが変形してしまう事態を低減させること
ができ、これらの変形により、イオン注入中にディスク
22から半導体ウエハ30が外れてしまうことを防止す
ることができる。
イオン注入は、スキャンドライブバケット25をH方向
に移動させながら、半導体ウエハ30が固定されたディ
スク22を回転させ、入射イオンビーム26をディスク
22に固定された半導体ウエハ30にスキャン照射する
ことによって行われる。ここで、前述したように、本形
態におけるフェンス22a及びフィンガ22bは、切り
込み部を有さず、なおかつ、肉厚が厚く構成されてい
る。そのため、本形態におけるフェンス22a及びフィ
ンガ22bの機械的強度は、従来構成に比べ飛躍的に向
上しており、例え、フェンス22a及びフィンガ22b
による半導体ウエハ30の固定が十分でないままディス
ク22を回転させた場合であっても、その遠心力による
半導体ウエハ30の衝突によって、フェンス22a及び
フィンガ22bが変形してしまう事態を低減させること
ができ、これらの変形により、イオン注入中にディスク
22から半導体ウエハ30が外れてしまうことを防止す
ることができる。
【0033】このように、本形態では、切り込み部を有
しない略長方形の板を円弧状に湾曲させることによって
構成されるフェンス22a及びフィンガ22bによっ
て、半導体ウエハ30を外周側面方向から保持すること
により、半導体ウエハ30をディスク22に固定し、デ
ィスク22を回転させながら、半導体ウエハ30へのイ
オン注入を行うこととしたため、半導体ウエハ30の固
定が十分でなく、ディスク22の回転による遠心力によ
って半導体ウエハ30がフィンガ22b等に衝突する場
合であっても、その衝突によるフィンガ22b等の変形
を最小限に抑えることができ、不純物の注入中にディス
ク22から半導体ウエハ30が外れてしまうことを防止
することが可能となる。
しない略長方形の板を円弧状に湾曲させることによって
構成されるフェンス22a及びフィンガ22bによっ
て、半導体ウエハ30を外周側面方向から保持すること
により、半導体ウエハ30をディスク22に固定し、デ
ィスク22を回転させながら、半導体ウエハ30へのイ
オン注入を行うこととしたため、半導体ウエハ30の固
定が十分でなく、ディスク22の回転による遠心力によ
って半導体ウエハ30がフィンガ22b等に衝突する場
合であっても、その衝突によるフィンガ22b等の変形
を最小限に抑えることができ、不純物の注入中にディス
ク22から半導体ウエハ30が外れてしまうことを防止
することが可能となる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、切り込
み部を有しない略長方形の板を円弧状に湾曲させること
によって構成されるウエハストッパーにより、半導体ウ
エハをディスクに固定し、ディスクを回転させながら、
半導体ウエハへのイオン注入を行うこととしたため、半
導体ウエハの固定が十分でなく、ディスクの回転による
遠心力によって半導体ウエハがウエハストッパーに衝突
する場合であっても、その衝突によるウエハストッパー
の変形を最小限に抑えることができ、不純物の注入中に
ディスクから半導体ウエハが外れてしまうことを防止す
ることが可能となる。
み部を有しない略長方形の板を円弧状に湾曲させること
によって構成されるウエハストッパーにより、半導体ウ
エハをディスクに固定し、ディスクを回転させながら、
半導体ウエハへのイオン注入を行うこととしたため、半
導体ウエハの固定が十分でなく、ディスクの回転による
遠心力によって半導体ウエハがウエハストッパーに衝突
する場合であっても、その衝突によるウエハストッパー
の変形を最小限に抑えることができ、不純物の注入中に
ディスクから半導体ウエハが外れてしまうことを防止す
ることが可能となる。
【図1】半導体製造装置におけるプロセスチャンバ内の
詳細構成を示した図である。
詳細構成を示した図である。
【図2】半導体製造装置の全体構成を例示した平面図で
ある。
ある。
【図3】ロードロックの構成を示した正面図である。
【図4】トランスファチャンバの構成を示した平面図で
ある。
ある。
【図5】オリエントペデスタルの詳細構成を示した断面
図である。
図である。
【図6】オリエントペデスタルの詳細構成を示した断面
図である。
図である。
【図7】プロセスチャンバ内の詳細構成を示した図であ
る。
る。
【図8】ディスクに半導体ウエハが搬送される様子を示
した断面図である。
した断面図である。
【図9】半導体ウエハに不純物を注入する際、その半導
体ウエハをディスクに固定する様子を示した断面図であ
る。
体ウエハをディスクに固定する様子を示した断面図であ
る。
【図10】半導体ウエハを固定するフィンガの外観構成
を示した斜視図である。
を示した斜視図である。
1…半導体装置、22…ディスク、22a…フェンス、
22b…フィンガ、30…半導体ウエハ
22b…フィンガ、30…半導体ウエハ
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体ウエハにイオン化した不純物を注
入する半導体製造装置において、 前記不純物の注入時に前記半導体ウエハを回転させるデ
ィスクと、 切り込み部を有しない略長方形の板を円弧状に湾曲させ
ることによって構成され、前記半導体ウエハを外周側面
方向から保持することにより、前記半導体ウエハを前記
ディスクに固定するウエハストッパーと、 を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 前記ウエハストッパーは、1.0〜1.
5mmの厚みに構成されることを特徴とする請求項1記
載の半導体製造装置。 - 【請求項3】 前記ウエハストッパーは、1.1〜1.
3mmの厚みに構成されることを特徴とする請求項1記
載の半導体製造装置。 - 【請求項4】 前記ウエハストッパーは、前記ディスク
の回転面と略垂直に、前記ディスクに取り付けられ、前
記半導体ウエハを前記ディスクの回転面と略平行に固定
することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000371213A JP2002176094A (ja) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000371213A JP2002176094A (ja) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002176094A true JP2002176094A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18840974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000371213A Pending JP2002176094A (ja) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002176094A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006500752A (ja) * | 2002-09-25 | 2006-01-05 | バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド | ロードロック真空コンダクタンス制限アパチャー |
-
2000
- 2000-12-06 JP JP2000371213A patent/JP2002176094A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006500752A (ja) * | 2002-09-25 | 2006-01-05 | バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド | ロードロック真空コンダクタンス制限アパチャー |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7699574B2 (en) | Work-piece processing system | |
JP5323718B2 (ja) | 高生産性ウエハ連続処理末端装置 | |
KR100960773B1 (ko) | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 | |
KR20090097170A (ko) | 높은 처리량 웨이퍼 노치 정렬 기구 | |
JPH05174776A (ja) | 半導体処理装置のロードロック室 | |
JPS58214261A (ja) | ウエ−ハ配向装置 | |
JP2000012647A (ja) | ウエハ搬送装置及びその方法 | |
US20020018703A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus with an improved wafer cassette | |
EP0836577B1 (en) | Load arm for load lock | |
JP2002176094A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3405937B2 (ja) | クリーンボックスの蓋ラッチ機構 | |
US6746540B2 (en) | Wafer support plate assembly having recessed upper pad and vacuum processing apparatus comprising the same | |
KR102076166B1 (ko) | 정렬부가 포함된 카세트모듈 로드락 장치 | |
JP2540524B2 (ja) | ウエ−ハ支持体 | |
JP3427868B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
JPS594039A (ja) | ウエ−ハ搬送装置 | |
KR19990069526A (ko) | 웨이퍼 깨짐을 방지할 수 있는 이온주입설비 엘리베이터 어셈블리 | |
KR200189335Y1 (ko) | 급속열처리장치의 반도체 웨이퍼 안착장치 | |
JP2003023057A (ja) | 基板収容カセット開閉装置及び基板収容カセット開閉方法 | |
KR200444491Y1 (ko) | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 | |
KR100648279B1 (ko) | 웨이퍼 이송 모듈 및 상기 모듈에서 웨이퍼를 이송하는 방법 | |
KR0161625B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 로딩 및 언로딩 장치용 오리엔터 구동방법 | |
KR20030075624A (ko) | 슬라이딩 방식의 격리 밸브를 갖는 이온 주입 장치의엔드스테이션 모듈 | |
JP2918004B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH06196543A (ja) | 試料の搬送装置 |