JP2002175668A

JP2002175668A - 欠陥情報管理方法及び記録媒体処理装置

Info

Publication number: JP2002175668A
Application number: JP2000371936A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tsukada; 太司塚田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-12-06
Filing date: 2000-12-06
Publication date: 2002-06-21

Abstract

(57)【要約】【課題】欠陥を回避して記録再生を行う際に欠陥情報を
少ないデータ量として記憶する。【解決手段】欠陥管理方式を用いた光ディスク１０から
欠陥情報を読み出してＲＡＭ３６に記憶し、この記憶さ
れた情報を利用して欠陥を回避する交替処理を行う。欠
陥情報をＲＡＭ３６に記憶させる際には、コントローラ
４０によって交替処理に用いる情報のみを選択する。こ
こで、光ディスク１０に記録されている欠陥情報として
ディスク上の位置情報が用いられているときには、この
位置情報を交替処理を行うブロック単位の情報に演算処
理で変換してから記憶させる。また交替処理するブロッ
クが連続しているときには、交替処理するブロックに関
する複数の情報を、連続したブロック数の情報を有した
１つの情報に変換してから記憶させる。欠陥情報のデー
タ量を削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、欠陥情報管理方
法及び記録媒体処理装置に関する。詳しくは、欠陥管理
方式を用いた記録媒体記録媒体に記録されている欠陥情
報を読み出して、この読み出した欠陥情報を利用するこ
とにより、記録媒体に生じた欠陥を回避して記録再生を
行う場合、読み出した欠陥情報から欠陥の回避に用いる
情報のみを選択して、この選択した情報に対する演算処
理によって情報の変換を行い、データ量を削減してから
記憶することで、欠陥情報を記憶する記憶手段の容量を
削減するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ランダムアクセスが可能な記録媒
体に、映像等の大きいデータ量のコンテンツを記録する
ことができるように、記録密度の向上が図られている。
また記録密度の向上に伴い、記録媒体に要求される条件
も厳しくなっており、全ての記録領域に対して欠陥のな
い完全な記録媒体を製造することは困難であり、このよ
うな記録媒体は高価となってしまう。このため、予め欠
陥の発生を想定して、欠陥が生じても信号の記録再生を
正しく行えるように欠陥管理が行われている。

【０００３】この欠陥管理では、信号の記録再生が正し
く行われない位置を例えば物理セクタ単位で検出するも
のとして、検出された欠陥セクタを欠陥リストに登録す
ると共に、この欠陥セクタの代替えとなる領域を確保す
ることで、欠陥セクタを回避しながら信号の記録再生を
正しく行うことができる。このように、欠陥管理を行う
ことで、記録媒体での欠陥の発生を許容することが可能
となり、記録密度の向上が図られても記録媒体を安価に
提供することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
欠陥管理を採用した記録媒体を用いる信号記録再生装置
では、欠陥セクタを回避しながら信号の記録再生を正し
く行うために、記録媒体に記録されている欠陥リストの
情報を予め読み出して記憶するためのメモリが必要とな
る。しかし、信号記録再生装置を安価に構成するために
は、容量の大きなメモリを用いないようにすることが望
ましい。

【０００５】また、信号記録再生装置では、記録媒体か
ら読み出した信号あるいは記録媒体に記録する信号を一
時保持することで、信号の記録再生動作を安定して行う
ことができるようにバッファメモリが設けられている。
ここで、バッファメモリを欠陥リストの情報記憶用のメ
モリとして共用すると、欠陥リストの情報のデータ量が
大きいときにはバッファメモリの空き容量が少なくなっ
てしまい、バッファメモリを設けた効果が無くなってし
まう。

【０００６】そこで、この発明では、欠陥を回避して記
録再生を行う際に欠陥情報を少ないデータ量として記憶
できる欠陥情報管理方法及び記録媒体処理装置を提供す
るものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明に係る欠陥情報
管理方法は、欠陥管理方式を用いた記録媒体を使用して
記録再生を行うときに、記記録媒体から記録されている
欠陥情報を読み出すと共に、読み出した欠陥情報から欠
陥を回避する交替処理に用いる情報のみを選択し、選択
した情報に対する演算処理によって情報の変換を行い、
データ量を削減してから記憶するものである。

【０００８】また記録媒体処理装置は、欠陥管理方式を
用いた記録媒体に対して信号の記録再生を行う記録再生
手段と、記憶手段と、記録再生手段と記憶手段を制御す
る制御手段とを有し、制御手段では、記録再生手段を制
御して記録媒体に記録されている欠陥情報を読み出すと
共に、読み出した欠陥情報から欠陥を回避する交替処理
に用いる情報のみを選択し、該選択した情報に対する演
算処理によって情報の変換を行い、データ量を削減して
記憶手段に記憶させるものである。

【０００９】この発明においては、欠陥管理方式を用い
た例えば光ディスクを使用して記録再生を行うときに、
光ディスクに記録されている欠陥情報を読み出して、こ
の読み出した欠陥情報から欠陥を回避する交替処理に用
いる情報のみが選択されてメモリに記憶され、このメモ
リに記憶した情報に基づいて交替処理が行われる。ここ
で、交替処理に用いる情報のみを選択してメモリに記憶
する場合、光ディスクに記録されている欠陥情報として
ディスク上の位置情報が用いられているときには、この
位置情報が交替処理を行うブロック単位の情報に変換さ
れてからメモリに記憶される。また交替処理するブロッ
クが連続しているときには、交替処理するブロックに関
する情報が、連続したブロック数の情報を有した情報に
変換されてからメモリに記憶される。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図を参照しながら、この発
明の実施の一形態について説明する。図１は記録媒体、
例えばＤＶＤ(Digital Versatile Disc)規格に対応する
書き換え可能な光ディスク、いわゆるＤＶＤ＋ＲＷと呼
ばれる光ディスクであって容量が３．０ギガバイトの場
合の構成を示している。

【００１１】光ディスクには、図１Ａに示すように、内
周側から外周側に向けてリードイン領域，データ領域，
リードアウト領域が設けられている。リードイン領域に
はエンボスピット記録部分と書き換え可能部分が設けら
れており、エンボスピット記録部分では、ディスクの物
理的な仕様やコンテンツ供給者の情報等が示される。ま
た、書き換え可能部分は光ディスクや光ディスク装置で
のテストに用いられると共に、後述するように光ディス
ク上の欠陥を処理するための情報を記録する領域として
用いられる。データ領域には映像や音声あるいは種々の
情報等のデータ信号が記録される。またデータ領域の外
周側にはデータ領域の終了や光ディスク上の欠陥を処理
する情報を示すリードアウト領域が設けられており、光
ビームの照射位置が、リードイン領域からリードアウト
領域の範囲内で移動可能とされる。

【００１２】データ領域は、物理セクタ番号「0x31000
(0xは１６進数であることを示す)」から開始される領域
であり、図１Ｂに示すように、交替領域とユーザデータ
領域が交互に設けられている。交替領域は、光ディスク
上に欠陥が検出されたときに、後述するリニア交替によ
って代替えとして用いられる領域であり、ユーザデータ
領域は種々のデータ信号をユーザが記録するために用い
られる領域である。

【００１３】また、図１Ｃはリードイン領域とリードア
ウト領域に書き換え可能に記録された欠陥リストを示し
ている。この欠陥リストは、光ディスク上の欠陥を処理
するための情報であり、光ディスクに初期状態から生じ
ている欠陥だけでなく、新たに生じた欠陥も登録するこ
とができるように成されている。

【００１４】欠陥リスト「ＰＤＬ(Primary Defect Lis
t)」では、光ディスク１０を使用する前に検出された初
期欠陥に関する情報を示している。また、欠陥リスト
「ＳＤＬ(Secondary Defect List)」では、光ディスク
１０の使用後に検出された二次欠陥に関する情報を示し
ている。欠陥リスト「ＰＤＬ」は、例えばリードイン領
域内である物理セクタ番号「0x30E80」と物理セクタ番
号「0x30FC0」の位置、及びリードアウト領域内である
物理セクタ番号「0x199000」と物理セクタ番号「0x1991
40」の位置から記録される。また、欠陥リスト「ＳＤ
Ｌ」は、リードイン領域内である物理セクタ番号「0x30
E90」と物理セクタ番号「0x30FD0」の位置、及びリード
アウト領域内である物理セクタ番号「0x199010」と物理
セクタ番号「0x199150」の位置から記録される。このよ
うに、欠陥リストを二重化してリードイン領域とリード
アウト領域に記録することにより、いずれかの欠陥リス
トの情報が失われても他の欠陥リストの情報を利用して
正しく信号の記録再生を行うことができる。

【００１５】ここで、初期欠陥に対してはスリップ交替
を行うと共に、二次欠陥に対してはリニア交替を行うも
のとして以下の説明を行う。図２はスリップ交替の場合
の動作を示している。ＤＶＤ規格では光ディスクに記録
する信号の２Ｋバイトに対してＩＤ(Identification)，
ＩＥＣ(ID Error Correction code)，ＥＤＣ(Error Det
ection Code)等を付加して１データセクタが構成される
と共に、エラー訂正用の内符号が付加された１６個のデ
ータセクタに対してエラー訂正用の外符号を付加して１
ＥＣＣブロックが生成されて、ＥＣＣブロック単位で信
号の記録再生が行われる。ここで、光ディスクに欠陥が
生じていないときには図２Ａに示すようにＥＣＣブロッ
ク番号が連続したものとなる。なお、交替領域は後述す
るリニア交替で用いる領域であり、二次欠陥が生じてい
ないときには、この領域を飛ばして信号の記録再生処理
が行われる。

【００１６】次に、初期欠陥が検出されてスリップ交替
が行われた場合を図２Ｂに示す。ＤＶＤ＋ＲＷでは、１
ＥＣＣブロック単位で交替処理を行うものとして、ユー
ザデータ領域で欠陥が検出されたときには、この欠陥が
検出されたＥＣＣブロック（斜線部で示す）を飛ばして
次のＥＣＣブロックが用いられる。

【００１７】例えばＥＣＣブロック番号「３」の次のＥ
ＣＣブロック内で欠陥が検出されたときには、このＥＣ
Ｃブロックを飛ばして次のＥＣＣブロックがＥＣＣブロ
ック番号「４」の領域とされる。このため、欠陥が検出
されないときのユーザデータ領域の最後のＥＣＣブロッ
ク番号を「Ｎ」とすると、図２Ｂに示すように４個のＥ
ＣＣブロックで欠陥が検出された場合には、最後のＥＣ
Ｃブロックの位置が４ＥＣＣブロック分だけ後方に移動
されることとなる。なお、論理セクタ番号は、交替領域
が使用されていないときには、交替領域と欠陥が検出さ
れたＥＣＣブロックを飛ばして割り当てられる。

【００１８】また、上述のスリップ交替を行うために、
欠陥リストＰＤＬは図３に示す構成とされる。欠陥リス
トＰＤＬは、１ＥＣＣブロックの領域が割り当てられお
り、ＥＣＣブロック内の最初のバイト位置から２バイト
分が欠陥リストＰＤＬであることを示すＰＤＬ識別マー
ク（例えば「0x2A50」）とされる。バイト位置「２」か
ら２バイト分は初期欠陥の検出されたＥＣＣブロックを
示す情報であるＰＤＬエントリ数Ｎ_ＰＤＬを示してい
る。バイト位置「４」から４バイト分は欠陥リストＰＤ
Ｌの内容の更新回数を示している。バイト位置「８」か
ら４バイト分は、交替領域間のユーザデータ領域の大き
さを示す情報ＳＩ、例えばＥＣＣブロック数が示され
る。バイト位置「１２」から４バイト分は、交替領域の
大きさを示す情報ＳＬ、例えばＥＣＣブロック数が示さ
れる。バイト位置「１６」からは、４バイト単位で欠陥
の位置を示す情報、例えば初期欠陥が検出されたＥＣＣ
ブロックの先頭物理セクタ番号等がＰＤＬエントリとし
て示される。

【００１９】ここで、欠陥リスト「ＰＤＬ」は、１ＥＣ
Ｃブロックの領域（３２７６８バイト）が割り当てられ
ていることから、ＰＤＬエントリ数Ｎ_ＰＤＬの最大値
は「８１８８」となり、ＰＤＬエントリ［０］からＰＤ
Ｌエントリ［８１８７］までを設けることが可能とされ
ている。

【００２０】図４は、ＰＤＬエントリの構成を示してい
る。ＰＤＬエントリは４バイト、すなわち３２ビットで
構成されており、図４Ａに示すように最上位ビットｂ３
１とビットｂ３０によって初期欠陥の欠陥タイプが示さ
れる。ビットｂ２９〜ｂ２４は、Reserved領域とされて
おり、ビットｂ２３〜ｂ０によって初期欠陥の位置、例
えば欠陥が検出されたＥＣＣブロックの先頭物理セクタ
番号が示される。欠陥タイプは図４Ｂに示すように、ビ
ットｂ３１，ｂ３０が「００」であるとき、ＰＤＬエン
トリがディスク製造者によって生成されたことを示すも
のとされている。また、「０１」であるときには、ＰＤ
Ｌエントリがユーザ側の認証によって生成されたもので
あり、「１０」であるときにはＰＤＬエントリが認証以
外によってユーザ側で生成されたことが示される。さら
に、「１０」であるときにはＰＤＬエントリがディスク
製造者によって生成されたが、スリップさせる場合には
無視されるものであることが示される。

【００２１】このため、交替領域間のユーザデータ領域
の大きさを示す情報ＳＩと交替領域の大きさを示す情報
ＳＬに基づいて、データ領域からユーザデータ領域を判
別すると共に、ＰＤＬエントリのビットｂ３１，ｂ３０
が「００」「０１」「１０」のＰＤＬエントリで示され
たＥＣＣブロックを飛ばして信号記録再生を行うこと
で、正しくスリップ交替を行うことができる。

【００２２】次に、リニア交替では、図５Ａに示すよう
に、ユーザデータ領域の前に設けられた交替領域を、欠
陥が生じたＥＣＣブロックの代替用の領域として使用す
る。ここで、二次欠陥が検出された場合、例えば図５Ｂ
に示すようにＥＣＣブロック番号「３」で二次欠陥が検
出された場合には、このＥＣＣブロック番号「３」の前
に設けられている交替領域に、ＥＣＣブロック番号
「３」の代替用のＥＣＣブロックが設定される。また、
ＥＣＣブロック番号「８」「９」で二次欠陥が検出され
た場合には、このＥＣＣブロック番号「８」「９」の前
に位置する交替領域に、ＥＣＣブロック番号「８」
「９」に対する代替用のＥＣＣブロックが設定される。
なお、論理セクタ番号は、欠陥が検出されたＥＣＣブロ
ックを除いたユーザデータ領域と交替領域に設けられた
ＥＣＣブロックに対して割り当てられる。

【００２３】また、上述のリニア交替を行うために、欠
陥リストＳＤＬは図６に示す構成とされる。欠陥リスト
ＤＬは、１ＥＣＣブロックの領域が割り当てられおり、
ＥＣＣブロック内の最初のバイト位置から２バイト分が
欠陥リスト「ＳＤＬ」であることを示すＳＤＬ識別マー
ク（例えば「0x2A53」）とされる。バイト位置「２」か
ら２バイト分は二次欠陥の検出されたＥＣＣブロックを
示す情報であるＳＤＬエントリ数Ｎ_ＳＤＬを示してい
る。バイト位置「４」から４バイト分は欠陥リスト「Ｓ
ＤＬ」の内容の更新回数を示している。バイト位置
「８」からは、８バイト単位で二次欠陥の位置を示す情
報等、例えば二次欠陥が検出されたＥＣＣブロック番号
や二次欠陥のセクタ位置等が示される。

【００２４】ここで、欠陥リスト「ＳＤＬ」は、１ＥＣ
Ｃブロックの領域（３２７６８バイト）が割り当てられ
ていることから、ＳＤＬエントリ数Ｎ_ＳＤＬの最大値
は「４０９５」となり、ＳＤＬエントリ［０］からＳＤ
Ｌエントリ［４０９４］までを設けることが可能とされ
る。

【００２５】図７は、ＳＤＬエントリの構成を示してい
る。ＳＤＬエントリは８バイト、すなわち６４ビットで
構成されており、図７Ａに示すように最上位ビットｂ６
３とビットｂ６２によって二次欠陥の欠陥タイプが示さ
れる。ビットｂ６１〜ｂ５６，ビットｂ３１〜ｂ２４
は、Reserved領域とされており、ビットｂ５５〜ｂ３２
によって二次欠陥の位置、例えば欠陥が検出されたＥＣ
Ｃブロックの先頭物理セクタ番号が示される。さらに、
ビットｂ２３〜ｂ０は交替ブロック位置情報であり、代
替用の領域として用いられる交替領域のＥＣＣブロック
番号が示される。さらに欠陥タイプは図７Ｂに示すよう
に、ビットｂ６３，ｂ６２が「００」であるとき、ＳＤ
Ｌエントリは有効な置換であることを明らかにしてい
る。また、「０１」であるとき、エントリは新しいアド
レスで記録されなかったメディア上での欠陥位置である
ことを明らかにしている。「１０」であるときには、交
替ブロック位置情報の領域が使用可能であることを明ら
かにしていると共に、「１１」であるときには、交替ブ
ロック位置情報の領域が使用不可能であることを明らか
にしている。なお、ビットｂ６３，ｂ６２が「１０」
「１１」のときには、二次欠陥が検出された位置を示す
情報の領域が「０」に設定される。

【００２６】このため、ＳＤＬエントリのビットｂ６
３，ｂ６２が「００」であるときのＳＤＬエントリにお
いて、ビットｂ５５〜ｂ３２で示された二次欠陥のＥＣ
Ｃブロックに対して、ビットｂ２３〜ｂ０の交替ブロッ
ク位置情報で示された領域を代替えとして用いて信号記
録再生を行うことで、正しくリニア交替を行うことがで
きる。

【００２７】次に、このように構成された光ディスク１
０を用いて信号の記録再生を行う光ディスク装置につい
て図８を用いて説明する。光ディスク１０はスピンドル
モータ部２１によって、所定の速度で回転される。な
お、スピンドルモータ部２１は、後述するサーボプロセ
ッサ３２から供給されたスピンドル制御信号ＳＰＣによ
って、光ディスク１０が所定の回転速度となるように駆
動処理を行う。

【００２８】光ディスク１０には、光ディスク装置２０
の光ピックアップ３０から光量をコントロールした光ビ
ームが照射される。光ディスク１０で反射された光ビー
ムは、光ピックアップ３０の光検出部（図示せず）に照
射される。光検出部では光ディスク１０で反射された光
ビームに基づいて光電変換や電流電圧変換を行い、反射
光の光量に応じた信号レベルの電圧信号を生成してリー
ドプロセッサ３１に供給する。

【００２９】リードプロセッサ３１では、光ピックアッ
プ３０からの電圧信号の波形等化処理を行い、ディジタ
ルの読出データ信号ＤRFを生成してチャネルプロセッサ
３４に供給する。また、光ピックアップ３０からの電圧
信号に基づいてトラッキング誤差信号ＳTEやフォーカス
誤差信号ＳFEを生成してサーボプロセッサ３２に供給す
る。さらに、リードプロセッサ３１では、光ビームが照
射されている光ディスク１０上の位置を示す信号Ｄadr
を生成してシステムコントローラ４０に供給する。

【００３０】サーボプロセッサ３２では、供給されたフ
ォーカス誤差信号ＳFEに基づき、レーザ光の焦点位置が
光ディスク１０の記録層の位置となるように、光ピック
アップ３０の対物レンズ（図示せず）を制御するフォー
カス制御信号ＳFCを生成してドライバ３３に供給する。
また、供給されたトラッキング誤差信号ＳTEに基づき、
光ビームの照射位置が所望のトラックの中央位置となる
ように、光ピックアップ３０の対物レンズを制御するト
ラッキング制御信号ＳTCを生成してドライバ３３に供給
する。

【００３１】ドライバ３３では、フォーカス制御信号Ｓ
FCに基づいてフォーカス駆動信号ＳFDを生成すると共
に、トラッキング制御信号ＳTCに基づいてトラッキング
駆動信号ＳTDを生成する。この生成されたフォーカス駆
動信号ＳFD及びトラッキング駆動信号ＳTDを、光ピック
アップ３０のアクチュエータ（図示せず）に供給するこ
とにより対物レンズの位置が制御されて、光ビームが所
望のトラックの中央位置で焦点を結ぶように制御され
る。

【００３２】また、サーボプロセッサ３２では、後述す
るチャネルプロセッサ３４から供給された同期信号ＳＹ
に基づいて、光ディスク１０を所定の速度で回転させる
ためのスピンドル制御信号ＳＰＣを生成してスピンドル
モータ部２１に供給する。さらに、サーボプロセッサ３
２では、レーザ光の照射位置がトラッキング制御範囲を
超えないように、光ピックアップ３０を光ディスク１０
の径方向に移動させるためのスレッド制御信号ＳSCを生
成してスレッドモータ部２２に供給する。スレッドモー
タ部２２では、このスレッド制御信号ＳSCに基づきスレ
ッドモータを駆動して光ピックアップ３０を光ディスク
１０の径方向に移動させる。なお、サーボプロセッサ３
２では、図示せずも、光ディスク１０のローディング動
作や、光ビームの光軸と光ディスク１０のディスク面と
の関係を所定の位置関係とするスキュー調整も行われ
る。

【００３３】チャネルプロセッサ３４では、読出データ
信号ＤRFの８／１６デコード処理を行い、得られた信号
Ｄdをデータプロセッサ３５に供給する。またチャネル
プロセッサ３４では、読出データ信号ＤRFに同期する同
期信号ＳＹを生成して上述のようにサーボプロセッサ３
２に供給する。

【００３４】データプロセッサ３５では、ＲＡＭ３６の
一部の領域を用いて、リードソロモン積符号(Reed-Solo
mon Product Code)のデコード処理によって信号Ｄｄの
誤り訂正を行う。ここで誤り訂正がなされた信号は、Ｒ
ＡＭ３６の領域の一部であるキャッシュ領域に蓄えられ
たのち、再生データ信号ＲＤとして例えばＡＴＡＰＩ(A
T Attachment Packet Interface)規格やＳＣＳＩ(Small
Computer System Interface)規格のインタフェース３
７を介して出力される。

【００３５】また、光ディスク１０に記録するデータ信
号ＷＤがインタフェース３７を介して供給されたときに
は、リードソロモン積符号(Reed-Solomon Product Cod
e)のエンコード処理や８／１６エンコード処理を行い、
得られた信号Ｄwをライトプロセッサ３９に供給する。
さらに、光ディスク１０のリードイン領域やリードアウ
ト領域に記録されている欠陥リストＰＤＬやＳＤＬが読
み出されたときには、この欠陥リストＰＤＬやＳＤＬの
信号をシステムコントローラ４０に供給する。

【００３６】ライトプロセッサ３９では、データプロセ
ッサ３５から供給された信号Ｄwに基づいて記録データ
信号Ｓwを生成して光ピックアップ３０に供給する。光
ピックアップ３０では、この記録データ信号Ｓwに応じ
て光ディスク１０に照射される光ビームの照射を制御す
る。また、ライトプロセッサ３９では、照射される光ビ
ームの出力が正しい出力レベルとなるように光ビームの
出力レベルの調整も行う。

【００３７】システムコントローラ４０は、ＣＰＵバス
５０を介して各プロセッサ及びＲＡＭ３６やＲＯＭ４１
と接続されており、ＲＯＭ４１に記憶されている動作制
御用プログラムに基づき各プロセッサの動作を制御す
る。また、データプロセッサ３５から供給された欠陥リ
ストＰＤＬ，ＳＤＬのデータ量を削減してからＲＡＭ３
６に記憶させる。ここで、コンピュータ装置等の外部機
器から論理セクタ番号（論理アドレス）を用いてアクセ
ス要求がなされたときには、ＲＡＭ３６に記憶されてい
る欠陥リストの情報を参照して、欠陥位置の飛び越しや
欠陥位置に対応した交替領域内のＥＣＣブロックの使用
を行いながら論理セクタ番号を物理セクタ番号にアドレ
ス変換する。さらに、リードプロセッサ３１から供給さ
れた信号Ｄadrを利用して、外部機器から要求された位
置と対応する物理セクタ番号の位置に光ビームが照射さ
れるように光ピックアップ３０を駆動することが行われ
る。

【００３８】このように構成された光ディスク装置２０
では、光ディスク１０に記録されている欠陥リストＰＤ
Ｌ，ＳＤＬを読み出してＲＡＭ３６に記憶する場合、欠
陥リストＰＤＬ，ＳＤＬをそのまま記憶するものとした
ときには最大２ＥＣＣブロック分すなわち６５５３６バ
イト分（３２７６８バイト×２）の領域が必要となる。
このため、システムコントローラ４０では、欠陥リスト
を記憶するためのメモリ領域を少なくして、リードソロ
モン積符号のデコード処理で用いる領域やキャッシュ領
域を広く確保できるように、欠陥リストのデータ量を削
減するため、欠陥リストから欠陥の回避に用いる情報の
みを選択してＲＡＭ３６に記憶する。また選択した情報
の変換を行ってからＲＡＭ３６に記憶する。

【００３９】ここで、欠陥リストＰＤＬは上述の図３に
示す構成とされており、ＰＤＬ識別マークは光ディスク
１０から欠陥リストＰＤＬを読み出すために用いるもの
であることから、この情報を保持していなくとも光ディ
スク装置２０では正しく交替処理を行うことができる。
ＰＤＬの更新回数の情報は、光ディスク１０に対して記
録再生を行う場合、新たな欠陥リストを生成して、光デ
ィスク１０の情報を更新する場合には必要となる情報で
あるが、再生専用の光ディスク装置では、光ディスク１
０の情報を更新することが行われないことから、このＰ
ＤＬの更新回数の情報を保持していなくとも再生動作時
に正しく交替処理を行うことができる。

【００４０】また、ＰＤＬエントリは上述の図４に示す
構成とされており、欠陥タイプが「００」「０１」「１
０」のＰＤＬエントリを抜き出して保持することによ
り、欠陥タイプの情報を保持していなくとも、２４ビッ
トの欠陥ブロック位置情報をＰＤＬエントリとして保持
させることで、光ディスク装置２０では正しく交替処理
を行うことができる。

【００４１】このため、ＲＡＭ３６に記憶する欠陥リス
トＰＤＬmは、図９に示す構成とする。ＥＣＣブロック
内の最初のバイト位置から２バイト分は、初期欠陥が検
出されたＥＣＣブロックを示す情報であるＰＤＬエント
リで、欠陥タイプが「００」「０１」「１０」のＰＤＬ
エントリ数Ｎ_ＰＤＬmを示すものとする。バイト位置
「２」から４バイト分は交替領域間のユーザデータ領域
の大きさを示す情報ＳＩを示すものとし、バイト位置
「６」から４バイト分は、交替領域の大きさを示す情報
ＳＬを示すものとする。さらに、バイト位置「１０」か
らは、３バイト（２４ビット）単位でのＰＤＬエントリ
を示すものとする。

【００４２】図１０は、欠陥リストＰＤＬmのＰＤＬエ
ントリを示しており、ビットｂ２３〜ｂ０によって初期
欠陥の位置、例えば欠陥が検出されたＥＣＣブロックの
先頭物理セクタ番号を示すものとする。ここで、ＰＤＬ
エントリ数Ｎ_ＰＤＬの最大値は上述したように「８１
８８」であるので、欠陥リストＰＤＬmのデータ量は最
大２４５７４バイト（=2+4+4+3×8188）となる。

【００４３】同様に、欠陥リストＳＤＬは上述の図６に
示す構成とされており、ＳＤＬ識別マークは光ディスク
１０から欠陥リストＳＤＬを読み出すために用いるもの
であることから、この情報を保持していなくとも光ディ
スク装置２０では正しく交替処理を行うことができる。
同様にＳＤＬの更新回数の情報を保持していなくとも正
しく交替処理を行うことができる。

【００４４】また、ＳＤＬエントリは上述の図７に示す
構成とされており、エントリが有効とされている欠陥タ
イプ「００」のＳＤＬエントリを抜き出して保持するも
のとすれば、欠陥タイプの情報を保持していなくとも、
２４ビットの欠陥ブロック位置情報と２４ビットの交替
ブロック位置情報を保持させることで、光ディスク装置
２０では正しく交替処理を行うことができる。

【００４５】さらに、交替領域の位置が計算によって判
別できることから、交替ブロック位置情報を交替処理単
位に基づく情報、例えば交替領域でのブロック番号の情
報に変換すれば、交替ブロック位置情報のデータ量を少
なくできる。ここで、ＳＤＬエントリの最大値は上述し
たように「４０９５」であることから、交替ブロック位
置情報をブロック番号を利用して表すものとしたときに
は、１２ビットで交替ブロック位置情報を示すことが可
能となり、バイト単位で欠陥リストの記憶や読み出しを
行うときには、２バイトで交替ブロック位置情報を示す
ことができる。

【００４６】ここで、交替ブロック位置情報で示された
ＥＣＣブロックの先頭物理セクタ番号をＰＳＮrepとす
ると、先頭物理セクタ番号ＰＳＮrepまでの交替領域数
Ｎ_ＬＳは、式（１）に示すように演算結果の整数部分
と等しくなる。なお、交替領域間のユーザデータ領域の
大きさを示す情報ＳＩと交替領域の大きさを示す情報Ｓ
Ｌはセクタ数で示されているものとする。また、Ｎpは
先頭物理セクタ番号ＰＳＮrepの位置までにスリップ交
替によって交替が行われたセクタ数を示している。Ｎ_ＬＳ＝int［(ＰＳＮrep−0x31000−Ｎp)/(ＳＬ＋ＳＩ)］・・・（１）

【００４７】次に、交替ブロック位置情報で示されたＥ
ＣＣブロックが属する交替領域の先頭から、先頭物理セ
クタ番号ＰＳＮrepまでのセクタ数Ｎ_ＳＣは、式（２）
に示すように、演算結果の余り部分と等しくなる。Ｎ_ＳＣ＝mod［(ＰＳＮrep−0x31000−Ｎp)/(ＳＬ＋ＳＩ)］・・・（２）

【００４８】このため、式（３）に示すように、交替領
域の数Ｎ_ＬＳに交替領域の大きさＳＬを乗算してセク
タ数Ｎ_ＳＣを加算すれば、最初の交替領域の先頭から
交替ブロック位置情報で示されたＥＣＣブロックの先頭
物理セクタ番号ＰＳＮrepまでの、交替領域に対しての
セクタ数ＴＳＣを判別できる。ＴＳＣ＝Ｎ_ＬＳ×ＳＬ＋Ｎ_ＳＣ・・・（３）

【００４９】さらに、式（４）に示すように、セクタ数
ＴＳＣを１ＥＣＣブロックのセクタ数（0x10）で除算す
れば、交替ブロック位置情報をブロック番号で示すもの
とした交替ブロック番号ＢＮを算出できる。ＢＮ＝ＴＳＣ／0x10 ・・・（４）このようにして算出した交替ブロック番号ＢＮを用い
て、欠陥リストＳＤＬmを図１１に示すように構成して
ＲＡＭ３６に記憶させる。

【００５０】図１１において、ＥＣＣブロック内の最初
のバイト位置から２バイト分は、二次欠陥の検出された
ＥＣＣブロックを示す情報であるＳＤＬエントリで、欠
陥タイプが「００」であるＳＤＬエントリの数を示すも
のとする。また、バイト位置「２」から５バイト単位で
欠陥の位置を示すと共に欠陥タイプが「００」であるＳ
ＤＬエントリを示すものとする。

【００５１】また、ＳＤＬエントリは、図１２に示すよ
うにビットｂ３９〜ｂ１７によって二次欠陥の位置、例
えば欠陥が検出されたＥＣＣブロックの先頭物理セクタ
番号を示すものとする。また、ビットｂ１５〜ｂ０の２
バイトによって交替ブロック番号を示すものとする。こ
こで、ＳＤＬエントリ数Ｎ_ＳＤＬの最大値は上述した
ように「４０９５」であるので、欠陥リストＳＤＬmの
データ量は最大２０４７７バイト（=2+5×4095）とな
る。

【００５２】このように欠陥リストＰＤＬ，ＳＤＬから
必要な情報のみを選択して欠陥リストＰＤＬm，ＳＤＬm
を生成して記憶することから、２ＥＣＣブロック分であ
る６５５３６バイトのメモリ容量を確保しなくとも、４
５０５１（=24574+20477）バイト（２ＥＣＣブロック分
に対して約０．６９倍）のメモリ容量を確保すれば、交
替処理を行う上で必要とされる情報を全て記憶できる。

【００５３】また、１ＥＣＣブロック分である３２７６
８バイトからＰＤＬとＳＤＬの識別マークやエントリ
数，更新回数等の情報のデータ量２４バイトを減算した
３２７４４バイトをＰＤＬエントリあるいはＳＤＬエン
トリに割り当てるものとしたとき、すなわち（Ｎ_ＰＤ
Ｌ×４＋Ｎ_ＳＤＬ×８）≦３２７４４バイトという制
限がなされているときには、２４Ｋバイト程度のメモリ
容量を確保しておくことで、欠陥が光ディスク１０に生
じていても正しく記録再生動作を行うことができる。

【００５４】次に、信号の記録再生動作について説明す
る。外部のコンピュータ装置等から論理セクタ番号で光
ディスク１０へのアクセス要求がなされると、システム
コントローラ４０では、ＲＡＭ３６に記憶している欠陥
リストＰＤＬm，ＳＤＬmを参照しながら論理セクタ番号
を光ディスクに記録されている物理セクタ番号に変換し
て、得られた物理セクタ番号の位置にアクセスするよう
各部を制御する。

【００５５】ここで、外部装置から論理セクタ番号ＬＳ
Ｎが指定されると共に、データ領域の開始位置が「0x31
000」であり、情報ＳＩ，ＳＬがセクタ数で示されてい
るとき、指定された論理セクタ番号ＬＳＮの位置までに
設けられている交替領域の数Ｎ_ＬＲは、式（５）に示
すように、論理セクタ番号ＬＳＮを情報ＳＩで除算した
演算結果の整数部分に「１」を加算した値となる。Ｎ_ＬＲ＝(１＋int[ＬＳＮ／ＳＩ]) ・・・（５）このため、式（６）から物理セクタ番号ＰＳＮ１を算出
する。ＰＳＮ１＝ＬＳＮ＋Ｎ_ＬＲ×ＳＬ＋0x31000 ・・・（６）

【００５６】次に、算出された物理セクタ番号ＰＳＮ１
に対して初期欠陥に応じたアドレス修正処理を行う。こ
のため、ＲＡＭ３６の欠陥リストＰＤＬmにＰＤＬエン
トリが含まれている場合にのみ図１３の処理を行う。

【００５７】ステップＳＴ１では、ＰＤＬエントリを指
定するための変数Indexを「０」に設定してステップＳ
Ｔ２に進む。ステップＳＴ２では、式（６）で算出され
た物理セクタ番号ＰＳＮ１がＰＤＬエントリ[Index]で
示された物理セクタ番号ＰＳＥ以上であるか否かを判別
する。ここで、物理セクタ番号ＰＳＮ１がＰＤＬエント
リ[Index]で示された物理セクタ番号ＰＳＥ以上である
ときにはステップＳＴ３に進み、物理セクタ番号ＰＳＮ
１が物理セクタ番号ＰＳＥよりも小さいときには処理を
終了する。

【００５８】ステップＳＴ３では、ＲＡＭ３６に記憶さ
れている欠陥リストＰＤＬmのＰＤＬエントリ数Ｎ_ＰＤ
Ｌmよりも変数Indexが小さいか否かを判別する。ここ
で、変数Indexの値がＰＤＬエントリ数Ｎ_ＰＤＬmより
も小さいときにはステップＳＴ４に進み、変数Indexの
値がＰＤＬエントリ数Ｎ_ＰＤＬm以上となったときには
処理を終了する。

【００５９】ステップＳＴ４では、物理セクタ番号ＰＳ
Ｎ１に１ＥＣＣブロックのセクタ数である１６を加算し
て新たな物理セクタ番号ＰＳＮ１に設定してステップＳ
Ｔ５に進む。ステップＳＴ５では、変数Indexに「１」
を加算して新たな変数Indexの値に設定してステップＳ
Ｔ２に戻る。

【００６０】この図１３に示す処理が行われることによ
り、初期欠陥によってスリップ交替が行われていても、
この初期欠陥を考慮したアドレス修正を行うことができ
る。さらに、この初期欠陥を考慮したアドレス修正が行
われた物理セクタ番号ＰＳＮ１に対して二次欠陥に応じ
たアドレス修正処理を行う。

【００６１】ここで、リニア交替では、１ＥＣＣブロッ
ク単位で交替処理が行われていることから、スリップ交
替に対するアドレス修正後の物理セクタ番号ＰＳＮ１を
含むＥＣＣブロックが、欠陥リストＳＤＬmのＳＤＬエ
ントリに含まれているかを判別する。

【００６２】物理セクタ番号ＰＳＮ１と（FFFFF0)との
ビット論理積値ＰＳＢは、１ＥＣＣブロックが１６セク
タ単位とされていると共にデータ領域の先頭物理セクタ
番号が「0x31000」であることから、物理セクタ番号Ｐ
ＳＮ１が属するＥＣＣブロックの先頭物理セクタ番号を
示す値となる。この論理積値ＰＳＢがＳＤＬエントリの
欠陥ブロック位置として記憶されているか否かを判別す
ることで、アドレス修正が行われた物理セクタ番号ＰＳ
Ｎ１を含むＥＣＣブロックが、欠陥リストＳＤＬmのＳ
ＤＬエントリに含まれているかを判別できる。

【００６３】物理セクタ番号ＰＳＮ１を含むＥＣＣブロ
ックが、ＳＤＬエントリに含まれていることを判別した
ときには、このＥＣＣブロックを含むＳＤＬエントリで
示された交替ブロック番号で示されるＥＣＣブロックの
先頭物理セクタ番号ＰＳＮrepを算出して、この算出さ
れた先頭物理セクタ番号ＰＳＮrepを用いて物理セクタ
番号ＰＳＮを算出する。

【００６４】ここで、先頭物理セクタ番号ＰＳＮrep
は、先頭物理セクタ番号ＰＳＮrepから交替ブロック番
号ＢＮを算出した場合と逆の演算を行うことにより、交
替ブロック番号ＢＮから先頭物理セクタ番号ＰＳＮrep
の算出できる。式（７）は、この交替ブロック番号ＢＮ
から先頭物理セクタ番号ＰＳＮrepを算出する演算を一
つの式にまとめたものである。ＰＳＮrep＝Ｎp＋0x31000＋(ＳＬ＋ＳＩ)×ＢＮ×0x10／ＳＬ＋mod[ＢＮ×0x10／ＳＬ] ・・・（７）

【００６５】この算出した先頭物理セクタ番号ＰＳＮre
pに、ＥＣＣブロック内でのセクタ数を加算すること
で、二次欠陥に応じたアドレス修正処理が行われた物理
セクタ番号ＰＳＮを算出できる。ＥＣＣブロック内での
セクタ数は、１ＥＣＣブロックが１６セクタ単位とされ
ていると共にデータ領域の先頭物理セクタ番号が「0x31
000」であることから、式（８）に示すように、物理セ
クタ番号ＰＳＮ１と（0F)とのビット論理積を求めて、
このビット論理積に先頭物理セクタ番号ＰＳＮrepを加
算すれば、物理セクタ番号ＰＳＮを算出できる。ＰＳＮ＝ＰＳＮrep＋（ＰＳＮ１＆（OF））・・・（８）

【００６６】このように、外部から論理セクタ番号ＬＳ
Ｎを用いてアクセス要求がなされたときには、この論理
セクタ番号ＬＳＮに基づいて物理セクタ番号ＰＳＮ１が
算出されると共に、この算出された物理セクタ番号ＰＳ
Ｎ１に対して、初期欠陥を考慮したアドレス修正と二次
欠陥を考慮したアドレス修正を行って物理セクタ番号Ｐ
ＳＮが算出される。このため、この物理セクタ番号ＰＳ
Ｎの位置にアクセスすることで、光ディスクに欠陥が生
じていても、外部から要求された論理セクタ番号ＬＳＮ
の位置に正しくアクセスすることができる。

【００６７】例えば、図１４の斜線で示すＥＣＣブロッ
クが初期欠陥の欠陥ブロックとされており、クロスハッ
チングで示すＥＣＣブロックが二次欠陥の検出されたブ
ロックとされているとき、交替領域の大きさを示す情報
ＳＬによって交替領域が３ＥＣＣブロックで、交替領域
間の大きさを示す情報ＳＩが「0x2200」とされているも
のとした場合、論理セクタ番号「0x1A」をアクセスした
ときには、ＲＡＭ３６に記憶された欠陥リストＰＤＬ
m，ＳＤＬmを参照して上述の演算処理を行うことによ
り、対応する交替領域内の物理セクタ番号「0x3102A」
の位置に正しくアクセスすることができる。また、論理
セクタ番号「0xA8」をアクセスしたときには、記憶され
た欠陥リストＰＤＬm，ＳＤＬmを参照して上述の演算処
理を行うことにより、初期欠陥や二次欠陥が複数生じて
も対応する物理セクタ番号「0x31138」の位置に正しく
アクセスすることができる。

【００６８】また、欠陥リストＰＤＬmのＰＤＬエント
リ及び欠陥リストＳＤＬmのＳＤＬエントリにおける欠
陥ブロック位置情報として、欠陥が検出されたＥＣＣブ
ロックの先頭物理セクタ番号を用いるものとした場合、
ＥＣＣブロックは１６セクタ単位であることから、下位
４ビットすなわちＰＤＬエントリのビットｂ３〜ｂ０及
びＳＤＬエントリのビットｂ１９〜ｂ１６は各エントリ
で等しい値となる。このため、欠陥ブロックと判別され
たＥＣＣブロックが連続する場合には、欠陥ブロック位
置情報の下位４ビットを用いてＥＣＣブロックの連続数
を示すこともできる。

【００６９】例えば図１５Ａに示すように、欠陥ブロッ
クと判別されたＥＣＣブロックが連続していないとき、
この欠陥ブロック位置を示す情報の先頭物理セクタ番号
が「0x50020」とされているときには、上述したように
先頭物理セクタ番号を欠陥ブロック位置情報として用い
る。また、欠陥ブロックと判別されたＥＣＣブロックが
連続しているときには、最初の欠陥ブロックの先頭物理
セクタ番号を、あとに続く欠陥ブロックの数だけ進めて
欠陥ブロック位置を示す情報として用いる。例えば図１
５Ｂに示すように、先頭物理セクタ番号が「0x50020」
である欠陥ブロックの後に２つのＥＣＣブロックが欠陥
ブロックとして続いているときには、先頭物理セクタ番
号「0x50020」を２だけ進めて「0x50022」を欠陥ブロッ
ク位置を示す情報として用いる。また、連続した欠陥ブ
ロック数が１ＥＣＣブロックのセクタの数を超えるとき
には、この数を超えた欠陥ブロックに対してエントリを
設けて、このエントリを設けた欠陥ブロックの後に続く
欠陥ブロック数だけ先頭物理セクタ番号を進めて、欠陥
ブロック位置を示す情報とする。例えば上述したように
１ＥＣＣブロックが１６セクタ単位とされており、図１
５Ｃに示すように、先頭物理セクタ番号が「0x50020」
である欠陥ブロックの後に１９個のＥＣＣブロックが欠
陥ブロックとして続いているときには、先頭物理セクタ
番号「0x50020」の欠陥ブロック位置を示す情報として
「0x5002f」を用いる。また、１７番目の欠陥ブロック
である先頭物理セクタ番号「0x50120」の欠陥ブロック
に対してエントリを設けて、１７番目の欠陥ブロックに
続く欠陥ブロック数「３」だけ先頭物理セクタ番号を進
めて「0x50123」を欠陥ブロック位置を示す情報として
用いる。

【００７０】このように、欠陥ブロック位置を示す情報
に連続する欠陥ブロックの数を示す情報を含ませるもの
とすれば、光ディスク１０に記録されている欠陥ブロッ
ク毎のエントリを記憶しなくても、正しく交替処理を行
うことができることから、ＲＡＭ３６に記憶する欠陥リ
ストのデータ量を削減できる。なお、欠陥リストＳＤＬ
mのＳＤＬエントリにおいて、欠陥ブロック位置を示す
情報に連続する欠陥ブロックの数を示す情報が含まれて
いるときには、交替ブロック番号で示されたブロック番
号から、連続する欠陥ブロック数だけ交替領域を用いる
ものとする。

【００７１】ここで、欠陥リストのデータ量の削減は、
光ディスクから欠陥リストを読み出して光ディスク装置
に記憶する際の１回だけであるので、通常の信号再生動
作には影響しない。また、二次欠陥が生じてリニア交替
を行う場合、交替ブロック番号から交替領域内の物理セ
クタ番号を算出する演算が必要となり、システムコント
ローラ４０でのオーバーヘッドとなる。しかし、リニア
交替では光ピックアップを駆動して、光ビームの照射位
置を交替領域まで移動させる処理が必要となるので、こ
の移動処理に要する時間よりも短時間である演算処理が
行われても、アクセス動作が大幅に遅れてしまうことが
ない。

【００７２】また、欠陥ブロックの交替処理は１ＥＣＣ
ブロック（１６セクタ）単位で行われることから、欠陥
ブロック位置を示す情報に、先頭物理セクタ番号を利用
して連続する欠陥ブロックの数を示す情報が含まれてい
ないときには、先頭物理セクタ番号に替えて欠陥ブロッ
ク位置をブロック単位で示すこともできる。この場合に
は、欠陥ブロック位置をブロック単位で示すことによ
り、各エントリの情報をそれぞれ４ビット分だけ圧縮す
ることが可能となり、更に必要とされるメモり容量を少
なくできる。このとき、欠陥リストの情報をバイト単位
で読み出しても、読み出した情報はブロック単位の情報
であることからこの情報を先頭物理セクタ番号に変換す
るためにビット操作を行う必要が生じるので、処理速度
の速いシステムコントローラ４０を用いるものとする。
また、ビット操作を行う場合には、欠陥リストＳＤＬm
におけるＳＤＬエントリの交替ブロック番号を２バイト
単位ではなく１２ビット単位として記憶するものとし、
この交替ブロック番号の情報を用いるときにビット操作
で１２ビット単位の情報を２バイト単位の情報に戻すこ
とで、記憶する各ＳＤＬエントリの情報をさらに４ビッ
ト圧縮することができる。この場合には、欠陥リストＰ
ＤＬmについては８１８８×４ビット（４０９４バイ
ト）削減できると共に、欠陥リストＳＤＬmについては
４０９５×（４＋４）ビット（４０９５バイト）削減で
きることから、３６８６２（=45051-4094-4095）バイト
（２ＥＣＣブロック分に対して約０．５６倍）のメモリ
容量を確保すれば、交替処理を行う上で必要とされる情
報を全て記憶できる。

【００７３】また、欠陥リストのデータ量が少なくなる
ことから、例えばマイクロコンピュータ等に内蔵されて
いるＲＡＭに欠陥リストの情報を記憶させることも可能
となり、性能を向上させることができる。また、容量の
少ないメモリを用いることができるのでコストダウンも
図ることができると共に、光ディスクの容量が向上され
て、１つの光ディスクにおける欠陥の数が増加したとき
にも、欠陥リストのデータ量が少ないものとされてから
光ディスク装置に記憶されるので、欠陥リストをそのま
ま記憶する場合のメモリ容量の構成であっても大容量の
光ディスクに対応させることが可能となる。

【００７４】このように、上述の実施の形態によれば、
光ディスクに記録されている欠陥リストの情報から交替
処理で必要とされる情報だけを選択して光ディスク装置
に記憶させることから、光ディスク装置で交替処理を行
うために必要な情報を記憶するためのメモリ容量を少な
くできる。また、交替処理に必要とされる情報は、交替
処理での処理単位に基づき圧縮して記憶されるので、更
にメモリ容量を少なくできる。

【００７５】なお、欠陥情報が記録媒体に記録されてお
り、この欠陥情報を記録媒体から読み出して装置側に記
憶し、装置側では記憶されている欠陥情報を用いて欠陥
位置にアクセスしないように信号の記録再生動作を行う
ものであれば、他の記録媒体を用いる装置、例えばＤＶ
Ｄ＋ＲＷとは異なるＤＶＤ規格の光ディスクを用いる装
置や、半導体記憶素子を用いて構成された記録媒体、あ
るいは磁気を利用した記録媒体等を用いる装置であって
も良いことは勿論である。

【００７６】

【発明の効果】この発明によれば、欠陥管理方式を用い
た記録媒体を使用して記録再生を行う際に、記録媒体か
ら読み出された欠陥情報から欠陥を回避する交替処理に
用いる情報のみが選択されて、演算処理によってこの情
報がデータ量の少ない情報に変換されてから記憶され
る。このため、交替処理に用いる情報を記憶するための
記憶手段の記憶容量を小さくできる。また、交替処理に
用いる情報のみを選択して記憶する際には、位置情報が
交替処理の処理単位に基づいた情報に変換されて情報の
データ量が削減されると共に、交替処理する領域が連続
しているときには、連続した領域に関する複数の情報
が、連続した領域数の情報を有する１つの情報に変換さ
れて情報のデータ量が削減されるので、更に記憶手段の
記憶容量を小さくできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光ディスクの構成を示す図である。

【図２】スリップ交替を説明するための図である。

【図３】欠陥リストＰＤＬの構成を示す図である。

【図４】ＰＤＬエントリの構成を示す図である。

【図５】リニア交替を説明するための図である。

【図６】欠陥リストＳＤＬの構成を示す図である。

【図７】ＳＤＬエントリの構成を示す図である。

【図８】光ディスク装置の構成を示す図である。

【図９】欠陥リストＰＤＬmの構成を示す図である。

【図１０】欠陥リストＰＤＬmのＰＤＬエントリを示す
図である。

【図１１】欠陥リストＳＤＬmの構成を示す図である。

【図１２】欠陥リストＳＤＬmのＳＤＬエントリを示す
図である。

【図１３】初期欠陥に応じたアドレス修正処理を示すフ
ローチャートである。

【図１４】欠陥を生じたときの論理セクタ番号と物理セ
クタ番号の関係を示す図である。

【図１５】他の欠陥ブロック位置の情報を説明するため
の示す図である。

【符号の説明】

１０・・・光ディスク、２０・・・光ディスク装置、３
０・・・光ピックアップ、３１・・・リードプロセッ
サ、３２・・・サーボプロセッサ、３４・・・チャネル
プロセッサ、３５・・・データプロセッサ、３６・・・
ＲＡＭ、３９・・・ライトプロセッサ、４０・・・シス
テムコントローラ、５０・・・ＣＰＵバス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】欠陥管理方式を用いた記録媒体を使用し
て記録再生を行うときに、前記記録媒体から記録されている欠陥情報を読み出すと
共に、読み出した欠陥情報から欠陥を回避する交替処理
に用いる情報のみを選択し、該選択した情報に対する演算処理によって情報の変換を
行い、データ量を削減してから記憶することを特徴とす
る欠陥情報管理方法。
【請求項２】前記情報の変換では、前記交替処理に用
いる情報として前記記録媒体上での位置情報が用いられ
ているとき、前記演算処理によって、前記位置情報を前
記交替処理の処理単位に基づいた情報に変換することを
特徴とする請求項１記載の欠陥情報管理方法。
【請求項３】前記情報の変換では、交替処理する領域
が連続しているとき、前記演算処理によって、前記連続
した領域に関する複数の情報を、前記連続した領域数の
情報を有する１つの情報に変換することを特徴とする請
求項１記載の欠陥情報管理方法。
【請求項４】欠陥管理方式を用いた記録媒体に対して
信号の記録再生を行う記録再生手段と、記憶手段と、前記記録再生手段と前記記憶手段を制御する制御手段と
を有し、前記制御手段では、前記記録再生手段を制御して前記記
録媒体に記録されている欠陥情報を読み出すと共に、読
み出した欠陥情報から欠陥を回避する交替処理に用いる
情報のみを選択し、該選択した情報に対する演算処理に
よって情報の変換を行い、データ量を削減して前記記憶
手段に記憶させることを特徴とする記録媒体処理装置。
【請求項５】前記制御手段では、前記交替処理に用い
る情報として前記記録媒体上での位置情報が用いられて
いるとき、前記演算処理によって、前記位置情報を前記
交替処理の処理単位に基づいた情報に変換することを特
徴とする請求項４記載の記録媒体処理装置。
【請求項６】前記制御手段では、交替処理する領域が
連続しているとき、前記演算処理によって、前記連続し
た領域に関する複数の情報を、前記連続した領域数の情
報を有する１つの情報に変換することを特徴とする請求
項４記載の記録媒体処理装置。