JP2002170292A - 光磁気記録媒体及びその再生方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生波形が正弦波に近く、それによりＰＲＭ
Ｌ技術を適用可能な光磁気記録媒体を提供することを課
題とする。 【解決手段】 少なくとも再生層、中間層、連結層及び
記録層からなり、再生層及び中間層が、無磁界で斜めの
磁化方向を有する層であり、連結層が、それ単独では室
温で非磁性で、かつ磁性層と接することにより誘導され
て磁性を呈する層からなることを特徴とする光磁気記録
媒体により上記課題を解決する。
Ｌ技術を適用可能な光磁気記録媒体を提供することを課
題とする。 【解決手段】 少なくとも再生層、中間層、連結層及び
記録層からなり、再生層及び中間層が、無磁界で斜めの
磁化方向を有する層であり、連結層が、それ単独では室
温で非磁性で、かつ磁性層と接することにより誘導され
て磁性を呈する層からなることを特徴とする光磁気記録
媒体により上記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体
（以下、単に媒体ともいう）及びその再生方法に関す
る。本発明の光磁気記録媒体は、パーシャルレスポンス
最尤復号（ＰＲＭＬ：Ｐｅｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓ
ｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｒｅｌｉｈｏｏｄ）技術に好
適に使用することができる。
（以下、単に媒体ともいう）及びその再生方法に関す
る。本発明の光磁気記録媒体は、パーシャルレスポンス
最尤復号（ＰＲＭＬ：Ｐｅｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓ
ｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｒｅｌｉｈｏｏｄ）技術に好
適に使用することができる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度記録媒体とし
て知られているが、情報量の増大に伴い、更なる高密度
化が要求されている。高密度化を実現するためにマーク
長を短くする方法が挙げられ、そのために磁気超解像技
術が採用されている。磁気超解像技術には種々の提案が
なされているが、その中でもセンターアパーチャー型磁
気超解像（ＣＡＤ）媒体（例えば、特開平９−３２０１
３４号公報参照）及びダブルマスク−リアアパーチャー
型磁気超解像（Ｄ−ＲＡＤ）媒体（例えば、特開平９−
１４７４３６号公報参照）が注目されている。以下、両
媒体と再生方法を図１（ａ）及び（ｂ）を参照しつつ説
明する。なお、図１の上部に媒体構成を、下部に再生波
形を示す。
て知られているが、情報量の増大に伴い、更なる高密度
化が要求されている。高密度化を実現するためにマーク
長を短くする方法が挙げられ、そのために磁気超解像技
術が採用されている。磁気超解像技術には種々の提案が
なされているが、その中でもセンターアパーチャー型磁
気超解像（ＣＡＤ）媒体（例えば、特開平９−３２０１
３４号公報参照）及びダブルマスク−リアアパーチャー
型磁気超解像（Ｄ−ＲＡＤ）媒体（例えば、特開平９−
１４７４３６号公報参照）が注目されている。以下、両
媒体と再生方法を図１（ａ）及び（ｂ）を参照しつつ説
明する。なお、図１の上部に媒体構成を、下部に再生波
形を示す。
【０００３】まず図１（ａ）に示すように、前者のＣＡ
Ｄ法には、記録層１、非磁性層２、中間層３及び再生層
４からなり、再生層４と中間層３は磁化方向が面内方向
であり、記録層１は磁化方向が垂直である光磁気記録媒
体が通常使用される。この媒体に記録された情報を再生
するために光を照射した場合、光スポット５の中心（高
温部）では記録層の磁化方向が再生層に転写され、光ス
ポット内の周辺（低温部）では記録層の磁化の影響によ
り再生層の磁化方向が斜め方向を向き、磁気的マスクが
形成されて磁気超解像再生されるときの再生信号は、ほ
ぼ正弦波となる。なお、図中、矢印Ａは光スポットの移
動方向を意味する。
Ｄ法には、記録層１、非磁性層２、中間層３及び再生層
４からなり、再生層４と中間層３は磁化方向が面内方向
であり、記録層１は磁化方向が垂直である光磁気記録媒
体が通常使用される。この媒体に記録された情報を再生
するために光を照射した場合、光スポット５の中心（高
温部）では記録層の磁化方向が再生層に転写され、光ス
ポット内の周辺（低温部）では記録層の磁化の影響によ
り再生層の磁化方向が斜め方向を向き、磁気的マスクが
形成されて磁気超解像再生されるときの再生信号は、ほ
ぼ正弦波となる。なお、図中、矢印Ａは光スポットの移
動方向を意味する。
【０００４】後者のＤ−ＲＡＤ法には、図１（ｂ）に示
すように、記録層１、中間層３及び再生層４からなり、
各層の磁化方向が垂直である光磁気記録媒体が通常使用
される。この媒体に記録された情報を再生するために光
を照射した場合、光スポット５の中心（中温部）では記
録層の磁化方向が再生層に転写され、光スポット５内の
周辺では再生磁場の影響により、図面左方の高温側、右
方の低温側に磁気的マスクが形成され、磁気超解像再生
される。なお、中間層３の空白部はキュリー温度以上に
加熱されており、磁化がない状態を示している。この方
法は、ＣＡＤ法のように再生層には磁化方向が斜め方向
を向いた領域は存在しない。この再生時の再生信号は、
ＣＡＤ法に比べて波形の変化が急峻で、正弦波とは離れ
た歪んだ波形となる。これは、低温側マスクとなる磁化
の方向が下向きであり、転写される領域の磁化の方向が
上向きとなるため、信号の変化が急峻になると考えられ
る。
すように、記録層１、中間層３及び再生層４からなり、
各層の磁化方向が垂直である光磁気記録媒体が通常使用
される。この媒体に記録された情報を再生するために光
を照射した場合、光スポット５の中心（中温部）では記
録層の磁化方向が再生層に転写され、光スポット５内の
周辺では再生磁場の影響により、図面左方の高温側、右
方の低温側に磁気的マスクが形成され、磁気超解像再生
される。なお、中間層３の空白部はキュリー温度以上に
加熱されており、磁化がない状態を示している。この方
法は、ＣＡＤ法のように再生層には磁化方向が斜め方向
を向いた領域は存在しない。この再生時の再生信号は、
ＣＡＤ法に比べて波形の変化が急峻で、正弦波とは離れ
た歪んだ波形となる。これは、低温側マスクとなる磁化
の方向が下向きであり、転写される領域の磁化の方向が
上向きとなるため、信号の変化が急峻になると考えられ
る。
【０００５】図からわかるように、Ｄ−ＲＡＤ法は、Ｃ
ＡＤ法と比べて振幅が大きくなっている。これは、換言
すると、分解能が高いことを意味する。そのため、Ｄ−
ＲＡＤ法は、ＣＡＤ法と比べて良好なＣ／Ｎを有してい
る。
ＡＤ法と比べて振幅が大きくなっている。これは、換言
すると、分解能が高いことを意味する。そのため、Ｄ−
ＲＡＤ法は、ＣＡＤ法と比べて良好なＣ／Ｎを有してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＡＤ法
は、ＰＲＭＬ技術と通常称される信号処理方法を用いる
ことにより、Ｃ／Ｎを２ｄＢ程度向上さすことができ
る。この技術は、再生波形が正弦波であることを利用し
た技術であるが、Ｄ−ＲＡＤ法の場合、再生波形が正弦
波からずれて歪んでいるためＰＲＭＬ技術を適用するこ
とが困難である。
は、ＰＲＭＬ技術と通常称される信号処理方法を用いる
ことにより、Ｃ／Ｎを２ｄＢ程度向上さすことができ
る。この技術は、再生波形が正弦波であることを利用し
た技術であるが、Ｄ−ＲＡＤ法の場合、再生波形が正弦
波からずれて歪んでいるためＰＲＭＬ技術を適用するこ
とが困難である。
【０００７】本発明の発明者は、上記Ｄ−ＲＡＤ法とＣ
ＡＤ法の利点及び問題点を考慮し、鋭意検討した結果、
Ｄ−ＲＡＤ法に使用される媒体において、その再生波形
が正弦波に近く、それによりＰＲＭＬ技術を適用可能な
光磁気記録媒体を見いだし本発明に至った。
ＡＤ法の利点及び問題点を考慮し、鋭意検討した結果、
Ｄ−ＲＡＤ法に使用される媒体において、その再生波形
が正弦波に近く、それによりＰＲＭＬ技術を適用可能な
光磁気記録媒体を見いだし本発明に至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、少なくとも再生層、中間層、連結層及び記録層から
なり、再生層及び中間層が、無磁界で斜めの磁化方向を
有する層であり、連結層が、それ単独では室温で非磁性
で、かつ磁性層と接することにより誘導されて磁性を呈
する層からなることを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
ば、少なくとも再生層、中間層、連結層及び記録層から
なり、再生層及び中間層が、無磁界で斜めの磁化方向を
有する層であり、連結層が、それ単独では室温で非磁性
で、かつ磁性層と接することにより誘導されて磁性を呈
する層からなることを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
【０００９】更に、本発明によれば、少なくとも再生
層、中間層、連結層及び記録層からなり、再生層及び中
間層が、２００〜５０Ｏｅ（エルステッド）のシフト量
（絶対値）を有する層であり、連結層が、それ単独では
室温で非磁性で、かつ磁性層と接することにより誘導さ
れて磁性を呈する層からなることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
層、中間層、連結層及び記録層からなり、再生層及び中
間層が、２００〜５０Ｏｅ（エルステッド）のシフト量
（絶対値）を有する層であり、連結層が、それ単独では
室温で非磁性で、かつ磁性層と接することにより誘導さ
れて磁性を呈する層からなることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
【００１０】また、本発明によれば、上記光磁気記録媒
体の再生方法であって、外部磁界を印加しながら、再生
光ビームを光磁気記録媒体に照射してビームスポット内
に高温部、中温部及び低温部を形成し、高温部及び低温
部をマスクとして、中温部から再生することを特徴とす
る光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
体の再生方法であって、外部磁界を印加しながら、再生
光ビームを光磁気記録媒体に照射してビームスポット内
に高温部、中温部及び低温部を形成し、高温部及び低温
部をマスクとして、中温部から再生することを特徴とす
る光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
【００１１】本発明の光磁気記録媒体は、再生層及び中
間層の磁化方向を、無磁界の場合（外部磁界がない状態
で）、ＣＡＤ法に使用される媒体の再生層及び中間層の
ように面内方向でなく、Ｄ−ＲＡＤ法に使用される媒体
の再生層及び中間層のように垂直でなく、斜め方向にす
ることを特徴の１つとしている。この磁化方向を実現す
るために、本発明の媒体は、Ｄ−ＲＡＤ法に使用される
構成を基本とし、再生層及び中間層と、記録層との間
に、両者の交換結合力を弱めるための連結層を介在させ
ている。
間層の磁化方向を、無磁界の場合（外部磁界がない状態
で）、ＣＡＤ法に使用される媒体の再生層及び中間層の
ように面内方向でなく、Ｄ−ＲＡＤ法に使用される媒体
の再生層及び中間層のように垂直でなく、斜め方向にす
ることを特徴の１つとしている。この磁化方向を実現す
るために、本発明の媒体は、Ｄ−ＲＡＤ法に使用される
構成を基本とし、再生層及び中間層と、記録層との間
に、両者の交換結合力を弱めるための連結層を介在させ
ている。
【００１２】具体的には、図１（ｃ）に示すように、光
スポットの後部（リア部）において、再生層の磁化方向
は、再生磁場の影響により、光スポットの中心部（転写
部）と正反対であるため、ＣＡＤ法よりＣ／Ｎを向上さ
せることができる。また、光スポットの前部（フロント
部）において、再生層の磁化方向は、斜めであるため、
再生波形を正弦波に近づけることができる。図中、６は
連結層を意味する。
スポットの後部（リア部）において、再生層の磁化方向
は、再生磁場の影響により、光スポットの中心部（転写
部）と正反対であるため、ＣＡＤ法よりＣ／Ｎを向上さ
せることができる。また、光スポットの前部（フロント
部）において、再生層の磁化方向は、斜めであるため、
再生波形を正弦波に近づけることができる。図中、６は
連結層を意味する。
【００１３】本発明の媒体は、消去状態では、再生層及
び中間層の磁化が斜め方向を向いている（図２（ａ）参
照）。記録状態では、記録された部分に対応する再生層
と中間層の磁化が、記録層の磁化の影響を受けて面内方
向に向いている（図２（ｂ）参照）。更に、再生状態で
は、光スポットの後部（リア部、高温部）において、再
生層の磁化方向は、光スポットの中心部（転写部、中温
部）と正反対であり、光スポットの前部（フロント部、
低温部）において、再生層の磁化方向は斜めであり、光
スポットの中心部では、記録層の磁化が再生層に転写さ
れる（図２（ｃ）参照）。
び中間層の磁化が斜め方向を向いている（図２（ａ）参
照）。記録状態では、記録された部分に対応する再生層
と中間層の磁化が、記録層の磁化の影響を受けて面内方
向に向いている（図２（ｂ）参照）。更に、再生状態で
は、光スポットの後部（リア部、高温部）において、再
生層の磁化方向は、光スポットの中心部（転写部、中温
部）と正反対であり、光スポットの前部（フロント部、
低温部）において、再生層の磁化方向は斜めであり、光
スポットの中心部では、記録層の磁化が再生層に転写さ
れる（図２（ｃ）参照）。
【００１４】つまり、本発明の媒体は、Ｄ−ＲＡＤ法に
使用される媒体よりＣ／Ｎが小さいが、ＣＡＤ法に使用
される媒体よりＣ／Ｎが大きい。図１（ａ）〜（ｃ）を
用いて説明すると、ＣＡＤ法に使用される媒体は、図１
（ａ）に示されているように、再生層の磁化の向きが、
面内−垂直に変化する。これに対して、Ｄ−ＲＡＤ法に
使用される媒体は、図１（ｂ）に示されているように、
再生層の磁化の向きが垂直のまま１８０°変化する。つ
まり、両媒体では、再生層の磁化の向きの変化量が、Ｄ
−ＲＡＤ法の方が大きいこととなる。変化量は再生波形
の振幅の大きさと相関関係を有しており、Ｄ−ＲＡＤ法
の方が振幅の高い再生波形が得られることとなる。一
方、本発明の媒体は、再生層の磁化の向きが斜めである
ため、斜めから垂直へ変化する。つまり、磁化の向きに
垂直成分が存在し、そのためＣＡＤ法よりも大きく、Ｄ
−ＲＡＤ法よりも小さい振幅となる。
使用される媒体よりＣ／Ｎが小さいが、ＣＡＤ法に使用
される媒体よりＣ／Ｎが大きい。図１（ａ）〜（ｃ）を
用いて説明すると、ＣＡＤ法に使用される媒体は、図１
（ａ）に示されているように、再生層の磁化の向きが、
面内−垂直に変化する。これに対して、Ｄ−ＲＡＤ法に
使用される媒体は、図１（ｂ）に示されているように、
再生層の磁化の向きが垂直のまま１８０°変化する。つ
まり、両媒体では、再生層の磁化の向きの変化量が、Ｄ
−ＲＡＤ法の方が大きいこととなる。変化量は再生波形
の振幅の大きさと相関関係を有しており、Ｄ−ＲＡＤ法
の方が振幅の高い再生波形が得られることとなる。一
方、本発明の媒体は、再生層の磁化の向きが斜めである
ため、斜めから垂直へ変化する。つまり、磁化の向きに
垂直成分が存在し、そのためＣＡＤ法よりも大きく、Ｄ
−ＲＡＤ法よりも小さい振幅となる。
【００１５】更に、再生波形が正弦波に近いため、ＰＲ
ＭＬ技術を適用することができるので、Ｄ−ＲＡＤ法に
使用される媒体より大きなＣ／Ｎを実現することができ
る。
ＭＬ技術を適用することができるので、Ｄ−ＲＡＤ法に
使用される媒体より大きなＣ／Ｎを実現することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の媒体の構成を説明
する。
する。
【００１７】まず、連結層は、それ単独では室温で非磁
性で、かつ他の磁性層と接することにより誘導されて磁
性を呈する層であれば、とくに限定されない。連結層と
しては、例えば、ＧｄＮｄ、ＧｄＰｒ、ＧｄＳｍ、Ｎｄ
ＦｅＢｉ、ＡｌＦｅ等の合金が挙げられる。この連結層
の厚さ及び組成は、上記特性を呈するように、適宜調整
される。
性で、かつ他の磁性層と接することにより誘導されて磁
性を呈する層であれば、とくに限定されない。連結層と
しては、例えば、ＧｄＮｄ、ＧｄＰｒ、ＧｄＳｍ、Ｎｄ
ＦｅＢｉ、ＡｌＦｅ等の合金が挙げられる。この連結層
の厚さ及び組成は、上記特性を呈するように、適宜調整
される。
【００１８】再生層、中間層及び記録層は、とくに限定
されず、Ｄ−ＲＡＤ法に使用される層をいずれも使用す
ることができる。特に、希土類−遷移金属合金層からな
ることが好ましい。例えば、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ、
ＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＳｉ等からなる層が挙
げられる。上記層は、所望の性質を呈するように、組成
及び組み合わせが調整される。特に、中間層と連結層
は、磁化のセンスが同じであることが好ましい。ここ
で、磁化のセンスが同じとは、両層がいずれも遷移金属
優位であるか、又は希土類元素優位である組成を有する
ことを意味する。
されず、Ｄ−ＲＡＤ法に使用される層をいずれも使用す
ることができる。特に、希土類−遷移金属合金層からな
ることが好ましい。例えば、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ、
ＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＳｉ等からなる層が挙
げられる。上記層は、所望の性質を呈するように、組成
及び組み合わせが調整される。特に、中間層と連結層
は、磁化のセンスが同じであることが好ましい。ここ
で、磁化のセンスが同じとは、両層がいずれも遷移金属
優位であるか、又は希土類元素優位である組成を有する
ことを意味する。
【００１９】更に、再生層と中間層は、磁化の向きが互
いに逆方向になることが好ましい。同方向の場合、両層
の磁化が積算されるため大きくなり、転写温度において
垂直磁化となることが困難となるため好ましくない。ま
た、再生層は、中間層よりキュリー温度が高いことが好
ましい（具体的には、リアマスクを形成しやすくするた
めに、再生層の方が中間層より６０〜１２０℃高いこと
が好ましい）。なお、中間層は、再生層の磁化の制御が
容易になるように調整する機能を有している。
いに逆方向になることが好ましい。同方向の場合、両層
の磁化が積算されるため大きくなり、転写温度において
垂直磁化となることが困難となるため好ましくない。ま
た、再生層は、中間層よりキュリー温度が高いことが好
ましい（具体的には、リアマスクを形成しやすくするた
めに、再生層の方が中間層より６０〜１２０℃高いこと
が好ましい）。なお、中間層は、再生層の磁化の制御が
容易になるように調整する機能を有している。
【００２０】本発明の媒体の層構成の例を図３に示す。
図中、ＲＥ−ｒｉｃｈは希土類元素優位、ＴＭ−ｒｉｃ
ｈは遷移金属優位の組成を意味する。図３に示すよう
に、再生層、中間層、連結層及び記録層が、ＲＥ−ｒｉ
ｃｈ、ＴＭ−ｒｉｃｈ、ＴＭ−ｒｉｃｈ及びＴＭ−ｒｉ
ｃｈの組み合わせ（Ｔｙｐｅ Ｉ）、ＴＭ−ｒｉｃｈ、
ＲＥ−ｒｉｃｈ、ＲＥ−ｒｉｃｈ及びＴＭ−ｒｉｃｈの
組み合わせ（ＴｙｐｅＩＩ）、ＲＥ−ｒｉｃｈ、ＴＭ−
ｒｉｃｈ、ＴＭ−ｒｉｃｈ及びＲＥ−ｒｉｃｈの組み合
わせ（Ｔｙｐｅ ＩＩＩ）、ＴＭ−ｒｉｃｈ、ＲＥ−ｒ
ｉｃｈ、ＲＥ−ｒｉｃｈ及びＲＥ−ｒｉｃｈの組み合わ
せ（Ｔｙｐｅ ＩＶ）の組み合わせが挙げられる。この
うち、記録層と連結層との間の交換結合力が比較的強
い、Ｔｙｐｅ Ｉ〜ＩＩＩがより好ましく、より強いＴ
ｙｐｅ Ｉが特に好ましい。
図中、ＲＥ−ｒｉｃｈは希土類元素優位、ＴＭ−ｒｉｃ
ｈは遷移金属優位の組成を意味する。図３に示すよう
に、再生層、中間層、連結層及び記録層が、ＲＥ−ｒｉ
ｃｈ、ＴＭ−ｒｉｃｈ、ＴＭ−ｒｉｃｈ及びＴＭ−ｒｉ
ｃｈの組み合わせ（Ｔｙｐｅ Ｉ）、ＴＭ−ｒｉｃｈ、
ＲＥ−ｒｉｃｈ、ＲＥ−ｒｉｃｈ及びＴＭ−ｒｉｃｈの
組み合わせ（ＴｙｐｅＩＩ）、ＲＥ−ｒｉｃｈ、ＴＭ−
ｒｉｃｈ、ＴＭ−ｒｉｃｈ及びＲＥ−ｒｉｃｈの組み合
わせ（Ｔｙｐｅ ＩＩＩ）、ＴＭ−ｒｉｃｈ、ＲＥ−ｒ
ｉｃｈ、ＲＥ−ｒｉｃｈ及びＲＥ−ｒｉｃｈの組み合わ
せ（Ｔｙｐｅ ＩＶ）の組み合わせが挙げられる。この
うち、記録層と連結層との間の交換結合力が比較的強
い、Ｔｙｐｅ Ｉ〜ＩＩＩがより好ましく、より強いＴ
ｙｐｅ Ｉが特に好ましい。
【００２１】ここで、磁化方向の角度は、直接測定する
ことが困難であるため、本発明では次のように計算して
いる。すなわち、再生層と中間層のみが再生可能な、す
なわち記録層の磁化の転写が生じない一定の低再生パワ
ーのレーザ光を照射しながら＋及び−の磁界を印加し
て、再生層から得られるカー回転角に対応する信号レベ
ルを測定する。得られたヒステリシスループの信号レベ
ルが０ｍＶ（磁化方向が面内方向になる部分）から急激
に立ち上がる点を求め磁場のシフト量を算出する。この
シフト量は、再生層の磁化の向きと比例関係を有してお
り、この量から再生層及び中間層の磁化方向の角度を計
算することができる。具体例は図４を用いて後述する。
ことが困難であるため、本発明では次のように計算して
いる。すなわち、再生層と中間層のみが再生可能な、す
なわち記録層の磁化の転写が生じない一定の低再生パワ
ーのレーザ光を照射しながら＋及び−の磁界を印加し
て、再生層から得られるカー回転角に対応する信号レベ
ルを測定する。得られたヒステリシスループの信号レベ
ルが０ｍＶ（磁化方向が面内方向になる部分）から急激
に立ち上がる点を求め磁場のシフト量を算出する。この
シフト量は、再生層の磁化の向きと比例関係を有してお
り、この量から再生層及び中間層の磁化方向の角度を計
算することができる。具体例は図４を用いて後述する。
【００２２】
【実施例】実施例１ まず、Ｔｙｐｅ Ｉについて実験した。
【００２３】媒体は、Ｇｄ２７Ｆｅ５８Ｃｏ１５（膜厚
４０ｎｍ、元素記号の後の数字は原子％を意味する）の
再生層、Ｇｄ１５Ｆｅ８５（膜厚２０ｎｍ）の中間層、
Ｇｄ１０Ｎｄ９０（７ｎｍ）の連結層、Ｔｂ２１Ｆｅ５
９Ｃｏ２０（膜厚５０ｎｍ）の記録層からなる図３に示
したＴｙｐｅ Ｉに対応する媒体１と、連結層の組成を
Ｇｄ１５Ｎｄ８５（７ｎｍ）と変化させ、その他の３つ
の層は媒体１と同じ構成とした媒体２を用いた。
４０ｎｍ、元素記号の後の数字は原子％を意味する）の
再生層、Ｇｄ１５Ｆｅ８５（膜厚２０ｎｍ）の中間層、
Ｇｄ１０Ｎｄ９０（７ｎｍ）の連結層、Ｔｂ２１Ｆｅ５
９Ｃｏ２０（膜厚５０ｎｍ）の記録層からなる図３に示
したＴｙｐｅ Ｉに対応する媒体１と、連結層の組成を
Ｇｄ１５Ｎｄ８５（７ｎｍ）と変化させ、その他の３つ
の層は媒体１と同じ構成とした媒体２を用いた。
【００２４】各層は、ＤＣスパッタ法により形成し、記
録層はガス圧１Ｐａと投入電力０．５ｋＷ、中間層はガ
ス圧０．５Ｐａと投入電力０．８ｋＷ、連結層はガス圧
０．５Ｐａと投入電力０．５ｋＷ、再生層はガス圧０．
８Ｐａと投入電力０．８ｋＷの条件でそれぞれ形成し
た。各層のキュリー温度は、再生層が２５０℃、中間層
が１８５℃、記録層が２８０℃であった。
録層はガス圧１Ｐａと投入電力０．５ｋＷ、中間層はガ
ス圧０．５Ｐａと投入電力０．８ｋＷ、連結層はガス圧
０．５Ｐａと投入電力０．５ｋＷ、再生層はガス圧０．
８Ｐａと投入電力０．８ｋＷの条件でそれぞれ形成し
た。各層のキュリー温度は、再生層が２５０℃、中間層
が１８５℃、記録層が２８０℃であった。
【００２５】再生パワー（Ｐｒ）を再生層から記録層に
向けて１．５ｍＷ印加し、媒体の回転速度（ｖ）を７．
５ｍ／ｓとした。媒体１及び２の再生層のヒステリシス
ループを図４に示す。図４中、○は媒体１を、□は媒体
２に相当している。図からわかるように、媒体１のシフ
ト量は約−５０Ｏｅ（図中Ａ）、媒体２のシフト量は約
−２００Ｏｅ（図中Ｂ）である。シフト量は、再生層の
磁化の向きが、面内から垂直に向かって増加し、この媒
体１の場合１５°に、媒体２の場合４５°に相当すると
推測される。
向けて１．５ｍＷ印加し、媒体の回転速度（ｖ）を７．
５ｍ／ｓとした。媒体１及び２の再生層のヒステリシス
ループを図４に示す。図４中、○は媒体１を、□は媒体
２に相当している。図からわかるように、媒体１のシフ
ト量は約−５０Ｏｅ（図中Ａ）、媒体２のシフト量は約
−２００Ｏｅ（図中Ｂ）である。シフト量は、再生層の
磁化の向きが、面内から垂直に向かって増加し、この媒
体１の場合１５°に、媒体２の場合４５°に相当すると
推測される。
【００２６】ここで、シフト量と再生信号振幅との関係
を模式的に図５に示す。横軸はシフト量（Ｏｅ）を、縦
軸はシフト量が０Ｏｅの場合の振幅を１とした場合の比
較値を意味している。なお、図５中、振幅が１の場合は
ＣＡＤ法の媒体に相当し、２の場合はＤ−ＲＡＤ法の媒
体に相当する。図５からわかるように、シフト量が約−
５０Ｏｅより小さい場合、振幅がＣＡＤ法の媒体より大
きいことがわかる。また、−２００Ｏｅを越えると急激
に振幅が大きくなり、そのため再生波形がＤ−ＲＡＤに
近くなり、歪むこととなる。よって、本発明の媒体のシ
フト量は、−２００〜−５０Ｏｅの範囲内が好適であ
る。
を模式的に図５に示す。横軸はシフト量（Ｏｅ）を、縦
軸はシフト量が０Ｏｅの場合の振幅を１とした場合の比
較値を意味している。なお、図５中、振幅が１の場合は
ＣＡＤ法の媒体に相当し、２の場合はＤ−ＲＡＤ法の媒
体に相当する。図５からわかるように、シフト量が約−
５０Ｏｅより小さい場合、振幅がＣＡＤ法の媒体より大
きいことがわかる。また、−２００Ｏｅを越えると急激
に振幅が大きくなり、そのため再生波形がＤ−ＲＡＤに
近くなり、歪むこととなる。よって、本発明の媒体のシ
フト量は、−２００〜−５０Ｏｅの範囲内が好適であ
る。
【００２７】なお、シフト量の符号は、磁場の印加方向
に依存しており、書き込み方向又は消去方向のいずれの
方向であるかによって異なるが、シフト量の絶対値と振
幅及び再生波形との関係は、符号の正負に関わらず一定
である。
に依存しており、書き込み方向又は消去方向のいずれの
方向であるかによって異なるが、シフト量の絶対値と振
幅及び再生波形との関係は、符号の正負に関わらず一定
である。
【００２８】実施例２ 図３のＴｙｐｅ Ｉ及びＩＩＩにおいて、連結層がＧｄ
Ｎｄ層からなる場合について、ＧｄＮｄ層の組成につい
て検討する。Ｇｄの含量を変化させること以外は、実施
例１の条件と同様にして媒体を製造し、その媒体のシフ
ト量を測定した。但し、Ｔｙｐｅ Ｉの記録層はＴｂ２
１Ｆｅ５９Ｃｏ２０層（膜厚５０ｎｍ）とし、Ｔｙｐｅ
ＩＩＩはＴｂ２５Ｆｅ５５Ｃｏ２０層（膜厚５０ｎ
ｍ）とした。結果を図６に示す。図６からわかるよう
に、磁化の向きを１５°以上（シフト量−５０Ｏｅ以
下）にするには、Ｔｙｐｅ Ｉでは、Ｇｄ９〜２１Ｎｄ
９１〜７９からなるＴＭ−ｒｉｃｈの組成であることが
好ましいことがわかる。また、Ｔｙｐｅ ＩＩＩでは、
Ｇｄ１０〜２０．５Ｎｄ９０〜７９．５からなるＴＭ−
ｒｉｃｈの組成であることが好ましいことがわかる。
Ｎｄ層からなる場合について、ＧｄＮｄ層の組成につい
て検討する。Ｇｄの含量を変化させること以外は、実施
例１の条件と同様にして媒体を製造し、その媒体のシフ
ト量を測定した。但し、Ｔｙｐｅ Ｉの記録層はＴｂ２
１Ｆｅ５９Ｃｏ２０層（膜厚５０ｎｍ）とし、Ｔｙｐｅ
ＩＩＩはＴｂ２５Ｆｅ５５Ｃｏ２０層（膜厚５０ｎ
ｍ）とした。結果を図６に示す。図６からわかるよう
に、磁化の向きを１５°以上（シフト量−５０Ｏｅ以
下）にするには、Ｔｙｐｅ Ｉでは、Ｇｄ９〜２１Ｎｄ
９１〜７９からなるＴＭ−ｒｉｃｈの組成であることが
好ましいことがわかる。また、Ｔｙｐｅ ＩＩＩでは、
Ｇｄ１０〜２０．５Ｎｄ９０〜７９．５からなるＴＭ−
ｒｉｃｈの組成であることが好ましいことがわかる。
【００２９】実施例３ 更に、上記図３のＴｙｐｅ Ｉ及びＩＩＩにおいて、連
結層の厚さについて検討する。連結層の組成をＧｄ１５
Ｎｄ８５に固定し、連結層の厚さを変動させること以外
は、実施例２の条件と同様にして、媒体を製造し、その
媒体のシフト量を測定した。結果を図７に示す。磁化の
向きを１５°以上にするには、連結層の厚さが１４ｎｍ
以下であることが好ましいことがわかる。連結層の厚さ
の下限は、該層が薄すぎると磁化の向きが垂直になりや
すくなり、再生波形が正弦波から遠ざかってしまうの
で、５ｎｍ以上であることが好ましい。
結層の厚さについて検討する。連結層の組成をＧｄ１５
Ｎｄ８５に固定し、連結層の厚さを変動させること以外
は、実施例２の条件と同様にして、媒体を製造し、その
媒体のシフト量を測定した。結果を図７に示す。磁化の
向きを１５°以上にするには、連結層の厚さが１４ｎｍ
以下であることが好ましいことがわかる。連結層の厚さ
の下限は、該層が薄すぎると磁化の向きが垂直になりや
すくなり、再生波形が正弦波から遠ざかってしまうの
で、５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００３０】連結層の組成をＧｄ１５Ｎｄ８５に固定し
たＴｙｐｅ Ｉの媒体において、連結層の厚さとＣ／Ｎ
との関係を図８に示す。図８からも、連結層の厚さは、
５〜１４ｎｍが好ましく、１０ｎｍ前後がより好ましい
ことがわかる。
たＴｙｐｅ Ｉの媒体において、連結層の厚さとＣ／Ｎ
との関係を図８に示す。図８からも、連結層の厚さは、
５〜１４ｎｍが好ましく、１０ｎｍ前後がより好ましい
ことがわかる。
【００３１】上記Ｃ／Ｎの測定条件は次のとおりであ
る。波長が６６０ｎｍのレーザー光を再生パワー３ｍ
Ｗ、線速度７．５ｍ／ｓｅｃの媒体に照射すると共に再
生磁場を１００Ｏｅ印加して、０．４μｍの記録マーク
を再生した。
る。波長が６６０ｎｍのレーザー光を再生パワー３ｍ
Ｗ、線速度７．５ｍ／ｓｅｃの媒体に照射すると共に再
生磁場を１００Ｏｅ印加して、０．４μｍの記録マーク
を再生した。
【００３２】実施例４ 次に、図３のＴｙｐｅ ＩＩ及びＩＶにおいて、連結層
がＧｄＮｄ層からなる場合について、ＧｄＮｄ層の組成
について検討する。但し、連結層は共通でＧｄＮｄと
し、Ｔｙｐｅ ＩＩの媒体は、Ｇｄ２０Ｆｅ６５Ｃｏ１
５（膜厚３５ｎｍ）の再生層、Ｇｄ２７Ｆｅ７３（膜厚
１５ｎｍ）の中間層、Ｔｂ２１Ｆｅ５９Ｃｏ２０（膜厚
５０ｎｍ）の記録層の媒体を用い、Ｔｙｐｅ ＩＶの媒
体は、Ｇｄ２０Ｆｅ６５Ｃｏ１５（膜厚３０ｎｍ）の再
生層、Ｇｄ２７Ｆｅ７３（膜厚１０ｎｍ）の中間層、Ｔ
ｂ２５Ｆｅ５５Ｃｏ２０（膜厚５０ｎｍ）の記録層の媒
体を用いた。連結層のＧｄの含量を変化させ、実施例１
の条件と同様にして媒体を製造し、その媒体のシフト量
を測定した。
がＧｄＮｄ層からなる場合について、ＧｄＮｄ層の組成
について検討する。但し、連結層は共通でＧｄＮｄと
し、Ｔｙｐｅ ＩＩの媒体は、Ｇｄ２０Ｆｅ６５Ｃｏ１
５（膜厚３５ｎｍ）の再生層、Ｇｄ２７Ｆｅ７３（膜厚
１５ｎｍ）の中間層、Ｔｂ２１Ｆｅ５９Ｃｏ２０（膜厚
５０ｎｍ）の記録層の媒体を用い、Ｔｙｐｅ ＩＶの媒
体は、Ｇｄ２０Ｆｅ６５Ｃｏ１５（膜厚３０ｎｍ）の再
生層、Ｇｄ２７Ｆｅ７３（膜厚１０ｎｍ）の中間層、Ｔ
ｂ２５Ｆｅ５５Ｃｏ２０（膜厚５０ｎｍ）の記録層の媒
体を用いた。連結層のＧｄの含量を変化させ、実施例１
の条件と同様にして媒体を製造し、その媒体のシフト量
を測定した。
【００３３】結果を図９に示す。図９からわかるよう
に、磁化の向きを１５°以上（シフト量−５０Ｏｅ以
下）にするには、Ｔｙｐｅ ＩＩでは、Ｇｄ３４〜８０
Ｎｄ６６〜２０からなるＲＥ−ｒｉｃｈの組成であるこ
とが好ましいことがわかる。Ｔｙｐｅ ＩＶでは、Ｇｄ
３６〜８０Ｎｄ６４〜２０からなるＲＥ−ｒｉｃｈの組
成であることが好ましいことがわかる。
に、磁化の向きを１５°以上（シフト量−５０Ｏｅ以
下）にするには、Ｔｙｐｅ ＩＩでは、Ｇｄ３４〜８０
Ｎｄ６６〜２０からなるＲＥ−ｒｉｃｈの組成であるこ
とが好ましいことがわかる。Ｔｙｐｅ ＩＶでは、Ｇｄ
３６〜８０Ｎｄ６４〜２０からなるＲＥ−ｒｉｃｈの組
成であることが好ましいことがわかる。
【００３４】実施例５ 更に、上記図３のＴｙｐｅ ＩＩ及びＩＶにおいて、連
結層の厚さについて検討する。連結層をＧｄ４０Ｎｄ６
０層に固定し、連結層の厚さを変動させること以外は、
実施例４の条件と同様にして媒体を製造し、その媒体の
シフト量を測定した。結果を図１０に示す。磁化の向き
を１５°以上にするには、連結層の厚さが８．５ｎｍ以
下であることが好ましいことがわかる。連結層の厚さの
下限は、該層が薄すぎると磁化の向きが垂直になりやす
くなり、再生波形が正弦波から遠ざかってしまうので、
３ｎｍ以上であることが好ましい。
結層の厚さについて検討する。連結層をＧｄ４０Ｎｄ６
０層に固定し、連結層の厚さを変動させること以外は、
実施例４の条件と同様にして媒体を製造し、その媒体の
シフト量を測定した。結果を図１０に示す。磁化の向き
を１５°以上にするには、連結層の厚さが８．５ｎｍ以
下であることが好ましいことがわかる。連結層の厚さの
下限は、該層が薄すぎると磁化の向きが垂直になりやす
くなり、再生波形が正弦波から遠ざかってしまうので、
３ｎｍ以上であることが好ましい。
【００３５】実施例６ 次に、ＧｄＮｄ層以外の連結層を検討する。Ｔｙｐｅ
Ｉ〜ＩＩＩの媒体において、ＧｄＮｄ層をＮｄＦｅＢｉ
層又はＡｌＦｅ層に替え、Ｆｅの量を変動させること以
外は、実施例２や４の条件と同様にして媒体を製造し、
その媒体のシフト量を測定した。結果を図１１に示す。
図１１からわかるように、ＮｄＦｅＢｉ層の場合、Ｆｅ
の含量を２原子％以上とすることが好ましく、特に２〜
１４原子％であることが好ましく、ＡｌＦｅ層の場合、
６〜１５原子％の範囲が好ましいことがわかった。な
お、どちらの層もＦｅ量がこれ以上増えると垂直磁化と
なってしまう。ＡｌＦｅ層において、Ｆｅ量が６原子％
より少なくなると内面磁化となってしまう。
Ｉ〜ＩＩＩの媒体において、ＧｄＮｄ層をＮｄＦｅＢｉ
層又はＡｌＦｅ層に替え、Ｆｅの量を変動させること以
外は、実施例２や４の条件と同様にして媒体を製造し、
その媒体のシフト量を測定した。結果を図１１に示す。
図１１からわかるように、ＮｄＦｅＢｉ層の場合、Ｆｅ
の含量を２原子％以上とすることが好ましく、特に２〜
１４原子％であることが好ましく、ＡｌＦｅ層の場合、
６〜１５原子％の範囲が好ましいことがわかった。な
お、どちらの層もＦｅ量がこれ以上増えると垂直磁化と
なってしまう。ＡｌＦｅ層において、Ｆｅ量が６原子％
より少なくなると内面磁化となってしまう。
【００３６】実施例７ 次に、本発明の媒体の記録層は、複数層からなっていて
もよい。磁界変調記録する場合には、記録磁界はできる
だけ小さい方が有利である。従って、再生時の再生層と
中間層の磁化の特性に影響を与えずに記録磁界を下げる
ために、記録層を二層化してもよい。記録層が単層の場
合と、記録層を二層化した場合の記録磁界と上記シフト
磁化を測定した。具体的には、記録層が単層の場合の媒
体には、Ｇｄ２７Ｆｅ５８Ｃｏ１５（膜厚４０ｎｍ）の
再生層、Ｇｄ１５Ｆｅ８５（膜厚２０ｎｍ）の中間層、
Ｇｄ１５Ｎｄ８５（７ｎｍ）の連結層、ＴｂｘＦｅ８０
−ｘＣｏ２０（膜厚５０ｎｍ）の記録層からなる媒体を
使用し、Ｔｂの含量を変動させた。一方、記録層を二層
化した場合の媒体には、連結層側の記録層（第１記録
層）をＴｂ２１Ｆｅ５９Ｃｏ２０とし、第１記録層上の
第２記録層をＴｂｘＦｅ８２−ｘＣｏ１８とし、第２記
録層のＴｂ含量を変動させると共に、第２記録層の厚さ
を５、７．５及び１０ｎｍと変動させ、それに対応して
第１記録層の厚さを４５、４２．５及び４０ｎｍに変動
させた。記録層が単層及び２層の場合の測定結果を図１
２（ａ）及び（ｂ）に示す。図中、○はシフト量、□は
記録磁場を意味する。
もよい。磁界変調記録する場合には、記録磁界はできる
だけ小さい方が有利である。従って、再生時の再生層と
中間層の磁化の特性に影響を与えずに記録磁界を下げる
ために、記録層を二層化してもよい。記録層が単層の場
合と、記録層を二層化した場合の記録磁界と上記シフト
磁化を測定した。具体的には、記録層が単層の場合の媒
体には、Ｇｄ２７Ｆｅ５８Ｃｏ１５（膜厚４０ｎｍ）の
再生層、Ｇｄ１５Ｆｅ８５（膜厚２０ｎｍ）の中間層、
Ｇｄ１５Ｎｄ８５（７ｎｍ）の連結層、ＴｂｘＦｅ８０
−ｘＣｏ２０（膜厚５０ｎｍ）の記録層からなる媒体を
使用し、Ｔｂの含量を変動させた。一方、記録層を二層
化した場合の媒体には、連結層側の記録層（第１記録
層）をＴｂ２１Ｆｅ５９Ｃｏ２０とし、第１記録層上の
第２記録層をＴｂｘＦｅ８２−ｘＣｏ１８とし、第２記
録層のＴｂ含量を変動させると共に、第２記録層の厚さ
を５、７．５及び１０ｎｍと変動させ、それに対応して
第１記録層の厚さを４５、４２．５及び４０ｎｍに変動
させた。記録層が単層及び２層の場合の測定結果を図１
２（ａ）及び（ｂ）に示す。図中、○はシフト量、□は
記録磁場を意味する。
【００３７】図１２（ｂ）からわかるように、シフト量
を第１記録層で実現し、第２記録層で記録磁界を広いＴ
ｂ含量の範囲で下げることができている。これに対し
て、図１２（ａ）からわかるように、記録層が単層の場
合でもＴｂの含有量を増大させることにより、記録磁場
を減少させることができるが、所定量をこえるとシフト
磁化も小さくなり初期の目的を達成できなくなる。この
ように記録層が単層の場合、所定のシフト量と記録磁界
の低減を実現しうるＴｂの含量の範囲が狭いことがわか
る。
を第１記録層で実現し、第２記録層で記録磁界を広いＴ
ｂ含量の範囲で下げることができている。これに対し
て、図１２（ａ）からわかるように、記録層が単層の場
合でもＴｂの含有量を増大させることにより、記録磁場
を減少させることができるが、所定量をこえるとシフト
磁化も小さくなり初期の目的を達成できなくなる。この
ように記録層が単層の場合、所定のシフト量と記録磁界
の低減を実現しうるＴｂの含量の範囲が狭いことがわか
る。
【００３８】実施例８ 更に、ＧｄＮｄからなる連結層に替えて、ＧｄＰｒ、Ｇ
ｄＳｍを用いた場合のＣ／Ｎを測定した。連結層の組成
は、Ｇｄ１５Ｐｒ８５（厚さ１５ｎｍ）、Ｇｄ１５Ｓｍ
８５（厚さ１０ｎｍ）とし、それ以外の媒体の構成は、
実施例１で使用した媒体と同一とした。測定条件は、再
生パワー（Ｐｒ）を３．０〜３．５ｍＷとし、媒体の周
速（ｖ）を７．５ｍ／ｓとし、マーク長を０．４μｍと
した。結果を図１３に示す。縦軸は実施例１で測定した
Ｃ／Ｎを１とした場合の比較値を表している。図から明
らかなようにＧｄＰｒとＧｄＳｍの両方とも、ＧｄＮｄ
と遜色のないＣ／Ｎを実現することができた。
ｄＳｍを用いた場合のＣ／Ｎを測定した。連結層の組成
は、Ｇｄ１５Ｐｒ８５（厚さ１５ｎｍ）、Ｇｄ１５Ｓｍ
８５（厚さ１０ｎｍ）とし、それ以外の媒体の構成は、
実施例１で使用した媒体と同一とした。測定条件は、再
生パワー（Ｐｒ）を３．０〜３．５ｍＷとし、媒体の周
速（ｖ）を７．５ｍ／ｓとし、マーク長を０．４μｍと
した。結果を図１３に示す。縦軸は実施例１で測定した
Ｃ／Ｎを１とした場合の比較値を表している。図から明
らかなようにＧｄＰｒとＧｄＳｍの両方とも、ＧｄＮｄ
と遜色のないＣ／Ｎを実現することができた。
【００３９】実施例９ 次に、再生層は、単層でもよいが、多層化されていても
よい。本発明の媒体の再生層の熱安定性について調べ
た。例えば、実施例１で使用した媒体の再生層をＧｄと
ＦｅＣｏの積層体に変え、ＧｄとＦｅＣｏの厚さの比は
１：１とし、全厚を３０ｎｍの膜を基板上に形成した。
この媒体を５〜１０年の経時劣化に相当する２００℃で
１時間アニール処理した後の異方性定数Ｋｕを測定し
た。結果を図１４に示す。図１４中、横軸は、ＧｄとＦ
ｅＣｏそれぞれの厚さを意味し、０は単層の場合を示し
ており、実施例１では再生層の厚さは４０ｎｍであった
が、ここでは３０ｎｍとした。縦軸は、アニール後のＫ
ｕを元のＫｕで割った値である。図からわかるように、
ＧｄとＦｅＣｏのそれぞれの厚さが０．２〜０．５ｎｍ
の範囲が特に良好である（例えば、Ｇｄ０．５ｎｍ、Ｆ
ｅＣｏ０．５ｎｍのときは３０層積層することにな
る）。従って、０．２〜０．５ｎｍの範囲の積層構造の
再生層を用いれば、経時劣化がほとんどないことを示し
ている。
よい。本発明の媒体の再生層の熱安定性について調べ
た。例えば、実施例１で使用した媒体の再生層をＧｄと
ＦｅＣｏの積層体に変え、ＧｄとＦｅＣｏの厚さの比は
１：１とし、全厚を３０ｎｍの膜を基板上に形成した。
この媒体を５〜１０年の経時劣化に相当する２００℃で
１時間アニール処理した後の異方性定数Ｋｕを測定し
た。結果を図１４に示す。図１４中、横軸は、ＧｄとＦ
ｅＣｏそれぞれの厚さを意味し、０は単層の場合を示し
ており、実施例１では再生層の厚さは４０ｎｍであった
が、ここでは３０ｎｍとした。縦軸は、アニール後のＫ
ｕを元のＫｕで割った値である。図からわかるように、
ＧｄとＦｅＣｏのそれぞれの厚さが０．２〜０．５ｎｍ
の範囲が特に良好である（例えば、Ｇｄ０．５ｎｍ、Ｆ
ｅＣｏ０．５ｎｍのときは３０層積層することにな
る）。従って、０．２〜０．５ｎｍの範囲の積層構造の
再生層を用いれば、経時劣化がほとんどないことを示し
ている。
【００４０】実施例１０ 実施例１の媒体を再生層のみ実施例９と同様に形成し
た。再生層を多層化した媒体と単層の媒体に記録を繰り
返した場合の経時Ｃ／Ｎを図１５に示す。再生条件は実
施例３と同様である。多層化した再生層は、ＧｄとＦｅ
Ｃｏの厚さがそれぞれ０．４ｎｍで全厚が３０ｎｍであ
る。図中、□は多層化した再生層の媒体、○は単層の媒
体を意味する。図からわかるように、多層化した再生層
の媒体は、単層の媒体に比べて、繰り返し回数を伸ばす
ことができる。
た。再生層を多層化した媒体と単層の媒体に記録を繰り
返した場合の経時Ｃ／Ｎを図１５に示す。再生条件は実
施例３と同様である。多層化した再生層は、ＧｄとＦｅ
Ｃｏの厚さがそれぞれ０．４ｎｍで全厚が３０ｎｍであ
る。図中、□は多層化した再生層の媒体、○は単層の媒
体を意味する。図からわかるように、多層化した再生層
の媒体は、単層の媒体に比べて、繰り返し回数を伸ばす
ことができる。
【００４１】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
本発明の効果を妨げない限り種々の変形が可能である。
本発明の効果を妨げない限り種々の変形が可能である。
【００４２】上記本発明の光磁気記録媒体は、プラスチ
ック基板、ガラス基板、シリコン基板等の当該分野で通
常使用される基板を備えている。基板は再生層側に面し
ていても記録層側に面していてもよい。また、再生層上
に、ＳｉＮ、ＳｉＯ2等の材料からなる誘電体層を備え
ていてもよい。更に、中間層と逆の記録層上にＳｉＮ、
ＳｉＯ2等の材料からなる誘電体層を備えていてもよ
く、この誘電体層上にＡｌ、ＡｌＣｒ、ＡｌＴｉのよう
な材料からなる放熱層を備えていてもよい。より具体的
な構成を図１６（ａ）と（ｂ）に示す。図中、７は基
板、８と９は誘電体層、１０は放熱層を意味する。な
お、図１６（ａ）の媒体はバックイルミネーションに、
図１６（ｂ）の媒体はフロントイルミネーションに好適
に使用することができる。
ック基板、ガラス基板、シリコン基板等の当該分野で通
常使用される基板を備えている。基板は再生層側に面し
ていても記録層側に面していてもよい。また、再生層上
に、ＳｉＮ、ＳｉＯ2等の材料からなる誘電体層を備え
ていてもよい。更に、中間層と逆の記録層上にＳｉＮ、
ＳｉＯ2等の材料からなる誘電体層を備えていてもよ
く、この誘電体層上にＡｌ、ＡｌＣｒ、ＡｌＴｉのよう
な材料からなる放熱層を備えていてもよい。より具体的
な構成を図１６（ａ）と（ｂ）に示す。図中、７は基
板、８と９は誘電体層、１０は放熱層を意味する。な
お、図１６（ａ）の媒体はバックイルミネーションに、
図１６（ｂ）の媒体はフロントイルミネーションに好適
に使用することができる。
【００４３】
【発明の効果】本発明の媒体によれば、再生層の磁化の
向きが斜め方向であるため、面内方向に向いているＣＡ
Ｄ法の媒体に比べて、再生波形の振幅を有意に向上させ
ることができる。更に、Ｄ−ＲＡＤ法の媒体に比べて、
再生波形を正弦波に近づけることができるので、正弦波
を利用するＰＲＭＬ技術等の各種再生方法を適用するこ
とができる。
向きが斜め方向であるため、面内方向に向いているＣＡ
Ｄ法の媒体に比べて、再生波形の振幅を有意に向上させ
ることができる。更に、Ｄ−ＲＡＤ法の媒体に比べて、
再生波形を正弦波に近づけることができるので、正弦波
を利用するＰＲＭＬ技術等の各種再生方法を適用するこ
とができる。
【図１】本発明と従来の光磁気記録媒体の再生状態の概
略説明図である。
略説明図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の消去、記録及び再生
状態の概略説明図である。
状態の概略説明図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体の概略構成図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体の信号レベルと磁界と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の光磁気記録媒体のシフト量と振幅との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図６】本発明の光磁気記録媒体の連結層のシフト量と
Ｇｄ含量との関係を示すグラフである。
Ｇｄ含量との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の光磁気記録媒体の連結層のシフト量と
膜厚との関係を示すグラフである。
膜厚との関係を示すグラフである。
【図８】本発明の光磁気記録媒体のＣ／Ｎと膜厚との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図９】本発明の光磁気記録媒体の連結層のシフト量と
Ｇｄ含量との関係を示すグラフである。
Ｇｄ含量との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の光磁気記録媒体の連結層のシフト量
と膜厚との関係を示すグラフである。
と膜厚との関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の光磁気記録媒体の連結層のシフト量
とＦｅ含量との関係を示すグラフである。
とＦｅ含量との関係を示すグラフである。
【図１２】本発明の光磁気記録媒体の記録層が単層と二
層からなる場合の磁界とＴｂ含量との関係を示すグラフ
である。
層からなる場合の磁界とＴｂ含量との関係を示すグラフ
である。
【図１３】本発明の光磁気記録媒体の連結層の構成元素
とＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。
とＣ／Ｎとの関係を示すグラフである。
【図１４】本発明の光磁気記録媒体の再生層が単層と積
層体からなる場合の熱安定性を評価するためのグラフで
ある。
層体からなる場合の熱安定性を評価するためのグラフで
ある。
【図１５】本発明の光磁気記録媒体の再生層が単層と積
層体からなる場合の記録繰り返し回数を評価するための
グラフである。
層体からなる場合の記録繰り返し回数を評価するための
グラフである。
【図１６】本発明の光磁気記録媒体の概略構成図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 記録層 ２ 非磁性層 ３ 中間層 ４ 再生層 ５ 光スポット ６ 連結層 ７ 基板 ８、９ 誘電体層 １０ 放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１Ｌ ５１１Ｎ ５６３ ５６３Ｇ ５８６ ５８６Ｌ 5/02 5/02 Ｔ
Claims (14)
- 【請求項１】 少なくとも再生層、中間層、連結層及び
記録層からなり、再生層及び中間層が、無磁界で斜めの
磁化方向を有する層であり、連結層が、それ単独では室
温で非磁性で、かつ磁性層と接することにより誘導され
て磁性を呈する層からなることを特徴とする光磁気記録
媒体。 - 【請求項２】 再生層と中間層の磁化方向が、ほぼ１８
０°異なる請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 再生層が、中間層より高いキュリー温度
を有する請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 再生層、中間層、連結層及び記録層が、
希土類元素優位−遷移金属優位−遷移金属優位−遷移金
属優位の第１の組み合わせ、遷移金属優位−希土類元素
優位−希土類元素優位−遷移金属優位の第２の組み合わ
せ、希土類元素優位−遷移金属優位−遷移金属優位−希
土類元素優位の第３の組み合わせ又は遷移金属優位−希
土類元素優位−希土類元素優位−希土類元素優位の第４
の組み合わせのいずれかである請求項１〜３のいずれか
に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 第１及び第３の組み合わせの場合、連結
層の組成が、Ｇｄ９〜２１Ｎｄ９１〜７９からなる請求
項４に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 連結層が、５〜１４ｎｍの厚さを有する
請求項５に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 第２及び第４の組み合わせの場合、連結
層の組成が、Ｇｄ３４〜８０Ｎｄ６６〜２０からなる請
求項４に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 連結層が、３〜８．５ｎｍの厚さを有す
る請求項７に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 第１〜第３の組み合わせの場合、連結層
が、ＮｄＦｅＢｉ、ＡｌＦｅからなる層である請求項４
に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 記録層が、組成の異なるＴｂＦｅＣｏ
からなる２層構造からなる請求項１〜９のいずれかに記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 記録層が、連結層側から、４０〜４５
ｎｍの第１記録層と５〜１０ｎｍの第２記録層とからな
る請求項１０に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 再生層が、０．２〜０．５ｎｍの積層
周期の多層構造を有する請求項１〜１１のいずれかに記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 少なくとも再生層、中間層、連結層及
び記録層からなり、再生層及び中間層が、２００〜５０
Ｏｅのシフト量（絶対値）を有する層であり、連結層
が、それ単独では室温で非磁性で、かつ磁性層と接する
ことにより誘導されて磁性を呈する層からなることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかに記載の光
磁気記録媒体の再生方法であって、外部磁界を印加しな
がら、再生光ビームを光磁気記録媒体に照射してビーム
スポット内に高温部、中温部及び低温部を形成し、高温
部及び低温部をマスクとして、中温部から再生すること
を特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000367456A JP2002170292A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US09/844,403 US6660404B2 (en) | 2000-12-01 | 2001-04-27 | Magnetooptical recording medium including a connection layer that is non-magnetic by itself at room temperature but can be induced to exhibit magnetism when in contact with a magnetic layer |
| DE10131741A DE10131741A1 (de) | 2000-12-01 | 2001-07-03 | Magnetooptische Aufzeichnungsmedien und Wiedergabeverfahren dafür |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000367456A JP2002170292A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002170292A true JP2002170292A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=18837880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000367456A Pending JP2002170292A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6660404B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002170292A (ja) |
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| US6141297A (en) * | 1998-03-11 | 2000-10-31 | Lg Electronics Inc. | Magneto-optical recording medium |
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- 2000-12-01 JP JP2000367456A patent/JP2002170292A/ja active Pending
-
2001
- 2001-04-27 US US09/844,403 patent/US6660404B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-03 DE DE10131741A patent/DE10131741A1/de not_active Ceased
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