JP2002169008A - 可変形状鏡 - Google Patents
可変形状鏡Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、制御回路を対向電極を形成する基板
上に一体に形成することにより、小型化に適した可変形
状鏡を提供する。 【解決手段】本発明の一態様によると、反射面と上部電
極を有し、静電引力により変形可能な可撓性薄膜と、上
記可撓性薄膜を支持する枠部材と、上記上部電極に対向
して配置された制御電極と、上記制御電極が形成された
基板とを有し、上記枠部材又は上記基板の少なくとも一
方は半導体基板であり、上記電極間に印加される電圧を
制御する電圧制御回路の少なくとも一部が、上記半導体
基板に形成されていることを特徴とする可変形状鏡が提
供される。
上に一体に形成することにより、小型化に適した可変形
状鏡を提供する。 【解決手段】本発明の一態様によると、反射面と上部電
極を有し、静電引力により変形可能な可撓性薄膜と、上
記可撓性薄膜を支持する枠部材と、上記上部電極に対向
して配置された制御電極と、上記制御電極が形成された
基板とを有し、上記枠部材又は上記基板の少なくとも一
方は半導体基板であり、上記電極間に印加される電圧を
制御する電圧制御回路の少なくとも一部が、上記半導体
基板に形成されていることを特徴とする可変形状鏡が提
供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は可変形状鏡に係り、
特に、静電引力により形状を変化させる可変形状鏡に関
する。
特に、静電引力により形状を変化させる可変形状鏡に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光ピックアップなどのマイクロオプティ
クスに適用される微小な光学系においては、従来より、
電磁式アクチュエータを用いていたフォーカシング等に
関係する機構の簡素化を目的として、反射面の曲率を変
えることができる超小型の可変形状鏡の提案が行われて
いる。
クスに適用される微小な光学系においては、従来より、
電磁式アクチュエータを用いていたフォーカシング等に
関係する機構の簡素化を目的として、反射面の曲率を変
えることができる超小型の可変形状鏡の提案が行われて
いる。
【０００３】また、小型の撮像用光学系においても、可
変形状鏡の適用は、小型化に大きく寄与することができ
る。
変形状鏡の適用は、小型化に大きく寄与することができ
る。
【０００４】このような可変形状鏡では半導体製造技術
を適用した、いわゆるMEMS（MicroElectro-Mechanical
System ）技術を適用する事によって、低コスト・高精
度の製作が期待できる。
を適用した、いわゆるMEMS（MicroElectro-Mechanical
System ）技術を適用する事によって、低コスト・高精
度の製作が期待できる。
【０００５】一般的に、このような可変形状鏡におい
て、静電引力により形状を変化させる場合には、Optica
l Engineering,Vol-36 No,5,May 1997 pp1382-1390「Te
chnology and applications of micromachined silicon
adaptive mirrors 」に記述されているように反射面を
有する上部電極と制御電極を対向して構成し、この電極
間に電圧を印加することで静電引力により反射面の形状
を変化させる。
て、静電引力により形状を変化させる場合には、Optica
l Engineering,Vol-36 No,5,May 1997 pp1382-1390「Te
chnology and applications of micromachined silicon
adaptive mirrors 」に記述されているように反射面を
有する上部電極と制御電極を対向して構成し、この電極
間に電圧を印加することで静電引力により反射面の形状
を変化させる。
【０００６】この場合、反射面の変形量を大きくとるに
は、印加する電圧を高くする必要があり、また形状を制
御するには、印加する電圧を制御する必要がある。
は、印加する電圧を高くする必要があり、また形状を制
御するには、印加する電圧を制御する必要がある。
【０００７】さらに、制御電極を分割し、各々の電極に
印加する電圧を制御することで反射面を最適な形状に変
化させることができる。
印加する電圧を制御することで反射面を最適な形状に変
化させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、静電引
力により形状を変化させる可変形状鏡を最適な形状に変
化させるためには複数の高電圧を広範囲にわたって制御
する必要があり、このような制御回路が不可欠となる。
力により形状を変化させる可変形状鏡を最適な形状に変
化させるためには複数の高電圧を広範囲にわたって制御
する必要があり、このような制御回路が不可欠となる。
【０００９】しかし、このような可変形状鏡を小型の機
器に適応する場合、電源としては電池などの低容量低電
圧源しか利用することができない場合が多く、こういっ
た低容量低電圧源から高電圧源を作るのは圧電トランス
などの電圧変換素子の小型化に伴い容易に行うことはで
きるが、このような昇圧方法で高電圧を広範囲にわたっ
て制御することは非常に困難である。
器に適応する場合、電源としては電池などの低容量低電
圧源しか利用することができない場合が多く、こういっ
た低容量低電圧源から高電圧源を作るのは圧電トランス
などの電圧変換素子の小型化に伴い容易に行うことはで
きるが、このような昇圧方法で高電圧を広範囲にわたっ
て制御することは非常に困難である。
【００１０】また、複数の電極に対して同時にかつ任意
の電圧を印加する場合、通常、１入力多出力のトランス
が用いられるが、このような方法では電極の数と同数の
制御回路が必要となる。
の電圧を印加する場合、通常、１入力多出力のトランス
が用いられるが、このような方法では電極の数と同数の
制御回路が必要となる。
【００１１】これらの問題は、装置を小型化する際に大
きな妨げとなる。
きな妨げとなる。
【００１２】本発明は上記の問題に鑑みて成されたもの
で、制御回路を対向電極を形成する基板上に一体に形成
することにより、小型化に適した可変形状鏡を提供する
ことを目的とする。
で、制御回路を対向電極を形成する基板上に一体に形成
することにより、小型化に適した可変形状鏡を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課
題を解決するために、（１） 反射面と上部電極を有
し、静電引力により変形可能な可撓性薄膜と、上記可撓
性薄膜を支持する枠部材と、上記上部電極に対向して配
置された制御電極と、上記制御電極が形成された基板と
を有し、上記枠部材又は上記基板の少なくとも一方は半
導体基板であり、上記電極間に印加される電圧を制御す
る電圧制御回路の少なくとも一部が、上記半導体基板に
形成されていることを特徴とする可変形状鏡が提供され
る。
題を解決するために、（１） 反射面と上部電極を有
し、静電引力により変形可能な可撓性薄膜と、上記可撓
性薄膜を支持する枠部材と、上記上部電極に対向して配
置された制御電極と、上記制御電極が形成された基板と
を有し、上記枠部材又は上記基板の少なくとも一方は半
導体基板であり、上記電極間に印加される電圧を制御す
る電圧制御回路の少なくとも一部が、上記半導体基板に
形成されていることを特徴とする可変形状鏡が提供され
る。
【００１４】（対応する実施の形態）この（１）の発明
は、第１の実施の形態が該当する。
は、第１の実施の形態が該当する。
【００１５】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（２） 上記電圧制御回路は、外部に設けら
れた高電圧源と低電圧の可変電圧により、上記電極間に
印加される電圧を制御することを特徴とする、（１）記
載の可変形状鏡が提供される。
るために、（２） 上記電圧制御回路は、外部に設けら
れた高電圧源と低電圧の可変電圧により、上記電極間に
印加される電圧を制御することを特徴とする、（１）記
載の可変形状鏡が提供される。
【００１６】（対応する実施の形態）この（２）の発明
は、第１の実施の形態が該当する。
は、第１の実施の形態が該当する。
【００１７】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（３） 上記電圧制御回路は、高耐圧トラン
ジスタと制御回路を含むことを特徴とする（２）記載の
可変形状鏡が提供される。
るために、（３） 上記電圧制御回路は、高耐圧トラン
ジスタと制御回路を含むことを特徴とする（２）記載の
可変形状鏡が提供される。
【００１８】（対応する実施の形態）この（３）の発明
は、第１の実施の形態が該当する。
は、第１の実施の形態が該当する。
【００１９】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（４） 反射面と上部電極を有し、静電引力
により変形可能な可撓性薄膜と、上記可撓性薄膜を支持
する枠部材と、上記上部電極に対向して配置された、複
数の電極より成る制御電極と、上記制御電極が形成され
た基板とを有し、上記基板は半導体基板であり、外部に
設けられた高電圧源と低電圧の可変電圧により、上記電
極間に印加される電圧を上記制御電極の各電極に対して
任意の電圧に時系列で制御する電圧制御回路の少なくと
も一部が、上記基板に形成されていることを特徴とする
可変形状鏡が提供される。
るために、（４） 反射面と上部電極を有し、静電引力
により変形可能な可撓性薄膜と、上記可撓性薄膜を支持
する枠部材と、上記上部電極に対向して配置された、複
数の電極より成る制御電極と、上記制御電極が形成され
た基板とを有し、上記基板は半導体基板であり、外部に
設けられた高電圧源と低電圧の可変電圧により、上記電
極間に印加される電圧を上記制御電極の各電極に対して
任意の電圧に時系列で制御する電圧制御回路の少なくと
も一部が、上記基板に形成されていることを特徴とする
可変形状鏡が提供される。
【００２０】（対応する実施の形態）この（４）の発明
は、第２の実施の形態が該当する。
は、第２の実施の形態が該当する。
【００２１】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（５） 上記電圧制御回路が、高耐圧トラン
ジスタ、制御回路、タイミング発生回路を含むことを特
徴とする（４）記載の可変形状鏡が提供される。
るために、（５） 上記電圧制御回路が、高耐圧トラン
ジスタ、制御回路、タイミング発生回路を含むことを特
徴とする（４）記載の可変形状鏡が提供される。
【００２２】（対応する実施の形態）この（５）の発明
は、第２の実施の形態が該当する。
は、第２の実施の形態が該当する。
【００２３】なお、以上のような本発明において、枠部
材と基板の両方が半導体基板である場合には、電圧制御
回路の少なくとも一部は、何れかの半導体基板に形成さ
れていればよい。
材と基板の両方が半導体基板である場合には、電圧制御
回路の少なくとも一部は、何れかの半導体基板に形成さ
れていればよい。
【００２４】また、高電圧・低電圧は、相対的な電圧の
高低を示し、つまり、低電圧は、高電圧よりも電圧が低
いという意味である。
高低を示し、つまり、低電圧は、高電圧よりも電圧が低
いという意味である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００２６】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
の形態として、静電引力により形状を変化させる可変形
状鏡において、電圧制御回路を一体化した可変形状鏡に
ついて、図１および図２を用いて説明する。
の形態として、静電引力により形状を変化させる可変形
状鏡において、電圧制御回路を一体化した可変形状鏡に
ついて、図１および図２を用いて説明する。
【００２７】図１の（ａ）は、本発明の第１の実施の形
態による電圧制御回路を一体化した可変形状鏡の構造を
示す分解斜視図である。
態による電圧制御回路を一体化した可変形状鏡の構造を
示す分解斜視図である。
【００２８】図１の（ｂ）は、図１の（ａ）のＡ−Ａ′
断面図であるすなわち、図１の（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、電圧制御基板１１は、単結晶シリコンに複数の外
部リ一ド電極１２と、該外部リード電極１２に接続され
るもので、通常の半導体プロセスにより形成された電圧
制御回路部１３と、該電圧制御回路部１３の出力に接続
される制御電極１４とから構成されている。
断面図であるすなわち、図１の（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、電圧制御基板１１は、単結晶シリコンに複数の外
部リ一ド電極１２と、該外部リード電極１２に接続され
るもので、通常の半導体プロセスにより形成された電圧
制御回路部１３と、該電圧制御回路部１３の出力に接続
される制御電極１４とから構成されている。
【００２９】また、上部基板１５は、外部リード電極１
６と可撓性薄膜１７に支持された反射面兼上部電極１８
とから構成されている。
６と可撓性薄膜１７に支持された反射面兼上部電極１８
とから構成されている。
【００３０】なお、図１の（ａ）では、外部リード電極
１２，１６、電圧制御回路部１３、制御電極１４および
上部電極１８を接続する配線の図示は省略している。
１２，１６、電圧制御回路部１３、制御電極１４および
上部電極１８を接続する配線の図示は省略している。
【００３１】図２は、本実施の形態の電圧制御基板１１
のブロック図および制御電極１４に対向し配置された上
部電極１８との関係を示した図である。
のブロック図および制御電極１４に対向し配置された上
部電極１８との関係を示した図である。
【００３２】これら対向電極間に電圧を印加すること
で、この静電引力により上部電極（および反射面）１８
の形状が変化する。
で、この静電引力により上部電極（および反射面）１８
の形状が変化する。
【００３３】また、この印加電圧を制御することで、上
部電極（および反射面）１８の変形量を制御することが
できる。
部電極（および反射面）１８の変形量を制御することが
できる。
【００３４】図２において、高電圧源２１は１００Ｖ程
度の定電圧源であり、リファレンス電圧源２３は５Ｖ程
度の可変電圧源である。
度の定電圧源であり、リファレンス電圧源２３は５Ｖ程
度の可変電圧源である。
【００３５】また、駆動電源２２は、電圧制御回路１３
を駆動させるための駆動電圧源である。
を駆動させるための駆動電圧源である。
【００３６】これら高電圧源２１、リファレンス電圧源
２３、駆動電源２２および接地ＧＮＤは、それぞれ図１
における外部リード電極１２，１６に印加されることに
より、電圧制御回路部１３へ供給される。
２３、駆動電源２２および接地ＧＮＤは、それぞれ図１
における外部リード電極１２，１６に印加されることに
より、電圧制御回路部１３へ供給される。
【００３７】この電圧制御回路部１３には、高耐圧の電
圧制御トランジスタ２５が接続されるとともに、制御回
路部が形成されており、この電圧制御回路部１３により
低電圧であるリファレンス電圧源２３からのリファレン
ス電圧に対応した出力電圧になるよう高電圧源２１を電
圧制御して得られる出力電圧を制御電極１４へ印加す
る。
圧制御トランジスタ２５が接続されるとともに、制御回
路部が形成されており、この電圧制御回路部１３により
低電圧であるリファレンス電圧源２３からのリファレン
ス電圧に対応した出力電圧になるよう高電圧源２１を電
圧制御して得られる出力電圧を制御電極１４へ印加す
る。
【００３８】上部電極１８は接地ＧＮＤへ接続されてい
るため、対向電極間には電圧制御回路部１３により制御
された出力電圧が印加され、この静電引力により反射面
の形状が変化する。
るため、対向電極間には電圧制御回路部１３により制御
された出力電圧が印加され、この静電引力により反射面
の形状が変化する。
【００３９】また、リファレンス電圧を変えることで、
上部電極（および反射面）１８の変形量を制御すること
ができる。
上部電極（および反射面）１８の変形量を制御すること
ができる。
【００４０】ここで、可変形状鏡では、負荷成分が対向
電極によるキャパシタンス成分であり、また対向電極間
に印加する電圧は直流電圧であるため、対向電極間には
ほとんど電流が流れない。
電極によるキャパシタンス成分であり、また対向電極間
に印加する電圧は直流電圧であるため、対向電極間には
ほとんど電流が流れない。
【００４１】このため電圧制御トランジスタ２５での消
費電力が非常に小さくなるので、特別な放熱手段を用い
る必要が無く、電圧制御基板１１上に通常の半導体プロ
セスを用いて電圧制御トランジスタ２５と電圧制御回路
１３とを一体に形成することができる。
費電力が非常に小さくなるので、特別な放熱手段を用い
る必要が無く、電圧制御基板１１上に通常の半導体プロ
セスを用いて電圧制御トランジスタ２５と電圧制御回路
１３とを一体に形成することができる。
【００４２】また、電圧制御基板１１上に形成すること
が難しいデバイスについては、ディスクリート部品をマ
ウントすることもできる。
が難しいデバイスについては、ディスクリート部品をマ
ウントすることもできる。
【００４３】これらの電圧制御トランジスタ２５と電圧
制御回路１３とを一体化することで、外部から電源と制
御信号を供給するだけで可変形状鏡を駆動することがで
きるため、省スペース化することができ、小型化に適し
た可変形状鏡を提供することができる。
制御回路１３とを一体化することで、外部から電源と制
御信号を供給するだけで可変形状鏡を駆動することがで
きるため、省スペース化することができ、小型化に適し
た可変形状鏡を提供することができる。
【００４４】なお、反射面と上部電極を別々に構成する
ことも、反射面を反射率の高い金属薄膜で形成すること
で、反射面と上部電極を兼ねることもできる。
ことも、反射面を反射率の高い金属薄膜で形成すること
で、反射面と上部電極を兼ねることもできる。
【００４５】また、外部リード電極１２，１６と電圧制
御回路部１３とを上部電極１８と同一基板上に形成する
とともに、制御電極１４を接地ＧＮＤへ接続して駆動す
ることもできる。
御回路部１３とを上部電極１８と同一基板上に形成する
とともに、制御電極１４を接地ＧＮＤへ接続して駆動す
ることもできる。
【００４６】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態として、複数に分割した制御電極を有する可変形
状鏡について図３および図４を用いて説明する。
の形態として、複数に分割した制御電極を有する可変形
状鏡について図３および図４を用いて説明する。
【００４７】静電引力により形状を変化させる可変形状
鏡において、制御電極を複数に分割し、それぞれの電極
に適当な電圧を印加することにより反射面を最適な形状
に変化することができる。
鏡において、制御電極を複数に分割し、それぞれの電極
に適当な電圧を印加することにより反射面を最適な形状
に変化することができる。
【００４８】図３は、本発明の第２の実施の形態とし
て、同心円状に分割した制御電極３４（３４ａ〜３４
ｄ）を有する可変形状鏡の電圧制御基板３１の構造を示
す平面図である。
て、同心円状に分割した制御電極３４（３４ａ〜３４
ｄ）を有する可変形状鏡の電圧制御基板３１の構造を示
す平面図である。
【００４９】本実施の形態の電圧制御基板３１は、第１
の実施の形態と同様に、単結晶シリコンに外部リード電
極３２と、電圧制御回路部３３と、同心円状に分割した
制御電極３４（３４ａ〜３４ｄ）が形成されている。
の実施の形態と同様に、単結晶シリコンに外部リード電
極３２と、電圧制御回路部３３と、同心円状に分割した
制御電極３４（３４ａ〜３４ｄ）が形成されている。
【００５０】なお、図３では外部リード電極３２、電圧
制御回路部３３、同心円状に分割した制御電極３４（３
４ａ〜３４ｄ）を接続する配線の図示は省略している。
制御回路部３３、同心円状に分割した制御電極３４（３
４ａ〜３４ｄ）を接続する配線の図示は省略している。
【００５１】図４は、本実施の形態の電圧制御基板３１
のブロック図および同心円状に分割した制御電極３４
（３４ａ〜３４ｄ）に対向し配置された上部電極（およ
び反射面）４９との関係を示した図である。
のブロック図および同心円状に分割した制御電極３４
（３４ａ〜３４ｄ）に対向し配置された上部電極（およ
び反射面）４９との関係を示した図である。
【００５２】図４において、高電圧源４１、リファレン
ス電圧源４３、駆動電源４２によるそれぞれの電圧値
は、第１の実施の形態に示した各電圧値と同様である。
ス電圧源４３、駆動電源４２によるそれぞれの電圧値
は、第１の実施の形態に示した各電圧値と同様である。
【００５３】また、タイミングパルス源４４から供給さ
れるタイミングパルスは、リファレンス電圧源４３から
のリファレンス電圧の変化と同期したパルス電圧であ
る。
れるタイミングパルスは、リファレンス電圧源４３から
のリファレンス電圧の変化と同期したパルス電圧であ
る。
【００５４】これら高電圧源４１、リファレンス電圧源
４３、駆動電源４２、タイミングパルス源４４および接
地ＧＮＤは、それぞれ外部リード電極３２に印加される
ことにより、電圧制御回路部３３へ供給される。
４３、駆動電源４２、タイミングパルス源４４および接
地ＧＮＤは、それぞれ外部リード電極３２に印加される
ことにより、電圧制御回路部３３へ供給される。
【００５５】この電圧制御回路部３３には、高耐圧の電
圧制御トランジスタ４６と、制御回路とタイミング発生
回路４７と、高耐圧のスイッチング用トランジスタ４８
ａ〜４８ｄとが接続されるとともに、制御回路部が形成
されている。
圧制御トランジスタ４６と、制御回路とタイミング発生
回路４７と、高耐圧のスイッチング用トランジスタ４８
ａ〜４８ｄとが接続されるとともに、制御回路部が形成
されている。
【００５６】そして、同心円状に分割した制御電極３４
（３４ａ〜３４ｄ）の任意の電極に印加する電圧に応じ
たリファレンス電圧をリファレンス電圧源４３から入力
するとともに、電圧制御トランジスタ４６と電圧制御回
路部３３とにより出力電圧を制御する。
（３４ａ〜３４ｄ）の任意の電極に印加する電圧に応じ
たリファレンス電圧をリファレンス電圧源４３から入力
するとともに、電圧制御トランジスタ４６と電圧制御回
路部３３とにより出力電圧を制御する。
【００５７】これと同期してタイミングパルス源４４か
らタイミングパルスを入力し、タイミング発生回路４７
の出力により、該当する制御電極３４（３４ａ〜３４
ｄ）に対応するスイッチング用トランジスタ４８ａ〜４
８ｄをオン状態にする。
らタイミングパルスを入力し、タイミング発生回路４７
の出力により、該当する制御電極３４（３４ａ〜３４
ｄ）に対応するスイッチング用トランジスタ４８ａ〜４
８ｄをオン状態にする。
【００５８】そして、一定時間を経過してからスイッチ
ング用トランジスタ４８ａ〜４８ｄをオフ状態にし、電
圧制御トランジスタ４６の出力と該当する制御電極３４
（３４ａ〜３４ｄ）との接続を断ち、該当する制御電極
３４（３４ａ〜３４ｄ）へ印加した電圧を一定に保つ。
ング用トランジスタ４８ａ〜４８ｄをオフ状態にし、電
圧制御トランジスタ４６の出力と該当する制御電極３４
（３４ａ〜３４ｄ）との接続を断ち、該当する制御電極
３４（３４ａ〜３４ｄ）へ印加した電圧を一定に保つ。
【００５９】これにより、該当する制御電極３４（３４
ａ〜３４ｄ）に電圧制御された電圧が印加される。
ａ〜３４ｄ）に電圧制御された電圧が印加される。
【００６０】このリファレンス電圧による電圧制御とタ
イミングパルスとによるスイッチング用トランジスタ４
８ａ〜４８ｄのオン、オフ制御を時系列に行うことで、
分割した全ての制御電極３４（３４ａ〜３４ｄ）に任意
の電圧を印加することができる。
イミングパルスとによるスイッチング用トランジスタ４
８ａ〜４８ｄのオン、オフ制御を時系列に行うことで、
分割した全ての制御電極３４（３４ａ〜３４ｄ）に任意
の電圧を印加することができる。
【００６１】ここで、第１の実施の形態でも述べたよう
に、可変形状鏡では負荷成分が対向電極によるキャパシ
タンス成分であり、また対向電極に印加する電圧は直流
電圧であるため、分割した制御電極３４（３４ａ〜３４
ｄ）の印加電圧を時系列に制御しても、各々の電極に印
加される電圧を一定に保つことは容易にできる。
に、可変形状鏡では負荷成分が対向電極によるキャパシ
タンス成分であり、また対向電極に印加する電圧は直流
電圧であるため、分割した制御電極３４（３４ａ〜３４
ｄ）の印加電圧を時系列に制御しても、各々の電極に印
加される電圧を一定に保つことは容易にできる。
【００６２】このようにして、電圧制御回路を一体化す
ることで、外部から電源と制御信号を供給するだけで複
数に分割した制御電極を有する可変形状鏡を駆動するこ
とができる。
ることで、外部から電源と制御信号を供給するだけで複
数に分割した制御電極を有する可変形状鏡を駆動するこ
とができる。
【００６３】また、制御電極の分割数を増加してもそれ
に応じて制御回路を増やす必要は無く、タイミング発生
回路の簡単な変更とスイッチング用トランジスタの増設
で電圧制御をすることができる。
に応じて制御回路を増やす必要は無く、タイミング発生
回路の簡単な変更とスイッチング用トランジスタの増設
で電圧制御をすることができる。
【００６４】このため、省スペース化することができ、
小型化に適した可変形状鏡を提供することができる。
小型化に適した可変形状鏡を提供することができる。
【００６５】なお、本実施の形態では、制御電極の分割
形状の一例として同心円状に分割しているが、これはア
プリケーションに応じて如何様な形状にも分割すること
ができる。
形状の一例として同心円状に分割しているが、これはア
プリケーションに応じて如何様な形状にも分割すること
ができる。
【００６６】
【発明の効果】従って、以上説明したように、本発明に
よれば、制御回路を対向電極を形成する基板上に一体に
形成することにより、小型化に適した可変形状鏡を提供
することができる。
よれば、制御回路を対向電極を形成する基板上に一体に
形成することにより、小型化に適した可変形状鏡を提供
することができる。
【図１】図１の（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に
よる電圧制御回路を一体化した可変形状鏡の構造を示す
分解斜視図であり、図１の（ｂ）は、図１の（ａ）のＡ
−Ａ′断面図である
よる電圧制御回路を一体化した可変形状鏡の構造を示す
分解斜視図であり、図１の（ｂ）は、図１の（ａ）のＡ
−Ａ′断面図である
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態の電圧制御
基板１１のブロック図および制御電極１４に対向し配置
された上部電極１８との関係を示した図である。
基板１１のブロック図および制御電極１４に対向し配置
された上部電極１８との関係を示した図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施の形態として、同
心円状に分割した制御電極３４（３４ａ〜３４ｄ）を有
する可変形状鏡の電圧制御基板３１の構造を示す平面図
である。
心円状に分割した制御電極３４（３４ａ〜３４ｄ）を有
する可変形状鏡の電圧制御基板３１の構造を示す平面図
である。
【図４】図４は、本実施の形態の電圧制御基板３１のブ
ロック図および同心円状に分割した制御電極３４（３４
ａ〜３４ｄ）に対向し配置された上部電極（および反射
面）４９との関係を示した図である。
ロック図および同心円状に分割した制御電極３４（３４
ａ〜３４ｄ）に対向し配置された上部電極（および反射
面）４９との関係を示した図である。
１１…電圧制御基板、 １２…外部リ一ド電極、 １３…電圧制御回路部、 １４…制御電極、 １５…上部基板、 １６…外部リード電極、 １７…可撓性薄膜、 １８…反射面兼上部電極、 ２１…高電圧源、 ２２…駆動電源、 ２３…リファレンス電圧源、 ＧＮＤ…接地、 ２５…電圧制御トランジスタ、 ３１…電圧制御基板、 ３２…外部リード電極、 ３３…電圧制御回路部、 ３４（３４ａ〜３４ｄ）…同心円状に分割した制御電
極、 ４１…高電圧源、 ４２…駆動電源、 ４３…リファレンス電圧源、 ４４…タイミングパルス源、 ４６…高耐圧の電圧制御トランジスタ、 ４７…タイミング発生回路、 ４８ａ〜４８ｄ…高耐圧のスイッチング用トランジス
タ。
極、 ４１…高電圧源、 ４２…駆動電源、 ４３…リファレンス電圧源、 ４４…タイミングパルス源、 ４６…高耐圧の電圧制御トランジスタ、 ４７…タイミング発生回路、 ４８ａ〜４８ｄ…高耐圧のスイッチング用トランジス
タ。
Claims (5)
- 【請求項１】 反射面と上部電極を有し、静電引力によ
り変形可能な可撓性薄膜と、 上記可撓性薄膜を支持する枠部材と、 上記上部電極に対向して配置された制御電極と、 上記制御電極が形成された基板とを有し、 上記枠部材又は上記基板の少なくとも一方は半導体基板
であり、 上記電極間に印加される電圧を制御する電圧制御回路の
少なくとも一部が、上記半導体基板に形成されているこ
とを特徴とする可変形状鏡。 - 【請求項２】 上記電圧制御回路は、外部に設けられた
高電圧源と低電圧の可変電圧により、上記電極間に印加
される電圧を制御することを特徴とする、請求項１記載
の可変形状鏡。 - 【請求項３】 上記電圧制御回路は、高耐圧トランジス
タと制御回路を含むことを特徴とする請求項２記載の可
変形状鏡。 - 【請求項４】 反射面と上部電極を有し、静電引力によ
り変形可能な可撓性薄膜と、 上記可撓性薄膜を支持する枠部材と、 上記上部電極に対向して配置された、複数の電極より成
る制御電極と、 上記制御電極が形成された基板とを有し、 上記基板は半導体基板であり、 外部に設けられた高電圧源と低電圧の可変電圧により、
上記電極間に印加される電圧を上記制御電極の各電極に
対して任意の電圧に時系列で制御する電圧制御回路の少
なくとも一部が、上記基板に形成されていることを特徴
とする可変形状鏡。 - 【請求項５】 上記電圧制御回路が、高耐圧トランジス
タ、制御回路、タイミング発生回路を含むことを特徴と
する請求項４記載の可変形状鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000365799A JP2002169008A (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 可変形状鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000365799A JP2002169008A (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 可変形状鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002169008A true JP2002169008A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=18836509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000365799A Withdrawn JP2002169008A (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 可変形状鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002169008A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006023684A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Topcon Corp | 可変形状ミラー、眼底観察装置 |
| US7208809B2 (en) | 2002-09-19 | 2007-04-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor device having MEMS |
| JP2010230867A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Olympus Corp | 可変形状鏡システム |
-
2000
- 2000-11-30 JP JP2000365799A patent/JP2002169008A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7208809B2 (en) | 2002-09-19 | 2007-04-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor device having MEMS |
| JP2006023684A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Topcon Corp | 可変形状ミラー、眼底観察装置 |
| JP2010230867A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Olympus Corp | 可変形状鏡システム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080205 |