JP2002169003A - エキシマレーザーによるマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エキシマレーザーによるマイクロ球面と非球
面の高分子アレイ構造の製造方法の提供。 【解決手段】 マスクに一つの直線方向に沿った幅が定
値でない所定の曲線パターンを設ける。エキシマレーザ
ーをマスクの曲線パターンを透過して基板上に塗布した
高分子材に照射し衝撃を与えることにより、それを剥離
エッチングする。並びに照射進行時に、基板を該直線方
向に対して垂直な方向に移動させて、高分子材が該直線
方向に沿った異なる位置で異なる時間長度の照射を受け
るようにし、異なるエッチング深度を形成し、これによ
り高分子材をエッチングして所定の形状の立体パターン
を形成する。並びに二回の異なる方向或いは異なるマス
クパターンによる照射エッチングにより、球面に類似或
いは非球面のマイクロアレイ構造を獲得する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一種のエキシマレ
ーザーによるマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造
の製造方法に係り、特に、エキシマレーザー加工で基板
にマイクロ球面アレイ構造を形成し、ＬＣＤパネル或い
はホトセンシティブパネルの加圧成形用金型を形成する
ための固定ダイを製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイ、或いはその他のホト
センシティブパネルの可視角度を広くするためには、パ
ネルに多くの突起を有するマイクロ球面アレイ構造を設
けることにより集光性（或いは散光性）を増進する必要
がある。このようなマイクロ球面アレイ構造のパネルの
ほとんどは、金型を使用し加圧成形する方式で製造さ
れ、この金型は固定ダイに一層の金属層をスパッタした
後、さらに金属層を固定ダイより取り出し、この金属層
をパネルの加圧成形用金型として用いる。

【０００３】周知の技術において、固定ダイを製造する
方式には以下の数種類がある。 １．シングルステップ露光並びに高温調質を組み合わせ
た方法：図１から図４に示されるように、まず基板１１
上にホトレジスト１２層（図１）を塗布する。その後、
ステッパ１４で一つのマスク１３を透過して基板１１を
区分けし各区に一回のステップ露光動作を進行する（図
２）。その後、未露光のレジスト１２を化学薬剤で洗浄
し、基板１１の上に若干のマイクロ円柱状レジスト１５
のアレイ構造を形成する（図３）。続いて、高温調質の
方式を以て、基板を加熱してホトレジスト融点（Ｔ₂ ）
の温度に非常に接近させるか或いはそれより高くし、マ
イクロ円柱状レジスト１５の表面を大量に溶融させて円
弧状１６となす（図４）。このような技術は以下の欠点
を有していた。１．高温調質を必要とし、その製造工程
は時間がかかり且つ結果が不安定であり、正確に立体円
球面の形状を制御することができなかった。２．ステッ
プ露光によりただ図４に示される円柱構造を形成するこ
とができるだけであり、円球面或いは非球面の３Ｄ立体
曲面を形成することはできなかった。 ２．重複ステップ露光リソグラフィー工程：数回のステ
ップリソグラフィー工程を行い、即ち図２と図３に示さ
れるステップを重複して進行し、並びに異なるマスクパ
ターンを組み合わせることによりホトレジスト露光領域
を徐々に大きくし、最後に金字塔に類似のホトレジスト
構造を得て、その後にさらに高温調質を行い、調質の温
度は下げることができ且つ時間が比較的短く、立体円球
面の形状も容易に制御できる。しかし、その欠点は、工
程ステップ数が多く且つ十分に煩瑣であり、時間とコス
トがかかり、ホトレジスト洗浄用の化学薬剤による環境
汚染を形成しやすいことである。 ３．ホトセンシティブガラス工程：図５、６に示される
ように、まず紫外線光源２４（ＵＶ）をマスク２３を透
過してステップ露光の方式を以てホトセンシティブガラ
ス２１（図５）に照射する。該ホトセンシティブガラス
２１上には異性のホトセンシティブ材料２２が塗布され
ている。該ホトセンシティブ材料２２の紫外線照射を受
けた領域が硬化膨張し、並びに未露光のホトセンシティ
ブ材料を圧迫し、基板上に若干の突起の構造２５を形成
する（図６）。この技術の最大の欠点は、ホトセンシテ
ィブガラスのコストが極めて高く継手購入しにくく、並
びに体積膨張後の形状の正確な制御が難しいことであ
る。 ４．加熱滴入工程：図７に示されるように、加熱滴入の
方式を以て、ホトレジスト３２を一滴ずつ或いは一回に
多滴、少量を基板３１の上に滴下して突起の立体構造３
３を形成する。この技術の欠点は、マイクロ球面アレイ
の構造形状の制御が全く行えないことである。

【０００４】以上から分かるように、周知の技術はそれ
ぞれが欠点を有しており、さらなる改善が求められてい
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、一種のエキ
シマレーザーによるマイクロ球面と非球面の高分子アレ
イ構造の製造方法を提供することを課題とし、即ち、簡
単且つ便利な方式で、基板上に正確に制御できる形状の
マイクロ球面或いは非球面の高分子アレイ構造を製造す
ることを課題としている。

【０００６】本発明のもう一つの目的は、一種のエキシ
マレーザーによるマイクロ球面と非球面の高分子アレイ
構造の製造方法を提供することにあり、即ち、マスクに
一つの直線方向に沿った幅が定値でない所定の曲線パタ
ーンを設け、エキシマレーザーをマスクの曲線パターン
を透過して基板上に塗布した高分子材に照射する時に、
エキシマレーザーで高分子材に衝撃を与えてそれを剥離
エッチングし、並びに照射進行時に、基板を該直線方向
に対して垂直な方向に移動させて、高分子材が該直線方
向に沿った異なる位置で異なる時間長度の照射を受ける
ようにし、エッチング深度を改変し、これにより高分子
材をエッチングして所定の形状の立体パターンを形成す
る方法を提供することを課題としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、
（ａ）表面に高分子材を塗布した基板と、所定の曲線パ
ターンを設けた少なくとも一つのマスクを準備するステ
ップと、（ｂ）エキシマレーザーをマスクを透過して基
板の上の高分子材に照射すると同時に、第１の対応方向
に沿って基板を移動させ、高分子材をエッチングして第
１の立体パターンを形成するステップと、（ｃ）第２の
対応方向に沿って基板を移動させ、並びにエキシマレー
ザーをマスクを透過して第１の立体パターンに対して照
射しエッチングし、第２の立体パターンを形成するステ
ップと、を包括する、エキシマレーザーによるマイクロ
球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法としてい
る。請求項２の発明は、請求項１に記載のエキシマレー
ザーによるマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の
製造方法において、前記所定の曲線パターンに、前記対
応方向と垂直な方向に沿って若干の幾何形状透光領域が
設置され、該幾何形状透光領域は該対応方向と垂直な方
向に沿った幅が非定値とされ、これによりエキシマレー
ザーをマスクを透過して高分子材に照射すると同時に基
板を移動させる時に、高分子材がその対応方向と垂直な
方向に沿って異なる時間長のエキシマレーザー照射を受
け、このため異なる程度にエッチングされて前記立体パ
ターンが形成されることを特徴とする、エキシマレーザ
ーによるマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製
造方法としている。請求項３の発明は、請求項１に記載
のエキシマレーザーによるマイクロ球面と非球面の高分
子アレイ構造の製造方法において、前記第１の対応方向
と前記第２の対応方向に係り、（ｂ）のステップの照射
完成後に、同一基板を９０度回転させ、その後に同じ第
１の対応方向に沿って（ｃ）のステップの照射を実行す
ることにより、第１の対応方向と第２の対応方向を実質
上垂直となすことを特徴とする、エキシマレーザーによ
るマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法
としている。請求項４の発明は、請求項１に記載のエキ
シマレーザーによるマイクロ球面と非球面の高分子アレ
イ構造の製造方法において、（ｃ）のステップの後に、
（ｄ）ケミカルエッチング方式で高分子材の砕屑を除去
するステップと、（ｅ）表面処理により第２の立体パタ
ーンの表面を円滑化するステップと、を包括することを
特徴とする、エキシマレーザーによるマイクロ球面と非
球面の高分子アレイ構造の製造方法としている。請求項
５の発明は、請求項１に記載のエキシマレーザーによる
マイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法に
おいて、（ｃ）のステップの後に、（ｆ）基板及び第２
の立体パターンの上に種子層をスパッタするステップ
と、（ｇ）電気メッキ方式で該種子層の上に所定の厚さ
の金属層を形成するステップと、（ｈ）該金属層を基板
と第２の立体パターンより離脱させて、該金属層をマイ
クロアレイ構造加圧成形用金型とするステップと、を包
括することを特徴とする、エキシマレーザーによるマイ
クロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法として
いる。請求項６の発明は、（ａ）表面に高分子材を塗布
した基板と、一つの直線方向に沿って若干の幾何形状の
透光領域が設置されると共に、該透光領域の該直線方向
に沿った幅が非定値とされる所定の曲線パターンを設け
た少なくとも一つのマスクと、を準備するステップと、
（ｂ）エキシマレーザーをマスクを透過して基板の上の
高分子材に照射すると同時に、該直線方向に垂直である
第１の対応方向に沿って基板を移動させ、高分子材をエ
ッチングして第１の立体パターンを形成するステップ
と、（ｃ）基板を所定の角度回転んさせて、該第１の対
応方向に沿って基板を移動させると共に、エキシマレー
ザーをマスクを透過して該第１の立体パターンに照射し
てエッチングし、第２の立体パターンを形成するステッ
プと、を包括する、エキシマレーザーによるマイクロ球
面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法としている。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明のエキシマレーザーによる
マイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の
好ましい実施例のは以下のステップを包括する。 （ａ）表面に高分子材を塗布した基板と、所定の曲線パ
ターンを設けた少なくとも一つのマスクを準備するステ
ップと、（ｂ）エキシマレーザーをマスクを透過して基
板の上の高分子材に照射すると同時に、第１の対応方向
に沿って基板を移動させ、高分子材をエッチングして第
１の立体パターンを形成するステップと、（ｃ）第２の
対応方向に沿って基板を移動させ、並びにエキシマレー
ザーをマスクを透過して第１の立体パターンに対して照
射しエッチングし、類似球面構造である第２の立体パタ
ーンを形成するステップ。好ましくは、本発明はさらに
以下のステップを包括する。 （ｄ）ケミカルエッチング方式で高分子材の砕屑を除去
するステップと、（ｅ）表面処理により第２の立体パタ
ーンの表面を円滑化するステップと、（ｆ）基板及び第
２の立体パターンの上に種子層をスパッタするステップ
と、（ｇ）電気メッキ方式で該種子層の上に所定の厚さ
の金属層を形成するステップと、（ｈ）該金属層を基板
と第２の立体パターンより離脱させて、該金属層をマイ
クロアレイ構造加圧成形用金型とするステップ。

【０００９】

【実施例】図８から図１４は本発明のエキシマレーザー
によるマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造
方法の望ましい実施例を示す。それは以下のステップを
含む。

【００１０】ステップ（ａ）： 図８に示されるよう
に、表面に高分子材４２を塗布した基板と、所定の曲線
パターンを設けた少なくとも一つのマスクを準備する。
そのうち、該高分子材４２は結合エネルギーが低い材質
を選択使用するのが好ましく、例えばホトレジスト材料
を使用し、これにより光源照射により結合を破壊して高
分子材４２をエッチングする目的を達成する。高分子材
４２はスピニング、印刷或いはケミカルデポジション等
の方法により基板４１の上に塗布される。該基板４１は
光源によりエッチングされにくい材料とされるのが好ま
しく、エッチングのストッパ層として兼用され、基板４
１は半導体基板、例えばシリコンとされる。この所定の
曲線パターンは、一つの直線方向に沿って若干の幾何形
状の透光領域が設置されている。該幾何形状の透光領域
の幅が、該直線方向に沿って非定値とされている。

【００１１】ステップ（ｂ）： ステップ図９に示され
るように、表面に高分子材４２を塗布した基曲線パター
ン４１上の高分子材４２に、マスク４４を透過してエキ
シマレーザー４５を照射すると同時に、第１の対応方向
に沿って基板４１を移動させ（即ち一辺移動と同時に一
辺照射する）、これにより高分子材をエッチングして第
１の立体パターン４３を形成する。このような照射方式
と周知のステッパによるステップ式露光の動作は同じで
ない。該第１の対応方向と該直線は相互に垂直である。
このため、エキシマレーザー４５をマスク４４を透過し
て高分子材に照射すると同時に基板４１を移動させる
時、高分子材４２が該直線方向に沿った異なる位置で異
なる時間長のエキシマレーザー照射を受け、このため異
なる程度にエッチングされて第１の立体パターン４３を
形成する。

【００１２】ステップ（ｃ）： その後、必要であれば
（完成したい立体パターンにより決定される）、さらに
第２の対応方向に沿って、該基板４１を移動させると同
時に、移動させ、並びにエキシマレーザー４５を、第１
の立体パターン４３に対してマスク４４を透過して照射
してエッチングし、第２の立体パターンを形成する。こ
の望ましい実施例では、該第１の対応方向と該第２の対
応方向は垂直であり、このため第２の立体パターンが類
似球面構造とされる。そのうち、ステップ（ｂ）とステ
ップ（ｃ）で使用するマスク４４に設けられる所定の曲
線パターンは同じ或いは異なったものとされる。或いは
別の望ましい実施例によると、相互に垂直な該第１の対
応方向と第２の対応方向に照射する方式の代わりに、
（ｂ）のステップにおいて第１の対応方向の照射を完成
した後に、同一の基板４１を９０度回転させて、その
後、さらに同じ第１の対応方向に沿ってステップ（ｃ）
の照射を実行することにより、同じ第２の立体パターン
を形成でき、これによりステップ（ｂ）とステップ
（ｃ）の照射方向に対応して実際に基板上の高分子材が
エッチングされる方向は実質上、垂直と等しくなる。ま
た、さらに別の望ましい実施例おいて、二回の照射でも
不足である時に、さらに多次の照射が行われ、且つ毎回
照射時にマスク４４と基板４１の間の相対移動の対応方
向は異なるものとされるか、或いは異なる曲線パターン
の異なるマスク４４により照射が進行され（このとき該
相対移動の対応方向は同じ方向とされる）、所定の立体
パターンが得られるまで続けられる。

【００１３】ステップ（ｄ）： 図１０に示されるよう
に、ケミカルエッチング方式で高分子材の砕屑を除去す
る。光源５５が高分子材４２に衝撃を与えてエッチング
を進行する時、一部の剥離した高分子材４２の砕屑が基
板４１或いは立体パターン４３の表面に付着することが
あるため、ケミカルエッチング方式により速やかにこれ
らの砕屑を除去する。

【００１４】ステップ（ｅ）： 図１１に示されるよう
に、表面処理を行い立体パターン４３（第１或いは第２
の立体パターンとされうる）の表面を円滑化する。第２
の立体パターンはすでに類似球面構造とされているた
め、我々は、比較的快速で低温の方式により表面を少量
溶融させる方式により表面の円滑化を図ることができ
る。例えば、高分子材融点（Ｔ_g ）より低い温度で低温
調質拡散（ｒｅｆｌｏｗｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）を行い、
高エネルギービーム快速加工、或いは快速熱アニーリン
グ処理（ＲＴＡ処理）を行う。

【００１５】ステップ（ｆ）： 図１２に示されるよう
に、基板４１及び立体パターンの上に金属材質の種子層
４７をスパッタする。この種子層はニッケル金属或いは
その合金を使用するのが好ましい。

【００１６】ステップ（ｇ）： 図１３に示されるよう
に、電気メッキ方式でスパッタして形成した種子層４７
の上に所定の厚さの金属層４８を形成する。この金属層
４８の材質はニッケル金属或いはその合金とされうる。

【００１７】ステップ（ｈ）： 図１４に示されるよう
に、金属層４８を基板と第２の立体パターンより離脱さ
せて独立素子となす。この金属層４８を他のマイクロア
レイ構造を加圧成形するための金型（ｍｏｌｄ）とする
ことができる。

【００１８】図１５、１６に示されるのは、本発明のマ
スクの所定の曲線パターン及びそれにより形成される第
１の立体パターンの実施例である。図１５に示されるよ
うに、マスク５１に設けられた所定の曲線パターンは、
直線方向９１に沿って設置された半円形の透光領域５２
を具え、該透光領域５２の該直線方向９１に沿った幅が
非定値とされる。基板６１が第１の対応方向９２（該直
線方向と相互に垂直である）に沿って該マスク５１に対
して相対移動させられ並びに照射とエッチングが行われ
る時、基板６１上の高分子材が該直線方向の各位置で受
ける照射時間が異なるため、若干の半円形凹溝の第１の
立体パターン６２が形成される（図１６のとおり）。

【００１９】図１７、１８に示されるのは、本発明のマ
スクの所定の曲線パターン及びそれにより形成される第
１の立体パターンのもう一つの実施例である。先の図１
５、図１６と同様に、マスク５１ａに設けられた所定の
曲線パターンの透光領域５２ａが図１７に示されるよう
である時、基板６１ａ上に、図１８に示されるように半
円柱形長状突起構造の第１の立体パターン６２ａが形成
される。さらに、基板６１ａを９０度回転させさらに図
１７に示されるマスク５１ａを用いて再度エッチングを
行うと、図１９に示される第２の立体パターン６３を得
ることができる。この第２の立体パターン６３は十分に
半球面体構造に類似するものである。

【００２０】当然、本発明の技術はただ半球面体構造の
アレイ構造の形成のみに応用されるのではなく、異なる
曲線パターンのマスクを設計し、並びに若干回数或いは
異なる対応方向の移動照射を組み合わせることにより、
例えば楕円形球面、波浪面或いはその他の立体パターン
構造を獲得するのに応用される。

【００２１】

【発明の効果】周知の技術に対して、本発明は少なくと
も以下のような優れた点を有している。 １．エキシマレーザーをマスクの曲線パターンの設計を
透過して照射して加工を進行するため、簡易に且つ精密
に類似球面のマイクロ構造を形成でき、ゆえに僅かに低
温調質拡散を必要とするだけで良好な円滑表面を得るこ
とができる。 ２．周知の技術の製造工程中、シングルリソグラフィー
工程で円柱状の構造体を製造した後に高温調質を必要と
する問題を解決している。 ３．周知の、重複リソグラフィーにより金字塔型の構造
を形成する技術に較べて本発明の製造工程は簡素化され
且つ工程時間を短縮できる。 ４．本発明は異なる非球面マイクロ構造に応じて異なる
工程変数を設計でき、例えばマスクのパターン設計、或
いは移動照射時の対応方向を改変することができる。 ５．正確に球面或いは非球面マイクロ構造を製造でき、
周知の技術における体積膨張或いは加熱滴入の方式の、
正確にマイクロ構造の形状を制御できない欠点を解決し
ている。 ６．周知の技術中、効果なホトセンシティブガラスを使
用するものに較べ、本発明は低コストである。

【図面の簡単な説明】

【図１】周知のシングルステップ露光に高温調質法を組
み合わせた製造方法のステップ表示図である。

【図２】周知のシングルステップ露光に高温調質法を組
み合わせた製造方法のステップ表示図である。

【図３】周知のシングルステップ露光に高温調質法を組
み合わせた製造方法のステップ表示図である。

【図４】周知のシングルステップ露光に高温調質法を組
み合わせた製造方法のステップ表示図である。

【図５】周知のホトセンシティブガラス工程のステップ
表示図である。

【図６】周知のホトセンシティブガラス工程のステップ
表示図である。

【図７】周知の加熱滴入工程表示図である。

【図８】本発明のエキシマレーザーによるマイクロ球面
と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の望ましい実施
例のステップ表示図である。

【図９】本発明のエキシマレーザーによるマイクロ球面
と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の望ましい実施
例のステップ表示図である。

【図１０】本発明のエキシマレーザーによるマイクロ球
面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の望ましい実
施例のステップ表示図である。

【図１１】本発明のエキシマレーザーによるマイクロ球
面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の望ましい実
施例のステップ表示図である。

【図１２】本発明のエキシマレーザーによるマイクロ球
面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の望ましい実
施例のステップ表示図である。

【図１３】本発明のエキシマレーザーによるマイクロ球
面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の望ましい実
施例のステップ表示図である。

【図１４】本発明のエキシマレーザーによるマイクロ球
面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法の望ましい実
施例のステップ表示図である。

【図１５】本発明のマスクの所定の曲線パターンの実施
例図である。

【図１６】図１５を用いて形成される第１の立体パター
ンの別の実施例図である。

【図１７】本発明のマスクの所定の曲線パターンの別の
実施例図である。

【図１８】図１７を用いて形成される第１の立体パター
ンの別の実施例図である。

【図１９】本発明の、高分子材に対して少なくとも２回
の照射エッチングを行った後に得られる類似球面立体マ
イクロアレイ構造表示図である。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ ホトレジスト １３ マスク １４ ステッパ １５ 円柱状ホトレジスト １６ 円弧状 ２１ ホトセンシティブガラス ２２ ホトセンシ
ティブ材料 ２３ マスク ２４ 紫外線光源 ２５ 突起の構造 ３１ 基板 ３２ ホトレジスト ３３ 立体構造 ４１ 基板 ４２ 高分子材 ４３ 立体パターン ４４ マスク ４５ エキシマレーザー ４６ 表面 ４７ 種子層 ４８ 金属層 ５１、５１ａ マスク ５２、５２ａ 透
光領域 ６１、６１ａ 基板 ６２、６２ａ 第
１の立体パターン ６３ 第２の立体パターン ９１ 直線方向 ９２ 第１の対応方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 育生 台湾新竹市明湖路1050巷256號２樓 Ｆターム(参考） 2H091 FA29X FA29Z FB02 FC06 FC10 FC19 FC26 LA04 LA12

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）表面に高分子材を塗布した基板
   と、所定の曲線パターンを設けた少なくとも一つのマス
   クを準備するステップと、 （ｂ）エキシマレーザーをマスクを透過して基板の上の
   高分子材に照射すると同時に、第１の対応方向に沿って
   基板を移動させ、高分子材をエッチングして第１の立体
   パターンを形成するステップと、 （ｃ）第２の対応方向に沿って基板を移動させ、並びに
   エキシマレーザーをマスクを透過して第１の立体パター
   ンに対して照射しエッチングし、第２の立体パターンを
   形成するステップと、 を包括する、エキシマレーザーによるマイクロ球面と非
   球面の高分子アレイ構造の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のエキシマレーザーによ
   るマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法
   において、 前記所定の曲線パターンに、前記対応方向と垂直な方向
   に沿って若干の幾何形状透光領域が設置され、該幾何形
   状透光領域は該対応方向と垂直な方向に沿った幅が非定
   値とされ、これによりエキシマレーザーをマスクを透過
   して高分子材に照射すると同時に基板を移動させる時
   に、高分子材がその対応方向と垂直な方向に沿って異な
   る時間長のエキシマレーザー照射を受け、このため異な
   る程度にエッチングされて前記立体パターンが形成され
   ることを特徴とする、エキシマレーザーによるマイクロ
   球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のエキシマレーザーによ
   るマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法
   において、 前記第１の対応方向と前記第２の対応方向に係り、
   （ｂ）のステップの照射完成後に、同一基板を９０度回
   転させ、その後に同じ第１の対応方向に沿って（ｃ）の
   ステップの照射を実行することにより、第１の対応方向
   と第２の対応方向を実質上垂直となすことを特徴とす
   る、エキシマレーザーによるマイクロ球面と非球面の高
   分子アレイ構造の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１に記載のエキシマレーザーによ
   るマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法
   において、 （ｃ）のステップの後に、 （ｄ）ケミカルエッチング方式で高分子材の砕屑を除去
   するステップと、 （ｅ）表面処理により第２の立体パターンの表面を円滑
   化するステップと、 を包括することを特徴とする、エキシマレーザーによる
   マイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１に記載のエキシマレーザーによ
   るマイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法
   において、 （ｃ）のステップの後に、 （ｆ）基板及び第２の立体パターンの上に種子層をスパ
   ッタするステップと、 （ｇ）電気メッキ方式で該種子層の上に所定の厚さの金
   属層を形成するステップと、 （ｈ）該金属層を基板と第２の立体パターンより離脱さ
   せて、該金属層をマイクロアレイ構造加圧成形用金型と
   するステップと、 を包括することを特徴とする、エキシマレーザーによる
   マイクロ球面と非球面の高分子アレイ構造の製造方法。
6. 【請求項６】 （ａ）表面に高分子材を塗布した基板
   と、一つの直線方向に沿って若干の幾何形状の透光領域
   が設置されると共に、該透光領域の該直線方向に沿った
   幅が非定値とされる所定の曲線パターンを設けた少なく
   とも一つのマスクと、を準備するステップと、 （ｂ）エキシマレーザーをマスクを透過して基板の上の
   高分子材に照射すると同時に、該直線方向に垂直である
   第１の対応方向に沿って基板を移動させ、高分子材をエ
   ッチングして第１の立体パターンを形成するステップ
   と、 （ｃ）基板を所定の角度回転んさせて、該第１の対応方
   向に沿って基板を移動させると共に、エキシマレーザー
   をマスクを透過して該第１の立体パターンに照射してエ
   ッチングし、第２の立体パターンを形成するステップ
   と、 を包括する、エキシマレーザーによるマイクロ球面と非
   球面の高分子アレイ構造の製造方法。