JP2002166357A - ウェーハ研磨加工方法 - Google Patents

ウェーハ研磨加工方法

Info

Publication number
JP2002166357A
JP2002166357A JP2000360883A JP2000360883A JP2002166357A JP 2002166357 A JP2002166357 A JP 2002166357A JP 2000360883 A JP2000360883 A JP 2000360883A JP 2000360883 A JP2000360883 A JP 2000360883A JP 2002166357 A JP2002166357 A JP 2002166357A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
shape
deformation
lower platens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000360883A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Tanaka
好一 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Original Assignee
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Super Silicon Crystal Research Institute Corp filed Critical Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority to JP2000360883A priority Critical patent/JP2002166357A/ja
Publication of JP2002166357A publication Critical patent/JP2002166357A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハ研磨時の熱的環境下で生じる定盤変
形の影響を相殺し,平坦度の高い形状にウェーハ3を研
磨仕上げする。 【構成】 研磨時の上下定盤1,2の変形を予め把握し
ておき、上下定盤1,2作製過程で研磨時の変形を打ち
消す形状に上下定盤1,2を加工し、上下定盤1,2に
研磨布4を貼り付けた後、上下定盤1,2の間にウェー
ハ3を挟み込み、ウェーハ3を両面研磨する。上下定盤
1,2の形状修正に代え、研磨布4のドレッシング量を
半径方向に調整することによっても研磨時の定盤変形の
影響が相殺される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ研磨時の熱的
環境下で上下定盤が合致するように定盤形状を制御しな
がらウェーハを研磨する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】インゴットからスライシングされたウェ
ーハは、ラッピングされた後、平坦形状に研磨される。
ウェーハの研磨では、複数のウェーハを収容したキャリ
アを下定盤と上定盤との間に挟み、上下定盤に貼り付け
られた研磨布で個々のウェーハを表面加工する両面研磨
装置が多用されている。研磨されたウェーハの平坦度を
上げるためには上下定盤の合致度を高め、研磨布の粘弾
性等の力学的作用がウェーハに均等に働くことが必要で
ある。そこで、従来の研磨機では、たとえば圧力の強度
に応じて変色度合いが異なる感圧紙を上下定盤の間に挟
み、変色度合いが一定になるように上下の定盤形状を仕
上げることにより、上下定盤の形状を合致させている。
合致度の検査は、研磨機を完全に室温に達するまで長時
間室内に放置した後で実施されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上下定盤の合致度が検
査された研磨機を用いてウェーハを研磨すると、研磨機
は複雑な熱的環境に曝され、上下定盤は熱的環境に応じ
て複雑に熱変形する。上下定盤の熱変形は研磨されたウ
ェーハの平坦度に大きな影響を及ぼすものであるが、比
較的剛性の小さな従来の上下定盤では熱変形が撓み変形
で打ち消され、しかも研磨布の弾性も大きくないため、
ウェーハの両面に作用する挟持圧力のバラツキが抑制さ
れ、熱変形の影響なくウェーハが平坦形状に研磨加工さ
れる。
【0004】ところが、ウェーハの大口径化,高平坦度
化を進めるため、上下定盤を含め研磨機として剛性の高
いものが使用され始め、研磨布としても硬質研磨布が使
用されるようになってきている。剛性の高い定盤は平坦
度を低下させる撓み変形の抑制には有効であるが、従来
の定盤では撓み変形によって打ち消されていた熱変形に
よる影響が強く現れる。しかも、研磨布の硬質化に起因
した緩衝作用の低下によって、研磨されたウェーハの形
状に定盤の熱変形がより一層反映される。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、ウェーハ研磨時
の発熱による熱変形を予め採り込んだ形状に上下定盤を
作製し、或いは研磨布のドレッシング量を調整すること
により、研磨中のウェーハ両面に作用する力が均等にな
るように上下定盤を合致させ、ウェーハを平坦度の高い
形状に研磨仕上げすることを目的とする。
【0006】本発明のウェーハ研磨加工方法は、その目
的を達成するため、研磨時の上下定盤の変形を予め把握
しておき、定盤作製過程で研磨時の変形を打ち消す形状
に上下定盤を加工し、上下定盤に研磨布を貼り付けた
後、上下定盤の間にウェーハを挟み込み、ウェーハを両
面研磨することを特徴とする。
【0007】上下定盤の形状調整に代え研磨布のドレッ
シング量を調整することによって、研磨時における上下
定盤の合致度を維持することもできる。この場合、上下
定盤に研磨布を貼り付けた後、上下定盤の間にドレッシ
ング工具を挟み込み、ウェーハ研磨時の上下定盤の変形
と同じ変形を上下定盤に与えた状態でドレッシング工具
に加わる接触圧力が均等になるまで研磨布のドレッシン
グを継続し、次いでドレッシング工具に代えてウェーハ
を上下定盤の間に挟み込み、ウェーハを両面研磨する。
【0008】
【実施の形態】上定盤1と下定盤2との間にウェーハ3
を挟んで両面研磨するとき、研磨条件に応じて熱変形要
因が種々変動し、上下定盤1,2に各種の熱変形が生じ
る(図1)。これら熱変形が複合された結果として上下
定盤1,2が複雑に変形するため、研磨布4の貼付時に
上下定盤1,2を高精度に合致させていても、上下定盤
1,2が円錐状又は逆円錐状に変形する。上下定盤1,
2の変形は、内周側が接近し、外周側が離間した形態
(図2)が多いが、逆に内周側が離間し、外周側が接近
した形態もある。何れの場合も上下定盤1,2間の距離
が半径方向に変動し、ウェーハ3に加わる研磨圧力にバ
ラツキが生じ、研磨されたウェーハ3の平坦度が低下す
る。
【0009】本発明者は、ウェーハ3の平坦度に及ぼす
上下定盤1,2の形状を調査検討する過程で、研磨機が
置かれる熱的環境と上下定盤1,2の形状との間に極め
て強い相関関係があることを見出した。熱的環境として
は、上下定盤1,2の冷却水温度,ウェーハ3に供給さ
れるスラリーの温度,軸受冷却水温度,上下定盤1,2
の伝熱量(研磨熱を除去するため上下定盤1,2の背面
を冷却する際に上下定盤1,2の表面から裏面に流れる
熱量)等がある。上下定盤1,2の伝熱量は、研磨圧
力,定盤回転数,研磨布4の摩擦係数等、研磨条件に応
じて発生する加工熱に依存して変動するが、伝熱量の変
動量は研磨条件と定量的関係にある。
【0010】これらの値を変えると上下定盤1,2は凹
型から凸型の円錐形状の範囲で変化する。しかも、上下
定盤1,2は、熱的環境の変化に追従して極めて高い再
現性で変化する。このことは、熱的環境の変化が上下定
盤1,2の形状制御に利用可能なことを意味する。な
お、研磨布4の貼付時に合致度を高めた上下定盤1,2
を研磨時においても定盤全域の間隙が均等に維持される
ように熱的環境を制御することも考えられるが、このよ
うな温度管理では加工能力の低下等の問題を派生する。
【0011】研磨時の熱的環境下で上下定盤1,2が変
形することを前提とし、本発明では、過去の実績や熱計
算等から予想される変形を見込んだ形状に上下定盤1,
2を予め作製する。具体的には、研磨時に上下定盤1,
2が内周部側で接近した形状(図2)に変形することが
予想される場合、定盤作製段階で中央部が窪んだ形状
(図3a)に上下定盤1,2を形成する。中央の窪み
は、ウェーハ研磨時の熱的環境下で生じる上下定盤1,
2の変形を相殺し、上下定盤1,2の間隔を一定に維持
する(図3b)。その結果、ウェーハ3に研磨圧力が均
等に加わり、平坦度良く研磨仕上げされる。
【0012】上下定盤1,2自体に窪みをつけることに
代え、研磨布4のドレッシング量を調節することによっ
ても、ウェーハ3に加わる研磨圧力を均等化できる(図
4)。研磨布4のドレッシングでは、研磨布4を貼り付
けた上下定盤1,2の間にドレッシング工具5を挟み込
み、研磨布4の作用面をドレッシング工具5で所定の面
性状に調整するが、このときウェーハ研磨時と同様な形
状に上下定盤1,2を変形させた状態で研磨布4をドレ
ッシングする。上下定盤1,2の変形は、印加圧力,定
盤回転数,研磨布4の摩擦係数等によって制御できる。
【0013】ドレッシング工具5に加わる接触圧力が均
等になるまでドレッシングを継続すると、研磨布4は、
内周側で薄く、外周側で厚くなった断面形状にドレッシ
ングされる。研磨布4に付けられた厚み分布は、ウェー
ハ研磨時に生じる上下定盤1,2の変形を相殺し、ウェ
ーハ3に加わる研磨圧力を均等化する。その結果、ウェ
ーハ3は、均等な厚み分布をもった平坦度の高い形状に
研磨仕上げされる。
【0014】形状修正された上下定盤1,2又はドレッ
シング量が調整された研磨布4を用いてウェーハ3を研
磨するとき、熱的環境の厳密な制御が上下定盤1,2の
合致度を維持するために必要である。制御要因として
は、上定盤1に供給される冷却水の温度及び流量,下定
盤2に供給される冷却水の温度及び流量,ウェーハ3に
供給されるスラリーの温度及び流量,軸受に供給される
冷却水の温度及び流量等がある。
【0015】上下定盤1,2の合致度又は研磨中のウェ
ーハ3に加わる研磨圧力を測定しながら、これら制御要
因を調整することにより研磨圧力を均等化できる。或い
は、研磨されたウェーハ3の形状を測定し、測定結果に
基づいて制御要因を調整することも可能である。研磨中
の合致度測定では、上下定盤1,2の間隙が狭い箇所ほ
どウェーハ3に加わる研磨圧力が大きく発熱量が増加し
て昇温する現象を利用できる。すなわち、上下定盤1,
2の半径方向に沿って複数の温度計を配置し、上下定盤
1,2半径方向の温度分布を測定することにより上下定
盤1,2の合致状況を推定できる。
【0016】ウェーハ3の研磨を繰返し継続すると、冷
却水系統へのスケール付着,研磨布4の磨耗や目詰りに
よる摩擦熱の変動等に起因して熱的環境が変動し、上下
定盤1,2の合致度が低下することがある。このような
場合、前掲した制御要因の一つ又は複数を選択し、その
水準を変えることによって上下定盤1,2の合致度を回
復させる。研磨圧力,定盤回転数を変更しても上下定盤
1,2の伝熱量が変化し、上下定盤1,2の合致度が低
下することもある。この場合も低下量を補うように制御
要因を補正することにより、上下定盤1,2の合致度を
回復できる。
【0017】
【実施例】研磨機として、外径1652mm,内径49
2mmの上定盤1及び下定盤2に平均厚みが1.27m
mでアスカーC硬さ82のポリウレタン含浸ポリエステ
ル不織布(SUBA 800 ロデール・ニッタ株式会社製)製
研磨布4を貼り付けた両面研磨装置を使用した。上下定
盤1,2の間に挟み込まれたウェーハ3は上下定盤1,
2の回転によって生じる摩擦で両面研磨されるが、研磨
時の熱的環境下で上下定盤1,2が変形する。
【0018】上下定盤1,2の変形に及ぼす各種要因に
ついて調査した結果を図5〜13に示す。上定盤1の形
状は上定盤1に供給される冷却水の温度(図5)や伝熱
量(図6)とリニアな関係にあり、下定盤2の形状は下
定盤2に供給される冷却水の温度(図7)及び伝熱量
(図8,9)と逆方向にリニアな関係にあった。また、
下定盤2の形状は、下定盤2を回転可能に支持する軸受
に供給される冷却水の温度(図10)に依存してリニア
に変化し、下定盤2の回転数(図11)に応じても変化
していた。図中、Hsは、定盤の表面形状を円錐形で近
似した場合における頂点の高さを示し、円錐形の頂点が
上方にあるときを+,下方にあるときを−で表す。
【0019】各種制御要因から、ウェーハ研磨中の上下
定盤1,2の形状を予測し、或いは制御可能なことが判
る。たとえば、上定盤1に供給される冷却水の温度及び
除熱量を変えると上定盤1が上に凸又は下に凸の形状に
変形し(図12)、下定盤2に供給される冷却水の温度
及び除熱量を変えると下定盤2が上に凸又は下に凸の形
状に変形する(図13)。ここで、除熱量は、定盤の回
転数,研磨圧力,スラリー流量,温度等に応じて変動す
る。上下定盤1,2や軸受に供給される冷却水の温度,
流量,上下定盤1,2の伝熱量,上下定盤1,2の回転
数等が上下定盤1,2の変形に与える影響は、個々の研
磨機ごとに定まった関係にある。したがって、研磨条件
を設定することによりウェーハ3研磨中の上下定盤1,
2の変形を予測できる。
【0020】研磨条件を次のように設定したとき、平坦
に製作されていた上下定盤1,2の形状は、ウェーハ研
磨中の熱環境で上定盤1の形状はHs値で−20μm,
下定盤1の形状は+10μm変形し、上下定盤1,2の
内周側から外周側に向けて間隔が30μm開くことが予
想された。そこで、ウェーハ研磨中の変形が相殺できる
ように、定盤作製時に上定盤1の形状をHs値で+20
μm,下定盤2の形状をHs値で−10μmとなるよう
に円錐形状に作製した。 研磨条件 上定盤1に供給される冷却水の温度20℃,流量7リッ
トル/分 下定盤2に供給される冷却水の温度20℃,流量7リッ
トル/分 ウェーハ研磨に供給されるスラリー温度20℃,流量4
リットル/分 上定盤1の伝熱量5kcal/分, 下定盤2の伝熱量
7kcal/分 上定盤1の回転数反時計方向10rpm,下定盤2の回
転数時計方向30rpm研磨布4の厚み1.27mm,
アスカーC硬さ82
【0021】形状調整された上下定盤1,2を研磨機に
組込み、ウェーハ3を両面研磨したところ、ウェーハ3
は平坦度(ウェーハ内の最大厚みと最小厚みの差)0.
0010mmと極めて平坦な形状に研磨仕上げされてい
た。比較のため窪みをつけていない上下定盤1,2を組
込んだ研磨機を使用した場合、研磨されたウェーハ3
は、凸レンズ形状であり、平坦度は0.007mmと平
坦度に劣っていた。
【0022】また、上下定盤1,2の形状修正に代え、
上下定盤1,2に貼り付けた研磨布4をドレッシングす
る際に、研磨中と同様に上下定盤1,2を形状変化させ
てドレッシング工具5に加わる摩擦圧力が均等になるま
で研磨布4をドレッシングした。ドレッシングされた研
磨布4の厚みを測定したところ、内周側が外周側よりも
0.031mm薄かった。このようにして調整された研
磨布4をウェーハ3に接触させて両面研磨したところ、
平坦度0.0010mmと平坦な形状にウェーハ3が研
磨仕上げされた。
【0023】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、研磨中の定盤変形を見込んだ形状に上下定盤を作製
し、或いは研磨布のドレッシング量を調整することによ
り、研磨中のウェーハに加わる研磨圧力を均等化してい
る。上下定盤の形状修正や研磨布のドレッシング量調整
は、大型化に伴って剛性を高めた定盤を組み込んだ研磨
機において現れがちな熱的環境に起因した定盤変形の影
響を効果的に打ち消す。このようにして研磨されたウェ
ーハは、研磨中の定盤変形の影響を受けることなく平坦
度が高い形状に研磨仕上げされるため、高集積密度化,
高機能化が著しい各種半導体デバイス作製用基板として
使用される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 両面研磨機の熱変形を説明する概念図
【図2】 合致度を高めた上下定盤(a)がウェーハ研
磨時に変形(b)することを説明する図
【図3】 本発明に従って形状修正した上下定盤(a)
がウェーハ研磨時に均等な間隙(b)を維持することを
説明する図
【図4】 研磨布のドレッシング量を調整することによ
りウェーハ研磨時に上下定盤の合致度を高める方法の説
明図
【図5】 上定盤の形状が冷却水温度によって変化する
ことを示したグラフ
【図6】 上定盤の形状が伝熱量によって変化すること
を示したグラフ
【図7】 下定盤の形状が冷却水温度によって変化する
ことを示したグラフ
【図8】 下定盤の形状が伝熱量によって変化すること
を示したグラフ
【図9】 下定盤の形状が伝熱量によって変化すること
を示したグラフ
【図10】 下定盤の形状が流体軸受に供給される冷却
水の温度によって変化することを示したグラフ
【図11】 下定盤の形状が回転数によって変化するこ
とを示したグラフ
【図12】 図5,6から導き出された式をベースにし
て冷却水温度及び除熱量と上定盤の形状変化との関係を
表したグラフ
【図13】 図7〜10から導き出された式をベースに
して冷却水温度及び除熱量と下定盤の形状変化との関係
を表したグラフ
【符号の説明】
1:上定盤 2:下定盤 3:ウェーハ 4:研
磨布 5:ドレッシング工具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 622 H01L 21/304 622M

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨時の上下定盤の変形を予め把握して
    おき、定盤作製過程で研磨時の変形を打ち消す形状に上
    下定盤を加工し、上下定盤に研磨布を貼り付けた後、上
    下定盤の間にウェーハを挟み込み、ウェーハを両面研磨
    することを特徴とするウェーハ研磨加工方法。
  2. 【請求項2】 上下定盤に研磨布を貼り付けた後、上下
    定盤の間にドレッシング工具を挟み込み、ウェーハ研磨
    時の定盤変形と同じ変形を上下定盤に与えた状態でドレ
    ッシング工具に加わる接触圧力が均等になるまで研磨布
    のドレッシングを継続し、次いでドレッシング工具に代
    えてウェーハを上下定盤の間に挟み込み、ウェーハを両
    面研磨することを特徴とするウェーハ研磨加工方法。
JP2000360883A 2000-11-28 2000-11-28 ウェーハ研磨加工方法 Pending JP2002166357A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000360883A JP2002166357A (ja) 2000-11-28 2000-11-28 ウェーハ研磨加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000360883A JP2002166357A (ja) 2000-11-28 2000-11-28 ウェーハ研磨加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002166357A true JP2002166357A (ja) 2002-06-11

Family

ID=18832406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000360883A Pending JP2002166357A (ja) 2000-11-28 2000-11-28 ウェーハ研磨加工方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002166357A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009023088A (ja) * 2008-10-30 2009-02-05 Sumco Techxiv株式会社 ラップ盤
JP2011175726A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
JP2013235041A (ja) * 2012-05-07 2013-11-21 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法
CN103846780A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 硅电子股份公司 抛光半导体晶片的方法
KR20190005916A (ko) 2016-07-13 2019-01-16 가부시키가이샤 사무코 양면 연마 장치
CN116494120A (zh) * 2023-06-29 2023-07-28 苏州博宏源机械制造有限公司 大盘检测方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009023088A (ja) * 2008-10-30 2009-02-05 Sumco Techxiv株式会社 ラップ盤
JP2011175726A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
JP2013235041A (ja) * 2012-05-07 2013-11-21 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法
KR101627897B1 (ko) * 2012-12-04 2016-06-07 실트로닉 아게 반도체 웨이퍼 연마 방법
JP2014110433A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 Siltronic Ag 少なくとも1つのウエハを研磨する方法
KR20140071896A (ko) * 2012-12-04 2014-06-12 실트로닉 아게 반도체 웨이퍼 연마 방법
CN103846780A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 硅电子股份公司 抛光半导体晶片的方法
CN103846780B (zh) * 2012-12-04 2017-08-08 硅电子股份公司 抛光半导体晶片的方法
US10189142B2 (en) 2012-12-04 2019-01-29 Siltronic Ag Method for polishing a semiconductor wafer
DE102013201663B4 (de) 2012-12-04 2020-04-23 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
KR20190005916A (ko) 2016-07-13 2019-01-16 가부시키가이샤 사무코 양면 연마 장치
CN116494120A (zh) * 2023-06-29 2023-07-28 苏州博宏源机械制造有限公司 大盘检测方法
CN116494120B (zh) * 2023-06-29 2023-09-19 苏州博宏源机械制造有限公司 大盘检测方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3846706B2 (ja) ウエーハ外周面取部の研磨方法及び研磨装置
US10189142B2 (en) Method for polishing a semiconductor wafer
KR100818683B1 (ko) 경면 면취 웨이퍼, 경면 면취용 연마 클로스 및 경면 면취연마장치 및 방법
TWI471911B (zh) 製造磊晶晶圓的方法以及磊晶晶圓
EP1261020A1 (en) Wafer manufacturing method, polishing apparatus, and wafer
KR102047814B1 (ko) 웨이퍼 연마 방법
JP5061694B2 (ja) 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド並びにウエーハの研磨方法
CN110193776B (zh) 晶圆抛光的抛光压力控制方法、装置和设备
JP6635088B2 (ja) シリコンウエーハの研磨方法
JPH09270401A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
TW201201264A (en) Hydrostatic pad pressure modulation in a simultaneous double side wafer grinder
KR20120101146A (ko) 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법
TWI289889B (en) Method of polishing wafer and polishing pad for polishing wafer
CN110052955B (zh) 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法
JP2002542613A (ja) ウエファ研磨パッドを調整する方法
JP2002166357A (ja) ウェーハ研磨加工方法
JP5716612B2 (ja) シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置
JP2021132102A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
KR20130060412A (ko) 반도체 연마장비의 연마헤드
WO2003107402A1 (ja) 半導体ウエーハ
JP6432497B2 (ja) 研磨方法
JP2005005315A (ja) ウエーハの研磨方法
JP2002046058A (ja) 両面研磨用研磨布のドレッシング方法
CN114667594A (zh) 晶片的研磨方法及硅晶片
JP7099614B1 (ja) テンプレートアセンブリ、研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040210

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040803