JP2002164572A5 - - Google Patents
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- 基板と活性層との間に、基板側から順に、アンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層、第３の窒化物半導体層が同一組成であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層、第３の窒化物半導体層が、ＧａＮであることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
- 基板と活性層との間に、基板側から順に、アンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記前記第３の窒化物半導体層の抵抗率が、０．１Ω・ｃｍより大きいことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記第３の窒化物半導体層がＩｎＧａＮであると共に、Ｉｎ混晶比ｙが０．１以下であるＩｎｙＧａ１−ｙＮであることを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体発光素子。
- 基板と活性層との間に、基板側から順に、アンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記第１の窒化物半導体層がＡｌＧａＮであることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記第１の窒化物半導体層が、Ｘ値が０．２以下のＡｌｘＧａ１−ｘＮであることを特徴とする請求項５記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第３の窒化物半導体層の抵抗率が、０．１Ω・ｃｍより大きいことを特徴とする請求項５又は６に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第３の窒化物半導体層の膜厚が０．１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001319394A JP2002164572A (ja) | 1997-07-25 | 2001-10-17 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19947197 | 1997-07-25 | ||
| JP9-199471 | 1997-07-25 | ||
| JP9-304328 | 1997-11-06 | ||
| JP30432897 | 1997-11-06 | ||
| JP2001319394A JP2002164572A (ja) | 1997-07-25 | 2001-10-17 | 窒化物半導体発光素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34897297A Division JP3448196B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-12-18 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164572A JP2002164572A (ja) | 2002-06-07 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001319394A Pending JP2002164572A (ja) | 1997-07-25 | 2001-10-17 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2002164572A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4384019B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2009-12-16 | 住友電気工業株式会社 | ヘッドランプ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3509260B2 (ja) * | 1994-03-08 | 2004-03-22 | 住友化学工業株式会社 | ３−５族化合物半導体と発光素子 |
| JP3598591B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2004-12-08 | 住友化学工業株式会社 | ３−５族化合物半導体の製造方法 |
| JPH0997921A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-04-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体の製造方法 |
| JP3165374B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2001-05-14 | 株式会社東芝 | 化合物半導体の電極の形成方法 |
| JP3235440B2 (ja) * | 1995-11-24 | 2001-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子とその製造方法 |
| US5903017A (en) * | 1996-02-26 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN |
| JP3275810B2 (ja) * | 1997-11-18 | 2002-04-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
-
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