JP2002162582A - 基板上に光スイッチを製造する方法 - Google Patents
基板上に光スイッチを製造する方法Info
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Abstract
められている。 【解決手段】 光クロスコネクトシステムは、一般的な
概念として、MEMSチルトミラーの2次元アレイを使
用して第1の光ファイバから入射した光を第2の光ファ
イバに向ける。2次元アレイの各MEMSチルトミラー
は、2つの非同一線上軸を中心にチルト回転し、基板に
取付けられた複数のサスペンションアームによって吊ら
れている。
Description
おける伝送路交換に用いられるミラー構造体に関する。
換(switch)がしばしば必要とされ、種々のアプローチ
が提案されている。微小電子機械システム(MEMS)
ミラーに基づく光交換は、通信システムにとって特に魅
力的な方法である。反射MEMSミラーを用いた光スイ
ッチは、自由空間光伝送が利用できるとともに大規模の
光クロスコネクトシステムに対してスケーリング可能で
あるために有用である。このアプローチは、約1000
x1000規模の光クロスコネクトシステムが現在要求
されているために重要である。光クロスコネクトシステ
ムにおけるMEMSミラーの運動は、通常、静電的、電
磁的、圧電的または熱による作動力によって行われる。
MSミラーを用いた光スイッチが求められている。
る光クロスコネクトシステムは、一般的な概念として、
MEMSチルトミラー(tilt mirror)の2次元アレイを
使用して、第1の光ファイバからの光を第2の光ファイ
バに向ける。2次元アレイの各MEMSチルトミラー
は、2つの非同一線上軸(互いに並行でない2つの軸;
non-colinear axes)を中心にチルト回転(tilt)可能
で、基板に取付けられた複数のサスペンションアームに
より吊られて(suspendedされて)いる。
コネクトシステム100の1実施形態が示されている。
MEMSチルトミラー106の2次元アレイ104を使
用して、光ファイバ100の2次元アレイ108から入
射する光ビーム101を、光ファイバ111の2次元ア
レイ112に向ける。各ミラーは、一般に2つの非同一
線上軸の周りをそれぞれ回転可能になっている。ミラー
106の通常の直径(diameter)は、300μmから1
000μmの範囲である。例えば、光ファイバ110か
ら発生した光ビーム101は、一般に約50μm以上の
直径を有する小型レンズ115を用いてコリメート(視
準;collimate)され、チルトミラー106に投射され
る。チルトミラー106は、光ビーム101を小型レン
ズ(lenslet)116に向け、小型レンズ116はこの
光ビーム101を光ファイバ111に収束(forcus)さ
せる。このように、光クロスコネクトシステム100に
より、2次元アレイ108状の光ファイバ110の任意
の1つから発生した光ビーム101を、2次元アレイ1
04状のミラー106のいずれかによって、2次元光フ
ァイバアレイ112中の選択された光ファイバ111に
向けることができる。なお、チルトミラー106の数
は、入光側の光ファイバ110の数に等しく、光ファイ
バ110の数は光クロスコネクトシステム100の出力
側の光ファイバ111の数に等しい。
光ファイバ111に入射しないので、これが光ファイバ
111の開口の問題(aperture issue)を招く可能性が
ある。特に、光ファイバアレイがより大きい場合または
光伝送路(システム内の光の行路)がより短い場合に
は、走査角度が大きくなる。図2には、本発明による光
クロスコネクトシステム125が示されている。この光
クロスコネクトシステム125では、光ビーム101は
正面から光ファイバ111に入射可能である。光クロス
コネクトシステム125は、チルトミラー107の2次
元アレイ105を含み、光ビーム101が確実に正面か
ら光ファイバ111に入射するようにしている。光ファ
イバ110から発した光ビーム101はまずチルトミラ
ー106に当たり、チルトミラー107に反射する。チ
ルトミラー107は光ビーム101を反射して正面から
光ファイバ111に入射させる。しかしながら、光クロ
スコネクトシステム125では、光クロスコネクトシス
テム100で必要なチルトミラーの2倍の数のチルトミ
ラーが必要である。最大ミラーチルト角度は、ミラー1
06または107がアレイ105、104の最も離れた
ミラーに達するために必要な最大角度変位である。ビー
ムの半径を180μmとし、光伝送路の長さを8cmと
した場合、この構成における通常の最大ミラーチルト角
度は、2次元アレイ104及び105で、約3.25゜
である。
イッチの、本発明による1実施形態が示されている。光
ビーム101は、光ファイバアレイ108の光ファイバ
110のいずれかから出射し、小型レンズアレイ115
を通過してチルトミラーアレイ104に収束され、チル
トミラー106によってチルトミラー117上に反射す
る。チルトミラー117は光ビーム101を小型レンズ
117を通過させて光ファイバ114の所望の一つに向
ける。n×1の光スイッチを用いると、アレイ108中
のn個(n≧m)の互いに異なる光ファイバ110から
発せられたものから選択可能なm個の互いに異なる波長
のサブセットを、光ファイバ114の所望の1つに多重
送信(multiplex)する。
switching)のための1×n光スイッチの、本発明によ
る1実施形態が示されている。光ファイバ119から出
射した光ビーム101は、小型レンズ108を通過し、
チルトミラー177に収束され、チルトミラー177に
よりチルトミラーアレイ105の所望のチルトミラー1
07に反射する。チルトミラー107は、光ビーム10
1に小型レンズアレイ116を通過させ、光ファイバア
レイ112の所望の1つの光ファイバに収束させる。1
×n光スイッチを用いると、光ファイバ119からの光
ビーム101の経路を、光ファイバ111の任意の1つ
に振り分け(route)る。
ている。光クロスコネクトシステム150は、チルトミ
ラー106及び107の2次元アレイと、入光側光ファ
イバ110と出光側光ファイバ112から構成される2
次元アレイとを有する。光クロスコネクトシステム15
0は、さらに反射板180を備える。光ビーム101は
光ファイバ110から出射して、小型レンズ115によ
り集光され、チルトミラー106によって反射板180
に反射する。反射板180で反射した光ビーム101
は、チルトミラー107により小型レンズ115に反射
し、小型レンズ115は光ビーム101を光ファイバ1
12に正面から入射させる。
角形に調節(adjust)できる。例えば、楕円形のミラー
形状により、ある角度で入射する円形ビームの投射(pr
ojection)を捉えることができる。図6には、円形ビー
ム300の放射線(rays)に対して角度bで楕円形ミラ
ー310に入射する円形ビーム300を示す。楕円形ミ
ラー310の最適なアスペクト比は、角度bから求める
ことができる。
トミラー106及びチルトミラー107の基本構造が示
されている。チルトミラーの構造体には別のジオメトリ
を用いてもよいが、サスペンションアーム450に代わ
る構成を用いた場合でも、チルトミラー構造体がアンカ
ーポイント440のあいだで長く延びていなければなら
ない。そうでないと、解放層(release layer)エッチン
グ後にミラー構造体を持ち上げさせることができない。
ポインティング(optical pointing)を可能にすべく、
実質的に平坦で応力のかけられていない(stress fre
e)金属である。ミラー405は、曲げヒンジ(flextur
e hinges)によりサスペンションアーム450に取付け
られている。サスペンションアーム450は通常ニッケ
ルで形成され、電極410の作動によりミラー405が
軸476及び475を中心に回転するための隙間(ゆと
り)を提供している。以下に説明する解放エッチング
(release etch)の間、ミラー405は自動的に持ち上
がり、基板499(図10参照のこと)からの持ち上が
った時にはミラーはそれ自身の平面においてわずかに回
転する。直径が約300〜1000μmのミラー405
の通常の高さは、およそ20〜100μmである。4つ
のサスペンションアームにそれぞれ関連する4つの作動
電極410を、一般に約10〜50ボルトの作動電圧で
個別に充電し、ミラー405を軸475及び軸476を
中心にチルト回転させてもよい。さらに、図7に示すよ
うに、電極はミラー構造体405の下部に延びてもよ
い。
いずれによっても作動できる。AC作動を用いる場合、
AC駆動の周波数は、作動対象である機械システムの応
答時間に比べ、かなり高くなければならない。AC駆動
は、作動電極410の間またはこれに近接して設けられ
た誘電材料における潜在的な電荷の蓄積を回避する。作
動電極410は、正電圧と、これにほぼ等しい負電圧と
で交替するバイポーラ信号で駆動するのが効果的であ
る。この交替波形は、立上がり及び立下がり時間が例え
ばチルトミラー106及び107の機械応答時間より実
質的に短かければ、一般的に矩形シヌソイド(square s
haped sinusoidal)でも、三角形でも、または他の適当
な形状でもよい。
06及び107の機械的応答周波数が約1kHzであれ
ば、通常の駆動周波数は1kHz以上である。作動力は
作動電圧の二乗に比例するので、電圧の符号には影響さ
れない。作動力が変化するのは、電圧が逆の符号の電圧
に遷移するときのみである。よって、この遷移時間を、
例えばチルトミラー106及び107の共振時間(reso
nance period)に比べて短くする必要がある。バイポー
ラ信号は誘電材料における電荷の蓄積を低減するが、こ
れは誘電材料に蓄積された正味電荷が平均すると、ほぼ
「0」になるからである。DC信号で作動する場合に
は、誘電材料中に正味電荷がある時間蓄積する可能性が
あり、この作用により印加された作動電圧がスクリーニ
ングあるいは干渉されることがある。
ー106及び107の基本構造は、応力処理された(st
ress-engineered)金属フィルムに基づいている。すな
わち、ミラー405及び曲げヒンジ415は、応力を受
けないよう設計され、ミラー405の周囲に沿って設け
られたサスペンションアーム450はニッケルで形成さ
れ、応力勾配(stress gradient)を組込んだMoCr
層を有する。サスペンションアーム450は、アンカー
ポイント440にて基板に固定されている。曲げヒンジ
415は、ミラー405をサスペンションアーム450
に取付けると共に、ミラー405から応力及びひずみ
(strain)を分離することにより正確な光学ポインティ
ングのための平坦性を維持し、かつミラーの持ち上げ及
び作動に必要な軸477を中心にした回転を柔軟にす
る。
基板及びサスペンションアーム450の間に位置する電
極410間の引力により生成される。本発明による別の
実施形態では、電極410はサスペンションアーム45
0の下部だけでなく、図7に示すようにミラー405の
各四分円の下部にも延びることで総作動力を高めてい
る。作動電極410をサスペンションアーム450の下
部領域に限定すると、アンカーポイント440付近から
作動を開始した場合、単位面積当たりの力が大きくな
る。すなわち、アンカーポイント440では、電極とサ
スペンションアーム450の最初の隔たりが最小で、そ
の後、サスペンションアームが電極410に向かって引
きつけられると、この隔たりがサスペンションアーム4
50の長さに沿って「ジッパーを閉めるように」減少し
始める。
アーム450がチルトミラー106及び107の構造に
おいて使用できる。サスペンションアーム450の作動
力だけでミラーを作動する場合には、2つの非同一線上
軸を中心にチルト回転できるよう、最低3つのサスペン
ションアーム450が必要である。電極410をミラー
405の下部に延びるようにしてミラーを1傾斜軸を中
心に作動する場合には、2つのサスペンションアーム4
50によって2軸を中心にしたチルト回転を実現でき
る。
例えば、全てのサスペンション構造に対する要件とし
て、サスペンションアーム450または455(図9参
照)と曲げヒンジ415の少なくともいずれかがアンカ
ーポイント440の間で変形可能である。図7及び図8
に示される実施形態では、ミラー405を包囲するサス
ペンションアーム450を用いることにより変形を実現
する。図9に示される実施形態では、サスペンションア
ーム455の長さ方向の屈曲部(flextures)456に
よって変形が行われる。変形が可能なその他の実施形態
も、当業者には明白である。
図であり、ここでは電極410はサスペンションアーム
450の下部にのみ配置されている例を示す。
8の出射表面と、出力側光ファイバの束112の入射表
面との間の距離として決定する)は、多数のデザインパ
ラメータに影響する。一般的な光伝送路の長さは約5c
m〜10cmの範囲である。図1から図3に示す実施形
態のより長い光学伝送路は、ミラー106及び107が
光ファイバアレイ108及び112にそれぞれ到達する
ために必要な走査角度を減少できるため効果的である。
走査角度の減少により、ミラー106及び107が所与
の共振周波数またはスイッチ速度を得るために必要な作
動電圧が減少し、あるいは作動電圧が一定であればスイ
ッチ速度を高めることができる。また、走査角度が減少
することで、曲げヒンジ415及び長さ方向の屈曲部4
56などの曲げ要素に作用する機械的応力を低減するこ
とができる。機械的応力が減少すれば、金属疲労または
ヒステリシスの潜在的な問題を低減することができる。
光ビームのコリメート(視準)の必要が高まる。コリメ
ート(視準)光学系は、入光側光ファイバ束108の出
射表面および出光側光ファイバ束112の入射表面の付
近に配置する必要がある。通常、小型レンズアレイ11
5及び116により実現するが、屈折率分布型(GRI
N)コリメータ、ボールレンズ、または視準に適した他
の光学要素を使用することもできる。コリメート(視
準)光学系では、光ビーム中に、限定された残留発散(r
esidual divergence)が必ず生じる。例えば、市販のG
RINファイバコリメータは、一般に、0.1〜0.2
5度の残留発散角度を残す。この発散角度と光伝送路の
長さとの組み合わせにより、ミラー106及び107に
必要な大きさが決定する。強度損失を避けるために、ミ
ラー106及び107は、最大光ビーム直径より大きく
なければならない。所与の発散角度に対し、光伝送路が
長いほど大きいミラー106及び107が必要であり、
この結果、より大きいミラーアレイ104,105及び
165、及びより大きいアレイピッチが要求される。そ
して、アレイピッチが大きいほど、大きい走査角度が必
要になる。
〜0.5mmである。視準及び拡張光学系の後のビーム
の直径によりデザインの自由度が提供される。光ビーム
の直径が拡張すると、全光学要素の位置的公差が緩和さ
れ、この結果パッケージングが簡単になるが、ミラーに
要求されるサイズは増加する。一般的なミラーの直径
は、通常約300μmから1mmの範囲である。ミラー
サイズが大きくなると、ミラー表面を光学的に平坦に保
つのが難しくなる。ミラーの厚さを厚くすれば、ミラー
表面を光学的に平坦に保つ能力が強化される。ミラー1
06及び107の一般的な厚さは、1μmから15μm
の範囲である。
タ発散とともに光ビーム発散に寄与する反り(bow)を
有してもよい。図11は、曲率半径R、直径w、反り
x、入射視準ビーム直径d0を有する凹ミラー600の
断面図であり、直径d2は、凹ミラー600の表面から
距離L隔てた光学伝送路における反射ビームの直径であ
る。反り角度
ある。反りxが曲率半径Rよりはるかに小さい場合、光
伝送路の長さLの関数としてのビーム直径は、次式によ
りおおよそ求められる。L<2Rであれば、
の式により近似的に表されることを意味する。
に対し、光伝送路の長さLの関数としてのビーム直径が
次式により求められることが示される。
は、許容可能なミラーサイズを維持するために、コリメ
ート(視準)光学系による残留コリメート角度(resudu
al collimation angle)に起因する光ビームの発散に対
して小さく維持しなければならない。例えば、ミラー直
径wが300μm、光伝送路長Lが10cm、d0が2
50μmであれば、10nmの反りxは許容できるが、
100nmの反りxは許容できない。ミラー直径wを5
00μmまで増加させれば、反りxを100nmにする
ことができる。
たは直径が大きくなるほど、ミラー106及び107
は、所与の作動電圧に対する反応が遅くなる。そして、
より高いサスペンション剛性での応答を早めるには、よ
り高い作動電圧が必要である。
大きくなると、所与の走査角度に対し、基板との間によ
り大きい空隙が必要になる。ミラー106及び107に
用いられる作動力は、下向きの偏向が一定ポイントを超
えると不安定になる。この不安定状態は、一般に、サス
ペンションアーム450と電極410との間の空隙が非
作動状態での空隙の約30%から50%の間に減少する
と発生する。ミラー106及び107の動作において、
最大要求チルト角度で動作する場合には、このような不
安定領域を避けることが望ましい。安定した領域を増や
すためには、電極410を、本発明の1実施形態にした
がって形成するのが効果的である。例えば、アンカーポ
イント440からの距離の関数として、電極410を先
細にすることができる。一般的な形状は三角形である。
作動電極410の幅をその長さに沿って減少させること
により、サスペンションアーム450が作動電極410
に向かって下向きに曲がる際に、一定電圧での作動力を
徐々に減らすことができる。このような作動力の減少
は、サスペンションアーム450と作動電極410との
間の次第に減少する空隙により増加する作動力を相殺す
る。この減少する空隙により、前記不安定状態は開始す
る。
角度、及び不安定領域のサイズの組み合わせにより、ミ
ラー106及び107に対する基板499からの最低空
隙が決定する。空隙は、例えばサスペンションアーム4
50の長さ、及びサスペンションアーム450に導入さ
れる応力勾配の大きさを適当に選択して調整される。ミ
ラー106及び107に対する一般的な空隙は、通常、
基板499から20μm〜200μmの範囲である。
106及び107の質量が、ミラー06及び107の共
振周波数を決定する。例えば、図7においては、サスペ
ンションシステムの剛性は、サスペンションアーム45
0及び曲げヒンジ415の幅、長さ、厚さ、及び材料に
より決定する。剛性が高いほど、共振周波数が高く、そ
の結果、スイッチ速度も速まるが、より高い作動電圧が
必要である。さらに、剛性が高いほど、同一の応力勾配
及び幾何学構造に対し、基板499上方におけるミラー
405の空隙が減少する。サスペンションアーム450
の剛性に対する曲げヒンジ415の剛性の比率により、
作動力の何分の一が、ミラー405の下降に対してミラ
ー405のチルト回転を生成するかが決定する。ミラー
405のチルト回転及び下降のいずれもが存在するの
で、曲げヒンジ415の剛性はサスペンションアーム4
50の剛性より小さくすることが望ましい。
イ104などの2次元マイクロミラーアレイは、本発明
にしたがって種々の方法で組み立てることができる。そ
して、種々の基板、例えば、ガラス、バルクシリコン、
絶縁体上シリコンなどが使用できる。
マスク(lift-off mask)701〜706は、2×2の
マイクロミラーアレイに対して示されているが、任意の
マイクロミラーアレイサイズ、あるいは単一ミラー構造
にも適応できる。図26から図40には、ガラスを基板
に用いた、本発明によるMEMSチルトミラー106の
2次元アレイ104の組立てステップが示されている。
図26〜図40は、図41のほぼライン8−8に沿って
切断した断面図である。フォトレジストリフトオフマス
ク701の適用に先立ち、高品質の非アニールガラス基
板801を洗浄する。基板に適用されたリフトオフマス
ク701は、アンカポイント440、作動電極410及
び電気接点(図示せず)を形成すべく、図26に示すよ
うにパターニングされている。通常、100nmのクロ
ム813をリフトオフマスク701上にスパッタリング
する。図27においては、フォトレジストマスク701
及びフォトレジストリフトオフマスク701上に付着し
たクロム層813の部分がアセトンによる浸漬を用いて
除去され、作動電極410(図7参照)及びアンカポイ
ント440が適所に残されている。続いて、低圧化学蒸
着法(LPCVD)を用いて、通常約150nmの厚さ
を有するSi3N4層803を、図28に示されるよう
に、基板801、作動電極410(図7)及びアンカポ
イント440上に設ける。
に、アモルファスシリコン層804を通常約500nm
の厚さまでLPCVDにより形成する。このアモルファ
スシリコン層804上にフォトレジストマスク702を
設け、図14に示すようにパターニングする。そして、
O2/SF6プラズマを用いて、開口部890をアンカ
ポイント440及び電気接点(図示せず)までドライエ
ッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマ
スク702を除去した後、図30に示すように、アモル
ファスシリコン層804、電気接点(図示せず)及びアン
カポイント440上に、銅シード層805を通常約20
0nmの厚さに形成する。
気メッキに備え、図15に示すようにパターニングされ
た電気メッキマスク703を銅層805上に適用する。
そして、図32に示すように、ニッケル層806を、銅
層805上に通常約1μmの厚さまで電気メッキする。
ニッケル層806は、ミラー405及びサスペンション
アーム450に対する構造支持層として機能する(図7
及び図41参照のこと)。その後、電気メッキマスク7
03を除去する。次に、図16に示すようにパターニン
グされた電気メッキマスク704を適用する。すなわ
ち、ミラー405の領域のみを露出する。電気メッキマ
スク704は、図33に示すように、ミラー405を約
2〜3μmの厚さにニッケル電気メッキするためのマス
クである。フォトレジスト層704を除去し、図34に
示される構造が生成される。
図35に示されるように、MoCrフォトレジストリフ
トオフマスク705を適用する。このリフトオフマスク
705を図17に示すようにパターニングされ、MoC
r層810をスパッタリングによりリフトオフマスク8
10上に配する。MoCr層810を蒸着するための一
般的なスパッタリングパラメータが下記の表1に示さ
れ、この結果、MoCr層810全体で約3.0Gpa
の内部応力勾配が得られる。トータルリフト(全体持ち
上げ)は、米国特許第5,914,218号などの従来
のマイクロスプリング法を用いてデザインできる。
トオフマスク705を覆うMoCr層810の部分を除
去し、図36に示される構造を得る。
ッケル層806及びMoCr層810の残りの部分上に
フォトレジストリフトオフマスク706を適用する。リ
フトオフマスク706は図18に示されるようにパター
ニングされ、ミラー405の表面のみを露出する。次
に、金層815をスパッタリングにより蒸着してミラー
405に金をコーティングする。金層815の蒸着後、
アセトン浸漬により、リフトマスク706と、リフトマ
スク706に覆った金層815部分とを共に除去する。
この結果、図38に示される構造が形成される。図39
に示される構造を得るには、アルカリエッチング剤(al
kaline etch)、通常は5H2O:5NH4OH:H2O
2の混合物を使用して、露出した銅層805を除去す
る。このエッチング剤は、露出したニッケルのダメージ
を防ぐ。
4を除去する二フッ化キセノン(XeF2)を使用し、
図39に示される構造を解放(release)する。なお、
銅層805の残留は構造体899に設けられたままであ
る。アモルファスシリコン層804の除去により、構造
体899が図40に示すように解放される。構造体89
9は、MoCr層810の内部応力勾配により基板81
0から持ち上げられる。MoCr層810はサスペンシ
ョンアーム450の表面層なので(図7も参照のこ
と)、MoCr層810の内部応力勾配の作用により4
つのサスペンションアームすべてが持ち上げられ、これ
によりミラー405が上昇する。図10は、ガラス基板
801に設けられたMEMSチルトミラー106の部分
切断図であり、光ビーム1010及び1020がさらに
示されている。光ビーム1020は、ガラス基板801
を通過することによりミラー405に到達する。
板に用いた、本発明の1実施形態によるMEMSチルト
ミラー106の2次元アレイ104の組立てステップが
示されている。バルクシリコン基板1101の通常の厚
さは、エッチングを容易にするために、約100μmで
ある。図43から図53は、図54のライン12−12
で切断した断面図である。図43には、誘電層、通常は
Si3N4層1102及び1103が両側に設けられた
バルクシリコン基板1101が示されている。図21に
示されるようにパターニングされたフォトレジストリフ
トオフマスク709を誘電層1103上に適用する。次
に、リフトオフマスク709及び露出した誘電層110
3上にCr層1105をスパッタリングにより蒸着す
る。続いて、リフトオフマスク709及びこれに被った
Cr層1105部分を、アセトン浸漬により除去する。
誘電層1111を、電極410の電気的絶縁のために電
極410上に設ける。誘電層1111は、Si3N4で
もよいし、他の誘電材料でもよい。次に、SiO2層1
106を、解放の目的で誘電層1111上に設ける。図
45には、SiO2層1106上に適用され、図23に
示すようにパターニングされたフォトレジストマスク層
711が示されている。続いて、誘電層1111及びS
iO2層1106の露出部分をドライエッチングにより
除去する。図46において、図22に示すようにパター
ニングされたフォトレジストマスク710を適用する。
そして、図47に示すように、MoCr層1108を、
上記の表1に詳細に示した条件により、マスク層710
上に通常約500nmの厚さにスパッタリングする。
710及びこれに被ったMoCr層1108部分を、ア
セトン浸漬により除去し、図48の構造を得る。そし
て、図49に示すように、図20に示すようにパターニ
ングされたフォトレジストリフトオフマスク層708を
誘電層1106及びMoCr層1108上に適用する。
次に、このフォトレジストリフトオフマスク層708上
に、金層1109を、スパッタリングにより通常約10
0nmの厚さに設ける。さらに、フォトレジストリフト
オフマスク層708及びこれに被った金層1109部分
をアセトン浸漬により除去する。そして、図50に示す
ように、構造の上部全面を約5〜10μmの厚さにフォ
トレジスト層1110で覆い、約120℃でほぼ20分
間ハードベーキングを施すことにより構造の上部を次の
処理ステップに備えて保護する。
うにパターニングされたフォトレジストマスク707を
誘電層1102に適用する。フォトレジストマスク70
7は、ディープ反応イオンエッチング(DRIE)のた
めの領域を露出させ、DRIEにより誘電層1102及
びこれに重複するバルクシリコン基板1101の露出部
分、誘電層1103及び誘電層1106が除去されて、
サスペンデットミラー(suspended mirror)405を形
成する。図52には、ディープ反応イオンエッチングの
深さが示されている。さらに、MoCrサスペンション
アーム450(図7参照)が誘電層1106から解放さ
れている。最後に、図53に示すように、ドライエッチ
ングまたはアセトン浸漬のいずれかを使用し、続いてフ
ォトレジストストリッパにエッチング剤を用いて、フォ
トレジストマスク層707及び1110を除去する。こ
うして完成したMEMSチルトミラー構造が図55に示
されている。図55において、矢印1310及び132
0は、ミラー405の底部にも金をコーティングするよ
うに処理ステップ43から52をわずかに変更すれば、
ミラー405の上部面と同様に底部面によっても光を反
射できることを示している。
(絶縁体上にシリコンを設けた)基板を用いた、本発明
の1実施形態によるMEMSチルトミラー106の2次
元アレイ104の組立てステップが示されている。図5
6から図67は、図54のライン12−12で切断した
断面図である。図56には、誘電層、通常はSi3N 4
層1402及び1403が両側に設けられた絶縁体上シ
リコン基板1401が示されている。図21に示される
ようにパターニングされたフォトレジストリフトオフマ
スク709を誘電層1403上に適用する。次に、パタ
ーニングしたフォトレジストリフトオフマスク709上
にCr層1405を通常約100nmの厚さにスパッタ
リングする。続いて、図57に示すように、リフトオフ
マスク709及びこれに被ったCr層1405部分を、
アセトン浸漬または標準リフトオフ技術により除去す
る。図58において、誘電層1411を電極410上に
設け、電極410を電気的に絶縁する。誘電層1411
は、Si3N4でもよいし、他の誘電材料でもよい。通
常、この誘電層1411上に、SiO2層1406を解
放の目的で設ける。図59には、SiO2層1406上
に設けられ、図23に示すようにパターニングされたフ
ォトレジストマスク層711が示されている。SiO2
層1406及び下層の誘電層1411の露出部分がドラ
イエッチングにより除去される。図60において、フォ
トレジストマスク710をSiO2層1406の残りの
部分及び層1411の露出部分に設け、図22に示すよ
うにパターニングする。そして、図61に示すように、
MoCr層1408を、上記表1の詳細に従い、マスク
層710上に通常約500nmの厚さにスパッタリング
する。
びこれに重複するMoCr層1408の部分を、アセト
ン浸漬または他のリフトオフ技術により除去し、図62
の構造を得る。そして、図63に示すように、図20に
示すようにパターニングされたフォトレジストリフトオ
フマスク層708を誘電層1406及びMoCr層14
08上に適用する。次に、このフォトレジストリフトオ
フマスク層708上に、金層1409を、スパッタリン
グにより通常約100nmの厚さに設ける。そして、フ
ォトレジストリフトオフマスク層708及びこれに被っ
た金層1409部分をアセトン浸漬または他のリフトオ
フ技術により除去する。図64に示すように、構造の上
部全面を約5〜10μmの厚さにフォトレジスト層14
10で覆い、約120℃でほぼ20分間ハードベーキン
グすることにより構造の上部を次の処理ステップに対し
て保護する。さらに、誘電層1402上にフォトレジス
トマスク層713を設け、図25に示すようにパターニ
ングする。そして、誘電層1402の露出部分を、バッ
ファード・フッ化水素酸エッチング(buffered hydrofl
uoric acid etch)により除去し、次の水酸化ナトリウ
ムエッチングを可能にする。続いて、アセトン浸漬によ
り、フォトレジストマスク層713も除去する。
リコン基板1401を、埋込まれた酸化物層1475に
達するまで、約60℃で45%の水酸化ナトリウムを使
って裏面からエッチングする。埋込まれた酸化物層14
75はエッチングストップとして機能する。誘電層14
02の残りの部分及び埋込まれた誘電層1475の露出
部分を、図19に示すようにパターニングされたフォト
レジストマスク707でコーティングする。さらに、キ
ャビティ1450内の露出した側壁をフォトレジスト層
1451でコーティングする。そして、露出した領域に
ディープ反応イオンエッチングを施し、埋設された誘電
層1475の露出部分、ならびに絶縁体上シリコン基板
1401、誘電層1403及び誘電層1406の、埋設
誘電層1475の露出部分に重なる部分を除去する。こ
の結果、図66に示される構造が形成される。
チングまたはアセトン浸漬のいずれかを使用し、続いて
フォトレジストストリッパにエッチング剤を用いて、フ
ォトレジストマスク層707ならびにフォトレジスト層
1410及び1451を除去する。こうして完成したM
EMSチルトミラー構造1500が図68に示されてい
る。図68において、矢印1510及び1520は、ミ
ラー405の底部にも金をコーティングするように処理
ステップ56から67をわずかに変更すれば、ミラー4
05の上部面と同様に底部面によっても光が反射できる
ことを示している。
による、メカニカルミラー材料としてポリシリコンを使
用し、前述の基板のいずれか一つを用いたMEMSチル
トミラー106の2次元アレイ104の組立てステップ
を示している。図69から図77は、図41のライン8
−8で切断した断面図である。図69において、フォト
レジストリフトオフマスク層701を基板1601上に
適用する。基板に設けられたリフトオフマスク701
は、アンカポイント440、作動電極410及び電気的
コンタクト(図示せず)を形成すべく、図13に示され
るようにパターニングされている。続いて、クロム層1
613をリフトオフマスク701上に通常約100nm
の厚さに配する。図70において、フォトレジストマス
ク701及びフォトレジストリフトオフマスク701に
被ったクロム層1613部分をアセトンによる浸漬また
は他のリフトオフ技術を用いて除去し、作動電極410
(図7参照)及びアンカポイント440を適所に残す。
続いて、低圧化学蒸着法(LPCVD)を用いて、Si
3N4層1603を、図71に示されるように、基板1
601、アンカポイント440、及び作動電極410
(図7)上に通常約200nmの厚さに蒸着し、その
後、Si3N4層1603上に、多孔性SiO2層16
04を通常約150nmの厚さまで形成する。
ーニングされたSiO2層1604にフォトレジストマ
スク702を適用する。そして、O2/SF6プラズマ
を用いて、開口部1690をアンカポイント440及び
電気接点(図示せず)までドライエッチングする。アセ
トン浸漬を用いてフォトレジストマスク702を除去し
た後、ポリシリコン層1605を通常約6μmの深さま
で設け、ミラー405の機械層として機能させる。続い
て、ポリシリコン層1605にケミカルメカニカルポリ
ッシングを施してポリシリコン層1605の上部表面を
平坦化し、図73に示される構造を得る。
トマスク1611を適用し、図15に示されるフォトレ
ジストマスク703のフォトネガティブ(photo negati
ve)としてパターニングする。ポリシリコン層1605
の露出部分をドライエッチングにより除去することによ
り、図74に示される構造を得る。その後、フォトレジ
ストマスク層1611を、アセトン浸漬またはドライエ
ッチングのいずれかを用いて除去する。次に、露出した
SiO2層1604及び残りのポリシリコン層1605
上にフォトレジストリフトオフマスク層705を設け
る。図75において、図17に示すようにパターニング
されたフォトレジストリフトオフマスク層705を適用
し、その後MoCr層1610を、表1に示す条件で、
フォトレジストリフトオフマスク層705及びポリシリ
コン層1605の露出部分にスパッタリングする。そし
て、アセトン浸漬または他のリフトオフ技術により、フ
ォトレジストリフトオフマスク層705及びこれに被っ
たMoCr層1610部分を除去する。次に、図76に
示されるように、フォトレジストマスク層706上に通
常約100nmの厚さに金層1615をスパッタリング
する。続いて、フォトレジストリフトオフマスク706
及びこれに被った金層1615部分を、アセトン浸漬ま
たは他のリフトオフ技術を用いて除去し、ミラー405
に金層1615を残す。最後に、49%のフッ化水素酸
を用いて約15分間多孔性SiO2層にウェットエッチ
ング(wet etch)を施し、図77に示すようにミラー4
05を解放する。この結果得られる構造は、図42の部
分斜視図に示される構造と同様である。
勾配を有する、隣接する2つの応力金属層(stress met
al layor)からチルトミラー106を生成することで得
られる。図78から図89には、互いに反対の応力を生
成する、本発明の1実施形態による、ガラスを基板に用
いたMEMSチルトミラー106の2次元アレイ104
の組立てステップが示されている。図78〜図89は、
図41のほぼライン8−8に沿って切断した断面図であ
る。フォトレジストリフトオフマスク701の適用に先
立ち、高品質の非アニールガラス基板801をクリーニ
ングする。基板に適用されたリフトオフマスク701
は、アンカポイント440、作動電極410及び電気的
コンタクト(図示せず)を形成すべく、図78に示され
るようにパターニングされる。通常、100nmのクロ
ム813をリフトオフマスク701上にスパッタリング
する。図79においては、フォトレジストマスク701
及びフォトレジストリフトオフマスク701に被ったク
ロム層813部分をアセトンによる浸漬を用いて除去
し、作動電極410(図7参照)及びアンカポイント4
40を適所に残す。続いて、低圧化学蒸着法(LPCV
D)を用いて、通常約150nmの厚さを有するSi3
N4層803を、図80に示されるように、ガラス基板
801、作動電極410(図7)及びアンカポイント4
40上に形成する。
に、アモルファスシリコン層804を通常約500nm
の厚さにLPCVDにより形成する。このアモルファス
シリコン層804上に図14に示すようにパターニング
したフォトレジストマスク702を適用する。そして、
O2/SF6プラズマを用いて、開口部890をアンカ
ポイント440及び電気接点(図示せず)までドライエ
ッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジストマ
スク702を除去した後、図82に示すように、アモル
ファスシリコン層804、電気接点(図示せず)及びアン
カポイント440上に、チタン接着層1701を通常約
50nmの厚さに形成し、続いて、チタン接着層170
1上に金反射層1705を蒸着する。
成に備え、図15に示すようにパターニングしたリフト
オフマスク703を金反射層1705上に適用する。図
84には、5つのMoCrサブ層をスパッタリング蒸着
し、その結果、通常全体で1μmの厚さのMoCr層1
712が形成されている。MoCr層1712を蒸着す
るための一般的なスパッタリングパラメータは上記表1
に示され、この結果、MoCr層1712は約3.0G
paの内部応力勾配を有することになる。
ストリフトオフマスク704を設ける。リフトオフマス
ク704は図16に示すようにパターニングされ、ミラ
ー領域のみが露出する。続いて、図85に示すように、
MoCr層1712と逆の応力勾配に設計されたMoC
r層1714をリフトオフマスク704上にスパッタリ
ングする。この結果、ミラー405における正味の力は
実質的にゼロである。アセトン浸漬を行い、リフトオフ
マスク704及びリフトオフマスク704に被ったMo
Cr層1714部分を除去する。そして、トランジーン
金エッチング剤(TRANSENE gold etchant)を
用い、続いてHF:H2Oの混合物を用いて金反射層1
705の露出部分を除去することにより、図86に示す
ように、チタン接着層1712の露出部分を除去する。
びMoCr層1712の露出部分上にフォトレジストリ
フトオフマスク706を適用する。リフトオフマスク7
06は図18に示されるようにパターニングされ、ミラ
ー405の表面のみを露出する。続いて、図87に示す
ように、金層815をスパッタリングして、ミラー40
5を金でコーティングする。金層815の蒸着後、リフ
トオフマスク706と、金層815のリフトオフマスク
706に被った部分をアセトン浸漬により除去する。こ
の結果、図88に示される構成が得られる。最後に、犠
牲アモルファスシリコン層804を除去する二フッ化キ
セノン(XeF2)を用いて、図89に示される構造を
解放する。アモルファスシリコン層804を除去するこ
とにより、構造体1750が解放される。構造体175
0は、MoCr層1712の内部応力勾配により基板8
01から上昇する。MoCr層1712はサスペンショ
ンアーム450(図7も参照のこと)を形成するので、
MoCr層1712の内部応力勾配が4つのサスペンシ
ョンアームすべてを持上げるべく作用し、ミラー405
を上昇させる。
が互いに逆の隣接する2つの応力ポリシリコン層からチ
ルトミラー106を形成することによっても得ることが
できる。LPCVD処理中の蒸着温度(MoCrの場合
の圧力に対して)を調節することによりポリシリコンに
応力を与えることができる。ケースウェスタンリザーブ
大学のアーサー・ヒューア(Arthur Heuer)氏により示
されるように、およそ500mPaの応力を簡単に得る
ことができる。
力を生成する、本発明1の実施形態による、ガラスを基
板に用いたMEMSチルトミラー106の組立てステッ
プが示されている。図90〜図102は、図41のほぼ
ライン8−8に沿って切断した断面図である。フォトレ
ジストリフトオフマスク701の適用に先立ち、高品質
の非アニールガラス基板801をクリーニングする。基
板に供給されたリフトオフマスク701は、アンカポイ
ント440、作動電極410及び電気接点(図示せず)
を形成すべく、図90に示されるようにパターニングさ
れる。通常、100nmのクロム813をリフトオフマ
スク701上にスパッタリングする。図91において
は、フォトレジストマスク701及びフォトレジストリ
フトオフマスク701に被ったクロム層813部分をア
セトンによる浸漬を用いて除去し、作動電極410(図
7参照)及びアンカポイント440を適所に残す。続い
て、低圧化学蒸着法(LPCVD)を用いて、通常約1
50nmの厚さを有するSi 3N4層803を、図92
に示されるように、ガラス基板801、作動電極410
(図7)及びアンカポイント440上に形成する。
に、アモルファスシリコン層804を通常約500nm
の厚さにLPCVDにより形成する。このアモルファス
シリコン層804上に、後に供給されるポリシリコン構
造体のために、XeF2に抗する第1の絶縁層として、
Si3N4層1803をLPCVDにより形成する。図
14に示すようにパターニングされたフォトレジストマ
スク702をSi3N4層1803に適用する。そし
て、O2/SF6プラズマを用いて、開口部890をア
ンカポイント440及び電気接点(図示せず)までドラ
イエッチングする。アセトン浸漬を用いてフォトレジス
トマスク702を除去した後、応力ポリシリコン層18
04をLPCVDによって形成し、このポリシリコン層
1804上にフォトレジスト層2004を適用し、図1
5に示されるマスクの703の反転パターンにパターニ
ングする。O2/SF6プラズマエッチャーにおいてポ
リシリコン層1804の露出部分をドライエッチング
し、フォトレジスト層2004を除去することにより、
図95に示される構造体が得られる。
トレジスト層2005を適用し、図15に示されるマス
ク703の反転パターンにパターニングするが、この時
わずかな光学的に拡大することにより約1μmの張出し
部(overhang)を生成する。そして、HF溶液を用い
て、図96に示すように露出したSi3N4層1803
に所定時間ウェットエッチングを行う。そして、フォト
レジスト層2005をアセトン浸漬により除去する。次
に、Si3N4層1809を設けてポリシリコン層18
04を被包する。図97に示すように、Si3N4層1
809上に図16に示すようにパターニングされたフォ
トレジストマスク704を適用してミラー領域を露出す
る。その後、HFエッチング剤によりSi3N4層18
09をエッチングする。
ク704を除去した後、ポリシリコン層1805を、ポ
リシリコン層1804の応力勾配と逆の応力で設ける。
次に、図98に示すように、ポリシリコン層1805上
にフォトレジスト層2006を適用し、図16に示され
るマスク704の反転パターンにパターニングする。そ
して、ポリシリコン層1805の露出部分をSi3N4
層1809までドライエッチングする。その後、アセト
ン浸漬を用いてフォトレジスト層2006を除去する。
そして、図99に示すように、ポリシリコン層1805
及び露出したSi3N4層1809にフォトレジスト層
2007を適用し、図15に示すフォトマスク703の
反転パターンとしてパターニングする。そして、露出し
たSi3N4層1809を図99に示すようにエッチン
グする。続いて、フォトレジスト層2007をアセトン
浸漬により除去する。
ルファスシリコン層804及びSi 3N4層1809に
図16に示されるようにパターニングされたフォトレジ
ストマスク704を適用する。そして、図100に示さ
れるように、金層1825をフォトレジストマスク70
4に配する。続いて、リフトオフ処理を用いてフォトレ
ジストマスク704を除去し、図101に示される構造
体を残す。なお、後続の二フッ化エッチングに備えてす
べてのポリシリコン層は被包されている。最後に、犠牲
アモルファスシリコン層804を除去する二フッ化キセ
ノン(XeF2)を用いて、図102に示す構造体を解
放する。アモルファスシリコン層804の除去により構
造体1850が解放される。構造体1850は、ポリシ
リコン層1803の内部応力勾配により基板801から
上昇する。ポリシリコン層1803はサスペンションア
ーム450(図7も参照のこと)を形成するので、ポリ
シリコン層1803の内部応力勾配が4つのサスペンシ
ョンアームすべてを持ち上げるべく作用し、ミラー40
5を上昇させる。
テムの1実施形態を示す図である。
クトシステムの1実施形態を示す図である。
形態を示す図である。
形態を示す図である。
テムの1実施形態を示す図である。
を示す図である。
態を示す図である。
態を示す図である。
態を示す図である。
造体の1実施形態を示す側面図である。
rror curvature)の影響を示す図である。
rror curvature)の影響を示す図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
の上面図である。
示す図である。
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示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
を示す図である。
を示す図である。
を示す図である。
ム、106,107 チルトミラー、110,111
光ファイバ、405 ミラー、410 作動電極、44
0 アンカーポイント、450 サスペンションアー
ム、475,476軸、499 基板、701〜706
リフトオフマスク、801 ガラス基板、1101
バルクシリコン基板、1401 絶縁体上シリコン基
板、1601基板。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板を用い、 それぞれが内部応力勾配層を備え、それぞれが第1の端
部及び第2の端部を有し、前記第1の端部が前記基板に
取付けられた、複数のサスペンションアームを設けるス
テップと、 反射表面層を有し、前記複数のサスペンションアームの
前記第2の端部に取付けられたポリシリコン領域を設け
るステップと、 前記複数のサスペンションアームに隣接して前記基板上
に設けられ、前記反射表面層を有する前記ポリシリコン
領域が偏向運動するための電界を生成する、複数の電極
を設けるステップと、 を含む、作動可能なミラー構造体の製造方法。 - 【請求項2】 基板を用い、 それぞれが内部応力勾配ポリシリコン層を備え、それぞ
れが第1の端部及び第2の端部を有し、前記第1の端部
が前記基板に取付けられた、4つのサスペンションアー
ムを設けるステップと、 反射表面層を有し、前記4つのサスペンションアームの
前記第2の端部のそれぞれに取付けられたポリシリコン
領域を設けるステップと、 前記4つのサスペンションアームのそれぞれに隣接して
前記基板上に設けられ、前記反射表面層を有する前記ポ
リシリコン領域が偏向運動するための電界を生成する、
4つの電極を設けるステップと、 を含む、作動可能なミラー構造体の製造方法。
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