JP2002161360A - Method for manufacturing cylindrical metal target with bottom - Google Patents
Method for manufacturing cylindrical metal target with bottomInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、底付き円筒状の形
状であり、その内曲面がスパッタされるターゲットの製
造方法において、底面、側面及び曲面等のスパッタ特性
の差異が小さく、均一な成膜を実現することができる底
付き円筒状（有底円筒体）メタルターゲット製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a target having a cylindrical shape with a bottom and an inner curved surface of which is sputtered. The present invention relates to a method of manufacturing a bottomed cylindrical (bottomed cylinder) metal target capable of realizing a film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】メタル系のスパッタリングターゲットは
円盤形又は矩形を呈しており、高純度メタルを原料と
し、スパッタ特性を良好にするために上記円盤形又は矩
形にした後、ターゲットの組織をコントロールしてい
る。通常、ターゲット素材は、鍛造や圧延などの塑性加
工によってターゲット製品寸法に近い形状に成形する。
これは、その後の旋盤加工などの機械加工による材料ロ
スを少なくする為に重要である。このような大きな加工
歪みを導入した後は、ターゲット組織を制御し、又は加
工歪を除去するために熱処理が行われている。2. Description of the Related Art Metal-based sputtering targets have a disk-like or rectangular shape. High-purity metal is used as a raw material. ing. Usually, the target material is formed into a shape close to the target product dimensions by plastic working such as forging or rolling.
This is important for reducing material loss due to subsequent machining such as lathing. After such a large processing strain is introduced, a heat treatment is performed to control the target structure or remove the processing strain.
【０００３】バッキングプレートはターゲットをスパッ
タ装置内で支持することとスパッタによって発生する熱
を冷却媒体へ逃がすことが重要な役割であり、熱伝導性
に優れた低純度のアルミ、銅、それら合金が使用される
ことが多い。バッキングプレートとターゲットとは低融
点のロウ材や拡散接合などによって接合されている。し
かしターゲットの材料によっては接合が困難であるもの
や、接合時の加熱によってコントロールした微細組織が
不均一に変化してしまう場合がある。The backing plate plays an important role in supporting a target in a sputtering apparatus and releasing heat generated by sputtering to a cooling medium. Low-purity aluminum, copper, and alloys having excellent heat conductivity are used for the backing plate. Often used. The backing plate and the target are joined by a low melting point brazing material or diffusion joining. However, depending on the material of the target, bonding may be difficult, or the microstructure controlled by heating during bonding may change non-uniformly.
【０００４】ターゲットとバッキングプレートが同じ材
料で形成されたターゲット（一体型ターゲット）は、バ
ッキングプレート部にも高純度の金属が使用されてしま
うためにコストアップしてしまうが、接合工程がなくな
るのでターゲットとしての微細組織のコントロールが可
能であり機械加工によるロスが少ない場合は有効に使用
されることが多い。さらに近年、工業レベルの高純度金
属リサイクル技術が発達してきているので、異種金属と
接合されていない一体型ターゲットの方がバッキングプ
レートと分離する必要がないので再溶解が行い易いとい
う利点もある。A target (integrated target) in which the target and the backing plate are formed of the same material is expensive because the high-purity metal is also used for the backing plate portion, but the joining step is eliminated. It is often used effectively when the microstructure as a target can be controlled and the loss due to machining is small. Further, in recent years, since an industrial-level high-purity metal recycling technology has been developed, an integrated target that is not bonded to a dissimilar metal does not need to be separated from the backing plate, and thus has an advantage that it can be easily re-dissolved.
【０００５】最近、スパッタリング法に関して様々な方
法が提案されており、図１のようにフォローカソードタ
ーゲットと呼ばれる底のある円筒状の（有底円筒体）タ
ーゲット１が使用されることが多くなってきた。図１に
おいて、符号２は筒状部、符号３は底部、符号４はフラ
ンジ部、符号５は曲面部をそれぞれ示す。図２は図１の
断面図であるが、フォローカソードターゲットは図２の
ように内曲面（有底円筒体１の内面部である底面、曲面
及び側面）がスパッタされるもので、筒状部２の外側に
配置された多段のマグネット（図示せず）による磁界効
果で高密度かつ広範囲にプラズマを維持し、スパッタ粒
子のイオン率を上げて均一成膜を図るものである。[0005] Recently, various methods have been proposed for the sputtering method, and a cylindrical (bottomed cylindrical) target 1 having a bottom called a follow cathode target as shown in FIG. 1 has often been used. Was. In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a cylindrical portion, reference numeral 3 denotes a bottom portion, reference numeral 4 denotes a flange portion, and reference numeral 5 denotes a curved surface portion. FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1. The follow cathode target has an inner curved surface (a bottom surface, a curved surface, and a side surface which is the inner surface of the bottomed cylindrical body 1) sputtered as shown in FIG. A high-density and wide-area plasma is maintained by a magnetic field effect of a multi-stage magnet (not shown) arranged outside of the magnet 2, and the ion ratio of sputtered particles is increased to achieve uniform film formation.
【０００６】ＬＳＩ製造において、パターンの微細化と
立体構造化に対して成膜特性の優れた上述の底のある円
筒状のターゲット１が使用される場合が多くなってきて
いる。このように凹部を有する回転体形状のターゲット
を作製する方法としては、図３のようにスピニング加工
を使用する方法が米国特許第５６８７６００号に提案さ
れている。図３において、符号６は素材、符号７は雄
型、符号８はスピニング加工用のロール、符号９は底
部、符号１０は側部、符号１１はフランジ部をそれぞれ
示す。前記米国特許に記載されているスピニング加工方
法は、素材６を回転させてロール８によって回転対称の
シェル体を得る加工方法で、材料ロスが少ないこと及び
スピニング加工前にコントロールした底部９の組織が破
壊されないように側面部１０のみを加工することが特徴
となっており、これにより底部９の組織がそのまま維持
されることが大きな利点となっている。上記米国特許
は、外側底部９のみを利用するもので、このように外側
底面がスパッタされる場合には有効である。In LSI manufacturing, the above-mentioned cylindrical target 1 with a bottom having excellent film-forming characteristics for miniaturization and three-dimensional structure of a pattern is increasingly used. As a method of manufacturing a target having a shape of a rotating body having a concave portion as described above, a method using spinning as shown in FIG. 3 is proposed in US Pat. No. 5,687,600. 3, reference numeral 6 denotes a material, reference numeral 7 denotes a male type, reference numeral 8 denotes a roll for spinning, reference numeral 9 denotes a bottom portion, reference numeral 10 denotes a side portion, and reference numeral 11 denotes a flange portion. The spinning method described in the above-mentioned U.S. Patent is a processing method in which a material 6 is rotated to obtain a rotationally symmetric shell body by a roll 8, and the material loss is small and the structure of the bottom 9 controlled before the spinning processing is reduced. The feature is that only the side surface portion 10 is processed so as not to be broken, and this has a great advantage that the structure of the bottom portion 9 is maintained as it is. The above U.S. patent utilizes only the outer bottom 9 and is effective when the outer bottom is sputtered in this way.
【０００７】上記のように、スピニング加工は深い凹部
を有する回転体形状ターゲットを作製する場合は極めて
有効な方法である。しかし、フォローカソードのように
内側の全面（底面、側面、曲面）がスパッタされる場合
はそのままでは使用できない。というのは、上記米国特
許のように側面のみを加工すると、側面のみが加工組織
となり、側面と底面が異なる組織になってしまうという
問題があるからである。しかも、加工組織は結晶粒界が
明確に観察されない（区別できない）ほどにつぶれた組
織となり極めて不均一な組織となる。したがって、この
ように加工されたターゲットは底面と側面のスパッタ特
性が大きく異なってしまうので、均一な成膜を実現する
ことは困難となる問題が発生する。As described above, spinning is an extremely effective method for producing a rotary target having a deep concave portion. However, when the entire inner surface (bottom surface, side surface, curved surface) is sputtered like a follow cathode, it cannot be used as it is. This is because if only the side surface is machined as in the above-mentioned U.S. Patent, there is a problem that only the side surface has a machined structure and the side surface and the bottom surface have different structures. In addition, the processed structure is a structure in which the crystal grain boundaries are crushed so as not to be clearly observed (indistinguishable), resulting in an extremely non-uniform structure. Therefore, the target processed in this way has a large difference in sputter characteristics between the bottom surface and the side surface, and it is difficult to achieve uniform film formation.
【０００８】[0008]
【発明が解決しょうとする課題】以上から、本発明は円
筒状のターゲットにおいてスピニング加工を行うが、円
筒状のターゲットにおけるスピニングによる全ての加工
組織を残存させず、底面、側面及び曲面等のスパッタ特
性の差異が小さく、均一な成膜を実現することができる
底のある円筒状（有底円筒体）メタルターゲット製造方
法を提供するものである。From the above, according to the present invention, spinning is performed on a cylindrical target. However, the spinning process on the cylindrical target does not leave any working structure, and sputtering on the bottom surface, side surface, curved surface, and the like is not performed. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a cylindrical (bottomed cylindrical body) metal target having a bottom capable of achieving uniform film formation with a small difference in characteristics.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者らにより鋭意検
討の結果、成形加工段階において円筒状（有底円筒体）
メタルターゲットに、ほぼ一様な加工歪を付与すると共
に、熱処理によって加工歪や組織を消失させ、これによ
ってスピニング加工によって製造した有底円筒状のメタ
ルターゲットの外側底面、側面及び曲面等のスパッタ特
性の差異を抑制できるとの知見を得た。本発明はこのよ
うな知見に基づき、次を提供するものである。 １． 底付き円筒状の形状であり、その内曲面がスパッ
タされるターゲットの製造方法において、スピニング加
工による成形加工後、熱処理を施してメタルターゲット
の微細組織を制御することを特徴とする底のある円筒状
メタルターゲットの製造方法 ２． 底付き円筒状の形状であり、その内曲面がスパッ
タされるターゲットにおいて、熱間型鍛造にて円筒形の
予備成形体を作製し、次にこれをスピニング加工による
成形加工後、熱処理を施してメタルターゲットの微細組
織を制御することを特徴とする底のある円筒状メタルタ
ーゲットの製造方法 ３． 熱処理において再結晶組織が得られる温度に加熱
することを特徴とする上記１又は２記載の底のある円筒
状メタルターゲットの製造方法 ４． ターゲットとバッキングプレートが一体型である
ことを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載の底のあ
る円筒状メタルターゲットの製造方法。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies by the present inventors, a cylindrical shape (bottomed cylindrical body) is formed in the forming stage.
Sputtering characteristics such as outer bottom surface, side surface, and curved surface of a bottomed cylindrical metal target manufactured by spinning, while applying almost uniform processing strain to the metal target and eliminating the processing strain and structure by heat treatment. Was found to be able to suppress the difference between the two. The present invention provides the following based on such knowledge. 1. In a method of manufacturing a target having a bottomed cylindrical shape, the inner curved surface of which is sputtered, wherein after forming by spinning, heat treatment is performed to control the microstructure of the metal target, and the bottomed cylinder is characterized in that: 1. Method for manufacturing metal target In the target with a bottomed cylindrical shape, the inner curved surface of which is sputtered, a cylindrical preform is prepared by hot die forging, and then this is subjected to a heat treatment after forming by spinning. 2. A method for producing a cylindrical metal target having a bottom, characterized by controlling the microstructure of the metal target. 3. The method for producing a cylindrical metal target having a bottom according to the above item 1 or 2, wherein the material is heated to a temperature at which a recrystallized structure is obtained in the heat treatment. 4. The method for producing a cylindrical metal target having a bottom according to any one of the above items 1 to 3, wherein the target and the backing plate are integrated.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明に使用するメタルターゲッ
トの例としては、例えばアルミニウム、銅、チタン、タ
ンタル、タングステン、これらの合金を挙げることがで
きる。しかし、これらの金属に限定される必要はなく、
有底円筒状に加工が可能でありスパッタリング用材料と
して有用なその他の金属を使用することができる。円盤
状のメタルターゲットを予め熱間型鍛造等で円筒形の予
備成形体を作製し、次にこれをスピニング加工してほぼ
最終形状に成形加工する。これらの加工工程において、
メタルターゲットはほぼ均一な加工歪を受けていること
が望ましい。次に、これを加熱しメタルターゲットの組
織を調製する。この場合、再結晶組織に制御することに
よって、均一な組織を容易に得ることが可能である。最
終的には、切削及び仕上げ加工等を行ってメタルターゲ
ットの最終形状に仕上げる。この段階でさらに歪取り焼
鈍（再結晶温度以下の温度での）を行っても良い。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of a metal target used in the present invention include, for example, aluminum, copper, titanium, tantalum, tungsten, and alloys thereof. However, it is not necessary to be limited to these metals,
Other metals that can be processed into a bottomed cylindrical shape and are useful as a material for sputtering can be used. A disk-shaped metal target is preliminarily formed into a cylindrical preform by hot die forging or the like, and is then formed into a substantially final shape by spinning. In these processing steps,
It is desirable that the metal target receives substantially uniform processing strain. Next, this is heated to prepare a metal target structure. In this case, a uniform structure can be easily obtained by controlling the recrystallized structure. Finally, cutting and finishing are performed to finish to the final shape of the metal target. At this stage, strain relief annealing (at a temperature lower than the recrystallization temperature) may be further performed.
【００１１】通常、円盤状ターゲットを作製する段階で
メタルターゲットの組織が調整されているので、前記米
国特許に示されているように、スピニング加工する段階
ではパッタされる面（米国特許では外側底面部）に対し
て、加工されることを極力避け、加工歪を加えないよう
にしている。しかし、このような加工方法では、底付き
円筒状でその内曲面がスパッタされるターゲットにおい
ては、著しく加工が制限され、歩留まりが悪くなるとい
う欠点がある。また、底面、側面及び曲面等の広いスパ
ッタ面の組織の均一性を保つことは非常に難しいという
問題もある。Usually, since the structure of the metal target is adjusted at the stage of producing the disk-shaped target, the surface to be putter (the outer bottom surface in the US patent) is formed at the stage of spinning as shown in the aforementioned US patent. Part), processing is avoided as much as possible, and processing distortion is not applied. However, such a processing method has a drawback that processing is significantly restricted in a bottomed cylindrical target whose inner curved surface is sputtered, and the yield is reduced. There is also a problem that it is very difficult to maintain the uniformity of the structure on a wide sputtered surface such as a bottom surface, a side surface, and a curved surface.
【００１２】本発明においては、むしろターゲットのス
パッタ面を含む全ての個所に加工歪みを積極的に付与す
ると共に、所定の有底円筒体に一挙に成形加工するもの
である。これによって、加工面の組織は結晶粒界の区別
ができないほどの加工組織となる。しかし、この後に行
う熱処理によって、メタルターゲットの組織は均一な再
結晶組織となり、このようなメタルターゲットによるス
パッタリング成膜組織は均一性に優れたものが得られ
る。この場合の再結晶組織を得るための熱処理温度と時
間はメタルターゲットの材料及び加工条件（加工の強
弱）によって、異なりそれに応じて替えることができ
る。In the present invention, rather, processing distortion is positively applied to all portions including the sputtered surface of the target, and a predetermined bottomed cylindrical body is formed at once. As a result, the texture of the processed surface becomes such that the grain boundaries cannot be distinguished. However, by the heat treatment performed thereafter, the structure of the metal target becomes a uniform recrystallized structure, and the structure formed by sputtering with such a metal target is excellent in uniformity. In this case, the heat treatment temperature and time for obtaining the recrystallized structure differ depending on the material of the metal target and the processing conditions (strength of processing) and can be changed accordingly.
【００１３】通常は再結晶温度以上〜＋３００°Ｃの温
度範囲で実施するが、材料に応じて均一な組織が得られ
る場合には、これ以外の範囲においても実施可能であ
る。また、前記歪み取り焼鈍は再結晶温度以下の温度で
実施する。通常２００〜３００°Ｃの温度で行うが、時
間を短縮するために、それ以上の温度で実施することも
可能である。この場合は、あくまで歪取りを主とするも
のであり、再結晶を意図するものではない。Usually, it is carried out in a temperature range from the recrystallization temperature to + 300 ° C., but if a uniform structure can be obtained according to the material, it can be carried out in other ranges. Further, the strain relief annealing is performed at a temperature lower than the recrystallization temperature. Usually, it is carried out at a temperature of 200 to 300 ° C., but it is also possible to carry out at a higher temperature in order to shorten the time. In this case, distortion is mainly removed, and recrystallization is not intended.
【００１４】本件発明においては、ターゲットとバッキ
ングプレートが一体型であることが望ましい。一体型の
場合には、予め熱間型鍛造等で円筒形の予備成形体を作
製する工程及び、次にこれをスピニング加工してほぼ最
終形状に成形加工する工程が容易であるからである。ま
た、一体型ターゲットの場合は、再生処理が極めて容易
であるという利点もある。しかし、ターゲットとバッキ
ングプレートを拡散接合して十分な接合強度を持たせ加
工による剥離等の問題が克服できる材料を使用する場合
であれば、必ずしも一体型でなく異種金属を組み合わせ
た材料を使用しても良い。また、この場合、加工の度合
い（強さ）を軽減することもできる。また、ターゲット
とバッキングプレートをそれぞれ別に製造し、加工後に
接合しても良い。本発明はこれらの全てを含む。In the present invention, it is desirable that the target and the backing plate are integrated. This is because, in the case of the integral type, a step of preparing a cylindrical preform by hot die forging or the like, and a step of spinning the preform into a substantially final shape are easy. In the case of an integrated target, there is also an advantage that the reproduction process is extremely easy. However, if the target and the backing plate are made of a material that has sufficient bonding strength by diffusion bonding to overcome problems such as separation due to processing, it is not necessary to use a material that combines dissimilar metals instead of an integral type. May be. In this case, the degree of processing (strength) can be reduced. Alternatively, the target and the backing plate may be separately manufactured and joined after processing. The present invention includes all of these.
【００１５】[0015]
【実施例及び比較例】次に、実施例に基づいて本発明を
説明する。実施例は発明を容易に理解するためのもので
あり、これによって本発明を制限されるものではない。
すなわち、本発明は本発明の技術思想に基づく他の実施
例及び変形を包含するものである。Examples and Comparative Examples Next, the present invention will be described based on examples. The examples are for easy understanding of the present invention and do not limit the present invention.
That is, the present invention includes other embodiments and modifications based on the technical idea of the present invention.
【００１６】（実施例１）厚さ１４ｍｍ、φ４７０ｍｍ
の高純度タンタルプリフォーム（５Ｎ）を１２００°
Ｃ、１時間真空焼鈍（フルアニール）した。これをφ２
００ｍｍの雄型に取り付け回転させながらローラーを押
し付けてスピニング加工を施し円筒形に加工した。この
円筒体にさらにフランジを立上げて内径φ２００ｍｍ、
高さ２５０ｍｍ、側面厚さ７ｍｍ、底面厚さ１４ｍｍ、
フランジ径φ２８０ｍｍの一体型の有底円筒体タンタル
ターゲットを形成した。さらに、その後９００°Ｃで１
時間真空熱処理後、最終形状に機械加工した。側面と底
面の組織観察から、平均結晶粒径８００μm（±２０
％）の均一な組織をもつ円筒状タンタルターゲットを製
造することができた。この円筒状タンタルターゲットを
使用してスパッタリングを実施したところ、均一なタン
タル成膜組織が得られた。(Example 1) Thickness: 14 mm, φ470 mm
High purity tantalum preform (5N) of 1200 °
C, vacuum annealing (full annealing) for 1 hour. This is φ2
A roller was pressed while rotating while being attached to a 00 mm male mold, and spinning was performed to form a cylindrical shape. A flange is further set up on this cylindrical body to have an inner diameter of 200 mm,
Height 250mm, side thickness 7mm, bottom thickness 14mm,
An integrated bottomed cylindrical tantalum target having a flange diameter of 280 mm was formed. After that, at 900 ° C
After vacuum heat treatment for hours, it was machined to the final shape. From the observation of the side and bottom structures, the average crystal grain size was 800 μm (± 20
%) Of a cylindrical tantalum target having a uniform structure. When sputtering was performed using this cylindrical tantalum target, a uniform tantalum film-forming structure was obtained.
【００１７】（実施例２）厚さ５０ｍｍ、φ４００ｍｍ
の６Ｎ銅プリフォームを６５０°Ｃに加熱して熱間型鍛
造にて内径φ２５０ｍｍの筒状（凹状）の予備成形体を
形成した。この時、微細組織は動的に再結晶しており、
これをさらにφ２５０ｍｍの雄型に取り付け、回転させ
ながらローラーを押し付けてスピニング加工を施し、有
底円筒体を製作した。これを、更にフランジ部を立上げ
て内径φ２５０ｍｍ、高さ３００ｍｍ、フランジ部径φ
３２０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの有底円筒体を形成した。さ
らにこれを６００°Ｃにて、１時間真空焼鈍し最終形状
に機械加工した。側面と底面の組織観察から、平均結晶
粒径１０００μm（±２０％）の有底円筒（凹状）銅タ
ーゲットが製造できた。この円筒状銅ターゲットを使用
してスパッタリングを実施したところ、均一な銅成膜組
織が得られた。(Example 2) Thickness 50 mm, φ400 mm
Was heated to 650 ° C. to form a cylindrical (concave) preform having an inner diameter of 250 mm by hot die forging. At this time, the microstructure is dynamically recrystallized,
This was further attached to a male mold having a diameter of 250 mm, and a roller was pressed while rotating to perform spinning processing, thereby producing a bottomed cylindrical body. Then, the flange part is further raised, and the inner diameter is 250 mm, the height is 300 mm, and the flange diameter is
A bottomed cylinder having a thickness of 320 mm and a thickness of 15 mm was formed. This was vacuum-annealed at 600 ° C. for 1 hour and machined to a final shape. Observation of the side and bottom structures revealed that a cylindrical (concave) bottomed copper target having an average crystal grain size of 1000 μm (± 20%) could be produced. When sputtering was performed using this cylindrical copper target, a uniform copper film formation structure was obtained.
【００１８】上記実施例に示す通り、本発明により製造
された底のある円筒状メタルターゲットは歩留りが良
く、底面と側面組織の差が少ない円筒状（凹状）ターゲ
ットが得られ、均一な成膜を得ることが可能となった。
また、スパッタリング後使用済みのターゲットを再生す
る場合、高周波真空炉などの坩堝に効率よくセットでき
るので、溶解→インゴット化のリサイクルが非常に行い
易いという特徴を持つ。As shown in the above embodiment, the cylindrical metal target having the bottom manufactured by the present invention has a good yield, a cylindrical (concave) target having a small difference between the bottom surface and the side structure is obtained, and a uniform film is formed. It became possible to obtain.
In addition, when a used target is regenerated after sputtering, it can be efficiently set in a crucible such as a high-frequency vacuum furnace, so that it is very easy to recycle from melting to ingot.
【００１９】[0019]
【発明の効果】成形加工段階において円筒状（有底円筒
体）メタルターゲットに、ほぼ一様な加工歪を付与する
と共に、熱処理によって加工歪や組織を消失させ、これ
によってスピニング加工によって製造した有底円筒状の
メタルターゲットの外側底面、側面及び曲面等のスパッ
タ特性の差異を抑制できるという優れた効果を有する。According to the present invention, a substantially uniform processing strain is imparted to a cylindrical (bottomed cylindrical body) metal target in the forming step, and the processing distortion and the structure are eliminated by heat treatment. It has an excellent effect that the difference in sputter characteristics such as the outer bottom surface, the side surface, and the curved surface of the bottom cylindrical metal target can be suppressed.
【図１】底のある円筒状メタルターゲットの概観説明図
である。FIG. 1 is a schematic explanatory view of a cylindrical metal target having a bottom.
【図２】図１の断面説明図である。FIG. 2 is an explanatory sectional view of FIG. 1;
【図３】平板状の素材からスピニング加工によって有底
円筒状のメタルターゲットを製造する説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of manufacturing a bottomed cylindrical metal target by spinning from a flat material.
１ ターゲット ２ 筒状部 ３ 底部 ４ フランジ部 ５ 曲面部 ６ 素材 ７ 雄型 ８ スピニング加工用ロール ９ 底部 １０ 側部 １１ フランジ部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Target 2 Cylindrical part 3 Bottom part 4 Flange part 5 Curved surface part 6 Material 7 Male type 8 Spinning roll 9 Bottom part 10 Side part 11 Flange part
Claims (4)
がスパッタされるターゲットの製造方法において、スピ
ニング加工による成形加工後、熱処理を施してメタルタ
ーゲットの微細組織を制御することを特徴とする底のあ
る円筒状メタルターゲットの製造方法。1. A method for manufacturing a target having a cylindrical shape with a bottom and an inner curved surface thereof being sputtered, wherein after forming by spinning, heat treatment is performed to control the microstructure of the metal target. Of manufacturing a cylindrical metal target with a bottom.
がスパッタされるターゲットにおいて、熱間型鍛造にて
円筒形の予備成形体を作製し、次にこれをスピニング加
工による成形加工後、熱処理を施してメタルターゲット
の微細組織を制御することを特徴とする底のある円筒状
メタルターゲットの製造方法。2. A preform having a cylindrical shape with a bottom and a cylindrical preform formed by hot die forging on a target whose inner curved surface is sputtered, and then formed by spinning. A method for producing a cylindrical metal target having a bottom, wherein the microstructure of the metal target is controlled by performing a heat treatment.
度に加熱することを特徴とする請求項１又は２記載の底
のある円筒状メタルターゲットの製造方法。3. The method for producing a cylindrical metal target having a bottom according to claim 1, wherein heating is performed to a temperature at which a recrystallized structure is obtained in the heat treatment.
型であることを特徴とする請求項１〜３のそれぞれに記
載の底のある円筒状メタルターゲットの製造方法。4. The method for producing a cylindrical metal target having a bottom according to claim 1, wherein the target and the backing plate are integrated.
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