JP2002148343A - Radiation detector and radiation imaging system using the same - Google Patents
Radiation detector and radiation imaging system using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用Ｘ線診断装
置、非破壊検査装置に適用して好適な、放射線検出器及
びそれを用いた放射線撮像システムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation detector and a radiation imaging system using the same, which are suitable for use in medical X-ray diagnostic apparatuses and nondestructive inspection apparatuses.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、レントゲン撮影のデジタル化が加
速しており、各社からＸ線エリアセンサーが発表されて
いる。その方式もダイレクト方式（Ｘ線を直接電気信号
に変換して読み取るタイプ）とインダイレクト方式（Ｘ
線を一旦可視光に変換し、その可視光を電気信号に変換
して読み取るタイプ）の２つに大別される。2. Description of the Related Art In recent years, digitization of radiography has been accelerated, and X-ray area sensors have been announced by various companies. The methods are also direct (X-rays are converted directly to electrical signals and read) and indirect (X
A line is once converted into visible light, and the visible light is converted into an electric signal and read.
【０００３】図６は、従来のインダイレクト方式のＸ線
エリアセンサーの貼り合わせ前の断面図であり、図７
は、貼り合わせ後のＸ線エリアセンサーの断面図であ
る。FIG. 6 is a sectional view of a conventional indirect type X-ray area sensor before bonding.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the X-ray area sensor after bonding.
【０００４】まず、光電変換基体１０４は、ガラス基台
１０１の上部にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
とする）を用いた光センサー１０２を形成し、その上に
光センサー保護膜１０３を形成する。波長変換基体１１
３は、別のガラス基台１０５に導電性反射層１０６／蛍
光体（シンチレータ）層１０７／蛍光体保護層１０８を
積層する。[0004] First, a photoelectric conversion substrate 104 is made of amorphous silicon (hereinafter a-Si)
Is formed, and an optical sensor protective film 103 is formed thereon. Wavelength conversion substrate 11
In No. 3, a conductive reflection layer 106 / a phosphor (scintillator) layer 107 / a phosphor protection layer 108 are laminated on another glass base 105.
【０００５】ガラス基台１０５の上部から入射してきた
Ｘ線は、蛍光体層１０７で光に変換され、その光が、光
センサー１０２で電気信号に変換される。その結果、Ｘ
線が電気信号として取り込まれる。その際、導電性反射
層１０６の役割としては、２つ有る。第１に蛍光体層１
０７で発光した光を外部へ漏らすことなく、光センサー
１０２へ効率良く吸収させる。第２に光センサー１０２
は、外来の電磁波に弱く、そのため導電性反射層１０６
は電磁波シールドの役割を果たす。[0005] X-rays incident from above the glass base 105 are converted into light by the phosphor layer 107, and the light is converted into an electric signal by the optical sensor 102. As a result, X
Lines are captured as electrical signals. At this time, the conductive reflective layer 106 has two roles. First, the phosphor layer 1
The light emitted at 07 is efficiently absorbed by the optical sensor 102 without leaking to the outside. Second, the optical sensor 102
Are susceptible to extraneous electromagnetic waves, and therefore
Serves as an electromagnetic wave shield.
【０００６】この電磁波シールドとしての役割を導電性
反射層１０６に持たせるためには、導電性反射層１０６
をグランドアースに落としておかなければならず、その
ために導電性反射層１０６にＧＮＤ（アース）端子１１
０を接続する。ＧＮＤ端子１１０は、導電性接続材料１
０９例えば導電性接着剤を用いて導電性反射層１０６に
接続し、接続部周辺を封止剤１１１及び封止剤１１２で
補強する。In order for the conductive reflection layer 106 to have a role as this electromagnetic wave shield, the conductive reflection layer 106
Must be dropped to the ground ground, so that the conductive (reflective) layer 106 has a GND (earth) terminal 11.
0 is connected. The GND terminal 110 is made of a conductive connection material 1
09 For example, a connection is made to the conductive reflection layer 106 using a conductive adhesive, and the periphery of the connection portion is reinforced with a sealant 111 and a sealant 112.
【０００７】光電変換基体１０４と波長変換基体１１３
とを接着剤１１４を介して貼り合わせるが、ＧＮＤ端子
１１０の接続は、作業性の点から貼り合わせ前に行う。The photoelectric conversion substrate 104 and the wavelength conversion substrate 113
Are bonded via an adhesive 114, but connection of the GND terminal 110 is performed before bonding from the viewpoint of workability.
【０００８】光電変換基体１０４と波長変換基体１１３
とを貼り合わせた後、端部を封止剤１１５で封止する。
この封止の役割は、第１に、蛍光体を湿気から守り、第
２に、蛍光体が非常にもろいため、端部を封止すること
によってこぼれを防止することである。ここで導電性反
射層１０６に電磁波シールドの効果を持たせるため、Ｇ
ＮＤ端子１１０を接続する。The photoelectric conversion substrate 104 and the wavelength conversion substrate 113
Then, the ends are sealed with a sealant 115.
The role of this sealing is, firstly, to protect the phosphor from moisture, and secondly, to prevent spillage by sealing the ends, since the phosphor is very brittle. Here, to make the conductive reflection layer 106 have an electromagnetic wave shielding effect,
The ND terminal 110 is connected.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示すように、ＧＮＤ端子１１０を波長変換基体１１３の
光電変換基体１０４との貼り合わせ面に側に接続する
と、ＧＮＤ端子接続領域１１６の分だけ、蛍光体層１０
７の形成領域が狭くなってしまう。あるいは、蛍光体層
１０７の形成領域を広げようとすると、逆にＧＮＤ端子
１１０を接続する十分な領域を確保できない。However, as shown in FIG. 7, when the GND terminal 110 is connected to the bonding surface of the wavelength conversion substrate 113 with the photoelectric conversion substrate 104, only the GND terminal connection area 116 is provided. , Phosphor layer 10
7 is narrowed. Alternatively, if the area for forming the phosphor layer 107 is to be expanded, a sufficient area for connecting the GND terminal 110 cannot be secured.
【００１０】またＧＮＤ端子１１０は、導電性反射層１
０６と接続させる反対側をグランドアースに落とすが、
その作業をする際に、引っ張りまたは上下への力が加わ
り、ＧＮＤ端子１１０と封止剤１１５との間に隙間１１
７が空いてしまい、ここから、湿気が進入し、蛍光体層
１０７に悪影響を与えてしまう。The GND terminal 110 is connected to the conductive reflection layer 1.
Drop the other side to be connected to 06 to ground earth,
When the work is performed, a pull or a vertical force is applied, and a gap 11 is formed between the GND terminal 110 and the sealant 115.
7 is vacant, and moisture enters from here, and adversely affects the phosphor layer 107.
【００１１】そこで本発明は、インダイレクト方式の放
射線検出器において、波長変換基体の導電性反射層にＧ
ＮＤ端子を接続することによるシンチレータ層の面積減
少を防止し、さらにシンチレータ耐湿用保護膜を形成す
ることを課題としている。Therefore, the present invention provides an indirect type radiation detector in which a conductive reflection layer of a wavelength conversion substrate is provided with a G layer.
An object of the present invention is to prevent a decrease in the area of a scintillator layer due to connection of an ND terminal and to form a scintillator moisture-resistant protective film.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、光センサーを形成する第１の基体と、導
電性反射層及びシンチレータ層が積層された第２の基体
とが、前記第１の基体の光センサー面と前記第２の基体
のシンチレータ層面とを対向して貼り合わせた放射線検
出器において、前記第２の基体の端面にて、前記導電性
反射層と接触して導電性保護膜を形成し、その導電性保
護膜にＧＮＤ端子を接続した。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a first substrate forming an optical sensor and a second substrate on which a conductive reflective layer and a scintillator layer are laminated. In a radiation detector in which an optical sensor surface of the first substrate and a scintillator layer surface of the second substrate are bonded to face each other, an end surface of the second substrate is in contact with the conductive reflection layer. A conductive protective film was formed, and a GND terminal was connected to the conductive protective film.
【００１３】すなわち本発明は、インダイレクト方式の
放射線検出器において、第２の基体の端面で、その導電
性反射層と接触して導電性保護膜を形成し、その導電性
保護膜にＧＮＤ端子を接続することによって、シンチレ
ータ層の面積減少を防止すると共に、ＧＮＤ端子のグラ
ンドアースへの接続作業時に加わる力によってＧＮＤ端
子と封止剤との間に隙間ができることを防止し、シンチ
レータ層に湿気が進入することを防ぐことができる。That is, the present invention relates to an indirect radiation detector, wherein a conductive protective film is formed on the end face of the second substrate by contacting the conductive reflective layer, and the conductive protective film has a GND terminal. To prevent the area of the scintillator layer from being reduced, and also to prevent a gap from being formed between the GND terminal and the sealant due to the force applied when the GND terminal is connected to the ground. Can be prevented from entering.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１５】図１は、第１の実施形態であるＸ線エリア
センサー（放射線検出器）の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an X-ray area sensor (radiation detector) according to the first embodiment.
【００１６】光電変換基体（第１の基体）１０４は、光
センサーを形成し、光を電気信号に変換する。従来例と
同様、ガラス基台１０１の上部にａ−Ｓｉを用いたＭＩ
Ｓ型光センサー１０２を形成し、その上に窒化シリコン
等及びＰＩ等からなる光センサー保護膜１０３を形成す
る。The photoelectric conversion substrate (first substrate) 104 forms an optical sensor and converts light into an electric signal. As in the conventional example, MI using a-Si on the glass base 101 is used.
An S-type optical sensor 102 is formed, and an optical sensor protective film 103 made of silicon nitride, PI, or the like is formed thereon.
【００１７】波長変換基体（第２の基体）１２６は、Ｘ
線の可視光への変換、すなわち電磁波の波長変換を行
う。まずガラス１１８に導電性反射層であるアルミニウ
ム１１９を蒸着し、次にアルミニウム１１９にシンチレ
ータ（蛍光体）としてＣｓＩ１２０を蒸着し、さらにそ
の上にＣｓＩ保護層１２１を設ける。従来例では、Ｃｓ
Ｉ１２０を蒸着する際、ＧＮＤ端子を接続するための領
域を端部に残しておかなければならなかったが、本実施
形態ではＣｓＩ１２０をアルミニウム１１９蒸着面全面
に蒸着する。その後、光電変換基体１０４の光センサー
１０２及び光センサー保護膜１０３と、波長変換基体１
２６のＣｓＩ１２０及びＣｓＩ保護層１２１とを対向し
て、接着剤１１４を介して貼り合わせる。The wavelength conversion substrate (second substrate) 126 is X
The conversion of the line into visible light, that is, the wavelength conversion of electromagnetic waves is performed. First, aluminum 119 which is a conductive reflection layer is deposited on glass 118, and then CsI 120 is deposited on aluminum 119 as a scintillator (phosphor), and a CsI protective layer 121 is further provided thereon. In the conventional example, Cs
When depositing I120, a region for connecting a GND terminal had to be left at the end, but in this embodiment, CsI120 is deposited on the entire surface of the aluminum 119 deposition surface. Thereafter, the optical sensor 102 and the optical sensor protective film 103 of the photoelectric conversion substrate 104 and the wavelength conversion substrate 1
The CsI 120 and the CsI protective layer 121 are bonded together with an adhesive 114 therebetween.
【００１８】次に、導電性保護膜としてアクリル系の導
電性接着剤１２２を波長変換基体１２６の端面に塗布
し、同時にＰＥＴ(polyethylene terephthalate)にアル
ミニウムをラミネートしたアルミフィルム１２３をＧＮ
Ｄ端子として基体１２６の端面に接着する。導電性接着
剤１２２は、銀フィラーのものを使用すれば、１０0Ω
・ｃｍ以下の電気抵抗率が得られる。そして最後にＧＮ
Ｄ端子の接続強度を高めるため、アルミフィルム１２３
の端面周辺をアクリル系の接着剤１２４・１２５で封止
する。Next, an acrylic conductive adhesive 122 is applied to the end face of the wavelength conversion substrate 126 as a conductive protective film, and at the same time, an aluminum film 123 obtained by laminating aluminum on PET (polyethylene terephthalate) is GN.
It is bonded to the end face of the base 126 as a D terminal. Conductive adhesive 122, the use of those silver filler, 10 0 Omega
・ Electric resistivity of not more than cm can be obtained. And finally GN
Aluminum film 123 to increase the connection strength of the D terminal
Are sealed with acrylic adhesives 124 and 125.
【００１９】以上の構成とすることにより、ＣｓＩ１２
０の蒸着面積を波長変換基体１２６において最大限にと
ることができる。また、ＧＮＤ端子であるアルミフィル
ム１２３が波長変換基体１２６の端面に接続されるた
め、アルミフィルム１２３をグランドアースに落とす作
業の際、引っ張ることによる隙間の発生および湿気の進
入を防ぐことができる。With the above configuration, CsI12
The evaporation area of 0 can be maximized in the wavelength conversion substrate 126. Further, since the aluminum film 123, which is a GND terminal, is connected to the end face of the wavelength conversion base 126, it is possible to prevent a gap from being pulled and moisture from entering when pulling the aluminum film 123 to ground.
【００２０】図２は、第２の実施形態であるＸ線エリア
センサーの断面図である。FIG. 2 is a sectional view of an X-ray area sensor according to a second embodiment.
【００２１】上記第１の実施形態では、ＧＮＤ端子とし
てのアルミフィルムを波長変換基体１２６の端面に接続
していたが、本実施形態では、導電性接着剤１２２を波
長変換基体１２６の貼り合わせ側の背面にも塗布し、Ｇ
ＮＤ端子であるアルミフィルム１２３を接続している。
本実施形態のメリットとしては、アルミフィルムの接続
領域が可変であるということである。第１の実施形態で
は、波長変換基体１２６の端面ということで、接続面積
が波長変換基体１２６の厚み＋接着剤１１４の厚み分し
かないが、本実施形態では、波長変換基体１２６の貼り
合わせ側の背面まで導電性接着剤１２２を回りこませた
分だけ接続領域が増え、その分だけ接触抵抗を下げるこ
とができる。また、第１の実施形態と同様、導電性保護
膜である導電性接着剤１２２をアルミフィルム１２３が
貫通しない構造なので、従来例に比べ耐湿性は高い。In the first embodiment, the aluminum film as the GND terminal is connected to the end face of the wavelength conversion substrate 126. In this embodiment, however, the conductive adhesive 122 is applied to the wavelength conversion substrate 126 on the bonding side. Apply to the back of
An aluminum film 123 which is an ND terminal is connected.
An advantage of this embodiment is that the connection area of the aluminum film is variable. In the first embodiment, the connection area is equal to the thickness of the wavelength conversion substrate 126 + the thickness of the adhesive 114 because it is the end face of the wavelength conversion substrate 126. However, in the present embodiment, the bonding side of the wavelength conversion substrate 126 is The connection area is increased by the amount of the conductive adhesive 122 wrapped around the back surface of the substrate, and the contact resistance can be reduced by that amount. Further, as in the first embodiment, the structure is such that the aluminum film 123 does not penetrate the conductive adhesive 122 serving as the conductive protective film, so that the moisture resistance is higher than in the conventional example.
【００２２】図３は、第３の実施形態であるＸ線エリア
センサーの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of an X-ray area sensor according to a third embodiment.
【００２３】第１及び第２の実施形態では、導電性反射
層であるアルミニウム１１９をガラス１１８の片面にし
か蒸着しなかったが、本実施形態では、両面にアルミニ
ウム１１９を蒸着している。そして導電性接着剤１２２
を波長変換基体１２６の端面及び貼り合わせ側の背面に
も塗布し、ＧＮＤ端子であるアルミフィルム１２３を接
続している。このことによるメリットは、アルミニウム
１１９と導電性接着剤１２２の接触面積が増えるため、
その分接続抵抗が減少することである。また、両面を覆
うことにより、多層の電磁波シールドとなり、電磁シー
ルド効果を高めることができる。耐湿性については、上
記第２の実施形態と同等である。In the first and second embodiments, aluminum 119, which is a conductive reflection layer, is deposited only on one side of the glass 118. In this embodiment, aluminum 119 is deposited on both sides. And the conductive adhesive 122
Is also applied to the end surface of the wavelength conversion substrate 126 and the back surface on the bonding side, and the aluminum film 123 which is a GND terminal is connected. The advantage of this is that the contact area between the aluminum 119 and the conductive adhesive 122 increases,
That is, the connection resistance decreases accordingly. In addition, by covering both surfaces, a multilayer electromagnetic wave shield is provided, and the electromagnetic shielding effect can be enhanced. The moisture resistance is equivalent to that of the second embodiment.
【００２４】次に、本発明による放射線検出器の実装例
及びそれを用いたＸ線検出システムについて説明する。Next, an implementation example of the radiation detector according to the present invention and an X-ray detection system using the radiation detector will be described.
【００２５】図４（ａ），（ｂ）は、上記本発明による
放射線検出器の実装例の模式的構成図及び模式的断面図
である。光電変換素子（光センサー）とＴＦＴ(thin fi
lm transistor)はａ−Ｓｉセンサ基板６０１１内に複数
個形成され、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路Ｉ
Ｃが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接続さ
れている。フレキシブル回路基板６０１０の逆側は回路
基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。ａ−Ｓｉセ
ンサ基板６０１１の複数枚が、基台６０１２の上に接着
されている。FIGS. 4A and 4B are a schematic configuration diagram and a schematic cross-sectional view of a mounting example of the radiation detector according to the present invention. Photoelectric conversion element (optical sensor) and TFT (thin fi
A plurality of lm transistors are formed in the a-Si sensor substrate 6011, and the shift register SR1 and the integrated circuit for detection I
A flexible circuit board 6010 on which C is mounted is connected. The other side of the flexible circuit board 6010 is connected to the circuit boards PCB1 and PCB2. A plurality of a-Si sensor substrates 6011 are bonded on a base 6012.
【００２６】大型の光電変換装置を構成する基台６０１
２の下には、処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ
線から保護するため鉛板６０１３が実装されている。本
実装例では、光センサーとシンチレータ層とを貼り合わ
せる替わりに、ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１上にはＸ線
を可視光に変換するためのシンチレータ６０３０例えば
ＣｓＩが、蒸着されている。そして図４（ｂ）に示され
るように全体をカーボンファイバー製のケース６０２０
に収納している。A base 601 constituting a large-sized photoelectric conversion device
2 below the memory 6014 in the processing circuit 6018
A lead plate 6013 is mounted for protection from wires. In this mounting example, a scintillator 6030 for converting X-rays into visible light, for example, CsI, is vapor-deposited on the a-Si sensor substrate 6011 instead of bonding the optical sensor and the scintillator layer. Then, as shown in FIG. 4B, a case 6020 made entirely of carbon fiber
Stored in.
【００２７】図５は上述の実装された放射線検出器のＸ
線診断システムへの適用例を示したものである。FIG. 5 shows the radiation detector X mounted as described above.
It shows an example of application to a line diagnostic system.
【００２８】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレータを上部に実装した光電変換装置６０
４０に入射する。この入射したＸ線には被験者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレータは可視光に変換し、これを光電変換して、
電気信号を得る。この電気信号はデジタル変換されイメ
ージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のデ
ィスプレイ６０８０で観察できる。X-ray 60 generated by X-ray tube 6050
Reference numeral 60 denotes a photoelectric conversion device 60 that transmits through a chest 6062 of a patient or a subject 6061 and has a scintillator mounted thereon.
It is incident on 40. The subject 6061
Contains information about the inside of the body. The scintillator converts it to visible light in response to the incidence of X-rays, and photoelectrically converts this to
Obtain an electrical signal. This electric signal is converted into a digital signal, image-processed by an image processor 6070, and can be observed on a display 6080 in the control room.
【００２９】また、この画像情報は電話回線６０９０等
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。This image information can be transferred to a remote place by a transmission means such as a telephone line 6090, and can be displayed on a display 6081 such as a doctor's room at another place or stored in a storage means such as an optical disk. It is also possible for a doctor to make a diagnosis. It can also be recorded on a film 6110 by a film processor 6100.
【００３０】なお、以上の実施形態では、Ｘ線撮像シス
テムを例に説明したが、放射線とはＸ線以外のα，β，
γ線等を含み、光は光電変換素子により検出可能な波長
領域の電磁波であり、可視光を含む。In the above embodiment, an X-ray imaging system has been described as an example. However, radiation refers to α, β,
Light is an electromagnetic wave in a wavelength range that can be detected by a photoelectric conversion element, including γ rays, and includes visible light.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、インダ
イレクト方式の放射線検出器における、波長変換基体
（第２の基体）のシンチレータ層の形成面積を拡大でき
ると共に、シンチレータ層端面の耐湿性を高めることが
できる。また導電性反射層へのＧＮＤ端子の接続強度を
高め、さらに接続抵抗を低くできる。As described above, the present invention can increase the formation area of the scintillator layer of the wavelength conversion substrate (second substrate) in the indirect type radiation detector, and can improve the moisture resistance of the end face of the scintillator layer. Can be increased. Further, the connection strength of the GND terminal to the conductive reflection layer can be increased, and the connection resistance can be further reduced.
【図１】第１の実施形態のＸ線エリアセンサーの断面図
である。FIG. 1 is a sectional view of an X-ray area sensor according to a first embodiment.
【図２】第２の実施形態のＸ線エリアセンサーの断面図
である。FIG. 2 is a sectional view of an X-ray area sensor according to a second embodiment.
【図３】第３の実施形態のＸ線エリアセンサーの断面図
である。FIG. 3 is a sectional view of an X-ray area sensor according to a third embodiment.
【図４】（ａ）は本発明による放射線検出器の実装例の
模式的構成図であり、（ｂ）はその断面図である。4A is a schematic configuration diagram of a mounting example of a radiation detector according to the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view thereof.
【図５】本発明による放射線検出器のＸ線診断システム
への適用例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of application of a radiation detector according to the present invention to an X-ray diagnostic system.
【図６】従来のＸ線エリアセンサーの貼り合わせ前の断
面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional X-ray area sensor before bonding.
【図７】従来のＸ線エリアセンサーの貼り合わせ後の断
面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional X-ray area sensor after bonding.
１０１ ガラス基体 １０２ 光センサー １０３ 光センサー保護膜 １０４ 光電変換基体 １０５ ガラス基台 １０６ 導電性反射層 １０７ 蛍光体層 １０８ 蛍光体保護層 １０９ 導電性接続材料 １１０ ＧＮＤ（アース）端子 １１１ 封止剤 １１２ 封止剤 １１３ 波長変換基体 １１４ 接着剤 １１５ 封止剤 １１６ ＧＮＤ端子接続領域 １１７ 隙間 １１８ ガラス（基台） １１９ アルミニウム（導電性反射層） １２０ ＣｓＩ（シンチレータ） １２１ ＣｓＩ保護層 １２２ 導電性接着剤 １２３ ＧＮＤ端子アルミフィルム １２４ アクリル封止 １２５ アクリル封止 １２６ 波長変換基体 １２７ 波長変換基体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Glass base 102 Optical sensor 103 Optical sensor protective film 104 Photoelectric conversion substrate 105 Glass base 106 Conductive reflective layer 107 Phosphor layer 108 Phosphor protective layer 109 Conductive connection material 110 GND (earth) terminal 111 Sealant 112 Sealing Stopper 113 Wavelength conversion substrate 114 Adhesive 115 Sealant 116 GND terminal connection area 117 Gap 118 Glass (base) 119 Aluminum (conductive reflective layer) 120 CsI (scintillator) 121 CsI protective layer 122 Conductive adhesive 123 GND Terminal aluminum film 124 Acrylic sealing 125 Acrylic sealing 126 Wavelength conversion substrate 127 Wavelength conversion substrate
Claims (7)
電性反射層及びシンチレータ層が積層された第２の基体
とが、前記第１の基体の光センサー面と前記第２の基体
のシンチレータ層面とを対向して貼り合わせた放射線検
出器において、 前記第２の基体の端面にて、前記導電性反射層と接触し
て導電性保護膜を形成したことを特徴とする放射線検出
器。1. A first substrate forming an optical sensor, and a second substrate on which a conductive reflective layer and a scintillator layer are laminated are formed by an optical sensor surface of the first substrate and an optical sensor surface of the second substrate. What is claimed is: 1. A radiation detector comprising a scintillator layer surface facing and bonded to a radiation detector, wherein an end surface of said second base is in contact with said conductive reflection layer to form a conductive protective film.
の背面にて、前記導電性反射層と接触して前記導電性保
護膜を形成したことを特徴とする請求項１記載の放射線
検出器。2. The radiation detection device according to claim 1, wherein the conductive protective film is formed in contact with the conductive reflective layer on an end surface of the second base and a back surface on a bonding side. vessel.
前記導電性反射層を積層し、その第２の基体の端面及び
接着面の背面にて、前記導電性反射層と接触して前記導
電性保護膜を形成したことを特徴とする請求項１記載の
放射線検出器。3. The conductive reflection layer is laminated on the bonding surface of the second base and the back surface thereof, and is contacted with the conductive reflection layer on the end surface of the second base and the back surface of the bonding surface. The radiation detector according to claim 1, wherein the conductive protective film is formed.
たことを特徴とする請求項１ないし３記載の放射線検出
器。4. The radiation detector according to claim 1, wherein a GND terminal is connected to the conductive protective film.
Ω・ｃｍ以下の材料であることを特徴とする請求項１記
載の放射線検出器。Wherein said conductive protection film, electrical resistivity 10 0
2. The radiation detector according to claim 1, wherein the radiation detector is a material of Ω · cm or less.
布して形成することを特徴とする請求項１記載の放射線
検出器。6. The radiation detector according to claim 1, wherein the conductive protective film is formed by applying a conductive adhesive.
源と、 この放射線を検出する請求項１ないし６のいずれか１項
に記載の放射線検出器と、 この検出された信号をデジタル変換して画像処理する画
像処理手段と、 この処理された画像を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする放射線撮像システム。7. A radiation source for irradiating a subject with radiation, a radiation detector according to claim 1 for detecting the radiation, and digitally converting the detected signal. A radiation imaging system comprising: image processing means for performing image processing; and display means for displaying the processed image.
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