JP2002141609A - 半導体レーザモジュール、レーザユニット、およびラマン増幅器 - Google Patents
半導体レーザモジュール、レーザユニット、およびラマン増幅器Info
- Publication number
- JP2002141609A JP2002141609A JP2000336321A JP2000336321A JP2002141609A JP 2002141609 A JP2002141609 A JP 2002141609A JP 2000336321 A JP2000336321 A JP 2000336321A JP 2000336321 A JP2000336321 A JP 2000336321A JP 2002141609 A JP2002141609 A JP 2002141609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser module
- light
- wavelength
- selection filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4286—Optical modules with optical power monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
- H01S3/302—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in an optical fibre
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ポンプ光強度が揺らぐとラマン利得も揺らぎ、
信号光強度の揺らぎとなる。励起光のノイズがそのまま
信号光のノイズとなる。誘導ブリュアン散乱が顕著に生
じて増幅効率が低下する。デポラライザの長さが長くな
る。 【解決手段】キャビティ内に略矩形の透過率スペクトル
を有す波長選択フィルタを配置した。波長選択フィルタ
を所望波長を透過する誘電体多層膜を有するものとし
た。同フィルタを半導体レーザ素子の前又は後ろに配置
した。同フィルタを平行化レンズと収光レンズとの間に
光軸に対して垂直又は斜めに配置した。同フィルタの回
転により透過波長をチューニング可能にした。二以上の
キャビティ間で複合共振するようにした。キャビティよ
りも光ファイバ側に光アイソレータを配置した。上記励
起光源モジュールを組込んだラマン増幅器とした。
信号光強度の揺らぎとなる。励起光のノイズがそのまま
信号光のノイズとなる。誘導ブリュアン散乱が顕著に生
じて増幅効率が低下する。デポラライザの長さが長くな
る。 【解決手段】キャビティ内に略矩形の透過率スペクトル
を有す波長選択フィルタを配置した。波長選択フィルタ
を所望波長を透過する誘電体多層膜を有するものとし
た。同フィルタを半導体レーザ素子の前又は後ろに配置
した。同フィルタを平行化レンズと収光レンズとの間に
光軸に対して垂直又は斜めに配置した。同フィルタの回
転により透過波長をチューニング可能にした。二以上の
キャビティ間で複合共振するようにした。キャビティよ
りも光ファイバ側に光アイソレータを配置した。上記励
起光源モジュールを組込んだラマン増幅器とした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信に使用される
ラマン増幅器と、ラマン増幅器の励起光源として使用さ
れる半導体レーザモジュール、レーザユニットに関する
ものである。
ラマン増幅器と、ラマン増幅器の励起光源として使用さ
れる半導体レーザモジュール、レーザユニットに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】現在の光ファイバ通信システムでは希土
類添加ファイバ増幅器が多く使用されている。特にエル
ビウム(Er)を添加したエルビウム添加光ファイバ増幅
器(以下「EDFA」と記載する。)がよく用いられて
いる。しかしEDFAの実用的な利得波長帯は1530nm
から1610nm程度である。また、EDFAは利得に波長
依存性を持っており、波長分割多重光に用いる場合に、
信号光の波長によって利得に差が出る。
類添加ファイバ増幅器が多く使用されている。特にエル
ビウム(Er)を添加したエルビウム添加光ファイバ増幅
器(以下「EDFA」と記載する。)がよく用いられて
いる。しかしEDFAの実用的な利得波長帯は1530nm
から1610nm程度である。また、EDFAは利得に波長
依存性を持っており、波長分割多重光に用いる場合に、
信号光の波長によって利得に差が出る。
【0003】高密度波長多重(DWDM:Dense Wavele
ngth Division Multiplexting )が進展する中、EDF
Aよりも更に広帯域の増幅方式としてラマン増幅に対す
る期待が高まっている。ラマン増幅は光ファイバに強い
光(励起光)を入射すると、誘導ラマン散乱により励起
光波長から約100 nm程度、長波長側(1400nm帯の励
起光を使用した場合を前提として約13THz 低い周波
数。)に利得のピークが現れる。このように励起された
光ファイバに、上記利得が得られる波長帯域の信号光を
入れると、その信号光が増幅されるいう現象を利用した
光信号増幅方法である。
ngth Division Multiplexting )が進展する中、EDF
Aよりも更に広帯域の増幅方式としてラマン増幅に対す
る期待が高まっている。ラマン増幅は光ファイバに強い
光(励起光)を入射すると、誘導ラマン散乱により励起
光波長から約100 nm程度、長波長側(1400nm帯の励
起光を使用した場合を前提として約13THz 低い周波
数。)に利得のピークが現れる。このように励起された
光ファイバに、上記利得が得られる波長帯域の信号光を
入れると、その信号光が増幅されるいう現象を利用した
光信号増幅方法である。
【0004】ラマン増幅は励起光の波長を変化させるこ
とにより、利得が生じる波長を任意に変えることができ
るという特徴を有しているが、その利得(ラマン利得)
が小さく、また、励起光波長に対して所定波長(ラマン
シフト)だけ長波長側に現れる利得を利用するものであ
るため、励起波長が変動すると利得を生じる波長が変動
し、信号光の増幅特性が変化してしまう。このためラマ
ン増幅器に使用される励起光源としては、ファイバグレ
ーテイングにより波長を安定化した高出力の半導体レー
ザモジュールが使用されている。
とにより、利得が生じる波長を任意に変えることができ
るという特徴を有しているが、その利得(ラマン利得)
が小さく、また、励起光波長に対して所定波長(ラマン
シフト)だけ長波長側に現れる利得を利用するものであ
るため、励起波長が変動すると利得を生じる波長が変動
し、信号光の増幅特性が変化してしまう。このためラマ
ン増幅器に使用される励起光源としては、ファイバグレ
ーテイングにより波長を安定化した高出力の半導体レー
ザモジュールが使用されている。
【0005】図12に従来のファイバグレーティング付
の半導体レーザモジュールの一例を示す。図12におい
て、半導体レーザ素子Aから出射されたレーザ光は第一
のレンズBで平行光とされ、その平行光が第二のレンズ
Cにより光ファイバDの入射端面に集光されて、半導体
レーザ素子Aと光ファイバDとが光結合される。光ファ
イバDには所定波長の光のみを反射させるファイバグレ
ーティングEが形成されている。このファイバグレーテ
イングEは図13の様に、例えばピーク反射率が約4%
で、半値全幅(FWHM)が2nmの反射率スペクトル
を有していて、光ファイバDに結合したレーザ光のうち
の一部のみを半導体レーザ素子Aの方に帰還させる。こ
の帰還光により半導体レーザ素子Aとファイバグレーテ
イングEとから構成される外部共振器の損失は、ファイ
バグレーテイングEの中心波長においてのみ小さいもの
となるため、半導体レーザ素子Aの駆動電流や環境温度
が変化した場合であっても、半導体レーザAの発振波長
は、上記中心波長において固定される。
の半導体レーザモジュールの一例を示す。図12におい
て、半導体レーザ素子Aから出射されたレーザ光は第一
のレンズBで平行光とされ、その平行光が第二のレンズ
Cにより光ファイバDの入射端面に集光されて、半導体
レーザ素子Aと光ファイバDとが光結合される。光ファ
イバDには所定波長の光のみを反射させるファイバグレ
ーティングEが形成されている。このファイバグレーテ
イングEは図13の様に、例えばピーク反射率が約4%
で、半値全幅(FWHM)が2nmの反射率スペクトル
を有していて、光ファイバDに結合したレーザ光のうち
の一部のみを半導体レーザ素子Aの方に帰還させる。こ
の帰還光により半導体レーザ素子Aとファイバグレーテ
イングEとから構成される外部共振器の損失は、ファイ
バグレーテイングEの中心波長においてのみ小さいもの
となるため、半導体レーザ素子Aの駆動電流や環境温度
が変化した場合であっても、半導体レーザAの発振波長
は、上記中心波長において固定される。
【0006】EDFAでは実用的な利得波長帯は1530n
mから1610nm程度であるが、ラマン増幅では波長帯の
制約は殆どない(実際は1300〜1650nmの範囲が使用さ
れると考えられるため励起光の波長帯は1200〜1550nm
である)。すなわち、光ファイバに入射する励起光の波
長を変えれば、該励起光の波長から所定波長だけ長波長
側に利得(ゲイン)が現れるため、任意の波長で増幅利
得を得ることができる。このため波長分割多重(WD
M: Wavelength Division Multiplexing)において更
に信号光のチヤンネル数を増加させることができる。
mから1610nm程度であるが、ラマン増幅では波長帯の
制約は殆どない(実際は1300〜1650nmの範囲が使用さ
れると考えられるため励起光の波長帯は1200〜1550nm
である)。すなわち、光ファイバに入射する励起光の波
長を変えれば、該励起光の波長から所定波長だけ長波長
側に利得(ゲイン)が現れるため、任意の波長で増幅利
得を得ることができる。このため波長分割多重(WD
M: Wavelength Division Multiplexing)において更
に信号光のチヤンネル数を増加させることができる。
【0007】前記ゲインは光ファイバを構成するガラス
分子が種々の振動姿態を有しているため波長分布をもっ
たゲイン分布、例えば20nm程度の幅がある分布とな
る。ゲインの波長依存性を広い波長帯域に亘ってフラッ
トにするためには種々の波長の励起光を多重化して各励
起レーザの波長、出力等を適宜調整することが行われて
いる。ラマン増幅では既設の通信用光ファイバを増幅媒
体として使用することが可能であり、それを使用した場
合のラマン利得は100 mwの励起光入力で約3dB程度
と小さい。このため多重化によって強い励起光を得るこ
とが必要である。一般には多重化によってトータルで50
0 mw〜1w程度の励起光とするのが普通である。
分子が種々の振動姿態を有しているため波長分布をもっ
たゲイン分布、例えば20nm程度の幅がある分布とな
る。ゲインの波長依存性を広い波長帯域に亘ってフラッ
トにするためには種々の波長の励起光を多重化して各励
起レーザの波長、出力等を適宜調整することが行われて
いる。ラマン増幅では既設の通信用光ファイバを増幅媒
体として使用することが可能であり、それを使用した場
合のラマン利得は100 mwの励起光入力で約3dB程度
と小さい。このため多重化によって強い励起光を得るこ
とが必要である。一般には多重化によってトータルで50
0 mw〜1w程度の励起光とするのが普通である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来よりラマン増幅器
の励起光源として使用されていた図12のようなファイ
バグレーティング付レーザモジュールには次のような課
題がある。 (1)ラマン増幅では増幅現象の起こる過程が非常に短
いため、ポンプ光強度が揺らいでいるとラマン利得も揺
らぐこととなり、これがそのまま信号光強度の揺らぎと
なってしまう。また、励起光のノイズがそのまま信号光
のノイズとなるため励起光のノイズの少ないことが望ま
れる。
の励起光源として使用されていた図12のようなファイ
バグレーティング付レーザモジュールには次のような課
題がある。 (1)ラマン増幅では増幅現象の起こる過程が非常に短
いため、ポンプ光強度が揺らいでいるとラマン利得も揺
らぐこととなり、これがそのまま信号光強度の揺らぎと
なってしまう。また、励起光のノイズがそのまま信号光
のノイズとなるため励起光のノイズの少ないことが望ま
れる。
【0009】(2)ファイバグレーティング付半導体レ
ーザモジュールから出力されるレーザ光の発振スペクト
ルが狭いと、光ファイバを構成するガラス分子の格子振
動による誘導ブリュアン散乱(SBS:Stimulated Bri
lloun Scattering)が顕著に生じてノイズの原因とな
る。 (3)ラマン増幅では前記のようにラマン利得が小さい
ため、励起光源としては複数の励起モジュールが多重化
された状態での総光出力としてばかりでなく、励起モジ
ュール単体の光出力としても非常に高出力のものが要求
される。
ーザモジュールから出力されるレーザ光の発振スペクト
ルが狭いと、光ファイバを構成するガラス分子の格子振
動による誘導ブリュアン散乱(SBS:Stimulated Bri
lloun Scattering)が顕著に生じてノイズの原因とな
る。 (3)ラマン増幅では前記のようにラマン利得が小さい
ため、励起光源としては複数の励起モジュールが多重化
された状態での総光出力としてばかりでなく、励起モジ
ュール単体の光出力としても非常に高出力のものが要求
される。
【0010】(4)ラマン増幅における励起方式として
は前方励起、後方励起、及び双方向励起の3種類があ
る。現在のラマン増幅は後方励起が主流である。その理
由は前方励起には非線形性の間題があることと、上記し
た励起光強度の揺らぎの問題は弱い信号が強い励起光と
共に同方向に進行する前方励起方式において特に問題に
なるためである。このため前方励起にも適用できる安定
した励起光源が求められている。 (5)ラマン増幅では励起光と信号光の偏波方向が一致
している場合に信号光の増幅が起こるため、増幅利得の
偏波依存性の問題が重要になる。即ち、信号光の偏波方
向と励起光の偏波方向のずれの影響を小さくすることが
重要である。このためには、ほほ完全な直線偏光として
半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を無偏光化
(デボラライズ)する必要がある。後方励起の場合は信
号光の偏波が伝搬中にランダムとなるので実用上問題に
ならないが、前方励起の場合は偏波依存性が強いため、
励起光の直交偏波合成、偏波保持ファイバ(PMF)を
用いたデボラライズ等により偏光度(DOP:Degree O
f Polarization)を小さくする工夫が必要となる。しか
し、例えばデポラライズでは、ファイバグレーテイング
付半導体レーザモジュールの発振スペクトルは線幅が狭
いため、レーザ光のコヒーレンス長が長くなり、デボラ
ライズするために接続するPMF(デポラライザ)の長
さが非常に長くなってしまう。
は前方励起、後方励起、及び双方向励起の3種類があ
る。現在のラマン増幅は後方励起が主流である。その理
由は前方励起には非線形性の間題があることと、上記し
た励起光強度の揺らぎの問題は弱い信号が強い励起光と
共に同方向に進行する前方励起方式において特に問題に
なるためである。このため前方励起にも適用できる安定
した励起光源が求められている。 (5)ラマン増幅では励起光と信号光の偏波方向が一致
している場合に信号光の増幅が起こるため、増幅利得の
偏波依存性の問題が重要になる。即ち、信号光の偏波方
向と励起光の偏波方向のずれの影響を小さくすることが
重要である。このためには、ほほ完全な直線偏光として
半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を無偏光化
(デボラライズ)する必要がある。後方励起の場合は信
号光の偏波が伝搬中にランダムとなるので実用上問題に
ならないが、前方励起の場合は偏波依存性が強いため、
励起光の直交偏波合成、偏波保持ファイバ(PMF)を
用いたデボラライズ等により偏光度(DOP:Degree O
f Polarization)を小さくする工夫が必要となる。しか
し、例えばデポラライズでは、ファイバグレーテイング
付半導体レーザモジュールの発振スペクトルは線幅が狭
いため、レーザ光のコヒーレンス長が長くなり、デボラ
ライズするために接続するPMF(デポラライザ)の長
さが非常に長くなってしまう。
【0011】本発明の目的は、従来のラマン増幅器用励
起光源が有していた上記課題、すなわち駆動条件によら
ず発振波長が一定に保たれ、ノイズが少なく、ブリュア
ン散乱によるノイズの増加がなく、且つデボラライズの
容易な励起光源、とりわけラマン増幅器の励起光源とし
て特に好適な半導体レーザモジュールとレーザユニット
及び、これらを適用したラマン増幅器を提供することに
ある。
起光源が有していた上記課題、すなわち駆動条件によら
ず発振波長が一定に保たれ、ノイズが少なく、ブリュア
ン散乱によるノイズの増加がなく、且つデボラライズの
容易な励起光源、とりわけラマン増幅器の励起光源とし
て特に好適な半導体レーザモジュールとレーザユニット
及び、これらを適用したラマン増幅器を提供することに
ある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の発明の半
導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、少なく
とも1つの光帰還手段を含んで形成されるキャビティ
と、該キャビティの前方側に位置する光ファイバとを有
する半導体レーザモジュールにおいて、キャビティ内に
所定範囲の波長の光が透過する波長選択フィルタを配置
したことを特徴とする。
導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、少なく
とも1つの光帰還手段を含んで形成されるキャビティ
と、該キャビティの前方側に位置する光ファイバとを有
する半導体レーザモジュールにおいて、キャビティ内に
所定範囲の波長の光が透過する波長選択フィルタを配置
したことを特徴とする。
【0013】本発明の第2の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1の発明の半導体レーザモジュールにお
いて、波長選択フィルタが略矩形の透過率スペクトルを
有することを特徴とする。
ールは、前記第1の発明の半導体レーザモジュールにお
いて、波長選択フィルタが略矩形の透過率スペクトルを
有することを特徴とする。
【0014】本発明の第3の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1または第2の発明の半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタが所望の波長を透過
する誘電体多層膜を有することを特徴とする。
ールは、前記第1または第2の発明の半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタが所望の波長を透過
する誘電体多層膜を有することを特徴とする。
【0015】本発明の第4の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1〜第3のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタが光軸に対して斜め
に配置されたことを特徴とする。
ールは、前記第1〜第3のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタが光軸に対して斜め
に配置されたことを特徴とする。
【0016】本発明の第5の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1〜第4のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、半導体レーザ素子から出射された光を
光ファイバに結合させる平行化レンズと集光レンズとを
有し、波長選択フィルタが、平行化レンズと集光レンズ
との間に配置されたことを特徴とする。
ールは、前記第1〜第4のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、半導体レーザ素子から出射された光を
光ファイバに結合させる平行化レンズと集光レンズとを
有し、波長選択フィルタが、平行化レンズと集光レンズ
との間に配置されたことを特徴とする。
【0017】本発明の第6の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1〜第5のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、キャビティの光ファイバ側に設けられ
た光帰還部の反射率が5%以下であることを特徴とす
る。
ールは、前記第1〜第5のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、キャビティの光ファイバ側に設けられ
た光帰還部の反射率が5%以下であることを特徴とす
る。
【0018】本発明の第7の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1〜第6のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタがサーモモジュール
上で温度調節されることを特徴とする。
ールは、前記第1〜第6のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタがサーモモジュール
上で温度調節されることを特徴とする。
【0019】本発明の第8の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1〜第7のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタが、回転により透過
波長をチューニングすることができるものであることを
特徴とする。
ールは、前記第1〜第7のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、波長選択フィルタが、回転により透過
波長をチューニングすることができるものであることを
特徴とする。
【0020】本発明の第9の発明の半導体レーザモジュ
ールは、前記第1〜第8のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、半導
体レーザ素子の前端面もしくは後端面に形成された反射
膜であることを特徴とする。
ールは、前記第1〜第8のいずれかの半導体レーザモジ
ュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、半導
体レーザ素子の前端面もしくは後端面に形成された反射
膜であることを特徴とする。
【0021】本発明の第10の発明の半導体レーザモジ
ュールは、前記第1〜第9のいずれかの半導体レーザモ
ジュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、光
ファイバの入射端面の露出面、もしくは該入射端面に形
成された反射膜であることを特徴とする。
ュールは、前記第1〜第9のいずれかの半導体レーザモ
ジュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、光
ファイバの入射端面の露出面、もしくは該入射端面に形
成された反射膜であることを特徴とする。
【0022】本発明の第11の発明の半導体レーザモジ
ュールは、前記第1〜第10のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、
反射体であることを特徴とする。
ュールは、前記第1〜第10のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、
反射体であることを特徴とする。
【0023】本発明の第12の発明の半導体レーザモジ
ュールは、前記第1〜第11のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、
コーナーキューブであることを特徴とする。
ュールは、前記第1〜第11のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、少なくとも1つの光帰還手段は、
コーナーキューブであることを特徴とする。
【0024】本発明の第13の発明の半導体レーザモジ
ュールは、前記第1〜第12のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、キャビティと光ファイバの入射端
面との間に光アイソレータが配置されていることを特徴
とする。
ュールは、前記第1〜第12のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、キャビティと光ファイバの入射端
面との間に光アイソレータが配置されていることを特徴
とする。
【0025】本発明の第14の発明の半導体レーザモジ
ュールは、前記第1〜第13のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、波長選択フィルタがレンズドファ
イバに挿入されていることを特徴とする。
ュールは、前記第1〜第13のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、波長選択フィルタがレンズドファ
イバに挿入されていることを特徴とする。
【0026】本発明の第15の発明の半導体レーザモジ
ュールは、前記第1〜第14のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、レーザ光の偏光度を低減するデポ
ラライザが配置されていることを特徴とする。
ュールは、前記第1〜第14のいずれかの半導体レーザ
モジュールにおいて、レーザ光の偏光度を低減するデポ
ラライザが配置されていることを特徴とする。
【0027】本発明のレーザユニットは、前記第1〜第
15のいずれかの半導体レーザモジュールを複数備える
とともに、該複数の半導体レーザモジュールから出射さ
れる光を偏波合成する偏波合成器を備えたことを特徴と
する。
15のいずれかの半導体レーザモジュールを複数備える
とともに、該複数の半導体レーザモジュールから出射さ
れる光を偏波合成する偏波合成器を備えたことを特徴と
する。
【0028】本発明のラマン増幅器は、励起光源とし
て、前記第1〜第15のいずれかの半導体レーザモジュ
ールもしくはレーザユニットを備えたことを特徴とす
る。
て、前記第1〜第15のいずれかの半導体レーザモジュ
ールもしくはレーザユニットを備えたことを特徴とす
る。
【0029】本発明者らの検討によれば、ラマン増幅器
の励起光源には次のような特性が要求される。 (1)励起光のノイズが小さいこと。相対雑音強度(R
IN:Relative Intensity Noise)が所定の周波数範囲
で非常に低い値であること。一例として0〜2GHz の周
波数範囲でRINが−130 dB/ Hz以下であることが
望まれる。
の励起光源には次のような特性が要求される。 (1)励起光のノイズが小さいこと。相対雑音強度(R
IN:Relative Intensity Noise)が所定の周波数範囲
で非常に低い値であること。一例として0〜2GHz の周
波数範囲でRINが−130 dB/ Hz以下であることが
望まれる。
【0030】(2)励起光の偏光度(DOP)が小さい
こと。コヒーレント長が短いこと、すなわち多モードで
あってデボラライズがし易いこと、若しくは偏波合成に
より偏光がないものとされていることが必要である。前
記多モードであること、については、発振スぺクトル幅
(スぺクトルのピークから3dBダウンした波長の幅)
内に縦モードが少なくとも3本、好ましくは4〜5本以
上入っていればよい。
こと。コヒーレント長が短いこと、すなわち多モードで
あってデボラライズがし易いこと、若しくは偏波合成に
より偏光がないものとされていることが必要である。前
記多モードであること、については、発振スぺクトル幅
(スぺクトルのピークから3dBダウンした波長の幅)
内に縦モードが少なくとも3本、好ましくは4〜5本以
上入っていればよい。
【0031】(3)励起光の光出力が高いこと。半導体
レーザモジュールからの光出力として50mW以上、好ま
しくは100mW以上、さらに好ましくは300 mW以上、
更には400 mW以上が要求される。
レーザモジュールからの光出力として50mW以上、好ま
しくは100mW以上、さらに好ましくは300 mW以上、
更には400 mW以上が要求される。
【0032】(4)励起光の波長安定性が良いこと。発
振波長が変動すると利得波長帯域が変動するためファイ
バグレーティング、DFBレーザ(Distributed Feedba
ck Laser)、DBRレーザ(Distributed Bragg Reflec
ter Laser )等による波長安定化技術が必須である。変
動幅は全ての駆動条件(環境温度:0〜75℃、駆動電
流:0〜1A)において、例えば±1nm以内であるこ
とが好ましい。
振波長が変動すると利得波長帯域が変動するためファイ
バグレーティング、DFBレーザ(Distributed Feedba
ck Laser)、DBRレーザ(Distributed Bragg Reflec
ter Laser )等による波長安定化技術が必須である。変
動幅は全ての駆動条件(環境温度:0〜75℃、駆動電
流:0〜1A)において、例えば±1nm以内であるこ
とが好ましい。
【0033】(5)励起光の発振スぺクトル幅がある程
度狭いこと。各励起レーザモジュールの発振スぺクトル
幅は、広すぎると波長合成カプラの合波ロスが大きくな
ると共に、スぺクトル幅内に含まれる縦モード数が大き
くなって発振中に縦モードが動き、ノイズ、利得変動の
原因になる。このため発振スぺクトル幅は2nm以下又
は3nm以下であることが好ましい。一方あまり狭すぎ
ると電流−光出力特性においてキンクが現れ、レーザ駆
動時における制御に支障が生ずる。
度狭いこと。各励起レーザモジュールの発振スぺクトル
幅は、広すぎると波長合成カプラの合波ロスが大きくな
ると共に、スぺクトル幅内に含まれる縦モード数が大き
くなって発振中に縦モードが動き、ノイズ、利得変動の
原因になる。このため発振スぺクトル幅は2nm以下又
は3nm以下であることが好ましい。一方あまり狭すぎ
ると電流−光出力特性においてキンクが現れ、レーザ駆
動時における制御に支障が生ずる。
【0034】(6)SBSが出ないこと。ファイバグレ
ーティング等により、狭い波長帯域に高光出力が集中す
ると、SBSが発生してノイズが増加する。この点から
励起光としては、発振スぺクトル幅内に複数の縦モード
が存在する、いわゆる多モードであって、各縦モードの
光出力(光強度)がSBS発生閾値を超えないものが求
められる。
ーティング等により、狭い波長帯域に高光出力が集中す
ると、SBSが発生してノイズが増加する。この点から
励起光としては、発振スぺクトル幅内に複数の縦モード
が存在する、いわゆる多モードであって、各縦モードの
光出力(光強度)がSBS発生閾値を超えないものが求
められる。
【0035】(7)光アイソレータ内蔵が好ましい。反
射戻り光によりレーザの動作が不安定にならないように
するために、光アイソレータが内蔵されていることが好
ましい。本発明の構成によれば上記各(1)〜(7)の
要求特性を満たすのに好適な半導体レーザモジュール、
レーザユニット、ラマン増幅器が提供される。
射戻り光によりレーザの動作が不安定にならないように
するために、光アイソレータが内蔵されていることが好
ましい。本発明の構成によれば上記各(1)〜(7)の
要求特性を満たすのに好適な半導体レーザモジュール、
レーザユニット、ラマン増幅器が提供される。
【0036】
【発明の実施形態1】本発明の半導体レーザモジュール
の第1実施形態を図1に示す。この実施形態例におい
て、キャビティ5は、半導体レーザ素子1の後端面8に
形成された反射膜21と光ファイバ2の入射端面7(露
出面)か、該入射端面7に形成された低反射膜30との
間で構成される。この半導体レーザモジュールは、モニ
タ用のフォトダイオード(PD)40、半導体レーザ素
子1、該半導体レーザ素子1から出射される光を平行光
にする第1レンズ(平行化レンズ)3、所定範囲の波長
の光のみを透過する波長選択フィルタ(BPF)6、平
行化レンズ3からの平行光を集光する第2レンズ(集光
レンズ)4、集光レンズ4で集光された光を伝送する光
ファイバ2の順に一列に配列されている。
の第1実施形態を図1に示す。この実施形態例におい
て、キャビティ5は、半導体レーザ素子1の後端面8に
形成された反射膜21と光ファイバ2の入射端面7(露
出面)か、該入射端面7に形成された低反射膜30との
間で構成される。この半導体レーザモジュールは、モニ
タ用のフォトダイオード(PD)40、半導体レーザ素
子1、該半導体レーザ素子1から出射される光を平行光
にする第1レンズ(平行化レンズ)3、所定範囲の波長
の光のみを透過する波長選択フィルタ(BPF)6、平
行化レンズ3からの平行光を集光する第2レンズ(集光
レンズ)4、集光レンズ4で集光された光を伝送する光
ファイバ2の順に一列に配列されている。
【0037】半導体レーザ素子1の後端面8には反射率
90%程度の高い反射率を有する反射膜(HR膜)21
がコーティングされ、前端面10には低い反射率を有す
る低反射膜(AR膜)23がコーティングされている。
AR膜23の反射率は一例として5%以下、好ましくは
1%以下、さらに好ましくは0.1%以下の低い値とす
る。半導体レーザ素子1のHR膜21はPD40の受光
状況に合わせて反射率を最適設計する。但し、HR膜2
1がPD40とキャビティを作らないよう、PD40の
受光面を斜め配置にするなどの戻り光対策をとることが
好ましい。
90%程度の高い反射率を有する反射膜(HR膜)21
がコーティングされ、前端面10には低い反射率を有す
る低反射膜(AR膜)23がコーティングされている。
AR膜23の反射率は一例として5%以下、好ましくは
1%以下、さらに好ましくは0.1%以下の低い値とす
る。半導体レーザ素子1のHR膜21はPD40の受光
状況に合わせて反射率を最適設計する。但し、HR膜2
1がPD40とキャビティを作らないよう、PD40の
受光面を斜め配置にするなどの戻り光対策をとることが
好ましい。
【0038】第1レンズ3、第2レンズ4には、反射率
0.5%以下のAR膜がコーティングされている。これ
らレンズは非球面レンズ、ボールレンズ、分布屈折率レ
ンズ、平凸レンズ等のうち、いずれでも良い。光ファイ
バ2はシングルモード光ファイバ(SMF)の他にPM
Fも含む。光ファイバ2の一部、もしくは全部にPMF
を用いる場合において、PMFの偏波保持軸(スロー
軸、ファースト軸)はレーザ光の偏光面の方向に合わせ
ると直線偏波のままレーザ光を伝送することができる。
また偏光面の方向に対して所定角度、例えば45度に合
わせ、レーザ光のDOPを低減するデポラライザとする
こともできる。
0.5%以下のAR膜がコーティングされている。これ
らレンズは非球面レンズ、ボールレンズ、分布屈折率レ
ンズ、平凸レンズ等のうち、いずれでも良い。光ファイ
バ2はシングルモード光ファイバ(SMF)の他にPM
Fも含む。光ファイバ2の一部、もしくは全部にPMF
を用いる場合において、PMFの偏波保持軸(スロー
軸、ファースト軸)はレーザ光の偏光面の方向に合わせ
ると直線偏波のままレーザ光を伝送することができる。
また偏光面の方向に対して所定角度、例えば45度に合
わせ、レーザ光のDOPを低減するデポラライザとする
こともできる。
【0039】光ファイバ2の入射端面7はレーザ光に対
して、たとえばレーザ光の発光波長もしくは発振波長を
中心として±5nm以上の波長範囲で約0.5%以上、
5%以下の反射率を有する低反射膜30がコーティング
されて反射端面としてある。また、光ファイバ2の入射
端面7における反射率を4%前後とする場合には、光フ
ァイバ2の入射端面7に低反射膜30を設けず、入射端
面7の研磨面、もしくは切断面を露出させておき、この
露出面によるフレネル反射を利用すれば良い。このよう
にキャビティ5の光ファイバ2側の反射率を約0.5%
以上、5%以下の低い値としておくことにより、キャビ
ティ5におけるレーザ発振を可能としつつ、光ファイバ
2内に高い出力の光を入射させることができる。PD4
0は、半導体レーザ素子1後方からの出力光をモニタし
ている。半導体レーザモジュールは、該PD40によっ
て検出された光出力が一定となるように自動出力制御さ
れている。
して、たとえばレーザ光の発光波長もしくは発振波長を
中心として±5nm以上の波長範囲で約0.5%以上、
5%以下の反射率を有する低反射膜30がコーティング
されて反射端面としてある。また、光ファイバ2の入射
端面7における反射率を4%前後とする場合には、光フ
ァイバ2の入射端面7に低反射膜30を設けず、入射端
面7の研磨面、もしくは切断面を露出させておき、この
露出面によるフレネル反射を利用すれば良い。このよう
にキャビティ5の光ファイバ2側の反射率を約0.5%
以上、5%以下の低い値としておくことにより、キャビ
ティ5におけるレーザ発振を可能としつつ、光ファイバ
2内に高い出力の光を入射させることができる。PD4
0は、半導体レーザ素子1後方からの出力光をモニタし
ている。半導体レーザモジュールは、該PD40によっ
て検出された光出力が一定となるように自動出力制御さ
れている。
【0040】図1の波長選択フィルタ6は、例えば、B
K7、石英等からなる基板20と、該基板の後面に形成
された、所望波長の光を透過する誘電体多層膜からなる
波長選択フィルタ膜25と、前面に形成されたAR膜2
2からなる。AR膜22は出来るだけ透過率が良くなる
ような設計とする。波長選択フィルタ6は第1レンズ3
と第2レンズ4間を伝搬する光の光軸に対して所定の傾
き角度(たとえば1°〜5°)、傾けられて配置されて
いる。波長選択フィルタ6はキャビティ5中のどこに配
置してもよいが、平行化レンズである第1レンズ3と、
集光レンズである第2レンズ4との間に配置すると、波
長選択フィルタ6への入射角度がビームの断面の各点に
おいて一定となるので、好ましい。
K7、石英等からなる基板20と、該基板の後面に形成
された、所望波長の光を透過する誘電体多層膜からなる
波長選択フィルタ膜25と、前面に形成されたAR膜2
2からなる。AR膜22は出来るだけ透過率が良くなる
ような設計とする。波長選択フィルタ6は第1レンズ3
と第2レンズ4間を伝搬する光の光軸に対して所定の傾
き角度(たとえば1°〜5°)、傾けられて配置されて
いる。波長選択フィルタ6はキャビティ5中のどこに配
置してもよいが、平行化レンズである第1レンズ3と、
集光レンズである第2レンズ4との間に配置すると、波
長選択フィルタ6への入射角度がビームの断面の各点に
おいて一定となるので、好ましい。
【0041】また波長選択フィルタ6の基板20におけ
る波長選択フィルタ膜25の形成面とAR膜22の形成
面を非平行化する(楔形にする)ことにより、波長選択
フィルタ膜25とAR膜22の間にエタロンを形成しな
いようにすることが好ましい。
る波長選択フィルタ膜25の形成面とAR膜22の形成
面を非平行化する(楔形にする)ことにより、波長選択
フィルタ膜25とAR膜22の間にエタロンを形成しな
いようにすることが好ましい。
【0042】波長選択フィルタ膜25を始め、HR膜2
1、AR膜23など、本実施形態例に示す各膜は、たと
えばTa2O5/SiO2、TiO2/SiO2,Al2O3/SiO2からなるキ
ャビティを所定数積層して形成することができ、積層数
などの設計により適宜の反射帯域幅や透過帯域幅、反射
率や透過率、スペクトル形状を設定できる。
1、AR膜23など、本実施形態例に示す各膜は、たと
えばTa2O5/SiO2、TiO2/SiO2,Al2O3/SiO2からなるキ
ャビティを所定数積層して形成することができ、積層数
などの設計により適宜の反射帯域幅や透過帯域幅、反射
率や透過率、スペクトル形状を設定できる。
【0043】ここで波長選択フィルタ膜25は、ここで
は図11(a)(b)に示すように、略矩形の透過率ス
ペクトルを有している。図11(a)では透過帯域幅が
半値全幅で2nmのもの、図11(b)では透過帯域幅
が半値全幅で3nmのものを示している。図11(a)
(b)において、実線、破線、点線は、光軸に対して波
長選択フィルタ6の傾き角度を0°、2°、4°と変化
させた場合のそれぞれの透過スペクトルを示している。
このように波長選択フィルタ6の傾き角度を変化させる
ことによって透過スペクトルの中心波長が変化すること
が分かる。このような略矩形の透過率スペクトル形状の
波長選択フィルタ膜25を用いて半導体レーザ素子1に
帰還する光のスペクトルを制御することによって、半導
体レーザ素子1から出力されるレーザ光における多モー
ド発振を容易にすることができる。このとき縦モード1
つ1つの光強度がSBS発生閾値を超えない設定とする
ことにより、これら縦モードに起因するSBSを抑制す
ることができる。また高い光強度を複数の縦モードに分
散させることができるので、全体の光出力は高出力とす
ることができる。また複数本の高いレベルの縦モードを
実現できるので、光のコヒーレンス長を短くすることが
できる。よってデポラライザとしてPMFを使用した場
合に、DOPを低減することが容易であり、該PMFの
長さを例えば10m以下に短くできる(従来構成では3
0m弱必要)。なお図11に示すようなきれいな略矩形
のスペクトルは、反射型の波長選択フィルタで実現する
のはかなり困難なので、本実施形態例のように、透過型
の波長選択フィルタを用いることが好適である。
は図11(a)(b)に示すように、略矩形の透過率ス
ペクトルを有している。図11(a)では透過帯域幅が
半値全幅で2nmのもの、図11(b)では透過帯域幅
が半値全幅で3nmのものを示している。図11(a)
(b)において、実線、破線、点線は、光軸に対して波
長選択フィルタ6の傾き角度を0°、2°、4°と変化
させた場合のそれぞれの透過スペクトルを示している。
このように波長選択フィルタ6の傾き角度を変化させる
ことによって透過スペクトルの中心波長が変化すること
が分かる。このような略矩形の透過率スペクトル形状の
波長選択フィルタ膜25を用いて半導体レーザ素子1に
帰還する光のスペクトルを制御することによって、半導
体レーザ素子1から出力されるレーザ光における多モー
ド発振を容易にすることができる。このとき縦モード1
つ1つの光強度がSBS発生閾値を超えない設定とする
ことにより、これら縦モードに起因するSBSを抑制す
ることができる。また高い光強度を複数の縦モードに分
散させることができるので、全体の光出力は高出力とす
ることができる。また複数本の高いレベルの縦モードを
実現できるので、光のコヒーレンス長を短くすることが
できる。よってデポラライザとしてPMFを使用した場
合に、DOPを低減することが容易であり、該PMFの
長さを例えば10m以下に短くできる(従来構成では3
0m弱必要)。なお図11に示すようなきれいな略矩形
のスペクトルは、反射型の波長選択フィルタで実現する
のはかなり困難なので、本実施形態例のように、透過型
の波長選択フィルタを用いることが好適である。
【0044】この波長選択フィルタ6によれば、図11
に示したように、半導体レーザ素子1から出射される光
の光軸に対する傾き角度を大きくすることにより発振波
長が短波長側にシフトすることを利用して、該傾き角度
を調節することにより発振波長をチューニングすること
ができる。この場合、波長選択フィルタ6に対して光が
垂直に入射する位置からどの方向に傾斜させても良い
が、偏波面方向に対して垂直か水平方向に傾斜させると
偏波依存が無くなり、数十度傾斜させてもPDL(Pola
rization dependent loss:偏波依存損失)の発生が抑
制される。上記以外の発振波長をチューニングする方法
としては、例えば波長選択フィルタ6における波長選択
フィルタ膜25における光の透過位置によって光の透過
スペクトルが変化するように波長選択フィルタ膜25の
各層の厚みを制御しておき、波長選択フィルタ6を波長
選択フィルタ6を光軸に対して略垂直方向に動かして該
波長選択フィルタ6への光の入射位置を変え、波長選択
フィルタ膜25における光の透過位置を変化させ、発振
波長をチューニングする方法もある。
に示したように、半導体レーザ素子1から出射される光
の光軸に対する傾き角度を大きくすることにより発振波
長が短波長側にシフトすることを利用して、該傾き角度
を調節することにより発振波長をチューニングすること
ができる。この場合、波長選択フィルタ6に対して光が
垂直に入射する位置からどの方向に傾斜させても良い
が、偏波面方向に対して垂直か水平方向に傾斜させると
偏波依存が無くなり、数十度傾斜させてもPDL(Pola
rization dependent loss:偏波依存損失)の発生が抑
制される。上記以外の発振波長をチューニングする方法
としては、例えば波長選択フィルタ6における波長選択
フィルタ膜25における光の透過位置によって光の透過
スペクトルが変化するように波長選択フィルタ膜25の
各層の厚みを制御しておき、波長選択フィルタ6を波長
選択フィルタ6を光軸に対して略垂直方向に動かして該
波長選択フィルタ6への光の入射位置を変え、波長選択
フィルタ膜25における光の透過位置を変化させ、発振
波長をチューニングする方法もある。
【0045】波長選択フィルタ6は半導体レーザ素子1
が搭載されているサーモモジュール(例えば、ペルチエ
モジュール。図示せず)の上に搭載されて、半導体レー
ザ素子1と共にぺルチエ素子による温度コントロール下
におくことで波長シフトや波形の乱れがなくなり特性が
安定する。波長選択フィルタ6は、半導体レーザ素子1
を搭載したサーモモジュールと別のモジュール上に搭載
することもできる。
が搭載されているサーモモジュール(例えば、ペルチエ
モジュール。図示せず)の上に搭載されて、半導体レー
ザ素子1と共にぺルチエ素子による温度コントロール下
におくことで波長シフトや波形の乱れがなくなり特性が
安定する。波長選択フィルタ6は、半導体レーザ素子1
を搭載したサーモモジュールと別のモジュール上に搭載
することもできる。
【0046】さて、この半導体レーザモジュールでは、
半導体レーザ素子1の前端面10から出射された光が、
第1レンズ3で平行化され、波長選択フィルタ6によっ
て波長選択され、第2レンズ4で集光され、一部の光は
光ファイバ2の入射端面7で反射され逆の経路をたどっ
て半導体レーザ素子1に光帰還される。また、残りの光
は光ファイバ2内に入射して伝送される。キャビティ5
内における光の帰還・往復によって半導体レーザ素子1
においてレーザ発振し、レーザ光が出力される。このと
き波長選択フィルタ6によって所望の波長の光のみが選
択的に半導体レーザ素子1に光帰還されることによっ
て、レーザ光の波長特性が安定化される。レーザ光は、
光ファイバ2によって伝送され、所望の用途に供され
る。
半導体レーザ素子1の前端面10から出射された光が、
第1レンズ3で平行化され、波長選択フィルタ6によっ
て波長選択され、第2レンズ4で集光され、一部の光は
光ファイバ2の入射端面7で反射され逆の経路をたどっ
て半導体レーザ素子1に光帰還される。また、残りの光
は光ファイバ2内に入射して伝送される。キャビティ5
内における光の帰還・往復によって半導体レーザ素子1
においてレーザ発振し、レーザ光が出力される。このと
き波長選択フィルタ6によって所望の波長の光のみが選
択的に半導体レーザ素子1に光帰還されることによっ
て、レーザ光の波長特性が安定化される。レーザ光は、
光ファイバ2によって伝送され、所望の用途に供され
る。
【0047】本実施形態例の半導体レーザモジュールに
よれば、キャビティ長を短く設定可能(たとえば20m
m以下)であり、長キャビティ化に起因する所定周波数
帯域内におけるノイズ特性劣化を防止することができ
る。また波長選択フィルタ6の採用により、光のスペク
トル幅を狭く圧縮することができ、光出力を高くするこ
とができるとともに、波長安定性が良好である。また波
長選択フィルタ6の透過率スペクトルを所定形状とする
ことにより、半導体レーザ素子1から出力される光を多
モードとすることができ、高光出力を維持しながらSB
S発生を防止できる。多モードはDOP低減にも有利で
ある。以上のように、本実施形態例の半導体レーザモジ
ュールはラマン増幅器の励起光源として必要とされる特
性を略満たすことが可能である。
よれば、キャビティ長を短く設定可能(たとえば20m
m以下)であり、長キャビティ化に起因する所定周波数
帯域内におけるノイズ特性劣化を防止することができ
る。また波長選択フィルタ6の採用により、光のスペク
トル幅を狭く圧縮することができ、光出力を高くするこ
とができるとともに、波長安定性が良好である。また波
長選択フィルタ6の透過率スペクトルを所定形状とする
ことにより、半導体レーザ素子1から出力される光を多
モードとすることができ、高光出力を維持しながらSB
S発生を防止できる。多モードはDOP低減にも有利で
ある。以上のように、本実施形態例の半導体レーザモジ
ュールはラマン増幅器の励起光源として必要とされる特
性を略満たすことが可能である。
【0048】
【発明の実施の形態2】本発明の半導体レーザモジュー
ルの第2実施形態を図2に示す。この実施形態例におい
て、キャビティ5は、反射体9の反射膜26と光ファイ
バ2の入射端面7(露出面)、もしくは該入射端面7に
形成された低反射膜30との間で構成される。なお以下
の実施形態例において、それ以前の実施形態例と同一の
構成については同一符号を付すとともに説明を適宜省略
する。この半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素
子1の後ろに波長選択フィルタ6を配置した構成であ
り、PD40、反射体9、第4レンズ(平行化レンズ)
16、波長選択フィルタ6、第3レンズ(集光レンズ)
15、半導体レーザ素子1、第1レンズ3、第2レンズ
4、光ファイバ2が順次一列に配列されている。
ルの第2実施形態を図2に示す。この実施形態例におい
て、キャビティ5は、反射体9の反射膜26と光ファイ
バ2の入射端面7(露出面)、もしくは該入射端面7に
形成された低反射膜30との間で構成される。なお以下
の実施形態例において、それ以前の実施形態例と同一の
構成については同一符号を付すとともに説明を適宜省略
する。この半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素
子1の後ろに波長選択フィルタ6を配置した構成であ
り、PD40、反射体9、第4レンズ(平行化レンズ)
16、波長選択フィルタ6、第3レンズ(集光レンズ)
15、半導体レーザ素子1、第1レンズ3、第2レンズ
4、光ファイバ2が順次一列に配列されている。
【0049】半導体レーザ素子1の前端面10にはAR
膜34が、後端面8にはAR膜24がコーティングされ
ている。それぞれのAR膜24、34の反射率は一例と
して5%以下、好ましくは1%以下、さらに好ましくは
0.1 %以下の低い値とする。
膜34が、後端面8にはAR膜24がコーティングされ
ている。それぞれのAR膜24、34の反射率は一例と
して5%以下、好ましくは1%以下、さらに好ましくは
0.1 %以下の低い値とする。
【0050】第3レンズ15、第4レンズ16には、そ
れぞれ第1レンズ3、第2レンズ4と同様に、たとえば
前後の両面に反射率0.5%以下のAR膜がコーティン
グされている。これらレンズも、非球面レンズ、ボール
レンズ、分布屈折率レンズ、平凸レンズ等のうち、いず
れでも良く、適宜選択される。
れぞれ第1レンズ3、第2レンズ4と同様に、たとえば
前後の両面に反射率0.5%以下のAR膜がコーティン
グされている。これらレンズも、非球面レンズ、ボール
レンズ、分布屈折率レンズ、平凸レンズ等のうち、いず
れでも良く、適宜選択される。
【0051】波長選択フィルタ6は、第3レンズ15と
第4レンズ16間に配置されている点を除いては第一実
施形態例のものと同一構成であり、これと同様に、サー
モモジュールによる温度調節を行うことが好ましい。
第4レンズ16間に配置されている点を除いては第一実
施形態例のものと同一構成であり、これと同様に、サー
モモジュールによる温度調節を行うことが好ましい。
【0052】この半導体レーザモジュールでは、半導体
レーザ素子1の後端面8から出射された光が、第3レン
ズ15で平行化され、波長選択フィルタ6によって波長
選択され、第4レンズ16で集光され、反射膜26によ
って光帰還される。また半導体レーザ素子1の前端面1
0から出射された光は、第1レンズ、第2レンズを介し
て伝送され、光ファイバ2の入射端面7において一部が
半導体レーザ素子1に光帰還され、残りは光ファイバ2
内に入射し、伝送される。
レーザ素子1の後端面8から出射された光が、第3レン
ズ15で平行化され、波長選択フィルタ6によって波長
選択され、第4レンズ16で集光され、反射膜26によ
って光帰還される。また半導体レーザ素子1の前端面1
0から出射された光は、第1レンズ、第2レンズを介し
て伝送され、光ファイバ2の入射端面7において一部が
半導体レーザ素子1に光帰還され、残りは光ファイバ2
内に入射し、伝送される。
【0053】キャビティ5内における光の帰還・往復に
よって半導体レーザ素子1においてレーザ発振し、レー
ザ光が出力される。このとき波長選択フィルタ6によっ
て所望の波長の光のみが選択的に半導体レーザ素子1に
光帰還されることによって、レーザ光の波長特性が安定
化される。半導体レーザ素子1の前端面10から出射さ
れたレーザ光は、光ファイバ2によって伝送され、所望
の用途に供される。本実施形態例の半導体レーザモジュ
ールでも、第一実施形態例のものと同様の効果を奏す
る。
よって半導体レーザ素子1においてレーザ発振し、レー
ザ光が出力される。このとき波長選択フィルタ6によっ
て所望の波長の光のみが選択的に半導体レーザ素子1に
光帰還されることによって、レーザ光の波長特性が安定
化される。半導体レーザ素子1の前端面10から出射さ
れたレーザ光は、光ファイバ2によって伝送され、所望
の用途に供される。本実施形態例の半導体レーザモジュ
ールでも、第一実施形態例のものと同様の効果を奏す
る。
【0054】
【発明の実施の形態3】本発明の半導体レーザモジュー
ルの第3実施形態を図3に示す。本実施形態例におい
て、キャビティ5は、反射体9の反射膜26と半導体レ
ーザ素子1の前端面10に形成されたAR膜34との間
で構成される。本実施形態例の半導体レーザモジュール
は、前記第2実施形態例における半導体レーザモジュー
ルから若干構成を変更したものであって、半導体レーザ
素子1の前端面10に形成されたAR膜34の反射率を
2〜5%程度とするとともに、光ファイバ2の入射端面
7に例えば反射率1%以下のAR膜27を形成したもの
である。これによって上述のように反射体9の反射膜2
6と半導体レーザ素子1の前端面に形成されたAR膜3
4の間にキャビティ5が形成され、該キャビティ5より
光ファイバ2側に位置する第1レンズ3と第2レンズ4
との間に光アイソレータ12を配置することができるの
で、光ファイバ2の途中を切断して光アイソレータ12
を挿入する必要が無い。
ルの第3実施形態を図3に示す。本実施形態例におい
て、キャビティ5は、反射体9の反射膜26と半導体レ
ーザ素子1の前端面10に形成されたAR膜34との間
で構成される。本実施形態例の半導体レーザモジュール
は、前記第2実施形態例における半導体レーザモジュー
ルから若干構成を変更したものであって、半導体レーザ
素子1の前端面10に形成されたAR膜34の反射率を
2〜5%程度とするとともに、光ファイバ2の入射端面
7に例えば反射率1%以下のAR膜27を形成したもの
である。これによって上述のように反射体9の反射膜2
6と半導体レーザ素子1の前端面に形成されたAR膜3
4の間にキャビティ5が形成され、該キャビティ5より
光ファイバ2側に位置する第1レンズ3と第2レンズ4
との間に光アイソレータ12を配置することができるの
で、光ファイバ2の途中を切断して光アイソレータ12
を挿入する必要が無い。
【0055】また半導体レーザ素子1、第1レンズ3、
第レンズ4を内蔵するパッケージ内に光アイソレータ1
2も内蔵することが可能となり、半導体レーザモジュー
ル全体として小型化される。また偏光依存型の光アイソ
レータを使用できるので、安価な半導体レーザモジュー
ルを提供することができる。その他の効果については第
1実施形態例、第2実施形態例のものと同様である。
第レンズ4を内蔵するパッケージ内に光アイソレータ1
2も内蔵することが可能となり、半導体レーザモジュー
ル全体として小型化される。また偏光依存型の光アイソ
レータを使用できるので、安価な半導体レーザモジュー
ルを提供することができる。その他の効果については第
1実施形態例、第2実施形態例のものと同様である。
【0056】
【発明の実施の形態4】本発明の半導体レーザモジュー
ルの第4実施形態を図4に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第3実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第3実施形態例における波長選択フィルタ6と反射
体9とを一体化したものである。すなわち、反射体9
(波長選択フィルタ6)では、基板20の後面側に例え
ば反射率90%以上の反射膜28が形成され、基板20
の前面側に波長選択フィルタ膜25が形成されている。
ルの第4実施形態を図4に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第3実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第3実施形態例における波長選択フィルタ6と反射
体9とを一体化したものである。すなわち、反射体9
(波長選択フィルタ6)では、基板20の後面側に例え
ば反射率90%以上の反射膜28が形成され、基板20
の前面側に波長選択フィルタ膜25が形成されている。
【0057】なお反射膜28と波長選択フィルタ膜25
を非平行化することで、これらの間でエタロンを形成す
ることを防止することができる。その他の構成、効果は
第3実施形態例のものと同様である。
を非平行化することで、これらの間でエタロンを形成す
ることを防止することができる。その他の構成、効果は
第3実施形態例のものと同様である。
【0058】
【発明の実施の形態5】本発明の半導体レーザモジュー
ルの第5実施形態を図5に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第2実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第3実施形態例における第4レンズ16と反射体9
の代わりに分布屈折率分布レンズ17と反射膜29を用
いている。このように分布屈折率レンズ17を用いるこ
とにより、半導体レーザモジュールの小型化を図ること
ができる。その他の構成、効果は第3実施形態例のもの
と同様である。
ルの第5実施形態を図5に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第2実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第3実施形態例における第4レンズ16と反射体9
の代わりに分布屈折率分布レンズ17と反射膜29を用
いている。このように分布屈折率レンズ17を用いるこ
とにより、半導体レーザモジュールの小型化を図ること
ができる。その他の構成、効果は第3実施形態例のもの
と同様である。
【0059】
【発明の実施の形態6】本発明の半導体レーザモジュー
ルの第6実施形態を図6に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第2実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第2実施形態例における第4レンズ16と反射体9
の代わりにコーナーキューブ13を用いている。このよ
うにコーナーキューブ13は調心が容易であり、かつ該
コーナーキューブ13の位置ずれに対しても光結合率の
劣化が少ないので、好ましい。その他の構成、効果は第
2実施形態例のものと同様である。
ルの第6実施形態を図6に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第2実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第2実施形態例における第4レンズ16と反射体9
の代わりにコーナーキューブ13を用いている。このよ
うにコーナーキューブ13は調心が容易であり、かつ該
コーナーキューブ13の位置ずれに対しても光結合率の
劣化が少ないので、好ましい。その他の構成、効果は第
2実施形態例のものと同様である。
【0060】
【発明の実施の形態7】本発明の半導体レーザモジュー
ルの第7実施形態を図7に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第3実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第3実施形態例における第4レンズ16と反射体9
の代わりにコーナーキューブ13を用いている。このよ
うにコーナーキューブ13を用いることにより、第6実
施形態例の場合と同様の効果が得られる。その他の構
成、効果は第3実施形態例のものと同様である。
ルの第7実施形態を図7に示す。本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、前記第3実施形態例における半導
体レーザモジュールから若干構成を変更したものであっ
て、第3実施形態例における第4レンズ16と反射体9
の代わりにコーナーキューブ13を用いている。このよ
うにコーナーキューブ13を用いることにより、第6実
施形態例の場合と同様の効果が得られる。その他の構
成、効果は第3実施形態例のものと同様である。
【0061】
【発明の実施の形態8】本発明の半導体レーザモジュー
ルの第8実施形態を図8に示す。本実施形態例におい
て、キャビティ5は、レンズドファイバ31の反射膜3
2と半導体レーザ素子1の前端面10に形成したAR膜
34との間で構成される。この半導体レーザモジュール
は、半導体レーザ素子1の後ろに波長選択フィルタ6を
配置した構成であり、PD40、途中に波長選択フィル
タ6を備えたレンズドファイバ31、半導体レーザ素子
1、第1レンズ3、光アイソレータ12、第2レンズ
4、光ファイバ2が順次一列に配列されている。
ルの第8実施形態を図8に示す。本実施形態例におい
て、キャビティ5は、レンズドファイバ31の反射膜3
2と半導体レーザ素子1の前端面10に形成したAR膜
34との間で構成される。この半導体レーザモジュール
は、半導体レーザ素子1の後ろに波長選択フィルタ6を
配置した構成であり、PD40、途中に波長選択フィル
タ6を備えたレンズドファイバ31、半導体レーザ素子
1、第1レンズ3、光アイソレータ12、第2レンズ
4、光ファイバ2が順次一列に配列されている。
【0062】半導体レーザ素子1の前端面10にはAR
膜34がコーティングされている。後端面8にはAR膜
24が形成されている。前端面のAR膜34の反射率は
一例として2〜5%とする。後端面8のAR膜22の反
射率は一例として1%以下、好ましくは0.1%以下と
する。
膜34がコーティングされている。後端面8にはAR膜
24が形成されている。前端面のAR膜34の反射率は
一例として2〜5%とする。後端面8のAR膜22の反
射率は一例として1%以下、好ましくは0.1%以下と
する。
【0063】レンズドファイバ31は、前端面をレンズ
加工し、該端面にAR膜33を形成するとともに、後端
面をレンズドファイバ長手方向に対して垂直にカットし
て反射膜32を形成したものである。前端面のレンズ形
状は、半導体レーザ素子1からの出射光の断面形状によ
って楔形状や先球形状など適宜選択される。またAR膜
33の反射率は一例として1%以下、反射膜32の反射
率は90%以上である。
加工し、該端面にAR膜33を形成するとともに、後端
面をレンズドファイバ長手方向に対して垂直にカットし
て反射膜32を形成したものである。前端面のレンズ形
状は、半導体レーザ素子1からの出射光の断面形状によ
って楔形状や先球形状など適宜選択される。またAR膜
33の反射率は一例として1%以下、反射膜32の反射
率は90%以上である。
【0064】またレンズドファイバ31には長手方向途
中で切断された部分に、波長選択フィルタ6が挿入され
ている。ここではレンズドファイバの光軸に対し波長選
択フィルタ6が垂直に挿入された例を示しているが、斜
めに挿入されていても良い。
中で切断された部分に、波長選択フィルタ6が挿入され
ている。ここではレンズドファイバの光軸に対し波長選
択フィルタ6が垂直に挿入された例を示しているが、斜
めに挿入されていても良い。
【0065】この半導体レーザモジュールでは、半導体
レーザ素子1の後端面8から出射された光が、レンズド
ファイバ31内を伝送され、波長選択フィルタ6によっ
て波長選択され、一部の光は反射膜32によって半導体
レーザ素子1に光帰還され、残りの光はPD40で受光
される。また半導体レーザ素子1の前端面10から出射
された光が、第1レンズ3で平行化され、第2レンズ4
で集光され、光ファイバ2内に入射して伝送される。キ
ャビティ5内における光の帰還・往復によって半導体レ
ーザ素子1においてレーザ発振し、レーザ光が出力され
る。このとき波長選択フィルタ6によって所望の波長の
光のみが選択的に半導体レーザ素子1に光帰還されるこ
とによって、レーザ光の波長特性が安定化される。半導
体レーザ素子1の前端面10から出射されたレーザ光
は、光ファイバ2によって伝送され、所望の用途に供さ
れる。
レーザ素子1の後端面8から出射された光が、レンズド
ファイバ31内を伝送され、波長選択フィルタ6によっ
て波長選択され、一部の光は反射膜32によって半導体
レーザ素子1に光帰還され、残りの光はPD40で受光
される。また半導体レーザ素子1の前端面10から出射
された光が、第1レンズ3で平行化され、第2レンズ4
で集光され、光ファイバ2内に入射して伝送される。キ
ャビティ5内における光の帰還・往復によって半導体レ
ーザ素子1においてレーザ発振し、レーザ光が出力され
る。このとき波長選択フィルタ6によって所望の波長の
光のみが選択的に半導体レーザ素子1に光帰還されるこ
とによって、レーザ光の波長特性が安定化される。半導
体レーザ素子1の前端面10から出射されたレーザ光
は、光ファイバ2によって伝送され、所望の用途に供さ
れる。
【0066】本実施形態例の半導体レーザモジュールで
も、第1実施形態例のものと同様の効果を奏するととも
に第1レンズ3と第2レンズ4の間に光アイソレータ1
2を配置できる。なお本実施形態例だけでなく他の実施
形態においても、第1レンズ3−第2レンズ4や、第3
レンズ15−第4レンズ16のような光結合系の代わり
に、光ファイバの先端をレンズ加工すること、およびそ
の途中に波長選択フィルタ6を挿入することが適宜、可
能である。
も、第1実施形態例のものと同様の効果を奏するととも
に第1レンズ3と第2レンズ4の間に光アイソレータ1
2を配置できる。なお本実施形態例だけでなく他の実施
形態においても、第1レンズ3−第2レンズ4や、第3
レンズ15−第4レンズ16のような光結合系の代わり
に、光ファイバの先端をレンズ加工すること、およびそ
の途中に波長選択フィルタ6を挿入することが適宜、可
能である。
【0067】上記各実施形態例に記載の半導体レーザモ
ジュールを励起光源モジュールとして使用するラマン増
幅器100の一実施形態例となる構成を図9に示す。図
9において、異なる波長の光を出力する複数のレーザユ
ニット101と、該レーザユニット101から出力され
た光を波長合成するWDMカプラ102と、該波長合成
された光を伝送する光ファイバ103と、該光ファイバ
103中に配置された偏波無依存型の光アイソレータ1
04とを有する、前方励起方式の光増幅器である。
ジュールを励起光源モジュールとして使用するラマン増
幅器100の一実施形態例となる構成を図9に示す。図
9において、異なる波長の光を出力する複数のレーザユ
ニット101と、該レーザユニット101から出力され
た光を波長合成するWDMカプラ102と、該波長合成
された光を伝送する光ファイバ103と、該光ファイバ
103中に配置された偏波無依存型の光アイソレータ1
04とを有する、前方励起方式の光増幅器である。
【0068】各レーザユニット101は、上記各実施形
態例のいずれかに記載の半導体レーザモジュール105
と、該半導体レーザモジュール105から出力されたレ
ーザ光を伝送する光ファイバ106と、該光ファイバ1
06内に挿入されたPMFからなるデポラライザ107
と、制御部108と、を有する。
態例のいずれかに記載の半導体レーザモジュール105
と、該半導体レーザモジュール105から出力されたレ
ーザ光を伝送する光ファイバ106と、該光ファイバ1
06内に挿入されたPMFからなるデポラライザ107
と、制御部108と、を有する。
【0069】前記半導体レーザモジュール105は、制
御部108による半導体レーザ素子の動作制御、例えば
注入電流やペルチェモジュール温度の制御に基づいて、
それぞれ異なる波長のレーザ光を出射している。デポラ
ライザ107は、例えば光ファイバ106の少なくとも
一部に設けられたPMFで、半導体レーザモジュール1
05から出力されたレーザ光の偏波面に対して固有軸が
45度傾けられたものである。このような配置とするこ
とで半導体レーザモジュール105から出力されるレー
ザ光のDOPを低減し非偏光化することができる。
御部108による半導体レーザ素子の動作制御、例えば
注入電流やペルチェモジュール温度の制御に基づいて、
それぞれ異なる波長のレーザ光を出射している。デポラ
ライザ107は、例えば光ファイバ106の少なくとも
一部に設けられたPMFで、半導体レーザモジュール1
05から出力されたレーザ光の偏波面に対して固有軸が
45度傾けられたものである。このような配置とするこ
とで半導体レーザモジュール105から出力されるレー
ザ光のDOPを低減し非偏光化することができる。
【0070】光アイソレータ104は、半導体レーザモ
ジュール105から出力されたレーザ光を通過させると
ともに、半導体レーザモジュール105への戻り光をカ
ットしている。ただし半導体レーザモジュール105内
に光アイソレータを内蔵する場合には、インラインの光
アイソレータ104は不要である。このようなラマン増
幅器100において、各半導体レーザモジュール105
から出力されたレーザ光は、デポラライザ107によっ
てDOPが低減された後、異なる波長の光同士がWDM
カプラ102で合波され、光ファイバ103から光アイ
ソレータ104を介して、WDMカプラ109によっ
て、信号光が伝送される光ファイバ110内に入射され
る。この入射されたレーザ光(励起光)によって、光フ
ァイバ110内の信号光はラマン増幅されながら伝送さ
れる。
ジュール105から出力されたレーザ光を通過させると
ともに、半導体レーザモジュール105への戻り光をカ
ットしている。ただし半導体レーザモジュール105内
に光アイソレータを内蔵する場合には、インラインの光
アイソレータ104は不要である。このようなラマン増
幅器100において、各半導体レーザモジュール105
から出力されたレーザ光は、デポラライザ107によっ
てDOPが低減された後、異なる波長の光同士がWDM
カプラ102で合波され、光ファイバ103から光アイ
ソレータ104を介して、WDMカプラ109によっ
て、信号光が伝送される光ファイバ110内に入射され
る。この入射されたレーザ光(励起光)によって、光フ
ァイバ110内の信号光はラマン増幅されながら伝送さ
れる。
【0071】この本実施形態例のラマン増幅器100で
は、本実施形態に係る半導体レーザモジュール105お
よびレーザユニット101を使用することで、高いラマ
ン利得を得ながらも、光ファイバ110内におけるSB
Sが抑制される。またDOP低減のためのデポラライザ
107として必要なPMFが短くて済むため、レーザユ
ニット101、ラマン増幅器100を小型化できる。ま
た所定波長の光を反射する波長選択フィルタを用いるこ
とでラマン利得の波長安定性も満足いくものとなる。
は、本実施形態に係る半導体レーザモジュール105お
よびレーザユニット101を使用することで、高いラマ
ン利得を得ながらも、光ファイバ110内におけるSB
Sが抑制される。またDOP低減のためのデポラライザ
107として必要なPMFが短くて済むため、レーザユ
ニット101、ラマン増幅器100を小型化できる。ま
た所定波長の光を反射する波長選択フィルタを用いるこ
とでラマン利得の波長安定性も満足いくものとなる。
【0072】また上記半導体レーザモジュールを励起光
源モジュールとして使用したラマン増幅器の他の実施形
態を図10の構成図に示す。図10において、ラマン増
幅器111は、異なる波長の光を出力する複数のレーザ
ユニット101と、該レーザユニット101から出力さ
れた光を波長合成するWDMカプラ102と、該波長合
成された光を伝送する光ファイバ103と、該光ファイ
バ103中に配置された偏波無依存型の光アイソレータ
104とを有する、前方励起方式の光増幅器である。
源モジュールとして使用したラマン増幅器の他の実施形
態を図10の構成図に示す。図10において、ラマン増
幅器111は、異なる波長の光を出力する複数のレーザ
ユニット101と、該レーザユニット101から出力さ
れた光を波長合成するWDMカプラ102と、該波長合
成された光を伝送する光ファイバ103と、該光ファイ
バ103中に配置された偏波無依存型の光アイソレータ
104とを有する、前方励起方式の光増幅器である。
【0073】各レーザユニット101は、上記各実施形
態例のいずれかに記載の、2つの半導体レーザモジュー
ル105と、該半導体レーザモジュール105から出力
されたレーザ光をそれぞれ伝送する光ファイバ106
と、これらレーザ光を偏波合波するPBC(Polarizati
on Beam Combiner:偏波合成器)112と、この合波さ
れた光を伝送する光ファイバ106と、本発明の制御手
段を構成する制御部108と、を有する。
態例のいずれかに記載の、2つの半導体レーザモジュー
ル105と、該半導体レーザモジュール105から出力
されたレーザ光をそれぞれ伝送する光ファイバ106
と、これらレーザ光を偏波合波するPBC(Polarizati
on Beam Combiner:偏波合成器)112と、この合波さ
れた光を伝送する光ファイバ106と、本発明の制御手
段を構成する制御部108と、を有する。
【0074】前記複数の半導体レーザモジュール105
は、制御部108による半導体レーザ素子の動作制御、
例えば注入電流やペルチェモジュール温度の制御に基づ
いて、それぞれ異なる波長のレーザ光を出射している。
光アイソレータ104は、半導体レーザモジュール10
5から出力されたレーザ光を通過させるとともに、半導
体レーザモジュール105への戻り光をカットしてい
る。ただし半導体レーザモジュール105内に光アイソ
レータを内蔵する場合には、インラインの光アイソレー
タ104は不要である。
は、制御部108による半導体レーザ素子の動作制御、
例えば注入電流やペルチェモジュール温度の制御に基づ
いて、それぞれ異なる波長のレーザ光を出射している。
光アイソレータ104は、半導体レーザモジュール10
5から出力されたレーザ光を通過させるとともに、半導
体レーザモジュール105への戻り光をカットしてい
る。ただし半導体レーザモジュール105内に光アイソ
レータを内蔵する場合には、インラインの光アイソレー
タ104は不要である。
【0075】このようなラマン増幅器111において、
各半導体レーザモジュール105から出力されたレーザ
光は、PBC112で同一波長、異なる偏波面の偏光同
士が合波され偏光度が低減された後、さらに異なる波長
の光同士がWDMカプラ102で合波され、光ファイバ
103から光アイソレータ104、WDMカプラ109
を介して、信号光が伝送される光ファイバ110内に入
射される。この入射されたレーザ光(励起光)によっ
て、光ファイバ110内の信号光はラマン増幅されなが
ら伝送される。
各半導体レーザモジュール105から出力されたレーザ
光は、PBC112で同一波長、異なる偏波面の偏光同
士が合波され偏光度が低減された後、さらに異なる波長
の光同士がWDMカプラ102で合波され、光ファイバ
103から光アイソレータ104、WDMカプラ109
を介して、信号光が伝送される光ファイバ110内に入
射される。この入射されたレーザ光(励起光)によっ
て、光ファイバ110内の信号光はラマン増幅されなが
ら伝送される。
【0076】このラマン増幅器111では、本実施形態
に係る半導体レーザモジュール105およびレーザユニ
ット101を使用することで、高いラマン利得を得なが
らも、光ファイバ110内におけるSBSが抑制され
る。また所定波長の光を反射する波長選択フィルタを用
いることでラマン利得の波長安定性も満足いくものとな
る。
に係る半導体レーザモジュール105およびレーザユニ
ット101を使用することで、高いラマン利得を得なが
らも、光ファイバ110内におけるSBSが抑制され
る。また所定波長の光を反射する波長選択フィルタを用
いることでラマン利得の波長安定性も満足いくものとな
る。
【0077】本発明は、これら実施形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形実施が可能である。また上記の実施形態例では、本発
明を特に好適に利用し得る前方励起方式のラマン増幅器
について説明したが、本発明はこれに限らず、後方励起
方式又は双方向励起方式のラマン増幅器にも用いること
が可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形実施が可能である。また上記の実施形態例では、本発
明を特に好適に利用し得る前方励起方式のラマン増幅器
について説明したが、本発明はこれに限らず、後方励起
方式又は双方向励起方式のラマン増幅器にも用いること
が可能である。
【0078】
【発明の効果】本発明の励起光源用モジュールは次のよ
うな効果がある。 1.波長選択フィルタを使用するため、共振器(キャビ
ティ)の利得は波長選択フィルタの透過波長帯域におい
てのみ存在し、キャビティの発振波長が固定され、安定
する。 2.キャビティの発振波長が固定し、励起光強度が安定
するため、ラマン利得も安定し、前方励起にも使用可能
となる。 3.略矩形(広い波長帯域)の透過率スぺクトルを有す
る波長選択フィルタを使用する場合には、発振スぺクト
ルのエンべロープに出力光の縦モードが複数本含まれ
る。このため全発振光出力がこれら複数の縦モードによ
って分担されることとなり、縦モード1本当たりの光強
度が小さくなる。従って、SBSが低減され、ノイズの
増加を防止することができる。 4.発振スぺクトルのエンべロ―プに半導体レーザ素子
の縦モードが複数本含まれるため、発振レーザ光のコヒ
ーレント長が短くなる。このため従来の励起光源に比べ
てデボラライズに要するPMFの長さを短くすることが
可能となる。5.光出射側の光帰還部の反射率を下げる
ことが可能なため、光ファイバから得られる励起光強度
を高くすることができる。 6.光ファイバの入射端面7を光帰還部とした場合に
は、光ファイバの入射端面7よりも遠方にファイバグレ
ーテイング(キャビティの一つの反射端面)が配置され
ていた従来の励起光源に比べて、キャビティ端面間の距
離が短くなり、キャビティが小型化され、ノイズが少な
くなる。 7.波長選択フィルタ6の傾き角度を調整することによ
り、発振波長をある程度調整することができる。 8.光アイソレータを使用した場合、反射戻り光が殆ど
なく、レーザの動作が安定する。 9.波長選択フィルタをサーモモジュールにより温度調
整すれば、波長選択フィルタの特性が安定する。
うな効果がある。 1.波長選択フィルタを使用するため、共振器(キャビ
ティ)の利得は波長選択フィルタの透過波長帯域におい
てのみ存在し、キャビティの発振波長が固定され、安定
する。 2.キャビティの発振波長が固定し、励起光強度が安定
するため、ラマン利得も安定し、前方励起にも使用可能
となる。 3.略矩形(広い波長帯域)の透過率スぺクトルを有す
る波長選択フィルタを使用する場合には、発振スぺクト
ルのエンべロープに出力光の縦モードが複数本含まれ
る。このため全発振光出力がこれら複数の縦モードによ
って分担されることとなり、縦モード1本当たりの光強
度が小さくなる。従って、SBSが低減され、ノイズの
増加を防止することができる。 4.発振スぺクトルのエンべロ―プに半導体レーザ素子
の縦モードが複数本含まれるため、発振レーザ光のコヒ
ーレント長が短くなる。このため従来の励起光源に比べ
てデボラライズに要するPMFの長さを短くすることが
可能となる。5.光出射側の光帰還部の反射率を下げる
ことが可能なため、光ファイバから得られる励起光強度
を高くすることができる。 6.光ファイバの入射端面7を光帰還部とした場合に
は、光ファイバの入射端面7よりも遠方にファイバグレ
ーテイング(キャビティの一つの反射端面)が配置され
ていた従来の励起光源に比べて、キャビティ端面間の距
離が短くなり、キャビティが小型化され、ノイズが少な
くなる。 7.波長選択フィルタ6の傾き角度を調整することによ
り、発振波長をある程度調整することができる。 8.光アイソレータを使用した場合、反射戻り光が殆ど
なく、レーザの動作が安定する。 9.波長選択フィルタをサーモモジュールにより温度調
整すれば、波長選択フィルタの特性が安定する。
【図1】本発明の半導体レーザモジュールの第1の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図2】本発明の半導体レーザモジュールの第2の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図3】本発明の半導体レーザモジュールの第3の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図4】本発明の半導体レーザモジュールの第4の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図5】本発明の半導体レーザモジュールの第5の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図6】本発明の半導体レーザモジュールの第6の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図7】本発明の半導体レーザモジュールの第7の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図8】本発明の半導体レーザモジュールの第8の実施
形態の説明図。
形態の説明図。
【図9】本発明のラマン増幅器の第1の実施形態の説明
図。
図。
【図10】本発明のラマン増幅器の第2の実施形態の説
明図。
明図。
【図11】本実施形態例における波長選択フィルタ膜の
透過スペクトル(縦軸=透過率、横軸=励起光の波長)
の一例を示す図であって、(a)は半値全幅2nm、
(b)は半値全幅3nmのものを示す。
透過スペクトル(縦軸=透過率、横軸=励起光の波長)
の一例を示す図であって、(a)は半値全幅2nm、
(b)は半値全幅3nmのものを示す。
【図12】従来の半導体レーザモジュールの説明図。
【図13】図12の半導体レーザモジュールから出力さ
れる光のスペクトル(縦軸=光出力、横軸=励起光の波
長)の一例を示す図。
れる光のスペクトル(縦軸=光出力、横軸=励起光の波
長)の一例を示す図。
1は半導体レーザ素子 2は光ファイバ 3は第1レンズ(平行化レンズ) 4は第2レンズ(集光レンズ) 5はキャビティ 6は波長選択フィルタ(BPF) 7は光ファイバの入射端面 8は半導体レーザ素子の後端面 10は半導体レーザ素子の前端面 12は光アイソレータ 13はコーナーキューブ 15は第3レンズ 16は第4レンズ 21,26,32は反射膜 22,23,24,30は低反射膜 10は半導体レーザ素子の後端面 11は半導体レーザ素子の後端面の反射防止膜 12はアイソレータ 13はレンズドファイバの後端面 15はペルチェ素子 16はべース 20はパッケージ 21は取付け治具 22はフェルール 100,111はラマン増幅器 101はレーザユニット 102,109はWDMカプラ 103,106は光ファイバ 104は光アイソレータ 105は半導体レーザモジュール 107はデポラライザ 108は制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 3/30 H01S 5/06 5/06 3/094 S (72)発明者 愛清 武 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 清水 健男 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA03 CA00 CA09 CA21 CA37 2H041 AA21 AB10 AB14 AB16 AZ05 2K002 AA02 AB30 BA01 CA15 DA10 HA24 5F072 AB20 AK06 KK30 PP07 QQ07 5F073 AA67 AA83 AB21 AB25 AB27 AB28 AB30 BA09 EA03 FA25
Claims (17)
- 【請求項1】半導体レーザ素子(1)と、少なくとも1
つの光帰還手段を含んで形成されるキャビティ(5)
と、該キャビティ(5)の前方側に位置する光ファイバ
(2)とを有する半導体レーザモジュールにおいて、キ
ャビティ(5)内に所定範囲の波長の光が透過する波長
選択フィルタ(6)を配置したことを特徴とする半導体
レーザモジュール。 - 【請求項2】波長選択フィルタ(6)が略矩形の透過率
スペクトルを有することを特徴とする請求項1記載の半
導体レーザモジュール。 - 【請求項3】波長選択フィルタ(6)が所望の波長を透
過する誘電体多層膜を有することを特徴とする請求項1
又は請求項2記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項4】波長選択フィルタ(6)が光軸に対して斜
めに配置されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3
のいずれかに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項5】半導体レーザ素子(1)から出射された光
を光ファイバ(2)に結合させる平行化レンズ(3)と
集光レンズ(4)とを有し、波長選択フィルタ(6)
が、平行化レンズ(3)と集光レンズ(4)との間に配
置されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいず
れかに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項6】キャビティ(5)の光ファイバ(2)側に
設けられた光帰還部の反射率が5%以下であることを特
徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導
体レーザモジュール。 - 【請求項7】波長選択フィルタ(6)がサーモモジュー
ル上で温度調節されることを特徴とする請求項1乃至請
求項6のいずれかに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項8】波長選択フィルタ(6)が、回転により透
過波長をチューニングすることができるものであること
を特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の
半導体レーザモジュール。 - 【請求項9】少なくとも1つの光帰還手段は、半導体レ
ーザ素子(1)の前端面もしくは後端面に形成された反
射膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項8のい
ずれかに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項10】少なくとも1つの光帰還手段は、光ファ
イバ(2)の入射端面(7)の露出面、もしくは該入射
端面(7)に形成された反射膜(30)であることを特
徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の半導
体レーザモジュール。 - 【請求項11】少なくとも1つの光帰還手段は、反射体
(9)であることを特徴とする請求項1乃至請求項10
のいずれかに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項12】少なくとも1つの光帰還手段は、コーナ
ーキューブ(11)であることを特徴とする請求項1乃
至10のいずれかに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項13】キャビティ(5)と光ファイバ(2)の
入射端面との間に光アイソレータ(12)が配置されて
いることを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれ
かに記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項14】波長選択フィルタ(6)がレンズドファ
イバ(31)に挿入されていることを特徴とする請求項
1乃至請求項13のいずれかに記載の半導体レーザモジ
ュール。 - 【請求項15】レーザ光の偏光度を低減するデポラライ
ザ(107)が配置されていることを特徴とする請求項
1乃至請求項14のいずれかに記載の半導体レーザモジ
ュール。 - 【請求項16】請求項1乃至請求項15のいずれかに記
載の半導体レーザモジュールを複数備えるとともに、該
複数の半導体レーザモジュールから出射される光を偏波
合成する偏波合成器(112)を備えたことを特徴とす
るレーザユニット。 - 【請求項17】励起光源として、請求項1乃至請求項1
5のいずれかに記載の半導体レーザモジュールもしくは
請求項16に記載のレーザユニットを備えたことを特徴
とするラマン増幅器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000336321A JP2002141609A (ja) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | 半導体レーザモジュール、レーザユニット、およびラマン増幅器 |
US09/985,006 US20020080833A1 (en) | 2000-11-02 | 2001-11-01 | Semiconductive laser module, laser unit, and Raman amplifier |
CA002360965A CA2360965A1 (en) | 2000-11-02 | 2001-11-01 | Semiconductive laser module, laser unit, and raman amplifier |
EP01309303A EP1209783A3 (en) | 2000-11-02 | 2001-11-01 | Semiconductive laser module, laser unit, and raman amplifier |
CN01134561A CN1357951A (zh) | 2000-11-02 | 2001-11-02 | 半导体激光模块、激光单元和拉曼放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000336321A JP2002141609A (ja) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | 半導体レーザモジュール、レーザユニット、およびラマン増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002141609A true JP2002141609A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18811916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000336321A Pending JP2002141609A (ja) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | 半導体レーザモジュール、レーザユニット、およびラマン増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020080833A1 (ja) |
EP (1) | EP1209783A3 (ja) |
JP (1) | JP2002141609A (ja) |
CN (1) | CN1357951A (ja) |
CA (1) | CA2360965A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147833A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
JP2009182158A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Shimadzu Corp | 波長変換レーザ装置 |
JP2010252334A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Ofs Fitel Llc | 両方向光通信ネットワークで分布ラマン増幅および遠隔ポンピングを使用する方法および装置 |
US7995626B2 (en) * | 2005-12-07 | 2011-08-09 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Athermal external cavity laser |
KR101186491B1 (ko) | 2003-09-30 | 2012-09-27 | 사이머 인코포레이티드 | 가스 방전 mopa 레이저의 스펙트럼 분석 모듈 |
KR101361175B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2014-02-10 | (주)에이앤아이 | 컬리메이터 렌즈 및 집광렌즈를 구비한 색차계모듈 및 이를 이용한 색상계측기 |
JP2019029428A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
JP2020177985A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 日亜化学工業株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ |
US11936162B2 (en) | 2020-07-15 | 2024-03-19 | Yokogawa Electric Corporation | Light source device and optical pulse tester |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4646166B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2011-03-09 | 古河電気工業株式会社 | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
JP2002280659A (ja) | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
US6924926B2 (en) * | 2001-08-03 | 2005-08-02 | Xtera Communications, Inc. | Laser diode pump sources |
US6950452B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-09-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method for simultaneously reducing relative intensity noise (RIN) and stimulated brillouin scattering (SBS) |
JP2003124566A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ制御モジュール及び光システム |
US6920158B2 (en) * | 2001-12-25 | 2005-07-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
US7052733B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-05-30 | Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. | Method for making thin film filter having a negative temperature drift coefficient |
US7035484B2 (en) * | 2002-04-12 | 2006-04-25 | Xtellus, Inc. | Tunable optical filter |
SE524828C2 (sv) * | 2002-06-06 | 2004-10-12 | Alfa Exx Ab | Resonator |
US20070127539A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-06-07 | New Focus, Inc. | Narrow band laser with wavelength stability |
IL174669A (en) * | 2006-03-30 | 2011-10-31 | Eci Telecom Ltd | Method for regulating osnr in a given fiber optic transmission line |
US8498507B2 (en) * | 2011-05-13 | 2013-07-30 | Kestrel Labs, Inc. | Anti-reflective launch optics for laser to fiber coupling in a photoplethysmograpic device |
KR20130093704A (ko) * | 2011-12-23 | 2013-08-23 | 한국전자통신연구원 | 사용자 선택형 레이저 및 이를 포함하는 광 송신기 |
WO2014000311A1 (zh) * | 2012-06-30 | 2014-01-03 | 华为技术有限公司 | 一种外腔激光器 |
TWI485349B (zh) * | 2012-07-18 | 2015-05-21 | Lextar Electronics Corp | 發光裝置 |
CN103779784B (zh) * | 2014-02-24 | 2016-08-17 | 南京派光信息技术有限公司 | 一种用于拉曼光谱测量的半导体激光器 |
CN104682188B (zh) * | 2015-03-31 | 2017-10-31 | 吕志伟 | 基于受激布里渊散射的模块化非共线串行组束激光器 |
CN105005335B (zh) * | 2015-07-06 | 2017-07-28 | 广东石油化工学院 | 一种喇曼光纤放大器的温度控制装置 |
JP7019283B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2022-02-15 | 古河電気工業株式会社 | 波長可変型レーザモジュールおよびその波長制御方法 |
DE102016107336B4 (de) * | 2016-04-20 | 2017-11-02 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Koordinatenmessgerät, Verfahren zur Herstellung eines Koordinatenmessgeräts und Verfahren zur Messung eines optischen Filters |
JP6880566B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2021-06-02 | 株式会社リコー | 光源装置、画像形成装置、画像表示装置、物体装置及び色光生成方法 |
JP6981370B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2021-12-15 | 日本電信電話株式会社 | 受光装置およびその製造方法 |
EP3925727A4 (en) * | 2019-02-13 | 2022-11-23 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes of Natural Sciences | LASER TREATMENT DEVICE AND LASER TREATMENT METHOD |
US11499817B2 (en) * | 2020-05-29 | 2022-11-15 | Mitutoyo Corporation | Coordinate measuring machine with vision probe for performing points-from-focus type measurement operations |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0621549A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Koshin Kogaku:Kk | 波長可変半導体レーザー及び外部共振ユニット |
JPH06326382A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Koshin Kogaku:Kk | 外部共振半導体レーザー |
JPH1117286A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Ando Electric Co Ltd | 波長可変レーザ装置 |
JPH1140883A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Ando Electric Co Ltd | 可変波長半導体レーザ光源 |
JPH1168233A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Ando Electric Co Ltd | 可変波長レーザ光源 |
JPH11186642A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Nec Corp | 光増幅器 |
JPH11307864A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Ando Electric Co Ltd | 外部共振器型波長可変光源 |
JP2000174381A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
FR2786937B1 (fr) * | 1998-12-04 | 2001-02-16 | Photonetics | Source multi-longueur d'onde |
JP2000208869A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子モジュ―ル |
-
2000
- 2000-11-02 JP JP2000336321A patent/JP2002141609A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-01 US US09/985,006 patent/US20020080833A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-01 CA CA002360965A patent/CA2360965A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-01 EP EP01309303A patent/EP1209783A3/en not_active Withdrawn
- 2001-11-02 CN CN01134561A patent/CN1357951A/zh active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101186491B1 (ko) | 2003-09-30 | 2012-09-27 | 사이머 인코포레이티드 | 가스 방전 mopa 레이저의 스펙트럼 분석 모듈 |
JP2006147833A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
JP4715171B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-07-06 | 旭硝子株式会社 | 半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
US7995626B2 (en) * | 2005-12-07 | 2011-08-09 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Athermal external cavity laser |
JP2009182158A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Shimadzu Corp | 波長変換レーザ装置 |
JP2010252334A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Ofs Fitel Llc | 両方向光通信ネットワークで分布ラマン増幅および遠隔ポンピングを使用する方法および装置 |
KR101361175B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2014-02-10 | (주)에이앤아이 | 컬리메이터 렌즈 및 집광렌즈를 구비한 색차계모듈 및 이를 이용한 색상계측기 |
JP2019029428A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
JP7086537B2 (ja) | 2017-07-27 | 2022-06-20 | 京セラSoc株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
JP2020177985A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 日亜化学工業株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ |
JP7364850B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-10-19 | 日亜化学工業株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ |
US11936162B2 (en) | 2020-07-15 | 2024-03-19 | Yokogawa Electric Corporation | Light source device and optical pulse tester |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1357951A (zh) | 2002-07-10 |
EP1209783A2 (en) | 2002-05-29 |
US20020080833A1 (en) | 2002-06-27 |
EP1209783A3 (en) | 2004-06-30 |
CA2360965A1 (en) | 2002-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002141609A (ja) | 半導体レーザモジュール、レーザユニット、およびラマン増幅器 | |
US6041072A (en) | Apparatus for stabilizing multiple laser sources and their application | |
US6525872B1 (en) | Fiber grating-stabilized, semiconductor pump source | |
JP2002141608A (ja) | 半導体レーザモジュールとそれを用いたラマン増幅器 | |
WO2001082426A2 (en) | Depolarized semiconductor laser sources | |
US6614823B2 (en) | Semiconductor laser device having a diffraction grating on a light reflection side | |
US6947463B2 (en) | Semiconductor laser device for use in a laser module | |
JP4063908B2 (ja) | 光源装置、光増幅器及び光通信システム | |
US7394837B2 (en) | Traveling-wave linear cavity laser | |
JP4629852B2 (ja) | 半導体レーザモジュールとそれを用いた光増幅器 | |
JP4712178B2 (ja) | 半導体レーザモジュール、レーザユニット、ラマン増幅器、及びラマン増幅器に用いられる光半導体レーザモジュールのブリリュアン散乱抑制および偏光度低減方法 | |
JP4234353B2 (ja) | 半導体レーザモジュールおよびこれを用いた光ファイバ増幅器 | |
JP4809554B2 (ja) | 半導体レーザモジュール及びこれを用いたラマン増幅器 | |
JP3273911B2 (ja) | 光ファイバ増幅器、励起用半導体レーザモジュールおよび光信号伝送システム | |
US20020176466A1 (en) | Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and raman amplifier using the device or module | |
JP2003174229A (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器 | |
JP3752171B2 (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器 | |
KR100234202B1 (ko) | 광섬유증폭을 위한 고전력 펌핑장치 | |
JP2003031900A (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器 | |
EP1255336A2 (en) | Semiconductor laser device having a diffraction grating on a light emission side | |
EP1255335A2 (en) | Semiconductor laser device having a diffraction grating on a light reflection side | |
JP2004119653A (ja) | 広帯域ase光源 | |
JP2003347652A (ja) | 半導体レーザモジュールおよびこれを用いた光ファイバ増幅器 | |
JP2002324932A (ja) | 広帯域ase光源 | |
JP2004014537A (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いた光ファイバ増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040823 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050330 |