JP2002129379A - Method for plating electronic component - Google Patents
Method for plating electronic componentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばチップサー
ミスタ，チップコンデンサ等の小型電子部品のめっき方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for plating small electronic components such as chip thermistors and chip capacitors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、チップサーミスタ，チップコン
デンサ等のセラミック素子に電極を形成する方法とし
て、図５に示すような振動めっき装置を用いる場合があ
る（例えば、特許第２７４５８９２号公報参照）。この
振動めっき装置５０は、偏心モータ５１とバネ５２とか
らなる振動発生源をバスケット５３の支持部５４に取り
付けるとともに、該バスケット５３の底壁５３ａにめっ
き用陰極５５を配置するとともに、めっき液抜き用のメ
ッシュキャップ（不図示）を配置した構造のものであ
り、上記バスケット５３には上向きに開口する投入口５
３ｂが形成されている。2. Description of the Related Art For example, as a method of forming an electrode on a ceramic element such as a chip thermistor or a chip capacitor, a vibration plating apparatus as shown in FIG. 5 may be used (for example, see Japanese Patent No. 2745892). This vibration plating apparatus 50 attaches a vibration source composed of an eccentric motor 51 and a spring 52 to a support portion 54 of a basket 53, arranges a plating cathode 55 on a bottom wall 53a of the basket 53, and removes a plating solution. The basket 53 has a structure in which a mesh cap (not shown) is arranged.
3b is formed.
【０００３】そして、上記バスケット５３内に投入口５
３ｂから多数のセラミック素子６０と通電媒介物として
の金属球メディア６１とを収容し、該バスケット５３を
めっき液槽５７の上方からめっき液中に浸漬し、この状
態で上記振動発生源によりバケット５３に振動を付与す
るとともに陰極５５に通電し、これによりセラミック素
子６０に電極めっき膜を被覆する。[0003] Then, the charging port 5 is placed in the basket 53.
3b, a large number of ceramic elements 60 and a metal ball medium 61 serving as an energizing medium are accommodated, and the basket 53 is immersed in the plating solution from above the plating solution tank 57. And the cathode 55 is energized, thereby covering the ceramic element 60 with the electrode plating film.
【０００４】ところで、近年の電子部品では小型化，薄
型化が進んでおり、例えば、外径寸法が０．６ｍｍ×
０．３ｍｍ×０．３ｍｍからなるチップサーミスタ等の
小型セラミック素子を上述の方法にて振動めっき処理を
行なう場合がある。In recent years, electronic components have become smaller and thinner. For example, the outer diameter is 0.6 mm ×
In some cases, a small ceramic element such as a chip thermistor having a size of 0.3 mm × 0.3 mm is subjected to vibration plating by the above-described method.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記バスケ
ットを多数の小型セラミック素子，メディアとともにめ
っき液に浸け込む際に、セラミック素子やメディアがめ
っき液に弾かれて液面に浮いてしまい、バスケットから
飛び出してしまう場合があり、製品歩留りが悪化すると
いう問題がある。However, when the above basket is immersed in the plating solution together with a large number of small ceramic elements and media, the ceramic element and the medium are repelled by the plating solution and float on the liquid surface, so that the ceramic element and the medium float from the basket. There is a problem that it may jump out and the product yield is deteriorated.
【０００６】このような飛び出しは、セラミック素子が
最大寸法１．０ｍｍ以下のものになると顕著に発生し、
メディアの場合も直径が０．８ｍｍ以下のものになると
飛び出しが顕著となる。[0006] Such protrusions occur remarkably when the ceramic element has a maximum dimension of 1.0 mm or less.
In the case of a medium as well, if the diameter is 0.8 mm or less, the protrusion becomes prominent.
【０００７】ここで、めっきの前処理として、脱脂や洗
浄の目的から界面活性剤が入った洗浄液にて洗浄を行っ
た後、めっき液に浸漬する場合がある。この界面活性剤
はセラミック素子との濡れ性が良くしかも親水性である
ので、この界面活性剤を含む洗浄液でセラミック素子を
濡らした状態でめっき液に浸けた場合には、飛び出しを
防止することが可能である。Here, as a pretreatment for plating, there is a case where after cleaning with a cleaning solution containing a surfactant for the purpose of degreasing or cleaning, the substrate is immersed in a plating solution. Since this surfactant has good wettability with the ceramic element and is hydrophilic, when the ceramic element is immersed in the plating solution in a state where the ceramic element is wetted with the cleaning liquid containing the surfactant, it is possible to prevent protrusion. It is possible.
【０００８】しかしながら、このようにするとセラミッ
ク素子とともに界面活性剤がめっき液中に持ち込まれる
ことから、界面活性剤がめっき液に蓄積され、場合によ
ってはめっき液が劣化し、寿命が短くなるおそれがあ
る。このようなめっき液の劣化を回避するには、洗浄脱
脂処理とめっき処理との間に洗浄工程を設けて人手によ
る水洗いを行なう必要があり、多大な労力を要すること
となる。However, in this case, since the surfactant is carried into the plating solution together with the ceramic element, the surfactant is accumulated in the plating solution, and in some cases, the plating solution is deteriorated, and the life may be shortened. is there. In order to avoid such deterioration of the plating solution, it is necessary to provide a cleaning step between the cleaning and degreasing treatment and the plating treatment and perform manual water washing, which requires a great deal of labor.
【０００９】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、めっき液の劣化や人手による水洗いの問題を
生じることなく、めっき液に投入する際のセラミック素
子の飛び出しを防止して製品歩留りを向上できる電子部
品のめっき方法を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described conventional circumstances, and prevents a ceramic element from jumping out when being introduced into a plating solution without causing deterioration of the plating solution and problems of manual washing with water. It is an object of the present invention to provide a method for plating an electronic component that can improve the yield.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、上向きに開口
する投入口を有する容器内に被めっき物としての電子部
品素子を収容し、該容器をめっき液槽に浸漬し、この状
態で上記電子部品素子にめっき膜を被覆形成するように
した電子部品のめっき方法において、上記容器をめっき
液槽に浸漬する前工程として、上記電子部品素子との濡
れ性が良くかつ揮発性を有する親水性液体を用いて該電
子部品素子を濡らした後、上記容器をめっき液槽に浸漬
することを特徴としている。According to the present invention, an electronic component element as an object to be plated is accommodated in a container having an inlet opening upward, and the container is immersed in a plating solution tank. In a method for plating an electronic component, wherein a plating film is formed on the electronic component element, as a pre-step of immersing the container in a plating solution tank, a hydrophilic property having good wettability with the electronic component element and having volatility is provided. After wetting the electronic component element with a liquid, the container is immersed in a plating solution tank.
【００１１】上記親水性液体としては、メチルアルコー
ル，エチルアルコール，アセトン等のアルコール系の採
用が望ましく、これらにより電子部品素子との濡れ性を
向上でき、しかも揮発性が高いことから親水性液体がめ
っき液中に蓄積されるのを防止できる。As the above-mentioned hydrophilic liquid, it is desirable to use alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, acetone, etc., which can improve the wettability with the electronic component element and have high volatility. Accumulation in the plating solution can be prevented.
【００１２】[0012]
【発明の作用効果】本発明にかかる電子部品のめっき方
法によれば、電子部品素子との濡れ性が良くかつ揮発性
を有する親水性液体を用いて電子部品素子を濡らした
後、めっき液槽に浸漬するようにしたので、電子部品素
子が濡れた状態でめっき液中に浸けることから、電子部
品素子はめっき液に沈み込み、液面に浮き上がることは
なく、容器からの飛び出しを防止でき、製品歩留りを向
上できる。According to the method of plating an electronic component according to the present invention, after the electronic component has been wetted with a hydrophilic liquid having good wettability with the electronic component and having a volatile property, a plating solution tank is formed. Since the electronic component element is immersed in the plating solution in a wet state, the electronic component element does not sink into the plating solution and does not float on the liquid surface, and can be prevented from jumping out of the container, Product yield can be improved.
【００１３】また上記親水性液体は揮発性であるので、
めっき中もしくはめっき後にめっき液から揮発して蒸発
することから蓄積されることはなく、めっき液の劣化を
防止でき、寿命を延長できる。[0013] Further, since the hydrophilic liquid is volatile,
It does not accumulate because it evaporates and evaporates from the plating solution during or after plating, so that deterioration of the plating solution can be prevented and the life can be extended.
【００１４】さらに電子部品素子を親水性液体で濡らす
だけの簡単な作業で済み、労力を要する水洗いを行なう
場合に比べて作業性を向上できる。Further, a simple operation of only wetting the electronic component element with the hydrophilic liquid is required, and the workability can be improved as compared with the case where labor-intensive water washing is performed.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１６】図１ないし図４は、本発明の一実施形態に
よる電子部品のめっき方法を説明するための図であり、
図１，図２，図３はそれぞれ振動めっき装置の断面図，
平面図，斜視図、図４は電子部品の製造工程を示すブロ
ック工程図である。まず、本めっき方法に採用される振
動めっき装置について説明する。FIGS. 1 to 4 are views for explaining a method of plating an electronic component according to an embodiment of the present invention.
1, 2 and 3 are sectional views of a vibration plating apparatus,
FIG. 4 is a plan view, a perspective view, and FIG. 4 is a block process diagram showing a manufacturing process of the electronic component. First, the vibration plating apparatus used in the present plating method will be described.
【００１７】図において、１０は振動めっき装置を示し
ており、これは上方に開口する投入口１１ａを有する桶
状のバスケット１１の底壁１１ｂ中心部に上方に延びる
支持部１２を一体に接続形成し、該支持部１２の上端部
に振動発生源１３を搭載して構成されている。In the drawing, reference numeral 10 denotes a vibration plating apparatus, which integrally forms a supporting portion 12 extending upward at the center of a bottom wall 11b of a tub-like basket 11 having an input port 11a opening upward. The vibration source 13 is mounted on the upper end of the support portion 12.
【００１８】上記振動発生源１３は、外部ケース１４内
にモータ１５と複数本のコイルバネ１６，１６とを収納
してなるものであり、この外部ケース１４内には上記支
持部１２の上端部が挿入されている。この支持部１２の
上端面には振動受け板１７が固着されており、該振動受
け板１７の上面には複数本の支柱１８ａにより支持板１
８ｂを支持してなる支持枠部材１８が固定されている。The vibration source 13 includes a motor 15 and a plurality of coil springs 16 and 16 housed in an outer case 14, and the upper end of the support section 12 is provided in the outer case 14. Has been inserted. A vibration receiving plate 17 is fixed to the upper end surface of the support portion 12, and the support plate 1 is provided on the upper surface of the vibration receiving plate 17 by a plurality of columns 18 a.
8b is fixed.
【００１９】上記支持枠部材１８の支持板１８ｂに上記
モータ１５が取付けられており、このモータ１５の回転
軸１５ａには軸直角方向に延びる偏心荷重２０が付加さ
れている。また上記振動受け板１７の下面と外部ケース
１４の底板との間には上記コイルバネ１６が支持部１２
を囲むように架設されている。この外部ケース１４を固
定し、バスケット１１をフリーにした状態でモータ１５
が回転すると、振動エネルギーが振動受け板１７から支
持部１２を介してバスケット１１に伝達される。The motor 15 is mounted on a support plate 18b of the support frame member 18, and an eccentric load 20 extending in a direction perpendicular to the axis is applied to a rotating shaft 15a of the motor 15. The coil spring 16 is provided between the lower surface of the vibration receiving plate 17 and the bottom plate of the outer case 14 by the support portion 12.
It is erected so as to surround. With the outer case 14 fixed and the basket 11 free, the motor 15
Is rotated, the vibration energy is transmitted from the vibration receiving plate 17 to the basket 11 via the support portion 12.
【００２０】上記バスケット１１の側周壁１１ｃの上縁
部にはめっき液流入孔１１ｄが周方向に間隔をあけて形
成されている。バスケット１１をめっき液に浸漬してい
くとき上記めっき液流入孔１１ｄからめっき液がバスケ
ット１１内に徐々に流入するようになっている。即ち、
上記めっき液流入孔１１ｄがない場合には、めっき液が
投入口１１ａから一気に流入し、内部に収容されたセラ
ミック素子１等がバスケット１１外に流出してしまうお
それがあるが、本実施形態ではこの問題を回避できる。At the upper edge of the side peripheral wall 11c of the basket 11, plating solution inflow holes 11d are formed at intervals in the circumferential direction. When the basket 11 is immersed in the plating solution, the plating solution gradually flows into the basket 11 from the plating solution inflow hole 11d. That is,
If the plating solution inflow hole 11d is not provided, the plating solution may flow at once from the inlet 11a, and the ceramic element 1 and the like housed therein may flow out of the basket 11, but in this embodiment, This problem can be avoided.
【００２１】上記バスケット１１の底壁１１ｂには挿通
孔１１ｅが周方向に所定間隔をあけて形成されており、
各挿通孔１１ｅには２つのめっき液抜き用メッシュキャ
ップ２２と１つのめっき用陰極２３とが交互に位置する
ように配置されている。このめっき用陰極２３は９０度
ごとに配設され、各挿通孔１１ｅに挿入固定されてお
り、残りの挿通孔１１ｅが上記メッシュキャップ２２に
より覆われている。上記各めっき用陰極２３には給電線
２４が接続されており、この給電線２４は上記支持部１
２内を通って不図示の外部電源に接続されている。Insertion holes 11e are formed in the bottom wall 11b of the basket 11 at predetermined intervals in the circumferential direction.
In each insertion hole 11e, two plating solution draining mesh caps 22 and one plating cathode 23 are arranged alternately. The plating cathodes 23 are disposed every 90 degrees, are inserted and fixed in the respective insertion holes 11 e, and the remaining insertion holes 11 e are covered by the mesh cap 22. A power supply line 24 is connected to each of the plating cathodes 23, and the power supply line 24 is connected to the support 1.
2 and connected to an external power supply (not shown).
【００２２】上記バスケット１１内には多数のチップ型
セラミック素子１と通電媒介物としてのメディア２５と
が収容されている。このセラミック素子１の両端面には
Ａｇ等のペーストを焼き付けてなる電極膜が形成されて
いる。また上記メディア２５は導電性金属ボールからな
るものであり、セラミック素子１の最大寸法に対して略
同一ないし２倍程度の大きさのものである。In the basket 11, a large number of chip-type ceramic elements 1 and a medium 25 as an energizing medium are accommodated. On both end surfaces of the ceramic element 1, electrode films formed by baking a paste such as Ag are formed. The medium 25 is made of conductive metal balls, and has a size that is substantially the same or about twice the maximum size of the ceramic element 1.
【００２３】そして上記セラミック素子１及びメディア
２５は、めっき処理工程の前に予めメチルアルコールを
用いて濡れた状態となっており、これによりめっき液槽
２７に浸した際の浮き上がりによる飛び出しが防止され
ている。The ceramic element 1 and the medium 25 are wetted with methyl alcohol in advance before the plating step, so that they are prevented from jumping out of the plating solution tank 27 due to lifting. ing.
【００２４】次に上記振動めっき装置１０を用いたセラ
ミック電子部品の一製造方法を図４のブロック工程図に
沿って説明する。Next, a method of manufacturing a ceramic electronic component using the vibration plating apparatus 10 will be described with reference to the block diagram of FIG.
【００２５】セラミックシートを高温焼成することによ
りセラミック素子を形成し（第１工程Ｓ１）、このセラ
ミック素子にＡｇとガラスフリットからなるペーストを
塗布し、これを焼き付けることにより第１電極膜を形成
する（第２工程Ｓ２）。A ceramic element is formed by firing a ceramic sheet at a high temperature (first step S1), a paste made of Ag and glass frit is applied to the ceramic element, and the paste is baked to form a first electrode film. (2nd process S2).
【００２６】第１電極膜が形成されたセラミック素子１
と、メディア２５とをバスケット１１内に投入口１１ａ
から投入する。このバスケット１１をセラミック素子１
及びメディア２５とともにメチルアルコールに浸け、セ
ラミック素子１，メディア２５の表面を濡らす（第３工
程Ｓ３）。Ceramic element 1 on which first electrode film is formed
And the media 25 into the basket 11
To start from. This basket 11 is connected to the ceramic element 1
Then, it is immersed in methyl alcohol together with the medium 25 to wet the surfaces of the ceramic element 1 and the medium 25 (third step S3).
【００２７】この状態で、上記バスケット１１をニッケ
ルめっき液Ａが充填されためっき液槽２７内に浸漬す
る。この場合、セラミック素子１及びメディア２５の表
面はメチルアルコールにより濡れており、めっき液Ａの
液面に浮き上がることなくめっき液Ａ中に沈み込むこと
となる。またこのメチルアルコールはめっき液Ａから外
部に揮発して蒸発することから、めっき液内に残留する
ことはない。In this state, the basket 11 is immersed in the plating solution tank 27 filled with the nickel plating solution A. In this case, the surfaces of the ceramic element 1 and the medium 25 are wet with methyl alcohol, and sink into the plating solution A without rising to the surface of the plating solution A. Further, since the methyl alcohol volatilizes to the outside from the plating solution A and evaporates, it does not remain in the plating solution.
【００２８】この状態でバスケット１１を２０〜８０Ｈ
ｚの振動周波数でもって振動させるとともに、バスケッ
ト１１の各陰極２３及びめっき液槽２７内に挿入された
陽極２６に通電する。するとバスケット１１が水平方向
に旋回しつつ垂直方向に揺動し、これに伴ってセラミッ
ク素子１，メディア２５がバスケット１１の中心部から
周壁に向かって半径方向に流動しつつ攪拌される。これ
により第１電極膜の外表面にニッケルめっきからなる第
２電極膜が被覆形成される（第４工程Ｓ４）。この場
合、セラミック素子１とメディア２５の振動，攪拌によ
って互いが衝突し、第１，第２電極膜の凹凸が均され、
平滑な電極膜が形成される。この後、バスケット１１を
めっき液槽２７から引上げ、ニッケルめっき液Ａを各メ
ッシュキャップ２２を通して挿通孔１１ｅから排出す
る。次いでセラミック素子１，メディア２５を水洗いす
る（第５工程Ｓ５）。この水洗いは複数回行なう場合も
ある。In this state, the basket 11 is moved for 20 to 80 hours.
Vibration is performed at a vibration frequency of z, and electricity is supplied to each cathode 23 of the basket 11 and the anode 26 inserted in the plating solution tank 27. Then, the basket 11 pivots in the horizontal direction and swings in the vertical direction. Accordingly, the ceramic element 1 and the medium 25 are stirred while flowing in the radial direction from the center of the basket 11 toward the peripheral wall. Thus, the second electrode film made of nickel plating is formed on the outer surface of the first electrode film by coating (fourth step S4). In this case, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other due to vibration and agitation, and the unevenness of the first and second electrode films is leveled.
A smooth electrode film is formed. Thereafter, the basket 11 is pulled up from the plating solution tank 27, and the nickel plating solution A is discharged from each of the mesh caps 22 through the insertion hole 11e. Next, the ceramic element 1 and the medium 25 are washed with water (fifth step S5). This washing may be performed a plurality of times.
【００２９】次に、上記バスケット１１をすずめっき液
が充填されためっき液槽（不図示）内に浸漬し、上記第
４工程Ｓ４と同様に２０〜８０Ｈｚの振動周波数でもっ
て振動させるとともに陽極，陰極に通電し、第２電極膜
の外表面にすずめっきからなる第３電極膜を被覆形成す
る（第６工程Ｓ６）。この場合、セラミック素子１とメ
ディア２５の振動，攪拌によって互いが衝突し、第２，
第３電極膜の凹凸が均され、平滑な電極膜が形成され
る。この後、水洗いを行なう（第７工程Ｓ７）。Next, the basket 11 is immersed in a plating solution tank (not shown) filled with a tin plating solution, and vibrated at a vibration frequency of 20 to 80 Hz as in the fourth step S4. The cathode is energized to cover and form a third electrode film made of tin plating on the outer surface of the second electrode film (sixth step S6). In this case, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other due to vibration and stirring, and
The unevenness of the third electrode film is leveled, and a smooth electrode film is formed. Thereafter, washing with water is performed (seventh step S7).
【００３０】上記バスケット１１をセラミック素子１及
びメディア２５とともに水中に浸け、この状態でバスケ
ット１１に２０Ｈｚ以上の振動周波数からなる振動を付
与することにより、セラミック素子１を振動攪拌させる
（第８工程Ｓ８）。これによりセラミック素子１とメデ
ィア２５とがぶつかり合って電極表面の凹凸がさらに均
され、平滑で光沢のある第３電極膜が形成される。この
ようにして電子部品が形成される。The basket 11 is immersed in water together with the ceramic element 1 and the medium 25, and a vibration having a vibration frequency of 20 Hz or more is applied to the basket 11 in this state, whereby the ceramic element 1 is vibrated and agitated (eighth step S8). ). As a result, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other and the unevenness of the electrode surface is further leveled, and a smooth and glossy third electrode film is formed. Thus, an electronic component is formed.
【００３１】このようにして形成された電子部品をメデ
ィア２５とともにバスケット１１から取り出し、乾燥炉
にて乾燥させる（第９工程Ｓ９）。次に電子部品，メデ
ィア２５を分離機により分離し、それぞれ別個に回収す
る（第１０工程Ｓ１０）。この後、電子部品をテーピン
グ等により梱包することによって製品となる（第１１工
程Ｓ１１）。The electronic component thus formed is taken out of the basket 11 together with the medium 25 and dried in a drying oven (ninth step S9). Next, the electronic component and the medium 25 are separated by a separator and collected separately (tenth step S10). Thereafter, the electronic component is packaged by taping or the like to obtain a product (eleventh process S11).
【００３２】本実施形態によれば、めっき処理工程Ｓ４
前に、セラミック素子１とメディア２５とをメチルアル
コールに浸けて濡らし、この状態でめっき液槽２７に投
入したので、セラミック素子１，メディア２５がめっき
液Ａの液面に浮き上がることはなく、めっき液Ａ中に沈
み込むこととなり、バスケット１１からの飛び出しを防
止でき、これにより製品歩留りを向上できる。According to the present embodiment, the plating step S4
Before, the ceramic element 1 and the medium 25 were immersed in methyl alcohol and wetted, and put in the plating solution tank 27 in this state, so that the ceramic element 1 and the medium 25 did not float on the level of the plating solution A, and It sinks into the liquid A, so that it can be prevented from jumping out of the basket 11, thereby improving the product yield.
【００３３】特に、近年の小型電子部品では、セラミッ
ク素子の外径寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍ
ｍ、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍと小さく、さ
らには外径寸法が０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ
からなるものも開発されており、このような小型素子を
めっき液に投入する際に有効である。In particular, in recent small electronic components, the outer diameter of the ceramic element is 1.0 mm × 0.5 mm × 0.5 m
m, as small as 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm, and the outer diameter is 0.4 mm x 0.2 mm x 0.2 mm
Has also been developed and is effective when such a small element is introduced into a plating solution.
【００３４】また上記メチルアルコールは揮発性が高
く、めっき中もしくはめっき後にめっき液Ａから外部に
揮発して蒸発することから、めっき液に蓄積されること
はなく、めっき液の劣化を防止でき、寿命を延長でき
る。The above-mentioned methyl alcohol has a high volatility and volatilizes from the plating solution A to the outside during or after plating and evaporates. Therefore, the methyl alcohol does not accumulate in the plating solution and can prevent deterioration of the plating solution. Life can be extended.
【００３５】さらにセラミック素子１，メディア２５を
メチルアルコールを用いて濡らすだけの簡単な作業で済
み、労力を要する水洗いを行なう場合に比べて作業性を
向上できる。Further, the ceramic element 1 and the medium 25 need only be simply wetted with methyl alcohol, and the workability can be improved as compared with a case where labor-intensive water washing is performed.
【００３６】なお、上記実施形態では、メチルアルコー
ル処理に続いてめっき処理を行なう場合を説明したが、
本発明はメチルアルコール処理とめっき処理との間に水
洗いによる洗浄処理を加えてもよく、この場合にもセラ
ミック素子やメディアがバスケットから飛び出すのを防
止できる。In the above embodiment, the case where the plating treatment is performed after the methyl alcohol treatment has been described.
In the present invention, a washing treatment by water washing may be added between the methyl alcohol treatment and the plating treatment, and in this case also, the ceramic element and the media can be prevented from jumping out of the basket.
【００３７】また上記実施形態では、振動めっき装置を
用いためっき方法を例に説明したが、本発明のめっき方
法は勿論これに限られるものではなく、要は上向きに開
口するバスケット内に電子部品素子を投入し、これをめ
っき液槽に浸け込むようにしためっき方法であれば何れ
にも適用可能である。Further, in the above embodiment, the plating method using the vibration plating apparatus has been described as an example. However, the plating method of the present invention is not limited to this. Any plating method can be applied as long as the element is charged and the element is immersed in a plating solution tank.
【図１】本発明の一実施形態による電子部品のめっき方
法に採用された振動めっき装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a vibration plating apparatus employed in a method for plating an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図２】上記振動めっき装置のバスケットの平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of a basket of the vibration plating apparatus.
【図３】上記振動めっき装置の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the vibration plating apparatus.
【図４】上記電子部品の製造工程を示すブロック工程図
である。FIG. 4 is a block process diagram showing a manufacturing process of the electronic component.
【図５】従来の一般的な振動めっき装置の断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view of a conventional general vibration plating apparatus.
１ セラミック素子（電子部品素子） １１ バスケット（容器） １１ａ 投入口 ２７ めっき液槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic element (electronic component element) 11 Basket (container) 11a Input port 27 Plating bath
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 豊 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4K024 BB09 BC10 DA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yutaka Ikeda 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto F-term in Murata Manufacturing Co., Ltd. (reference) 4K024 BB09 BC10 DA10
Claims (1)
に被めっき物としての電子部品素子を収容し、該容器を
めっき液槽に浸漬し、この状態で上記電子部品素子にめ
っき膜を被覆形成するようにした電子部品のめっき方法
において、上記容器をめっき液槽に浸漬する前工程とし
て、上記電子部品素子との濡れ性が良くかつ揮発性を有
する親水性液体を用いて該電子部品素子を濡らした後、
上記容器をめっき液槽に浸漬することを特徴とする電子
部品のめっき方法。An electronic component element as an object to be plated is housed in a container having an upwardly open input port, and the container is immersed in a plating solution tank. In this state, the electronic component element is coated with a plating film. In the method of plating an electronic component formed as described above, as a pre-step of immersing the container in a plating solution tank, the electronic component element is wetted with the electronic component element using a hydrophilic liquid having good volatility. After wetting,
A method of plating an electronic component, comprising immersing the container in a plating solution tank.
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ID=18807075
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| JP (1) | JP2002129379A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008266714A (en) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Meltex Inc | Sedimentation improving agent for material to be plated, and barrel plating method using the sedimentation promoting agent |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000330582A patent/JP2002129379A/en not_active Withdrawn
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