JP2002122622A - 光電界センサ装置 - Google Patents
光電界センサ装置Info
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Abstract
電界測定が可能な光電界センサ装置を得る。 【解決手段】 アンテナ12と、半導体レーザ光源11
と、電界強度によって光強度を変調する光変調器13
と、変調光を電気信号に変換する光検出器15を備え、
さらに、前記光変調器13の温度をモニタする光温度計
14と、この光温度計14からの温度信号を用いて、電
界測定の感度係数を補正する感度補正演算部16とを備
えて構成された光電界センサ装置とする。
Description
測定を行う光電界センサ装置に係り、特に、EMC分野
における電界測定や放送用あるいは通信用電波の中継装
置に用いて好適な干渉型光導波路を有する高感度の光電
界センサ装置に係る。
利用して、電界測定を行う光電界センサは、以下のよう
な優れた特徴を持っている。
めに被測定電界を乱さないこと、(2)光ファイバで検
出信号を伝送するので途中で誘導や電気的雑音の影響を
受けないこと、(3)結晶の電気光学効果を利用するの
で、高速応答が可能であり、かつ、その検出信号をその
まま少ない損失で伝送できること、(4)センサ部に電
源を必要としないこと、さらには、(5)光導波路部と
アンテナ部を一体化でき、小型化が可能なことなどであ
る。
は、EMC分野などの電界測定や放送用あるいは通信用
電波の中継装置における電波受信装置として用いられて
いる。
ンサの構造を示す図である。光ファイバ71aを通して
入射した光は、LiNbO3単結晶基板75上の光導波
路76を経て、2本の分岐光導波路73aおよび73b
に分岐される。そのとき、金属電極72a、72bに
は、アンテナから導かれた電圧が印加され、分岐光導波
路73aと73bには、逆向きの電界が印加され、電気
光学効果により、屈折率の変化が生じている。
3bを導波して、光導波路77で合波される光は、位相
差に応じて、光強度が変調される。この変調光は、光フ
ァイバ71bに結合して出射する。
調器として用いる従来の光電界センサ装置を示す図であ
る。光源86から出射した一定強度の光は、偏波保持フ
ァイバ84を経て光変調器82に入射し、アンテナ81
から導かれた被測定電圧により、強度変調を受けた後、
シングルモードファイバ83を経て、受光器85に入射
して、電気信号に変換される。光源86と電界を測定し
ようとする点、即ち、光変調器62の設置点が、さほど
離れていないときは、このような構成が従来よく用いら
れていた。
部が温度変化の大きな環境で使用されると、電界測定値
の確度が低下するという問題があった。それは、電気光
学結晶の上に作製された光導波路の光路長が温度に依存
して変化するために、バイアス点がずれるということに
よっている。
変化に係わらず、確度の高い電界測定が可能な光電界セ
ンサ装置を提供することである。
度によって変動する原因を探るために、以下のような考
察を行った。
の出力光強度P0は、次式(1)で表される。
電圧、αは光変調器の挿入損失の項である。この様子を
図2に示す。f(V)は電極への印加電圧Vの関数とし
て、(1)式を表したものである。この曲線の谷から山
までの電圧差が半波長電圧V πである。なお、測定する
電圧は、半波長電圧Vπに比べて小さいので、入力電圧
として図の下部に示した。f(V)に従って変調された
出力光の強度を図の右側部分に示した。
路長の変化により、f(V)は横軸方向にずれる。その結
果、出力光強度Pは次式(2)で表される。
である。
依存して出力光強度が変化する様子を示す図である。曲
線aは温度変化がない場合を示し、曲線bは温度変化に
よりバイアス点がずれた場合を示し、さらに曲線cは温
度変化はないが、入射光強度が80%に減少した場合を
示している。
て小さいので、sinX=Xと近似する。さらに、Vは交
流電圧なので、簡略化して、V=V0 cos(2πf
t)、ただし、fは周波数、tは時間、と置くと、
(2)式は、以下の(3)式のように書き換えることが
できる。
2項が高周波成分(RF成分)である。被測定電圧V
0 cos(2πft)は、第2項に含まれる。上記の近似
の範囲内では、RF成分はバイアス点変動の影響を受け
ないと言える。それに対して、入射光強度Piの変動に
よる高周波成分の変動は無視できない。実際には、入射
光強度Piの変化は、光源の発光強度の変化と伝送路の
損失変動によって起こる。
Piを求めることを考える。もし、温度変化をモニタす
ることができれば、バイアス点のずれを表す量であるΔ
を求めることができる。そして、Δが分かれば、(3)
式の第1項であるDC成分から、入射光強度Piを求め
ることができる。このPiを用いて、(3)式の第2項
であるRF成分から、被測定電圧、V0 cos(2πf
t)を正しく求めることができる。
をモニタしながら、感度係数の補正を行う実験を行った
ところ、温度依存性の少ない、確度の高い電界測定が可
能となった。
電界の乱れがないことを特徴としているので、温度計と
しては、光によるセンサ部を有し、光ファイバで温度信
号を伝送する光温度計を使用するのが好適であった。
温度計と上記感度補正の演算部を備えて、以下のように
構成されている。
テナと、光源と、電界強度によって光強度を変調する光
変調器と、変調光を電気信号に変換する光検出器を備
え、さらに、前記光変調器の温度をモニタする温度計
と、この温度計からの温度信号を用いて、電界測定の感
度係数を補正する感度補正演算部とを備えた光電界セン
サ装置である。
分と高周波成分とに分けて出力する手段を備え、前記感
度補正部は、前記温度計からの温度信号を用いてバイア
ス点のずれを求める演算手段と、前記直流成分と前記バ
イアス点のずれから入射光強度を求める演算手段と、前
記入射光強度と前記高周波成分から、被測定電界の強度
を求める演算手段とする光電界センサ装置である。
分と高周波成分とに分けて出力する手段を備え、前記感
度補正部は、前記温度計からの温度信号を用いてバイア
ス点のずれを求める演算手段と、前記直流成分と前記バ
イアス点のずれから入射光強度を求める演算手段と、前
記入射光強度と前記バイアス点のずれと前記高周波成分
から、被測定電界の強度を求める演算手段とを備えた光
電界センサ装置である。
温度計を光ファイバで温度信号を伝送する手段を備えて
成る温度計とした光電界センサ装置である。
光調部を電気光学結晶に設けられた導波路型マッハツェ
ンダ干渉計とする光電界センサ装置である。
電気光学結晶をLiNbO3単結晶とする光電界センサ
装置である。
導波路型マッハツェンダ干渉計をLiNbO3結晶基板
にTiイオンを拡散して作製した光電界センサ装置であ
る。
の光電界センサ装置の発明の実施の形態を説明する。
と、光源と、電界強度によって光強度を変調する光変調
器と、変調光を電気信号に変換する光検出器を備え、さ
らに、前記光変調器の温度をモニタする温度計と、この
温度計からの温度信号を用いて、電界測定の感度係数を
補正する感度補正演算部とを備えた光電界センサ装置と
するものである。
1の実施の形態に係る光電界センサ装置の構成を説明す
るブロック図である。11は半導体レーザ(LD)光
源、12はアンテナ、13は光変調器、14は光変調器
13の温度をモニタする光温度計、15は変調光を電気
信号に変換し、直流成分と高周波成分に分けて出力する
光検出器、16は光温度計14からの温度信号と、直流
成分と高周波成分から、感度係数を補正して、電界信号
を出力する感度補正演算部である。
て説明した図7のLiNbO3光変調器と同じである。
LiNbO3単結晶基板上にTiイオンを熱拡散させ
て、マッハツェンダ型光導波路を形成し、分岐導波路に
は被測定電界を印加する金属電極膜が形成されている。
サ装置において用いた光温度計14の構成を示す図であ
る。図4において、半導体レーザ光源を出射した光は、
光サーキュレータを経て、光ファイバによって測定点ま
で伝送され、測定点である光変調器部分に設置された光
ルミネッセンス素子に入射する。この光で励起された、
2種類の発光スペクトルを持つルミネッセンス光は、光
ファイバを逆行し、光サーキュレタを経て、スペクトル
比較演算部に導かれる。このとき、一方の発光スペクト
ルは、温度にほとんど依存しない発光強度を持ち、もう
一方の発光スペクトルは温度に大きく依存して強度変化
する。従って、両者の比をとることによって、温度を測
定することができる。
く説明する。
補正の流れを示す図である。図1の光温度計14からの
温度信号によって、バイアス点のずれ量、即ち、(2)
式に示したΔを求める。Δは光導波路の屈折率が温度に
よって変化することによって生じるので、その温度依存
性は、半波長電圧Vπと同様に、LiNbO3光変調器
の導波路の設計によって定まっている。
から出力されたDC成分と合わせて、(3)式の第1項
で表した式による演算を行い、入射光強度Piと挿入損
失αの積を定める。このとき、(3)式では入射光強度
Piと挿入損失αは積として用いられるので、高周波成
分測定のために分離する必要は無い。
射光強度Piに(3)式の第2項による演算を加え、測
定する電界強度を決定する。
えた電界強度の測定ができた。また、光温度計には、光
ファイバで温度信号を伝送するタイプのものを用いたの
で、測定電界を乱さないという光電界センサの特徴を維
持することができた。特に、測定点の経時的な温度変動
による測定確度の低下を防ぐことができた。
の実施の形態における光電界センサ装置について説明す
る。本実施の形態において、第1の実施の形態と異なる
部分は、感度補正演算部のみであるので、この部分に説
明を絞る。
補正の流れを示す図である。光温度計14からの温度信
号によって、バイアス点のずれを定める。得られたバイ
アス点のずれと光検出器15から出力された直流成分に
演算を加え、入射光強度を定める。
出力光強度の温度依存性の説明を行ったときには、高周
波成分には、温度変動によるバイアス点のずれが影響を
及ぼさなかった。しかし、それは、sinX=Xと近似
したからである。実際には、バイアス点のずれによっ
て、特に、入力電圧が大きくなったときには、高周波成
分は無視できない影響を受ける。
たバイアス点のずれ量と、高周波成分と、得られた入射
光強度に演算を加え、電界強度を決定する。
によって、経時的な温度変動に伴う電界測定値のばらつ
きは、さらに低減することができた。
ば、使用環境の温度変化にかかわらず、経時的に安定し
た、確度の高い電界測定が可能な光電界センサ装置を提
供することができる。
装置を示すブロック図。
度の関係を示す図。
計の構成を示す図。
補正処理の流れを示す図。
補正処理の流れを示す図。
Claims (7)
- 【請求項1】 アンテナと、光源と、電界強度によって
光強度を変調する光変調器と、変調光を電気信号に変換
する光検出器を備え、さらに、前記光変調器の温度をモ
ニタする温度計と、この温度計からの温度信号を用い
て、電界測定の感度係数を補正する感度補正演算部とを
備えて構成されたことを特徴とする光電界センサ装置。 - 【請求項2】 前記光検出器は電気信号を直流成分と高
周波成分とに分けて出力する手段を備え、前記感度補正
部は、前記温度計からの温度信号を用いてバイアス点の
ずれを求める演算手段と、前記直流成分と前記バイアス
点のずれから入射光強度を求める演算手段と、前記入射
光強度と前記高周波成分から、被測定電界の強度を求め
る演算手段とを備えてなることを特徴とする請求項1記
載の光電界センサ装置。 - 【請求項3】 前記光検出器は電気信号を直流成分と高
周波成分とに分けて出力する手段を備え、前記感度補正
部は、前記温度計からの温度信号を用いてバイアス点の
ずれを求める演算手段と、前記直流成分と前記バイアス
点のずれから入射光強度を求める演算手段と、前記入射
光強度と前記バイアス点のずれと前記高周波成分から、
被測定電界の強度を求める演算手段とを備えてなること
を特徴とする請求項1記載の光電界センサ装置。 - 【請求項4】 前記温度計は光ファイバで温度信号を伝
送する手段を備えて成る温度計であることを特徴とする
請求項1ないし3のいずれかに記載の光電界センサ装
置。 - 【請求項5】 前記光調部は電気光学結晶に設けられた
導波路型マッハツェンダ干渉計であることを特徴とする
請求項1ないし3のいずれかに記載の光電界センサ装
置。 - 【請求項6】 前記電気光学結晶はLiNbO3単結晶
であることを特徴とする請求項5記載の光電界センサ装
置。 - 【請求項7】 前記導波路型マッハツェンダ干渉計はL
iNbO3結晶基板上にTiイオンを拡散してなる光導
波路を備えて構成されることを特徴とする請求項5記載
の光電界センサ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000313385A JP4851000B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 光電界センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000313385A JP4851000B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 光電界センサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002122622A true JP2002122622A (ja) | 2002-04-26 |
JP4851000B2 JP4851000B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=18792813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2000313385A Expired - Lifetime JP4851000B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 光電界センサ装置 |
Country Status (1)
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